WO2008018452A1 - Procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de surface - Google Patents

Procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de surface Download PDF

Info

Publication number
WO2008018452A1
WO2008018452A1 PCT/JP2007/065435 JP2007065435W WO2008018452A1 WO 2008018452 A1 WO2008018452 A1 WO 2008018452A1 JP 2007065435 W JP2007065435 W JP 2007065435W WO 2008018452 A1 WO2008018452 A1 WO 2008018452A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
acoustic wave
surface acoustic
wave device
manufacturing
film
Prior art date
Application number
PCT/JP2007/065435
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Toru Fukano
Original Assignee
Kyocera Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corporation filed Critical Kyocera Corporation
Priority to CN2007800294215A priority Critical patent/CN101501989B/zh
Priority to US12/376,546 priority patent/US9021669B2/en
Priority to JP2008528827A priority patent/JP5258566B2/ja
Publication of WO2008018452A1 publication Critical patent/WO2008018452A1/ja
Priority to US14/704,716 priority patent/US9882540B2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
    • H03H9/008—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having three acoustic tracks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0566—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
    • H03H9/0576—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers including surface acoustic wave [SAW] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
    • H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
    • H03H9/14576—Transducers whereby only the last fingers have different characteristics with respect to the other fingers, e.g. different shape, thickness or material, split finger
    • H03H9/14582—Transducers whereby only the last fingers have different characteristics with respect to the other fingers, e.g. different shape, thickness or material, split finger the last fingers having a different pitch
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/144—Stacked arrangements of planar printed circuit boards
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3421—Leaded components
    • H05K3/3426—Leaded components characterised by the leads
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/02—Forming enclosures or casings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/05—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/162—Disposition
    • H01L2924/16235—Connecting to a semiconductor or solid-state bodies, i.e. cap-to-chip
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H2003/0071—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks of bulk acoustic wave and surface acoustic wave elements in the same process
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/42—Piezoelectric device making
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49005—Acoustic transducer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49144—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. by metal fusion
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base

Definitions

  • the present invention relates to a method of manufacturing a surface acoustic wave device mainly used in a wireless communication circuit such as a mobile communication device, and more particularly to a surface-mountable surface acoustic wave device that can be miniaturized and a wafer process.
  • the present invention relates to a method of manufacturing a surface acoustic wave device that can be packaged up to packaging.
  • a surface acoustic wave device as a key part of a portable terminal device.
  • the surface acoustic wave device it is necessary to provide a hollow portion in the vicinity of the electrode surface where the surface acoustic wave is excited to secure the vibration space and to hermetically seal the vibration space.
  • the surface acoustic wave device has been accommodated in, for example, a ceramic package.
  • Even in such a surface acoustic wave device there is a demand for a small surface acoustic wave device that has low loss and excellent out-of-passband cutoff characteristics and that can be surface-mounted!
  • FIG. 9 is a diagram for explaining a conventional method of manufacturing a surface acoustic wave device.
  • the conventional method of manufacturing a surface acoustic wave device first, as shown in FIG. 9 (a), the surface of the electrode pattern 962 of the surface acoustic wave element formed on the piezoelectric substrate 961 is covered, and the electrode pattern 962 is formed.
  • a sacrificial layer 963 made of polysilicon, amorphous silicon, or the like is formed so that at least a part of the connected electrode pad 968 is exposed.
  • a protective cover 964 is formed so as to cover the sacrificial layer 963, and then the inner sacrificial layer 96 is formed on the protective cover 964.
  • a through-hole 965 that exposes 3 is formed.
  • the sacrificial layer 963 is removed through the through-hole 965 by a dry etching method or the like to form a space 966 on the electrode pattern 962, and the surface acoustic wave device is formed. obtain.
  • the present invention has been devised to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to reduce deterioration of electrical characteristics by providing a hollow portion without using a sacrificial layer.
  • An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a surface acoustic wave device that can be used.
  • Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a surface acoustic wave device that can reduce the number of manufacturing steps for manufacturing the hollow portion.
  • a method of manufacturing a surface acoustic wave device includes: (a) a step of forming an IDT electrode on an upper surface of a piezoelectric substrate; A step of forming a frame surrounding a formation region in which the IDT electrode is formed on a substrate; and (c) by placing a film-like lid on the upper surface of the frame and bonding the frame to the frame Forming a protective cover including the frame body and the lid body for covering the formation area and providing a sealed space between the formation area and the formation area.
  • a sealed space can be formed between the formation region and the protective cover without using a sacrificial layer, a surface acoustic wave device with reduced deterioration of electrical characteristics is manufactured.
  • the power S to do.
  • the method for manufacturing the surface acoustic wave device according to the second aspect includes the surface acoustic wave device according to the first aspect.
  • the step (b) includes (b-1) a step of placing the first film on the piezoelectric substrate, and (b-2) patterning the first film by a photolithography method. And then curing to form the frame.
  • the lid can be placed on the upper surface of the frame without any gaps. Can do. For this reason, the sealed space above the surface acoustic wave element region can be reliably sealed by a simple process.
  • the frame and the lid are made of the same material.
  • a force S can be obtained by integrating them as a protective cover having the same material force.
  • the adhesion strength between them and the airtightness of the protective cover can be improved, and a highly reliable surface acoustic wave device can be manufactured.
  • the method for manufacturing the surface acoustic wave device according to the fourth aspect is the method for manufacturing the surface acoustic wave device according to the first aspect, wherein the step (c) includes (c-1) the resin layer and the Placing a second film including a holding layer having a higher Young's modulus than the resin layer on the upper surface of the frame so that the holding layer is on the upper side; and (c-2) the second film by photolithography. (C-3) removing the holding layer of the second film after bonding the frame and the lid, after curing the film and then curing the film And having.
  • the holding layer holds the resin layer, the entire deformation of the second film can be suppressed, and a sealed space can be reliably formed.
  • a method for manufacturing a surface acoustic wave device is the method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the first aspect, wherein (d) the step (a) is performed after the step (a). a step of forming a protective film made of an insulating material covering the IDT electrode before b), and forming the frame on the upper surface of the protective film in the step (b). The process of carrying out.
  • the adhesion of the frame body to the surface to be formed can be improved, and the reliability of the elastic surface wave device can be improved.
  • a surface acoustic wave device manufacturing method is the surface acoustic wave device manufacturing method according to the first aspect, wherein the surface acoustic wave device connects the IDT electrode and an external circuit. And a part of the connection line extends outside the frame. [0021] According to the sixth aspect, the position of the connection line can be freely determined in accordance with the external circuit in a state where the sealed space is sealed. For this reason, the force S can be used to manufacture a highly versatile surface acoustic wave device.
  • a method for manufacturing a surface acoustic wave device is the method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the sixth aspect, wherein: (e) one wafer-like shape on which the protective cover is formed; Forming a plating base layer covering the piezoelectric substrate; and ( ⁇ ) forming a plating resist film having an opening on the connection line located outside the protective cover on the plating base layer. And (g) forming a columnar electrode by a mesh method on the plating base layer exposed at the bottom of the opening, and (h) leaving the columnar electrode, the plating resist. (0) forming a sealing resin film covering the protective force bar and the columnar electrode on the piezoelectric substrate; and (j) the sealing. And grinding the upper surface of the resin film to expose the columnar electrode. Further, after the step (j), but it may also further comprise a step of forming external connection electrodes on the upper surface of the (k) the columnar electrode.
  • a surface acoustic wave device capable of surface mounting can be provided.
  • the surface acoustic wave device can be manufactured at the wafer level, the surface acoustic wave device can be provided without going through a complicated process.
  • a method for manufacturing a surface acoustic wave device is the method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the seventh aspect, wherein (1) the sealing resin film and the sealing resin film are formed on a lower surface of the piezoelectric substrate. And a step of forming a protective layer made of a material having substantially the same thermal expansion coefficient.
  • the eighth aspect it is possible to improve the impact resistance S of the surface acoustic wave device during and after manufacture. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of defects such as cracking and chipping of the surface acoustic wave device, improve the yield, and improve the reliability of the surface acoustic wave device.
  • a method for manufacturing a surface acoustic wave device is the method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the seventh aspect, wherein the uppermost portion of the columnar electrode is subjected to the step (j). Is higher than the height of the uppermost part of the protective cover.
  • a method for manufacturing a surface acoustic wave device includes a surface acoustic wave according to the seventh aspect.
  • the resist film for plating is formed by repeating application and curing of the resist material a plurality of times.
  • a resist for resist having a desired thickness can be formed using a resist material that is adjusted in consideration of coverage, polarity, and properties, productivity is improved.
  • productivity is improved.
  • the resist for plating can be formed in a desired thickness, and as a result, a columnar electrode having a desired height can be formed.
  • a surface acoustic wave device manufacturing method is the surface acoustic wave device manufacturing method according to the sixth aspect, wherein the surface acoustic wave device includes a plurality of the IDT electrodes.
  • the eleventh aspect it is possible to provide a surface acoustic wave device in which the IDT formation region itself formed on the piezoelectric substrate is downsized and the mounting form is further downsized.
  • a surface acoustic wave device manufacturing method is the surface acoustic wave device manufacturing method according to the eleventh aspect, wherein the material of the insulating layer is silicon oxide or polyimide resin.
  • a film having a thickness of several meters can be easily formed as an insulating layer, and can be processed with high accuracy.
  • the surface acoustic wave device manufacturing method according to the thirteenth aspect is the same as that of the surface acoustic wave device manufacturing method according to the first aspect! A plurality of surface acoustic wave element regions including the IDT electrode; and (m) a step of separating the piezoelectric substrate into each of the elastic surface wave element regions to form a plurality of surface acoustic wave devices. Yes.
  • a large number of WLP surface acoustic wave devices can be manufactured at the same time, so that the manufacturing process can be greatly simplified and the mass productivity can be improved.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating a method for manufacturing a surface acoustic wave device according to a first embodiment.
  • FIG. 2 is a plan perspective view of the surface acoustic wave device.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a frame forming process according to a second embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating a lid forming process according to a third embodiment.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining an electrode forming method according to a fourth embodiment.
  • FIG. 6 is a plan view of a surface acoustic wave device according to a fifth embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating a method for forming a conductor pattern.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating a method for manufacturing a surface acoustic wave device according to a sixth embodiment.
  • FIG. 9 is a diagram for explaining a conventional method of manufacturing a surface acoustic wave device.
  • the first embodiment relates to a method for manufacturing a surface acoustic wave device.
  • FIG. 1 is a view for explaining a method of manufacturing the surface acoustic wave device according to the first embodiment.
  • Figure 1 is a view for explaining a method of manufacturing the surface acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 1 (a) to 1 (d) are cross-sectional views of the work in progress of the surface acoustic wave device 1
  • FIG. 1 (e) is a cross-sectional view of the surface acoustic wave device 1.
  • FIG. 1A to FIG. 1E are schematic diagrams for assisting in understanding the positional relationship between the work-in-progress of the surface acoustic wave device 1 or each part of the surface acoustic wave device 1.
  • the surface acoustic wave device 1 manufactured by the method for manufacturing the surface acoustic wave device according to the first embodiment includes a piezoelectric substrate 101 and one main surface of the piezoelectric substrate 101.
  • a protective film 105 covering 102, a frame body 106 surrounding the area 191 formed on the upper surface of the protective film 105 and having the IDT electrode 102 formed thereon, and a lid body 107 placed on the upper surface of the frame body 106 and covering the area 191 Prepare.
  • the frame body 106 and the lid body 107 are joined to form a protective cover 117.
  • the surface acoustic wave device 1 may be any of a filter, a resonator, a delay line, a trap, and the like.
  • the elastic wave excited by the IDT electrode 102 may be either a Rayleigh wave or an SH wave.
  • the surface acoustic wave device 1 when the surface acoustic wave device 1 is a filter, the surface acoustic wave device 1 may be a resonator type filter or a transversal type filter!
  • the IDT electrode 102 and the connection line 103 are formed in the surface acoustic wave element region 192 on the upper surface of the piezoelectric substrate 101, and the piezoelectric substrate 101 A back electrode 104 is formed on the entire bottom surface.
  • the “surface acoustic wave element region” means a region including the IDT electrode 102 and the connection line 103 required for constituting one surface acoustic wave device 1.
  • the piezoelectric substrate 101 is a substrate made of a piezoelectric material.
  • piezoelectric materials include lithium tantalate (LiTaO), lithium niobate (LiNbO), quartz (SiO), and lithium tetraborate (Li
  • Zinc oxide Zinc oxide
  • KNbO Potassium niobate
  • Langasite La Ga SiO
  • Single crystals such as 4 7 3 3 3 14 can be used.
  • IDT electrode 102 is a film of a conductive material.
  • a conductive material for example, an aluminum (A1) alloy typified by an aluminum copper (A1-Cu) alloy, an aluminum (A1) simple metal, or the like can be used.
  • the IDT electrode 102 may be a film in which a plurality of layers made of different kinds of conductive materials are stacked.
  • the planar shape of the IDT electrode 102 is a planar shape in which at least a pair of comb-shaped electrodes 121 and 122 (see FIG. 2) are held together so that electrode fingers are alternately arranged.
  • the IDT electrode 102 functions as an excitation electrode that excites an elastic surface wave corresponding to the excitation signal applied to the pair of comb-shaped electrodes 121 and 122 on the upper surface of the piezoelectric substrate 101.
  • the surface acoustic wave device 1 is formed by connecting a plurality of IDT electrodes 102 by a connection method such as serial connection or parallel connection. May be configured.
  • a ladder type surface acoustic wave filter, a lattice type surface acoustic wave filter, a dual mode surface acoustic wave filter, or the like can be constructed.
  • Connection line 103 is also a film of a conductive material.
  • a conductive material for example, an aluminum alloy typified by an aluminum copper alloy, an aluminum simple metal, or the like can be used.
  • the connection line 103 may also be a film in which a plurality of layers made of different kinds of conductive materials are stacked.
  • connection line 103 is connected to the IDT electrode 102.
  • Connection line 103 is connected to IDT electrode 102 It is provided to connect the partial circuit.
  • connection line 103 is not particularly limited, but it is desirable that the end part on the side connected to the IDT electrode 102 be wide! If it is wide, it is a force that facilitates connection to external circuits.
  • the IDT electrode 102 and the connection line 103 are formed by forming a film formed by a thin film formation method such as a sputtering method, a vapor deposition method, a CVD (Chemical Vapor D mark osition) method, a reduction projection exposure machine (stepper) and a RIE (Reactive It can be obtained by patterning by a photolithography method using an Ion Etching apparatus and processing into a desired shape.
  • a thin film formation method such as a sputtering method, a vapor deposition method, a CVD (Chemical Vapor D mark osition) method, a reduction projection exposure machine (stepper) and a RIE (Reactive It can be obtained by patterning by a photolithography method using an Ion Etching apparatus and processing into a desired shape.
  • a sputtering method such as a sputtering method, a vapor deposition method, a CVD (Chemical Vapor D mark osition
  • the back electrode 104 is also a film of a conductive material.
  • a conductive material for example, an aluminum alloy typified by an aluminum copper alloy, an aluminum simple metal, or the like can be used.
  • the back electrode 104 may also be a film in which a plurality of layers made of different kinds of conductive materials are stacked.
  • the back electrode 104 can also be formed by a thin film forming method such as sputtering, vapor deposition, or CVD.
  • the back electrode 104 is not necessarily essential. However, if the back electrode 104 is provided, the pyroelectric charge induced on the surface of the piezoelectric substrate 101 due to a temperature change can be canceled by grounding, so that the piezoelectric substrate 101 is broken by sparks or the IDT electrode 102 is charged. Sparking problems between polar fingers and between a plurality of IDT electrodes 102 can be reduced.
  • a reflector electrode may be formed on the upper surface of the piezoelectric substrate 101 in order to confine the surface acoustic wave. Such a reflector electrode is formed in two propagation directions of the surface acoustic wave as viewed from the IDT electrode 102.
  • the reflector electrode and the IDT electrode 102 be made of the same material and formed in the same process.
  • a protective film 105 that covers the entire IDT electrode 102 and a part of the connection line 103 is formed.
  • the protective film 105 is a film of an insulating material.
  • an insulating material for example, silicon oxide (SiO
  • the protective film 105 can be obtained by removing a part of a film formed by a thin film forming method such as a CVD method or a sputtering method by a photolithography method.
  • the reason for removing a part is to expose a part of the connecting wire 103 so that the surface acoustic wave device 1 can be connected to an external circuit.
  • the protective film 105 protects the IDT electrode 102 and the connection line 103, and the IDT electrode 102 and the connection line 103.
  • a frame body 106 surrounding the region 191 in which the IDT electrode 102 is formed is formed on the surface acoustic wave element region 192.
  • the frame 106 may be formed so as to surround at least the IDT electrode 102, but may be formed so as to surround a region including the connection line 103 and the reflector electrode in addition to the IDT electrode 102.
  • the frame body 106 may be formed by patterning a film formed on the piezoelectric substrate 101 by a normal film forming method, or a separate frame body may be formed on the piezoelectric substrate 101. You may form by bonding.
  • the frame body 106 can be formed by curing the first resist film made of the first resist after patterning by photolithography.
  • the first resist for example, an epoxy resin, a polyimide resin, a BCB (benzocyclobutene) resin, an acrylic resin, or the like can be used.
  • the film made of the first resist can be formed, for example, by applying a resist solution on the surface acoustic wave element region 192 by spin coating, printing, or the like. In particular, it is desirable to form a film made of the first resist by spin coating.
  • a film made of the first resist is formed by the spin coat method, a film made of the first resist is formed without creating a gap between the underlying structure even if there are some steps in the underlying structure. This is because the frame 106 having excellent adhesion can be formed.
  • the film made of the first resist formed in this way is processed into a frame 106 surrounding the region 191 in which the IDT electrode 102 is formed through an exposure process and a development process.
  • a film-like lid 107 is placed on the upper surface of the frame 106, and the frame 106 and the lid 107 are Join. As a result, it is possible to form a protective cover 117 that provides a sealed vibration space (sealed space) 193 between the region 191 where the IDT electrode 102 is formed.
  • the lid 107 may be formed by placing a film-like film on the frame 106 and then patterning by a normal photolithography technique, or a lid after a separate patterning process.
  • the shape body may be formed by placing it on the upper surface of the frame body 106.
  • the film form is thin enough that the reaction proceeds in the entire thickness direction with respect to light irradiation from the thickness direction of the film.
  • the lid 107 is formed by placing the second film 115, which is a film-like molded body made of the second resist, and then patterning.
  • the second film 115 is placed on the upper surface of the frame 106 to form the IDT electrode 102. Cover the area 191 created.
  • a resin such as an epoxy resin, a polyimide resin, a BCB resin, or an acrylic resin can be used. Since the second film 115 is previously formed into a film shape, the vibration space 193 can be formed between the second film 115 and the piezoelectric substrate 101 only by being placed on the upper surface of the frame body 106.
  • the temperature and pressure are appropriately set by using a sticking machine capable of pressing and sticking the film with a roller while controlling the temperature. Then, the second film 115 may be attached to the upper surface of the frame body 106.
  • the frame body 106 and the lid body 107 are joined together to form the protective cover 117.
  • the frame body 106 and the lid body 107 may be heated or the frame body 106 and the lid body 107 may be irradiated with light according to the resist material.
  • the frame body 106 and the lid body 107 may be heated to about 100 ° C.
  • the cross-sectional shape of the frame 106 is trapezoidal. This is because even if the cross-sectional shape is rectangular immediately after patterning the frame body 106, the lid body 107 is provided on the frame body 106, and it is deformed by once applying heat or the like to join them together.
  • the surface acoustic wave device 1 shown in FIG. 1 (e) can be manufactured through the IDT electrode forming step, the protective film forming step, the frame forming step, and the lid forming step.
  • the sacrificial layer is removed as in the case where the sacrificial layer is used.
  • the residual product formed by the etchant or etching does not remain inside the hollow structure (vibration space 193).
  • the method for manufacturing the surface acoustic wave device according to the first embodiment it is possible to reduce deterioration of the electrical characteristics of the manufactured surface acoustic wave device 1. That is, the reliability of the manufactured surface acoustic wave device 1 can be improved.
  • connection wire 103 is pulled out to the outside of the protective cover 117, and outside the protective cover 117, An external connection electrode may be formed thereon, or an external connection wire may be bonded to the connection line 103.
  • connection wire 103 When a part of the connecting wire 103 is extended so as to be pulled out of the protective cover 117, that is, the frame body 106 in this way, the vibration space 193 is sealed and the external circuit is connected. At the same time, the position of the connection line 103 can be determined freely. For this reason, the highly versatile surface acoustic wave device 1 can be manufactured. However, it is not mandatory to shoot the connecting wire 103 outside the protective cover 117! /.
  • a via hole may be formed in the piezoelectric substrate 101 on the inner side covered with the protective cover 117 so that it can be connected to an external circuit on the lower surface of the piezoelectric substrate 101, or the frame 106 of the protective cover 117. Make a through hole in the part and the part of the lid 107 placed on it and connect it to the external circuit on the upper surface of the protective cover 117.
  • FIG. 2 is a plan perspective view of the surface acoustic wave device 1.
  • Figure 1 (e) above shows A—A in Figure 2.
  • 1 is a cross-sectional view of the surface acoustic wave device 1 along a cutting line.
  • the frame body 106 is hatched in order to make the arrangement of the frame body 106 easy to apply the component force.
  • the protective film 105 is formed in a part of the region where the IDT electrode 102 and the connection line 103 are formed.
  • the frame 106 is desirably formed on the upper surface of the protective film 105 that covers the IDT electrode 102.
  • adhesion to the formation surface of the frame body 106 here, the upper surface of the protective film 105
  • the adhesion of the frame body 106 to the surface to be formed can be improved. This is presumably due to hydrogen bonding between the silicon oxide and the epoxy resin.
  • connecting line 103 When connecting line 103 is pulled out of protective cover 117, frame body 106 is connected to connecting line 103.
  • the frame 106 is formed on the upper surface of the protective film 105, the force S that straddles 103, and the protective film 105 relaxes the level difference caused by the connection line 103, the frame 106 is formed on a substantially flat surface to be formed. I can do it. For this reason, when the connecting wire 103 is pulled out of the protective cover 117, the direction in which the frame body 106 is formed on the upper surface of the protective film 105 rather than the frame body 106 formed on the upper surface of the protective film 105, the frame body 106 Can be firmly connected to the surface to be formed.
  • first resist and the second resist are made of the same material in the frame body forming step and the lid body forming step, they can be integrated when the frame body 106 and the lid body 107 are joined. Further, if the first resist and the second resist are made of the same material, the joint interface between the two becomes the interface between the same material, so that the adhesion strength between them and the airtightness of the protective cover 117 can be improved. Therefore, the highly reliable surface acoustic wave device 1 can be manufactured. In particular, when an epoxy resin is used as the first resist and the second resist and the frame body 106 and the lid body 107 are heated in the range from 100 ° C to 200 ° C, the polymerization is further promoted. It is possible to improve the adhesion strength between the two and the air tightness of the protective cover 117.
  • first resist and the second resist are made of the same material, a frame formed by these materials. 106 and the lid 107 are made of the same material, and as a result, the protective cover 117 can be integrated.
  • the second embodiment relates to a frame forming process that can be employed in place of the frame forming process of the method for manufacturing the surface acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a view for explaining a frame forming process according to the second embodiment.
  • 3 (a) and 3 (b) are cross-sectional views of the work in progress of the surface acoustic wave device 1.
  • FIG. Fig. 3 (a) and Fig. 3 (b) are schematic diagrams to help understanding the positional relationship of each part of the work in process of the surface acoustic wave device 1.
  • a film-shaped molded body is used as the film made of the first resist. That is, first, as shown in FIG. 3A, the first film 219 made of the first resist is placed on the piezoelectric substrate 101. Thereafter, as shown in FIG. 3 (b), the first film 219 is patterned by photolithography and then cured.
  • the frame 106 having a uniform thickness can be formed, so that the second film 115 is placed on the upper surface of the frame 106 without a gap. be able to . Therefore, the force S can be used to reliably seal the vibration space 193 above the surface acoustic wave element region 192 with a simple process.
  • the first film 219 can be patterned by a photolithography method, so that it can be precisely set to a desired place with a fineness of about several micrometers. Various patterns can be formed. Therefore, the frame body 106 can be accurately formed in a desired pattern.
  • the third embodiment relates to a lid forming process that can be employed in place of the lid forming process of the method for manufacturing the surface acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIGS. 4 (a) to 4 (d) are diagrams illustrating a lid forming process according to the third embodiment.
  • FIG. 4A is a cross-sectional view of the work in progress of the surface acoustic wave device 1
  • FIG. 4D is a cross-sectional view of the surface acoustic wave device 1.
  • FIG. 4 (a) to 4 (d) are schematic diagrams for assisting in understanding the positional relationship between the work-in-process of the surface acoustic wave device 1 or each part of the surface acoustic wave device 1.
  • the second film 315 used in the lid forming step according to the third embodiment includes a resin layer 315a and a holding layer having a higher Young's modulus than the resin layer 315a. It is configured by laminating two layers with 315b.
  • the resin layer 315a is preferably one that has photosensitivity, is cured by heat, and is excellent in mechanical strength and chemical resistance.
  • a layer made of an epoxy resin, a polyimide resin, a BCB resin, an acrylic resin, or the like can be used.
  • the holding layer 315b a material such as a PET (PolyEthylene Terephthalate) film, which has a higher Young's modulus than the resin layer 315a and has good peeling property from the resin layer 315a and is thermally stable, is used.
  • the holding layer 315b has a light-transmitting property. This is because the resin layer 315a is exposed through the holding layer 315b. Further, the holding layer 315b is required to have heat resistance that does not change even at a temperature at which the resin layer 315a is cured.
  • the Young's modulus of the resin layer 315a and the holding layer 315b is determined by a method of measuring the Young's modulus of a thin film, for example, a nanoindentation method under conditions that comply with ISO standards (eg, IS 014577). If you measure,
  • the upper surface of the protective cover 117 formed by such a process that is, the upper surface of the lid 107 has a larger surface roughness than the lower surface. This is because the holding layer 315b is peeled off after the resin layer 315a is cured.
  • the second film 315 is placed on the upper surface of the frame body 106 so that the holding layer 315b is on the upper side. That is, the resin layer 315a is placed in contact with the frame body 106.
  • the second film 315 is patterned by a photolithography method. That is, the second film 315 is exposed from above the holding layer 315b using a mask (not shown) and then heated, so that the resin layer 315a becomes an exposed portion 315c and an unexposed portion 315d.
  • the exposure unit 315c is cured by heating after exposure to become the lid 107, and at the same time, is joined to the frame 106.
  • holding layer 315b may be removed after development.
  • the second film 315 can be uniformly bonded and bonded to the upper surface of the frame 106. Further, even before the second film 315 is cured, the retaining layer 315b having a high Young's modulus suppresses the entire deformation of the second film 315, so that the vibration space 193 can be maintained between the IDT electrode 102 and the second film 315. . Therefore, it is possible to reliably form the vibration space 193 without causing the vibration space 193 to be crushed during the placement, exposure, and heating of the second film 315. Further, since the holding layer 315b holds the resin layer 315a, the second film 315 can be easily handled.
  • the lid forming step according to the third embodiment since the second film 315 can be patterned by a photolithography method, it is possible to accurately place the second film 315 in a desired place with a precision of about several micrometers. Various patterns can be formed. For this reason, the lid body 307 can be accurately formed in a desired pattern.
  • the fourth embodiment relates to an electrode forming method performed subsequent to the IDT electrode forming step, the protective film forming step, the frame forming step, and the lid forming step of the method for manufacturing the surface acoustic wave device according to the first embodiment. .
  • FIGS. 5A to 5H are views for explaining an electrode forming method according to the fourth embodiment.
  • FIGS. 5A to 5G are cross-sectional views of the work in progress of the surface acoustic wave device 4, and FIG. 5H is a cross-sectional view of the surface acoustic wave device 4.
  • FIGS. 5 (a) to 5 (h) the same components as those shown in FIGS. 1 (a) to 1 (e) are denoted by the same reference numerals.
  • a surface acoustic wave device 4 in which an electrode for connecting to an external circuit is formed by the electrode forming method according to the fourth embodiment is a single wafer-like piezoelectric substrate.
  • 101, ID T electrode 102, connection line 103, back surface electrode 104, protective film 105, frame body 106 and lid body 107, remaining portion 408a of plating base layer 408, columnar electrode 410, sealing resin film 411, A protective layer 412 and an external connection electrode 413 are provided.
  • the underlayer for plating 408 is formed in order to deposit a metal constituting a columnar electrode 410 described later electrically or chemically. Therefore, it is desirable to use the same material as the columnar electrode 410 for the plating base layer 408.
  • copper In general, copper (Cu) is used.
  • an adhesive layer made of chromium (Cr) or titanium (Ti) is required in consideration of adhesion to the aluminum-copper (A1-Cu) alloy that forms the connection line 103. It is desirable to interpose between the connecting wire 103 made of an aluminum-copper alloy and the plating underlayer 408.
  • the underlayer for plating 408 is preferably formed to a thickness of lOOnm or more. This is the thickness necessary to allow a current to flow stably when the columnar electrode 410 is formed by an electroplating method.
  • the plating base layer 408 is formed on the entire surface of the piezoelectric substrate 101 including the region where the columnar electrodes 410 are formed using, for example, titanium-copper (Ti Cu) or the like. By forming such a plating base layer 408, a metal such as copper can be formed thickly by an electric plating method via the plating base layer 408.
  • the method of forming the plating base layer 408 is not limited. However, when the plating base layer 408 is formed by the flash plating method, a wiring pattern is formed to flow current to the portion where the plating is to be formed. Since it is not necessary, the surface acoustic wave device 4 can be downsized. On the other hand, when the plating base layer 408 is formed on the entire surface of the structure including the protective cover 117 by the flash plating method, a portion where no plating is formed may occur in the stepped portion. This is because the plating underlayer 408 formed by the flash plating method is very thin, so that the step coverage is not sufficient in the large step portion. As shown in FIG.
  • this force does not form a matt underlayer 408 in the portion excluding the protective cover 117! Desire! /.
  • the level difference in the portion excluding the protective cover 117 is half of the thickness of the underlayer for plating 408.
  • the following steps are preferable. For example, when the thickness of the plating base layer 408 is 0.7 111, the step may be set to 0.35 m or less. As a result, even if there is a portion where no step is formed on the step of the portion of the protective cover 117 (for example, the side surface portion 195 of the protective cover 117), the continuity between the upper surface of the lid 107 and the surface on which the connection line 103 is formed.
  • the plating base layer 408 on the surface on which the connection line 103 forming the columnar electrode 410 is formed is securely connected electrically. For this reason, when the columnar electrode 410 is formed by the electric plating method, a current can be reliably passed through the plating base layer 408.
  • a plating resist film 409 having an opening 416 is formed on the plating base layer 408 on the connection line 103 located outside the protective cover 117.
  • the resist film 409 for plating is formed on the plating base layer 408 by a technique such as spin coating. It should be noted that the thickness of the resist film 409 for plating can be controlled from several to several hundred ⁇ m depending on the viscosity of the resist solution used and the number of spin coating applications. In addition, it is desirable that the opening 416 of the resist film 409 for plating is formed by a general photolithography method!
  • a columnar electrode 410 is formed on the plating base layer 408 exposed at the bottom of the opening 416 by a plating method.
  • the columnar electrode 410 is preferably formed by an electric plating method that can be formed by an electric plating method, an electroless plating method, a stud bump method, or the like. This is because according to the electric plating method, the growth speed of the plating film is high and the plating film can be easily formed thick, so that the degree of freedom of the height of the columnar electrode 410 can be increased. In addition, according to the electric plating method, the adhesion with the plating base layer 408 becomes good. The thickness of the plating film is determined by the plating processing time. However, when a plating film having a thickness exceeding 30 m is formed, it is preferable to form it by an electric plating method with a high growth rate. ! /
  • solder copper (Cu), gold (Au), nickel (Ni) can be used.
  • solder or copper is used as the material of the columnar electrode 410, the material cost of the plating can be reduced, so that the surface acoustic wave device 4 can be made inexpensive. wear.
  • the plating resist film 409 and the plating base layer 408 are removed while leaving the columnar electrode 410.
  • the resist film 409 for plating can be removed with an organic solvent such as acetone or isopropyl alcohol (IPA) or an alkaline organic solvent such as dimethyl sulfoxide.
  • organic solvent such as acetone or isopropyl alcohol (IPA) or an alkaline organic solvent such as dimethyl sulfoxide.
  • the plating base layer 408 When the plating base layer 408 is made of copper, for example, it can be removed with an aqueous solution of ferric chloride or a mixed solution of phosphoric acid and hydrogen peroxide.
  • the plating base layer 408 when the plating base layer 408 is made of titanium, it can be removed with an aqueous solution of dilute hydrofluoric acid or a mixed solution of ammonia and hydrogen peroxide.
  • a mixture of ammonia and hydrogen peroxide solution is used in order to reduce the damage to the connecting wire 103 made of a silicon oxide (SiO 2) film or an aluminum copper alloy formed under the plating underlayer 408, a mixture of ammonia and hydrogen peroxide solution is used. It is desirable to remove with liquid.
  • the plating base layer 408 is thin. In the underlying layer for plating 408 located below, a part of the outer edge is removed, but the remaining part 408a other than that remains. Therefore, the columnar electrode 410 can be left.
  • a sealing resin film 411 that covers the protective cover 117 and the columnar electrode 410 is formed on the surface acoustic wave element region 192 of the piezoelectric substrate 1.
  • an epoxy resin having excellent chemical resistance can be used by adjusting the thermal expansion coefficient to be almost equal to that of the piezoelectric substrate 101 by mixing a filler. It is. In particular, it is desirable to reduce the stress applied to the piezoelectric substrate 101 by using an epoxy resin having a linear expansion coefficient close to that of the piezoelectric substrate 101 or using an epoxy resin having a low elastic modulus. .
  • the structure including the protective cover 117 cannot be stably sealed when bubbles are mixed into the sealing resin film 411, it is also preferable to print the sealing resin film 411 by a vacuum printing method.
  • the thickness of the sealing resin film 411 is preferably such that the columnar electrode 410 is covered.
  • the upper surface of the sealing resin film 411 is polished to expose the columnar electrode 410.
  • the upper surface of the sealing resin film 411 is polished with a grinder using a polishing blade until the columnar electrode 410 is exposed.
  • finishing may be applied by puffing or the like.
  • the external connection electrode 413 is formed on the upper surface of the columnar electrode 410.
  • the external connection electrode 413 may be a bump formed using solder such as lead tin (PbSn) solder, lead (Pb) free solder, gold tin (AuSn) solder, gold germanium (AuGe) solder, etc. It may be a flat pad formed by forming a thin film with a conductive material.
  • the external connection electrode 413 can be formed by screen-printing cream solder on the top of the columnar electrode 410 and reflowing it.
  • a possible surface acoustic wave device 4 can be provided. Further, by forming the external connection electrode 413 on the columnar electrode 410 exposed on the upper surface of the sealing resin 411, a surface acoustic wave device that is easier to mount can be obtained.
  • the surface acoustic wave device 4 can be manufactured at the wafer level. Therefore, it is possible to provide the surface acoustic wave device 4 without complicated processes. S can. Further, according to the electrode forming method according to the fourth embodiment, the material for forming the external connection electrode 413 can be selected according to the mounting substrate on which the surface acoustic wave device 4 is mounted. And the mounting reliability of the mounting substrate can be improved.
  • the columnar electrode 410 can also be used as a heat radiation electrode. Shi Therefore, by disposing the columnar electrode 410 in the vicinity of the heat generation location in the IDT electrode 102, the surface acoustic wave device 4 having excellent heat dissipation can be provided.
  • the heat generation location of the IDT electrode 102 varies depending on the operating frequency and the connection method when there are multiple IDT electrodes 102.
  • the surface acoustic wave device 4 is a resonator, near the center of the IDT electrode 102 It becomes. Further, by devising the arrangement, number, and diameter of the columnar electrodes 410, the heat radiation can be improved with the force S.
  • a step of forming a protective layer 412 made of a material having substantially the same thermal expansion coefficient as that of the sealing resin film 411 may be further provided on the lower surface of the piezoelectric substrate 101.
  • FIGS. 5 (a) to 5 (h) show an electrode forming method in which such a protective layer forming step is provided between the columnar electrode exposing step and the external connection electrode forming step.
  • the lower surface of the piezoelectric substrate 101 on which the IDT electrode 102 is not formed becomes a structure protected by the protective layer 412, so that the surface acoustic wave device 4 at the time of manufacture and after manufacture is Impact resistance can be improved.
  • the force S can be used to suppress the occurrence of cracks, chipping, and other defects in the surface acoustic wave device 4, improve the yield, and improve the reliability of the surface acoustic wave device 4.
  • the protective layer 412 is formed from the lower surface to the side surface of the piezoelectric substrate 101, the lower surface and the side surface of the piezoelectric substrate 101 are protected, so that the piezoelectric substrate 101, the sealing resin 411, and Therefore, it is possible to realize the elastic surface wave device 4 that suppresses the ingress of moisture from the interface and improves the airtightness and moisture resistance.
  • such a protective layer forming step may be appropriately added before the IDT electrode forming step described above and after the external connection electrode forming step, but the sealing resin film is formed on the upper surface of the piezoelectric substrate 101. If it is provided after the sealing resin film forming step for forming 41 1, the stress applied to the piezoelectric substrate 101 due to the difference in thermal expansion coefficient between the piezoelectric substrate 101 and the sealing resin film 41 1 is applied to the piezoelectric substrate 10. It can be canceled out by the upper and lower surfaces of 1. In particular, as shown in FIG. 5 (g), if the protective layer forming step is provided between the column electrode exposure step and the external connection electrode forming step, the process failure caused by the warp of the piezoelectric substrate 101 will be reduced. The stress (stress) applied to 101 can be reduced and the reliability of the surface acoustic wave device 4 can be improved.
  • the material of the protective layer 412 is not limited as long as the thermal expansion coefficient is substantially the same as that of the sealing resin film 411, but is preferably an epoxy resin.
  • the thermal expansion coefficient can be controlled by adding filler such as silicon oxide (SiO 2), so the stress applied to the piezoelectric substrate 101 is canceled out between the upper and lower surfaces of the piezoelectric substrate 101. That power S is the power that can be.
  • filler such as silicon oxide (SiO 2)
  • That power S is the power that can be.
  • moisture permeability is low and water absorption is high, so that it is possible to suppress the ingress of moisture into the surface acoustic wave device 4.
  • the columnar electrode 410 is formed to be higher than the protective cover 1 17 as shown in FIG. 5 (d), and in the columnar electrode exposing step, as shown in FIG. 5 (f).
  • the force that can be applied so that the height of the uppermost portion of the columnar electrode 410 is higher than the height of the uppermost portion of the protective cover 1 17. It is.
  • the height of the columnar electrode 410 and the protective cover 1 17 refers to the height from the surface acoustic wave element region 192.
  • the resist film 409 for plating it is desirable to form the resist film 409 for plating by repeatedly applying and curing the resist material a plurality of times.
  • the resist film 409 having a desired thickness is formed using a resist material adjusted in consideration of coverage and handling properties. That's the power S.
  • the resist film 409 for plating can be formed to a desired thickness.
  • the columnar electrode 410 having a desired height can be formed.
  • apply and harden the resist material until it is almost the same height as the top of the protective cover 117, fill a large step with the protective cover 117 to obtain a flat surface, and then obtain the desired thickness.
  • the resist material is repeatedly applied and cured, the upper surface of the resist film 409 for plating can be made flat, which is preferable.
  • the fifth embodiment relates to a surface acoustic wave device 5 that can be manufactured by the method for manufacturing the surface acoustic wave device according to the first embodiment and the electrode forming method according to the second embodiment.
  • FIG. 6 is a plan view showing the arrangement of a plurality of IDT electrodes 520 to 525, 530, a plurality of conductor patterns 533 to 538, and the like in the surface acoustic wave device 5.
  • FIG. 6 is a schematic diagram for helping understanding of the positional relationship of each part of the surface acoustic wave device 5.
  • the frame 506 is hatched!
  • the surface acoustic wave device 5 includes a piezoelectric substrate 501, IDT electrodes 520 to 525, 530, reflector electrodes 526 to 529, first conductor patterns 533 and 538, The second conductor pattern 5 34 to 537, the insulating layers 539 to 542, the manpower terminal 550, the output terminals 551 and 552, the ground terminals 553 and 554, and the connection spring 57;!
  • a plurality of IDT electrodes 520 to 525, 530 are formed.
  • the three IDT electrodes 520 to 522 and the two reflector electrodes 526 and 52 7 arranged on both sides thereof constitute a surface acoustic wave element 531, and the three IDT electrodes 523 to 525 and both sides thereof
  • the two reflector electrodes 528 and 529 arranged on the surface constitute a surface acoustic wave element 532.
  • the surface acoustic wave elements 531 and 532 connected in parallel to the IDT electrode 530 are disposed on the piezoelectric substrate 601. These surface acoustic wave elements 531 and 532 serve as longitudinally coupled resonators.
  • the surface acoustic wave elements 531 and 532 are connected in parallel to an input terminal 550 to which an unbalanced signal is input via an IDT electrode 530.
  • the left and right IDT electrodes 520 and 522 and the left and right IDT electrodes 523 and 525 connected to the input terminal 550 are a pair of comb teeth facing each other.
  • An electric field is applied between the electrode electrodes to excite surface acoustic waves.
  • the surface acoustic wave thus excited is propagated to the IDT electrodes 521 and 524 in the center.
  • the phase of the signal at the center IDT electrode 521 is opposite in phase to the phase of the signal at the center IDT electrode 524 by 180 °.
  • the surface acoustic wave device 5 a signal is finally transmitted from one comb-like electrode of each of the center IDT electrodes 521 and 524 to the output terminals 551 and 552, and the signal is output as a balanced signal.
  • the surface acoustic wave device 5 achieves a balanced-unbalanced conversion function.
  • a columnar electrode (not shown) similar to the columnar electrode 410 of the surface acoustic wave device 4 is formed on the input terminal 550, the output terminals 551 and 552, and the ground terminals 553 and 554, and is connected to an external circuit. .
  • the frame 506 (or the IDT electrodes 520 to 525, 530 and the conductor patterns 533 to 538 is arranged so as to surround the conductor pattern 533 to 538. Similar to the surface acoustic wave device 4, a lid (not shown) ) And the lid body is joined to the frame body 506. The frame body 506 and the lid body form a protective cover for sealing.
  • Connection springs 57;! To 575 are drawn out of the frame body 506 and connected to the input terminal 550, output terminals 551 and 552, and ground terminals 553 and 554, respectively.
  • Connection lines 57;! To 5 73 connect the human power terminal 550 and the output terminals 551 and 552 to the IDT electrodes 530, 521 and 524, respectively.
  • the connection lines 574 and 575 ground the IDT electrodes 520 to 525 through the first conductor patterns 533 and 538, respectively.
  • connection lines 57;! To 575 are connected to the IDT electrodes 520 to 525 and 530, respectively, in order to connect the IDT electrodes 520 to 525 and 530 to an external circuit.
  • Connection spring 57;! ⁇ 575 ⁇ M
  • a plurality of conductor patterns 533 to 538 connected to the IDT electrodes 520 to 525, 530 are formed.
  • the plurality of conductor patterns 533 to 538 include first conductor patterns 533 and 538, and second conductor patterns 534 to 537 intersecting with the first conductor patterns 533 and 538 via the insulating layers 539 to 542. .
  • the degree of freedom of wiring of the conductor patterns 533-538 can be improved.
  • the IDT electrodes 520 to 525 can be narrowed (between the steps), and both can be arranged close to each other. As a result, the area occupied by the region where the IDT electrodes 520 to 525, 530 are formed can be minimized, and the small acoustic wave surface device 5 can be realized.
  • the conductor pattern intersections where the first conductor patterns 533, 538 and the second conductor patterns 534-547 intersect are the first conductor patterns 533, 538 and the second conductor patterns 53 4-547, which are conductors. Insulating layers 539 to 542 are interposed therebetween. For this reason, capacitance forming portions 543 to 546 that provide capacitance between the first conductor patterns 533 and 538 and the second conductor patterns 534 to 547 can be provided at the conductor pattern intersections.
  • Capacitance forming sections 543 to 546 have the amplitude of the signal transmitted to output terminals 551 and 552 that output a balanced signal when parasitic capacitance occurs due to the placement of IDT electrodes 520 to 525 and 530 and conductor patterns 534 to 538. They are provided in consideration of the fact that they may be different from each other or the phase may be shifted from the opposite phase, resulting in deterioration of the balance. That is, the capacitance forming portions 543 to 546 formed between the IDT electrode 530 and the first and second surface acoustic wave elements 531 and 532 are introduced on an equivalent circuit so as to cancel the influence of the parasitic capacitance.
  • the capacitance can be adjusted in the surface acoustic wave elements 531 and 532, and the amplitude balance and the phase balance can be improved. For this reason, the capacitance forming portions 543 to 546 can improve the electrical characteristics of the surface acoustic wave device 5. Further, by appropriately selecting the capacitance of the capacitance forming portions 543 to 546 and the inductance due to the columnar electrodes and the conductor patterns 533 to 538, the attenuation amount outside the passband of the surface acoustic wave device 5 can be increased, Improve the electrical characteristics of wave device 5 with force S. [0144] Further, the wiring of the conductor patterns 533 to 538 connecting the IDT electrodes 520 to 525, 530 is made as shown in Fig.
  • the interstage side of the comb-like electrodes constituting the IDT electrodes 520 to 525 is provided.
  • the comb-like electrode can be reliably connected to the connection lines 574 and 575 for connection to the external circuit and reliably pulled out to the outside of the protective cover.
  • the surface area of the surface acoustic wave element region 592 can be greatly reduced.
  • the connection with the external circuit can be ensured in a state where the vibration space is sealed, the electrical characteristics are not deteriorated! /
  • the inertial surface acoustic wave device 5 can be provided.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating a method of forming the conductor patterns 533 to 538.
  • 7 (a) and 7 (b) are cross-sectional views of the conductor pattern crossing portion being formed
  • FIG. 7 (c) is a cross-sectional view of the conductor pattern crossing portion after formation.
  • Fig. 7 (a) to Fig. 7 (c) are schematic diagrams to help understanding the positional relationship of each part of the conductor pattern intersection.
  • the conductor pattern In forming the conductor pattern, first, as shown in FIG. 7 (a), in the IDT electrode forming process, the second conductor pattern located below is formed simultaneously with the formation of the connecting lines 57;! To 575. Form 534-537. Next, as shown in FIG. 7 (b), on the surface acoustic wave element region 592, spin oxide using silicon oxide, polyimide resin, BCB resin, SOG (Spin On Grass), etc. as an insulating material. A film is formed by a coating method and patterned by a normal etching process to form insulating layers 539 to 542. Next, as shown in FIG. 7C, first conductive patterns 533 and 538 are formed so as to straddle over the insulating layers 539 to 542.
  • the first conductive patterns 533 and 538 and the second conductive patterns 534 to 537 may be formed in the same process using the same material as the connection line 103 described above.
  • the materials for the insulating layers 539 to 542 described above silicon oxide and polyimide resin are stable even at a temperature of 300 ° C. or higher. For this reason, when the insulating layers 539 to 542 are made of these materials, the first conductor patterns 533 and 538 and the second conductor patterns 534 to Reliable elastic surface because it can ensure electrical insulation with 537 would be able to provide wave device 5! / ,.
  • the sixth embodiment relates to a method for manufacturing a surface acoustic wave device.
  • FIG. 8 is a view for explaining the method for manufacturing the surface acoustic wave device according to the sixth embodiment. Fig 8
  • FIG. 8A is a cross-sectional view of the work in progress of the surface acoustic wave device 4, and FIG. 8B is a cross-sectional view of the surface acoustic wave device 4.
  • FIG. 8A and FIG. 8B are schematic diagrams for assisting in understanding the in-process product of the surface acoustic wave device 4 or the positional relationship of each part of the surface acoustic wave device 4.
  • each step of the method for manufacturing the surface acoustic wave device according to the first embodiment and the fourth embodiment A plurality of surface acoustic wave element regions 192 are formed on one wafer-like piezoelectric substrate 101 through the same steps as those of the electrode forming method.
  • the piezoelectric substrate 101 is separated into the respective surface acoustic wave element regions 192 to form a plurality of surface acoustic wave devices 1.
  • a plurality of surface acoustic wave devices 4 of the WLP type can be manufactured at the same time, and a package (protective housing) is prepared for each surface acoustic wave device as in the past, and the chip is formed through a dicing process.
  • the step of separating the surface acoustic wave element regions 191 is preferably provided at the end of forming the surface acoustic wave device 4.
  • the surface acoustic wave element regions 192 are separated, a plurality of surface acoustic wave devices 4 that can be surface-mounted can be manufactured.
  • the protective cover 117 serving as a stepped portion is isolated after the step of forming the lid body 107, and the protection cover 117 is isolated.
  • the other surfaces are almost flat. Therefore, in the step of forming the plating base layer 408, the plating base layer 408 at the position where the columnar electrode 410 is formed is connected by all of the plurality of surface acoustic wave element regions 192 formed on the piezoelectric substrate 101. Can be. As a result, the columnar electrode 410 can be reliably stacked on all of the plurality of surface acoustic wave element regions 192, and productivity can be improved.
  • the surface acoustic wave device 4 having a small size and a low profile can be realized, and the reliability is excellent with respect to impact resistance. High! /, Surface acoustic wave device 4 can be realized.
  • one protective cover is provided in one surface acoustic wave device.
  • a plurality of protections are provided in one surface acoustic wave device.
  • a cover may be provided. Taking the surface acoustic wave element region 592 shown in FIG. 6 as an example, the IDT electrode 530 and the surface acoustic wave elements 31 and 32 may have separate protective covers.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

明 細 書
弾性表面波装置の製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、移動体通信機器等の無線通信回路に主に用いられる弾性表面波装置 の製造方法に関し、特に表面実装可能な弾性表面波装置を小型化可能であるととも にウェハプロセスでパッケージングまで行うことが可能な弾性表面波装置の製造方 法に関する。
背景技術
[0002] 近年、移動体通信に用いられる携帯端末装置は、小型化、軽量化が進むとともに、 複数の通信システムに対応するマルチバンド化及び携帯端末装置の多機能化のた め、内蔵される回路が増加してきている。そのため、使用される電子部品は、その実 装密度向上のため、表面実装可能な小型部品とすることが強く要望されている。
[0003] 一方、携帯端末装置のキーパーツとして弾性表面波装置がある。弾性表面波装置 では、弾性表面波が励振される電極面近傍に中空部を設け、振動空間を確保すると ともに、この振動空間を気密封止する必要がある。このため、弾性表面波装置は、例 えば、セラミックパッケージに収容されていた。このような弾性表面波装置においても 、低損失で優れた通過帯域外の遮断特性を有するとともに、表面実装可能な小型の 弾性表面波装置が要求されて!/、る。
[0004] この小型化の要求に対して、 WLP (Wafer Level Package)タイプの表面実装構造 の弾性表面波装置が提案されている（例えば、特開平 9 172339号公報、特表 20 05— 537661号公報を参照）。
[0005] 図 9は、従来の弾性表面波装置の製造方法を説明する図である。従来の弾性表面 波装置の製造方法においては、まず、図 9 (a)に示すように、圧電基板 961の上に形 成した弾性表面波素子の電極パターン 962の表面を覆い、電極パターン 962に接 続された電極パッド 968の少なくとも一部を露出させるように、ポリシリコン、ァモルフ ァスシリコン等からなる犠牲層 963を形成する。次に、図 9 (b)に示すように、犠牲層 9 63を覆うように保護カバー 964を形成した後、保護カバー 964に、内部の犠牲層 96 3を露出させる貫通孔 965を形成する。次に、図 9 (c)に示すように、犠牲層 963をド ライエッチング法等により貫通孔 965を通して除去して、電極パターン 962の上に中 空部 966を形成し、弾性表面波装置を得る。
[0006] しかしな力 、図 9に示すように、犠牲層 963を用いて保護カバー 964を形成する 場合、犠牲層 963を除去する工程において、中空部 966に残留するエツチャント及 びエッチング生成物の影響で、弾性表面波装置の電気特性が劣化する問題点があ つた。
[0007] さらに、中空部 966を形成するための製造工程において工数が多ぐ製造工程が 複雑となる問題点があった。
発明の開示
[0008] 本発明は上述の問題点を解決するために案出されたものであり、その目的は、犠 牲層を用いずに中空部を設けることで、電気特性の劣化を低減することができる弾性 表面波装置の製造方法を提供することにある。また、中空部を製造するための製造 工程の工数を少なくすることができる弾性表面波装置の製造方法を提供することにあ
[0009] 本発明の上記課題を解決するため、第 1の態様に係る弾性表面波装置の製造方 法は、（a)圧電基板の上面に IDT電極を形成する工程と、 (b)前記圧電基板の上に 前記 IDT電極が形成された形成領域を囲む枠体を形成する工程と、 (c)前記枠体の 上面にフィルム状の蓋体を載置して前記枠体と接合することにより、前記形成領域を 覆うとともに前記形成領域との間に密閉空間を設けるための、前記枠体と前記蓋体と で構成される保護カバーを形成する工程と、を有する。
[0010] 第 1の態様によれば、犠牲層を用いることなく形成領域と保護カバーとの間に密閉 空間を形成することができるので、電気特性の劣化を低減した弾性表面波装置を製 造すること力 Sでさる。
[0011] また、犠牲層を用いることなく第 1の領域と保護カバーとの間に密閉空間を形成す ること力 Sできるので、密閉空間を形成するための工数を少なくすることができ、生産性 を向上することができる。
[0012] 第 2の態様に係る弾性表面波装置の製造方法は、第 1の態様に係る弾性表面波装 置の製造方法において、前記工程 (b)は、（b-1)第 1フィルムを前記圧電基板の上に 載置する工程と、 (b-2)フォトリソグラフィ法により前記第 1フィルムをパターユングした 後に硬化させて前記枠体を形成する工程と、を有する。
[0013] 第 2の態様によれば、第 1フィルムを載置するだけで、均一な厚さの枠体を形成する ことができるので、蓋体を枠体の上面に隙間なく載置することができる。このため、簡 易な工程で確実に弾性表面波素子領域の上の密閉空間を封止することができる。
[0014] 第 3の態様に係る弾性表面波装置の製造方法は、第 2の態様に係る弾性表面波装 置の製造方法において、前記枠体と前記蓋体とは同一材質である。
[0015] 第 3の態様によれば、枠体と蓋体とを接合した場合に両者を同一材料力 なる保護 カバーとして一体化すること力 Sできる。これにより、両者の密着強度や保護カバーの 気密性を向上することができ、高信頼性の弾性表面波装置を製造することができる。
[0016] 第 4の態様に係る弾性表面波装置の製造方法は、第 1の態様に係る弾性表面波装 置の製造方法において、前記工程 (c)は、 (c-1)樹脂層と前記樹脂層に比べヤング率 の高い保持層とを含む第 2フィルムを前記枠体の上面に前記保持層が上側となるよう に載置する工程と、（c-2)フォトリソグラフィ法により前記第 2フィルムをパターユングし た後に硬化させて前記蓋体を形成する工程と、 (c-3)前記枠体と前記蓋体とを接合さ せた後に前記第 2フィルムの前記保持層を除去する工程と、を有する。
[0017] 第 4の態様によれば、保持層が樹脂層を保持するので、第 2フィルムの全体の変形 を抑制することができ、確実に密閉空間を形成することができる。
[0018] 第 5の態様に係る弾性表面波装置の製造方法は、第 1の態様に係る弾性表面波装 置の製造方法において、 (d)前記工程 (a)の後であって前記工程 (b)の前に、前記 ID T電極を覆う絶縁材料からなる保護膜を形成する工程、をさらに有し、前記工程 (b)に ぉレ、て、前記保護膜の上面に前記枠体を形成する工程を有する。
[0019] 第 5の態様によれば、枠体の被形成面への密着性を向上することができ、弾性表 面波装置の信頼性を向上することができる。
[0020] 第 6の態様に係る弾性表面波装置の製造方法は、第 1の態様に係る弾性表面波装 置の製造方法において、弾性表面波装置は、前記 IDT電極と外部回路とを接続す るための接続線、をさらに有し、前記接続線の一部が前記枠体の外側に延在する。 [0021] 第 6の態様によれば、密閉空間を封止した状態で、外部回路にあわせて接続線の 位置を自由に決定することができる。このため、汎用性の高い弾性表面波装置を製 造すること力 Sでさる。
[0022] 第 7の態様に係る弾性表面波装置の製造方法は、第 6の態様に係るに弾性表面波 装置の製造方法において、 (e)前記保護カバーが形成された 1枚のウェハ状の前記 圧電基板を覆うメツキ用下地層を形成する工程と、 (ί)前記保護カバーの外側に位置 する前記接続線の上に開口部を有するメツキ用レジスト膜を前記メツキ用下地層の上 に形成する工程と、 (g)前記開口部の底に露出する前記メツキ用下地層の上に、メッ キ法により柱状電極を形成する工程と、 (h)前記柱状電極を残し、前記メツキ用レジス ト膜と前記メツキ用下地層とを除去する工程と、 (0前記圧電基板の上に、前記保護力 バーと前記柱状電極とを覆う封止樹脂膜を形成する工程と、 (j)前記封止樹脂膜の 上面を研削して、前記柱状電極を露出させる工程と、をさらに有する。また、工程 (j)の 後に、 (k)前記柱状電極の上面に外部接続電極を形成する工程をさらに有してもよ い。
[0023] 第 7の態様によれば、表面実装可能な弾性表面波装置を提供することができる。ま た、弾性表面波装置をウェハレベルで製造することできるので、複雑な工程を経るこ となく弾性表面波装置を提供することができる。
[0024] 第 8の態様に係る弾性表面波装置の製造方法は、第 7の態様に係る弾性表面波装 置の製造方法において、 (1)前記圧電基板の下面に、前記封止樹脂膜と熱膨張係数 が略同一の材料からなる保護層を形成する工程、さらに有する。
[0025] 第 8の態様によれば、製造時及び製造後における弾性表面波装置の耐衝撃性を 向上させること力 Sできる。そのため、弾性表面波装置の割れ、カケ等の不良の発生を 抑制し、歩留まりを向上し、弾性表面波装置の信頼性を向上することができる。
[0026] 第 9の態様に係る弾性表面波装置の製造方法は、第 7の態様に係る弾性表面波装 置の製造方法において、前記工程 (j)を経た後において、前記柱状電極の最上部の 高さが、前記保護カバーの最上部の高さより高くなる。
[0027] 第 9の態様によれば、保護カバーの気密性を十分に確保することができる。
[0028] 第 10の態様に係る弾性表面波装置の製造方法は、第 7の態様に係る弾性表面波 装置の製造方法において、前記工程 (f)において、レジスト材料の塗布及び硬化を複 数回繰り返すことにより前記メツキ用レジスト膜を形成する。
[0029] 第 10の態様によれば、被覆性や取り极レ、性等に考慮して調整したレジスト材料を 用いて、所望の厚さのメツキ用レジストを形成することができるので、生産性を向上す ること力 Sできる。また、メツキ用レジストを所望の厚さに形成することができるようになる 結果、所望の高さの柱状電極を形成することが可能になる。
[0030] 第 11の態様に係る弾性表面波装置の製造方法は、第 6の態様に係る弾性表面波 装置の製造方法において、弾性表面波装置は、複数個の前記 IDT電極を有するとと もに、前記 IDT電極に接続された複数個の導体パターン、をさらに有し、前記複数個 の導体パターンは、第 1導体パターンと、絶縁層と、前記第 1導体パターンと前記絶 縁層を介して交差する第 2導体パターンと、を有する。
[0031] 第 11の態様によれば、圧電基板上に形成させた IDT形成領域自体を小型化する とともに、実装形態においてもさらに小型化した弾性表面波装置を提供することがで きる。
[0032] 第 12の態様に係る弾性表面波装置の製造方法は、第 11の態様に係る弾性表面 波装置の製造方法において、前記絶縁層の材質は、酸化シリコン又はポリイミド系樹 脂である。
[0033] 第 12の態様によれば、数 mの厚さの膜を絶縁層として容易に形成することができ るとともに、精度良く加工することが可能となる。
[0034] 第 13の態様に係る弾性表面波装置の製造方法は、第 1の態様に係る弾性表面波 装置の製造方法にお!/、て、 1枚のウェハ状の前記圧電基板の上に前記 IDT電極を 含む弾性表面波素子領域が複数個形成され、 (m)前記圧電基板を、各々の前記弾 性表面波素子領域に分離して弾性表面波装置を複数個形成する工程、をさらに有 する。
[0035] 第 13の態様によれば、 WLPの弾性表面波装置を同時に多数個製造することがで き、大幅な製造工程の簡略化を達成し量産性を高めることができる。
図面の簡単な説明
[0036] [図 1]第 1実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法を説明する図である。 [図 2]弾性表面波装置の平面透視図である。
[図 3]第 2実施形態に係る枠体形成工程を説明する図である。
[図 4]第 3実施形態に係る蓋体形成工程を説明する図である。
[図 5]第 4実施形態に係る電極形成方法を説明する図である。
[図 6]第 5実施形態に係る弾性表面波装置の平面図である。
[図 7]導体パターンの形成方法を説明する図である。
[図 8]第 6実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法を説明する図である。
[図 9]従来の弾性表面波装置の製造方法を説明する図である。
発明を実施するための最良の形態
[0037] <第 1実施形態〉
第 1実施形態は、弾性表面波装置の製造方法に関する。
[0038] 図 1は、第 1実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法を説明する図である。図 1
(a)〜図 1 (d)は、弾性表面波装置 1の仕掛品の断面図、図 1 (e)は、弾性表面波装 置 1の断面図となっている。図 1 (a)〜図 1 (e)は、弾性表面波装置 1の仕掛品又は弾 性表面波装置 1の各部の位置関係の理解を助けるための模式図である。
[0039] 図 1 (e)に示すように、第 1実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法により製造 される弾性表面波装置 1は、圧電基板 101と、圧電基板 101の一の主面たる上面に 形成された IDT (InterDigital Transducer)電極 102及び接続線 103と、圧電基板 10 1の他の主面たる下面に形成された裏面電極 104と、圧電基板 101の上面に形成さ れ IDT電極 102を覆う保護膜 105と、保護膜 105の上面に形成され IDT電極 102が 形成された領域 191を囲む枠体 106と、枠体 106の上面に載置され領域 191を覆う 蓋体 107とを備える。枠体 106と蓋体 107とは、接合されて、保護カバー 117となって いる。
[0040] 弾性表面波装置 1は、フィルタ、共振子、遅延線、トラップ等のいずれであってもよ い。また、 IDT電極 102が励振する弾性波は、レイリー波、 SH波のいずれであっても よい。さらに、弾性表面波装置 1がフィルタである場合は、弾性波表面波装置 1は、共 振器型フィルタ、トランスバーサル型フィルタの!/、ずれであってもよレ、。
[0041] 続いて、第 1実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法を順を追って説明する。 [0042] {IDT電極形成工程 }
弾性表面波装置 1の製造にあたっては、まず、図 1 (a)に示すように、圧電基板 101 の上面の弾性表面波素子領域 192に IDT電極 102及び接続線 103を形成し、圧電 基板 101の下面の全面に裏面電極 104を形成する。ここで、「弾性表面波素子領域 」とは、 1個の弾性表面波装置 1を構成するのに必要な IDT電極 102及び接続線 10 3が含まれる領域を意味する。
[0043] 圧電基板 101は、圧電材料の基板である。圧電材料としては、例えば、タンタル酸 リチウム（LiTaO )、ニオブ酸リチウム（LiNbO )、水晶（SiO )、四ホウ酸リチウム（Li
3 3 2 2
B O ) ,酸化亜鉛 (ZnO)、ニオブ酸カリウム（KNbO )、ランガサイト（La Ga SiO )
4 7 3 3 3 14 等の単結晶を用いることができる。
[0044] IDT電極 102は、導電材料の膜である。導電材料としては、例えば、アルミニウム 銅 (A1— Cu)合金に代表されるアルミニウム (A1)合金、アルミニウム (A1)単体金属等 を用いること力 Sできる。なお、 IDT電極 102は、異種の導電材料からなる複数の層を 積層した膜であってもよい。
[0045] IDT電極 102の平面形状は、少なくとも一対の櫛歯状電極 121 , 122 (図 2参照）を 電極指が交互に配列されるように互いに嚙み合わせた平面形状となっている。 IDT 電極 102は、一対の櫛歯状電極 121 , 122に印加された励振信号に応じた弾性表 面波を圧電基板 101の上面に励振する励振電極として機能する。
[0046] なお、単数個の IDT電極 102で弾性表面波装置 1を構成することは必須ではなぐ 複数個の IDT電極 102を直列接続や並列接続等の接続方式で接続して弾性表面 波装置 1を構成してもよい。このように複数個の IDT電極 102を接続すれば、ラダー 型弾性表面波フィルタ、ラテイス型弾性表面波フィルタ、 2重モード弾性表面波フィル タ等を構成すること力できる。
[0047] 接続線 103も、導電材料の膜である。導電材料としては、例えば、アルミニウム 銅 合金に代表されるアルミニウム合金、アルミニウム単体金属等を用いることができる。 なお、接続線 103も、異種の導電材料からなる複数個の層を積層した膜であってもよ い。
[0048] 接続線 103は、 IDT電極 102と接続されている。接続線 103は、 IDT電極 102と外 部回路とを接続するために設けられている。
[0049] 接続線 103の線幅は、特に制限されな!/、が、 IDT電極 102と接続されて!/、な!/、側 の端部を幅広とすることが望ましい。幅広とすれば、外部回路との接続が容易になる 力 である。
[0050] IDT電極 102及び接続線 103は、スパッタリング法、蒸着法、 CVD (Chemical Vapo r D印 osition)法等の薄膜形成法により形成した膜を、縮小投影露光機 (ステッパー） と RIE (Reactive Ion Etching)装置とを用いたフォトリソグラフィ法等によりパターニン グして所望の形状に加工することにより得ることができる。なお、この方法により IDT 電極 102及び接続線 103を形成する場合、 IDT電極 102及び接続線 103を同一材 料で構成して同一工程にぉレ、て形成することが望ましレ、。
[0051] 裏面電極 104も、導電材料の膜である。導電材料としては、例えば、アルミニウム 銅合金に代表されるアルミニウム合金、アルミニウム単体金属等を用いることができる 。なお、裏面電極 104もは、異種の導電材料からなる複数個の層を積層した膜であ つてもよい。
[0052] 裏面電極 104も、スパッタリング法、蒸着法、 CVD法等の薄膜形成法により形成す ること力 Sできる。裏面電極 104は、必ずしも必須ではない。ただし、裏面電極 104を設 ければ、温度変化により圧電基板 101の表面に誘起された焦電電荷を接地により解 消することができるので、スパーク等による圧電基板 101の割れや IDT電極 102の電 極指間及び複数の IDT電極 102の間のスパークの問題を低減させることができる。
[0053] なお、弾性表面波を閉じ込めるために、圧電基板 101の上面に反射器電極を形成 してもよい。このような反射器電極は、 IDT電極 102から見て弾性表面波の 2つの伝 播方向に形成される。反射器電極を形成する場合、反射器電極及び IDT電極 102 を同一材料で構成して同一工程にぉレ、て形成することが望ましレ、。
[0054] {保護膜形成工程 }
次に、図 1 (b)に示すように、 IDT電極 102の全部及び接続線 103の一部を覆う保 護膜 105を形成する。
[0055] 保護膜 105は、絶縁材料の膜である。絶縁材料としては、例えば、酸化ケィ素（SiO
)、窒化ケィ素（Si N )、シリコン（Si)等を用いることができる。 [0056] 保護膜 105は、 CVD法、スパッタリング法等の薄膜形成法により形成した膜の一部 をフォトリソグラフィ法により除去することにより得ることができる。ここで、一部を除去 するのは、接続線 103の一部を露出させ、弾性表面波装置 1を外部回路と接続する ことができるようにするためである。
[0057] 保護膜 105は、 IDT電極 102及び接続線 103を保護し、 IDT電極 102及び接続線
103の酸化を低減する。
[0058] {枠体形成工程 }
次に、図 1 (c)に示すように、弾性表面波素子領域 192の上に、 IDT電極 102が形 成された領域 191を囲む枠体 106を形成する。枠体 106は、少なくとも IDT電極 102 を囲うように形成すればよいが、 IDT電極 102の他に接続線 103や反射器電極等を 含む領域を囲うように形成してもよい。
[0059] 枠体 106は、通常の膜形成方法により圧電基板 101の上に形成した膜をパター二 ングすることにより形成してもよいし、別体の枠状体を圧電基板 101の上に貼り合わ せることにより形成してもよい。
[0060] 前者の方法により枠体 106を形成する場合、例えば、第 1レジストからなる第 1レジ スト膜をフォトリソグラフィ法によりパターユングした後に硬化させることにより枠体 106 を形成することカできる。この場合、第 1レジストとしては、例えば、エポキシ系樹脂、 ポリイミド系樹脂、 BCB (ベンゾシクロブテン)系樹脂、アクリル系樹脂等の樹脂を用 いること力 Sできる。第 1レジストからなる膜は、例えば、弾性表面波素子領域 192の上 にスピンコート法、印刷法等によりレジスト液を塗布することにより形成することができ る。中でも、スピンコート法により第 1レジストからなる膜を形成することが望ましい。ス ピンコート法により第 1レジストからなる膜を形成した場合、下地となる構造に多少の 段差があっても、下地となる構造との間に隙間を作ることなく第 1レジストからなる膜を 形成することができ、密着性に優れた枠体 106を形成することができるからである。こ のようにして形成された第 1レジストからなる膜は、露光工程及び現像工程を経て、 I DT電極 102が形成された領域 191を囲む枠体 106に加工される。
[0061] {蓋体形成工程 }
次に、枠体 106の上面にフィルム状の蓋体 107を載置して、枠体 106と蓋体 107と を接合する。これにより、 IDT電極 102が形成された領域 191との間に密閉された振 動空間 (密閉空間） 193を設ける保護カバー 117を形成することができる。
[0062] 蓋体 107は、フィルム状の膜を枠体 106上に載置してから通常のフォトリソグラフィ 技術によりパターユングすることにより形成してもよいし、別体のパターユング加工後 の蓋状体を枠体 106の上面に載置することにより形成してもよい。ここで、フィルム状 とは、感光性を有する材料を含む場合に、膜の厚み方向からの光照射に対して厚み 方向全体で反応が進む程度に薄いものとする。なお、以下では、第 2レジストからな るフィルム状の成形体である第 2フィルム 115を載置してからパターユングすることで 蓋体 107を形成する例について説明する。
[0063] 第 2フィルム 115を用いて蓋体 107を形成する場合、まず、図 1 (d)に示すように、 第 2フィルム 115を枠体 106の上面に載置して IDT電極 102が形成された領域 191 を覆う。第 2レジストとしては、例えば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、 BCB系樹 脂、アクリル系樹脂等の樹脂を用いることができる。第 2フィルム 115は、予めフィルム 状に成形されているので、枠体 106の上面に載置するだけで圧電基板 101との間に 振動空間 193を形成することができる。第 2フィルム 115を枠体 106の上面に載置す るためには、温度管理をしながらローラーでフィルムを加圧して貼り付けることのでき る貼り付け機を用いて、温度及び圧力を適宜設定し、第 2フィルム 115を枠体 106の 上面に貼り付ければよい。
[0064] 次に、図 1 (e)に示すように、露光工程及び現像工程を経て、載置された第 2フィル ム 115の枠体 106よりも外側の部分を除去し、 IDT電極 102が形成された領域 191 を覆う蓋体 107に加工する。その後に、枠体 106と蓋体 107とを接合し、保護カバー 117を形成する。枠体 106と蓋体 107とを接合するためには、レジスト材料に応じて、 枠体 106及び蓋体 107を加熱したり、枠体 106及び蓋体 107に光を照射したりすれ ばよい。例えば、枠体 106及び蓋体 107の材料としてエポキシ樹脂を用いた場合で あれば、枠体 106及び蓋体 107を 100°C程度に加熱すればよい。このように形成さ れた保護カバー 117により、振動空間 193を設けることができるとともに、 IDT電極 10 2を封止することができるので、 IDT電極 102等の酸化等を低減することができる。
[0065] なお、このようにして枠体 106形成後に蓋体 107を形成し、両者を接合した場合に は、枠体 106の断面形状が台形状になることが多い。枠体 106をパターユングした直 後には断面形状が直方形であったとしても、その上に蓋体 107を設け、両者を接合 するために一旦熱等が加えられることにより変形するためである。
[0066] {弹性表面波装置の信頼性 }
このような IDT電極形成工程、保護膜形成工程、枠体形成工程及び蓋体形成工程 を経て、図 1 (e)に示す弾性表面波装置 1を製造することができる。第 1実施形態に 係る弾性表面波装置の製造方法によれば、振動空間 193を形成するために犠牲層 を用いる必要がなレ、ので、犠牲層を用いた場合のように犠牲層を除去する際にエツ チャントやエッチングによる残留生成物が形成した中空構造の内部（振動空間 193) に残ることがない。したがって、第 1実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法によ れば、製造した弾性表面波装置 1の電気特性が劣化することを低減することができる 。すなわち、製造した弾性表面波装置 1の信頼性を向上することができる。
[0067] {外部回路との接続 }
弾性表面波装置 1を外部回路と接続するためには、図 1 (e)に示すように、接続線 1 03を保護カバー 117の外側に引き出し、保護カバー 117の外側において、接続線 1 03の上に外部接続用の電極を形成したり、接続線 103に外部接続用のワイヤをボン デイングしたりすればよい。
[0068] このように接続線 103の一部を保護カバー 117すなわち枠体 106の外側に引き出 すように延在させている場合には、振動空間 193を封止した状態で、外部回路にあ わせて接続線 103の位置を自由に決定することができる。このため、汎用性の高い 弾性表面波装置 1を製造することができる。ただし、接続線 103を保護カバー 117の 外側に弓 Iき出すことは必須ではな!/、。例えば、保護カバー 117で覆われた内側にお いて圧電基板 101にビアホールを形成して圧電基板 101の下面で外部回路と接続 することができるようにしてもよいし、保護カバー 117の枠体 106の部分とその上に位 置する蓋体 107の一部とに貫通穴を設けて保護カバー 1 17の上面で外部回路と接 続すること力 Sでさるようにしてあよ!/、。
[0069] {保護膜の上面への枠体の形成 }
図 2は、弾性表面波装置 1の平面透視図である。先述の図 1 (e)は、図 2の A— Aの 切断線における弾性表面波装置 1の断面図となっている。図 2においては、枠体 106 の配置を分力、り易くするために、枠体 106の部分にハッチングを付している。図 2に 示すように、保護膜 105は、 IDT電極 102及び接続線 103が形成された領域の一部 に形成されている。
[0070] 枠体 106は、 IDT電極 102を覆う保護膜 105の上面に形成することが望ましい。理 由は明らかではないが、保護膜 105の上面に枠体 106を形成すると、枠体 106の被 形成面（ここでは、保護膜 105の上面）への密着性を向上することができるからである 。例えば、保護膜 105の材料として酸化ケィ素と用いて、第 1レジストとしてエポキシ 系樹脂を用いた場合には、枠体 106の被形成面への密着性を向上することができる 。これは、酸化ケィ素とエポキシ系樹脂との間の水素結合によるものと推察される。
[0071] また、接続線 103を保護カバー 117の外側に引き出した場合、枠体 106が接続線
103を跨ぐことになる力 S、保護膜 105の上面に枠体 106を形成すれば、接続線 103 により生じる段差を保護膜 105が緩和するので、ほぼ平坦な被形成面に枠体 106を 形成すること力できる。このため、接続線 103を保護カバー 117の外側に引き出した 場合、枠体 106を保護膜 105の上面以外に形成するよりも枠体 106を保護膜 105の 上面に形成する方力、枠体 106を被形成面に強固に接続することができる。
[0072] ただし、これらのことは、枠体 106を保護膜 105の上面以外に形成することを妨げる ものではない。
[0073] {第 1レジスト及び第 2レジストの選択 }
枠体形成工程及び蓋体形成工程において、第 1レジストと第 2レジストとを同一材料 とすれば、枠体 106と蓋体 107とを接合した場合に両者を一体化することができる。 また、第 1レジストと第 2レジストとを同一材料とすれば、両者の接合界面が同一材料 同士の界面となるので、両者の密着強度や保護カバー 117の気密性を向上すること 力できる。したがって、高信頼性の弾性表面波装置 1を製造することができる。特に、 第 1レジスト及び第 2レジストとしてエポキシ系樹脂を用いて、枠体 106及び蓋体 107 を 100°Cから 200°Cまでの範囲で加熱した場合には、より重合が促進されるため、両 者の密着強度や保護カバー 117の気密性を向上することができる。
[0074] また、第 1レジストと第 2レジストとを同一材料とすれば、これらにより形成される枠体 106と蓋体 107とが同一材質となり、その結果、保護カバー 117を一体化することが できる。
[0075] <第 2実施形態〉
第 2実施形態は、第 1実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法の枠体形成ェ 程に代えて採用することができる枠体形成工程に関する。
[0076] 図 3は、第 2実施形態に係る枠体形成工程を説明する図である。図 3 (a)及び図 3 ( b)は、弾性表面波装置 1の仕掛品の断面図となっている。図 3 (a)及び図 3 (b)は、 弾性表面波装置 1の仕掛品の各部の位置関係の理解を助けるための模式図である
〇
[0077] 第 2実施形態に係る枠体形成工程においては、第 1レジストからなる膜としてフィル ム状の成形体を用いる。すなわち、まず、図 3 (a)に示すように、第 1レジストからなる 第 1フィルム 219を圧電基板 101の上に載置する。その後で、図 3 (b)に示すように、 フォトリソグラフィ法により第 1フィルム 219をパターユングした後に硬化させる。
[0078] 第 2実施形態に係る枠体形成工程によれば、均一な厚さの枠体 106を形成するこ とができるので、第 2フィルム 115を枠体 106の上面に隙間なく載置することができる 。このため、簡易な工程で確実に弾性表面波素子領域 192の上の振動空間 193を 封止すること力 Sでさる。
[0079] また、第 2実施形態に係る枠体形成工程によれば、フォトリソグラフィ法により第 1フ イルム 219をパターユングすることができるので、所望の場所に精度良く数マイクロメ 一トル程度の微細なパターンを形成することができる。このため、枠体 106を所望の ノ ターンに精度良く形成することができる。
[0080] <第 3実施形態〉
第 3実施形態は、第 1実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法の蓋体形成ェ 程に代えて採用することができる蓋体形成工程に関する。
[0081] 図 4 (a)〜図 4 (d)は、第 3実施形態に係る蓋体形成工程を説明する図である。図 4
(a)〜図 4 (c)は、弾性表面波装置 1の仕掛品の断面図、図 4 (d)は、弾性表面波装 置 1の断面図となっている。図 4 (a)〜図 4 (d)は、弾性表面波装置 1の仕掛品又は弾 性表面波装置 1の各部の位置関係の理解を助けるための模式図である。 [0082] 図 4 (a)に示すように、第 3実施形態に係る蓋体形成工程において使用される第 2フ イルム 315は、樹脂層 315aと、樹脂層 315aに比べヤング率の高い保持層 315bとの 2層を積層して構成されている。
[0083] 具体的には、樹脂層 315aとしては、感光性を有し、熱により硬化しかつ機械強度 及び耐薬品性に優れるものが好ましい。例えば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、 BCB系樹脂、アクリル系樹脂等からなる層を用いることができる。保持層 315bとして は、 PET (PolyEthylene Terephthalate)フィルム等、樹脂層 315aに比べヤング率が 高いとともに、樹脂層 315aからの剥がれ性が良好でかつ熱的に安定である材料を 用いる。なお、保持層 315bは、透光性を有するものとする。保持層 315bを通して樹 脂層 315aを露光するためである。また、保持層 315bは、樹脂層 315aを硬化させる 温度においても変質しない耐熱性を有することが求められる。
[0084] なお、樹脂層 315a及び保持層 315bのヤング率は、例えば、 ISO規格 (例えば IS 014577)に準拠するような条件でナノインデンテーション法のような、薄膜のヤング 率を測定する方法で測定すればょレ、。
[0085] このような工程で形成した保護カバー 117の上面、すなわち、蓋体 107の上面は、 下面に比べて表面粗さが大きくなつている。樹脂層 315aを硬化させた後に保持層 3 15bを剥離するためである。
[0086] 第 3実施形態に係る蓋体形成工程においては、まず、図 4 (a)に示すように、第 2フ イルム 315を枠体 106の上面に保持層 315bが上側となるように、すなわち、樹脂層 3 15aが枠体 106と接するように載置する。
[0087] 次に、図 4 (b)に示すように、第 2フィルム 315をフォトリソグラフィ法によりパターニン グする。すなわち、保持層 315bの上から第 2フィルム 315をマスク（不図示）を用いて 露光した後に加熱して、樹脂層 315aを露光部 315cと未露光部 315dとする。ここで 、露光部 315cは、露光後の加熱により硬化されて蓋体 107となり、それと同時に枠 体 106と接合される。
[0088] 次に、図 4 (c)に示すように、第 2フィルム 315の保持層 315bを除去する。
[0089] 次に、図 4 (d)に示すように、現像工程により、枠体 106の外側に位置する樹脂層 3 15a (この例では未露光部 315d)を除去して分離された蓋体 107とした後に、さらに 加熱する。これにより、蓋体 107が完全に硬化させられるとともに、枠体 106と蓋体 10 7とが完全に一体化され、保護カバー 117が得られる。
[0090] なお、保持層 315bを現像後に除去してもよい。
[0091] 第 3実施形態の蓋体形成方法によれば、枠体 106の上面に均一に第 2フィルム 31 5を貼り合わせて接合することができる。また、第 2フィルム 315の硬化前であっても、 ヤング率の高い保持層 315bが第 2フィルム 315の全体の変形を抑制するので、 IDT 電極 102との間に振動空間 193を保つことができる。このため、第 2フィルム 315の載 置、露光、加熱の間に振動空間 193が潰れることなぐ確実に振動空間 193を形成 すること力 Sできる。また、保持層 315bが樹脂層 315aを保持することにより、第 2フィル ム 315の取り扱いが容易になる。
[0092] また、第 3実施形態に係る蓋体形成工程によれば、フォトリソグラフィ法により第 2フ イルム 315をパターユングすることができるので、所望の場所に精度良く数マイクロメ 一トル程度の微細なパターンを形成することができる。このため、蓋体 307を所望の ノ ターンに精度良く形成することができる。
[0093] <第 4実施形態〉
第 4実施形態は、第 1実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法の IDT電極形 成工程、保護膜形成工程、枠体形成工程及び蓋体形成工程に続いて行う、電極形 成方法に関する。
[0094] 図 5 (a)〜図 5 (h)は、第 4実施形態に係る電極形成方法を説明する図である。図 5
(a)〜図 5 (g)は、弾性表面波装置 4の仕掛品の断面図、図 5 (h)は、弾性表面波装 置 4の断面図となっている。なお、図 5 (a)〜図 5 (h)においては、図 1 (a)〜図 1 (e) に図示した構成要素と同様の構成要素には同じ参照符号を付している。
[0095] 図 5 (h)に示すように、第 4実施形態に係る電極形成方法により外部回路と接続す るための電極を形成した弾性表面波装置 4は、 1枚のウェハ状の圧電基板 101、 ID T電極 102、接続線 103、裏面電極 104、保護膜 105、枠体 106及び蓋体 107に加 えて、メツキ用下地層 408の残存部 408a、柱状電極 410、封止樹脂膜 411、保護層 412及び外部接続電極 413を備える。
[0096] 続いて、第 4実施形態に係る電極形成方法を順を追って説明する。 [0097] {メツキ用下地層形成工程 }
外部回路と接続するための電極を形成するのにあたっては、まず、図 5 (a)に示す ように、図 1 (e)に示す状態から、保護カバー 117が形成された圧電基板 101の上の 弾性表面波素子領域 192を覆うメツキ用下地層 408を形成する。
[0098] メツキ用下地層 408は、後述する柱状電極 410を構成する金属を電気的又は化学 的に析出させるために形成される。このため、メツキ用下地層 408には、柱状電極 41 0と同一材料を使用することが望ましい。なお、一般的には、銅（Cu)が用いられる。メ ツキ用下地層 408に銅を用いた場合、接続線 103を形成するアルミニウム—銅 (A1 -Cu)合金との密着性を考慮すると、クロム（Cr)やチタン (Ti)からなる密着層をアル ミニゥム一銅合金からなる接続線 103とメツキ用下地層 408との間に介在させることが 望ましい。
[0099] メツキ用下地層 408は、 lOOnm以上の厚さに形成することが望ましい。これは、柱 状電極 410を電気メツキ法で形成するときに、安定して電流を流すために必要な厚さ である。
[0100] メツキ用下地層 408は、柱状電極 410を形成する領域を含む圧電基板 101の全面 に、例えば、チタン—銅 (Ti Cu)等を用いて形成する。このようなメツキ用下地層 40 8を形成することにより、メツキ用下地層 408を介して、電気メツキ法によって銅等の金 属を厚く形成することができる。
[0101] メツキ用下地層 408を形成する方法は制限されないが、メツキ用下地層 408をフラ ッシュメツキ法により形成する場合には、メツキを形成すべき部分に電流を流すため の配線パターンを形成する必要がないため、弾性表面波装置 4の小型化が可能とな る。一方、フラッシュメツキ法により保護カバー 117を含む構造体の全面の上にメツキ 用下地層 408を形成する場合には、メツキが形成されない部分が段差の部分に生じ る可能性がある。これは、フラッシュメツキ法により形成されるメツキ下地層 408は、非 常に薄いため、大きな段差の部分においてステップカバレッジが充分でないからであ る。このこと力 、図 5 (a)に示すように、保護カバー 117を除く部分にメツキ下地層 40 8が形成されな!/、部分が生じるような大きな段差がな!/、ようにすることが望まし!/、。具 体的には、保護カバー 117を除く部分の段差は、メツキ用下地層 408の厚さの半分 以下の段差とすることが好ましい。例えば、メツキ用下地層 408の厚さが 0. 7 111で あるときは、段差を 0. 35 m以下とすればよい。これにより、たとえ、保護カバー 117 の部分の段差 (例えば、保護カバー 117の側面部 195)にメツキが形成されない部分 があり、蓋体 107の上面と接続線 103が形成されている面との導通がとれなくても、 柱上電極 410を形成する接続線 103が形成されている面の上のメツキ用下地層 408 は確実に電気的につながつている。このため、電気メツキ法で柱状電極 410を形成 する際に、メツキ用下地層 408に確実に電流を流すことができる。
[0102] {メツキ用レジスト膜形成工程 }
次に、図 5 (b)に示すように、保護カバー 117の外側に位置する接続線 103の上に 開口部 416を有するメツキ用レジスト膜 409をメツキ用下地層 408の上に形成する。
[0103] メツキ用レジスト膜 409は、例えば、スピンコート等の手法でメツキ用下地層 408の 上に形成される。なお、使用するレジスト液の粘度やスピンコートによる塗布回数によ り、メツキ用レジスト膜 409の厚さを数 ^ mから数 100 μ mまでの間でコントロールする ことが可能である。また、メツキ用レジスト膜 409の開口部 416は、一般的なフォトリソ グラフィ法により形成することが望まし!/、。
[0104] {柱上電極形成工程 }
次に、図 5 (c)に示すように、開口部 416の底に露出するメツキ用下地層 408の上 に、メツキ法により柱状電極 410を形成する。
[0105] 柱状電極 410は、電気メツキ法、無電解メツキ法、スタッドバンプ法等により形成す ること力 Sできる力 電気メツキ法により形成することが好適である。電気メツキ法によれ ば、メツキ膜の成長速度が速くメツキ膜を厚く形成しやすいことから、柱状電極 410の 高さの自由度を高めることができるからである。また、電気メツキ法によれば、メツキ下 地層 408との密着性が良好なものとなるからである。なお、メツキ膜の厚さはメツキ処 理時間で決定されるが、 30 mを超える厚さのメツキ膜を形成する場合には、成長 速度が速レ、電気メツキ法により形成することが好まし!/、。
[0106] 柱状電極 410の材料としては、例えば、半田、銅（Cu)、金（Au)、ニッケル（Ni)を 用いること力 Sできる。特に、柱状電極 410の材料として半田や銅を用いた場合には、 メツキの材料費を低減することができるため、弾性表面波装置 4を安価にすることがで きる。
[0107] {除去工程 }
次に、図 5 (d)に示すように、柱状電極 410を残し、メツキ用レジスト膜 409とメツキ用 下地層 408とを除去する。
[0108] メツキ用レジスト膜 409は、アセトンやイソプロピルアルコール (IPA)等の有機溶剤 やジメチルスルフォキシド等のアルカリ性有機溶剤で除去することができる。
[0109] メツキ用下地層 408は、例えば、銅からなる場合には、塩化第 2鉄の水溶液や燐酸 と過酸化水素水との混合液で除去することができる。一方、メツキ用下地層 408は、 例えば、チタンからなる場合には、希フッ酸の水溶液やアンモニアと過酸化水素水と の混合液で除去することができる。中でも、メツキ用下地層 408の下に形成されてい る酸化ケィ素（SiO )膜やアルミニウム 銅合金等からなる接続線 103へのダメージ を少なくするためには、アンモニアと過酸化水素水との混合液で除去することが望ま しい。
[0110] なお、上述のようにメツキ用レジスト膜 409を除去して柱状電極 410を露出させた後 にメツキ用下地層 408を除去しても、メツキ下地層 408は薄いので、柱状電極 410の 下に位置するメツキ用下地層 408は、外縁部が一部除去されるが、それ以外の残存 部 408aは残る。したがって、柱状電極 410を残すことができる。
[0111] {封止樹脂膜形成工程 }
次に、図 5 (e)に示すように、圧電基板 1の弾性表面波素子領域 192の上に、保護 カバー 117と柱状電極 410とを覆う封止樹脂膜 411を形成する。
[0112] 封止樹脂膜 411の材料としては、フィラーを混入させることにより熱膨張係数を圧電 基板 101とほぼ等しくなるように調整することができ、耐薬品性にも優れたエポキシ系 樹脂が好適である。特に、線膨張係数が圧電基板 101に近いエポキシ系樹脂を使 用したり、弾性率が低いエポキシ系樹脂を使用したりして、圧電基板 101に加わる応 力を少なくすることが望ましレ、。
[0113] また、封止樹脂膜 411に気泡が混入すると安定して保護カバー 117を含む構造体 を封止することができないので、真空印刷法により封止樹脂膜 411を印刷することも 好ましい。 [0114] なお、封止樹脂膜 411の厚さは、柱状電極 410が覆われる程度が望ましい。
[0115] {柱状電極露出工程 }
次に、図 5 (f)に示すように、封止樹脂膜 411の上面を研磨して、柱状電極 410を 露出させる。
[0116] 具体的には、封止樹脂膜 411の上面を、グラインダーにより研磨刃を用いて柱状電 極 410が露出するまで研磨する。後述する外部接続電極 413と柱状電極 410とを良 好に接続するために、パフ研磨等により仕上げ加工を加えても良い。
[0117] {外部接続電極形成工程 }
次に、図 5 (h)に示すように、柱状電極 410の上面に外部接続電極 413を形成する
[0118] 外部接続電極 413は、鉛スズ (PbSn)半田、鉛（Pb)フリー半田、金スズ (AuSn)半 田、金ゲルマニウム（AuGe)半田等の半田を用いて形成したバンプであってもよ!/、し 、導電材料で薄膜を形成することにより形成したフラットなパットであってもよい。例え ば、クリーム半田を柱状電極 410の上部にスクリーン印刷してリフローすることにより 外部接続電極 413を形成することができる。
[0119] {弹性表面波装置の実装 }
このようなメツキ用下地層形成工程、メツキ用レジスト膜形成工程、柱状電極形成ェ 程、除去工程、封止樹脂膜形成工程、柱状電極露出工程、外部接続電極形成工程 を経ることで、表面実装可能な弾性表面波装置 4を提供することができる。さらに、封 止樹脂 411の上面に露出する柱状電極 410の上に外部接続電極 413を形成するこ とで、さらに実装の容易な弾性表面波装置とすることができる。
[0120] 第 4実施形態に係る電極形成方法によれば、弾性表面波装置 4をウェハレベルで 製造することができるので、複雑な工程を経ることなく弾性表面波装置 4を提供するこ と力 Sできる。また、第 4実施形態に係る電極形成方法によれば、弾性表面波装置 4を 実装する実装基板に応じて外部接続電極 413を形成する材料を選択することができ るので、弾性表面波装置 4と実装基板との接合信頼性を向上することができる。
[0121] 加えて、第 4実施形態に係る電極形成方法を用いて製造した弾性表面波装置 4を 分波器に使用した場合、柱状電極 410を放熱用電極としても用いることができる。し たがって、 IDT電極 102における発熱箇所の近傍に柱状電極 410を配置することに より、放熱性に優れた弾性表面波装置 4を提供することができる。 IDT電極 102にお ける発熱箇所は、使用周波数、 IDT電極 102が複数個ある場合にはその接続方法 によっても異なる力 弾性表面波装置 4が共振子の場合には IDT電極 102の中心部 分付近となる。また、この柱状電極 410の配置、本数、径を工夫することで、放熱性を 向上すること力 Sでさる。
[0122] {保護層形成工程 }
弾性表面波装置 4の製造において、圧電基板 101の下面に、封止樹脂膜 411と熱 膨張係数が略同一の材料からなる保護層 412を形成する工程をさらに設けてもよい 。なお、図 5 (a)〜図 5 (h)は、柱状電極露出工程と外部接続用電極形成工程との間 にこのような保護層形成工程を設けた場合の電極形成方法を示している。
[0123] このような保護層形成工程により、 IDT電極 102が形成されていない圧電基板 101 の下面が保護層 412で保護された構造となるので、製造時及び製造後における弾性 表面波装置 4の耐衝撃性を向上することができる。そのため、弾性表面波装置 4の割 れ、カケ等の不良を発生を抑制し、歩留まりを向上し、弾性表面波装置 4の信頼性を 向上すること力 Sでさる。
[0124] なお、保護層 412を圧電基板 101の下面から側面にかけて形成した場合には、圧 電基板 101の下面及び側面が保護された構造となるので、圧電基板 101と封止樹脂 41 1との界面から水分が浸入することを抑制し、気密性、耐湿性を向上させた弾性表 面波装置 4を実現することができる。
[0125] また、封止樹脂膜 411と熱膨張係数が略同一の材料を圧電基板 101の下面の保 護層 412に用いるため、製造工程における封止樹脂膜 411による応力を緩和するこ とができ、圧電基板 101に反りを発生させることなぐ弾性表面波装置 4の信頼性を 向上させること力 Sでさる。
[0126] なお、このような保護層形成工程は、上述の IDT電極形成工程の前から外部接続 電極形成工程の後の間に適宜追加すればよいが、圧電基板 101の上面に封止樹脂 膜 41 1を形成する封止樹脂膜形成工程以降に設ければ、圧電基板 101と封止樹脂 膜 41 1との間の熱膨張係数の違いにより圧電基板 101に加わる応力を圧電基板 10 1の上面と下面とで打ち消すことができる。特に、図 5 (g)に示すように、保護層形成 工程を柱上電極露出工程と外部接続電極形成工程との間に設けると、圧電基板 10 1の反りに起因するプロセスの不具合ゃ圧電基板 101にかかるストレス (応力）を低減 すること力 Sでき、弾性表面波装置 4の信頼性を向上することができる。
[0127] 保護層 412の材料は、封止樹脂膜 41 1と熱膨張係数が略同一であれば限定され ないが、エポキシ系樹脂とすることが好適である。エポキシ系樹脂とすれば、酸化ケィ 素（SiO )等のフィラーを添加することにより熱膨張係数をコントロールすることができ るため、圧電基板 101に加わる応力を圧電基板 101の上面と下面とで打ち消すこと 力 Sできる力、らである。また、エポキシ系樹脂とすれば、透湿性が低ぐかつ、吸水性が 高いため、弾性表面波装置 4への水分の浸入を抑制することができるからである。
[0128] {柱状電極の高さ }
柱状電極形成工程においては、図 5 (d)に示すように、柱状電極 410を保護カバー 1 1 7よりも高くなるように形成し、柱状電極露出工程においては、図 5 (f)に示すように 、保護カバー 1 1 7が封止樹脂膜 41 1に覆われた状態で封止樹脂膜 41 1の上面に柱 状電極 410を露出させることが望ましい。このようにすることで、柱状電極露出工程を 経た後において、柱状電極 410の最上部の高さが、保護カバー 1 1 7の最上部の高さ より高くなるようにすること力できる力、らである。ここで、柱状電極 410及び保護カバー 1 1 7の高さとは、弾性表面波素子領域 192からの高さをいう。これにより、柱状電極 露出工程で封止樹脂膜 41 1を研磨しても、保護カバー 1 1 7の蓋体 107の部分が露 出したり研磨されたりすることがなくなるので、弾性表面波装置 4が励振する弾性表面 波の振動空間 193を確保するための保護カバー 1 1 7の気密性を十分に確保するこ と力 Sできる。
[0129] {メツキ用レジスト膜の形成 }
メツキ用レジスト膜形成工程にお!/、ては、レジスト材料の塗布及び硬化を複数回繰 り返すことによりメツキ用レジスト膜 409を形成することが望ましい。このように複数回 に分けてメツキ用レジスト膜 409を形成することにより、被覆性や取り扱い性等に考慮 して調整したレジスト材料を用いて、所望の厚さのメツキ用レジスト膜 409を形成する こと力 Sでさる。また、メツキ用レジスト膜 409を所望の厚さに形成することができるように なる結果、所望の高さの柱状電極 410を形成することが可能になる。特に、保護カバ 一 117の最上部とほぼ同じ高さになるまでレジスト材料の塗布及び硬化を行い、保護 カバー 117による大きな段差を埋めて平坦な面を得た後に、所望の厚さを得るように さらにレジスト材料の塗布及び硬化を繰り返すようにすれば、メツキ用レジスト膜 409 の上面を平坦にすることができるので好ましレ、。
[0130] <第 5実施形態〉
第 5実施形態は、第 1実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法及び第 2実施形 態に係る電極形成方法により製造することができる弾性表面波装置 5に関する。
[0131] 図 6は、弾性表面波装置 5における複数個の IDT電極 520〜525, 530、複数個の 導体パターン 533〜538等の配置を示す平面図である。図 6は、弾性表面波装置 5 の各部の位置関係の理解を助けるための模式図である。また、図 6においては、枠体 506の部分にハッチングを付して!/、る。
[0132] 図 6に示すように、弾性表面波装置 5は、圧電基板 501と、 IDT電極 520〜525, 5 30と、反射器電極 526〜529と、第 1導体ノ ターン 533, 538と、第 2導体ノ ターン 5 34〜537と、絶縁層 539〜542と、人力端子 550と、出力端子 551 , 552と、グランド 端子 553, 554と、接続泉 57；!〜 575とを備免る。
[0133] {弹性表面波素子 }
弾性表面波素子領域 592には、複数個の IDT電極 520〜525, 530が形成されて いる。
[0134] 3個の IDT電極 520〜522及びその両側に配置された 2個の反射器電極 526, 52 7は、弾性表面波素子 531を構成し、 3個の IDT電極 523〜525及びその両側に配 置された 2個の反射器電極 528, 529は、弾性表面波素子 532を構成している。
[0135] 弾性表面波装置 5では、圧電基板 601の上に、 IDT電極 530に並列接続された弹 性表面波素子 531 , 532を配置する。これらの弾性表面波素子 531 , 532は、縦結 合共振器となる。
[0136] 弾性表面波素子 531 , 532は、 IDT電極 530を介して、不平衡信号が入力される 入力端子 550に並列に接続されている。入力端子 550に接続された左右の IDT電 極 520, 522及び左右の IDT電極 523, 525は、互いに対向させられた一対の櫛歯 状電極の間に電界を印加され、弾性表面波を励振する。このように励振された弾性 表面波は、中央の IDT電極 521 , 524にまで伝播させられる。また、中央の IDT電極 521における信号の位相は、中央の IDT電極 524における信号の位相に対して、 18 0° 異なった逆相となっている。したがって、弾性表面波装置 5では、最終的に、中央 の IDT電極 521 , 524のそれぞれの一方の櫛歯状電極から出力端子 551 , 552へ 信号が伝わり、当該信号が平衡信号となり出力される。弾性表面波装置 5では、この ような構成により、平衡—不平衡変換機能を実現している。
[0137] {端子}
入力端子 550、出力端子 551 , 552及びグランド端子 553, 554の上には、弾性表 面波装置 4の柱状電極 410と同様の柱状電極（不図示）が形成され、外部回路と接 続される。
[0138] {枠体}
枠体 506 (ま、 IDT電極 520〜525, 530及び導体ノ ターン 533〜538を囲むよう ίこ 配置される。弾性表面波装置 4と同様に、枠体 506の上面には蓋体（不図示）が載置 され、当該蓋体は枠体 506と接合されている。枠体 506及び当該蓋体は、封止用の 保護カバーを形成する。
[0139] {接続線}
接続泉 57；!〜 575は、枠体 506の外側に引き出され、それぞれ、入力端子 550、 出力端子 551 , 552及びグランド端子 553, 554に接続されている。接続線 57；!〜 5 73は、人力端子 550及び出力端子 551 , 552と IDT電極 530, 521 , 524とをそれ ぞれ接続する。接続線 574, 575は、第 1導体パターン 533, 538を介して IDT電極 520〜525を接地する。
[0140] 接続線 57；!〜 575は、 IDT電極 520〜525, 530を外部回路と接続するために、 I DT電極 520〜525, 530ίこ接続されてレヽる。接続泉 57；!〜 575ίこ (ま、 (i)外 回路 への接続端子となる人力端子 550や出力端子 551 , 552と IDT電極 530, 521 , 52 4とを接続する接続泉 57；!〜 573のように、 IDT電極 530, 521 , 524に直接接続さ れた一群だけでなぐ (ii)第 1導体パターン 533, 538を介して外部回路への接続端 子となるグランド端子 553, 554と IDT電極 520〜525とを接続する接続泉 574,575 のように、 IDT電極 520〜525と外部回路とを間接的に接続する一群も含まれる。
[0141] {導体パターン }
図 6に示すように、弾性表面波素子領域 592には、 IDT電極 520〜525, 530に接 続された複数個の導体パターン 533〜538が形成されている。複数個の導体パター ン 533〜538は、第 1導体ノ ターン 533, 538と、第 1導体ノ ターン 533, 538と絶縁 層 539〜542を介して交差する第 2導体パターン 534〜537とを含む。
[0142] このように第 1導体パターン 533, 538と第 2導体パターン 534〜537とを交差させ ることにより、導体パターン 533〜538の配線の自由度を向上することができるので、 IDT電極 530と IDT電極 520〜525との間（段間）を狭め、両者を近接配置すること ができる。これにより、 IDT電極 520〜525, 530が形成される領域が占める面積を 最小化することができ、小型の弾性波表面装置 5を実現することができる。
[0143] さらに、第 1導体パターン 533, 538と第 2導体パターン 534〜547とが交差する導 体パターン交差部は、導体である第 1導体パターン 533, 538と第 2導体パターン 53 4〜547との間に絶縁層 539〜542を介させて構成されている。このため、導体パタ ーン交差部には、第 1導体パターン 533, 538と第 2導体パターン 534〜547との間 に容量を持たせる容量形成部 543〜546を設けることができる。容量形成部 543〜5 46は、 IDT電極 520〜525, 530や導体ノ ターン 534〜538の酉己置により寄生容量 が発生すると、平衡信号を出力する出力端子 551 , 552に伝わる信号の振幅が互い に異なったり、位相が逆相からずれてしまって平衡度が劣化したりすることがあること を考慮して設けられている。すなわち、 IDT電極 530と第 1及び第 2の弾性表面波素 子 531 , 532との間に形成された容量形成部 543〜546により、寄生容量による影響 を打ち消すように、等価回路上導入される容量を弾性表面波素子 531 , 532におい て調整することが可能となり、振幅平衡度及び位相平衡度を向上することができる。 このため、容量形成部 543〜546により、弾性表面波装置 5の電気特性を向上するこ と力 Sできる。また、容量形成部 543〜546のキャパシタンスと柱状電極及び導体バタ ーン 533〜538によるインダクタンスとを適切に選択することにより、弾性表面波装置 5の通過帯域外減衰量を増加させたり、弾性表面波装置 5の電気特性を向上したり すること力 Sでさる。 [0144] さらに、 IDT電極 520〜525, 530同士を接続する導体パターン 533〜538の配線 を図 6のようにすることで、 IDT電極 520〜525を構成する櫛歯状電極のうち段間側 に位置する方を接地する場合でも、当該櫛歯状電極を確実に外部回路との接続の ための接続線 574, 575に接続し、確実に保護カバーの外側に引き出すことができ る。このため、複数個の IDT電極 520〜525, 530を 1つの保護カバーで封止しても 、外部回路との接続を確保することができるので、個々の IDT電極 520〜525, 530 をそれぞれ保護カバーで覆う場合に比べて弾性表面波素子領域 592の面積を大幅 に減少させること力 Sできる。さらに、振動空間を封止した状態で外部回路との接続を 確保することができるので、電気特性が劣化しな!/ヽ弹性表面波装置 5を提供すること ができる。
[0145] {導体パターンの形成 }
図 7は、導体パターン 533〜538の形成方法を説明する図である。図 7 (a)及び図 7 (b)は、形成中の導体パターン交差部の断面図となっており、図 7 (c)は、形成後の 導体パターン交差部の断面図となっている。図 7 (a)〜図 7 (c)は、導体パターン交差 部の各部の位置関係の理解を助けるための模式図である。
[0146] 導体パターンの形成にあたっては、まず、図 7 (a)に示すように、 IDT電極形成工程 において、接続線 57；!〜 575を形成する際に同時に、下部に位置する第 2導体バタ ーン 534〜537を形成する。次に、図 7 (b)に示すように、弾性表面波素子領域 592 の上に、酸化シリコン、ポリイミド系樹脂、 BCB系樹脂、 SOG (Spin On Grass)等を絶 縁材料として用いて、スピンコート法によって膜を形成し、通常のエッチング処理でパ ターユングして絶縁層 539〜542を形成する。次に、図 7 (c)に示すように、絶縁層 5 39〜542の上を跨ぐように第 1導電パターン 533, 538を形成する。なお、第 1導電 パターン 533, 538及び第 2導電パターン 534〜537は、前述した接続線 103と同様 の材料を用いて同様の工程で形成すればよい。上述の絶縁層 539〜542の材料の 中でも、酸化シリコンやポリイミド系樹脂は、 300°C以上の温度でも安定である。この ため、絶縁層 539〜542の材質をこれらにしたときには、弾性表面波装置 5を実装す る際に高熱となっても、安定して第 1導体パターン 533, 538と第 2導体パターン 534 〜 537との電気的な絶縁状態を確保することができるので、信頼性の高い弾性表面 波装置 5を提供することができ好まし!/、。
[0147] <第 6実施形態〉
第 6実施形態は、弾性表面波装置の製造方法に関する。
[0148] 図 8は、第 6実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法を説明する図である。図 8
(a)は、弾性表面波装置 4の仕掛品の断面図、図 8 (b)は、弾性表面波装置 4の断面 図となっている。図 8 (a)及び図 8 (b)は、弾性表面波装置 4の仕掛品又は弾性表面 波装置 4の各部の位置関係の理解を助けるための模式図である。
[0149] 第 6実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法では、まず、図 8 (a)に示すように 、第 1実施形態の弾性表面波装置の製造方法の各工程及び第 4実施形態の電極形 成方法の各工程と同様の工程を経て、 1枚のウェハ状の圧電基板 101の上に弾性 表面波素子領域 192を複数個形成する。次に、図 8 (b)に示すように、圧電基板 101 を、各々の弾性表面波素子領域 192に分離して弾性表面波装置 1を複数個形成す る。これにより、 WLPタイプの弾性表面波装置 4を同時に複数個製造することができ 、従来のように弾性表面波素子装置ごとにパッケージ (保護筐体)を準備し、ダイシン グ工程を経てチップ化された弾性表面波素子を個別に組み立てる必要がなくなる。 このため、処理能力の小さいダイポンダー、シーム溶接機等の組立装置が不要となり 、大幅な製造工程の簡略化を達成することができ、量産性を高めることができる。
[0150] なお、このような各々の弾性表面波素子領域 191に分離する工程は、弾性表面波 装置 4を形成する一番最後に設けることが好ましい。これにより、各弾性表面波素子 領域 192ごとに分離した時点で、表面実装可能な弾性表面波装置 4を複数個製造 できる。
[0151] また、圧電基板 101上に複数個の弾性表面波素子領域 192を形成すると、蓋体 10 7を形成する工程を経た時点では、段差部となる保護カバー 117は孤立しており、そ れ以外の面はほぼ段差のない面となっている。このため、メツキ用下地層 408を形成 する工程において、柱状電極 410を形成する位置のメツキ用下地層 408は、圧電基 板 101に形成された複数個の弾性表面波素子領域 192の全てでつながっているも のとすることができる。その結果、複数個の弾性表面波素子領域 192の全てに、確実 に柱状電極 410を積層させることができ、生産性を向上することができる。 [0152] この第 6実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法によれば、小型で低背化され た弾性表面波装置 4を実現することができ、耐衝撃性にも優れた信頼性の高!/、弾性 表面波装置 4を実現することができる。
[0153] <その他〉
なお、本発明は以上の実施形態に限定されるものではなぐ本発明の要旨を逸脱 しなレ、範囲で種々の変更を加えることは何ら差し支えなレ、。
[0154] 例えば、実施形態においては、 1つの弾性表面波装置の内に 1つの保護カバーを 設けた例につ!/、て説明したが、 1つの弾性表面波装置の内に複数個の保護カバー を設けてもよい。図 6に示す弾性表面波素子領域 592を例にとれば、 IDT電極 530と 弾性表面波素子 31 , 32とで保護カバーを別個のものとしてもょレ、。

Claims

請求の範囲 [1] 弾性表面波装置の製造方法であって、 (a)圧電基板の上面に IDT電極を形成する工程と、 (b)前記圧電基板の上に前記 IDT電極が形成された形成領域を囲む枠体を形成 する工程と、 (c)前記枠体の上面にフィルム状の蓋体を載置して前記枠体と接合することにより、 前記形成領域を覆うとともに前記形成領域との間に密閉空間を設けるための、前記 枠体と前記蓋体とで構成される保護カバーを形成する工程と、 を有する弾性表面波装置の製造方法。 [2] 請求項 1に記載の弾性表面波装置の製造方法にお!/、て、 前記工程 (b)は、
(b-1)第 1フィルムを前記圧電基板の上に載置する工程と、
(b-2)フォトリソグラフィ法により前記第 1フィルムをパターユングした後に硬化させて 前記枠体を形成する工程と、
を有する弾性表面波装置の製造方法。
[3] 請求項 2に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
前記枠体と前記蓋体とは同一材質である、
弾性表面波装置の製造方法。
[4] 請求項 1に記載の弾性表面波装置の製造方法にお!/、て、
前記工程 (c)は、
(c-1)樹脂層と前記樹脂層に比べヤング率の高い保持層とを含む第 2フィルムを前 記枠体の上面に前記保持層が上側となるように載置する工程と、
(c-2)フォトリソグラフィ法により前記第 2フィルムをパターユングした後に硬化させて 前記蓋体を形成する工程と、
(c-3)前記枠体と前記蓋体とを接合させた後に前記第 2フィルムの前記保持層を除 去する工程と、
を有する弾性表面波装置の製造方法。
[5] 請求項 1に記載の弾性表面波装置の製造方法にお!/、て、 (d)前記工程 (a)の後であって前記工程 (b)の前に、前記 IDT電極を覆う絶縁材料か らなる保護膜を形成する工程、
をさらに有し、
前記工程 (b)において、前記保護膜の上面に前記枠体を形成する、
弾性表面波装置の製造方法。
[6] 請求項 1に記載の弾性表面波装置の製造方法にお!/、て、
弾性表面波装置は、
前記 IDT電極と外部回路とを接続するための接続線、
をさらに有し、
前記接続線の一部が前記枠体の外側に延在する、
弾性表面波装置の製造方法。
[7] 請求項 6に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
(e)前記保護カバーが形成された 1枚のウェハ状の前記圧電基板を覆うメツキ用下 地層を形成する工程と、
(ί)前記保護カバーの外側に位置する前記接続線の上に開口部を有するメツキ用 レジスト膜を前記メツキ用下地層の上に形成する工程と、
(g)前記開口部の底に露出する前記メツキ用下地層の上に、メツキ法により柱状電 極を形成する工程と、
(h)前記柱状電極を残し、前記メツキ用レジスト膜と前記メツキ用下地層とを除去す る工程と、
(0前記圧電基板の上に、前記保護カバーと前記柱状電極とを覆う封止樹脂膜を 形成する工程と、
0)前記封止樹脂膜の上面を研削して、前記柱状電極を露出させる工程と、 をさらに有する、
弾性表面波装置の製造方法。
[8] 請求項 7に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
(1)前記圧電基板の下面に、前記封止樹脂膜と熱膨張係数が略同一の材料からな る保護層を形成する工程、 さらに有する弾性表面波装置の製造方法。
請求項 7に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
前記工程 (j)を経た後において、前記柱状電極の最上部の高さが、前記保護カバー の最上部の高さより高くなる、
弾性表面波装置の製造方法。
請求項 7に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
前記工程 0)において、
レジスト材料の塗布及び硬化を複数回繰り返すことにより前記メツキ用レジスト膜を 形成する、
弾性表面波装置の製造方法。
請求項 6に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
弾性表面波装置は、
複数個の前記 IDT電極を有するとともに、
前記 IDT電極に接続された複数個の導体パターン、
をさらに有し、
前記複数個の導体パターンは、
第 1導体パターンと、
絶縁層と、
前記第 1導体パターンと前記絶縁層を介して交差する第 2導体パターンと、 を有する、
弾性表面波装置の製造方法。
請求項 11に記載の弾性表面波装置の製造方法にお!/、て、
前記絶縁層の材質は、酸化シリコン又はポリイミド系樹脂である、
弾性表面波装置の製造方法。
請求項 1に記載の弾性表面波装置の製造方法にお!/、て、
1枚のウェハ状の前記圧電基板の上に前記 IDT電極を含む弾性表面波素子領域 が複数個形成され、
(m)前記圧電基板を、各々の前記弾性表面波素子領域に分離して弾性表面波装 置を複数個形成する工程、 をさらに有する、
弾性表面波装置の製造方法。
PCT/JP2007/065435 2006-08-07 2007-08-07 Procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de surface WO2008018452A1 (fr)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007800294215A CN101501989B (zh) 2006-08-07 2007-08-07 弹性表面波装置的制造方法
US12/376,546 US9021669B2 (en) 2006-08-07 2007-08-07 Method for manufacturing surface acoustic wave apparatus
JP2008528827A JP5258566B2 (ja) 2006-08-07 2007-08-07 弾性表面波装置の製造方法
US14/704,716 US9882540B2 (en) 2006-08-07 2015-05-05 Method for manufacturing surface acoustic wave apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006-214162 2006-08-07
JP2006214162 2006-08-07

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US12/376,546 A-371-Of-International US9021669B2 (en) 2006-08-07 2007-08-07 Method for manufacturing surface acoustic wave apparatus
US14/704,716 Continuation US9882540B2 (en) 2006-08-07 2015-05-05 Method for manufacturing surface acoustic wave apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2008018452A1 true WO2008018452A1 (fr) 2008-02-14

Family

ID=39032982

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2007/065435 WO2008018452A1 (fr) 2006-08-07 2007-08-07 Procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de surface

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9021669B2 (ja)
JP (4) JP5258566B2 (ja)
CN (1) CN101501989B (ja)
WO (1) WO2008018452A1 (ja)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009065077A (ja) * 2007-09-10 2009-03-26 Panasonic Corp 電子部品パッケージ構造
JP2009200996A (ja) * 2008-02-25 2009-09-03 Panasonic Corp 弾性表面波デバイス
JP2009212760A (ja) * 2008-03-04 2009-09-17 Panasonic Corp 弾性表面波デバイス
WO2009157587A1 (ja) * 2008-06-27 2009-12-30 京セラ株式会社 弾性波装置
JP2010213016A (ja) * 2009-03-10 2010-09-24 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波素子の製造方法及び弾性表面波素子
EP2246979A1 (en) * 2008-02-18 2010-11-03 Murata Manufacturing Co. Ltd. Elastic wave device and method for manufacturing the same
JP2010278971A (ja) * 2009-06-01 2010-12-09 Murata Mfg Co Ltd 弾性波装置
JP2010278972A (ja) * 2009-06-01 2010-12-09 Murata Mfg Co Ltd 弾性波装置
JP2013243570A (ja) * 2012-05-22 2013-12-05 Panasonic Corp 弾性波装置
JP2014161095A (ja) * 2006-08-07 2014-09-04 Kyocera Corp 弾性波装置の製造方法
WO2015041153A1 (ja) * 2013-09-20 2015-03-26 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
JP2017022744A (ja) * 2016-09-07 2017-01-26 太陽誘電株式会社 弾性波フィルタ及びモジュール
KR20170072326A (ko) 2014-12-04 2017-06-26 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치의 제조 방법 및 탄성파 장치
JP2018129798A (ja) * 2017-01-24 2018-08-16 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. 音響的に分離された多チャンネルフィードバックを備えた弾性波デバイス
CN111081861A (zh) * 2019-12-11 2020-04-28 深圳市麦捷微电子科技股份有限公司 基于环氧树脂膜抗热失配的晶圆级封装芯片及其制备方法
CN111384923A (zh) * 2020-04-09 2020-07-07 中国电子科技集团公司第二十六研究所 一种小型化格型晶体滤波器

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9430074B2 (en) 2008-01-04 2016-08-30 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US9612659B2 (en) 2008-01-04 2017-04-04 Tactus Technology, Inc. User interface system
US8947383B2 (en) 2008-01-04 2015-02-03 Tactus Technology, Inc. User interface system and method
US8547339B2 (en) 2008-01-04 2013-10-01 Tactus Technology, Inc. System and methods for raised touch screens
US9760172B2 (en) 2008-01-04 2017-09-12 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US9274612B2 (en) 2008-01-04 2016-03-01 Tactus Technology, Inc. User interface system
US8456438B2 (en) 2008-01-04 2013-06-04 Tactus Technology, Inc. User interface system
US8243038B2 (en) 2009-07-03 2012-08-14 Tactus Technologies Method for adjusting the user interface of a device
US9298261B2 (en) 2008-01-04 2016-03-29 Tactus Technology, Inc. Method for actuating a tactile interface layer
US9588683B2 (en) 2008-01-04 2017-03-07 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US9552065B2 (en) 2008-01-04 2017-01-24 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US8922510B2 (en) 2008-01-04 2014-12-30 Tactus Technology, Inc. User interface system
US9063627B2 (en) 2008-01-04 2015-06-23 Tactus Technology, Inc. User interface and methods
US8922503B2 (en) 2008-01-04 2014-12-30 Tactus Technology, Inc. User interface system
US8553005B2 (en) 2008-01-04 2013-10-08 Tactus Technology, Inc. User interface system
US9720501B2 (en) 2008-01-04 2017-08-01 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US9052790B2 (en) 2008-01-04 2015-06-09 Tactus Technology, Inc. User interface and methods
US9128525B2 (en) 2008-01-04 2015-09-08 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US9423875B2 (en) 2008-01-04 2016-08-23 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface with exhibiting optical dispersion characteristics
US8922502B2 (en) 2008-01-04 2014-12-30 Tactus Technology, Inc. User interface system
US9557915B2 (en) 2008-01-04 2017-01-31 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US8570295B2 (en) 2008-01-04 2013-10-29 Tactus Technology, Inc. User interface system
US8154527B2 (en) 2008-01-04 2012-04-10 Tactus Technology User interface system
US9588684B2 (en) 2009-01-05 2017-03-07 Tactus Technology, Inc. Tactile interface for a computing device
CN105260110A (zh) 2009-07-03 2016-01-20 泰克图斯科技公司 用户界面增强系统
US9239623B2 (en) 2010-01-05 2016-01-19 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US8619035B2 (en) 2010-02-10 2013-12-31 Tactus Technology, Inc. Method for assisting user input to a device
JP5468940B2 (ja) * 2010-03-03 2014-04-09 セイコーインスツル株式会社 パッケージの製造方法
US20120314390A1 (en) * 2010-03-03 2012-12-13 Mutual-Tek Industries Co., Ltd. Multilayer circuit board
WO2011112984A1 (en) 2010-03-11 2011-09-15 Tactus Technology User interface system
KR20130141344A (ko) 2010-04-19 2013-12-26 택투스 테크놀로지, 아이엔씨. 촉각 인터페이스층의 구동 방법
KR20130136905A (ko) 2010-04-19 2013-12-13 택투스 테크놀로지, 아이엔씨. 사용자 인터페이스 시스템
DE112011100580B4 (de) * 2010-05-13 2017-02-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Vorrichtung für elastische Wellen
CN103109255A (zh) 2010-10-20 2013-05-15 泰克图斯科技公司 用户接口系统
KR20140043697A (ko) 2010-10-20 2014-04-10 택투스 테크놀로지, 아이엔씨. 사용자 인터페이스 시스템 및 방법
JP5688149B2 (ja) * 2011-07-29 2015-03-25 京セラ株式会社 弾性波装置を有する電子部品
US20130155630A1 (en) * 2011-12-20 2013-06-20 Esat Yilmaz Touch Sensor with Passive Electrical Components
CN104662497A (zh) 2012-09-24 2015-05-27 泰克图斯科技公司 动态触觉界面和方法
US9405417B2 (en) 2012-09-24 2016-08-02 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface and methods
DE102013102217B4 (de) 2013-03-06 2015-11-12 Epcos Ag Mikroakustisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
US9557813B2 (en) 2013-06-28 2017-01-31 Tactus Technology, Inc. Method for reducing perceived optical distortion
WO2015157957A1 (zh) * 2014-04-17 2015-10-22 中国科学院微电子研究所 一种对硅酸镓镧晶片进行清洗的方法
JP6327355B2 (ja) * 2014-10-17 2018-05-23 株式会社村田製作所 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法
KR101979141B1 (ko) * 2015-05-18 2019-05-15 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성 표면파 장치, 고주파 모듈 및 탄성 표면파 장치의 제조 방법
DE102016114566A1 (de) * 2015-08-10 2017-02-16 Bürkert Werke GmbH Folienwandler und Aktorstreifen für einen Folienwandler
US10447411B2 (en) * 2015-08-25 2019-10-15 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Acoustic wave device and method of manufacturing the same
WO2017073317A1 (ja) * 2015-10-27 2017-05-04 株式会社村田製作所 圧電デバイス、及び圧電デバイスの製造方法
CN109417374B (zh) * 2016-07-01 2022-07-22 株式会社村田制作所 弹性波装置以及电子部件
WO2018198952A1 (ja) 2017-04-24 2018-11-01 株式会社村田製作所 フィルタ装置およびその製造方法
CN110771037B (zh) * 2017-06-23 2023-09-12 株式会社村田制作所 弹性波装置、前端电路以及通信装置
JP6702438B2 (ja) * 2017-06-30 2020-06-03 株式会社村田製作所 弾性波装置
KR102064380B1 (ko) 2018-06-22 2020-01-10 (주)와이솔 표면 탄성파 소자 패키지 및 그 제조 방법
CN109088614A (zh) * 2018-06-28 2018-12-25 深圳华远微电科技有限公司 声表面波滤波器及其封装方法和电子设备
IT201900002481A1 (it) * 2019-02-20 2020-08-20 Ask Ind Spa Metodo di realizzazione di un sensore microfonico piezoelettrico con struttura a pilastri.
CN112055468B (zh) * 2020-09-14 2021-08-06 珠海市晶昊电子科技有限公司 一种电路板上覆盖膜的处理方法
US20230069327A1 (en) * 2021-08-27 2023-03-02 Skyworks Solutions, Inc. Packaged surface acoustic wave device with conductive pillar

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10112624A (ja) * 1996-10-08 1998-04-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波デバイスの製造方法
JPH10270975A (ja) * 1996-03-08 1998-10-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品とその製造方法
JPH10275811A (ja) * 1997-03-31 1998-10-13 Shinko Electric Ind Co Ltd バンプの形成方法およびめっき装置
JP2004282707A (ja) * 2003-02-24 2004-10-07 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ、通信機
JP2005038980A (ja) * 2003-07-18 2005-02-10 Casio Comput Co Ltd 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4218532A (en) * 1977-10-13 1980-08-19 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Photolithographic technique for depositing thin films
JPS57118419A (en) * 1981-01-14 1982-07-23 Fujitsu Ltd Flat pack type oscillating circuit parts
JP2756184B2 (ja) * 1990-11-27 1998-05-25 株式会社日立製作所 電子部品の表面実装構造
JPH0590872A (ja) * 1991-09-27 1993-04-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 表面弾性波素子
JPH07303023A (ja) 1994-05-07 1995-11-14 Toko Inc 表面弾性波共振器
JPH09172339A (ja) 1995-12-19 1997-06-30 Kokusai Electric Co Ltd 弾性表面波装置及びその製造方法
EP0794616B1 (en) * 1996-03-08 2003-01-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. An electronic part and a method of production thereof
JP3225906B2 (ja) 1997-11-14 2001-11-05 日本電気株式会社 表面弾性波素子の実装構造および実装方法
JPH11233691A (ja) * 1998-02-18 1999-08-27 Sharp Corp 半導体装置
JP3677409B2 (ja) 1999-03-05 2005-08-03 京セラ株式会社 弾性表面波装置及びその製造方法
JP2001244786A (ja) 2000-03-01 2001-09-07 Kyocera Corp 弾性表面波装置
JP2001308546A (ja) * 2000-04-26 2001-11-02 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 電子部品用多層配線基板及びその製造方法
JP2002261582A (ja) 2000-10-04 2002-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波デバイスおよびその製造方法ならびにそれを用いた回路モジュール
JP2002184698A (ja) * 2000-12-18 2002-06-28 Murata Mfg Co Ltd 電子部品の製造方法
JP4691787B2 (ja) * 2001-01-15 2011-06-01 パナソニック株式会社 Ｓａｗデバイス
JP3520853B2 (ja) * 2001-01-26 2004-04-19 株式会社村田製作所 弾性表面波素子及びその製造方法
KR20050044799A (ko) 2002-08-28 2005-05-12 실리콘 라이트 머신즈 코포레이션 비실리콘계 소자용 웨이퍼 레벨의 시일
JP2004096255A (ja) * 2002-08-29 2004-03-25 Kyocera Corp 弾性表面波装置の製造方法
JP2004253937A (ja) * 2003-02-19 2004-09-09 Toyo Commun Equip Co Ltd 弾性表面波フィルタとその製造方法
JP2004274574A (ja) * 2003-03-11 2004-09-30 Toyo Commun Equip Co Ltd 弾性表面波装置とその製造方法
JP2005033689A (ja) 2003-07-11 2005-02-03 Toyo Commun Equip Co Ltd 弾性表面波装置及びその製造方法
JP2005085898A (ja) * 2003-09-05 2005-03-31 Toyota Motor Corp プリント配線基板の製造方法
JP4576849B2 (ja) * 2004-03-01 2010-11-10 パナソニック株式会社 集積回路装置
JP2005295363A (ja) * 2004-04-02 2005-10-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波体
EP1737126A4 (en) 2004-04-16 2008-01-16 Epson Toyocom Corp SURFACE WAVE FILTER OF BALANCED TYPE
US7389570B2 (en) * 2004-06-28 2008-06-24 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device manufacturing method, surface acoustic wave device, and communications equipment
EP1768256B1 (en) * 2004-07-14 2017-01-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric device
JP2006101082A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Kyocera Corp 弾性表面波装置および通信装置
JP2006108993A (ja) * 2004-10-04 2006-04-20 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 表面弾性波デバイスおよびその製造方法
JP2006179972A (ja) * 2004-12-20 2006-07-06 Alps Electric Co Ltd 表面弾性波装置
JP2006203788A (ja) * 2005-01-24 2006-08-03 Alps Electric Co Ltd 表面弾性波装置
JP2007081613A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス及びその製造方法
CN101501989B (zh) * 2006-08-07 2012-06-27 京瓷株式会社 弹性表面波装置的制造方法
JP4997928B2 (ja) * 2006-11-13 2012-08-15 パナソニック株式会社 弾性表面波装置の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10270975A (ja) * 1996-03-08 1998-10-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品とその製造方法
JPH10112624A (ja) * 1996-10-08 1998-04-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波デバイスの製造方法
JPH10275811A (ja) * 1997-03-31 1998-10-13 Shinko Electric Ind Co Ltd バンプの形成方法およびめっき装置
JP2004282707A (ja) * 2003-02-24 2004-10-07 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ、通信機
JP2005038980A (ja) * 2003-07-18 2005-02-10 Casio Comput Co Ltd 半導体装置の製造方法

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014161095A (ja) * 2006-08-07 2014-09-04 Kyocera Corp 弾性波装置の製造方法
JP2009065077A (ja) * 2007-09-10 2009-03-26 Panasonic Corp 電子部品パッケージ構造
EP2246979A1 (en) * 2008-02-18 2010-11-03 Murata Manufacturing Co. Ltd. Elastic wave device and method for manufacturing the same
EP2246979A4 (en) * 2008-02-18 2014-03-05 Murata Manufacturing Co ELASTIC WAVE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
JP2009200996A (ja) * 2008-02-25 2009-09-03 Panasonic Corp 弾性表面波デバイス
JP2009212760A (ja) * 2008-03-04 2009-09-17 Panasonic Corp 弾性表面波デバイス
WO2009157587A1 (ja) * 2008-06-27 2009-12-30 京セラ株式会社 弾性波装置
JP5106633B2 (ja) * 2008-06-27 2012-12-26 京セラ株式会社 弾性波装置
US8552622B2 (en) 2008-06-27 2013-10-08 Kyocera Corporation Acoustic wave device
JP2010213016A (ja) * 2009-03-10 2010-09-24 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波素子の製造方法及び弾性表面波素子
JP2010278971A (ja) * 2009-06-01 2010-12-09 Murata Mfg Co Ltd 弾性波装置
JP2010278972A (ja) * 2009-06-01 2010-12-09 Murata Mfg Co Ltd 弾性波装置
JP2013243570A (ja) * 2012-05-22 2013-12-05 Panasonic Corp 弾性波装置
WO2015041153A1 (ja) * 2013-09-20 2015-03-26 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
US10424715B2 (en) 2013-09-20 2019-09-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave device and manufacturing method for same
KR20170072326A (ko) 2014-12-04 2017-06-26 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치의 제조 방법 및 탄성파 장치
KR101987712B1 (ko) * 2014-12-04 2019-06-11 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치의 제조 방법 및 탄성파 장치
US10601389B2 (en) 2014-12-04 2020-03-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave device
JP2017022744A (ja) * 2016-09-07 2017-01-26 太陽誘電株式会社 弾性波フィルタ及びモジュール
JP2018129798A (ja) * 2017-01-24 2018-08-16 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. 音響的に分離された多チャンネルフィードバックを備えた弾性波デバイス
CN111081861A (zh) * 2019-12-11 2020-04-28 深圳市麦捷微电子科技股份有限公司 基于环氧树脂膜抗热失配的晶圆级封装芯片及其制备方法
CN111384923A (zh) * 2020-04-09 2020-07-07 中国电子科技集团公司第二十六研究所 一种小型化格型晶体滤波器

Also Published As

Publication number Publication date
CN101501989A (zh) 2009-08-05
US9882540B2 (en) 2018-01-30
JPWO2008018452A1 (ja) 2009-12-24
JP5865944B2 (ja) 2016-02-17
CN101501989B (zh) 2012-06-27
JP2014039338A (ja) 2014-02-27
JP2014161095A (ja) 2014-09-04
US20100043189A1 (en) 2010-02-25
US20150236665A1 (en) 2015-08-20
JP5258566B2 (ja) 2013-08-07
JP2013141330A (ja) 2013-07-18
US9021669B2 (en) 2015-05-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5258566B2 (ja) 弾性表面波装置の製造方法
JP6290850B2 (ja) 弾性波装置および弾性波モジュール
JP4375399B2 (ja) 圧電フィルタ
JP5106633B2 (ja) 弾性波装置
JP4460612B2 (ja) 弾性表面波デバイス及びその製造方法
US20100045145A1 (en) Piezoelectric component and manufacturing method thereof
JP4468436B2 (ja) 弾性波デバイスおよびその製造方法
JP2004129224A (ja) 圧電部品およびその製造方法
JP2007081555A (ja) 弾性表面波装置
US11159143B2 (en) Filter device and method for manufacturing the same
JP4841311B2 (ja) 基板実装型弾性表面波装置及びその製造方法並びに通信装置
JP4195605B2 (ja) 弾性表面波装置
CN110495098B (zh) 电子部件及具备该电子部件的模块
CN116250178A (zh) 弹性波装置
WO2018221172A1 (ja) フィルタ装置
JP4684343B2 (ja) 弾性表面波装置
CN115549631A (zh) 弹性表面波装置
JP2001244786A (ja) 弾性表面波装置

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200780029421.5

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 07792104

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2008528827

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: RU

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12376546

Country of ref document: US

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 07792104

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1