TWI423364B - 晶圓接合裝置 - Google Patents

Description

晶圓接合裝置

本發明，係有關於晶圓接合裝置，特別係有關於將2枚之基板作壓接之晶圓接合裝置。

將細微之電性構件或機械構件作積體化之MEMS，係為週知。作為該MEMS，係可例示有微電流電驛(micro relay)、壓力感測器、加速度感測器等。該MEMS，係期望能具備有大的接合強度，且能夠使用不需要荷重所致之推壓或是加熱處理的常溫接合來作製造。藉由將被形成有複數之圖案的2個的基板接合於接合基板上，而在該接合基板上形成複數之裝置的晶圓接合方法，係為週知。在此種晶圓接合方法中，係期望能夠提昇該複數之裝置的良率，而期望能夠將荷重均一地負荷於該接合面上。

在日本特開平09-321097號公報中，係揭示有一種附有突塊之工件的推壓裝置，其係就算是在附有突塊之工件的突塊之接地面成為傾斜的情況時，亦能夠以均一之力來將突塊推壓附著於工件之電極上。此種附有突塊之工件的推壓裝置，係為將被搭載於工件上之附有突塊之工件的突塊推壓於此工件之電極上的附有突塊之工件的推壓裝置，其特徵為，具備有：推壓元件，係被驅動部所驅動並作上下移動；和彈性體，係被裝著於此推壓元件之下面，並被推壓附著於前述附有突塊之工件的上面，而在該推壓元件之下面，係被形成有允許前述彈性體作彈性變形並朝向上方膨脹突出之凹入部。

在日本特開2007-301593號公報中，係揭示有一種能夠在加壓對象物之加壓面上施加均一之加壓力的加壓裝置。此加壓裝置，係將保持有加壓對象物之加壓頭藉由加壓手段來作加壓，並對加壓對象物作加壓之加壓裝置，其特徵為：前述加壓頭，係在前述加壓手段之加壓軸上具備有第1空間部。

本發明之課題，係在於提供一種將荷重均一地施加於被作接合的基板之接合面上的晶圓接合裝置。

本發明所致之晶圓接合裝置，其特徵為，具備有：保持第1基板之第1試料台；和將與第1基板相對向之第2基板作保持之第2試料台；和被接合於第1試料台之週緣部處，並將第1試料台支持於第1平台上之荷重傳達部；和藉由對於第1平台而驅動第2試料台，來將第1基板與該第2基板作壓接之驅動裝置。此時，晶圓接合裝置。當將第1基板與第2基板作壓接時，係防止較被施加於第1基板之週緣部處的荷重為更大之荷重被施加在第1基板之中央處，而能夠對第1基板與第2基板均一地施加荷重。

本發明所致之晶圓接合裝置，係更進而具備有：角度調整機構，其係使第1試料台的方向成為可變更，並經由荷重傳達部而將第1試料台支持於第1平台上。亦即是，荷重傳達部，對於具備有此種角度調整機構之晶圓接合裝置係為適合。

角度調整機構，係具備有：被固定於第1試料台上之球凸緣；和被固定於第1平台上之球座；和藉由將球凸緣作鉚接，而將球凸緣固定在球座上之固定凸緣。亦即是，荷重傳達部，對於具備有此種球凸緣與球座以及固定凸緣之晶圓接合裝置係為適合。

荷重傳達部，係使角度調整機構與荷重傳達部作線接觸，而被支持於角度調整機構上。此時，荷重傳達部，其之從角度調整機構而被施加有加重的位置之移動係為少，而為理想。

荷重傳達部，係由複數之柱所形成。複數之柱，係分別將其中一端接合於第1試料台之週緣部處，並將另外一端接合於角度調整機構處。

荷重傳達部，係由複數之柱所形成。當第1基板與第2基板被作壓接時，以使第1基板與第2基板相密著的方式，複數之柱係分別作彈性變形。

參考圖面，對本發明所致之晶圓接合裝置的實施形態作記載。此晶圓接合裝置1，係如圖1中所示一般，具備有接合處理室2、和裝載鎖定處理室3。接合處理室2與裝載鎖定處理室3，係由將內部從環境而作密閉的容器所形成。晶圓接合裝置1，係更進而具備有閘閥5。閘閥5，係被介在設置於接合處理室2與裝載鎖定處理室3之間，並對於將接合處理室2之內部與裝載鎖定處理室3之內部作連接之閘作關閉又或是開啟。

裝載鎖定處理室3，係於內部具備有上側卡匣台6與下側卡匣台7以及搬送裝置8。上側卡匣台6，係被配置有上側卡匣11。下側卡匣台7，係被配置有下側卡匣12。裝載鎖定處理室3，係更進而具備有未圖示之真空幫浦與蓋。此真空幫浦，係從裝載鎖定處理室3之內部而將氣體作排氣。作為此真空幫浦，係可例示有藉由以內部之金屬製的複數之扇葉而將氣體分子彈飛的方式來進行排氣之渦輪分子幫浦。前述蓋，係能夠將連接裝載鎖定處理室3之外部與內部的閘作關閉，並可藉由設為大氣氛圍而作開放。該閘之大小，係為較上側卡匣11與下側卡匣12為更大。

搬送裝置8，係被利用於經由閘閥5來將上側卡匣11又或是下側卡匣12從裝載鎖定處理室3而搬送至接合處理室2，或是經由閘閥5來將上側卡匣11又或是下側卡匣12從接合處理室2而搬送至裝載鎖定處理室3。

接合處理室2，係具備有真空幫浦31與離子槍32以及電子槍33。接合處理室2，係在形成容器之壁34的一部份處被形成有排氣口35。真空幫浦31，係被配置在接合處理室2之外部，並經由排氣口35而從接合處理室2之內部來將氣體作排氣。作為真空幫浦31，係可例示有藉由以內部之金屬製的複數之扇葉而將氣體分子彈飛的方式來進行排氣之渦輪分子幫浦。離子槍32，係朝向1個的照射方向36而被配置，並朝向照射方向36而將被加速之荷電粒子放出。作為該荷電粒子，係可例示有氬離子。離子槍32，係可置換為將晶圓之表面作清淨化之其他的表面清淨化裝置。作為該表面清淨化裝置，係可例示有電漿槍、高速原子束源等。電子槍33，係朝向藉由離子槍32而被照射有荷電粒子之對象而被配置，並朝向該對象而將被加速之電子放出。

壁34，係於一部份處被形成有扉37。扉37，係具備有絞鍊38。絞鍊38，係對於壁34而可旋轉地將扉37作支持。壁34，係進而於一部份處被形成有窗39。窗39，係由不使氣體透過且透過可視光之材料所形成。窗39，只要是配置在能夠讓使用者從接合處理室2之外部而見到藉由離子槍32而被照射有荷電粒子之對象又或是接合狀態之處，則可配置在壁34之任意部分。

接合處理室2，係如圖2中所示一般，於內部進而具備有上側基板支持部41和下側基板支持部42。下側基板支持部42，係被配置在接合處理室2之下部。上側基板支持部41，係具備有上側平台14、和角度調整機構15、和荷重傳達部16、和上側試料台17、以及壓接機構18。上側基板支持部14，係以相對於接合處理室2而可在鉛直方向上作平行移動的方式而被支持。角度調整機構15，係將荷重傳達部16支持於上側平台14上。荷重傳達部16，係將將上測試料台17支持於角度調整機構15上。上側試料台17，係於其下端處具備有介電層，並在該介電層與基板之間施加電壓，而經由靜電力來將該基板吸著於該介電層上。壓接機構18，係經由使用者之操作，而將上側平台14相對於接合處理室2而在鉛直方向上作平行移動。

離子槍32，係當被支持於上側基板支持部41處之基板與被支持於下側基板支持部42處之基板相離開時，朝向被支持於上側基板支持部41處之基板與被支持於下側基板支持部42處之基板之間的空間，並朝向接合處理室2之壁34的一部份之內側表面。亦即是，離子槍32之照射方向36，係通過被支持於上側基板支持部41處之基板與被支持於下側基板支持部42處之基板之間，而與接合處理室2之壁34的一部份之內側表面交叉。

下側基板支持部42，係如圖3中所示一般，具備有下測試料台46。下側試料台46，係概略被形成為圓盤狀。下測試料台46，係於其圓柱之上側之面處被形成有平坦之支持面。下側試料台46，係被利用於經由下側卡匣12而將下側晶圓62作保持。下側基板支持部42，係更進而具備有未圖示之2個的對位裝置與定位機構。該對位裝置，係經由使用者之操作，而攝像被形成於被保持在下側試料台46上之基板處的對位記號之畫像。該對位裝置，係進而當上側試料台17近接於下側試料台46時，經由使用者之操作，而攝像被形成於被保持在上側試料台17上之基板處的對位記號之畫像。該對位機構，係經由使用者之操作，而對於接合處理室2來使下側試料台46在與水平方向平行之方向上作平行移動，並使下側試料台46以平行於鉛直方向之旋轉軸為中心而作旋轉移動。

角度調整機構15，係如圖3中所示一般，具備有球座51和球凸緣52以及固定凸緣53。球座51，係被固定於上側平台14處，並被形成有球座面。球凸緣52，係由凸緣部分54與支持部分55所形成。凸緣部分54，係被形成為與球座51之球座面相密著的球狀。支持部分55，係被形成為圓盤狀。支持部分55，係將其圓盤之中央接合於凸緣部分54，並在被接合於凸緣部分54處之面的背面處被形成有支持面56。固定凸緣53，係藉由鉚接固定，而被接合於球凸緣52之凸緣部分54處。亦即是，固定凸緣53，係由分割環所形成。該分割環，係以將球凸緣52之圖緣部份54嵌入的方式而被配置，並藉由未圖示之螺栓而被作締結，藉由此，而被接合於球凸緣52之凸緣部分54處。固定凸緣53，係進而以使球座51之球座面密著於球凸緣52之凸緣部分54的方式，而藉由以螺栓作例示之締結具而被接合於球座51處。

荷重傳達部16，係如圖4中所示一般，概略被形成為圓盤狀。荷重傳達部16，係在上側之面的中央處被形成有凹坑，並於上側之面處被形成有支持面58。支持面58，係為平坦，且被形成為被2個的同心圓所包圍之圖形。荷重傳達部16，係於該圓盤之中央處被形成有螺栓孔59。荷重傳達部16，係將未圖示之螺栓插入至螺栓孔59中，並如圖3中所示一般，藉由將該螺栓締結於球凸緣52之支持部分55處，而以使支持面58密著於支持面56的方式，且以使荷重傳達部16之被安裝於球凸緣52的支持部分55處之面的中央處被形成有空洞57的方式，而被支持於球凸緣52處。

荷重傳達部16，係進而在被形成有支持面58之面的背面處，被接合有上側試料台17。上側試料台17，係被形成為圓盤狀，上側試料台17，係在被接合於荷重傳達部16之面的背面處具備有介電層。上側試料台17，係藉由將電壓施加於該介電層上，而經由靜電力來將上側晶圓61吸著於該介電層處。

在使用晶圓接合裝置1而將晶圓作接合的動作中，作業者首先係測定上側試料台17之方向。作業者，當上測試料台17之上側晶圓61所被保持之保持面與下測試料台46之下側晶圓62所被保持之保持面係並非為平行時，使用角度調整機構15，來以使上側試料台17之保持面與下側試料台46之保持面成為平行的方式而作調整。亦即是，作業者，係以使上測試料台17之保持面與下側試料台46之保持面成為平行的方式，而將球凸緣52藉由固定凸緣53來作鉚接固定，並將固定凸緣53固定於球座51處。

作業者，接下來係將閘閥5關閉，並使用真空幫浦而在接合處理室2之內部產生真空氛圍，而在裝載鎖定處理室3之內部產生大氣氛圍。作業者，係開啟裝載鎖定處理室3之蓋，並將上側卡匣11配置在上側卡匣台6上，而將下側卡匣12配置在下側卡匣台7上。作業者，係將上側晶圓61載置於上側卡匣11上。作業者，係將下側晶圓62載置於下側卡匣12上。作業者，接下來係將裝載鎖定處理室3之蓋關閉，並在裝載鎖定處理室3之內部產生真空氛圍。

作業者，係當在裝載鎖定處理室3之內部產生真空氛圍後，開放閘閥5。作業者，首先，係將上側晶圓61保持於上測試料台17上。作業者，首先，係以使下測試料台46將被載置有上側晶圓61之上側卡匣11作保持的方式，來使用搬送裝置8而搬送上側卡匣11。作業者，係使搬送裝置8退避至裝載鎖定處理室3之內部。作業者，接下來，係使上側試料台17在鉛直下方向上作下降，並使上側試料台17之介電層與上側晶圓61相接觸，而在上側試料台17上保持上側晶圓61。作業者，係使上側試料台17在鉛直上方向上作上升，並使上側晶圓61從上側卡匣11而離開。作業者，係在使上側晶圓61從上側卡匣11而離開之後，使用搬送裝置8，而將未載置有上側晶圓61之上側卡匣11從下測試料台46而搬送至上側卡匣台6處。作業者，係在將上側晶圓61保持於上側試料台17上之後，以使下測試料台46將被載置有下側晶圓62之下側卡匣12作保持的方式，來使用搬送裝置8而搬送下側卡匣12。

作業者，係關閉閘閥5，並將被保持在上側試料台17處之上側晶圓61與被保持在下側試料台46處之下側晶圓62作壓接而進行接合。亦即是，作業者，係在被保持於上側試料台17處之上側晶圓61與被保持於下側試料台46處之下側晶圓62相分離的狀態下，將離子槍朝向上側晶圓61與下側晶圓62之間並放出粒子。該粒子，係被照設於上側晶圓61與下側晶圓62處，並將被形成於該些之表面上的氧化物等除去，而將附著於該些之表面的不純物除去。作業者，係操作壓接機構18，而使上側試料台17在鉛直下方向上作下降，並使上側晶圓61與下側晶圓62相接近。作業者，係操作下側試料台46之定位裝置，並以使上側晶圓61與下側晶圓62依設計而被作接合的方式，來移動至被保持於下側試料台46上之下側晶圓62的位置處。作業者，係操作上側試料台17之壓接機構18，而使上側試料台17在鉛直下方向上作下降，並使上側晶圓61壓接於下側晶圓62。上側晶圓61與下側晶圓62，係藉由該壓接而被作接合，並產生一枚之接合基板。

作業者，係將該接合基板從上側試料台17而解除夾合，之後，使上側試料台17在鉛直上方向上作上升。作業者，接下來，係開放閘閥5，並使用搬送裝置8，而將載置有該接合基板之下側卡匣12從下側試料台46而搬送至下側卡匣台7處。作業者，係關閉閘閥5，並在裝載鎖定處理室3之內部產生大氣氛圍。作業者，係開啟裝載鎖定處理室3之蓋，並從被配置在下側卡匣台7處之下側卡匣12而將該接合基板取出。

在上測試料台17係被直接固定在角度調整機構15上的其他之晶圓接合裝置中，於進行此種壓接時，上側試料台係以使上側試料台17之中央突出於下測試料台46之側的方式而作彈性變形。此時，上側晶圓61與下側晶圓62，係於中央處被施加有較被施加於週緣部之荷重為更大的荷重，而有無法在上側晶圓61與下側晶圓62之接合面上施加均一之荷重的情況。晶圓接合裝置1，係在將上側晶圓61與下側晶圓62作壓接時，能夠在上側晶圓61與下側晶圓62之接合面上施加均一之荷重。其結果，晶圓接合裝置1，係能夠使藉由該接合所生產的裝置之良率提昇，並使晶圓接合裝置1所致之常溫接合的信賴性提昇，而能夠使晶圓接合裝置1成為更加實用化。

荷重傳達部16，係可被置換為將從上側平台14所被施加之荷重施加至上側試料台17之週緣部的其他之荷重傳達部。

圖5，係為展示該被置換後之荷重傳達部的例子。該荷重傳達部65，係與荷重傳達部16相同地，概略被形成為圓盤狀。荷重傳達部65，係在上側之面的中央處被形成有凹坑，並於上側之面處被形成有支持面66。支持面66，係為曲面，並沿著以旋轉軸為中心而作橢圓旋轉所形成之所謂甜甜圈型的表面之一部分而被形成。該旋轉軸，係通過形成荷重傳達部65之圓盤的中心，並垂直於該圓盤。荷重傳達部65，係於該圓盤之中央處被形成有螺栓孔67。荷重傳達部65，係將未圖示之螺栓插入至螺栓孔67中，並藉由將該螺栓締結於球凸緣52之支持部分55處，而以使支持面66與支持面56作線接觸的方式，且以使荷重傳達部65之被安裝於球凸緣52的支持部分55處之面的中央處被形成有空洞57的方式，而被支持於球凸緣52處。

荷重傳達部16，當從上側平台14所被施加之荷重為小時，係藉由支持面66之全體來承受該荷重。當從上側平台14所被施加之荷重為大時，球凸緣52之支持部分55係作彈性變形，荷重傳達部16，係藉由支持面58之中央側的邊緣來承受該荷重。故而，荷重傳達部16，係依據從上側平台14所被施加之荷重的大小，而有著使承受該從上側平台14所施加之荷重的位置大幅移動的情況。因此，晶圓接合裝置1，當該荷重為大時，係會有變得無法在上側晶圓61與下側晶圓62之接合面處施加均一之荷重的可能性。

荷重傳達部65，係將承受該從上側平台14所施加之荷重的位置之移動減低。其結果，被適用有荷重傳達部65之其他的晶圓接合裝置，係就算是在從上側平台14所施加之荷重的大小有所變化時，亦能夠在上側晶圓61與下側晶圓62之接合面處施加均一之荷重。

圖6，係為展示該被置換後之荷重傳達部的另外其他例子。該荷重傳達部71，係由複數之柱72-1～72-n(n=3、4、…)所形成。複數之柱72-1～72-n，係分別被配置在將上側試料台17之週緣部作了n等分後之複數的位置處。複數之柱72-1～72-n的各柱72-i(i=1、2、3、…、n)，係其中一端被固定在球凸緣52之支持部分55處，而另外一端被固定在上側試料台17之週緣部上。

被適用有此種荷重傳達部71之晶圓接合裝置，係與在已述之實施形態中的晶圓接合裝置1相同的，在將上側晶圓61與下側晶圓62作壓接時，能夠在上側晶圓61與下側晶圓62之接合面上施加均一之荷重，而能夠提昇接合之信賴性。

圖7，係為展示該被置換後之荷重傳達部的另外其他例子。該荷重傳達部92，係由複數之彈簧93-1～93-n所形成。複數之彈簧93-1～93-n，係分別被配置在將上側試料台17之週緣部作了n等分後之複數的位置處。複數之彈簧93-1～93-n的各彈簧93-i，係其中一端被固定在被固定於球凸緣52之支持部分55處的支持構件91上，而另外一端被固定在上側試料台17之週緣部上。

被適用有此種荷重傳達部92之晶圓接合裝置，係與在已述之實施形態中的晶圓接合裝置1相同的，在將上側晶圓61與下側晶圓62作壓接時，能夠在上側晶圓61與下側晶圓62之接合面上施加均一之荷重，而能夠提昇接合之信賴性。被適用有此種荷重傳達部92之晶圓接合裝置，係更進而在上側晶圓61與下側晶圓62並非為平行的情況時，當將上側晶圓61與下側晶圓62作壓接時，複數之彈簧93-1～93-n係以使上側晶圓61與下側晶圓62成為平行的方式而作彈性變形。故而，此種晶圓接合裝置，係就算是在上側晶圓61與下側晶圓62並非為平行的情況時，亦能夠在上側晶圓61與下側晶圓62之接合面上施加均一之荷重並將上側晶圓61與下側晶圓62作壓接。其結果，此種晶圓接合裝置，係不需要在壓接前使用角度調整機構15而以使上側試料台17之保持面與下側試料台46之保持面成為平行的方式來作調整，而能夠將上側晶圓61與下側晶圓62容易地作壓接。此種晶圓接合裝置，係更進而能夠將角度調整機構省略，而能夠更加低價地製造。

角度調整機構15，係可置換為將上側試料台17朝向之方向固定於特定之方向的其他之角度調整機構。

圖8，係為展示該被置換後之角度調整機構的例子。該角度調整機構81，係具備有第1框架82、和中間體83、和第2框架84、和支持部分85。第1框架82，係被固定於上側平台14上。中間體83，係藉由螺栓86，而能夠以旋轉軸88為中心而作旋轉地被支持於第1框架82上。旋轉軸88，係平行於水平方向，並相對於第1框架82而被固定。螺栓86，係藉由被締結於中間體83上，而將中間體83固定在第1框架82上。第2框架84，係藉由螺栓87，而能夠以旋轉軸89為中心而作旋轉地被支持於中間體83上。旋轉軸89，係概略平行於水平方向，並相對於旋轉軸89而為垂直，且相對於中間體83而被固定。螺栓86，係藉由被締結於中間體83上，而將第2框架842固定在中間體83上。支持部分85，概略被形成為圓盤狀，而該圓盤之中央係被固定在第2框架84上。支持部分85，係進而在被接合於第2框架84上之面的背面處，被形成有平坦之支持面。角度調整機構81，係與已述之實施形態中的角度調整機構15相同地，以使支持部分85之支持面密著於荷重傳達部16之支持面58上的方式，且以在荷重傳達部16處被形成有空洞57的方式，而將荷重傳達部16作支持。

被適用有此種角度調整機構81之晶圓接合裝置，係與在已述之實施形態中的晶圓接合裝置1相同的，在將上側晶圓61與下側晶圓62作壓接時，能夠在上側晶圓61與下側晶圓62之接合面上施加均一之荷重，而能夠提昇接合之信賴性。

本發明所致之晶圓接合裝置。當將第1基板與第2基板作壓接時，係防止較被施加於第1基板之週緣部處的荷重為更大之荷重被施加在第1基板之中央處，而能夠對該第1基板與第2基板均一地施加荷重。

1．．．晶圓接合裝置

2．．．接合處理室

3．．．裝載鎖定室

5．．．閘閥

6．．．上側卡匣台

7．．．下側卡匣台

8．．．搬送裝置

11．．．上側卡匣

12．．．下側卡匣

14．．．上側平台

15．．．角度調整機構

16．．．荷重傳達部

17．．．上側試料台

18．．．壓接機構

31．．．真空幫浦

32．．．離子槍

33．．．電子槍

34．．．壁

35．．．排氣口

36．．．照射方向

37．．．扉

38．．．絞鍊

39．．．窗

41．．．上側基板支持部

42．．．下側基板支持部

46．．．下側試料台

51．．．球座

52．．．球突緣

53．．．固定突緣

54．．．突緣部分

55．．．支持部分

56．．．支持面

57．．．空洞

58．．．支持面

59．．．螺栓孔

61．．．上側晶圓

62．．．下側晶圓

65．．．荷重傳達部

66．．．支持面

67．．．螺栓孔

71．．．荷重傳達部

72-1．．．柱

72-2．．．柱

81．．．角度調整機構

82．．．第1框架

83．．．中間體

84．．．第2框架

85．．．支持部分

86．．．螺栓

87．．．螺栓

88．．．旋轉軸

89．．．旋轉軸

91．．．支持構件

92．．．荷重傳達部

93-1．．．彈簧

93-2．．．彈簧

[圖1]圖1，係為展示晶圓接合裝置的剖面圖。

[圖2]圖2，係為展示晶圓接合裝置的剖面圖。

[圖3]圖3，係為展示角度調整機構與荷重傳達部以及下側試料台的剖面圖。

[圖4]圖4，係為展示荷重傳達部的立體圖。

[圖5]圖5，係為展示其他之荷重傳達部的剖面圖。

[圖6]圖6，係為展示另外其他之荷重傳達部的立體圖。

[圖7]圖7，係為展示另外其他之荷重傳達部的立體圖。

[圖8]圖8，係為展示其他之角度調整機構的立體圖。

12．．．下側卡匣

15．．．角度調整機構

16．．．荷重傳達部

17．．．上側試料台

46．．．下側試料台

51．．．球座

52．．．球突緣

53．．．固定突緣

54．．．突緣部分

55．．．支持部分

56．．．支持面

57．．．空洞

58．．．支持面

59．．．螺栓孔

61．．．上側晶圓

62．．．下側晶圓

Claims (5)

1. 一種晶圓接合裝置，其特徵為，具備有：設在接合處理室內，保持第1基板之第1試料台；和設在前述接合處理室內，將與前述第1基板相對向之第2基板作保持之第2試料台；和被接合於前述第1試料台之週緣部處，並將前述第1試料台支持於第1平台上之荷重傳達部，前述荷重傳達部是設在前述接合處理室內；和設在前述接合處理室內，使前述第1試料台的方向成為可變更，並經由前述荷重傳達部而將前述第1試料台支持於第1平台上之角度調整機構；和藉由以前述第1平台對前述第2試料台進行驅動，來將前述第1基板與前述第2基板作壓接之驅動裝置。
2. 如申請專利範圍第1項所記載之晶圓接合裝置，其中，前述角度調整機構，係具備有：被固定於前述第1試料台上之球凸緣；和被固定於前述第1平台上之球座；和藉由將前述球凸緣作鉚接，而將前述球凸緣固定在前述球座上之固定凸緣。
3. 如申請專利範圍第2項所記載之晶圓接合裝置，其中，前述荷重傳達部，係使前述角度調整機構和前述荷重傳達部作線接觸，而被支持於前述角度調整機構上。
4. 如申請專利範圍第2項所記載之晶圓接合裝置，其中，前述荷重傳達部，係由複數之柱所形成，前述複數之柱，係分別將其中一端接合於前述第1試料台之週緣部處 ，並將另外一端接合於前述角度調整機構處。
5. 如申請專利範圍第1項所記載之晶圓接合裝置，其中，前述荷重傳達部，係由複數之柱所形成，當前述第1基板與前述第2基板被壓接時，前述複數之柱，係以使前述第1基板與前述第2基板相密著的方式，而分別作彈性變形。