JP2005191556A - ガス封入金接合方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】デバイスと蓋となる被接合物間の少なくとも一方に周辺を輪郭状に接合金属で盛りつけ、デバイスと被接合物を減圧チャンバー内で両接合表面を原子ビーム、イオンビームまたはプラズマであるエネルギー波により表面活性化した後、180℃以下の低温で接合することにより、デバイスと被接合物間に空間を空けてある雰囲気に封止する接合方法及び装置が可能となる。また、全工程を1台の装置で1工程で行える。
【選択図】 図1
Description
2 ピストン型ヘッド
3 チャンバー壁
4 摺動パッキン
5 固定パッキン
6 上部電極
7 上ウエハー
8 下ウエハー
9 下部電極
10 チャンバー台
11 吸入口
12 排出口
13 吸入バルブ
14 排出バルブ
15 真空ポンプ
16 ガス切替弁
17 ガスA
18 ガスB
19 マーク読みとり用透過部
20 アライメントテーブル
21 ガラス窓
22 IR認識手段
23 上マーク
24 下マーク
25 2視野認識手段
26 プリズム
27 上マーク認識手段
28 下マーク認識手段
29 デバイス
30 蓋
31 金メッキ
32 金薄膜
Claims (20)
- デバイスと被接合物間の少なくとも一方に周辺を輪郭状に接合金属で盛りつけ、デバイスと被接合物を減圧チャンバー内で両接合表面を原子ビーム、イオンビームまたはプラズマであるエネルギー波により表面活性化した後、180℃以下の低温で固層で接合することにより、デバイスと被接合物間に空間を空けてある雰囲気に封止する接合方法。
- 前記接合金属が金である請求項1に記載の方法。
- 真空中で接合することにより空間を真空雰囲気で封止する請求項1〜2のいずれかに記載の接合方法。
- エネルギー波によるエッチング後、真空状態から封入ガスに置換し、封入ガス中で接合することにより、空間を封入ガス雰囲気で封止する請求項1〜2のいずれかに記載の接合方法。
- エネルギー波によりエッチンングする量が1nm以上である請求項1〜4のいずれかに記載の接合方法。
- 少なくとも一方の前記金の厚みが1μm以上のメッキである請求項2〜5のいずれかに記載の接合方法。
- 少なくとも一方の前記金メッキをアニーリングにより硬度100Hv以下とする請求項6のいずれかに記載の接合方法。
- エネルギー波がArプラズマである請求項1〜7のいずれかに記載の接合方法。
- 被接合物がウエハーからなる請求項1〜8のいずれかに記載の接合方法。
- 請求項1〜9のいずれかに記載の接合方法で作られた表面弾性波デバイス、RFデバイス、またはMEMSデバイスなどのデバイス。
- 減圧チャンバーと加圧手段を備え、デバイスと被接合物間の少なくとも一方に周辺を輪郭状に接合金属で盛りつけ、デバイスと被接合物を減圧チャンバー内で両接合表面を原子ビーム、イオンビームまたはプラズマであるエネルギー波により表面活性化した後、180℃以下の低温で固層で接合することにより、デバイスと被接合物間に空間を空けてある雰囲気に封止する接合装置。
- エネルギー波照射手段を備え、表面活性化から接合までを一環して行う請求項11に記載の接合装置。
- 前記接合金属が金である請求項11または12に記載の接合装置。
- 真空中で接合することにより空間を真空雰囲気で封止する請求項11〜13のいずれかに記載の接合装置。
- ガス置換手段を備え、エネルギー波によるエッチング後、封入ガス中で接合することにより、空間を封入ガス雰囲気で封止する請求項11〜13のいずれかに記載の接合装置。
- エネルギー波によりエッチンングする量が1nm以上である請求項11〜15のいずれかに記載の接合装置。
- 少なくとも一方の前記金の厚みが1μm以上のメッキである請求項12〜16のいずれかに記載の接合装置。
- 少なくとも一方の前記金メッキをアニーリングにより硬度100Hv以下とする請求項17のいずれかに記載の接合装置。
- エネルギー波がArプラズマである請求項11〜18のいずれかに記載の接合装置。
- 被接合物がウエハーからなる請求項11〜19のいずれかに記載の接合装置。
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