WO2007110985A1 - 複合基板及び複合基板の製造方法 - Google Patents

複合基板及び複合基板の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2007110985A1
WO2007110985A1 PCT/JP2006/319262 JP2006319262W WO2007110985A1 WO 2007110985 A1 WO2007110985 A1 WO 2007110985A1 JP 2006319262 W JP2006319262 W JP 2006319262W WO 2007110985 A1 WO2007110985 A1 WO 2007110985A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
piece
frame
substrate
hole
frame member
Prior art date
Application number
PCT/JP2006/319262
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Norio Sakai
Mitsuyoshi Nishide
Original Assignee
Murata Manufacturing Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co., Ltd. filed Critical Murata Manufacturing Co., Ltd.
Priority to DE112006003809T priority Critical patent/DE112006003809T5/de
Priority to JP2008507360A priority patent/JP4873005B2/ja
Publication of WO2007110985A1 publication Critical patent/WO2007110985A1/ja
Priority to US12/186,546 priority patent/US7851708B2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/141—One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49822—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49833—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers the chip support structure consisting of a plurality of insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5389—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates the chips being integrally enclosed by the interconnect and support structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/162—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits the devices being mounted on two or more different substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48471—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area being a ball bond, i.e. wedge-to-ball, reverse stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15192—Resurf arrangement of the internal vias
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10378—Interposers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431—Details of mounted components
    • H05K2201/10439—Position of a single component
    • H05K2201/10477—Inverted
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10954—Other details of electrical connections
    • H05K2201/10977—Encapsulated connections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/20—Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
    • H05K2201/2018—Presence of a frame in a printed circuit or printed circuit assembly
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/15—Position of the PCB during processing
    • H05K2203/1572—Processing both sides of a PCB by the same process; Providing a similar arrangement of components on both sides; Making interlayer connections from two sides
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components
    • H05K3/3442—Leadless components having edge contacts, e.g. leadless chip capacitors, chip carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device

Definitions

  • the present invention relates to a composite substrate and a method for manufacturing the composite substrate, and more particularly to a composite substrate in which a frame body is bonded to one main surface of a flat substrate main body and a method for manufacturing the same.
  • module components are provided in which chip-shaped electronic components are mounted on both sides or one side of a substrate body.
  • a frame-like member or package be attached to the module component board body in order to buoy the module component board body with other circuit board forces.
  • a wiring pattern is formed on the frame-like member package, and one end of the wiring pattern is connected to the board body. The end is bonded to another circuit board (for example, Patent Documents 1 to 4)
  • Patent Document 5 a lead terminal for connecting to a module board is projected from the housing of the board connecting member to connect the module boards to each other. It has been proposed to improve the impact resistance by utilizing the spring elasticity of.
  • a lead frame 130 is insert-molded on a flat-plate resin substrate 120, and an intermediate portion 131 of the lead frame 130 is made of resin.
  • a chip package 110 that is embedded in a substrate 120 and refracts both ends of a lead frame 130 to expose the lead portions 132 and 133 on the front and back surfaces of the resin substrate 120.
  • a solder chip 140 is mounted on the upper surface of the oil-repellent substrate 110 so as to straddle the opening 123, and the chip 140 and the lead part 132 are connected by the bonding wire 150. And connect.
  • a resin sealant 152 is applied to the upper surface of the chip package 110 so as to also seal the chip 140, and then a box-shaped lid 154 having an opening on the lower surface. Covered with rosin A semiconductor device is formed by being fixed to the substrate 120. This semiconductor device is a printed circuit board.
  • Patent Document 1 JP-A-6-216314
  • Patent Document 2 JP-A-7-50357
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 2000-101348
  • Patent Document 4 Japanese Patent Laid-Open No. 2001-339137
  • Patent Document 5 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-333046
  • Patent Document 6 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-328009
  • Patent Document 6 The chip package disclosed in Patent Document 6 is one in which a chip is mounted and connected with a bonding wire, and is not bonded to a substrate body. Patent Document 6 does not disclose or suggest the shape of a lead frame for reducing thermal stress or impact stress.
  • the present invention intends to provide a composite substrate capable of reducing thermal stress and impact stress of a bonded portion with a simple configuration and a method for manufacturing the same.
  • the present invention provides a composite substrate configured as follows.
  • the composite substrate is of a type provided with a substrate body having terminals on at least one main surface and a frame joined to the one main surface of the substrate body.
  • the frame includes (1) a frame member made of an insulating material, having a through hole in the center, and extending in a frame shape along a peripheral edge of the one main surface of the substrate body; and (2) a metal It is formed by bending a thin plate, and has a plurality of connecting members each having a first piece and a second piece continuous at both ends of the intermediate piece.
  • connection members are (a) arranged to face the frame member via the through holes of the frame member, and (b) the first piece is located on the substrate body side of the frame member. Exposed and joined to the terminal on the one main surface of the substrate main body, (c) the second piece is exposed on the opposite side of the frame member from the substrate main body, and (d) the first A piece and the second piece extend in a direction in which the connecting member is opposed to the frame member through the through hole, and (e) the intermediate piece penetrates the inside of the frame member, (f ) The both ends of the intermediate piece are respectively continuous with the end portions on the through hole side of the frame member of the first piece and the second piece.
  • the second piece of the connection member is connected to the external circuit substrate.
  • the connecting member in which the end portions on the same side of the first piece and the second piece are continuous with both ends of the intermediate piece is the junction part between the composite board and the external circuit board or the board body and the frame due to temperature change or impact force. Thermal stress and impact stress generated at the joint with the body can be relaxed by elastic deformation. As a result, the bonding reliability can be improved.
  • the distance between the intermediate pieces of the connecting member facing each other through the through hole of the frame member is the other end of the first piece and the second piece (what is the through hole of the frame body? Since the opposite side (that is, the outer side) is continuous with the intermediate piece, the thermal stress and impact stress generated at the joint are reduced. As a result, the joining reliability is improved as compared with the case where the other end of the first piece and the second piece (the side opposite to the through hole of the frame body, that is, the outside) is continuous with the intermediate piece.
  • a chip-shaped electronic component is disposed in the through hole of the frame-shaped member and mounted on the one main surface of the substrate body.
  • the mounting density of the composite substrate can be increased using the through holes of the frame-shaped member.
  • the chip-like electronic component is sealed with a grease, and the grease is adhered or abutted to a part of the frame.
  • the flow of the resin can be prevented by the frame, and the chip-shaped electronic component can be reliably sealed.
  • the deformation of the frame can be constrained by the resin used for sealing, and the bonding between the frame and the substrate body can be reinforced.
  • connection member of the frame is formed by punching and bending a thin metal plate.
  • the frame member of the frame body is a resin molded in a state where a portion to be the connection member is inserted into a mold.
  • the frame can be manufactured efficiently.
  • the substrate body is a ceramic substrate.
  • the substrate main body is a ceramic multilayer substrate formed by laminating a plurality of ceramic layers sintered at 1050 ° C or lower.
  • the bonding reliability can be improved while increasing the mounting density of the composite substrate by the ceramic multilayer substrate.
  • the ceramic multilayer substrate is more fragile than other types of substrates, the effect of preventing the destruction of the ceramic multilayer substrate itself from thermal stress and impact stress is great.
  • the thin metal plate of the connection member of the frame body is flexible.
  • the thin metal plate constituting the connecting member has flexibility! /
  • the first and second pieces of the connecting member are movable around the bent portion, the frame body and the substrate body The bonding strength between the frame and the external circuit board is improved.
  • the connecting member has a thickness of 50 ⁇ m or more and powerfully 300 ⁇ m or less.
  • the connecting member can be processed with high accuracy, and therefore it is easy to reduce the size. That is, when the thickness of the connecting member is less than 50 m, the variation during bending increases, and the accuracy of the position and height of the first and second pieces of the connecting member decreases. Moreover, it is easy to fatigue failure. If the thickness of the connecting member is greater than 300 m, bending will become difficult and the variation in bending angle and height will increase.
  • a chip-shaped electronic component is mounted on the other main surface of the substrate body.
  • the mounting density of the composite substrate can be increased.
  • the tip of the second piece extends to the outer peripheral surface of the frame member or to the outside of the outer peripheral surface.
  • connection member of the frame body is bent along the outer peripheral surface of the frame member with the distal end side of the second piece bent.
  • connection member of the frame body has an area of the first piece.
  • the position of the center of the first piece of the connection member of the frame is
  • the position of the center of the terminal of the substrate body is shifted to the through hole side of the frame body.
  • the curing shrinkage stress of the sealing resin when the through-hole of the frame body is filled and cured with the sealing resin is bonded to the terminal of the board body and the first piece of the connecting member.
  • the effect of shrinkage stress on the sealing resin can be reduced by relaxing the shrinkage stress of the conductive bonding material.
  • deformation of the frame body due to hardening shrinkage of the sealing resin can be suppressed, and the connection reliability between the frame body and the substrate body can be improved.
  • compressive stress acts on the substrate body, the bending strength of the substrate body itself is improved.
  • the position of the inner edge of the frame member on the through hole side of the first piece of the connection member of the frame body is the center of the substrate body of the terminal of the substrate body. It shifts to the through hole side of the frame body rather than the position of the inner edge on the side!
  • the conductive bonding material for bonding the terminal of the board main body and the first piece of the connecting member of the frame body in the width direction in the region between the inner edge of the terminal and the inner edge of the first piece ( Since the resin is cured in a form stretched in a direction perpendicular to the bonding surface between the substrate body and the frame, the curing shrinkage stress of the conductive bonding material can be increased. As a result, filling through holes in the frame body The shrinkage stress of the sealing resin can be reduced more effectively by the shrinkage stress of the conductive bonding material.
  • the position of the tip edge of the first piece of the connection member of the frame opposite to the through hole of the frame is determined by the position of the substrate of the terminal of the substrate body.
  • the position of the outer edge opposite to the center of the main body is shifted to the through hole side of the frame body.
  • the leading edge of the first piece is shifted outside the outer edge of the terminal (opposite to the through hole of the frame), the leading edge of the first piece is pulled inward of the frame.
  • the front end side of the first piece is separated from the frame member force, and the joint shape between the frame body and the substrate body may become unstable, or the joint strength between the frame body and the substrate body may decrease.
  • the leading edge of the first piece is displaced inward (through hole side of the frame) from the outer edge of the terminal, the leading edge of the first piece will be pulled toward the outside of the frame.
  • the tip side of the first piece and the frame member are joined to each other, the joint shape between the frame body and the substrate body is stabilized, and the joint strength between the frame body and the substrate body is stabilized.
  • the present invention provides a method of manufacturing a composite substrate configured as follows.
  • a method of manufacturing a composite substrate includes: (1) a first step of preparing a substrate body provided with a terminal on at least one main surface; and a frame; and (2) the one main surface of the substrate body. And a second step of joining the frame bodies.
  • the frame is made of (i) an insulating material, has a through hole in the center, and extends in a frame shape along the peripheral edge of the one main surface of the substrate body.
  • a member and a plurality of connecting members formed by bending a GO metal thin plate and having a first piece and a second piece respectively continuous at both ends of the intermediate piece.
  • the plurality of connecting members are (a) disposed so as to face the frame member via the through holes of the frame member, and (b) the first piece and the second piece are arranged on the frame member. (C) the first piece and the second piece are opposed to each other through the through hole of the frame member. (D) the intermediate piece penetrates the inside of the frame member, and (e) the frame member of the first piece and the second piece at both ends of the intermediate piece. The end portions on the through-hole side are continuous.
  • the frame body is arranged so as to extend in a frame shape along a peripheral edge portion of one main surface of the substrate body, and (g) the first of the connection member of the frame body. A piece is joined to the terminal provided on the one main surface of the substrate body.
  • the second piece of the connection member is connected to the external circuit substrate.
  • the connection member in which the end on the same side of the first piece and the second piece continues to both ends of the intermediate piece is the junction part between the composite board and the external circuit board or the board body due to temperature change or impact force.
  • the thermal stress and impact stress generated at the joint between the frame and the frame can be relaxed by elastic deformation. As a result, the bonding reliability can be improved.
  • the distance between the intermediate pieces of the connecting member facing each other through the through hole of the frame member is the other end of the first piece and the second piece (what is the through hole of the frame body? Since the opposite side (that is, the outer side) is continuous with the intermediate piece, the thermal stress and impact stress generated at the joint are reduced. As a result, the joining reliability is improved as compared with the case where the other end of the first piece and the second piece (the side opposite to the through hole of the frame body, that is, the outside) is continuous with the intermediate piece.
  • FIG. 1A is a cross-sectional view showing the overall configuration of a composite substrate
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a composite substrate. (Example)
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a composite substrate. (Example)
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a composite substrate. (Example)
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a composite substrate. (Example)
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a composite substrate manufacturing process. (Example)
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a composite substrate manufacturing process. (Example)
  • FIG. 8A is a cross-sectional view showing a composite substrate manufacturing process
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing a frame manufacturing process. (Example)
  • FIG. 10 is an explanatory diagram of deformation of the composite substrate.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing the overall configuration of the composite substrate. (Modification 1)
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing the overall configuration of the composite substrate. (Modification 2)
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing the overall configuration of the composite substrate. (Modification 3)
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing the overall configuration of the composite substrate. (Modification 4)
  • FIG. 15 is an enlarged cross-sectional view of a main part showing a joint portion of the composite substrate. (Modification 4)
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of a chip package. (Conventional example)
  • the composite substrate 10 has a frame body 20 joined to one main surface 12b of a flat substrate body 12.
  • a chip-shaped electronic component 50 such as an IC chip is mounted on one main surface 12b of the substrate body 12, and terminals of the chip-shaped electronic component 50 and pads 17 provided on the one main surface 12b of the substrate body 12 Are connected by a bonding wire 52.
  • chip-like electronic components that are connected by means other than wire bonding may be mounted on one main surface 12b of the substrate body 12! / ⁇ .
  • a surface mount type component SMD may be mounted.
  • chip-shaped electronic components such as a chip capacitor and an IC chip are mounted on the other main surface 12a as necessary, and the chip shape is formed by solder reflow or flip-chip bonding.
  • the terminals of the electronic components 40 and 42 are connected to the terminals 18 provided on the other main surface 12a of the substrate body 12.
  • the substrate body 12 only needs to have a structure capable of mounting electronic components on one side or both sides for high density.
  • the substrate body 12 is, for example, a ceramic multilayer substrate in which a plurality of ceramic layers are laminated.
  • the ceramic multilayer substrate is preferable as the substrate body 12 of the composite substrate 10 because the mounting density can be increased by forming an electric circuit inside.
  • the substrate body 12 is not limited to a ceramic multilayer substrate, but may be a substrate made of a material other than ceramic (for example, a printed wiring board, a flexible printed wiring board), even if it is a single layer ceramic substrate (for example, an alumina substrate). Substrate etc.! /.
  • a plurality of connecting members 30 are arranged on a frame member 22 that also has an insulating material (for example, grease) force.
  • the frame member 22 has a through hole 23 in the center, and extends in a frame shape along the peripheral edge portion of the one main surface 12b of the rectangular substrate body 12.
  • a concave portion (cavity) is formed by the through hole 23 of the frame member 22, and the above-described chip-shaped electronic component 50 and the pad 17 are arranged on the one main surface 12 b of the substrate body 12 which is the bottom surface of the concave portion.
  • the through hole 23 of the frame member 22 is filled with a sealing agent 54 as necessary, and the chip-shaped electronic component 50 is sealed.
  • a sealing agent 54 as necessary, and the chip-shaped electronic component 50 is sealed.
  • the chip-like electronic components 40, 42 on the other main surface 12a side of the substrate body 12 may be sealed with a sealant, or a metal case may be joined. This is because when the composite substrate 10 is mounted on the external circuit board 60, it is easily adsorbed by the mounter. In particular, when a metal case is used for the high-frequency composite substrate 10, an electromagnetic shielding effect is also obtained. If electromagnetic shielding is not required, apply a thermosetting resin such as epoxy resin or transfer molding to cover the top surface of the chip-like electronic components 40, 42, and flatten the top surface. To do.
  • Each connection member 30 is arranged on four sides of the frame member 22 so as to face each other through the through hole 23 of the frame member 22.
  • Each connecting member 30 is a member having a substantially U-shaped cross section in which two bent portions 33 and 35 are formed by bending a belt-shaped metal thin plate at a right angle, and a first piece 32 is provided at each end of the intermediate piece 34. And the second piece 36 are continuous.
  • the intermediate piece 34 passes through the inside of the frame member 22.
  • the first piece 32 extends along the surface of the frame member 22 that faces the substrate body 12.
  • the second piece 36 extends along the surface of the frame member 22 opposite to the substrate body 12 and is exposed to the outside.
  • the first piece 32 and the second piece 36 extend in a direction in which the connection member 30 faces each other through the through hole 23 of the frame member 22.
  • the end portions on the same side of the first piece 32 and the second piece 36, that is, the end portions on the through hole 23 side of the frame member 22 are respectively continuous with both ends of the intermediate piece 34. That is, the first piece 2 and the second piece 36 are arranged so that the respective tips 31, 37 face outward, and the intermediate piece 34 is arranged inside.
  • the first piece 32 and the second piece 36 have different lengths. That is, the force at which the tip 37 of the second piece 36 reaches the outer peripheral surface 24 of the frame member 22 The tip 31 of the first piece 32 does not reach the outer peripheral surface 24 of the frame member 22.
  • the first piece 32 of the connection member 30 is joined to the terminal 16 provided on the one main surface 12b of the substrate body 12 by solder 26.
  • the frame 20 is joined to the one main surface 12b of the substrate body 12.
  • the second piece 36 of the connection member 30 exposed to the outside is joined to the external circuit board 60.
  • the composite substrate 10 is mounted on the external circuit board 60 and electrically connected thereto.
  • the metal case is also electrically connected to the external circuit board 60. To be connected.
  • the thickness of the metal thin plate used for the connecting member 30 is preferably 50 ⁇ m to 300 ⁇ m.
  • the thickness of the metal thin plate used for the connecting member 30 is less than 50 m, the variation during the bending process increases, and the variation in the position and height of the first piece 32 and the second piece 36 increases.
  • the variation in the position and height of the first piece 32 and the second piece 36 is increased, the alignment accuracy between the frame 20 and the substrate body 12 is lowered.
  • the board body In order to securely join the frame body 20 and the board body 12, if the terminal 16 of the board body 12 to be joined to the first piece 32 is made larger with an allowance for the positional deviation of the first piece 32, the board body This reduces the size of 12 and thus the size of the composite substrate 10.
  • the height of the first piece 32 or the second piece 36 varies, for example, the solder thickness varies between the board body 12 and the frame body 20, or between the frame body 20 and the external circuit board 60. As a result, the bonding reliability is impaired. Increasing the height margin in anticipation of variations in height inhibits the low profile of the composite substrate 10.
  • connection member 30 Furthermore, the vicinity of the bent portions 33 and 35 of the connection member 30 is repeatedly fatigued due to thermal stress and impact stress. However, if the thickness is small, fatigue failure is likely to occur, so that the joint reliability is impaired.
  • the thickness of the thin metal plate used for the connecting member 30 exceeds 300 m, the bending force becomes difficult, and the variation in bending angle and the variation in height increase. Also, the punching and bending intervals are reduced, and the length of the first piece 32, the intermediate piece 34, and the second piece 36 (dimensions in the direction in which the first piece 32, the intermediate piece 34, and the second piece 36 are continuous) and width Since (the dimension perpendicular to the direction in which the first piece 32, the intermediate piece 34, and the second piece 36 are continuous) cannot be reduced, the downsizing and the low profile of the composite substrate 10 are hindered.
  • the connecting member 30 is made of NiZSn, NiZAu, Ni Z in order to improve wettability with solder and conductive adhesive used for bonding to the board body 12 and the external circuit board 60 and to increase bonding strength. Solder or the like may be attached. Such plating may be performed on the entire surface of the connection member 30 or only on the joint surface of the first piece 32 and the second piece 36.
  • the substrate body 12 and the frame body 20 are prepared.
  • the substrate body 12 is a ceramic multilayer substrate, for example, a plurality of ceramic layers are laminated.
  • in-plane conductor pattern 14 and via-hole conductor pattern 13 are formed inside using conductive paste mainly composed of Ag, Ag / Pd, Ag / P Cu, CuO, etc. ing.
  • conductive paste mainly composed of Ag, Ag / Pd, Ag / P Cu, CuO, etc.
  • Such a configuration uses Ag or Cu with low resistance, so it has low signal loss and has been put to practical use as a high-frequency component or module.
  • a terminal 16 and a pad 17 are formed on one main surface 12b of the substrate body 12, and a terminal 18 serving as a bonding electrode (bonding land) is formed on the other main surface 12a.
  • NiZSn, Ni / Au, Ni / Pd / Au, or NiZ solder is applied to terminals 16, 18 and pads 17.
  • an unfired ceramic green sheet having a thickness of about 10 to 200 m on which the in-plane conductor pattern 14 and via-hole conductor pattern 13 are formed, and sintering at a temperature higher than the firing temperature of the ceramic green sheet A constraining layer to be prepared.
  • the green ceramic green sheet contains a low-temperature sintered ceramic material, and the sintering temperature is 1050 ° C or lower.
  • low-temperature sintered ceramic materials include a glass composite LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramic) material made by mixing borosilicate glass with ceramic powder such as alumina forsterite, ZnO— Crystal using MgO-Al O-SiO-based crystallized glass
  • the constraining layer is made of a material containing alumina.
  • the green ceramic green sheet and the constraining layer are laminated in an appropriate order to form a composite laminate in which constraining layers are laminated on both main surfaces of a laminate in which a plurality of unfired ceramic liner sheets are laminated.
  • the unsintered constraining layer is removed, and the substrate body 12 formed by sintering the unfired ceramic green sheet is taken out. .
  • the frame body 20 is produced by the process shown in FIG.
  • a metal thin plate such as bronze, white, or Ni alloy is punched out with a metal mold to form a plurality of strip portions 30x whose tips 31 face each other.
  • the first bent portion 33 is formed by bending the tip 31 side of the opposed strip-shaped portion 30x at a right angle.
  • the first piece 32 is between the tip 31 and the first bent portion 33.
  • the second bent portion 35 is formed by bending the base end 38 side at a right angle from the first bent portion 33.
  • the intermediate piece 34 is between the first bent portion 33 and the second bent portion 35.
  • a resin is molded into the belt-like portion 30x to form a frame member 22 having a through hole 23.
  • the first piece 32 between the tip 31 and the first bent portion 33 and the base end 38 side of the second bent portion 35 are along the inner surface of the mold, and the first bent portion 33
  • the intermediate piece 34 between the first bent portion 35 and the second bent portion 35 is also separated from the inner surface force of the mold by injection molding of thermoplastic resin such as LCP (liquid crystal polymer), PPS (polyphenylene sulfide), or
  • the resin is molded by transfer molding of thermosetting resin such as epoxy resin.
  • the portion on the base end 38 side of the band-shaped portion 30x that protrudes from the molded resin (that is, the frame member 22) extends along the outer peripheral surface 24 of the frame member 22.
  • the tip 37 of the second piece 36 reaches the outer peripheral surface 24 of the frame member 22.
  • a conductive paste 25 containing solder, Ag or the like is printed on the terminals 16 on the one main surface 12b of the substrate body 12.
  • the frame body 20 is mounted on the one main surface 12b of the substrate body 12, and the conductive paste 25 is heated while the first piece 32 of the connection member 30 of the frame body 20 is in contact with the conductive paste 25.
  • the substrate body 12 and the frame body 20 are joined by the solder 26 in which the conductive paste 25 is solidified.
  • the intermediate piece 34 of the connection member 30 is disposed inside the frame member 22, and the connection member 30 is not exposed to the inner surface of the through hole 23. Therefore, the substrate body 12 and the frame body 20 are easily joined. be able to.
  • cleaning is performed to remove the dirt on the pad 17 provided on the one main surface 12b of the substrate body 12.
  • the surface-mounted component when a surface-mounted component is mounted on the one main surface 12b of the substrate body 12, the surface-mounted component can be bonded simultaneously with the bonding of the frame body 20.
  • a chip-like electronic component 50 such as an IC or FET is connected to the one main surface 12b of the substrate body 12 from the through hole 23 of the frame body 20 with epoxy resin or conductive material.
  • the terminals of the chip-like electronic component 50 and the pads 17 provided on the one main surface 12b of the substrate body 12 are connected by bonding wires 52 such as Au, Al, and Cu.
  • bonding wires 52 such as Au, Al, and Cu.
  • the intermediate piece 34 of the connection member 30 is disposed inside the frame member 22, and the inner surface of the through hole 23 Since the connection member 30 is not exposed to the wire, wire bonding can be easily performed.
  • the through hole 23 of the frame 20 is filled with a sealing agent 54 such as epoxy-based resin and thermally cured.
  • a sealing agent 54 such as epoxy-based resin and thermally cured.
  • the height of the sealant 54 is set so as not to exceed the frame 20. This is to prevent the sealing agent 54 from interfering when the composite substrate 10 is bonded to the external circuit substrate 60.
  • the sealant 54 is cured, as shown in FIG. 7, the top and bottom are turned upside down, and a conductive paste containing solder, Ag, etc. is printed on the other main surface 12a of the substrate body 12, and a chip such as a chip capacitor is printed.
  • the chip-like electronic component 40 is mounted and reflowed or thermoset, or the chip-like electronic component 42 such as an IC chip is flip-chip bonded via the solder ball 43 to connect the terminals of the chip-like electronic components 40 and 42
  • the terminal 18 on the other main surface 12a of the substrate body 12 is joined.
  • an underfill resin made of epoxy resin is filled between the chip-shaped electronic component 42 that has been flip-chip bonded and the other main surface 12a of the substrate body 12, and is thermally cured.
  • a metal case such as white or phosphor bronze is mounted on the other main surface 12a or the side surface of the substrate body 12 and joined. .
  • connection member 30 the intermediate piece 34 is disposed inside the frame member 22, and the connection member 30 is not exposed to the inner surface of the through hole 23, so that the chip shape on the one main surface 12b of the substrate body 12 is provided.
  • the margin during processing (gap for providing a margin) must be reduced, and the frame member 22 and thus the composite substrate 10 can be downsized. Can do.
  • the connecting member 30 is bent at two bent portions 33 and 35 so that the intermediate piece 34 does not protrude outside the region where the first piece 32 and the second piece 36 face each other. Can be downsized.
  • the intermediate piece protrudes outside the region where the first piece and the second piece face each other by bending the connecting member only at one place or continuously plastically deforming it in an arc shape, Since the size reduction of the frame member and the size reduction of the composite substrate 10 may be hindered, it is preferable that the connecting member is bent at a plurality of locations and the bending angle is substantially perpendicular. However, the present invention does not exclude a bent portion that is bent.
  • the connecting member may be provided with three bent portions, and the intermediate piece may be bent inside the region where the first piece and the second piece face each other. This is because it does not hinder downsizing.
  • the intermediate piece may be bent into a square shape so that the cross-section of the connecting member has a substantially square shape. By increasing the bend, the combination of spring constants in each direction can be changed.
  • the composite substrate 10 can relieve thermal stress and impact stress as described below, it is possible to improve the bonding reliability.
  • the substrate body 12 is a brittle ceramic multilayer substrate containing glass or the like having a bending strength lower than that of an alumina substrate or the like, the effect of preventing the substrate body from being destroyed by relaxation of thermal stress and impact stress is great.
  • connection member 30 is a continuous metal terminal bent so as to be plastically deformed, it is elastically deformed in any of the XYZ directions.
  • the molded resin that is, the frame member 22 and the connecting member 30 are not basically joined, and even after the resin molding, the resin is freely elastically deformed in the XYZ directions.
  • the connecting member 30 is elastically deformable, it is caused by reflow when the frame body 20 is bonded to the substrate body 12 or when the composite substrate 10 is bonded to the external circuit board 60, and heat during the subsequent heat cycle. Even if thermal stress occurs due to the difference in the linear expansion coefficient ⁇ of each part, the thermal stress can be absorbed by elastic deformation. Similarly, impact stress during a drop impact can be absorbed by elastic deformation. As a result, the bonding reliability is improved. [0096] Further details will be described with reference to FIG.
  • the linear expansion coefficient ⁇ force of the substrate body 12 is smaller than the linear expansion coefficient ⁇ of the external circuit board 60.
  • connection member 30 arranged oppositely through the through hole 23 is used, for example, in a reflow process for bonding the composite substrate 10 to the external circuit substrate 60
  • the external circuit board 60 side spreads, and a shearing force Fs and a bending moment Ms act on the joint between the second piece 36 of the connection member 30 and the external circuit board 60.
  • the shearing force Fs and the bending moment Ms are substantially proportional to the distance L between the intermediate pieces 34 of the connecting member 30 arranged to face each other through the through hole 23.
  • the distance L between the intermediate pieces 34 is The tip of the first piece and the second piece are directed inward, and the intermediate piece is smaller than the case where it is disposed on the opposite side (outside) of the through hole. Therefore, the shearing force Fs and the bending moment Ms acting on the joint portion between the second piece 36 of the connection member 30 and the external circuit board 60 are reduced, and the joining reliability is improved.
  • the connecting member 30 obtained by bending the metal thin plate is not bonded to the frame member 22 even if it is embedded in the resin frame member 22. Even if they are bonded, the bonded portion is easily peeled off, and can be easily elastically deformed.
  • the first piece 32 of the connection member 30 is separated from the substrate body 12 about the first bent portion 33. Rotate in direction I will try. However, this rotation is prevented by the frame member 22, and it is possible to prevent an excessive force from acting on the joint portion between the first piece 3 2 of the connection member 30 and the substrate body 12.
  • the distance L between the intermediate pieces 34 is reduced, that is, the tips 31, 37 of the connecting member 30 first piece 32 and second piece 36. Since the intermediate piece 34 is arranged on the through hole 23 side (inner side), the bending moment M acting on the joint portion can be reduced and the joint reliability can be improved.
  • the connecting member 30 may be formed by a method other than bending of a thin metal plate. That is, there is a method in which a through hole is formed in the frame member 22 and a metal film corresponding to the first piece 32 and the second piece 36 and a metal film electrically connecting them are formed in the through hole by plating.
  • the step of bonding the frame body 20 to the substrate body 12 or the composite substrate 10 is bonded to the external circuit substrate 60.
  • the remaining soaking solution is heated, vaporized and expanded rapidly, which may cause cracks in the vicinity of the through-holes and voids in the solder.
  • the connection member 30 is formed by bending a thin metal plate, this is not the case, so that the joining reliability can be improved.
  • connection member 30 when the through hole is drilled and the inner peripheral surface is stuck, the diameter of the through hole becomes, for example, 100 m or less, which makes it difficult to process.
  • the connection member 30 is formed by bending a thin metal plate, the thickness of the thin metal plate can be easily reduced to 50 m. Also, the dimensions that must be left around the hole are smaller than when the inner peripheral surface is pinched by drilling through-holes when forming the connection member 30 by bending a thin metal plate. be able to. Therefore, the connection member 30 can be easily downsized by forming it with the bending force of the metal thin plate.
  • connecting member 30 is formed by bending a thin metal plate and resin molding is performed so as to cover the connecting member 30, the process becomes simple and the manufacturing cost can be reduced.
  • connection member 30 formed by bending a thin metal plate
  • the material of the metal thin plate used for the connection member 30 has a higher degree of freedom in selection than when the connection member 30 is formed by plating.
  • the grease of the frame member 22 and the metal of the connection member 30 do not need to be firmly joined.
  • the material of the resin used for the frame member 22 is also highly flexible. Therefore, an inexpensive material, a material that is easy to bend, and a material that is easy to mold can be selected with a high degree of freedom, which is industrially useful.
  • the composite substrate 10a shown in the cross-sectional view of FIG. 11 has a distal end 37a side force of the second piece 36a of the connection member 30a for connecting to the external circuit substrate 60, and an outer peripheral surface 24 of the frame member 22. It is extended outward. As a result, the joining portion 66a between the second piece 36a and the external circuit board 60 can be enlarged, and the joining force between the composite board 10a and the external circuit board 60 can be improved.
  • the composite board 10b shown in the sectional view of FIG. 12 is formed by bending the tip 37b side of the second piece 36b of the connection member 30b for connecting to the external circuit board 60, and Along the outer peripheral surface 24. Solder 66b for joining to external circuit board 60 is bent Since the raised second piece 36b rises along the tip 37b side, the external force of the solder 66b for joining the external circuit board 60 and the composite board 10b can be easily inspected.
  • the first piece 32c of the connecting member 30c connected to the substrate body 12 side is connected to the external circuit board 60, contrary to the embodiment. It is longer than the second piece 36c of the connecting member 30c connected to the side.
  • the tip 31c side of the first piece 32c of the connection member 30c may extend to the outer peripheral surface 24 of the frame member 22 or may extend to the outer side of the outer peripheral surface 24.
  • the joining portion 26c between the first piece 32c of the connecting member 30c and the substrate body 12 can be enlarged, and the joining force between the frame 20c and the substrate body 12 can be improved.
  • the terminal 16 of the substrate body 12 and the first piece 32 of the connection member 30 of the frame body 20 are misaligned. Specifically, with respect to the center of the composite substrate ⁇ , the terminal 16 of the substrate body 12 is disposed relatively outside, and the first piece 32 of the connection member 30 of the frame 20 is disposed relatively inside. . Therefore, the conductive bonding material (for example, solder) 26x for bonding the terminal 16 and the first piece 32 is extended in the width direction (left-right direction in FIG. 15).
  • solder solder
  • the center 32c of the first piece 32 on the frame body 20 side is located on the inner side (through hole 23 side of the frame body 20) than the center 16c of the terminal 16 of the board body 12. It is preferable that ⁇ ( ⁇ > 0) is shifted.
  • the shrinkage stress F of the sealing resin 54 is relaxed by the shrinkage stress F of the conductive bonding material 26x to reduce the influence of the shrinkage stress of the sealing resin 54. You can. As a result, the deformation of the frame body 20 accompanying the curing shrinkage of the sealing resin 54 can be suppressed, and the connection reliability between the frame body 20 and the substrate body 12 can be improved.
  • the inner edge 32b of the first piece 32 on the frame body 20 side is located on the inner side (the through hole 23 side of the frame body 20) than the inner edge 16b of the terminal 16 of the board body 12 at a distance
  • the conductive bonding material 26x is inserted into the inner edge 16b of the terminal 16 and the inner side of the first piece 32, respectively. Since it hardens
  • leading edge 32a of the first piece 32 on the frame body 20 side (the leading edge 31 of the connecting member 30) is inside the outer edge 16a of the terminal 16 of the board body 12 (the through hole 23 of the frame body 20).
  • the distance ⁇ ( ⁇ > 0) is preferred.
  • the leading edge 32a of the first piece 32 is displaced to the outside of the frame body 20 (on the opposite side of the through hole 23 of the frame body 20) from the outer edge 16a of the terminal 16, the first piece 32 Since the front end 31 side of the first piece 32 is pulled inwardly of the frame 20 (direction of force toward the bent portion 33 of the connecting member 30), the front end 31 side of the first piece 32 is separated from the frame member 22, and the frame 20 and the substrate The bonding shape with the main body 12 may become unstable, and the bonding strength between the frame 20 and the substrate main body 12 may be reduced.
  • the leading edge 32a of the first piece 32 is shifted to the outside of the frame 20 with respect to the outer edge 16a of the terminal 16, the leading edge 31 side of the first piece 32 is directed outwardly of the frame 20 ( Since the connection member 30 is pulled in a direction opposite to the bent portion 33 of the connection member 30, the tip 31 side of the first piece 32 and the frame member 22 are joined to each other, and the joining shape of the frame body 20 and the substrate body 12 is This stabilizes the bonding strength between the frame 20 and the substrate body 12.
  • the composite substrate 10 is joined to the external circuit board 60 through the frame body 20 in which the bent connection member 30 is embedded in the resin frame member 22.
  • the thermal stress and impact stress of the joint portion can be relaxed with a simple configuration.
  • the connecting member 30 arranged oppositely through the through hole 23 of the frame member 22, the tips 31, 37 of the first piece 32 and the second piece 36 face outward, and both the intermediate pieces 34 are through holes 23.
  • the bending moment can be made as small as possible to further improve the joint reliability.
  • the "substrate body” is a convex portion formed on a portion other than the plane portion to which the frame body is connected if it is a substrate in which a plurality of terminals connected to the frame body are provided on the same plane.
  • a recess may be provided.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)

Abstract

　簡単な構成で、接合部分の熱応力や衝撃応力を緩和することができる複合基板及びその製造方法を提供する。 　基板本体１２の一方主面１２ｂに接合される枠体２０は、（１）絶縁材料からなり、中央に貫通穴２３を有し、基板本体１２の一方主面１２ｂの周縁部に沿って枠状に延在する枠部材２２と、（２）金属薄板の折り曲げ加工により形成され、中間片３４の両端にそれぞれ第１片３２と第２片３６とが連続する複数の接続部材３０とを有する。接続部材３０は、貫通穴２３を介して対向するように枠部材２２に配置される。接続部材３０の第１片３２と第２片３６は、枠部材２２の貫通穴２３周囲に延在する両主面にそれぞれ露出し、接続部材３０が貫通穴２３を介して対向する方向に延在し、貫通穴２３側の端部が中間片３４の両端にそれぞれ連続する。中間片３４は枠部材２２の内部を貫通する。

Description

複合基板及び複合基板の製造方法
技術分野
[0001] 本発明は複合基板及び複合基板の製造方法に関し、詳しくは、平板状の基板本 体の一方主面に枠体を接合してなる複合基板及びその製造方法に関する。
背景技術
[0002] 高密度に電子部品を実装するため、基板本体の両面又は片面にチップ状電子部 品を搭載したモジュール部品が提供されて 、る。このようなモジュール部品を他の回 路基板に実装したときに、モジュール部品の基板本体を他の回路基板力も浮力せる ため、モジュール部品の基板本体に枠状部材ゃパッケージを取り付けることが提案さ れている。この場合、基板本体と他の回路基板との間の電気的接続のため、枠状部 材ゃパッケージには配線パターンが形成され、配線パターンの一端が基板本体に接 合され、配線パターンの他端が他の回路基板に接合される (例えば、特許文献 1〜4
) o
[0003] また、特許文献 5には、モジュール基板間を接続する基板接続部材につ!/、て、モジ ユール基板と接続するためのリード端子を基板接続部材のハウジングから突出させ、 この突出部分のばね弾性を利用して、耐衝撃性を改善することが提案されている。
[0004] また、特許文献 6には、図 16 (A)に示したように、平板形状の榭脂製基板 120にリ ードフレーム 130をインサートモールドし、リードフレーム 130の中間部分 131を榭脂 製基板 120の内部に埋設し、リードフレーム 130の両端を屈折させて、榭脂製基板 1 20の表裏面にリード部 132, 133を露出させるチップパッケージ 110が開示されてい る。
[0005] このチップパッケージ 110は、図 16 (B)に示すように、榭脂性基板 110の上面に、 開口 123を跨ぐよう〖こチップ 140を実装し、ボンディングワイヤー 150でチップ 140と リード部 132とを接続して 、る。
[0006] また、図 16 (C)に示すように、榭脂封止剤 152をチップパッケージ 110の上面にチ ップ 140も封止するように塗布した後、下面開口のボックス状の蓋 154を被せて榭脂 製基板 120と固定して半導体装置を形成している。この半導体装置は、プリント基板
171上に実装している。
特許文献 1 :特開平 6— 216314号公報
特許文献 2：特開平 7— 50357号公報
特許文献 3 :特開 2000— 101348号公報
特許文献 4：特開 2001— 339137号公報
特許文献 5：特開 2005 - 333046号公報
特許文献 6：特開 2005 - 328009号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0007] モジュール部品の基板本体とモジュール部品が実装される他の回路基板との熱膨 張率又は線膨張係数に差があると、温度変化によって、枠状部材ゃパッケージに形 成した配線パターンと基板本体や他の回路基板との接合部分に熱応力が発生する 。また、これらの接合部分には、落下衝撃によって衝撃応力が発生する。特に、厳し い環境下で使用される場合には、熱応力や衝撃応力が大きくなるため、接合信頼性 の低下が著しい。
[0008] 特許文献 5に開示された基板接続部材は、リード端子の突出した部分が空中に浮 いているため、リード端子をモジュール基板に精度よく位置決めして接合することが 容易ではない。また、構造も複雑である。
[0009] 特許文献 6に開示されたチップパッケージは、チップを搭載してボンディングワイヤ 一で接続するものであり、基板本体に接合されるものでない。特許文献 6には、熱応 力や衝撃応力を緩和するためのリードフレームの形状について、開示も示唆もされて いない。
[0010] 本発明は、カゝかる実情に鑑み、簡単な構成で、接合部分の熱応力や衝撃応力を緩 和することができる複合基板及びその製造方法を提供しょうとするものである。
課題を解決するための手段
[0011] 本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した複合基板を提供す る。 [0012] 複合基板は、少なくとも一方主面に端子を有する基板本体と、前記基板本体の前 記一方主面に接合される枠体とを備えたタイプのものである。前記枠体は、（1)絶縁 材料からなり、中央に貫通穴を有し、前記基板本体の前記一方主面の周縁部に沿つ て枠状に延在する枠部材と、（2)金属薄板の折り曲げ加工により形成され、中間片の 両端にそれぞれ第 1片と第 2片とが連続する複数の接続部材とを有する。前記複数 の接続部材は、（a)前記枠部材に、前記枠部材の前記貫通穴を介して対向するよう に配置され、（b)前記第 1片が、前記枠部材の前記基板本体側に露出して、前記基 板本体の前記一方主面の前記端子に接合され、（c)前記第 2片が、前記枠部材の 前記基板本体とは反対側に露出し、（d)前記第 1片及び前記第 2片が、前記接続部 材が前記枠部材の前記貫通穴を介して対向する方向に延在し、（e)前記中間片が、 前記枠部材の内部を貫通し、（f)前記中間片の前記両端は、前記第 1片及び前記第 2片の前記枠部材の前記貫通穴側の端部にそれぞれ連続する。
[0013] 上記構成において、複合基板は、接続部材の第 2片が外部回路基板に接続される 。このとき、第 1片と第 2片の同じ側の端部が中間片の両端に連続する接続部材は、 温度変化や衝撃力等により複合基板と外部回路基板との接合部分や基板本体と枠 体との接合部分に生じる熱応力や衝撃応力等を、弾性変形することによって緩和す ることができる。そのため、接合信頼性を向上することができる。
[0014] 上記構成によれば、枠部材の貫通穴を介して対向する接続部材の中間片間の距 離は、第 1片及び第 2片の他方の端部 (枠体の貫通穴とは反対側、すなわち外側）が 中間片に連続する場合に比べて短くなるため、接合部分に生じる熱応力や衝撃応 力等も小さくなる。その結果、接合信頼性は、第 1片及び第 2片の他方の端部 (枠体 の貫通穴とは反対側、すなわち外側）が中間片に連続する場合よりも、向上する。
[0015] 好ましくは、チップ状電子部品が前記枠状部材の前記貫通穴内に配置され、前記 基板本体の前記一方主面に搭載されて 、る。
[0016] この場合、枠状部材の貫通穴を利用して、複合基板の実装密度を高めることができ る。
[0017] 好ましくは、前記チップ状電子部品が榭脂で封止され、該榭脂が前記枠体の一部 に接着又は当接している。 [0018] この場合、枠体で樹脂の流れを阻止し、チップ状電子部品を確実に封止することが できる。また、封止に用いた榭脂によって枠体の変形を拘束し、枠体と基板本体との 接合を補強することができる。
[0019] 好ましくは、前記枠体の前記接続部材は、金属薄板の打ち抜き加工及び折り曲げ 加工により形成される。前記枠体の前記枠部材は、金型内に前記接続部材となる部 分を挿入した状態で成形した榭脂である。
[0020] この場合、枠体を効率よく製作することができる。
[0021] 好ましくは、前記基板本体がセラミック基板である。
[0022] セラミック基板は熱膨張が小さいため、外部回路基板に実装したときに接合部分に 作用する熱応力が大きくなる。したがって、接合信頼性の向上効果が特に大きい。
[0023] 好ましくは、前記基板本体は、 1050°C以下で焼結する複数のセラミック層を積層し てなるセラミック多層基板である。
[0024] この場合、セラミック多層基板により複合基板の実装密度を高めつつ、接合信頼性 を向上することができる。また、セラミック多層基板は他の種類の基板に比べて脆い ため、熱応力や衝撃応力からセラミック多層基板自体の破壊を防止する効果が大き い。
[0025] 好ましくは、前記枠体の前記接続部材の前記金属薄板は可撓性を有する。
[0026] 接続部材を構成する金属薄板が可撓性を有して!/ヽれば、接続部材の第 1片ゃ第 2 片が屈曲部を支点として可動であるので、枠体と基板本体の接合強度や、枠体と外 部回路基板の接合強度が向上する。
[0027] 好ましくは、前記接続部材の厚みは、 50 μ m以上、力つ 300 μ m以下である。
[0028] 上記範囲内であれば、接続部材を高精度の加工することができるため、小型化が 容易である。すなわち、接続部材の厚さが 50 mより小さくなると、折り曲げ加工時の ばらつきが大きくなり、接続部材の第 1片ゃ第 2片の位置や高さの精度が低下する。 また、疲労破壊しやすい。接続部材の厚さが 300 mより大きくなると、折り曲げ加工 が難しくなり、曲げ角度のばらつきや高さのばらつきが大きくなる。
[0029] 好ましくは、前記基板本体の他方主面に、チップ状電子部品が搭載されている。
[0030] この場合、複合基板の実装密度を高めることができる。 [0031] 好ましい一態様として、前記枠体の前記接続部材は、前記第 2片の先端が、前記 枠部材の外周面まで又は該外周面よりも外側まで延在している。
[0032] この場合、複合基板と外部回路基板との接合部分の面積を大きくして、複合基板と 外部回路基板との間の接合強度を向上させることができる。
[0033] 好ま 、他の態様として、前記枠体の前記接続部材は、前記第 2片の先端側が折り 曲げられて、前記枠部材の外周面に沿って延在している。
[0034] この場合、複合基板と外部回路基板との接合状態を、外部から検査することが容易 になる。
[0035] 好ましいさらに他の態様として、前記枠体の前記接続部材は、前記第 1片の面積が
、前記第 2片の面積よりも大きい。
[0036] この場合、枠体と基板本体と間の接合部分の面積を大きくして、枠体と基板本体と の間の接合強度を向上させることができる。
[0037] 好ま 、別の態様として、前記枠体の前記接続部材の前記第 1片の中心の位置が
、前記基板本体の前記端子の中心の位置よりも、前記枠体の前記貫通穴側にずれ ている。
[0038] この場合、枠体の貫通穴に封止榭脂を充填'硬化させた際の封止榭脂の硬化収縮 応力を、基板本体の端子と接続部材の第 1片とを接合して!ヽる導電性接合材の収縮 応力で緩和して、封止榭脂の収縮応力による影響を小さくすることができる。その結 果、封止榭脂の硬化収縮に伴う枠体の変形を抑制でき、枠体と基板本体との接続信 頼性を向上させることができる。また、基板本体には圧縮応力が働くため、基板本体 自身の抗折強度が向上する。
[0039] 好ましいさらに別の態様として、前記枠体の前記接続部材の前記第 1片の前記枠 体の前記貫通穴側の内側縁の位置が、前記基板本体の前記端子の前記基板本体 の中心側の内側縁の位置よりも、前記枠体の前記貫通穴側にずれて!/、る。
[0040] この場合、基板本体の端子と枠体の接続部材の第 1片とを接合する導電性接合材 は、端子の内側縁と第 1片の内側縁との間の領域で幅方向（基板本体と枠体との接 合面に対して直角方向）に引き延ばされた形で硬化するので、導電性接合材の硬化 収縮応力を大きくすることができる。その結果、枠体の貫通穴に充填 '硬化するときの 封止榭脂の収縮応力を、導電性接合材の収縮応力でより効果的に緩和することがで きる。
[0041] 好ましいさらに別の態様として、前記枠体の前記接続部材の前記第 1片の前記枠 体の前記貫通穴とは反対側の先端縁の位置が、前記基板本体の前記端子の前記 基板本体の中心とは反対側の外側縁の位置よりも、前記枠体の前記貫通穴側にず れている。
[0042] 仮に、第 1片の先端縁が端子の外側縁よりも外側 (枠体の貫通穴とは反対側）にず れていると、第 1片の先端側が枠体の内側方向に引っ張られるので、第 1片の先端側 が枠部材力 離れてしまい、枠体と基板本体との接合形状が不安定になったり、枠 体と基板本体との接合強度が低下したりすることがある。これとは逆に、第 1片の先端 縁が端子の外側縁よりも内側 (枠体の貫通穴側）にずれていると、第 1片の先端側は 枠体の外側方向に引っ張られるので、第 1片の先端側と枠部材とがしつかりと接合し 、枠体と基板本体との接合形状が安定し、枠体と基板本体との接合強度が安定する
[0043] また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した複合基板の製 造方法を提供する。
[0044] 複合基板の製造方法は、（1)少なくとも一方主面に端子が設けられた基板本体と、 枠体とを準備する第 1の工程と、（2)前記基板本体の前記一方主面に、前記枠体を 接合する第 2の工程とを備える。前記第 1の工程において、前記枠体は、（i)絶縁材 料からなり、中央に貫通穴を有し、前記基板本体の前記一方主面の周縁部に沿って 枠状に延在する枠部材と、 GO金属薄板の折り曲げ加工により形成され、中間片の両 端にそれぞれ第 1片と第 2片とが連続する複数の接続部材とを有する。前記複数の 接続部材は、（a)前記枠部材に、前記枠部材の前記貫通穴を介して対向するように 配置され、（b)前記第 1片及び第 2片が、前記枠部材の前記貫通穴の周囲に延在す る前記枠部材の両主面にそれぞれ露出し、（c)前記第 1片及び前記第 2片が、前記 接続部材が前記枠部材の前記貫通穴を介して対向する方向に延在し、（d)前記中 間片が、前記枠部材の内部を貫通し、（e)前記中間片の前記両端に、前記第 1片及 び前記第 2片の前記枠部材の前記貫通穴側の端部がそれぞれ連続する。前記第 2 の工程において、（f)前記枠体は、前記基板本体の一方主面の周縁部に沿って枠 状に延在するように配置され、（g)前記枠体の前記接続部材の前記第 1片が、前記 基板本体の前記一方主面に設けられた前記端子に接合される。
[0045] 上記方法により製造された複合基板は、接続部材の第 2片が外部回路基板に接続 される。このとき、第 1片と第 2片の同じ側の端部が中間片の両端に連続する接続部 材は、温度変化や衝撃力等により複合基板と外部回路基板との接合部分や基板本 体と枠体との接合部分に生じる熱応力や衝撃応力等を、弾性変形することによって 緩和することができる。そのため、接合信頼性を向上することができる。
[0046] 上記構成によれば、枠部材の貫通穴を介して対向する接続部材の中間片間の距 離は、第 1片及び第 2片の他方の端部 (枠体の貫通穴とは反対側、すなわち外側）が 中間片に連続する場合に比べて短くなるため、接合部分に生じる熱応力や衝撃応 力等も小さくなる。その結果、接合信頼性は、第 1片及び第 2片の他方の端部 (枠体 の貫通穴とは反対側、すなわち外側）が中間片に連続する場合よりも、向上する。 発明の効果
[0047] 本発明によれば、簡単な構成で、接合部分の熱応力や衝撃応力を緩和することが でき、接合信頼性を向上することができる。
図面の簡単な説明
[0048] [図 1]複合基板の全体構成を示す (A)断面図、（B)底面図である。（実施例）
[図 2]複合基板の作製工程を示す断面図である。（実施例）
[図 3]複合基板の作製工程を示す断面図である。（実施例）
[図 4]複合基板の作製工程を示す断面図である。（実施例）
[図 5]複合基板の作製工程を示す断面図である。（実施例）
[図 6]複合基板の作製工程を示す断面図である。（実施例）
[図 7]複合基板の作製工程を示す断面図である。（実施例）
[図 8]複合基板の作製工程を示す (A)断面図、（B)要部拡大断面図である。（実施例 )
[図 9]枠体の作製工程を示す断面図である。（実施例）
[図 10]複合基板の変形の説明図である。（実施例） [図 11]複合基板の全体構成を示す断面図である。（変形例 1)
[図 12]複合基板の全体構成を示す断面図である。（変形例 2)
[図 13]複合基板の全体構成を示す断面図である。（変形例 3)
[図 14]複合基板の全体構成を示す断面図である。（変形例 4)
[図 15]複合基板の接合部分を示す要部拡大断面図である。（変形例 4)
[図 16]チップパッケージの断面図である。（従来例）
符号の説明
[0049] 10 複合基板
12 基板本体
12a 他方主面
12b 一方主面
16, 18 端子
16a 外側縁
16b 内側縁
16c 中心
20 枠体
22 枠部材
23 貫通穴
30 接続部材
32 第 1片
32a 先端縁
32b 内側縁
32c 中心
34 中間片
36 第 2片
40, 42, 50 チップ状電子部品
発明を実施するための最良の形態
[0050] 以下、本発明の実施の形態について、図 1〜図 13を参照しながら説明する [0051] く実施例〉 図 1〜図 10を参照しながら、複合基板 10について説明する。
[0052] 図 1 (A)の断面図及び図 1 (B)の底面図に示すように、複合基板 10は、平板状の 基板本体 12の一方主面 12bに枠体 20が接合されて 、る。
[0053] 基板本体 12の一方主面 12bには、 ICチップ等のチップ状電子部品 50が搭載され 、チップ状電子部品 50の端子と基板本体 12の一方主面 12bに設けられたパッド 17 とがボンディングワイヤー 52によって接続されている。なお、基板本体 12の一方主面 12bには、ワイヤーボンディング以外で接続するチップ状電子部品を搭載してもよ!/ヽ 。例えば、表面実装型部品（SMD)を搭載してもよい。
[0054] 基板本体 12の他方主面 12aには、必要に応じて、チップコンデンサや ICチップ等 のチップ状電子部品 40, 42力 S搭載され、はんだリフローゃフリップチップボンディン グによって、チップ状電子部品 40, 42の端子と基板本体 12の他方主面 12aに設け られた端子 18とが接続される。
[0055] 基板本体 12は、高密度化のために、片面又は両面に電子部品を実装可能な構造 であればよい。基板本体 12は、例えば、複数のセラミック層が積層されたセラミック多 層基板である。セラミック多層基板は、内部に電気回路を構成することにより実装密 度を高めることができるので、複合基板 10の基板本体 12として好ましい。もっとも、基 板本体 12はセラミック多層基板に限らず、 1層のみのセラミック基板 (例えば、アルミ ナ基板)であっても、セラミック以外の材料を用いた基板 (例えば、プリント配線基板、 フレキシブルプリント配線基板など）であってもよ!/、。
[0056] 枠体 20は、絶縁材料 (例えば、榭脂）力もなる枠部材 22に、複数の接続部材 30が 配置されている。
[0057] 枠部材 22は、中央に貫通穴 23を有し、矩形の基板本体 12の一方主面 12bの周縁 部に沿って枠状に延在する。枠部材 22の貫通穴 23によって、凹部（キヤビティー）が 形成され、この凹部の底面となる基板本体 12の一方主面 12bに、前述したチップ状 電子部品 50とパッド 17とが配置されている。
[0058] 機械的破壊や熱や水分などの環境から保護するため、必要に応じて、枠部材 22の 貫通穴 23に封止剤 54を充填し、チップ状電子部品 50を封止する。基板本体 12の 一方主面 12bに、チップ状電子部品 50をはんだリフローで実装する場合や、チップ 状電子部品 50を Auやはんだのバンプでフリップチップボンディングする場合には、 封止剤 54はなくてもよい。
[0059] また、基板本体 12の他方主面 12a側のチップ状電子部品 40, 42を封止剤で封止 したり、金属ケースを接合したりしてもよい。これは、複合基板 10を外部回路基板 60 に実装する際にマウンターで吸着しやくするためである。特に高周波用の複合基板 1 0には、金属ケースを用いると、電磁シールドの効果もある。電磁シールドが不要な場 合には、チップ状電子部品 40, 42の上面を被覆するように、エポキシ榭脂等の熱硬 化性榭脂を塗布し、あるいはトランスファー成形し、天面を平らにする。
[0060] 各接続部材 30は、枠部材 22の貫通穴 23を介して互いに対向するように、枠部材 2 2の 4辺に配置されている。各接続部材 30は、帯状の金属薄板を直角に折り曲げて 2 つの屈曲部 33, 35が形成された断面略コ字状の部材であり、中間片 34の両端にそ れぞれ第 1片 32と第 2片 36とが連続している。中間片 34は、枠部材 22の内部を貫 通している。第 1片 32は、枠部材 22の基板本体 12に対向する面に沿って延在して いる。第 2片 36は、枠部材 22の基板本体 12とは反対側の面に沿って延在し、外部 に露出している。第 1片 32と第 2片 36とは、接続部材 30が枠部材 22の貫通穴 23を 介して対向する方向に延在している。第 1片 32と第 2片 36の同じ側の端部、すなわ ち枠部材 22の貫通穴 23側の端部は、それぞれ、中間片 34の両端に連続している。 つまり、第 1片 2と第 2片 36とは、それぞれの先端 31, 37が外側を向くように配置され 、中間片 34が内側に配置されている。
[0061] 第 1片 32と第 2片 36とは、長さが異なる。すなわち、第 2片 36の先端 37は枠部材 2 2の外周面 24に達している力 第 1片 32の先端 31は、枠部材 22の外周面 24に達し ていない。
[0062] 接続部材 30の第 1片 32は、基板本体 12の一方主面 12bに設けられた端子 16に、 はんだ 26で接合される。これによつて、枠体 20は基板本体 12の一方主面 12bに接 合される。
[0063] 外部に露出している接続部材 30の第 2片 36は、外部回路基板 60に接合される。こ れによって、複合基板 10は外部回路基板 60に実装され、電気的に接続される。基 板本体 12に金属ケースを接合する場合には、金属ケースも外部回路基板 60に電気 的に接続されるようにする。
[0064] 接続部材 30に用いる金属薄板の厚みは、 50 μ m〜300 μ mが好まし 、。
[0065] 接続部材 30に用いる金属薄板の厚みが 50 m未満では、折り曲げ加工時のばら つきが大きくなり、第 1片 32や第 2片 36の位置や高さのばらつきが大きくなつてしまう 。第 1片 32や第 2片 36の位置や高さのばらつきが大きくなると、枠体 20と基板本体 1 2との位置合わせ精度が低下する。枠体 20と基板本体 12とを確実に接合するために 、第 1片 32の位置ずれ分の余裕を見込んで、第 1片 32と接合する基板本体 12の端 子 16を大きくすると、基板本体 12の小型化、ひいては複合基板 10の小型化を損ね る。
[0066] 第 1片 32や第 2片 36の高さがばらつくと、例えば、基板本体 12と枠体 20との間や、 枠体 20と外部回路基板 60との間のはんだの厚みがばらつき、接合信頼性が損なわ れる。高さのばらつき分を見込んで高さマージンを大きくすると、複合基板 10の低背 化を阻害する。
[0067] さらに、熱応力や衝撃応力により、接続部材 30の屈曲部 33, 35付近は繰り返し疲 労を受けるが、厚みが小さいと疲労破壊しやすいため、接合信頼性を損ねる。
[0068] 接続部材 30に用いる金属薄板の厚みが 300 mを越えると、折り曲げ力卩ェが難し くなり、曲げ角度のばらつき、高さのばらつきが大きくなる。また、打ち抜きや折り曲げ の間隔を小さくし、第 1片 32、中間片 34、第 2片 36の長さ (第 1片 32、中間片 34、第 2片 36が連続する方向の寸法)や幅 (第 1片 32、中間片 34、第 2片 36が連続する方 向に直角方向の寸法)を小さくすることができないため、複合基板 10の小型化、低背 化を阻害する。
[0069] 接続部材 30には、基板本体 12や外部回路基板 60との接合に使用されるはんだ や導電性接着剤との濡れ性をよくし、接合強度を高めるため、 NiZSn、 NiZAu、 Ni Zはんだなどをめつきしてもよい。このようなめっきは、接続部材 30の全面に施しても 、第 1片 32や第 2片 36の接合面のみに施してもよい。
[0070] 次に、複合基板 10の作製工程について、図 2〜図 9を参照しながら説明する。
[0071] まず、基板本体 12と枠体 20とを準備する。
[0072] 基板本体 12は、セラミック多層基板の場合、例えば複数のセラミック層を積層して なり、図 2に示すように、内部には、 Ag、 Ag/Pd, Ag/P Cu、 CuOなどを主成分 とする導電性ペーストを用いて面内導体パターン 14やビアホール導体パターン 13が 形成されている。このような構成は、低抵抗の Agや Cuを使うので、信号損失が小さく 、高周波用の部品あるいはモジュールとして実用化されている。基板本体 12の一方 主面 12bには、端子 16やパッド 17が形成され、他方主面 12aには接合電極 (接合用 ランド）となる端子 18が形成されている。端子 16, 18やパッド 17には、必要に応じて 、 NiZSn、 Ni/Au, Ni/Pd/Au, NiZはんだをめつきする。
[0073] 具体的には、面内導体パターン 14やビアホール導体パターン 13等が形成された 厚さ 10〜200 m程度の未焼成セラミックグリーンシートと、セラミックグリーンシート の焼成温度よりも高温で焼結する拘束層とを準備する。未焼成セラミックグリーンシー トは低温焼結セラミックス材料を含み、焼結温度は 1050°C以下である。低温焼結セ ラミック材料としては、具体的には、アルミナゃフォルステライト等のセラミック粉末にホ ゥ珪酸系ガラスを混合してなるガラス複合系 LTCC (Low Temperature Co -fir ed Ceramic)材料、 ZnO— MgO—Al O—SiO系の結晶化ガラスを用いた結晶
2 3 2
化ガラス系 LTCC材料、 BaO— Al O—SiO系セラミック粉末や Al O— CaO— Si
2 3 2 2 3
O -MgO-B O系セラミック粉末等を用いた非ガラス系 LTCC材料等、が挙げら
2 2 3
れる。また、拘束層はアルミナを含む材料カゝらなっている。次いで、未焼成セラミック グリーンシートと拘束層とを適宜な順序で積層して、複数枚の未焼成セラミックダリー ンシートを積層した積層体の両主面に拘束層が積層された複合積層体を形成する。 次いで、この複合積層体を、セラミックグリーンシートの焼結温度で焼成した後、焼結 していない拘束層を除去して、未焼成セラミックグリーンシートが焼結して形成された 基板本体 12を取り出す。
[0074] 枠体 20は、図 9に示す工程により作製する。
[0075] すなわち、図 9 (A)に示すように、青銅、洋白、 Ni合金などの金属薄板を金型で打 ち抜いて、先端 31が互いに対向する複数の帯状部 30xを形成する。
[0076] 次いで、図 9 (B)に示すように、対向する帯状部 30xの先端 31側を直角に折り曲げ て第 1の屈曲部 33を形成する。先端 31と第 1の屈曲部 33との間が、第 1片 32となる [0077] 次いで、図 9 (C)に示すように、第 1の屈曲部 33よりも基端 38側を直角に折り曲げ て第 2の屈曲部 35を形成する。第 1の屈曲部 33と第 2の屈曲部 35との間が、中間片 34となる。
[0078] 次 、で、図 9 (D)に示すように、帯状部 30xに榭脂をモールドし、貫通穴 23を有す る枠部材 22を形成する。このとき、先端 31と第 1の屈曲部 33との間の第 1片 32と、第 2の屈曲部 35よりも基端 38側とが金型の内面に沿 、、第 1の屈曲部 33と第 2の屈曲 部 35との間の中間片 34が金型の内面力も離れるようにして、 LCP (液晶ポリマー）、 PPS (ポリフエ-レンサルファイド)等の熱可塑性榭脂の射出成形、あるいは、ェポキ シ系榭脂などの熱硬化性榭脂のトランスファー成形により、榭脂成形する。
[0079] 次いで、図 9 (E)に示すように、成形した榭脂（すなわち、枠部材 22)からはみ出し た帯状部 30xの基端 38側の部分を、枠部材 22の外周面 24に沿って切り離す。これ により、第 2片 36の先端 37は、枠部材 22の外周面 24に達している。
[0080] 次いで、図 3に示すように、基板本体 12の一方主面 12bの端子 16に、はんだ、 Ag 等を含む導電性ペースト 25を印刷する。
[0081] 次いで、基板本体 12の一方主面 12bに枠体 20を搭載し、枠体 20の接続部材 30 の第 1片 32が導電性ペースト 25に当接した状態で導電性ペースト 25を熱硬化させ、 図 4に示すように、導電性ペースト 25が固化したはんだ 26により、基板本体 12と枠体 20とを接合する。このとき、接続部材 30の中間片 34が枠部材 22の内部に配置され ており、貫通穴 23の内面に接続部材 30が露出しないので、基板本体 12と枠体 20と の接合を容易に行うことができる。接合後、洗浄を行って、基板本体 12の一方主面 1 2bに設けたパッド 17の汚れを除去する。
[0082] なお、基板本体 12の一方主面 12bに、表面実装型部品を搭載する場合、枠体 20 の接合と同時に、表面実装型部品の接合を行うことができる。
[0083] 次いで、図 5に示すように、枠体 20の貫通穴 23から、基板本体 12の一方主面 12b に、 IC、 FETなどのチップ状電子部品 50を、エポキシ系榭脂又は導電性榭脂等で 搭載し、チップ状電子部品 50の端子と、基板本体 12の一方主面 12bに設けたパッド 17との間を、 Au、 Al、 Cuなどのボンディングワイヤー 52によって接続する。このとき 、接続部材 30の中間片 34が枠部材 22の内部に配置されており、貫通穴 23の内面 に接続部材 30が露出しな 、ので、ワイヤーボンディングを容易に行うことができる。
[0084] 次いで、枠体 20の貫通穴 23に、エポキシ系榭脂等の封止剤 54を充填して熱硬化 し、図 6に示すように、チップ状電子部品 50やボンディングワイヤー 52、パッド 17を 封止剤 54で覆い、封止する。
[0085] このとき、封止剤 54の高さが枠体 20を超えないようにする。複合基板 10を外部回 路基板 60に接合するときに、封止剤 54が干渉しないようにするためである。
[0086] また、封止剤 54が、枠部材 22から露出している接続部材 30の第 2片 36にまで濡 れ広がると、第 2片 36にはんだが付かなくなり、外部回路基板 60と接合できなくなる 。これを防ぐため、第 2片 36やその周辺に、離型剤や撥水剤を塗布してもよい。
[0087] 封止剤 54が硬化したら、図 7に示すように上下を反転し、基板本体 12の他方主面 12aに、はんだ、 Ag等を含む導電性ペーストを印刷し、チップコンデンサ等のチップ 状電子部品 40を搭載して、リフローもしくは熱硬化して、あるいは ICチップ等のチッ プ状電子部品 42をはんだボール 43を介してフリップチップボンディングして、チップ 状電子部品 40 , 42の端子と基板本体 12の他方主面 12aの端子 18とを接合する。 必要に応じて、フリップチップボンディングしたチップ状電子部品 42と基板本体 12の 他方主面 12aとの間に、エポキシ系榭脂からなるアンダーフィル榭脂を充填、熱硬化 する。金属ケースを用いる場合には、チップ状電子部品 40, 42の接合後に、洋白、 りん青銅等カゝらなる金属ケースを、基板本体 12の他方主面 12a上又は側面に搭載し 、接合する。
[0088] 以上の工程で作製された複合基板 10は、例えば図 8 (A)の断面図、図 8 (B)の要 部拡大断面図に示すように、外部回路基板 60に実装する場合、枠部材 22の基板本 体 12とは反対側の面に露出している接続部材 30の第 2片 36を、プリント配線板等の 外部回路基板 60の接合用ランド等の表面電極 62に、はんだ 66を介して接合する。 これによつて、基板本体 12の一方主面 12bに設けられた端子 16は、はんだ 26、接 続部材 30、はんだ 66を介して、外部回路基板 60の表面電極 62と電気的に接続さ れる。
[0089] 接続部材 30は、中間片 34が枠部材 22の内部に配置されており、貫通穴 23の内 面に接続部材 30が露出しないので、基板本体 12の一方主面 12bへのチップ状電子 部品 50の搭載や、枠体 20の接合を容易に行うことができるため、加工時のマージン (余裕を持たせるための隙間）を小さくし、枠部材 22、ひいては複合基板 10を小型化 することができる。
[0090] また、接続部材 30は、 2箇所の屈曲部 33, 35で折り曲げることにより、第 1片 32と 第 2片 36とが対向する領域の外側に中間片 34がはみ出ないようにすることができる ので、小型化することができる。
[0091] 接続部材を一箇所のみで屈曲させたり、円弧状に連続的に塑性変形させたりして、 第 1片と第 2片とが対向する領域の外側に中間片がはみ出してしまうと、枠部材の小 型化、ひいては複合基板 10の小型化を阻害することがあるので、接続部材は複数箇 所で折り曲げ、かつ、折り曲げ角度がほぼ直角になることが好ましい。ただし、本発明 は、屈曲部にアールがっ 、たものを排除するものではな 、。
[0092] 一方、接続部材に屈曲部を 3箇所設け、中間片を、第 1片と第 2片とが対向する領 域の内側に折り曲げるようにしてもよい。小型化を阻害しないためである。例えば接 続部材の断面が略∑字状になるように、中間片をく字状に折り曲げてもよい。屈曲部 を増やことにより、各方向のばね定数の組み合わせを変えることができる。
[0093] 複合基板 10は、以下に説明するように熱応力や衝撃応力を緩和することができる ため、接合信頼性を向上することができる。特に、基板本体 12が、アルミナ基板など と比べて曲げ強度が低ぐガラス等を含み脆いセラミック多層基板の場合、熱応力や 衝撃応力の緩和により、基板本体の破壊を防止する効果も大きい。
[0094] すなわち、接続部材 30は、塑性変形するように折り曲げられた連続する金属端子 であるので、 XYZ方向のいずれにも弾性変形する。また、成形された榭脂、すなわち 枠部材 22と接続部材 30とは基本的に接合しておらず、榭脂成形された後も、 XYZ 方向に自由に弾性変形する。
[0095] 接続部材 30が弾性変形可能であると、枠体 20を基板本体 12に接合するときや、 複合基板 10を外部回路基板 60に接合するときのリフロー、その後のヒートサイクル時 の熱により、各部の線膨張係数 αの差により熱応力が発生しても、弾性変形で熱応 力を吸収することができる。同様に、落下衝撃時などの衝撃応力も、弾性変形で吸収 することができる。そのため、接合信頼性が向上する。 [0096] 図 10を参照しながら、さらに詳しく説明する。
[0097] 基板本体 12の線膨張係数 α 力 外部回路基板 60の線膨張係数 α よりも小さい
1 2
とき、図 10 (A)に示すように、貫通穴 23を介して対向して配置されている接続部材 3 0は、例えば複合基板 10を外部回路基板 60に接合するためのリフロー工程や、使用 時の温度上昇によって外部回路基板 60側が広がり、接続部材 30の第 2片 36と外部 回路基板 60との間の接合部分に、せん断力 Fsや曲げモーメント Msが作用する。こ のせん断力 Fsや曲げモーメント Msは、貫通穴 23を介して対向して配置されている 接続部材 30の中間片 34間の距離 Lに略比例する。図示したように第 1片 32と第 2片 36の先端 31, 37が外側を向き、中間片 34がともに貫通穴 23側（内側）に配置され ていると、中間片 34間の距離 Lは、第 1片と第 2片の先端が内側を向き、中間片が貫 通穴とは反対側 (外側）に配置される場合よりも小さくなる。そのため、接続部材 30の 第 2片 36と外部回路基板 60との間の接合部分に作用するせん断力 Fsや曲げモーメ ント Msが小さくなり、接合信頼性が向上する。
[0098] 接続部材 30の第 1片 32と基板本体 12との接合部分についても同様であり、第 1片 32と第 2片 36の先端 31, 37が外側を向き、中間片 34がともに貫通穴 23側（内側）に 配置されていると、第 1片と第 2片の先端が内側を向き、中間片が貫通穴とは反対側 (外側）に配置される場合よりも、中間片 34間の距離 Lが小さくなり、接合部分に作用 するせん断力や曲げモーメントが小さくなるため、接合信頼性が向上する。
[0099] また、金属と榭脂は接着しにくいため、金属薄板を折り曲げ加工した接続部材 30は 、榭脂の枠部材 22に埋設されていても、枠部材 22に接着していな力つたり、接着し て ヽても接着部分が簡単に剥離したりするので、容易に弾性変形することができる。
[0100] そのため、図 10 (B)に示すように、外部回路基板 60の表面 61が複合基板 10側に 接近するように凸状に湾曲した場合、接続部材 30は、第 2片 36が大略第 2の屈曲部 35を中心に回動し、枠部材 22との間に隙間が形成されるように弾性変形する。これ によって、接続部材 30の第 2片 36と外部回路基板 60との間の接合部分に無理な力 が作用しないようにすることができ、接合信頼性を高めることができる。
[0101] また、接続部材 30の第 1片 32と基板本体 12との接合部分については、接続部材 3 0の第 1片 32が大略第 1の屈曲部 33を中心に、基板本体 12から離れる方向に回動 しょうとする。しかし、枠部材 22によってこの回動が阻止され、接続部材 30の第 1片 3 2と基板本体 12との間の接合部分に無理な力が作用しないようにすることができる。
[0102] また、図 10 (C)に示すように、外部回路基板 60の表面 61が複合基板 10から離れ る方向に凹状に湾曲した場合、枠部材 22の弾性変形と接続部材 30の弾性変形とに より、接続部材 30の第 2片 36と外部回路基板 60との間の接合部分と、接続部材 30 の第 1片 32と基板本体 12との間の接合部分に作用する力を緩和することができる。
[0103] このとき、接続部材 30の第 1の屈曲部 33付近に応力が集中するが、封止剤 54があ れば、封止剤 54により枠部材 22と基板本体 12との接合が補強され、応力集中が緩 和され、接合信頼性をより高めることができる。
[0104] また、複合基板 10を外部回路基板 60に実装するときや、落下等の衝撃が加わった とき、図 10 (D)に示すように、複合基板 10を外部回路基板 60の略中心に押圧力 W 1が作用すると、この押圧力 W1は、大略、接続部材 30の中間片 34により伝達される 反力 W2と釣り合う。このとき、押圧力 W1と反力 W2とが作用する位置がずれているた め、曲げモーメント Mが発生し、この曲げモーメント Mは、接続部材 30の第 2片 36と 外部回路基板 60との間の接合部分や、接続部材 30の第 1片 32と基板本体 12との 間の接合部分に作用する。曲げモーメント Mの大きさは、貫通穴 23を介して対向し て配置されている接続部材 30の中間片 34間の距離 Lに略比例する。
[0105] そのため、図 10 (A)の場合と同様に、中間片 34間の距離 Lが小さくなる構成、すな わち、接続部材 30第 1片 32と第 2片 36の先端 31, 37が外側を向き、中間片 34がと もに貫通穴 23側（内側）に配置されることで、接合部分に作用する曲げモーメント M を小さくして、接合信頼性を高めることができる。
[0106] 接続部材 30は、金属薄板の折り曲げ加工以外の方法で形成することも考えられる 。すなわち枠部材 22に貫通穴をあけ、第 1片 32及び第 2片 36に相当するもの及び それらを電気的に接続する金属膜を貫通穴内にめっきで形成する方法がある。
[0107] しかし、例えばめつきにより形成する場合、スルーホール内にめっき液が残っている と、枠体 20を基板本体 12に接合する工程や、複合基板 10を外部回路基板 60に接 合する工程で、残っていためつき液が加熱され、気化して急激に膨張することによつ て、スルーホール付近に亀裂が発生したり、はんだにボイドが発生したりすることがあ る。接続部材 30を金属薄板の折り曲げ加工で形成する場合には、このようなことがな いため、接合信頼性を向上することができる。
[0108] また、スルーホールの穴あけを行い、内周面をめつきする場合には、スルーホール の直径は、例えば 100 m以下にすると加工が困難になる。金属薄板の折り曲げ加 ェで接続部材 30を形成する場合には、金属薄板の厚さを 50 mまで小さくして容易 に加工できる。また、穴の周囲に残すことが必要な寸法も、金属薄板の折り曲げ加工 で接続部材 30を形成する場合の方力 スルーホールの穴あけを行い、内周面をめつ きする場合よりも小さくすることができる。したがって、接続部材 30は、金属薄板の折 り曲げ力卩ェで形成することによって、容易に小型化することができる。
[0109] また、接続部材 30を金属薄板の折り曲げ加工で形成し、それを被覆するように榭 脂成形すると、工程が簡単になり、製造コストを低減することができる。
[0110] また、金属薄板の折り曲げ加工で形成された接続部材 30で、基板本体 12と外部 回路基板 60との間を接合することにより、金属の弾性変形で応力を吸収し、強度を 向上させることができる。
[0111] また、接続部材 30に用いる金属薄板の材質は、めっきにより接続部材 30を形成す る場合よりも、選択の自由度が高い。枠部材 22の榭脂と、接続部材 30の金属とは、 強固に接合されている必要はない。そのため、枠部材 22に用いる榭脂の材質も、選 択の自由度が高い。したがって、安価な材質、折り曲げやすい材質、成形しやすい 材質を、高い自由度で選定することができ、工業上、有用である。
[0112] 次に、図 11〜図 13を参照しながら、変形例について説明する。
[0113] く変形例 1 > 図 11の断面図に示した複合基板 10aは、外部回路基板 60に接続 するための接続部材 30aの第 2片 36aの先端 37a側力 枠部材 22の外周面 24よりも 外側に延長されている。これによつて、第 2片 36aと外部回路基板 60との接合部分 6 6aを大きくして、複合基板 10aと外部回路基板 60との間の接合力を向上することが できる。
[0114] く変形例 2 > 図 12の断面図に示した複合基板 10bは、外部回路基板 60に接続 するための接続部材 30bの第 2片 36bの先端 37b側を折り曲げて、枠部材 22の外周 面 24に沿うようにしている。外部回路基板 60と接合するためのはんだ 66bが、折り曲 げられた第 2片 36bの先端 37b側に沿って盛り上がるため、外部回路基板 60と複合 基板 10bとを接合するためのはんだ 66bを、外部力も容易に検査することができる。
[0115] く変形例 3 > 図 13の断面図に示した複合基板 10cは、実施例とは逆に、基板本 体 12側に接続する接続部材 30cの第 1片 32cが、外部回路基板 60側に接続する接 続部材 30cの第 2片 36cよりも長い。この場合、接続部材 30cの第 1片 32cの先端 31 c側が、枠部材 22の外周面 24まで延在しても、外周面 24より外側まで延長してもよ い。複合基板 10cは、接続部材 30cの第 1片 32cと基板本体 12との接合部分 26cを 大きくして、枠体 20cと基板本体 12と間の接合力を向上することができる。
[0116] く変形例 4 > 図 14の断面図、図 15の要部拡大断面図に示した複合基板 10xは 、基板本体 12と枠体 20との接続部分の構成が実施例と異なるが、基板本体 12その ものや枠体 20そのものの構成は実施例と同じである。
[0117] すなわち、実施例と異なり、基板本体 12の端子 16と枠体 20の接続部材 30の第 1 片 32とは、位置がずれている。詳しくは、複合基板 ΙΟχの中心に対して、基板本体 1 2の端子 16は相対的に外側に配置され、枠体 20の接続部材 30の第 1片 32は相対 的に内側に配置されている。そのため、端子 16と第 1片 32とを接合する導電性接合 材 (例えば、はんだ） 26xは、幅方向（図 15において左右方向）に引き延ばされた形 となっている。
[0118] 図 15に示したように、枠体 20側の第 1片 32の中心 32cは、基板本体 12の端子 16 の中心 16cよりも内側（枠体 20の貫通穴 23側）に、距離 α (ひ >0)ずれていることが 好ましい。
[0119] 基板本体 12と枠体 20とで構成されるキヤビティ（大部分は枠体 20の貫通穴 23)に 封止榭脂 54を充填，硬化させた際、封止榭脂 54の硬化収縮応力 Fは、枠体 20枠 部材 22の各辺を内側に引っ張る方向に働く。他方、枠体 20と基板本体 12とを接合 して ヽる導電性接合材 26χを硬化させる際にも硬化収縮応力が働く。接続部材 30の 第 1片 32の中心 32cが基板本体 12の端子 16の中心 16cよりも内側にずれて配置さ れていると、接合材 54の硬化収縮応力 Fは、枠体 20側の接続部材 30の第 1片 32
2
を外側へ引っ張る方向に働く。そのため、封止榭脂 54の収縮応力 Fを導電性接合 材 26xの収縮応力 Fで緩和して、封止榭脂 54の収縮応力による影響を小さくするこ とができる。その結果、封止榭脂 54の硬化収縮に伴う枠体 20の変形を抑制でき、枠 体 20と基板本体 12との接続信頼性を向上させることができる。
[0120] また、このような構造であると、導電性接合材 26xが硬化する際、基板本体 12には 内側方向（基板本体 12の中心に向力 方向）への圧縮応力が働くため、セラミック等 の基板本体 12では、基板本体 12自身の抗折強度が向上する。
[0121] また、枠体 20側の第 1片 32の内側縁 32bは、基板本体 12の端子 16の内側縁 16b よりも内側 (枠体 20の貫通穴 23側）に、距離 |8 ( |8 >0)ずれていることが好ましい。
[0122] 第 1片 32の内側縁 32bを端子 16の内側縁 16bよりも内側にずらした場合には、導 電性接合材 26xが、それぞれ端子 16の内側縁 16bと第 1片 32の内側縁 32bとの間 の領域で幅方向に引き延ばされた形で硬化するので、導電性接合材 26xの硬化収 縮応力 Fを大きくすることができる。その結果、封止榭脂 54の収縮応力 Fを導電性
2 1 接合材 26xの収縮応力 Fでより効果的に緩和することができる。
2
[0123] また、枠体 20側の第 1片 32の先端縁 32a (接続部材 30の先端 31)は、基板本体 1 2の端子 16の外側縁 16aよりも内側 (枠体 20の貫通穴 23側）に、距離 γ ( γ >0)ず れていることが好ましい。
[0124] 仮に、第 1片 32の先端縁 32aが端子 16の外側縁 16aよりも枠体 20の外側 (枠体 20 の貫通穴 23とは反対側）にずれていると、第 1片 32の先端 31側が枠体 20の内側方 向（接続部材 30の屈曲部 33に向力 方向）に引っ張られるので、第 1片 32の先端 31 側が枠部材 22から離れてしまい、枠体 20と基板本体 12との接合形状が不安定にな つたり、枠体 20と基板本体 12との接合強度が低下したりすることがある。これとは逆 に、第 1片 32の先端縁 32aが端子 16の外側縁 16aよりも枠体 20の外側にずれてい ると、第 1片 32の先端 31側は枠体 20の外側方向（接続部材 30の屈曲部 33とは反 対方向）に引っ張られるので、第 1片 32の先端 31側と枠部材 22とがしつかりと接合し 、枠体 20と基板本体 12との接合形状が安定し、枠体 20と基板本体 12との接合強度 が安定する。
[0125] くまとめ > 以上に説明したように、折り曲げられた接続部材 30が榭脂の枠部材 2 2に埋設されてなる枠体 20を介して、複合基板 10を外部回路基板 60に接合すること により、簡単な構成で、接合部分の熱応力や衝撃応力を緩和することができる。この 場合、枠部材 22の貫通穴 23を介して対向して配置される接続部材 30について、第 1片 32と第 2片 36の先端 31, 37が外側を向き、中間片 34がともに貫通穴 23側（内 側）に配置されるようにすることで、複合基板 10と外部回路基板 60との接合部分や、 複合基板 10内における基板本体 12と枠体 20との接合部分に作用するせん断力や 曲げモーメントをできるだけ小さくして、接合信頼性をより向上することができる。
[0126] なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されるものではなぐ種々変更を加え て実施可能である。
[0127] 例えば、「基板本体」は、枠体に接続される複数の端子が同一平面上に設けられた 基板であればよぐ枠体が接続される平面部以外の部分に、凸部ゃ凹部が設けられ ていれてもよい。

Claims

請求の範囲
[1] 少なくとも一方主面に端子を有する基板本体と、
前記基板本体の前記一方主面に接合される枠体とを備えた複合基板であって、 前記枠体は、
絶縁材料からなり、中央に貫通穴を有し、前記基板本体の前記一方主面の周縁部 に沿って枠状に延在する枠部材と、
金属薄板の折り曲げ加工により形成され、中間片の両端にそれぞれ第 1片と第 2片 とが連続する複数の接続部材と、
を有し、
前記複数の接続部材は、
前記枠部材に、前記枠部材の前記貫通穴を介して対向するように配置され、 前記第 1片が、前記枠部材の前記基板本体側に露出して、前記基板本体の前記 一方主面の前記端子に接合され、
前記第 2片が、前記枠部材の前記基板本体とは反対側に露出し、
前記第 1片及び前記第 2片が、前記接続部材が前記枠部材の前記貫通穴を介して 対向する方向に延在し、
前記中間片が、前記枠部材の内部を貫通し、
前記中間片の前記両端は、前記第 1片及び前記第 2片の前記枠部材の前記貫通 穴側の端部にそれぞれ連続することを特徴とする複合基板。
[2] チップ状電子部品が前記枠状部材の前記貫通穴内に配置され、前記基板本体の 前記一方主面に搭載されていることを特徴とする、請求項 1に記載の複合基板。
[3] 前記チップ状電子部品が榭脂で封止され、該榭脂が前記枠体の一部に接着又は 当接していることを特徴とする、請求項 2に記載の複合基板。
[4] 前記枠体の前記接続部材は、金属薄板の打ち抜き加工及び折り曲げ加工により形 成され、
前記枠体の前記枠部材は、金型内に前記接続部材となる部分を挿入した状態で 成形した榭脂であることを特徴とする、請求項 1、 2又は 3に記載の複合基板。
[5] 前記基板本体がセラミック基板であることを特徴とする、請求項 1〜4のいずれか一 項に記載の複合基板。
[6] 前記基板本体は、 1050°C以下で焼結する複数のセラミック層を積層してなるセラミ ック多層基板であることを特徴とする、請求項 1〜5のいずれか一項に記載の複合基 板。
[7] 前記枠体の前記接続部材の前記金属薄板は可撓性を有することを特徴とする、請 求項 4に記載の複合基板。
[8] 前記接続部材の厚みは、 50 μ m以上、かつ 300 μ m以下であることを特徴とする、 請求項 1〜7のいずれか一項に記載の複合基板。
[9] 前記基板本体の他方主面に、チップ状電子部品が搭載されて 、ることを特徴とす る、請求項 1〜8のいずれか一項に記載の複合基板。
[10] 前記枠体の前記接続部材は、前記第 2片の先端が、前記枠部材の外周面まで又 は該外周面よりも外側まで延在していることを特徴とする、請求項 1〜9のいずれか一 項に記載の複合基板。
[11] 前記枠体の前記接続部材は、前記第 2片の先端側が折り曲げられて、前記枠部材 の外周面に沿って延在していることを特徴とする、請求項 1〜9のいずれか一項に記 載の複合基板。
[12] 前記枠体の前記接続部材は、前記第 1片の面積が、前記第 2片の面積よりも大きい ことを特徴とする、請求項 1〜9のいずれか一項に記載の複合基板。
[13] 前記枠体の前記接続部材の前記第 1片の中心の位置が、前記基板本体の前記端 子の中心の位置よりも、前記枠体の前記貫通穴側にずれていることを特徴とする、請 求項 1〜9のいずれか一項に記載の複合基板。
[14] 前記枠体の前記接続部材の前記第 1片の前記枠体の前記貫通穴側の内側縁の 位置が、前記基板本体の前記端子の前記基板本体の中心側の内側縁の位置よりも 、前記枠体の前記貫通穴側にずれていることを特徴とする、請求項 1〜9のいずれか 一項に記載の複合基板。
[15] 前記枠体の前記接続部材の前記第 1片の前記枠体の前記貫通穴とは反対側の先 端縁の位置が、前記基板本体の前記端子の前記基板本体の中心とは反対側の外 側縁の位置よりも、前記枠体の前記貫通穴側にずれていることを特徴とする、請求項 1〜9のいずれか一項に記載の複合基板。
少なくとも一方主面に端子が設けられた基板本体と、枠体とを準備する第 1の工程 と、
前記基板本体の前記一方主面に、前記枠体を接合する第 2の工程とを備えた、複 合基板の製造方法であって、
前記第 1の工程において、
前記枠体は、
絶縁材料からなり、中央に貫通穴を有し、前記基板本体の前記一方主面の周縁部 に沿って枠状に延在する枠部材と、
金属薄板の折り曲げ加工により形成され、中間片の両端にそれぞれ第 1片と第 2片 とが連続する複数の接続部材と、
を有し、
前記複数の接続部材は、
前記枠部材に、前記枠部材の前記貫通穴を介して対向するように配置され、 前記第 1片及び第 2片が、前記枠部材の前記貫通穴の周囲に延在する前記枠部 材の両主面にそれぞれ露出し、
前記第 1片及び前記第 2片が、前記接続部材が前記枠部材の前記貫通穴を介して 対向する方向に延在し、
前記中間片が、前記枠部材の内部を貫通し、
前記中間片の前記両端に、前記第 1片及び前記第 2片の前記枠部材の前記貫通 穴側の端部がそれぞれ連続し、
前記第 2の工程において、
前記枠体は、前記基板本体の一方主面の周縁部に沿って枠状に延在するように 配置され、
前記枠体の前記接続部材の前記第 1片が、前記基板本体の前記一方主面に設け られた前記端子に接合されることを特徴とする、複合基板の製造方法。
PCT/JP2006/319262 2006-03-29 2006-09-28 複合基板及び複合基板の製造方法 WO2007110985A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE112006003809T DE112006003809T5 (de) 2006-03-29 2006-09-28 Zusammengesetztes Substrat und Verfahren zum Herstellen eines zusammengesetzten Substrats
JP2008507360A JP4873005B2 (ja) 2006-03-29 2006-09-28 複合基板及び複合基板の製造方法
US12/186,546 US7851708B2 (en) 2006-03-29 2008-08-06 Composite substrate and method for manufacturing composite substrate

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006091960 2006-03-29
JP2006-091960 2006-03-29

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US12/186,546 Continuation US7851708B2 (en) 2006-03-29 2008-08-06 Composite substrate and method for manufacturing composite substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007110985A1 true WO2007110985A1 (ja) 2007-10-04

Family

ID=38540923

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2006/319262 WO2007110985A1 (ja) 2006-03-29 2006-09-28 複合基板及び複合基板の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7851708B2 (ja)
JP (1) JP4873005B2 (ja)
KR (1) KR101019067B1 (ja)
DE (1) DE112006003809T5 (ja)
WO (1) WO2007110985A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009130196A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP2009152535A (ja) * 2007-12-18 2009-07-09 Samsung Electro Mech Co Ltd 半導体パッケージの製造方法及びそれを用いた半導体プラスチックパッケージ
WO2014128795A1 (ja) * 2013-02-22 2014-08-28 パナソニック株式会社 電子部品パッケージ
KR20140113321A (ko) 2013-03-15 2014-09-24 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 모듈 및 그 제조 방법
WO2016047004A1 (ja) * 2014-09-25 2016-03-31 日本電気株式会社 電気回路システム、アンテナシステムおよび回路シールドケース

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101473267B1 (ko) * 2009-04-02 2014-12-16 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 회로 기판
CN101692441B (zh) * 2009-04-16 2012-04-11 旭丽电子(广州)有限公司 一种印刷电路板封装结构
JPWO2011030542A1 (ja) * 2009-09-11 2013-02-04 株式会社村田製作所 電子部品モジュールおよびその製造方法
JP5529494B2 (ja) * 2009-10-26 2014-06-25 株式会社三井ハイテック リードフレーム
DE102010026312B4 (de) * 2010-07-06 2022-10-20 Phoenix Contact Gmbh & Co. Kg Anschlusskontakt und Verfahren zur Herstellung von Anschlusskontakten
GB2499850B (en) * 2012-03-02 2014-07-09 Novalia Ltd Circuit board assembly
JP5889718B2 (ja) * 2012-05-30 2016-03-22 アルプス電気株式会社 電子部品の実装構造体及び入力装置、ならびに、前記実装構造体の製造方法
KR102029495B1 (ko) * 2014-10-15 2019-10-07 삼성전기주식회사 칩 전자부품 및 그 실장 기판
US9190367B1 (en) 2014-10-22 2015-11-17 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package structure and semiconductor process
US10109588B2 (en) * 2015-05-15 2018-10-23 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electronic component package and package-on-package structure including the same
CN208597204U (zh) * 2016-01-07 2019-03-12 株式会社村田制作所 多层基板以及电子设备
US9761535B1 (en) * 2016-06-27 2017-09-12 Nanya Technology Corporation Interposer, semiconductor package with the same and method for preparing a semiconductor package with the same
KR102400748B1 (ko) * 2017-09-12 2022-05-24 삼성전자 주식회사 인터포저를 포함하는 전자 장치
KR102259995B1 (ko) * 2017-10-30 2021-06-02 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤 전극 매설 부재
US10910233B2 (en) * 2018-04-11 2021-02-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and method of manufacturing the same
KR20230119844A (ko) * 2022-02-08 2023-08-16 삼성전자주식회사 기판 조립체를 포함하는 전자 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09148743A (ja) * 1995-11-20 1997-06-06 Mitsubishi Gas Chem Co Inc セラミックス／プラスチックスハイブリッド多層プリント板の製造方法
JP2000101348A (ja) * 1998-09-17 2000-04-07 Toyo Commun Equip Co Ltd 電子部品用パッケージ
WO2006027888A1 (ja) * 2004-09-08 2006-03-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. 複合セラミック基板

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06216314A (ja) 1993-01-14 1994-08-05 Matsushita Electric Works Ltd 半導体装置
JPH0750357A (ja) 1993-08-06 1995-02-21 Fujitsu General Ltd 面実装ハイブリッドｉｃ
JP2001339137A (ja) 2000-05-30 2001-12-07 Alps Electric Co Ltd 面実装型電子回路ユニット
JP2004289193A (ja) * 2003-01-27 2004-10-14 Kyocera Corp 撮像装置
JP2005328009A (ja) 2004-05-17 2005-11-24 Sumitomo Electric Fine Polymer Inc チップパッケージ、該チップパッケージの製造方法およびチップ実装基板
JP4258432B2 (ja) * 2004-05-21 2009-04-30 パナソニック株式会社 基板接合部材ならびにそれを用いた三次元接続構造体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09148743A (ja) * 1995-11-20 1997-06-06 Mitsubishi Gas Chem Co Inc セラミックス／プラスチックスハイブリッド多層プリント板の製造方法
JP2000101348A (ja) * 1998-09-17 2000-04-07 Toyo Commun Equip Co Ltd 電子部品用パッケージ
WO2006027888A1 (ja) * 2004-09-08 2006-03-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. 複合セラミック基板

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009130196A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置
US8208268B2 (en) 2007-11-26 2012-06-26 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Semiconductor apparatus
JP2009152535A (ja) * 2007-12-18 2009-07-09 Samsung Electro Mech Co Ltd 半導体パッケージの製造方法及びそれを用いた半導体プラスチックパッケージ
WO2014128795A1 (ja) * 2013-02-22 2014-08-28 パナソニック株式会社 電子部品パッケージ
US9474179B2 (en) 2013-02-22 2016-10-18 Panasonic Corporation Electronic component package
KR20140113321A (ko) 2013-03-15 2014-09-24 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 모듈 및 그 제조 방법
US9456503B2 (en) 2013-03-15 2016-09-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Module and method of manufacturing the same
WO2016047004A1 (ja) * 2014-09-25 2016-03-31 日本電気株式会社 電気回路システム、アンテナシステムおよび回路シールドケース
JPWO2016047004A1 (ja) * 2014-09-25 2017-08-31 日本電気株式会社 電気回路システム、アンテナシステムおよび回路シールドケース

Also Published As

Publication number Publication date
DE112006003809T5 (de) 2009-02-12
KR101019067B1 (ko) 2011-03-07
KR20080083359A (ko) 2008-09-17
JP4873005B2 (ja) 2012-02-08
US7851708B2 (en) 2010-12-14
US20080289853A1 (en) 2008-11-27
JPWO2007110985A1 (ja) 2009-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4873005B2 (ja) 複合基板及び複合基板の製造方法
JP4821849B2 (ja) 複合基板及び複合基板の製造方法
JP4367414B2 (ja) 部品内蔵モジュールおよびその製造方法
JP4310467B2 (ja) 複合多層基板及びその製造方法
JP4957163B2 (ja) 複合部品
US20080283279A1 (en) Composite Ceramic Substrate
WO2008001641A1 (fr) Substrat d'interconnexion et structure de montage de circuits électroniques
KR950002544A (ko) 다층금속프린트기판과 몰드모듈
JPWO2007007450A1 (ja) 中継基板とそれを使用した立体配線構造体
WO2005071745A1 (ja) 積層型電子部品およびその製造方法
JPH09298255A (ja) セラミック回路基板及びこれを用いた半導体装置
JP4725817B2 (ja) 複合基板の製造方法
US20050280018A1 (en) Light-emitting diode
JP2005191156A (ja) 電気部品内蔵配線板およびその製造方法
WO2005071744A1 (ja) 積層型電子部品および積層型電子部品の実装構造
EP2056655B1 (en) Wiring board
JP4788581B2 (ja) 複合基板
JP5286988B2 (ja) リジッドフレキシブルプリント配線板とその製造方法
JP2007049107A (ja) 複合セラミック基板
CN215453372U (zh) 树脂多层基板
JP4667154B2 (ja) 配線基板、電気素子装置並びに複合基板
JP2002026244A (ja) 多層モジュールおよびその製造方法
JP5109361B2 (ja) 複合基板
JP3654201B2 (ja) インターポーザおよびその製造方法
JP2008041814A (ja) フレキシブルプリント配線板及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 06810711

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2008507360

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020087019617

Country of ref document: KR

RET De translation (de og part 6b)

Ref document number: 112006003809

Country of ref document: DE

Date of ref document: 20090212

Kind code of ref document: P

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 06810711

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1