WO2008038747A1

WO2008038747A1 - composé polymère et dispositif électroluminescent polymère l'utilisant

Info

Publication number: WO2008038747A1
Application number: PCT/JP2007/068909
Authority: WO
Inventors: Shigeya Kobayashi; Hidenobu Kakimoto
Original assignee: Sumitomo Chemical Company, Limited; Sumation Co., Ltd.
Priority date: 2006-09-25
Filing date: 2007-09-20
Publication date: 2008-04-03
Also published as: US20090315453A1; US8815414B2; EP2067805A1; KR101411789B1; CN101516960B; KR20090055044A; CN101516960A; EP2067805B1; EP2067805A4

Description

明細書高分子化合物及びそれを用いた高分子発光素子技術分野

本発明は、高分子化合物及びそれを用いた高分子発光素子に関する。

背景技術

溶媒に可溶である高分子量の発光材料は、塗布法により発光素子における有機層を形成でき、素子の大面積化等の要求に合致している。このため、近年種々の高分子発光材料となり得る高分子化合物、及びそれを用いた高分子発光素子（例えば、 Advanced Materials Vol.12 1737-1750 (2000) (第 1 7 4 2— 1 7 4 5頁））、架橋性置換基を有する高分子化合物が提案されている。（例えば、 W0 2 0 0 5 / 4 9 6 8 9号パンフレット（第 2— 1 4および 2 0— 2 7頁））

しかし、従来の高分子化合物には、発光素子作製の際に、正孔輸送層として用いた場合、得られる発光素子の発光効率（即ち、電流当たりの発光輝度）が十分ではないという問題があった。

発明の開示 _ .

そこで、本発明は、正孔輸送層に用いた場合、得られる発光素子の発光効率（即ち、電流当たりの発光輝度）が良好な発光素子が得られる高分子化合物を提供することを目的とする。 '

即ち本発明は、下記式（1) で示される繰り返し単位を有する高分子化合物を提供するものである。

〔ここで、 Riは置換基を表し、 Qiおよび Q²はべンゾシクロブタン構造を含む基を表し、これらは同一であっても異なっていてもよい。 aは、 0 ~ 3の整数を示す。 R¹が複数個存在する場合それらは同一であっても異なっていてもよい。〕発明を実施するための形態

本発明の高分子化合物は前記式（1 ) で表される繰り返し単位を有する。

式（1) 中、ベンゾシクロブタン構造を含む基とは、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ピレン等の芳香環にシクロブタンが縮環した骨格構造を含む 1価の有機基をいう。 .

該有機基として、具体的には、ベンゾシクロブタン骨格を含む 1価の有機基、ナフトシクロブタン骨格を含む 1価の有機基、アントラセノシクロブタン骨格を含む 1価の有機基、ピレノシクロブタン骨格を含む 1価の有機基があげられ、ベンゾシクロブタン骨格を含む 1価の有機基が好ましい。該有機基は、置換基を有していてもよい。

前記式（1 ) で表される繰り返し単位としては、高分子化合物の合成の行いやすさ、素子特性等の観点から、下記式（1— 1 ) で表されるものが好ましい。

〔ここで、 R iおよび R²は置換基を示し、これらは同一であっても異なっていてもよい。 aおよび bは、それぞれ独立に 0 ~ 3の整数を示す。 Riおよび R²がそれぞれ複数個存在する場合それらは同一でも異なっていてもよい。〕

前記式（1) 、（1— 1 ) 中、 R¹ , R ²で表される置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールァルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、ニトロ基、シァノ基等が挙げられる。これらの置換基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。これらの置換基の中では、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、高分子化合物の合成の行いやすさの観点からは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリ —ルォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、 1価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、ァリール基、 1価の複素環基がより好ましい。

前記式（1— 1 ) 中、 aおよび bはそれぞれ独立に 0〜3の整数を表すが、 a、がそれぞれ 0又は 1であることが好ましい。 Ri、 R ²がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。

アルキル基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素数が通常 1〜 2 0程度、好ましくは 3〜2 0である。アルキル基の具体例としては、メチル基、ェチル基、プロピル基、 i—プロピル基、 n—ブチル基、 i 一ブチル基、 s—ブチル基、 t 一ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、へキシル基、シクロへキシル基、ヘプチル基、ォクチル基、 2—ェチルへキシル基、ノニル基、デシル基、 3 , 7—ジメチルォクチル基、ラウリル基、トリフルォロメチル基、ペンタフルォロェチル基、パ一フルォロブチル基、パ —フルォ口へキシル基、パーフルォロォクチル基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子ィヒ合物の合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチル基、イソアミル基、へキシル基、ォクチル基、 2—ェチルへキシル基、デシル基、 3 , 7—ジメチルォクチル基が好ましい。

アルコキシ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素数が通常 1〜2 0程度、好ましくは 3〜2 0である。アルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルォキシ基、 i—プロピルォキシ基、ブトキシ基、 i—ブトキシ基、 s—ブトキシ基、 t—ブトキシ基、ペンチルォキシ基、へキシルォキシ基、シクロへキシルォキシ基、ヘプチルォキシ基、ォクチルォキシ基、 2—ェチルへキシルォキシ基、ノエルォキシ基、デシルォキシ基、 3 , 7—ジメチルォクチルォキシ基、ラウリルォキシ基、トリフルォロメトキシ基、ペンタフルォロエトキシ基、パーフルォロブトキシ基、パーフルォ口へキシルォキシ基、パーフルォロォクチルォキシ基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチルォキシ基、へキシルォキシ基、ォクチルォキシ基、 2 一ェチルへキシルォキシ基、デシルォキシ基、 3， 7—ジメチルォクチルォキシ基が好ましい。また、置換アルコキシ基としては、例えば、メトキシメチルォキシ基、 2—メトキシェチルォキシ基等が挙げられる。

アルキルチオ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素数が通常 1〜2 0程度、好ましくは 3 ~ 2 0である。アルキルチオ基の具体例としては、メチルチオ基、ェチルチオ基、プロピルチオ基、 i一プロピルチオ基、プチルチオ基、 i一プチルチオ基、 s—プチルチオ基、 t一プチルチオ基、ペンチルチオ基、へキシルチオ基、シクロへキシルチオ基、へプチルチオ基、ォクチルチオ基、 2—ェチルへキシルチオ基、ノニルチォ基、デシルチオ基、 3 , 7—ジメチルォクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルォロメチルチオ基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチルチオ基、へキシルチオ基、ォクチルチオ基、 2—ェチルへキシルチオ基、デシルチオ基、 3 , 7 ージメチルォクチルチオ基が好ましい。

ァリール基は、芳香族炭化水素から、水素原子 1個を除いた原子団であり、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環又は縮合環 2個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。ァリール基は、炭素数が通常 6〜6 0程度、好ましくは 6 ~ 4 8である。ァリール基の具体例としては、フエニル基、 C i C アルコキシフエ二ル基（「^〜じアルコキシ」は、アルコキシ部分の炭素数が 1 ~ 1 2であることを意味する。以下、同様である。）、 ^〜〇_{1 2}アルキルフエニル基（ rC i C uアルキル」は、アルキル部分の炭素数が 1〜1 2であることを意味する。以下、同様である。 ) 、 1—ナフチル基、 2—ナフチル基、 1一アントラセニル基、 2—アントラセニル基、 9—アントラセニル基、ペン夕フルオロフェニル基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点からは、 d 〜C _{1 2}アルコキシフエニル基、 C i C アルキルフエニル基が好ましい。 C ₁〜C _{1 2} アルコキシフエニル基どして具体的には、メトキシフエ二ル基、エトキシフエニル基、プロピルォキシフエニル基、 i 一プロピルォキシフエニル基、ブトキシフエニル基、 i —ブトキシフエニル基、 t—ブトキシフエニル基、ペンチルォキシフエニル基、へキシルォキシフエニル基、シクロへキシルォキシフエニル基、ヘプチルォキシフエニル基、ォクチルォキシフエニル基、 2—ェチルへキシルォキシフエニル基、ノニルォキシフエニル基、デシルォキシフエニル基、 3， 7—ジメチルォクチルォキシフエニル基、ラウリルォキシフエニル基等が例示される。 C i〜 C i ₂アルキルフェニル基として具体的にはメチルフエニル基、ェチルフエニル基、ジメチルフエニル基、プロピルフエニル基、メシチル基、メチルェチルフエニル基、 i 一プロピルフエニル基、ブチルフエニル基、 i 一ブチルフエニル基、 s—プチルフエ二ル基、 t 一ブチルフエニル基、ペンチルフエニル基、イソアミルフエエル基、へキシルフ工ニル基、ヘプチルフエニル基、ォクチルフエニル基、ノニルフエニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基等が例示される。

ァリールォキシ基ば、炭素数が通常 6 ~ 6 0程度、好ましくは 6〜4 8である。ァリールォキシ基の具体例としては、フエノキシ基、 C i C uアルコキシフエノキシ基、 d C アルキルフエノキシ基、 1—ナフチルォキシ基、 2—ナフチルォキシ基、ぺン夕フルオロフェニルォキシ基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点からは、じ！〜じ^アルコキシフエノキシ基、 C ₁〜C _{1 2}アルキルフエノキシ基が好ましい。 ^〜じアルコキシフエノキシ基として具体的には、メトキシフエノキシ基、エトキシフエノキシ基、プロピルォキシフエノキシ基、 i —プロピルォキシフエノキシ基、ブトキシフエノキシ基、 i 一ブトキシフエノキシ基、 s—ブトキシフオノキシ基、 t 一ブトキシフエノキシ基、ペンチルォキシフエノキシ基、へキシルォキシフエノキシ基、シクロへキシルォキシフエノキシ基、ヘプチルォキシフエノキシ基、ォクチルォキシフエノキシ基、 2—ェチルへキシルォキシフエノキシ基、ノニルォキシフエノキシ基、デシルォキシフエノキシ基、 3， 7 ージメチルォクチルォキシフエノキシ基、ラウリルォキシフエノキシ基等が例示される。〜じアルキルフエノキシ基として真体的には、メチルフエノキシ基、ェチルフエノキシ基、ジメチルフエノキシ基、プロピルフエノキシ基、 1 , 3 , 5—トリメチルフエノキシ基、メチルェチルフエノキシ基、 i 一プロピルフエノキシ基、ブチルフエノキシ基、 i一ブチルフエノキシ基、 t—ブチルフエノキシ基、ペンチルフエノキシ基、ィソァミルフエノキシ基、へキシルフエノキシ基、ヘプチルフエノキシ基、ォクチルフエノキシ基、ノニルフエノキシ基、デシルフエノキシ基、ドデシルフエノキシ基等が例示される。

ァリールチオ基は、炭素数が通常 6〜60程度である。ァリ一ルチオ基の具体例としては、フエ二ルチオ基、 d~C₁₂アルコキシフエ二ルチオ基、 ^〜じアルキルフエ二ルチオ基、 1一ナフチルチオ基、 2—ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点からは、じ〜じアルコキシフエ二ルチオ基、 C₁〜C₁₂アルキルフエ二ルチオ基が好ましい。

ァリールアルキル基は、炭素数が通常 7〜 60程度、好ましくは 7〜48である。ァリールアルキル基の具体例としては、フエ二ルー Ci C アルキル基、 Ci〜C₁₂アルコキシフエ二ルー ^〜じアルキル基、 Ci〜C₁₂アルキルフエ二ルー C₁〜C₁₂アルキル基、 1一ナフチル— d~C₁₂アルキル基、 2—ナフチルー Ci C アルキル基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点からは、〇₁〜〇₁₂ァルコキシフェニルー〇₁〜〇₁₂ァルキル基、 d ~Cl2アルキルフエ二ルー C i〜 C i ₂アルキル基が好ましい。

ァリールアルコキシ基は、炭素数が通常 7〜 60程度、好ましくは 7〜48である。ァリールアルコキシ基の具体例としては、フエニルメトキシ基、フエニルエトキシ基、フエニルブトキシ基、フエニルペンチロキシ基、フエニルへキシロキシ基、フエニルへプチロキシ基、フエニルォクチ口キシ基等のフエ二ルー ^〜〇₁₂アルコキシ基、〜 C₁₂アルコキシフエニル—じ〜じアルコキシ基、 d^C アルキルフエ二ルー d ~C₁₂アルコキシ基、 1—ナフチル— Ci C アルコキシ基、 2—ナフチルー Ci〜C ₁₂アルコキシ基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点からは、 Ci C アルコキシフエニル— Ci C アルコキシ基、 Ci C アルキルフエニル—じ〜じアルコキシ基が好ましい。ァリールアルキルチオ基は、炭素数が通常 7〜60程度、好ましくは 7〜48である。ァリールアルキルチオ基の具体例としては、フエ二ルー ^〜^ ₂アルキルチオ基、 ^〜〇₁₂アルコキシフエ二ルー ^〜 ₂アルキルチオ基、. ^〜。₁₂アルキルフエ二ルー Ci C アルキルチオ基、 1—ナフチルー ^~〇₁₂アルキルチオ基、 2—ナフチルー ^〜^ ₂アルキルチオ基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点からは、 Ci C アルコキシフエニル—じ〜じアルキルチオ基、〜じアルキルフエ二ルー〇！〜〇₁₂アルキルチォ基が好ましい。

ァリールアルケニル基は、炭素数が通常 8〜 60程度である。ァリールアルケニル基の具体例としては、フエ二ルー C₂〜d ₂アルケニル基（「C₂〜d2アルケニル」は、アルケニル部分の炭素数が 2〜12であることを意味する。以下、同様である。）、 C ₁〜C₁₂アルコキシフエ二ルー C₂〜C₁₂アルケニル基、じ！〜じアルキルフエニル— C₂〜C₁₂アルケニル基、 1一ナフチル— C₂〜C₁₂アルケニル基、 2—ナフチル— C₂ 〜d ₂アルケニル基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の疔いやすさ等の観点からは、 C i ~ C i ₂アルコキシフエ二ルー C₂〜 C₁₂アルケニル基、 C₂~C₁₂アルキルフエニル— Ci C アルケニル基が好ましい c

ァリールアルキニル基は、炭素数が通常 8〜 60程度である。ァリールアルキニル基の具体例としては、フエニル— C₂〜C₁₂アルキニル基（「C₂~C₁₂アルキニル J は、アルキニル部分の炭素数が 2〜12であることを意味 "る。以下、同様である。）、 C l~Cl2アルコキシフエニル— C₂〜 C i ₂アルキニル基、 C i〜 C i ₂アルキルフエ二ルー C₂~C₁₂アルキニル基、 1—ナフチルー C₂〜C₁₂アルキニル基、 2—ナフチルー C₂ 〜d ₂アルキニル基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点からは、 d C アルコキシフエ二ルー C₂~

C 12アルキニル基、 C i〜 C i ₂アルキルフエ二ルー C 2〜 C i 2アルキニル基が好ましい置換アミノ基としては、アルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基及び 1価の複素環基から選ばれる 1個又は 2個の基で置換されたァミノ基が挙げられる。これらのァルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基及び 1価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換アミノ基の炭素数は該置換基の炭素数を含めないで、通常、 1〜60程度、好ましくは 2〜48である。置換アミノ基の具体例としては、メチルァミノ基、ジメチルァミノ基、ェチルァミノ基、ジェチルァミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルァミノ基、 i—プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、プチルァミノ基、 i一プチルァミノ基、 S—プチルァミノ基、 t—プチルァミノ基、ペンチルァミノ基、へキシルアミノ基、シクロへキシルァミノ基、ヘプチルァミノ基、ォクチルァミノ基、 2—ェチルへキシルァミノ基、ノニルァミノ基、デシルァミノ基、 3, 7—ジメチルォクチルァミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルァミノ基、ジシクロペンチルァミノ基、シクロへキシルァミノ基、ジシクロへキシルァミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルォロメチルァミノ基フエニルァミノ基、ジフエニルァミノ基、 C₁〜C₁₂アルコキシフエニルァミノ基、ジ（d~C₁₂アルコキシフエニル）アミノ基、ジ（Ci〜C ₁₂アルキルフエニル）アミノ基、 1—ナフチルァミノ基、 2 ナフチルァミノ基、ペン夕フルオロフェニルァミノ基、ピリジルァミノ基、ピリダジニルァミノ基、ピリミジルアミノ基、ビラジルァミノ基、トリアジルァミノ基フエニル— ^~。₁₂アルキルアミノ基、 Ci C アルコキシフエ二ルーじ〜アルキルアミノ基、 Ci C アルキルフエ二ル— ^〜。₁₂アルキルアミノ基、ジ（〜じ₁₂アルコキシフエニル— 〜 C₁₂アルキル）アミノ基、ジ（d~C₁₂アルキルフエ二ルー Ci C アルキル）ァミノ基、 1—ナフチルー ^〜。アルキルアミノ基、 2—ナフチル— Ci C アルキルァミノ基等が挙げられる。

置換シリル基としては、アルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基及び 1価の複素環基から選ばれる 1個、 2個又は 3個の基で置換されたシリル基が挙げられる。置換シリル基の炭素数は、通常、 1〜60程度、好ましくは 3〜48である。これらのアルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基及び 1価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換シリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、トリェチルシリル基、トリプロビルシリル基、トリ— i—プロビルシリル基、ジメチル— i—プロピリシリル基、ジェチル— i—プロビルシリル基、 t—プチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、へキシルジメチルシリル基、へプチルジメチルシリル基、ォクチルジメチルシリル基、 2—ェチルへキシルージメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、 3, 7—ジメチルォクチルージメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フエ二ルー。〜じ^アルキルシリル基、 ^〜じアルコキシフエ二ルー C i〜 C i 2アルキルシリル基、 C i〜 C 1 2アルキルフエニル— C i〜 C i ₂アルキルシリル基、 1—ナフチルー C ₁〜C _{1 2}アルキルシリル基、 2—ナフチルー C ₁〜C _{1 2}アルキルシリル基、フエ二ルー C i〜 C i 2アルキルジメチルシリル基、トリフエニルシリル基、トリ— p—キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフエニルメチルシリル基、 t—プチルジフエニルシリル基、ジメチルフエニルシリル基等が挙げられる。

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示されるァシル基は、炭素数が、通常、 2〜 2 0程度、好ましくは 2〜 1 8である。ァシル基の具体例としては、ァセチル基、プロピオニル基、プチリル基、イソプチリル基、ビバロイル基、ベンゾィル基、トリフルォロアセチル基、ペンタフルォロベンゾィル基等が挙げられる。

ァシルォキシ基は、炭素数が、通常、 2〜 2 0程度、好ましくは 2〜 1 8である。ァシルォキシ基の具体例としては、ァセトキシ基、プロピオニルォキシ基、プチリルォキシ基、イソプチリルォキシ基、ビバロイルォキシ基、ベンゾィルォキシ基、トリフルォロアセチルォキシ基、ペンタフルォ口べンゾィルォキシ基等が挙げられる。

ィミン残基としては、ィミン化合物（即ち、分子内に、一 N = C—を持つ有機化合物のことをいう。その例として、アルジミン、ケチミン及びこれらの N上の水素原子が、アルキル基等で置換された化合物等が挙げられる。）から水素原子 1個を除いた残基が挙げられる。ィミン残基の炭素数は、通常、 2 ~ 2 0程度であり、好ましくは 2〜 1 8 である。ィミン残基の具体例としては、以下の構造式で示される基等が挙げられる。

(式中、 M eはメチル基を表す。また、波線は、結合手を表し、ィミン残基の種類によつては、シス体、トランス体等の幾何異性体を持つ場合があることを意味する。）アミド基は、炭素数が通常 2〜2 0程度、好ましくは 2〜1 8である。アミド基の具体例としては、ホルムアミド基、ァセトアミド基、プロピオアミド基、プチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルォロアセトアミド基、ペンタフルォ口べンズアミド基、ジホルムアミド基、ジァセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルォロアセトアミド基、ジペンタフルォ口べンズアミド基等が挙げられる。

酸イミド基としては、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子 1個を除いて得られる残基が挙げられ、炭素数が 4 ~ 2 0程度である。酸イミド基の具体例としては、以下に示す基等が挙げられる。

1価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子 1個を除いた残りの原子団をいう。 1価の複素環基の炭素数は通常 4〜60程度、好ましくは 4〜20である。なお、 1価の複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。前記複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素、珪素等のへテロ原子を環内に含むものをいう。 1価の複素環基の具体例としては、チェニル基、 C i C アルキルチェニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、〜じ^アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基等が挙げられ、チェニル基、 C i C uアルキルチェニル基、ピリジル基、 C i C アルキルピリジル基が好ましい。

置換カルボキシル基としては、アルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基又は 1 価の複素環基で置換された力ルポキシル基が挙げられる。なお、前記のアルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基又は 1価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換力ルポキシル基の炭素数は、通常、 2〜60程度、好ましくは2〜48でぁる。なお、置換カルボキシル基の炭素数には該置換基の炭素数は含まれない。置換カルボキシル基の具体例としては、メトキシカルポニル基、エトキシカルポニル基、プロポキシカルボニル基、 i —プロポキシカルポニル基、ブトキシカルポニル基、 i 一ブトキシカルボニル基、 S—ブトキシカルポニル基、 t一ブトキシカルポニル基、ペンチルォキシカルポニル基、へキシロキシカルボ二ル基、シクロへキシロキシカルポニル基、ヘプチルォキシカルポニル基、ォクチルォキシカルポニル基、 q 2—ェチルへキシロキシカルボニル基、ノニルォキシカルポニル基、デシロキシカルポニル基、 3， 7—ジメチルォクチルォキシカルボニル基、ドデシルォキシカルボ二ル基、トリフルォロメトキシカルポニル基、ペンタフルォロエトキシカルボ二ル基、パーフルォロブトキシカルポニル基、パーフルォ口へキシルォキシカルボニル基、パ一フルォロォクチルォキシカルポニル基、フエノキシカルポニル基、ナフトキシカルポニル基、ピリジルォキシカルポニル基等が挙げられる。

前記高分子化合物ば、前記式（1 ) で表される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでいてもよい。式（1 ) で表される繰り返し単位は、発光効率の観点からは、前記高分子化合物中の全繰り返し単位の 0 . 1〜9 9モル％であることが好ましく、 1〜3 0 モル％であることがより好ましい。

前記式（1一 1 ) で表される繰り返し単位としては、高分子化合物の合成の行いやすさ、素子特性等の観点から、下記式（1一 2 ) ：

で、 R¹ R²、 aおよび bは、前記と同じ意味を表す。〕

で表されるものが好ましく、下記式（1— 3 )

で表されるものがさらに好ましい。

. 本発明の高分子化合物は、さらに、下記式（2) で表される繰り返し単位を 1種類以上含んでいてもよい。

— A r

〔ここで、 A はァリーレン基、 2価の芳香族ァミン基または 2価の複素環基を示す。ただし、ァリ一レン基には前記式（1) で示される基は含まれない。〕

前記式（2) 中、 A _Γιで表されるァリーレン基とは、芳香族炭化水素から水素原子 2個を除いた原子団であり、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環又は縮合環 2個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。ァリ一レン基は置換基を有していてもよい。ァリ一レン基における置換基を除いた部分の炭素数は、通常、 6 〜 60程度であり、好ましくは 6〜20である。また、ァリ一レン基の置換基を含めた全炭素数は、通常、 6〜100程度である。

Αι^で表されるァリーレン基としては、フエ二レン基（例えば、下式 1〜3) 、ナフタレンジィル基（例えば、下式 4〜13) 、アントラセン一ジィル基（例えば、下式 14〜： 19) 、ビフエニル—ジィル基（例えば、下式 20~25) 、ターフェ二ル―ジィル基（例えば、下式 26~28) 、縮合環化合物基（例えば、下式 29〜35) 、フルオレン—ジィル基（例えば、下式 36〜38) 、スチルベン一ジィル基（下式 39〜

42) 、ジスチルベン—ジィル基（例えば、下式 43、 44) 、ベンゾフルオレンージィル基（例えば、下式 A— 1〜A— 3) 、ジベンゾフルオレン一ジィル基（例えば、下式 A— 4) 等が例示される。

A-4

(式中、 Rは独立に、水素原子又は置換基を表し、 R³は置換基を表し、 R⁴は水素原子または置換基を表す。 R³および R⁴で表される置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールァルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、ニトロ基、シァノ基があげられる。ただし、 R⁴はべンゾシクロブタン構造を含む基ではない。 R³、 R⁴で表される置換基は、具体的には前述で Riとして^ ¾明し例示したものと同じである。）

上式 1〜3 5.、 3 9〜4 4及び A—：！〜 A— 4中、 Rで表される置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換力ルポキシル基、シァノ基等が挙げられる。これらの置換基に含まれる水素原子は、フ、ン素原子に置換されていてもよレ^ これらの基、残基、原子は、前記 R¹で表される置換基の項で説明し例示したものと同じである。 Rで表される置換基は、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性の観点から、少なくとも 1個の Rが水素原子以外であることが好ましい。また、 Rで表される置換基は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、 1価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、ァリール基がより好ましい。

A _{Γ ι}で表される 2価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子 2個を除いた残りの原子団をいう。 2価の複素環基は置換基を有していてもよい。前記複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素等のへテロ原子を環内に含むものをいう。 2価の複素環基の中では、芳香族複素環基が好ましい。 2価の複素環基における置換基を除いた部分の炭素数は通常 3 ~60程度である。また、 2価の複素環基の置換基を含めた全炭素数は、通常 3〜： I 0 0程度である。

A で表される 2価の複素環基としては、例えば、ピリジン—ジィル基（例えば、下式 4 5〜5 0 ) 、ジァザフエ二レン基（例えば、下式 5 1〜5 4 ) 、キノリンジィル基（例えば、下式 5 5〜6 9 ) 、キノキサリンジィル基（例えば、下式 7 0〜7 4 ) 、ァクリジンジィル基（例えば、下式 7 5〜7 8 ) 、ビビリジルジィル基（例えば、下式 7 9〜8 1 ) 、フエナント口リンジィル基（例えば、下式 8 2〜8 4 ) 、力ルバゾール構造を有する基（例えば、下式 8 5〜8 7 ) 等の、ヘテロ原子として窒素を含む 2価の複素環基；ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、硫黄、セレン等を含む 5員環複素環基（例えば、下式 8 8〜9 2 ) ；ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、セレン等を含む 5員環縮合複素環基（例えば、下式 9 3〜： 1 0 3 ) ；ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、硫黄、セレン等を含む 5員環複素環基でその.ヘテロ原子の α位で結合し 2量体やオリゴマーになっている基（例えば、下式 1 0 4 ~ 1 0 5 ) ；ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、硫黄、セレン等を含む 5員環複素環基でそのへテロ原子の α位でフエニル基に結合している基（例えば、下式 1 0 6〜1 1 2 ) ；ヘテロ原子として酸素、窒素、硫黄等を含む 5員環縮合複素環基にフエ二ル基ゃフリル基、チェニル基が置換した基（例えば、下式 1 1 3〜： L 1 8 ) 等が挙げられる。 // 60ioizI〕d O寸/.AV

CO

118

(式中、 Rは独立に、前記で定義したとおりである。）

A riで表される 2価の芳香族ァミン基としては、芳香族第三級ァミンから誘導される化合物の芳香環から水素原子を 2個除いて得られる原子団が挙げられる。 2価の芳香族ァミン基の中では、下記式（5) ：

〔式中、 Ar₃、 Ar₄、八1"₅及び 1"₆は、それぞれ独立に、ァリ一レン基又は 2価の複素環基を表す。 Ar₇、 A r ₈及び A r ₉は、それぞれ独立に、ァリール基又は 1価の複素環基を表す。 Ar₃、 Ar₄、 Ar₅、 Ar₆、 A r₇> A r ₈及び A r₉は置換基を有していてもよい。 X及び yは、それぞれ独立に、 0又は正の整数である。〕

で表される基が、発光波長を変化させる観点、発光効率を高める観点、耐熱性を向上させる観点から好ましい。

前記式（5) 中、 Xは、寿命等の素子特性や高分子化合物の合成の行いやすさから、 0〜2の整数であることが好ましく、 0又は 1であることがより好ましい。また、前記式（5 ) 中、 yは、寿命等の素子特性や高分子化合物の合成の行いやすさから、 0〜2 の整数であることが好ましく、 0又は 1であることがより好ましい。

前記式（5 ) で表される基の具体例としては、以下の式 1 1 9〜1 2 7で表されるものが挙げられる。

(式中、 Rは独立に、前記で定義したとおりである。） Ai^の中では、下記式（2— :！）〜（2— 6) ：

S (=0) ―、一 S (=0) ₂ 、一 S i (RB) ₂ - S i (RB) 2 -、 — S i (RB) ₂ 一、一 B (RB) —、一 P (RB) ―、一 p (=0) (RB) ―、 -O-C (RB) ₂—又は一 N = C (RB) —を表し、式（2— 3 ) 、 (2 - 4) 、 ( 2 - 5 ) 及び（2— 6 ) において、 X' は、 ― O—、 ― S―、 -S (=0) 一、一 S (=0) ₂—、 ― C (RB) ₂—、 ― S i (RB) 2 - S i (RB) ₂ -、一 S i (RB) ₂ -、一 B (RB) -、一 P ( RB) -、一 P (=0) (RB) ―、 -O-C (RB) ₂ -、 — C (RB) ₂— O—、 -C

(RB) =N—又は一 N=C (RB) —を表し、（2 — 6 ) において、 X，は、一〇一、一 S―、一 S (=〇） ―、 ― S (=〇） 2 -、 — C (RB) ₂—、 —S i (RB) 2-S i

(RB) 2 -、一 S i (RB) ₂—、一 B (RB) —、一 P (RB) -、一 P (=0) (R^B ) ―、 -O-C (RB) ₂—又は— N = C (RB) —を表し、 RBは独立に水素原子又は置換基を表す。〕

で表される繰り返し単位、及び前記式 1 0 2、 1 0 3、 1 1 3〜1 1 6で表される基（該基を繰り返し単位とするもの）が、発光効率等の素子特性の観点から好ましい。

RBは置換基であることが好ましく、 RBで表される置換基としては、アルキル基、ァルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ碁、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、カルボキシル基、置換力ルポキシル基、ニトロ基、シァノ基等が挙げられる。これらの基、残基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。前記 RB'の中では、輝度半減寿命等の素子特性の観点からは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、 1価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、ァリール基、 1価の複素環基がより好ましく、アルキル基、ァリール基が特に好ましい。これらの基は、具体的には、 Riで表される置換基として説明し例示したものと同じである。

本発明の高分子化合物に含まれる繰り返し単位は、素子特性の観点から、好ましくは前記式（1 ) で示される繰り返し単位と、下記式（3 ) ：

〔ここで、 R³は置換基を示し、 R⁴は水素原子または置換基を示す。 cは、ひ〜 3の整数を示す。 R³が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、 2個の R4は同一でも異なっていてもよい。〕

で表される繰り返し単位を含むものであり、さらに好ましくは、前記式（1 ) で示される繰り返し単位と、 cが 0であり、且つ R⁴が ^素数 6〜2 0のアルキル基である前記式（3 ) で表される繰り返し単位を含むものであること、または、 cが 0であり、且つ R⁴が置換基を有していてもよいァリール基である前記式（3 ) で表される繰り返し単位を含むものである。 -

R³で表される置換基としては、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、高分子化合物の合成の行いやすさの観点からは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリ —ル基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、 1価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、ァリール基、 1価の複素環基がより好ましい。

R⁴で表される置換基は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基であり、独に、炭素数が、通常、 1〜2 0であり、素子特性等の観点から、より好ましくは 6 〜2 0であり、さらに好ましくはち〜 8である。この置換基を有していてもよいアルキル基の具体例としては、メチル基、ェチル基、プロピル基、 i—プロピル基、 n—プチル基、 i—ブチル基、 s—ブチル基、 t—ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、へキシル基、シクロへキシル基、ヘプチル基、ォクチル基、 2—ェチルへキシル基、ノニル基、デシル基、 3， 7—ジメチルォクチル基、 1一ゥンデカニル基、 1—ドデカニル基、 1—トリデカニル基、 1—テトラデカニル基、 1一ペンタデカニル基、 1一へキサデ力ニル基等が挙げられ、素子特性等の観点から、へキシル基、ヘプチル基、ォクチル基が好ましい。また、 R⁴で表される置換基は、置換基を有していてもよいァリール基であってもよく、好ましくは置換基を有していてもよいフエニル基である。ァリール基は、炭素数が通常 6 ~ 6 0程度、好ましくは 6 ~ 4 8である。ァリール基の具体例としては、フエ二ル基、じ！〜じアルコキシフエニル基（「^〜。^アルコキシ」は、アルコキシ部分の炭素数が 1〜1 2であることを意味する。以下、同様である。 ) 、 d ~ C _{1 2}アルキルフエ二ル基 ( 「^〜じアルキル」は、アルキル部分の炭素数が 1〜1 2であることを意味する。以下、同様である。）、 1—ナフチル基、 2—ナフチル基、 1 一アントラセニル基、 2—アントラセニル基、 9—アントラセニル基、ペン夕フルオロフェニル基等が挙げられ、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点からは、置換基を有していてもよいフエニル基が好ましく、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性の観点. から、じ〜じ^アルコキシフエニル基、 C i〜C _{1 2}アルキルフエニル基が好ましい。 C i〜C _{1 2}アルコキシフエニル基として具体的には、メトキシフエ二ル基、エトキシフエニル基、プロピルオギシフエ二ル基、 i —プロピルォキシフエニル基、ブトキシフエ二ル基、 i 一ブトキシフエニル基、 t —ブトキシフエニル基、ペンチルォキシフエニル基、へキシルォキシフエニル基、シクロへキシルォキシフエニル基、ヘプチルォキシフエニル基、ォクチルォキシフエニル基、 2—ェチルへキシルォキシフエニル基、ノニルォキシフエニル基、デシルォキシフエニル基、 3， 7—ジメチルォクチルォキシフエニル基、ラウリルォキシフエニル基等が挙げられる。 C i G アルキルフエニル基として具体的にはメチルフエニル基、ェチルフエニル基、ジメチルフエニル基、プロピルフエニル基、メシチル基、メチルェチルフエニル基、 i—プロピルフエニル基、ブチルフエニル基、 i—プチルフエ二ル基、 s —ブチルフエニル基、 t 一ブチルフエニル基、ペンチルフエニル基、イソアミルフエ二ル基、へキシルフェニル基、ヘプチル 7ェニル基、ォクチルフエニル基、ノニルフエニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基等が挙げられ、メチルフエニル基、ェチルフエニル基、へキシルフェニル基、ヘプチルフエニル基、ォクチルフエ二ル基がさらに好ましい。

前記のぼ（3 ) ：式（1 ) ]、（3 ) ：式（1— 1 ) ] 及び（3 ) ：式（1— 2 ) ]の繰り返し単位の比は、いずれも、モル比で、通常、 10 : 90〜99： 1であり、素子特性の観点から、好ましくは 30： 70〜98： 2である。前記高分子化合物は、前記式（1 ) を 2種類以上含んでいてもよく、また前記式（3 ).で表される繰り返し単位を 2種類以上含んでいてもよい。

前記高分子化合物は、発光特性や電荷輸送特性を損なわない範囲で、さらに、前記式 ( 1 ) 〜（3 ) で表される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでいてもよい。前記高分子化合物中の繰り返し単位は、非共役構造で連結されていてもよいし、該繰り返し単位の中に該非共役構造が含まれていてもよい。この非共役構造としては、以下に示すもの、及びそれらを 2個以上組み合わせたもの等が例示される。

R R R R

一 0一一 S一一 N一一 B一 -Si— 一 C一

I . I

R R

0 0 0 0 0

II II II II II

-C- -C O- -0-C- -N-C- -C-N-

R R

0 0 0 0

II II II II

r- c

— N 、Ar- -Ar; N ' 、Ar: ： N—

ヽ C' C C" C

II II II II

o 0 0 0

(式中、 Rは独立に、前記で定義したとおりであり、 A rはへテロ原子を含んでいてもよい炭素数 6〜6 0の炭化水素基を表す。）

前記式中、前記へテロ原子としては、酸素、硫黄、窒素、珪素、硼素、燐、セレン等が挙げられる。

前記高分子化合物は、ランダム共重合体、グラフト共重合体、交互共重合体、ブロック共重合体のいずれであってもよい。また、それらの中間的な構造を有する高分子、例えば、ブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。さらに、主鎖に枝分かれがあり、末端部が 3個以上ある場合ゃデンドリマーも含まれる。

前記高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量は、通常、 1 X 10³〜1 X 10⁸程度であり、好ましくは 1 X 10⁴ ~ l X 10⁶である。また、ポリスチレン換算の重量平均分子量は、通常、 3 X 10³〜l X 10⁸程度であり、成膜性の観点及び素子にした場合の発光効率の観点から、好ましくは 5 X 10⁴以上であり、 1 X 10⁵以上がさらに好ましいが、高分子化合物の有機溶媒への溶解性の観点からは、 1 X 10⁵〜 5 X 10⁶であることが好ましい。数平均分子量及び重量平均分子量がかかる範囲の高分子化合物を 1種単独で素子に用いた場合でも該高分子化合物の 2種類以上を併用して素子に用いた場合でも、得られる素子は高発光効率である。また、本発明の組成物の成膜性を向上させる観点から、重量平均分子量数平均分子量で規定される分散度が 3以下であることが好ましい。前記高分子化合物の分子鎖末端に位置する基（即ち、末端基）に重合に関与する基（通常、重合活性基と呼ばれる。）が残っていると、該組成物を発光素子に用いたときの発光特性、寿命が低下する可能性があるので、重合に関与しない安定な基で保護されていることが好ましい。この末端基としては、分子鎖主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、例えば、炭素一炭素結合を介してァリール基又は複素環基と結合している構造が例示される。具体的には、特開平 9-45478号公報の化 10に記載の置換基等が例示される。

前記高分子化合物は、その分子鎖末端の少なくとも一方を、 1価の複素環基、 1価の芳香族ァミン基、複素環配位金属錯体から誘導される 1価の基、及びァリール基から選ばれる芳香族末端基で封止することにより、様々な特性を付加することが期待される。具体的には、素子の輝度低下に要する時間を長くする効果、電荷注入性、電荷輸送性、発光特性等を高める効果、高分子化合物間の相溶性や相互作用を高める効果、アンカー的な効果等が挙げられる。

前記高分子化合物の製造方法としては、例えば、 Suzuki反応により重合する方法（ケミカルレビュー（Chem.Rev.) ，第 95巻， 2457頁（1995年））、 Grignard反応により重合する方法（共立出版、高分子機能材料シリーズ第 2巻、高分子の合成と反応（2 ) 、 432〜433頁）、山本重合法により重合する方法（プログレッシブボリマーサイエンス（Prog.Polym.Sci.) ，第 17巻, 1153〜1205頁， 1992年）、 FeCls等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法（丸善、実験化学講座第 4版、 28巻、 339〜340頁）等が例示される。

本発明の高分子化合物を高分子発光素子等に用いる場合、該高分子化合物の純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製した後に重合することが好ましい。また、合成後、再沈精製、クロマトグラフィ一による分別等の純化処理をすることが好ましい。

. また、本発明の高分子化合物を用いて製膜したときの製膜性、素子特性を改良する観点で、本発明の高分子化合物と、他の低分子有機化合物、および Zまたは高分子化合物を混合した高分子組成物として用いてもよい。

本発明の高分子組成物は、本発明の高分子化合物を少なくとも 1種類含むものであり、正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、安定剤、酸化防止剤等を含んでいてもよい。これらの任意成分は、各々、 1種類単独で用いても 2種類以上を併用してもよい。組み合わせる低分子有機化合物、高分子化合物は、特に限定されないが、正孔注入 · 輸送性（正孔輸送材料）、電子注入 ·輸送性（電子輸送材料）を有するものが好ましく用いられる。

具体的には、本発明の高分子組成物が含有してもよい正孔輸送材料としては、例えば、低分子有機化合物としては、トリフエニルァミン、テトラフエ二ルジァミン、ビス力ルバゾリルビフエニルおよびこれらの誘導体等が挙げられ、高分子化合物としては、ポリビニルカルバゾ一ル及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族ァミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、ァリールァミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフエ二ルジァミン誘導体、ポリア二リン及びその誘導体、'ポリチォフェン及びその誘導体、ポリピロ一ル及びその誘導体、ポリ（p—フエ二レンビ二レン）及びその誘導体、ポリ（2 , 5—チェ二レンビニレン）及びその誘導体等が挙【ずられる。

本発明の高分子組成物が含有してもよい電子輸送材料としては、例えば、ォキサジァゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシァノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルォレノン誘導体、ジフエエルジシァノエチレン及びその誘導体、ジフエノキノン誘導体、 8—ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等が挙げられる。

前記材料の含有比率ほ、用途に応じて決定すればよいが、本発明の高分子組成物が正孔輸送材料を含有する場合には、該組成物中の正孔輸送材料の割合は、通常、 1重量％〜80重量％であり、好ましくは 5重量％〜60重量％である。本発明の組成物が電子輸送材料を含有する場合には、該組成物中の電子輸送材料の割合は、通常、 1重量％〜80重量％であり、好ましくは 5重量％〜60重量％である。本発明の高分子組成物が発光材料を含有する場合には、該組成物中の発光材料の割合は、通常、 1重量％~80重量％である。

本発明の高分子組成物が含有してもよい安定剤としては、例えば、フエノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等が挙げられる。

本発明の高分子化合物および高分子組成物は、特に液状組成物として高分子発光素子等の発光素子や有機トランジスタ、太陽電池の作製に有用である。液状組成物は、本発明の組成物が必要に応じて溶媒を含んでなるものである。本明細書において、「液状組成物」とは、素子作製時において液状であるものを意味し、典型的には、常圧（即ち、 1気圧）、 25でにおいて液状のものを意味する。また、液状組成物は、一般的には、ィンク、インク組成物/溶液等と呼ばれることがある。

高分子発光素子の作製の際に、この液状組成物（例えば、溶液状態の組成物）を用いて成膜する場合、該液状組成物を塗布した後、乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用できるので、製造上非常に有利である。なお、乾燥の際には、 5 0〜1 5 0で程度に加温した状態で乾燥してもよく、また、 10· 3 P a程度に減圧して乾燥させてもよい。

液状組成物を用いた成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バ一コート法、ロールコート法、ワイアーバ —； ΪΙ—ト法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。液状組成物中の溶媒の割合は、該液状組成物の全重量に対して、通常、 1重量％〜99 . 9重量％であり、好ましくは 60重量％~99.9重量％であり、さらに好ましく 90重量％〜99.9重量％である。液状組成物の粘度は印刷法によって異なるが、 25でにおいて 0.5 〜500mPa · sの範囲が好ましく、インクジェットプリント法等液状組成物が吐出装置を経由するものの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が 25でにおいて 0.5〜20mPa · sの範囲であることが好ましい。また、前記式（1 ) で表される繰り返し単位を有する高分子化合物または前記高分子化合物.をを 1種類以上含む高分子組成物が液状組成物から溶媒を除いた全成分の合計重量に対して、通常は 20重量％〜 100重量％であり、好ましくは 40重量％〜100重量％である。

液状組成物に含まれる溶媒としては、該組成物中の該溶媒以外の成分を溶解又は分散できるものが好ましい。該溶媒としては、クロ口ホルム、塩ィ匕メチレン、 1， 2—ジクロロェタン、 1， 1 , 2—トリクロロェタン、クロ口ベンゼン、 θ—ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジォキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロへキサン、メチルシクロへキサン、 n—ペンタン、 n—へキサン、 n—ヘプタン、 n—オクタン、 n—ノナン、 n—デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルェチルケトン、シクロへキサノン等のケトン系溶媒、酢酸ェチル、酢酸プチル、メチルベンゾェ一ト、ェチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノェチルエーテル、エチレンダリコールモノメチルエーテル、ジメトキシェタン、プロピレングリコール、ジェトキシメタン、トリエチレングリコ一ルモノェチルエーテル、グリセリン、 1 , . 2—へキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロへキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、 N—メチル—2—ピロリドン、 N, N—ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの溶媒は、 1種単独で用いても複数組み合わせて用いてもよい。前記溶媒のうち、ベンゼン環を少なくとも 1個以上含む構造を有し、かつ融点が 0で以下、沸点が 1 0 0で以上である有機溶媒を 1種類以上含むことが、粘度、成膜性等の観点から好ましい。

溶媒の種類としては、液状組成物中の溶媒以外の成分の有機溶媒への溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、ェステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、ェチルベンゼン、ジェチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メシチレン、 n—プロピルベンゼン、 i—プロピルベンゼン、 n—ブチルベンゼン、 i 一ブチルベンゼン、 s _ブチルベンゼン、ァニソール、エトキシベンゼン、 1—メチルナフタレン、シクロへキサン、シクロへキサノン、シクロへキシルベンゼン、ビシクロへキシル、シクロへキセニルシクロへキサノン、 n—へプチルシクロへキサン、 n—へキシルシクロへキサン、メチルベンゾェ一ト、 2 一プロビルシクロへキサノン、 2—ヘプタノン、 3—ヘプ夕ノン、 4一へプタノン、 2 —ォクタノン、 2—ノナノン、 2—デカノン、ジシクロへキシルケトンが好ましく、キシレン、ァニソール、メシチレン、シクロへキシルベンゼン、ビシクロへキシルメチルンゾエートのうち少なくとも 1種類を含むことがより好ましい。 · 液状組成物に含まれる溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、 2種類以上であることが好ましく、 2 ~ 3種類であることがより好ましく、 2種類であることがさらに好ましい。

液状組成物に 2種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの 1種類の溶媒は 25でにおいて固体状態でもよい。成膜性の観点から、 1種類の溶媒は沸点が 180で以上のものであり、他の 1種類の溶媒は沸点が 180 :以下のものであることが好ましく、 1種類の溶媒は沸点が 200 以上のものであり、他の 1種類の溶媒は沸点が 180で以下のものであることがより好ましい。また、粘度の観点から、 60でにおいて、液状組成物から溶媒を除いた成分の 0.2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましく、 2種類の溶媒のうちの 1種類の溶媒には、 25 において、'液状組成物から溶媒を除いた成分の 0.2重量％以上が溶解することが好ましい。

液状組成物に 3種類の溶媒が含まれる場合、そのゔちの 1〜 2種類の溶媒は 25でにおいて固体状態でもよい。成膜性め観点から、 3種類の溶媒のうちの少なくとも 1種類の溶媒は沸点が 180で以上の溶媒であり、少なくとも 1種類の溶媒は沸点が 180t:以下の溶媒であることが好ましく、 3種類の溶媒のうちの少なくとも 1種類の溶媒は沸点が 200 t:以上 300で以下の溶媒であり、少なくとも 1種類の溶媒は沸点が 180 以下の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、 3種類の溶媒のうちの 2種類の溶媒には、 60t:において、液状組成物から溶媒を除いた成分の 0.2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましく、 3種類の溶媒のうちの 1種類の溶媒には、 25でにおいて、液状組成物から溶媒を除いた成分の 0.2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましい。

液状組成物に 2種類以上の溶媒が含まれる場合、粘度及び成膜性の観点から、最も沸点が高い溶媒が、液状組成物に含まれる全溶媒の重量の 40〜90重量％であることが好ましく、 50~90重量％であることがより好ましく、 65〜85重量％であることがさらに好ましい。

液状組成物に含まれる溶媒としては、粘度及び成膜性の観点から、ァニソ一ル及びビシクロへキシルの組み合わせ、ァニソール及びシクロへキシルベンゼンの組み合わせ、キシレン及びピシクロへキシルの組み合わせ、キシレン及びシクロへキシルベンゼンの組み合わせ、メシチレン及びメチルベンゾェ一卜の組み合わせが好ましい。

液状組成物に含まれる溶媒以外の成分の溶媒への溶解性の観点から、溶媒の溶解度パラメ一夕と、本発明の高分子組成物に含まれる高分子化合物の溶解度パラメ一夕との差が 10以下であることが好ましく、 7以下であることがより好ましい。これらの溶解度パラメ一タは、「溶剤ハンドブック（講談社刊、 1976年) 」に記載の方法で求めることができる。

さらに、本発明の液状組成物は、粘度及び/又は表面張力を調節するための添加剤、酸化防止剤を含んでいてもよい。

本発明の組成物が含有してもよい粘度及び Z又は表面張力を調節するための添加剤としては、例えば、粘度を高めるための高分子量の化合物（増粘剤）や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤等を適宜組み合わせて使用すればよい。

前記の高分子量の化合物としては、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、組成物が溶媒を含む場合には；通常、該溶媒に可溶性のものである。高分子量の化合物としては、例えば、高分子量のポリスチレン、高分子量のポリメチルメタクリレート等を用いることができる。前記の高分子量の化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量は 5 0万以上が好ましく、 100万以上がより好ましい。また、貧溶媒を增粘剤として用いることもできる。即ち、本発明の組成物が溶媒を含む場合（即ち、後述の液状組成物である場合）、該組成物中の固形分に対して少量の貧溶媒を添加することで、該組成物の粘度を高めることができる。この目的で貧溶媒を添加する場合、該組成物中の固形分が析出しない範囲で、貧溶媒の種類と添加量を選択すればよい。保存時の安定性も考慮すると、貧溶媒の量は、組成物全体に対して 50重量％以下であることが好ましく、 30 重量％以下であることがより好ましい。本発明の組成物が含有してもよい酸化防止剤としては、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよい。酸化防止剤としては、フエノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等が例示される。酸化防止剤を用いることにより、本発明の液状組成物の保存安定性を改善し得る。

次いで、本発明の薄膜について説明する。

この薄膜は、前記高分子化合物を用いて製造することができる。

好ましくは、前記高分子化合物を含む層を作成し、該層を通常 5 0で以上に加熱して製造するものであり、より好ましくは、加熱温度が 5 0で以上 3 0 0で以下で製造するものであり、さらに好ましくは、 5 0 T:以上 2 0 0で以下で製造されるものである。加熱は、薄膜上に溶媒をスピンコートした場合に薄膜の膜厚の減少が 1 0 %以下となるまで行うことが好ましく、 5 %以下となるまで行うことがより好ましい。

加熱して製造された上記の層は、溶媒に溶解しにくいので、該層の上に、化合物と溶媒とを含む液を用いて容易に該化合物を含む層を形成し得る。

加熱温度が低すぎると硬化が不十分となる傾向があり、高すぎると該薄膜をエレクト口ルミネッセンス素子に用いた場合に素子特性が低下する傾向がある。

また、加熱時間は、通常 1 5分から 1時間程度であり、加熱方法としては、オーブンやホットプレートを用いて加熱する方法が挙げられる。加熱は、不活性気体雰囲気下もしくは真空中で行うことができ、好ましくは窒素雰囲気下である。

薄膜の種類としては、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜が例示される。

発光性薄膜は、素子の輝度や発光電圧等の観点から、発光の量子収率が 50%以上であることが好ましく、 60%以上であることがより好ましく、 70%以上であることがさらに好ましい。

導電性薄膜は、表面抵抗が 1 Κ Ω ロ以下であることが好ましい。薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物等をド一プすることにより、電気伝導度を高めることができる。表面抵抗が 100Ω ロ以下であることがより好ましく、 10Ω/口以下であることがさらに好ましい。

有機半導体薄膜は、電子移動度又は正孔移動度のいずれか大きいほうが、好ましくは 10· 5 c m2 /VZ秒以上であり、より好ましくは 10· 3 c m2 /VZ秒以上であり、さらに好ましくは 10· i c m² ZVZ秒以上である。また、有機半導体薄膜を用いて、有機トランジス夕を作製することができる。具体的には、 S i〇₂等の絶縁膜とゲート電極とを形成した S i基板上に有機半導体薄膜を形成し、 A u等でソース電極とドレイン電極を形成することにより、有機トランジスタとすることができる。

次いで、積層体について説明する。この積層体は、前記薄膜を 1種類以上含み、且つ層の数が 2以上であるものを示し、層の数が 3以上であることが好ましい。この積層体は、前記高分子化合物を用いて製造することができる。好ましくは、前記の高分子化合物を含む層と、有機化合物を含有する層とを積層する工程と、積層されたものを通常 5 0で以上に加熱する工程を含む方法により製造するより好ましくは、加熱温度が 5 0で以上 3 0 O :以下で製造するものであり、さらに好ましくは、 5 0で以上 2 0 0で以下で製造されるものである。有機化合物は低分子化合物でも高分子化合物でもよく、前述の正孔輸送材料または電子輸送材料が例示される。

加熱温度が低すぎると硬化が不十分となる傾向があり、高すぎると該積層体をエレクト口ルミネッセンス素子に用いた場合に素子特性が低下する傾向がある。

また、加熱時間は、通常 1 5分から 1時間程度であり、加熱方法としては、オーブンゃホットプレートを用いて加熱する方法が挙げられる。加熱は、不活性気体雰囲気下もしくは真空中で行うことができ、好ましくは窒素雰囲気下である。

本発明の積層体は、高分子発光素子、有機トランジスタ.、太陽電池に用いることができる。

本発明の積層体を高分子発光素子に用いる場合、前記の高分子化合物を含む層は、発光層、電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層、正孔注入層などとして用いることができる。

く用途〉

次に本発明の高分子化合物の用途について説明する。

本発明の高分子化合物は、通常、固体状態で蛍光を発し、高分子発光体（即ち、高分子量の発光材料）として用いることができる。また、本発明の高分子化合物は優れた電荷輸送能を有しており、高分子発光素子用材料や電荷輸送材料として好適に用いることができる。該高分子発光体を用いた高分子発光素子は低電圧、高発光効率で駆動できる高性能の高分子発光素子である。従って、本発明の高分子化合物は、曲面状光源、平面状光源等の面状光源（例えば、照明等）；セグメント表示装置（例えば、セグメントタィプの表示素子等）、ドットマトリックス表示装置（例えば、ドットマトリックスのフラットディスプレイ等）、液晶表示装置（例えば、液晶表示装置、液晶ディスプレイのバックライト等）等の表示装置等の材料として有用である。また、本発明の高分子化合物は、レーザ一用色素、有機太陽電池用材料、有機トランジスタ用の有機半導体、導電性薄膜、有機半導体薄膜等の伝導性薄膜用材料、蛍光を発する発光性薄膜材料等としても用いることができる。有機トランジスタは、バイポーラトランジスタとして用いることも、高分子電界効果トランジスタ等の電界効果トランジスタとして用いることもできる。

く高分子発光素子〉

次に、本発明の高分子発光素子について説明する。

本発明の高分子発光素子は、陽極及び陰極からなる電極間に、本発明の高分子化合物を含む層を有する高分子発光素子である。

また、陽極及び陰極から成る電極間に、本発明の薄膜または本発明の積層体を有する高分子発光素子である。

また、本発明の高分子発光素子は陽極及び陰極からなる電極間に、発光層と電荷輸送層とを有し、該電荷輸送層が本発明の高分子化合物がら得られる層である高分子発光素子である。

また、本発明の高分子発光素子は陽極及び陰極からなる電極間に、発光層と電荷輸送層とを有レ、該電荷輸送層と電極との間に電荷注入層を有し、該電荷注入層が本発明の高分子化合物から得られる層である。

前記本発明の高分子化合物を含む層は、発光層、正孔輸送層、電子輸送層等のいずれであってもよいが、有機層が発光層であることが好ましい。

発光層とは、発光する機能を有する層をいう。正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層をいう。電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層をいう。なお、正孔輸送驛と電子輸送層を総称して電荷輸送層という。発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に 2層以上存在してもよい。本発明の高分子発光素子が発光層を有する場合、該発光層の厚さは、用いる材料によつて最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば、 1 n m〜： I mであり、好ましくは 2 n m〜500 n m、さらに好ましくは 5 n m〜200n mである。

発光層の形成方法としては、例えば、液状組成物からの成膜による方法が挙げられる。液状組成物からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコ一卜法、ロールコート法、ワイア一バ一コート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。

本発明の高分子発光素子は、素子の輝度等の観点から陽極と陰極との間に電圧を印加したときの最大外部畺子収率が 1 %以上であることが好ましく、 1.5%以上であることがより好ましい。

本発明の高分子発光素子としては、例えば、陰極と発光層との間に電子輸送層を設けた高分子発光素子、陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子、陰極と発光層との間に電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子等が挙げられる。

本発明の高分子発光素子としては、具体的には、以下の a ) 〜d ) の構造が例示される。

a ) 陽極/発光層/陰極

b ) 陽極/正孔輸送層/発光層/陰極

c ) 陽極/発光層電子輸送層/陰極

d ) 陽極/正孔輸送層 Z発光層/電子輸送層/陰極

(ここで、は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）本発明の高分子化合物が正孔輸送層に用いられる場合には、本発明の前記式（1 ) で表される繰り返し単位を含む高分子化合物が該正孔輸送性基を有することが好ましい。正孔輸送性基を含む高分子化合物の具体例としては、芳香族ァミンを含む重合体、スチルペンを含む重合体等が挙げられる。

本発明の高分子化合物が電子輸送層に用いられる場合には、本発明の高分子化合物前記式（1 ) で表される繰り返し単位を含む高分子化合物が該電子輸送性基を有することが好ましい。電子輸送性基を含む高分子化合物の具体例としては、ォキサジァゾールを含む重合体、トリァゾ一ルを含む重合体、キノリンを含む重合体、キノキサリンを含む重合体、ベンゾチアジアゾールを含む重合体等が挙げられる。

本発明の高分子発光素子が正孔輸送層を有する場合、通常、該正孔輸送層には正孔輸送材料（低分子、高分子のものがある。）が用いられる。この正孔輸送材料としては、前述の本発明の組成物が含有してもょレ正孔輸送材料で例示したものが挙げられる。：該正孔輸送材料としては、具体的には、特開昭 63-70257号公報、特開昭 63-175860号公報、特開平 2-135359号公報、特開平 2-135361号公報、特開平 2-209988号公報、特開平 3-37992号公報、特開平 3-152184号公報に記載されているもの等が例示される。これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾ一ル及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族ァミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリア二リン及びその誘導体、ポリチォフェン及びその誘導体、ポリ（P—フエ二レンビニレン）及びその誘導体、ポリ（2， 5—チェ二レンビニレン）及びその誘導体等の高分子の正孔輸送材料が好ましく、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族ァミンを有するポリシロキサン誘導体がさらに好ましい。

また、低分子の正孔輸送材料としては、ピラゾリン誘導体、ァリールァミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフエ二ルジァミン誘導体が例示される。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダ一に分散させて用いることが好ましい。

高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。高分子バインダーとしては、ポリ (N—ビニルカルバゾ一ル）、ポリア二リン及びその誘導体、ポリチォフェン及びその誘導体、ポリ（p—フエ二レンビニレン）及びその誘導体、ポリ（2， 5—チェ二レンビニレン）及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルァクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。

ポリビニルカルバゾ一及びその誘導体は、例えば、ピニルモノマーからカチオン重合又はラジカル重合によって得られる。

ポリシラン及びその誘導体としては、ケミカル 'レビュー（Chem.Rev.) 第 89巻、 1359頁（1989年）、英国特許 GB2300196号公開明細書に^載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。

ポリシ口キサン及びその誘導体は、シ口キサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖又は主鎖に上記低分子の正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族ァミンを側鎖又は主鎖に有するものが例示される。正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子の正孔輸送材料では、高分子バインダ一との混合溶液か βの成膜による方法が例示される。高分子の正孔輸送材料では、溶液（即ち、正孔輸送材料を溶媒と混合したもの）からの成膜による方法が例示される。溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としては、クロ口ホルム、塩化メチレン、 1， 2—ジクロロエタン、 1， 1， 2—トリクロロェタン、クロ口ベンゼン、 ο—ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジォキサン等のェ一デル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロへキサン、メチルシクロへキサン、 η—ペンタン、 η —へキサン、 η—ヘプタン、 η—オクタン、 η—ノナン、 η—デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルェチルケトン、シクロへキサノン等のケトン系溶媒、酢酸ェチル、酢酸プチル、ェチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレンダリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、 .エチレングリコールモノェチルェ一テル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシェタン、プロピレングリコ —ル、ジエトキシメタン、トリエチレングリコ一ルモノェチルエーテル、グリセリン、 1 , 2—へキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、ェタノ一ル、プロパノール、ィゾプロパノール、シクロへキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、 Ν—メチル— 2—ピロリドン、 Ν, Ν - ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。これらの有機溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコ一ト法、グラビアコート法、バーコ一ト法、ロールコ一卜法、ワイア一バ一コート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる正孔輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと素子の駆動電圧が高くなることがあり好ましくない。従つて、正孔輸送層の膜厚は、通常、 l n m〜l mであり、好ましくは 2 η π！〜 500 n m 、さらに好ましくは 5 n m〜200 n mである。

本発明の高分子発光素子が電子輸送層を有する場合、通常、該電子輸送層には電子輸送材料（低分子、高分子のものがある。）が用いられる。この電子輸送材料としては、前述の本発明の組成物が含有してもよい電子輸送材料で例示したものが挙げられる。該電子輸送材料としては、具体的には、特開昭 63-70257号公報、特開昭 63-175860号公報、特開平 2-135359号公報、特開平 2-135361号公報、特開平 2-209988号公報、特開平 3-37992号公報、特開平 3-152184号公報に記載されているもの等が例示される。これらのうち、ォキサジァゾ一ル誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、 8—ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が好ましく、 2— ( 4—ビフエ二リル） — 5— （4— t—ブチルフエニル) — 1， 3， 4一ォキサジァゾール、ベンゾキノン、アン.トラキノン、トリス（8—キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。

電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子の電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、及び溶液又は溶融状態からの成膜による方法が例示され、高分子電子輸送材料では溶液又は溶融状態からの成膜による方法が例示される。溶液又は溶融状態からの成膜時には、前記高分子バインダーを併用してもよい。溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料及び/又は高分子バインダ一を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。具体的には、前記正孔輸送層の項において、正孔輸送層の溶液からの成膜に用いる溶媒として例示したものが挙げられる。この溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

溶液又は溶融状態からの成膜方法としては、前記正孔輸送層の項において、正孔輸送層の溶液からの成膜方法として例示したものが挙げられる。

電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、電子輸送層の膜厚は、通常、 1 nm〜l t rriであり、好ましくは 2 nm〜500n m、さらに好ましくは 5 nm〜200n mである。

また、電極に隣接して設けた正孔輸送層、電子輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、それぞれ、特に正孔注入層、電子注入層（以下、これらの総称を「電荷注入層」ということがある。 ) と一般に呼ばれることがある。

さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファ一層を揷入してもよい。

積層する層の順番や数、及び各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。

本発明において、電荷注入層を設けた高分子発光素子としては、例えば、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子が挙げられる。具体的には、以下の e ) 〜p ) の構造が挙げられる。

e ) 陽極正孔注入層/発光層/陰極

f ) 陽極 Z発光層/電子注入層陰極

g) 陽極正孔注入層/発光層 Z電子注入廇陰極

h) 陽極 Z正孔注入層ノ正孔輸送層 Z発光層ノ陰極

1 ) 陽極 z正孔輸送層/発光層電子注入層 z陰極 j ) 陽極正孔注入層 z正孔輸送層/発光層電子注入層 z陰極

k) 陽極正孔注入層 Z発光層ノ電子輸送層 Z陰極

1 ) 陽極 Z発光層/電子輸送層/電子注入層 Z陰極

m) 陽極 Z正孔注入層発光層電子輸送層/電子注入層陰極

n) 陽極 Z正孔注入層 Z正孔輸送層発光層 Z電子輸送層 Z陰極

o) 陽極/正孔輸送層/発光層電子輸送層電子注入層/陰極

P) 陽極/正孔注入層 Z正孔輸送層発光層 Z電子輸送層/電子注入層陰極

• 本発明の高分子発光素子としては、前述のとおり、本発明の高分子化合物が正孔輸送層及び Z又は電子輸送層に含まれているものも含む。また、本発明の高分子発光素子としては、本発明の高分子化合物が正孔注入層及び Z又は電子注入層に含まれているものも含む。

本発明の高分子化合物が正孔注入層に用いられる場合には、電子受容性化合物と同時に用いられることが好ましい。本発明の高分子化合物が電子輸送層に用いられる場合には、電子供与性化合物と同時に用いられることが好ましい。ここで、同時に用いるためには、共重合、側鎖としての導入等の方法がある。

電荷注入層の具体例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のィォン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層等が挙げられる。

電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、 105 S じ111以上10³ cm以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、 10·⁵ SZcm以上 10² S/cm以下がより好ましく、 lO^ SZcm以上 10¹ SZcm以下がさらに好ましい。通常、該導電性高分子の電気伝導度を 10·⁵ S/c m以上 10³ SZcm以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればァニオン、電子注入層であればカチオンである。ァニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルべンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオン等が挙げられる。カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラプチルアンモニゥムィォン等が挙げられる。

電荷注入層の膜厚は、通常、 1 nm〜： lOOn mであり、 2 n m〜50n mが好ましい。電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリア二リン及びその誘導体、ポリチォフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフエ二レンビニレン及びその誘導体、ポリチェ二レンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタ口シァニン等）、カーボン等が例示される。

絶縁層は、通常、膜厚 0.5〜4.0n mであり、電荷注入を容易にする機能を有するものである。絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。

絶縁層を設けた高分子発光素子としては、陰極に隣接して絶縁層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して絶縁層を設けた高分子発光素子が挙げられる。具体的には、例えば、以下の q ) ~ a b) の構造が挙げられる。

q ) 陽極/絶縁層,発光層,陰極

r ) 陽極ノ発光層 Z絶縁層/陰極

s ) 陽極ノ絶縁層 Z発光層/絶縁層 Z陰極

t ) 陽極/絶縁層 Z正孔輸送層発光層 Z陰極

u ) 陽極/正孔輸送層 Z発光層 Z絶縁層 Z陰極

V ) 陽極/絶縁層正孔輸送層 Z発光層絶縁層陰極

w) 陽極ノ絶縁層 Z発光層ノ電子輸送層 Z陰極

X ) 陽極発光層 Z電子輸送層 Z絶縁層/陰極

y ) 陽極絶縁層発光層 Z電子輸送層 Z絶縁層 Z陰極

z ) 陽極ノ絶縁層 Z正孔輸送層発光層/亀子輸送層/陰極

a a ) 陽極/正孔輸送層/発光層電子輸送層 Z絶縁層/陰極

a b ) 陽極/絶縁層/正孔輸送層発光層 Z電子輸送層ノ絶縁層 Z陰極本発明の高分子発光素子は、上記 a)〜 a b ) 例示した素子構造において、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層のうちのいずれかに、本発明の組成物を含む。

本発明の高分子発光素子は、通常、基板上に形成される。この基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよい。基板の材料としては、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板等が挙げられる。不透明な基板の場合には、反対の電極（即ち、基板から遠い方の電極）が透明又は半透明であることが好ましい。通常、本発明の高分子発光素子が有する陽極及び陰極の少なくとも一方が透明又は半透明である。陽極側が透明又は半透明であることが好ましい。

陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、. 半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジゥム ·スズ ·ォキサイド ( I T O) 、ィンジゥム ·亜鉛 ·ォキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作製された膜（N E S A等）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、 I T O 、インジウム ·亜鉛 ·オキサイド、酸化スズが好ましい。陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メツキ法等が挙げられる。また、陽極として、ポリア二リン及びその誘導体、ポリチォフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。 >

陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜調整することができるが、通常、 10n m〜： lO mであり、好ましくは 20n m〜 1 m、さらに好ましくは 50nm 〜5— OOn mである。

陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、力ーボン等からなる層、又は金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよい。

陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリゥム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イツトリゥム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イツテルビゥム等の金属、及びそれらのうち 2つ以上の合金、又はそれらのうち 1つ以上と、金、銀、- 白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち 1っ以上との合金、グラフアイト又はグラフアイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム一銀合金、マグネシウム—インジウム合金、マグネシウム—アルミニゥム合金、インジウム一銀合金、リチウム一アルミニウム合金、リチウム—マグネシゥム合金、リチウム一インジウム合金、カルシウム一アルミニウム合金等が挙げられる。陰極を 2層以上の積層構造としてもよい。

陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜調整することができるが、例えば、 10 n m〜： lO i mであり、好ましぐは 20 n m~ 1 m、さらに好ましくは 50 n m〜 500 n mである。

陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機層との間に、導電性高分子からなる層、又は金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子発光素子を保護する保護層を設けてもよい。高分子発光素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層及び Z又は保護カバーを設けることが好ましい。

保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物、金属窒化物、有機無機ハイブリッド材料等を用いることができる。保護カバ一としては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等を用いることができ、該カバ一を熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スぺ—サ—を用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメ一ジを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか 1つ以上の方策をとることが好ましい。

本発明の高分子発光素子は、例えば、曲面状光源、平面状光源等の面状光源（例えば、照明等）；セグメント表示装置（例えば、セグメントタイプの表示素子等）、ドットマトリックス表示装置（例えば、ドットマトリックスのフラットディスプレイ等）、液晶表示装置（例えば、液晶表示装置、液晶ディスプレイのバックライト等）等の表示装置等に用いることができる。

本発明の高分子発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極又は陰極のいずれか一方、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立に O nZO F Fできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号等を表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子蛍光体を塗り分ける方法や、カラ —フィルタ一又は蛍光変換フィル夕一を用いる方法により、部分カラー表示、マルチ力ラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、 T F T等と組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、力一ナビゲ一シヨン、ビデオカメラのビューファインダ一等の表示装置として用いることができる。

面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。

<有機トランジスタ（高分子電界効果トランジスタ） >

次に、有機トランジスタの一態様である高分子電界効果トランジスタを説明する。本発明の高分子化合物は、高分子電界効果トランジスタの材料として、中でも活性層として好適に用いることができる。高分子電界効果トランジスタの構造としては、通常は、ソース電極及びドレイン電極が高分子からなる活性層に接して設けられており、さらに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていればよい。

高分子電界効果トランジスタは、通常は支持基板上に形成される。支持基板としては電界効果トランジス夕としての特性を阻害しなければ材質は特に制限されないが、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板も用いることができる。高分子電界効果トランジスタは、公知の方法、例えば、特開平 5-110069号公報記載の方法により製造することができる。

活性層を形成する際に、有機溶媒可溶性の重合体を含む組成物を用いることが製造上非常に有利であり好ましい。有機溶媒可溶性の重合体を含む組成物が溶媒を含んでなる液状組成物からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バ一コート法、ロールコート法、ワイア一バーコ —ト法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の塗布法を用いることができる。

. 高分子電界効果トランジスタを作製後、封止してなる封止高分子電界効果トランジス夕が好ましい。これにより、高分子電界効果ドランジス夕が、大気から遮断され、高分子電界効果トランジス夕の特性の低下を抑えることができる。

封止する方法としては、紫外線（U V) 硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機の S i O N x膜等でカバーする方法、 'ガラス板やフィルムを U V硬化樹脂、熱硬化樹脂等で張り合わせる方法等が挙げられる。大気との遮断を効果的に行うため高分子電界効果トランジスタを作製後、封止するまでの工程を大気に曝すことなく（例えば、乾燥した窒素雰囲気中、真空中等で）行うことが好ましい。

本発明の高分子化合物は下記式（4 ) で表される化合物を原料として用いて重合する方法により製造することができる。

( 4 )

式中、 Xはそれぞれ重合に関与しうる置換基を表す。 R i、 R²および a、 bは独立に、前記と同じ意味を表す。

重合に関与しうる置換基としては、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、ァリ一ルスルホネート基、ァリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基、スルホニゥムメチル基、ホスホニゥムメチル基、ホスホネ一トメチル基、モノハロゲン化メチル基、ハロゲン化マグネシウム基、ス夕ニル基、一 B (OH) ₂、ホルミル基、シァノ基、ビニル基等があげられる。

中でも、 — B (OH) ₂、ホウ酸エステル基、ハロゲン化マグネシウム、ス夕ニル基、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、ァリールスルホネート基またはァリールァルキルスルホネート基が好ましい。

ここに、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子があげられ、好ましくは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子である。さらに好ましくは臭素原子である。

アルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、ェ夕ンスルホネート基、トリフルォロメ夕ンスルホネート基などが例示され、ァリ一ルスルホネ一ト基としては、ベンゼンスルホネート基、 p—トルエンスルホネート基などが例示され、ァリ一ルァルキルスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基などが例示される。

ホウ酸エステル基としては、ジアルキルエステル、ジァリールエステル、ジァリールアルキルエステルが挙げられ、下記式で示される基が例示される。

スルホニゥムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。

— CH₂S + Me₂X.、 -CH₂ S⁺ P h₂X"

(Xはハロゲン原子を示し、 Phはフエ二ル基を示す。）ホスホニゥムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。

-CH₂P⁺Ph₃X- (Xはハロゲン原子を示す。）ホスホネートメチル基としては、下記式で示される基が例示される。

-CH₂PO (OR' ) 2

(Xはハロゲン原子を示し、 R' はアルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基を示す。）

モノハロゲン化メチル基としては、フッ化メチル基、塩ィ匕メチル基、臭化メチル基、ヨウ化メチル基が例示される。

ハロゲン化マグネシウム基としては、塩化マグネシウム基、臭化マグネシウム基、ヨウ化マグネシウム基が例示される。

ス夕ニル基としては、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ァリール基およびァリ ―ルアルキル基から選ばれる 3つの置換基を有するスタニル基を表し、ス夕ニル基、トリク口ロスタニル基、トリメチルスタニル基、トリェチルスタニル基、トリ— n—プチルス夕ニル基、トリフエニルスタニル基、トリベンジルスタニル基が例示される。

重合に関与しうる B換基として好ましい置換基は重合反応の種類によって異なるが、例えば Yamamo t oカップリング反応など 0価ニッケル錯体を用いる場合には、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、ァリールスルホネート基またはァリールアルキルスルホネート基が挙げられる。また S u Z u k iカツプリング反応などニッケル触媒あるいはパラジウム触媒を用いる場合には、アルキルスルホネート基、ハロゲン原子、ホウ酸エステル基、 -B (OH) ₂などが挙げられる。

本発明の製造方法は、具体的には、モノマーとなる、重合に関与する置換基を複数有する化合物を、必要に応じ、有機溶媒に溶解し、例えばアルカリや適当な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下で行うことができる。例えば、 "オルガニックリアクシヨンズ（Or gan i c Re ac t i on s) " , 第 14巻， 270— 490頁，ジヨンワイリーアンドサンズ（J ohn Wi l. ey&Son s， I nc. ) , 19 65年、 "オルガニックシンセシス（0 r g a n i c Syn t he s e s) " , コレクティブ第 6巻（Co l l e c t i ve Vo l ume VI) , 407-411 頁，ジョンワイリーアンドサンズ（J ohn Wi l ey&Son s, I nc. ) ， 1988年、ケミカルレビュー（Ch em. Re v. ) , 第 95卷， 2457頁（ 1995年）、ジャーナルォブオルガノメタリックケミストリ一（J. O r g a nome t. Ch em. ) , 第 576巻， 147頁（1999年）、マクロモレキユラ一ケミストリーマクロモレキュラーシンポジウム（Ma k r omo 1. Ch em . , Ma c r omo 1. Symp. ：) , 第 12巻， 229頁（1987年）などに記載の公知の方法を用いることができる。

本発明の高分子化合物の製造方法において、重合させる方法としては、上記式（4) で表される化合物の重合に関与しうる置換基に応じて、既知の縮合反応を用いることにより製造できる。

また、重合に関与しうる置換基を 2つ以上有する化合物の共存下に重合を実施することにより、共重合体を製造することができる。重合に関与しうる置換基を 3つ以上有する化合物を共重合することにより分岐構造を有する高分子化合物を製造することができる。

本発明の高分子化合物が重合において、二重結合を生成する場合は、例えば特開平 5 - 202355号公 ¾に記載の方法が挙げられる。すなわち、ホルミル基を有する化合物とホスホニゥムメチル基を有する化合物との、もしくはホルミル基とホスホニゥムメチル基とを有する化合物の Wi t t i g反、による重合、ビニル基を有する化合物と八ロゲン原子を有する化合物との He c k反応による重合、モノハロゲン化メチル基を 2 つあるいは 2つ以上有する化合物の脱ハロゲン化水素法による重縮合、スルホ二ゥムメチル基を 2つあるいは 2つ以上有する化合物のスルホニゥム塩分解法による重縮合、ホルミル基を有する化合物とシアン基を有する化合物との Kn o e V e n a g e 1反応による重合などの方法、ホルミル基を 2つあるいは 2つ以上有する化合物の McMu r r y反応による重合などの方法が例示される。

本発明の高分子化合物が縮合重合によって主鎖に三重結合を生成する場^には、例-えば、 H e c k反応、 S o n o g a s h i r a反応が利用できる。

また、二重結合や三重結合を生成しない場合には、例えば該当するモノマ一から S u z u k iカップリング反応により重合する方法、 G r i gn a r d反応により重合する方法、 N i (0) 錯体により重合する方法、 FeC 1₃等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合す,る方法、あるいは適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法などが例示される。これらのうち、 W i t t i g反応による重合、 H e c k反応による重合、 K n o e v e n a g e 1反応による重合、および S u z u k iカツプリング反応により重合する方法、 G r i g n a r d反応により重合する方法およびニッケルゼロ価錯体により重合する方法が、分子量制御のしゃすさの観点、共重合の場合の組成比制御のしゃすさの観点で好ましい。

本発明の製造方法の中で、重合に関与しうる置換基がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、ァリ一ルスルホネ一ト基またはァリールアルキルスルホネ一ト基から選ばれ、ニッケルゼロ価錯体またはパラジウム触媒存在下で縮合重合する製造方法が好ましい。

原料化合物としては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（ァリールスルホネート）化合物、ビス（ァリールアルキルスルホネート）化合物あるいはハロゲン—アルキルスルホネート化合物、ハロゲン一ァリ一ルスルホネート化合物、ハロゲンーァリールアルキルスルホネ一卜化合物、アルキルスルホネートーァリ —ルスルホネート化合物、アルキルスルホネートーァリールアルキルスルホネート化合物、ァリ一ルスルホネート—ァリールアルキルスルホネート化合物が挙げられる。この場合、例えば原料化合物としてハロゲン—アルキルスルホネ一ト化合物、ハロゲン—ァリ一ルスルホネート化合物、ハロゲン—ァリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネ一トーァリ一ルスルホネート化合物、アルキルスルホネートーァリ一ルアルキルスルホネ一ト化合物、ァリ一ルスルホネ一トーァリ一ルアルキルスルホネ一ト化合物を用いることにより、繰り返し単位の向きやシーケンスを制御した高分子化合物を製造する方法が挙げられる。

また、本発明の製造方法の中で、重合に関与しうる置換基がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、ァリールスルホネート基、ァリールアルキルスルホネート基、一 B (O H) ₂、またはホウ酸エステル基から選ばれ、全原料化合物が有する、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、ァリ一ルスルホネート基およびァリ一ルァルキルスルホネート基のモル数の合計（J ) と、一 B (OH) ₂およびホウ酸エステル基のモル数の合計（K) の比が実質的に 1 (通常 K/ J は 0 . 7〜1 . 2の範囲）であり、ニッゲル触媒またはパラジウム触媒を用レて縮合重合する製造方法が好ましい具体的な原料化合物の組み合わせとしては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（ァリ一ルスルホネート）化合物またはビス（ァリールアルキルスルホネ一ト）化合物とジホウ酸化合物またはジホウ酸エステル化合物との組み合わせが挙げられる。

また、ハロゲン—ホウ酸化合物、ハロゲン—ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネ一トーホウ酸化合物、アルキルスルホネート一ホウ酸エステル化合物、ァリ一ルスルホネート一ホウ酸化合物、ァリ一ルスルホネ一トーホウ酸エステル化合物、ァリールアルキルスルホネート一ホウ酸化合物、ァリールアルキルスルホネート一ホウ酸化合物、ァリールアルキルスルホネート—ホウ酸エステル化合物挙げられる。

この場合、例えば原料化合物としてハロゲン一ホウ酸化合物、ハロゲン一ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート一ホウ酸化合物、アルキルスルホネート一ホウ酸ェステル化合物、ァリールスルホネ一トーホウ酸化合物、ァリ一ルスルホネート—ホウ酸エステル化合物、ァリールアルキルスルホネート一ホウ酸化合物、ァリールアルキルスルホネ一トーホウ酸化合物、ァリールアルキルスルホネ一トーホウ酸エステル化合物を用いることにより、繰り返し単位の向きやシーケンスを制御した高分子化合物を製造する方法が挙げられる。

有機溶媒としては、用いる化合物や反応によっても異なるが、一般に副反応を抑制するために、用いる溶媒は十分に脱酸素処理を施し、不活性雰囲気化で反応を進行させることが好ましい。また、同様に脱水処理を行うことが好ましい。但し、 S u z u k i力ップリング反応のような水との 2相系での反応の場合にはその限りではない。

溶媒としては、用いる化合物や反応によって異なるが、ペンタン、へキサン、ヘプタン、オクタン、シクロへキサンなどの飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、ェチルベンゼン、キシレンなどの不飽和炭化水素、四塩化炭素、クロ口ホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロ口ペンタン、ブロモペンタン、クロ口へキサン、ブ口モへキサン、クロロシクロへキサン、ブロモシクロへキサンなどのハロゲン化飽和炭化水素、クロ口ベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロ 0ベンゼンなどのハロゲン化不飽和炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノ一ル、 t 一ブチルアルコールなどのアルコール類、蟻酸、酢酸、プロピオン酸などのカルボン酸類、ジメチルェ一テル、ジェチルエーテル、メチルー t —ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジォキサンなどのエーテル類、トリメチルアミン、トリェチルァミン、 N, N, N '， N ' —テトラメチルエチレンジァミン、ピリジンなどのアミン類、 N， N—ジメチルホルムアミド、 N， N—ジメチルァセトアミド、 N, N—ジェチルァセトアミド、 N—メチルモルホリンォキシドなどのアミド類などが例示され、単一溶媒、またはこれらの混合溶媒を用いてもよい。

反応させるために適宜アルカリや適当な触媒を添加する。これらは用いる反応に応じて選択すればよい。該アルカリまたは触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。アルカリまたは触媒を混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素などの不活性雰囲気下で攪拌しながらゆつくりとアル力リまたは触媒の溶液を添加するか、逆にアル力リまたは触媒の溶液に反応液をゆつくりと添加する方法が例示される。本発明の前記式（4 ) で示される化合物は、下記式（6 ) で示される化合物から製造することができる。

( 6 )

式中、 Xは前記と同じ意味を表す。

前記式（6 ) で示される化合物と 3—ブロモベンゾシクロべテンを溶媒に溶かしアルキルリチウム又はアルキルマグネシウムの存在下、一 7 8でで反応させると、下記式（ 7 ) で示される化合物が製造される。溶媒としては、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒又はテトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒が用いられる。

( 7 ) 式中、 Xは前記と同じ意味を表す。

. 前記式（7 ) で示される化合物を溶媒に溶かしルイス酸又はアルキルスルホン酸又はトルエンスルホン酸の存在下、 0でで反応させると、前記式（4 ) で示される化合物が製造される。溶媒としては、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒又はジクロロメタン等の含ハロゲン系溶媒が用いられる。

本発明の高分子化合物を高分子 L E D等に用いる場合、その純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製したのちに重合することが好ましい。また重合後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

一数平均分子量及び童量平均分子量の測定方法一

実施例において、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、ゲルパーミエ一シヨンクロマトグラフィー（G P C、島津製作所製、商品名： LC-lOAvp) により求めた。測定する重合体は、約 0.5重量％の濃度になるようテトラヒドロフランに溶解させ、 G P Cに 50 z L注入した。 G P Cの移動相はテトラヒドロフランを用い、 0.6mL/minの流速で流した。カラムは、 TSKgel SuperHM-H (東ソ一製） 2本と TSKgel SuperH2000 (東ソ一製） 1本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器 (島津製作所製、商品名： RID-10A) を用いた。く実施例 1 >化合物 Cの合成

〔化合物 Bの合成〕

三口ナスフラスコ（100ml) に攪拌子を入れ、コンデンサ一、熱電対を取り付けた。 3—ブロモベンゾシクロブタン（4.1_g) 、テトラヒドロフラン（69ml) を仕込み、ドラィアイス-アセトンバスで一 78でまで冷却した。 n— B u L i (16.9ml) を加えて 2時間攪拌し、化合物 A：

(4.1g) をテトラヒドロフラン（12ml) に溶かした溶液を滴下した。 2時間— 78t:で攪拌後、さらに室温で 4時間攪拌した。氷浴で冷やしながら水（50ml) をゆっくりと加え、分液ロートに移して洗浄し、さらに水 30mlで二回洗浄した。得られた有機層は硫酸マグネシゥムを用いて脱水し、固体を濾過して溶液を濃縮した。その結果化合物 B：

を含む固体を 8.1g (収率 99.9%、 LC純度 73.0%) 得た。〔化合物 Cの合成〕

ナスフラスコ（100ml) に化合物 Bを仕込み、ジクロロメタン（24ml) を加えて溶液とした。氷浴で 0でに冷却後、 BF3Et20 (7.0ml) を滴下漏斗より滴下した。 1時間攪拌後、さらに BF3Et20 (7.0ml) を加えて 1時間攪拌し、室温で 5時間攪拌した。水（ 100ml) を加えて攪拌した後、分液ロートへ移し、クロ口ホルム（50ml) で 3回抽出した。得られた有機層は硫酸ナトリウムで乾燥後、溶液を濃縮し、クロ口ホルム（30ml) を加えた。加熱還流しながらメタノール（300ml) を加えて結晶化を行い、得られた結晶を濾過した。この結晶をクロ口ホルム（20ml) に加えて加熱し、メタノール（200ml ) を加えて室温で 2時間攪拌した。生じた結晶を濾過して乾燥した。目的とする化合物 C：

を白色固体として 2.0g (収率 35.0%、 LC純度 99.5%) 得た。構造は¹ HNMRの測定結果により決定した。 ! HNMR (300MHz, CDC13) ： δ 7.56(d， 8.1Hz, 2H)， 7.49(d, 1.2Hz, 2H), 7.45(dd_: 8.1, 1.2Hz, 2H), 7.0l(d, 7.8Hz, 2H), 6.92(d, 1.8Hz, 2H)， 6.8l(s, 2H), 3.1l(s, 4H). <実施例 2> 重合体 1の合成

ジムロートを接続した 20 OmL三つ口フラスコに、攪拌子を入れ、コンデンサ一熱電対を取り付け、化合物 D：

0. 275 g (0. 6mmo l) 、トルエン 10 m 1を加えた。，窒素雰囲気下、モノマ —溶液を加熱し 5 Ot:で酢酸パラジウム 0. 4mg、トリス（2—メトキシフエ二ル ) ホスフィン 2. 7mg、 20重量％テトラェチルアンモニゥムヒドロキシド水溶液 3. 4 gを注加した。 105でに加熱した後、 30 h r攪拌した。次にトルエン 0. 5 mLに溶解した化合物 G :

89mgを加え 105でで 2 h r攪拌した。更に N， N—ジェチルチオカルバミド酸ナ卜リウム三水和物 0. 2 g、イオン交換水 3mLを加え 65でで 2 h r攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を 2M塩酸約 20mL ( 1回）、 10重量％酢酸ナトリウム水溶液約 20mL (1回）、イオン交換水約 20mL (3回）の順番で洗浄した。有機層をメタノール約 27 OmLに滴下しポリマーを沈殿させ、沈殿物を濾過後乾燥し固体を得た。この固体をトルエン約 3 OmLに溶解させ、あらかじめトルエンを通液したシリカゲル Zアルミナカラムに溶液を通液し、この溶液をメタノ一ル約 27 OmLに滴下しポリマーを沈殿させ、沈殿物を濾過後乾燥し、重合体 1を 0 - 49 g得た。

重合体 1のポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれ M n = 3. 2 X 1 O⁴, Mw-7. 8X 10⁴であった。

出発原料の仕込み比より、重合体 1は、下記式：

で表される割合で上記単位を有するものであると推測される。く令成例 1> 重合体 2の合成

不活性雰囲気下にて化合物 D(620mg,1.17mmol)、化合物 H：

(733mg,1.17mmol) をトルエン (21.6g)に溶解させ、これにテトラキス（トリフエニルホスフィン)パラジウム (27mg,0.0234mmol)を加え、室温に T 10分間攪拌した。つづいてテトラエチルアンモニゥ Λハイドロォキサイド 2 0 %水溶液を (4.2g)を加え昇温し、約 1 7時間加熱還流した。反応後、フエ二ルポロン酸 (214mg)を加え更に 1時間加熱還流した。その後室温まで冷却し、反応マスをメタノール (204ml)に滴下し、析出した沈殿を濾別した。得られた沈殿は、メタノールで洗浄し、減圧乾燥を行い、固形物を得た次に、得られた固形物をトルエン (51ml)に溶解させ、シリカおよびアルミナを充填したカラムで通液後、濃縮した。濃縮液をメタノール (204ml)に加えて 1時間攪拌し、析出した沈殿を濾別した。得られた沈殿を、メタノールで洗浄し、減圧乾燥を行い、重合体 2を 7 8 0 m g得た。

重合体 2のポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、 Mw= 8 . 3 X 1 0 4、 M n = 3 . 7 X 1 04であった。

で表される割合で上記単位を有するものであると推測される。

<実施例 3 >

一発光素子の作製一

スパッ夕法により 150nmの厚みで ITO膜を付けたガラス基板に、ポリ（3， 4 ) ェチレンジォキシチォフェン Zポリスチレンスルフォン酸（Bayer製、 Bytron P AI4083) の懸濁液を、スピンコートにより約 80nmの厚みとなるように成膜し、ホットプレート上で 200T：、 10分間乾燥した。次に、重合体 1をキ.シレンに 1.5重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液を用いてスピンコートにより約 20mnの厚みとなるように製膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度がいずれも lOppm以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、 1 8 0で1 5分間乾燥した。次に重合体 2をキシレンに 1.5重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液を用いてスピンコートにより約 8 0 n mの厚みとなるように製膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度がいずれも lOppm以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、 130で 1時間乾燥した。陰極として、バリウムを約 5nm、次いでアルミ二ゥムを約 8 Onm蒸着して、高分子発光素子を作製した。素子構成は、

ITO/Baytron P (約 80nm) /重合体 1 (約 20 nm) /重合体 2 (約 80nm) /Ba/Al であった。なお、真空度が、 1 X 10· ⁴ Pa以下に到達し後、金属の蒸着を開始した。得られた高分子発光素子に 9.0Vの電圧をかけると、蛍光波長のピークトップが

650nmである蛍光を発し、その時の輝度は 972 c d /m²であった。また発光効率は 6 Vで最大値を示レ、 0. 155cd/Aであった。

<合成例 2>

ジムロートを接続した 20 OmL三つ口丸底フラスコに、化合物 D 1. 60 g (3 . Ommo 1 ) 、化合物 E 0. 66 g (1. 2mmo 1) 、化合物 F 0. 83 g ( 1. 8mmo 1 ) 、トルエン 23 m 1を加えた。窒素雰囲気下、モノマ一溶液を加熱し 50でで酢酸パラジム 1. 2mg、トリス（2—メトキシフエ二ル）ホスフィン 9. 5mg、 20重量％テトラェチルアンモニゥムヒドロキシド水溶液 .10. 2 gを注加した。 105でに加熱した後、 4h r攪拌した。次にトルエン 1. 5mLに溶解した化合物 G 267mgを加え 105でで 2 h r攪拌した。更に N， N—ジェチルチオ力ルバミド酸ナトリウム三水和物 0. 6 g、イオン交換水 9mLを加え 65T:で 2 h r攪拌した。

有機層を水層と分離した後、有機層を 2M塩酸約 7 OmL ( 1回）、 10重量％酢酸ナトリウム水溶液約 7 OmL (1回）、イオン交換水約 7 OmL (3回）の順番で洗浄した。有機層をメタノール約 80 OmLに滴下しポリマーを沈殿させ、沈殿物を濾過後乾燥し固体を得た。この固体をトルエン約 9ひ mLに溶解させ、あらかじめトルエンを通液したシリカゲルノアルミナカラムに溶液を通液し、この溶液をメタノ一ル約 80 OmLに滴下しポリマーを沈殿させ、沈殿物を濾過後乾燥し、重合体 3を 1 . 80 g得た。

重合体 3のポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれ M n = 9. 9X 10⁴、 Mw=2. 4X 10⁵であった。

出発原料の仕込み比より、重合体 3は、下記式：

<比較例 1 >

一発光素子の作製一

実施例 3において、重合体 1に代えて重合体 3を用いた以外は実施例 3と同様にして、高分子発光素子を作製した。

得られた高分子発光素子に 9.0Vの電圧をかけると、蛍光波長のピークトップが 650nmである蛍光を発し、その時の輝度は 7 0 6 c d Zm²であった。また発光効率は 6.Vで最大値を示し、 0 . 1 2 0 cd/Aであった。ぐ合成例 3 >化合物 Iの合成

三口反応容器（5L) に 2.7-ジブロモ -9-フルォレノン：

(338g、 lmol) 、 3-メルカプトプロパン- 1-スルホン酸ナトリウム（20g、 0.1122mol

) およびトルエン（2.5L) を仕込んだ。熱電対およびコンデンサ一を取り付けメカ二力ルスターラーと撹拌翼を取り付けた。トリフルォロメタンスルホン酸（165.01g、 l.lmol) を仕込んだ滴下ロートを取り付け窒素ガス雰囲気下とした。室温で撹拌してスラリーを作り、滴下ロートよりトリフルォロメタンスルホン酸を 5 3分かけて滴下した。 5 7分かけて 4 5でに昇温し、 20時間その温度を保った。 IsoparC ( 2 L) を加え室温まで冷却した。得られたスラリーをグラスフィル夕一（容量 2 L) を用いて減圧濾過し、脱イオン水 (1.25L)、エタノール（500ml). の順番で洗浄した。得られた結晶をそのまま空気中で乾燥し、 432.7gの粗精製物を得た。これを 5 Lの反応容器に移し、メカ二力ルスターラーを取り付け、活性炭（40_g) 、ジクロロメタン（4L) を加えて 1時間加熱還流した。シリカゲルを敷いたグラスフィルターを用いて熱時濾過し、熱ジクロ口メタン（1.5L) で洗浄した。得られたジクロロメタン溶液を 200mlまで濃縮し、生じた結晶を濾過して乾燥した。同様の活性炭処理を繰り返し、化合物

を白色固体として 389.82g (収率 77.3%) 得た。構造は¹ HNMRの測定結果により決定した。

! HNMR (300MHz, CDC13) ： δ 7.56(d, 8.10Hz, 2H), 7.47(s, 2H), 7.45(d, 8.10Hz, 2H), 6.93-7.10(m, 8H), 2.30(s, 6H) . ぐ合成例 4 >化合物 Jの合成

三口丸底フラスコ (300ml)に撹拌子を入れ、コンデンサ一、熱電対を取り付けた。化合物 I (10.0g)、ビスピナコレートジポラン（ll.lg) 、酢酸カリウム（11.7g) および 1,4-ジォキサン（169ml) を仕込んだ。室温で撹拌し、 1，Γ·ビス（ジフエニルホスフィノフエロセン）ジクロロパラジウム (0.97g)、ジフエニルホスフイノフエ口センを加えて 110でに昇温し、 8時間撹拌した。室温まで冷却後、濾過した溶液を濃縮し、トルエンを加えて溶液とした。シリカゲルを詰めたグラスフィルターを通した後、濃縮した。トルェン (50ml)を加えて加熱して溶解し、メタノール (150ml)を加えて室温まで放置した。生じた結晶を濾過して乾燥し、目的とする化合物 J：

を淡黄色固体として 9.8g (収率 84.3%、 LC純度 99.0%) 得た。構造は¹ HNMRの測定結果により决定した。 i HNMR (300MHz, CDC13) ： <5 7.74-7.85(m, 6H), 7.05(d, 7.58Hz, 4H), 7.02(d， 7.58Hz, 4H), 2.28(s, 6H)， 1.30(s, 24H).

<実施例 4〉重合体 4の合成方法

100ml反応管に撹拌子を仕込み、化合物 J (1.1968g、 0.0020mmol) 、化合物 I ( 0.2017g、 0.0004mmol) 、化合物 C (0.2113g、 0.0004mmol) 、化合物 F(0.5511g、 0.0012mmol)および、 Aliquat336 (0.26g、 0.0006mmol) 仕込んだ。窒素雰囲気下でトルエン（20ml) を加え、撹拌しながら lOO :に加熱した.。ビス（トリフエニルホスフイン) パラジウム (II)ジクロリドを仕込み、 30分撹拌した後、 17.5%炭酸ナトリウム水溶液（5.4ml) を滴下した。 12時間加熱還流し、トルエン lmLに溶解した化合物 K

(0.0244g、 0.0002mmol) を加えて 4時間撹拌した。 801まで冷却し、 9.2%N, N—ジエヂルチオカルバミド酸ナトリゥム三水和物水溶液を加え 2 h r攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層にイオン交換水（26ml、 2回）、 3%酢酸水（26ml、 2回）、ィオン交換水（26ml、 2回）の順番で洗浄した。有機層をメタノール（310ml) に滴下し、ポリマーを沈殿させ、沈殿物を濾過後、乾燥し固体を得た。この固体をトルエン（ 62ml) に溶解させ、あらかじめトルエンを通益したシリカゲル/アルミナカラムに溶液を通液し、この溶液をメタノール（310ml) に滴下しポリマーを沈殿させ、沈殿物を濾過後乾燥し、重合体 4を 1.05 g得た。

重合体 4のポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれ M n = 7.8X 10³、 Mw = 2.2X 10⁴であった。

出発原料の仕込み比より、重合体 4は、下記式：

で表される割合で上記単位を有するものであると推測される。く実施例 5 >

-発光素子の作製一

実施例 3において、重合体 1に代えて重合体 4を用いた以外は実施例 3と同様にして、高分子発光素子を作製した。

得られた高分子発光素子に 9.0Vの電圧をかけると、蛍光波長のピークトップが 665mnである蛍光を発し、その時の輝度は 1 0 5 0 c d Zm²であった。また発光効率は 6 Vで最大値を示し、 0 . 1 4 1 cd/Aであった。産業上の利用可能性

本発明の高分子化合物は、発光素子の作製の際、正孔輸送層に用いた場合に得られる発光素子の発光効率（即ち、電流当たりの発光輝度）が良好な発光素子が得られるものであり、さらに発光層として用いた場合、発光層の上層部に溶液塗布法での積層が可能となる。また、本発明の高分子化合物を加熱して作成した薄膜および積層体は、熱安定性に優れる特徴を有する。そのため、本発日月の高分子化合物は、電荷輸送材料および発光材料として有用である。

したがって、本発明の高分子化合物を用いてなる発光素子は、曲面状光源、平面状光源等の面状光源（例えば、照明等）；セグメント表示装置（例えば、セグメントタイプの表示素子等）、ドットマトリックス表示装置（例えば、ドットマトリックスのフラットディスプレイ等）、液晶表示装置（例えば、液晶表示装置、液晶ディスプレイのバックライト等）等の表示装置等に有用である。

本発明の高分子化合物は、これちの作製に用いられる材料として好適である以外にも

、レーザー用色素、有機太陽電池用材料、有機トランジスタ用の有機半導体、導電性薄膜、有機半導体薄膜等の伝導性薄膜用材料、蛍光を発する発光性薄膜材料、高分子電界効果トランジスタの材料等としても好適である。

Claims

請求の範囲

〔ここで、 Riは置換基を表し、 Qiおよび Q²はべンゾシクロブタン構造を含む基を表し、これらは同一であっても異なっていてもよい。 aは、 0〜 3の整数を示す。 Riが複数個存在する場合それらは同一であっても異なっていてもよい。〕

2 . 前記式（1) で示される繰り返し単位が下記式（1一 1 ) で示される繰り返し単位である請求項 1記載の高分子化合物。

〔ここで、 Riおよび R²は置換基を示し、これらは同一であっても異なっていてもよい。 aおよび bは、それぞれ独立に 0〜3の整数を示す。 Riおよび R²がそれぞれ複数個存在する場合それらは同一でも異なっていてもよい。〕

3 . 前記式（1— 1 ) で示される繰り返し単位が、下記式 (1— 2)で示される繰り返し単位である請求項 2記載の高分子化合物。

〔ここで、 Ri、 R²、 aおよび bは、前記と同じ意味を表す。〕

4 . 前記式（1—2) で示される繰り返し単位が、下記式（1一 3 ) で示される繰り返し単位である請求項 3記載の高分子化合物。

5. さらに、下記式（2) で表される繰り返し単位を有する請求項 1〜4のいずれか一項に記載の高分子化合物。

— A η—

〔ここで、 A はァリ一レン基、 2価の芳香族ァミン基または 2価の複素環基を示す。ただし、ァリ一レン基には前記式（1) で示される基は含まれない。〕

6. 前記式（2) で表される繰り返し単位が下記式（3) で表される繰り返し単位である請求項 5記載の高分子化合物。

〔ここで、 R³は置換基を示し、 R⁴は水素原子または置換基（ただし、ベンゾシクロブタン構造を含む基を除く）を示す。 cは、 0〜3の整数を示す。 R³が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、 2個の R⁴は同一でも異なっていてもよい。〕

7. c力 0であり、 R⁴が C₆〜C₂oのアルキル基である請求項 6記載の高分子化合物。

8. cが 0であり、 R⁴が置換基を有していてもよいァリール基である請求項 6記載の高分子化合物。

9. ァリール基がフエニル基である請求項 8記載の高分子化合物。

10. ポリスチレン換算の数平均分子量が、 103〜108である請求項 1〜9のいずれか一項に記載の高分子化合物。

1 1. 請求項 1〜10のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む高分子組成物。

12. 請求項 1〜10のいずれか一項に記載の高分子化合物または請求項 11記載の高分子組成物を含有することを特徴とする液状組成物。

13. 請求項 1〜10のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む層を作成し、該層を 50で以上に加熱する薄膜の製造方法。

14. 請求項 1〜 10のいずれか一項に記載の高分子ィ匕合物を用いて製造された薄膜。

15. 請求項 1〜10のいずれか一項に記載の高分子ィヒ合物を含む層と有機化合物を含有する層とを積層する工程と、積層されたものを 5 Ot:以上に加熱する工程とを含む積層体の製造方法。

16. 請求項 1〜： 10のいずれか一項に記載の高分子ィ匕合物を用いて製造されたことを特徴とする積層体。

17. 層の数が 3以上である請求項 16に記載の積層体。 .

18. 請求項 14記載の薄膜または請求項 16もしくは 17記載の積層体を有することを特徴とする有機トランジスタ。

19. 請求項 14記載の薄膜または請求項 16もしくは 17記載の積層体を有することを特徴とする太陽電池。

20. 陽極及び陰極からなる電極間に、請求項 1〜10のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む層を有する高分子発光素子。

21. 陽極及び陰極からなる電極間に、請求項 14記載の薄膜または請求項 16もしくは 17記載の積層体を有することを特徴とする高分子発光素子。

22. 陽極及び陰極からなる電極間に、発光層と電荷輸送層とを有し、該電荷輸送層が請求項 1〜10のいずれか一項に記載の高分子化合物から得られる層である請求項 20 または 21記載の高分子発光素子。

23. 陽極及び陰極からなる電極間に、発光層と電荷輸送層とを有し、該電荷輸送層と電極との間に電荷注入層を有し、該電荷注入層が請求項 1〜10のいずれか一項に記載の高分子化合物から得られる請求項 20または 21.記載の高分子発光素子。

24. 下記式（4) で示される化合物を重合することを特徴とする前記式（1一 2) で表される繰り返し単位を有する高分子化合物の製造方法。

(4)

〔ここで、 Xは重合に関与しうる置換基を表す。 2個の Xは同一であっても異なっていてもよい。 Ri、 R²、 aおよび bはそれぞれ独立に、前記と同じ意味を表す。〕 25. 上記式（4) において、 Xが— B (OH) ₂、ホウ酸エステル基、ハロゲン化マグネシゥム、スタニル基、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、ァリ一ルスルホネ一ト基またはァリールアルキルスルホネート基である請求項 24記載の製造方法 26. 前記式（4) で表される化合物。