WO2006077905A1 - ステージ装置および塗布処理装置 - Google Patents

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Tsuyoshi Yamasaki
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Definitions

  • the present invention relates to a stage device for transporting a substrate such as a glass substrate used in an FPD (flat panel display) such as a liquid crystal display device (LCD), and a coating treatment apparatus including the stage device.
  • a substrate such as a glass substrate used in an FPD (flat panel display) such as a liquid crystal display device (LCD)
  • FPD flat panel display
  • LCD liquid crystal display device
  • a predetermined circuit pattern is formed on a glass substrate by using a photolithography technique. That is, a resist solution is supplied to a glass substrate to form a coating film, which is dried and heat-treated, and then an exposure process and an image process are sequentially performed.
  • a photolithography technique That is, a resist solution is supplied to a glass substrate to form a coating film, which is dried and heat-treated, and then an exposure process and an image process are sequentially performed.
  • the resist solution is supplied to a mounting table that horizontally vacuum-sucks the glass substrate and a substrate held on the mounting table.
  • a coating film forming apparatus having a resist supply nozzle, and a moving mechanism that relatively moves the mounting table and the resist supply nozzle in the horizontal direction (see, for example, Patent Document 1).
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 10-156255
  • An object of the present invention is to prevent the transfer of suction holes when performing a coating process on a substrate, reduce the adhesion of particles to the back surface of the substrate, and the stage with a simple apparatus configuration.
  • the object is to provide an apparatus and a coating treatment apparatus using the apparatus.
  • the substrate levitation stage used in this floating substrate transfer processing apparatus is formed with a gas injection port and an intake port for ejecting gas.
  • the substrate can be Is raised to a certain height from the stage surface.
  • the gas injection port and the intake port are formed in a straight line at regular intervals in a direction perpendicular to the substrate transfer direction, and the gas injection port and the intake port are further formed in the substrate transfer direction. They are alternately formed at regular intervals.
  • the intake air of a plurality of intake loci formed on the substrate levitation stage is usually provided with a plurality of intake pipes for communicating a predetermined number of intake ports, and these intake pipes are connected to one This is done by connecting a vacuum pump and operating a vacuum pump, etc. to this hold, but if the substrate transfer distance becomes longer, the suction port and the hold are connected. Since the length of the intake piping to be connected becomes long, there is a possibility that the response will be deteriorated when the intake pressure load on the stage fluctuates.
  • a larger stage when a large substrate is transported or when the transport length of the substrate is long, a larger stage must be configured by arranging a plurality of small stages in series and parallel. , The force to connect the intake piping provided in each small stage to the hold, and connect a vacuum pump etc. to the hold.
  • the intake pressure load can be adjusted with one small stage. If fluctuations occur, the fluctuations are transmitted to the other stages via the hold, resulting in poor responsiveness. In the first place, the pressure load fluctuations are not sufficiently transmitted to the other small stages. Negative suction pressure in the plane of the transfer stage There arises a problem that the load varies and the flatness of the substrate during the substrate conveyance is lowered.
  • the present invention can achieve the above object without causing such a problem.
  • a rectangular substrate that has a stage on which a rectangular substrate is conveyed and a levitation mechanism that levitates the rectangular substrate on the stage is provided.
  • the stage substrate is transported such that a pair of sides thereof is substantially parallel to the transport direction and the other pair of sides is substantially perpendicular to the transport direction, wherein the stage injects a gas.
  • a plurality of gas injection ports for sucking the rectangular substrate by intake air includes an intake mechanism for intake air through the intake port, and the gas injection port A gas injection mechanism for injecting gas through the mouth, and suction through the plurality of intake ports by the intake mechanism, and gas injection through the plurality of gas injection ports by the gas injection mechanism,
  • the surface force of the stage is rectangular to a certain height
  • the plate is floated in a substantially horizontal posture, and the plurality of air intake ports are configured to convey the rectangular substrate so that the intake pressure fluctuation of the air intake port is within an allowable range when the rectangular substrate is conveyed on the stage.
  • a stage device is disposed on the stage in such a manner that the front end in the direction does not simultaneously cover a predetermined number or more of intake ports and the rear end in the transport direction of the rectangular substrate does not simultaneously open the predetermined number or more of intake ports. Provided.
  • the intake ports can be provided at predetermined intervals in the transport direction of the rectangular substrate and the direction perpendicular to the transport direction by a certain angle.
  • a stage apparatus having a stage on which a substrate is conveyed and a levitation mechanism for levitating the substrate on the stage, wherein the stage includes: A plurality of gas injection ports for injecting gas and a plurality of air intake ports for sucking and sucking the substrate, wherein the levitation mechanism includes an intake mechanism for sucking air through the intake port; A gas injection mechanism for injecting gas through the gas injection port, suction through the plurality of intake ports by the intake mechanism, and through the plurality of gas injection ports by the gas injection mechanism.
  • the gas injection causes the substrate to float in a substantially horizontal posture at a constant surface force of the stage, and the intake mechanism connects the plurality of intake ports every predetermined number.
  • a predetermined number of piping sections to be passed through, and a single hold for communicating the predetermined number of piping sections;
  • An intake device connected to the holder for performing intake from the plurality of intake ports via the hold, and an intake pressure fluctuation when the substrate is floated and conveyed on the stage
  • a stage apparatus having a hole part opened to the atmosphere provided in the vicinity of the intake port in the pipe part so as to enhance responsiveness.
  • the piping section includes a first piping section for communicating a predetermined number of intake ports inside the stage, the first piping section, and a hold. And a second piping part for connecting to the second piping part, and the hole part may be provided near the stage of the second piping part or at a shift of the first piping part.
  • a stage apparatus having a stage on which a substrate is transported and a levitation mechanism for levitating the substrate on the stage, wherein the stage includes: A plurality of small stages having a plurality of gas injection ports for injecting gas and a plurality of intake ports for sucking and sucking the substrate, and the levitation mechanism is configured to take in air through the intake port.
  • a gas injection mechanism for injecting gas through the gas injection port, suction through the plurality of intake ports by the intake mechanism, and the plurality of gases by the gas injection mechanism
  • Mouth the plurality of small stays A plurality of piping sections for communicating with each other, a manifold for communicating the plurality of piping sections, and a plurality of intake ports provided for each of the plurality of small stages via the mallhold
  • An intake device connected to the manifold to perform intake air from the manifold, and a bypass pipe that communicates the plurality of pipe portions with each other so as to reduce variation in intake pressure for each of the plurality of small stages.
  • a stage device is provided.
  • the piping section provided for each of the plurality of small stages includes a plurality of intake ports provided for each of the plurality of small stages to communicate with each other in a predetermined number. It has a structure that has branch pipes, these branch pipes are connected to the hold, and bypass pipes provided for each of the plurality of small stages are connected to each other. Can do. Also, the multiple small stages can be A plurality of bypass pipes are arranged in a direction orthogonal to the transport direction, and the bypass pipes are configured such that the pipe portions individually provided in these small stages communicate with each other in the substrate transport direction and the direction orthogonal to the transport direction. Can do.
  • a stage on which a rectangular substrate is conveyed and a floating mechanism that floats the rectangular substrate on the stage, and the rectangular surface that floats on the stage.
  • the stage substrate is transported such that a pair of sides thereof is substantially parallel to the transport direction and the other pair of sides is substantially perpendicular to the transport direction, wherein the stage injects a gas.
  • An intake mechanism that includes a plurality of small stages having a plurality of gas injection ports for performing suction and a plurality of suction ports for sucking the rectangular substrate by suction, wherein the levitation mechanism sucks through the suction ports And a gas injection mechanism for injecting gas through the gas injection port, suction through the plurality of intake ports by the intake mechanism, and the plurality of gas injection ports by the gas injection mechanism Gas injection through the stage A rectangular substrate is levitated in a substantially horizontal posture at a certain height from the surface, and the intake mechanism communicates the plurality of intake ports respectively provided in the plurality of small stages for each of the plurality of small stages.
  • a stage apparatus that is arranged on the stage in such a state that the rear end in the transport direction of the rectangular substrate does not simultaneously open a predetermined number or more of the air inlets.
  • a coating processing apparatus that forms a coating film by applying a coating liquid onto a rectangular substrate while conveying the rectangular substrate, and the rectangular substrate is conveyed above the coating processing apparatus.
  • a stage device having a floating mechanism for levitating a rectangular substrate on the stage, and a pair of sides of the rectangular substrate levitated on the stage are substantially parallel to the carrying direction and the other pair of sides is carried
  • a substrate transport mechanism that transports the substrate so as to be substantially orthogonal to the direction; and a coating mechanism that applies a coating liquid onto the surface of the rectangular substrate transported on the stage by the substrate transport mechanism,
  • the stage comprising a gas
  • the levitation mechanism includes an intake mechanism for intake air via the intake port, and the gas injection port A gas injection mechanism for injecting gas through the port, suction through the plurality of intake ports by the intake mechanism, and gas injection through the pluralit
  • the front end of the rectangular substrate in the transfer direction does not simultaneously cover a predetermined number or more of the intake ports so that the intake pressure fluctuation of the intake port is within an allowable range, and the rear end of the rectangular substrate in the transfer direction is simultaneously a predetermined number or more.
  • a coating treatment apparatus arranged on the stage in a state in which the air intake port is not opened.
  • a coating processing apparatus for forming a coating film by applying a coating liquid onto a substrate while transporting the substrate, and a stage on which the substrate is transported and a stage on the stage.
  • a stage device having a levitation mechanism for levitating the substrate, a substrate conveyance mechanism for conveying the substrate levitated on the stage, and applying a coating liquid onto the surface of the substrate conveyed on the stage by the substrate conveyance mechanism
  • the stage has a plurality of gas injection ports for injecting gas and a plurality of air intake ports for sucking and sucking the substrate, and the levitation mechanism includes: An intake mechanism that inhales through the intake port; and a gas injection mechanism that injects gas through the gas injection port; and suction through the plurality of intake ports by the intake mechanism;
  • the plurality of gas injection mechanisms The substrate is floated in a substantially horizontal posture at a constant surface force of the stage by gas injection through the gas injection ports of the plurality of gas injection ports.
  • an air intake device provided near the air intake port in the pipe section so as to enhance the response to the air intake pressure fluctuation when the substrate is floated and conveyed on the stage.
  • a coating processing apparatus having a hole is provided.
  • a coating processing apparatus for forming a coating film by applying a coating liquid onto a substrate while transporting the substrate, and a stage on which the substrate is transported.
  • a stage device having a levitation mechanism for levitating a substrate on the stage, a substrate conveyance mechanism for conveying a substrate levitated on the stage, and coating on the surface of the substrate conveyed on the stage by the substrate conveyance mechanism
  • a plurality of small stages having a plurality of gas injection ports for injecting gas and a plurality of intake ports for sucking and sucking the substrate.
  • the levitation mechanism includes: an intake mechanism that inhales air through the intake port; and a gas injection mechanism that injects gas through the gas injection port, wherein the plurality of intake ports by the intake mechanism are provided. Through suction, The substrate is levitated in a substantially horizontal position from the surface of the stage in a substantially horizontal position by gas injection through the plurality of gas injection ports by the gas injection mechanism.
  • a coating treatment apparatus is provided.
  • a coating processing apparatus for forming a coating film by applying a coating liquid onto a rectangular substrate while the rectangular substrate is being transported.
  • a stage device having a floating mechanism for levitating a rectangular substrate on the stage, and a pair of sides of the rectangular substrate levitated on the stage are substantially parallel to the carrying direction and the other pair of sides is carried
  • a substrate transport mechanism that transports the substrate so as to be substantially orthogonal to the direction; and a coating mechanism that applies a coating liquid onto the surface of the rectangular substrate transported on the stage by the substrate transport mechanism,
  • the stage comprising a gas Multiple gas for injecting A plurality of small stages each having an injection port and a plurality of intake ports for sucking the rectangular substrate by intake air
  • the levitation mechanism includes an intake mechanism that intakes air through the intake port, and the gas injection port A gas injection mechanism for injecting gas, and suction by the intake mechanism through the plurality of intake ports and gas injection by the gas injection mechanism through the plurality of gas injection ports,
  • the front end of the rectangular substrate in the transport direction is simultaneously set so that the intake pressure fluctuation of the suction port is within an allowable range.
  • a coating processing apparatus that does not cover a predetermined number or more of intake ports and is disposed on the stage in a saddle state so that the rear end of the rectangular substrate in the conveyance direction cannot simultaneously open a predetermined number or more of intake ports. Is done.
  • the gas injection port provided in the stage is arranged in the same manner as the intake port, and the configuration of the pipe attached to the gas injection port can be attached to the intake port.
  • the same method as the piping it is possible to maintain a good substrate posture even when there is a change in the force for floatingly supporting the substrate.
  • the front end of the rectangular substrate in the transport direction is simultaneously set so that the intake pressure fluctuation of the air inlet is within an allowable range. Since it is arranged on the stage without covering a predetermined number or more of the intake ports and the rear end of the rectangular substrate in the conveyance direction does not open more than a predetermined number of intake ports at the same time, fluctuations in the intake pressure load are prevented. It can be kept small.
  • a hole portion that is open to the atmosphere is provided in the vicinity of the intake port in a predetermined number of pipes that communicate a plurality of intake ports every predetermined number.
  • the in-plane uniformity of the intake pressure can be improved by providing a bypass pipe that communicates the plurality of pipe portions so that the variation in intake pressure for each of the plurality of small stages is reduced.
  • the flying height and posture of the substrate are maintained with high accuracy, so that a coating film with a uniform film thickness can be formed.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a resist coating 'image processing system equipped with a resist coating unit according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 Side view showing the first thermal processing unit section of the resist coating and development processing system of FIG.
  • FIG. 3 is a side view showing a second thermal processing unit section of the resist coating and development processing system of FIG.
  • FIG. 4 Side view showing the third thermal processing unit section of the resist coating and development processing system of FIG.
  • FIG. 5 is a schematic plan view showing a resist coating unit according to an embodiment of the present invention mounted on the resist coating system shown in FIG. 1.
  • FIG. 5 is a schematic plan view showing a resist coating unit according to an embodiment of the present invention mounted on the resist coating system shown in FIG. 1.
  • FIG. 6 is a plan view showing a schematic structure of a small stage (202a) included in the resist coating unit shown in FIG.
  • FIG. 7 is a piping diagram showing a schematic piping structure of a small stage (201a) included in the resist coating unit shown in FIG.
  • FIG. 8 is a graph showing the intake pressure change at the intake port when the LCD substrate G is transported on the small stage (201a) included in the resist coating unit shown in FIG.
  • FIG. 9 is a diagram schematically showing a piping structure between a plurality of small stages provided in the resist coating unit.
  • FIG. 10A is a plan view showing the arrangement of intake ports in a small stage prepared for testing.
  • FIG. 10B Intake pressure at inlet when LCD board G is transported on small stage in Fig. 10A A graph showing changes.
  • FIG. 11 Changes in the intake pressure due to the distance moved by the substrate when the LC D substrate G is transported on the small stage (202a 202b) of the resist coating unit shown in FIG. 5, and the small stage (201 a '201b) The graph showing the change of the intake pressure when the LCD board G is transported with the board moving distance.
  • LCD substrate a glass substrate for LCD
  • FIG. 1 is a diagram illustrating a resist coating process that forms a resist film on an LCD substrate on which a resist coating unit according to an embodiment of the present invention is mounted and develops the resist film after the exposure process. It is a schematic plan view of a system.
  • This resist coating / development processing system 100 includes a cassette station (loading / unloading unit) 1 on which a cassette C containing a plurality of LCD substrates G is placed, and a series of processes including resist coating and development on the LCD substrate G.
  • a processing station (processing unit) 2 having a plurality of processing units for performing the processing, and an interface station (interface unit) 3 for transferring the LCD substrate G to and from the exposure apparatus 4 are provided.
  • Cassette station 1 and interface station 3 are located at both ends of processing station 2, respectively.
  • the longitudinal direction of the resist coating / development processing system 100 is defined as the X direction, on the plane, and the direction orthogonal to the X direction is defined as the Y direction.
  • the cassette station 1 includes a mounting table 9 on which the cassette C can be placed side by side in the Y direction, and a transfer device 11 for carrying the LCD substrate G in and out of the processing station 2.
  • the cassette C is transported between the mounting table 9 and the outside.
  • the transfer device 11 has a transfer arm 1 la and can move on a transfer path 10 provided along the Y direction which is the arrangement direction of the cassette C.
  • the transfer arm 11a connects the cassette C and the processing station 2.
  • the LCD board G is carried in and out.
  • the processing station 2 basically has two parallel rows of transfer lines A and B for transferring the LCD substrate G that extends in the X direction, and is inserted along the transfer line A from the cassette station 1 side.
  • a scrub cleaning unit (SCR) 21 To interface station 3, a scrub cleaning unit (SCR) 21, a first thermal processing unit section 26, a resist coating unit 23, a second thermal processing unit section 27, and a power unit. IJ is struck.
  • SCR scrub cleaning unit
  • the interface station 3 side force is also directed toward the cassette station 1 along the transfer line B, and the second thermal processing unit section 27, the developing unit (DEV) 24, the i-line UV irradiation unit (i —UV) 25 and a third thermal processing unit section 28 are arranged.
  • An excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 is provided on a part of the scrub cleaning unit 21.
  • the excimer UV irradiation unit 22 is provided for removing organic substances on the LCD substrate G prior to scrubber cleaning, and the i-line UV irradiation unit 25 is provided for performing decoloring processing for development.
  • the cleaning process and the drying process are performed while the LCD substrate G is conveyed in a substantially horizontal posture.
  • the developing unit 24 while the LCD substrate G is transported in a substantially horizontal posture, the developer application, rinsing, and drying processes are sequentially performed.
  • the LCD substrate G is transported by roller transport or belt transport, for example, and the entrance and exit of the LCD substrate G are provided on the opposite short sides. Further, the transfer of the LCD substrate G to the i-ray UV irradiation unit 25 is continuously performed by a mechanism similar to the transfer mechanism of the developing unit 24.
  • the resist coating unit 23 supplies a resist solution while transporting the LCD substrate G in a substantially horizontal posture, and forms a coating film with a resist coating device (CT) 23a.
  • a vacuum drying device (VD) 23b that evaporates volatile components contained in the coating film formed on the LCD substrate G by exposing the LCD substrate G to the atmosphere and dries the coating film is provided.
  • the first thermal processing unit section 26 includes two thermal processing unit blocks (TB) 31 and 32 configured by laminating thermal processing units for performing thermal processing on the LCD substrate G.
  • the thermal processing unit block 31 is provided on the scrub cleaning unit 21 side, and the thermal processing unit block 32 is provided on the resist coating unit 23 side.
  • a first transfer device 33 is provided between the two thermal processing unit blocks 31 and 32.
  • the thermal processing boot block 31 includes a pass unit (PASS) 61 that transfers the LCD substrate G in order of the lower force.
  • PASS pass unit
  • the thermal unit block 32 includes a pass unit (PASS) 65 for transferring the LCD substrate G in order from the bottom, two cleaning units (COL) 66 and 67 for cooling the LCD substrate G, and an LCD substrate G.
  • Adhesion unit (AD) 68 that performs hydrophobization treatment is laminated in four stages.
  • the first transfer device 33 receives the LCD substrate G from the scrub cleaning unit 21 via the pass unit 61, carries in and out the LCD substrate G between the thermal processing units, and passes the pass unit 65.
  • the LCD substrate G is transferred to the resist coating unit 23 via
  • the first transport device 33 includes a guide rail 91 extending vertically, an elevating member 92 that ascends and descends along the guide rail 91, a base member 93 that is turnable on the elevating member 92, and a base.
  • a substrate holding arm 94 that holds the LCD substrate G is provided on the one-piece member 93 so as to be capable of moving forward and backward.
  • the elevating member 92 is moved up and down by a motor 95
  • the base member 93 is turned by a motor 96
  • the substrate holding arm 94 is moved back and forth by a motor 97.
  • the first transfer device 33 can move up and down, move back and forth, and rotate, and can access any of the thermal processing unit blocks 31 and 32.
  • the second thermal processing unit section 27 includes two thermal processing unit blocks (TB) 34 and 35 configured by stacking thermal processing units that perform thermal processing on the LCD substrate G.
  • the thermal processing unit block 34 is provided on the resist coating unit 23 side, and the thermal processing unit block 35 is provided on the developing unit 24 side.
  • a second transfer device 36 is provided between the two thermal processing unit blocks 34 and 35.
  • the thermal processing boot block 34 includes a pass unit (PASS) 69 that transfers the LCD substrate G in order from the bottom.
  • PASS pass unit
  • PREBAKE prebeta units
  • the thermal processing unit block 35 includes a pass unit (PASS) 73 for transferring the LCD substrate G in order of the lower force, and an LCD substrate G.
  • Cooling unit (COL) 74 for cooling and two pre-beta units (PREBAKE) for pre-beta treatment of LCD substrate G 75, 76 layers are stacked.
  • the second transfer device 36 receives the LCD substrate G from the resist coating unit 23 through the pass unit 69, carries in and out the LCD substrate G between the thermal processing units, and passes through the pass unit 73.
  • the LCD substrate G is transferred to all the developing units 24, and the LCD substrate G is transferred to and received from an extension 'cooling stage (EXT'COL) 44, which is a substrate transfer portion of the interface station 3 described later.
  • EXT'COL extension 'cooling stage
  • the second transfer device 36 has the same structure as the first transfer device 33, and can access any of the thermal processing unit blocks 34 and 35.
  • the third thermal processing unit section 28 includes two thermal processing unit blocks (TB) 37 and 38 configured by stacking thermal processing units that perform thermal processing on the LCD substrate G.
  • the thermal processing unit block 37 is provided on the developing unit 24 side, and the thermal processing unit block 38 is provided on the cassette station 1 side.
  • a third transfer device 39 is provided between the two thermal processing unit blocks 37 and 38.
  • the thermal processing unit block 37 includes a pass unit (PASS) 77 for transferring the LCD substrate G in order from the bottom.
  • PASS pass unit
  • three post beta units (POBAKE) 78, 79, and 80 that perform post beta processing on the LCD substrate G are stacked in four stages.
  • the thermal processing unit block 38 includes, in order from the bottom, a post-beta unit (POBAKE) 81 that performs post-beta processing on the LCD substrate G, and a cooling unit (PASS) that transfers and cools the LCD substrate G.
  • COL 82, and two post-beta units (POBAKE) 83, 84 stacked in two stages.
  • the third transfer device 39 receives the LC D substrate G from the i-ray UV irradiation unit 25 via the pass unit 77, carries in and out the LCD substrate G between the thermal processing units, and passes the “cool”.
  • the LCD substrate G is transferred to the cassette station 1 through the recording unit 82.
  • the third transfer device 39 has the same structure as the first transfer device 33, and can access any unit of the thermal processing unit blocks 37 and 38.
  • the processing units and transfer devices are arranged so as to be basically in the order of processing so as to form the two rows of transfer lines A and B.
  • a space 40 is provided between the transfer lines A and B.
  • a shuttle (substrate mounting member) 41 is provided so as to be able to reciprocate in the space 40.
  • the shuttle 41 is configured to be able to hold the LCD substrate G, and the LCD substrate G is transferred between the transfer lines A and B via the shuttle 41. Delivery of the LCD substrate G to the shuttle 41 is performed by the first to third transfer devices 33, 36, and 39.
  • the interface station 3 includes a transfer device 42 for loading and unloading the LCD substrate G between the processing station 2 and the exposure device 4, a buffer stage (BU F) 43 for placing a notch cassette, and a cooling function. It has an extension 'cooling stage 44' which is a substrate transfer section provided, and an external device block 45 in which a titler (TITLER) and a peripheral exposure device (EE) are stacked vertically is adjacent to the transfer device 42. Is provided.
  • the transfer device 42 includes a transfer arm 42a, and the LCD substrate G is carried in and out between the processing station 2 and the exposure device 4 by the transfer arm 42a.
  • the LCD substrate G in the cassette C arranged on the mounting table 9 of the cassette station 1 is transferred to the processing station 2 by the transport device 11.
  • Excimer Directly loaded into UV irradiation unit 22 for scrub pretreatment is carried into the scrub cleaning unit 21 by the transport device 11 and scrub cleaned.
  • the LCD substrate G is carried out to the path unit 61 of the thermal processing unit block 31 belonging to the first thermal processing unit section 26 by, for example, roller conveyance.
  • the LCD substrate G disposed in the pass unit 61 is first transported to one of the dehydration beta units 62 and 63 of the thermal processing unit block 31 and subjected to heat treatment, and then the thermal processing unit block 32.
  • the cooling units 66, 67 of the thermal processing unit block 31 and the thermal processing unit block 32 have an adhesion unit 64 and a thermal processing unit block 32, respectively. It is transported to any of 68, where it is subjected to adhesion treatment (hydrophobization treatment) by HMDS. Thereafter, the L CD substrate G is transferred to one of the cooling units 66 and 67, cooled, and further heated. It is transferred to the pass unit 65 of the general processing unit block 32. All of the transfer processing of the LCD substrate G when performing such a series of processing is performed by the first transfer device 33.
  • the LCD substrate G arranged in the nose unit 65 is carried into the resist coating unit 23 by a first substrate transfer arm 19a described later.
  • a resist solution is supplied while the LCD substrate G is conveyed in a horizontal posture to form a coating film, and then the coating film is dried under reduced pressure by the vacuum drying device 23b. Processing is performed. Thereafter, the LCD substrate G is transferred from the resist coating unit 23 to the pass unit 69 of the thermal processing unit block 34 belonging to the second thermal processing unit section 27 by a second substrate transfer arm 19b described later.
  • the LCD substrate G disposed in the nose unit 69 is moved by the second transfer device 36 to the pre-beta units 70, 71, 72 of the thermal processing unit block 34 and the pre-beta of the thermal processing unit block 35. It is transported to one of the units 75 and 76 and pre-beta processed, and then transported to the cooling unit 74 of the thermal processing unit block 35 and cooled to a predetermined temperature. Then, it is further transported by the second transport device 36 to the paste 73 of the thermal processing unit block 35.
  • the LCD substrate G is transported to the status tension 'cooling stage 44 of the interface station 3 by the second transport device 36, and if necessary, the external device block 45 is transported by the transport device 42 of the interface station 3. It is transported to a peripheral exposure apparatus (EE), where exposure for removing the outer peripheral portion (unnecessary portion) of the resist film is performed.
  • the LCD substrate G is transported to the exposure device 4 by the transport device 42, where the resist film on the LCD substrate G is subjected to exposure processing in a predetermined pattern. Note that the LCD substrate G may be accommodated in a notch cassette on the notch stage 43 and then transferred to the exposure apparatus 4.
  • the LCD substrate G is transferred to the upper titler (TITLER) of the external device block 45 by the transfer device 42 of the interface station 3, and after the predetermined information is written on the LCD substrate G, the extension ' It is placed on the cooling stage 44.
  • the LCD substrate G is transferred from the extension 'cooling stage 44 to the thermal processing unit block 35 belonging to the second thermal processing unit section 27 by the second transfer device 36. It is conveyed to.
  • the LCD substrate G is transported from the pass unit 73 to the developing unit 24 by, for example, operating a roller transport mechanism extending from the pass unit 73 to the developing unit 24.
  • the developing unit 24 for example, the substrate is transported in a horizontal position while being poured on the developer power LCD substrate G, and then the LCD substrate G is stopped and the LCD substrate is tilted by a predetermined angle. Then, the developer on the LCD substrate is poured off, and in this state, rinse solution is supplied to the LCD substrate G to wash away the developer. Thereafter, the LCD substrate G is returned to the horizontal posture, and the conveyance is started again, and the LCD substrate G is dried by blowing nitrogen gas or air for drying onto the LCD substrate G.
  • the LCD substrate G is transported from the developing unit 24 to the i-line UV irradiation unit 25 by a continuous transport mechanism, for example, mouth transport, and the LCD substrate G is subjected to decoloring processing. Thereafter, the LCD substrate G is carried out to the pass unit 77 of the thermal processing unit block 37 belonging to the third thermal processing unit section 28 by the roller transport mechanism in the i-line UV irradiation unit 25.
  • a continuous transport mechanism for example, mouth transport
  • the LCD substrate G arranged in the nose unit 77 is transferred to the post-beta units 78, 79, 80 of the thermal processing unit block 37 and the post-beta of the thermal processing unit block 3 8 by the third transfer device 39.
  • Unit 81 ⁇ 83 ⁇ 84 ! transported to the rear and post-beta processed, then transported to the pass' cooling unit 82 of the thermal processing unit block 38 and cooled to a predetermined temperature, then the cassette station 1
  • the transfer device 11 is placed in the cassette station 1 and accommodated in a predetermined cassette C.
  • FIG. 5 is a schematic plan view showing the resist coating unit 23.
  • the resist coating device 23a includes a stage device 12 having a stage 200 for levitating and conveying the LCD substrate G, a substrate conveying mechanism 13 for conveying the LCD substrate G in the X direction on the stage device 12, and a levitating conveyance on the stage 200.
  • a resist supply nozzle 14 for supplying a resist solution to the surface of the LCD substrate G to be formed and a nozzle cleaning unit 15 for cleaning the resist supply nozzle 14 are provided.
  • the first substrate transfer arm 19a includes the pass unit 65, the resist coating unit 23, and the like. Between them.
  • the first substrate transfer arm 19a is movable not only in the X direction but also in the Y direction and the Z direction (vertical direction).
  • the reduced pressure drying apparatus 23b includes a mounting table 17 for mounting the LCD substrate G, and a chamber 18 for storing the mounting substrate 17 and the LCD substrate G mounted on the mounting table 17. Yes.
  • the second substrate transport arm 19 b force resist coating unit 23 and the pass unit It is arranged to be able to reciprocate between 69.
  • the second substrate transfer arm 19b is also movable not only in the X direction but also in the Y direction and the Z direction.
  • the stage device 12 is roughly divided into an introduction stage unit 12a, a coating stage unit 12b, and a carry-out stage unit 12c from upstream to downstream in the transport direction of the LCD substrate G.
  • the introduction stage unit 12a is an area for transporting the LCD substrate G from the pass unit 65 of the thermal processing unit block 32 to the coating stage unit 12b.
  • a resist supply nozzle 14 is disposed in the coating stage portion 12b, where a resist solution is supplied to the LCD substrate G to form a coating film.
  • the carry-out stage unit 12c is an area for carrying the LCD substrate G on which the coating film is formed to the reduced-pressure drying device 23b.
  • the stage 200 included in the stage device 12 includes three small stages 201a, 202a, and 203a arranged along the X direction, and parallel to these along the X direction.
  • the force S is disposed on the application stage ⁇ 12b and the small stages 203a and 203b on the force carry-out stage 12c.
  • each small stage 201a to 203a, 201b to 203b has a large number of jets for injecting a predetermined gas (for example, air or nitrogen gas) upward (Z direction).
  • a gas injection port 16a and a number of intake ports 16b for performing intake are formed.
  • the LCD substrate G is kept constant from the surface of the small stage 201a etc.
  • the LCD substrate G can be levitated to the surface by holding the Y-direction end of the LCD substrate G thus levitated by the substrate transport mechanism 13 and moving it in the X direction. Can be sent.
  • the gas injection port 16a is indicated by a white circle and the intake port 16b is indicated by a black circle so that the arrangement of the gas injection port 16a and the intake port 16b can be easily understood. Only a part is shown.
  • the LCD substrate G is held in a horizontal posture with high accuracy. The characteristic that it is possible is required.
  • the resist film it is necessary to use a stage whose LCD substrate G posture control ability is inferior to that of the coating stage 12b.
  • gas injection ports 16a are provided in a straight line at predetermined intervals in the X direction and the Y direction, respectively.
  • the vents 16b are also provided in a straight line at predetermined intervals in the X direction and the heel direction, respectively.
  • the arrangement of the gas injection ports 16a and the suction ports 16b in the small stages 202a and 202b is different from these in order to enhance the attitude control capability of the LCD substrate G. Since the small stages 202a and 202b have the same configuration, the small stage 202a will be described in detail below as an example.
  • FIG. 6 is a plan view showing a schematic structure of the small stage 202a.
  • a large number of air inlets 16b are spaced at a predetermined interval L1 in the X direction, which is the transfer direction of the LCD substrate G, and at a predetermined interval in a direction shifted by a certain angle ⁇ from the Y direction, which is a direction orthogonal to the X direction L2 is provided for each.
  • a large number of gas injection ports 16a are provided at a predetermined interval L1 in the X direction and at a predetermined interval L2 in a direction shifted by a certain angle ⁇ from the Y direction.
  • the shape of the gas injection port 16a and the intake port 16b are shown enlarged to facilitate understanding of the arrangement of the gas injection port 16a and the intake port 16b. To distinguish them.
  • the end surface in the X direction of the LCD substrate G (that is, the front end and the rear end in the transport direction) is parallel to the Y direction.
  • the air inlet 16b is opened to the atmosphere on the rear end side of the LCD board G.
  • the number of air inlets 16b covered by the LCD substrate G can be continuously reduced at the front end side of the LCD substrate G.
  • the end surface of the LCD substrate G in the X direction may be simultaneously opened (exposed) to a plurality of (for example, two or more) intake ports 16b.
  • the intake pressure continuously changes, and sudden fluctuations can be avoided.
  • fluctuations in the flying height of the LCD substrate G on the stage 200 and vibrations caused by changes in the flying height can be suppressed, so that the resist film thickness can be made uniform. Can do.
  • the number of the intake ports 16b opened to the atmosphere on the rear end side of the LCD substrate G is increased by a plurality of units.
  • the number of air inlets 16b covered by the LCD substrate G decreases stepwise because the decrease in multiple units is repeated a predetermined number of times.
  • the flying height of the LCD substrate G on the stage 200 changes suddenly while applying the resist solution, the film thickness of the resist film changes, so that such a small stage 201a is applied to the coating stage 12b. Not suitable for placement.
  • the measured intake pressure change when the LCD substrate G is floated and conveyed on the small stage 201a and when it is floated and conveyed on the small stage 202a will be described later with reference to FIG.
  • the gas injection ports 16a are provided in the same form as the intake ports 16b, the number of the gas injection ports 16a opened to the atmosphere by the LCD substrate G when the LCD substrate G is transported is The number of gas injection ports 16a covered by the LCD substrate G increases continuously and decreases continuously. As a result, it is possible to suppress a sudden change in the gas injection pressure from the gas injection port 16a, and this viewpoint power can also suppress the fluctuation of the flying height of the LCD substrate G on the stage 200. This makes it possible to make the thickness of the resist film uniform. In the small stage 202a, it is also preferable to increase the number of gas injection ports 16a and intake ports 16b. As an arrangement form of the gas injection port 16a and the intake port 16b in the small stage 202a, specifically, the angle ⁇ is about 0.6 degrees, the interval L1 is 10 mm, and the interval L2 is 10 mm.
  • the arrangement of the gas injection ports 16a and the intake ports 16b in the small stage 202a is as follows.
  • the front end in the transport direction of the LCD board G does not simultaneously cover a predetermined number or more of the intake ports 16 b so that the intake pressure fluctuation of the intake port 16 b is within the allowable range.
  • the rear end in the transport direction does not open a predetermined number or more of intake ports to the atmosphere at the same time, they can be arranged randomly.
  • the condition is that the LCD substrate G can be held in a good horizontal position.
  • FIG. 7 shows the schematic piping structure of the small stage 201a.
  • a large number of gas injection ports 16a communicate with each other by a predetermined number (for example, every gas injection port 16a arranged in a line in the Y direction) from the branch pipe 211, and a plurality of branch pipes 211 are attached to the manifold 212. Therefore, it communicates.
  • a blower 214 such as a blower, a gas cylinder, or a factory gas piping facility is attached to the hold 212 via a main air supply pipe 213. By operating the blower 214, the gas injection port 16a is operated. Gas is injected.
  • the air blower 214, the merge 212, the main blower pipe 213, etc. constitute a gas injection mechanism.
  • a predetermined number of gas injection ports 16a may be communicated with each other by forming a hole in small stage 201a, and branch pipe 211 may be attached to the hole. If the number of gas injection ports 16a formed in the small stage 201a is small, one branch pipe 211 is sufficient.
  • each branch pipe 215 communicates with a branch pipe 215, and each branch pipe 215 is attached to a manifold 216 and communicates therewith.
  • a decompressor 218 such as an aspirator or a vacuum pump is attached to the hold 216 via a main intake pipe 217.
  • intake from the intake port 16b is performed. That is, the decompression device 218 functions as an intake device, and the decompression device 218, the branch pipe 215, the merge 216, the main intake pipe 217, and the like constitute an intake mechanism.
  • the amount of air blown by the air blower 214 and the amount of suction by the pressure reducing device 218 are controlled by the controller 219, whereby the gas injection pressure from the gas injection port 16a and the suction pressure at the intake port 16b are controlled.
  • the flying height and the flying attitude are controlled.
  • branch pipes 211 and 215 are shown, and the number of branch pipes 211 and 215 is not limited to this number.
  • small holes 21la and 215a that are open to the atmosphere are formed in the vicinity of the small stage 201a (that is, in the vicinity of the intake port 16b), respectively.
  • Such hole rods 211a and 215a may be provided as holes so as to communicate with the gas injection port 16a and the intake port 16b in / J and stage 201a, respectively.
  • holes 211a and 215a By providing such holes 211a and 215a, the response when the pressure load at the small stage 201a fluctuates is improved. For example, the overshoot when the pressure load suddenly changes is improved. Occurrence can be suppressed, and this can prevent changes in the transport height of the LCD substrate G and vibrations in the LCD substrate G.
  • Such holes 21 la and 215a are not necessarily formed in all the branch pipes 21 la and 215a. Particularly, it is preferable to provide the holes 21 la and 215a in a thing having a poor pressure response and a long pipe length.
  • FIG. 8 shows changes in intake air pressure at the intake port 16b (curve A) when the LCD substrate G is transported on the small stage 201a provided with the hole 215a, and the point that the hole 215a is not provided.
  • FIG. 6 is a graph showing an intake pressure change (curve B) at an intake port provided in the small stage when the LCD substrate G is transported on the small stage having the same structure as the small stage 201a.
  • the intake pressure here is the pressure in the branch pipe 215 immediately below the intake port 16b.
  • FIG. 9 is a diagram schematically showing a piping structure between the small stages 201a to 203a and 201b to 203b.
  • the piping structure of the small stage 201a shown in Fig. 7 is also applied to the other stages.
  • one pipe is connected to each of the intake ports 16b of / J and stages 201a to 203a and 201b to 203b. Only the branch pipe 215 is shown, and the branch pipe 211 communicating with the gas injection port 16a is not shown.
  • the branch pipes 215 communicate with each other by a bypass pipe 215b.
  • V not shown in FIG. 9, V, branch pipes that communicate with another intake port, and branch pipes 211 that communicate with a gas injection port 16a They are also connected to each other by a bypass pipe, not shown.
  • a large stage 200 is configured by connecting a plurality of small stages 201a to 203a, 201b to 203b, this By providing such a bypass pipe 215b, even if the pressure load for floating and holding the LCD substrate G at a specific small stage changes suddenly, the change is quickly transmitted to another small stage through the bypass pipe 215b.
  • the force to lift the LCD substrate G of the stages 201a to 203a and 201b to 203b can be made uniform, whereby the LCD substrate G can be transported in a stable posture.
  • FIG. 10A is a plan view showing the arrangement of the intake ports 16b in the small stages 301 to 303 prepared for the test. Although the gas injection port is not shown, the arrangement pattern is the same as that of the intake port 16b.
  • the LCD substrate G is floated and transported in the X direction on FIG. 10A, for example, the intake port 16b provided in each / J, stage 301 to 303 is on the river page of / J, stage 301, 302, 303. Covered by the LCD substrate G, the air is released to the river pages of the / J ⁇ stages 301, 302, and 303.
  • FIG. 10B shows a branch pipe provided in each of the small stages 301 to 303 (however, the branch pipe is formed with the hole for opening to the atmosphere shown in FIG. 7 earlier!).
  • the intake pressure change (curve C) at the intake port 16b when the LCD board G is levitated and conveyed in the X direction on the stage configured with the bypass pipe shown in Fig. 1, and the branches provided in the small stages 301 to 303 10 is a graph showing an intake pressure change (curve D) at the intake port 16b when the LCD substrate G is transported on a stage configured without providing the bypass pipe shown in FIG.
  • Fig. 11 shows the intake pressure change (curve E) when the LCD board G is transported on the small stages 202a and 202b, and the intake air when the LCD board G is transported on the small stages 201a and 20 lb. It is a graph which shows a pressure change (curve F).
  • the small stages 202a and 202b are provided with a gas injection port 16a and an intake port 16b in the form shown in FIG. 6, and are opened to the branch pipe 215 as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 9, a binos pipe 215b for communicating the branch pipes 215 with each other is provided.
  • the gas injection port 16a and the intake port 16b are provided in the form shown in FIG. 5, and a hole portion opened to the atmosphere in the branch pipe 215 as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 9, a bypass pipe 215b for communicating the branch pipes 215 with each other is provided.
  • the small stage 201a, 201b provided in the introduction stage unit 12a supports the LCD substrate G transferred to the introduction stage unit 12a by the first substrate transfer arm 19a, and the small stage 201a.
  • 201b is provided with lift pins 47a for lowering.
  • the small stages 203a and 203b provided on the carry-out stage unit 12c have lift pins 47b for lifting the LCD substrate G transferred to the carry-out stage unit 12c and delivering it to the second substrate transfer arm 19b. Is provided.
  • the substrate transport mechanism 13 includes a linear guide 52a, 52b arranged to extend in the X direction on the Y direction side surface of the stage 12, a slider 50 fitted to the linear guide 52a, 52b, and the slider 50.
  • An X-axis drive mechanism (not shown) such as a belt drive mechanism and an air slider for reciprocating movement in the X direction, and a slider 50 to hold a part of the Y direction end of the LCD substrate G
  • a substrate holding member such as a suction pad.
  • this suction pad holds the LCD substrate G in the vicinity of the Y-direction end on the back side of the portion where no resist solution is applied to the LCD substrate G.
  • the resist supply nozzle 14 has a long shape that is long in one direction, and discharges the resist liquid in a substantially strip shape that is long in the Y direction.
  • the nozzle moving mechanism 20 moves the resist supply nozzle 14 Holding with the longitudinal direction aligned with the Y direction, moving the resist supply nozzle 14 up and down in the vertical direction, the strut member 54 holding the lift mechanism 30, and the strut member 54 moved in the X direction And a horizontal drive mechanism 56 such as a ball screw.
  • a horizontal drive mechanism 56 such as a ball screw.
  • the nozzle cleaning unit 15 is attached to the support member 55 and is disposed above the small stages 202a and 202b.
  • the nozzle cleaning unit 15 preliminarily discharges the resist solution from the resist supply nozzle 14 before supplying the resist solution to the LCD substrate G, so-called dummy dispensing section 57 for performing dummy dispensing, and the resist supply nozzle 14 Remove the resist adhered to the vicinity of the resist discharge port of the resist supply nozzle 14 and the nozzle bath 58 for maintaining the resist discharge port in a solvent (for example, thinner) vapor atmosphere so that the resist discharge port is not dried.
  • the chamber 18 has a fixed lower container and an upper and lower divided structure having a movable upper lid body.
  • the slider 50 is put on standby at a predetermined position (for example, on the thermal processing unit block 32 side) of the introduction block 12a, and the stage device 12 is in a state where the LCD substrate G can be floated to a predetermined height in each part. .
  • the LCD substrate G is held by the first substrate transfer arm 19a from the pass unit 65 provided in the thermal processing cue block 32 and carried into the introduction stage portion 12a.
  • the lift pins 47 a are raised and the LCD substrate G is transferred from the first substrate transfer arm 19 a to the lift pins 47 a, and then the lift pins 47 a are lowered and transferred to the slider 50.
  • the LCD substrate G is floated and held in a substantially horizontal posture on the small stages 201a and 20 lb.
  • the resist supply nozzles 14 of the LCD substrate G or the dummy substrate to be processed first are arranged.
  • the height may be adjusted and the position stored in the control device of the lifting mechanism 30.
  • the timing of the discharge start Z discharge end of the resist solution from the resist supply nozzle 14 may be determined using a sensor measurement signal, or a sensor for detecting the position of the LCD substrate G is provided separately. It can also be determined based on this sensor force signal.
  • the LCD substrate G on which the coating film is formed is conveyed to the carry-out stage unit 12c, where the holding by the slider 50 is released, and the lift pins 47b are raised.
  • the second substrate transport arm 19b is allowed to access the LCD substrate G lifted by the lift pins 47b.
  • the lift pins 47b are lowered. .
  • the second substrate transfer arm 19b places the gripped LCD substrate G on the placement table 17 of the reduced pressure drying apparatus 23b. Thereafter, the chamber 18 is sealed and the inside of the chamber 18 is decompressed to dry the coating film under reduced pressure. On the other hand, the slider 50 after delivering the LCD substrate G to the lift pins 47b is returned to the thermal processing unit block 32 side in order to convey the LCD substrate G to be processed next.
  • the chamber 18 is opened, and the second substrate transport arm 19b is accessed to the LCD substrate G placed on the mounting table 17, and the LCD substrate G is gripped. Then, the LCD board G is transported to the pass unit 69 of the thermal processing unit block 34.
  • the transport of the LCD substrate G is repeated as described above, and a coating film is formed on the LCD substrate G.
  • the cleaning processing power of the resist supply nozzle 14, for example, in the dummy dispensing unit 57 Dummy dispensation, resist film formation on LCD substrate G, resist supply nozzle 14 cleaning process by nozzle cleaning mechanism 59, resist discharge port drying in nozzle bath 58 The drying control is appropriately performed as one set.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be variously modified.
  • the present invention is applied to the application stage unit 12b.
  • the present invention is applied to the introduction stage unit 12a and the unloading stage unit 12c in the same manner as the application stage unit 12b. It doesn't matter.
  • the introduction stage unit 12a and the unloading stage unit 12c may be inferior in posture control capability than the coating stage unit 12b, it is possible to provide only the gas injection port 16a without providing the intake port 16b.
  • the gas injection ports 16a may be arranged side by side in a direction deviated from the Y direction by a certain angle ⁇ , similar to the small stages 202a and 202b constituting the application stage unit 12b.
  • the front end of the substrate transfer direction does not simultaneously cover the plurality of intake ports, and the rear end of the substrate transfer direction does not simultaneously release the plurality of intake ports to the atmosphere.
  • the resist film is taken up as the coating film, but the coating film is not limited to this, and is an anti-reflection film or a photosensitive film! /, An insulating film, etc. Moyo!
  • the present invention is suitable for a resist film forming apparatus for forming a coating film such as a resist film on a large substrate such as an LCD glass substrate.

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Abstract

　ステージ上で浮上した矩形基板がその一対の辺が搬送方向と実質的に平行で他の一対の辺が搬送方向と実質的に直交するように搬送されるステージ装置であって、ステージは、ガスを噴射するための複数のガス噴射口と、吸気により矩形基板を吸引するための複数の吸気口とを有し、吸気機構による複数の吸気口を介しての吸引と、ガス噴射機構による複数のガス噴射口を介してのガス噴射とにより、ステージの表面から一定の高さに矩形基板を実質的に水平姿勢で浮上させ、複数の吸気口は、矩形基板が前記ステージ上を搬送された際に、吸気口の吸気圧力変動が許容範囲になるように、基板の搬送方向先端が同時に所定数以上の吸気口を覆うことがなく、かつ、矩形基板の搬送方向後端が同時に所定数以上の吸気口を開放させることがない状態でステージに配置される。  

Description

明 細 書
ステージ装置および塗布処理装置
技術分野
[0001] 本発明は、液晶表示装置 (LCD)等の FPD (フラットパネルディスプレイ）に用いら れるガラス基板等の基板を搬送するためのステージ装置およびこのステージ装置を 備えた塗布処理装置に関する。
背景技術
[0002] 例えば、液晶表示装置 (LCD)の製造工程においては、フォトリソグラフィー技術を 用いて、ガラス基板に所定の回路パターンを形成している。すなわち、ガラス基板に レジスト液を供給して塗布膜を形成し、これを乾燥、熱処理した後に、露光処理、現 像処理を逐次行っている。
[0003] ここで、ガラス基板にレジスト液を供給して塗布膜を形成する装置としては、ガラス 基板を水平に真空吸着する載置台と、この載置台に保持された基板にレジスト液を 供給するレジスト供給ノズルと、載置台とレジスト供給ノズルとを水平方向で相対的に 移動させる移動機構と、を有する塗布膜形成装置が知られている (例えば、特許文 献 1参照)。
[0004] し力しながら、ガラス基板を真空吸着保持すると、載置台に設けられた吸気孔がガ ラス基板の表面に転写されやすぐまた、基板の裏面に多くのパーティクルが付着す るという不都合がある。さらにレジスト供給ノズルまたは載置台の一方を移動させなけ ればならないので、装置が大型で複雑な構造のものとなり、しかも、動力コストが高く なるという問題がある。
特許文献 1 :特開平 10— 156255号公報
発明の開示
[0005] 本発明の目的は、基板に塗布処理を行う際に吸着孔の転写が生じず、基板裏面へ のパーティクルの付着を軽減することができ、しカゝも、装置構成が単純なステージ装 置およびそれを用いた塗布処理装置を提供することにある。
[0006] 本発明者らは、先に、上記課題を解決するための技術として、ガラス基板を載置台 に吸着保持することなく略水平姿勢で搬送しながら、このガラス基板の表面にレジス ト液を供給して塗布膜を形成する装置につ!ヽて検討し、基板を浮上搬送させながら、 その基板の表面にレジスト液を塗布する浮上式基板搬送処理装置について出願し た（特願 2004— 44330、特願 2004— 218156)。
この浮上式基板搬送処理装置に用いられる基板浮上用ステージには、ガスを噴出 させるためのガス噴射口と吸気口が形成されており、ガス噴射量と吸気量とをバラン スさせることによって、基板をステージ表面から一定の高さに浮上させている。このよ うなステージにお ヽて、ガス噴射口と吸気口はそれぞれ基板搬送方向と直交する方 向に一定の間隔で一直線上に形成され、さらにガス噴射口と吸気口は基板搬送方 向にお 、て交互に一定間隔で形成されて 、る。
[0007] し力しながら、このように吸気口が配置されていると、基板を搬送する際に、基板搬 送方向と直交する方向に配置された複数のガス吸気口が同時に開口して多量の空 気を吸引してしまうため、吸気圧力が大きく変動して基板の浮上高さが変化したり、ま たこの浮上高さの変化によって基板に振動が生ずる等、基板の浮上姿勢を悪化させ ることがある。
[0008] また、基板浮上用ステージに形成された複数の吸気ロカもの吸気は、通常、所定 数の吸気口を連通させるための吸気用配管を複数設け、これら複数の吸気用配管を 1個のマ-ホールドに接続し、さらにこのマ-ホールドに真空ポンプ等を取り付けて真 空ポンプ等を動作させることにより、行っているが、基板の搬送距離が長くなると、吸 気口とマ-ホールドを結ぶ吸気用配管の長さが長くなつてしまうので、ステージでの 吸気圧力負荷に変動があった場合の応答が悪くなるおそれがある。
[0009] さらに、大型の基板を搬送する場合や基板の搬送長が長い場合には、複数の小ス テージを直並列に並べることによって、より大きなステージを構成しなければならない 力 その際には、各小ステージに設けられた吸気用配管をマ-ホールドに接続し、そ のマ-ホールドに真空ポンプ等を接続する力 このような構成では、ある 1つの小ステ ージで吸気圧力負荷に変動が生じた場合には、マ-ホールドを介して他のステージ にその変動が伝わるために応答性が悪ぐまたそもそも他の小ステージに圧力負荷 変動が十分に伝わらず、これにより大型の基板搬送用ステージの面内で吸気圧力負 荷にばらつきが生じて、基板搬送時の基板の平坦性が低下するという問題が生じる。
[0010] 本発明は、このような問題を生じさせずに上記目的を達成することができるものであ る。
[0011] 本発明の第 1の観点によれば、その上方を矩形基板が搬送されるステージと、該ス テージ上で矩形基板を浮上させる浮上機構とを有し、前記ステージ上で浮上した矩 形基板がその一対の辺が搬送方向と実質的に平行で他の一対の辺が搬送方向と実 質的に直交するように搬送されるステージ装置であって、前記ステージは、ガスを噴 射するための複数のガス噴射口と、吸気により矩形基板を吸引するための複数の吸 気口とを有し、前記浮上機構は、前記吸気口を介して吸気する吸気機構と、前記ガ ス噴射口を介してガスを噴射させるガス噴射機構とを有し、前記吸気機構による前記 複数の吸気口を介しての吸引と、前記ガス噴射機構による前記複数のガス噴射口を 介してのガス噴射とにより、前記ステージの表面力 一定の高さに矩形基板を実質的 に水平姿勢で浮上させ、前記複数の吸気口は、矩形基板が前記ステージ上を搬送 された際に、前記吸気口の吸気圧力変動が許容範囲になるように、矩形基板の搬送 方向先端が同時に所定数以上の吸気口を覆うことがなぐかつ、矩形基板の搬送方 向後端が同時に所定数以上の吸気口を開放させることがない状態で前記ステージ に配置される、ステージ装置が提供される。
[0012] 上記第 1の観点に係るステージ装置において、吸気口を矩形基板の搬送方向およ び搬送方向に直交する方向と一定角度ずれた方向にそれぞれ所定間隔で設けるよ うにすることができる。
[0013] 本発明の第 2の観点によれば、その上方を基板が搬送されるステージと、該ステ一 ジ上で基板を浮上させる浮上機構とを有するステージ装置であって、前記ステージ は、ガスを噴射するための複数のガス噴射口と、吸気して基板を吸引するための複 数の吸気口とを有し、前記浮上機構は、前記吸気口を介して吸気する吸気機構と、 前記ガス噴射口を介してガスを噴射させるガス噴射機構とを有し、前記吸気機構によ る前記複数の吸気口を介しての吸引と、前記ガス噴射機構による前記複数のガス噴 射口を介してのガス噴射とにより、前記ステージの表面力 一定の高さに基板を実質 的に水平姿勢で浮上させ、前記吸気機構は、前記複数の吸気口を所定数ごとに連 通させる所定数の配管部と、前記所定数の配管部を連通させる 1個のマ-ホールドと
、前記マ-ホールドを介して前記複数の吸気口からの吸気を行うために前記マ-ホ 一ルドに接続された吸気装置と、前記ステージ上で基板を浮上搬送させた際の吸気 圧力変動に対する応答性を高めるように、前記配管部における前記吸気口近傍に設 けられた大気開放された穴部とを有する、ステージ装置が提供される。
[0014] 上記第 2の観点に係るステージ装置において、配管部は、所定数の吸気口をステ ージの内部で連通させるための第 1配管部と、この第 1配管部とマ-ホールドとを接 続するための第 2配管部と、を有し、穴部を第 2配管部のステージ近傍または第 1配 管部の 、ずれかに設けるようにすることができる。
[0015] 本発明の第 3の観点によれば、その上方を基板が搬送されるステージと、該ステ一 ジ上で基板を浮上させる浮上機構とを有するステージ装置であって、前記ステージ は、ガスを噴射するための複数のガス噴射口と、吸気して基板を吸引するための複 数の吸気口とを有する複数の小ステージを備え、前記浮上機構は、前記吸気口を介 して吸気する吸気機構と、前記ガス噴射口を介してガスを噴射させるガス噴射機構と を有し、前記吸気機構による前記複数の吸気口を介しての吸引と、前記ガス噴射機 構による前記複数のガス噴射口を介してのガス噴射とにより、前記ステージの表面か ら一定の高さに基板を実質的に水平姿勢で浮上させ、前記吸気機構は、前記複数 の小ステージがそれぞれ具備する複数の吸気口を前記複数の小ステージごとに連 通させるための複数の配管部と、前記複数の配管部を連通させるためのマ-ホール ドと、前記マ-ホールドを介して前記複数の小ステージごとに設けられた複数の吸気 口からの吸気を行うために前記マ二ホールドに接続された吸気装置と、前記複数の 小ステージごとの吸気圧力のばらつきが小さくなるように、前記複数の配管部同士を 連通させるバイパス管とを有する、ステージ装置が提供される。
[0016] 上記第 3の観点に係るステージ装置において、複数の小ステージごとに設けられた 配管部は、複数の小ステージごとに設けられた複数の吸気口を所定数ごとに連通さ せる複数の枝管を有し、これら複数の枝管はマ-ホールドに接続され、かつ、バイパ ス管が複数の小ステージごとに設けられたこれら複数の枝配管を相互に連通させて いる構造とすることができる。また、複数の小ステージは基板の搬送方向およびこの 搬送方向と直交する方向にそれぞれ複数並べられており、バイパス管はこれらの小 ステージが個々に有する配管部を基板の搬送方向およびこの搬送方向と直交する 方向で連通させて 、る構成とすることができる。
[0017] 本発明の第 4の観点によれば、その上方を矩形基板が搬送されるステージと、該ス テージ上で矩形基板を浮上させる浮上機構とを有し、前記ステージ上で浮上した矩 形基板がその一対の辺が搬送方向と実質的に平行で他の一対の辺が搬送方向と実 質的に直交するように搬送されるステージ装置であって、前記ステージは、ガスを噴 射するための複数のガス噴射口と、吸気により矩形基板を吸引するための複数の吸 気口とを有する複数の小ステージを備え、前記浮上機構は、前記吸気口を介して吸 気する吸気機構と、前記ガス噴射口を介してガスを噴射させるガス噴射機構とを有し 、前記吸気機構による前記複数の吸気口を介しての吸引と、前記ガス噴射機構によ る前記複数のガス噴射口を介してのガス噴射とにより、前記ステージの表面から一定 の高さに矩形基板を実質的に水平姿勢で浮上させ、前記吸気機構は、前記複数の 小ステージがそれぞれ具備する複数の吸気口を前記複数の小ステージごとに連通さ せるための複数の配管部と、前記ステージ上で矩形基板を浮上搬送させた際の吸気 圧力変動に対する応答性を高めるように、前記配管部における前記吸気口近傍に設 けられた大気開放された穴部と、前記複数の配管部を連通させるためのマ二ホール ドと、前記マ-ホールドを介して前記複数の小ステージごとに設けられた複数の吸気 口からの吸気を行うために前記マ二ホールドに接続された吸気装置と、前記複数の 小ステージごとの吸気圧力のばらつきが小さくなるように、前記複数の配管部同士を 連通させるバイパス管とを有し、前記複数の吸気口は、前記小ステージごとに、前記 搬送機構により矩形基板が前記ステージ上を搬送された際に、前記吸気口の吸気 圧力変動が許容範囲になるように、矩形基板の搬送方向先端が同時に所定数以上 の吸気口を覆うことがなぐかつ、矩形基板の搬送方向後端が同時に所定数以上の 吸気口を開放させることがな 、状態で前記ステージに配置される、ステージ装置が提 供される。
[0018] 本発明の第 5の観点によれば、矩形基板を搬送しながら当該矩形基板に塗布液を 塗布して塗布膜を形成する塗布処理装置であって、その上方を矩形基板が搬送さ れるステージと該ステージ上で矩形基板を浮上させる浮上機構とを有するステージ 装置と、前記ステージ上で浮上した矩形基板をその一対の辺が搬送方向と実質的に 平行で他の一対の辺が搬送方向と実質的に直交するように搬送する基板搬送機構 と、前記基板搬送機構により前記ステージ上を搬送される矩形基板の表面に塗布液 を塗布する塗布機構とを具備し、前記ステージは、ガスを噴射するための複数のガス 噴射口と、吸気により矩形基板を吸引するための複数の吸気口とを有し、前記浮上 機構は、前記吸気口を介して吸気する吸気機構と、前記ガス噴射口を介してガスを 噴射させるガス噴射機構とを有し、前記吸気機構による前記複数の吸気口を介して の吸引と、前記ガス噴射機構による前記複数のガス噴射口を介してのガス噴射とによ り、前記ステージの表面から一定の高さに矩形基板を実質的に水平姿勢で浮上させ 、前記複数の吸気口は、前記搬送機構により矩形基板が前記ステージ上を搬送され た際に、前記吸気口の吸気圧力変動が許容範囲になるように、矩形基板の搬送方 向先端が同時に所定数以上の吸気口を覆うことがなぐかつ、矩形基板の搬送方向 後端が同時に所定数以上の吸気口を開放させることがない状態で前記ステージに 配置される、塗布処理装置が提供される。
本発明の第 6の観点によれば、基板を搬送しながら当該基板に塗布液を塗布して 塗布膜を形成する塗布処理装置であって、その上方を基板が搬送されるステージと 該ステージ上で基板を浮上させる浮上機構とを有するステージ装置と、前記ステージ 上で浮上した基板を搬送する基板搬送機構と、前記基板搬送機構により前記ステー ジ上を搬送される基板の表面に塗布液を塗布する塗布機構とを具備し、前記ステー ジは、ガスを噴射するための複数のガス噴射口と、吸気して基板を吸引するための複 数の吸気口とを有し、前記浮上機構は、前記吸気口を介して吸気する吸気機構と、 前記ガス噴射口を介してガスを噴射させるガス噴射機構とを有し、前記吸気機構によ る前記複数の吸気口を介しての吸引と、前記ガス噴射機構による前記複数のガス噴 射口を介してのガス噴射とにより、前記ステージの表面力 一定の高さに基板を実質 的に水平姿勢で浮上させ、前記吸気機構は、前記複数の吸気口を所定数ごとに連 通させる所定数の配管部と、前記所定数の配管部を連通させる 1個のマ-ホールドと 、前記マ-ホールドを介して前記複数の吸気口からの吸気を行うために前記マ-ホ 一ルドに接続された吸気装置と、前記ステージ上で基板を浮上搬送させた際の吸気 圧力変動に対する応答性を高めるように、前記配管部における前記吸気口近傍に設 けられた大気開放された穴部とを有する、塗布処理装置が提供される。
[0020] 本発明の第 7の観点によれば、基板を搬送しながら当該基板に塗布液を塗布して 塗布膜を形成する塗布処理装置であって、その上方を基板が搬送されるステージと 該ステージ上で基板を浮上させる浮上機構とを有するステージ装置と、前記ステージ 上で浮上した基板を搬送する基板搬送機構と、前記基板搬送機構により前記ステー ジ上を搬送される基板の表面に塗布液を塗布する塗布機構とを具備し、前記ステー ジは、ガスを噴射するための複数のガス噴射口と、吸気して基板を吸引するための複 数の吸気口とを有する複数の小ステージを備え、前記浮上機構は、前記吸気口を介 して吸気する吸気機構と、前記ガス噴射口を介してガスを噴射させるガス噴射機構と を有し、前記吸気機構による前記複数の吸気口を介しての吸引と、前記ガス噴射機 構による前記複数のガス噴射口を介してのガス噴射とにより、前記ステージの表面か ら一定の高さに基板を実質的に水平姿勢で浮上させ、前記吸気機構は、前記複数 の小ステージがそれぞれ具備する複数の吸気口を前記複数の小ステージごとに連 通させるための複数の配管部と、前記複数の配管部を連通させるためのマ-ホール ドと、前記マ-ホールドを介して前記複数の小ステージごとに設けられた複数の吸気 口からの吸気を行うために前記マ二ホールドに接続された吸気装置と、前記複数の 小ステージごとの吸気圧力のばらつきが小さくなるように、前記複数の配管部同士を 連通させるバイパス管と
を有する、塗布処理装置が提供される。
[0021] 本発明の第 8の観点によれば、矩形基板を搬送しながら当該矩形基板に塗布液を 塗布して塗布膜を形成する塗布処理装置であって、その上方を矩形基板が搬送さ れるステージと該ステージ上で矩形基板を浮上させる浮上機構とを有するステージ 装置と、前記ステージ上で浮上した矩形基板をその一対の辺が搬送方向と実質的に 平行で他の一対の辺が搬送方向と実質的に直交するように搬送する基板搬送機構 と、前記基板搬送機構により前記ステージ上を搬送される矩形基板の表面に塗布液 を塗布する塗布機構とを具備し、前記ステージは、ガスを噴射するための複数のガス 噴射口と、吸気により矩形基板を吸引するための複数の吸気口とを有する複数の小 ステージを備え、前記浮上機構は、前記吸気口を介して吸気する吸気機構と、前記 ガス噴射口を介してガスを噴射させるガス噴射機構とを有し、前記吸気機構による前 記複数の吸気口を介しての吸引と、前記ガス噴射機構による前記複数のガス噴射口 を介してのガス噴射とにより、前記ステージの表面力 一定の高さに矩形基板を実質 的に水平姿勢で浮上させ、前記吸気機構は、前記複数の小ステージがそれぞれ具 備する複数の吸気口を前記複数の小ステージごとに連通させるための複数の配管 部と、前記ステージ上で矩形基板を浮上搬送させた際の吸気圧力変動に対する応 答性を高めるように、前記配管部における前記吸気口近傍に設けられた大気開放さ れた穴部と、前記複数の配管部を連通させるためのマ-ホールドと、前記マ-ホール ドを介して前記複数の小ステージごとに設けられた複数の吸気口からの吸気を行うた めに前記マ-ホールドに接続された吸気装置と、前記複数の小ステージごとの吸気 圧力のばらつきが小さくなるように、前記複数の配管部同士を連通させるバイパス管 とを有し、前記複数の吸気口は、前記小ステージごとに、前記搬送機構により矩形基 板が前記ステージ上を搬送された際に、前記吸気口の吸気圧力変動が許容範囲に なるように、矩形基板の搬送方向先端が同時に所定数以上の吸気口を覆うことがなく 、かつ、矩形基板の搬送方向後端が同時に所定数以上の吸気口を開放させることが な ヽ状態で前記ステージに配置される、塗布処理装置が提供される。
[0022] なお、上記 、ずれの構成にお 、ても、ステージに設けられるガス噴射口を吸気口と 同様に配置し、また、ガス噴射口に取り付けられる配管の構成を、吸気口に取り付け られる配管と同様にすることにより、基板を浮上支持するための力に変動があった場 合にも、基板姿勢を良好に保持することができる。
[0023] 本発明によれば、複数の吸気口が、矩形基板力ステージ上を搬送された際に、吸 気口の吸気圧力変動が許容範囲になるように、矩形基板の搬送方向先端が同時に 所定数以上の吸気口を覆うことがなぐかつ、矩形基板の搬送方向後端が同時に所 定数以上の吸気口を開放させることがない状態で前記ステージに配置されるので、 吸気圧力負荷の変動を小さく抑えることができる。また、複数の吸気口を所定数ごと に連通させる所定数の配管部における吸気口近傍に大気開放された穴部を設けて ステージ上で基板を浮上搬送させた際の吸気圧力変動に対する応答性を高めるよう にすることにより、吸気圧力負荷が変化した際に迅速に対応することができる。さらに 、複数の小ステージごとの吸気圧力のばらつきが小さくなるように、前記複数の配管 部同士を連通させるバイパス管を設けることにより、吸気圧力の面内均一性を高める ことができる。このようなステージ装置を備えた塗布膜形成装置では、基板の浮上高 さおよび姿勢が高精度に維持されるので、均一な膜厚の塗布膜を形成することがで きる。
図面の簡単な説明
[図 1]本発明の一実施形態に係るレジスト塗布ユニットが搭載されたレジスト塗布 '現 像処理システムの概略平面図。
[図 2]図 1のレジスト塗布.現像処理システムの第 1の熱的処理ユニットセクションを示 す側面図。
[図 3]図 1のレジスト塗布 .現像処理システムの第 2の熱的処理ユニットセクションを示 す側面図。
[図 4]図 1のレジスト塗布 .現像処理システムの第 3の熱的処理ユニットセクションを示 す側面図。
[図 5]図 1のレジスド塗布 .現像処理システムに搭載された本発明の一実施形態に係 るレジスト塗布ユニットを示す概略平面図。
[図 6]図 5に示すレジスト塗布ユニットが具備する小ステージ（202a)の概略構造を示 す平面図。
[図 7]図 5に示すレジスト塗布ユニットが具備する小ステージ（201a)の概略の配管構 造を示す配管図。
[図 8]図 5に示すレジスト塗布ユニットが具備する小ステージ（201a)上で LCD基板 G を搬送させた際の吸気口の吸気圧力変化を示すグラフ。
[図 9]レジスト塗布ユニットが具備する複数の小ステージ間の配管構造を模式的に示 す図。
[図 10A]試験のために用意された小ステージにおける吸気口の配置を示す平面図。
[図 10B]図 10Aの小ステージ上で LCD基板 Gを搬送させた際の吸気口の吸気圧力 変化を示すグラフ。
[図 11]図 5に示すレジスト塗布ユニットが具備する小ステージ（202a · 202b)上で LC D基板 Gを搬送した場合の吸気圧力の基板移動距離による変化と、小ステージ (201 a' 201b)上で LCD基板 Gを搬送した場合の吸気圧力の基板移動距離による変化を 示すグラフ。
発明を実施するための最良の形態
[0025] 以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。ここでは 、本発明を LCD用のガラス基板 (以下「LCD基板」という）の表面にレジスト膜を形成 する装置および方法に適用した場合について説明する。
[0026] 図 1は、本発明の一実施形態に係るレジスト塗布ユニットが搭載された、 LCD基板 へのレジスト膜の形成と、露光処理後のレジスト膜の現像処理を行うレジスト塗布'現 像処理システムの概略平面図である。
[0027] このレジスト塗布'現像処理システム 100は、複数の LCD基板 Gを収容するカセット Cを載置するカセットステーション (搬入出部） 1と、 LCD基板 Gにレジスト塗布および 現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション（ 処理部） 2と、露光装置 4との間で LCD基板 Gの受け渡しを行うためのインターフェイ スステーション (インターフェイス部） 3とを備えており、カセットステーション 1とインター フェイスステーション 3はそれぞれ処理ステーション 2の両端に配置されて!、る。なお 、図 1において、レジスト塗布 ·現像処理システム 100の長手方向を X方向、平面上に お!、て X方向と直交する方向を Y方向とする。
[0028] カセットステーション 1は、カセット Cを Y方向に並べて載置できる載置台 9と、処理ス テーシヨン 2との間で LCD基板 Gの搬入出を行うための搬送装置 11を備えており、こ の載置台 9と外部との間でカセット Cの搬送が行われる。搬送装置 11は搬送アーム 1 laを有し、カセット Cの配列方向である Y方向に沿って設けられた搬送路 10上を移 動可能であり、搬送アーム 11aによりカセット Cと処理ステーション 2との間で LCD基 板 Gの搬入出が行われる。
[0029] 処理ステーション 2は、基本的に X方向に伸びる LCD基板 G搬送用の平行な 2列の 搬送ライン A, Bを有しており、搬送ライン Aに沿ってカセットステーション 1側からイン ターフェイスステーション 3に向けて、スクラブ洗浄ユニット（SCR) 21と、第 1の熱的 処理ユニットセクション 26と、レジスト塗布ユニット 23と、第 2の熱的処理ユニットセク シヨン 27と、力酉己歹 IJされて ヽる。
[0030] また、搬送ライン Bに沿ってインターフェイスステーション 3側力もカセットステーショ ン 1に向けて、第 2の熱的処理ユニットセクション 27と、現像ユニット（DEV) 24と、 i線 UV照射ユニット（i—UV) 25と、第 3の熱的処理ユニットセクション 28と、が配列され ている。スクラブ洗浄ユニット 21の上の一部にはエキシマ UV照射ユニット（e—UV) 22が設けられている。なお、エキシマ UV照射ユニット 22はスクラバ洗浄に先立って LCD基板 Gの有機物を除去するために設けられ、 i線 UV照射ユニット 25は現像の 脱色処理を行うために設けられる。
[0031] スクラブ洗浄ユニット 21では、その中で LCD基板 Gが略水平姿勢で搬送されなが ら洗浄処理および乾燥処理が行われるようになつている。現像ユニット 24では、 LCD 基板 Gが略水平姿勢で搬送されながら、現像液塗布、リンス、乾燥処理が逐次行わ れるようになっている。これらスクラブ洗浄ユニット 21および現像ユニット 24では、 LC D基板 Gの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、 LCD基板 Gの搬 入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、 i線 UV照射ユニット 2 5への LCD基板 Gの搬送は、現像ユニット 24の搬送機構と同様の機構により連続し て行われる。
[0032] レジスト塗布ユニット 23は、後に詳細に説明するように、 LCD基板 Gを略水平姿勢 で搬送しながら、レジスト液を供給し、塗布膜を形成するレジスト塗布装置 (CT) 23a と、減圧雰囲気に LCD基板 Gをさらすことにより LCD基板 G上に形成された塗布膜 に含まれる揮発成分を蒸発させて塗布膜を乾燥させる減圧乾燥装置 (VD) 23bとを 備えている。
[0033] 第 1の熱的処理ユニットセクション 26は、 LCD基板 Gに熱的処理を施す熱的処理 ユニットが積層して構成された 2つの熱的処理ユニットブロック（TB) 31, 32を有して おり、熱的処理ユニットブロック 31はスクラブ洗浄ユニット 21側に設けられ、熱的処理 ユニットブロック 32はレジスト塗布ユニット 23側に設けられている。これら 2つの熱的 処理ユニットブロック 31, 32の間に第 1の搬送装置 33が設けられている。 [0034] 図 2の第 1の熱的処理ユニットセクション 26の側面図に示すように、熱的処理ュ-ッ トブロック 31は、下力も順に LCD基板 Gの受け渡しを行うパスユニット（PASS) 61と、 LCD基板 Gに対して脱水ベータ処理を行う 2つの脱水ベータユニット（DHP) 62, 63 と、 LCD基板 Gに対して疎水化処理を施すアド一ヒージョンユニット (AD) 64が 4段 に積層された構成を有している。また、熱的ユニットブロック 32は、下から順に LCD 基板 Gの受け渡しを行うパスユニット（PASS) 65と、 LCD基板 Gを冷却する 2つのク 一リングユニット（COL) 66, 67と、 LCD基板 Gに対して疎水化処理を施すアドーヒ 一ジョンユニット (AD) 68が 4段に積層された構成を有している。
[0035] 第 1の搬送装置 33は、パスユニット 61を介してのスクラブ洗浄ユニット 21からの LC D基板 Gの受け取り、上記熱的処理ユニット間の LCD基板 Gの搬入出、およびパス ユニット 65を介してのレジスト塗布ユニット 23への LCD基板 Gの受け渡しを行う。
[0036] 第 1の搬送装置 33は、上下に延びるガイドレール 91と、ガイドレール 91に沿って昇 降する昇降部材 92と、昇降部材 92上を旋回可能に設けられたベース部材 93と、ベ 一ス部材 93上を前進後退可能に設けられ、 LCD基板 Gを保持する基板保持アーム 94とを有している。昇降部材 92の昇降はモータ 95によって行われ、ベース部材 93 の旋回はモータ 96によって行われ、基板保持アーム 94の前後動はモータ 97によつ て行われる。このように第 1の搬送装置 33は、上下動、前後動、旋回動可能であり、 熱的処理ユニットブロック 31, 32のいずれのユニットにもアクセスすることができる。
[0037] 第 2の熱的処理ユニットセクション 27は、 LCD基板 Gに熱的処理を施す熱的処理 ユニットが積層して構成された 2つの熱的処理ユニットブロック（TB) 34, 35を有して おり、熱的処理ユニットブロック 34はレジスト塗布ユニット 23側に設けられ、熱的処理 ユニットブロック 35は現像ユニット 24側に設けられている。そして、これら 2つの熱的 処理ユニットブロック 34, 35の間に、第 2の搬送装置 36が設けられている。
[0038] 図 3の第 2の熱的処理ユニットセクション 27の側面図に示すように、熱的処理ュ-ッ トブロック 34は、下から順に LCD基板 Gの受け渡しを行うパスユニット（PASS) 69と L CD基板 Gに対してプリベータ処理を行う 3つのプリベータユニット（PREBAKE) 70, 71, 72が 4段に積層された構成となっている。また、熱的処理ユニットブロック 35は、 下力も順に LCD基板 Gの受け渡しを行うパスユニット（PASS) 73と、 LCD基板 Gを 冷却するクーリングユニット（COL) 74と、 LCD基板 Gに対してプリベータ処理を行う 2つのプリベータユニット (PREBAKE) 75, 76力 段に積層された構成となっている
[0039] 第 2の搬送装置 36は、パスユニット 69を介してのレジスト塗布ユニット 23からの LC D基板 Gの受け取り、上記熱的処理ユニット間の LCD基板 Gの搬入出、パスユニット 73を介しての現像ユニット 24への LCD基板 Gの受け渡し、および後述するインター フェイスステーション 3の基板受け渡し部であるエクステンション 'クーリングステージ（ EXT'COL) 44に対する LCD基板 Gの受け渡しおよび受け取り、を行う。なお、第 2 の搬送装置 36は、第 1の搬送装置 33と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットプロ ック 34, 35のいずれのユニットにもアクセス可能である。
[0040] 第 3の熱的処理ユニットセクション 28は、 LCD基板 Gに熱的処理を施す熱的処理 ユニットが積層して構成された 2つの熱的処理ユニットブロック（TB) 37, 38を有して おり、熱的処理ユニットブロック 37は現像ユニット 24側に設けられ、熱的処理ユニット ブロック 38はカセットステーション 1側に設けられている。そして、これら 2つの熱的処 理ユニットブロック 37, 38の間に、第 3の搬送装置 39が設けられている。
[0041] 図 4の第 3の熱的処理ユニットセクション 28の側面図に示すように、熱的処理ュ-ッ トブロック 37は、下から順に、 LCD基板 Gの受け渡しを行うパスユニット（PASS) 77と 、 LCD基板 Gに対してポストベータ処理を行う 3つのポストベータユニット（POBAKE ) 78, 79, 80が 4段に積層された構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック 38は、下から順に、 LCD基板 Gに対してポストベータ処理を行うポストベータユニット (POBAKE) 81と、 LCD基板 Gの受け渡しおよび冷却を行うパス'クーリングユニット (PASS 'COL) 82と、さらに 2つのポストベータユニット（POBAKE) 83, 84力 段に 積層された構成を有して 、る。
[0042] 第 3の搬送装置 39は、パスユニット 77を介しての i線 UV照射ユニット 25からの LC D基板 Gの受け取り、上記熱的処理ユニット間の LCD基板 Gの搬入出、パス'クーリ ングユニット 82を介してのカセットステーション 1への LCD基板 Gの受け渡しを行う。 なお、第 3の搬送装置 39も第 1の搬送装置 33と同じ構造を有しており、熱的処理ュ ニットブロック 37, 38のいずれのユニットにもアクセス可能である。 [0043] 処理ステーション 2では、以上のように 2列の搬送ライン A, Bを構成するように、力 つ基本的に処理の順になるように各処理ユニットおよび搬送装置が配置されており、 これら搬送ライン A, B間には空間 40が設けられている。そして、この空間 40を往復 動可能にシャトル (基板載置部材) 41が設けられて 、る。このシャトル 41は LCD基板 Gを保持可能に構成されており、シャトル 41を介して搬送ライン A, B間で LCD基板 Gの受け渡しが行われる。シャトル 41に対する LCD基板 Gの受け渡しは、上記第 1か ら第 3の搬送装置 33, 36, 39によって行われる。
[0044] インターフェイスステーション 3は、処理ステーション 2と露光装置 4との間で LCD基 板 Gの搬入出を行う搬送装置 42と、ノ ッファカセットを配置するバッファステージ (BU F) 43と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション 'クーリングステー ジ 44とを有しており、タイトラー (TITLER)と周辺露光装置 (EE)とが上下に積層さ れた外部装置ブロック 45が搬送装置 42に隣接して設けられている。搬送装置 42は 搬送アーム 42aを備え、この搬送アーム 42aにより処理ステーション 2と露光装置 4と の間で LCD基板 Gの搬入出が行われる。
[0045] このように構成されたレジスト塗布 ·現像処理システム 100においては、まず、カセッ トステーション 1の載置台 9に配置されたカセット C内の LCD基板 Gが、搬送装置 11 により処理ステーション 2のエキシマ UV照射ユニット 22に直接搬入され、スクラブ前 処理が行われる。次 、で搬送装置 11により LCD基板 Gがスクラブ洗浄ユニット 21に 搬入され、スクラブ洗浄される。スクラブ洗浄処理後、 LCD基板 Gは例えばコロ搬送 により第 1の熱的処理ユニットセクション 26に属する熱的処理ユニットブロック 31のパ スユニット 61に搬出される。
[0046] パスユニット 61に配置された LCD基板 Gは、最初に、熱的処理ユニットブロック 31 の脱水ベータユニット 62, 63のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処 理ユニットブロック 32のクーリングユニット 66, 67の!、ずれかに搬送されて冷却され た後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック 31のアドヒージョン ユニット 64および熱的処理ユニットブロック 32のアドヒージョンユニット 68のいずれか に搬送され、そこで HMDSによりアドヒージョン処理 (疎水化処理)される。その後、 L CD基板 Gは、クーリングユニット 66, 67のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱 的処理ユニットブロック 32のパスユニット 65に搬送される。このような一連の処理を行 う際の LCD基板 Gの搬送処理は、全て第 1の搬送装置 33によって行われる。
[0047] ノ スユニット 65に配置された LCD基板 Gは、後述する第 1基板搬送アーム 19aによ つて、レジスト塗布ユニット 23内へ搬入される。後に詳細に説明するように、レジスト 塗布装置 23aにおいては、 LCD基板 Gを水平姿勢で搬送しながらレジスト液を供給 して塗布膜を形成し、その後、減圧乾燥装置 23bにて塗布膜に減圧乾燥処理が施さ れる。その後、後述する第 2基板搬送アーム 19bにより、 LCD基板 Gはレジスト塗布 ユニット 23から第 2の熱的処理ユニットセクション 27に属する熱的処理ユニットブロッ ク 34のパスユニット 69に受け渡される。
[0048] ノ スユニット 69に配置された LCD基板 Gは、第 2の搬送装置 36により、熱的処理ュ ニットブロック 34のプリベータユニット 70, 71, 72および熱的処理ユニットブロック 35 のプリベータユニット 75, 76のいずれかに搬送されてプリベータ処理され、その後熱 的処理ユニットブロック 35のクーリングユニット 74に搬送されて所定温度に冷却され る。そして、第 2の搬送装置 36により、さらに熱的処理ユニットブロック 35のパスュ- ット 73に搬送される。
[0049] その後、 LCD基板 Gは第 2の搬送装置 36によりインターフェイスステーション 3のェ タステンション 'クーリングステージ 44へ搬送され、必要に応じて、インターフェイスス テーシヨン 3の搬送装置 42により外部装置ブロック 45の周辺露光装置 (EE)に搬送 されて、そこで、レジスト膜の外周部 (不要部分)を除去するための露光が行われる。 次いで、 LCD基板 Gは、搬送装置 42により露光装置 4に搬送されてそこで LCD基板 G上のレジスト膜に所定パターンで露光処理が施される。なお、 LCD基板 Gは、ー且 、ノッファステージ 43上のノ ッファカセットに収容され、その後に露光装置 4に搬送さ れる場合がある。
[0050] 露光終了後、 LCD基板 Gはインターフェイスステーション 3の搬送装置 42により外 部装置ブロック 45の上段のタイトラー (TITLER)に搬入されて LCD基板 Gに所定の 情報が記された後、エクステンション 'クーリングステージ 44に載置される。 LCD基板 Gは、第 2の搬送装置 36により、エクステンション 'クーリングステージ 44から第 2の熱 的処理ユニットセクション 27に属する熱的処理ユニットブロック 35のパスユニット 73 へ搬送される。
[0051] パスユニット 73から現像ユニット 24への LCD基板 Gの搬送は、パスユニット 73から 現像ユニット 24まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることによりなされ る。現像ユニット 24では、例えば、基板を水平姿勢で搬送しながら現像液力LCD基 板 G上に液盛りされ、その後、ー且、 LCD基板 Gの搬送を停止して LCD基板を所定 角度傾けることにより、 LCD基板上の現像液を流し落とし、さらにこの状態で LCD基 板 Gにリンス液を供給して、現像液を洗い流す。その後、 LCD基板 Gを水平姿勢に 戻して、再び搬送を開始し、乾燥用窒素ガスまたは空気を LCD基板 Gに吹き付ける ことにより、 LCD基板を乾燥させる。
[0052] 現像処理終了後、 LCD基板 Gは現像ユニット 24から連続する搬送機構、例えばコ 口搬送により i線 UV照射ユニット 25に搬送され、 LCD基板 Gに対して脱色処理が施 される。その後、 LCD基板 Gは i線 UV照射ユニット 25内のコロ搬送機構により第 3の 熱的処理ユニットセクション 28に属する熱的処理ユニットブロック 37のパスユニット 7 7に搬出される。
[0053] ノ スユニット 77に配置された LCD基板 Gは、第 3の搬送装置 39により熱的処理ュ ニットブロック 37のポストベータユニット 78, 79, 80および熱的処理ユニットブロック 3 8のポストベータユニット 81 · 83 · 84の!、ずれかに搬送されてポストベータ処理され、 その後熱的処理ユニットブロック 38のパス'クーリングユニット 82に搬送されて所定温 度に冷却された後、カセットステーション 1の搬送装置 11によって、カセットステーショ ン 1に配置されて 、る所定のカセット Cに収容される。
[0054] 次に、レジスト塗布ユニット 23について詳細に説明する。図 5はレジスト塗布ユニット 23を示す概略平面図である。レジスト塗布装置 23aは、 LCD基板 Gを浮上搬送する ためのステージ 200を有するステージ装置 12と、ステージ装置 12上で LCD基板 Gを X方向に搬送する基板搬送機構 13と、ステージ 200上で浮上搬送される LCD基板 Gの表面にレジスト液を供給するレジスト供給ノズル 14と、レジスト供給ノズル 14を洗 浄等するためのノズル洗浄ユニット 15とを備えている。そして、熱的処理ユニットプロ ック 32に設けられたパスユニット 65からレジスト塗布装置 23aへ LCD基板 Gを搬送 するために、第 1基板搬送アーム 19aが、パスユニット 65とレジスト塗布ユニット 23と の間を往復自在に配設されている。この第 1基板搬送アーム 19aは、 X方向のみなら ず、 Y方向と Z方向（鉛直方向）にも移動可能となっている。
[0055] また、減圧乾燥装置 23bは、 LCD基板 Gを載置するための載置台 17と、載置台 17 および載置台 17に載置された LCD基板 Gを収容するチャンバ 18と、を備えている。 レジスト塗布装置 23aから減圧乾燥装置 23bを通って熱的処理ユニットブロック 34に 設けられたパスユニット 69へ LCD基板 Gを搬送するために、第 2基板搬送アーム 19 b力 レジスト塗布ユニット 23とパスユニット 69との間を往復自在に配設されている。 第 2基板搬送アーム 19bもまた、 X方向のみならず、 Y方向と Z方向に移動可能であ る。
[0056] ステージ装置 12は、 LCD基板 Gの搬送方向の上流から下流に向けて、大略的に、 導入ステージ部 12a、塗布ステージ部 12b、搬出ステージ部 12cに分けられる。導入 ステージ部 12aは、熱的処理ユニットブロック 32のパスユニット 65から塗布ステージ 部 12bへ LCD基板 Gを搬送するためのエリアである。塗布ステージ部 12bには、レジ スト供給ノズル 14が配置されており、ここで LCD基板 Gにレジスト液が供給されて塗 布膜が形成される。搬出ステージ部 12cは、塗布膜が形成された LCD基板 Gを減圧 乾燥装置 23bへ搬出するためのエリアである。
[0057] ステージ装置 12が具備するステージ 200は、図 5に示されるように、 X方向に沿って 配置された 3台の小ステージ 201a, 202a, 203aと、これらに並列に X方向に沿って 酉己置された 3台の/ J、ステージ 20 lb, 202b, 203bとを有しており、 /J、ステージ 201a, 20 lb力 S導人ステージ咅 I 2aに、 /Jヽステージ 202a, 202b力 S塗布ステージ咅 12bに、 小ステージ 203a, 203b力搬出ステージ部 12cに、それぞれ配置されている。
[0058] 各小ステージ 201a〜203a, 201b〜203bにはそれぞれ、図 5に示すように、所定 のガス (例えば、空気や窒素ガス）を上方 (Z方向）に向かって噴射するための多数の ガス噴射口 16aと、吸気を行うための多数の吸気口 16bとが形成されている。ガス噴 射口 16aから噴射されるガス噴射量と吸気口 16bからの吸気量とをバランスさせる（ つまり、圧力負荷を一定とする）ことによって、 LCD基板 Gを小ステージ 201a等の表 面から一定の高さに浮上させることができ、こうして浮上した LCD基板 Gの Y方向端 を基板搬送機構 13で保持して X方向へ移動させることにより、 LCD基板 Gを浮上搬 送させることができる。なお、図 5では、ガス噴射口 16aと吸気口 16bの配置を理解し 易いように、ガス噴射口 16aを白丸で、吸気口 16bを黒丸で示しており、その配置が 明確となるように、一部のみを示している。
[0059] 塗布ステージ部 12bを構成する小ステージ 202a, 202bには、 LCD基板 Gに形成 されるレジスト膜の厚さを均一にするために、 LCD基板 Gを高い精度で水平姿勢に 保持することができるという特性が要求される。これに対して、塗布膜を形成する前の 導入ステージ部 12aや塗布膜を形成した後の搬出ステージ部 12cにお 、ては、 LC D基板 Gの姿勢が多少変化しても、レジスト膜の性状には大きな影響を与えな!/、ため に、塗布ステージ部 12bよりも LCD基板 Gの姿勢制御能力が劣るステージを用 V、るこ とがでさる。
[0060] そのため、図 5に示されるように、 /J、ステージ 201a, 201b, 203a, 203bとしては、 ガス噴射口 16aは X方向と Y方向にそれぞれ所定の間隔で一直線上に設けられ、吸 気口 16bも X方向と Υ方向にそれぞれ所定の間隔で一直線上に設けられたものが用 いられている。これに対して、小ステージ 202a, 202bにおけるガス噴射口 16aと吸 気口 16bの配置形態は、 LCD基板 Gの姿勢制御能力を高めるために、これらと異な る形態となっている。これら小ステージ 202aと 202bとは同じ構成を有しているので、 以下、小ステージ 202aを例にとって詳細に説明する。
[0061] 図 6に小ステージ 202aの概略構造を示す平面図を示す。小ステージ 202aでは、 多数の吸気口 16bは、 LCD基板 Gの搬送方向である X方向に所定間隔 L1で、 X方 向に直交する方向である Y方向と一定角度 Θだけずれた方向に所定間隔 L2で、そ れぞれ設けられている。同様に、多数のガス噴射口 16aは X方向に所定間隔 L1で、 Y方向と一定角度 Θだけずれた方向に所定間隔 L2で、それぞれ設けられている。な お、図 6では、ガス噴射口 16aと吸気口 16bの配置を理解し易いように、その形状を 大きくして示し、また、ガス噴射口 16aを白丸で、吸気口 16bを斜線で示すことによつ て、これらを区別している。
[0062] LCD基板 Gを小ステージ 202a上で搬送する際に、 LCD基板 Gの X方向端面（つ まり、搬送方向の先端と後端）は Y方向と平行であるから、間隔 LI, L2および角度 0 を適切に設定することにより、 LCD基板 Gの後端側では大気開放される吸気口 16b の数を連続的に増加させ、 LCD基板 Gの先端側では LCD基板 Gによって覆われる 吸気口 16bの数を連続的に減少させることができる。
[0063] つまり、小ステージ 202a上で LCD基板 Gを搬送する際には、 LCD基板 Gの X方向 端面が同時に複数 (例えば、 2箇所以上)の吸気口 16bを大気開放 (露出）させること がなぐまた同時に複数の吸気口 16bを覆うことがないため、吸気圧力は連続的に変 化し、急激な変動の発生を回避することができる。このように、 LCD基板 Gのステージ 200上での浮上高さの変動や、浮上高さの変化に起因する振動の発生を抑制するこ とができるので、レジスト膜の膜厚を均一化することができる。
[0064] これに対して、 LCD基板 Gを小ステージ 201a上で搬送する際には、 LCD基板 Gの 後端側では、大気開放される吸気口 16bの数は、複数単位での増加が所定回数繰 り返されるために階段状に増加し、 LCD基板 Gの先端側では、 LCD基板 Gによって 覆われる吸気口 16bの数は、複数単位での減少が所定回数繰り返されるために階段 状に減少する。レジスト液を塗布しているときに、 LCD基板 Gのステージ 200上での 浮上高さが急変すると、レジスト膜の膜厚が変化するので、このような小ステージ 201 aは塗布ステージ部 12bへの配置には不向きである。なお、 LCD基板 Gを小ステー ジ 201a上で浮上搬送した場合と小ステージ 202a上で浮上搬送した場合の実測され た吸気圧力変化につ!、ては、後に図 11を参照して説明する。
[0065] 小ステージ 202aでは、ガス噴射口 16aも吸気口 16bと同様の形態で設けられてい るために、 LCD基板 Gの搬送時に、 LCD基板 Gによって大気開放されるガス噴射口 16aの数は連続的に増加し、 LCD基板 Gによって覆われるガス噴射口 16aの数は連 続的に減少する。これによつて、ガス噴射口 16aからのガス噴射圧力に急激な変化 が生ずることが抑えられるので、この観点力もも、 LCD基板 Gのステージ 200上での 浮上高さの変動を抑制することができ、これによりレジスト膜の膜厚を均一にすること ができる。小ステージ 202aにおいて、ガス噴射口 16aおよび吸気口 16bの配置数を 多くすることも好ましい。小ステージ 202aにおけるガス噴射口 16aおよび吸気口 16b の配置形態としては、具体的には、角度 Θを約 0. 6度、間隔 L1を 10mm、間隔 L2を 10mmを挙げることができる。
[0066] なお、小ステージ 202aにおけるガス噴射口 16aおよび吸気口 16bの配置形態は、 図 6に示すものに限定されるものではなぐ吸気口 16bの吸気圧力変動が許容範囲 になるように、 LCD基板 Gの搬送方向先端が同時に所定個数以上の吸気口 16bを 覆うことがなぐかつ、搬送方向後端が同時に所定個数以上の吸気口を大気開放さ せることがないならば、ランダムに配置することもできる。もちろん、 LCD基板 Gを良 好に水平姿勢で保持できることが条件となる。
[0067] 次に、ステージ 200に設けられたガス噴射口 16aへの給気と吸気口 16bからの排気 の形態について、小ステージ 201aを例に挙げて説明する。図 7に小ステージ 201a の概略の配管構造図を示す。多数のガス噴射口 16aは、所定数ごと (例えば、 Y方向 に一列に配置されたガス噴射口 16aごと）に枝管 211より連通し、複数の枝管 211は マ-ホールド 212に取り付けられてそこで連通している。マ-ホールド 212には主送 風管 213を介してブロワ一やガスボンベ、工場ガス配管設備等の送風装置 214が取 り付けられており、この送風装置 214を稼働させることによりガス噴射口 16aからガス が噴射される。つまり、送風装置 214、マ-ホールド 212、主送風管 213等がガス噴 射機構を構成している。
[0068] なお、ガス噴射口 16aは、所定数ごとに小ステージ 201a内に孔部を形成して連通 させ、その孔部に枝管 211を取り付けてもよい。また、小ステージ 201aに形成されて いるガス噴射口 16aの数が少ない場合には、 1本の枝管 211で足りる。
[0069] 多数の吸気口 16bもこれと同様に、所定数ごとに枝管 215により連通しており、各 枝管 215はマ-ホールド 216に取り付けられてそこで連通している。マ-ホールド 21 6には主吸気管 217を介してァスピレータゃ真空ポンプ等の減圧装置 218が取り付 けられており、減圧装置 218を稼働させることにより吸気口 16bからの吸気が行われ る。すなわち、減圧装置 218は吸気装置として機能し、この減圧装置 218、枝管 215 、マ-ホールド 216、主吸気管 217等が吸気機構を構成している。
[0070] 送風装置 214の送風量および減圧装置 218の吸引量はコントローラ 219により制 御され、これにより、ガス噴射口 16aからのガス噴射圧力および吸気口 16bにおける 吸引圧力が制御され、基板 Gの浮上高さや浮上姿勢が制御されるようになっている。
[0071] なお、図 7で ίま、枝管 211, 215をそれぞれ 3本示して!/ヽる力 枝管 211, 215の数 はこの数に限定されるものではな 、。 [0072] 枝管 211, 215にはそれぞれ、その小ステージ 201a近傍（つまり、吸気口 16b近傍 )に、大気開放された小さな穴部 21 la, 215aがそれぞれ形成されている。このような 穴咅 211a, 215aは、 /J、ステージ 201aにおいて、ガス噴射口 16aおよび吸気口 16b にそれぞれ連通するように、孔部として設けてもょ ヽ。
[0073] このような穴部 211a, 215aを設けることによって、小ステージ 201aでの圧力負荷 に変動があった場合の応答性が改善され、例えば、圧力負荷が急変した場合のォー バーシュートの発生を抑制することができ、これにより LCD基板 Gの搬送高さ等が変 化することや LCD基板 Gに振動が発生することを防止することができる。このような穴 部 21 la, 215aは全ての枝管 21 la, 215aに形成しなくてはならないものではなぐ 特に圧力応答性の悪 、配管長の長 、ものに設けることが好ま 、。
[0074] 図 8は、穴部 215aが設けられた小ステージ 201a上で LCD基板 Gを搬送させた際 の吸気口 16bの吸気圧力変化（曲線 A)、および穴部 215aを設けていない点以外は 小ステージ 201aと同じ構造を有する小ステージ上で LCD基板 Gを搬送した場合の その小ステージに設けられた吸気口の吸気圧力変化（曲線 B)を示すグラフである。 ここでの吸気圧力とは吸気口 16b直下の枝管 215内圧力である。 LCD基板 Gを X方 向に搬送すると、 Y方向に並べて設けられた吸気口が同時に開口するために吸気圧 力が急激に大きくなるが、穴部 215aを設けることにより、圧力急変の際のオーバーシ ユートの発生が抑制されて 、ることがわ力る。
[0075] 次に、小ステージ 201a〜203a, 201b〜203b間の配管構造について説明する。
図 9は小ステージ 201a〜203a, 201b〜203b間の配管構造を模式的に示す図で ある。図 7に示した小ステージ 201aの配管構造は他のステージにも適用されており、 この図 9では、 /J、ステージ 201a〜203a, 201b〜203bの吸気口 16bにそれぞれ連 通する 1本ずつの枝管 215のみを示し、ガス噴射口 16aに連通する枝管 211は図示 を省略している。
[0076] 各枝管 215はバイパス管 215bによって互いに連通しており、図 9には図示していな V、別の吸気口に連通する枝管同士、ガス噴射口 16aに連通する枝管 211同士もまた それぞれ図示しな 、バイパス管によって互いに連通して 、る。複数の小ステージ 201 a〜203a, 201b〜203bを連結して大型のステージ 200を構成する場合には、この ようなバイパス管 215bを設けることによって、特定の小ステージで LCD基板 Gを浮上 保持するための圧力負荷が急変しても、バイパス管 215bを通してその変化が別の小 ステージに速やかに伝わるので、小ステージ 201a〜203a, 201b〜203bの LCD基 板 Gを浮上させる力を均一にすることができ、これにより LCD基板 Gを安定した姿勢 で搬送することができる。
[0077] 図 10Aは、試験のために用意された小ステージ 301〜303における吸気口 16bの 配置を示す平面図である。なお、ガス噴射口は図示していないが、配置パターンは 吸気口 16bに準ずる。この図 10A上で X方向に LCD基板 Gを浮上搬送させると、例 えば、各/ J、ステージ 301〜303に設けられた吸気口 16bは、 /J、ステージ 301, 302, 303の川頁に LCD基板 Gに覆われていさ、/ Jヽステージ 301, 302, 303の川頁に大気開 放されていく。
[0078] 図 10Bは、小ステージ 301〜303に設けられる枝管（ただし、その枝管には先に図 7に示した大気開放のための穴部は形成されて!、ない）に図 9に示したバイパス管を 設けて構成されるステージ上で LCD基板 Gを X方向に浮上搬送させた際の吸気口 1 6bの吸気圧力変化（曲線 C)、および小ステージ 301〜303に設けられる枝管に図 9 に示したバイパス管を設けずに構成されるステージ上で LCD基板 Gを搬送した場合 の吸気口 16bの吸気圧力変化（曲線 D)を示すグラフである。
[0079] 曲線 Cに示されるように、枝管にバイパス管を設けることにより、各ステージ 301〜3 03の吸気圧力が均一化されるため、吸気口 16bの大気解放時の吸気圧力変化はス ロープ状となっている。これに対して、曲線 Dに示されるように、枝管にバイパス管を 設けない場合には各枝管はマ-ホールドで連通し、そこで吸気圧力の変化に応答す るために応答が遅ぐ吸気圧力変化に段差が現れている。
[0080] 図 11は、小ステージ 202a, 202b上で LCD基板 Gを搬送した場合の吸気圧力変 ィ匕（曲線 E)、および小ステージ 201a, 20 lb上で LCD基板 Gを搬送した場合の吸気 圧力変化（曲線 F)を示すグラフである。ここで、小ステージ 202a, 202bには、先に 図 6に示した形態でガス噴射口 16aおよび吸気口 16bが設けられており、かつ、図 7 に示したように枝管 215に大気開放された穴部 215aが設けられており、さらに図 9に 示したように枝管 215同士を連通させるためのバイノス管 215bが設けられている。 一方、小ステージ 201a, 201bには、先に図 5に示した形態でガス噴射口 16aおよび 吸気口 16bが設けられており、図 7に示したように枝管 215に大気開放された穴部 21 5aが設けられており、さらに図 9に示したように枝管 215同士を連通させるためのバイ パス管 215bが設けられている。
[0081] 小ステージ 201a, 201bを用いた場合には、曲線 Fに示されるように、 Y方向に並 ベられた複数の吸気口 16bが同時に大気開放されるために、吸気圧力が階段状に 変化し、このような吸気圧力の急な立ち上がりが生ずる際に LCD基板 Gの浮上高さ が急変しやすくなる。これに対して、小ステージ 202a, 202bを用いた場合には、曲 線 Eに示されるように、吸気口 16bが連続的に大気開放されるために、吸気圧力はス ロープ状に連続的に変化するので、急激な変動の発生を回避できることがわかる。こ うして、 LCD基板 Gのステージ 200上での浮上高さの変動を抑制することができ、ひ いてはレジスト膜の膜厚を均一にすることができる。
[0082] 次に、レジスト塗布ユニット 23のその他の構成部分ついて、簡単に説明する。図 5 に示すように、導入ステージ部 12aに設けられた小ステージ 201a, 201bには、第 1 基板搬送アーム 19aによって導入ステージ部 12aへ搬送されてきた LCD基板 Gを支 持し、小ステージ 201a, 201b上に降下させるためのリフトピン 47aが設けられている 。また、搬出ステージ部 12cに設けられた小ステージ 203a, 203bには、搬出ステー ジ部 12cへ搬送されてきた LCD基板 Gを持ち上げて、第 2基板搬送アーム 19bに受 け渡すためのリフトピン 47bが設けられている。
[0083] 基板搬送機構 13は、ステージ 12の Y方向側面に X方向に延在するように配置され た直線ガイド 52a, 52bと、直線ガイド 52a, 52bと嵌合したスライダ 50と、スライダ 50 を X方向で往復移動させるための、ベルト駆動機構やエアースライダ等の X軸駆動機 構（図示せず)と、 LCD基板 Gの Y方向端の一部を保持するためにスライダ 50に設け られた吸着パッド等の基板保持部材（図示せず)とを備えている。例えば、この吸着 パッドは、 LCD基板 Gにお 、てレジスト液が塗布されな 、部分の裏面側の Y方向端 近傍で LCD基板 Gを保持する。
[0084] レジスト供給ノズル 14は、一方向に長い長尺状の形状を有し、 Y方向に長い略帯 状にレジスト液を吐出する。ノズル移動機構 20は、このレジスト供給ノズル 14をその 長手方向を Y方向に一致させた状態で保持し、レジスト供給ノズル 14を Ζ方向に昇 降させる昇降機構 30と、昇降機構 30を保持する支柱部材 54と、支柱部材 54を X方 向で移動させるためのボールネジ等の水平駆動機構 56とを備えている。このようなノ ズル移動機構 20によって、レジスト供給ノズル 14は、 LCD基板 Gにレジスト液を供給 する位置とノズル洗浄ユニット 15にお ヽて洗浄処理等される各位置との間で移動す ることができるようになって!/、る。
[0085] ノズル洗浄ユニット 15は、支柱部材 55に取り付けられて、小ステージ 202a, 202b の上方に配置されている。ノズル洗浄ユニット 15は、 LCD基板 Gへのレジスト液供給 前に予備的にレジスト供給ノズル 14からレジスト液を吐出させる、所謂、ダミーデイス ペンスを行うためのダミーデイスペンス部 57と、レジスト供給ノズル 14のレジスト吐出 口が乾燥しな 、ようにレジスト吐出口を溶剤（例えば、シンナー）の蒸気雰囲気で保 持するためのノズルバス 58と、レジスト供給ノズル 14のレジスト吐出口近傍に付着し たレジストを除去するためのノズル洗浄機構 59と、を備えて!/ヽる。
[0086] 減圧乾燥装置 23bに設けられた載置台 17の表面には、 LCD基板 Gを支持するプ 口キシミティピン（図示せず）が所定位置に設けられている。チャンバ 18は固定された 下部容器と昇降自在な上部蓋体力 なる上下 2分割構造を有して 、る。
[0087] 次に、上述のように構成されたレジスト塗布ユニット 23における LCD基板 Gの処理 工程について説明する。まず、スライダ 50を導入ブロック 12aの所定位置 (例えば、 熱的処理ユニットブロック 32側）に待機させ、ステージ装置 12では各部において所 定の高さに LCD基板 Gを浮上させることができる状態とする。次いで、熱的処理ュ- ットブロック 32に設けられたパスユニット 65から LCD基板 Gを第 1基板搬送アーム 19 aに保持されて、導入ステージ部 12aに搬入する。そして、リフトピン 47aを上昇させて LCD基板 Gを第 1基板搬送アーム 19aからリフトピン 47aに受け渡した後、リフトピン 4 7aを降下させ、スライダ 50に受け渡す。これにより、 LCD基板 Gは小ステージ 201a, 20 lb上において略水平姿勢で浮上保持される。
[0088] そして、スライダ 50を搬出ステージ部 12c側に所定の速度でスライドさせると、 LCD 基板 Gが塗布ステージ部 12bに配置されたレジスト供給ノズル 14の下を通過する際 に、レジスト供給ノズル 14力もレジスト液力 SLCD基板 Gの表面に供給され、塗布膜が 形成される。ステージ 200上を通過する間に LCD基板 Gを浮上させる力は、前述の 通りに制御される。これにより LCD基板 Gの浮上高さの急変や上下振動、水平姿勢 力もの傾きの発生等が抑制され、安定した水平姿勢で搬送されるので、均一な膜厚 のレジスト膜を形成することができる。
[0089] レジスト供給ノズル 14を配置する高さは、通常は複数の LCD基板 Gの搬送状態は 実質的に同じとなるから、最初に処理する LCD基板 Gまたはダミー基板でレジスト供 給ノズル 14の高さを調節し、その位置を昇降機構 30の制御装置に記憶させておけ ばよい。また、レジスト供給ノズル 14からのレジスト液の吐出開始 Z吐出終了のタイミ ングは、センサの測定信号を利用して定めてもよいし、 LCD基板 Gの位置を検出す るセンサを別途設けて、このセンサ力 の信号に基づ 、て定めることもできる。
[0090] 塗布膜が形成された LCD基板 Gは搬出ステージ部 12cに搬送され、そこで、スライ ダ 50による保持を解除し、リフトピン 47bを上昇させる。次いで、第 2基板搬送アーム 19bをリフトピン 47bによって持ち上げられた LCD基板 Gにアクセスさせ、第 2基板搬 送アーム 19bが LCD基板 Gの Y方向端で LCD基板 Gを把持したら、リフトピン 47bを 降下させる。
[0091] 第 2基板搬送アーム 19bは、把持した LCD基板 Gを減圧乾燥装置 23bの載置台 1 7上に載置する。その後、チャンバ 18を密閉してその内部を減圧することにより、塗布 膜を減圧乾燥する。一方、 LCD基板 Gをリフトピン 47bに受け渡した後のスライダ 50 は、次に処理する LCD基板 Gを搬送するために、熱的処理ユニットブロック 32側へ 戻される。
[0092] LCD基板 Gの減圧乾燥装置 23bにおける処理が終了したら、チャンバ 18を開き、 第 2基板搬送アーム 19bを載置台 17に載置された LCD基板 Gにアクセスさせて LC D基板 Gを把持し、 LCD基板 Gを熱的処理ユニットブロック 34のパスユニット 69へ搬 送する。
[0093] 以降、上述したように LCD基板 Gの搬送が繰り返されて、 LCD基板 Gに塗布膜が 形成されるが、その間に、レジスト供給ノズル 14の洗浄処理力 例えば、ダミーデイス ペンス部 57でのダミーデイスペンス、 LCD基板 Gへのレジスト膜形成、ノズル洗浄機 構 59によるレジスト供給ノズル 14の洗浄処理、ノズルバス 58でのレジスト吐出口の乾 燥抑制を 1セットとして、適宜行われる。
[0094] なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、 上記実施形態では、塗布ステージ部 12bに本発明を適用した場合にっ 、て示したが 、導入ステージ部 12aと搬出ステージ部 12cにおいても、塗布ステージ部 12bと同様 に本発明を適用しても構わない。また、導入ステージ部 12aと搬出ステージ部 12cで は、塗布ステージ部 12bよりも姿勢制御能力が劣っても構わないので、吸気口 16bを 設けずにガス噴射口 16aのみを設けてもよぐその場合に、塗布ステージ部 12bを構 成する小ステージ 202a, 202bと同様〖こ、ガス噴射口 16aを Y方向と一定角度 Θだけ ずれた方向に並べて配置してもよい。さらに、上記実施形態では、基板の搬送方向 先端が同時に複数の吸気口を覆うことがなぐかつ、基板の搬送方向後端が同時に 複数の吸気口を大気解放させることがないようにしたが、吸気圧力の変動が大きくな らない範囲で、複数の吸気口を同時に覆っても大気開放してもよい。さらにまた、上 記説明においては、塗布膜としてレジスト膜を取り上げたが、塗布膜はこれに限定さ れるものではなく、反射防止膜や感光性を有さな!/、絶縁膜等であってもよ!、。
産業上の利用可能性
[0095] 本発明は LCDガラス基板等の大型基板にレジスト膜等の塗布膜を形成するレジス ト膜形成装置等に好適である。

Claims

請求の範囲
[1] その上方を矩形基板が搬送されるステージと、該ステージ上で矩形基板を浮上さ せる浮上機構とを有し、前記ステージ上で浮上した矩形基板がその一対の辺が搬送 方向と実質的に平行で他の一対の辺が搬送方向と実質的に直交するように搬送さ れるステージ装置であって、
前記ステージは、ガスを噴射するための複数のガス噴射口と、吸気により矩形基板 を吸引するための複数の吸気口とを有し、
前記浮上機構は、前記吸気口を介して吸気する吸気機構と、前記ガス噴射口を介 してガスを噴射させるガス噴射機構とを有し、前記吸気機構による前記複数の吸気 口を介しての吸引と、前記ガス噴射機構による前記複数のガス噴射口を介してのガ ス噴射とにより、前記ステージの表面から一定の高さに矩形基板を実質的に水平姿 勢で浮上させ、
前記複数の吸気口は、矩形基板が前記ステージ上を搬送された際に、前記吸気口 の吸気圧力変動が許容範囲になるように、矩形基板の搬送方向先端が同時に所定 数以上の吸気口を覆うことがなぐかつ、矩形基板の搬送方向後端が同時に所定数 以上の吸気口を開放させることがない状態で前記ステージに配置される、ステージ装 置。
[2] 請求項 1のステージ装置にぉ 、て、前記吸気口は、矩形基板の搬送方向および当 該搬送方向に直交する方向と一定角度ずれた方向にそれぞれ所定間隔で設けられ ている、ステージ装置。
[3] その上方を基板が搬送されるステージと、該ステージ上で基板を浮上させる浮上機 構とを有するステージ装置であって、
前記ステージは、ガスを噴射するための複数のガス噴射口と、吸気して基板を吸引 するための複数の吸気口とを有し、
前記浮上機構は、前記吸気口を介して吸気する吸気機構と、前記ガス噴射口を介 してガスを噴射させるガス噴射機構とを有し、前記吸気機構による前記複数の吸気 口を介しての吸引と、前記ガス噴射機構による前記複数のガス噴射口を介してのガ ス噴射とにより、前記ステージの表面から一定の高さに基板を実質的に水平姿勢で 浮上させ、
前記吸気機構は、
前記複数の吸気口を所定数ごとに連通させる所定数の配管部と、
前記所定数の配管部を連通させる 1個のマ-ホールドと、
前記マ-ホールドを介して前記複数の吸気口からの吸気を行うために前記マ-ホ 一ルドに接続された吸気装置と、
前記ステージ上で基板を浮上搬送させた際の吸気圧力変動に対する応答性を高 めるように、前記配管部における前記吸気口近傍に設けられた大気開放された穴部 と
を有する、ステージ装置。
[4] 請求項 3のステージ装置にぉ 、て、前記配管部は、所定数の吸気口を前記ステー ジの内部で連通させるための第 1配管部と、当該第 1配管部と前記マ-ホールドとを 接続するための第 2配管部と、を有し、
前記穴部は、前記第 2配管部の前記ステージ近傍または前記第 1配管部の 、ずれ かに設けられている、ステージ装置。
[5] その上方を基板が搬送されるステージと、該ステージ上で基板を浮上させる浮上機 構とを有するステージ装置であって、
前記ステージは、ガスを噴射するための複数のガス噴射口と、吸気して矩形基板を 吸引するための複数の吸気口とを有する複数の小ステージを備え、
前記浮上機構は、前記吸気口を介して吸気する吸気機構と、前記ガス噴射口を介 してガスを噴射させるガス噴射機構とを有し、前記吸気機構による前記複数の吸気 口を介しての吸引と、前記ガス噴射機構による前記複数のガス噴射口を介してのガ ス噴射とにより、前記ステージの表面から一定の高さに基板を実質的に水平姿勢で 浮上させ、
前記吸気機構は、
前記複数の小ステージがそれぞれ具備する複数の吸気口を前記複数の小ステー ジごとに連通させるための複数の配管部と、
前記複数の配管部を連通させるためのマ-ホールドと、 前記マ-ホールドを介して前記複数の小ステージごとに設けられた複数の吸気口 力 の吸気を行うために前記マ-ホールドに接続された吸気装置と、
前記複数の小ステージごとの吸気圧力のばらつきが小さくなるように、前記複数の 配管部同士を連通させるバイパス管と
を有する、ステージ装置。
[6] 請求項 5のステージ装置において、前記複数の小ステージごとに設けられた配管 部は、前記複数の小ステージごとに設けられた複数の吸気口を所定数ごとに連通さ せる複数の枝管を有し、
前記複数の枝配管は前記マ-ホールドに接続され、かつ、前記バイパス管が前記 複数の小ステージごとに設けられた前記複数の枝配管を相互に連通させている、ス テージ装置。
[7] 請求項 5のステージ装置にぉ 、て、前記複数の小ステージは、基板の搬送方向お よび当該搬送方向と直交する方向にそれぞれ複数並べられており、
前記ノ ィパス管は、これらの小ステージが個々に有する配管部を、基板の搬送方 向および当該搬送方向と直交する方向で、連通させている、ステージ装置。
[8] その上方を矩形基板が搬送されるステージと、該ステージ上で矩形基板を浮上さ せる浮上機構とを有し、前記ステージ上で浮上した矩形基板がその一対の辺が搬送 方向と実質的に平行で他の一対の辺が搬送方向と実質的に直交するように搬送さ れるステージ装置であって、
前記ステージは、ガスを噴射するための複数のガス噴射口と、吸気により矩形基板 を吸引するための複数の吸気口とを有する複数の小ステージを備え、
前記浮上機構は、前記吸気口を介して吸気する吸気機構と、前記ガス噴射口を介 してガスを噴射させるガス噴射機構とを有し、前記吸気機構による前記複数の吸気 口を介しての吸引と、前記ガス噴射機構による前記複数のガス噴射口を介してのガ ス噴射とにより、前記ステージの表面から一定の高さに矩形基板を実質的に水平姿 勢で浮上させ、
前記吸気機構は、
前記複数の小ステージがそれぞれ具備する複数の吸気口を前記複数の小ステー ジごとに連通させるための複数の配管部と、
前記ステージ上で矩形基板を浮上搬送させた際の吸気圧力変動に対する応答性 を高めるように、前記配管部における前記吸気口近傍に設けられた大気開放された 穴部と、
前記複数の配管部を連通させるためのマ-ホールドと、
前記マ-ホールドを介して前記複数の小ステージごとに設けられた複数の吸気口 からの吸気を行うために前記マ-ホールドに接続された吸気装置と、
前記複数の小ステージごとの吸気圧力のばらつきが小さくなるように、前記複数の 配管部同士を連通させるバイパス管と
を有し、
前記複数の吸気口は、前記小ステージごとに、前記搬送機構により矩形基板が前 記ステージ上を搬送された際に、前記吸気口の吸気圧力変動が許容範囲になるよう に、矩形基板の搬送方向先端が同時に所定数以上の吸気口を覆うことがなぐかつ 、矩形基板の搬送方向後端が同時に所定数以上の吸気口を開放させることがない 状態で前記ステージに配置される、ステージ装置。
矩形基板を搬送しながら当該矩形基板に塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗 布処理装置であって、
その上方を矩形基板が搬送されるステージと該ステージ上で矩形基板を浮上させ る浮上機構とを有するステージ装置と、
前記ステージ上で浮上した矩形基板をその一対の辺が搬送方向と実質的に平行 で他の一対の辺が搬送方向と実質的に直交するように搬送する基板搬送機構と、 前記基板搬送機構により前記ステージ上を搬送される矩形基板の表面に塗布液を 塗布する塗布機構と
を具備し、
前記ステージは、ガスを噴射するための複数のガス噴射口と、吸気により矩形基板 を吸引するための複数の吸気口とを有し、
前記浮上機構は、前記吸気口を介して吸気する吸気機構と、前記ガス噴射口を介 してガスを噴射させるガス噴射機構とを有し、前記吸気機構による前記複数の吸気 口を介しての吸引と、前記ガス噴射機構による前記複数のガス噴射口を介してのガ ス噴射とにより、前記ステージの表面から一定の高さに矩形基板を実質的に水平姿 勢で浮上させ、
前記複数の吸気口は、前記搬送機構により矩形基板が前記ステージ上を搬送され た際に、前記吸気口の吸気圧力変動が許容範囲になるように、矩形基板の搬送方 向先端が同時に所定数以上の吸気口を覆うことがなぐかつ、矩形基板の搬送方向 後端が同時に所定数以上の吸気口を開放させることがない状態で前記ステージに 配置される、塗布処理装置。
基板を搬送しながら当該基板に塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理装 置であって、
その上方を基板が搬送されるステージと該ステージ上で基板を浮上させる浮上機 構とを有するステージ装置と、
前記ステージ上で浮上した基板を搬送する基板搬送機構と、
前記基板搬送機構により前記ステージ上を搬送される基板の表面に塗布液を塗布 する塗布機構と
を具備し、
前記ステージは、ガスを噴射するための複数のガス噴射口と、吸気して基板を吸引 するための複数の吸気口とを有し、
前記浮上機構は、前記吸気口を介して吸気する吸気機構と、前記ガス噴射口を介 してガスを噴射させるガス噴射機構とを有し、前記吸気機構による前記複数の吸気 口を介しての吸引と、前記ガス噴射機構による前記複数のガス噴射口を介してのガ ス噴射とにより、前記ステージの表面から一定の高さに基板を実質的に水平姿勢で 浮上させ、
前記吸気機構は、
前記複数の吸気口を所定数ごとに連通させる所定数の配管部と、
前記所定数の配管部を連通させる 1個のマ-ホールドと、
前記マ-ホールドを介して前記複数の吸気口からの吸気を行うために前記マ-ホ 一ルドに接続された吸気装置と、 前記ステージ上で基板を浮上搬送させた際の吸気圧力変動に対する応答性を高 めるように、前記配管部における前記吸気口近傍に設けられた大気開放された穴部 と
を有する、塗布処理装置。
基板を搬送しながら当該基板に塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理装 置であって、
その上方を基板が搬送されるステージと該ステージ上で基板を浮上させる浮上機 構とを有するステージ装置と、
前記ステージ上で浮上した基板を搬送する基板搬送機構と、
前記基板搬送機構により前記ステージ上を搬送される基板の表面に塗布液を塗布 する塗布機構と
を具備し、
前記ステージは、ガスを噴射するための複数のガス噴射口と、吸気して基板を吸引 するための複数の吸気口とを有する複数の小ステージを備え、
前記浮上機構は、前記吸気口を介して吸気する吸気機構と、前記ガス噴射口を介 してガスを噴射させるガス噴射機構とを有し、前記吸気機構による前記複数の吸気 口を介しての吸引と、前記ガス噴射機構による前記複数のガス噴射口を介してのガ ス噴射とにより、前記ステージの表面から一定の高さに基板を実質的に水平姿勢で 浮上させ、
前記吸気機構は、
前記複数の小ステージがそれぞれ具備する複数の吸気口を前記複数の小ステー ジごとに連通させるための複数の配管部と、
前記複数の配管部を連通させるためのマ-ホールドと、
前記マ-ホールドを介して前記複数の小ステージごとに設けられた複数の吸気口 からの吸気を行うために前記マ-ホールドに接続された吸気装置と、
前記複数の小ステージごとの吸気圧力のばらつきが小さくなるように、前記複数の 配管部同士を連通させるバイパス管と
を有する、塗布処理装置。 矩形基板を搬送しながら当該矩形基板に塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗 布処理装置であって、
その上方を矩形基板が搬送されるステージと該ステージ上で矩形基板を浮上させ る浮上機構とを有するステージ装置と、
前記ステージ上で浮上した矩形基板をその一対の辺が搬送方向と実質的に平行 で他の一対の辺が搬送方向と実質的に直交するように搬送する基板搬送機構と、 前記基板搬送機構により前記ステージ上を搬送される矩形基板の表面に塗布液を 塗布する塗布機構と
を具備し、
前記ステージは、ガスを噴射するための複数のガス噴射口と、吸気により矩形基板 を吸引するための複数の吸気口とを有する複数の小ステージを備え、
前記浮上機構は、前記吸気口を介して吸気する吸気機構と、前記ガス噴射口を介 してガスを噴射させるガス噴射機構とを有し、前記吸気機構による前記複数の吸気 口を介しての吸引と、前記ガス噴射機構による前記複数のガス噴射口を介してのガ ス噴射とにより、前記ステージの表面から一定の高さに矩形基板を実質的に水平姿 勢で浮上させ、
前記吸気機構は、
前記複数の小ステージがそれぞれ具備する複数の吸気口を前記複数の小ステー ジごとに連通させるための複数の配管部と、
前記ステージ上で矩形基板を浮上搬送させた際の吸気圧力変動に対する応答性 を高めるように、前記配管部における前記吸気口近傍に設けられた大気開放された 穴部と、
前記複数の配管部を連通させるためのマ-ホールドと、
前記マ-ホールドを介して前記複数の小ステージごとに設けられた複数の吸気口 からの吸気を行うために前記マ-ホールドに接続された吸気装置と、
前記複数の小ステージごとの吸気圧力のばらつきが小さくなるように、前記複数の 配管部同士を連通させるバイパス管と
を有し、 前記複数の吸気口は、前記小ステージごとに、前記搬送機構により矩形基板が前 記ステージ上を搬送された際に、前記吸気口の吸気圧力変動が許容範囲になるよう に、矩形基板の搬送方向先端が同時に所定数以上の吸気口を覆うことがなぐかつ 、矩形基板の搬送方向後端が同時に所定数以上の吸気口を開放させることがない 状態で前記ステージに配置される、塗布処理装置。
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Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7644512B1 (en) 2006-01-18 2010-01-12 Akrion, Inc. Systems and methods for drying a rotating substrate
JP5109376B2 (ja) 2007-01-22 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体
JP5188759B2 (ja) * 2007-08-07 2013-04-24 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
KR101203982B1 (ko) * 2007-08-28 2012-11-23 울박, 인크 스테이지 장치 조립 방법
JP4942589B2 (ja) * 2007-08-30 2012-05-30 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
US20090218214A1 (en) * 2008-02-28 2009-09-03 Applied Materials, Inc. Backside coating prevention device, coating chamber comprising a backside coating prevention device, and method of coating
EP2250109B1 (en) 2008-03-11 2015-01-14 Coreflow Ltd. Method and system for locally controlling support of a flat object
DE202008003610U1 (de) * 2008-03-16 2008-05-21 Jonas & Redmann Automationstechnik Gmbh Transportbandsystem mit mindestens einem Transportband zum Transportieren von flachem Transportgut, insbesondere von Substraten wie Siliziumwafer und Solarzellen
JP5029486B2 (ja) 2008-05-13 2012-09-19 東京エレクトロン株式会社 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体
JP5012651B2 (ja) 2008-05-14 2012-08-29 東京エレクトロン株式会社 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体
JP5658858B2 (ja) * 2008-06-10 2015-01-28 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
US10434804B2 (en) 2008-06-13 2019-10-08 Kateeva, Inc. Low particle gas enclosure systems and methods
US12018857B2 (en) 2008-06-13 2024-06-25 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US11975546B2 (en) 2008-06-13 2024-05-07 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US12064979B2 (en) 2008-06-13 2024-08-20 Kateeva, Inc. Low-particle gas enclosure systems and methods
JP5056611B2 (ja) * 2008-06-20 2012-10-24 凸版印刷株式会社 基板処理装置
JP4857312B2 (ja) * 2008-07-16 2012-01-18 シャープ株式会社 基板搬送装置
JP2010037082A (ja) * 2008-08-07 2010-02-18 Sharp Corp 基板搬送装置および基板搬送方法
JP4751460B2 (ja) * 2009-02-18 2011-08-17 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板処理システム
US8699001B2 (en) * 2009-08-20 2014-04-15 Nikon Corporation Object moving apparatus, object processing apparatus, exposure apparatus, object inspecting apparatus and device manufacturing method
JP5518427B2 (ja) * 2009-10-26 2014-06-11 東京応化工業株式会社 塗布装置
JP5591563B2 (ja) * 2010-03-10 2014-09-17 日本発條株式会社 位置確認装置
JP5591562B2 (ja) * 2010-03-10 2014-09-17 日本発條株式会社 位置決め装置
US20120064461A1 (en) * 2010-09-13 2012-03-15 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, device manufacturing method, flat-panel display manufacturing method, and object exchange method
JP5789416B2 (ja) * 2011-06-03 2015-10-07 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP5871366B2 (ja) * 2011-10-25 2016-03-01 東レエンジニアリング株式会社 浮上搬送装置
JP5998086B2 (ja) 2012-04-03 2016-09-28 オイレス工業株式会社 浮上用エアプレート
JP6039260B2 (ja) * 2012-06-21 2016-12-07 川崎重工業株式会社 基板搬送システム
JP2014010862A (ja) * 2012-06-29 2014-01-20 Fujitsu Ltd ライブラリ装置
EP2735777A1 (de) 2012-11-26 2014-05-28 Siemens Aktiengesellschaft Gas-Lager, Anordnung und Turbomaschine
KR102096947B1 (ko) * 2012-12-28 2020-05-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치
WO2015100375A1 (en) 2013-12-26 2015-07-02 Kateeva, Inc. Thermal treatment of electronic devices
WO2015112454A1 (en) 2014-01-21 2015-07-30 Kateeva, Inc. Apparatus and techniques for electronic device encapsulation
US9343678B2 (en) * 2014-01-21 2016-05-17 Kateeva, Inc. Apparatus and techniques for electronic device encapsulation
US10858202B1 (en) 2014-04-14 2020-12-08 Amazon Technologies, Inc. Air cushioned materials handling system
KR102850075B1 (ko) 2014-04-30 2025-08-25 카티바, 인크. 가스 쿠션 장비 및 기판 코팅 기술
CN106409738A (zh) * 2015-07-28 2017-02-15 细美事有限公司 基板移送装置及基板移送方法
JP6595276B2 (ja) * 2015-09-18 2019-10-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US10179707B2 (en) * 2016-06-30 2019-01-15 Ace Machinary Co., Ltd. Transfer apparatus
JP6846943B2 (ja) * 2017-02-10 2021-03-24 東京エレクトロン株式会社 塗布装置、および塗布方法
US9889995B1 (en) * 2017-03-15 2018-02-13 Core Flow Ltd. Noncontact support platform with blockage detection
JP7102177B2 (ja) * 2018-03-15 2022-07-19 ヤマハ発動機株式会社 基板検出装置及び基板処理装置
TWI861734B (zh) 2018-12-05 2024-11-11 美商凱特伊夫公司 基板固持器總成以及具有基板高度位置控制的噴墨印表機
JP6831406B2 (ja) * 2019-02-08 2021-02-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 塗布装置および塗布方法
JP6916833B2 (ja) * 2019-04-18 2021-08-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 塗布装置および塗布方法
JP7437187B2 (ja) * 2020-02-26 2024-02-22 Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 浮上搬送装置、及びレーザ処理装置
JP7437186B2 (ja) * 2020-02-26 2024-02-22 Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 浮上搬送装置、及びレーザ処理装置
JP7596670B2 (ja) * 2020-08-24 2024-12-10 東京エレクトロン株式会社 基板を処理する装置、及び基板を処理する方法
JP7833888B2 (ja) * 2021-12-28 2026-03-23 株式会社荏原製作所 基板処理装置及び基板処理方法
US20250051105A1 (en) * 2023-07-05 2025-02-13 Dan R. Lowrey Directional Air Conveyance System and Method

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000191137A (ja) * 1998-12-28 2000-07-11 Nippon Electric Glass Co Ltd 板状物の非接触搬送装置
JP2002181714A (ja) * 2000-12-19 2002-06-26 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 薄板検査装置
JP2003279495A (ja) * 2002-03-22 2003-10-02 V Technology Co Ltd ガラス基板の検査装置
JP2005223119A (ja) * 2004-02-05 2005-08-18 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置および塗布膜形成方法
JP2005244155A (ja) * 2004-01-30 2005-09-08 Tokyo Electron Ltd 浮上式基板搬送処理装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4938994A (en) * 1987-11-23 1990-07-03 Epicor Technology, Inc. Method and apparatus for patch coating printed circuit boards
JP3245813B2 (ja) 1996-11-27 2002-01-15 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置
DE10001163C2 (de) * 2000-01-13 2003-04-17 Haertl Erwin Verfahren zum Beschichten einer Platte und Plattenbeschichtungsanlage und Plattenbeschichtungsvorrichtung
JP3556882B2 (ja) * 2000-05-10 2004-08-25 東京エレクトロン株式会社 塗布現像処理システム
US6781684B1 (en) * 2000-11-07 2004-08-24 Donald L. Ekhoff Workpiece levitation using alternating positive and negative pressure flows
TWI222423B (en) * 2001-12-27 2004-10-21 Orbotech Ltd System and methods for conveying and transporting levitated articles
JP4043308B2 (ja) 2002-05-15 2008-02-06 橋本金属工業株式会社 壁等への部材取り付け金具
JP2004218156A (ja) 2003-01-16 2004-08-05 Teijin Ltd 潜在捲縮性ポリエステル複合繊維
TW200519062A (en) * 2003-12-01 2005-06-16 Samsung Corning Prec Glass Co Apparatus and method for coating a film on a glass substrate
JP4767251B2 (ja) 2004-04-14 2011-09-07 コアフロー サイエンティフィック ソリューションズ リミテッド 光学検査装置を平坦な対象物の接面に対して焦点合わせする方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000191137A (ja) * 1998-12-28 2000-07-11 Nippon Electric Glass Co Ltd 板状物の非接触搬送装置
JP2002181714A (ja) * 2000-12-19 2002-06-26 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 薄板検査装置
JP2003279495A (ja) * 2002-03-22 2003-10-02 V Technology Co Ltd ガラス基板の検査装置
JP2005244155A (ja) * 2004-01-30 2005-09-08 Tokyo Electron Ltd 浮上式基板搬送処理装置
JP2005223119A (ja) * 2004-02-05 2005-08-18 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置および塗布膜形成方法

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