JP2004119430A - 接合装置および方法 - Google Patents

Abstract

【課題】特定の手法により被接合物の金属接合部を洗浄するとともに、洗浄後の接合を大気中で行えるようにし、とくに接合工程の簡素化、装置全体の簡素化、コストダウンをはかる。
【解決手段】基材の表面に金属接合部を有する被接合物同士を接合する装置であって、減圧下で前記金属接合部の表面にプラズマを照射する洗浄手段と、該手段から取り出した被接合物の金属接合部同士を大気中で接合する接合手段とを有することを特徴とする接合装置、および接合方法。
【選択図】　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップやウエハー、各種回路基板等の、基材の表面に金属接合部を有する被接合物同士を接合する接合装置および方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
接合部を有する被接合物同士を接合する方法として、特許文献１には、シリコンウエハーの接合面同士を接合するに際し、接合に先立って室温の真空中で不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビームを照射してスパッタエッチングする、シリコンウエハーの接合法が開示されている。この接合法では、シリコンウエハーの接合面における酸化物や有機物等が上記のビームで飛ばされて活性化された原子で表面が形成され、その表面同士が、原子間の高い結合力によって接合される。したがって、この方法では、基本的に、接合のための加熱を不要化でき、活性化された表面同士を単に接触させるだけで、常温またはそれに近い低温での接合が可能になる。
【０００３】
しかし、この接合法では、エッチングされた接合面同士の接合は、真空中にて、表面活性化の状態を維持したまま行われなければならない。そのため、上記ビームによる表面洗浄から接合に至るまで、所定の真空状態に保たなければならず、とくに接合のための機構の少なくとも一部を所定の真空度に保持可能なチャンバ内に構成しなければならないためシール機構が大がかりになり、装置全体が大型かつ高価なものになる。また、上記ビームによる表面洗浄と接合の工程を分けるためにこれらを別の箇所で行おうとすると、両箇所間にわたって所定の真空状態に保つことや、該真空状態に保ったまま被接合物を洗浄箇所から接合箇所に搬送する手段が必要になり、現実的な装置設計が難しくなるとともに、さらに装置全体の大型化を招く。
【０００４】
【特許文献１】
特許第２７９１４２９号公報（特許請求の範囲）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明者らは、上記問題点に鑑み、上記のような接合面の表面活性化による接合における利点を最大限確保しつつ、とくに接合段階の簡素化をはかるべく鋭意検討、実験を行った結果、被接合物の金属接合部同士の接合を大気中で行うことに成功した。
【０００６】
すなわち、本発明の課題は、特定の手法により被接合物の金属接合部を洗浄するとともに、洗浄後の接合を大気中で行えるようにし、とくに接合工程の簡素化、装置全体の簡素化、コストダウンをはかることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明に係る接合装置は、基材の表面に金属接合部を有する被接合物同士を接合する装置であって、減圧下で前記金属接合部の表面にプラズマを照射する洗浄手段と、該手段から取り出した被接合物の金属接合部同士を大気中で接合する接合手段とを有することを特徴とするものからなる。
【０００８】
この接合装置においては、上記接合手段が加熱手段を有し、１８０℃以下好ましくは１５０℃未満の温度で金属接合部同士を接合する手段からなることが好ましい。加熱なしに常温で接合できることが望ましいのであるが、加熱により、接合のための原子の動きがより活発になり、かつ、接合面がより軟らかくなって接合面間の微小隙間をより良好に閉じやすくなると考えられるので、加熱を併用することが好ましい場合もある。ただし、たとえ加熱を行うとしても、１８０℃以下好ましくは１５０℃未満の温度の加熱でよいので、装置的な負担は小さくて済む。すなわち、従来、低温で金属接合する一般例はハンダであり、ハンダの融点である１８３℃以上に加熱する必要があったが、本発明ではそれ以下の（１８０℃以下好ましくは１５０℃未満の）温度で接合が可能となる。特に、金属接合部が金である場合には、１００℃以下での接合が可能となる。
【０００９】
また、この接合装置においては、接合される両金属接合部の表面がともに金からなることが好ましい。金属接合部を形成する電極等の全体を金で構成することもできるが、表面だけを金で構成することもできる。表面を金で構成するための形態はとくに限定されず、金めっきの形態や金薄膜をスパッタリングや蒸着等により形成した形態を採用すればよい。
【００１０】
上記洗浄手段としては、プラズマ照射において金属接合部の接合される全表面で１．６ｎｍ以上の深さのエッチングが可能なエネルギー以上でプラズマ照射する手段からなることが好ましい。このようなエッチングエネルギー以上でのプラズマ照射により、金属接合部同士を大気中で接合するに必要な表面エッチングを行うことが可能になる。また、洗浄手段としては、プラズマ強度の制御が容易でかつ所定のプラズマを必要な箇所に効率よく発生させることができる、Ａｒプラズマ照射手段が好適である。
【００１１】
上記接合手段としては、金属接合部同士の接合時の隙間のばらつきを最大４μｍ以下にする手段からなることが好ましい。隙間のばらつきが４μｍ以下であれば、適切な接合荷重で、金属接合部同士の接合のために必要な隙間のばらつき以下に抑えることが可能となる。
【００１２】
また、上記接合手段として、適切な接合荷重印加により、少なくとも一方の金属接合部の接合後の表面粗さを１０ｎｍ以下にする手段からなることが好ましい。表面粗さが１０ｎｍ以下とされれば、低温、たとえば常温での接合が可能となる。また、このような１０ｎｍ以下の接合後表面粗さを達成するためには、接合前の表面粗さも過大にならないようにしておく必要があり、たとえば、少なくとも一方の金属接合部の接合前の表面粗さを１００ｎｍ以下としておくことが好ましい。
【００１３】
接合荷重としては、たとえばバンプが壊れたりバンプに過大な変形が生じたりしないようするために、特にバンプ下の回路に悪影響を与えないようにするために、実用的に適切な値以下に抑えることが好ましい。すなわち、上記接合手段が、たとえば３００ＭＰａ以下の接合荷重で金属接合部同士を接合する手段からなることが好ましい。一般的に、半導体の回路が耐え得る応力は３００ＭＰａと考えられているので、接合荷重を３００ＭＰａ以下とすることで、上記のような不都合の発生の回避が可能となる。
【００１４】
また、金属接合部同士の接合に際し、表面同士が良好に密着できるように、金属接合部の表面硬度がビッカース硬度Ｈｖで１００以下とされていることが好ましい。たとえば、表面硬度Ｈｖを３０〜７０の範囲内（たとえば、平均Ｈｖを５０）とすることが好ましい。このような低硬度としておくことで、接合荷重印加時に金属接合部の表面が適当に変形し、より密接な接合が可能となる。
【００１５】
また、本発明に係る接合装置においては、接合面の所定領域全面にわたって所定の電気的接続を達成するために、接合時の良好な平行度が重要な要素となる。そのため、上記接合手段としては、金属接合部同士の接合時の基材間の接合領域における平行度を４μｍ以下（レンジで４μｍ以下）に調整可能な手段からなることが好ましい。
【００１６】
また、少なくとも一方の金属接合部が複数のバンプによって形成されている場合には、バンプ高さのばらつきが４μｍ以下（レンジで４μｍ以下）であることが好ましい。これによって、前述の如く、金属接合部同士の接合時の隙間のばらつきを最大４μｍ以下に抑えることが可能となる。
【００１７】
本発明に係る接合方法は、基材の表面に金属接合部を有する被接合物同士を接合するに際し、減圧下で前記金属接合部の表面をプラズマ処理した後、大気中で金属接合部同士を接合することを特徴とする方法からなる。
【００１８】
この接合方法においても、１８０℃以下好ましくは１５０℃未満で金属接合部同士を接合することが好ましい。また、表面がともに金からなる金属接合部同士を接合する形態を採用できる。
【００１９】
また、上記プラズマ処理においては、金属接合部の接合される全表面で１．６ｎｍ以上の深さにエッチングすることが好ましい。プラズマ処理としては、Ａｒプラズマ処理を採用できる。
【００２０】
また、金属接合部同士の接合時に、金属接合部間の隙間のばらつきを最大４μｍ以下にすることが好ましい。さらに、少なくとも一方の金属接合部の接合後の表面粗さを１０ｎｍ以下にすることが好ましい。少なくとも一方の金属接合部の接合前の表面粗さとしては、１００ｎｍ以下にしておくことが好ましい。
【００２１】
接合荷重に関しては、３００ＭＰａ以下の接合荷重で金属接合部同士を接合することが好ましい。また、金属接合部の表面硬度はＨｖで１００以下にすることが好ましい。
【００２２】
さらに、金属接合部同士の接合時の基材間の接合領域における平行度を４μｍ以下にすることが好ましい。少なくとも一方の金属接合部が複数のバンプによって形成されている場合には、バンプ高さのばらつきが４μｍ以下であることが好ましい。
【００２３】
上記のような本発明に係る接合装置および方法においては、所定の減圧下で被接合物の金属接合部の表面がプラズマ処理された後、表面がエッチングにより洗浄され活性化された金属接合部同士が大気中で接合される。大気中での接合が可能となるので、接合のために大がかりな真空装置やそのためのシール装置等が不要になり、工程全体、装置全体として大幅に簡素化され、コストダウンも可能となる。
【００２４】
この大気中での接合は、現実には、後述の実施例に示すように、所定のエッチングエネルギー以上でのプラズマ照射による表面洗浄、活性化に加え、金属接合部同士の接合時の隙間のばらつきを小さく抑え、さらに、金属接合部の表面粗さや表面硬度、接合荷重等を適切な範囲に設定し、これら諸条件が組み合わされることによって達成できたものである。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について、実施例とともに、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施態様に係る接合装置１を示しており、基材の表面に金属接合部２または３を有する被接合物４または５は、まず、真空ポンプ６により減圧され所定の真空度にされたチャンバ７内で、洗浄手段としてのプラズマ照射手段８から照射されたプラズマ９によって金属接合部２、３の表面がエッチングにより洗浄される（洗浄工程）。本実施態様では、ポンプ１０によりチャンバ７内にＡｒガスを供給できるようになっており、Ａｒガス雰囲下でかつ所定の減圧下にてプラズマ照射できるようになっている。洗浄された被接合物４、５は、チャンバ７内から取り出され、接合工程（接合部１１）にて、金属接合部２、３同士が大気中で接合される。
【００２６】
なお、上記被接合物４は、たとえばチップからなり、被接合物５は、例えば基板からなる。ただし、ここでチップとは、たとえば、ＩＣチップ、半導体チップ、光素子、表面実装部品、ウエハー、ＴＣＰやＦＰＣなど種類や大きさに関係なく基板と接合される側の全ての形態のものを指す。また、基板とは、たとえば、樹脂基板、ガラス基板、フィルム基板、チップ、ウエハーなど種類や大きさに関係なくチップと接合される側の全ての形態のものを指す。
【００２７】
接合部１１では、たとえば、所定の待機部１２に、上記洗浄された被接合物４、５が載置される。被接合物４は、反転機構１３のヘッド部１４に、洗浄面に触れないように、吸着等により保持され、上下反転された後、ボンディングヘッド１５の下部に設けられたボンディングツール１６に、金属接合部２が下方に向けられた形態で吸着等によって保持される。被接合物５は、たとえば、ボンディングステージ１７上に、金属接合部３が上方に向けられた形態で吸着等によって保持される。本実施態様では、ボンディングツール１６に加熱手段としてのヒータ１８が内蔵されており、大気中にて、常温下での接合、加熱下での接合のいずれも可能となっている。
【００２８】
ボンディングヘッド１５には、シリンダー機構１９が組み込まれており、ボンディングツール１６に保持されている被接合物４に、下方に向けての、つまり、被接合物５に対して、所定の接合荷重を印加、コントロールできるようになっている。本実施態様では、ボンディングヘッド１５は、上下方向ガイド２０に沿って、昇降装置２１（たとえば、サーボモータおよびボールネジ機構を備えた装置）により上下方向（Ｚ方向）に移動および位置決めできるようになっている。
【００２９】
また、上記被接合物５を保持しているボンディングステージ１７は、本実施態様では、下部に設けられている位置調整テーブル２２による、Ｘ、Ｙ方向の水平方向位置制御、θ方向の回転方向位置制御、および、Ｘ軸、Ｙ軸周りの傾き調整制御により、被接合物４との間の相対位置合わせおよび平行度調整を行うことができるようになっており、金属接合部同士の接合時の隙間のばらつきを小さく抑えることもできるようになっている。この相対位置合わせおよび平行度調整は、被接合物４、５間に進退可能に挿入される認識手段、たとえば２視野の認識手段２３（たとえば、２視野カメラ）により、被接合物４、５あるいはそれらの保持手段に付された認識マーク（図示略）を読み取り、読み取り情報に基づいて位置や角度の必要な修正を行うことにより、実施される。２視野の認識手段２３は、Ｘ、Ｙ方向、場合によってはＺ方向への位置調整が可能となっている。この相対位置合わせおよび平行度調整は、本実施態様では主としてボンディングステージ１７側で行われるが、ボンディングヘッド１５またはボンディングツール１６側で行うようにすることも可能であり、両側で行うことも可能である。両側で行う場合には、必要に応じて、ボンディングヘッド１５側については昇降制御だけでなく回転制御および／または平行移動制御を行い、ボンディングステージ１７側についても回転制御、平行移動制御および昇降制御などを行うことができ、これら制御形態は必要に応じて任意に組み合わせることが可能である。
【００３０】
また本実施態様では、被接合物４、５が接合された接合体２５も、待機部１２上に一旦載置されるようになっており、そこから図示を省略した適当な搬送機構により、次の工程あるいはストック箇所へと搬送されるようになっている。
【００３１】
【実施例】
上記のような接合装置を用いて、本発明に係る接合方法について、以下のような試験を行った。試験に用いた被接合物５としての基板３１は、図２に示すものであり、図２（Ａ）は基板３１全体の平面図を、図２（Ｂ）は多数のバンプが形成された中心部の拡大図を、図２（Ｃ）は配設されたバンプ３２群の部分拡大斜視図を、それぞれ示している。試験に用いた被接合物４としてのチップ３３は、図３に示すものであり、基板の中心部のバンプ３２群に対応させて所定の回路パターンが形成されたものである。
【００３２】
これら基板およびチップのサンプル仕様は以下の通りである。
・基板：Ｓｉ基板、Ａｌパッド上にＡｕめっきバンプを形成したもの
基板サイズ：２０ｍｍ×２０ｍｍ、バンプ形成領域：中心部４ｍｍ×４ｍｍ内
バンプサイズ：４０μｍ×４０μｍ×高さ３０μｍ（８０μｍピッチ）、
バンプ数：４００個（バンプパターンは図２（Ｂ）参照）
・チップ：Ｓｉ熱酸化基板上、Ａｕスパッタ膜（Ａｕ−０．３μｍ／Ｃｒ−０．１μｍ）
サイズ：６ｍｍ×６ｍｍ、（パターン形成領域：中心部４ｍｍ×４ｍｍ内）
３端子測定用にＬ型電極パターン形成（後述の抵抗値としては、Ｌ字角部における接続抵抗を測定、各辺１０×４）
【００３３】
以下の条件で、短時間のプラズマ照射による金属接合部の表面活性化効果について、プラズマ照射による表面洗浄後、窒素雰囲気中での接合、および、大気中での接合の比較試験を行い、各々の雰囲気中での接合におけるプラズマ照射時間の影響を、平均接続抵抗およびダイシェア強度にて測定した。なお、大気中での接続については、プラズマ照射後３．５分放置した後接合を行ったものと、１５分放置した後接合を行ったものとについて試験した。結果を表１、表２、図４、図５に示す。
【００３４】
プラズマ照射の効果確認試験の条件：
・プラズマ投入電力：１００Ｗ
・Ａｒ流量３０ｃｃｍ
・Ａｒ導入時の真空度：１０Ｐａ
・照射時の真空度：７．５Ｐａ以下
・接合荷重：２０ｋｇｆ（５０ｇｆ／バンプ，３００ＭＰａ）
・荷重印加時間：１秒
・接合温度：１００℃（３７３Ｋ）
・チップ内の電極の高さのばらつき最大値：２．３μｍ
・Ｓｉ基板内のバンプの高さのばらつき最大値：３．０μｍ
【００３５】
【表１】

【００３６】
【表２】

【００３７】
表１、図４に示すように、プラズマ照射後１５分放置後に大気中で接合した場合でも、窒素中接合と同等の接合が可能であり、十分に良好な接合を大気中で行うことが可能であることを確認できた。また、表２、図５に示すように、プラズマ照射としては５秒程度以上行えば十分であることが確認できた。
【００３８】
また、プラズマ照射と、接合される表面としてのＡｕめっきバンプ表面におけるエッチング深さとの関係を調べた結果、プラズマ投入電力５０Ｗの場合、約２０ｎｍ／分、１００Ｗの場合、約３０ｎｍ／分であった。いずれの投入電力の場合も、上述の如く５秒程度以上のプラズマ照射で、大気中での接合が可能であった。したがって、大気中での接合を可能とするエッチング深さとしては、２０ｎｍ×〔５秒／６０秒〕＝１．６ｎｍ以上あればよいことが確認できた。
【００３９】
また、表３、表４および図６、図７に、接合温度をパラメータとして、１バンプ当たりの接合荷重と得られた接続抵抗およびダイシェア強度との関係を示す。条件は、大気中接合、荷重印加時間：１秒、プラズマ投入電力：１００Ｗ、照射時間：３０秒、照射後の放置（露出）時間：３．５分で、他の条件は前述したのと同じである。
【００４０】
【表３】

【００４１】
【表４】

【００４２】
１バンプ当たりの接合荷重が５０ｇｆ以下でも、十分に実用的な低抵抗での接続状態を得ることが可能であり、ダイシェア強度も十分であり、かつ、１００℃（３７３Ｋ）以下で、あるいは、常温（２７℃、３００Ｋ）付近でも、十分に実用的な接続状態を得ることが可能であることを確認できた。
【００４３】
さらに、表５に、１バンプ当たりの接合荷重と接合後のバンプ表面粗さとの関係を示す。この接合後のバンプ表面粗さは、実際に接合してしまうと測定が困難であるので、模擬的にプラズマ照射を行わずに、接合荷重を加え、その接合荷重によるバンプ表面の押圧変形後の表面粗さを測定したものである。十分に低抵抗での接続状態を得るためには、１０ｎｍ以下の接合後バンプ表面粗さが好ましいと考えられる。これを達成するためには、表５から、２０ｋｇｆ程度の荷重を加えれば十分であり、それ以下でも可能であることが分かるが、この値は、１バンプ当たりの５０ｇｆの接合荷重に相当している。したがって、１バンプ当たりの５０ｇｆ以下の接合荷重でも、１０ｎｍ以下の接合後バンプ表面粗さを達成可能であることが分かる。つまり、３００ＭＰａ以下の接合荷重でも可能である。ただし、押圧後このような１０ｎｍ以下のバンプ表面粗さを達成ためには、接合前のバンプ表面粗さが１００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００４４】
【表５】

【００４５】
上記のような試験により、本発明では、各種条件を適切に設定することにより、プラズマ照射後、大気中での接合が可能であることを確認できた。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る接合装置および方法によれば、例示したように各種条件を適切に設定し、本発明に係る特定の手法を採用することにより、プラズマ洗浄後の金属接合部同士の接合を大気中で行うことが可能になり、これによって大幅な接合工程の簡素化、装置全体の簡素化、コストダウンをはかることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施態様に係る接合装置の概略構成図である。
【図２】試験に用いた被接合物としての基板を示し、（Ａ）はその全体の平面図、（Ｂ）は多数のバンプが形成された中心部の拡大平面図、（Ｃ）は配設されたバンプ群の部分拡大斜視図である。
【図３】試験に用いた被接合物としてのチップの平面図である。
【図４】プラズマ照射時間と接続抵抗との関係図である。
【図５】プラズマ照射時間とダイシェア強度との関係図である。
【図６】１バンプ当りの接合荷重と接続抵抗との関係図である。
【図７】１バンプ当りの接合荷重とダイシェア強度との関係図である。
【符号の説明】
１　接合装置
２、３　金属接合部
４、５　被接合物
６　真空ポンプ
７　チャンバ
８　プラズマ照射手段
９　プラズマ
１０　Ａｒガス供給ポンプ
１１　接合部
１２　待機部
１３　反転機構
１４　反転機構のヘッド部
１５　ボンディングヘッド
１６　ボンディングツール
１７　ボンディングステージ
１８　加熱手段としてのヒータ
１９　シリンダー機構
２０　上下方向ガイド
２１　昇降装置
２２　位置調整テーブル
２３　２視野の認識手段
２５　接合体
３１　被接合物としての基板
３２　バンプ
３３　被接合物としてのチップ

Claims (26)

1. 基材の表面に金属接合部を有する被接合物同士を接合する装置であって、減圧下で前記金属接合部の表面にプラズマを照射する洗浄手段と、該手段から取り出した被接合物の金属接合部同士を大気中で接合する接合手段とを有することを特徴とする接合装置。
2. 前記接合手段が加熱手段を有し、１８０℃以下で金属接合部同士を接合する手段からなる、請求項１の接合装置。
3. 接合される両金属接合部の表面がともに金からなる、請求項１または２の接合装置。
4. 前記洗浄手段が、プラズマ照射において前記金属接合部の接合される全表面で１．６ｎｍ以上の深さのエッチングが可能なエネルギー以上でプラズマ照射する手段からなる、請求項１ないし３のいずれかに記載の接合装置。
5. 前記洗浄手段がＡｒプラズマ照射手段からなる、請求項１ないし４のいずれかに記載の接合装置。
6. 前記接合手段が、金属接合部同士の接合時の隙間のばらつきを最大４μｍ以下にする手段からなる、請求項１ないし５のいずれかに記載の接合装置。
7. 前記接合手段が、少なくとも一方の金属接合部の接合後の表面粗さを１０ｎｍ以下にする手段からなる、請求項１ないし６のいずれかに記載の接合装置。
8. 少なくとも一方の金属接合部の接合前の表面粗さが１００ｎｍ以下とされている、請求項１ないし７のいずれかに記載の接合装置。
9. 前記接合手段が、３００ＭＰａ以下の接合荷重で金属接合部同士を接合する手段からなる、請求項１ないし８のいずれかに記載の接合装置。
10. 金属接合部の表面硬度がビッカース硬度Ｈｖで１００以下とされている、請求項１ないし９のいずれかに記載の接合装置。
11. 前記接合手段が、金属接合部同士の接合時の基材間の接合領域における平行度を４μｍ以下に調整可能な手段からなる、請求項１ないし１０のいずれかに記載の接合装置。
12. 少なくとも一方の金属接合部が複数のバンプによって形成されている、請求項１ないし１１のいずれかに記載の接合装置。
13. バンプ高さのばらつきが４μｍ以下である、請求項１２の接合装置。
14. 基材の表面に金属接合部を有する被接合物同士を接合するに際し、減圧下で前記金属接合部の表面をプラズマ処理した後、大気中で金属接合部同士を接合することを特徴とする接合方法。
15. １８０℃以下で金属接合部同士を接合する、請求項１４の接合方法。
16. 表面がともに金からなる金属接合部同士を接合する、請求項１４または１５の接合方法。
17. 前記プラズマ処理において、前記金属接合部の接合される全表面で１．６ｎｍ以上の深さにエッチングする、請求項１４ないし１６のいずれかに記載の接合方法。
18. Ａｒプラズマ処理する、請求項１４ないし１７のいずれかに記載の接合方法。
19. 金属接合部同士の接合時に、金属接合部間の隙間のばらつきを最大４μｍ以下にする、請求項１４ないし１８のいずれかに記載の接合方法。
20. 少なくとも一方の金属接合部の接合後の表面粗さを１０ｎｍ以下にする、請求項１４ないし１９のいずれかに記載の接合方法。
21. 少なくとも一方の金属接合部の接合前の表面粗さを１００ｎｍ以下にする、請求項１４ないし２０のいずれかに記載の接合方法。
22. ３００ＭＰａ以下の接合荷重で金属接合部同士を接合する、請求項１４ないし２１のいずれかに記載の接合方法。
23. 金属接合部の表面硬度をビッカース硬度Ｈｖで１００以下にする、請求項１４ないし２２のいずれかに記載の接合方法。
24. 金属接合部同士の接合時の基材間の接合領域における平行度を４μｍ以下にする、請求項１４ないし２３のいずれかに記載の接合方法。
25. 少なくとも一方の金属接合部が複数のバンプによって形成されている、請求項１４ないし２４のいずれかに記載の接合方法。
26. バンプ高さのばらつきが４μｍ以下である、請求項２５の接合方法。

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