JP2016036054A - 発光素子 - Google Patents

Abstract

【課題】駆動初期の輝度寿命に優れる発光素子を提供する。
【解決手段】陽極と、陰極と、陽極および陰極の間に設けられた発光層と、封止層とを有する発光素子であって、
封止層の形成後に行われるアニーリング処理の温度ＴＡ（℃）と、発光層に１重量％以上含まれる材料の中でガラス転移温度が最も低い材料のガラス転移温度ＴＧ（℃）とが、下記式（１）を満たし、
アニーリング処理前の印加電圧５Ｖにおける電流密度ＩＡと、アニーリング処理後の印加電圧５Ｖにおける電流密度ＩＢとが、下記式（２）を満たす発光素子。
ＴＡ＜ＴＧ （１）
０．５０×ＩＡ≦ＩＢ≦０．９５×ＩＡ （２）
【選択図】なし

Description

本発明は、アニーリング処理がなされた発光素子に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「発光素子」ともいう。）は、発光効率が高く、駆動電圧が低いことから、ディスプレイの用途に好適に使用することが可能であり、研究開発が盛んに行われている。この発光素子は、発光層、電荷輸送層等の有機層を備える。有機層の形成には、低分子化合物が用いられる場合と、高分子化合物が用いられる場合とがあるが、高分子化合物を用いることで、インクジェット印刷法に代表される塗布法により有機層を形成することができるため、発光素子の製造に用いる高分子化合物が検討されている。また、近年では、発光素子の製造に用いる有機溶媒に対して可溶性の低分子化合物についても検討されている。

発光素子は、電流駆動の駆動時間の経過に伴って発光効率が低下し、発光輝度が低下することが知られており、電流駆動の駆動初期の発光効率が大きく低下し、発光輝度が大きく低下すること（すわなち、駆動初期の輝度寿命が短いこと）が問題となっている。この問題に対して、特許文献１では、燐光発光性化合物を含有する発光層の成膜後、陰極の蒸着前に、成膜された発光層をアニーリングすることで、駆動初期の輝度寿命を改善することが提案されている。

米国特許出願公開第２００６／００４０１３６号明細書

しかしながら、上記の方法で製造された発光素子は、駆動初期の輝度寿命が必ずしも十分ではなかった。
そこで、本発明は、駆動初期の輝度寿命に優れる発光素子を提供することを目的とする。

本発明は、
陽極と、
陰極と、
陽極および陰極の間に設けられた発光層と、
封止層とを有する発光素子であって、
封止層の形成後に行われるアニーリング処理の温度ＴＡ（℃）と、発光層に１重量％以上含まれる材料の中でガラス転移温度が最も低い材料のガラス転移温度ＴＧ（℃）とが、下記式（１）を満たし、
アニーリング処理前の印加電圧５Ｖにおける電流密度ＩＡと、アニーリング処理後の印加電圧５Ｖにおける電流密度ＩＢとが、下記式（２）を満たす発光素子を提供する。
ＴＡ＜ＴＧ （１）
０．５０×ＩＡ≦ＩＢ≦０．９５×ＩＡ （２）

本発明によれば、駆動初期の輝度寿命に優れる発光素子を提供することができる。

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。

＜共通する用語の説明＞
以下、本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。

Meはメチル基、Etはエチル基、i-Prはイソプロピル基、n-Buはn-ブチル基、t-Buはtert-ブチル基を表す。

本明細書において、水素原子は、軽水素原子であっても重水素原子であってもよい。

「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が、１×10³〜１×10⁸である重合体を意味する。高分子化合物に含まれる構成単位は、合計100モル％である。

高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよい。

高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に発光特性や駆動初期の輝度寿命が低下する可能性があるので、好ましくは安定な基である。この末端基としては、主鎖と共役結合している基が好ましく、炭素−炭素結合を介してアリール基または１価の複素環基と結合している基が挙げられる。

「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×10⁴以下の化合物を意味する。

「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。

「アルキル基」は、直鎖、分岐および環状のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。分岐および環状のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。

アルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソアミル基、2-エチルブチル基、n-ヘキシル基、シクロヘキシル基、n-ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-n-プロピルヘプチル基、n-デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、2-エチルオクチル基、2-n-ヘキシルデシル基、n-ドデシル基等の非置換アルキル基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、3-フェニルプロピル基、3-(4-メチルフェニル）プロピル基、3-(3,5-ジ-n-ヘキシルフェニル)プロピル基、6-エチルオキシヘキシル基等の置換アルキル基が挙げられる。

「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜20であり、より好ましくは６〜10である。

アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-フルオレニル基、3-フルオレニル基、4-フルオレニル基、2-フェニルフェニル基、3-フェニルフェニル基、4-フェニルフェニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「アルコキシ基」は、直鎖、分岐および環状のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜40であり、好ましくは４〜10である。分岐および環状のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜40であり、好ましくは４〜10である。

アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、n-ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、tert-ブチルオキシ基、n-ペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、n-ヘプチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、n-ノニルオキシ基、n-デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基が挙げられる。

「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは７〜48である。

アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチルオキシ基、1-アントラセニルオキシ基、9-アントラセニルオキシ基、1-ピレニルオキシ基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、アルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。

「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、および、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。

１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜60であり、好ましくは４〜20である。

１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、アルコキシ基等で置換された基が挙げられる。

「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示す。

「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、アリール基または１価の複素環基が好ましい。

置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基およびジアリールアミノ基が挙げられる。

アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス(4-メチルフェニル）アミノ基、ビス(4-tert-ブチルフェニル）アミノ基、ビス(3,5-ジ-tert-ブチルフェニル）アミノ基が挙げられる。

「アルケニル基」は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜３０であり、好ましくは３〜２０である。分岐および環状のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。

アルケニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、７−オクテニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アルキニル基」は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２〜２０であり、好ましくは３〜２０である。分岐および環状のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。

アルキニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、３−ペンチニル基、４−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、６〜60であり、好ましくは６〜30であり、より好ましくは６〜18である。

アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、式(A-1)〜式(A-20)で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含
む。

［式中、ＲおよびＲ^aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を表す。複数存在するＲおよびＲ^aは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^a同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］

２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜60であり、好ましくは、３〜20であり、より好ましくは、４〜15である。

２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、式(A-21)〜式(A-54)で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、ＲおよびＲ^aは、前記と同じ意味を表す。］

「架橋基」とは、加熱処理、光照射処理（例えば、紫外線照射処理）、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成する事が可能な基であり、好ましくは、式(B-1)、(B-2)、(B-3)、(B-4)、(B-5)、(B-6)、(B-7)、(B-8)、(B-9)、(B-10)、(B-11)、(B-12)、(B-13)、(B-14)、(B-15)、(B-16)または(B-17)で表される基である。

［式中、これらの基は置換基を有していてもよい。］

「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。置換基は架橋基であってもよい。

＜発光素子＞
本発明の発光素子は、陽極と、陰極と、陽極および陰極の間に設けられた発光層と、封止層とを有し、封止層の形成後に行われるアニーリング処理の温度ＴＡ（℃）と、発光層に１重量％以上含まれる材料の中でガラス転移温度が最も低い材料のガラス転移温度ＴＧ（℃）とが、上記式（１）を満たし、アニーリング処理前の印加電圧５Ｖにおける電流密度ＩＡと、アニーリング処理後の印加電圧５Ｖにおける電流密度ＩＢとが、上記式（２）を満たす発光素子である。

印加電圧５Ｖというのは、発光素子を駆動する際に実際に印加しうる電圧に相当するものである。

発光層に１重量％以上含まれるガラス転移温度が最も低い材料は、発光層に３重量％以上含まれていることが好ましく、発光層に５重量％以上含まれていることがより好ましい。

ＴＡと、ＴＧとは、本発明の発光素子の発光効率が優れるので、下記式（３）を満たすことが好ましく、下記式（３’）を満たすことがより好ましく、下記式（３’’）を満たすことがさらに好ましい。
ＴＡ＜ＴＧ−３０ （３）
ＴＡ＜ＴＧ−４０ （３’）
ＴＡ＜ＴＧ−５０ （３’’）

ＴＡは、本発明の発光素子の発光効率が優れるので、５０℃以上（例えば、５０℃以上８０℃以下）であることが好ましく、６０℃以上（例えば、６０℃以上８０℃以下）であることがより好ましく、６０℃以上７０℃以下であることがさらに好ましい。

ＴＧは、本発明の発光素子の輝度寿命が優れるので、９０℃以上２５０℃以下であることが好ましく、９５℃以上２００℃以下であることがより好ましく、１００℃以上１８０℃以下であることがさらに好ましい。

ＩＡと、ＩＢとは、本発明の発光素子の発光効率が優れるので、下記式（４）を満たすことが好ましく、下記式（５）を満たすことがより好ましく、下記式（６）を満たすことがさらに好ましい。
０．７０×ＩＡ≦ＩＢ≦０．９０×ＩＡ （４）
０．７０×ＩＡ≦ＩＢ≦０．８５×ＩＡ （５）
０．７５×ＩＡ≦ＩＢ≦０．８５×ＩＡ （６）

［アニーリング処理］
アニーリング処理の方法としては、例えば、オーブンを用いたアニーリング、ホットプレートを用いたアニーリング、赤外線を用いたアニーリング、可視光線を用いたアニーリングが挙げられ、オーブンを用いたアニーリングまたはホットプレートを用いたアニーリングが好ましい。

アニーリング処理を行う環境は、大気ガス雰囲気下であっても不活性ガス雰囲気下であってもよい。不活性ガス雰囲気下としては、例えば、窒素ガス雰囲気下、アルゴンガス雰囲気下が挙げられる。

アニーリング処理の時間は限定されないが、本発明の発光素子の輝度寿命が優れるので、１分間以上１５０時間以下であることが好ましく、１０分間以上５０時間以下であることがより好ましく、１５分間以上４０時間以下であることがさらに好ましい。

［層構成］
本発明の発光素子は、陽極、陰極、発光層および封止層以外の層（以下、「その他の層」ともいう。）を有していてもよい。その他の層としては、例えば、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層および電子注入層が挙げられる。発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層および電子注入層は、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料および電子注入材料をそれぞれ含み、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料および電子注入材料を用いてそれぞれ形成することができる。

発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層および電子注入層の材料としては、後述する発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料および電子注入材料が挙げられる。

積層する層の順番、数および厚さは、発光素子の発光効率および駆動電圧を勘案して調整すればよい。

発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層および電子注入層の厚さは、通常、１ｎｍ〜10μｍである。

本発明の発光素子は、正孔注入性および正孔輸送性の観点からは、陽極と発光層との間に、正孔注入層および正孔輸送層の少なくとも１層を有することが好ましく、電子注入性および電子輸送性の観点からは、陰極と発光層の間に、電子注入層および電子輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。

本発明の発光素子において、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層および電子注入層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。

発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層および電子注入層は、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料および電子注入材料をそれぞれ含有するインク（即ち、これらの材料と溶媒とを含有する組成物）を用いて、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法により作製することができる。

インクの粘度は、印刷法の種類によって調整すればよいが、インクジェットプリント法等の溶液が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまりと飛行曲がりを防止するために、好ましくは25℃において１〜20mPa・sである。

インクに含まれる溶媒は、該インク中の固形分を溶解または均一に分散できる溶媒が好ましい。溶媒としては、例えば、1,2-ジクロロエタン、1,1,2-トリクロロエタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、4-メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、n-ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-へプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン、n-ドデカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、1,2-ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

インクにおいて、溶媒の配合量は、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料または電子注入材料100重量部に対して、通常、1000〜100000重量部であり、好ましくは2000〜20000重量部である。

正孔輸送層の材料、電子輸送層の材料および発光層の材料は、発光素子の作製において、各々、正孔輸送層、電子輸送層および発光層に隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、該溶媒に該材料が溶解することを回避するために、該材料が架橋基を有することが好ましい。架橋基を有する材料を用いて各層を形成した後、該架橋基を架橋させることにより、該層を不溶化させることができる。

各層を架橋させるための加熱の温度は、通常、25〜300℃であり、本発明の発光素子の駆動初期の輝度寿命が優れるので、好ましくは50〜250℃であり、より好ましくは150〜200℃である。

各層を架橋させるための光照射に用いられる光の種類は、例えば、紫外光、近紫外光、可視光である。

［封止層］
封止層は、水分および酸素ガスに対してバリア性を有するものであれば限定されないが、封止層の一形態としては、発光素子が有する陽極、陰極、発光層およびその他の層が、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスが充填された状態で、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板により密封されたものが挙げられる。封止層の他の一形態としては、発光素子が有する陽極、陰極、発光層およびその他の層が、有機物からなる絶縁層または無機物からなる絶縁層を介して、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板により密封されたものが挙げられる。有機物からなる絶縁層の材料としては、例えば、熱可塑性樹脂、光架橋性樹脂が挙げられる。無機物からなる絶縁層の材料としては、例えば、金属酸化物、金属窒化物が挙げられる。

本発明の発光素子は、封止層の形成後にアニーリング処理が行われたものであることから、封止層には、乾燥剤が含まれていることが好ましい。乾燥剤は、封止層に配置されたものであってもよい。

［基板/電極］
本発明の発光素子は、通常、基板を有する。本発明の発光素子が有する基板は、電極を形成することができ、かつ、有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板である。不透明な基板の場合には、基板から最も遠くにある電極が透明または半透明であることが好ましい。

陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体(APC)；NESA、金、白金、銀、銅である。

陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイトおよびグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。

陽極および陰極は、各々、２層以上の積層構造としてもよい。

［発光材料］
発光材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。発光材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、ナフタレンおよびその誘導体、アントラセンおよびその誘導体、ペリレンおよびその誘導体、並びに、イリジウム、白金またはユーロピウムを中心金属とする三重項発光錯体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、フルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、後述する式(X)で表される基、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基等を含む高分子化合物が挙げられる。

発光材料は、低分子化合物および高分子化合物を含んでいてもよく、好ましくは、三重項発光錯体および高分子化合物を含む。

［正孔輸送材料］
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、高分子化合物が好ましく、架橋基を有する高分子化合物がより好ましい。

高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体；側鎖または主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレンおよびその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、トリニトロフルオレノンが挙げられ、好ましくはフラーレンである。

正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［電子輸送材料］
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、8-ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレンおよびジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、および、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。

電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［正孔注入材料および電子注入材料］
正孔注入材料および電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料および電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリンおよびポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；後述する式(X)で表される基を主鎖または側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。

正孔注入材料および電子注入材料は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［イオンドープ］
正孔注入材料または電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×10^-5S/cm〜１×10³S/cmである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。

ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。

ドープするイオンは、一種のみでも二種以上でもよい。

［用途］
発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極もしくは陰極、または、両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にON/OFFできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、TFT等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、または、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源および表示装置としても使用できる。

［発光層の材料］
本発明の発光素子において、発光層の形成に用いる低分子化合物としては、例えば、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）および１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン（ｍｃＰ）等のカルバゾール骨格を有する化合物；１，１−ビス［４−［Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノ］フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、４，４’−ビス［Ｎ−（ｍ−トリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＴＰＤ）およびＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニルベンジジン（ＮＰＢ）等のトリアリールアミン骨格を有する化合物；２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）等のフェナントロリン骨格を有する化合物；トリフェニルトリアジン等のトリアリールトリアジン骨格を有する化合物；ｐ−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン（ＵＧＨ２）および４，４’−ビス（トリフェニルシリル）ビフェニル（ＢＳＢ）等の有機ケイ素化合物；１，３，５−トリス（Ｎ−フェニルベンゾイミダゾール−２−イル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）、３−（ビフェニル−４−イル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール（ｔ−Ｂｕ−ＴＡＺ）および２−（ビフェニル−４−イル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）等のアゾール骨格を有する化合物；並びに、それらの骨格を組み合わせた化合物が挙げられる。該骨格を組み合わせた化合物としては，例えば、４，４'，４’’−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）等のカルバゾール骨格およびトリアリールアミン骨格を有する化合物が挙げられる。

本発明の発光素子において、発光層の形成に用いる低分子化合物としては、式（Ｈ−１）で表される化合物も挙げられる。

［式中、
Ａｒ^Ｈ１およびＡｒ^Ｈ２は、それぞれ独立に、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎ^Ｈ１およびｎ^Ｈ２は、それぞれ独立に、０または１を表す。ｎ^Ｈ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。複数存在するｎ^Ｈ２は、同一でも異なっていてもよい。
ｎ^Ｈ３は、０以上の整数を表す。
Ｌ^Ｈ１は、アリーレン基、２価の複素環基、または、−［Ｃ（Ｒ^Ｈ１１）_２］ｎ^Ｈ１１−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^Ｈ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎ^Ｈ１１は、１以上１０以下の整数を表す。Ｒ^Ｈ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｈ１１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
Ｌ^Ｈ２は、−Ｎ（−Ｌ^Ｈ２１−Ｒ^Ｈ２１）−で表される基を表す。Ｌ^Ｈ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｌ^Ｈ２１は、単結合、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｈ２１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ａｒ^Ｈ１およびＡｒ^Ｈ２は、フェニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ピロリル基、インドリル基、アザインドリル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、フェノキサジニル基またはフェノチアジニル基であることが好ましく、フェニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基、カルバゾリル基またはアザカルバゾリル基であることがより好ましく、フェニル基、ピリジル基、カルバゾリル基またはアザカルバゾリル基であることが更に好ましく、後述する式（ＴＤＡ−１）または（ＴＤＡ−３）で表される基であることが特に好ましく、後述する式（ＴＤＡ−３）で表される基であることがとりわけ好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｈ１およびＡｒ^Ｈ２が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基が好ましく、アルキル基、シクロアルコキシ基、アルコキシ基またはシクロアルコキシ基がより好ましく、アルキル基またはシクロアルコキシ基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

ｎ^Ｈ１は、好ましくは１である。ｎ^Ｈ２は、好ましくは０である。

ｎ^Ｈ３は、通常、０以上１０以下の整数であり、好ましくは０以上５以下の整数であり、更に好ましくは１以上３以下の整数であり、特に好ましくは１である。

ｎ^Ｈ１１は、好ましくは１以上５以下の整数であり、より好ましく１以上３以下の整数であり、更に好ましく１である。

Ｒ^Ｈ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であることがより好ましく、水素原子またはアルキル基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｌ^Ｈ１は、アリーレン基または２価の複素環基であることが好ましい。

Ｌ^Ｈ１は、式（Ａ−１）〜（Ａ−３）、式（Ａ−８）〜（Ａ−１０）、式（Ａ−２１）〜（Ａ−２６）、式（Ａ−３０）〜（Ａ−４１）または式（Ａ−４４）〜（Ａ−５４）で表される基であることが好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（Ａ−９）、式（Ａ−２１）〜（Ａ−２４）、式（Ａ−３０）〜（Ａ−３５）または式（Ａ−４９）〜（Ａ−５４）で表される基であることがより好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（Ａ−９）、式（Ａ−２２）、式（Ａ−２４）、式（Ａ−３０）〜（Ａ−３５）で表される基であることが更に好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（Ａ−２２）、式（Ａ−２４）、式（Ａ−３０）、式（Ａ−３２）または式（Ａ−３４）で表される基であることが特に好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−２２）、式（Ａ−２４）または式（Ａ−３４）で表される基であることがとりわけ好ましい。

Ｌ^Ｈ１が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基がより好ましく、アルキル基、アリール基または１価の複素環基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｌ^Ｈ２１は、単結合またはアリーレン基であることが好ましく、単結合であることがより好ましく、このアリーレン基は置換基を有していてもよい。

Ｌ^Ｈ２１で表されるアリーレン基または２価の複素環基の定義および例は、Ｌ^Ｈ１で表されるアリーレン基または２価の複素環基の定義および例と同様である。

Ｒ^Ｈ２１は、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^Ｈ２１で表されるアリール基および１価の複素環基の定義および例は、Ａｒ^Ｈ１およびＡｒ^Ｈ２で表されるアリール基および１価の複素環基の定義および例と同様である。

Ｒ^Ｈ２１が有していてもよい置換基の定義および例は、Ａｒ^Ｈ１およびＡｒ^Ｈ２が有していてもよい置換基の定義および例と同様である。

式（Ｈ−１）で表される化合物は、式（Ｈ−２）で表される化合物であることが好ましい。

［式中、Ａｒ^Ｈ１、Ａｒ^Ｈ２、ｎ^Ｈ３およびＬ^Ｈ１は、前記と同じ意味を表す。］

式（Ｈ−１）で表される化合物としては、下記式（Ｈ−１０１）〜（Ｈ−１１８）で表される化合物が例示される。

これらの低分子材料は、後述する三重項発光錯体と組み合わせて用いてもよい。

本発明の発光素子において、発光層は、下記式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物を含有していることが好ましい。

［式中、Ａｒ^Y1は、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ａｒ^Y1で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式(A-1)、式(A-2)、式(A-6)〜式(A-10)、式(A-19)または式(A-20)で表される基であり、さらに好ましくは式(A-1)、式(A-2)、式(A-7)、式(A-9)または式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Y1で表される２価の複素環基としては、より好ましくは式(A-21)〜式(A-24)、式(A-30)〜式(A-35)、式(A-38)〜式(A-41)、式(A-53)または式(A-54)で表される基であり、さらに好ましくは式(A-24)、式(A-30)、式(A-32)、式(A-34)または式(A-53)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Y1で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、さらに好ましい範囲は、それぞれ、前述のＡｒ^Y1で表されるアリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、さらに好ましい範囲と同様である。

「少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基」としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^XXは、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^XXは、好ましくはアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Y1で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式(Ｙ)で表される構成単位としては、例えば、式(Y-1)〜(Y-13)で表される構成単位が挙げられ、本発明の発光素子の駆動初期の輝度寿命の観点からは、好ましくは式(Y-1)、(Y-2)または(Y-3)で表される構成単位であり、電子輸送性の観点からは、好ましくは式(Y-4)〜(Y-7)で表される構成単位であり、正孔輸送性の観点からは、好ましくは式(Y-8)〜(Y-10)で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Y1は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y1は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Y1同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

Ｒ^Y1は、好ましくは水素原子、アルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式(Y-1)で表される構成単位は、式(Y-1')で表される構成単位であってもよい。

［式中、Ｒ^Y11は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y1は、同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^Y11は、好ましくはアルキル基またはアリール基であり、より好ましくはアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Y1は前記と同じ意味を表す。Ｘ^Y1は、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−、−Ｃ(Ｒ^Y2)＝Ｃ(Ｒ^Y2)−またはＣ(Ｒ^Y2)₂−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基を表す。Ｒ^Y2は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y2は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^Y2同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

Ｒ^Y2は、好ましくはアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基中の２個のＲ^Y2の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基、双方がアリール基、双方が１価の複素環基、または、一方がアルキル基で他方がアリール基若しくは１価の複素環基であり、より好ましくは一方がアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。２個存在するＲ^Y2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Y2が環を形成する場合、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基としては、好ましくは式(Y-A1)〜(Y-A5)で表される基であり、より好ましくは式(Y-A4)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、−Ｃ(Ｒ^Y2)＝Ｃ(Ｒ^Y2)−で表される基中の２個のＲ^Y2の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基、または、一方がアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基中の４個のＲ^Y2は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基である。複数あるＲ^Y2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Y2が環を形成する場合、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基は、好ましくは式(Y-B1)〜(Y-B5)で表される基であり、より好ましくは式(Y-B3)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Y2は前記と同じ意味を表す。］

式(Y-2)で表される構成単位は、式(Y-2')で表される構成単位であってもよい。

［式中、Ｒ^Y1およびＸ^Y1は前記と同じ意味を表す。］

［式中、Ｒ^Y1およびＸ^Y1は前記と同じ意味を表す。］

式(Y-3)で表される構成単位は、式(Y-3')で表される構成単位であってもよい。

［式中、Ｒ^Y11およびＸ^Y1は前記と同じ意味を表す。］

［式中、Ｒ^Y1は前記と同じ意味を表す。Ｒ^Y3は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^Y3は、好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式(Y-4)で表される構成単位は、式(Y-4')で表される構成単位であってもよく、式(Y-6)で表される構成単位は、式(Y-6')で表される構成単位であってもよい。

［式中、Ｒ^Y1およびＲ^Y3は前記と同じ意味を表す。］

［式中、Ｒ^Y1は前記を同じ意味を表す。Ｒ^Y4は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^Y4は、好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式(Ｙ)で表される構成単位としては、例えば、式(Y-101)〜(Y-130)で表されるアリーレン基からなる構成単位、式(Y-201)〜(Y-207)で表される２価の複素環基からなる構成単位、式(Y-301)〜(Y-308)で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基からなる構成単位が挙げられる。

式(Ｙ)で表される構成単位を含む高分子化合物が、蛍光発光（例えば、青色蛍光発光および緑色蛍光発光）を示す高分子化合物である場合、式(Ｙ)で表される構成単位であって、Ａｒ^Y1がアリーレン基である構成単位は、高分子化合物を用いた発光素子の駆動初期の輝度寿命がより優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは１０〜９５モル％であり、より好ましくは５０〜９５モル％である。

式(Ｙ)で表される構成単位を含む高分子化合物が、燐光発光（例えば、緑色燐光発光および赤色燐光発光）を示す三重項発光錯体と組み合わせて用いる電荷輸送性高分子化合物である場合、式(Ｙ)で表される構成単位であって、Ａｒ^Y1がアリーレン基である構成単位は、高分子化合物を用いた発光素子の駆動初期の輝度寿命がより優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは５０〜１００モル％であり、より好ましくは８０〜１００モル％である。

式(Ｙ)で表される構成単位を含む高分子化合物が、蛍光発光（例えば、青色蛍光発光および緑色蛍光発光）を示す高分子化合物である場合、式(Ｙ)で表される構成単位であって、Ａｒ^Y1が２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位は、本発明の発光素子の電荷輸送性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは１〜１０モル％であり、より好ましくは１〜５モル％である。

式(Ｙ)で表される構成単位を含む高分子化合物が、燐光発光（例えば、緑色燐光発光および赤色燐光発光）を示す三重項発光錯体と組み合わせて用いる電荷輸送性高分子化合物である場合、式(Ｙ)で表される構成単位であって、Ａｒ^Y1が２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位は、本発明の発光素子の電荷輸送性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは５〜２０モル％であり、より好ましくは５〜１５モル％である。

式(Ｙ)で表される構成単位は、高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

式(Y)で表される構成単位を含む高分子化合物は、正孔輸送性が優れるので、更に、下記式(Ｘ)で表される構成単位を含むことが好ましい。

［式中、
ａ^X1およびａ^X2は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ａｒ^X1およびＡｒ^X3は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^X2およびＡｒ^X4は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^X1、Ｒ^X2およびＲ^X3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

ａ^X1は、本発明の発光素子の駆動初期の輝度寿命がより優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは１である。

ａ^X2は、本発明の発光素子の駆動初期の輝度寿命がより優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは０である。

Ｒ^X1、Ｒ^X2およびＲ^X3は、好ましくはアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X1およびＡｒ^X3で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式(A-1)または式(A-9)で表される基であり、さらに好ましくは式(A-1)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X1およびＡｒ^X3で表される２価の複素環基としては、より好ましくは式(A-21)、式(A-22)または式(A-27)〜式(A-46)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X1およびＡｒ^X3は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)〜式(A-11)または式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4で表される２価の複素環基のより好ましい範囲は、Ａｒ^X1およびＡｒ^X3で表される２価の複素環基の特に好ましい範囲と同じである。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、さらに好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^X1およびＡｒ^X3で表されるアリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、さらに好ましい範囲と同様である。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、式（Ｙ）のＡｒ^Ｙ１で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基と同様のものが挙げられる。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^X1〜Ａｒ^X4およびＲ^X1〜Ｒ^X3で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式(Ｘ)で表される構成単位としては、好ましくは式(X-1)〜(X-7)で表される構成単位であり、より好ましくは式(X-1)〜(X-6)で表される構成単位であり、更に好ましくは式(X-3)〜(X-6)で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^X4およびＲ^X5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^X4は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲ^X5は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^X5同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

式(Ｘ)で表される構成単位としては、例えば、式(X1-1)〜(X1-19)で表される構成単位が挙げられ、好ましくは式(X1-1)〜(X1-14)で表される構成単位である。

式(Ｙ)で表される構成単位および式(Ｘ)で表される構成単位を含む高分子化合物が、蛍光発光（例えば、青色蛍光発光および緑色蛍光発光）を示す高分子化合物である場合、式(Ｘ)で表される構成単位は、正孔輸送性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは１〜１５モル％であり、より好ましくは１〜１０モル％であり、更に好ましくは１〜５モル％である。

式(Ｙ)で表される構成単位および式(Ｘ)で表される構成単位を含む高分子化合物が、燐光発光（例えば、緑色燐光発光および赤色燐光発光）を示す三重項発光錯体と組み合わせて用いる電荷輸送性高分子化合物である場合、式(Ｘ)で表される構成単位は、正孔輸送性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０〜２０モル％であり、より好ましくは０〜１５モル％であり、更に好ましくは０〜１０モル％である。

式(Ｘ)で表される構成単位は、高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、上述したように、複数種の原料モノマーを共重合してなる共重合体であることが好ましい。

式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物としては、例えば、下記表１の高分子化合物Ｐ−１〜Ｐ−６が挙げられる。ここで、「その他」の構成単位とは、式（Ｙ）で表される構成単位、式（Ｘ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。

［表中、ｐ、ｑ、ｒ、ｓおよびｔは、各構成単位のモル比率を示す。ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＝１００であり、かつ、１００≧ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ≧７０である。その他の構成単位とは、式（Ｙ）で表される構成単位、式（Ｘ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。
］

本発明の発光素子において、発光層は、三重項発光錯体を含有していることが好ましく、式（Ｙ）で表される高分子化合物および三重項発光錯体を含有していることがより好ましい。

三重項発光錯体としては、イリジウムを中心金属とする三重項発光錯体が好ましく、式Ir-1〜Ir-3で表されるイリジウム錯体がより好ましい。

［式中、
Ｒ^D1〜Ｒ^D8およびＲ^D11〜Ｒ^D20は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
−Ａ^D1---Ａ^D2−は、アニオン性の２座配位子を表し、Ａ^D1およびＡ^D2は、それぞれ独立に、イリジウム原子と結合する炭素原子、酸素原子または窒素原子を表す。ｎ_D1は、１、２または３を表し、ｎ_D2は、１または２を表す。］

式Ir-1で表される三重項発光錯体において、Ｒ^D1〜Ｒ^D8の少なくとも１つは、好ましくは、式(D-A)で表される基である。

［式中、
ｍ^DA1、ｍ^DA2およびｍ^DA3は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^DA1は、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2およびＡｒ^DA3は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2およびＡｒ^DA3が複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^DA2およびＴ^DA3は、それぞれ独立に、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

ｍ^DA1、ｍ^DA2およびｍ^DA3は、通常10以下の整数であり、5以下の整数であることが好ましく、0または1であることがより好ましい。また、ｍ^DA1、ｍ^DA2およびｍ^DA3は、同一の整数であることが好ましい。

Ｇ^DA1は、好ましくは式(GDA-11)〜(GDA-15)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、
＊１、＊２および＊３は、各々、Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2およびＡｒ^DA3との結合を表す。
Ｒ^DAは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^DAが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^DAは、好ましくは水素原子、アルキル基またはアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子またはアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2およびＡｒ^DA3は、好ましくは式(ArDA-1)〜(ArDA-3)で表される基である。

［式中、
Ｒ^DAは前記と同じ意味を表す。
Ｒ^DBは、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^DBが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｔ^DA2およびＴ^DA3は、好ましくは式(TDA-1)〜(TDA-3)で表される基である。

［式中、Ｒ^DAおよびＲ^DBは前記と同じ意味を表す。］

式Ir-2において、好ましくはＲ^D11〜Ｒ^D20の少なくとも１つは式(D-A)で表される基である。

式Ir-3において、好ましくはＲ^D1〜Ｒ^D8およびＲ^D11〜Ｒ^D20の少なくとも１つは式(D-A)で表される基である。

式(D-A)で表される基は、好ましくは式(D-A1)〜(D-A3)で表される基である。

［式中、
Ｒ^p1、Ｒ^p2およびＲ^p3は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^p1およびＲ^p2が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。複数あるｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］

ｎｐ１は、好ましくは０または１であり、より好ましくは１である。ｎｐ２は、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。ｎｐ３は好ましくは０である。

−Ａ^D1---Ａ^D2−で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記式で表される配位子が挙げられる。

［式中、＊は、Ｉｒと結合する部位を表す。］

式Ir-1で表される金属錯体としては、好ましくは式Ir-11〜Ir-13で表される金属錯体である。式Ir-2で表される金属錯体としては、好ましくは式Ir-21で表される金属錯体である。式Ir-3で表される金属錯体としては、好ましくは式Ir-31〜Ir-33で表される金属錯体である。

［式中、Dは、式(D-A)で表される基を表す。ｎ_D2は、１または２を表す。］

三重項発光錯体としては、例えば、以下に示す金属錯体が挙げられる。

本発明の発光素子において、発光層が、式（Ｙ）で表される高分子化合物および三重項発光錯体を含有している場合、三重項発光錯体の含有量は、式（Ｙ）で表される高分子化合物100重量部に対して、通常、0.1〜400重量部である。

以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

本実施例において、高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）およびポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）（島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ）により求めた。なお、ＳＥＣの測定条件は、以下のとおりである。

［測定条件］
測定する高分子化合物を約０．０５重量％の濃度でテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。ＳＥＣの移動相としてテトラヒドロフランを用い、２．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、ＰＬｇｅｌ ＭＩＸＥＤ−Ｂ（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−１０Ａｖｐ）を用いた。

本実施例において、材料のガラス転移温度ＴＧ（℃）は、熱分析ＤＳＣ装置（ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ社製、商品名：Ｑ２０００型 示差走査熱量計）により求めた。なお、ガラス転移温度は、以下のとおり、温度変調ＤＳＣ測定により求めた。

［測定条件］
測定する材料を３〜５ｍｇ秤量し、それをアルミニウム製のサンプルパンに加えた後、プレスすることにより封入した。次いで、材料が封入されたサンプルパンと、アルミニウム製の空のサンプルパン（参照物質）とを、熱分析ＤＳＣ装置の測定室にセットした後、測定室を窒素ガス雰囲気とした。次いで、測定室の温度を２０℃とし、平衡状態となるまで５分間保持した後、温度変調の周期を６０秒、振幅を±０．７５℃に設定し、さらに５分間保持した。次いで、２００℃まで１０℃／分の一定速度で加熱し、２００℃で１分間保持した後、−５０℃まで急冷し、５分間保持した。その後、３１０℃まで１０℃／分の一定速度で加熱し、−５０℃から３１０℃まで加熱する間に、ＤＳＣ曲線を測定した。ＤＳＣ曲線は、測定する材料のガラス転移点ではベースラインが下方向（吸熱方向）へシフトし、その後、元のベースラインへ戻る。そのため、ベースラインが下方向（吸熱方向）へシフトした温度と、元のベースラインへ戻る温度との平均値を、測定する材料のガラス転移温度ＴＧ（℃）とした。

＜比較例ＣＤ１：発光素子ＣＤ１の作製および評価＞
スパッタ法により45nmの厚みでITO膜を付けたガラス基板に、正孔注入材料としてポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるAQ-1200(Plectronics社製)を用いてスピンコートにより35nmの厚さで成膜し、これを大気雰囲気中において、ホットプレート上で170℃、15分間加熱した。

次に、正孔輸送性高分子化合物P1（ガラス転移温度：１５５℃）のキシレン溶液を用いてスピンコートにより20nmの厚さで正孔輸送層を成膜し、これを窒素ガス雰囲気中において、ホットプレート上で180℃、60分間加熱した。

次に、青色蛍光発光性高分子化合物P2（ガラス転移温度：１４４℃）のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより60nmの厚さで発光層を成膜し、これを窒素ガス雰囲気中において、ホットプレート上で150℃、10分間加熱した。

次に、電子注入層としてフッ化ナトリウムを約７nm、次いで陰極としてアルミニウムを約120nm蒸着した。なお、真空度が、１×10^-4Pa以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。

次に、乾燥剤であるＨＤ−０７１４０７Ｗ−５０（ダイニック社製）を掘りこみ部分に貼り付けた堀りガラス基板を用いて、窒素ガス雰囲気下において、封止層を形成することによって、発光素子ＣＤ１を作製した。

なお、封止層の形成には掘りガラス基板が用いられているため、発光層が有する陽極、陰極および各層と、堀りガラス基板との間には、空間が存在する。封止層の形成は窒素ガス雰囲気下で行われているため、該空間には窒素ガスが充填されている。

発光素子ＣＤ１に電圧を印加したところ、455nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、1000cd/m²発光時の発光効率が12.1cd/Aであった。初期輝度が1000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間（以下、「ＬＴ９５」ともいう。）は、7.2時間であった。結果を表２に示す。

＜実施例Ｄ１：発光素子Ｄ１の作製および評価＞
比較例ＣＤ１において、封止層の形成後に、大気雰囲気中においてホットプレート上で80℃、10分間加熱すること以外は、比較例ＣＤ１と同様にして発光素子Ｄ１を作製した。
発光素子Ｄ１に電圧を印加したところ、455nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、5Ｖ印加時の電流密度は、発光素子ＣＤ１の5Ｖ印加時の電流密度の0.75倍であった。1000cd/m²発光時の発光効率が11.9cd/Aであった。初期輝度が1000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、13.2時間であった。結果を表２に示す。

＜実施例Ｄ２：発光素子Ｄ２の作製および評価＞
比較例ＣＤ１において、封止層の形成後に、大気雰囲気中においてホットプレート上で80℃、30分間加熱すること以外は、比較例ＣＤ１と同様にして発光素子Ｄ２を作製した。
発光素子Ｄ２に電圧を印加したところ、455nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、5Ｖ印加時の電流密度は、発光素子ＣＤ１の5Ｖ印加時の電流密度の0.76倍であった。1000cd/m²発光時の発光効率が11.7cd/Aであった。初期輝度が1000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、13.2時間であった。結果を表２に示す。

＜実施例Ｄ３：発光素子Ｄ３の作製および評価＞
比較例ＣＤ１において、封止層の形成後に、大気雰囲気中においてオーブン中で50℃、72時間加熱すること以外は、比較例ＣＤ１と同様にして発光素子Ｄ３を作製した。
発光素子Ｄ３に電圧を印加したところ、455nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、5Ｖ印加時の電流密度は、発光素子ＣＤ１の5Ｖ印加時の電流密度の0.75倍であった。1000cd/m²発光時の発光効率が11.8cd/Aであった。初期輝度が1000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、19.9時間であった。結果を表２に示す。

＜比較例ＣＤ２：発光素子ＣＤ２の作製および評価＞
比較例ＣＤ１において、正孔輸送層の厚さを10nmとし、青色蛍光発光性高分子化合物P2に代えて青色蛍光発光性高分子化合物P3（ガラス転移温度：１４０℃）を用いるとともに、発光層を50nmとしたこと以外は、比較例ＣＤ１と同様にして、発光素子ＣＤ２を作製した。
発光素子ＣＤ２に電圧を印加したところ、455nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、1000cd/m²発光時の発光効率が10.2cd/Aであった。初期輝度が8000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、0.44時間であった。結果を表３に示す。

＜実施例Ｄ４：発光素子Ｄ４の作製および評価＞
比較例ＣＤ２において、封止層の形成後に、大気雰囲気中においてオーブン中で50℃、36時間加熱すること以外は、比較例ＣＤ２と同様にして発光素子Ｄ４を作製した。
発光素子Ｄ４に電圧を印加したところ、455nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、5Ｖ印加時の電流密度は、発光素子ＣＤ２の5Ｖ印加時の電流密度の0.93倍であった。1000cd/m²発光時の発光効率が10.3cd/Aであった。初期輝度が8000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、0.82時間であった。結果を表３に示す。

＜実施例Ｄ５：発光素子Ｄ５の作製および評価＞
比較例ＣＤ２において、封止層の形成後に、大気雰囲気中においてホットプレート上で60℃、10分間加熱すること以外は、比較例ＣＤ２と同様にして発光素子Ｄ５を作製した。
発光素子Ｄ５に電圧を印加したところ、455nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、5Ｖ印加時の電流密度は、発光素子ＣＤ２の5Ｖ印加時の電流密度の0.84倍であった。1000cd/m²発光時の発光効率が10.6cd/Aであった。初期輝度が8000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、0.62時間であった。結果を表３に示す。

＜実施例Ｄ６：発光素子Ｄ６の作製および評価＞
比較例ＣＤ２において、封止層の形成後に、大気雰囲気中においてホットプレート上で60℃、30分間加熱すること以外は、比較例ＣＤ２と同様にして発光素子Ｄ６を作製した。
発光素子Ｄ６に電圧を印加したところ、455nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、5Ｖ印加時の電流密度は、発光素子ＣＤ２の5Ｖ印加時の電流密度の0.80倍であった。1000cd/m²発光時の発光効率が10.4cd/Aであった。初期輝度が8000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、0.60時間であった。結果を表３に示す。

＜実施例Ｄ７：発光素子Ｄ７の作製および評価＞
比較例ＣＤ２において、封止層の形成後に、大気雰囲気中においてホットプレート上で60℃、60分間加熱すること以外は、比較例ＣＤ２と同様にして発光素子Ｄ７を作製した。
発光素子Ｄ７に電圧を印加したところ、455nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、5Ｖ印加時の電流密度は、発光素子ＣＤ２の5Ｖ印加時の電流密度の0.81倍であった。1000cd/m²発光時の発光効率が9.8cd/Aであった。初期輝度が8000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、0.77時間であった。結果を表３に示す。

＜実施例Ｄ８：発光素子Ｄ８の作製および評価＞
比較例ＣＤ２において、封止層の形成後に、大気雰囲気中においてホットプレート上で80℃、10分間加熱すること以外は、比較例ＣＤ２と同様にして発光素子Ｄ８を作製した。
発光素子Ｄ８に電圧を印加したところ、455nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、5Ｖ印加時の電流密度は、発光素子ＣＤ２の5Ｖ印加時の電流密度の0.91倍であった。1000cd/m²発光時の発光効率が10.3cd/Aであった。初期輝度が8000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、0.62時間であった。結果を表３に示す。

＜実施例Ｄ９：発光素子Ｄ９の作製および評価＞
比較例ＣＤ２において、封止層の形成後に、大気雰囲気中においてホットプレート上で80℃、30分間加熱すること以外は、比較例ＣＤ２と同様にして発光素子Ｄ９を作製した。
発光素子Ｄ９に電圧を印加したところ、455nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、5Ｖ印加時の電流密度は、発光素子ＣＤ２の5Ｖ印加時の電流密度の0.77倍であった。1000cd/m²発光時の発光効率が10.0cd/Aであった。初期輝度が8000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、0.99時間であった。結果を表３に示す。

＜実施例Ｄ１０：発光素子Ｄ１０の作製および評価＞
比較例ＣＤ２において、封止層の形成後に、大気雰囲気中においてホットプレート上で80℃、60分間加熱すること以外は、比較例ＣＤ２と同様にして発光素子Ｄ１０を作製した。
発光素子Ｄ１０に電圧を印加したところ、455nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、5Ｖ印加時の電流密度は、発光素子ＣＤ２の5Ｖ印加時の電流密度の0.79倍であった。1000cd/m²発光時の発光効率が10.9cd/Aであった。初期輝度が8000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、0.93時間であった。結果を表３に示す。

＜実施例Ｄ１１：発光素子Ｄ１１の作製および評価＞
比較例ＣＤ２において、封止層の形成後に、大気雰囲気中においてホットプレート上で100℃、10分間加熱すること以外は、比較例ＣＤ２と同様にして発光素子Ｄ１１を作製した。
発光素子Ｄ１１に電圧を印加したところ、455nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、5Ｖ印加時の電流密度は、発光素子ＣＤ２の5Ｖ印加時の電流密度の0.95倍であった。1000cd/m²発光時の発光効率が9.2cd/Aであった。初期輝度が8000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、1.34時間であった。結果を表３に示す。

＜比較例ＣＤ３：発光素子ＣＤ３の作製および評価＞
比較例ＣＤ１において、正孔輸送性高分子化合物P1に代えて正孔輸送性高分子化合物P4（ガラス転移温度：１２１℃）を用いるとともに、青色蛍光発光性高分子化合物P2に代えて電荷輸送性高分子化合物P5（ガラス転移温度：９７℃）および緑色燐光発光性イリジウム錯体M1（ガラス転移温度：２９７℃）を60重量％:40重量％の比率で混合した組成物を用いて、発光層の厚さを80nmとしたこと以外は、比較例ＣＤ１と同様にして、発光素子ＣＤ３を作製した。
発光素子ＣＤ３に電圧を印加したところ、525nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、1000cd/m²発光時の発光効率が63.3cd/Aであった。初期輝度が3000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、11.8時間であった。結果を表４に示す。

＜実施例Ｄ１２：発光素子Ｄ１２の作製および評価＞
比較例ＣＤ３において、封止層の形成後に、大気雰囲気中においてオーブン中で50℃、150時間加熱すること以外は、比較例ＣＤ３と同様にして発光素子Ｄ１２を作製した。
発光素子Ｄ１２に電圧を印加したところ、525nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、5Ｖ印加時の電流密度は、発光素子ＣＤ３の5Ｖ印加時の電流密度の0.81倍であった。1000cd/m²発光時の発光効率が65.4cd/Aであった。初期輝度が3000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、118.6時間であった。結果を表４に示す。

＜比較例ＣＤ４：発光素子ＣＤ４の作製および評価＞
比較例ＣＤ３において、電荷輸送性高分子化合物P5に代えて電荷輸送性高分子化合物P6（ガラス転移温度：１００℃）を用いたこと以外は、比較例ＣＤ３と同様にして、発光素子ＣＤ４を作製した。
発光素子ＣＤ４に電圧を印加したところ、525nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、1000cd/m²発光時の発光効率が70.6cd/Aであった。初期輝度が3000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、29.0時間であった。結果を表５に示す。

＜実施例Ｄ１３：発光素子Ｄ１３の作製および評価＞
比較例ＣＤ４において、封止層の形成後に、大気雰囲気中においてオーブン中で50℃、150時間加熱すること以外は、比較例ＣＤ４と同様にして発光素子Ｄ１３を作製した。
発光素子Ｄ１３に電圧を印加したところ、525nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、5Ｖ印加時の電流密度は、発光素子ＣＤ４の5Ｖ印加時の電流密度の0.79倍であった。1000cd/m²発光時の発光効率が70.6cd/Aであった。初期輝度が3000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、215.7時間であった。結果を表５に示す。

＜比較例ＣＤ５：発光素子ＣＤ５の作製および評価＞
比較例ＣＤ３において、電荷輸送性高分子化合物P5に代えて電荷輸送性高分子化合物P7（ガラス転移温度：９９℃）を用いたこと以外は、比較例ＣＤ３と同様にして、発光素子ＣＤ５を作製した。
発光素子ＣＤ５に電圧を印加したところ、525nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、1000cd/m²発光時の発光効率が81.4cd/Aであった。初期輝度が3000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、48.9時間であった。結果を表６に示す。

＜実施例Ｄ１４：発光素子Ｄ１４の作製および評価＞
比較例ＣＤ５において、封止層の形成後に、大気雰囲気中においてオーブン中で50℃、150時間加熱すること以外は、比較例ＣＤ５と同様にして発光素子Ｄ１４を作製した。
発光素子Ｄ１４に電圧を印加したところ、525nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、5Ｖ印加時の電流密度は、発光素子ＣＤ５の5Ｖ印加時の電流密度の0.74倍であった。1000cd/m²発光時の発光効率が81.9cd/Aであった。初期輝度が3000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、148.6時間であった。結果を表６に示す。

＜比較例ＣＤ６：発光素子ＣＤ６の作製および評価＞
比較例ＣＤ３において、正孔輸送性高分子化合物P4（ガラス転移温度：１２１℃）に代えて、正孔輸送性高分子化合物P1（ガラス転移温度：１５５℃）を用いたこと、および、電荷輸送性高分子化合物P5（ガラス転移温度：９７℃）および緑色燐光発光性イリジウム錯体M1（ガラス転移温度：２９７℃）を60重量％:40重量％の比率で混合した組成物に代えて、電荷輸送性高分子化合物P8（ガラス転移温度：１４８℃）および赤色燐光発光性イリジウム錯体M2（ガラス転移温度：＞１４８℃（赤色燐光発光性イリジウム錯体M2のガラス転移温度は、電荷輸送性高分子化合物P8のガラス転移温度以下の温度では観測されなかった。）を92.5重量％:7.5重量％の比率で混合した組成物を用いたこと以外は、比較例ＣＤ３と同様にして、発光素子ＣＤ６を作製した。
発光素子ＣＤ６に電圧を印加したところ、620nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、1000cd/m²発光時の発光効率が19.1cd/Aであった。初期輝度が3000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の97％となるまでの時間は、121.1時間であった。結果を表７に示す。

＜実施例Ｄ１５：発光素子Ｄ１５の作製および評価＞
比較例ＣＤ６において、封止層の形成後に、大気雰囲気中においてホットプレート上で80℃、60分間加熱すること以外は、比較例ＣＤ６と同様にして発光素子Ｄ１５を作製した。
発光素子Ｄ１５に電圧を印加したところ、620nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、5Ｖ印加時の電流密度は、発光素子ＣＤ６の5Ｖ印加時の電流密度の0.93倍であった。1000cd/m²発光時の発光効率が18.8cd/Aであった。初期輝度が3000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、153.7時間であった。結果を表７に示す。

＜合成例１：緑色燐光発光性イリジウム錯体Ｍ１および赤色燐光発光性イリジウム錯体Ｍ２、並びに、単量体ＣＭ１〜ＣＭ１６の合成＞
緑色燐光発光性イリジウム錯体Ｍ１は、国際公開第２００９／１３１２５５号記載の合成法に従い合成した。
赤色燐光発光性イリジウム錯体Ｍ２は、特開２０１１−１０５７０１号公報記載の合成法に従い合成した。
単量体ＣＭ１は、特開２０１１-１７４０６２号公報記載の合成法に従い合成した。
単量体ＣＭ２は、国際公開第２００５／０４９５４６号記載の方法により合成した。
単量体ＣＭ３は、市販の材料を用いた。
単量体ＣＭ４は、特開２００８−１０６２４１号公報記載の合成法に従い合成した。
単量体ＣＭ５は、特開２０１１−１７４０６２号公報記載の合成法に従い合成した。
単量体ＣＭ６は、特開２０１２−１４４７２２号公報記載の合成法に従い合成した。
単量体ＣＭ７は、特開２００４−１４３４１９号公報記載の合成法に従い合成した。
単量体ＣＭ８は、特開２０１０−０３１２５９号公報記載の合成法に従い合成した。
単量体ＣＭ９は、市販の化合物を用いた。
単量体ＣＭ１０は、特開２０１０−１８９６３０号公報記載の合成法に従い合成した。
単量体ＣＭ１１は、国際公開第２０１２／８６６７１号記載の合成法に従い合成した。
単量体ＣＭ１２は、特開２０１０−１８９６３０号公報記載の合成法に従い合成した。
単量体ＣＭ１３は、国際公開第２０１２／８６６７１号記載の合成法に従い合成した。
単量体ＣＭ１４は、市販の化合物を用いた。
単量体ＣＭ１５は、国際公開第２００９／１３１２５５号記載の合成法に従い合成した。
単量体ＣＭ１６は、下記の合成法により合成した。

＜単量体ＣＭ１６の合成＞

化合物ＣＭ１６ａは、国際公報第２０１２／０８６６７１号に記載の方法に従って合成した。

＜Ｓｔｅｐ１＞
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、４−ブロモ−ｎ−オクチルベンゼン（２５０ｇ）およびテトラヒドロフラン（脱水品、２．５Ｌ）を加え、−７０℃以下に冷却した。そこへ、２．５ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（３５５ｍＬ）を滴下し、３時間攪拌した。そこへ、テトラヒドロフラン（脱水品、４００ｍＬ）に化合物ＣＭ１６ａ（１４８ｇ）を溶解させた溶液を滴下した。滴下終了後、冷浴を外し、室温にて一晩攪拌した。得られた反応混合物を０℃に冷却し、水（１５０ｍＬ）を加えて攪拌した。これを減圧濃縮し、有機溶媒を除去した。得られた反応混合物にヘキサン（１Ｌ）および水（２００ｍＬ）を加え、分液操作によって水層を除去した。得られたヘキサン溶液を飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。その後、この混合物を濾過し、ろ液を得た。このろ液を減圧濃縮し、化合物ＣＭ１６ｂ（３３０ｇ）を黄色オイルとして得た。

＜Ｓｔｅｐ２＞
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ１６ｂ（３３０ｇ）およびジクロロメタン（９００ｍＬ）を加え、５℃以下に冷却した。そこへ、２．０ｍｏｌ／Ｌの三フッ素化ホウ素ジエチルエーテル錯体（２４５ｍＬ）を滴下した。滴下終了後、冷浴を外し、室温にて一晩攪拌した。反応混合物を氷水（２L）の入ったビーカーに注ぎ３０分間激しく攪拌した後、水層を除去した。得られた有機層を、１０重量％濃度のリン酸カリウム水溶液（１Ｌ）で１回、水（１Ｌ）で２回洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、この混合物を濾過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られたオイルをトルエン（２００ｍＬ）に溶解させ、これを、シリカゲルを敷いたろ過器に通液した。更にトルエン（約３Ｌ）でろ過器を洗浄した後、得られたろ液を減圧濃縮した。得られたオイルにメタノール（５００ｍＬ）を加えて激しく攪拌した後、反応混合物をろ過して固体を得た。この固体に酢酸ブチル／メタノール混合溶媒を加え、再結晶を繰り返すことにより、化合物ＣＭ１６ｃ（１５１ｇ）を白色固体として得た。化合物ＣＭ１６ｃのＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２８０ｎｍ）は９９．０％以上を示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．５６（ｄ，２Ｈ），７．４９（ｄ，２Ｈ），７．４６（ｄｄ, ２Ｈ），７．０６〜７．０１（ｍ，８Ｈ），２．５５（ｔ，４Ｈ），１．６１〜１．５４（ｍ，４Ｈ），１．３０〜１．２６（ｍ，２０Ｈ），０．８７（ｔ，６Ｈ）．

＜Ｓｔｅｐ３＞
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ１６ｃ（１００ｇ）およびテトラヒドロフラン（脱水品、１０００ｍＬ）を加え、−７０℃以下に冷却した。そこへ、２．５ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（１２６ｍＬ）を滴下し、５時間攪拌した。そこへ、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（８１ｍＬ）を滴下した。その後、冷浴を外し、室温にて一晩攪拌した。反応混合物を−３０℃に冷却し、２．０Ｍ塩酸−ジエチルエーテル溶液（１４３ｍＬ）を滴下した後、室温まで昇温し、減圧濃縮することにより固体を得た。この固体にトルエン（１．２Ｌ）を加え、室温にて１時間攪拌した後、シリカゲルを敷いたろ過器に通液することによりろ液を得た。このろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。この固体にメタノールを加えて攪拌した後、ろ過することにより固体を得た。この固体を、イソプロピルアルコールを用いた再結晶を繰り返すことにより精製した後、５０℃にて一晩減圧乾燥することにより、化合物ＣＭ１６（４７２ｇ）を白色固体として得た。化合物ＣＭ１６のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２８０ｎｍ）は９９．０％以上を示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．８２（ｄ，２Ｈ），７．８１（ｓ，２Ｈ），７．７６（ｄ，２Ｈ），７．１１（ｄ，４Ｈ）、７．００（ｄ，４Ｈ），２．５２（ｔ，４Ｈ），１．５９〜１．５４（ｍ，４Ｈ），１．３６〜１．２６（ｍ，２０Ｈ），１．３１（ｓ，２４Ｈ），０．８７（ｔ，６Ｈ）．

＜合成例２：高分子化合物Ｐ９〜Ｐ１４の合成＞
高分子化合物Ｐ９は、表８に示される単量体混合組成物を用いて、特開２０１２−１４４７２２号公報記載の合成法により合成した。高分子化合物Ｐ９のＭｎは８．４×１０^４であり、Ｍｗは３．４×１０^５であった。高分子化合物Ｐ９は、仕込み原料から求めた理論値では、それぞれの単量体から誘導される構成単位が、表８に示されるモル比で構成されてなる共重合体である。

高分子化合物Ｐ１０は、表９に示される単量体混合組成物を用いて、特開２０１２−１４４７２２号公報記載の合成法により合成した。高分子化合物Ｐ１０のＭｎは８．４×１０^４であり、Ｍｗは２．３×１０^５であった。高分子化合物Ｐ１０は、仕込み原料から求めた理論値では、それぞれの単量体から誘導される構成単位が、表９に示されるモル比で構成されてなる共重合体である。

高分子化合物Ｐ１１は、表１０に示される単量体混合組成物を用いて、特開２０１２−１４４７２２号公報記載の合成法により合成した。高分子化合物Ｐ１１のＭｎは１．２×１０^５であり、Ｍｗは３．１×１０^５であった。高分子化合物Ｐ１１は、仕込み原料から求めた理論値では、それぞれの単量体から誘導される構成単位が、表１０に示されるモル比で構成されてなる共重合体である。

高分子化合物Ｐ１２は、表１１に示される単量体混合組成物を用いて、特開２０１２−３６３８８号公報記載の合成法により合成した。高分子化合物Ｐ１２のＭｎは９．２×１０^４であり、Ｍｗは２．３×１０^５であった。高分子化合物Ｐ１２は、仕込み原料から求めた理論値では、それぞれの単量体から誘導される構成単位が、表１１に示されるモル比で構成されてなる共重合体である。

高分子化合物Ｐ１３は、表１２に示される単量体混合組成物を用いて、国際公開公報２０１２−００８５５０号公報記載の合成法により合成した。高分子化合物Ｐ１３のＭｎは９．６×１０^４であり、Ｍｗは２．４×１０^５であった。高分子化合物Ｐ１３は、仕込み原料から求めた理論値では、それぞれの単量体から誘導される構成単位が、表１２に示されるモル比で構成されてなる共重合体である。

高分子化合物Ｐ１４は、後述する合成法により合成した。

＜高分子化合物Ｐ１４の合成＞
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、単量体ＣＭ１６（４．７６８６ｇ）、単量体ＣＭ１１（０．７７３４ｇ）、単量体ＣＭ３（１．９７４４ｇ）、単量体ＣＭ１５（０．３３０８ｇ）、単量体ＣＭ７（０．４４３２ｇ）およびトルエン（６７ｍＬ）を加えて、１０５℃に加熱しながら攪拌した。そこへ、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（４．２ｍｇ）を加え、次いで、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２０ｍＬ）を加えた後、還流下で３時間攪拌した。

そこへ、フェニルボロン酸（０．０７７ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（４．２ｍｇ）、トルエン（６０ｍＬ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２０ｍＬ）を加え、還流下で２４時間攪拌した。

反応混合物の有機層と水層とを分離した後、有機層に、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（３．３３ｇ）およびイオン交換水（６７ｍＬ）を加え、８５℃で２時間攪拌した。反応混合物の有機層と水層とを分離した後、有機層を、イオン交換水（７８ｍＬ）で２回、３重量％酢酸水溶液（７８ｍＬ）で２回、イオン交換水（７８ｍＬ）で２回の順番で洗浄した。

得られた洗浄液の有機層と水層とを分離した後、有機層をメタノールに滴下することで固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラムおよびアルミナカラムに通液させた。得られたトルエン溶液をメタノールに滴下することで固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物Ｐ１４（４．９５ｇ）を得た。高分子化合物Ｐ１４のＭｎは１．４×１０^５であり、Ｍｗは４．１×１０^５であった。

高分子化合物Ｐ１４は、仕込み原料から求めた理論値では、それぞれの単量体から誘導される構成単位が、表１３に示されるモル比で構成されてなる共重合体である。

＜比較例ＣＤ７：発光素子ＣＤ７の作製および評価＞
スパッタ法により45nmの厚みでITO膜を付けたガラス基板に、正孔注入材料としてポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるAQ-1200(Plectronics社製)を用いてスピンコートにより35nmの厚さで成膜し、これを大気雰囲気中において、ホットプレート上で170℃、15分間加熱した。

次に、正孔輸送性高分子化合物P9（ガラス転移温度：１２６℃）のキシレン溶液を用いてスピンコートにより20nmの厚さで正孔輸送層を成膜し、これを窒素ガス雰囲気中において、ホットプレート上で180℃、60分間加熱した。

次に、青色蛍光発光性高分子化合物P10（ガラス転移温度：１２４℃）および青色蛍光発光性高分子化合物P11（ガラス転移温度：１７５℃）を90重量％:10重量％の比率で含有する混合物のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより60nmの厚さで発光層を成膜し、これを窒素ガス雰囲気中において、ホットプレート上で150℃、10分間加熱した。

次に、電子注入層としてフッ化ナトリウムを約７nm、次いで陰極としてアルミニウムを約120nm蒸着した。なお、真空度が、１×10^-4Pa以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。

次に、乾燥剤であるＨＤ−０７１４０７Ｗ−５０（ダイニック社製）を掘りこみ部分に貼り付けた堀りガラス基板を用いて、窒素ガス雰囲気下において、封止層を形成することによって、発光素子ＣＤ７を作製した。

なお、封止層の形成には掘りガラス基板が用いられているため、発光層が有する陽極、陰極および各層と、堀りガラス基板との間には、空間が存在する。封止層の形成は窒素ガス雰囲気下で行われているため、該空間には窒素ガスが充填されている。

発光素子ＣＤ７に電圧を印加したところ、455nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、1000cd/m²発光時の発光効率が9.7cd/Aであった。初期輝度が1000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、4.4時間であった。結果を表１４に示す。

＜実施例Ｄ１６：発光素子Ｄ１６の作製および評価＞
比較例ＣＤ７において、封止層の形成後に、大気雰囲気中においてホットプレート上で80℃、30分間加熱すること以外は、比較例ＣＤ７と同様にして発光素子Ｄ１６を作製した。
発光素子Ｄ１６に電圧を印加したところ、455nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、5Ｖ印加時の電流密度は、発光素子ＣＤ７の5Ｖ印加時の電流密度の0.55倍であった。1000cd/m²発光時の発光効率が9.4cd/Aであった。初期輝度が1000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、5.6時間であった。結果を表１４に示す。

＜比較例ＣＤ８：発光素子ＣＤ８の作製および評価＞
比較例ＣＤ７において、正孔注入層の厚さを65nmとし、青色蛍光発光性高分子化合物P10および青色蛍光発光性高分子化合物P11を90重量％:10重量％の比率で混合した組成物に代えて、電荷輸送性高分子化合物P12（ガラス転移温度：１０２℃）および緑色燐光発光性イリジウム錯体M1（ガラス転移温度：２９７℃）を70重量％:30重量％の比率で混合した組成物を用いるとともに、発光層を80nmとしたこと以外は、比較例ＣＤ７と同様にして、発光素子ＣＤ８を作製した。
発光素子ＣＤ８に電圧を印加したところ、520nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、1000cd/m²発光時の発光効率が57.0cd/Aであった。初期輝度が3000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、8.6時間であった。結果を表１５に示す。

＜実施例Ｄ１７：発光素子Ｄ１７の作製および評価＞
比較例ＣＤ８において、封止層の形成後に、大気雰囲気中においてホットプレート上で50℃、30分間加熱すること以外は、比較例ＣＤ８と同様にして発光素子Ｄ１７を作製した。
発光素子Ｄ１７に電圧を印加したところ、520nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、5Ｖ印加時の電流密度は、発光素子ＣＤ８の5Ｖ印加時の電流密度の0.77倍であった。1000cd/m²発光時の発光効率が58.1cd/Aであった。初期輝度が3000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、15.7時間であった。結果を表１５に示す。

＜実施例Ｄ１８：発光素子Ｄ１８の作製および評価＞
比較例ＣＤ８において、封止層の形成後に、大気雰囲気中においてホットプレート上で60℃、30分間加熱すること以外は、比較例ＣＤ８と同様にして発光素子Ｄ１８を作製した。
発光素子Ｄ１８に電圧を印加したところ、520nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、5Ｖ印加時の電流密度は、発光素子ＣＤ８の5Ｖ印加時の電流密度の0.75倍であった。1000cd/m²発光時の発光効率が57.5cd/Aであった。初期輝度が3000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、23.3時間であった。結果を表１５に示す。

＜実施例Ｄ１９：発光素子Ｄ１９の作製および評価＞
比較例ＣＤ８において、封止層の形成後に、大気雰囲気中においてホットプレート上で80℃、30分間加熱すること以外は、比較例ＣＤ８と同様にして発光素子Ｄ１９を作製した。
発光素子Ｄ１９に電圧を印加したところ、520nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、5Ｖ印加時の電流密度は、発光素子ＣＤ８の5Ｖ印加時の電流密度の0.62倍であった。1000cd/m²発光時の発光効率が56.9cd/Aであった。初期輝度が3000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、36.5時間であった。結果を表１５に示す。

＜比較例ＣＤ９：発光素子ＣＤ９の作製および評価＞
比較例ＣＤ８において、電荷輸送性高分子化合物P12および緑色燐光発光性イリジウム錯体M1を70重量％:30重量％の比率で混合した組成物に代えて、電荷輸送性高分子化合物P14（ガラス転移温度：１４２℃）および赤色燐光発光性イリジウム錯体M2（ガラス転移温度：＞１４８℃）を92.5重量％:7.5重量％の比率で混合した組成物を用いたこと以外は、比較例ＣＤ８と同様にして、発光素子ＣＤ９を作製した。
発光素子ＣＤ９に電圧を印加したところ、615nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、1000cd/m²発光時の発光効率が17.8cd/Aであった。初期輝度が3000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、16.1時間であった。結果を表１６に示す。

＜実施例Ｄ２０：発光素子Ｄ２０の作製および評価＞
比較例ＣＤ９において、封止層の形成後に、大気雰囲気中においてホットプレート上で60℃、30分間加熱すること以外は、比較例ＣＤ９と同様にして発光素子Ｄ２０を作製した。
発光素子Ｄ２０に電圧を印加したところ、615nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、5Ｖ印加時の電流密度は、発光素子ＣＤ９の5Ｖ印加時の電流密度の0.92倍であった。1000cd/m²発光時の発光効率が17.4cd/Aであった。初期輝度が3000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、28.0時間であった。結果を表１６に示す。

＜実施例Ｄ２１：発光素子Ｄ２１の作製および評価＞
比較例ＣＤ９において、封止層の形成後に、大気雰囲気中においてホットプレート上で80℃、30分間加熱すること以外は、比較例ＣＤ９と同様にして発光素子Ｄ２１を作製した。
発光素子Ｄ２１に電圧を印加したところ、615nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、5Ｖ印加時の電流密度は、発光素子ＣＤ９の5Ｖ印加時の電流密度の0.91倍であった。1000cd/m²発光時の発光効率が17.5cd/Aであった。初期輝度が3000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、44.4時間であった。結果を表１６に示す。

＜実施例Ｄ２２：発光素子Ｄ２２の作製および評価＞
比較例ＣＤ９において、封止層の形成後に、大気雰囲気中においてホットプレート上で100℃、30分間加熱すること以外は、比較例ＣＤ９と同様にして発光素子Ｄ２２を作製した。
発光素子Ｄ２２に電圧を印加したところ、615nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、5Ｖ印加時の電流密度は、発光素子ＣＤ９の5Ｖ印加時の電流密度の0.81倍であった。1000cd/m²発光時の発光効率が17.0cd/Aであった。初期輝度が3000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、45.4時間であった。結果を表１６に示す。

＜比較例ＣＤ１１：発光素子ＣＤ１１の作製および評価＞
比較例ＣＤ８において、電荷輸送性高分子化合物P12および緑色燐光発光性イリジウム錯体M1を70重量％:30重量％の比率で含有する混合物のキシレン溶液に代えて、下記式（ＨＭ−１）で表される電荷輸送性低分子化合物（ガラス転移温度：１３７℃）（商品名：ＬＴ−Ｎ４０１３、Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）および緑色燐光発光性イリジウム錯体M1（ガラス転移温度：２９７℃）を60重量％:40重量％の比率で含有する混合物のトルエン溶液を用いたこと以外は、比較例ＣＤ８と同様にして、発光素子ＣＤ１１を作製した。

発光素子ＣＤ１１に電圧を印加したところ、520nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、1000cd/m²発光時の発光効率が24.1cd/Aであった。初期輝度が3000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、4.7時間であった。結果を表１７に示す。

＜実施例Ｄ２３：発光素子Ｄ２３の作製および評価＞
比較例ＣＤ１１において、封止層の形成後に、大気雰囲気中においてホットプレート上で50℃、30分間加熱すること以外は、比較例ＣＤ１１と同様にして発光素子Ｄ２３を作製した。
発光素子Ｄ２３に電圧を印加したところ、525nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、5Ｖ印加時の電流密度は、発光素子ＣＤ１１の5Ｖ印加時の電流密度の0.81倍であった。1000cd/m²発光時の発光効率が20.0cd/Aであった。初期輝度が3000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、5.9時間であった。結果を表１７に示す。

＜実施例Ｄ２４：発光素子Ｄ２４の作製および評価＞
比較例ＣＤ１１において、封止層の形成後に、大気雰囲気中においてホットプレート上で80℃、30分間加熱すること以外は、比較例ＣＤ１１と同様にして発光素子Ｄ２４を作製した。
発光素子Ｄ２４に電圧を印加したところ、525nmに極大ピークを有するEL発光が得られ、5Ｖ印加時の電流密度は、発光素子ＣＤ１１の5Ｖ印加時の電流密度の0.70倍であった。1000cd/m²発光時の発光効率が22.7cd/Aであった。初期輝度が3000cd/m²となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の95％となるまでの時間は、11.5時間であった。結果を表１７に示す。

本発明によれば、駆動初期の輝度寿命に優れる発光素子を提供することができる。

Claims (7)

1. 陽極と、
   陰極と、
   陽極および陰極の間に設けられた発光層と、
   封止層とを有する発光素子であって、
   封止層の形成後に行われるアニーリング処理の温度ＴＡ（℃）と、発光層に１重量％以上含まれる材料の中でガラス転移温度が最も低い材料のガラス転移温度ＴＧ（℃）とが、下記式（１）を満たし、
   アニーリング処理前の印加電圧５Ｖにおける電流密度ＩＡと、アニーリング処理後の印加電圧５Ｖにおける電流密度ＩＢとが、下記式（２）を満たす発光素子。
   ＴＡ＜ＴＧ （１）
   ０．５０×ＩＡ≦ＩＢ≦０．９５×ＩＡ （２）
2. 前記ＴＡと、前記ＴＧとが、下記式（３）を満たす、請求項１に記載の発光素子。
   ＴＡ＜ＴＧ−３０ （３）
3. 前記ＴＡが、５０℃以上である、請求項１または２に記載の発光素子。
4. 前記ＴＡが、５０℃以上８０℃以下である、請求項３に記載の発光素子。
5. 前記ＩＡと、前記ＩＢとが、下記式（４）を満たす、請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光素子。
   ０．７０×ＩＡ≦ＩＢ≦０．９０×ＩＡ （４）
6. 前記発光層が、下記式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物を含有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光素子。
   

   

   ［式中、Ａｒ^Y1は、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
7. 前記発光層が、三重項発光錯体をさらに含有する、請求項６に記載の発光素子。