JP2007294579A - GaN系半導体発光素子の製造方法及びGaN系半導体発光素子、並びにランプ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の基板上に少なくともn型半導体層、発光層、及びp型半導体層のGaN系半導体からなる各層を順に積層し、次いで、前記n型半導体層、発光層、及びp型半導体層を覆う保護膜を形成し、前記p型半導体層上あるいは該p型半導体層上に形成される電極層上に、前記保護膜よりも突き出るようにして第1の接合層を積層することにより、第1の積層体を形成する工程と、導電性を有する第2の基板上に少なくとも導電体からなる第2の接合層を積層することにより、第2の積層体を形成する工程と、前記第1の積層体と第2の積層体とを、前記第1の接合層と第2の接合層とを接合させることにより一体化させる工程と、前記第1の積層体から第1の基板を除去する工程とを備えている。
【選択図】図1
Description
第1に、負極を形成するために、発光層をエッチング等により除去してn型半導体層を露出させることから、負極の部分だけ発光層の面積が減ってしまい、その分だけ発光出力が低下してしまうという問題がある。
第2に、正極と負極が同一面に配されるために電流の流れが水平方向となり、局部的に電流密度の高い箇所が発生し、素子が発熱してしまうという問題がある。
第三に、サファイア基板の熱伝導率は低いので、発生した熱が拡散せず、素子の温度が上昇してしまうという問題がある。
また、上下電極構造の側面に保護膜を付けることは、短絡を防ぐ点で好ましいが、テーパ形状を形成すると、加工面側から見た場合には逆テーパ形状になっているため、保護膜を側面に形成することが困難となる。このため、基板貼付け前に、上下電極構造の側面に保護膜を形成することが好ましい。
しかしながら、保護膜を正極上面に設けた場合、図17に示す発光素子100のように、基板105の貼付け時に、絶縁体である保護膜104が基板105と接合してしまい、基板105と正極103との導通をとることができなくなってしまうという問題がある。
即ち、本発明は以下に関する。
[2] 前記第1の接合層と前記第2の接合層を実質的に同一材質とし、且つ、接合面垂直方向の結晶方位が互いに略同一となるようにして形成することを特徴とする[1]に記載のGaN系半導体発光素子の製造方法。
[3] 前記第1の接合層と前記第2の接合層を同一の結晶構造とし、且つ、接合面垂直方向及び接合面内方向の結晶方位が互いに略同一となるようにして形成することを特徴とする[1]に記載のGaN系半導体発光素子の製造方法。
[4] 前記第1の積層体と第2の積層体とを一体化させる工程は、前記第1の接合層及び第2の接合層の各接合面に真空中で不活性ガスイオンビーム又は不活性ガス中性原子ビームを照射した後、前記第1の接合層及び第2の接合層の各接合面を重ね合わせることによって行なわれることを特徴とする[1]〜[3]の何れかに記載のGaN系半導体発光素子の製造方法。
[5] 前記保護膜を、前記p型半導体層上あるいは該p型半導体層上に形成される電極層上の一部を覆うようにして形成することを特徴とする[1]〜[4]の何れかに記載のGaN系半導体発光素子の製造方法。
[6] 前記第1の積層体を形成する工程は、前記第1の基板にサファイアからなる基板を用いて行なわれることを特徴とする[1]〜[5]の何れかに記載のGaN系半導体発光素子の製造方法。
[8] 前記第1の接合層と第2の接合層が実質的に同一材質からなり、且つ、接合面垂直方向の結晶方位が略同一となるように形成されていることを特徴とする[7]に記載のGaN系半導体発光素子。
[9] 前記第1の接合層と前記第2の接合層が同一の結晶構造であり、且つ、接合面垂直方向及び接合面内方向の結晶方位が略同一となるように形成されていることを特徴とする[8]に記載のGaN系半導体発光素子。
[10] 前記保護膜が、酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化シリコン、及び窒化アルミニウムの内、少なくとも何れか1種以上からなることを特徴とする[7]〜[9]の何れかに記載のGaN系半導体発光素子。
[11] 前記第1の接合層が、Au、Ag、Cu、Pt、Pd、Rh、Cu、Ir、Ru、及びReの内、少なくとも何れか1種以上の金属からなることを特徴とする[7]〜[10]の何れかに記載のGaN系半導体発光素子。
[12] 前記導電性基板がシリコンからなることを特徴とする[7]〜[11]の何れかに記載のGaN系半導体発光素子。
[13] 前記導電性基板が金属からなることを特徴とする[7]〜[11]の何れかに記載のGaN系半導体発光素子。
[14] 前記導電性基板をなす金属がCu系合金であることを特徴とする[13]に記載のGaN系半導体発光素子。
[16] 上記[7]〜[15]の何れかに記載のGaN系半導体発光素子を備えたことを特徴とするランプ。
但し、本発明は以下の実施形態の各々に限定されるものではなく、例えば、これら実施形態の構成要素同士を適宜組み合わせても良い。
本発明のGaN系半導体発光素子の製造方法は、第1の基板11上に少なくともn型半導体層13、発光層14、及びp型半導体層15のGaN系半導体からなる各層を順に積層し、次いで、n型半導体層13、発光層14、及びp型半導体層15を覆い、且つ、p型半導体層15表面の少なくとも一部に開口部(図2の符号41を参照)を有するように保護膜10を形成した後、前記開口部から露出するp型半導体層上15あるいは該p型半導体層15上に形成される電極層(符号16、17及び18参照)上に、保護膜10よりも突き出るようにして導電体からなる第1の接合層19を積層することにより、第1の積層体1Aを形成する工程(図1(a))と、導電性を有する第2の基板71上に少なくとも導電体からなる第2の接合層73を積層することにより、第2の積層体2Aを形成する工程(図1(b))と、第1の積層体1Aと第2の積層体2Aとを、第1の接合層19と第2の接合層73とを接合させることにより一体化させる工程(図1(c))と、第1の積層体1Aから第1の基板11を除去する工程(図1(d))と、を備えて概略構成されている。
図2は、上記方法(図1(a)の工程)で得られる第1の積層体1Aの断面を示す図であり、図中、符号11は第1の基板、12はGaN層、13はn型半導体層、14は発光層、15はp型半導体層、16はオーミックコンタクト層、17は反射層、18は相互拡散防止層、19は導電体からなる第1の接合層であり、10は保護膜である。
図7は、上記方法(図1(b)の工程)で得られる第2の積層体2Aの断面を示す図であり、図中、符号21は第2の基板、22は格子整合層、23は第2の接合層である。
以下、本発明の製造方法で得られるGaN系半導体発光素子の基本構成について、図2〜11を引用しながら詳述する。
第1の基板11に用いられる基板としては、サファイア単結晶(Al2O3;A面、C面、M面、R面)、スピネル単結晶(MgAl2O4)、ZnO単結晶、LiAlO2単結晶、LiGaO2単結晶、MgO単結晶等の酸化物単結晶、Si単結晶、SiC単結晶、GaAs単結晶、AlN単結晶、GaN単結晶及びZrB2等のホウ化物単結晶、等の基板材料が周知である。本発明においても、これら周知の基板材料を含めて、如何なる基板材料を何ら制限なく用いることができる。これらの中でも、サファイア単結晶及びSiC単結晶が特に好ましい。
なお、基板の面方位は特に限定されない。また、ジャスト基板でも良いしオフ角を付与した基板であっても良い。
上述の基板11上には、通常、バッファ層を介して、窒化物系半導体からなるn型半導体層13、発光層14及びp型半導体層15が積層される。また、使用する基板やエピタキシャル層の成長条件によっては、バッファ層が不要な場合がある。図1に示す例では、基板11上にGaN層12を介してn型半導体層12が積層されている。
MOCVD法では、キャリアガスとして水素(H2)または窒素(N2)、III族原料であるGa源としてトリメチルガリウム(TMG)またはトリエチルガリウム(TEG)、Al源としてトリメチルアルミニウム(TMA)またはトリエチルアルミニウム(TEA)、In源としてトリメチルインジウム(TMI)またはトリエチルインジウム(TEI)、V族原料であるN源としてアンモニア(NH3)、ヒドラジン(N2H4)などが用いられる。また、ドーパントとしては、n型にはSi原料としてモノシラン(SiH4)またはジシラン(Si2H6)を、Ge原料としてゲルマンガス(GeH4)や、テトラメチルゲルマニウム((CH3)4Ge)やテトラエチルゲルマニウム((C2H5)4Ge)等の有機ゲルマニウム化合物を利用できる。
MBE法では、元素状のゲルマニウムもドーピング源として利用できる。p型にはMg原料としては例えばビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)またはビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム(EtCp2Mg)を用いる。
下地層はAlXGa1―XN層(0≦x≦1、好ましくは0≦x≦0.5、さらに好ましくは0≦x≦0.1)から構成されることが好ましい。下地層の膜厚は0.1μm以上が好ましく、より好ましくは0.5μm以上であり、1μm以上が最も好ましい。膜厚を1μm以上とすることにより、結晶性の良好なAlXGa1―XN層が得られやすくなる。
また、nクラッド層のn型ドープ濃度は1×1017〜1×1020/cm3の範囲が好ましく、より好ましくは1×1018〜1×1019/cm3の範囲である。ドープ濃度がこの範囲であると、良好な結晶性の維持および発光素子の動作電圧低減の点で好ましい。
発光層14の膜厚としては、特に限定されないが、量子効果の得られる程度の膜厚、即ち臨界膜厚が好ましく、例えば1〜10nmの範囲であり、より好ましくは2〜6nmの範囲である。膜厚が上記範囲であると、発光出力の点で好ましい。
また、発光層は、上記のような単一量子井戸(SQW)構造の他、上記Ga1−sInsNを井戸層として、この井戸層よりバンドギャップエネルギーが大きいAlcGa2BN(0≦c<0.3かつb>c)障壁層とからなる多重量子井戸(MQW)構造としてもよい。また、井戸層および障壁層には、不純物をドープしてもよい。
pクラッド層としては、発光層14のバンドギャップエネルギーより大きくなる組成であり、発光層14へのキャリアの閉じ込めができるものであれば特に限定されないが、好ましくは、AldGa1−dN(0<d≦0.4、好ましくは0.1≦d≦0.3)のものが挙げられる。pクラッド層が、このようなAlGaNからなると、発光層13へのキャリアの閉じ込めの点で好ましい。
pクラッド層の膜厚は、特に限定されないが、好ましくは1〜400nmであり、より好ましくは5〜100nmである。
pクラッド層のp型ドープ濃度は、1×1018〜1×1021m3が好ましく、より好ましくは1×1019〜1×1020/cm3である。p型ドープ濃度が上記範囲であると、結晶性を低下させることなく良好なp型結晶が得られる。
また、p型ドーパントを1×1018〜1×1021m3の範囲の濃度で含有していると、良好なオーミック接触の維持、クラック発生の防止、良好な結晶性の維持の点で好ましく、より好ましくは5×1019〜5×1020/cm3の範囲である。
p型不純物としては、特に限定されないが、例えば、好ましくはMgが挙げられる。
pコンタクト層の膜厚は、特に限定されないが、0.01〜0.5μmが好ましく、より好ましくは0.05〜0.2μmである。膜厚がこの範囲であると、発光出力の点で好ましい。
第1の接合層19は、図2に示すように、保護膜10よりも第2の基板側(図9参照)に突き出して形成されている必要がある。この際の突き出し量は特には限定されないが、1nmから10μmの範囲であることが好ましい。突き出し量を1nm未満に調整することは困難であるので、1nm以上が好ましい。また、上限は特には限定されないが、生産性の観点から10μm以下が好ましい。さらには、10nmから1μmの範囲がより好ましい。
正極上面に形成された保護膜の面積が小さい場合は、正極上面に形成された保護膜の開口部内側に第1の接合層を形成することが好ましい。この際、正極上面に形成された保護膜を覆うように第1の接合層を形成すると、保護膜上に形成された部分が第2の基板側に突き出した状態となるので、この部分でのみの接合となって接合面積が減少し、接合強度が低下してしまう。
正極上面に形成された保護膜の面積が大きい場合は、正極上面に形成された保護膜を覆うように第1の接合層を形成することが好ましい。この際、正極上面に形成された保護膜を覆うように第1の接合層を形成すると、保護膜上に形成された部分が第2の基板側に突き出した状態となるが、保護膜の面積が大きければ図3に示す例のように接合時の面性が増加し、接合強度を向上させることができる。
さらに、第1の接合層の接合面積を増加させるためには、図4に示す例のように、第1の接合層59を、正極上面に形成された保護膜10を覆うように形成した後、平坦化することが好ましい。
また、第1の接合層の膜厚を厚くすることが、平坦化するための方法として好ましい。膜厚を厚くしてゆくと、接合層表面が平坦化されていくので、第1の接合層を2〜10μmの厚さで成膜することが好ましい。
また、第1の接合層と、後述の第2の接合層との接合界面の結晶構造、及び結晶方位が揃っているほど、接合時の安定性は高まり、接合強度が増加する。理想的には、第1の接合層と第2の接合層とは、同一物質で同一の結晶構造を有し、結晶方位が面垂直方向及び面内方向でほぼ揃っていれば、接合界面において結晶ひずみ等は発生しないので、バルク、つまり塊の状態と同等の強度が発生するものと考えられる。
従って、第1の接合層及び第2の接合層が実質的に同一物質であり、かつ、接合面垂直方向の結晶方位が略同一であれば、接合強度が向上するので好ましい。
また、第1の接合層及び第2の接合層が同じ結晶構造を有し、かつ、接合面垂直方向と接合面内方向の結晶方位が共に略同一であれば、一層接合強度が向上するのでより好ましい。
さらに、第1の接合層及び第2の接合層が、同じ物質及び同じ結晶構造を有し、且つ、接合面垂直方向及び接合面内方向の結晶方位がともに略同一であれば、接合強度が向上するのでより好ましい。
GaNの結晶構造はウルツ鉱構造であり、格子定数はa=3.16Å、c=5.13Åである。オーミックコンタクト層16が接するp型半導体層15は、Alが添加されているので格子定数は変動するが、その添加量は多くとも10%程度であるので、格子定数はほぼa=3.16Åであると言える(AlNの結晶構造もウルツ鉱構造であり、格子定数はa=3.08Å、c=4.93Åであるので、10%程度の添加量では格子定数はほぼ同じである)。
GaN系半導体は単結晶であるので、接合面内方向を見た場合、図5(a)に示すように、6角形が規則した配列になっている。従って、接合面内方向に結晶方位を揃えるためには、もともと面内方向に結晶方位が揃っている単結晶を用いることが好ましい。また、接合面内方向に結晶方位を揃えるため、接合面垂直方向同様、格子定数の差が20%以内であることが好ましい。
第1の接合層に用いる金属として、Au(面心立方晶構造,a=4.08Å)、Ag(面心立方晶構造,a=4.09Å)、Ir(面心立方晶構造,a=3.84Å)、Pt(面心立方晶構造,a=3.93Å)、Pd(面心立方晶構造,a=3.89Å)、Rh(面心立方晶構造,a=3.80Å)、Ru(六方最密充填構造,a=2.70Å),Re(六方最密充填構造,a=2.76Å)、CuPd(面心立方晶構造,a=3.62Å)は、上記の範囲に入っているので、第1の接合層として好適に用いることができる。
オーミックコンタクト層16に要求される性能としては、p型半導体層との接触抵抗が小さいことが必須であるが、第1の接合層19の結晶配向を揃えるために、結晶構造および格子定数が上述の範囲であることが好ましい。
オーミックコンタクト層16にAgを用いることは、良好な反射を得るためには好ましいが、接触抵抗はPtよりも大きい。したがって、接触抵抗がそれほど要求されない用途にはAgを用いることも可能である。
反射層17には、Ag、Al(面心立方晶構造 a=4.05Å)等を用いることができる。また、Agには、耐食性や耐温度性向上させるため、Mo、Cu、Nd等を添加することが効果的である。これらの元素の添加量は、何れの元素も5at%以下であるので、格子定数は大きく変わらない。
また、Alには、平坦性を向上させるためにNdなどを添加することが効果的であるが、添加量は5at%以下であるので、格子定数が大きく変わることは無い。
反射層17と第1の接合層19の間には、該反射層17と第1の接合層19の間の密着性向上や相互拡散防止のための相互拡散防止層18を設けても良い。また、第1の接合層19の結晶方位を揃えるために、その層を構成する単体金属、或いは合金の格子構造および格子定数が、六方晶系でa=2.53Å〜3.79Å、或いは面心立方晶系でa=3.58Å〜5.36Åの範囲であることが好ましい。
例えば、反射層17にAg、第1の接合層19にAuを用いる場合、AgとAuは全率固溶するので相互拡散が生じてしまう。これを防ぐため、相互拡散防止層18としてPt、Ru、Re、Os、Rh、Ir、Pd、Ti(六方最密充填構造 a=2.95Å)、Hf(六方最密充填構造 a=3.20Å)、Zr(六方最密充填構造 a=3.23Å)等を用いることができる。
図6は、図7に示す積層体の例と同様、図1(b)の工程によって得ることができる第2の積層体2Bを示す断面図であり、図中、符号61は第2の基板、62は第2のアモルファス層、63は第2の接合層である。
第2の基板61には、導電性を有していればどのような物質を用いることもできるが、金属、又は導電性を有するシリコンを用いることが好ましい。金属であれば、どのような物質を用いることもできるが、熱伝導率の高いCu又はCu合金を用いることが好ましい。シリコンは、熱伝導率ではCu等の金属に劣るが、シリコン(111)を使用すると結晶配向性を制御しやすいことや、GaN系半導体発光素子を素子に分割する際の加工性の良さ等の利点を有している。
多結晶で結晶方位の揃っていない金属基板の影響を抑えるためには、第2の接合層63を形成する前に、第2のアモルファス層62を形成することが好ましい。
具体的には、Co、Ni及びFeから選ばれる何れか1種類以上と、W、Mo、Ta及びNbから選ばれる何れか1種類以上とを含む金属であるか、又は、Ru及びReから選ばれる何れか1種類以上と、W、Mo、Ta及びNbから選ばれる何れか1種類以上とを含むこと金属であることが好ましい。さらに具体的には、CoW系合金、CoMo系合金、CoTa系合金、CoNb系合金、NiW系合金、NiMo系合金、NiTa系合金、NiNb系合金、FeW系合金、FeMo系合金、FeTa系合金、FeNb系合金、RuW系合金、RuMo系合金、RuTa系合金、RuNb系合金、ReW系合金、ReMo系合金、ReTa系合金、ReNb系合金であることが好ましい。
このような面垂直方向と面内方向の制御は、単結晶基板を用いることにより可能であるが、第1の接合層との接合を考慮すると、シリコン単結晶の(111)面を用いることが好ましい。
第2の基板21には、導電性を有し、且つ、単結晶を有していれば、どのような物質も用いることができるが、導電性を有するシリコン単結晶の(111)面を用いることが好ましい。
シリコン単結晶の(111)面の原子配列は、GaN(00・1)面の原子配列と同じであるので、Au,Ag,Cu,Pt,Pd,Rh,Cu,Ir等の面心立方構造(111)面、Ru,Re等の六法最密充填の(00・1)を配向させやすい。しかしながら、面心立方構造のAuの格子定数aが4.08Åなのに対して、Siの格子定数aは5.43Åと25%もずれているために、面心立方構造の(111)面を配向させることは容易ではない。Ru,Re等の六法最密充填に関しても、格子定数が大きく異なるため、(00・1)を配向させることは容易ではない。
希フッ酸の濃度は、0.1〜2wt%程度の範囲が好ましく、1〜20分程度の処理を行なうことにより、(111)面を有するシリコン単結晶基板表面を水素終端させることができる。この際、成膜中に酸素や窒素等の不純物ガスあると、きれいな洗浄面が保たれないので、真空装置の到達真空度は高いほう好ましく、1.0×10−4〜1.0×10−8Paの範囲であることが好ましい。より好ましい到達真空度は、5.0×10−5〜1.0×10−6Paの範囲である。
なお、高真空であればあるほど、エピタキシャル成長がしやすくなるものの、真空装置で1.0×10−8Paを達成するためには、大きな排気量を有する排気系が必要になり、また、真空装置を長時間ベーキングしなければならない等、効率性に欠けることから、到達真空度は上記範囲とすることが好ましい。
(111)面を有するシリコン単結晶基板表面が水素終端されている場合、1.0×10−4よりも高真空、より好ましくは5.0×10−5Paより高真空であれば、良好なエピタキシャル成長を実現することができる。
(111)面を有するシリコン単結晶基板表面上にAgを成膜する場合、そのままでも接合層として使用することができるが、接合層に用いる材料としては、より酸化されにくいAuを用いることがより好ましい。この場合、AgとAuは全率固溶するので相互拡散が生じてしまう。これを防ぐために、相互拡散防止層として、Pt、Ru、Re、Os、Rh、Ir、Pd、Ti(六方最密充填構造 a=2.95Å)、Hf(六方最密充填構造 a=3.20Å)、Zr(六方最密充填構造 a=3.23Å)等を用いることができる。
格子整合層22は、六方最密充填構造を有し、Si(111)面の対応する一辺の長さa/√2の3.84Åとのずれが20%以内であることが、Si(111)面上に六方最密充填構造の(00・1)が配向するので好ましい。また、Siは単結晶を使用するので、格子定数の差が20%以内であれば、接合面内方向に結晶方位を揃えることができる。
格子整合層22としては、Hf(六方最密充填構造、a=3.20Å)、Mg(六方最密充填構造、a=3.21Å)、Zr(六方最密充填構造、a=3.23Å)を用いることがSi(111)面の対応する一辺の長さa/√2の3.84Åとのずれが20%以内であるので好ましい。
反射層、相互拡散防止層、第1の接合層、第2の接合層、格子整合層の膜厚は、特に限定されないが、良好な結晶性を得るためには1nm以上であることが好ましい。膜厚が厚くなることにより、特に結晶性が劣化するようなことは無いので上限は限定されないが、生産性の観点から10μm以下であることが好ましい。
また、反射層、相互拡散防止層、第1の接合層、第2の接合層、格子整合層の膜厚は特に限定されないが、良好な結晶性を得るためには1nm以上であることが好ましい。膜厚が厚くなることによって結晶性が劣化することは特に無いので、上限は限定されないが、生産性の観点から、膜厚は10μm以下であることが好ましい。
第1の基板11を剥離した後、研磨法、エッチング法などによってバッファ層を除去し、n型半導体層13を露出させた後、該n型半導体層13上に負極25を形成する。負極としては、各種組成及び構造の負極が公知であり、これら公知の負極を何ら限なく用いることが出来る。
また、第2の基板21の表面(図9において下側)には正極24を形成する。
正極24としては、Au、Al、Ni及びCu等の材料を用いた各種構造が公知であり、これら公知の材料を何ら制限なく用いることが出来る。
本発明のGaN系半導体発光素子の製造方法は、上述した図1の工程図に示すように、第1の基板11上に少なくともn型半導体層13、発光層14、及びp型半導体層15のGaN系半導体からなる各層を順に積層し、次いで、n型半導体層13、発光層14、及びp型半導体層15を覆い、且つ、p型半導体層15表面の少なくとも一部に開口部(図2の符号41を参照)を有するように保護膜10を形成した後、前記開口部から露出するp型半導体層上15あるいは該p型半導体層15上に形成される電極層(符号16、17及び18参照)上に、保護膜10よりも突き出るようにして導電体からなる第1の接合層19を積層することにより、第1の積層体1Aを形成する工程(図1(a))と、導電性を有する第2の基板21上に少なくとも導電体からなる第2の接合層23を積層することにより、第2の積層体2Aを形成する工程(図1(b))と、第1の積層体1Aと第2の積層体2Aとを、第1の接合層19と第2の接合層23とを接合させることにより一体化させる工程(図1(c))と、第1の積層体1Aから第1の基板11を除去する工程(図1(d))と、を備えて概略構成されている。
これにより、第1の積層体1Aに備えられた第1の接合層19と、第2の積層体2Aに備えられた第2の接合層23とを接合する際、保護膜10よりも突き出るようにして形成された第1の接合層19が、第2の接合層23と高い接合強度で確実に接合され、第1の積層体1Aと第2の積層体2Aとが強固に一体化されるとともに、両積層体間を確実に導通させることができる。
なお、図2〜4、図6、7、9に示す例では、説明の都合上、GaN系半導体発光素子が単体に分割された状態のものを示しているが、工業的生産的には、例えば図10に示すように、第1の基板11A上に上記各層が複数並んで積層されてなる第1の積層体1Dと、第2の基板31上に上記各層が積層されてなる第2の積層体2Cとを接合した後、ダイシング等によって分割し、単体のGaN系半導体発光素子とすることができる。
上述の構成とすることにより、第1の接合層と第2の接合層との接合強度が、より一層高められる。
また、第1の積層体19を形成する工程は、第1の基板19にサファイアからなる基板を用いて行う方法とすることができる。
本発明において、実質的に同一物質とは、第1の接合層及び第2の接合層における同一物質の濃度がともに50at%以上であり、且つ、同じ結晶構造を有し、その格子定数差が5%以内であるものと定義される。
例えば、第1の接合層がAu(111)面であれば、第2の接合層がAu(111)であることが最も好ましい。
レーザリフトオフ法を用いる場合は、KrFエキシマレーザ(波長248nm)、又はArFエキシマレーザ(波長193nm)を用いることが好ましい。
本発明の発光素子は、当業者周知の方法を用いてなんら制限無くLEDランプとして構成することができる。
図11は、本発明のランプの一例を模式的に示した断面図であり、このランプ7は、図9に示す本発明の上下電極型のGaN系半導体からなる発光素子1が砲弾型に実装されたものである。図11において、符号71、72はフレームを示し、符号73はワイヤー、符号74はモールドを示している。
また、本発明のランプは、一般用途の砲弾型、携帯のバックライト用途のサイドビュー型、表示器に用いられるトップビュー型等、何れの用途にも用いることができる。
(GaN系半導体発光素子の作製方法)
図2に示すようなサファイアからなる第1の基板11上に、AlNからなる図示略のバッファ層を介して、窒化ガリウム系化合物半導体層を積層した。この窒化ガリウム系化合物半導体層は、厚さ4μmのアンドープGaNからなる下地層(GaN層12)、厚さ2μmのGeドープn型GaNコンタクト層及び厚さ0.02μmのn型In0.1Ga0.9Nクラッド層がこの順序で積層されたn型半導体層13、厚さ16nmのSiドープGaN障壁層および厚さ2.5nmのIn0.06Ga0.94N井戸層を5回積層し、最後に障壁層を設けた多重量子井戸構造の発光層14、および厚さ0.01μmのMgドープp型Al0.07Ga0.93Nクラッド層と厚さ0.18μmのMgドープp型Al0.02Ga0.98Nコンタクト層がこの順序で積層されたp型半導体層15からなり、各層をこの順で積層して形成した。
この構造において、n型GaNコンタクト層のキャリア濃度は1×1019cm−3であり、GaN障壁層のSiドープ量は1×1017cm−3であり、p型AlGaNコンタクト層のキャリア濃度は5×1018cm−3であり、p型AlGaNクラッド層のMgドープ量は5×1019cm−3であった。
また、窒化ガリウム系化合物半導体層の積層(図1の符号12、13、14、15)は、MOCVD法により、当該技術分野においてよく知られた通常の条件で行なった。
次に、反射層17としてAgを20nm、相互拡散防止層18としてPtを20nm、この順番でスパッタ法により成膜した。
次に、公知のフォトリソグラフィー法を用いて、ドライエッチングによりバッファ層に至るまで窒化物系半導体を掘り、分割した。この際、レジストをテーパ状にすることにより、窒化物系半導体側面もテーパ形状とした。
次に、公知のフォトリソグラフィー法を用いて、保護膜10としてAl2O3をCVD法により50nm成膜した。この際、相互拡散防止層18上の外周部を、Al2O3からなる保護膜10によって、面積比で20%覆うようにして形成した。
このようにして、図2に示すような、第1の積層体1Aを作製した。
次いで、n型半導体層13の表面に、図示略のITO(SnO2:10wt%)を400nm、蒸着により成膜した。次いで、ITO表面上の中央部に、Cr(40nm)、Ti(100nm)、Au(1000nm)からなる負極25を、蒸着法により成膜した。なお、負極25のパターンは、公知のフォトリソグラフィー技術及びリフトオフ技術を用いて形成した。
また、第2の基板21表面には、Au(1000nm)からなる正極24を、蒸着法により成膜した。
そして、上述の積層体をダイシングにより分割し、350μm角の窒化物系半導体素子とした。
第一の接合層19の配向性をしらべるため、相互拡散防止層18を成膜後、Auを70nm成膜した試料のin−plane X線測定を実施した。これは、基板等からの情報が入らないようにAuを全面に成膜する必要性があるからである。図12のグラフに、2θ/Φの測定結果を示す。Au(220)ピークが確認できるので、面垂直方向にAu(111)配向しているといえる。また、図13のグラフに、2θをAu(220)ピークに固定した際のΦ測定の結果を示す。6つのピークが等間隔であり、6回対象性を示していることが分かる。このことから、p型コンタクト層上に、Auがエピタキシャル成長しているといえる。
得られた窒化物系半導体発光素子について、TO−18缶パッケージに実装して、テスターを用いて印加電流20mAにおける発光出力を測定した。
また、密着性を評価するため、ダイシングによって窒化物系半導体素子に分割する前に、膜剥離試験を実施した。剥離試験はJISに規定された方法(JIS H8062−1992)に、ヒートショック試験を組み合わせた加速試験を採用した。
まず、窒化物系半導体素子に、カッターナイフを用いて直線状の引っかき傷を1mm間隔の碁盤目状に入れた。この引っかき傷の深さは、第2の基板21表面に到達する深さとした。次いで、これを400℃の温度のオーブン内で30分加熱した後、20℃の温度に水中で急冷し、乾燥させた。
次いで、引っかき傷を入れた窒化物系半導体素子表面部分に粘着テープ(ニチバン製、セロハンテープ、幅12mm)を貼り付け、これを隙間無く密着させた後、テープを窒化物系半導体素子表面から引き剥がした。この際、引っかき傷によって区画された1mm四方の窒化物系半導体素子表面区画100個の内、引き剥がされずに残った区画を計数した。即ち、残った区画が100個であれば、膜剥がれが無いものと判断できる。
実施例1の発光素子の発光出力は17mW、駆動電圧は3.2V、剥離試験残留区画数は100であった。
第1の接合層としてAuを150nmスパッタにより成膜した。Auは、Al2O3成膜部も含めて相互拡散防止膜上に公知のフォトリソグラフィー技術を用いて成膜した。
次いで、スパッタ装置内で逆スパッタすることによりAuの平坦化を実施した。この際、Auを逆スパッタにより80nmエッチングして平坦化した。
上記以外は、実施例1と同様に窒化物系半導体発光素子を作製し、実施例1と同様に評価した。
Auの配向性を調べるため、in−plane X線測定を実施して2θ/Φを測定したところ、実施例1と同様、Au(220)ピークが確認できるので、面垂直方向にAu(111)配向しているといえる(図12のグラフ参照)。また、2θをAu(220)ピークに固定した際のΦを測定したところ、6つのピークが等間隔であり、6回対象性を示していることが分かる(図13のグラフ参照)。このことから、p型コンタクト層上に、Auがエピタキシャル成長しているといえる。
また、実施例2の発光素子の発光出力は17mW、駆動電圧は3.0V、剥離試験残留区画数は100であった。
第1の接合層としてAuを成膜した後、公知のフォトリソグラフィー法を用いて、保護膜としてAl2O3をCVD法により50nm成膜した。第1の接合層上の外周部には、Al2O3からなる保護膜を、面積比で20%覆うように形成した(図17を参照)。
上記以外は、実施例1と同様にして窒化物系半導体発光素子を作製し、実施例1と同様に評価した。
比較例1の発光素子の発光出力は10mW、駆動電圧は6.2V、剥離試験残留区画数は20であった。
表面に(111)面を有するSi単結晶からなる第2の基板に、Crを50nm、第2の接合層としてAuを20nm、この順でスパッタにより成膜した以外は、実施例1と同様にして窒化物系半導体発光素子を作製し、実施例1と同様に評価した。
Auの配向性を調べるため、in−plane X線測定を実施し、2θをAu(220)に固定した際のΦの測定の結果を図16のグラフに示す。図16のグラフにおいて、ピークが観察されないことから、6回対象性を示していないことが分かる。また、out−plane X線測定(θ/2θ法)により、Au(111)、Au(220)、Au(200)のピークが観察され、面垂直方向にも一軸配向性を示していないことが分かる。
また、比較例2の発光素子の発光出力は13mW、駆動電圧は4.6V、剥離試験残留区画数は58であった。
さらに、実施例2に示すように、接合層同士の接合面積を増加させた発光素子は、駆動電圧が低くなっていることがわかる。
また、第1の接合層(Au)と第2の接合層(Cr)とを異なる材料から構成し、また、接合面垂直方向の結晶方位がそれぞれ異なる比較例2の発光素子では、接合層同士の密着性が悪く、実施例1及び2の発光素子に比べて発光出力が低くなっているとともに、駆動電圧が大幅に上昇していることが分かる。
Claims (16)
- GaN系半導体からなる各層を備えるGaN系半導体発光素子の製造方法であって、
第1の基板上に少なくともn型半導体層、発光層、及びp型半導体層のGaN系半導体からなる各層を順に積層し、次いで、前記n型半導体層、発光層、及びp型半導体層を覆い、且つ、p型半導体層表面の少なくとも一部に開口部を有するように保護膜を形成した後、前記開口部から露出するp型半導体層上あるいは該p型半導体層上に形成される電極層上に、前記保護膜よりも突き出るようにして導電体からなる第1の接合層を積層することにより、第1の積層体を形成する工程と、
導電性を有する第2の基板上に少なくとも導電体からなる第2の接合層を積層することにより、第2の積層体を形成する工程と、
前記第1の積層体と第2の積層体とを、前記第1の接合層と第2の接合層とを接合させることにより一体化させる工程と、
前記第1の積層体から第1の基板を除去する工程と、
を備えていることを特徴とするGaN系半導体発光素子の製造方法。 - 前記第1の接合層と前記第2の接合層を実質的に同一材質とし、且つ、接合面垂直方向の結晶方位が互いに略同一となるようにして形成することを特徴とする請求項1に記載のGaN系半導体発光素子の製造方法。
- 前記第1の接合層と前記第2の接合層を同一の結晶構造とし、且つ、接合面垂直方向及び接合面内方向の結晶方位が互いに略同一となるようにして形成することを特徴とする請求項1に記載のGaN系半導体発光素子の製造方法。
- 前記第1の積層体と第2の積層体とを一体化させる工程は、前記第1の接合層及び第2の接合層の各接合面に真空中で不活性ガスイオンビーム又は不活性ガス中性原子ビームを照射した後、前記第1の接合層及び第2の接合層の各接合面を重ね合わせることによって行なわれることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のGaN系半導体発光素子の製造方法。
- 前記保護膜を、前記p型半導体層上あるいは該p型半導体層上に形成される電極層上の一部を覆うようにして形成することを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載のGaN系半導体発光素子の製造方法。
- 前記第1の積層体を形成する工程は、前記第1の基板にサファイアからなる基板を用いて行なわれることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載のGaN系半導体発光素子の製造方法。
- GaN系半導体からなる各層を備えるGaN系半導体発光素子であって、
少なくともn型半導体層、発光層、及びp型半導体層のGaN系半導体からなる各層が順に積層されており、且つ、前記n型半導体層、発光層、及びp型半導体層を覆うように保護膜が形成されているとともに、前記p型半導体層上あるいは該p型半導体層上に形成される電極層上に、導電体からなる第1の接合層が形成されている第1の積層体と、
導電性基板上に各層が積層され、少なくとも導電体からなる第2の接合層が形成されている第2の積層体とを有し、
前記第1の接合層と第2の接合層とが接合されることにより、前記第1の積層体と第2の積層体とが一体化されてなることを特徴とするGaN系半導体発光素子。 - 前記第1の接合層と第2の接合層が実質的に同一材質からなり、且つ、接合面垂直方向の結晶方位が略同一となるように形成されていることを特徴とする請求項7に記載のGaN系半導体発光素子。
- 前記第1の接合層と前記第2の接合層が同一の結晶構造であり、且つ、接合面垂直方向及び接合面内方向の結晶方位が略同一となるように形成されていることを特徴とする請求項7に記載のGaN系半導体発光素子。
- 前記保護膜が、酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化シリコン、及び窒化アルミニウムの内、少なくとも何れか1種以上からなることを特徴とする請求項7〜9の何れか1項に記載のGaN系半導体発光素子。
- 前記第1の接合層が、Au、Ag、Cu、Pt、Pd、Rh、Cu、Ir、Ru、及びReの内、少なくとも何れか1種以上の金属からなることを特徴とする請求項7〜10の何れか1項に記載のGaN系半導体発光素子。
- 前記導電性基板がシリコンからなることを特徴とする請求項7〜11の何れか1項に記載のGaN系半導体発光素子。
- 前記導電性基板が金属からなることを特徴とする請求項7〜11の何れか1項に記載のGaN系半導体発光素子。
- 前記導電性基板をなす金属がCu系合金であることを特徴とする請求項13に記載のGaN系半導体発光素子。
- 請求項1〜6の何れか1項に記載の製造方法によって得られるGaN系半導体発光素子。
- 請求項7〜15の何れか1項に記載のGaN系半導体発光素子を備えたことを特徴とするランプ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006119208A JP5446059B2 (ja) | 2006-04-24 | 2006-04-24 | GaN系半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006119208A JP5446059B2 (ja) | 2006-04-24 | 2006-04-24 | GaN系半導体発光素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007294579A true JP2007294579A (ja) | 2007-11-08 |
JP5446059B2 JP5446059B2 (ja) | 2014-03-19 |
Family
ID=38764917
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006119208A Active JP5446059B2 (ja) | 2006-04-24 | 2006-04-24 | GaN系半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5446059B2 (ja) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP5446059B2 (ja) | 2014-03-19 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110713 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A711 | Notification of change in applicant |
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|
A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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