WO2003080761A1 - Materiau pour element organique electroluminescent et element organique electroluminescent l'utilisant - Google Patents

Materiau pour element organique electroluminescent et element organique electroluminescent l'utilisant Download PDF

Info

Publication number
WO2003080761A1
WO2003080761A1 PCT/JP2003/003519 JP0303519W WO03080761A1 WO 2003080761 A1 WO2003080761 A1 WO 2003080761A1 JP 0303519 W JP0303519 W JP 0303519W WO 03080761 A1 WO03080761 A1 WO 03080761A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
organic
group
electroluminescent device
organic electroluminescent
compound
Prior art date
Application number
PCT/JP2003/003519
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Toshihiro Iwakuma
Yoshio Hironaka
Chishio Hosokawa
Seiji Tomita
Takashi Arakane
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Idemitsu Kosan Co., Ltd. filed Critical Idemitsu Kosan Co., Ltd.
Priority to JP2003578494A priority Critical patent/JPWO2003080761A1/ja
Priority to EP03712849A priority patent/EP1502936A1/en
Priority to US10/506,196 priority patent/US20050158578A1/en
Priority to KR10-2004-7015264A priority patent/KR20040094866A/ko
Publication of WO2003080761A1 publication Critical patent/WO2003080761A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1007—Non-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011—Condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1014—Carbocyclic compounds bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine

Definitions

  • the organic EL device of the present invention preferably emits light by triplet excitation or higher multiplet excitation.
  • the material for an organic EL device of the present invention is preferably a host material for an organic EL device.
  • the host material is capable of injecting holes and electrons, has a function of transporting holes and electrons, and has a function of emitting fluorescence by recombination.
  • a phosphorescent element is a substance whose emission intensity based on a transition from a triplet energy state to a ground singlet state is higher than that of another substance. It refers to an organic electroluminescent element using so-called phosphorescence, which includes a phosphorescent material such as an organometallic complex containing at least one metal selected from Groups 1 to 11.
  • the generated molecular excitons are a mixture of singlet and triplet excitons, and singlet and triplet excitons are generally It is said that more triplet excitons are generated in a ratio of 1: 3.
  • excitons that contribute to light emission are singlet excitons, and triplet excitons are non-emissive.
  • the triplet excitons are eventually consumed as heat, and light is emitted from the singlet excitons with a low generation rate. Therefore, in the organic EL device, of the energy generated by the recombination of holes and electrons, the energy transferred to the triplet exciton causes a large loss.
  • a halogen atom such as a fluorine atom; an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms such as a methyl group or an ethyl group; an alkenyl group such as a vinyl group; a methoxycarbonyl group; A C1-C30 alkoxycarbonyl group such as an ethoxycarbonyl group; a C1-C30 alkoxy group such as a methoxy group or an ethoxy group; an aryloxy group such as a fuunoxy group or a benzyloxy group; a dimethylamino group Dialkylamino group such as acetylamino group, acyl group such as acetyl group, haloalkyl group such as trifluoromethyl group, cyano group It is.
  • a 2 represents a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group containing nitrogen as an atom forming a heterocyclic ring, and is preferably a pyridyl group, a pyrimidyl group, a pyrazine group, a triazine group, a benzothiazole group, or a benzoxazozo.
  • L represents a bidentate type ligand, and is preferably selected from monodiket type ligands such as acetyl acetonate or pyromellitic acid.
  • the hole injecting material has the ability to transport holes, has the effect of injecting holes from the anode, has an excellent hole injecting effect on the light emitting layer or the light emitting material, and has a function of exciters generated in the light emitting layer.
  • a compound that prevents migration to an electron injection layer or an electron injection material and has excellent thin film forming ability is preferable.
  • more effective hole injection materials are aromatic tertiary amine derivatives or phthalocyanine derivatives.
  • aromatic tertiary amine derivatives include triphenylamine, tritriamine, trididiphenylamine,
  • phthalocyanine (Pc) derivative H 2 Pc, CuPc, CoPc , N i Pc, ZnPc, PdPc, F ePc, MnPc, C lAl Pc, C l GaP c, C 1 I nP c, C 1 S nP c, C 1 2 S i P c, ( H_ ⁇ ) A l P c, (HO ) GaP c, V0P c, T I_ ⁇ _P c, MoOP c, GaP phthalocyanine derivatives such as c-0-GaPc and naphthalocyanine derivatives, but are not limited thereto.
  • fluorenone anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiovirane dioxide, oxazole, oxazine diazole, triazole, imidazole, perylene tetracarboxylic acid, quinoxaline, fluorenylidene methane, anthra quinodimethane , Anthrone and the like and derivatives thereof, but are not limited thereto.
  • more effective electron injecting materials are metal complex compounds or nitrogen-containing five-membered ring derivatives.
  • metal complex compounds include lithium 8-hydroxyquinolinato, bis (8-hydroxyquinolinato) zinc, bis (8-hydroxyquinolinato) copper, and bis (8-hydroxyquinolinato) manganese , Tris (8-hydroxyquinolina) aluminum, tris (2-methyl-18 -hydroxyquinoline) aluminum, tris (8-hydroxyquinoline) aluminum, bis (10-hydroxybenzo [h]) Beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-18-quinolinato) gallium chloride, bis (2-methyl-18-quinolinato) ( 0—cresolate) Gallium, bis (2-methyl-8-quinolinate) (1-naphtholate) Aluminum, bis (2-meth Lou 8 Kinorina - g) (2-Na full Trad) Gallium like, but is not limited thereto.
  • the charge injecting property can be improved by adding an electron accepting substance to the hole injecting material and an electron donating substance to the electron injecting material.
  • a material having a work function of more than 4 eV is suitable, and carbon, aluminum, vanadium, iron, cobalt, nickel, tungsten, silver, Gold, platinum, palladium and their alloys, metal oxides such as tin oxide and indium oxide used for ITO and NESA substrates, and organic conductive resins such as polythiophene and polypyrrol .
  • the conductive material used for the cathode those having a work function of less than 4 eV are suitable, such as magnesium, calcium, tin, lead, titanium, yttrium, lithium, ruthenium, manganese, aluminum, and the like.
  • Typical alloys include magnesium / silver, magnesium / indium, lithium / aluminum, and the like. However, the present invention is not limited to these.
  • the ratio of the alloy is controlled by the temperature, atmosphere, degree of vacuum, and the like of the evaporation source, and is selected as an appropriate ratio.
  • the anode and the cathode may be formed by two or more layers if necessary.
  • the organic EL device of the present invention may have an inorganic compound layer between at least one electrode and the organic thin film layer.
  • Preferred inorganic compounds used in the inorganic compound layer include alkali metal oxides, alkaline earth oxides, rare earth oxides, alkali metal halides, alkaline earth halides, rare earth halides, SiOx, A10x, S i N x, S i ON, A10N, Ge_ ⁇ x, L i Ox, L I_ ⁇ _N, T i Ox, T i 0N , TaOx, TaON, TaNx, C and various oxides, nitrides, oxide nitrides is there.
  • S i Ox, A 1_Rei x, S i Nx, S i ON, A 1 ON, Ge O x, C is preferable to form a stable injecting interface layer.
  • L i F, MgF 2, C aF 2, MgF 2, N a F are preferred.
  • At least one surface of the organic EL device of the present invention is sufficiently transparent in the emission wavelength region of the device in order to efficiently emit light. It is also desirable that the substrate is transparent.
  • the transparent electrode is set so as to secure a predetermined translucency by a method such as vapor deposition or sputtering using the above conductive material. It is desirable that the electrode on the light emitting surface has a light transmittance of 10% or more.
  • the substrate is not limited as long as it has mechanical and thermal strength and is transparent, and examples thereof include a glass substrate and a transparent resin film.
  • Transparent resin films include polyethylene, ethylene monobutyl acetate copolymer, ethylene monobutyl alcohol copolymer, polypropylene, polystyrene, polymethyl methacrylate, polyvinyl chloride, polybutyl alcohol, polybutyral, Nylon, polyetheretherketone, polysulfone, polyethersulfone, tetrafluoroethylene-perfluoroalkylvinylether copolymer, polyvinylfluoride, tetrafluoroethylene-ethyl Len copolymer, tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer, polychlorotrifluoroethylene, polyvinylidene fluoride, polyester, polycarbonate, polyurethane, polyimide, polyether Examples include imid, polyimide, and polypropylene.
  • a protective layer can be provided on the surface of the device, or the entire device can be protected with silicon oil, resin, or the like, in order to improve stability against temperature, humidity, atmosphere, and the like.
  • Each layer of the organic EL device of the present invention is formed by any of dry film forming methods such as vacuum evaporation, sputtering, plasma, and ion plating, and wet film forming methods such as spin coating, dipping, and flow coating. can do.
  • the thickness of each layer is not particularly limited, but needs to be set to an appropriate thickness. If the film thickness is too thick, a large applied voltage is required to obtain a constant light output, and the luminous efficiency deteriorates. If the film thickness is too small, pinholes and the like are generated, and sufficient light emission luminance cannot be obtained even when an electric field is applied.
  • the normal film thickness is suitably in the range of 5 nm to 10 m, but is more preferably in the range of 10 nm to 0.2 m. '
  • the material for forming each layer is dissolved or dispersed in an appropriate solvent such as ethanol, black form, tetrahydrofuran, dioxane or the like to form a thin film.
  • an appropriate resin or additive may be used to improve film forming properties, prevent pinholes in the film, and the like.
  • Resins that can be used include insulating resins such as polystyrene, polycarbonate, polyarylate, polyester, polyamide, polyurethane, borisulfone, polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, and cell mouth, and the like.
  • Examples thereof include photoconductive resins such as polymers, poly-N-vinylcarbazole and polysilane, and conductive resins such as polythiophene and polypyrrole.
  • Examples of the additives include an antioxidant, an ultraviolet absorber, and a plasticizer.
  • the organic EL device As described above, the general formula (1) or (2) By using the compound of formula (1), an organic EL device having high color purity and emitting blue light can be obtained.
  • the organic EL device may be a flat light-emitting device such as an electrophotographic photosensitive member, a flat panel display for a wall-mounted TV, It is suitably used for light sources such as copiers, printers, backlights of liquid crystal displays or instruments, display boards, marker lights, accessories, and the like.
  • light sources such as copiers, printers, backlights of liquid crystal displays or instruments, display boards, marker lights, accessories, and the like.
  • the triplet energy gap and singlet energy gap of the compound were measured as follows.
  • Excitation Singlet energy gap values were measured. That is, the absorbance was measured scan Bae click Bok Le using Hitachi UV-visible absorption analyzer using Toruen soluble liquid samples (1 0 5 mol / liter). A tangent was drawn to the rise on the long wavelength side of the spectrum, and the wavelength (absorption edge) at the intersection with the horizontal axis was determined. This wavelength was converted to an energy value.
  • the reaction solution was cooled to room temperature, added with water, extracted with methylene chloride, washed with water, and dried with anhydrous sodium sulfate. After evaporating the organic solvent under reduced pressure, 15 ml of ethyl acetate was added, and the precipitated crystals were filtered and washed with ethyl acetate to obtain 1.9 g of crystals (yield 58%).
  • the obtained crystal was confirmed to be the desired product (A9) by 90 MHz 1 H_NMR and FD-MS. FD-MS measurement results are shown below.
  • a 25 mm ⁇ 75 mm ⁇ 1.1 mm-thick glass substrate with an IT0 transparent electrode (manufactured by Geoma Tech) was subjected to ultrasonic cleaning in isopropyl alcohol for 5 minutes, and then to UV ozone cleaning for 30 minutes.
  • the glass substrate with the transparent electrode line after cleaning is mounted on a substrate holder of a vacuum evaporation apparatus.
  • the N, N having a thickness of 6 Onm is formed so as to cover the transparent electrode on the surface on which the transparent electrode line is formed.
  • 'N-bis (N, N' diphenyl 4-aminophenyl) 1 N, N-diphenyl 4,4, diamino 1, dibiphenyl film (TPD 232 film) was formed.
  • This TFD 232 film functions as a hole injection layer.
  • a 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -1N-phenylamino] biphenyl film (NPD film) having a thickness of 2 Onm was formed on the TPD232 film.
  • This NPD film functions as a hole transport layer.
  • the above compound (A 1) having a thickness of 4 Onm was deposited on the NPD film by vapor deposition.
  • the following compound (DI) was vapor-deposited at a weight ratio of (A 1) :( D 1) of 40: 3.
  • the compound (D 1) is a light-emitting molecule that emits blue light and has a singlet energy of as low as 2.79 eV.
  • the mixed film of the compounds (A1) and (D1) functions as a light emitting layer.
  • the following BA1q (Me is a methyl group) was formed on this film at a film thickness of 2 Onm.
  • the BA1 q film functions as an electron injection layer.
  • a reducing dopant Li Li source: manufactured by SAES Getter Co., Ltd.
  • A1q are binary-deposited
  • an Alq Li film (film thickness) is formed as a second electron injection layer (cathode). 1 Onm).
  • Metal A1 was vapor-deposited on the A1q: Li film to form a metal cathode, thereby manufacturing an organic EL device.
  • This device emitted blue light with a high efficiency of 116 cd / m 2 and a luminous efficiency of 4.9 cd / A at a DC voltage of 6. IV.
  • the chromaticity coordinates were (0.15, 0.17), indicating high color purity.
  • An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 1 except that the compound shown in Table 2 was used instead of the compound (A 1). Similarly, a DC voltage, emission luminance, emission efficiency, emission color, and color The purity was measured and is shown in Table 2.
  • An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 1 except that the compound (A 1) was replaced with the following known compound BCz, which was a conventionally known compound. The efficiency, emission color, and color purity were measured and are shown in Table 2.
  • An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 1 except that the following compound (C 2) described in JP-A-2001-28884'62 was used instead of the compound (A 1). Make In the same manner, DC voltage, emission luminance, emission efficiency, emission color, and color purity were measured and the results are shown in Table 2.
  • the organic EL device using the compound of the present invention is a low-voltage driven and highly efficient blue in comparison with the conventionally known compounds BCz and (C2) of the comparative example. Light emission is obtained.
  • the compound of the present invention since the compound of the present invention has a wide energy gap, light-emitting molecules having a wide energy gap can be mixed into the light-emitting layer to emit light.
  • a 5 mm x 75 mm x 0.7 mm thick glass substrate with IT ⁇ transparent electrode was subjected to ultrasonic cleaning in isopropyl alcohol for 5 minutes, followed by UV ozone cleaning for 30 minutes. After cleaning, the glass substrate with transparent electrodes is used as the substrate holder for the vacuum evaporation system.
  • a 10-nm-thick copper phthalocyanine film (CuPc film described below) was formed on the surface where the transparent electrode was formed so as to cover the transparent electrode. This CuPc film functions as a hole injection layer.
  • a 4,4, -bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl film ( ⁇ -NPD film below) was formed.
  • This NPD film functions as a hole transport layer.
  • the compound (A1) having a thickness of 30 nm was deposited as a host material on the a-NPD film to form a light emitting layer.
  • tris (2-phenylpyridine) Ir (Ir (ppy) 3 below) was added as a phosphorescent Ir metal complex dopant.
  • the concentration of Ir (ppy) 3 in the light emitting layer was 5% by weight.
  • This film functions as a light emitting layer.
  • BA1 q film a film of (1,1-bisphenyl) -141-ortho) bis (2-methyl-8-quinolinolate) aluminum (BA1 q film) having a thickness of 1 Onm was formed.
  • BA1 q film functions as a hole barrier layer.
  • A1q film a 40 nm-thick aluminum complex of 8-hydroxyquinoline (A1q film described below) was formed on this film.
  • This Alq film functions as an electron injection layer.
  • LiF which is a halogenated alkali metal, is deposited to a thickness of 0.2 nm, and then aluminum is deposited.
  • An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 5 except that the compound (A 9) was used instead of the compound (A 1) as the host material of the light emitting layer. Similarly, the voltage, the current density, and the emission luminance The luminous efficiency and chromaticity were measured and are shown in Table 3.
  • Example 5 an organic EL device was produced in the same manner as in Example 5, except that the compound (A 1) as the host material of the light-emitting layer was replaced with the compound BCz, which was a conventionally known compound. , Current density, luminous brightness, luminous efficiency, and chromaticity were measured and Comparative Example 4 shown in Table 3
  • Example 4 in place of the compound (A 1) of the host material of the light emitting layer, the following compound (A—10) described in US Patent Publication No.
  • An organic EL device was manufactured in the same manner except that the above was used, and the DC voltage, current density, light emission luminance, light emission efficiency, and chromaticity were measured in the same manner.
  • the organic EL device using the compound of the present invention can emit green light with high efficiency compared to the conventionally known compounds (BCz, A-10) of Comparative Examples 3 and 4. It is possible. Further, since the compound of the present invention has a wide energy gap, light-emitting molecules having a wide energy gap can be mixed into the light-emitting layer to emit light.
  • a 25 mm x 75 mm x 0.7 mm thick glass substrate with an IT0 transparent electrode was subjected to ultrasonic cleaning for 5 minutes in isopropyl alcohol, followed by UV ozone cleaning for 30 minutes.
  • the washed glass substrate with a transparent electrode is mounted on a substrate holder of a vacuum deposition apparatus.
  • a 10-nm-thick copper phthalocyanine film (on the side where the transparent electrode is formed is covered so as to cover the transparent electrode).
  • CuP c film was formed.
  • This CuP c film functions as a hole injection layer.
  • a 3 Nm thick HiPD NPD film was formed on the CuPc film.
  • This ⁇ -NPD film functions as a hole transport layer.
  • the above compound (A 1) having a thickness of 3 Onm was deposited on the ⁇ -NPD film to form a light emitting layer.
  • I r bis I r metal complex phosphorescent was added [(4, 6-difluoro-phenyl) Single Pirijina one DOO one N, C 2 '] Pikorina one Bok (the following FI rp ics). Concentration of FI rp ics in the light emitting layer was 7 wt 0/0. This film functions as a light emitting layer.
  • a BA1q film having a thickness of 30 nm was formed. This BA1 q film functions as an electron injection layer.
  • LiF which is a metal halide
  • LiF which is a metal halide
  • aluminum was deposited to a thickness of 150 nm.
  • This A 1 / L i F acts as a cathode.
  • an organic EL device was manufactured.
  • a voltage of 7.2 V, a current density of 0.68 mA / cm 2 , a luminance of 104 cd / m 2 , and a luminous efficiency of 15.4 cd / A were blue. Luminescence was obtained, and the chromaticity coordinates were (0.17, 0.38).
  • An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 7, except that the compound (A 9) was used instead of the compound (A 1) as the host material of the light emitting layer. Similarly, the voltage, current density, and emission luminance were similarly measured. The luminous efficiency and chromaticity were measured and are shown in Table 4.
  • An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 7, except that the compound (BC), which was a conventionally known compound, was used in place of the compound (A 1) of the host material for the light emitting layer. Voltage, current density, luminous brightness, luminous efficiency, chromaticity were measured and shown in Table 4.
  • the organic EL device using the compound of the present invention is driven at a low voltage and can emit blue light with high luminous efficiency compared to the conventionally known compound BCz of the comparative example.
  • the compound of the present invention has a wide energy gap, -Light-emitting molecules having a wide gap can be mixed with the light-emitting layer to emit light.
  • the use of the material for an organic electroluminescent device comprising the compound represented by the general formula (1) or (2) of the present invention has high luminous efficiency and color purity, and has a blue color.
  • An organic electroluminescent device that emits light can be obtained. Therefore, the organic electroluminescent device of the present invention is extremely useful as a light source for various electronic devices.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

明 細 書 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機ェレクトロルミ ネッセンス素子 技術分野
本発明は、 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機ェ レクトロルミネッセンス素子 （有機 E L素子） に関し、 特に、 色純度が高く、 青 色系に発光する有機 E L素子に関するものである。 背景技術
有機物質を使用した有機 E L素子は、 固体発光型の安価な大面積フルカラー表 示素子としての用途が有望視され、 多くの開発が行われている。 一般に、 有機 E L素子は、 発光層及び該層を挟んだ一対の対向電極から構成されている。
有機 E L素子の発光は、 両電極間に電界が印加されると、 陰極側から電子が注 入され、 陽極側から正孔が注入され、 電子が発光層において正孔と再結合し、 励 起状態を生成し、 励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する 現象である。
発光材料としてはトリス ( 8—キノリノラー卜） アルミニウム錯体等のキレー ト錯体、 クマリン誘導体、 テトラフヱニルブ夕ジェン誘導体、 ビススチリルァリ 一レン誘導体、 ォキサジァゾール誘導体等の発光材料が知られており、 それらか らは青色から赤色までの可視領域の発光が得られることが報告されており、 カラ —表示素子の実現が期待されている （例えば、 特開平 8— 2 3 9 6 5 5号公報、 特開平 7— 1 3 8 5 6 1号公報、 特開平 3— 2 0 0 2 8 9号公報等） 。
最近では、 有機 E L素子ディスプレイの実用化が開始されているものの、 フル カラー表示素子は開発途中である。 特に、 色純度及び発光効率が高く、 青色系に 発光する有機 E L素子が'求められている。
これらを解決しょうとするものとして、 例えば、 特開平 8— 1 2 6 0 0号公報 には、 青色発光材料としてフヱニルアントラセン誘導体を用いた素子開示されて いる。 フヱニルアントラ.セン誘導体は、 青色発光材料として用いられ、 通常、 卜 リス （ 8—キノリノラート） アルミニウム （A l q ) 錯体層との前記青色材料層 の積層体として用いられるが、 発光効率、 寿命、 青色純度が実用に用いられるレ ベルとしては不十分であった。 特開 2 0 0 1— 2 8 8 4 6 2号公報には、 ァミン 系芳香族化合物を発光層—に用いた青色発光素子が開示されているが、 発光効率が 2〜4 c d /Aと不十分であった。 特開 2 0 0 1— 1 6 0 4 8 9号公報には、 ァ ザフルオランテン化合物を発光層に添加した素子が開示されているが、 黄色から 緑色の発光となり、 十分に色純度の高い青色を発光するに至っていない。 発明の開示 - 本発明は、 前記の課題を解決するためになされたもので、 色純度が高く、 青色 系に発光する有機 E L素子用材料及びそれを利用した有機 E L素子を提供するこ とである。
本発明者らは、 前記課'題を解決するために鋭意検討した結果、 力ルバゾール骨 格を有する基に、 シク口アルキル基又はメタフヱニレン基が結合した化合物をホ スト材料として用いることにより、 青色純度が高い有機 E L素子が得られること を見出し本発明を解決するに至った。
すなわち、 本発明は、 -下記一般式 ( 1 ) 又は （ 2 ) で表される化合物からなる 有機 E L素子用材料を提供するものである。
( C z - ) n L ( 1 )
C z ( - L ) m ( 2 )
〔式中、 C zは、 下記 （A ) で表される力ルバゾール骨格を有する化合物から形 成される基であり置換されていてもよく、 Lは、 置換もしくは無置換の炭素数 5 〜3 0のシクロアルキル基、 又は下記 （B) で表される置換もしくは無置換の炭 素数 6〜30のメタ芳香族環基、 n、 mは、 それぞれ〗〜 3の整数である。
Figure imgf000004_0001
(Xは、 置換もしくは無置換の炭素数 6〜40のァリール基、 置換もしくは無置 換の炭素数 7 ~ 4 0のァリールアルキル基、 又は置換もしくは無置換の炭素数 6 〜40のァリールォキシ基である。 ）
Figure imgf000004_0002
(pは、 1一 4の整数である。 ） 〕
また、 本発明は、 陰極と陽極間に一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持さ れている有機 EL素子において、 該有機薄膜層の少なくとも 1層が、 前記有機 E L素子用材料を含有する有機 E L素子を提供するものである。 前期有機薄膜層の うち、 発光層、 電子輸送層又は正孔輸送層が前記有機 EL素子用材料を含有して いてもよい。 発明を実施するための最良の形態
本発明の有機 EL素子用材料は、 下記一般式 （ 1 ) 又は （2) で表される化合 物からなる。 .
(C z -） ュ （ 1 )
C z (-L) m (2) C zは、 下記 ( A ) で表される力ルバゾール骨格を有する化合物から形成され る基であり置換されていてもよく、 ァリール力ルバゾィルジィル基、 ジァリール 力ルバゾールトリィル基が好ましい。
Figure imgf000005_0001
C zの置換基としては、 塩素、 臭素、 フッ素等のハロゲン原子、 インドール基 、 カルバゾリル基、 シァノ基、 シリル基、 トリフル才ロメチル基、 パーフル才ロ ァリ一ル基、 置換もしくは無置換のアルキル基、 置換もしくは無置換のァリ一ル 基、 置換もしくは無置換のァラルキル基、 置換もしくは無置換のァリ一ルォキシ 基、 置換もしくは無置換のアルキルォキシ基等が挙げられる。 これらのうち、 フ ッ素原子、 バラフヱ二レン基、 トリルォロメチル基、 パ一フルォロアリール基が 好ましい。
n、 mは、 それぞれ 1〜 3の整数である。
Xは、 置換もしくは無置換の炭素数 6 ~ 4 0のァリール基、 置換もしくは無置 換の炭素数 7〜 4 0のァリールアルキル基、 又は置換もしくは無置換の炭素数 6 ~ 4 0のァリールォキシ基である。 .
炭素数 6〜4 0のァリール基としては、 例えば、 フヱニル基、 ナフチル基、 ァ ントリル基、 フエナントリル基、 ナフタセニル基、 ピレニル基、 フルォレニル基 、 ビフヱニル基、 ターフヱニル基、 フヱニルアントラリル基、 フルオランテニル 基等が挙げられ、 これらのうち、 フヱニル基、 ナフチル基、 ビフヱニル基、 ター フヱニル基、 ピレニル基、 フヱニルアントラリル基が好ましい。
炭素数 7〜 4 0のァリールアルキル基としては、 例えば、 ベンジル基、 α—メ チルベンジル基、 シンナミル基、 a一ェチルベンジル基、 a , α—ジメチルベン ジル基、 4—メチルベンジル基、 4一ェチルベンジル基、 2— t e r t—ブチル ベンジル基、 4一 n—才クチルペンジル基、 ナフチルメチル基、 ジフエ二ルメチ ル基等が挙げられ、 これらのうち、 ベンジル基、 ひ一メチルベンジル基、 ジフヱ ニルメチル基が好ましい。
炭素数 6〜4 0のァリールォキシ基としては、 例えば、 フヱノキシ基、 トリル ォキシ基、 ナフチルォキシ基、 アンスクルォキシ基、 ピレニルォキシ基、 ビフヱ ニルォキシ基、 フルオランテニルォキシ基、 クリセニルォキシ基、 ベリレニル才 キシ基等が挙げられ、 これらのうち、 フエノキシ基、 トリルォキシ基、 ビフエ二 ル才キシ基が好ましい。
Xの置換基としては、 置換もしくは無置換のアルキル基、 置換もしくは無置換 のァリール基、 置換もしくは無置換のァラルキル基、 置換もしくは無置換のァリ ールォキシ基、 置換もしくは無置換のアルキルォキシ基、 置換もしくは無置換の ヘテロ芳香族複素環基等が挙げられる。 これらのうち、 フッ素原子、 パラフエ二 レン基、 ベンジル基、 フヱノキシ基、 カルバゾリル基が好ましい。
Lは、 置換もしくは無置換の炭素数 5 ~ 3 0のシクロアルキル基、 又は下記 （ B ) で表される置換もしくは無置換の炭素数 6 ~ 3 0のメタ芳香族環基であり、 シクロへキシル基、 ノルボルネン基、 ァダマンチル基が好ましい。
Lの置換基としては、 前記 C zと同様のものが挙げられる。
Figure imgf000006_0001
pは、 1〜4の整数であり、 1〜2であると好ましい。
本発明の一般式 （ 1 ) 又は （ 2 ) で表される化合物は、 下記一般式 （ 3 ) 〜 （ 1 1 ) のいずれかで表される化合物であると好ましい。 . Cz-L-Cz (n=2) (3)
Cz-Cz-Cz (n=3) (4)
L
Cz-L-Cz — Cz (n=3) (5)
Cz-Cz-Cz一 L (n=3) (6)
L-Cz-L (m=2) (7)
L-L-Cz (m=2) (8)
L-Cz-L (m=3) (9)
L
L-L-Cz -L (m=3) (10)
Cz-L-L-L (m=3) (11) 本発明の一般式 （ I ) で表される化合物の具体例を以下に示すが、 これら例示 化合物に限定されるものではない。
Figure imgf000007_0001
OAVĠ
Figure imgf000008_0001
本発明の一般式 ( 2 ) で表される化合物の具体例を以下に示すが、 これら例示 化合物に限定されるものではない。
Figure imgf000009_0001
Figure imgf000009_0002
(B7)
Figure imgf000009_0003
本発明の一般式 （ 1 ) 及び （ 2 ) の化合物は、 1重項のエネルギーギヤップが 2. 8〜3. 8 eVであり、 2. 9〜3. 6 eVであると好ましい。
本発明の有機 E L素子は、 陰極と陽極間に一層又は複数層からなる有機薄膜層 が挟持されている有機 EL素子において、 該有機薄膜層の少なく とも 1層が、 前 記一般式 （ 1 ) 又は （2) の化合物からなる有機 EL素子用材料を含有する。 ま た、 有機 EL素子の発光層に、 前記一般式 （ 1 ) 又は （ 2 ) の化合物からなる有 機 E L素子用材料を含有すると好ましい。
本発明の有機 EL素子は、 青色系発光し、 その純度が （ 0. 1 2， 0. 1 0) ' 〜 （0. 1 7， 0. 2 0 ) と高いものが含まれる。 これは、 本発明の一般式 （ 1 ：) 又は （ 2) の化合物からなる有機 EL素子用材料が、 広いエネルギーギャップ を有しているからである。
本発明の有機 E L素子は、 3重項励起又はそれ以上の多重項励起により発光す ると好ましい。
本発明の有機 E L素子用材料は、 有機 E L素子のホスト材料であると好ましい 。 このホスト材料とは、 正孔と電子の注入が可能であって、 正孔と電子が輸送さ れ、 再結合して蛍光を発する機能を有するものである。
また、 本発明の一般式 （ .1 ) 及び （2) の化合物は、 1重項のエネルギーギヤ ップが 2. 8〜3. 8 eVと高く、 3重項のエネルギーギャップも 2. 5〜3. 3 eVと高いため、 燐光素子用の有機ホスト材料としても有用である。
ここで、 燐光素子とは、 3重項準位のエネルギー状態から基底 1重項準位の状 態への遷移に基づく発光の強度が他の物質に比べて高い物質、 例えば、 周期律表 7〜 1 1族から選ばれる少なくとも 1つの金属を含む有機金属錯体などの燐光物 質を含む、 いわゆる燐光を利用した有機電界発光素子のことである。
有機 EL素子の発光層において、 生成される分子励起子には、 1重項励起子と 3重項励起子とが混合していて、 1重項励起子及び 3重項励起子は、 一般的には 1 ： 3の割合で、 3重項励起子の方が多く生成されていると言われている。 また 、 通常の蛍光を使った有機 E L素子では、 発光に寄与する励起子は 1重項励起子 であって、 3重項励起子は非発光性である。 このため、 3重項励起子は最終的に は熱として消費されてしまい、 生成率の低い 1重項励起子から発光が生じている 。 したがって、 有機 E L素子においては、 正孔と電子との再結合によって発生す るエネルギ一のうち、 3重項励起子の方へ移動したエネルギーは大きい損失とな つている。
このため、 本発明の化合物を燐光素子に利用することにより、 3重項励起子の エネルギ一を発光に使用できるので、 蛍光を使った素子の 3倍の発光効率の得ら れると考えられる。 また、 本発明の化合物は、 燐光素子の発光層に用いると、 該 層に含まれる 7〜 1 1族から選ばれる金属を含有する燐光性有機金属錯体の励起
3重項準位より高いエネルギー状態の励起 3重項準位を有し、 さらに安定な薄膜 形状を与え、 高いガラス転移温度（T g ： 8 0〜 1 6 0 °C ) を有し、 正孔及び/ 又は電子を効率よく輸送することができ、 電気化学的かつ化学的に安定であり、 卜ラップとなったり発光を消光したりする不純物が製造時や使用時に発生しにく いと考えられる。
さらに、 正孔注入層、 電子注入層、正孔障壁層が本発明の化合物を含有してい てもよい。 また、 燐光発光性化合物と本発明の化合物を混合して使用していても よい。
本発明の有機 E L素子は、 前記したように陽極と陰極間に一層もしくは多層の 有機薄膜層を形成した素子である。 一層型の場合、 陽極と陰極との間に発光層を 設けている。 発光層は、 発光材料を含有し、 それに加えて陽極から注入した正孔 、 もしくは陰極から注入した電子を発光材料まで輸送させるために、 正孔注入材 料もしくは電子注入材料を含有してもよい。 また、 発光材料は、 極めて高い蛍光 量子効率、 高い正孔輸送能力及び電子輸送能力を併せ持ち、 均一な薄膜を形成す ることが好ましい。 多層型の有機 E L素子としては、 （陽極/正孔注入層/発光 層/陰極） 、 （陽極/発光層/電子注入層/陰極） 、 （陽極/正孔注入層ノ発光 蘭 19 層/電子注入層/陰極） 等の多層構成で積層したものがある。
発光層には、 必要に応じて、 本発明の一般式 （ 1 ) 又は （2 ) の化合物に加え てさらなる公知のホスト材料、 発光材料、 ドーピング材料、 正孔注入材料や電子 注入材料を使用し、 組み合わせて使用することもできる。 有機 E L素子は、 多層 構造にすることにより、 クェンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことができ 、 他のドーピング材料により、 発光輝度や発光効率を向上させたり、 燐光発光に 寄与する他のドーピング材料と組み合わせて用いることにより、 従来の発光輝度 や発光効率を向上させることができる。
また、 本発明の有機 E L素子における正孔注入層、 発光層、 電子注入層は、 そ れぞれ二層以上の層構成により形成されてもよい。 その際、 正孔注入層の場合、 電極から正孔を注入する層を正孔注入層、 正孔注入層から正孔を受け取り発光層 まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。 同様に、電子注入層の場合、電極か ら電子を注入する層を電子注入層、 電子注入層から電子を受け取り発光層まで電 子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。 これらの各層は、 材料のエネルギー準位、 耐熱性、 有機薄膜層もしくは金属電極との密着性等の各要因により選択されて使 用される。
本発明の有機 E L素子は、 電子輸送層ゃ正孔輸送層が、 一般式 （ 1 ) 及び/又 は （2 ) の化合物からなる有機 E L素子用材料を含有してもよい。
本発明の一般式 （ 1 ) 又は （ 2 ) の化合物と共に有機薄膜層に使用できる発光 材料又はホスト材料としては、 アントラセン、 ナフ夕レン、 フエナントレン、 ピ レン、 テトラセン、 コロネン、 クリセン、 フルォレセィン、 ペリ レン、 フタロぺ リ レン、 ナフ夕口ペリ レン、 ペリ ノン、 フタ口ペリノン、 ナフ夕口ペリ ノン、 ジ フヱニルブタジエン、 テトラフヱニルブタジエン、 クマリン、 ォキサジァゾール 、 アルダジン、 ビスべンゾキサゾリン、 ビススチリル、 ピラジン、 シクロペン夕 ジェン、 キノリン金属錯体、 アミノキノリン金属錯体、 ベンゾキノリン金属錯体 、 ィミン、 ジフエニルエチレン、 ビュルアントラセン、 ジァミノアントラセン、 ジァミノカルバゾール、 ピラン、 チォピラン、 ポリメチン、 メロシアニン、 イミ ダゾ一ルキレート化ォキシノィ ド化合物、 キナクリ ドン、 ルブレン、 スチルベン 系誘導体及び蛍光色素等が挙げられるが、 これらに限定されるものではない。 発光材料としては、 素子の外部量子効率をより向上させることができる点で燐 光性の有機金属錯体が好ましく、 有機金属錯体の金属原子として、 ルテニウム、 ロジウム、 ノ、。ラジウム、 銀、 レニウム、 オスミウム、 ィリジゥム、 白金、 金を含 有するものが挙げられる。 これらの有機金属錯体は下記一般式 （C ) で表される 有機金属錯体であるのが好ましい。
Figure imgf000013_0001
(式中、 A 1 は、 置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基 を表し、 好ましくは、 フヱニル基、 ビフヱニル基、 ナフチル基、 アントリル基、 チェニル基、 ピリジル基、 キノリル基、 イソキノリル基であり、 前記置換基とし ては、 フッ素原子等のハロゲン原子； メチル基、 ェチル基等の炭素数 1〜 3 0の アルキル基； ビニル基等のアルケニル基；メ トキシカルボニル基、 エトキシカル ボニル基等の炭素数 1〜3 0のアルコキシカルボニル基；メ トキシ基、 エトキシ 基等の炭素数 1〜 3 0のアルコキシ基； フユノキシ基、 ベンジルォキシ基などの ァリ一ルォキシ基；ジメチルアミノ基、 ジェチルアミノ基等のジアルキルアミノ 基、 ァセチル基等のァシル基、 トリフルォロメチル基等のハロアルキル基、 シァ ノ基 表す。
A 2 は、 窒素を複素環を形成する原子として含有する置換もしくは無置換の芳 香族複素環基を表し、 好ましくは、 ピリジル基、 ピリミジル基、 ピラジン基、 ト リアジン基、 ベンゾチアゾール基、 ベンゾォキサゾ一ル基、 ベンゾイミダゾ一ル 基、 キノリル基、 イソキノリル基、 キノキサリン基、 フヱナントリジン基であり
、 前記置換基としては、 A1 と同様で挙げられる。
A1 を含む環と A2 を含む環は一つの縮合環を形成してもよく、 このようなも のとしては、 例えば、 7， 8 -べンゾキノリン基等が挙げられる。
Qは、 周期表 7〜 1 1族から選ばれる金属であり、 好ましくは、 ルテニウム、 ロジウム、 パラジウム、 銀、 レニウム、 オスミウム、 ィ リジゥム、 白金、 金を表 す。
Lは、 2座型の配子を表し、 好ましくは、 ァセチルァセトナート等の 一ジケ ト型の配位子又はピロメリッ ト酸から選ばれる。
m及び nは整数を表し、 Qが二価金属の場合は、 n=2、 m= 0であり、 が 三価金属の場合は、 11=3かっ111:=0、 又は n= 2かつ m= 1である。 ） 前記一般式 （C) で示される有機金属錯体の具体例を以下に示すが、 何ら下記 の化合物に限定されるものではない。
( -l) ( -2)
Figure imgf000015_0001
( -3) ( -4)
Figure imgf000015_0002
(Κ-5) (Κ-6)
Figure imgf000015_0003
1 差簪え用紙 （規則 2β》
Figure imgf000016_0001
Figure imgf000016_0002
(OS)
Figure imgf000017_0001
(κ
Figure imgf000018_0001
Figure imgf000018_0002
¾)3) :-
正孔注入材料としては、 正孔を輸送する能力を持ち、 陽極からの正孔注入効果 、 発光層又は発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、 発光層で生成した励 起子の電子注入層又は電子注入材料への移動を防止し、 かつ薄膜形成能力の優れ た化合物が好ましい。 具体的には、 フタロシアニン誘導体、 ナフタロシアニン誘 導体、 ポルフィリン誘導体、 ォキサゾール、 ォキサジァゾール、 トリアゾ一ル、 ィミダゾール、 ィミダゾロン、 イミダゾールチオン、 ビラゾリン、 ビラゾロン、 テトラヒドロイミダゾール、 ォキサゾール、 ォキサジァゾール、 ヒドラゾン、 ァ シルヒドラゾン、 ポリアリ一ルアルカン、 スチルベン、 ブタジエン、 ベンジジン 型トリフエニルァミン、 スチリルァミ ン型トリフエニルァミン、 ジアミン型トリ フエニルァミン等と、 それらの誘導体、 及びポリビニルカルバゾール、 ポリシラ ン、 導電性高分子等の高分子材料が挙げられるが、 これらに限定されるものでは ない。
これらの正孔注入材料の中で、 さらに効果的な正孔注入材料は、 芳香族三級ァ ミン誘導体又はフタロシアニン誘導体である。 芳香族三級アミン誘導体の具体例 としては、 トリフエニルァミン、 トリ 卜リルアミン、 卜リルジフヱニルアミン、
N, N， ージフエ二ルー N, N' ― (3—メチルフエニル） 一 1， 1， ービフエ ニル一 4， 4 ' ージァミン、 N， N, N' , N' - (4一メチルフエニル） 一 1 ， 1 ' 一フエ二ルー 4, 4 ' —ジァミン、 N， N， N' ， N， 一 （4—メチルフ ェニル） 一し Γ ービフエニル一 4, 4， ージァミン、 N， N， ージフエニル 一 N, N' —ジナフチルー 1 , Γ 一ビフヱ二ルー 4, 4 ' ージァミン、 N， N ' 一 （メチルフエニル） -N, N' 一 （4— n—ブチルフエニル） 一フエナント レン一 9， 10—ジァミン、 N, N—ビス （ 4ージー 4一トリルアミノフエニル ) 一 4一フヱニルーシクロへキサン等、 又はこれらの芳香族三級アミン骨格を有 したオリゴマーもしくはポリマ一であるが、 これらに限定されるものではない。 フタロシアニン （Pc)誘導体の具体例は、 H2 Pc、 CuPc、 CoPc、 N i Pc、 ZnPc、 PdPc、 F ePc、 MnPc、 C lAl Pc、 C l GaP c、 C 1 I nP c、 C 1 S nP c、 C 12 S i P c、 （H〇） A l P c、 (HO ) GaP c、 V0P c、 T i〇P c、 MoOP c、 GaP c— 0— GaP c等の フタロシア二ン誘導体及びナフタロシア二ン誘導体であるが、 これらに限定され るものではない。
電子注入材料としては、 電子を輸送する能力を持ち、 陰極からの電子注入効果 、 発光層又は発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、 発光層で生成した励 起子の正孔注入層への移動を防止し、 かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好まし い。 具体的には、 フルォレノン、 アントラキノジメタン、 ジフエノキノン、 チォ ビランジ才キシド、 ォキサゾ一ル、 ォキサジァゾール、 卜 リアゾール、 ィミダゾ —ル、 ペリ レンテトラカルボン酸、 キノキサリン、 フレオレニリデンメタン、 ァ ントラキノジメタン、 アン卜ロン等とそれらの誘導体が挙げられるが、 これらに 限定されるものではない。
これらの電子注入材料の中で、 さらに効果的な電子注入材料は、 金属錯体化合 物又は含窒素五員環誘導体である。 金属錯体化合物の具体例は、 8—ヒドロキシ キノ リナ一卜 リチウム、 ビス （8—ヒ ドロキシキノリナート） 亜鉛、 ビス （8— ヒドロキシキノリナート） 銅、 ビス （8—ヒドロキシキノリナート） マンガン、 トリス （ 8—ヒドロキシキノリナ一卜） アルミニウム、 トリス （ 2—メチル一 8 —ヒ ドロキシキノリナ一卜） アルミニウム、 ト リス （8—ヒ ドロキシキノリナ一 卜） ガリゥム、 ビス （ 1 0—ヒドロキシベンゾ [h] キノリナ一卜） ベリ リウム 、 ビス （ 1 0—ヒドロキシベンゾ [h] キノリナート） 亜鉛、 ビス （2—メチル 一 8—キノリナ一卜） クロ口ガリウム、 ビス （ 2—メチル一 8—キノリナ一卜） ( 0—クレゾラート） ガリウム、 ビス （2—メチルー 8—キノリナ一ト） （ 1― ナフ トラート） アルミニウム、 ビス （2—メチルー 8—キノリナ—ト） （ 2—ナ フ トラート） ガリウム等が挙げられるが、 これらに限定されるものではない。 また、 含窒素五員誘導体は、 ォキサゾ一ル、 チアゾ一ル、 ォキサジァゾール、 チアジアゾ一ルもしくはトリァゾール誘導体が好ましい。 具体的には、 I, 5— ビス （ 1—フヱニル） 一 1 , 3 , 4—ォキサゾール、 ジメチル Ρ0Ρ〇Ρ、 2 , 5—ビス （ 1—フエニル） 一 1 , 3， 4一チアゾ一ル、 2 , 5—ビス （ 1一フエ ニル） 一 1， 3， 4一ォキサジァゾ一ル、 2— （4， — t e r t—ブチルフエ二 ル） - 5 - ( 4" —ビフヱニル） 1 , 3 , 4一才キサジァゾール、 2， 5—ビス ( 1一ナフチル） 一 1， 3 , 4一才キサジァゾール、 1 , 4一ビス [ 2—（ 5— フエニルォキサジァゾリル） ] ベンゼン、 1 , 4一ビス [2—（ 5—フエニルォ キサジァゾリル） 一 4— t e r t—プチルベンゼン] 、 2— ( 4 ' -t e r t- ブチルフヱニル） — 5—（ 4" 一ビフヱニル） 一 1， 3, 4ーチアジアゾ一ル、 2， 5—ビス （ 1一ナフチル） 一 1 , 3， 4ーチアジアゾール、 1， 4一ビス [ 2 - ( 5—フヱニルチアジァゾリル） ] ベンゼン、 2— （4， 一 t e r t—ブチ ルフエニル） 一 5— ( 4，， ービフエニル） 一 1 , 3， 4—ト リァゾール、 2， 5 ―ビス ( 1一ナフチル) 一 1 , 3， 4ートリアゾ一ル、 1， 4一ビス [ 2 - ( 5 —フユニル卜リアゾリル) ] ベンゼン等が挙げられるが、 これらに限定されるも のではない。
また、 正孔注入材料に電子受容物質を、 電子注入材料に電子供与性物質を添加 することにより電荷注入性を向上させることもできる。
本発明の有機 EL素子の陽極に使用される導電性材料としては、 4 eVより大 きな仕事関数を持つものが適しており、 炭素、 アルミニウム、 バナジウム、 鉄、 コバルト、 ニッケル、 タングステン、 銀、 金、 白金、 パラジウム等及びそれらの 合金、 I TO基板、 NE S A基板に使用される酸化スズ、 酸化インジウム等の酸 化金属、 さらにはポリチォフェンやポリピロ一ル等の有機導電性樹脂が用いられ る。 陰極に使用される導電性物質としては、 4 eVより小さな仕事関数を持つも のが適しており、 マグネシウム、 カルシウム、 錫、 鉛、 チタニウム、 イツ 卜リウ ム、 リチウム、 ルテニウム、 マンガン、 アルミニウム等及びそれらの合金が用い られるが、 これらに限定されるものではない。 合金としては、 マグネシウム/銀 、 マグネシウム/インジウム、 リチウム/アルミニウム等が代表例として挙げら れるが、 これらに限定されるものではない。 合金の比率は、 蒸着源の温度、 雰囲 気、 真空度等により制御され、 適切な比率に選択される。 陽極及び陰極は、 必要 があれば二層以上の層構成により形成されていてもよい。
本発明の有機 EL素子は、 少なくとも一方の電極と前記有機薄膜層との間に無 機化合物層を有していてもよい。 無機化合物層に使用される好ましい無機化合物 としては、 アルカリ金属酸化物、 アルカリ土類酸化物、 希土類酸化物、 アルカリ 金属ハロゲン化物、 アルカリ土類ハロゲン化物、 希土類ハロゲン化物、 S i Ox 、 A10x、 S i Nx 、 S i ON、 A10N、 Ge〇x 、 L i Ox、 L i〇N、 T i Ox 、 T i 0N、 TaOx、 TaON、 TaNx 、 Cなど各種酸化物、 窒化 物、 酸化窒化物である。 特に陽極に接する層の成分としては、 S i Ox 、 A 1〇 x 、 S i Nx 、 S i ON、 A 1 ON、 Ge Ox、 Cが安定な注入界面層を形成し て好ましい。 また、 特に陰極に接する層の成分としては、 L i F、 MgF2 、 C aF2 、 MgF2 、 N a Fが好ましい。
本発明の有機 EL素子は、 効率良く発光させるために、 少なくとも一方の面は 素子の発光波長領域において充分透明にすることが望ましい。 また、 基板も透明 であることが望ましい。
透明電極は、 上記の導電性材料を使用して、 蒸着やスパッタリング等の方法で 所定の透光性が確保するように設定する。 発光面の電極は、 光透過率を 1 0%以 上にすることが望ましい。 基板は、 機械的、 熱的強度を有し、 透明性を有するも のであれば限定されるものではないが、 ガラス基板及び透明性樹脂フィルムが挙 げられる。 透明性樹脂フィルムとしては、 ポリエチレン、 エチレン一酢酸ビュル 共重合体、 エチレン一ビュルアルコール共重合体、 ポリプロピレン、 ポリスチレ ン、 ポリメチルメタァクリレート、 ポリ塩化ビニル、 ポリビュルアルコール、 ポ リビュルブチラール、 ナイロン、 ポリエーテルエーテルケトン、 ポリサルホン、 ポリエーテルサルフォン、 テトラフルォロエチレン一パーフルォロアルキルビニ ルエーテル共重合体、 ポリビニルフルオラィ ド、 テ卜ラフルォロエチレン一ェチ レン共重合体、 テトラフルォロエチレン一へキサフルォロプロピレン共重合体、 ポリクロ口トリフルォロエチレン、 ポリビニリデンフルオラィ ド、 ポリエステル 、 ポリ力一ボネ一卜、 ポリウレタン、 ポリイミ ド、 ポリエーテルイミ ド、 ポリイ ミ ド、 ポリプロピレン等が挙げられる。
本発明の有機 E L素子は、 温度、 湿度、 雰囲気等に対する安定性の向上のため に、 素子の表面に保護層を設けたり、 シリコンオイル、 樹脂等により素子全体を 保護することも可能である。
本発明の有機 E L素子の各層の形成は、 真空蒸着、 スパッタリング、 プラズマ 、 イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコ一ティング、 ディッピング、 フローコ一ティング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用することができる。 各 層の膜厚は特に限定されるものではないが、 適切な膜厚に設定する必要がある。 膜厚が厚すぎると、 一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり発光 効率が悪くなる。 膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、 電界を印加しても 充分な発光輝度が得られない。 通常の膜厚は 5 n m〜 l 0 mの範囲が適してい るが、 1 0 n m〜 0 . 2 の範囲がさらに好ましい。 '
湿式成膜法の場合、 各層を形成する材料を、 エタノール、 クロ口ホルム、 テト ラヒドロフラン、 ジォキサン等の適切な溶媒に溶解又は分散させて薄膜を形成す るが、 その溶媒はいずれであってもよい。 また、 いずれの層においても、 成膜性 向上、 膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用してもよい。 使用 の可能な樹脂としては、 ポリスチレン、 ポリカーボネート、 ポリアリレート、 ポ リエステル、 ポリアミ ド、 ポリウレタン、 ボリスルフォン、 ポリメチルメタクリ レート、 ポリメチルァクリレート、 セル口ース等の絶縁性樹脂及びそれらの共重 合体、 ポリ— N—ビニルカルバゾ一ル、 ポリシラン等の光導電性樹脂、 ポリチォ フヱン、 ボリピロ一ル等の導電性樹脂が挙げられる。 また、 添加剤としては、 酸 化防止剤、 紫外線吸収剤、 可塑剤等が挙げられる。
以上のように、 有機 E L素子の有機薄膜層に本発明の一般式 （ 1 ) 又は （ 2 ) の化合物を用いることにより、 色純度が高く、 青色系に発光する有機 EL素子を 得ることができ、 この有機 EL素子は、 例えば電子写真感光体、 壁掛けテレビ用 フラッ トパネルディスプレイ等の平面発光体、 複写機、 プリンタ一、 液晶ディス プレイのバックライ ト又は計器類等の光源、 表示板、 標識灯、 アクセサリ一等に 好適に用いられる。 次に、 実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、 本発明はこれらの実 施例に限定されるものではない。
なお、 化合物の 3重項エネルギーギヤップ及び 1重項エネルギーギヤップは、 以下のようにして測定した。
( 1 ) 3重項エネルギーギヤップの測定
最低励起 3重項エネルギー準位 T 1を測定した。 すなわち、 試料の燐光スぺク トルを測定し ( 1 0 umo 1 /リットル E PA (ジェチルエーテル：ィソペン タン：エタノール = 5 : 5 : 2容積比) 溶液、 7 7 K、 石英セル、 SPEX社 F LUOROLOGII) 、 燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を 引き横軸との交点である波長 （発光端） を求めた。 この波長をエネルギー値に換 算した。
(2) 1重項エネルギーギヤップの測定
励起 1重項エネルギーギヤップの値を測定した。 すなわち、 試料のトルェン溶 液 （ 1 0— 5モル/リッ トル） を用い日立社製紫外可視吸光計を用い吸収スぺク 卜 ルを測定した。 スぺクトルの長波長側の立ち上りに対し接線を引き横軸との交点 である波長 （吸収端） を求めた。 この波長をエネルギー値に換算した。
合成例 1 (化合物 （A 1 ) の合成）
化合物 (A 1 ) の合成経路を以下に示す。
Figure imgf000025_0001
1 , 1一ビス (p—ブロモフエニル) シクロへキサン 3.92g(10mmol), 力ルバ ゾ一ル 4.0g(24細 ol) 銅粉 0.6g、 1 8—クラウン一 6 1.7g、 及び炭酸力リウ ム 2, 9 g (21mmoI) を入れ、 溶媒として o—ジクロ口ベンゼン 50ミ リ リツ トルを 加え、 窒素気流下、 シリコンオイルバスを用いて 200°Cにまで加熱し、 48時間反 応させた。 反応終了後、 冷却前に吸引濾過し、 得られた濾液をエバポレー夕で濃 縮した。 得られた油状物にメ夕ノール 30ミリリッ トルを加え、 析出した固体を一 減圧濾過し、 灰色の固形物を得た。 得られた固形物をベンゼンで再結晶し、 白色 結晶 .6g(4.6ramol) (収率 4650を得た。 得られた結晶は、 90MHz 'H— NMR及 び FD— MS (フィールドディソープシヨンマス分析) により目的物 （A 1 ) で あることを確認した。 また、 FD— MSの測定結果を以下に示す。
FD-MS, calcd for C 42HwN 2=566, found, m/z=566(M+, 100).
さらに、 得られた化合物の 1重項のエネルギーギヤップ及ぴ 3重項のエネルギ 一ギヤップの値を求め、 表 1に示した。
合成例 2 (化合物 （A4 ) の合成）
化合物 （A4) の合成経路を以下に示す。
Figure imgf000025_0002
合成例 1において、 1 , 1一ビス （p—プロモフエ二ル) シクロへキサンの代 わりに 1， 3—ジブ口モアダマンタン， 力ルバゾ一ルの代わりに 3， 6—ジフエ 二ルカルバゾールを用いた以外は同様の条件で反応を行ない、 得られた固形物を トルエンで再結晶し、 白色結晶 1.9g (収率 25%)を得た。 得られた結晶は、 90MHz 'Η— NMR及び FD— MSにより目的物 （A4) であることを確認した。 また 、 F D-MSの測定結果を以下に示す。
FD-MS, calcd for C 58 H 46 N 2=770, found, m/z=770(M+， 100).
さらに、 得られた化合物の】重項のエネルギーギヤップ及び 3重項のエネルギ —ギヤップの値を求め、 表 1に示した。
合成例 3 (化合物 （B 1 ) の合成）
化合物 （B 1 ) の合成経路を以下に示す。
B
(B l)
Figure imgf000026_0001
3、 6—ジブ口モー Ν—フヱニルカルバゾール 4g(10誦 ol) を脱水テトラヒド 口フラン（THF) 50ミリ リッ トルに溶解させ、 1ーァダマンチルマグネシウムプロ マイ ド 5.8g (24mmol) を THF 20ミリ リッ トルに溶かした溶液を滴下し、 窒素気流 下、 還流攪拌し、 12時間反応させた。 反応終了後、 6 N塩酸を加えて攪拌し、 有 機層を分離し、 水洗したのち、 無水塩化マグネシウムで乾燥した。 得られた抽出 液よりエバポレー夕で溶媒を留去し、 渴色の固形物を得た。 得られた固形物をべ ンゼンで再結晶し、 淡黄色結晶 1. lg (収率 14%)を得た。 得られた結晶は、 90MHz 'H— NMR及び FD— MSにより目的物 （B 1 ) であることを確認した。 また 、 FD— MSの測定結果を以下に示す。
FD-MS, calcd for C38H41N=511， found, m/z=511(M+， 100).
さらに、 得られた化合物の 1重項のエネルギーギャップ及び 3重項のエネルギ 一ギャップの値を求め、 表 1に示した。
合成例 4 (化合物 （A9) の合成）
化合物 (A 9) の合成経路を以下に示す。
Figure imgf000027_0001
1 , 3一ビス (P—トリフルォロメタンスルフォニルォキシフヱニル) ァダマ ン夕ン 3.3g(6匪 ol) 、 力ルバゾ一ル 1.9gaimmol)、 卜リス （ジベンジリデンァセ トン） ジパラジウム 0.42g(0.5mmol)、 2—ジシクロへキシルホスフィノー 2 '― (N, N—ジメチルァミノ） ビフヱニル 0.54g(lfflmol)、 リン酸カリウム 3.4g(16m mol)をトルエン 23ミリリッ トルに懸濁し、 アルゴン雰囲気下、 18時間 30分間加熱 還流した。 反応溶液を室温まで冷却し、 水を加え、 塩化メチレンで抽出した後、 水で洗浄し、 無水硫酸ナ卜リゥムで卓 έ燥した。 有機溶媒を減圧留去後、 酢酸ェチ ル 15ミリリットルを加え、 析出した結晶を濾過し、 酢酸ェチルで洗浄し、 結晶 1. 9g (収率 58%) を得た。 得られた結晶は、 90MHz 1 H_ NMR及び F D— M Sに より目的物 （A9 ) であることを確認した。 また、 FD— MSの測定結果を以下 に示す。
FD-MS, calcd for C 4GH38N2=618， found, ra/z=618(M+, 100).
さらに、得られた化合物の 1重項のエネルギーギヤップ及び 3重項のエネルギ —ギャップの値を求め、 表 1に示した。 表 1 化合物 1重項のエネルギー 3重項のエネルギー
ギャップ （eV) ギャップ （e V)
合成例 1 A 1 3. 6 3. 1
合成例 2 A 4 3. 1 2. 8
合成例 3 B 1 3. 1 2. 8
合成例 4 A 9 3. 6 3. 1 実施例 1
25mmx 75mmX 1. 1 mm厚の I T 0透明電極付きガラス基板 （ジォマ テイツク社製） をィソプロピルアルコール中で超音波洗浄を 5分間行なった後、 UVオゾン洗浄を 30分間行なった。 洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を 真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、 まず透明電極ラインが形成されている側 の面上に前記透明電極を覆うようにして膜厚 6 Onmの N， N' 一ビス （N, N ' ージフエ二ルー 4ーァミノフエニル） 一 N， N—ジフエ二ルー 4， 4， ージァ ミノー 1 , Γ ービフエニル膜 （TPD 232膜） を成膜した。 この TFD 23 2膜は、 正孔注入層として機能する。 次に、 この TPD 232膜上に膜厚 2 On mの 4, 4 ' —ビス [N— (1—ナフチル） 一 N—フエニルァミノ] ビフエニル 膜 （NPD膜） を成膜した。 この NPD膜は正孔輸送層として機能する。 さらに 、 この NPD膜上に膜厚 4 Onmの上記化合物 （A 1 ) を蒸着し成膜した。 この 時、 同時に下記化合物 （D I ) を、 （A 1 ) ： (D 1 ) の重量比 40 ： 3で蒸着 した。 なお、 化合物 （D 1) は、 青色を発光させるため、 1重項のエネルギーが 2. 79 eVと低い発光性分子である。 化合物 （A1) と （D 1 ) との混合膜は 、 発光層として機能する。 この膜上に膜厚 2 Onmで下記 BA1 q (Meはメチ ル基） を成膜した。 BA1 q膜は、 電子注入層として機能する。 この後、 還元性 ドーパン卜である L i (L i源：サエスゲッタ一社製) と A 1 qを二元蒸着させ 、 第 2の電子注入層 （陰極） として Al q： L i膜 （膜厚 1 Onm) を形成した 。 この A 1 q： L i膜上に金属 A 1を蒸着させ金属陰極を形成し有機 E L素子を 製造した。
この素子は、 直流電圧 6. IVで発光輝度 1 16 c d/m2 、 発光効率 4. 9 c d/Aの高効率な青色発光が得られた。 また、 色度座標は （0. 1 5, 0. 1 7) であり、 色純度が高かった。
Figure imgf000029_0001
BAlq
実施例 2〜 4
実施例 1において、 化合物 （A 1 ) の代わりに、 表 2に記載の化合物を用いた 以外は同様にして有機 E L素子を作製し、 同様に直流電圧、 発光輝度、 発光効率 、 発光色、 色純度を測定し表 2に示した。
比較例 1
実施例 1において、 化合物 (A 1 ) の代わりに、 従来公知の化合物である下記 化合物 B C zを用いた以,外は同様にして有機 E L素子を作製し、 同様に直流電圧 、 発光輝度、 発光効率、 発光色、 色純度を測定し表 2に示した。
Figure imgf000029_0002
BCz 比較例 2
実施例 1において、 化合物 （ A 1 ) の代わりに、 特開 2 0 0 1— 2 8 8 4 '6 2 号公報に記載の下記化合物 （C 2 ) を用いた以外は同様にして有機 E L素子を作 製し、 同様に直流電圧、 発光輝度、 発光効率、 発光色、 色純度を測定し表 2に示 した。
Figure imgf000030_0001
表 2
Figure imgf000030_0002
表 2に示したように、 比較例の従来公知の化合物 B C z及び (C 2) に対して 、 本発明の化合物を用いた有機 EL素子は、 低電圧駆動であり、 かつ高効率の青 色発光が得られる。 また、 本発明の化合物は、 エネルギーギャップが広いので、 エネルギーギヤップの広い発光性分子を発光層に混合し発光させることができる 実施例 5
2 5mmx 75mmX 0. 7 mm厚の I T〇透明電極付きガラス基板をイソプ 口ピルアルコール中で超音波洗浄を 5分間行なった後、 UVオゾン洗浄を 3 0分 間行なつた。 洗浄後の透明電極付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに 装着し、 まず透明電極が形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにし て膜厚 1 0 nmの銅フタロシアニン膜 （下記 CuPc膜） を成膜した。 この Cu P c膜は正孔注入層として機能する。 次に、 この CuP c膜上に膜厚 30 nmの
4， 4， —ビス [N— ( 1一ナフチル) —N—フヱニルアミノ] ビフヱニル膜 ( 下記 α— NPD膜） を成膜した。 このひ一 NPD膜は正孔輸送層として機能する 。 さらに、 この a— NPD膜上に膜厚 30 nmの上記化合物 （A 1 ) をホスト材 料として蒸着し発光層を成膜した。 同時に燐光発光性の I r金属錯体ドーパント としてトリス （ 2—フヱニルビリジン） I r (下記 I r (p p y) 3 ) を添加し た。 発光層中における I r (p p y) 3 の濃度は 5重量％とした。 この膜は、 発 光層として機能する。 この膜上に膜厚 1 Onmの （1, Γ —ビスフヱニル） 一 4一オラー卜） ビス ( 2—メチルー 8—キノリノラート） アルミニウム （BA1 q膜） を成膜した。 この BA1 q膜は正孔障壁層として機能する。 さらにこの膜 上に膜厚 40 nmの 8—ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体 （下記 A 1 q膜 ) を成膜した。 この Al q膜は電子注入層として機能する。 この後ハロゲン化ァ ルカリ金属である L i Fを 0. 2 nmの厚さに蒸着し、 次いでアルミニウムを 1
50 nmの厚さに蒸着した。 この A 1 /L i Fは陰極として働く。 このようにし て有機 EL素子を作製した。
この素子について、 通電試験を行なったところ、 電圧 5. 8V、 電流密度 0. 22mA/cm2 にて、 発光効率は 43. 8 c d/A、 発光輝度 98 c d/m2 の緑色発光が得られ、 色度座標は （0. 32, 0. 62) であった。
Figure imgf000031_0001
Figure imgf000032_0001
実施例 6
実施例 5において、 発光層のホスト材料の化合物 ( A 1 ) の代わりに、 化合物 ( A 9 ) を用いた以外は同様にして有機 E L素子を作製し、 同様に電圧、 電流密 度、 発光輝度、 発光効率、 色度を測定し表 3に示した。
比較例 3
実施例 5において、 発光層のホスト材料の化合物 ( A 1 ) の代わりに、 従来公 知の化合物である上記化合物 B C zを用いた以外は同様にして有機 E L素子を作 製し、 同様に電圧、 電流密度、 発光輝度、 発光効率、 色度を測定し表 3に示した 比較例 4
実施例 4において、 発光層のホスト材料の化合物 （A 1 ) の代わりに、 米国特 許公開公報 2 0 0 2 _ 0 0 2 8 3 2 9 A 1に記載の下記化合物 （ A— 1 0 ) を用 いた以外は同様にして有機 E L素子を作製し、 同様に直流電圧、 電流密度、 発光 輝度、 発光効率、 色度を測定し表 3に示した。
Figure imgf000032_0002
表 3
Figure imgf000033_0001
表 3に示したように、 比較例 3， 4の従来公知の化合物 （ B C z， A— 1 0 ) に対して、 本発明の化合物を用いた有機 EL素子は、 高効率の緑色発光が得られ る。 またも本発明の化合物は、 エネルギーギャップが広いので、 エネルギーギヤ ップの広い発光性分子を発光層に混合し発光させることができる。
実施例 7
25mmx 75mmX 0. 7 mm厚の I T 0透明電極付きガラス基板をイソプ 口ピルアルコール中で超音波洗浄を 5分間行なった後、 UVオゾン洗浄を 30分 間行なつた。 洗浄後の透明電極付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに 装着し、 まず透明電極が形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにし て膜厚 1 0 nmの銅フタロシアニン膜 （CuP c膜） を成膜した。 この CuP c 膜は、 正孔注入層として機能する。 次に、 この CuP c膜の上に膜厚 3 Onmの ひ一 NPD膜を成膜した。 この α— NPD膜は正孔輸送層として機能する。 さら に、 α— NPD膜上に膜厚 3 Onmの上記化合物 （A 1 ) を蒸着し発光層を成膜 した。 同時に燐光性の I r金属錯体として I rビス [ (4, 6—ジフルオロフェ ニル） 一ピリジナ一ト一 N, C2'] ピコリナ一卜 （下記 F I rp i c) を添加し た。 発光層中における F I rp i cの濃度は 7重量0 /0とした。 この膜は、 発光層 として機能する。 この膜上に膜厚 30 nmの BA 1 q膜を成膜した。 この BA1 q膜は電子注入層として機能する。 この後ハロゲン化アル力リ金属である L i F を 0. 2 nmの厚さに蒸着し、 次いでアルミニウムを 1 50 nmの厚さに蒸着し た。 この A 1/L i Fは陰極として働く。 このようにして有機 EL素子を作製し た。 この素子について、 通電試験を行なったところ、 電圧 7. 2 V, 電流密度 0. 6 8mA/ cm2 にて、 発光輝度 1 04 c d/m2 、 発光効率は 1 5. 4 c d/ Aの青色発光が得られ、 色度座標は （0. 1 7， 0. 38) であった。
Figure imgf000034_0001
実施例 8
実施例 7において、 発光層のホスト材料の化合物 （A 1 ) の代わりに、化合物 (A 9) を用いた以外は同様にして有機 EL素子を作製し、 同様に電圧、 電流密 度、 発光輝度、 発光効率、 色度を測定し表 4に示した。
比較例 5
実施例 7において、 発光層のホス卜材料の化合物 （A 1 ) の代わりに、 従来公 知の化合物である上記化合物 B C zを用いた以外は同様にして有機 E L素子を作 製し、 同様に電圧、 電流密度、 発光輝度、 発光効率、 色度を測定し表 4に示した 表 4
Figure imgf000034_0002
表 4に示したように、 比較例の従来公知の化合物 BCzに対して、 本発明の化 合物を用いた有機 EL素子は、 低電圧駆動であり、 かつ高発光効率の青色発光が 得られる。 また、 本発明の化合物は、 エネルギーギャップが広いので、 エネルギ —ギヤップの広い発光性分子を発光層に混合し発光させることができる。 産業上の利用可能性
以上詳細に説明したように、 本発明の一般式 （ 1 ) 又は （ 2 ) で表される化合 物からなる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を利用すると、 発光効率及 び色純度が高く、 青色系に発光する有機ェレク トロルミネッセンス素子が得られ る。 このため、 本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子は、 各種電子機器の 光源等として極めて有用である。

Claims

睛求の範囲
1 · 下記一般式 （ 1 ) 又は （ 2 ) で表される化合物からなる有機エレク トロルミ ネッセンス素子用材料。
(Cz-) n L ( 1 )
- C z (-L) m (2)
〔式中、 Czは、 下記 (A) で表される力ルバゾール骨格を有する化合物から形 成される基であり置換されていてもよく、 Lは、 置換もしくは無置換の炭素数 5 〜3 0のシクロアルキル基、 又は下記 （B) で表される置換もしくは無置換の炭 素数 6〜 30のメ夕芳香族環基、 η、 Ι は、 それぞれ 1〜 3の整数である。
Figure imgf000036_0001
(Xは、 置換もしくは無置換の炭素数 6〜 40のァリール基、 置換もしくは無置 換の炭素数？〜 4 0のァリールアルキル基、 又は置換もしくは無置換の炭素数 6 〜40のァリールォキシ基である。 ）
Figure imgf000036_0002
は、 1〜4の整数である。 ） 〕
2. 前記一般式 ( 1 ) 又は （ 2 ) で表される化合物が、 下記一般式 ( 3) 〜 （ 1 1 ) のいずれかで表される化合物である請求項 1に記載の有機エレクトロルミネ ッセンス素子用材料。 Cz-L-Cz (n=2) (3)
Cz-Cz-Cz (n=3) (4)
L
Cz-L-Cz -Cz (n=3) (5)
Cz-Cz-Cz -L (n=3) (6)
L-Cz-L (m=2) (7)
L-L-Cz (m= 2 ) (8)
L-Cz-L (m=3) (9)
L
L-L-Cz -L (m= 3 ) (10)
Cz- L-L-L (m= 3 ) (11)
3. 前記一般式 （ 1 ) 及び （ 2 ) の化合物の 1重項のエネルギーギヤップが、 そ れぞれ 2. 8〜3. 8 e Vである請求項 1に記載の有機エレクト口ルミネッセン ス素子用材料。
4. 前記一般式 （ 1 ) 及び （ 2 ) の化合物の 3重項のエネルギーギヤップが、 そ れぞれ 2. 5〜3. 3 e Vである請求項 1に記載の有機エレクト口ルミネッセン ス素子用材料。
5. 陰極と陽極間に一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ェ レク 卜口ルミネッセンス素子において、 該有機薄膜層の少なくとも 1層が、 請求 項 1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクト 口ルミネッセンス素子。
6. 陰極と陽極間に一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ェ レク トロルミネッセンス素子において、 発光層が請求項 1に記載の有機エレクト 口ルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
7. 陰極と陽極間に一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ェ レク 卜口ルミネッセンス素子において、 発光層が請求項 3に記載の有機エレク卜 口ルミネッセンス素子用材料を含有する有機ェレク ト口ルミネッセンス素子。
8. 陰極と陽極間に一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ェ レク トロルミネッセンス素子において、 発光層が請求項 4に記載の有機エレクト 口ルミネッセンス素子用材料を含有する有機ェレク ト口ルミネッセンス素子。
9 . 陰極と陽極間に一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ェ レク トロルミネッセンス素子において、 電子輸送層が請求項 1に記載の有機エレ ク トロルミネッセンス素子用材料を含有する有機ェレク トロルミネッセンス素子
1 0 . 陰極と陽極間に一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機 エレクト口ルミネッセンス素子において、 正孔輸送層が請求項 1に記載の有機ェ レク トロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素 子。
1 1 . 前記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料が、 有機ホスト材料である 請求項 5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
1 2 . 少なくとも一方の電極と前記有機薄膜層との間に無機化合物層を有する請 求項 5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
1 3 . 3重項励起又はそれ以上の多重項励起により発光する請求項 5に記載の有 機エレク トロルミネッセンス素子。
1 4 . 青色系発光する請求項 5に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
PCT/JP2003/003519 2002-03-25 2003-03-24 Materiau pour element organique electroluminescent et element organique electroluminescent l'utilisant WO2003080761A1 (fr)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003578494A JPWO2003080761A1 (ja) 2002-03-25 2003-03-24 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
EP03712849A EP1502936A1 (en) 2002-03-25 2003-03-24 Material for organic electroluminescent element and organic electroluminescent element employing the same
US10/506,196 US20050158578A1 (en) 2002-03-25 2003-03-24 Material for organic electroluminescent element and organic electroluminescent element employing the same
KR10-2004-7015264A KR20040094866A (ko) 2002-03-25 2003-03-24 유기 전자발광 소자용 재료 및 이를 이용한 유기 전자발광소자

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002-083866 2002-03-25
JP2002083866 2002-03-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2003080761A1 true WO2003080761A1 (fr) 2003-10-02

Family

ID=28449191

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2003/003519 WO2003080761A1 (fr) 2002-03-25 2003-03-24 Materiau pour element organique electroluminescent et element organique electroluminescent l'utilisant

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20050158578A1 (ja)
EP (1) EP1502936A1 (ja)
JP (1) JPWO2003080761A1 (ja)
KR (1) KR20040094866A (ja)
CN (1) CN1656194A (ja)
TW (1) TW200305632A (ja)
WO (1) WO2003080761A1 (ja)

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311414A (ja) * 2003-03-26 2004-11-04 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
JP2004311410A (ja) * 2003-03-26 2004-11-04 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置および表示装置
JP2004311412A (ja) * 2003-03-26 2004-11-04 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2005129478A (ja) * 2003-09-30 2005-05-19 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、表示装置
JP2005158691A (ja) * 2003-10-31 2005-06-16 Ricoh Co Ltd 電界発光素子
JP2005154412A (ja) * 2003-09-05 2005-06-16 Ricoh Co Ltd ３，６−ジフェニルカルバゾール誘導体
US7011871B2 (en) 2004-02-20 2006-03-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Charge transport compounds and electronic devices made with such compounds
JP2006203227A (ja) * 2006-02-22 2006-08-03 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子
JP2007335852A (ja) * 2006-05-17 2007-12-27 Mitsubishi Chemicals Corp 電荷輸送材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子用薄膜および有機電界発光素子
JP2008532998A (ja) * 2005-03-05 2008-08-21 ドゥサン コーポレーション 新規イリジウム錯体及びこれを用いた有機電界発光素子
CN100427467C (zh) * 2005-03-03 2008-10-22 友达光电股份有限公司 化合物以及包括该化合物的有机发光二极管与显示器
JP2009035524A (ja) * 2007-08-03 2009-02-19 Chemiprokasei Kaisha Ltd 新規なビカルバゾール誘導体、それを用いたホスト材料および有機エレクトロルミネッセンス素子
US7678472B2 (en) 2005-02-05 2010-03-16 Au Optronics Corp. Compound and organic light-emitting diode and display utilizing the same
JP2010090084A (ja) * 2008-10-10 2010-04-22 Chemiprokasei Kaisha Ltd 新規なビス（カルバゾリルフェニル）誘導体、それを用いたホスト材料および有機エレクトロルミネッセンス素子
US7745988B2 (en) * 2003-09-05 2010-06-29 Ricoh Company, Limited 3, 6-diphenylcarbazole compound and organic electroluminescent device
JP2010161325A (ja) * 2008-02-28 2010-07-22 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP2010161326A (ja) * 2008-02-28 2010-07-22 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
US7939183B2 (en) * 2003-12-26 2011-05-10 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device using same
US8178215B2 (en) * 2004-12-10 2012-05-15 Pioneer Corporation Organic compound containing at least two carbazolyl-substituted phenyl structures; charge-transporting material and organic el element containing the compound
WO2012133188A1 (ja) * 2011-03-25 2012-10-04 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US8617720B2 (en) 2009-12-21 2013-12-31 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive composition and electronic device made with the composition
WO2014013947A1 (ja) * 2012-07-20 2014-01-23 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US8728633B2 (en) 2005-06-09 2014-05-20 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, illuminator and display
WO2014168138A1 (ja) 2013-04-11 2014-10-16 新日鉄住金化学株式会社 有機電界発光素子用アダマンタン化合物及び有機電界発光素子
US8920942B2 (en) 2006-03-23 2014-12-30 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display device and illuminating device
US8933622B2 (en) 2005-05-24 2015-01-13 Pioneer Corporation Organic electroluminescence element
US20210066612A1 (en) * 2019-09-04 2021-03-04 Lg Display Co., Ltd. Organic compound having improved luminescent properties, organic light emitting diode and organic light emitting device including the organic compound

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100537620B1 (ko) * 2003-10-29 2005-12-19 삼성에스디아이 주식회사 카바졸 함유 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
US20070116982A1 (en) * 2004-01-21 2007-05-24 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Host material for organic electroluminescent element and organic electroluminescent element
JP4351935B2 (ja) * 2004-03-10 2009-10-28 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
JP2005259523A (ja) * 2004-03-11 2005-09-22 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法及び有機溶液
WO2007108362A1 (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
US7768195B2 (en) * 2006-05-25 2010-08-03 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device with improved luminous efficiency
KR100951707B1 (ko) * 2007-05-28 2010-04-07 제일모직주식회사 사이클로헥산을 포함하는 유기광전소자용 재료 및 이를포함하는 유기광전소자
JP4531842B2 (ja) * 2008-04-24 2010-08-25 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
JP5627883B2 (ja) * 2009-01-07 2014-11-19 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
TWI549942B (zh) * 2010-08-26 2016-09-21 首威公司 Ｎ－苯基三咔唑類
US9847501B2 (en) 2011-11-22 2017-12-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic heterocyclic derivative, material for organic electroluminescent element, and organic electroluminescent element
US10217954B2 (en) 2013-11-13 2019-02-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Compound, material for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, and electronic device
US10784446B2 (en) 2014-11-28 2020-09-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Compound, organic electroluminescence element material, organic electroluminescence element and electronic device
KR102660767B1 (ko) * 2015-02-06 2024-04-24 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 일렉트로루미네센스 소자 및 전자 기기
US10862037B2 (en) * 2015-10-16 2020-12-08 Lg Chem, Ltd. Electroactive materials
KR101880595B1 (ko) * 2015-12-10 2018-07-20 성균관대학교산학협력단 유기 발광 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
CN113260608B (zh) * 2019-11-08 2023-12-12 株式会社Lg化学 新型化合物及包含其的有机发光器件
WO2021091131A1 (ko) * 2019-11-08 2021-05-14 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02129648A (ja) * 1988-11-10 1990-05-17 Canon Inc 電子写真感光体
JPH02134643A (ja) * 1988-11-15 1990-05-23 Canon Inc 電子写真感光体
JPH06312979A (ja) * 1993-04-30 1994-11-08 Bando Chem Ind Ltd １，３，５−トリス〔４−（ｎ−カルバゾリル）フェニル〕ベンゼン誘導体
US5487953A (en) * 1993-09-22 1996-01-30 Pioneer Electronic Corporation Organic electroluminescent device
JP2000186066A (ja) * 1998-12-22 2000-07-04 Minolta Co Ltd 新規アミノ化合物とその製造方法、及び用途
WO2001041512A1 (en) * 1999-12-01 2001-06-07 The Trustees Of Princeton University Complexes of form l2mx as phosphorescent dopants for organic leds
WO2001072927A1 (en) * 2000-03-27 2001-10-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
JP2001313179A (ja) * 2000-05-01 2001-11-09 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子
EP1202608A2 (en) * 2000-10-30 2002-05-02 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Organic light-emitting devices
JP2002241352A (ja) * 2001-02-13 2002-08-28 Konica Corp 新規化合物、それを用いる有機エレクトロルミネッセンス素子材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2003031371A (ja) * 2001-07-17 2003-01-31 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子及び青色発光素子

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5093210A (en) * 1989-06-30 1992-03-03 Ricoh Company, Ltd. Electroluminescent device
DE4308788A1 (de) * 1993-03-18 1994-09-22 Bayer Ag Hetero-tricyclisch-substituierte Phenyl-cyclohexan-carbonsäurederivate
EP0681019B1 (en) * 1994-04-26 1999-09-01 TDK Corporation Phenylanthracene derivative and organic EL element
US6777111B1 (en) * 1999-08-04 2004-08-17 Kabushiki Kaisha Chuo Kenkyusho Electro luminescent element
JP2001172208A (ja) * 1999-12-17 2001-06-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 芳香族メチリデン化合物、それを製造するための芳香族アルデヒド化合物及びそれらの製造方法
JP4562865B2 (ja) * 2000-06-06 2010-10-13 三井化学株式会社 複素環化合物
JP2002014478A (ja) * 2000-06-30 2002-01-18 Hodogaya Chem Co Ltd 電子製品材料の精製方法
US6893743B2 (en) * 2000-10-04 2005-05-17 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electroluminescent device
JP4092901B2 (ja) * 2000-10-30 2008-05-28 株式会社豊田中央研究所 有機電界発光素子
JP4910238B2 (ja) * 2001-03-06 2012-04-04 Ｊｓｒ株式会社 化学増幅型感放射線性樹脂組成物
US6863997B2 (en) * 2001-12-28 2005-03-08 The Trustees Of Princeton University White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission
US6562982B1 (en) * 2002-07-25 2003-05-13 Xerox Corporation Carbazole compounds
KR100537620B1 (ko) * 2003-10-29 2005-12-19 삼성에스디아이 주식회사 카바졸 함유 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02129648A (ja) * 1988-11-10 1990-05-17 Canon Inc 電子写真感光体
JPH02134643A (ja) * 1988-11-15 1990-05-23 Canon Inc 電子写真感光体
JPH06312979A (ja) * 1993-04-30 1994-11-08 Bando Chem Ind Ltd １，３，５−トリス〔４−（ｎ−カルバゾリル）フェニル〕ベンゼン誘導体
US5487953A (en) * 1993-09-22 1996-01-30 Pioneer Electronic Corporation Organic electroluminescent device
JP2000186066A (ja) * 1998-12-22 2000-07-04 Minolta Co Ltd 新規アミノ化合物とその製造方法、及び用途
WO2001041512A1 (en) * 1999-12-01 2001-06-07 The Trustees Of Princeton University Complexes of form l2mx as phosphorescent dopants for organic leds
WO2001072927A1 (en) * 2000-03-27 2001-10-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
JP2001313179A (ja) * 2000-05-01 2001-11-09 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子
EP1202608A2 (en) * 2000-10-30 2002-05-02 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Organic light-emitting devices
JP2002241352A (ja) * 2001-02-13 2002-08-28 Konica Corp 新規化合物、それを用いる有機エレクトロルミネッセンス素子材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2003031371A (ja) * 2001-07-17 2003-01-31 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子及び青色発光素子

Cited By (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311410A (ja) * 2003-03-26 2004-11-04 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置および表示装置
JP2004311412A (ja) * 2003-03-26 2004-11-04 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2004311414A (ja) * 2003-03-26 2004-11-04 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
JP2005154412A (ja) * 2003-09-05 2005-06-16 Ricoh Co Ltd ３，６−ジフェニルカルバゾール誘導体
US7745988B2 (en) * 2003-09-05 2010-06-29 Ricoh Company, Limited 3, 6-diphenylcarbazole compound and organic electroluminescent device
JP2005129478A (ja) * 2003-09-30 2005-05-19 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、表示装置
JP2005158691A (ja) * 2003-10-31 2005-06-16 Ricoh Co Ltd 電界発光素子
US7939183B2 (en) * 2003-12-26 2011-05-10 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device using same
US7011871B2 (en) 2004-02-20 2006-03-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Charge transport compounds and electronic devices made with such compounds
US8178215B2 (en) * 2004-12-10 2012-05-15 Pioneer Corporation Organic compound containing at least two carbazolyl-substituted phenyl structures; charge-transporting material and organic el element containing the compound
US7678472B2 (en) 2005-02-05 2010-03-16 Au Optronics Corp. Compound and organic light-emitting diode and display utilizing the same
CN100427467C (zh) * 2005-03-03 2008-10-22 友达光电股份有限公司 化合物以及包括该化合物的有机发光二极管与显示器
JP2008532998A (ja) * 2005-03-05 2008-08-21 ドゥサン コーポレーション 新規イリジウム錯体及びこれを用いた有機電界発光素子
US8933622B2 (en) 2005-05-24 2015-01-13 Pioneer Corporation Organic electroluminescence element
US8728633B2 (en) 2005-06-09 2014-05-20 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, illuminator and display
US9428687B2 (en) 2005-06-09 2016-08-30 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, illuminator and display
US8808874B2 (en) * 2005-06-09 2014-08-19 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, illuminator and display
JP2006203227A (ja) * 2006-02-22 2006-08-03 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子
JP4677926B2 (ja) * 2006-02-22 2011-04-27 三菱化学株式会社 有機電界発光素子
US9692000B2 (en) 2006-03-23 2017-06-27 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescent element, display device and illuminating device
US9634275B2 (en) 2006-03-23 2017-04-25 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescent element, display device and illuminating device
US9634276B2 (en) 2006-03-23 2017-04-25 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescent element, display device and illuminating device
US8920942B2 (en) 2006-03-23 2014-12-30 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display device and illuminating device
JP2007335852A (ja) * 2006-05-17 2007-12-27 Mitsubishi Chemicals Corp 電荷輸送材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子用薄膜および有機電界発光素子
JP2009035524A (ja) * 2007-08-03 2009-02-19 Chemiprokasei Kaisha Ltd 新規なビカルバゾール誘導体、それを用いたホスト材料および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2010161326A (ja) * 2008-02-28 2010-07-22 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP2010161325A (ja) * 2008-02-28 2010-07-22 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP2010090084A (ja) * 2008-10-10 2010-04-22 Chemiprokasei Kaisha Ltd 新規なビス（カルバゾリルフェニル）誘導体、それを用いたホスト材料および有機エレクトロルミネッセンス素子
US8617720B2 (en) 2009-12-21 2013-12-31 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive composition and electronic device made with the composition
KR20140015385A (ko) * 2011-03-25 2014-02-06 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 일렉트로 루미네선스 소자
KR102018418B1 (ko) 2011-03-25 2019-09-04 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 일렉트로 루미네선스 소자
JPWO2012133188A1 (ja) * 2011-03-25 2014-07-28 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US10879482B2 (en) 2011-03-25 2020-12-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
WO2012133188A1 (ja) * 2011-03-25 2012-10-04 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US8643268B2 (en) 2011-03-25 2014-02-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
JP5889280B2 (ja) * 2011-03-25 2016-03-22 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101650996B1 (ko) 2011-03-25 2016-08-24 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 일렉트로 루미네선스 소자
KR20160101214A (ko) * 2011-03-25 2016-08-24 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 일렉트로 루미네선스 소자
US9608209B2 (en) 2012-07-20 2017-03-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent element
JP2014022666A (ja) * 2012-07-20 2014-02-03 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2014013947A1 (ja) * 2012-07-20 2014-01-23 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US9219242B2 (en) 2012-07-20 2015-12-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent element
US10032998B2 (en) 2012-07-20 2018-07-24 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent element
US10461264B2 (en) 2012-07-20 2019-10-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent element
US10930860B2 (en) 2012-07-20 2021-02-23 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent element
CN105190930A (zh) * 2013-04-11 2015-12-23 新日铁住金化学株式会社 有机电致发光元件用金刚烷化合物及有机电致发光元件
US9722189B2 (en) 2013-04-11 2017-08-01 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. Adamantane compound for organic electroluminescent elements, and organic electroluminescent element
WO2014168138A1 (ja) 2013-04-11 2014-10-16 新日鉄住金化学株式会社 有機電界発光素子用アダマンタン化合物及び有機電界発光素子
KR20150139969A (ko) 2013-04-11 2015-12-14 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 유기 전계 발광 소자용 아다만탄 화합물 및 유기 전계 발광 소자
US20210066612A1 (en) * 2019-09-04 2021-03-04 Lg Display Co., Ltd. Organic compound having improved luminescent properties, organic light emitting diode and organic light emitting device including the organic compound

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040094866A (ko) 2004-11-10
JPWO2003080761A1 (ja) 2005-07-21
TW200305632A (en) 2003-11-01
EP1502936A1 (en) 2005-02-02
US20050158578A1 (en) 2005-07-21
CN1656194A (zh) 2005-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2003080761A1 (fr) Materiau pour element organique electroluminescent et element organique electroluminescent l'utilisant
JP4060802B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100948700B1 (ko) 유기 전기 발광 소자용 재료 및 이를 이용한 유기 전기발광 소자
JP3498533B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4002040B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2004044088A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2004101491A1 (ja) アリールアミン化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2004092111A1 (ja) 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20020062940A (ko) 신규 아릴아민 화합물 및 유기 전기발광 소자
JP2003201472A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2002020459A1 (fr) Nouveaux composes de styryle et dispositifs electroluminescents organiques
JP2003129043A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2008147424A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3475620B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000290645A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2008147400A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2005113072A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2003313547A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3985895B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000268975A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4028996B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH11317290A (ja) 有機電界発光素子
JP2003068462A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2003020477A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2002329579A (ja) 発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): CN IN JP KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PT RO SE SI SK TR

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2003578494

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2003712849

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2091/CHENP/2004

Country of ref document: IN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020047015264

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10506196

Country of ref document: US

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020047015264

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 20038119447

Country of ref document: CN

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2003712849

Country of ref document: EP