CN101516960A

CN101516960A - 高分子化合物及使用其的高分子发光元件

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Publication number: CN101516960A
Application number: CNA2007800353247A
Authority: CN
Inventors: 小林重也; 柿本秀信
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd; Sumation Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2006-09-25
Filing date: 2007-09-20
Publication date: 2009-08-26
Anticipated expiration: 2027-09-20
Also published as: US20090315453A1; US8815414B2; EP2067805A1; KR101411789B1; CN101516960B; KR20090055044A; EP2067805B1; WO2008038747A1; EP2067805A4

Abstract

本发明提供一种高分子化合物及使用其的高分子发光元件，其中，该高分子化合物是具有右述式(1)表示的重复单元的高分子化合物。(式中，R¹表示取代基，Q¹及Q²表示含有苯并环丁烷结构的基团，a表示0～3的整数。存在多个R¹时，它们可以相同也可以不同)。

Description

高分子化合物及使用其的高分子发光元件

技术领域

本发明涉及高分子化合物及使用其的高分子发光元件。

背景技术

可溶于溶剂的高分子量的发光材料可以利用涂布法形成发光元件中的有机层，符合元件的大面积化等要求。为此，近年来，提案有可以成为各种高分子发光材料的高分子化合物、及使用其的高分子发光元件(例如，Advanced Materials Vol.12 1737-1750(2000)(第1742-1745页))、具有交联性取代基的高分子化合物。(例如，WO 2005/49689号小册子(第2-14及20-27页))

但是，以往的高分子化合物存在如下问题：在制作发光元件时，在用作空穴输送层的情况下，得到的发光元件的发光效率(即每单位电流的发光亮度)不充分。

发明内容

因此，本发明的目的在于，提供一种高分子化合物，其用于空穴输送层时，所得发光元件的发光效率(即每单位电流的发光亮度)良好。

即，本发明提供一种具有下述式(1)表示的重复单元的高分子化合物。

(在此，R¹表示取代基，Q¹及Q²表示含有苯并环丁烷结构的基团，它们可以相同也可以不同。a表示0～3的整数。存在多个R¹时，它们可以相同也可以不同。)

具体实施方式

本发明的高分子化合物具有上述式(1)表示的重复单元。

式(1)中，所谓含有苯并环丁烷结构的基团，是指含有环丁烷与苯、萘、蒽、芘等芳环进行环缩而得到的骨架结构的1价有机基团。

作为该有机基团，具体而言，可以列举：含有苯并环丁烷骨架的1价有机基团、含有萘并环丁烷骨架的1价有机基团、含有蒽并环丁烷骨架的1价有机基团、含有芘并环丁烷骨架的1价有机基团，优选含有苯并环丁烷骨架的1价有机基团。该有机基团可以具有取代基。

苯并环丁烷骨架

作为上述式(1)表示的重复单元，从高分子化合物的合成进行的容易程度、元件特性等观点出发，优选下述式(1-1)表示的重复单元。

(在此，R¹及R²表示取代基，它们可以相同也可以不同。a及b分别独立地表示0～3的整数。分别存在多个R¹及R²时，它们可以相同也可以不同。)

上述式(1)、(1-1)中，作为R¹、R²表示的取代基，可以列举：烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基、硝基、氰基等。这些取代基中所含的氢原子可以被氟原子取代。这些取代基中，从高分子化合物在有机溶剂中的溶解性、高分子化合物的合成进行的容易程度的观点出发，优选烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、1价杂环基，更优选烷基、烷氧基、芳基、1价杂环基。

上述式(1-1)中，a及b分别独立地表示0～3的整数，a、b分别优选为0或1。分别存在多个R¹、R²时，它们可以相同也可以不同。

烷基可以为直链、支链或环状中的任一种，碳原子数通常为约1～20，优选为3～20。作为烷基的具体例，可以列举：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基、环己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3，7-二甲基辛基、月桂基、三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基等，从高分子化合物在有机溶剂中的溶解性、元件特性、高分子化合物的合成进行的容易程度等观点、和与耐热性的平衡性出发，优选戊基、异戊基、己基、辛基、2-乙基己基、癸基、3，7-二甲基辛基。

烷氧基可以为直链、支链或环状中的任一种，碳原子数通常为约1～20，优选为3～20。作为烷氧基的具体例，可以列举：甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、月桂氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己氧基、全氟辛氧基等，从高分子化合物在有机溶剂中的溶解性、元件特性、高分子化合物的合成进行的容易程度等观点和与耐热性的平衡性出发，优选戊氧基、己氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基。另外，作为取代烷氧基，可以列举例如：甲氧基甲基氧基、2-甲氧基乙基氧基等。

烷硫基可以是直链、支链或环状中的任一种，碳原子数通常为约1～20，优选为3～20。作为烷硫基的具体例，可以列举：甲硫基、乙硫基、丙硫基、异丙硫基、丁硫基、异丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、环己硫基、庚硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3，7-二甲基辛硫基、月桂硫基、三氟甲硫基等，从高分子化合物在有机溶剂中的溶解性、元件特性、高分子化合物的合成进行的容易程度等观点和与耐热性的平衡性出发，优选戊硫基、己硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、癸硫基、3，7-二甲基辛硫基。

芳基是从芳香烃中除去1个氢原子后得到的原子团，也包括具有稠环的原子团、独立的苯环或2个以上稠环直接或借助亚乙烯基等基团键合得到的原子团。芳基的碳原子数通常为约6～60，优选为6～48。作为芳基的具体例，可以列举：苯基、C₁～C₁₂烷氧基苯基(“C₁～C₁₂烷氧基”是指烷氧基部分的碳原子数为1～12。以下相同。)、C₁～C₁₂烷基苯基(“C₁～C₁₂烷基”是指烷基部分的碳原子数为1～12。以下相同。)、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、五氟苯基等，从高分子化合物在有机溶剂中的溶解性、元件特性、高分子化合物的合成进行的容易程度等观点出发，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基、C₁～C₁₂烷基苯基。作为C₁～C₁₂烷氧基苯基，具体而言，可以例示：甲氧基苯基、乙氧基苯基、丙氧基苯基、异丙氧基苯基、丁氧基苯基、异丁氧基苯基、叔丁氧基苯基、戊氧基苯基、己氧基苯基、环己氧基苯基、庚氧基苯基、辛氧基苯基、2-乙基己氧基苯基、壬氧基苯基、癸氧基苯基、3，7-二甲基辛氧基苯基、月桂氧基苯基等。作为C₁～C₁₂烷基苯基，具体而言，可以例示：甲基苯基、乙基苯基、二甲基苯基、丙基苯基、均三甲苯基、甲基乙基苯基、异丙基苯基、丁基苯基、异丁基苯基、仲丁基苯基、叔丁基苯基、戊基苯基、异戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、十二烷基苯基等。

芳氧基的碳原子数通常为约6～60，优选为6～48。作为芳氧基的具体例，可以列举：苯氧基、C₁～C₁₂烷氧基苯氧基、C₁～C₁₂烷基苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、五氟苯氧基等，从高分子化合物在有机溶剂中的溶解性、元件特性、高分子化合物的合成进行的容易程度等观点出发，优选C₁～C₁₂烷氧基苯氧基、C₁～C₁₂烷基苯氧基。作为C₁～C₁₂烷氧基苯氧基，具体而言，可以例示：甲氧基苯氧基、乙氧基苯氧基、丙氧基苯氧基、异丙氧基苯氧基、丁氧基苯氧基、异丁氧基苯氧基、仲丁氧基苯氧基、叔丁氧基苯氧基、戊氧基苯氧基、己氧基苯氧基、环己氧基苯氧基、庚氧基苯氧基、辛氧基苯氧基、2-乙基己氧基苯氧基、壬氧基苯氧基、癸氧基苯氧基、3，7-二甲基辛氧基苯氧基、月桂氧基苯氧基等。作为C₁～C₁₂烷基苯氧基，具体而言，可以例示：甲基苯氧基、乙基苯氧基、二甲基苯氧基、丙基苯氧基、1，3，5-三甲基苯氧基、甲基乙基苯氧基、异丙基苯氧基、丁基苯氧基、异丁基苯氧基、叔丁基苯氧基、戊基苯氧基、异戊基苯氧基、己基苯氧基、庚基苯氧基、辛基苯氧基、壬基苯氧基、癸基苯氧基、十二烷基苯氧基等。

芳硫基的碳原子数通常为约6～60。作为芳硫基的具体例，可以列举：苯硫基、C₁～C₁₂烷氧基苯硫基、C₁～C₁₂烷基苯硫基、1-萘硫基、2-萘硫基、五氟苯硫基等，从高分子化合物在有机溶剂中的溶解性、元件特性、高分子化合物的合成进行的容易程度等观点出发，优选C₁～C₁₂烷氧基苯硫基、C₁～C₁₂烷基苯硫基。

芳烷基的碳原子数通常为约7～60，优选为7～48。作为芳烷基的具体例，可以列举：苯基-C₁～C₁₂烷基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基、1-萘基-C₁～C₁₂烷基、2-萘基-C₁～C₁₂烷基等，从高分子化合物在有机溶剂中的溶解性、元件特性、高分子化合物的合成进行的容易程度等观点出发，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基。

芳基烷氧基的碳原子数通常为约7～60，优选为7～48。作为芳基烷氧基的具体例，可以列举：苯基甲氧基、苯基乙氧基、苯基丁氧基、苯基戊氧基、苯基己氧基、苯基庚氧基、苯基辛氧基等苯基-C₁～C₁₂烷氧基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷氧基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷氧基、1-萘基-C₁～C₁₂烷氧基、2-萘基-C₁～C₁₂烷氧基等，从高分子化合物在有机溶剂中的溶解性、元件特性、高分子化合物的合成进行的容易程度等观点出发，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷氧基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷氧基。

芳基烷硫基的碳原子数通常为约7～60，优选为7～48。作为芳基烷硫基的具体例，可以列举：苯基-C₁～C₁₂烷硫基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷硫基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷硫基、1-萘基-C₁～C₁₂烷硫基、2-萘基-C₁～C₁₂烷硫基等，从高分子化合物在有机溶剂中的溶解性、元件特性、高分子化合物的合成进行的容易程度等观点出发，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷硫基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷硫基。

芳基烯基的碳原子数通常为约8～60。作为芳基烯基的具体例，可以列举：苯基-C₂～C₁₂烯基(“C₂～C₁₂烯基”是指烯基部分的碳原子数为2～12。以下相同。)、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂烯基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂烯基、1-萘基-C₂～C₁₂烯基、2-萘基-C₂～C₁₂烯基等，从高分子化合物在有机溶剂中的溶解性、元件特性、高分子化合物的合成进行的容易程度等观点出发，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂烯基、C₂～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烯基。

芳基炔基的碳原子数通常为约8～60。作为芳基炔基的具体例，可以列举例如：苯基-C₂～C₁₂炔基(“C₂～C₁₂炔基”是指炔基部分的碳原子数为2～12。以下相同。)、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂炔基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂炔基、1-萘基-C₂～C₁₂炔基、2-萘基-C₂～C₁₂炔基等，从高分子化合物在有机溶剂中的溶解性、元件特性、高分子化合物的合成进行的容易程度等观点出发，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂炔基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂炔基。

作为取代氨基，可以列举：用选自烷基、芳基、芳烷基及1价杂环基中的1个或2个基团进行取代而得到的氨基。这些烷基、芳基、芳烷基及1价杂环基可以具有取代基。取代氨基的碳原子数不包含该取代基的碳原子数，通常为约1～60，优选为2～48。作为取代氨基的具体例，可以列举：甲氨基、二甲氨基、乙氨基、二乙氨基、丙氨基、二丙氨基、异丙氨基、二异丙氨基、丁氨基、异丁氨基、仲丁氨基、叔丁氨基、戊氨基、己氨基、环己氨基、庚氨基、辛氨基、2-乙基己氨基、壬氨基、癸氨基、3，7-二甲基辛氨基、月桂氨基、环戊氨基、二环戊氨基、环己氨基、二环己氨基、吡咯烷基、哌啶基、二三氟甲基氨基苯氨基、二苯氨基、C₁～C₁₂烷氧基苯氨基、二(C₁～C₁₂烷氧基苯基)氨基、二(C₁～C₁₂烷基苯基)氨基、1-萘氨基、2-萘氨基、五氟苯氨基、吡啶基氨基、哒嗪基氨基、嘧啶基氨基、吡嗪基氨基、三嗪氨基苯基-C₁～C₁₂烷基氨基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基氨基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基氨基、二(C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基)氨基、二(C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基)氨基、1-萘基-C₁～C₁₂烷基氨基、2-萘基-C₁～C₁₂烷基氨基等。

作为取代甲硅烷基，可以列举：用选自烷基、芳基、芳烷基及1价杂环基中的1个、2个或3个基团进行取代而得到的甲硅烷基。取代甲硅烷基的碳原子数通常为约1～60，优选为3～48。这些烷基、芳基、芳烷基及1价杂环基可以具有取代基。作为取代甲硅烷基的具体例，可以列举：三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、二甲基异丙基甲硅烷基、二乙基异丙基甲硅烷基、叔丁基甲硅烷基二甲基甲硅烷基、戊基二甲基甲硅烷基、己基二甲基甲硅烷基、庚基二甲基甲硅烷基、辛基二甲基甲硅烷基、2-乙基己基-二甲基甲硅烷基、壬基二甲基甲硅烷基、癸基二甲基甲硅烷基、3，7-二甲基辛基-二甲基甲硅烷基、月桂基二甲基甲硅烷基、苯基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、1-萘基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、2-萘基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、苯基-C₁～C₁₂烷基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、三-对二甲苯基甲硅烷基、三苄基甲硅烷基、二苯基甲基甲硅烷基、叔丁基二苯基甲硅烷基、二甲基苯基甲硅烷基等。

作为卤素原子，可以例示：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。

酰基的碳原子数通常为约2～20，优选为2～18。作为酰基的具体例，可以列举：乙酰基、丙酰基、丁酰基、异丁酰基、新戊酰基、苯甲酰基、三氟乙酰基、五氟苯甲酰基等。

酰氧基的碳原子数通常为约2～20，优选为2～18。作为酰氧基的具体例，可以列举：乙酰氧基、丙酰氧基、丁酰氧基、异丁酰氧基、新戊酰氧基、苯甲酰氧基、三氟乙酰氧基、五氟苯甲酰氧基等。

作为亚胺残基，可以列举：从亚胺化合物(即，在分子内具有-N＝C-的有机化合物。作为其例子，可以列举：醛亚胺、酮亚胺及它们的N上的氢原子被烷基等取代而得到的化合物等。)中除去1个氢原子而得到的残基。亚胺残基的碳原子数通常为约2～20，优选为2～18。作为亚胺残基的具体例，可以列举以下结构式表示的基团等。

(式中，Me表示甲基。此外，波浪线表示键，根据亚胺残基种类的不同，有时具有顺、反等几何异构体的意思。)

酰胺基的碳原子数通常为约2～20，优选为2～18。作为酰胺基的具体例，可以列举：甲酰胺基、乙酰胺基、丙酰胺基、丁酰胺基、苯甲酰胺基、三氟乙酰胺基、五氟苯甲酰胺基、二甲酰胺基、二乙酰胺基、二丙酰胺基、二丁酰胺基、二苯甲酰胺基、二三氟乙酰胺基、二五氟苯甲酰胺基等。

作为酰亚胺基，可以列举：从酰亚胺中除去键合在其氮原子上的1个氢原子而得到的残基，碳原子数为约4～20。作为酰亚胺基的具体例，可以列举以下所示的基团等。

所谓1价杂环基，是指从杂环化合物中除去1个氢原子后剩余的原子团。1价杂环基的碳原子数通常为约4～60，优选为4～20。这里，1价杂环基的碳原子数不包含取代基的碳原子数。上述杂环化合物，是指在具有环式结构的有机化合物中，构成环的元素不光是碳原子，环内还包含氧、硫、氮、磷、硼、硅等杂原子。作为1价杂环基的具体例，可以列举：噻吩基、C₁～C₁₂烷基噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、C₁～C₁₂烷基吡啶基、哌啶基、喹啉基、异喹啉基等，优选噻吩基、C₁～C₁₂烷基噻吩基、吡啶基、C₁～C₁₂烷基吡啶基。

作为取代羧基，可以列举：用烷基、芳基、芳烷基或1价杂环基进行取代后得到的羧基。这里，上述烷基、芳基、芳烷基或1价杂环基可以具有取代基。取代羧基的碳原子数通常为约2～60，优选为2～48。这里，取代羧基的碳原子数中不包含该取代基的碳原子数。作为取代羧基的具体例，可以列举：甲氧羰基、乙氧羰基、丙氧羰基、异丙氧羰基、丁氧羰基、异丁氧羰基、仲丁氧羰基、叔丁氧羰基、戊氧羰基、己氧羰基、环己氧羰基、庚氧羰基、辛氧羰基、2-乙基己氧羰基、壬氧羰基、癸氧羰基、3，7-二甲基辛氧羰基、十二烷氧羰基、三氟甲氧羰基、五氟乙氧羰基、全氟丁氧羰基、全氟己氧羰基、全氟辛氧羰基、苯氧羰基、萘氧羰基、吡啶氧羰基等。

上述高分子化合物可以含有上述式(1)表示的重复单元以外的重复单元。从发光效率的观点出发，式(1)表示的重复单元优选为上述高分子化合物中的总重复单元的0.1～99摩尔％，更优选为1～30摩尔％。

作为上述式(1-1)表示的重复单元，从高分子化合物的合成进行的容易程度、元件特性等观点出发，优选下述式(1-2)表示的重复单元，

(在此，R¹、R²、a及b表示与上述相同的意思。)

更优选下述式(1-3)表示的重复单元。

本发明的高分子化合物还可以含有1种以上下述式(2)表示的重复单元。

-Ar₁- (2)

(在此，Ar₁表示亚芳基、2价芳香族胺基或2价杂环基。其中，亚芳基不包含上述式(1)表示的基团。)

上述式(2)中，Ar₁表示的亚芳基，是指从芳香烃中除去2个氢原子后得到的原子团，也包含具有稠环的原子团、及独立的苯环或2个以上稠环直接或借助亚乙烯基等基团进行键合而得到的原子团。亚芳基可以具有取代基。除去亚芳基中的取代基后的部分的碳原子数通常为约6～60，优选为6～20。另外，包括亚芳基的取代基的总碳原子数通常为约6～100。

作为Ar₁表示的亚芳基，可以例示：亚苯基(例如，下式1～3)、萘二基(例如，下式4～13)、蒽二基(例如，下式14～19)、联苯二基(例如，下式20～25)、联三苯二基(例如，下式26～28)、稠环化合物基(例如，下式29～35)、芴二基(例如，下式36～38)、茋二基(例如，下式39～42)、二茋二基(例如，下式43、44)、苯并芴二基(例如，下式A-1～A-3)、二苯并芴二基(例如，下式A-4)等。

(式中，R独立地表示氢原子或取代基，R³表示取代基，R⁴表示氢原子或取代基。作为R³及R⁴表示的取代基，可以列举：烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基、硝基、氰基。其中，R⁴是不含有苯并环丁烷结构的基团。R³、R⁴表示的取代基，具体而言，与上述作为R¹说明并例示的基团相同。)

上式1～35、39～44及A-1～A-4中，作为R表示的取代基，可以列举例如：烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基、氰基等。这些取代基中所含的氢原子可以被氟原子取代。这些基团、残基、原子与在上述R¹表示的取代基一项中说明并例示的相同。从高分子化合物在有机溶剂中的溶解性、元件特性的观点出发，R表示的取代基中，优选至少1个R为氢原子以外的基团。另外，R表示的取代基优选为烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、1价杂环基，更优选为烷基、烷氧基、芳基。

Ar₁表示的2价杂环基，是指从杂环化合物中除去2个氢原子后剩余的原子团。2价杂环基可以具有取代基。上述杂环化合物，是指在具有环式结构的有机化合物中，构成环的元素不光是碳，在环内还包含氧、硫、氮、磷、硼、砷等杂原子。2价杂环基中，优选芳香族杂环基。除去2价杂环基中的取代基后的部分的碳原子数通常为约3～60。另外，包括2价杂环基的取代基的总碳原子数通常为约3～100。

作为Ar₁表示的2价杂环基，可以列举例如：吡啶二基(例如，下式45～50)、二氮杂亚苯基(例如，下式51～54)、喹啉二基(例如，下式55～69)、喹喔啉二基(例如，下式70～74)、吖啶二基(例如，下式75～78)、双吡啶二基(例如，下式79～81)、菲咯啉二基(例如，下式82～84)、具有咔唑结构的基团(例如，下式85～87)等含有氮作为杂原子的2价杂环基；含有氧、硅、氮、硫、硒等作为杂原子的5元环杂环基(例如，下式88～92)；含有氧、硅、氮、硒等作为杂原子的5元环稠合杂环基(例如，下式93～103)；利用含有氧、硅、氮、硫、硒等作为杂原子的5元环杂环基，在其杂原子的α位上进行键合，形成二聚物或寡聚物的基团(例如，下式104～105)；利用含有氧、硅、氮、硫、硒等作为杂原子的5元环杂环基，在其杂原子的α位上键合有苯基的基团(例如，下式106～112)；在含有氧、氮、硫等作为杂原子的5元环稠合杂环基上取代有苯基或呋喃基、噻吩基的基团(例如，下式113～118)等。

(式中，R是独立的，定义如上述。)

作为Ar₁表示的2价芳香族胺基，可以列举：从由芳香族叔胺衍生而来的化合物的芳香环中除去2个氢原子后得到的原子团。2价芳香族胺基中，从使发光波长改变的观点、提高发光效率的观点、提高耐热性的观点出发，优选下述式(5)表示的基团，

(式中，Ar₃、Ar₄、Ar₅及Ar₆分别独立地表示亚芳基或2价杂环基。Ar₇、Ar₈及Ar₉分别独立地表示芳基或1价杂环基。Ar₃、Ar₄、Ar₅、Ar₆、Ar₇、Ar₈及Ar₉可以具有取代基。x及y分别独立地为0或正整数。)

上述式(5)中，从寿命等元件特性及高分子化合物的合成进行的容易程度出发，x优选为0～2的整数，更优选为0或1。另外，上述式(5)中，从寿命等元件特性及高分子化合物的合成进行的容易程度出发，y优选为0～2的整数，更优选为0或1。

作为上述式(5)表示的基团的具体例，可以列举以下式119-127表示的基团。

(式中，R是独立的，定义如上述。)

Ar₁中，从发光效率等元件特性的观点出发，优选下述式(2-1)～(2-6)表示的重复单元、及上述式102、103、113-116表示的基团(将该基团作为重复单元的基团)，

(式中，R³及R⁴表示与上述相同的意思，m1独立地表示0～3的整数，m2独立地表示0～5的整数。式(2-2)中，X’表示-O-、-S-、-S(＝O)-、-S(＝O)₂-、-Si(R^B)₂-Si(R^B)₂-、-Si(R^B)₂-、-B(R^B)-、-P(R^B)-、-P(＝O)(R^B)-、-O-C(R^B)₂-或-N＝C(R^B)-，式(2-3)、(2-4)、(2-5)及(2-6)中，X’表示-O-、-S-、-S(＝O)-、-S(＝O)₂-、-C(R^B)₂-、-Si(R^B)₂-Si(R^B)₂-、-Si(R^B)₂-、-B(R^B)-、-P(R^B)-、-P(＝O)(R^B)-、-O-C(R^B)₂-、-C(R^B)₂-O-、-C(R^B)＝N-或-N＝C(R^B)-，(2-6)中，X’表示-O-、-S-、-S(＝O)-、-S(＝O)₂-、-C(R^B)₂-、-Si(R^B)₂-Si(R^B)₂-、-Si(R^B)₂-、-B(R^B)-、-P(R^B)-、-P(＝O)(R^B)-、-O-C(R^B)₂-或-N＝C(R^B)-，R^B独立地表示氢原子或取代基。)

R^B优选为取代基，作为R^B表示的取代基，可以列举：烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基、硝基、氰基等。这些基团、残基中所含的氢原子可以被氟原子取代。上述R^B中，从亮度半衰期等元件特性的观点出发，优选为烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、1价杂环基，更优选为烷基、烷氧基、芳基、1价杂环基，特别优选为烷基、芳基。这些基团具体而言，与作为R¹表示的取代基进行说明并例示的基团相同。

从元件特性的观点出发，本发明的高分子化合物中所含的重复单元优选为含有上述式(1)表示的重复单元和下述式(3)表示的重复单元的重复单元，

(在此，R³表示取代基，R⁴表示氢原子或取代基。c表示0～3的整数。存在多个R³时，它们可以相同也可以不同，2个R⁴可以相同也可以不同。)

更优选为含有上述式(1)表示的重复单元和c为0、且R⁴为碳原子数6～20的烷基的上述式(3)表示的重复单元的重复单元，或含有c为0、且R⁴为可以具有取代基的芳基的上述式(3)表示的重复单元的重复单元。

作为R³表示的取代基，从高分子化合物在有机溶剂中的溶解性、高分子化合物的合成进行的容易程度的观点出发，优选为烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、1价杂环基，更优选为烷基、烷氧基、芳基、1价杂环基。

R⁴表示的取代基优选为可以具有取代基的烷基，其是独立的，碳原子数通常为1～20，从元件特性等观点出发，更优选为6～20，进一步优选为6～8。作为可以具有取代基的烷基的具体例，可以列举：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基、环己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3，7-二甲基辛基、1-十一烷基、1-十二烷基、1-十三烷基、1-十四烷基、1-十五烷基、1-十六烷基等，从元件特性等观点出发，优选己基、庚基、辛基。

另外，R⁴表示的取代基可以为可具有取代基的芳基，优选为可具有取代基的苯基。芳基的碳原子数通常为约6～60，优选为6～48。作为芳基的具体例，可以列举：苯基、C₁～C₁₂烷氧基苯基(“C₁～C₁₂烷氧基”是指烷氧基部分的碳原子数为1～12。以下相同。)、C₁～C₁₂烷基苯基(“C₁～C₁₂烷基”是指烷基部分的碳原子数为1～12。以下相同。)、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、五氟苯基等，从高分子化合物的合成进行的容易程度等观点出发，优选可具有取代基的苯基；从高分子化合物在有机溶剂中的溶解性、元件特性的观点出发，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基、C₁～C₁₂烷基苯基。作为C₁～C₁₂烷氧基苯基，具体而言，可以例示：甲氧基苯基、乙氧基苯基、丙氧基苯基、异丙氧基苯基、丁氧基苯基、异丁氧基苯基、叔丁氧基苯基、戊氧基苯基、己氧基苯基、环己氧基苯基、庚氧基苯基、辛氧基苯基、2-乙基己氧基苯基、壬氧基苯基、癸氧基苯基、3，7-二甲基辛氧基苯基、月桂氧基苯基等。作为C₁～C₁₂烷基苯基，具体而言，可以例示：甲基苯基、乙基苯基、二甲基苯基、丙基苯基、2，4，6-三甲苯基、甲基乙基苯基、异丙基苯基、丁基苯基、异丁基苯基、仲丁基苯基、叔丁基苯基、戊基苯基、异戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、十二烷基苯基等，更优选甲基苯基、乙基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯基。

通常，上述[式(3)∶式(1)]、[式(3)∶式(1-1)]及[式(3)∶式(1-2)]的重复单元之比以摩尔比计均为10∶90～99∶1，从元件特性的观点出发，优选为30∶70～98∶2。

上述高分子化合物可以含有2种以上上述式(1)，另外，还可以含有2种以上上述式(3)表示的重复单元。

在不损害发光特性及电荷输送特性的范围内，上述高分子化合物还可以含有上述式(1)～(3)表示的重复单元以外的重复单元。

上述高分子化合物中的重复单元可以以非共轭结构进行连结，也可以在该重复单元中含有该非共轭结构。作为该非共轭结构，可以例示：以下所示的结构、及将2个以上这些结构组合而得到的非共轭结构等。

(式中，R是独立的，定义如上述，Ar表示可以含有杂原子的碳原子数为6～60的烃基。)

上述式中，作为上述杂原子，可以列举：氧、硫、氮、硅、硼、磷、硒等。

上述高分子化合物可以为无规共聚物、接枝共聚物、交替共聚物、嵌段共聚物中的任一种。另外，也可以为具有中间结构的高分子，例如带有嵌段性的无规共聚物。也包含主链上具有分枝、且具有3个以上末端部位的情况或树枝状高分子。

上述高分子化合物的聚苯乙烯换算的数均分子量通常为约1×10³～1×10⁸，优选为1×10⁴～1×10⁶。另外，聚苯乙烯换算的重均分子量通常为约3×10³～1×10⁸，从成膜性的观点及作成元件时的发光效率的观点出发，优选为5×10⁴以上，更优选为1×10⁵以上，但从高分子化合物在有机溶剂中的溶解性的观点出发，优选为1×10⁵～5×10⁶。无论是仅以1种数均分子量及重均分子量在这样的范围的高分子化合物制作元件，还是并用2种以上该高分子化合物来制作元件，得到的元件的发光效率均高。另外，从提高本发明的组合物的成膜性的观点出发，优选以重均分子量/数均分子量来规定的分散度为3以下。

在位于上述高分子化合物的分子链末端的基团(即末端基团)上残留有参与聚合的基团(通常称为聚合活性基团。)时，由于将该组合物用于发光元件时的发光特性、寿命可能降低，因此，优选用不参与聚合的稳定的基团进行保护。作为该末端基团，优选为具有与分子链主链的共轭结构相连续的共轭结构的末端基团，可以例示例如：借助碳-碳键与芳基或杂环基相键合的结构。具体而言，可以例示：日本特开平9-45478号公报的化10中所述的取代基等。

对于上述高分子化合物而言，用选自1价杂环基、1价芳香族胺基、由杂环配位金属络合物衍生而来的1价基团、及芳基中的芳香族末端基团将其分子链末端的至少一方封闭，由此可以期待能够附加各种特性。具体而言，可以列举如下效果：延长元件亮度降低所需的时间的效果；提高电荷注入性、电荷输送性、发光特性等的效果；提高高分子化合物间的相溶性及相互作用的效果；固着效果等。

作为上述高分子化合物的制造方法，可以例示例如：利用Suzuki反应进行聚合的方法(ケミカルレビユ一(Chem.Rev.)，第95卷，2457页(1995年))、利用Grignard反应进行聚合的方法(共立出版、高分子機能材料シリ一ズ第2卷、高分子の合成と反応(2)、432～433页)、利用山本聚合法进行聚合的方法(プログレツシブポリマ一サイエンス(Prog.Polym.Sci.)，第17卷，1153-1205页，1992年)、利用FeCl₃等氧化剂进行聚合的方法、电化学氧化聚合方法(丸善、实验化学讲座第4版、28卷、339～340页)等。

将本发明的高分子化合物用于高分子发光元件等时，由于该高分子化合物的纯度会影响发光特性等元件的性能，因此，优选利用蒸馏、升华精制、重结晶等方法将聚合前的单体精制后再进行聚合。另外，优选在合成后通过再沉淀精制、色谱法进行分离等纯化处理。

另外，从改善使用本发明的高分子化合物进行制膜时的制膜性、元件特性的观点出发，可以将本发明的高分子化合物与其它低分子有机化合物、及/或高分子化合物混合，做成高分子组合物使用。

本发明的高分子组合物是含有至少1种本发明的高分子化合物的组合物，其还可以含有空穴输送材料、电子输送材料、发光材料、稳定剂、抗氧化剂等。这些任意成分可以单独使用1种，也可以并用2种以上。

组合的低分子有机化合物、高分子化合物没有特别限定，优选使用具有空穴注入·输送性(空穴输送材料)、电子注入·输送性(电子输送材料)的化合物。

具体而言，作为本发明的高分子组合物可以含有的空穴输送材料，例如，作为低分子有机化合物，可以列举：三苯胺、四苯二胺、双咔唑联苯及它们的衍生物等，作为高分子化合物，可以列举：聚乙烯基咔唑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、侧链或主链上具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、茋衍生物、三苯二胺衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)及其衍生物、聚(2，5-亚噻吩亚乙烯基)及其衍生物等。

作为本发明的高分子组合物可以含有的电子输送材料，可以列举例如：噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷及其衍生物、苯醌及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷及其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基亚乙基及其衍生物、二苯酚合苯醌衍生物、8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、聚芴及其衍生物等。

上述材料的含有比率根据用途来决定即可，在本发明的高分子组合物含有空穴输送材料时，该组合物中空穴输送材料的比例通常为1重量％～80重量％，优选为5重量％～60重量％。本发明的组合物含有电子输送材料时，该组合物中电子输送材料的比例通常为1重量％～80重量％，优选为5重量％～60重量％。本发明的高分子组合物含有发光材料时，该组合物中发光材料的比例通常为1重量％～80重量％。

作为本发明的高分子组合物可以含有的稳定剂，可以列举例如：酚系抗氧化剂、磷系抗氧化剂等。

本发明的高分子化合物及高分子组合物，特别是作成液态组合物时，对高分子发光元件等发光元件及有机晶体管、太阳电池的制作是有用的。液态组合物是本发明的组合物根据需要含有溶剂而成的组合物。本说明书中，所谓“液态组合物”，是指制作元件时为液态的组合物，典型的是指在常压(即1个大气压)、25℃下为液态的组合物。另外，液态组合物通常被称为墨液、墨液组合物、溶液等。

在制作高分子发光元件时，使用该液态组合物(例如，溶液状态的组合物)成膜时，涂布该液态组合物后，仅通过干燥来除去溶剂即可，另外，由于将电荷输送材料或发光材料混合时，也可以采用相同的方法，因此在制造上是非常有利的。这里，在干燥时，可以在加温至约50～150℃的状态下进行干燥，另外，也可以减压至10^-3Pa左右来使其干燥。

作为使用液态组合物进行成膜的方法，可以使用旋涂法、浇铸法、微凹印涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、线棒涂布法、浸渍涂布法、溅射涂布法、丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法等涂布法。

液态组合物中溶剂的比例相对于该液态组合物的总重量通常为1重量％～99.9重量％，优选为60重量％～99.9重量％，更优选为90重量％～99.9重量％。液态组合物的粘度根据印刷法的不同而不同，优选25℃下在0.5～500mPa·s的范围，在喷墨印刷法等中液态组合物经由喷出装置喷出时，为了防止喷出时发生堵塞或飞行弯曲，优选粘度在25℃下为0.5～20mPa·s的范围。另外，具有上述式(1)表示的重复单元的高分子化合物或含有1种以上上述高分子化合物的高分子组合物，相对于从液态组合物中除去溶剂后得到的总成分的总量，通常为20重量％～100重量％，优选为40重量％～100重量％。

作为液态组合物中所含的溶剂，优选可以使该组合中的除该溶剂以外的成分溶解或分散的溶剂。作为该溶剂，可以例示：氯仿、二氯甲烷、1，2-二氯乙烷、1，1，2-三氯乙烷、氯苯、邻二氯苯等氯系溶剂；四氢呋喃、二噁烷等醚系溶剂；甲苯、二甲苯、三甲苯、均三甲苯等芳香烃系溶剂；环己烷、甲基环己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷等脂肪烃系溶剂；丙酮、甲乙酮、环己酮等酮系溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯、苯甲酸甲酯、乙基溶纤剂乙酸酯等酯系溶剂；乙二醇、乙二醇单丁醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单甲醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三乙二醇单乙醚、甘油、1，2-己二醇等多元醇及其衍生物；甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、环己醇等醇系溶剂；二甲基亚砜等亚砜系溶剂；N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺等酰胺系溶剂。另外，这些溶剂可以单独使用1种，也可以组合多种使用。上述溶剂中，从粘度、成膜性等观点出发，优选含有1种以上下述有机溶剂：具有至少含1个以上苯环的结构、且熔点为0℃以下、沸点为100℃以上的有机溶剂。

作为溶剂的种类，从液态组合物中除溶剂以外的成分在有机溶剂中的溶解性、成膜时的均匀性、粘度特性等观点出发，优选芳香烃系溶剂、脂肪烃系溶剂、酯系溶剂、酮系溶剂，优选甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、均三甲苯、正丙苯、异丙苯、正丁苯、异丁苯、仲丁苯、茴香酰、乙氧基苯、1-甲基萘、环己烷、环己酮、环己基苯、双环己烷、环己烯基环己酮、正庚基环己烷、正己基环己烷、苯甲酸甲酯、2-丙基环己酮、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、2-辛酮、2-壬酮、2-癸酮、二环己基甲酮，更优选含有二甲苯、茴香酰、均三甲苯、环己基苯、联环己基甲基苯甲酸酯中的至少一种。

从成膜性的观点及元件特性等的观点出发，液态组合物中所含的溶剂的种类优选为2种以上，更优选为2～3种，进一步优选为2种。

液态组合物中含有2种溶剂时，其中的1种溶剂在25℃下可以为固态。从成膜性的观点出发，优选1种溶剂是沸点为180℃以上的溶剂、另一种溶剂是沸点为180℃以下的溶剂，更优选一种溶剂是沸点为200℃以上的溶剂，另一种溶剂是沸点为180℃以下的溶剂。另外，从粘度的观点出发，优选60℃下，从液态组合物中除去溶剂后得到的成分的0.2重量％以上溶解在溶剂中；优选在25℃下，从液态组合物中除去溶剂后得到的成分的0.2重量％以上溶解在2种溶剂中的1种溶剂中。

液态组合物中含有3种溶剂时，其中的1～2种溶剂在25℃下可以为固态。从成膜性的观点出发，优选3种溶剂中的至少一种溶剂是沸点为180℃以上的溶剂、至少1种溶剂是沸点为180℃以下的溶剂，更优选3种溶剂中的至少1种溶剂是沸点为200℃以上300℃以下的溶剂、至少1种溶剂是沸点为180℃以下的溶剂。另外，从粘度的观点出发，优选在60℃下，从液态组合物中除去溶剂后得到的成分的0.2重量％以上溶解在3种溶剂中的2种溶剂中；优选在25℃下，从液态组合物中除去溶剂后得到的成分的0.2重量％以上溶解在3种溶剂中的1种溶剂中。

液态组合物中含有2种以上溶剂时，从粘度及成膜性的观点出发，沸点最高的溶剂优选为液态组合物中所含的所有溶剂的重量的40～90重量％，更优选为50～90重量％，进一步优选为65～85重量％。

作为液态组合物中所含的溶剂，从粘度及成膜性的观点出发，优选茴香酰及联环己烷的组合、茴香酰及环己基苯的组合、二甲苯及联环己烷的组合、二甲苯及环己基苯的组合、均三甲苯及苯甲酸甲酯的组合。

从液态组合物中所含的除溶剂以外的成分在溶剂中的溶解性的观点出发，优选溶剂的溶解度参数和本发明的高分子组合物中所含的高分子化合物的溶解度参数的差为10以下，更优选为7以下。这些溶解度参数可以利用“溶剂手册(讲谈社刊、1976年)”中记载的方法来求得。

并且，本发明的液态组合物还可以含有用于调节粘度和/或表面张力的添加剂、抗氧化剂。

作为本发明的组合物可以含有的用于调节粘度和/或表面张力的添加剂，例如，适当组合用于提高粘度的高分子量化合物(增粘剂)或不良溶剂、用于降低粘度的低分子量化合物、用于降低表面张力的表面活性剂等来使用即可。

作为上述高分子量的化合物，只要是不阻碍发光或电荷输送的化合物即可，在组合物含有溶剂的情况下，通常可溶于该溶剂。作为高分子量的化合物，例如，可以使用高分子量的聚苯乙烯、高分子量的聚甲基丙烯酸甲酯等。上述高分子量化合物的聚苯乙烯换算的重均分子量优选为50万以上，更优选为100万以上。另外，可以使用不良溶剂作为增粘剂。即，本发明的组合物含有溶剂时(即，为后述的液态组合物的情况)，通过相对于该组合物中的固体成分添加少量的不良溶剂，可以提高该组合物的粘度。以此为目的添加不良溶剂时，在不析出该组合物中的固体成分的范围内选择不良溶剂和添加量即可。考虑到保存时的稳定性时，不良溶剂的量优选相对于组合物总量为50重量％以下，更优选为30重量％以下。

作为本发明的组合物可以含有的抗氧化剂，只要是不阻碍发光或电荷输送的抗氧化剂即可。作为抗氧化剂，可以例示：酚系抗氧化剂、磷系抗氧化剂等。通过使用抗氧化剂，可以改善本发明的液态组合物的保存稳定性。

下面对本发明的薄膜进行说明。

该薄膜可以使用上述高分子化合物来制造。

优选为通过制作含有上述高分子化合物的层，并将该层加热至通常为50℃以上的温度而制得的薄膜，更优选为在加热温度为50℃以上300℃以下的条件下制得的薄膜，进一步优选为在加热温度为50℃以上200℃以下的条件下制得的薄膜。

将溶剂旋涂在薄膜上时，优选以薄膜的膜厚的减少为10％以下的方式进行加热，更优选以薄膜的膜厚的减少为5％以下的方式进行加热。

通过加热而制得的上述层难以溶解在溶剂中，因此，使用含有化合物和溶剂的溶液可以容易地在该层上形成含有该化合物的层。

加热温度过低时，固化具有变得不充分的倾向，过高时，在将该薄膜用于场致发光元件时，元件特性具有降低的倾向。

另外，加热时间通常为15分钟到1小时左右，作为加热方法，可以列举：使用烘箱或加热板进行加热的方法。加热可以在惰性气体氛围中或真空中进行，优选在氮气氛围中进行。

作为薄膜的种类，可以例示：发光性薄膜、导电性薄膜、有机半导体薄膜。

从元件的亮度及发光电压等观点出发，发光性薄膜的发光的量子收率优选为50％以上，更优选为60％以上，进一步优选为70％以上。

优选导电性薄膜的表面电阻为1KΩ/□。通过对薄膜涂布路易斯酸、离子性化合物等，可以提高导电性。更优选表面电阻为100Ω/□以下，进一步优选为10Ω/□以下。

对于有机半导体薄膜而言，电子移动度或空穴移动度均越大越好，优选为10^-5cm²/V/秒以上，更优选为10^-3cm²/V/秒以上，进一步优选为10^-1cm²/V/秒以上。另外，可以使用有机半导体薄膜来制作有机晶体管。具体而言，通过在形成有SiO₂等绝缘膜和栅电极的Si基板上形成有机半导体薄膜，并用Au等形成源电极和漏电极，可以形成有机晶体管。

下面对层叠体进行说明。该层叠体表示含有1种以上上述薄膜且层数为2以上的层叠体，优选层数为3以上。该层叠体可以使用上述高分子化合物来制造。优选利用包含如下工序的方法来制造，所述工序为：将含有上述高分子化合物的层和含有有机化合物的层进行层叠的工序、和将该层叠得到的层叠体加热至通常为50℃以上的温度的工序，更优选在加热温度为50℃以上300℃以下的条件下制造，进一步优选在加热温度为50℃以上200℃以下的条件下制造。有机化合物可以为低分子化合物，也可以为高分子化合物，可以例示上述空穴输送材料或电子输送材料。

加热温度过低时，固化具有变得不充分的倾向，过高时，在将该层叠体用于场致发光元件时，元件特性具有降低的倾向。

本发明的层叠体可以用于高分子发光元件、有机晶体管、太阳电池。

将本发明的层叠体用于高分子发光元件时，含有上述高分子化合物的层可以作为发光层、电子输送层、空穴输送层、电子注入层、空穴注入层等使用。

<用途>

下面对本发明的高分子化合物的用途进行说明。

本发明的高分子化合物通常以固态发出荧光，可以作为高分子发光体(即高分子量的发光材料)使用。另外，本发明的高分子化合物具有优异的电荷输送能，可以优选用作高分子发光元件用材料或电荷输送材料。使用了该高分子发光体的高分子发光元件是可以以低电压、高发光效率进行驱动的高性能的高分子发光元件。因此，本发明的高分子化合物可以用作曲面状光源、平面状光源等面状光源(例如照明等)；分段显示装置(例如，段式显示元件等)、点阵显示装置(例如点阵的平板显示器等)、液晶显示装置(例如，液晶显示装置、液晶显示器的背光灯等)等显示装置等的材料。另外，本发明的高分子化合物还可以用作激光用色素、有机太阳电池用材料、有机晶体管用有机半导体、导电性薄膜、有机半导体薄膜等导电性薄膜用材料、发荧光的发光性薄膜材料等。有机晶体管可以用作双极晶体管，也可以用作高分子场效应晶体管等场效应晶体管。

<高分子发光元件>

下面对本发明的高分子发光元件进行说明。

本发明的高分子发光元件是在由阳极及阴极构成的电极之间具有包含本发明的高分子化合物的层的高分子发光元件。

另外，是在由阳极及阴极构成的电极之间具有本发明的薄膜或本发明的层叠体的高分子发光元件。

另外，本发明的高分子发光元件是在由阳极及阴极构成的电极之间具有发光层和电荷输送层，并且该电荷输送层是由本发明的高分子化合物得到的层的高分子发光元件。

另外，本发明的高分子发光元件在由阳极及阴极构成的电极之间具有发光层和电荷输送层，在该电荷输送层和电极之间具有电荷注入层，且该电荷输送层是由本发明的高分子化合物得到的层。

上述包含本发明的高分子化合物的层可以是发光层、空穴输送层、电荷输送层等中任一种，但优选有机层是发光层。

发光层是指具有发光功能的层。空穴输送层是具有输送空穴的功能的层。电子输送层是具有输送电子的功能的层。这里，空穴输送层和电子输送层统称为电荷输送层。发光层、空穴输送层、电子输送层可以分别独立地存在2层以上。

本发明的高分子发光元件具有发光层时，该发光层的厚度根据所使用的材料的不同，其最适值不同，以驱动电压和发光效率达到合适的值的方式进行选择即可，例如，为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，更优选为5nm～200nm。

作为形成发光层的方法，可以列举例如：通过液态组合物的成膜来形成发光层的方法。作为液态组合物的成膜方法，可以使用旋涂法、浇铸法、微凹印涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、线棒涂布法、浸渍涂布法、溅射涂布法、丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法等涂布法。从使图案形成及多种颜色分开涂布变容易的观点出发，优选丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法等印刷法。

对本发明的高分子发光元件而言，从元件的亮度等观点出发，优选在阳极和阴极之间施加电压时的最大外部量子收率为1％以上，更优选为1.5％以上。

作为本发明的高分子发光元件，可以列举例如：在阴极和发光层之间设有电子输送层的高分子发光元件、在阳极和发光层之间设有空穴输送层的高分子发光元件、在阴极和发光层之间设有电子输送层且在阳极和发光层之间设有空穴输送层的高分子发光元件等。

作为本发明的高分子发光元件，具体而言，可以例示以下a)～d)的结构。

a)阳极/发光层/阴极

b)阳极/空穴输送层/发光层/阴极

c)阳极/发光层/电子输送层/阴极

d)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极

(在此，/表示各层邻接而层叠。以下同。)

在将本发明的高分子化合物用于空穴输送层时，包含本发明的上述式(1)表示的重复单元的高分子化合物优选具有该空穴输送性基团。作为含有该空穴输送性基团的高分子化合物的具体例，可以列举：含有芳香族胺的聚合物、含有茋的聚合物等。

将本发明的高分子化合物用于电子输送层时，包含本发明的上述式(1)表示的重复单元的高分子化合物优选具有该电子输送性基团。作为含有电子输送性基团的高分子化合物的具体例，可以列举：含有噁二唑的聚合物、含有三唑的聚合物、含有喹啉的聚合物、含有喹喔啉的聚合物、含有苯并噻二唑的聚合物等。

本发明的高分子发光元件具有空穴输送层时，通常在该空穴输送层中使用空穴输送材料(有低分子、高分子材料。)。作为该空穴输送材料，可以列举：上述以本发明的组合物可以含有的空穴输送材料例示的材料。

作为该空穴输送材料，具体而言，可以例示：日本特开昭63-70257号公报、日本特开昭63-175860号公报、日本特开平2-135359号公报、日本特开平2-135361号公报、日本特开平2-209988号公报、日本特开平3-37992号公报、日本特开平3-152184号公报中记载的材料等。

其中，作为空穴输送层中使用的空穴输送材料，优选聚乙烯基咔唑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、侧链或主链具有芳香族胺化合物基团的聚硅氧烷衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)及其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)及其衍生物等高分子空穴输送材料，更优选聚乙烯基咔唑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、侧链或主链具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物。

另外，作为低分子的空穴输送材料，可以例示：吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、茋衍生物、三苯二胺衍生物。低分子的空穴输送材料优选分散在高分子粘合剂中来使用。

作为高分子粘合剂，优选不极度阻碍电荷输送的粘合剂，或者，可以优选使用对可见光的吸收不强的粘合剂。作为高分子粘合剂，可以例示：聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)及其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)及其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲基酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。

聚乙烯基咔唑及其衍生物例如可以由乙烯基单体通过阳离子聚合或自由基聚合而得到。

作为聚硅烷及其衍生物，可以例示：ケミカル·レビユ一(Chem.Rev.)第89卷、1359页(1989年)；英国特许GB2300196号公开说明书中记载的化合物等。合成方法也可以使用这其中记载的方法，特别优选使用Kipping法。

对聚硅氧烷及其衍生物而言，由于硅氧烷骨架结构几乎不具有空穴输送性，因此可以优选使用在侧链或主链上具有上述低分子的空穴输送材料的结构的聚硅氧烷及其衍生物。特别可以例示：在侧链或主链上具有空穴输送性的芳香族胺的聚硅氧烷及其衍生物。

空穴输送层的成膜方法没有限定，对于低分子的空穴输送材料而言，可以例示：由与高分子粘合剂的混合溶液来成膜的方法。对于高分子的空穴输送材料而言，可以例示：由溶液(即，将空穴输送材料与溶剂混合后得到的溶液)来成膜的方法。

作为溶液的成膜中所使用的溶剂，优选可以使空穴输送材料溶解或均匀分散的溶剂。作为该溶剂，可以例示：氯仿、二氯甲烷、1，2-二氯乙烷、1，1，2-三氯乙烷、氯苯、邻二氯苯等氯系溶剂；四氢呋喃、二噁烷等醚系溶剂；甲苯、二甲苯等芳香烃系溶剂；环己烷、甲基环己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷等脂肪烃系溶剂；丙酮、甲乙酮、环己酮等酮系溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯等酯系溶剂；乙二醇、乙二醇单丁醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单甲醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三乙二醇单乙醚、甘油、1，2-己二醇等多元醇及其衍生物；甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、环己醇等醇系溶剂；二甲基亚砜等亚砜系溶剂；N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺等酰胺系溶剂。这些溶剂可以单独使用1种，也可以并用2种以上。

作为使溶液成膜的方法，可以使用旋涂法、浇铸法、微凹印涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、线棒涂布法、浸渍涂布法、溅射涂布法、丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法等涂布法。

空穴输送层的膜厚根据所使用的材料的不同，其最适值不同，以驱动电压和发光效率达到合适的值的方式进行选择即可，但至少需要使厚度为不产生针孔的厚度，过厚时，元件的驱动电压变高，不优选。因此，空穴输送层的膜厚通常为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，更优选为5nm～200nm。

本发明的高分子发光元件具有电子输送层时，通常在该电子输送层中使用电子输送材料(有低分子、高分子材料。)。作为该电子输送材料，可以列举：上述以本发明的组合物可以含有的电子输送材料例示的材料。

作为该电子输送材料，具体而言，可以例示：日本特开昭63-70257号公报、日本特开昭63-175860号公报、日本特开平2-135359号公报、日本特开平2-135361号公报、日本特开平2-209988号公报、日本特开平3-37992号公报、日本特开平3-152184号公报中记载的材料等。

其中，优选噁二唑衍生物、苯醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、聚芴及其衍生物，更优选2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑、苯醌、蒽醌、三(8-羟基喹啉)铝、聚喹啉。

作为电子输送层的成膜法，没有特别限定，对于低分子电子输送材料而言，可以例示：使用粉末的真空蒸镀法、及使用溶液或熔融状态的熔液来成膜的方法，对于高分子电子输送材料而言，可以例示：使用溶液或熔融状态的熔液来成膜的方法。使用溶液或熔融状态的熔液来成膜时，可以并用上述高分子粘合剂。

作为溶液的成膜中所使用的溶剂，优选可以使电子输送材料和/或高分子粘合剂溶解或均匀分散的溶剂。具体而言，可以列举：在上述空穴输送层一项中例示的使用空穴输送层的溶液来成膜的过程中使用的溶剂。该溶剂可以单独使用1种，也可以并用2种以上。

作为使用溶液或熔融状态的熔液来成膜的方法，可以列举：在上述空穴输送层一项中例示的使用空穴输送层的溶液来成膜的方法。

作为电子输送层的膜厚，根据所使用的材料的不同，其最适值不同，以驱动电压和发光效率达到合适的值的方式进行选择即可，但至少需要使厚度为不产生针孔的厚度，过厚时，元件的驱动电压变高，不优选。因此，电子输送层的膜厚通常为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，更优选为5nm～200nm。

另外，邻接电极而设置的空穴输送层、电子输送层中，具有改善自电极的电荷注入效率的功能、具有降低元件的驱动电压的效果的有时通常分别被称为空穴注入层、电子注入层(以下有时将它们统称为“电荷注入层”。)。

为了进一步提高与电极的密合性及改善自电极的电荷注入效果，可以邻接电极而设置上述电荷注入层或绝缘层，另外，为了提高界面的密合性及防止混合等，也可以在电荷输送层及发光层的界面插入薄的缓冲层。

关于层叠的层的顺序及数目、以及各层的厚度，可以根据发光效率及元件寿命适宜地使用。

本发明中，作为设有电荷注入层的高分子发光元件，可以列举例如：邻接阴极而设置电荷注入层的高分子发光元件、邻接阳极而设置电荷注入层的高分子发光元件。具体而言，可以列举以下的e)～p)的结构。

e)阳极/空穴注入层/发光层/阴极

f)阳极/发光层/电子注入层/阴极

g)阳极/空穴注入层/发光层/电子注入层/阴极

h)阳极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/阴极

i)阳极/空穴输送层/发光层/电子注入层/阴极

j)阳极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子注入层/阴极

k)阳极/空穴注入层/发光层/电子输送层/阴极

l)阳极/发光层/电子输送层/电子注入层/阴极

m)阳极/空穴注入层/发光层/电子输送层/电子注入层/阴极

n)阳极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极

o)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/电子注入层/阴极

p)阳极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/电子注入层/阴极

作为本发明的高分子发光元件，如上所述，还包括在空穴输送层和/或电子输送层中含有本发明的高分子化合物的发光元件。另外，作为本发明的高分子发光元件，还包括在空穴注入层和/或电子注入层中含有本发明的高分子化合物的发光元件。

将本发明的高分子化合物用于空穴注入层时，优选与电子接受型化合物同时使用。将本发明的高分子化合用于电子输送层时，优选与电子提供型化合物同时使用。在此，为了同时使用，有共聚、在侧链导入等方法。

作为电荷注入层的具体例，可以列举：含有导电性高分子的层；设置在阳极和空穴输送层之间、包含具有电离能的材料的层，所述电离电势处于阳极材料和空穴输送层中所含的空穴输送材料的电离电势之间；设置在阴极和电子输送层之间、包含具有电子亲和力的材料的层等，所述电子亲和力处于阴极材料和电子输送层中所含的电子输送材料的电子亲和力之间。

电荷注入层为包含导电性高分子的层时，该导电性高分子的电导率优选为10^-5S/cm以上10³S/cm以下，为了减小发光像素间的漏电流，更优选为10^-5S/cm以上10²S/cm以下，进一步优选为10^-5S/cm以上10¹S/cm以下。为了使该导电性高分子的电导率在10^-5S/cm以上10³S/cm以下，通常在该导电性高分子中掺杂适量的离子。

对于掺杂的离子的种类而言，如果是空穴注入层则为阴离子，如果是电子注入层，则为阳离子。作为阴离子的例子，可以列举：聚苯乙烯磺酸离子、烷基苯磺酸离子、樟脑磺酸离子等。作为阳离子的例子，可以列举：锂离子、钠离子、钾离子、四丁基铵离子等。

电荷注入层的膜厚通常为1nm～100nm，优选为2nm～50nm。

电荷注入层中使用的材料以与电极或邻接的层的材料的关系适当选择即可，可以例示：聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚亚苯基亚乙烯基及其衍生物、聚亚噻吩基亚乙烯基及其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、在主链或侧链上含有芳香族胺结构的聚合物等导电性高分子、金属酞菁(酞菁铜等)、碳等。

绝缘层的膜厚通常为0.5～4.0nm，是具有使电荷容易注入的功能的层。作为绝缘层材料，可以列举：金属氟化物、金属氧化物、有机绝缘材料等。

作为设有绝缘层的高分子发光元件，可以列举：邻接阴极而设有绝缘层的高分子发光元件、邻接阳极而设有绝缘层的高分子发光元件。具体而言，可以列举以下q)～ab)的结构。

q)阳极/绝缘层/发光层/阴极

r)阳极/发光层/绝缘层/阴极

s)阳极/绝缘层/发光层/绝缘层/阴极

t)阳极/绝缘层/空穴输送层/发光层/阴极

u)阳极/空穴输送层/发光层/绝缘层/阴极

v)阳极/绝缘层/空穴输送层/发光层/绝缘层/阴极

w)阳极/绝缘层/发光层/电子输送层/阴极

x)阳极/发光层/电子输送层/绝缘层/阴极

y)阳极/绝缘层/发光层/电子输送层/绝缘层/阴极

z)阳极/绝缘层/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极

aa)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/绝缘层/阴极

ab)阳极/绝缘层/空穴输送层/发光层/电子输送层/绝缘层/阴极

对本发明的高分子发光元件而言，在上述a)～ab)例示的元件结构中，空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层中的任一层均含有本发明的组合物。

本发明的高分子发光元件通常形成于基板上。该基板只要是在形成电极、形成有机物的层时不变化的基板即可。作为基板的材料，可以列举例如：玻璃、塑料、高分子膜、硅基板等。为不透明的基板时，优选相对的电极(即，离基板较远处的电极)是透明或半透明的。通常，本发明的高分子发光元件具有的阳极及阴极中的至少一个是透明或半透明的。优选阳极侧是透明或半透明的。

作为阳极的材料，可以使用导电性金属氧化膜、半透明的金属薄膜等。具体而言，可以使用由氧化铟、氧化锌、氧化锡、及它们的复合物即铟·锡·氧化物(ITO)、铟·锌·氧化物等构成的导电性玻璃制得的膜(NESA等)或金、白金、银、铜等，优选ITO、铟·锌·氧化物、氧化锡。作为阳极的制作方法，可以列举：真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、镀敷法等。另外，作为阳极，还可以使用聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物等有机透明导电膜。

阳极的膜厚可以根据光的透过性和电导率而适当调整，通常为10nm～10μm，优选为20nm～1μm，更优选为50nm～500nm。

为了容易地注入电荷，可以在阳极上设置由酞菁衍生物、导电性高分子、碳等构成的层；或由金属氧化物或金属氟化物、有机绝缘材料等构成的层。

作为阴极的材料，优选功函数小的材料。可以例示例如：锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、钪、钒、锌、钇、铟、铈、钐、铕、铽、镱等金属；及它们中的2种以上的合金；或它们中的1种以上与金、银、白金、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡中的1种以上的合金；石墨或石墨层间化合物等。作为合金的例子，可以列举：镁-银合金、镁-铟合金、镁-铝合金、铟-银合金、锂-铝合金、锂-镁合金、锂-铟合金、钙-铝合金等。可以将阴极作成2层以上的层叠结构。

阴极的膜厚可以根据电导率及耐久性而适当调整，例如，为10nm～10μm，优选为20nm～1μm，更优选为50nm～500nm。

作为阴极的制作方法，可以使用真空蒸镀法、溅射法、或热压接金属薄膜的层叠法等。另外，可以在阴极和有机层之间设置由导电性高分子构成的层；或由金属氧化物或金属氟化物、有机绝缘材料等构成的层，也可以在制作完阴极后设置保护该高分子发光元件的保护层。为了长期稳定地使用高分子发光元件，为了保护元件不受外部损伤，优选设置保护层和/或防护罩。

作为保护层，可以使用高分子化合物、金属氧化物、金属氟化物、金属硼化物、金属氮化物、有机无机杂化材料等。作为防护罩，可以使用玻璃板、表面实施了低透水率处理的塑料板等，可以优选使用将该防护罩通过热固化树脂或光固化树脂使其与元件基板粘合而进行密封的方法。如果使用间隔件来维持空间，则可以容易地防止元件受损。如果在该空间封入氮气或氩气之类的惰性气体，则可以防止阴极的氧化；通过在该空间内设置氧化钡等干燥剂，可以容易地抑制在制造工序中吸附的水分给元件带来伤害。优选采用其中的任一种以上的方法。

本发明的高分子发光元件可以用于例如曲面状光源、平面状光源等面状光源(例如照明等)；分段显示装置(例如段式显示元件等)、点阵显示装置(例如点阵的平板显示器等)、液晶显示装置(例如，液晶显示装置、液晶显示器的背光灯等)等显示装置等。

为了使用本发明的高分子发光元件得到面状的发光，可以以面状的阳极和阴极重合的方式进行配置。为了得到图案状的发光，可以使用以下方法：在面状发光元件的表面设置设有图案状的窗的掩模的方法、以非常厚的方式形成不发光部分的有机物层从而使其实质性地不发光的方法、将阳极或阴极中的任一个或两个电极形成图案状的方法。通过利用其中的任一种方法形成图案，并且以可以独立打开/关闭几个电极的方式进行配置，可以得到能够显示数字或文字、简单的符号等的段式显示元件。并且，为了制作点阵元件，将阳极和阴极以一同形成条纹状并垂直相交的方式进行配置即可。通过利用分开涂布多种发光颜色不同的高分子荧光体的方法、或使用滤色片或荧光变换过滤器的方法，可以显示部分颜色、显示多种颜色。点阵元件可以进行无源驱动，也可以与TFT等组合进行有源驱动。这些显示元件可以作为电脑、电视机、便携式设备、手机、汽车导航、摄像机的取景器等的显示装置使用。

面状的发光元件自发光、且为薄型，可以优选作为液晶显示装置的背光灯用面状光源、或面状的照明用光源使用。如果使用挠性基板，则也可以作为曲面状的光源或显示装置使用。

<有机晶体管(高分子场效应晶体管)>

下面对有机晶体管的其中一个方式即高分子场效应晶体管进行说明。

对于本发明的高分子化合物而言，作为高分子场效应晶体管的材料，可以优选用作其中的活性层。作为高分子场效应晶体管的结构，通常，源电极及漏电极以连接在由高分子构成的活性层的方式设置，并且，以夹住连接在活性层的绝缘层的方式设置栅电极即可。

高分子场效应晶体管通常形成于支撑基板上。作为支撑基板，只要不阻碍作为场效应晶体管的特性，其材质就没有特别限定，可以使用玻璃基板或挠性基板或塑料基板。

高分子场效应晶体管可以用公知的方法、例如日本特开平5-110069号公报记载的方法来制造。

在形成活性层时，使用含有可溶于有机溶剂的聚合物的组合物对制造非常有利，因此优选。作为使含有可溶于有机溶剂的聚合物的组合物包含溶剂而成的液态组合物成膜的方法，可以使用旋涂法、浇铸法、微凹印涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、线棒涂布法、浸渍涂布法、溅射涂布法、丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法等涂布法。

优选在制作高分子场效应晶体管后，进行密封，得到密封高分子场效应晶体管。由此，高分子场效应晶体管与大气隔开，从而可以抑制高分子场效应晶体管的特性降低。

作为密封的方法，可以列举：用紫外线(UV)固化树脂、热固化树脂或无机的SiON_X膜等进行覆盖的方法；用UV固化树脂、热固化树脂等将玻璃板或膜粘在一起的方法等。为了有效地阻隔大气，在制作高分子场效应晶体管后，优选使进行密封之前的工序在不曝露于大气中的状态下(例如，在干燥的氮气氛围中、真空中等)进行。

本发明的高分子化合物可以通过使用下述式(4)表示的化合物作为原料进行聚合的方法来制造。

式中，X分别表示可以参与聚合的取代基。R¹、R²及a、b独立地表示与上述相同的意思。

作为可以参与聚合的取代基，可以列举：卤素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、硼酸酯基、锍甲基、鏻甲基、膦酸酯甲基、单卤代甲基、镁卤基团、甲锡烷基、-B(OH)₂、甲酰基、氰基、乙烯基等。

其中，优选-B(OH)₂、硼酸酯基、卤化镁、甲锡烷基、卤素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳基烷基磺酸酯基。

在此，作为卤素原子，可以列举：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子，优选氯原子、溴原子或碘原子。进一步优选溴原子。

作为烷基磺酸酯基，可以例示：甲烷磺酸酯基、乙烷磺酸酯基、三氟甲甲烷磺酸酯基等，作为芳基磺酸酯基，可以例示：苯磺酸酯基、对甲苯磺酸酯基等，作为芳基烷基磺酸酯基，可以例示：苄基磺酸酯基等。

作为硼酸酯基，可以列举：二烷基酯、二芳基酯、二芳基烷基酯，可以例示下述式表示的基团。

作为锍甲基，可以例示下述式表示的基团。

-CH₂S⁺Me₂X^-、-CH₂S⁺Ph₂X^-

(X表示卤素原子，Ph表示苯基。)

作为鏻甲基，可以例示下述式表示的基团。

-CH₂P⁺Ph₃X^-

(X表示卤素原子。)

作为膦酸酯甲基，可以例示下述式表示的基团。

-CH₂PO(OR’)₂

(X表示卤素原子，R’表示烷基、芳基、芳基烷基。)

作为单卤代甲基，可以例示：氟代甲基、氯代甲基、溴代甲基、碘代甲基。

作为卤化镁基团，可以例示：氯化镁基团、溴化镁基团、碘化镁基团。

作为甲锡烷基，其表示具有选自氢原子、卤素原子、烷基、芳基及芳烷基中的3个取代基的甲锡烷基，可以例示：甲锡烷基、三氯甲锡烷基、三甲基甲锡烷基、三乙基甲锡烷基、三正丁基甲锡烷基、三苯基甲锡烷基、三苄基甲锡烷基。

作为可以参与聚合的取代基，其优选的取代基根据聚合反应的种类而不同，例如Yamamoto偶联反应等使用0价镍络合物时，可以列举：卤素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳基烷基磺酸酯基。另外，在Suzuki偶联反应等使用镍催化剂或者钯催化剂时，可以列举：烷基磺酸酯基、卤素原子、硼酸酯基、-B(OH)₂等。

本发明的制造方法中，具体而言，可以将作为单体的、具有多个参与聚合的取代基的化合物根据需要溶解于有机溶剂中，并使用例如碱或适当的催化剂，在有机溶剂的熔点以上沸点以下进行。可以使用例如“オルガニツクリアクシヨンズ(Organic Reactions)”，第14卷，270-490页，ジヨンワイリ一アンドサンズ(John Wiley & Sons，Inc.)，1965年；“オルガニツクシンセシス(Organic Syntheses)”，コレクテイブ第6卷(Collective Volume VI)，407-411页，ジヨンワイリ一アンドサンズ(JohnWiley&Sons，Inc.)，1988年；ケミカルレビユ一(Chem.Rev.)，第95卷，2457页(1995年)；ジヤ一ナルオブオルガノメタリツクケミストリ一(J.Organomet.Chem.)，第576卷，147页(1999年)；マクロモレキユラ一ケミストリ一マクロモレキユラ一シンポジウム(Makromol.Chem.，Macromol.Symp.)，第12卷，229页(1987页)等中记载的公知的方法。

在本发明的高分子化合物的制造方法中，作为进行聚合的方法，可以根据上述式(4)表示的化合物的能参与聚合的取代基，使用已知的缩合反应来制造。

另外，通过在具有2个以上可以参与聚合的取代基的化合物的共存下实施聚合，可以制造共聚物。通过使具有3个以上可以参加聚合的取代基的化合物共聚，可以制造具有分支结构的高分子化合物。

本发明的高分子化合物在聚合中生成双键时，可以列举例如日本特开平5-202355号公报中记载的方法。即，可以例示：具有甲酰基的化合物与具有鏻甲基的化合物、或者具有甲酰基与鏻甲基的化合物利用Wittig反应进行聚合；具有乙烯基的化合物与具有卤素原子的化合物利用Heck反应进行聚合；具有2个或2个以上单卤代甲基的化合物利用脱卤代氢法进行缩聚；具有2个或2个以上锍甲基的化合物利用锍盐分解法进行缩合；具有甲酰基的化合物与具有氰基的化合物利用Knoevenagel反应进行聚合等的方法；具有2个或2个以上甲酰基的化合物利用McMurry反应进行聚合等的方法。

本发明的高分子化合物通过缩聚在主链上生成三键时，可以利用例如Heck反应、Sonogashira反应。

另外，不生成双键或三键时，可以例示例如：进行聚合的单体利用Suzuki偶联反应进行聚合的方法、利用Grignard反应进行聚合的方法、利用Ni(0)络合物进行聚合的方法、利用FeCl₃等氧化剂进行聚合的方法、进行电化学氧化聚合的方法、或者利用具有适当的离去基团的中间体高分子的分解的方法等。

其中，从容易控制分子量的观点、容易控制共聚时的组成比的观点出发，优选利用Wittig反应进行聚合、利用Heck反应进行聚合、利用Knoevenagel反应进行聚合、及利用Suzuki偶联反应进行聚合的方法；利用Grignard反应进行聚合的方法及利用镍0价络合物进行聚合的方法。

在本发明的制造方法中，优选如下制造方法：可以参与聚合的取代基分别独立地选自卤素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳基烷基磺酸酯基，且在镍0价络合物或钯催化剂存在下进行缩聚。

作为原料化合物，可以列举：二卤代化合物、双(烷基磺酸盐)化合物、双(芳基磺酸盐)化合物、双(芳基烷基磺酸盐)化合物、或者卤代烷基磺酸盐化合物、卤代芳基磺酸盐化合物、卤代芳基烷基磺酸盐化合物、烷基磺酸盐-芳基磺酸盐化合物、烷基磺酸盐-芳基烷基磺酸盐化合物、芳基磺酸盐-芳基烷基磺酸盐化合物。

该情况下，可以列举例如下述方法：通过使用卤代烷基磺酸盐化合物、卤代芳基磺酸盐化合物、卤代芳基烷基磺酸盐化合物、烷基磺酸盐-芳基磺酸盐化合物、烷基磺酸盐-芳基烷基磺酸盐化合物、芳基磺酸盐-芳基烷基磺酸盐化合物作为原料化合物，来制造重复单元的倾向及顺序得到控制的高分子化合物。

另外，在本发明的制造方法中，优选下述制造方法：可以参与聚合的取代基分别独立地选自卤素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、-B(OH)₂、或硼酸酯基，所有原料化合物具有的卤素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基及芳基烷基磺酸酯基的摩尔数的总和(J)与-B(OH)₂及硼酸酯基的摩尔数的总和(K)之比实质上为1(通常K/J在0.7～1.2的范围)，使用镍催化剂或钯催化剂进行缩聚。

作为具体的原料化合物的组合，可以列举：二卤代化合物、双(烷基磺酸盐)化合物、双(芳基磺酸盐)化合物或双(芳基烷基磺酸盐)化合物与二硼酸化合物或二硼酸酯化合物的组合。

另外，可以列举：卤硼酸化合物、卤硼酸酯化合物、烷基磺酸盐-硼酸化合物、烷基磺酸盐-硼酸酯化合物、芳基磺酸盐-硼酸化合物、芳基磺酸盐-硼酸酯化合物、芳基烷基磺酸盐-硼酸化合物、芳基烷基磺酸盐-硼酸酯化合物。

该情况下，可以列举例如下述方法：通过使用卤硼酸化合物、卤硼酸酯化合物、烷基磺酸盐-硼酸化合物、烷基磺酸盐-硼酸酯化合物、芳基磺酸盐-硼酸化合物、芳基磺酸盐-硼酸酯化合物、芳基烷基磺酸盐-硼酸化合物、芳基烷基磺酸盐-硼酸酯化合物作为原料化合物，来制造重复单元的倾向及顺序得到控制的高分子化合物。

作为有机溶剂，根据所使用的化合物及反应而不同，但通常为了抑制副反应的产生，优选对所使用的溶剂进行充分的脱氧处理，并在惰性氛围下进行反应。另外，优选同样地进行脱水处理。但是，在像Suzuki偶联反应这样的在与水的2相体系中反应的情况没有上述限制。

作为溶剂，根据所使用的化合物及反应而不同，可以例示：戊烷、己烷、庚烷、辛烷、环己烷等饱和烃；苯、甲苯、乙基苯、二甲苯等不饱和烃；四氯化碳、氯仿、二氯甲烷、氯丁烷、溴丁烷、氯戊烷、溴戊烷、氯己烷、溴己烷、氯环己烷、溴环己烷等卤代烃；氯苯、二氯苯、三氯苯等卤代不饱和烃；甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、叔丁醇等醇类；甲酸、乙酸、丙酸等羧酸类；二甲醚、二乙醚、甲基-叔丁基醚、四氢呋喃、四氢吡喃、二噁烷等醚类；三甲胺、三乙胺、N，N，N’，N’-四甲基亚乙基二胺、吡啶等胺类；N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二乙基乙酰胺、N-甲基吗啉氧化物等酰胺类等，可以使用单一溶剂、或它们的混合溶剂。

为了使反应进行，可以添加适当的碱或适当的催化剂。它们根据所使用的反应进行选择即可。优选该碱或催化剂可以充分地溶解在反应所使用的溶剂中。作为混合碱或催化剂的方法，可以例示：边在氩气或氮气等惰性氛围下搅拌反应液，边缓慢地添加碱或催化剂的溶液的方法；或者与此相反，向碱或催化剂的溶液中缓慢地添加反应液的方法。

本发明的上述式(4)表示的化合物可以由下述式(6)表示的化合物制造。

式中，X表示与上述相同的意思。

使上述式(6)表示的化合物与3-溴苯并环丁烷溶于溶剂中，在烷基锂或烷基镁的存在下，于-78℃下反应，制造下述式(7)表示的化合物。作为溶剂，可以使用甲苯等芳香烃系溶剂或四氢呋喃等醚系溶剂。

式中，X表示与上述相同的意思。

使上述式(7)表示的化合物溶于溶剂中，在路易斯酸或烷基磺酸或甲苯磺酸的存在下，于0℃下反应，制造上述式(4)表示的化合物。作为溶剂，可以使用甲苯等芳香烃系溶剂或二氯甲烷等含卤系溶剂。

将本发明的高分子化合物用于高分子LED等时，由于其纯度会影响发光特性等元件性能，因此，优选将聚合前的单体用蒸馏、升华精制、重结晶等方法进行精制后进行聚合。另外，优选在聚合后通过再沉淀精制、色谱法进行分离等纯化处理。

实施例

下面，列举实施例进一步详细地说明本发明，但本发明不限定于这些实施例。

-数均分子量及重均分子量的测定方法-

在实施例中，聚苯乙烯换算的数均分子量及重均分子量通过凝胶渗透色谱仪(GPC，岛津制作所制造，商品名：LC-10Avp)求出。将进行测定的聚合物以浓度约为0.5重量％的方式溶解在四氢呋喃中，向GPC中注入50μL。GPC的流动相使用四氢呋喃，以0.6mL/min的流速流动。将2根TSKgel SuperHM-H(東ソ一制)和1根TSKgel SuperH2000(東ソ一制)串联连接作为色谱柱。检测器使用差示折射率检测器(岛津制作所制造，商品名：RID-10A)。

<实施例1>化合物C的合成

(化合物B的合成)

在三口茄型烧瓶(100ml)中放入搅拌子，并安装冷凝器、热电偶。加入3-溴苯并环丁烷(4.1g)、四氢呋喃(69ml)，在干冰丙酮浴中冷却至-78℃。加入n-BuLi(16.9ml)，搅拌2小时，再滴加将化合物A(4.1g)溶解在四氢呋喃(12ml)中而得到的溶液。边用冰浴冷却边缓慢地加入水(50ml)，然后转移至分液漏斗，清洗，再用30ml水清洗两次。得到的有机层使用硫酸镁进行脱水，将固体过滤掉，将溶液浓缩。其结果，得到含有化合物B的固体8.1g(收率99.9％、LC纯度73.0％)。

化合物A

化合物B

(化合物C的合成)

在茄型烧瓶(100ml)中加入化合物B，添加二氯甲烷(24ml)，形成溶液。用冰浴冷却至0℃后，利用滴液漏斗滴加BF₃Et₂O(7.0ml)。搅拌1小时后，再添加BF₃Et₂O(7.0ml)，搅拌1小时，于室温下搅拌5小时。加水(100ml)进行搅拌后，移至分液漏斗，用氯仿(50ml)萃取3次。得到的有机层用硫酸钠进行干燥，然后将溶液浓缩，并添加氯仿(30ml)。边加热回流边加入甲醇(300ml)，进行结晶化，将得到的结晶过滤掉。将该结晶加到氯仿(20ml)中，进行加热，加入甲醇(200ml)，于室温下搅拌2小时。将生成的结晶过滤掉，并进行干燥。得到目的化合物C的白色固体2.0g(收率35.0％、LC纯度99.5％)。结构由¹HNMR的测定结果决定。

化合物C

¹HNMR(300MHz，CDCl₃)：δ7.56(d，8.1Hz，2H)，7.49(d，1.2Hz，2H)，7.45(dd，8.1，1.2Hz，2H)，7.01(d，7.8Hz，2H)，6.92(d，7.8Hz，2H)，6.81(s，2H)，3.11(s，4H).

<实施例2>聚合物1的合成

在连接有蛇形冷凝管的200ml三口烧瓶中加入搅拌子，安装冷凝器、热电偶，加入化合物D 0.536g(1.0mmol)、化合物E 0.110g(0.2mmol)、化合物C 0.105g(0.2mmol)、化合物F 0.275g(0.6mmol)、甲苯10ml。在氮气氛围下，加热单体溶液，在50℃下添加乙酸钯0.4mg、三(2-甲氧基苯基)膦2.7mg、20重量％四乙基氢氧化铵水溶液3.4g。加热至105℃后搅拌30小时。然后添加溶解在0.5mL甲苯中的化合物G 89mg，在105℃下搅拌2小时。再加入N，N-二乙基硫代氨基甲酸钠三水合物0.2g、离子交换水3mL，在65℃搅拌2小时。

将有机层和水层分离后，以2M盐酸约20mL(1次)、10重量％乙酸钠水溶液约20mL(1次)、离子交换水约20mL(3次)的顺序清洗有机层。将有机层滴加到约270mL甲醇中，使聚合物沉淀，将沉淀物过滤掉，之后进行干燥，得到固体。将该固体溶解在约30mL甲苯中，使溶液通过事先用甲苯洗涤了的硅胶/氧化铝色谱柱后，将该溶液滴加到约270mL的甲醇中，使聚合物沉淀，过滤沉淀物之后进行干燥，得到0.49g聚合物1。

化合物D

化合物E

化合物F

化合物G

聚合物1的聚苯乙烯换算的数均分子量及重均分子量分别为Mn＝3.2×10⁴、Mw＝7.8×10⁴。

根据初始原料的添加比，推测聚合物1为以下述式表示的比例具有上述单元的聚合物。

<合成例1>聚合物2的合成

在惰性氛围下，将化合物D(620mg、1.17mmol)、化合物H(733mg、1.17mmol)溶解在甲苯(21.6g)中，在其中添加四(三苯基膦)钯(27mg，0.0234mmol)，于室温下搅拌10分钟。然后添加四乙基氢氧化铵20％水溶液(4.2g)，升温，加热回流约17小时。反应后，添加苯基硼酸(214mg)，再加热回流1小时。之后，冷却至室温，在甲醇(204ml)中滴加反应物料，滤出析出的沉淀。将得到的沉淀用甲醇清洗，并进行减压干燥，得到固体物质。

然后，将得到的固体物质溶解在甲苯(51ml)中，使其通过填充有二氧化硅及氧化铝的色谱柱后，浓缩。将浓缩液加到甲醇(204ml)中，搅拌1小时，过滤析出的沉淀。将得到的沉淀用甲醇清洗，并进行减压干燥，得到780mg聚合物2。

化合物H

聚合物2的聚苯乙烯换算的数均分子量及重均分子量分别为Mn＝3.7×10⁴、Mw＝8.3×10⁴。

根据初始原料的添加比，推测聚合物2为以下述式表示的比例具有上述单元的聚合物。

<实施例3>

-发光元件的制作-

在通过溅射法以150nm厚形成有ITO膜的玻璃基板上，通过旋涂，以厚度为约80nm的方式使聚(3，4)乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(Bayer制，Baytron P AI4083)的悬浊液成膜，在加热板上于200℃下干燥10分钟。之后，使聚合物1以1.5重量％的浓度溶解在二甲苯中，使用得到的二甲苯溶液，通过旋涂，以厚度为约20nm的方式制膜。然后在氧浓度及水分浓度均为10ppm以下(重量基准)的氮气氛围中，于180℃下干燥15分钟。之后将聚合物2以1.5重量％的浓度溶解在二甲苯中，使用得到的二甲苯溶液，通过旋涂，以厚度为约80nm的方式制膜。然后在氧浓度及水分浓度均为10ppm以下(重量基准)的氮气氛围中，于130℃下干燥1小时。作为阴极，蒸镀约5nm钡、之后再蒸镀约80nm铝，制作高分子发光元件。元件构成是：ITO/Baytron P(约80nm)/聚合物1(约20nm)/聚合物2(约80nm)/Ba/Al。这里，在真空度达到1×10^-4Pa以下后，开始蒸镀金属。

如果对得到的高分子发光元件施加9.0V电压，则发出荧光波长的峰值(peaktop)为650nm的荧光，这时的亮度为972cd/m²。另外，在6V时，发光效率显示出最大值，为0.155cd/A。

<合成例2>

在连接有蛇形冷凝管的200mL三口圆底烧瓶中加入化合物D1.60g(3.0mmol)、化合物E 0.66g(1.2mmol)、化合物F 0.83g(1.8mmol)、甲苯23ml。在氮气氛围下，加热单体溶液，在50℃下添加乙酸钯1.2mg、三(2-甲氧基苯基)膦9.5mg、20重量％四乙基氢氧化铵水溶液10.2g。加热至105℃后搅拌4小时。然后添加溶解在1.5mL甲苯中的化合物G 267mg，在105℃下搅拌2小时。再加入N，N-二乙基硫代氨基甲酸钠三水合物0.6g、离子交换水9mL，在65℃搅拌2小时。

将有机层和水层分离后，以2M盐酸约70mL(1次)、10重量％乙酸钠水溶液约70mL(1次)、离子交换水约70mL(3次)的顺序清洗有机层。将有机层滴加到约800mL甲醇中，使聚合物沉淀，过滤沉淀物，之后进行干燥，得到固体。将该固体溶解在约90mL甲苯中，使溶液通过事先用甲苯洗涤了的硅胶/氧化铝色谱柱，之后将该溶液滴加到约800mL的甲醇中，使聚合物沉淀，过滤沉淀物，之后进行干燥，得到1.80g聚合物3。

聚合物3的聚苯乙烯换算的数均分子量及重均分子量分别为Mn＝9.9×10⁴、Mw＝2.4×10⁵。

根据初始原料的添加比，推测聚合物3为以下述式表示的比例具有上述单元的聚合物。

<比较例1>

-发光元件的制作-

在实施例3中，代替聚合物1，使用聚合物3，除此以外，与实施例3同样操作，制作高分子发光元件。

如果对得到的高分子发光元件施加9.0V电压，则发出荧光波长的峰值(peaktop)为650nm的荧光，这时的亮度为706cd/m²。另外，在6V时，发光效率显示出最大值，为0.120cd/A。

<合成例3>化合物I的合成

在三口反应容器(5L)中加入2，7-二溴-9-芴酮：

(338g、1mol)、3-巯基丙烷-1-磺酸钠(20g、0.1122mol)及甲苯(2.5L)。安装热电偶及冷凝器，安装机械搅拌器和搅拌桨。安装添加有三氟甲烷磺酸(165.01g、1.1mol)的滴液漏斗，并形成氮气氛围。在室温下搅拌，制作料浆，通过滴液漏斗，用53分钟滴加三氟甲烷磺酸。再用57分钟升温至45℃，保持该温度20小时。加入IsoparC(2L)，冷却至室温。使用玻璃滤器(容量2L)对得到的料浆进行减压过滤，以去离子水(1.25L)、乙醇(500ml)的顺序进行清洗。将得到的结晶直接在空气中进行干燥，得到432.7g的粗精制物。将其移至5L的反应容器中，安装机械搅拌器，加入活性炭(40g)、二氯甲烷(4L)，加热回流1小时。使用铺有硅胶的玻璃滤器进行热过滤，用热二氯甲烷(1.5L)清洗。将得到的二氯甲烷溶液浓缩至200ml，过滤掉生成的结晶，并进行干燥。重复进行相同的活性炭处理，得到化合物I的白色固体389.82g(收率77.3％)。结构由¹HNMR的测定结果决定。

化合物I

¹HNMR(300MHz，CDCl₃)：δ7.56(d，8.10Hz，2H)，7.47(s，2H)，7.45(d，8.10Hz，2H)，6.93-7.10(m，8H)，2.30(s，6H).

<合成例4>化合物J的合成

在三口圆底烧瓶(300ml)中放入搅拌子，安装冷凝器、热电偶。添加化合物I(10.0g)、双戊酰二硼(11.1g)、乙酸钾(11.7g)及1，4-二噁烷(169ml)。在室温下搅拌，添加1，1′-双(二苯基膦二茂铁)二氯钯(0.97g)、二苯基膦二茂铁，升温至110℃，搅拌8小时。冷却至室温后，将过滤后的溶液浓缩，并加入甲苯，作成溶液。通过填有硅胶的玻璃滤器后，进行浓缩。添加甲苯(50ml)，加热溶解，加入甲醇(150ml)，放置直至冷却至室温。过滤生成的结晶，并进行干燥，得到目的化合物J的淡黄色固体9.8g(收率84.3％、LC纯度99.0％)。

结构由¹HNMR的测定结果决定。

化合物J

¹HNMR(300MHz，CDCl₃)：δ7.74-7.85(m，6H)，7.05(d，7.58Hz，4H)，7.02(d，7.58Hz，4H)，2.28(s，6H)，1.30(s，24H).

<实施例4>聚合物4的合成方法

在100ml反应管中放入搅拌子，添加化合物J(1.1968g、0.0020mmol)、化合物I(0.2017g、0.0004mmol)、化合物C(0.2113g、0.0004mmol)、化合物F(0.5511g、0.0012mmol)及Aliquat336(0.26g、0.0006mmol)。在氮气氛围下加入甲苯(20ml)，边搅拌边加热至100℃。添加双(三苯基膦)二氯化钯(II)，搅拌30分钟后，滴加17.5％碳酸钠水溶液(5.4ml)。加热回流12小时，添加溶解在1mL甲苯中的化合物K(0.0244g、0.0002mmol)，搅拌4小时。冷却至80℃，再加入9.2％N，N-二乙基硫代氨基甲酸钠三水合物水溶液，搅拌2小时。将有机层和水层分离后，以离子交换水(26mL、2次)、3％醋酸水(26mL、2次)、离子交换水(26mL、2次)的顺序清洗有机层。将有机层滴加到甲醇(310mL)中，使聚合物沉淀，过滤沉淀物，之后进行干燥，得到固体。将该固体溶解在甲苯(62mL)中，使溶液通过事先用甲苯洗涤了的硅胶/氧化铝色谱柱，之后将该溶液滴加到甲醇(310mL)中，使聚合物沉淀，过滤沉淀物，之后进行干燥，得到1.05g聚合物4。

化合物K

聚合物4的聚苯乙烯换算的数均分子量及重均分子量分别为Mn＝7.8×10³、Mw＝2.2×10⁴。

根据初始原料的添加比，推测聚合物4为以下述式表示的比例具有上述单元的聚合物。

<实施例5>

-发光元件的制作-

在实施例3中，代替聚合物1，使用聚合物4，除此以外，与实施例3同样操作，制作高分子发光元件。

如果对得到的高分子发光元件施加9.0V电压，则发出荧光波长的峰值(peaktop)为665nm的荧光，这时的亮度为1050cd/m²。另外，在6V时，发光效率显示出最大值，为0.141cd/A。

产业上的利用可能性

对于本发明的高分子化合物而言，在制作发光元件时，在用于空穴输送层时，可以得到发光效率(即每单位电流的发光亮度)良好的发光元件，并且，在用作发光层时，可以用溶液涂布法层叠在发光层的上层部。另外，加热本发明的高分子化合物而制得的薄膜及层叠体具有热稳定性优异的特征。因此，本发明的高分子化合物可以作为电荷输送材料及发光材料。

因此，使用本发明的高分子化合物而成的发光元件可以用于曲面状光源、平面状光源等面状光源(例如照明等)；分段显示装置(例如，段式显示元件等)、点阵显示装置(例如点阵的平板显示器等)、液晶显示装置(例如，液晶显示装置、液晶显示器的背光灯等)等显示装置等。

本发明的高分子化合物除了优选用作这些制作中使用的材料以外，还优选用作激光用色素、有机太阳电池用材料、有机晶体管用有机半导体、导电性薄膜、有机半导体薄膜等导电性薄膜用材料、发荧光的发光性薄膜材料、高分子场效应晶体管的材料等。

Claims

1、一种高分子化合物，其具有下述式(1)所示的重复单元，

式中，R¹表示取代基，Q¹及Q²表示含有苯并环丁烷结构的基团，它们可以相同也可以不同；a表示0～3的整数；存在多个R¹时，它们可以相同也可以不同。

2、根据权利要求1所述的高分子化合物，其中，

上述式(1)所示的重复单元是下述式(1-1)所示的重复单元，

式中，R¹及R²表示取代基，它们可以相同也可以不同；a及b分别独立地表示0～3的整数；分别存在多个R¹及R²时，它们可以相同也可以不同。

3、根据权利要求2所述的高分子化合物，其中，

上述式(1-1)所示的重复单元是下述式(1-2)所示的重复单元，

式中，R¹、R²、a及b表示与上述相同的含义。

4、根据权利要求3所述的高分子化合物，其中，

上述式(1-2)所示的重复单元是下述式(1-3)所示的重复单元，

5、根据权利要求1～4中任一项所述的高分子化合物，其中，

还具有下述式(2)所示的重复单元，

-Ar₁- (2)

式中，Ar₁表示亚芳基、2价芳香族胺基或2价杂环基；其中，亚芳基不包括上述式(1)所示的基团。

6、根据权利要求5所述的高分子化合物，其中，

上述式(2)所示的重复单元是下述式(3)所示的重复单元，

式中，R³表示取代基；R⁴表示氢原子或取代基，其中，不包括含有苯并环丁烷结构的基团；c表示0～3的整数；存在多个R³时，它们可以相同也可以不同，2个R⁴可以相同也可以不同。

7、根据权利要求6所述的高分子化合物，其中，

c为0，R⁴为C₆～C₂₀的烷基。

8、根据权利要求6所述的高分子化合物，其中，

c为0，R⁴为可以具有取代基的芳基。

9、根据权利要求8所述的高分子化合物，其中，

芳基为苯基。

10、根据权利要求1～9中任一项所述的高分化合物，其中，

聚苯乙烯换算的数均分子量为10³～10⁸。

11、一种高分子组合物，其含有权利要求1～10中任一项所述的高分子化合物。

12、一种液态组合物，其特征在于，

含有权利要求1～10中任一项所述的高分子化合物或权利要求11所述的高分子组合物。

13、一种薄膜的制造方法，其中，

制作含有权利要求1～10中任一项所述的高分子化合物的层，并将该层加热至50℃以上。

14、一种薄膜，其使用权利要求1～10中任一项所述的高分子化合物制得。

15、一种层叠体的制造方法，其中，包含：

将含有权利要求1～10中任一项所述的高分子化合物的层和含有有机化合物的层进行层叠的工序；和

将该层叠得到的构件加热至50℃以上的工序。

16、一种层叠体，其特征在于，

所述层叠体是使用权利要求1～10中任一项所述的高分子化合物来制造的。

17、根据权利要求16所述的层叠体，其中，

层数为3以上。

18、一种有机晶体管，其特征在于，

具有权利要求14所述的薄膜或权利要求16或者17所述的层叠体。

19、一种太阳电池，其特征在于，

20、一种高分子发光元件，其中，

在由阳极及阴极构成的电极之间具有包含权利要求1～10中任一项所述的高分子化合物的层。

21、一种高分子发光元件，其特征在于，

在由阳极及阴极构成的电极之间具有权利要求14所述的薄膜或权利要求16或者17所述的层叠体。

22、根据权利要求20或21所述的高分子发光元件，其中，

在由阳极及阴极构成的电极之间具有发光层和电荷输送层，并且，该电荷输送层是含权利要求1～10中任一项所述的高分子化合物的层。

23、根据权利要求20或21所述的高分子发光元件，其中，

在由阳极及阴极构成的电极之间具有发光层和电荷输送层，在该电荷输送层和电极之间具有电荷注入层，并且，该电荷注入层是由权利要求1～10中任一项所述的高分子化合物得到的。

24、一种高分子化合物的制造方法，其具有上述式(1-2)所示的重复单元，其特征在于，

使下述式(4)所示的化合物聚合，

式中，X表示能参与聚合的取代基；2个X可以相同也可以不同；R¹、R²、a及b分别独立地表示与上述相同的含义。

25、根据权利要求24所述的制造方法，其中，

在上述式(4)中，X为-B(OH)₂、硼酸酯基、卤化镁、甲锡烷基、卤素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳基烷基磺酸酯基。

26、一种化合物，其由上述式(4)表示。