CN111384923A - 一种小型化格型晶体滤波器 - Google Patents
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Abstract
本专利涉及晶体滤波技术领域，具体涉及一种小型化格型晶体滤波器，包括：第一集成格型晶体谐振器、第二集成格型晶体谐振器、至少两个变量器和至少三个电容，其特征在于，所述第一集成格型晶体谐振器上设置有至少一个高频晶体谐振器，且第一集成格型晶体谐振器上的高频晶体谐振器之间通过镀膜方式连接，所述第二集成格型晶体谐振器上设置有至少一个低频晶体谐振器，且第二集成格型晶体谐振器上的低频晶体谐振器之间通过镀膜方式连接。本专利的小型化格型晶体滤波器减小了体积，降低成本，降低了电路复杂度，提高了元器件的一致性，适合批量生产。
Description
技术领域
本专利涉及晶体滤波技术领域，具体涉及一种小型化格型晶体滤波器。
背景技术
晶体滤波器是电子设备中一个重要的元件，用于选取通带内的有用信号以及滤除通带外的无用信号，包括干扰、混频组合杂散分量等，以提高设备的选择性和抗干扰能力。按电路设计分类，晶体滤波器分为单片式晶体滤波器和分立式晶体滤波器，分立式晶体滤波器又分为格型晶体滤波器和梯型晶体滤波器等。格型晶体滤波器用变量器代替了电路中的晶体，相对于梯形晶体滤波器，只需要一半数目的晶体谐振器。
目前，格型晶体滤波器的单节晶体滤波器电路包括两个晶体谐振器和一个变量器。其中，变量器实质上是在磁芯上采用双线并绕的两个电感；一个晶体谐振器包括晶片、晶片上下表面正对设置的一对电极、电极引出端和晶体谐振器外壳，晶体谐振器一般根据频率和带宽要求，设计电性能参数和外形尺寸相同的两个晶体谐振器，这两个晶体谐振器的区别主要在于一个谐振频率高和一个谐振频率低。如图2-3所示，目前每个晶体谐振器都是在一个晶片的上下表面中心位置制作一对位置相对的电极，然后通过电极轨道引出到晶片边缘，再通过特制的晶体谐振器支架将电极轨道边缘和支架的引出端通过粘接导电胶实现电性能的引出，支架上再配套一个外壳，采用电阻焊的封装工艺实现元件的全密封，制成一个独立的晶体谐振器。在实际应用中，为了提高格型晶体滤波器的阻带抑制和矩形系数，一般通过多个单节滤波器电路级联来实现，如两节晶体滤波器电路中包括四个晶体谐振器和两个变量器，这四个晶体谐振器中有两个性能完全相同的高频晶体谐振器和两个性能完全相同的低频晶体谐振器。
发明专利“CN103560766A-晶体滤波器”中公开了一种晶体滤波器，包括差接桥型电路及电路基板，所述差接桥型电路设置于电路基板上，所述差接桥型电路包括若干个晶体谐振器，所述若干晶体谐振器中的一个或多个的非公共端引脚焊盘上各焊接有一高频耦合线，所述高频耦合线的另一端固定连接于电路基板上且与所述电路基板相绝缘。所述差接桥型电路包括第一至第四晶体谐振器、第一及第二变量器、第至第三电容以及电感，所述第一变量器的初级线圈的两端作为晶体滤波器的输入端，所述第变量器的次级线圈的两端分别与第一及第三晶体谐振器的第.端相连，所述第一变量器的次级线圈的中间端接地，所述第一晶体谐振器的第二端直接与第三晶体谐振器的第二端相连，所述第一晶体谐振器的第二端还直接通过第二晶体谐振器之后与第二变量器的次级线圈的第一.端相连，所述第三晶体谐振器的第二端还直接通过第四晶体谐振器之后与第二变量器的次级线圈的第二端相连，所述第二变量器的次级线圈的中间端接地，所述第三晶体谐振器的第二端还直接通过电感接地，所述第三电容与电感并联连接，所述第二变量器的初级线圈的两端则作为晶体滤波器的输出端。现有技术中晶体滤波器电路里面的每一个晶体谐振器为独立的封装，即一个晶体谐振器包括一个晶片和晶片上的一对电极；两个晶体谐振器包括两个晶片和两对电极……，N个晶体谐振器包括N个晶片和N对电极。即每个晶体谐振器设置在一个晶片上并进行独立封装，该方式需要较多的晶片，增加了器件的体积；而且，晶体谐振器之间需要通过外围电路进行连接，增加了电路的复杂性；除此此外，电路设计上，需要若干个电性能参数相同的晶体谐振器，由于晶体谐振器支架结构的差异、晶片厚度分散性、晶片镀膜的分散性，导致晶体谐振器存在一定的电性能参数差异，如果晶体谐振器参数差异较大，就需要通过电路调试来弥补这种差异性，不适合批量生产。
发明内容
为了解决上述问题，本专利提供一种小型化格型晶体滤波器，采用将多个独立的、电性能参数相同的晶体谐振器设置在同一个晶片上，并直接在晶片上通过镀膜方式实现晶体谐振器之间的连接。
一种小型化格型晶体滤波器，包括：第一集成格型晶体谐振器、第二集成格型晶体谐振器、至少两个变量器和至少三个电容，所述第一集成格型晶体谐振器上设置有至少一个高频晶体谐振器，且第一集成格型晶体谐振器上的高频晶体谐振器之间通过镀膜方式连接，所述第二集成格型晶体谐振器上设置有至少一个低频晶体谐振器，且第二集成格型晶体谐振器上的低频晶体谐振器之间通过镀膜方式连接。
进一步的，第一集成格型晶体谐振器上的高频晶体谐振器的电性能参数一致，第二集成格型晶体谐振器上的低频晶体谐振器的电性能参数一致，高频晶体谐振器和低频晶体谐振器均采用具有压电效应的晶体材料，形状为圆形或者矩形。
进一步的，高频晶体谐振器在第一集成格型晶体谐振器上的设置具体包括：每个高频晶体谐振器设置于第一集成格型晶体谐振器的几何对称轴上，且每两个高频晶体谐振器之间间隔一定距离，当电极为圆形时，两个高频晶体谐振器之间的间隔距离一般为电极直径的3-5倍，当电极为矩形时，两个高频晶体谐振器之间的间隔距离为沿两个矩形电极几何中心连线长度的3-5倍；每个高频晶体谐振器包括一对圆形或者矩形的金属电极，每对金属电极包括上电极和下电极，且上电极和下电极分别沉积在第一集成格型晶体谐振器的上表面和下表面，位置完全对应；低频晶体谐振器在第二集成格型晶体谐振器上的设置具体包括：每个低频晶体谐振器设置于第二集成格型晶体谐振器的几何对称轴上，且每两个低频晶体谐振器之间间隔一定距离当电极为圆形时，两个低频晶体谐振器之间的间隔距离一般为圆形电极直径的3-5倍，当电极为矩形时，两个低频晶体谐振器之间的间隔距离为沿两个矩形电极几何中心连线长度的3-5倍；每个低频晶体谐振器包括一对圆形或者矩形的金属电极，每对金属电极包括上电极和下电极，且上电极和下电极分别沉积在第二集成格型晶体谐振器的上表面和下表面，位置完全对应。
进一步的，第一集成格型晶体谐振器和第二集成格型晶体谐振器下表面两端的两个电极分别引出有一条电极轨道，两条电极轨道引出方向相反，并且与晶片的几何对称中心轴重合，两条电极轨道与晶片边缘分别形成两个连接点，将两个连接点作为晶体谐振器的输入端和输出端。
进一步的，第一集成格型晶体谐振器和第二集成格型晶体谐振器上表面的每两个电极之间通过电极轨道连接，该电极轨道和晶片的几何对称中心轴重合，该电极轨道中点处垂直引出有一条电极轨道到晶片边缘与晶片边缘形成一个连接点，将该连接点作为两个晶体谐振器之间的公共端。
进一步的，所述变量器至少包括第一变量器和第二变量器，所述第一变量器和第二变量器分别包括初级线圈和次级线圈；第一变量器的初级线圈的两端作为晶体滤波器的输入端，第一变量器的次级线圈的两端分别与高频晶体谐振器和低频晶体谐振器的输入端相连，所述第一变量器的次级线圈的中间端接地；第二变量器的初级线圈的两端作为晶体滤波器的输出端，第二变量器的次级线圈的两端分别与高频谐振器和低频晶体谐振器的输出端相连，所述第二变量器的次级线圈的中间端接地。
进一步的，所述电容至少包括第一电容、第二电容和第三电容，第一电容一端与第一变量器和高频晶体谐振器输入端形成的公共端相连，另一端接地；第二电容一端与第二变量器和高频晶体谐振器输出端形成的公共端相连，另一端接地。
进一步的，高频晶体谐振器和低频晶体谐振器的公共端通过第三电容接地。
一种小型化格型晶体滤波器，包括：第一集成格型晶体谐振器、第二集成格型晶体谐振器、两个变量器和三个电容，所述第一集成格型晶体谐振器上设置有两个高频晶体谐振器，第一集成格型晶体谐振器上的两个高频晶体谐振器的电性能参数一致，第一集成格型晶体谐振器上的两个高频晶体谐振器之间通过镀膜方式连接；所述第二集成格型晶体谐振器上设置有两个低频晶体谐振器，第二集成格型晶体谐振器上的低频晶体谐振器的电性能参数一致，且第二集成格型晶体谐振器上的两个低频晶体谐振器之间通过镀膜方式连接；高频晶体谐振器和低频晶体谐振器均采用具有压电效应的晶体材料，形状为圆形或者矩形；
高频晶体谐振器在第一集成格型晶体谐振器上的设置具体包括：每个高频晶体谐振器均设置于第一集成格型晶体谐振器的几何对称轴上，且两个高频晶体谐振器之间间隔一定距离；每个高频晶体谐振器包括一对圆形或者矩形的金属电极，每对金属电极包括上电极和下电极，且上电极和下电极分别沉积在第一集成格型晶体谐振器的上表面和下表面，位置完全对应；低频晶体谐振器在第二集成格型晶体谐振器上的设置具体包括：每个低频晶体谐振器均设置于第二集成格型晶体谐振器的几何对称轴上，且两个低频晶体谐振器之间间隔一定距离；每个低频晶体谐振器包括一对圆形或者矩形的金属电极，每对金属电极包括上电极和下电极，且上电极和下电极分别沉积在第二集成格型晶体谐振器的上表面和下表面，位置完全对应；第一集成格型晶体谐振器和第二集成格型晶体谐振器下表面的两个电极分别引出有一条电极轨道，两条电极轨道引出方向相反，并且与晶片的几何对称中心轴重合，两条电极轨道与晶片边缘分别形成两个连接点，将这两个连接点作为晶体谐振器的输入端和输出端；第一集成格型晶体谐振器和第二集成格型晶体谐振器上表面的两个电极通过电极轨道连接，该电极轨道和晶片的几何对称中心轴重合，该电极轨道中点处垂直引出有一条电极轨道到晶片边缘与晶片边缘形成一个连接点，将该连接点作为两个晶体谐振器之间的公共端。
进一步的，所述变量器包括第一变量器和第二变量器，第一变量器和第二变量器均包括初级线圈和次级线圈；第一变量器的初级线圈的两端作为晶体滤波器的输入端，第一变量器的次级线圈的两端分别与高频晶体谐振器和低频晶体谐振器的输入端相连，所述第一变量器的次级线圈的中间端接地；第二变量器的初级线圈的两端作为晶体滤波器的输出端，第二变量器的次级线圈的两端分别与高频谐振器和低频晶体谐振器的输出端相连，所述第二变量器的次级线圈的中间端接地；所述电容包括第一电容、第二电容和第三电容，第一电容一端与第一变量器和高频晶体谐振器输入端形成的公共端相连，另一端接地；第二电容一端与第二变量器和高频晶体谐振器输出端形成的公共端相连，另一端接地；高频晶体谐振器和低频晶体谐振器的公共端通过第三电容接地。
一种小型化格型晶体滤波器的制备方法，包括：采用高精度线切割设备加工电极掩膜夹具，利用电极掩膜夹具把需要沉积的两对金属电极、电极轨道引出端、以及两对晶体谐振器电路连接部分镂空，其余部分遮住；把晶片放入夹具内，采用电子束或者磁控溅射的方式沉积一定厚度的金属电极；然后通过调频、装上晶体谐振器支架、涂导电胶和封帽工艺，制作成两个晶体谐振器合二为一的晶体谐振器。
本专利的有益效果：
1.减小了体积，降低成本。传统晶体滤波器中，每个晶体谐振器采用独立的封装，本专利将多个相同参数的晶体谐振器设置在一个晶片上做成一个独立的封装器件，所用的晶片数量大大减少，晶体谐振器外壳所需要的数量也大大减少，不仅减小了器件的体积，也降低了器件的成本。
2.降低了电路复杂度。传统晶体滤波器每个独立封装的晶体谐振器需要通过额外的外围电路实现多个独立封装晶体谐振器之间的连接，本专利通过镀膜的方式实现同一晶片上的晶体谐振器之间的电路连接。
3.提高了元器件的一致性，适合批量生产。本专利中，在同一个晶片上同时进行镀膜制作电性能参数相同的晶体谐振器，采用同一个晶体谐振器支架和外壳，同时完成主要的晶体谐振器制作工艺，降低了制作工艺过程中几个工艺带来的器件电性能参数的分散性，提高晶体谐振器电性能参数的一致性，适合大批量生产。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本专利做进一步详细的说明。
图1为本专利优选实施例的晶体滤波器电路图；
图2为常规单电极晶体谐振器正面图示；
图3为常规单电极晶体谐振器背面图示；
图4为本专利实施例的双电极晶体谐振器正面图示；
图5为本专利实施例的双电极晶体谐振器背面图示。
具体实施方式
下面将结合本专利实施例中的附图，对本专利实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利保护的范围。
请参照图1，图1为本专利的晶体滤波器优选实施例电路图，在优选实施例中，一种小型化格型晶体滤波器为四极点晶体滤波器，包括：第一集成格型晶体谐振器、第二集成格型晶体谐振器、两个变量器和三个电容，所述第一集成格型晶体谐振器上设置有两个高频晶体谐振器，分别为：第一晶体谐振器f1，第二晶体谐振器f2，第一集成格型晶体谐振器上的两个高频晶体谐振器f1和f2的电性能参数和外形尺寸一致，第一集成格型晶体谐振器上的两个高频晶体谐振器之间通过镀膜方式连接。所述第二集成格型晶体谐振器上设置有两个低频晶体谐振器，分别为：第三晶体谐振器f3，第四晶体谐振器f4，第二集成格型晶体谐振器上的低频晶体谐振器f3和f4的电性能参数和外形尺寸一致，且第二集成格型晶体谐振器上的两个低频晶体谐振器之间通过镀膜方式连接。
进一步的，高频晶体谐振器和低频晶体谐振器均采用具有压电效应的晶体材料，形状为圆形或者矩形。
高频晶体谐振器f1和f2在第一集成格型晶体谐振器上的设置具体包括：每个高频晶体谐振器均设置于第一集成格型晶体谐振器的几何对称轴上，且两个高频晶体谐振器之间间隔一定距离；每个高频晶体谐振器包括一对圆形或者矩形的金属电极，每对金属电极设置于第一集成格型晶体谐振器的几何对称轴上，每对金属电极包括上电极和下电极，且上电极和下电极分别沉积在第一集成格型晶体谐振器的上表面和下表面，且在上表面和下表面的位置对应重合。
低频晶体谐振器f3和f4在第二集成格型晶体谐振器上的设置具体包括：每个低频晶体谐振器均设置于第二集成格型晶体谐振器的几何对称轴上，且两个低频晶体谐振器之间间隔一定距离；每个低频晶体谐振器包括一对圆形或者矩形的金属电极，每对金属电极设置于第二集成格型晶体谐振器的几何对称轴上，每对金属电极包括上电极和下电极，且上电极和下电极分别沉积在第二集成格型晶体谐振器的上表面和下表面，且在上表面和下表面的位置对应重合。
第一晶体谐振器f1，第二晶体谐振器f2，第三晶体谐振器f3，第四晶体谐振器f4均为双电极晶体谐振器。
第一变量器L1、第二变量器L2、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3。所述晶体谐振器f1和f2为高频晶体谐振器，所述晶体谐振器f3和f4为低频晶体谐振器。
第一集成格型晶体谐振器下表面的两个电极分别引出有一条电极轨道，两条电极轨道引出方向相反，并且与第一集成格型晶体谐振器的几何对称中心轴重合，两条电极轨道与第一集成格型晶体谐振器边缘分别形成两个连接点，将两个连接点作为两个高频晶体谐振器f1和f2共同的输入端和输出端，如图5所示。
第一集成格型晶体谐振器上表面的两个电极通过电极轨道连接，该电极轨道和第一集成格型晶体谐振器的几何对称中心轴重合，从该电极轨道的中点处垂直引出一条电极轨道到第一集成格型晶体谐振器边缘与第一集成格型晶体谐振器边缘形成一个连接点，将该连接点作为两个高频晶体谐振器f1和f2的公共端，如图4所示。
所述晶体谐振器f1的公共端直接与晶体谐振器f2的公共端相连并通过电容C3接地。
第一晶体谐振器f1和第二晶体谐振器f2的电性能参数包括谐振频率、等效电容、等效电感、等效电阻等，优选的，f1和f2的谐振频率为124.825MHz：f1和f2的等效电容：0.8pF，f1和f2的等效电感：1.8mH，f1和f2的等效电阻：45Ω。
第二集成格型晶体谐振器下表面的两个电极分别引出有一条电极轨道，两条电极轨道引出方向相反，并且与第二集成格型晶体谐振器的几何对称中心轴重合，两条电极轨道在第二集成格型晶体谐振器边缘分别形成两个连接点，将两个连接点作为两个低频晶体谐振器f3和f4共同的输入端和输出端。
第二集成格型晶体谐振器上表面的两个电极通过电极轨道连接，该电极轨道和第二集成格型晶体谐振器的几何对称中心轴重合，从该电极轨道的中点处垂直引出一条电极轨道到第二集成格型晶体谐振器边缘与第二集成格型晶体谐振器边缘形成一个连接点，将该连接点作为两个低频晶体谐振器f3和f4的公共端。
所述晶体谐振器f3的公共端直接与晶体谐振器f4的公共端相连并通过电容C3接地。
第三晶体谐振器f3和第四晶体谐振器f4的电性能参数包括谐振频率、等效电容、等效电感、等效电阻等，优选的，f3和f4的谐振频率为124.730MHz：f3和f4的等效电容为：0.7pF，f3和f4的等效电感为：2.0mH，f3和f4的等效电阻为：50Ω。
所述变量器包括第一变量器L1和第二变量器L2。所述第一变量器L1是在磁芯上采用双线并绕的两个电感，包括初级线圈和次级线圈，第一变量器L1的初级线圈的两端作为四极点晶体滤波器的输入端，初级线圈的中间端接地；第一变量器L1的次级线圈的两端分别与第一晶体谐振器f1和第二晶体谐振器f2的输入端相连，第一变量器L1的次级线圈的中间端接地。所述第二变量器L2是在磁芯上采用双线并绕的两个电感，包括初级线圈和次级线圈，第二变量器L2的初级线圈的两端则作为四极点晶体滤波器的输出端；第二变量器L2的次级线圈的一端与第一晶体谐振器f1的输出端相连，第二变量器L2的次级线圈的另一端与第二晶体谐振器f2的输出端相连，第二变量器L2的次级线圈的中间端接地。
所述电容包括第一电容C1、第二电容C2和第三电容C3。第一电容C1一端与第一变量器L1和高频晶体谐振器f1和f2输入端形成的公共端相连，另一端接地；第二电容C2一端与变量器L2和晶体谐振器f1和f2输出端形成的公共端相连，另一端接地。高频晶体谐振器f1和f2和低频晶体谐振器f3和f4的公共端分别通过第三电容C3接地，第三电容C3与电感并联连接。
四极点晶体滤波器工作时的原理：格型晶体滤波器的每个单节滤波器由两个晶体谐振器和一个变量器组成，两个晶体谐振器一个谐振频率高，一个谐振频率低，当工作在这两个谐振频率之间时，电路中桥路极性相反，桥路失衡，有信号输出，形成滤波器的通频带，当工作在这两个谐振频率之外时，桥路处于平衡状态，没有信号输出，形成滤波器的阻带。
一种小型化格型晶体滤波器的制备方法，包括以下步骤：采用高精度线切割设备加工电极掩膜夹具，利用电极掩膜夹具把需要沉积的两对金属电极、电极轨道引出端、以及两对晶体谐振器电路连接部分镂空，其余部分遮住；把晶片放入夹具内，采用电子束或者磁控溅射的方式沉积一定厚度的金属电极；然后通过调频、装上晶体谐振器支架、涂导电胶和封帽工艺，制作成两个晶体谐振器合二为一的晶体谐振器。
以上所举实施例，对本专利的目的、技术方案和优点进行了进一步的详细说明，所应理解的是，以上所举实施例仅为本专利的优选实施方式而已，并不用以限制本专利，凡在本专利的精神和原则之内对本专利所作的任何修改、等同替换、改进等，均应在本专利的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种小型化格型晶体滤波器，包括：第一集成格型晶体谐振器、第二集成格型晶体谐振器、至少两个变量器和至少三个电容，其特征在于，所述第一集成格型晶体谐振器上设置有至少一个高频晶体谐振器，且第一集成格型晶体谐振器上的高频晶体谐振器之间通过镀膜方式连接，所述第二集成格型晶体谐振器上设置有至少一个低频晶体谐振器，且第二集成格型晶体谐振器上的低频晶体谐振器之间通过镀膜方式连接。
2.根据权利要求1所述的一种小型化格型晶体滤波器，其特征在于，第一集成格型晶体谐振器上的高频晶体谐振器的电性能参数一致，第二集成格型晶体谐振器上的低频晶体谐振器的电性能参数一致，高频晶体谐振器和低频晶体谐振器均采用具有压电效应的晶体材料，形状为圆形或者矩形。
3.根据权利要求2所述的一种小型化格型晶体滤波器，其特征在于，高频晶体谐振器在第一集成格型晶体谐振器上的设置具体包括：每个高频晶体谐振器设置于第一集成格型晶体谐振器的几何对称轴上，且每两个高频晶体谐振器之间间隔一定距离；每个高频晶体谐振器包括一对圆形或者矩形的金属电极，每对金属电极包括上电极和下电极，且上电极和下电极分别沉积在第一集成格型晶体谐振器的上表面和下表面，位置完全对应；低频晶体谐振器在第二集成格型晶体谐振器上的设置具体包括：每个低频晶体谐振器设置于第二集成格型晶体谐振器的几何对称轴上，且每两个低频晶体谐振器之间间隔一定距离；每个低频晶体谐振器包括一对圆形或者矩形的金属电极，每对金属电极包括上电极和下电极，且上电极和下电极分别沉积在第二集成格型晶体谐振器的上表面和下表面，位置完全对应。
4.根据权利要求3所述的一种小型化格型晶体滤波器，其特征在于，第一集成格型晶体谐振器和第二集成格型晶体谐振器下表面两端的两个电极分别引出有一条电极轨道，两条电极轨道引出方向相反，并且与晶片的几何对称中心轴重合，两条电极轨道与晶片边缘分别形成两个连接点，将两个连接点作为晶体谐振器的输入端和输出端。
5.根据权利要求3所述的一种小型化格型晶体滤波器，其特征在于，第一集成格型晶体谐振器和第二集成格型晶体谐振器上表面的每两个电极之间通过电极轨道连接，该电极轨道和晶片的几何对称中心轴重合，该电极轨道中点处垂直引出有一条电极轨道到晶片边缘与晶片边缘形成一个连接点，将该连接点作为两个晶体谐振器之间的公共端。
6.根据权利要求1所述的一种小型化格型晶体滤波器，其特征在于，所述变量器至少包括第一变量器和第二变量器，所述第一变量器和第二变量器分别包括初级线圈和次级线圈；第一变量器的初级线圈的两端作为晶体滤波器的输入端，第一变量器的次级线圈的两端分别与高频晶体谐振器和低频晶体谐振器的输入端相连，所述第一变量器的次级线圈的中间端接地；第二变量器的初级线圈的两端作为晶体滤波器的输出端，第二变量器的次级线圈的两端分别与高频谐振器和低频晶体谐振器的输出端相连，所述第二变量器的次级线圈的中间端接地。
7.根据权利要求1所述的一种小型化格型晶体滤波器，其特征在于，所述电容至少包括第一电容、第二电容和第三电容，第一电容一端与第一变量器和高频晶体谐振器输入端形成的公共端相连，另一端接地；第二电容一端与第二变量器和高频晶体谐振器输出端形成的公共端相连，另一端接地。
8.根据权利要求5或7所述的一种小型化格型晶体滤波器，其特征在于，高频晶体谐振器和低频晶体谐振器的公共端通过第三电容接地。
9.一种小型化格型晶体滤波器，包括：第一集成格型晶体谐振器、第二集成格型晶体谐振器、两个变量器和三个电容，其特征在于，所述第一集成格型晶体谐振器上设置有两个高频晶体谐振器，第一集成格型晶体谐振器上的两个高频晶体谐振器的电性能参数一致，第一集成格型晶体谐振器上的两个高频晶体谐振器之间通过镀膜方式连接；所述第二集成格型晶体谐振器上设置有两个低频晶体谐振器，第二集成格型晶体谐振器上的低频晶体谐振器的电性能参数一致，且第二集成格型晶体谐振器上的两个低频晶体谐振器之间通过镀膜方式连接；高频晶体谐振器和低频晶体谐振器均采用具有压电效应的晶体材料，形状为圆形或者矩形；
高频晶体谐振器在第一集成格型晶体谐振器上的设置具体包括：每个高频晶体谐振器均设置于第一集成格型晶体谐振器的几何对称轴上，且两个高频晶体谐振器之间间隔一定距离；每个高频晶体谐振器包括一对圆形或者矩形的金属电极，每对金属电极包括上电极和下电极，且上电极和下电极分别沉积在第一集成格型晶体谐振器的上表面和下表面，位置完全对应；低频晶体谐振器在第二集成格型晶体谐振器上的设置具体包括：每个低频晶体谐振器均设置于第二集成格型晶体谐振器的几何对称轴上，且两个低频晶体谐振器之间间隔一定距离；每个低频晶体谐振器包括一对圆形或者矩形的金属电极，每对金属电极包括上电极和下电极，且上电极和下电极分别沉积在第二集成格型晶体谐振器的上表面和下表面，位置完全对应；
第一集成格型晶体谐振器和第二集成格型晶体谐振器下表面的两个电极分别引出有一条电极轨道，两条电极轨道引出方向相反，并且与晶片的几何对称中心轴重合，两条电极轨道与晶片边缘分别形成两个连接点，将这两个连接点作为晶体谐振器的输入端和输出端；
第一集成格型晶体谐振器和第二集成格型晶体谐振器上表面的两个电极通过电极轨道连接，该电极轨道和晶片的几何对称中心轴重合，该电极轨道中点处垂直引出有一条电极轨道到晶片边缘与晶片边缘形成一个连接点，将该连接点作为两个晶体谐振器之间的公共端。
10.根据权利要求9所述的一种小型化格型晶体滤波器，其特征在于，所述变量器包括第一变量器和第二变量器，第一变量器和第二变量器均包括初级线圈和次级线圈；第一变量器的初级线圈的两端作为晶体滤波器的输入端，第一变量器的次级线圈的两端分别与高频晶体谐振器和低频晶体谐振器的输入端相连，所述第一变量器的次级线圈的中间端接地；第二变量器的初级线圈的两端作为晶体滤波器的输出端，第二变量器的次级线圈的两端分别与高频谐振器和低频晶体谐振器的输出端相连，所述第二变量器的次级线圈的中间端接地；
所述电容包括第一电容、第二电容和第三电容，第一电容一端与第一变量器和高频晶体谐振器输入端形成的公共端相连，另一端接地；第二电容一端与第二变量器和高频晶体谐振器输出端形成的公共端相连，另一端接地；
高频晶体谐振器和低频晶体谐振器的公共端通过第三电容接地。
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