JP5471048B2 - 共重合体及びそれを用いた高分子発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、共重合体及びそれを用いた高分子発光素子に関する。

高分子発光素子に用いる材料として様々な高分子化合物が検討されており、その例として、繰り返し単位としてアリーレン基であるフルオレン−ジイル基と式（Ｍ）で示される基を有するランダム共重合体が提案されている（特許文献１）。

（Ｍ）

特表２００４−５３４８６３号公報

しかしながら、上記のランダム共重合体を高分子発光素子に用いたとき、高分子発光素子が発光する寿命は、未だ十分なものではなかった。
そこで、本発明の目的は、長期間発光する高分子発光素子を与えうる共重合体を提供することにある。

即ち、本発明は第一に、式（Ｉ−１）で示される繰り返し単位からなるブロック（Ａ'）、及び／又は式（Ｉ−１）で示される繰り返し単位と式（ＩＩ）で示される繰り返し単位とを含むブロック（Ａ）を有する共重合体を提供する。

〔式中、Ｘ¹、Ｘ²及びＸ³は、同一であっても相異なっていてもよく、酸素原子、硫黄原子又は−Ｃ（Ｒ⁷）＝Ｃ（Ｒ⁸）−を表し、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷及びＲ⁸は、同一であっても相異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、ｍ及びｎは、同一であっても相異なっていてもよく、２又は３を表す。複数個あるＲ¹は、同一であっても相異なっていてもよい。複数個あるＲ²は、同一であっても相異なっていてもよい。複数個あるＲ⁵は、同一であっても相異なっていてもよい。複数個あるＲ⁶は、同一であっても相異なっていてもよい。複数個あるＸ¹は、同一であっても相異なっていてもよい。複数個あるＸ³は、同一であっても相異なっていてもよい。〕
−（Ａｒ¹）− （ＩＩ）
〔式中、Ａｒ¹はアリーレン基を表す。〕

本発明は第二に、前記共重合体と、発光材料、正孔輸送材料及び電子輸送材料からなる群から選ばれる１種以上の材料とを含有する組成物を提供する。

本発明は第三に、前記共重合体と溶媒とを含有する組成物を提供する。

本発明は第四に、前記共重合体又は前記組成物を含有する薄膜を提供する。

本発明は第五に、陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に前記共重合体又は前記組成物を含む有機層を有する高分子発光素子を提供する。

本発明は第六に、前記高分子発光素子を用いた面状光源及び照明、並びに前記高分子発光素子をバックライトとする液晶表示装置を提供する。

本発明は第七に、前記共重合体を含む活性層を有する有機トランジスタを提供する。

本発明は第八に、陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に設けられた前記共重合体を含む有機層とを有する光電変換素子を提供する。

本発明は第九に、Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物のみを縮合重合させるか、Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物とＷ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物とを縮合重合させるか、Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物とＷ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物及び縮合重合に関与する２個の置換基を有する化合物とを縮合重合させることにより第一の化合物を合成する工程、及びこの第一の化合物と、縮合重合に関与する２個の置換基を有する化合物とを、縮合重合させることによりブロック（Ａ’）及び／又はブロック（Ａ）を有する共重合体を合成する工程を有する前記共重合体の製造方法を提供する。
（式中、−Ａ−は式（Ｉ−１）で示される繰り返し単位又は式（Ｉ−２）で示される繰り返し単位を表し、Ａｒ¹は前記と同じ意味を表し、Ｗ¹及びＷ²は、同一であっても相異なっていてもよく、縮合重合に関与する置換基を表す。）

本発明は第十に、Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物のみを縮合重合させるか、Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物とＷ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物とを縮合重合させるか、Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物とＷ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物及び縮合重合に関与する２個の置換基を有する化合物を縮合重合させることにより第一の化合物を合成する工程、及びこの第一の化合物と、Ｗ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物及びＷ¹−Ａｒ²−Ｗ²で示される化合物とを縮合重合させるか、この第一の化合物と、Ｗ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物、Ｗ¹−Ａｒ²−Ｗ²で示される化合物及び縮合重合に関与する２個の置換基を有する化合物とを縮合重合させることによりブロック（Ａ’）及び／又はブロック（Ａ）とブロック（Ｂ）とを有する共重合体を合成する工程を有する前記共重合体の製造方法を提供する。
（式中、−Ａ−は式（Ｉ−１）で示される繰り返し単位又は式（Ｉ−２）で示される繰り返し単位を表し、Ａｒ¹は前記と同じ意味を表し、Ａｒ²は２価の芳香族アミン残基を表し、Ｗ¹及びＷ²は、同一であっても相異なっていてもよく、縮合重合に関与する置換基を表す。）

本発明は第十一に、Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物のみを縮合重合させるか、Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物とＷ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物とを縮合重合させるか、Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物とＷ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物及び縮合重合に関与する２個の置換基を有する化合物を縮合重合させることにより第一の化合物を合成する工程、Ｗ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物とＷ¹−Ａｒ²−Ｗ²で示される化合物とを縮合重合させるか、Ｗ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物とＷ¹−Ａｒ²−Ｗ²で示される化合物と縮合重合に関与する２個の置換基を有する化合物とを縮合重合させることにより第二の化合物を合成する工程、及びこの第一の化合物とこの第二の化合物とを縮合重合させることによりブロック（Ａ’）及び／又はブロック（Ａ）とブロック（Ｂ）とを有する共重合体を合成する工程を有する前記共重合体の製造方法を提供する。
（式中、−Ａ−は式（Ｉ−１）で示される繰り返し単位又は式（Ｉ−２）で示される繰り返し単位を表し、Ａｒ¹及びＡｒ²は前記と同じ意味を表し、Ｗ¹及びＷ²は、同一であっても相異なっていてもよく、縮合重合に関与する置換基を表す。）

本発明の共重合体を用いれば、長期間発光する高分子発光素子を製造できるため、本発明は工業的に極めて有用である。

＜ブロック（Ａ'）、ブロック（Ａ）＞
本発明の共重合体は、式（Ｉ−１）で示される繰り返し単位からなるブロック（Ａ'）、及び／又は式（Ｉ−１）で示される繰り返し単位と式（ＩＩ）で示される繰り返し単位とを含むブロック（Ａ）を有するが、式（Ｉ−１）で示される繰り返し単位と式（ＩＩ）で示される繰り返し単位とを含むブロック（Ａ）を有することが好ましい。

式（Ｉ−１）中、Ｘ¹、Ｘ²及びＸ³は、同一であっても相異なっていてもよく、酸素原子、硫黄原子又は−Ｃ（Ｒ⁷）＝Ｃ（Ｒ⁸）−を表し、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷及びＲ⁸は、同一であっても相異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表す。

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が例示される。

アルキル基は、非置換のアルキル基及び基中の水素原子がハロゲン原子等で置換されたアルキル基を意味し、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキル基でもよい。アルキル基の炭素原子数は、通常１〜２０、好ましくは１〜１５、より好ましくは１〜１０である。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ドデシル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等が挙げられる。

アルコキシ基は、非置換のアルコキシ基及び基中の水素原子がハロゲン原子等で置換されたアルコキシ基を意味し、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルコキシ基でもよい。アルコキシ基の炭素原子数は、通常１〜２０、好ましくは１〜１５、より好ましくは１〜１０である。アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基等が挙げられる。

アルキルチオ基は、非置換のアルキルチオ基及び基中の水素原子がハロゲン原子等で置換されたアルキルチオ基を意味し、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルチオ基でもよい。アルキルチオ基の炭素原子数は、通常１〜２０、好ましくは１〜１５、より好ましくは１〜１０である。アルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ドデシルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等が挙げられる。

アリール基は、芳香族炭化水素から芳香環を構成する炭素原子に結合した水素原子１個を除いた残りの原子団であり、非置換のアリール基及び基中の水素原子がハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基、カルボニル基、カルボキシル基等で置換されたアリール基を意味する。置換基の数は１個でも複数個でもよく、複数個の置換基は同一であっても相異なっていてもよい。アリール基には、縮合環を持つもの、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が単結合又は２価の有機基、例えば、ビニレン基等のアルケニレン基を介して結合したものも含まれる。アリール基の炭素原子数は、通常６〜６０、好ましくは７〜４８、より好ましくは７〜３０である。アリール基としては、例えば、フェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基（Ｃ₁〜Ｃ₁₂は、炭素原子数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基等が挙げられ、中でもＣ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基が好ましい。

Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基としては、例えば、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロピルオキシフェニル基、イソプロピルオキシフェニル基、ブチルオキシフェニル基、イソブチルオキシフェニル基、ｓ−ブチルオキシフェニル基、ｔ−ブチルオキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基等が挙げられる。

Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基としては、例えば、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、ｓ−ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基等が挙げられる。

アリールオキシ基は、非置換のアリールオキシ基及び基中の水素原子がハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたアリールオキシ基を意味する。アリールオキシ基の炭素原子数は、通常６〜６０、好ましくは７〜４８、より好ましくは７〜３０である。アリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基等挙げられ、中でもＣ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基が好ましい。

Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基としては、例えば、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、プロピルオキシフェノキシ基、イソプロピルオキシフェノキシ基、ブチルオキシフェノキシ基、イソブチルオキシフェノキシ基、ｓ−ブチルオキシフェノキシ基、ｔ−ブチルオキシフェノキシ基、ペンチルオキシフェノキシ基、ヘキシルオキシフェノキシ基、オクチルオキシフェノキシ基等が挙げられる。

Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基としては、例えば、メチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、１，３，５−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、イソブチルフェノキシ基、ｓ−ブチルフェノキシ基、ｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基等が挙げられる。

アリールチオ基は、非置換のアリールチオ基及び基中の水素原子がハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたアリールチオ基を意味する。アリールチオ基の炭素原子数は、通常６〜６０、好ましくは７〜４８、より好ましくは７〜３０である。アリールチオ基としては、例えば、フェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基等が挙げられる。

アリールアルキル基は、非置換のアリールアルキル基及び基中の水素原子がハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたアリールアルキル基を意味する。アリールアルキル基の炭素原子数は、通常７〜６０、好ましくは７〜４８、より好ましくは７〜３０である。アリールアルキル基としては、例えば、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基等が挙げられる。ここで、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基等が挙げられる。

アリールアルコキシ基は、非置換のアリールアルコキシ基及び基中の水素原子がハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたアリールアルコキシ基を意味する。アリールアルコキシ基の炭素原子数は、通常７〜６０、好ましくは７〜４８、より好ましくは７〜３０である。アリールアルコキシ基としては、例えば、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基等が挙げられる。ここで、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等が挙げられる。

アリールアルキルチオ基は、非置換のアリールアルキルチオ基及び基中の水素原子がハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたアリールアルキルチオ基を意味する。アリールアルキルチオ基の炭素原子数は、通常７〜６０、好ましくは７〜４８、より好ましくは７〜３０である。アリールアルキルチオ基としては、例えば、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基等が挙げられる。ここで、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ドデシルチオ基等が挙げられる。

アリールアルケニル基は、非置換のアリールアルケニル基及び基中の水素原子がハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたアリールアルケニル基を意味する。アリールアルケニル基の炭素原子数は、通常８〜６０、好ましくは８〜４８、より好ましくは８〜３０である。アリールアルケニル基としては、例えば、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基（Ｃ₂〜Ｃ₁₂は、炭素原子数２〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基等が挙げられ、中でもＣ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基が好ましい。

Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基としては、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、２−ヘキセニル基、１−オクテニル基等が挙げられる。

アリールアルキニル基は、非置換のアリールアルキニル基及び基中の水素原子がハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたアリールアルキニル基を意味する。アリールアルキニル基の炭素原子数は、通常８〜６０、好ましくは８〜４８、より好ましくは８〜３０である。アリールアルキニル基としては、例えば、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基等が挙げられ、中でもＣ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基が好ましい。

Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基としては、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基、２−ブチニル基、１−ペンチニル基、２−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、２−ヘキシニル基、１−オクチニル基等が挙げられる。

１価の複素環基とは、複素環式化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、非置換の１価の複素環基及び基中の水素原子がアルキル基等の置換基で置換された１価の複素環基を意味する。１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常４〜６０、好ましくは４〜３０、より好ましくは４〜２０である。ここに複素環式化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素として、炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子、ヒ素原子等のヘテロ原子を含むものをいう。１価の複素環基としては、芳香族性を有する複素環基が好ましい。１価の複素環基としては、例えば、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジル基、ピラジニル基、トリアジニル基、キノリル基、イソキノリル基等が挙げられ、中でもチエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基が好ましい。

複素環チオ基は、メルカプト基の水素原子が１価の複素環基で置換された基を意味する。複素環チオ基としては、例えば、ピリジルチオ基、ピリダジニルチオ基、ピリミジルチオ基、ピラジニルチオ基、トリアジニルチオ基等のヘテロアリールチオ基等が挙げられる。

アミノ基は、非置換のアミノ基ならびに基中の水素原子がアルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選ばれる１又は２個の基で置換されたアミノ基（以下、置換アミノ基という。）を意味する。前記アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、１価の複素環基に含まれる水素原子は、更にアルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選ばれる置換基（以下、二次置換基という場合がある。）で置換されていてもよい。置換アミノ基の炭素原子数は、二次置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜６０、好ましくは２〜４８、より好ましくは２〜４０である。置換アミノ基としては、例えば、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｓ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ドデシルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル）アミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジニルアミノ基、トリアジニルアミノ基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基等が挙げられる。

シリル基は、非置換のシリル基ならびに基中の水素原子がアルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリル基（以下、置換シリル基という。）を意味する。前記アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、１価の複素環基に含まれる水素原子は、二次置換基で置換されていてもよい。置換シリル基の炭素原子数は、二次置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜６０、好ましくは３〜４８、より好ましくは３〜４０である。置換シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−イソプロピルシリル基、ジメチル−イソプロピルシリル基、ジエチル−イソプロピルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ドデシルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基等が挙げられる。

アシル基は、非置換のアシル基及び基中の水素原子がハロゲン原子等で置換されたアシル基を意味する。アシル基の炭素原子数は、通常２〜２０、好ましくは２〜１８、より好ましくは２〜１６である。アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基等が挙げられる。

アシルオキシ基は、非置換のアシルオキシ基及び基中の水素原子がハロゲン原子等で置換されたアシルオキシ基を意味する。アシルオキシ基の炭素原子数は、通常２〜２０、好ましくは２〜１８、より好ましくは２〜１６である。アシルオキシ基としては、例えば、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基等が挙げられる。

イミン残基は、式：Ｈ−Ｎ＝Ｃ＜及び式：−Ｎ＝ＣＨ−の少なくとも一方で表される構造を有するイミン化合物から水素原子１個を除いた残基を意味する。このようなイミン化合物としては、例えば、アルジミン、ケチミン及びアルジミン中の窒素原子に結合した水素原子がアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基等で置換された化合物が挙げられる。イミン残基の炭素原子数は、通常２〜２０、好ましくは２〜１８、より好ましくは２〜１６である。イミン残基としては、例えば、一般式：−ＣＲ''＝Ｎ−Ｒ'''又は一般式：−Ｎ＝Ｃ（Ｒ'''）₂（式中、Ｒ''は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、又はアリールアルキニル基を表し、Ｒ'''は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、又はアリールアルキニル基を表し、ただし、Ｒ'''が２個存在する場合、それらは同一であっても相異なっていてもよく、２個のＲ'''は相互に結合し一体となって２価の基、例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等の炭素原子数２〜１８のアルキレン基として環を形成してもよい。）で表される基等が挙げられる。イミン残基の具体例としては、以下の構造式で示される基等が挙げられる。

（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）

アミド基は、非置換のアミド基及び基中の水素原子がハロゲン原子等で置換されたアミド基を意味する。アミド基の炭素原子数は、通常２〜２０、好ましくは２〜１８、より好ましくは２〜１６である。アミド基としては、例えば、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基等が例示される。

酸イミド基は、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基を意味する。酸イミド基の炭素原子数は、通常４〜２０、好ましくは４〜１８、より好ましくは４〜１６である。酸イミド基としては、例えば、以下に示す基等が挙げられる。

（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）

カルボキシル基は、非置換のカルボキシル基ならびに基中の水素原子がアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、１価の複素環基等の置換基で置換されたカルボキシル基（以下、置換カルボキシル基という。）を意味する。置換基は二次置換基を有していてもよい。置換カルボキシル基の炭素原子数は、二次置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜６０、好ましくは２〜４８、より好ましくは２〜４５である。置換カルボキシル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｓ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基等が挙げられる。

原料モノマーの合成の容易さの観点からは、式（Ｉ−１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基又は複素環チオ基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又はアリールオキシ基であることがより好ましく、水素原子、アルキル基又はアリール基であることがさらに好ましい。

式（Ｉ−１）中、ｍ及びｎは、同一であっても相異なっていてもよく、２又は３を表す。原料モノマーの合成の容易さの観点からは、ｍとｎとが等しいことが好ましく、ｍ及びｎが２であることがより好ましい。

本発明の共重合体を用いた高分子発光素子をより長期間発光させる観点からは、Ｘ¹、Ｘ²及びＸ³が、酸素原子又は硫黄原子であることが好ましく、硫黄原子であることがより好ましい。

式（Ｉ−１）で示される繰り返し単位の具体例としては、式（Ｉ−１−１）〜（Ｉ−１−４６）で示される繰り返し単位等が挙げられる。

（式（Ｉ−１−３２）〜（Ｉ−１−４６）中、Ｐｈは、フェニル基を表す。）

本発明の共重合体は、ブロック（Ａ）中に、式（Ｉ−１）で示される繰り返し単位、式（ＩＩ）で示される繰り返し単位を、各々、１種類有していても２種類以上有していてもよい。また、本発明の共重合体は、ブロック（Ａ'）中に、式（Ｉ−１）で示される繰り返し単位を１種類有していても２種類以上有していてもよい。

Ａｒ¹で表されるアリーレン基は、芳香族炭化水素から芳香環を構成する炭素原子に結合した水素原子２個を除いた残りの原子団であり、非置換のアリーレン基及び置換のアリーレン基を意味する。アリーレン基には、縮合環を持つもの、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が単結合又は２価の有機基、例えば、ビニレン基等のアルケニレン基を介して結合したものも含まれる。置換のアリーレン基における置換基は、共重合体の溶解性、蛍光特性、共重合体の合成の行いやすさ、高分子発光素子の耐熱性等の観点から、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基が好ましい。該アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基の具体例としては、前述のＲ¹で説明した基と同様の基が挙げられる。また、該ハロゲン原子としては、前述のＲ¹で説明したハロゲン原子と同様の原子が挙げられる。

アリーレン基における置換基を除いた部分の炭素原子数は、通常６〜６０、好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１８である。また、置換基を含めたアリーレン基の全炭素原子数は、通常６〜１００、好ましくは６〜８０、より好ましくは６〜７０である。

アリーレン基としては、フェニレン基（下式１〜３）、ナフタレン−ジイル基（下式４〜１３）、アントラセン−ジイル基（下式１４〜１９）、ビフェニル−ジイル基（下式２０〜２５）、ターフェニル−ジイル基（下式２６〜２８）、フルオレン−ジイル基（下式３６〜３８）、ベンゾフルオレン−ジイル基（下式３９〜４６）、及び、その他の２価の縮合多環式芳香族炭化水素基（下式２９〜３５）等が挙げられる。

上記式１〜４６中、Ｒは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表す。該アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基の具体例としては、前述のＲ¹で説明した基と同様の基が挙げられる。また、該ハロゲン原子としては、前述のＲ¹で説明したハロゲン原子と同様の原子が挙げられる。

本発明の共重合体を用いた高分子発光素子をより長期間発光させる観点からは、式（ＩＩ）中、Ａｒ¹は、式（ＩＶ）で示される基であることが好ましい。

〔式中、Ｒ⁹及びＲ¹⁰は、同一であっても相異なっていてもよく、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、Ｒ¹¹及びＲ¹²は、同一であっても相異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、ａ及びｂは、同一であっても相異なっていてもよく、０〜３の整数を表す。Ｒ⁹が複数個ある場合、それらは同一であっても相異なっていてもよい。Ｒ¹⁰が複数個ある場合、それらは同一であっても相異なっていてもよい。〕

式（ＩＶ）中、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、Ｒ¹²で表されるアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基としては、前述のＲ¹で説明した基と同様の基が挙げられる。ハロゲン原子としては、前述のＲ¹で説明したハロゲン原子と同様の原子が挙げられる。

本発明の共重合体を用いた高分子発光素子をより長期間発光させる観点からは、式（ＩＶ）中、Ｒ⁹及びＲ¹⁰が、アリール基又はアルキル基であることが好ましい。

原料モノマーの合成の容易さの観点からは、式（ＩＶ）中、ａ及びｂは、０又は１であることが好ましく、０であることがより好ましい。

原料モノマーの合成の容易さの観点からは、式（ＩＶ）中、Ｒ¹¹及びＲ¹²がアルキル基又はアリール基であることが好ましい。

式（ＩＶ）で示される基の具体例としては、下記式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−１５）で示される基等が挙げられる。

本発明の共重合体が有し得るブロック（Ａ）は、さらに式（Ｉ−２）で示される繰り返し単位を含むことが好ましく、式（Ｉ−２）で示される繰り返し単位を２種類以上含むことがより好ましい。

〔式中、Ｙ¹、Ｙ²及びＹ³は、同一であっても相異なっていてもよく、酸素原子、硫黄原子又は−Ｃ（Ｒ'⁷）＝Ｃ（Ｒ'⁸）−を表し、Ｒ'¹、Ｒ'²、Ｒ'³、Ｒ'⁴、Ｒ'⁵、Ｒ'⁶、Ｒ'⁷及びＲ'⁸は、同一であっても相異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表す。〕

式（Ｉ−２）中、Ｒ'¹、Ｒ'²、Ｒ'³、Ｒ'⁴、Ｒ'⁵、Ｒ'⁶、Ｒ'⁷及びＲ'⁸で表されるアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基としては、前述のＲ¹で説明した基と同様の基が挙げられる。ハロゲン原子としては、前述のＲ¹で説明したハロゲン原子と同様の原子が挙げられる。

原料モノマーの合成の容易さの観点からは、式（Ｉ−２）中、Ｒ'¹、Ｒ'²、Ｒ'³、Ｒ'⁴、Ｒ'⁵及びＲ'⁶は、同一であっても相異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基又は複素環チオ基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又はアリールオキシ基であることがより好ましく、水素原子、アルキル基又はアリール基であることがさらに好ましい。

本発明の共重合体を用いた高分子発光素子をより長期間発光させる観点からは、式（Ｉ−２）中、Ｙ¹、Ｙ²及びＹ³が、酸素原子又は硫黄原子であることが好ましく、硫黄原子であることがより好ましい。

式（Ｉ−２）で示される繰り返し単位の具体例としては、式（Ｉ−２−１）〜（Ｉ―２―８）で示される繰り返し単位等が挙げられる。

ブロック（Ａ）が式（Ｉ−２）で示される繰り返し単位を２種類含む場合、それらの組み合わせの具体例としては、式（Ｉ−２−１）で示される繰り返し単位と式（Ｉ−２−５）で示される繰り返し単位、式（Ｉ−２−３）で示される繰り返し単位と式（Ｉ−２−５）で示される繰り返し単位、式（Ｉ−２−４）で示される繰り返し単位と式（Ｉ−２−５）で示される繰り返し単位、式（Ｉ−２−６）で示される繰り返し単位と式（Ｉ−２−５）で示される繰り返し単位、式（Ｉ−２−１）で示される繰り返し単位と式（Ｉ−２−３）で示される繰り返し単位、式（Ｉ−２−１）で示される繰り返し単位と式（Ｉ−２−６）で示される繰り返し単位、式（Ｉ−２−３）で示される繰り返し単位と式（Ｉ−２−６）で示される繰り返し単位、式（Ｉ−２−４）で示される繰り返し単位と式（Ｉ−２−７）で示される繰り返し単位等が挙げられる。

ブロック（Ａ）が有する全繰り返し単位を１００モルとした場合、式（Ｉ−１）で示される繰り返し単位は、０．１〜４０モルであることが好ましく、式（Ｉ−２）で示される繰り返し単位は、１０〜５０モルであることが好ましく、式（ＩＩ）で示される繰り返し単位は、１０〜７０モルであることが好ましい。

＜ブロック（Ｂ）＞
本発明の共重合体は、高溶解性の観点、薄膜作製が簡便となる観点、共重合体を用いた高分子発光素子をより長期間発光させる観点からは、式（ＩＩ）で示される繰り返し単位と式（ＩＩＩ）で示される繰り返し単位とを含むブロック（Ｂ）を有することが好ましい。ブロック（Ｂ）中に、式（ＩＩＩ）で示される繰り返し単位を２種類以上含んでいてもよい。
−（Ａｒ²）− （ＩＩＩ）
〔式中、Ａｒ²は、２価の芳香族アミン残基を表す。〕

２価の芳香族アミン残基とは、芳香族アミンから芳香環を構成する炭素原子に結合した水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、非置換の２価の芳香族アミン残基及び置換の２価の芳香族アミン残基を意味する。置換の２価の芳香族アミン残基における置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基が挙げられる。該アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基としては、前述のＲ¹で説明した基と同様の基が挙げられる。ハロゲン原子としては、前述のＲ¹で説明したハロゲン原子と同様の原子が挙げられる。２価の芳香族アミン残基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常５〜１００、好ましくは１５〜８０、より好ましくは１５〜６０である。

２価の芳香族アミン残基としては、例えば、以下の式４０１〜４１２で示される基等が挙げられる。

（式４０１〜４１１中、Ｒは前記と同じ意味を表す。複数個存在するＲは、同一であっても異なっていてもよい。）

高分子発光素子がより長期間発光する観点、低電圧駆動において高輝度で発光する観点からは、式（ＩＩＩ）中、Ａｒ²は式（Ｖ−１）で示される基、式（Ｖ−２）で示される基又は式（Ｖ−３）で示される基であることが好ましい。

（式中、Ａｒ¹³、Ａｒ¹⁴、Ａｒ¹⁵及びＡｒ¹⁶は、同一であっても相異なっていてもよく、アリーレン基又は２価の複素環基を表す。Ａｒ¹⁷、Ａｒ¹⁸及びＡｒ¹⁹は、同一であっても相異なっていてもよく、アリール基又は１価の複素環基を表す。ｘ及びｙは、同一であっても相異なっていてもよく、０又は１を表し、０≦ｘ＋ｙ≦１である。）

（式中、Ａｒ²⁰及びＡｒ²¹は、同一であっても相異なっていてもよく、３価の芳香族炭化水素基又は３価の複素環基を表す。Ａｒ²²は、アリール基又は１価の複素環基を表す。Ｚ¹は、酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（Ｒ^Z1）＝Ｃ（Ｒ^Z2）−、−Ｃ（Ｒ^Z3）（Ｒ^Z4）−、−Ｎ（Ｒ^Z5）、−又は直接結合（Ａｒ²⁰とＡｒ²¹とを直接つなぐ単結合）を表す。Ｒ^Z1、Ｒ^Z2、Ｒ^Z3、Ｒ^Z4及びＲ^Z5は、同一であっても相異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表す。）

（式中、Ａｒ²³は、３価の芳香族炭化水素基又は３価の複素環基を表す。Ａｒ²⁴及びＡｒ²⁵は、同一であっても相異なっていてもよく、アリーレン基又は２価の複素環基を表す。Ｚ²は、酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（Ｒ^Z6）＝Ｃ（Ｒ^Z7）−、−Ｃ（Ｒ^Z8）（Ｒ^Z9）−、−Ｎ（Ｒ^Z10）、−又は直接結合（Ａｒ²³とＡｒ²⁵とを直接つなぐ単結合）を表す。Ｒ^Z6、Ｒ^Z7、Ｒ^Z8、Ｒ^Z9及びＲ^Z10は、同一であっても相異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表す。）

式（Ｖ−１）〜（Ｖ−３）中、Ａｒ¹³、Ａｒ¹⁴、Ａｒ¹⁵、Ａｒ¹⁶、Ａｒ²⁴及びＡｒ²⁵で表されるアリーレン基としては、前述のＡｒ¹で説明した基と同様の基が挙げられる。

式（Ｖ−１）〜（Ｖ−３）中、Ａｒ¹³、Ａｒ¹⁴、Ａｒ¹⁵、Ａｒ¹⁶、Ａｒ²⁴及びＡｒ²⁵で表される２価の複素環基は、複素環式化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、非置換の２価の複素環基及び基中の水素原子がアルキル基等の置換基で置換された２価の複素環基を意味する。２価の複素環基としては、例えば、チオフェン−ジイル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオフェン−ジイル基、ピロール−ジイル基、Ｎ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピロール−ジイル基、フラン−ジイル基、ピリジン−ジイル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジン−ジイル基、ピリダジン−ジイル基、ピペリジン−ジイル基、ピリミジン−ジイル基、トリアジン−ジイル基、キノリン−ジイル基、イソキノリン−ジイル基、キノキサリン−ジイル基等が挙げられる。

式（Ｖ−１）〜（Ｖ−３）中、Ａｒ¹⁷、Ａｒ¹⁸、Ａｒ¹⁹及びＡｒ²²で表されるアリール基、１価の複素環基としては、前述のＲ¹で説明した基と同様の基が挙げられる。

式（Ｖ−２）、（Ｖ−３）中、Ａｒ²⁰、Ａｒ²¹及びＡｒ²³で表される３価の芳香族炭化水素基は、非置換又は置換の芳香族炭化水素から芳香環を構成する炭素原子に結合した水素原子３個を除いた残りの原子団を意味する。３価の芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン−トリイル基、ナフタレン−トリイル基、アントラセン−トリイル基、ビフェニル−トリイル基、ターフェニル−トリイル基、フルオレン−トリイル基、ベンゾフルオレン−トリイル基等が挙げられる。

式（Ｖ−２）、（Ｖ−３）中、Ａｒ²⁰、Ａｒ²¹及びＡｒ²³で表される３価の複素環基とは、複素環式化合物から水素原子３個を除いた残りの原子団をいい、非置換の３価の複素環基及び基中の水素原子がアルキル基等の置換基で置換された３価の複素環基を意味する。３価の複素環基としては、例えば、チオフェン−トリイル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオフェン−トリイル基、ピロール−トリイル基、Ｎ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピロール−トリイル基、フラン−トリイル基、ピリジン−トリイル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジン−トリイル基、ピリダジン−トリイル基、ピペリジン−トリイル基、ピリミジン−トリイル基、キノリン−トリイル基、イソキノリン−トリイル基、キノキサリン−トリイル基等が挙げられる。

式（Ｖ−２）、（Ｖ−３）中、Ｒ^Z1、Ｒ^Z2、Ｒ^Z3、Ｒ^Z4、Ｒ^Z5、Ｒ^Z6、Ｒ^Z7、Ｒ^Z8、Ｒ^Z9及びＲ^Z10で表されるアルキル基、アリール基、１価の複素環基としては、前述のＲ¹で説明した基と同様の基が挙げられる。

式（Ｖ−２）、（Ｖ−３）中、Ｒ^Z1、Ｒ^Z2、Ｒ^Z3、Ｒ^Z4、Ｒ^Z5、Ｒ^Z6、Ｒ^Z7、Ｒ^Z8、Ｒ^Z9及びＲ^Z10で表されるハロゲン原子としては、前述のＲ¹で説明した原子と同様の原子が挙げられる。

式（Ｖ−２）中、Ｚ¹及びＮは、Ａｒ²⁰環を構成する隣接原子に結合し、Ｚ¹及びＮは、Ａｒ²¹環を構成する隣接原子に結合することが好ましい。

式（Ｖ−２）中、Ｚ²及びＮは、Ａｒ²³環を構成する隣接原子に結合し、Ｚ²及びＮは、Ａｒ²⁵環を構成する隣接原子に結合することが好ましい。

本発明の共重合体を用いた高分発光素子における正孔注入及び正孔輸送の機能を強める観点からは、式（Ｖ−２）中、Ｚ¹は、酸素原子、硫黄原子、−Ｎ（Ｒ^Z5）−であることが好ましい。

本発明の共重合体を用いた高分発光素子における正孔注入及び正孔輸送の機能を強める観点からは、式（Ｖ−３）中、Ｚ²は、酸素原子、硫黄原子、−Ｎ（Ｒ^Z10）−であることが好ましい。

上記式（Ｖ−１）で示される基、式（Ｖ−２）で示される基又は式（Ｖ−３）で示される基の具体例としては、下記式４２１〜４５８等で示される基が挙げられる。

ブロック（Ｂ）中には、式（ＩＩＩ）で示される繰り返し単位を１種類含んでいても２種類以上含んでいてもよいが、共重合体中で正孔注入と正孔輸送とを行う観点からは、２種類含んでいることが好ましい。ブロック（Ｂ）が式（ＩＩＩ）で示される繰り返し単位を２種類含む場合の繰り返し単位の組み合わせとしては、例えば、式４０１で示される繰り返し単位と式４０３で示される繰り返し単位、式４０１で示される繰り返し単位と式４０４で示される繰り返し単位、式４０１で示される繰り返し単位と式４０５で示される繰り返し単位、式４０１で示される繰り返し単位と式４０６で示される繰り返し単位、式４０１で示される繰り返し単位と式４０７で示される繰り返し単位、式４０１で示される繰り返し単位と式４１１で示される繰り返し単位、式４０３で示される繰り返し単位と式４０４で示される繰り返し単位、式４０３で示される繰り返し単位と式４０５で示される繰り返し単位、式４０３で示される繰り返し単位と式４０６で示される繰り返し単位、式４０３で示される繰り返し単位と式４０７で示される繰り返し単位、式４０３で示される繰り返し単位と式４１１で示される繰り返し単位、式４０４で示される繰り返し単位と式４０５で示される繰り返し単位、式４０４で示される繰り返し単位と式４０６で示される繰り返し単位、式４０４で示される繰り返し単位と式４０７で示される繰り返し単位、式４０４で示される繰り返し単位と式４１１で示される繰り返し単位、式４０５で示される繰り返し単位と式４０６で示される繰り返し単位、式４０５で示される繰り返し単位と式４０７で示される繰り返し単位、式４０５で示される繰り返し単位と式４１１で示される繰り返し単位、式４０６で示される繰り返し単位と式４０７で示される繰り返し単位、式４０６で示される繰り返し単位と式４１１で示される繰り返し単位、及び式４０７で示される繰り返し単位と式４１１で示される繰り返し単位の組み合わせが挙げられ、式４０１で示される繰り返し単位と式４０３で示される繰り返し単位、式４０１で示される繰り返し単位と式４０５で示される繰り返し単位、式４０１で示される繰り返し単位と式４０６で示される繰り返し単位、式４０１で示される繰り返し単位と式４０７で示される繰り返し単位、式４０３で示される繰り返し単位と式４０５で示される繰り返し単位、式４０３で示される繰り返し単位と式４０６で示される繰り返し単位、式４０３で示される繰り返し単位と式４０７で示される繰り返し単位、式４０５で示される繰り返し単位と式４０６で示される繰り返し単位、式４０５で示される繰り返し単位と式４０７で示される繰り返し単位、及び式４０６で示される繰り返し単位と式４０７で示される繰り返し単位の組み合わせが好ましく、式４０１で示される繰り返し単位と式４０３で示される繰り返し単位、式４０１で示される繰り返し単位と式４０５で示される繰り返し単位、式４０１で示される繰り返し単位と式４０６で示される繰り返し単位、式４０３で示される繰り返し単位と式４０５で示される繰り返し単位、式４０３で示される繰り返し単位と式４０６で示される繰り返し単位、及び式４０５で示される繰り返し単位と式４０６で示される繰り返し単位の組み合わせがより好ましい。

ブロック（Ｂ）が有する全繰り返し単位を１００モルとした場合、式（ＩＩ）で示される繰り返し単位は、４０〜９０モルであることが好ましく、式（ＩＩＩ）で示される繰り返し単位は、１０〜６０モルであることが好ましい。

＜その他の繰り返し単位＞
本発明の共重合体は、式（Ｉ−１）、（Ｉ−２）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含む共重合体であってもよい。
式（Ｉ−１）、（Ｉ−２）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位としては、電荷の輸送性を調節する観点から、下記式（Ｃ）で示される繰り返し単位が好ましい。式（Ｃ）で示される繰り返し単位を含む共重合体は、下記式（Ｃ）で示される繰り返し単位がブロック（Ａ）に含まれることが好ましい。

〔式中、Ｒ³⁰及びＲ³¹は、同一であっても相異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、Ｘ⁴は、酸素原子、硫黄原子又は−Ｃ（Ｒ⁷）＝Ｃ（Ｒ⁸）−（式中、Ｒ⁷及びＲ⁸は、前記と同じ意味を表す。）を表す。〕

式（Ｃ）中、Ｒ³⁰、Ｒ³¹で表されるアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基としては、前述のＲ¹で説明した基と同様の基が挙げられる。ハロゲン原子としては、前述のＲ¹で説明したハロゲン原子と同様の原子が挙げられる。

原料モノマーの合成の容易さの観点からは、式（Ｃ）中、Ｒ³⁰及びＲ³¹は、同一であっても相異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基又は複素環チオ基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又はアリールオキシ基であることがより好ましく、水素原子、アルキル基又はアリール基であることがさらに好ましい。

本発明の共重合体を用いた高分子発光素子をより長期間発光させる観点からは、式（Ｃ）中、Ｘ⁴が硫黄原子又は−Ｃ（Ｒ⁷）＝Ｃ（Ｒ⁸）−であることが好ましく、硫黄原子であることがより好ましい。

本発明の共重合体は、前記式（Ｉ−１）で示される繰り返し単位を含まない共重合体又は前記式（Ｉ−１）で示される繰り返し単位を有するランダム共重合体よりも、本発明の共重合体を用いた高分子発光素子を作製した際に長期間発光する。

＜共重合体＞
本発明の共重合体中の全繰り返し単位の合計数に対して、式（Ｉ−１）で示される繰り返し単位の合計の含有率は、０．０２〜５０モル％の範囲であることが好ましく、０．５〜４０モル％であることがより好ましく、式（Ｉ−２）で示される繰り返し単位の合計の含有率は、０．５〜５０モル％の範囲であることが好ましく、５〜５０モル％であることがより好ましく、式（ＩＩ）で示される繰り返し単位の含有率は、１０モル％〜９０モル％の範囲であることが好ましく、２０〜８０モル％であることがより好ましく、式（ＩＩＩ）で示される繰り返し単位の含有率は、０．１〜６０モル％の範囲であることが好ましく、５〜５０モル％であることがより好ましい。また、本発明の共重合体が上記式（Ｉ−１）、（Ｉ−２）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位、例えば、式（Ｃ）で示される繰り返し単位を含む場合、該繰り返し単位の含有率は、共重合体中の全繰り返し単位の合計数に対して、１〜５０モル％の範囲であることが好ましく、５〜４０モル％であることがより好ましい。

本発明の共重合体を高分子発光素子の発光材料として用いたとき、長寿命で長波長発光の高分子発光素子を与えるという観点からは、式（Ｉ−１）で示される繰り返し単位の合計の含有率が共重合体中の全繰り返し単位の合計に対して、０．５〜４０モル％であることがより好ましく、１〜３０モル％であることが特に好ましい。

本発明の共重合体は、高分子発光素子の寿命特性の観点からは、ポリスチレン換算の数平均分子量が、１×１０³〜１×１０⁷であることが好ましく、１×１０⁴〜１×１０⁷であることがより好ましい。

本発明の共重合体は、高分子発光素子の寿命特性の観点からは、ポリスチレン換算の重量平均分子量が、１×１０³〜１×１０⁷であることが好ましく、１×１０⁴〜１×１０⁷であることがより好ましい。

本発明の共重合体において、ブロック（Ａ）は、高分子発光素子の寿命特性の観点からは、ポリスチレン換算の数平均分子量が、１×１０³〜１×１０⁵であることが好ましく、２×１０³〜１×１０⁵であることがより好ましい。

本発明の共重合体において、ブロック（Ａ）は、高分子発光素子の寿命特性の観点からは、ポリスチレン換算の重量平均分子量が、１×１０³〜１×１０⁵であることが好ましく、１×１０⁴〜１×１０⁵であることがより好ましい。

本発明において、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）を用いて測定することができる。

本発明の共重合体は、素子の寿命特性の観点から、式（ＶＩ）：
〔Ａ〕／〔Ｂ〕 （ＶＩ）
（式中、〔Ａ〕は共重合体に含まれるブロック（Ａ）の数及びブロック（Ａ'）の数のうちの最大数（なお、各ブロックの数が同じ場合には、その数である。）を表し、〔Ｂ〕は共重合体に含まれるブロック（Ｂ）の数を表す。）
で示される値が、０．１以上１０以下であることが好ましく、０．５以上８以下であることがより好ましい。

本発明の共重合体は、素子の寿命特性の観点から、式（ＶＩＩ）：
〔Ｃ〕／〔Ｄ〕 （ＶＩＩ）
（式中、〔Ｃ〕はブロック（Ａ）のポリスチレン換算の重量平均分子量及びブロック（Ａ'）のポリスチレン換算の重量平均分子量のうちの最大値（なお、各ブロックの重量平均分子量が同じ場合には、その重量平均分子量である。）を表し、〔Ｄ〕は共重合体のポリスチレン換算の重量平均分子量を表す。）
で示される値が０．０１以上０．８以下であることが好ましく、０．０５以上０．５以下であることがより好ましい。

また、本発明の共重合体の分子鎖末端に重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、該末端は安定な保護基で保護されていてもよい。保護基としては、主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、例えば、炭素−炭素結合を介してアリール基又は複素環基と結合している構造を有するものが挙げられる。具体的には、特開平９−４５４７８号公報の化１０に記載の置換基等が例示される。

本発明の共重合体に対する良溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ｎ−ブチルベンゼンが例示される。本発明の共重合体の構造や分子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に共重合体を０．１重量％以上溶解させることができる。

本発明の共重合体としては、以下のブロック（Ａ）とブロック（Ｂ）とを組み合わせた共重合体が挙げられる。

＜共重合体の製造方法＞
次に本発明の共重合体の製造方法について説明する。
本発明の共重合体（ブロックを有する共重合体）の製造方法としては、例えば、高分子量のブロック（Ａ）を合成し、ここへブロック（Ｂ）を構成するモノマーを添加し重合する方法、あらかじめ高分子量のブロック（Ａ）と高分子量のブロック（Ｂ）とを別個に合成し、これらをあわせて重合する方法が挙げられる。

後者の方法においては、ブロック（Ａ）とブロック（Ｂ）とが直接結合して共重合体となってもよいし、ブロック（Ａ）とブロック（Ｂ）の他に、ブロック（Ａ）とブロック（Ｂ）とを連結させる基（連結基）となる化合物、又は別個のブロックを添加することで更に高分子量化した共重合体となってもよい。

本発明の共重合体の製造方法の一例をより詳細に説明すると、次の（ｉ）〜（ｖ）のと製造方法が好ましく、（ｉ）〜（ｉｉｉ）の製造方法がより好ましい。なお、以下の（ｉ）〜（ｖ）において、−Ａ−は式（Ｉ−１）で示される繰り返し単位又は式（Ｉ−２）で示される繰り返し単位を表し、Ａｒ¹は前記と同じ意味を表し、Ｗ¹及びＷ²は、同一であっても相異なっていてもよく、縮合重合に関与する置換基を表す。

（ｉ）Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物のみを縮合重合させるか、Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物とＷ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物とを縮合重合させるか、Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物とＷ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物及び縮合重合に関与する２個の置換基を有する化合物とを縮合重合させることにより第一の化合物を合成する工程、及びこの第一の化合物と、縮合重合に関与する２個の置換基を有する化合物とを、縮合重合させることによりブロック（Ａ’）及び／又はブロック（Ａ）を有する共重合体を合成する工程を有する前記共重合体の製造方法。

（ｉｉ）Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物のみを縮合重合させるか、Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物とＷ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物とを縮合重合させるか、Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物とＷ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物及び縮合重合に関与する２個の置換基を有する化合物を縮合重合させることにより第一の化合物を合成する工程、及びこの第一の化合物と、Ｗ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物及びＷ¹−Ａｒ²−Ｗ²で示される化合物とを縮合重合させるか、この第一の化合物と、Ｗ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物、Ｗ¹−Ａｒ²−Ｗ²で示される化合物とを縮合重合させる（縮合重合に関与する２個の置換基を有する化合物の存在下で縮合重合させてもよい）ことによりブロック（Ａ’）及び／又はブロック（Ａ）とブロック（Ｂ）とを有する共重合体を合成する工程を有する前記共重合体の製造方法。

（ｉｉｉ）Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物のみを縮合重合させるか、Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物とＷ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物とを縮合重合させるか、Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物とＷ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物及び縮合重合に関与する２個の置換基を有する化合物を縮合重合させることにより第一の化合物を合成する工程、Ｗ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物とＷ¹−Ａｒ²−Ｗ²で示される化合物とを縮合重合させるか、Ｗ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物とＷ¹−Ａｒ²−Ｗ²で示される化合物と縮合重合に関与する２個の置換基を有する化合物とを縮合重合させる（その他の化合物の存在下で縮合重合させてもよい）ことにより第二の化合物を合成する工程、及びこの第一の化合物とこの第二の化合物とを縮合重合させる（縮合重合に関与する２個の置換基を有する化合物の存在下で縮合重合させてもよい）ことによりブロック（Ａ’）及び／又はブロック（Ａ）とブロック（Ｂ）とを有する共重合体を合成する工程を有する前記共重合体の製造方法。

（ｉｖ）縮合重合に関与する２個の置換基を有する化合物を縮合重合させることにより第一の化合物を合成し、この第一の化合物と、Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物のみを縮合重合させるか、Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物とＷ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物とを縮合重合させる（縮合重合に関与する２個の置換基を有する化合物の存在下で縮合重合させてもよい）ことにより縮合重合させることによりブロック（Ａ’）及び／又はブロック（Ａ）を有する共重合体を合成する工程を有する前記共重合体の製造方法。

（ｖ）Ｗ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物とＷ¹−Ａｒ²−Ｗ²で示される化合物とを縮合重合させる（縮合重合に関与する２個の置換基を有する化合物の存在下で縮合重合させてもよい）ことにより第一の化合物を合成する工程、及びこの第一の化合物と、Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物のみを縮合重合させるか、Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物とＷ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物とを縮合重合させる（縮合重合に関与する２個の置換基を有する化合物の存在下で縮合重合させてもよい）ことによりブロック（Ａ’）及び／又はブロック（Ａ）とブロック（Ｂ）とを有する共重合体を合成する工程を有する前記共重合体の製造方法。

ブロック（Ａ）、ブロック（Ｂ）の分子量の調整は、重合に供するモノマーの化学量論量、触媒の種類、触媒量、塩基又は酸の添加、反応温度、溶媒の種類、溶液濃度等の選択や調節によって行うことができる。

前記縮合重合に関与する２個の置換基を有する化合物は、本発明の共重合体中に、式（Ｉ−１）、（Ｉ−２）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位を導入するための化合物である。この化合物としては、例えば、下記式（Ｄ）で示される化合物が挙げられる。この化合物は、縮合重合後に上記式（Ｃ）で示される繰り返し単位となる。

（式中、Ｒ³⁰、Ｒ³¹及びＸ⁴は前記と同じ意味を表し、Ｗ³及びＷ⁴は、それぞれ独立に、縮合重合に関与する置換基を示す。）

本発明の共重合体の製造方法において、縮合重合に関与する置換基（Ｗ¹、Ｗ²、Ｗ³及びＷ⁴）としては、ハロゲン原子、アルキルスルホ基、アリールスルホ基、アリールアルキルスルホ基、ホウ酸エステル残基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、−Ｂ（ＯＨ）₂、ホルミル基、シアノ基、ビニル基等が挙げられる。

アルキルスルホ基としては、メタンスルホ基、エタンスルホ基、トリフルオロメタンスルホ基が例示される。
アリールスルホ基としては、ベンゼンスルホ基、ｐ−トルエンスルホ基が例示される。
アリールアルキルスルホ基としては、ベンジルスルホ基が例示される。

ホウ酸エステル残基としては、下記式で示される基が例示される。

（式中、Ｍｅはメチル基を示し、Ｅｔはエチル基を示す。）

スルホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ₂Ｓ⁺Ｍｅ₂Ｘ^-、 −ＣＨ₂Ｓ⁺Ｐｈ₂Ｘ^-
（式中、Ｘはハロゲン原子を示し、Ｍｅはメチル基を示し、Ｐｈはフェニル基を示す。）

ホスホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ₂Ｐ⁺Ｐｈ₃Ｘ^-
（式中、Ｘはハロゲン原子を示し、Ｐｈはフェニル基を示す。）

ホスホネートメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ₂Ｐ（＝Ｏ）（ＯＲ’）₂
（式中、Ｒ’はアルキル基、アリール基又はアリールアルキル基を示す。）

モノハロゲン化メチル基としては、フッ化メチル基、塩化メチル基、臭化メチル基、ヨウ化メチル基が例示される。

縮合重合に関与する置換基として好ましい置換基は重合反応の種類によって異なるが、例えばＹａｍａｍｏｔｏカップリング反応等０価ニッケル錯体（Ｎｉ（０）錯体）を用いる場合には、ハロゲン原子、アルキルスルホ基、アリールスルホ基、アリールアルキルスルホ基が好ましく、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応等ニッケル触媒又はパラジウム触媒を用いる場合には、アルキルスルホ基、ハロゲン原子、ホウ酸エステル残基、−Ｂ（ＯＨ）₂が好ましい。

本発明の共重合体の製造は、例えば、原料となるモノマー化合物を有機溶媒に溶解させ、アルカリや適当な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で行うことができる。本発明の共重合体の製造方法として、“オルガニック リアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第１４巻，２７０−４９０頁，ジョンワイリー アンド サンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９６５年、“オルガニック シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ）”，コレクティブ第６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ Ｖｏｌｕｍｅ ＶＩ），４０７−４１１頁，ジョンワイリー アンド サンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８８年、ケミカル レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年）、ジャーナル オブ オルガノメタリック ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）、マクロモレキュラー ケミストリー マクロモレキュラー シンポジウム（Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２２９頁（１９８７年）等に記載の方法や、ＷＯ２００３／００７３９５に記載の方法を参考にすることができる。

本発明の共重合体の製造方法において、縮合重合に関与する置換基に応じて、公知の縮合反応を用いることができる。縮合反応としては、適切なモノマーを、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、ゼロ価ニッケル錯体により重合する方法、ＦｅＣｌ₃等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、適切な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法等が例示されるが、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、及びゼロ価ニッケル錯体により重合する方法が、共重合体の構造を制御しやすいので好ましい。

本発明の共重合体の製造方法の中で、好ましい一つの態様は、縮合重合に関与する置換基が、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホ基、アリールスルホ基及びアリールアルキルスルホ基からなる群から選ばれる基であり、かつ、前記縮合重合がゼロ価ニッケル錯体存在下で行われる製造方法が挙げられる。

原料となるモノマー化合物としては、例えば、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物、ビス（アリールアルキルスルホネート）化合物、ハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、及びアリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物が挙げられる。

本発明の共重合体の製造方法としては、好ましくは、原料となるモノマー化合物として、例えば、ハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、又はアリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物を用いることにより、シーケンスを制御した共重合体を製造する方法が挙げられる。

また、本発明の共重合体の製造方法の中で、他の好ましい態様としては、縮合重合に関与する置換基が、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホ基、アリールスルホ基、アリールアルキルスルホ基、−Ｂ（ＯＨ）₂、及びホウ酸エステル残基からなる群から選ばれる基であり、全原料となるモノマー化合物が有する、ハロゲン原子、アルキルスルホ基、アリールスルホ基及びアリールアルキルスルホ基のモル数の合計（Ｊ）と、−Ｂ（ＯＨ）₂及びホウ酸エステル残基のモル数の合計（Ｋ）との比（Ｋ／Ｊ）が実質的に１（通常、０．７〜１．２の範囲）であり、かつ、前記縮合重合がニッケル触媒又はパラジウム触媒を用いて行われる製造方法が挙げられる。

原料となるモノマー化合物の組み合わせとしては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物又はビス（アリールアルキルスルホネート）化合物と、ジホウ酸化合物又はジホウ酸エステル化合物との組み合わせが挙げられる。

縮合重合において、溶媒を用いる場合、この溶媒は、用いる化合物や反応によっても異なるが、一般に副反応を抑制するために、十分に脱酸素処理を施すことが好ましい。縮合重合はアルゴンや窒素等の不活性雰囲気下で進行させることが好ましい。また、前記溶媒は、脱水処理を施すことが好ましい。但し、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応等の水との２相系での反応の場合にはその限りではない。

溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、デカリン等の飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、キシレン、メシチレン、テトラリン等の芳香族炭化水素、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロゲン化飽和炭化水素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ｔ−ブチルアルコール等のアルコール類、蟻酸、酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸類、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン等のエーテル類、トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ピリジン等のアミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルモルホリンオキシド等のアミド類が例示される。これらの溶媒は単一で、又は混合して用いてもよい。これらの中で、Ｙａｍａｍｏｔｏカップリング反応等ではエーテル類が好ましく、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルがさらに好ましい。また、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応等の水との２相系での反応では芳香族炭化水素と水との２相系が好ましく、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、メシチレンがさらに好ましい。

縮合重合では、反応を促進させるためにアルカリや適切な触媒を添加してもよい。これらは用いる反応に応じて選択すればよい。該アルカリ又は触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。アルカリとしては、例えば、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸セシウム等の無機塩基；トリエチルアミン等の有機塩基；フッ化セシウム等の無機塩が挙げられる。触媒としては、例えば、パラジウム〔テトラキス（トリフェニルホスフィン）〕、パラジウムアセテート類が挙げられる。アルカリ又は触媒を混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素等の不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリ又は触媒の溶液を添加するか、逆にアルカリ又は触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加する方法が例示される。

本発明の共重合体を高分子エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子等の高分子発光素子に用いる場合、その純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマー化合物を蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製した後に重合することが好ましい。また重合後、得られた共重合体の脱塩処理、脱金属処理、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。

＜組成物＞
本発明の共重合体は、高分子発光素子の発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料として用いることができるが、高分子発光素子の特性を改質するために、該共重合体以外の発光材料、正孔輸送材料、及び電子輸送材料からなる群から選ばれる少なくとも１種と組み合わせて組成物として用いることができる。

本発明の組成物は、前記共重合体と発光材料、正孔輸送材料及び電子輸送材料からなる群から選ばれる１種以上の材料とを含有する。該発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料には、前記共重合体は含まれない。該組成物は、前記共重合体を２種類以上含有してもよい。また、該組成物は、２種類以上の発光材料を含んでもよく、２種類以上の正孔輸送材料を含んでもよく、２種類以上の電子輸送材料を含んでもよく、発光材料及び正孔輸送材料を含んでいてもよく、発光材料及び電子輸送材料を含んでいてもよく、正孔輸送材料及び電子輸送材料を含んでいてもよい。

前記発光材料としては、低分子蛍光材料が挙げられ、その例としては、ナフタレン誘導体、アントラセン、アントラセン誘導体、ピレン、ピレン誘導体、ペリレン、ペリレン誘導体、ポリメチン系色素、キサンテン系色素、クマリン系色素、シアニン系色素等の色素類、８−ヒドロキシキノリンを配位子として有する金属錯体、８−ヒドロキシキノリン誘導体を配位子として有する金属錯体、その他の蛍光性金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン誘導体、スチルベン系、含ケイ素芳香族系、オキサゾール系、フロキサン系、チアゾール系、テトラアリールメタン系、チアジアゾール系、ピラゾール系、メタシクロファン系、アセチレン系等の低分子化合物の蛍光性材料が挙げられる。これらの発光材料の他にも、特開昭57-51781号公報、特開昭59-194393号公報等に記載されているものも挙げられる。これらの発光材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

前記正孔輸送材料としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体等が挙げられる。これらの正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

前記電子輸送材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等が挙げられる。これらの電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

本発明の組成物が前記発光材料を含有する場合、該組成物中の該発光材料の割合は、該組成物の全重量に対して、通常、１重量％〜８０重量％であることが好ましく、より好ましくは５重量％〜６０重量％である。

本発明の組成物が前記正孔輸送材料を含有する場合、該組成物中の該正孔輸送材料の割合は、該組成物の全重量に対して、通常、１重量％〜８０重量％であることが好ましく、より好ましくは５重量％〜６０重量％である。

本発明の組成物が前記電子輸送材料を含有する場合、該組成物中の該電子輸送材料の割合は、該組成物の全重量に対して、通常、１重量％〜８０重量％であることが好ましく、より好ましくは５重量％〜６０重量％である。

本発明の共重合体と溶媒とを含む組成物は、素子作製時において液状であることが好ましく、典型的には、常圧（即ち、１気圧）、２５℃において液状であることが好ましい。該組成物は、一般的には、インク、インク組成物、溶液等と呼ばれることがある。該組成物は、高分子発光素子等の発光素子の作製に有用である。

本発明の組成物が溶媒を含有する場合、該組成物中の溶媒の割合は、該組成物の全重量に対して、通常、１重量％〜９９．９重量％であることが好ましく、より好ましくは６０重量％〜９９．９重量％であり、さらに好ましく９０重量％〜９９．８重量％である。

高分子発光素子の作製の際に、本発明の共重合体と溶媒とを含む前記組成物を用いて成膜する場合、前記組成物を塗布した後、乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また前記発光材料、正孔輸送材料、電荷輸送材料を混合した場合においても同様な手法が適用できるので、製造上有利である。なお、乾燥の際には、５０〜１５０℃程度に加温した状態で乾燥させてもよく、また、１０^-3Ｐａ程度に減圧して乾燥させてもよい。

前記組成物を用いた成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗り分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。

前記組成物の粘度は印刷法によって異なるが、２５℃において０．５〜５００mPa・sの範囲が好ましく、インクジェットプリント法等、液状組成物が吐出装置を経由するものの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が２５℃において０．５〜２０mPa・sの範囲であることが好ましい。

前記組成物に含まれる溶媒としては、組成物中の該溶媒以外の成分を溶解又は分散できるものが好ましい。該溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の含塩素溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル溶媒、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルベンゾエート、エチルセルソルブアセテート等のエステル溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド溶媒が例示される。また、これらの溶媒は、１種単独で用いても複数組み合わせて用いてもよい。前記溶媒のうち、ベンゼン環を含む構造を有し、かつ融点が０℃以下、沸点が１００℃以上である有機溶媒を含むことが、粘度、成膜性等の観点から好ましい。

溶媒の種類としては、前記組成物中の溶媒以外の成分の溶媒への溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素溶媒、脂肪族炭化水素溶媒、エステル溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、具体的には、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メシチレン、ｎ−プロピルベンゼン、ｉ−プロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、ｉ−ブチルベンゼン、ｓ−ブチルベンゼン、アニソール、エトキシベンゼン、１−メチルナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、ｎ−ヘプチルシクロヘキサン、ｎ−ヘキシルシクロヘキサン、メチルベンゾエート、２−プロピルシクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−オクタノン、２−ノナノン、２−デカノン、ジシクロヘキシルケトン、ビシクロヘキシルメチルベンゾエートが好ましく、キシレン、アニソール、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシルメチルベンゾエートのうち少なくとも１種類を含むことがより好ましい。

前記組成物に含まれる溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、２種類以上であることが好ましく、２〜３種類であることがより好ましく、２種類であることがさらに好ましい。

前記組成物に２種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１種類の溶媒は２５℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、１種類の溶媒は沸点が１８０℃以上のものであり、他の１種類の溶媒は沸点が１８０℃未満のものであることが好ましく、１種類の溶媒は沸点が２００℃以上のものであり、他の１種類の溶媒は沸点が１８０℃未満のものであることがより好ましい。また、粘度の観点から、６０℃において、組成物から溶媒を除いた成分の０．２重量％以上が溶媒に溶解することが好ましく、２種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、２５℃において、組成物から溶媒を除いた成分の０．２重量％以上が溶解することが好ましい。

前記組成物に３種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１又は２種類の溶媒は２５℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が１８０℃以上の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が１８０℃未満の溶媒であることが好ましく、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が２００℃以上３００℃以下の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が１８０℃未満の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、３種類の溶媒のうちの２種類の溶媒には、６０℃において、組成物から溶媒を除いた成分の０．２重量％以上が溶解することが好ましく、３種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、２５℃において、組成物から溶媒を除いた成分の０．２重量％以上が溶解することが好ましい。

前記組成物に２種類以上の溶媒が含まれる場合、粘度及び成膜性の観点から、最も沸点が高い溶媒が、組成物に含まれる全溶媒の重量の４０〜９０重量％であることが好ましく、５０〜９０重量％であることがより好ましく、６５〜８５重量％であることがさらに好ましい。

本発明の組成物は、前記共重合体、溶媒、発光材料、正孔輸送材料及び電子輸送材料以外に、その他の任意成分として、安定剤、粘度及び／又は表面張力を調節するための添加剤、酸化防止剤等を含んでいてもよい。これらの任意成分は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

本発明の組成物が含有してもよい安定剤としては、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等が挙げられる。

本発明の組成物が含有してもよい粘度及び／又は表面張力を調節するための添加剤としては、例えば、粘度を高めるための高分子量の化合物（増粘剤）や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤、及びこれらの組み合わせが挙げられる。

前記の高分子量の化合物としては、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、該組成物が溶媒を含む場合には、通常、該溶媒に可溶性のものである。高分子量の化合物としては、例えば、高分子量のポリスチレン、高分子量のポリメチルメタクリレート等を用いることができる。前記の高分子量の化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量は５０万以上が好ましく、１００万以上がより好ましい。また、貧溶媒を増粘剤として用いることもできる。

本発明の組成物が含有してもよい酸化防止剤としては、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、該組成物が溶媒を含む場合には、通常、該溶媒に可溶性のものである。
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が例示される。酸化防止剤を用いることにより、前記共重合体、溶媒の保存安定性を改善し得る。

＜薄膜＞
本発明の薄膜について説明する。この薄膜は、前記共重合体を用いてなるものである。薄膜の種類として、発光性薄膜、導電性薄膜が例示される。また、薄膜中には、本発明の共重合体に加えて、発光材料、正孔輸送材料及び電子輸送材料からなる群から選ばれる材料を含んでいてもよい。

本発明の発光性薄膜は、本発明の共重合体を含有する。該発光性薄膜は、発光材料、正孔輸送材料もしくは電子輸送材料、又はこれらの２種以上の組み合わせを更に含有してもよい。これらの発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料の具体例は前述の説明のとおりである。発光性薄膜は、素子の輝度や発光電圧等の観点から、発光の量子収率が５０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましく、７０％以上であることがさらに好ましい。

導電性薄膜は、表面抵抗が１ＫΩ／□以下であることが好ましい。薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物等をドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。表面抵抗が１００Ω／□以下であることがより好ましく、１０Ω／□以下であることがさらに好ましい。

＜高分子発光素子＞
次に、本発明の高分子発光素子について説明する。

本発明の高分子発光素子は、陽極と、陰極と、前記共重合体を含み、該陽極及び該陰極の間に設けられた有機層とを有するものである。前記有機層は更に発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、又はこれらの２種以上の組み合わせを含んでいてもよい。これらの発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料の具体例は前述の説明のとおりである。本発明の高分子発光素子において、前記有機層は発光層であることが好ましい。

また、本発明の高分子発光素子としては、(1)陰極と発光層との間に電子輸送層を設けた高分子発光素子、(2)陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子、(3)陰極と発光層との間に電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子等が挙げられる。

より具体的には、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）

ここで、発光層とは、発光する機能を有する層であり、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層である。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、おのおの独立に２層以上用いてもよい。

発光層の成膜の方法としては、溶液からの成膜による方法が例示される。

溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗り分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。

高分子発光素子作製の際に、本発明の共重合体を用いることにより、溶液から成膜する場合、この溶液を塗布後乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また前記発光材料、正孔輸送材料、電荷輸送材料を混合した場合においても同様な手法が適用でき、製造上有利である。

発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜500ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜200ｎｍである。

本発明の高分子発光素子においては、発光層に前記共重合体以外の発光材料を混合して使用してもよい。また、本発明の高分子発光素子においては、前記共重合体以外の発光材料を含む発光層が、前記共重合体を含む発光層と積層されていてもよい。

前記共重合体以外の発光材料としては、公知のものが使用できる。低分子化合物では、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系等の色素類、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体等を用いることができる。発光材料としては、特開昭57-51781号、同59-194393号公報に記載されているものも使用可能である。

本発明の高分子発光素子が正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体等が例示される。正孔輸送材料としては、特開昭63-70257号公報、同63-175860号公報、特開平2-135359号公報、同2-135361号公報、同2-209988号公報、同3-37992号公報、同3-152184号公報に記載されているものも使用可能である。

これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。

ポリビニルカルバゾール及びその誘導体は、例えば、ビニルモノマーからカチオン重合又はラジカル重合によって得られる。

ポリシラン及びその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Chem.Rev.）第89巻、1359頁（1989年）、英国特許GB2300196号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。

ポリシロキサン誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖又は主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖又は主鎖に有するものが例示される。

正孔輸送層の成膜の方法としては、低分子正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであればよい。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。

溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗り分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。

正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

本発明の高分子発光素子が電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等が例示される。電子輸送材料としては、特開昭63-70257号公報、同63-175860号公報、特開平2-135359号公報、同2-135361号公報、同2-209988号公報、同3-37992号公報、同3-152184号公報に記載されているものも使用可能である。

これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。

電子輸送層の成膜法としては、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液又は溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液又は溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料及び／又は高分子バインダーを溶解させるものであればよい。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。

溶液又は溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗り分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとしては、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。

電子輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚は、例えば、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。

さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。

積層する層の順番や数、及び各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜選択すればよい。

本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子発光素子としては、陰極及び陽極のどちらか一方又は両方に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子が挙げられる。

例えば、具体的には、以下のe)〜p)の構造が挙げられる。
e）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
f）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
g）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
h）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
i）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
j）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
k）陽極／電荷注入層／発光層／電荷輸送層／陰極
l）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
m）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
n）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極

電荷注入層の例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層が例示される。

上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、10^-5S/cm以上10³S/cm以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、10^-5S/cm以上10²S/cm以下がより好ましく、10^-5S/cm以上10¹S/cm以下がさらに好ましい。通常は該導電性高分子の電気伝導度を10^-5S/cm以上10³S/cm以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。

ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオン等が挙げられ、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオン等が挙げられる。

電荷注入層の膜厚は、通常、１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。

電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で選択すればよく、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等）、カーボン等が例示される。

絶縁層は、電荷注入を容易にする機能を有するものである。この絶縁層の平均厚さは、通常、０．１〜２０ｎｍであり、好ましくは０．５〜１０ｎｍ、より好ましくは１〜５ｎｍである。
絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。絶縁層を設けた高分子発光素子としては、陰極及び陽極のどちらか一方又は両方に隣接して絶縁層を設けた高分子発光素子が挙げられる。

具体的には、例えば、以下のｑ)〜ab）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／絶縁層／陰極
ｓ）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
ｔ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ)陽極／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
ｖ)陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
ｗ)陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ)陽極／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ｙ)陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ｚ)陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
aa）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ab）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極

本発明の高分子発光素子を形成する基板は、電極及び有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン等の基板が例示される。不透明な基板の場合には、該基板により近い電極と反対側の電極が透明又は半透明であることが好ましい。

本発明において、通常は、陽極及び陰極からなる電極の少なくとも一方が透明又は半透明であり、陽極側が透明又は半透明であることが好ましい。

陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性材料を用いて作成された膜（NESA等）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。

陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して選択することができるが、通常、10ｎｍ〜10μｍであり、好ましくは20ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは50ｎｍ〜500ｎｍである。

また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボン等からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよい。

陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましく、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びそれらのうち２つ以上の合金、あるいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイト又はグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。

陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して選択することができるが、通常、10ｎｍ〜10μｍであり、好ましくは20ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは50ｎｍ〜500ｎｍである。

陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。

陰極と有機層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子発光素子を保護する保護層を装着していてもよい。該高分子発光素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層及び／又は保護カバーを装着することが好ましい。

該保護層としては、樹脂、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物等を用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等を用いることができ、該カバーを熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にダメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。

本発明の高分子発光素子は、長期間発光する。該期間の評価は、高分子発光素子の用途により異なるが、駆動開始輝度から７５％まで輝度が減少するまでの時間や、駆動開始輝度から５０％まで輝度が減少するまでの時間で評価される。

本発明の高分子発光素子は面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置（例えば、バックライト等）等の表示装置、電子写真方式プリンタの光源（即ち、プリンターヘッド用材料）、イメージセンサー用材料、光ファイバー用材料等に用いることができる。

本発明の高分子発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極若しくは陰極のいずれか一方、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号等を表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等の表示装置として用いることができる。

さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。

＜有機トランジスタ＞
次に、有機トランジスタの一態様である高分子電界効果トランジスタを説明する。

本発明の共重合体は、高分子電界効果トランジスタの材料として、中でも活性層として好適に用いることができる。高分子電界効果トランジスタの構造は、通常、ソース電極及びドレイン電極が高分子からなる活性層に接して設けられており、さらに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていればよい。

高分子電界効果トランジスタは、通常は支持基板上に形成される。支持基板としては電界効果トランジスタとしての特性を阻害しなければ材質は制限されないが、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板も用いることができる。

高分子電界効果トランジスタは、例えば、特開平5-110069号公報に記載の公知の方法により製造することができる。

活性層を形成する際に、有機溶媒可溶性の共重合体を用いることが製造上有利であり好ましい。有機溶媒可溶性の共重合体を溶媒に溶解させてなる溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。

高分子電界効果トランジスタを作製後、封止してなる封止高分子電界効果トランジスタが好ましい。これにより、高分子電界効果トランジスタが、大気から遮断され、高分子電界効果トランジスタの特性の低下を抑えることができる。

封止する方法としては、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機のＳｉＯＮｘ膜等でカバーする方法、ガラス板やフィルムをＵＶ硬化樹脂、熱硬化樹脂等で張り合わせる方法等が挙げられる。大気との遮断を効果的に行うため高分子電界効果トランジスタを作製後、封止するまでの工程を大気に曝すことなく（例えば、乾燥した窒素雰囲気中、真空中等で）行うことが好ましい。

＜光電変換素子＞
次に、光電変換素子について説明する。光電変換素子は太陽電池、光センサー等の用途に用いることができる。ここでは、光電変換素子の一態様である太陽電池について説明する。

本発明の共重合体は、太陽電池の材料として、中でも有機半導体と金属との界面を利用するショットキー障壁型素子の有機半導体層として、また、有機半導体と無機半導体との界面又は有機半導体同士の界面を利用するｐｎへテロ接合型素子の有機半導体層として、好適に用いることができる。

さらに、ドナー・アクセプターの接触面積を増大させたバルクヘテロ接合型素子における電子供与性高分子、電子受容性高分子として、また、高分子・低分子複合系を用いる太陽電池、例えば、電子受容体としてフラーレン誘導体を分散したバルクヘテロ接合型有機光電変換素子の電子供与性共役系高分子（分散支持体）として、好適に用いることができる。本発明の共重合体を太陽電池に用いた場合、高い変換効率を得ることができる。

太陽電池の構造としては、ｐｎへテロ接合型素子では、オーム性電極、例えば、ＩＴＯ上に、ｐ型半導体層を形成し、さらに、ｎ型半導体層を積層し、その上にオーム性電極が設けられていればよい。

太陽電池は、通常は支持基板上に形成される。支持基板としては有機光電変換素子としての特性を阻害しなければ材質は制限されないが、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板も用いることができる。

太陽電池は、例えば、Synth.Met.,102,982(1999)に記載の方法やScience,270,1789(1995)に記載の公知の方法により製造することができる。

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例及び比較例を示すが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

共重合体のポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）（島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ）により求めた。測定する共重合体は、約０．５重量％の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに５０μＬ注入した。ＳＥＣの移動相としてテトラヒドロフランを用い、０．６ｍＬ／ｍｉｎの流速で流した。カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ（東ソー製）２本とＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨ２０００（東ソー製）１本とを直列に繋げて用いた。検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製、商品名：ＲＩＤ−１０Ａ）を用いた。

＜実施例１＞［共重合体＜Ｐ−１＞の合成］
（ペンタマー１の合成）
ペンタマー１は、特表２００４−５３４８６３号公報に記載の方法で合成した。
４，７−ビス（５−ブロモ−４−ヘキシルチエン−２−イル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾールと２−（トリブチルスタニル）チオフェンをトルエンに溶解させ、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウムの存在下、加熱還流しながら１８時間反応させた。得られた反応物を室温まで冷却し、シリカゲルを通して濾過した。濾液を濃縮してヘキサンで再結晶した。
再結晶体をＤＭＦに溶解させ、さらにＮ−ブロモスクシンイミドのＤＭＦ溶液を滴下して、室温で一晩攪拌した。生成物をろ過してメタノールと脱イオン水で洗浄した。洗浄した生成物をヘキサンで再結晶してペンタマー１を得た。

（ペンタマー１）

（４，７−ビス（５−ブロモ−４−メチルチオフェン−２−イル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾールの合成）
４，７−ジブロモ−２，１，３−ベンゾチアジアゾールと４−メチルチオフェン−２−ボロニックアシッドをトルエンに溶解させ、酢酸パラジウムとトリフェニルホスフィンの存在下、２Ｍ炭酸ナトリウムを加えて加熱還流し、４，７−ビス（４−メチルチオフェン−２−イル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾールを合成した。４，７−ビス（４−メチルチエン−２−イル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾールとＮ−ブロモスクシンイミドをｏ−ジクロロベンゼン中７０℃で攪拌した。得られた反応物にエタノールを加えた後、室温まで冷却したところ、沈殿物が得られ、その沈殿物を濾過して粗生成物を得た。粗生成物を水とエタノールで洗浄して下記式で表される４，７−ビス（５−ブロモ−４−メチルチオフェン−２−イル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾールを得た。

（４，７−ビス（５−ブロモチオフェン−２−イル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾールの合成）
４，７−ジブロモ−２，１，３−ベンゾチアジアゾールと２−（トリブチルスタニル）チオフェンをＴＨＦに溶解し、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムの存在下、加熱還流し、４，７−ビス（２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾールを合成した。４，７−ビス（２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾールとＮ−ブロモスクシンイミドをｏ−ジクロロベンゼン中１４０℃で攪拌した。得られた反応物を室温まで冷却したところ固体が生成したので、その固体を濾過して粗生成物を得た。粗生成物を水とエタノールで洗浄した。粗生成物をｏ−ジクロロベンゼンで再結晶して、下記式で表される４，７−ビス（５−ブロモチオフェン−２−イル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾールを得た。

不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジヘキシルフルオレン（０．７８ｇ）、４，７−ジブロモ−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．２９ｇ）、４，７−ビス（５−ブロモ−４−メチルチオフェン−２−イル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．２１ｇ）、４，７−ビス（５−ブロモチオフェン−２−イル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．１０ｇ）、ペンタマー１（０．１７ｇ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（３．９ｍｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：Ａｌｉｑｕａｔ（登録商標）３３６、アルドリッチ製）（０．７６ｇ）、トルエン（１８ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。こうして得られた反応溶液に１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液（５ｍＬ）を滴下し、１．５時間還流させ、ブロック（Ａ）を有する化合物を得た。ブロック（Ａ）のポリスチレン換算数平均分子量は６．０×１０³であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は１．９×１０⁴であった。このポリスチレン換算数平均分子量から見積もると、ブロック（Ａ）の重合度は約２０であった。得られたブロック（Ａ）を有する化合物の溶液を、７０℃まで冷却後、反応溶液に２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジヘキシルフルオレン（１．８５ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジヘキシルフルオレン（０．９６ｇ）、ビス（４−ブロモフェニル）−（４−セカンダリブチルフェニル）−アミン（０．７４ｇ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（７．５ｍｇ）、トルエン（３６ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。得られた反応溶液に１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液（９．７ｍＬ）を滴下し、１７時間還流させた。そこに、フェニルホウ酸（０．６６ｇ）を加え、さらに９時間還流させた。次いでＮ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム水溶液を加え８０℃で２時間撹拌した。冷却後、水（７０ｍＬ）で２回、３重量％酢酸水溶液（７０ｍＬ）で２回、水（７０ｍＬ）で２回洗浄し、有機層をメタノール（８５０ｍＬ）に滴下したところ沈殿物が生じたので、この沈殿物を濾過後乾燥させて固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（８５０ｍＬ）に滴下し、沈殿物を濾過後乾燥させた。得られた共重合体＜Ｐ−１＞の収量は２．７２ｇであった。
共重合体＜Ｐ−１＞のポリスチレン換算数平均分子量は４．５×１０⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は１．５×１０⁵であった。

共重合体＜Ｐ−１＞は、下記ブロック（Ａ）及び下記ブロック（Ｂ）を有する。ブロック（Ａ）中、式（Ｉ−１）で示される繰り返し単位の合計の含有率は全繰り返し単位に対して２モル％で、式（Ｉ−２）で示される２種類の繰り返し単位の含有率は全繰り返し単位に対して６モル％である。また、仕込み原料から求めた共重合体＜Ｐ−１＞中のブロック（Ａ）の比率は３２.３モル％であり、ブロック（Ｂ）の比率は６７.７モル％である。

＜合成例１＞［共重合体＜Ｐ−２＞の合成］
不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジヘキシルフルオレン（０．７２ｇ）、４，７−ジブロモ−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．３３ｇ）、４，７−ビス（５−ブロモ−４−メチルチオフェン−２−イル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．１８ｇ）、４，７−ビス（５−ブロモチオフェン−２−イル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．０８ｇ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（３．５ｍｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：Ａｌｉｑｕａｔ（登録商標）３３６、アルドリッチ製）（０．２２ｇ）、トルエン（１７ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。得られた反応溶液に２Ｍ 炭酸ナトリウム水溶液（５ｍＬ）を滴下し、２時間還流させ、ブロック（Ａ）を有する化合物を得た。ブロック（Ａ）のポリスチレン換算数平均分子量は３．７×１０³であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は１．８×１０⁴であった。このポリスチレン換算数平均分子量から見積もると、ブロック（Ａ）の重合度は約１４であった。得られたブロック（Ａ）を有する化合物の溶液を、７０℃まで冷却後、反応溶液に２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジヘキシルフルオレン（１．４３ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジヘキシルフルオレン（０．６２ｇ）、ビス（４−ブロモフェニル）−（４−セカンダリブチルフェニル）−アミン（０．７３ｇ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（６．０ｍｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：Ａｌｉｑｕａｔ（登録商標）３３６、アルドリッチ製）（０．３７ｇ）、トルエン（３０ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。得られた反応溶液に２Ｍ 炭酸ナトリウム水溶液（８ｍＬ）を滴下し、５時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸（０．０５ｇ）を加え、さらに２時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え８０℃で２時間撹拌した。冷却後、水（１００ｍＬ）で２回、３重量％酢酸水溶液（１００ｍＬ）で２回、水（１００ｍＬ）で２回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（１．５Ｌ）に滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた共重合体＜Ｐ−２＞の収量は２．２４ｇであった。
共重合体＜Ｐ−２＞のポリスチレン換算数平均分子量は１．０×１０⁵であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は２．７×１０⁵であった。

共重合体＜Ｐ−２＞は、下記ブロック（Ａ）及び下記ブロック（Ｂ）を有する。ブロック（Ａ）中、式（Ｉ−１）で示される繰り返し単位を含有せず、式（Ｉ−２）で示される繰り返し単位の含有率は全繰り返し単位に対して６モル％である。また、仕込み原料から求めた共重合体＜Ｐ−２＞中のブロック（Ａ）の比率は２８．５モル％であり、ブロック（Ｂ）の比率は７１．５モル％である。

＜合成例２＞［共重合体＜Ｐ−３＞の合成］
不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジヘキシルフルオレン（１．４２ｇ）、４，７−ジブロモ−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．１６ｇ）、４，７−ビス（５−ブロモ−４−メチルチオフェン−２−イル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．１２ｇ）、４，７−ビス（５−ブロモチオフェン−２−イル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．０６ｇ）、ペンタマー１（０．０９ｇ）、ビス（４−ブロモフェニル）−（４−セカンダリブチルフェニル）−アミン（０．４１ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジヘキシルフルオレン（０．５３ｇ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（６．３ｍｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：Ａｌｉｑｕａｔ（登録商標）３３６、アルドリッチ製）（０．３９ｇ）、トルエン（３０ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。得られた反応溶液に１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液（８．２ｍＬ）を滴下し、３時間還流させた。そこに、フェニルホウ酸（０．３７ｇ）を加え、さらに１６時間還流させた。次いでＮ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム水溶液を加え８０℃で２時間撹拌した。得られた反応溶液を、冷却後、水（４０ｍＬ）で２回、３重量％酢酸水溶液（ｍＬ）で２回、水（４０ｍＬ）で２回洗浄し、有機層をメタノール（４５０ｍＬ）に滴下したところ沈殿物が生じたので、この沈殿物を濾過後乾燥させて固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（４５０ｍＬ）に滴下し、沈殿物を濾過後乾燥させた。得られた共重合体＜Ｐ−３＞の収量は１．４９ｇであった。
共重合体＜Ｐ−３＞のポリスチレン換算数平均分子量は５．４×１０⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は１．２×１０⁵であった。

共重合体＜Ｐ−３＞は、ブロックを有さず、下記の繰り返し単位を共重合体＜Ｐ−１＞と同じ組成比で有するランダム共重合体である。

＜実施例２＞［組成物の製造］
共重合体＜Ｐ−１＞０．０４２ｇをキシレン２．９５８ｇに溶解させ、１．４重量％のキシレン溶液１を製造した。

＜合成例３＞［共重合体＜Ｐ−５＞の合成］
不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン、ビス（４−ブロモフェニル）−（４−セカンダリブチルフェニル）−アミン、酢酸パラジウム、トリ（２−メチルフェニル）ホスフィン、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：Ａｌｉｑｕａｔ（登録商標）３３６、アルドリッチ製）、トルエンを混合し、１０５℃に加熱した。得られた反応溶液に２Ｍ 炭酸ナトリウム（Ｎａ₂ＣＯ₃）水溶液を滴下し、４時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸を加え、さらに３時間還流させた。次いでＮ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム水溶液を加え８０℃で４時間撹拌した。得られた反応溶液を冷却後、有機層を水、３重量％酢酸水溶液、水の順番に洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノールに滴下した後、得られた固体を濾過後乾燥させ、共重合体＜Ｐ−５＞を得た。
共重合体＜Ｐ−５＞のポリスチレン換算数平均分子量は７．９×１０⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は２．７×１０⁵であった。

共重合体＜Ｐ−５＞は、下記の繰り返し単位を有するランダム共重合体である。

＜実施例３＞［発光素子の作製と評価］
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、商品名：ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いて、スピンコートにより６５ｎｍの厚みで成膜を行い、ホットプレート上、２００℃で１０分間乾燥させた。次に、共重合体＜Ｐ−５＞を１．５重量％の濃度でキシレンに溶解させたキシレン溶液を用いてスピンコート法により、２５００ｒｐｍの回転速度で成膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下の窒素ガス雰囲気下において１８０℃で６０分間乾燥させた。この基板を窒素ガス雰囲気下において室温に戻した後、キシレンを基板上に滴下し、２０００ｒｐｍで３０秒間スピンコートをした後、上記で調製したキシレン溶液１を用いてスピンコート法により２８００ｒｐｍの回転速度で成膜した。膜厚は約１２０ｎｍであった。これを窒素ガス雰囲気下において、１３０℃で６０分間乾燥させた後、陰極としてバリウムを膜厚約５ｎｍで蒸着し、次いでアルミニウムを膜厚約１００ｎｍ蒸着した。なお真空度が、１×１０^-4Ｐａ以下に到達した後、金属の蒸着を開始した。このようにして蒸着した後、ガラス基板を用いて封止を行って発光素子を作製した。得られた発光素子に電圧を引加することにより、８．０Ｖにおいて７０５ｎｍにピークを有する極めて深赤色のＥＬ発光が得られた。
初期の発光強度が４２ｍＷ／ｃｍ²になる電流密度で定電流駆動したところ、１１９．６時間後に発光強度が初期の７５％となり、１７５．７時間後に半減した。また、１０００ｃｄ／ｍ²の高輝度が１０．４Ｖの低電圧で得られた。８．０Ｖの電圧を印加すると、発光波長のピークトップが７０５ｎｍである蛍光を発し、その時の輝度は２４５ｃｄ／ｍ²であった。また、発光効率は、７．２Ｖで最大値を示し、０．２６ｃｄ／Ａであった。

＜比較例１＞
キシレン溶液１に代えて共重合体＜Ｐ−３＞の１．４重量％キシレン溶液を用い、スピンコート法の回転速度を２８００ｒｐｍに代えて１１００ｒｐｍとする以外は、実施例３と同様にして発光素子を作製した。
得られた発光素子に電圧を引加することにより、７０５ｎｍにピークを有する深赤色のＥＬ発光が得られた。
初期の発光強度が４２ｍＷ／ｃｍ²になる電流密度で定電流駆動したところ、４２．９時間後に発光強度が初期の７５％となった。また、１０００ｃｄ／ｍ²の輝度が得られる電圧が１１．９Ｖと、実施例３と比較すると高電圧であった。８．０Ｖの電圧を印加すると、発光波長のピークトップが７０５ｎｍである蛍光を発し、その時の輝度は１３６ｃｄ／ｍ²であった。また、発光効率は、４．８Ｖで最大値を示し、０．１５ｃｄ／Ａであった。

＜比較例２＞
キシレン溶液１に代えて共重合体＜Ｐ−２＞の１．４重量％キシレン溶液を用い、スピンコート法の回転速度を２８００ｒｐｍに代えて１４００ｒｐｍとする以外は、実施例３と同様にして発光素子を作製した。
得られた発光素子に電圧を引加することにより、８．０Ｖ印加時に６７５ｎｍにピークを有する赤色のＥＬ発光が得られ、発光波長は実施例３と比較して短波長であった。
初期の発光強度が４２ｍＷ／ｃｍ²になる電流密度で定電流駆動したところ、５３．４時間後に発光強度が初期の７５％となり、９５．５時間後に半減した。

＜実施例４＞［共重合体＜Ｐ−４＞の合成］
不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン（０．８８ｇ）、４，７−ジブロモ−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．２９ｇ）、４，７−ビス（５−ブロモ−４−メチルチオフェン−２−イル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．３２ｇ）、ペンタマー１（０．１７ｇ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（３．９ｍｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：Ａｌｉｑｕａｔ（登録商標）３３６、アルドリッチ製）（０．７０ｇ）、トルエン（１８ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。得られた反応溶液に１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液（５ｍＬ）を滴下し、１．５時間還流させ、ブロック（Ａ）を有する化合物を得た。ブロック（Ａ）のポリスチレン換算数平均分子量は５．５×１０³であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は１．４×１０⁴であった。このポリスチレン換算数平均分子量から見積もると、ブロック（Ａ）の重合度は約１７であった。得られたブロック（Ａ）を有する化合物を、７０℃まで冷却後、反応溶液に２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン（１．９９ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン（１．１０ｇ）、ビス（４−ブロモフェニル）−（４−セカンダリブチルフェニル）−アミン（０．７４ｇ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（７．５ｍｇ）、トルエン（３６ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。得られた反応溶液に１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液（９．７ｍＬ）を滴下し、６時間還流させた。そこに、フェニルホウ酸（０．６６ｇ）を加え、さらに９時間還流させた。次いでＮ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム水溶液を加え８５℃で２時間撹拌した。得られた反応溶液を冷却後、水（７０ｍＬ）で２回、３重量％酢酸水溶液（７０ｍＬ）で２回、水（７０ｍＬ）で２回洗浄し、有機層をメタノール（１２００ｍＬ）に滴下したところ沈殿物が生じたので、この沈殿物を濾過後乾燥させて固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（１５００ｍＬ）に滴下し、沈殿物を濾過後乾燥させた。得られた共重合体＜Ｐ−４＞の収量は３．３０ｇであった。
共重合体＜Ｐ−４＞のポリスチレン換算数平均分子量は５．７×１０⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は１．３×１０⁵であった。

共重合体＜Ｐ−４＞は、下記ブロック（Ａ）及び下記ブロック（Ｂ）を有する。ブロック（Ａ）中、式（Ｉ−１）で示される繰り返し単位の合計の含有率は全繰り返し単位に対して２モル％で、式（Ｉ−２）で示される繰り返し単位の含有率は全繰り返し単位に対して６モル％である。また、仕込み原料から求めた共重合体＜Ｐ−４＞中のブロック（Ａ）の比率は３２.３モル％であり、ブロック（Ｂ）の比率は６７.７モル％である。

Claims (33)

1. 式（Ｉ−１）で示される繰り返し単位からなるブロック（Ａ'）、及び／又は式（Ｉ−１）で示される繰り返し単位と式（ＩＩ）で示される繰り返し単位とを含むブロック（Ａ）を有する共重合体。
   

   

   〔式中、Ｘ¹、Ｘ²及びＸ³は、同一であっても相異なっていてもよく、酸素原子、硫黄原子又は−Ｃ（Ｒ⁷）＝Ｃ（Ｒ⁸）−を表し、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷及びＲ⁸は、同一であっても相異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、ｍ及びｎは、同一であっても相異なっていてもよく、２又は３を表す。複数個あるＲ¹は、同一であっても相異なっていてもよい。複数個あるＲ²は、同一であっても相異なっていてもよい。複数個あるＲ⁵は、同一であっても相異なっていてもよい。複数個あるＲ⁶は、同一であっても相異なっていてもよい。複数個あるＸ¹は、同一であっても相異なっていてもよい。複数個あるＸ³は、同一であっても相異なっていてもよい。〕
   −（Ａｒ¹）− （ＩＩ）
   〔式中、Ａｒ¹はアリーレン基を表す。〕
2. 式（Ｉ−１）で示される繰り返し単位と式（ＩＩ）で示される繰り返し単位とを含むブロック（Ａ）を有する請求項１に記載の共重合体。
3. ｍ及びｎが、２である請求項１又は２に記載の共重合体。
4. Ｘ¹、Ｘ²及びＸ³が、硫黄原子である請求項１〜３のいずれかに記載の共重合体。
5. Ａｒ¹が、式（ＩＶ）で示される基である請求項１〜４のいずれかに記載の共重合体。
   

   

   〔式中、Ｒ⁹及びＲ¹⁰は、同一であっても相異なっていてもよく、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、Ｒ¹¹及びＲ¹²は、同一であっても相異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、ａ及びｂは、同一であっても相異なっていてもよく、０〜３の整数を表す。Ｒ⁹が複数個ある場合、それらは同一であっても相異なっていてもよい。Ｒ¹⁰が複数個ある場合、それらは同一であっても相異なっていてもよい。〕
6. ブロック（Ａ）が、さらに、式（Ｉ−２）で示される繰り返し単位を２種類以上含む請求項１〜５のいずれかに記載の共重合体。
   

   

   〔式中、Ｙ¹、Ｙ²及びＹ³は、同一であっても相異なっていてもよく、酸素原子、硫黄原子又は−Ｃ（Ｒ'⁷）＝Ｃ（Ｒ'⁸）−を表し、Ｒ'¹、Ｒ'²、Ｒ'³、Ｒ'⁴、Ｒ'⁵、Ｒ'⁶、Ｒ'⁷及びＲ'⁸は、同一であっても相異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表す。〕
7. Ｙ¹、Ｙ²及びＹ³が、硫黄原子である請求項６に記載の共重合体。
8. さらに、式（ＩＩ）で示される繰り返し単位と式（ＩＩＩ）で示される繰り返し単位とを含むブロック（Ｂ）を有する請求項１〜７のいずれかに記載の共重合体。
   −（Ａｒ²）− （ＩＩＩ）
   〔式中、Ａｒ²は２価の芳香族アミン残基を表す。〕
9. Ａｒ²が、式（Ｖ−１）で示される基、式（Ｖ−２）で示される基又は式（Ｖ−３）で示される基である請求項８に記載の共重合体。
   

   

   （式中、Ａｒ¹³、Ａｒ¹⁴、Ａｒ¹⁵及びＡｒ¹⁶は、同一であっても相異なっていてもよく、アリーレン基又は２価の複素環基を表す。Ａｒ¹⁷、Ａｒ¹⁸及びＡｒ¹⁹は、同一であっても相異なっていてもよく、アリール基又は１価の複素環基を表す。ｘ及びｙは、同一であっても相異なっていてもよく、０又は１を表し、０≦ｘ＋ｙ≦１である。）
   

   

   （式中、Ａｒ²⁰及びＡｒ²¹は、同一であっても相異なっていてもよく、３価の芳香族炭化水素基又は３価の複素環基を表す。Ａｒ²²は、アリール基又は１価の複素環基を表す。Ｚ¹は、酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（Ｒ^Z1）＝Ｃ（Ｒ^Z2）−、−Ｃ（Ｒ^Z3）（Ｒ^Z4）−、−Ｎ（Ｒ^Z5）−、又は直接結合を表す。Ｒ^Z1、Ｒ^Z2、Ｒ^Z3、Ｒ^Z4及びＲ^Z5は、同一であっても相異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表す。）
   

   

   （式中、Ａｒ²³は、３価の芳香族炭化水素基又は３価の複素環基を表す。Ａｒ²⁴及びＡｒ²⁵は、同一であっても相異なっていてもよく、アリーレン基又は２価の複素環基を表す。Ｚ²は、酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（Ｒ^Z6）＝Ｃ（Ｒ^Z7）−、−Ｃ（Ｒ^Z8）（Ｒ^Z9）−、−Ｎ（Ｒ^Z10）−、又は直接結合を表す。Ｒ^Z6、Ｒ^Z7、Ｒ^Z8、Ｒ^Z9及びＲ^Z10は、同一であっても相異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表す。）
10. ブロック（Ｂ）が、式（ＩＩＩ）で示される繰り返し単位を２種類以上含む請求項８又は９に記載の共重合体。
11. ポリスチレン換算の重量平均分子量が、１×１０³〜１×１０⁷である請求項１〜１０のいずれかに記載の共重合体。
12. 共重合体中の全繰り返し単位の合計を１００モル％とした場合に、式（Ｉ−１）で示される繰り返し単位を０．５モル％以上、４０モル％以下有する請求項１〜１１のいずれかに記載の共重合体。
13. ブロック（Ａ）又はブロック（Ａ'）のポリスチレン換算の重量平均分子量が、１×１０³〜１×１０⁵である請求項１〜１２のいずれかに記載の共重合体。
14. 式（ＶＩ）で示される値が、０．１以上、１０以下である請求項８〜１３のいずれかに記載の共重合体。
    〔Ａ〕／〔Ｂ〕 （ＶＩ）
    （式中、〔Ａ〕は共重合体に含まれるブロック（Ａ）の数及びブロック（Ａ'）の数のうちの最大数を表し、〔Ｂ〕は共重合体に含まれるブロック（Ｂ）の数を表す。）
15. 式（ＶＩＩ）で示される値が０．０１以上、０．８以下である請求項１〜１３のいずれかに記載の共重合体。
    〔Ｃ〕／〔Ｄ〕 （ＶＩＩ）
    （式中、〔Ｃ〕はブロック（Ａ）のポリスチレン換算の重量平均分子量及びブロック（Ａ'）のポリスチレン換算の重量平均分子量のうちの最大値を表し、〔Ｄ〕は共重合体のポリスチレン換算の重量平均分子量を表す。）
16. 請求項１〜１５のいずれかに記載の共重合体と、該共重合以外の、発光材料、正孔輸送材料及び電子輸送材料からなる群から選ばれる１種以上の材料とを含有する組成物。
17. 請求項１〜１５のいずれかに記載の共重合体を少なくとも２種類含有する請求項１６に記載の組成物。
18. 請求項１〜１５のいずれかに記載の共重合体と溶媒とを含有する組成物。
19. 請求項１〜１５のいずれかに記載の共重合体を含有する薄膜。
20. 請求項１６又は１７に記載の組成物を含む薄膜。
21. 発光性である請求項１９又は２０に記載の薄膜。
22. 導電性である請求項１９又は２０に記載の薄膜。
23. 陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に請求項１〜１５のいずれかに記載の共重合体を含む有機層を有する高分子発光素子。
24. 陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に請求項１６又は１７に記載の組成物を含む有機層を有する高分子発光素子。
25. 有機層が、発光層である請求項２３又は２４に記載の高分子発光素子。
26. 請求項２３〜２５のいずれかに記載の高分子発光素子を用いた面状光源。
27. 請求項２３〜２５のいずれかに記載の高分子発光素子をバックライトとする液晶表示装置。
28. 請求項２３〜２５のいずれかに記載の高分子発光素子を用いた照明。
29. 請求項１〜１５のいずれかに記載の共重合体を含む活性層を有する有機トランジスタ。
30. 陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に設けられた請求項１〜１５のいずれかに記載の共重合体を含む有機層とを有する光電変換素子。
31. Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物のみを縮合重合させるか、Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物とＷ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物とを縮合重合させるか、Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物とＷ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物及び縮合重合に関与する２個の置換基を有する化合物とを縮合重合させることにより第一の化合物を合成する工程、及び
    この第一の化合物と、縮合重合に関与する２個の置換基を有する化合物とを、縮合重合させることによりブロック（Ａ’）及び／又はブロック（Ａ）を有する共重合体を合成する工程
    を有する請求項１〜１５のいずれかに記載の共重合体の製造方法。
    （式中、−Ａ−は式（Ｉ−１）で示される繰り返し単位又は式（Ｉ−２）で示される繰り返し単位を表し、Ａｒ¹は前記と同じ意味を表し、Ｗ¹及びＷ²は、同一であっても相異なっていてもよく、縮合重合に関与する置換基を表す。）
32. Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物のみを縮合重合させるか、Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物とＷ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物とを縮合重合させるか、Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物とＷ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物及び縮合重合に関与する２個の置換基を有する化合物を縮合重合させることにより第一の化合物を合成する工程、及び
    この第一の化合物と、Ｗ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物及びＷ¹−Ａｒ²−Ｗ²で示される化合物とを縮合重合させるか、この第一の化合物と、Ｗ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物、Ｗ¹−Ａｒ²−Ｗ²で示される化合物及び縮合重合に関与する２個の置換基を有する化合物とを縮合重合させることによりブロック（Ａ’）及び／又はブロック（Ａ）とブロック（Ｂ）とを有する共重合体を合成する工程
    を有する請求項８〜１５のいずれかに記載の共重合体の製造方法。
    （式中、−Ａ−は式（Ｉ−１）で示される繰り返し単位又は式（Ｉ−２）で示される繰り返し単位を表し、Ａｒ¹及びＡｒ²は前記と同じ意味を表し、Ｗ¹及びＷ²は、同一であっても相異なっていてもよく、縮合重合に関与する置換基を表す。）
33. Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物のみを縮合重合させるか、Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物とＷ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物とを縮合重合させるか、Ｗ¹−Ａ−Ｗ²で示される化合物とＷ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物及び縮合重合に関与する２個の置換基を有する化合物を縮合重合させることにより第一の化合物を合成する工程、
    Ｗ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物とＷ¹−Ａｒ²−Ｗ²で示される化合物とを縮合重合させるか、Ｗ¹−Ａｒ¹−Ｗ²で示される化合物とＷ¹−Ａｒ²−Ｗ²で示される化合物と縮合重合に関与する２個の置換基を有する化合物とを縮合重合させることにより第二の化合物を合成する工程、及び
    この第一の化合物とこの第二の化合物とを縮合重合させることによりブロック（Ａ’）及び／又はブロック（Ａ）とブロック（Ｂ）とを有する共重合体を合成する工程
    を有する請求項８〜１５のいずれかに記載の共重合体の製造方法。
    （式中、−Ａ−は式（Ｉ−１）で示される繰り返し単位又は式（Ｉ−２）で示される繰り返し単位を表し、Ａｒ¹及びＡｒ²は前記と同じ意味を表し、Ｗ¹及びＷ²は、同一であっても相異なっていてもよく、縮合重合に関与する置換基を表す。）