WO2011013597A1 - フラーレン誘導体 - Google Patents

フラーレン誘導体 Download PDF

Info

Publication number
WO2011013597A1
WO2011013597A1 PCT/JP2010/062485 JP2010062485W WO2011013597A1 WO 2011013597 A1 WO2011013597 A1 WO 2011013597A1 JP 2010062485 W JP2010062485 W JP 2010062485W WO 2011013597 A1 WO2011013597 A1 WO 2011013597A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
group
fullerene derivative
formula
anode
cathode
Prior art date
Application number
PCT/JP2010/062485
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
上谷保則
藤原淳
Original Assignee
住友化学株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 住友化学株式会社 filed Critical 住友化学株式会社
Priority to US13/386,988 priority Critical patent/US8673958B2/en
Priority to EP10804343A priority patent/EP2460795A4/en
Publication of WO2011013597A1 publication Critical patent/WO2011013597A1/ja

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/56Ring systems containing three or more rings
    • C07D209/58[b]- or [c]-condensed
    • C07D209/70[b]- or [c]-condensed containing carbocyclic rings other than six-membered
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15Nano-sized carbon materials
    • C01B32/152Fullerenes
    • C01B32/156After-treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/56Ring systems containing three or more rings
    • C07D209/80[b, c]- or [b, d]-condensed
    • C07D209/94[b, c]- or [b, d]-condensed containing carbocyclic rings other than six-membered
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D487/00Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
    • C07D487/02Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D487/06Peri-condensed systems
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/211Fullerenes, e.g. C60
    • H10K85/215Fullerenes, e.g. C60 comprising substituents, e.g. PCBM
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/50Photovoltaic [PV] devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present invention relates to a fullerene derivative and an organic photoelectric conversion element using the fullerene derivative.
  • organic semiconductor materials having charge (electron, hole) transport properties to organic photoelectric conversion elements have been studied.
  • organic solar cells using fullerene derivatives are considered.
  • fullerene derivatives for example, [6,6] -phenyl C61-butyric acid methyl ester (hereinafter sometimes referred to as [60] -PCBM) is known (see Advanced Functional Materials Vol. 13 (2003) p85). ).
  • an organic photoelectric conversion element including [60] -PCBM has a problem that Voc (open end voltage) is not always sufficient.
  • the present invention provides an organic photoelectric conversion element having a high Voc (open end voltage). That is, the present invention provides a fullerene derivative having a partial structure represented by the formula (1). [Wherein R represents a monovalent group. r represents an integer of 0 to 4. ]
  • R in Formula (1) represents a monovalent group, and specific examples have an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, a halogen atom, a heterocyclic group, a group represented by Formula (3), or an ester structure. It is a group.
  • the alkyl group for R usually has 1 to 20 carbon atoms, and may be linear or branched, and may be cyclic (cycloalkyl).
  • alkyl group examples include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, sec-butyl group, 3-methylbutyl group, pentyl group, hexyl group and 2-ethylhexyl.
  • the monovalent group may be a group in which a hydrogen atom in the alkyl group is substituted with a halogen atom, and specific examples include a monohalomethyl group, a dihalomethyl group, a trihalomethyl group, and a pentahaloethyl group.
  • a fluorine atom is preferred.
  • Specific examples of the alkyl group in which a hydrogen atom is substituted with a fluorine atom include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a perfluorobutyl group, a perfluorohexyl group, and a perfluorooctyl group.
  • the alkoxy group for R usually has 1 to 20 carbon atoms, may be linear or branched, and may be a cycloalkyloxy group.
  • Specific examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, propoxy group, isopropoxy group, butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group, tert-butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, cyclohexyloxy group, heptyl Examples thereof include an oxy group, an octyloxy group, a 2-ethylhexyloxy group, a nonyloxy group, a decyloxy group, a 3,7-dimethyloctyloxy group, and a lauryloxy group.
  • the monovalent group may be a group in which a hydrogen atom in the alkoxy group is substituted with a halogen atom.
  • a fluorine atom is preferred.
  • Specific examples of the alkoxy group in which a hydrogen atom is substituted with a fluorine atom include a trifluoromethoxy group, a pentafluoroethoxy group, a perfluorobutoxy group, a perfluorohexyloxy group, and a perfluorooctyloxy group.
  • the aryl group of R is a hydrocarbon group that is an aromatic ring, and usually has 6 to 60 carbon atoms.
  • substituents include a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cyclic alkyl group having 3 to 20 carbon atoms (cycloalkyl group), and 1 to Examples include alkoxy groups and halogen atoms containing 20 linear, branched or cyclic alkyl groups in the structure.
  • aryl group examples include a phenyl group, a C 1 to C 12 alkoxyphenyl group (C 1 to C 12 represents 1 to 12 carbon atoms, and the same shall apply hereinafter), C 1 to C Examples thereof include a 12 alkylphenyl group, a 1-naphthyl group, and a 2-naphthyl group, preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and more preferably a C 1 to C 12 alkoxyphenyl group and a C 1 to C 12 alkylphenyl group.
  • halogen atoms a fluorine atom is preferred.
  • Examples of the halogen atom for R include fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms.
  • examples of the heterocyclic group for R include a thienyl group, a pyridyl group, a furyl group, a piperidyl group, a quinolyl group, an isoquinolyl group, and a pyrrolyl group.
  • a monovalent aromatic heterocyclic group is preferred.
  • Examples of the group having an R ester structure include a group obtained by removing one hydrogen atom from methyl butyrate, a group obtained by removing one hydrogen atom from butyl butyrate, and a group obtained by removing one hydrogen atom from isopropyl butyrate.
  • a group having an ester structure is a group represented by Formula (4).
  • s represents an integer of 0 to 10.
  • q represents an integer of 0 to 10.
  • the monovalent group of R may be a group represented by the formula (3). From the viewpoint of solubility of the fullerene derivative, R is preferably a group represented by the formula (3).
  • m represents an integer of 1 to 6
  • n represents an integer of 1 to 4
  • p represents an integer of 0 to 5.
  • m in these structures may be the same numerical value or different numerical values.
  • m is preferably 2 from the viewpoint of availability of raw materials.
  • p is preferably an integer of 0 to 3.
  • the fullerene derivative of the present invention preferably has 1 to 4 structures represented by the formula (1). From the viewpoint of ease of synthesis, it is more preferable to have one or two structures represented by the formula (1).
  • the C60 fullerene derivative include the following compounds.
  • the C60 ring represents a fullerene ring having 60 carbon atoms.
  • specific examples of the C70 fullerene derivative include the following compounds.
  • the C70 ring represents a fullerene ring having 70 carbon atoms.
  • the fullerene derivative represented by Formula (2a) or Formula (2b) is preferable. [Wherein, A ring represents a fullerene skeleton having 60 or more carbon atoms. R and r represent the same meaning as described above.
  • a ring represents a fullerene skeleton having 60 or more carbon atoms.
  • R and r represent the same meaning as described above.
  • a plurality of R may be the same or different.
  • a plurality of r may be the same or different.
  • the A ring is preferably C 60 fullerene or C 70 fullerene.
  • the organic photoelectric conversion element manufactured using the fullerene derivative of the present invention has high photoelectric conversion efficiency.
  • the fullerene derivative of the present invention is, for example, a 1,3-dipolar cycloaddition reaction between an iminium cation generated by decarboxylation from an imine formed from a glycine derivative and an aldehyde, and fullerene (Prato reaction, Accounts of Chemical Research Vol. 31 1998, pages 519-526).
  • Examples of the glycine derivative used here include N-methoxymethylglycine and N- (2- (2-methoxyethoxy) ethyl) glycine.
  • the amount of the glycine derivative used is usually in the range of 0.1 to 10 mol, preferably 0.5 to 3 mol, relative to 1 mol of fullerene.
  • the formula (5) The aldehyde represented by these is mentioned.
  • the amount of aldehyde to be used is usually within a range of 0.1 to 10 mol, preferably 0.5 to 4 mol, relative to 1 mol of fullerene.
  • the synthesis reaction of the fullerene derivative of the present invention is carried out in a solvent.
  • a solvent inert to the synthesis reaction such as toluene, xylene, hexane, octane, chlorobenzene and the like is used.
  • the amount of the solvent used is usually in the range of 1 to 100000 times the weight of fullerene.
  • a glycine derivative, an aldehyde, and fullerene may be mixed in a solvent and reacted by heating.
  • the reaction temperature is usually in the range of 50 to 350 ° C.
  • the reaction time is usually 30 minutes to 50 hours.
  • the reaction mixture is allowed to cool to room temperature, the solvent is distilled off under reduced pressure with a rotary evaporator, and the resulting solid is separated and purified by silica gel flash column chromatography to obtain the desired fullerene derivative. Since the compound having a benzocyclobutene structure contained in the formula (1) has thermal crosslinkability, the fullerene derivative of the present invention can be crosslinked by heating.
  • the present invention also provides a composition comprising the fullerene derivative and an electron donating compound.
  • the electron-donating compound is a polymer compound such as polyvinyl carbazole and derivatives thereof, polysilane and derivatives thereof, and polysiloxane derivatives having an aromatic amine in the side chain or main chain from the viewpoint of coating and using the composition.
  • the electron donating compound is preferably a polymer compound having a repeating unit selected from the group consisting of formula (10) and formula (11) from the viewpoint of conversion efficiency, and is represented by formula (10). More preferably, the polymer compound has a repeating unit.
  • R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , R 10 , R 11 , R 12 , R 13 , R 14 and R 15 are the same or different and are a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group or an aryl group. Represents a group.
  • R 6 and R 7 are alkyl groups include the same alkyl groups as those exemplified above for R.
  • R 6 and R 7 are alkoxy groups include the same alkoxy groups as those exemplified above for R.
  • R 6 and R 7 are aryl groups include the same aryl groups as those exemplified above for R.
  • R 6 and R 7 are preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and more preferably an alkyl group having 4 to 8 carbon atoms. preferable.
  • R 8 to R 15 are alkyl groups include the same alkyl groups as those exemplified above for R.
  • R 8 to R 15 are alkoxy groups include the same alkoxy groups as those exemplified above for R.
  • R 8 to R 15 are aryl groups include the same aryl groups as those exemplified above for R.
  • R 10 to R 15 are preferably hydrogen atoms from the viewpoint of ease of monomer synthesis.
  • R 8 and R 9 are preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and an alkyl group having 5 to 8 carbon atoms or 6 carbon atoms. More preferred is an aryl group of ⁇ 15.
  • the fullerene derivative contained in the composition of the present invention is preferably 10 to 1000 parts by weight, and more preferably 50 to 500 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the electron donating compound.
  • the present invention also provides an organic photoelectric conversion device, and the organic photoelectric conversion device includes a pair of electrodes, at least one of which is transparent or translucent, and a layer containing the fullerene derivative used in the present invention between the electrodes.
  • the fullerene derivative used in the present invention can be used as an electron-accepting compound or an electron-donating compound, but is preferably used as an electron-accepting compound.
  • Light energy incident from a transparent or translucent electrode is absorbed by the electron-accepting compound and / or the electron-donating compound to generate excitons in which electrons and holes are combined.
  • excitons move and reach the heterojunction interface where the electron-accepting compound and the electron-donating compound are adjacent to each other, electrons and holes are separated due to the difference in HOMO energy and LUMO energy at the interface.
  • Electric charges (electrons and holes) that can move are generated. The generated charges can be taken out as electric energy (current) by moving to the electrodes.
  • organic photoelectric conversion element of the present invention As a specific example of the organic photoelectric conversion element of the present invention, 1. A pair of electrodes, at least one of which is transparent or translucent, a first layer provided between the electrodes and containing the fullerene derivative of the present invention as an electron-accepting compound, and provided adjacent to the first layer An organic photoelectric conversion element comprising a second layer containing an electron donating compound, 2. An organic photoelectric sensor comprising a pair of electrodes, at least one of which is transparent or translucent, and at least one layer provided between the electrodes and containing the fullerene derivative of the present invention and an electron-donating compound as an electron-accepting compound. Conversion element, 3.
  • a pair of electrodes at least one of which is transparent or translucent, a first layer formed between the electrodes by heating and crosslinking the fullerene derivative of the present invention, and provided adjacent to the first layer
  • An organic photoelectric conversion element comprising a second layer containing the electron donating compound obtained, 4).
  • a layer formed by heating a composition of the present invention comprising a pair of electrodes, at least one of which is transparent or translucent, and a fullerene derivative and an electron donating compound provided between the electrodes, and crosslinking the fullerene derivative.
  • An organic photoelectric conversion element comprising at least one layer, Either of these is preferable. From the viewpoint of including many heterojunction interfaces, the organic photoelectric conversion element of 2 is preferable.
  • the organic photoelectric conversion element of this invention may provide an additional layer in the organic photoelectric conversion element of this invention between at least one electrode and the layer containing the fullerene derivative used for this invention.
  • the additional layer include a charge transport layer that transports holes or electrons.
  • the ratio of the fullerene derivative in the organic layer containing the fullerene derivative and the electron donating compound is preferably 10 to 1000 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the electron donating compound. 50 to 500 parts by weight is more preferable.
  • the organic layer containing the fullerene derivative and the electron donating compound can be produced using a composition containing the fullerene derivative and the electron donating compound.
  • the layer containing a fullerene derivative that can be used in the organic photoelectric conversion element of the present invention is preferably formed from an organic thin film containing the fullerene derivative.
  • the thickness of the organic thin film is usually 1 nm to 100 ⁇ m, preferably 2 nm to 1000 nm, more preferably 5 nm to 500 nm, and further preferably 20 nm to 200 nm.
  • One method for producing a layer formed by crosslinking a fullerene derivative used in the organic photoelectric conversion elements 3 and 4 described above includes a solution containing the fullerene derivative of the present invention and a solvent on one electrode (on an anode or on a cathode). ) To form an organic layer, and then the organic layer is heated.
  • a layer formed by crosslinking a fullerene derivative functions as an active layer.
  • the layer formed by crosslinking the fullerene derivative may be formed from an organic thin film containing a crosslinked fullerene derivative.
  • the thickness of the organic thin film is usually 1 nm to 100 ⁇ m, preferably 2 nm to 1000 nm, more preferably 5 nm to 500 nm, and further preferably 20 nm to 200 nm.
  • the organic photoelectric conversion element of the present invention is usually formed on a substrate.
  • the material of the substrate may be any material that does not chemically change when the electrode is formed and the organic layer is formed.
  • the material for the substrate include glass, plastic, polymer film, and silicon.
  • the opposite electrode ie, the electrode farther from the substrate
  • the transparent or translucent electrode include a conductive metal oxide film and a translucent metal thin film.
  • indium oxide, zinc oxide, tin oxide, and a composite film thereof (NESA) manufactured using a conductive material made of indium / tin / oxide (ITO), indium / zinc / oxide, or the like.
  • the method for producing the electrode examples include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a plating method, and the like.
  • organic transparent conductive films such as polyaniline and its derivative (s), polythiophene, and its derivative (s) as an electrode material.
  • the electrode material one of the pair of electrodes is preferably a material having a small work function.
  • An electrode including a material having a low work function may be transparent or translucent.
  • Examples of the material include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, magnesium, calcium, strontium, barium, aluminum, scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, europium, terbium, ytterbium, and the like, And alloys of two or more of them, or one or more of them and one or more of gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten, tin, graphite or graphite Intercalation compounds are used.
  • the alloy examples include magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, magnesium-aluminum alloy, indium-silver alloy, lithium-aluminum alloy, lithium-magnesium alloy, lithium-indium alloy, and calcium-aluminum alloy.
  • the additional layer that may be provided between the electrode and the layer containing the fullerene derivative used in the present invention may be a buffer layer.
  • the material used as the buffer layer may be an alkali metal such as lithium fluoride. And alkaline earth metal halides and oxides such as titanium oxide. When an inorganic semiconductor is used, it can be used in the form of fine particles.
  • the method for producing the organic thin film is not particularly limited, and examples thereof include a method by film formation from a solution containing the fullerene derivative used in the present invention.
  • the solvent used for film formation from a solution is not particularly limited as long as it can dissolve the fullerene derivative used in the present invention.
  • the solvent include hydrocarbon solvents such as toluene, xylene, mesitylene, tetralin, decalin, bicyclohexyl, butylbenzene, sec-butylbesen, and tert-butylbenzene, carbon tetrachloride, chloroform, dichloromethane, dichloroethane, chlorobutane, and bromobutane.
  • Halogenated saturated hydrocarbon solvents such as chloropentane, bromopentane, chlorohexane, bromohexane, chlorocyclohexane, bromocyclohexane, halogenated unsaturated hydrocarbon solvents such as chlorobenzene, dichlorobenzene, trichlorobenzene, tetrahydrofuran, tetrahydropyran, etc.
  • An ether solvent is mentioned.
  • the fullerene derivative can usually be dissolved in the solvent in an amount of 0.1% by weight or more.
  • the solution may further contain a polymer compound. Specific examples of the solvent used in the solution include the above-mentioned solvents.
  • an aromatic hydrocarbon solvent is preferable, and toluene, xylene, and mesitylene are more preferable.
  • spin coating method, casting method, micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method, dip coating method, spray coating method, screen printing method, flexographic method Coating methods such as a printing method, an offset printing method, an ink jet printing method, a dispenser printing method, a nozzle coating method, a capillary coating method can be used, and a spin coating method, a flexographic printing method, an ink jet printing method, and a dispenser printing method are preferable.
  • the organic photoelectric conversion element By irradiating light such as sunlight from a transparent or translucent electrode, the organic photoelectric conversion element generates a photovoltaic force between the electrodes and can be operated as an organic thin film solar cell. It can also be used as an organic thin film solar cell module by integrating a plurality of organic thin film solar cells. In addition, by applying light from a transparent or translucent electrode in a state where a voltage is applied between the electrodes, a photocurrent flows and it can be operated as an organic photosensor. It can also be used as an organic image sensor by integrating a plurality of organic photosensors.
  • Example 1 (Synthesis of fullerene derivative A) (Synthesis of benzyl [2- (2-hydroxyethoxy) ethylamino] acetate) [First Step]: Bromoacetic acid (20.8 g, 150 mmol), benzyl alcohol (16.2 g, 150 mmol), paratoluenesulfonic acid (258 mg, 1.5 mmol), benzene in a two-necked flask equipped with a Dean-Stark trap (300 mL) was added and dehydration condensation was performed at 120 ° C. for 24 hours.
  • fullerene derivative A by NMR
  • Example 2 (Production and evaluation of organic thin-film solar cells) Regioregular poly-3-hexylthiophene (manufactured by Aldrich, lot number: 09007 KH) as an electron donor was dissolved in chlorobenzene at a concentration of 1% (weight%). Thereafter, the fullerene derivative A was mixed into the solution as an electron acceptor so as to have an equal weight with respect to the weight of the electron donor. Subsequently, it filtered with the Teflon (trademark) filter with the hole diameter of 1.0 micrometer, and produced the application
  • the coating solution was applied by spin coating to obtain an active layer (film thickness of about 100 nm) of the organic thin film solar cell. Thereafter, baking was performed for 10 minutes under a condition of 130 ° C. in a nitrogen atmosphere. Then, lithium fluoride was vapor-deposited with a thickness of 4 nm by a vacuum vapor deposition machine, and then Al was vapor-deposited with a thickness of 100 nm. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 1 to 9 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa in all cases. Moreover, the shape of the obtained organic thin-film solar cell was a regular square of 2 mm ⁇ 2 mm.
  • the open-circuit voltage and photoelectric conversion efficiency of the obtained organic thin-film solar cell were irradiated with constant light using a solar simulator (trade name OTENTO-SUNII: AM1.5G filter, irradiance 100 mW / cm 2 , manufactured by Spectrometer Co., Ltd.). The generated current and voltage were measured and obtained. Table 1 shows the results of the open-circuit voltage. The photoelectric conversion efficiency was 3.0%.
  • Example 3 (Production and evaluation of organic thin-film solar cells) The open circuit voltage was measured in the same manner as in Example 2 except that the fullerene derivative A in Example 2 was replaced with a fullerene derivative having two or more structures represented by the formula (12) produced in Example 1. did. The results are shown in Table 1.
  • Comparative Example 1 (Production and evaluation of organic thin-film solar cells) The same operation as in Example 2 was performed except that the fullerene derivative A in Example 2 was replaced with [60] -PCBM (Phenyl C61-butyric acid methyl ester, manufactured by Frontier Carbon Corporation, trade name E100, lot number: 9A0104A). The open circuit voltage was measured. Table 1 shows the result of the open circuit voltage. The photoelectric conversion efficiency was 2.6%.
  • the fullerene derivative of the present invention can be applied to an organic photoelectric conversion device having a high open-circuit voltage, it is suitable for an organic thin film solar cell or an organic photosensor and is extremely useful.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
  • Indole Compounds (AREA)

Abstract

式(1) [式中、Rは1価の基を表す。rは0~4の整数を表す。] で表される部分構造を有するフラーレン誘導体、特に、式(1)で表される部分構造を1~4個有するフラーレン誘導体は、開放端電圧が高い有機光電変換素子に適用できるため、有機薄膜太陽電池用又は有機光センサー用に好適であり、極めて有用である。

Description

フラーレン誘導体
 本発明は、フラーレン誘導体及びそれを用いた有機光電変換素子に関する。
 電荷(電子、ホール)輸送性を有する有機半導体材料は、有機光電変換素子(有機太陽電池、光センサー等)等への適用が検討されており、例えば、フラーレン誘導体を用いた有機太陽電池が検討されている。フラーレン誘導体としては、例えば、[6,6]−フェニルC61−酪酸メチルエステル(以下、[60]−PCBMということがある。)が知られている(Advanced Functional Materials Vol.13(2003)p85参照)。
 しかし、[60]−PCBMを含む有機光電変換素子は、Voc(開放端電圧)が必ずしも十分でないという問題点がある。
 本発明は、Voc(開放端電圧)が高い有機光電変換素子を提供する。
 即ち、本発明は式(1)で表される部分構造を有するフラーレン誘導体を提供する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000008
[式中、Rは1価の基を表す。rは0~4の整数を表す。]
 以下、本発明を詳細に説明する。
 本発明のフラーレン誘導体は前記式(1)で表される部分構造を有する。式(1)中のRは、1価の基を表し、具体例は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ハロゲン原子、複素環基、式(3)で表される基又はエステル構造を有する基である。
 Rのアルキル基は、炭素数が通常1~20であり、直鎖状でも分岐状でもよく、また環状(シクロアルキル)でもよい。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、sec−ブチル基、3−メチルブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基及びラウリル基が挙げられる。1価の基は、前記アルキル基中の水素原子はハロゲン原子で置換されたものでもよく、具体的には、モノハロメチル基、ジハロメチル基、トリハロメチル基及びペンタハロエチル基が挙げられる。ハロゲン原子の中では、フッ素原子が好ましい。フッ素原子で水素原子が置換されたアルキル基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基及びパーフルオロオクチル基が挙げられる。
 Rのアルコキシ基は、炭素数が通常1~20であり、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルオキシ基であってもよい。アルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシ基及びラウリルオキシ基が挙げられる。1価の基は、前記アルコキシ基中の水素原子がハロゲン原子で置換されたものでもよい。ハロゲン原子の中では、フッ素原子が好ましい。フッ素原子で水素原子が置換されたアルコキシ基の具体例としては、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基及びパーフルオロオクチルオキシ基が挙げられる。
 Rのアリール基は、芳香環である炭化水素基であり、炭素数は通常6~60である。置換基を有していてもよく、置換基としては、炭素数1~20の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基又は炭素数3~20の環状アルキル基(シクロアルキル基)、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基をその構造中に含むアルコキシ基及びハロゲン原子が挙げられる。アリール基の具体例としては、フェニル基、C~C12アルコキシフェニル基(C~C12は、炭素数1~12であることを示す。以下も同様である。)、C~C12アルキルフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基が挙げられ、炭素数6~20のアリール基が好ましく、C~C12アルコキシフェニル基、C~C12アルキルフェニル基がより好ましい。ハロゲン原子の中では、フッ素原子が好ましい。
 Rのハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、沃素の各原子が挙げられる。
 Rの複素環基としては、例えば、チエニル基、ピリジル基、フリル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基及びピロリル基が挙げられる。1価の芳香族複素環基が好ましい。
 Rのエステル構造を有する基としては、例えば、酪酸メチルから1個の水素原子を除いた基、酪酸ブチルから1個の水素原子を除いた基、酪酸イソプロピルから1個の水素原子を除いた基、及び酪酸3−エチルチエニルから1個の水素原子を除いた基が挙げられる。
 また、エステル構造を有する基の一態様は、式(4)で表される基である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000009
[式中、sは0~10の整数を表す。qは0~10の整数を表す。]
 Rの1価の基は、式(3)で表される基であってもよい。フラーレン誘導体の溶解性の観点から、Rは式(3)で表される基が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000010
[式中、mは1~6の整数を、nは1~4の整数を、pは0~5の整数を表す。−(CH−)−O−で表される構造が複数個ある場合、それらの構造におけるmは、同一の数値であっても相異なる数値であってもよい。]
 式(3)において、原料の入手性の観点から、mは2が好ましい。電荷輸送性の観点から、pは0~3の整数が好ましい。
 本発明のフラーレン誘導体は、式(1)で表される構造を1~4個有することが好ましい。合成の容易さの観点から、式(1)で表される構造を1個又は2個有することがより好ましい。
 本発明のフラーレン誘導体において、C60フラーレンの誘導体の具体例としては、下記化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000011
上記化合物中、C60環は、炭素数60のフラーレン環を表す。
 本発明のフラーレン誘導体において、C70フラーレンの誘導体の具体例としては、下記化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000012
上記化合物中、C70環は、炭素数70のフラーレン環を表す。
 本発明のフラーレン誘導体としては、式(2a)又は式(2b)で表されるフラーレン誘導体が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000013
[式中、A環は炭素数60以上のフラーレン骨格を表す。R及びrは、前述と同じ意味を表す。]
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000014
[式中、A環は炭素数60以上のフラーレン骨格を表す。R及びrは、前述と同じ意味を表す。複数個あるRは、同一でも相異なってもよい。複数個あるrは、同一でも相異なってもよい。]
 式(2a)及び式(2b)において、原料の入手性の観点から、A環はC60フラーレン、C70フラーレンであることが好ましい。
 本発明のフラーレン誘導体を用いて製造した有機光電変換素子は、光電変換効率が高くなる。
 本発明のフラーレン誘導体は、例えば、グリシン誘導体とアルデヒドより生成するイミンから脱炭酸により生じるイミニウムカチオンと、フラーレンとの1,3−双極子環化付加反応(Prato反応、Accounts of Chemical Research Vol.31 1998 519−526ページ)により合成することができる。ここで用いられるグリシン誘導体としては、N−メトキシメチルグリシン、N−(2−(2−メトキシエトキシ)エチル)グリシンが挙げられる。該グリシン誘導体の使用量は、フラーレン1モルに対して、通常0.1~10モル、好ましくは0.5~3モルの範囲である。もう一つの原料であるアルデヒドとしては、式(5)
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000015
で表されるアルデヒドが挙げられる。アルデヒドの使用量は、フラーレン1モルに対して、通常0.1~10モル、好ましくは0.5~4モルの範囲内である。
 通常、本発明のフラーレン誘導体の合成反応は、溶媒中で行なわれる。該溶媒としては、トルエン、キシレン、ヘキサン、オクタン、クロルベンゼンなど、該合成反応に対して不活性な溶媒が用いられる。該溶媒の使用量は、フラーレンに対して通常1~100000重量倍の範囲内である。
 反応に際しては、例えば溶媒中でグリシン誘導体とアルデヒドとフラーレンとを混合し加熱反応させればよく、反応温度は、通常50~350℃の範囲内である。反応時間は、通常、30分間から50時間である。
 加熱反応後、反応混合物を室温まで放冷し,溶媒をロータリーエバポレーターで減圧留去し、得られた固形物をシリカゲルフラッシュカラムクロマトグラフィーで分離精製して目的とするフラーレン誘導体を得ることができる。
 式(1)中に含まれるベンゾシクロブテン構造を有する化合物は熱架橋性を有するため、本発明のフラーレン誘導体を加熱して架橋させることができる。有機光電変換素子の熱安定性を増す観点から、本発明のフラーレン誘導体を加熱して架橋させることが好ましい。
 前記フラーレン誘導体は、電子供与性化合物と共に有機光電変換素子に用いることができることから、本発明は、前記フラーレン誘導体と電子供与性化合物とを含む組成物をも提供する。
 該電子供与性化合物は、該組成物を塗布して使用する観点から、高分子化合物、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が好ましい。
 また、該電子供与性化合物は、変換効率の観点からは、式(10)及び式(11)からなる群から選ばれる繰り返し単位を有する高分子化合物であることが好ましく、式(10)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物であることがより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000016
[式中、R、R、R、R、R10、R11、R12、R13、R14及びR15は、同一又は相異なり、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基を表す。]
 式(10)中、R及びRがアルキル基である場合の具体例としては、前述のRの例示と同じアルキル基が挙げられる。R及びRがアルコキシ基である場合の具体例としては、前述のRの例示と同じアルコキシ基が挙げられる。R及びRがアリール基である場合の具体例としては、前述のRの例示と同じアリール基が挙げられる。
 式(10)中、変換効率の観点からは、R及びRの少なくとも一方が、炭素数1~20のアルキル基であることが好ましく、炭素数4~8のアルキル基であることがより好ましい。
 式(11)中、R~R15がアルキル基である場合の具体例としては、前述のRの例示と同じアルキル基が挙げられる。R~R15がアルコキシ基である場合の具体例としては、前述のRの例示と同じアルコキシ基が挙げられる。R~R15がアリール基である場合の具体例としては、前述のRの例示と同じアリール基が挙げられる。
 式(11)中、モノマーの合成の行い易さの観点からは、R10~R15は水素原子であることが好ましい。また、変換効率の観点からは、R及びRは炭素数1~20のアルキル基又は炭素数6~20のアリール基であることが好ましく、炭素数5~8のアルキル基又は炭素数6~15のアリール基であることがより好ましい。
 本発明の組成物に含まれるフラーレン誘導体は、電子供与性化合物100重量部に対して、10~1000重量部であることが好ましく、50~500重量部であることがより好ましい。
 本発明は有機光電変換素子も提供し、該有機光電変換素子は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極と、該電極間に本発明に用いられるフラーレン誘導体を含む層を有する。本発明に用いられるフラーレン誘導体は、電子受容性化合物として用いることも電子供与性化合物として用いることもできるが、電子受容性化合物として用いることが好ましい。
 次に、有機光電変換素子の動作機構を説明する。透明又は半透明の電極から入射した光エネルギーが電子受容性化合物及び/又は電子供与性化合物で吸収され、電子とホールの結合した励起子を生成する。生成した励起子が移動して、電子受容性化合物と電子供与性化合物が隣接しているヘテロ接合界面に達すると界面でのそれぞれのHOMOエネルギー及びLUMOエネルギーの違いにより電子とホールが分離し、独立に動くことができる電荷(電子とホール)が発生する。発生した電荷は、それぞれ電極へ移動することにより外部へ電気エネルギー(電流)として取り出すことができる。
 本発明の有機光電変換素子の具体的としては、
1.少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極と、該電極間に設けられ電子受容性化合物として本発明のフラーレン誘導体を含有する第一の層と、該第一の層に隣接して設けられた電子供与性化合物を含有する第二の層とを有することを特徴とする有機光電変換素子、
2.少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極と、該電極間に設けられ電子受容性化合物として本発明のフラーレン誘導体及び電子供与性化合物を含有する層を少なくとも一層有することを特徴とする有機光電変換素子、
3.少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極と、該電極間に設けられ本発明のフラーレン誘導体を加熱して架橋させて形成した第一の層と、該第一の層に隣接して設けられた電子供与性化合物を含有する第二の層とを有することを特徴とする有機光電変換素子、
4.少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極と、該電極間に設けられフラーレン誘導体と電子供与性化合物とを含む本発明の組成物を加熱し、該フラーレン誘導体を架橋させて形成した層を少なくとも一層有することを特徴とする有機光電変換素子、
のいずれかが好ましい。
 ヘテロ接合界面を多く含むという観点からは、前記2の有機光電変換素子が好ましい。また、本発明の有機光電変換素子には、少なくとも一方の電極と本発明に用いられるフラーレン誘導体を含む層との間に付加的な層を設けてもよい。付加的な層としては、例えば、ホール又は電子を輸送する電荷輸送層が挙げられる。
 前記2の有機光電変換素子おいて、フラーレン誘導体及び電子供与性化合物を含有する有機層におけるフラーレン誘導体の割合が、電子供与性化合物100重量部に対して、10~1000重量部であることが好ましく、50~500重量部であることがより好ましい。
 前記2の有機光電変換素子おいて、フラーレン誘導体及び電子供与性化合物を含有する有機層は、フラーレン誘導体と電子供与性化合物とを含む組成物を用いて製造することができる。
 本発明の有機光電変換素子に用いることができるフラーレン誘導体を含む層は、該フラーレン誘導体を含む有機薄膜から形成されていることが好ましい。該有機薄膜の厚さは、通常、1nm~100μmであり、好ましくは2nm~1000nmであり、より好ましくは5nm~500nmであり、さらに好ましくは20nm~200nmである。
 前記3、4の有機光電変換素子に用いられるフラーレン誘導体を架橋させて形成した層の一つの製造方法は、本発明のフラーレン誘導体と溶媒とを含む溶液を一方の電極上(陽極上又は陰極上)に塗布して有機層を形成し、次いで、該有機層を加熱する方法である。また、他の製造方法としては、本発明の組成物と溶媒とを含む溶液を一方の電極上に塗布して有機層を形成し、次いで、該有機層を加熱する方法がある。これらの有機光電変換素子の一態様において、フラーレン誘導体を架橋させて形成した層は活性層として機能する。
 フラーレン誘導体を架橋させて形成した層は、架橋したフラーレン誘導体を含む有機薄膜から形成されていてもよい。該有機薄膜の厚さは、通常、1nm~100μmであり、好ましくは2nm~1000nmであり、より好ましくは5nm~500nmであり、さらに好ましくは20nm~200nmである。
 本発明の有機光電変換素子は、通常、基板上に形成される。この基板の材料は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に化学的に変化しないものであればよい。基板の材料としては、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコンが挙げられる。不透明な基板の場合、反対の電極(即ち、基板から遠い方の電極)が透明又は半透明である。
 透明又は半透明の電極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性材料を用いて作製された膜(NESA等)や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ITO、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。電極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。
 また、電極材料として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。
 電極材料としては、好ましくは一対の電極のうち一方の電極は仕事関数の小さい材料が好ましい。仕事関数の小さい材料を含む電極は、透明又は半透明であってもよい。該材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びそれらのうち2つ以上の合金、又はそれらのうち1つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち1つ以上との合金、グラファイト又はグラファイト層間化合物が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。
 電極と本発明に用いられるフラーレン誘導体を含む層との間に設けてもよい付加的な層は、バッファ層であってもよく、バッファ層として用いられる材料としては、フッ化リチウム等のアルカリ金属、アルカリ土類金属のハロゲン化物、酸化チタン等の酸化物等が挙げられる。また、無機半導体を用いる場合、微粒子の形態で用いることもできる。
 前記有機薄膜の製造方法は、特に制限されず、例えば、本発明に用いられるフラーレン誘導体を含む溶液からの成膜による方法が挙げられる。
 溶液からの成膜に用いる溶媒は、本発明に用いられるフラーレン誘導体を溶解させるものであれば特に制限はない。この溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ビシクロヘキシル、ブチルベンゼン、sec−ブチルベゼン、tert−ブチルベンゼン等の炭化水素溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロゲン化飽和炭化水素溶媒、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化不飽和炭化水素溶媒、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等のエーテル溶媒が挙げられる。前記フラーレン誘導体は、通常、前記溶媒に0.1重量%以上溶解させることができる。
 前記溶液は、さらに高分子化合物を含んでいてもよい。該溶液に用いられる溶媒の具体例としては、前述の溶媒があげられるが、高分子化合物の溶解性の観点からは、芳香族の炭化水素溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、メシチレンがより好ましい。
 溶液からの成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法、ノズルコート法、キャピラリーコート法等の塗布法を用いることができ、スピンコート法、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法が好ましい。
 有機光電変換素子は、透明又は半透明の電極から太陽光等の光を照射することにより、電極間に光起電力が発生し、有機薄膜太陽電池として動作させることができる。有機薄膜太陽電池を複数集積することにより有機薄膜太陽電池モジュールとして用いることもできる。
 また、電極間に電圧を印加した状態で、透明又は半透明の電極から光を照射することにより、光電流が流れ、有機光センサーとして動作させることができる。有機光センサーを複数集積することにより有機イメージセンサーとして用いることもできる。
 以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
 合成に用いた試薬及び溶媒は、市販品をそのまま使用するか、乾燥剤存在下で蒸留精製した品を使用した。C60フラーレンはフロンティアカーボン社製を使用した。NMRスペクトルはJEOL社製 MH500を用いて測定し、テトラメチルシラン(TMS)を内部標準に使用した。赤外吸収スペクトルは島津製作所社製 FT−IR 8000を用いて測定した。MALDI−TOF MSスペクトルはBRUKER社製AutoFLEX−T2を用いて測定した。
実施例1(フラーレン誘導体Aの合成)
(ベンジル[2−(2−ヒドロキシエトキシ)エチルアミノ]アセテートの合成)
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000017
[第1ステップ]:Dean−Starkトラップを装着した2口フラスコにブロモ酢酸(20.8g、150mmol)、ベンジルアルコール(16.2g、150mmol)、パラトルエンスルホン酸(258mg、1.5mmol)、ベンゼン(300mL)を加え120℃で24時間脱水縮合した。溶媒をエバポレーターで減圧留去し、ついでシリカゲルフラッシュカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/エチルアセテート=10/1、5/1)で精製し、ブロモ酢酸ベンジルエステル(34.3g、150mmol)を黄色油状物として定量的に得た。
 R 0.71(ヘキサン/エチルアセテート=4/1);
H NMR(500MHz,ppm,CDCl)δ 3.81(s,2H),5.14(s,2H),7.31(s,5H);13C NMR(125MHz,ppm,CDCl)δ 25.74,67.79,128.27,128.48,128.54,134.88,166.91;
IR(neat,cm−1)2959,1751,1458,1412,1377,1167,972,750,698。
[第2ステップ]:アルゴン雰囲気下、ブロモ酢酸ベンジルエステル(13.7g、60mmol)のジクロロメタン(90mL)溶液にトリエチルアミン(17mL、120mmol)を0℃で加え、得られた混合液を20分同温度で攪拌し、次いで、2−(2−アミノエトキシ)エタノール(12mL、120mmol)のジクロロメタン(40mL)溶液を加え、室温で4時間攪拌した。次いで、有機層を3回水洗後,無水硫酸マグネシウムで乾燥し、エバポレーターで溶媒を減圧留去後、シリカゲルフラッシュカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:酢酸エチル/メタノール=1/0、10/1、5/1)で精製し、ベンジル[2−(2−ヒドロキシエトキシ)エチルアミノ]アセテート(12.2g、48.0mmol)を収率80%で無色油状物として得た。
 R 0.48(エチルアセテート/メタノール=2/1);
H NMR(500MHz,ppm,CDCl)δ 2.83(t,2H,J=5.1Hz),3.50(s,2H),3.52(t,2H,J=4.6Hz),3.58(t,2H,J=5.0Hz),3.65(t,2H,J=4.6Hz),5.11(s,2H),7.28−7.30(m,5H);
13C NMR(125MHz,ppm,CDCl)δ 48.46,50.25,61.29,66.38,69.80,72.23,126.63,128.12,128.37,135.30,171.78;
IR(neat,cm−1)3412,2880,1719,1638,1560,1508,1458,1067,669。
([2−(2−メトキシエトキシ)エチルアミノ]酢酸(1)の合成)
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000018
[第1ステップ]:アルゴン雰囲気下ベンジル[2−(2−ヒドロキシエトキシ)エチルアミノ]アセテート(6.58g、26mmol)のジクロロメタン(50mL)溶液にトリエチルアミン(4.3mL、31mmol)を0℃で加え、次いで4−(N,N−ジメチルアミノ)ピリジン(32mg、0.26mmol)を加え、得られた混合液を20分攪拌後、これにジ−tert−ブチルジカルボネート(6.77g、31mmol)のジクロロメタン(10mL)溶液を滴下した。次いで、反応混合液を室温で4時間攪拌後、水を入れた3角フラスコ中に注ぎ入れて反応を停止し、3回ジエチルエーテル抽出を行った。有機層を乾燥後、減圧濃縮、ついでシリカゲルフラッシュカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ヘキサン/酢酸エチル=3/1、2.5/1、2/1)で精製を行い、ベンジル{tert−ブトキシカルボニル−[2−(2−ヒドロキシエトキシ)エチル]アミノ}アセテート(5.83g、16.5mmol)を収率63%で無色油状物として得た。
 R 0.58(エチルアセテート/メタノール=20/1);
H NMR(500MHz,ppm,CDCl)δ 1.34(d,9H,J=54.5Hz),2.19(brs,1H),3.38−3.45(m,4H),3.50−3.60(m,4H),3.99(d,2H,J=41.3Hz),5.09(d,2H,J=4.1Hz),7.25−7.30(m,5H);
13C NMR(125MHz,ppm,CDCl)δ 27.82,28.05,47.90,48.20,49.81,50.39,61.23,66.42,69.92,72.12,80.08,127.93,128.14,135.25,154.99,155.19,169.94,170.07;
IR(neat,cm−1)3449,2934,2872,1751,1701,1458,1400,1367,1252,1143;
Anal.Calcd for C1827NO:C,61.17;H,7.70;N,3.96.Found:C,60.01;H,7.75;N,4.13。
[第2ステップ]:アルゴンガス雰囲気下,水素化ナトリウム(1.2g、24.8mmol、50% in meneral oil)のテトラヒドロフラン(10mL)溶液にベンジル{tert−ブトキシカルボニル−[2−(2−ヒドロキシエトキシ)エチル]アミノ}アセテート(5.83g、16.5mmol)のテトラヒドロフラン(20mL)溶液を0℃で滴下し、同温度で20分攪拌後、ヨードメタン(1.6mL、24.8mmol)を0℃で加えた。反応混合液を室温で20時間攪拌し、ついでアイスバスで冷却しながら水を加えて反応を停止した。3回エーテル抽出し、有機層を乾燥後、減圧濃縮、シリカゲルフラッシュカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ヘキサン/酢酸エチル=5/1、3/1)で精製してベンジル{tert−ブトキシカルボニル−[2−(2−メトキシエトキシ)エチル]アミノ}アセテート(3.02g、8.21mmol)を収率50%で無色油状物として得た。
 R 0.54(ヘキサン/エチルアセテート=1/1);
H NMR(500MHz,ppm,CDCl)δ 1.34(d,9H,J=51.8Hz),3.28(d,3H,J=2.7Hz),3.37−3.46(m,6H),3.52(dt,2H,J=5.4Hz,16.5Hz),4.02(d,2H,J=34.8Hz),5.09(d,2H,J=4.5Hz),7.24−7.30(m,5H);
13C NMR(125MHz,ppm,CDCl)δ 24.93,25.16,44.68,45.00,46.70,47.40,55.78,63.30,67.22,68.60,76.95,124.98,125.14,125.36,132.49,151.99,152.31,166.84,166.96;
IR(neat,cm−1)2880,1751,1701,1560,1458,1400,1366,1117,698,617;
Anal.Calcd for C1929NO:C,62.11;H,7.96;N,3.81.Found:C,62.15;H,8.16;N,3.83。
[第3ステップ]:アルゴン雰囲気下、ベンジル{tert−ブトキシカルボニル−[2−(2−メトキシエトキシ)エチル]アミノ}アセテート(3.02g、8.21mmol)のジクロロメタン(17mL)溶液にトリフルオロ酢酸(9.0mL)を加え室温で7時間攪拌した。ついで、10%炭酸ナトリウム水溶液を加えて pH10に調整し、ジクロロメタン抽出し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮してベンジル[2−(2−メトキシエトキシ)エチルアミノ]アセテート(2.18g、8.19mmol)を黄色油状物として定量的に得た。
 R 0.32(エチルアセテート/メタノール=20/1);
H NMR(500MHz,ppm,CDCl)δ 1.99(brs,1H),2.83(t,2H,J=5.3Hz),3.38(s,3H),3.50(s,2H),3.54(t,2H,J=4.6Hz),3.60−3.62(m,4H),5.17(s,2H),7.32−7.38(m,5H);
13C NMR(125MHz,ppm,CDCl)δ 48.46,50.66,58.76,66.20,70.00,70.44,71.64,128.09,128.33,135.44,171.84;
IR(neat,cm−1)3350,2876,1736,1560,1458,1117,1030,698,619;
Anal.Calcd for C1421NO:C,62.90;H,7.92;N,5.24.Found:C,62.28;H,8.20;N,5.05。
[第4ステップ]:ベンジル[2−(2−メトキシエトキシ)エチルアミノ]アセテート(2.19g、8.19mmol)のメタノール(27mL)溶液に、パラジウムを10重量%担持させた活性炭(219mg)を室温で加え、水素ガスをパージした後、水素雰囲気下、室温で7時間攪拌した。セライトパッドを敷きつめたグラスフィルターでPd/Cを除去し、セライト層をメタノールで洗浄し、濾液を減圧濃縮し[2−(2−メトキシエトキシ)エチルアミノ]酢酸 1(1.38g、7.78mmol)を収率95%で黄色油状物として得た。
 H NMR(500MHz,ppm,MeOD)δ 3.21(t,2H,J=5.1Hz),3.38(s,3H),3.51(s,2H),3.57(t,2H,J=4.4Hz),3.65(t,2H,J=4.6Hz),3.73(t,2H,J=5.1Hz);
13C NMR(125MHz,ppm,MeOD)δ 48.13,50.49,59.16,67.08,71.05,72.85,171.10;
IR(neat,cm−1)3414,2827,1751,1630,1369,1111,1028,851,799;
Anal.Calcd for C15NO:C,47.45;H,8.53;N,7.90.Found:C,46.20;H,8.49;N,7.43。
アルデヒド4の合成
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000019
 窒素雰囲気下、50mlナスフラスコにブロミド3 3.0g(16.3mmol)、無水テトラヒドロフラン50mlを仕込み、窒素気流下−78℃に冷却し、n−ブチルリチウムヘキサン溶液(1.59M)11.3ml(18.0mmol)を滴下し、同温度で30分撹拌した。次いで、ナスフラスコ中に無水ジメチルホルムアミド2.40gを滴下し、同温度でさらに30分攪拌した後、室温まで昇温し、さらに1時間攪拌した。反応液を水100ml中に注ぎ、酢酸エチル50mlを用いて油相を2回抽出した後、無水硫酸マグネシウムを用いて油相を乾燥した。マグネシウム化合物を濾別後、エバポレータを用いて油相を減圧濃縮し得られた残渣を、シリカゲルクロマトグラフィー(WakosilC−300、展開液:ヘキサン/酢酸エチル=3:1(容積比))にて精製することで、目的物であるアルデヒド4を1.54g(収率71.1%)得た。
 H−NMR(270MHz/CDCl
 δ 3.24(s、4H)、7.21(d、1H)、7.57(s、1H)、7.72(d、1H)、9.93(s、1H)
実施例1
フラーレン誘導体A及びフラーレン誘導体Bの合成
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000020
 窒素雰囲気下、50mlナスフラスコにアルデヒド4 0.19g(1.40mmol)と[2−(2−メトキシエトキシ)エチルアミノ]酢酸1 0.19g(1.04mmol)、C60 0.50g(0.69mmol)、クロロベンゼン30mlを仕込み、窒素気流下130℃にて6時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却後、反応液をエバポレータを用いて減圧濃縮した。次いで、シリカゲルクロマトグラフィー(WakosilC−300)を用いて、得られた残渣からフラーレン誘導体の分離を行った。フラーレン誘導体の分離において、シリカゲルクロマトグラフィーの展開液として、二硫化炭素(CS)を用い、未反応のC60を分離し、回収した。次いで、展開液をトルエンと酢酸エチルの混合溶媒に切り替え、混合溶媒の比率を100:0(トルエンと酢酸エチルの体積比)から90:10(トルエンと酢酸エチルの体積比)とし、フラーレン誘導体を含む結晶を分離した。該結晶をメタノール10mlで洗浄し、減圧乾燥することで目的物である5(フラーレン誘導体A)を80mg(収率11.9%)得た。
 次いで、展開液の混合溶媒の比率をトルエン/酢酸エチル=1:1(体積比)として分画を行った。分画した溶液を濃縮し、残渣をメタノール10mlで洗浄し、その後、減圧乾燥することで、式(12)で表される構造を2個以上有するフラーレン誘導体を合計116mg得た。式(12)で表される構造を2個以上有するフラーレン誘導体としては、例えば、6(フラーレン誘導体B)が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000021
 フラーレン誘導体AをNMRで分析した結果を以下に示す。
 H−NMR(270MHz/CDCl):
 δ 2.82(m、1H)、3.16(brs、4H)、3.30−3.50(m、1H)、3.45(s、3H)3.65(m、2H)、3.72−3.80(m、2H)、3.90−4.10(m、2H)、4.28(d、1H)、5.10(s、1H)、5.20(d、1H)、7.06(d、1H)、7.40—7.70(brd、1H)。
実施例2
(有機薄膜太陽電池の作製、評価)
 電子供与体としてレジオレギュラーポリ3−ヘキシルチオフェン(アルドリッチ社製、ロット番号:09007KH)を1%(重量%)の濃度でクロロベンゼンに溶解させた。その後、フラーレン誘導体Aを電子供与体の重量に対して等倍重量となるように電子受容体として溶液に混合した。ついで、孔径1.0μmのテフロン(登録商標)フィルターで濾過し、塗布溶液を作製した。
 スパッタ法により150nmの厚みでITO膜を付けたガラス基板をオゾンUV処理して表面処理を行った。次に、前記塗布溶液を用い、スピンコートにより塗布し、有機薄膜太陽電池の活性層(膜厚約100nm)を得た。その後、窒素雰囲気下130℃の条件で10分間ベークを行った。その後、真空蒸着機によりフッ化リチウムを4nmの厚さで蒸着し、次いでAlを100nmの厚さで蒸着した。蒸着のときの真空度は、すべて1~9×10−3Paであった。また、得られた有機薄膜太陽電池の形状は、2mm×2mmの正四角形であった。得られた有機薄膜太陽電池の開放端電圧、光電変換効率は、ソーラシミュレーター(分光計器製、商品名OTENTO−SUNII:AM1.5G フィルター、放射照度100mW/cm)を用いて一定の光を照射し、発生する電流と電圧を測定して求めた。開放端電圧の結果を表1に示す。また、光電変換効率は3.0%であった。
実施例3
(有機薄膜太陽電池の作製、評価)
 実施例2におけるフラーレン誘導体Aを実施例1で製造した式(12)で表される構造を2個以上有するフラーレン誘導体にかえた以外は実施例2と同様の操作を行い、開放端電圧を測定した。結果を表1に示す。
 比較例1
(有機薄膜太陽電池の作製、評価)
 実施例2におけるフラーレン誘導体Aを[60]−PCBM(Phenyl C61−butyric acid methyl ester、フロンティアカーボン社製、商品名E100、ロット番号:9A0104A)にかえた以外は実施例2と同様の操作を行い、開放端電圧を測定した。開放端電圧の結果を表1に示す。また、光電変換効率は2.6%であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000022
 本発明のフラーレン誘導体は、開放端電圧が高い有機光電変換素子に適用できるため、有機薄膜太陽電池用又は有機光センサー用に好適であり、極めて有用である。

Claims (14)

  1.  式(1)で表される部分構造を有するフラーレン誘導体。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-I000001
    [式中、Rは1価の基を表す。rは0~4の整数を表す。]
  2.  式(1)で表される構造を1~4個有する請求項1に記載のフラーレン誘導体。
  3.  式(2a)又は式(2b)で表される請求項2に記載のフラーレン誘導体。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-I000002
    [式中、A環は炭素数60以上のフラーレン骨格を表す。R及びrは、前述と同じ意味を表す。]
    Figure JPOXMLDOC01-appb-I000003
    [式中、A環は炭素数60以上のフラーレン骨格を表す。R及びrは、前述と同じ意味を表す。複数個あるRは、同一でも相異なってもよい。複数個あるrは、同一でも相異なってもよい。]
  4.  Rが、炭素数1~20のアルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、炭素数6~60のアリール基、ハロゲン原子、チエニル基、ピリジル基、フリル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基及びピロリル基からなる群より選ばれる複素環基、式(3)
    Figure JPOXMLDOC01-appb-I000004
    [式中、mは1~6の整数を、nは1~4の整数を、pは0~5の整数を表す。−(CH−)−O−で表される構造が複数個ある場合、それらの構造におけるmは、同一の数値であっても相異なる数値であってもよい。]
    で表される基、又は式(4)
    Figure JPOXMLDOC01-appb-I000005
    [式中、sは0~10の整数を表す。qは0~10の整数を表す。]
    で表されるエステル構造を有する基である請求項3に記載のフラーレン誘導体。
  5.  Rが、式(3)
    Figure JPOXMLDOC01-appb-I000006
    [式中、mは1~6の整数を、nは1~4の整数を、pは0~5の整数を表す。−(CH−)−O−で表される構造が複数個ある場合、それらの構造におけるmは、同一の数値であっても相異なる数値であってもよい。]
     で表される基である請求項3に記載のフラーレン誘導体。
  6.  請求項1に記載のフラーレン誘導体と電子供与性化合物とを含む組成物。
  7.  請求項4に記載のフラーレン誘導体と電子供与性化合物とを含む組成物。
  8.  電子供与性化合物が高分子化合物である請求項7に記載の組成物。
  9.  高分子化合物が、式(10)及び式(11)からなる群から選ばれる繰り返し単位を有する高分子化合物である請求項8に記載の組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-I000007
    [式中、R、R、R、R、R10、R11、R12、R13、R14及びR15は、同一又は相異なり、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基を表す。]
  10.  陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に請求項1に記載のフラーレン誘導体を含む層を有する有機光電変換素子。
  11.  陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に請求項4に記載のフラーレン誘導体を含む層を有する有機光電変換素子。
  12.  陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に請求項7に記載の組成物を含む層を有する有機光電変換素子。
  13.  陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に活性層を有する有機光電変換素子の製造方法であって、請求項1に記載のフラーレン誘導体と溶媒とを含む溶液を該陽極又は該陰極上に塗布して有機層を形成し、次いで、該有機層を加熱して該活性層を形成することを特徴とする有機光電変換素子の製造方法。
  14.  陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に活性層を有する有機光電変換素子の製造方法であって、請求項7に記載の組成物と溶媒とを含む溶液を該陽極又は該陰極上に塗布して有機層を形成し、次いで、該有機層を加熱して該活性層を形成することを特徴とする有機光電変換素子の製造方法。
PCT/JP2010/062485 2009-07-31 2010-07-20 フラーレン誘導体 WO2011013597A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/386,988 US8673958B2 (en) 2009-07-31 2010-07-20 Fullerene derivatives
EP10804343A EP2460795A4 (en) 2009-07-31 2010-07-20 DERIVATIVES OF THE FULLERENE

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009178996A JP5229150B2 (ja) 2009-07-31 2009-07-31 フラーレン誘導体
JP2009-178996 2009-07-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011013597A1 true WO2011013597A1 (ja) 2011-02-03

Family

ID=43529252

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2010/062485 WO2011013597A1 (ja) 2009-07-31 2010-07-20 フラーレン誘導体

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8673958B2 (ja)
EP (1) EP2460795A4 (ja)
JP (1) JP5229150B2 (ja)
WO (1) WO2011013597A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5639753B2 (ja) * 2009-10-30 2014-12-10 住友化学株式会社 フラーレン誘導体
US9216370B2 (en) * 2011-01-21 2015-12-22 National Istitute For Materials Science Film formed of hemispherical particles, method for producing same, and use of same
US9196843B2 (en) 2012-07-17 2015-11-24 Ricoh Company, Ltd. Fullerene derivative, and method of preparing the same
KR101923625B1 (ko) * 2013-12-02 2018-11-29 주식회사 엘지화학 유기 태양 전지의 제조방법 및 이로 제조된 유기 태양 전지
JP6340782B2 (ja) 2013-12-11 2018-06-13 株式会社リコー フラーレン誘導体およびその製造方法
JP6674948B2 (ja) * 2015-03-30 2020-04-01 住友化学株式会社 光電変換素子

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008038747A1 (fr) * 2006-09-25 2008-04-03 Sumitomo Chemical Company, Limited composé polymère et dispositif électroluminescent polymère l'utilisant
WO2008108430A1 (ja) * 2007-03-07 2008-09-12 Mitsubishi Chemical Corporation 有機デバイス用組成物、高分子膜および有機電界発光素子
WO2009035024A1 (ja) * 2007-09-12 2009-03-19 Sumitomo Chemical Company, Limited フラーレン誘導体

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5323393B2 (ja) 2007-09-12 2013-10-23 住友化学株式会社 フラーレン誘導体
WO2010150792A1 (ja) * 2009-06-23 2010-12-29 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008038747A1 (fr) * 2006-09-25 2008-04-03 Sumitomo Chemical Company, Limited composé polymère et dispositif électroluminescent polymère l'utilisant
WO2008108430A1 (ja) * 2007-03-07 2008-09-12 Mitsubishi Chemical Corporation 有機デバイス用組成物、高分子膜および有機電界発光素子
WO2009035024A1 (ja) * 2007-09-12 2009-03-19 Sumitomo Chemical Company, Limited フラーレン誘導体

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, vol. 13, 2003, pages 85
KRAUS, A.: "Covalent attachment of various substituents in closest proximity to the C60-core: a broad synthetic approach to stable fullerene derivatives", TETRAHEDRON, vol. 51, no. 36, 1995, pages 9927 - 40, XP008149491 *
PRATO REACTION, ACCOUNTS OF CHEMICAL RESEARCH, vol. 31, 1998, pages 519 - 526
SANCHEZ, L.: "Molecular Panels for Energy Transduction in C60-Based Conjugates", ORGANIC LETTERS, vol. 8, no. 12, 2006, pages 2451 - 4, XP008149490 *
See also references of EP2460795A4

Also Published As

Publication number Publication date
US20120119198A1 (en) 2012-05-17
EP2460795A4 (en) 2013-01-02
US8673958B2 (en) 2014-03-18
EP2460795A1 (en) 2012-06-06
JP5229150B2 (ja) 2013-07-03
JP2011035116A (ja) 2011-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5323393B2 (ja) フラーレン誘導体
JP5639753B2 (ja) フラーレン誘導体
JP5425438B2 (ja) フラーレン誘導体
JP5682108B2 (ja) フラーレン誘導体
JP5229150B2 (ja) フラーレン誘導体
JP2011181719A (ja) フラーレン誘導体およびその製造方法
JP5213392B2 (ja) フラーレン誘導体
TW201811801A (zh) 用於高效率有機光伏之卟啉材料之設計及合成
JP5366434B2 (ja) フラーレン誘導体およびそれを用いた有機光電変換素子
JP5534714B2 (ja) フラーレン誘導体
JP2013095683A (ja) フラーレン誘導体
JP2015013844A (ja) フラーレン誘導体
JP5503184B2 (ja) フラーレン誘導体、組成物及び有機光電変換素子
KR101303083B1 (ko) 신규한 풀러렌 유도체 및 이를 이용하여 제작한 광기전력 소자
WO2011132573A1 (ja) フラーレン誘導体及びその製造方法
JP2015105233A (ja) フラーレン誘導体
JP5481911B2 (ja) フラーレン誘導体
JP6101007B2 (ja) 光電変換素子

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10804343

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2010804343

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13386988

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE