JP2013060585A - 高分子化合物およびそれを用いた発光素子 - Google Patents
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Abstract
Description
そこで、本発明は、輝度寿命が十分に長い発光素子の作製に有用な高分子化合物を提供することを目的とする。
E1、E2、E3およびE4は、それぞれ独立に、アリール基、1価の複素環基または式(2)で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。E4が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
a、b、c、dおよびeは、それぞれ独立に、1または2であり、fは0〜3の整数を表す。f=0のとき、5≦a+b+c+e≦8、かつ、bおよびcの少なくとも一方は2である。f=1のとき、5≦a+b+c+d+e≦10である。dが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
m、n、o、p、qおよびlは、それぞれ独立に、0〜4の整数を表し、m、n、o、pおよびqが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
jおよびkは、それぞれ独立に、0〜5の整数を表す。]
本発明の高分子化合物は、前記式(1)で表される繰り返し単位を含む高分子化合物である。本発明の高分子化合物は、前記式(1)で表される繰り返し単位を1種のみ含んでいてもよく、正孔輸送性の観点から、前記式(1)で表される繰り返し単位を2種以上含んでいてもよい。
芳香族炭化水素としては、縮合環を有するもの、独立したベンゼン環および縮合環から選ばれる2個以上が直接またはビニレン基などの基を介して結合したものが含まれる。アリール基の炭素原子数は、通常6〜60(該炭素原子数に、置換基の炭素原子数は含まれない)であり、好ましくは6〜20である。アリール基としては、例えば、フェニル基、C1〜C12アルコキシフェニル基(C1〜C12は、炭素原子数1〜12であることを示す。以下も同様である。)、C1〜C12アルキルフェニル基、C1〜C12アルキルチオフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントラセニル基、2−アントラセニル基、9−アントラセニル基、フェナントレン−イル基、ピレン−イル基、ペリレン−イル基、ペンタフルオロフェニル基等が挙げられ、C1〜C12アルコキシフェニル基、C1〜C12アルキルフェニル基、C1〜C12アルキルチオフェニル基が好ましい。
C1〜C12アルコキシフェニル基としては、例えば、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロピルオキシフェニル基、イソプロピルオキシフェニル基、ブトキシフェニル基、イソブトキシフェニル基、tert−ブトキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、2−エチルヘキシルオキシフェニル基、ノニルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、3,7−ジメチルオクチルオキシフェニル基、ラウリルオキシフェニル基が挙げられる。
C1〜C12アルキルフェニル基としては、例えば、メチルフェニル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、tert−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、ヘキシルフェニル基、シクロヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、2−エチルヘキシルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、3,7−ジメチルオクチルフェニル基、ラウリルフェニル基が挙げられる。
C1〜C12アルキルチオフェニル基としては、例えば、メチルチオフェニル基、エチルチオフェニル基、プロピルチオフェニル基、イソプロピルチオフェニル基、ブチルチオフェニル基、イソブチルチオフェニル基、tert−ブチルチオフェニル基、ペンチルチオフェニル基、ヘキシルチオフェニル基、シクロヘキシルチオフェニル基、ヘプチルチオフェニル基、オクチルチオフェニル基、2−エチルヘキシルチオフェニル基、ノニルチオフェニル基、デシルチオフェニル基、3,7−ジメチルオクチルチオフェニル基、ラウリルチオフェニル基が挙げられる。
1価の複素環基の炭素原子数は、通常4〜60(該炭素原子数に、置換基の炭素原子数は含まれない)であり、好ましくは4〜20である。ここで、複素環式化合物は、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素等のヘテロ原子を環内に含むものであり、縮合環を有するもの、独立した単環および縮合環から選ばれる2個以上が直接結合したものを含む。
1価の複素環基としては、1価の芳香族複素環基が好ましい。1価の芳香族複素環基は、芳香族複素環式化合物から、水素原子1個を除いた残りの原子団(好ましくは、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子1個を除いた残りの原子団)である。芳香族複素環式化合物としては、例えば、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン等のヘテロ原子を含む複素環自体が芳香族性を示す化合物、並びに、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等のヘテロ原子を含む複素環それ自体は芳香族性を示さなくとも、該複素環に芳香環が縮環されている化合物が挙げられる。
C1〜C12アルコキシフェノキシ基としては、例えば、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、プロピルオキシフェノキシ基、イソプロピルオキシフェノキシ基、ブトキシフェノキシ基、イソブトキシフェノキシ基、tert−ブトキシフェノキシ基、ペンチルオキシフェノキシ基、ヘキシルオキシフェノキシ基、シクロヘキシルオキシフェノキシ基、ヘプチルオキシフェノキシ基、オクチルオキシフェノキシ基、2−エチルヘキシルオキシフェノキシ基、ノニルオキシフェノキシ基、デシルオキシフェノキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシフェノキシ基、ラウリルオキシフェノキシ基が挙げられる。
C1〜C12アルキルフェノキシ基としては、例えば、メチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、1,3,5−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、sec−ブチルフェノキシ基、イソブチルフェノキシ基、tert−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基が挙げられる。
C1〜C12アルコキシピリジルオキシ基としては、例えば、メトキシピリジルオキシ基、エトキシピリジルオキシ基、プロピルオキシピリジルオキシ基、イソプロピルオキシピリジルオキシ基、ブトキシピリジルオキシ基、イソブトキシピリジルオキシ基、tert−ブトキシピリジルオキシ基、ペンチルオキシピリジルオキシ基、ヘキシルオキシピリジルオキシ基、シクロヘキシルオキシピリジルオキシ基、ヘプチルオキシピリジルオキシ基、オクチルオキシピリジルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシピリジルオキシ基、ノニルオキシピリジルオキシ基、デシルオキシピリジルオキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシピリジルオキシ基、ラウリルオキシピリジルオキシ基が挙げられる。
C1〜C12アルキルピリジルオキシ基としては、例えば、メチルピリジルオキシ基、エチルピリジルオキシ基、ジメチルピリジルオキシ基、プロピルピリジルオキシ基、1,3,5−トリメチルピリジルオキシ基、メチルエチルピリジルオキシ基、イソプロピルピリジルオキシ基、ブチルピリジルオキシ基、sec−ブチルピリジルオキシ基、イソブチルピリジルオキシ基、tert−ブチルピリジルオキシ基、ペンチルピリジルオキシ基、イソアミルピリジルオキシ基、ヘキシルピリジルオキシ基、ヘプチルピリジルオキシ基、オクチルピリジルオキシ基、ノニルピリジルオキシ基、デシルピリジルオキシ基、ドデシルピリジルオキシ基が挙げられる。
f=0のとき、5≦a+b+c+e≦8、かつ、bおよびcの少なくとも一方は2であり、5≦a+b+c+e≦6、かつ、bおよびcの少なくとも一方は2であることが好ましい。
f=1のとき、5≦a+b+c+d+e≦10であり、5≦a+b+c+d+e≦8であることが好ましい。
本発明の高分子化合物の正孔輸送性の観点から、f=0またはf=1であることが好ましく、f=1であることがより好ましい。
芳香族炭化水素としては、縮合環を有するもの、独立したベンゼン環および縮合環から選ばれる2個以上が直接またはビニレン基等を介して結合したものが含まれる。
下式1〜46で表される基は、置換基を有していてもよく、該置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、1価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基およびシアノ基が挙げられる。なお、これらの基は前記R1〜R8で表される基と同じ意味を表し、架橋性基は含まない。
R10およびR11は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または1価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよく、R10とR11は互いに結合して環構造を形成していてもよい。
R12は、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、1価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表し、これらの基は前記R1〜R8で表される基と同じ意味を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。R12が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
sおよびtは、それぞれ独立に、0〜3の整数を表す。]
R10およびR11は、前記と同じ意味を表す。
R12は、前記と同じ意味を表す。R12が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
sおよびtは、それぞれ独立に、0〜3の整数を表す。]
R13は、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、1価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。これらの基は前記R1〜R8で表される基と同じ意味を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。R13が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
rは0〜4の整数を表す。]
ここで、複素環式化合物は、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素等のヘテロ原子を環内に含むものであり、縮合環を有するもの、独立した単環および縮合環から選ばれる2個以上が直接結合したものが含まれる。
2価の複素環基としては、2価の芳香族複素環基が好ましい。2価の芳香族複素環基は、芳香族複素環式化合物から、水素原子2個を除いた残りの原子団(好ましくは、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子2個を除いた残りの原子団)である。芳香族複素環式化合物としては、例えば、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン等のヘテロ原子を含む複素環自体が芳香族性を示す化合物、並びに、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等のヘテロ原子を含む複素環それ自体は芳香族性を示さなくとも、該複素環に芳香環が縮環されている化合物が挙げられる。
2価の複素環基が有してもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、1価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基またはシアノ基が挙げられ、得られる高分子化合物の溶解性の観点から、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、ハロゲン原子およびシアノ基が好ましい。なお、これらの基は前記R1〜R8で表される基と同じ意味を表す。
Yは、酸素原子、硫黄原子、−N(Ra)−、−O−C(Rb)(Rc)−または−Si(Rd)(Re)−を表す。Ra、Rb、Rc、RdおよびReは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基またはアリールアルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。]
RFは水素原子、アルキル基、アリール基または1価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
X1は、酸素原子、硫黄原子または−C(R14)2−で表される基を表す。R14は、アルキル基またはアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよく、複数存在するR14は互いに同一でも異なっていてもよい。]
該有機配位子の炭素原子数は、通常4〜60程度であり、例えば、8−キノリノールおよびその誘導体、ベンゾキノリノールおよびその誘導体、2−フェニル−ピリジンおよびその誘導体、2−フェニル−ベンゾチアゾールおよびその誘導体、2−フェニル−ベンゾキサゾールおよびその誘導体、ポルフィリンおよびその誘導体が挙げられる。該金属錯体の中心金属としては、例えば、アルミニウム、亜鉛、ベリリウム、イリジウム、白金、金、ユーロピウム、テルビウムが挙げられる。
有機配位子を有する金属錯体としては、例えば、低分子の蛍光材料、燐光材料として公知の金属錯体、三重項発光錯体が挙げられる。
ssおよびttは、それぞれ独立に、0〜4の整数であり、uuは1または2であり、vvは0〜5の整数である。
R53、R54およびR55は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、1価の複素環基、カルボキシル基、ニトロ基またはシアノ基を表す。R53、R54およびR55が複数個存在するとき、これらは同一であっても異なっていてもよい。なお、これらの基は前記R1〜R8で表される基と同じ意味を表す。]
naは0〜3の整数を示し、nbは0〜12の整数を示し、nAは0または1であり、nxは1〜4の整数を示す。
Ar5は、(2+nx)価の芳香族炭化水素基または(2+nx)価の複素環基を示し、これらの基は置換基を有していてもよい。
LaおよびLbは、それぞれ独立に、アルキレン基またはフェニレン基を示し、これらの基は置換基を有していてもよい。Laが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Lbが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
LAは、酸素原子または硫黄原子を示す。LAが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
Xは、1価の架橋性基を示す。Xが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。]
cは0または1を示し、
Ar6およびAr8は、それぞれ独立に、アリーレン基または2価の複素環基を示し、これらの基は置換基を有していてもよく、
Ar7は、アリーレン基、2価の複素環基、並びに、アリーレン基および2価の複素環基からなる群から選ばれる同一又は異なる2以上の基が連結した2価の基を示し、これらの基は置換基を有していてもよい。
R1Aは1価の架橋性基を示し、
R2Aは1価の架橋性基、アルキル基、アリール基または1価の複素環基を示し、これらの基は置換基(架橋性基を含まない)を有していてもよい。]
上記芳香族炭化水素化合物としては、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン、フルオレン、ベンゾフルオレン、フェナンスレン、ジヒドロフェナンスレン、クリセン、コロネンが挙げられ、本実施形態の高分子化合物の安定性がより優れ、かつ、当該高分子化合物を用いて製造される発光素子の正孔輸送性がより優れるので、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ピレン、フルオレン、ベンゾフルオレン、フェナンスレン、ジヒドロフェナンスレンが好ましく、ベンゼン、ナフタレン、フルオレンがより好ましい。
上記複素環化合物としては、例えば、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、カルバゾール、フェノキサジン、フェノチアジン、ベンゾチアジアゾール、ジベンゾシロールが挙げられる。
アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、1価の複素環基の定義、具体例は、前記式(1)におけるR1〜R8が表すアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、1価の複素環基の定義、具体例と同じである。
アルキレン基としては、例えば、メチレン基、1,2−エチレン基、1,3−プロピレン基、1,3−ブチレン基、1,3−ペンチレン基、1,4−ペンチレン基、1,5−ペンチレン基、1,4−ヘキシレン基、1,6−ヘキシレン基、1,7−ヘプチレン基、1,6−オクチレン基、1,8−オクチレン基が挙げられる。
アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子の定義、具体例は、前記式(1)におけるR1〜R8が表すアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子の定義、具体例と同じである。
Xとしては、例えば、非置換若しくは置換のアジリジニル基、非置換若しくは置換のアゼチジニル基、アジド基、非置換若しくは置換のエポキシ基、非置換若しくは置換のオキセタニル基、非置換若しくは置換のアルケニル基、非置換若しくは置換のアルキニル基、シクロブテン構造を有する基が挙げられ、本実施形態の高分子化合物の原料となるモノマー合成が容易となるため、非置換若しくは置換のアジリジニル基、アジド基、非置換若しくは置換のエポキシ基、非置換若しくは置換のオキセタニル基、非置換若しくは置換のアルケニル基、非置換若しくは置換のアルキニル基、シクロブテン構造を有する非置換若しくは置換のアリール基、シクロブテン構造を有する非置換若しくは置換の1価の複素環基が好ましく、非置換若しくは置換のアルケニル基、シクロブテン構造を有する非置換若しくは置換のアリール基、シクロブテン構造を有する非置換若しくは置換の1価の複素環基がより好ましく、非置換若しくは置換のアルケニル基、シクロブテン構造を有する非置換若しくは置換のアリール基がさらに好ましい。
アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、置換アミノ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、1価の複素環基、置換カルボキシル基の定義、具体例は、前記式(1)におけるR1〜R8が表すアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、1価の複素環基、置換カルボキシル基の定義、具体例と同じである。
LX1は酸素原子、硫黄原子、カルボニル基または−O−CO−で表される基を示す。
R4A、R5A、R6A、R7AおよびR8Aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、1価の複素環基、アミノ基、置換アミノ基、アシル基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、シアノ基またはニトロ基を示す。
アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、1価の複素環基、置換アミノ基、アシル基、アシルオキシ基、ハロゲン原子の定義、具体例は、前記式(1)におけるR1〜R8が表すアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、1価の複素環基、置換アミノ基、アシル基、アシルオキシ基、ハロゲン原子の定義、具体例と同じである。
RXは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表す。複数存在するRXは、同一であっても異なっていてもよい。
アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、置換アミノ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、1価の複素環基、置換カルボキシル基の定義、具体例は、前記式(1)におけるR1〜R8が表すアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、置換アミノ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、1価の複素環基、置換カルボキシル基の定義、具体例と同じである。
アルキル基、アシル基、アリール基、1価の複素環基の定義、具体例は、前記式(1)におけるR1〜R8が表すアルキル基、アシル基、アリール基、1価の複素環基の定義、具体例と同じである。
なお、式(X−01)〜(X−19)中、「*」は結合手を示す。
RYは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、置換アミノ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表す。複数あるRYは、同一であっても異なっていてもよい。
アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、置換アミノ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、1価の複素環基、置換カルボキシル基の定義、具体例は、前記式(1)におけるR1〜R8が表すアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、置換アミノ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、1価の複素環基、置換カルボキシル基の定義、具体例と同じである。
アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、1価の複素環基、ハロゲン原子の定義、具体例は、前記式(1)におけるR1〜R8が表すアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、1価の複素環基、ハロゲン原子の定義、具体例と同じである。
アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、1価の複素環基の定義、具体例は、前記式(1)におけるR1〜R8が表すアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、1価の複素環基の定義、具体例と同じである。
アルキル基、アリール基の定義、具体例は、前記式(1)におけるR1〜R8が表すアルキル基、アリール基の定義、具体例と同じである。
アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、1価の複素環基の定義、具体例は、前記式(1)におけるR1〜R8が表すアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、1価の複素環基の定義、具体例と同じである。
本発明の高分子化合物の例としては、以下の化合物EP−1〜EP−6が挙げられる。
本発明の高分子化合物の具体例としては、以下の式で表される高分子化合物が挙げられる。なお、式中、u、v、w、xおよびyは、モル比率を表す数である。また、下記式中でv1およびv2が付記された例では、v1およびv2は、それぞれ独立に、v=v1+v2を満たす数であり、v1、v2およびv3が付記された例では、v1、v2およびv3は、それぞれ独立にv=v1+v2+v3を満たす数である。
u+v+w+x+y=1.0であり、かつ、1≧u+v≧0.1である。
次に、本発明の高分子化合物の製造方法を説明する。
本発明の高分子化合物は、如何なる方法で製造してもよいが、例えば、式:X11−A11−X12で表される化合物と、式:X13−A12−X14で表される化合物とを縮合重合させることにより、製造することができる。上記式中、A11は、前記式(1)で表される繰り返し単位を示し、A12は、前記式(3’)または前記式(4)で表される繰り返し単位を示す。なお、上記式中、X11、X12、X13およびX14は、それぞれ独立に、重合反応性基を表す。
また、本発明の高分子化合物は、さらに式:X15−A13−X16で表される化合物を縮合重合させることで製造することができる。上記式中、A13は、前記式(3)(前記式(3’)および前記式(4)で表される繰り返し単位を除く。)、前記式(5)、前記式(6)、前記式(7)、前記式(2A)または前記式(3A)で表される繰り返し単位を示す。なお、上記式中、X15およびX16は、それぞれ独立に、重合反応性基を表す。
−CH2S+Me2X’-、−CH2S+Ph2X’-
[式中、X’はハロゲン原子を表し、Phはフェニル基を表す。]
−CH2P+Ph3X’-
[式中、X’はハロゲン原子を表し、Phはフェニル基を表す。]
−CH2PO(OR’)2
[式中、R’はアルキル基、アリール基またはアリールアルキル基を表す。]
本発明の高分子化合物は、発光材料として有用であるだけでなく、薄膜、有機半導体材料、有機トランジスタ、光学材料、有機光電変換素子またはドーピングにより導電性材料としても有用である。
本発明の組成物は、本発明の高分子化合物と、正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも1種類の材料を含有する組成物である。
本発明の薄膜を説明する。本発明の薄膜は、本発明の高分子化合物または組成物を含有する。本発明の高分子化合物が、前記式(2A)で表される繰り返し単位および前記式(3A)で表される繰り返し単位の少なくとも一方を含む場合、本発明の薄膜は、本発明の高分子化合物、または、本発明の高分子化合物を含む組成物を架橋させて得られる薄膜である。この架橋させる工程は、例えば、加熱により行われる。
薄膜の種類としては、例えば、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜が挙げられる。
本実施形態の有機トランジスタは、本発明の高分子化合物または組成物を含む有機トランジスタである。以下、有機トランジスタの一態様である高分子電界効果トランジスタを説明する。
本実施形態の有機光電変換素子(例えば、太陽電池)は、本発明の高分子化合物または組成物を含む有機光電変換素子である。
次に、本発明の発光素子について説明する。
本発明の発光素子は、本発明の薄膜を有する発光素子である。本発明の発光素子としては、例えば、この薄膜が正孔輸送層である発光素子、この薄膜が発光層である発光素子等が挙げられる。以下、本発明の好ましい実施形態について説明する。
また、本発明の第二の発光素子は、陽極および陰極からなる電極と、該電極間に設けられ本発明の高分子化合物もしくは組成物を架橋してなる発光層(通常、本発明の高分子化合物または組成物は架橋することにより硬化している。)および/または該電極間に設けられ本発明の高分子化合物もしくは組成物を架橋してなる電荷輸送層(通常、本発明の高分子化合物または組成物は架橋することにより硬化している。)とを有する発光素子である。
a)陽極/発光層/陰極
b)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
c)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
d)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(ここで、/は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。)
なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に、2層以上用いてもよい。また、発光層に隣接した正孔輸送層をインターレイヤー層と呼ぶこともある。
e)陽極/電荷注入層/発光層/陰極
f)陽極/発光層/電荷注入層/陰極
g)陽極/電荷注入層/発光層/電荷注入層/陰極
h)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
i)陽極/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/陰極
j)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/陰極
k)陽極/電荷注入層/発光層/電荷輸送層/陰極
l)陽極/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
m)陽極/電荷注入層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
n)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電荷輸送層/陰極
o)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
p)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
q)陽極/絶縁層/発光層/陰極
r)陽極/発光層/絶縁層/陰極
s)陽極/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
t)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/陰極
u)陽極/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰極
v)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰極
w)陽極/絶縁層/発光層/電子輸送層/陰極
x)陽極/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極
y)陽極/絶縁層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極
z)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
aa)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極
ab)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極
次に、アルゴンガス雰囲気下の300mLの3つ口フラスコの中に、化合物1−1(10.3g)および化合物1−2(5.00g)を加え、トルエン(50.0mL)に溶解させた。その後、該溶液にビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド(216mg)および20重量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(22.7g)を加え、加熱還流した。反応終了後、放冷し、セライトろ過した。さらにトルエン(200mL)を加え、分液した。得られた有機層を硫酸ナトリウムにより乾燥させ、濃縮して溶媒を除去した。得られた生成物をカラムクロマトグラフィー(充填剤:アルミナ、展開溶媒:ヘキサン:トルエン=4:1(体積比))により精製した。溶媒を留去した後、テトラヒドロフランおよびメタノールの混合溶媒で再結晶し、化合物1−3(9.00g)を得た。以下のデータにより目的とする化合物であることを同定した。
LC−MS(APCI、positive):[M+H]+ 1140.4
次に、アルゴンガス雰囲気下の300mLの3つ口フラスコの中に、化合物1−1(9.47g)および化合物1−5(7.00g)を加え、トルエン(70.0mL)に溶解させた。その後、該溶液にビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド(60.0mg)および20重量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(19.0g)を加えて、加熱還流した。反応終了後、放冷し、セライトろ過した。さらにトルエン(200mL)を加え、分液した。得られた有機層を硫酸ナトリウムにより乾燥させ、濃縮して溶媒を除去した。得られた生成物をカラムクロマトグラフィー(充填剤:アルミナ、展開溶媒:ヘキサン:トルエン=4:1(体積比))により精製した。溶媒を留去した後、テトラヒドロフランおよびメタノールの混合溶媒で再結晶することで、化合物1−6(3.58g)を得た。以下のデータにより目的とする化合物であることを同定した。
LC−MS(APCI、positive):[M+H]+ 1467.6
次に、アルゴンガス雰囲気下の500mLの3つ口フラスコの中に、化合物1−10(15.2g)を加え、クロロベンゼン(200mL)に溶解させた。その後、該溶液を0℃に冷却し、臭素(4.49g)のクロロベンゼン溶液(80.0mL)を5時間かけて滴下し、0℃で4時間攪拌した。その後、0℃で臭素(0.63g)のクロロベンゼン溶液(12.0mL)を滴下して、0℃で5時間反応させた。反応終了後、飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液(100mL)を加え、さらにトルエン(100mL)を加え、分液した。得られた有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥させ、濃縮して溶媒を除去した。得られた生成物をカラムクロマトグラフィー(充填剤:シリカゲル、展開溶媒:ヘキサン:酢酸エチル=10:1(体積比))により精製することで化合物1−11(7.90g)を得た。
別途、2口フラスコに、2−メトキシカルボニル−4,4’−ジブロモビフェニル(16.0g)、および無水テトラヒドロフランを加え、溶液(以下、「溶液B」と言う。
)を調製した。
溶液Aに溶液Bを、溶液Aの温度が−70℃に保たれるように滴下し、撹拌した。その後、反応溶液を室温にて15時間撹拌した。その後、反応溶液に水を0℃にて加え、撹拌した。その後、減圧下濃縮操作により溶媒を留去し、得られた残留物にヘキサンおよび水を加え、撹拌し、静置して生成した水層を除去し油層を得た。得られた油層を飽和食塩水にて洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥させた後、減圧下で濃縮することにより、化合物1Cを白色固体として得た。
反応容器内の気体を窒素ガス雰囲気下とした後、前記化合物3B(17.1g、18.8mmol)、WO2005/049548号に記載の方法に従って合成した下記式で表される化合物(10.4g、11.5mmol)、
反応容器内の気体を窒素ガス雰囲気下とした後、前記化合物3C(13.4g、17.5mmol)、下記式で表される化合物(3.70g、6.98mmol)、
反応容器内の気体を窒素ガス雰囲気下とした後、2,7−ビス(1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)−9,9−ジオクチルフルオレン(1.08g)、化合物1−4(1.94g)、酢酸パラジウム(0.62mg)、トリス(o−アニシル)ホスフィン(3.65mg)、1−ヘキセン(10.3mg)およびトルエン(48.0mL)を混合し、105℃に加熱した。該溶液に20重量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(5.70mL)を滴下し、2.5時間還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸(20.7mg)を加え、さらに18時間還流させた。その後、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム(0.94g)および水(19.0mL)を加え、80℃で4時間撹拌した。室温まで冷却後、水(22.0mL)、3重量%の酢酸水溶液(22.0mL)、水(22.0mL)の順で分液洗浄した。得られたトルエン溶液をメタノール(300mL)に滴下し、1時間撹拌した後、得られた固体をろ取し、減圧乾燥した。さらに、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール(300mL)に滴下し、1時間撹拌した後、得られた固体をろ取し、乾燥させることにより高分子化合物P−1(1.59g)を得た。高分子化合物P−1のポリスチレン換算の数平均分子量は4.0×104であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は1.7×105であった。
反応容器内の気体を窒素ガス雰囲気下とした後、2,7−ビス(1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)−9,9−ジオクチルフルオレン(0.71g)、化合物1−7(1.98g)、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド(1.0mg)、トリオクチルメチルアンモニウムクロライド(アルドリッチ製、商品名:Aliquat336)(0.20g)およびトルエン(30.0mL)を混合し、105℃に加熱した。該溶液に2Mの炭酸ナトリウム水溶液(3.00mL)を滴下し、7時間還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸(0.20g)を加え、さらに16時間還流させた。その後、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム(0.30g)および水(5.00mL)を加え、80℃で4時間撹拌した。室温まで冷却後、水(17.0mL)、3重量%の酢酸水溶液(17.0mL)、水(17.0mL)の順で分液洗浄した。得られたトルエン溶液をメタノール(400mL)に滴下し、1時間撹拌した後、得られた固体をろ取し、減圧乾燥した。さらに、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール(400mL)に滴下し、1時間撹拌した後、得られた固体をろ取し、乾燥させることにより高分子化合物P−2(2.02g)を得た。高分子化合物P−2のポリスチレン換算の数平均分子量は1.2×104であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は3.8×104であった。
反応容器内の気体を窒素ガス雰囲気下とした後、前記化合物3C(1.09g、1.42mmol)、下記式で表される化合物(0.36g、0.56mmol)、
反応容器内の気体を窒素ガス雰囲気下とした後、下記式で表される化合物(0.42g)、
キシレン溶媒(関東化学社製:電子工業用(ELグレード))に1.3重量%の濃度で溶解させた共役系高分子化合物1の溶液と、キシレン溶媒に1.3重量%の濃度で溶解させた高分子化合物P−1の溶液とを、重量比で90:10(モル比で95:5)となるように混合して、発光材料1の溶液を調製した。
スパッタ法により45nmの厚みでITO膜を付けたガラス基板に、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸の溶液(H.C.Starck社製、商品名:CLEVIOS P AI4083)を用いてスピンコートにより35nmの厚みで成膜し、ホットプレート上で200℃で10分間乾燥した。次に、正孔輸送性高分子化合物1を0.7重量%のキシレン溶液の状態でスピンコートして、約20nmの厚みに成膜した。これを、酸素濃度および水分濃度が10ppm以下(重量基準)の窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で180℃で60分間熱処理した。次に、発光材料1を1.3重量%のキシレン溶液の状態でスピンコートして、約60nmの厚みに成膜した。これを、酸素濃度および水分濃度が10ppm以下(重量基準)の窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で130℃で10分間乾燥した。真空度が、1×10−4Pa以下に到達した後に、陰極としてフッ化ナトリウムを約3nm、次いでフッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約80nm蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、発光素子1を作製した。
実施例4における共役系高分子化合物1と高分子化合物P−1を、重量比で93.3:6.7(モル比で97:3)となるように混合して発光材料2の溶液を調整した以外は、実施例4と同様にして、発光素子2を作製した。
実施例4における高分子化合物P−1を高分子化合物P−2に変更し、共役系高分子化合物1と高分子化合物P−2を、重量比で90:10(モル比で96:4)となるように混合して発光材料3の溶液を調製した以外は、実施例4と同様にして、発光素子3を作製した。
実施例4における高分子化合物P−1を高分子化合物P−2に変更し、共役系高分子化合物1と高分子化合物P−2を、重量比で95:5(モル比で98:2)となるように混合して発光材料4の溶液を調製した以外は、実施例4と同様にして、発光素子4を作製した。
実施例4における高分子化合物P−1を高分子化合物P−3に変更し、共役系高分子化合物1と高分子化合物P−3を、重量比で50:50(モル比で56:44)となるように混合して発光材料5の溶液を調製した以外は、実施例4と同様にして、発光素子5を作製した。
キシレン溶媒(関東化学社製:電子工業用(ELグレード))に1.3重量%の濃度で溶解させた共役系高分子化合物1の溶液と、キシレン溶媒に1.3重量%の濃度で溶解させた高分子化合物CP−1の溶液とを、重量比で83.3:16.7となるように混合して、発光材料C1の溶液を調製した。
スパッタ法により45nmの厚みでITO膜を付けたガラス基板に、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸の溶液(H.C.Starck社製、商品名:CLEVIOS P AI4083)を用いてスピンコートにより35nmの厚みで成膜し、ホットプレート上で200℃で10分間乾燥した。次に、正孔輸送性高分子化合物1を0.7重量%のキシレン溶液の状態でスピンコートして、約20nmの厚みに成膜した。これを、酸素濃度および水分濃度が10ppm以下(重量基準)の窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で180℃で60分間熱処理した。次に、発光材料C1を1.3重量%のキシレン溶液の状態でスピンコートして、約60nmの厚みに成膜した。これを、酸素濃度および水分濃度が10ppm以下(重量基準)の窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で130℃で10分間乾燥した。真空度が、1×10−4Pa以下に到達した後に、陰極としてフッ化ナトリウムを約3nm、次いでフッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約80nm蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、発光素子C1を作製した。
比較例2における共役系高分子化合物1と高分子化合物CP−1を、重量比で90:10となるように混合して発光材料C2の溶液を調製した以外は、比較例2と同様にして、発光素子C2を作製した。
反応容器内の気体を窒素ガス雰囲気下とした後、下記式で表される化合物(1.35g、2.00mmol)、
反応容器内の気体を不活性ガス雰囲気下とした後、下記式で表される化合物(3.1502g、5.94mmol)、
実施例4における高分子化合物P−1を高分子化合物P−4に変更し、共役系高分子化合物1と高分子化合物P−4を、重量比で50:50(モル比で51:49)となるように混合して発光材料6の溶液を調製した以外は、実施例4と同様にして、発光素子6を作製した。
実施例4における高分子化合物P−1を高分子化合物P−4に変更し、共役系高分子化合物1と高分子化合物P−4を、重量比で75:25(モル比で75:25)となるように混合して発光材料7の溶液を調製した以外は、実施例4と同様にして、発光素子7を作製した。
キシレン溶媒(関東化学社製:電子工業用(ELグレード))に1.3重量%の濃度で溶解させた共役系高分子化合物2の溶液を調整し、発光材料C3の溶液を調製した。
スパッタ法により45nmの厚みでITO膜を付けたガラス基板に、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸の溶液(H.C.Starck社製、商品名:CLEVIOS P AI4083)を用いてスピンコートにより35nmの厚みで成膜し、ホットプレート上で200℃で10分間乾燥した。次に、正孔輸送性高分子化合物1を0.7重量%のキシレン溶液の状態でスピンコートして、約20nmの厚みに成膜した。これを、酸素濃度および水分濃度が10ppm以下(重量基準)の窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で180℃で60分間熱処理した。次に、発光材料C3を1.3重量%のキシレン溶液の状態でスピンコートして、約60nmの厚みに成膜した。これを、酸素濃度および水分濃度が10ppm以下(重量基準)の窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で130℃で10分間乾燥した。真空度が、1×10−4Pa以下に到達した後に、陰極としてフッ化ナトリウムを約3nm、次いでフッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約80nm蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、発光素子C3を作製した。
得られた発光素子C3に電圧を印加したところ、青色発光のエレクトロルミネッセンス(EL)が観測された。該素子は2.6Vから発光が開始し、輝度1000cd/m2での発光効率は5.2cd/Aであり、その時の電圧は4.0Vであった。
反応容器内の気体を窒素ガス雰囲気下とした後、前記化合物3B(1.792g、1.98mmol)、前記化合物1−11(1.490g。1.20mmol)、下記式で表される化合物(0.274g、0.50mmol)、
スパッタ法により45nmの厚みでITO膜を付けたガラス基板に、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸の溶液(H.C.Starck社製、商品名:CLEVIOS P AI4083)を用いてスピンコートにより35nmの厚みで成膜し、ホットプレート上で200℃で10分間乾燥した。次に、高分子化合物P−5を0.7重量%のキシレン溶液の状態でスピンコートして、約20nmの厚みに成膜した。これを、酸素濃度および水分濃度が10ppm以下(重量基準)の窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で180℃で60分間熱処理した。次に、共役系高分子化合物2を1.3重量%のキシレン溶液の状態でスピンコートして、約60nmの厚みに成膜した。これを、酸素濃度および水分濃度が10ppm以下(重量基準)の窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で130℃で10分間乾燥した。真空度が、1×10−4Pa以下に到達した後に、陰極としてフッ化ナトリウムを約3nm、次いでフッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約80nm蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、発光素子8を作製した。
実施例13における高分子化合物P−5を正孔輸送性高分子化合物1に変更した以外は、実施例13と同様にして、発光素子C4を作製した。
Claims (23)
- 式(1)で表される繰り返し単位を含む高分子化合物。
E1、E2、E3およびE4は、それぞれ独立に、アリール基、1価の複素環基または式(2)で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。E4が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
a、b、c、dおよびeは、それぞれ独立に、1または2であり、fは0〜3の整数を表す。f=0のとき、5≦a+b+c+e≦8、かつ、bおよびcの少なくとも一方は2である。f=1のとき、5≦a+b+c+d+e≦10である。dが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
m、n、o、p、qおよびlは、それぞれ独立に、0〜4の整数を表し、m、n、o、pおよびqが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
jおよびkは、それぞれ独立に、0〜5の整数を表す。] - 前記式(3)で表される繰り返し単位が、式(3’)で表される繰り返し単位である、請求項2に記載の高分子化合物。
R10およびR11は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または1価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよく、R10とR11は互いに結合して、環構造を形成していてもよい。
R12は、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、1価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。R12が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
sおよびtは、それぞれ独立に、0〜3の整数を表す。] - 前記式(3’)において、R10およびR11の少なくとも一方がアルキル基、アリール基またはアリールアルキル基である、請求項3に記載の高分子化合物。
- 前記式(3’)において、R10がアルキル基であり、かつ、R11がアリール基またはアリールアルキル基である、請求項4に記載の高分子化合物。
- 前記式(3)で表される繰り返し単位が、式(4)で表される繰り返し単位である、請求項2〜5のいずれか一項に記載の高分子化合物。
R13は、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、1価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。R13が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
rは0〜4の整数を表す。] - 前記式(1)において、E1、E2、E3およびE4がアリール基である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の高分子化合物。
- 前記式(1)において、f=0またはf=1である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の高分子化合物。
- 前記式(1)において、m、n、o、pおよびqがいずれも0である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の高分子化合物。
- 高分子化合物の全繰り返し単位の合計モル数に対する、前記式(1)で表される繰り返し単位および前記式(3’)で表される繰り返し単位の合計モル数の割合が、0.7〜1.0である、請求項3〜9のいずれか一項に記載の高分子化合物。
- 式(2A)で表される繰り返し単位および式(3A)で表される繰り返し単位の少なくとも一方をさらに含む、請求項1〜10のいずれか一項に記載の高分子化合物。
[式中、
naは0〜3の整数を示し、nbは0〜12の整数を示し、nAは0または1であり、nxは1〜4の整数を示す。
Ar5は、(2+nx)価の芳香族炭化水素基または(2+nx)価の複素環基を示し、これらの基は置換基を有していてもよい。
LaおよびLbは、それぞれ独立に、アルキレン基またはフェニレン基を示し、これらの基は置換基を有していてもよい。Laが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Lbが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
LAは、酸素原子または硫黄原子を示す。LAが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
Xは、1価の架橋性基を示す。Xが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。]
[式中、
cxは0または1を示し、
Ar6およびAr8は、それぞれ独立に、アリーレン基または2価の複素環基を示し、これらの基は置換基を有していてもよく、
Ar7は、アリーレン基、複素環基、並びに、アリーレン基および2価の複素環基からなる群から選ばれる同一又は異なる2以上の基が連結した2価の基を示し、これらの基は置換基を有していてもよい。
R1Aは1価の架橋性基を示し、
R2Aは1価の架橋性基、アルキル基、アリール基または1価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。] - 請求項1〜10のいずれか一項に記載の高分子化合物と、
正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも1種類の材料を含有する組成物。 - 請求項11に記載の高分子化合物と、
正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも1種類の材料を含有する組成物。 - 請求項1〜10のいずれか一項に記載の高分子化合物と、溶媒を含有する組成物。
- 請求項11に記載の高分子化合物と、溶媒を含有する組成物。
- 請求項1〜10いずれか一項に記載の高分子化合物または請求項12に記載の組成物を含有する薄膜。
- 請求項11に記載の高分子化合物または請求項13に記載の組成物を含有する薄膜。
- 請求項11に記載の高分子化合物または請求項13に記載の組成物を架橋させて得られる薄膜。
- 請求項16〜18のいずれか一項に記載の薄膜を備える発光素子。
- 請求項16〜18のいずれか一項に記載の薄膜が正孔輸送層である、請求項19に記載の発光素子。
- 請求項16〜18のいずれか一項に記載の薄膜が発光層である、請求項19に記載の発光素子。
- 請求項19〜21のいずれか一項に記載の発光素子を備える面状光源。
- 請求項19〜21のいずれか一項に記載の発光素子を備える表示装置。
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