WO2002091432A2 - Mikroelektronische struktur mit einer wasserstoffbarrierenschicht - Google Patents

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WO2002091432A2
WO2002091432A2 PCT/EP2002/004422 EP0204422W WO02091432A2 WO 2002091432 A2 WO2002091432 A2 WO 2002091432A2 EP 0204422 W EP0204422 W EP 0204422W WO 02091432 A2 WO02091432 A2 WO 02091432A2
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hydrogen
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barrier layer
oxide
microelectronic structure
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Walter Hartner
Zvonimir Gabric
Matthias Kroenke
Guenther Schindler
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Infineon Technologies Ag
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    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors

Definitions

  • the invention is in the field of semiconductor technology and relates to a microelectronic structure with a hydrogen-sensitive dielectric which is covered by a hydrogen barrier layer.
  • the invention further relates to a method for producing such a microelectronic structure.
  • a variety of microelectronic structures use electrical or ferroelectric layers that are sensitive to hydrogen. For example, with ferroelectric layers containing metal oxide, the polarizability can be reduced and the function of the ferroelectric layer can be restricted.
  • the influence of hydrogen can hardly be prevented in the production of semiconductor products in the form of microelectronic structures.
  • the metallization and the transistors are conditioned, healing steps in forming gas (95% N 2 , 5% H 2 ) are required.
  • many layers are deposited in a hydrogen-containing atmosphere, such as tungsten and silicon nitride.
  • the action of hydrogen demonstrably leads to a deterioration in the electrical properties, in particular to an increased leakage current, short circuits and less polarization.
  • the ferroelectric layers are used as the capacitor dielectric of a storage capacitor, the action of hydrogen can also lead to a reduction in the adhesion of the ferroelectric layers and thus the storage capacitors to the substrate.
  • the capacitor module is usually covered by a hydrogen barrier layer (encapsulation barrier layer, EBL).
  • EBL encapsulation barrier layer
  • EP 0 513 894 A2 It is also known from EP 0 513 894 A2 to apply a hydrogen barrier layer directly to the capacitor module and in particular to the edge regions of the capacitor electrodes which are not covered by the ferroelectric layer. If the hydrogen barrier layer consists of an electrically conductive material, an insulating layer must be provided according to EP 0 513 894 A2 between the hydrogen barrier layer and the capacitor module.
  • the invention is therefore based on the object of specifying a microelectronic structure in which this damage is largely excluded.
  • this object is achieved in that at least one intermediate oxide, which is at least five times as thick as the hydrogen-sensitive dielectric, is arranged between the hydrogen-sensitive dielectric and the hydrogen barrier layer.
  • the intermediate oxide has a minimum thickness which is to be five times, preferably even ten times greater than the thickness of the hydrogen-sensitive dielectric.
  • the hydrogen barrier layer is therefore not directly on the hydrogen-sensitive dielectric or in its immediate vicinity, but is at least separated from it by the intermediate oxide.
  • the comparatively large thickness of the intermediate oxide ensures that the hydrogen which may arise during the deposition of the hydrogen barrier layer cannot diffuse as far as the hydrogen-sensitive dielectric.
  • the intermediate oxide absorbs a comparatively high proportion of the hydrogen that has diffused in.
  • the absorptive capacity of the intermediate oxide increases with its thickness. It is therefore preferred if the thickness of the intermediate oxide is significantly larger. is more than five times the thickness of the hydrogen sensitive layer.
  • the intermediate oxide preferably simultaneously takes on the function of a so-called intermetallic dielectric, i.e. a metallization layer is arranged on the intermediate oxide and contact holes are formed in the intermediate oxide, which connect the metallization layer to functional elements below the intermediate oxide.
  • the contact holes are preferably filled with a conductive material.
  • the hydrogen barrier layer is thus shifted from the area of the hydrogen-sensitive dielectric in the area above the intermediate oxide. Since the intermediate oxide simultaneously takes on the function of an intermetallic dielectric, the deposition of an additional layer, as required by the prior art mentioned at the outset, can be dispensed with, provided that an intermetallic dielectric is provided in principle in the microelectronic structure. This will be explained in more detail below using the example of a ferroelectric capacitor of a memory cell of a semiconductor component.
  • Such a ferroelectric capacitor generally sits on an insulation layer that separates it from the actual semiconductor substrate.
  • the capacitor consists of a lower and an upper electrode and a ferroelectric dielectric located between them.
  • the lower electrode is connected to the semiconductor substrate via a conductive connection formed in the insulation layer.
  • the upper electrode is electrically conductively connected to a metallization, which is arranged on an intermetallic dielectric that covers the capacitor in a planarizing manner.
  • the connection between the metallization and the upper electrode is established through contact holes filled with conductive material.
  • the hydrogen barrier layer is applied to such an intermetallic dielectric, which also serves as an intermediate oxide, so that it is no longer arranged below, as in the prior art, but above the intermetallic dielectric.
  • the advantages associated with this are, on the one hand, improved hydrogen absorption and, on the other hand, improved protection against damage induced by a plasma.
  • the sufficient thickness of the intermetallic dielectric or the intermediate oxide offers sufficient protection against hydrogen.
  • the intermetallic dielectric or the intermediate oxide protects the capacitor electrodes against electrostatic charging during the plasma deposition of the hydrogen barrier layer.
  • Another advantage is that in the microelectronic structure according to the invention, a so-called recovery anneal can be carried out after the deposition of the intermediate oxide in order to eliminate any damage that may have occurred in the hydrogen-sensitive layer before the deposition of the hydrogen barrier layer. Such a healed hydrogen-sensitive layer is adequately protected by the relatively thick intermediate oxide during the subsequent deposition of the hydrogen barrier layer.
  • the intermediate oxide is preferably a silicon oxide layer which is applied by means of a TEOS process or with an SOG (spin-on-glass) process.
  • SOG spin-on-glass
  • the advantage of these processes is that they are carried out in an ammonia-free atmosphere.
  • the TEOS process can only be activated by ozone.
  • Another advantage is the planarization of the surface of the microelectronic structure by the intermediate oxide. The planarization simplifies the subsequent process steps.
  • the intermediate oxide is therefore preferably a planarizing layer.
  • the hydrogen barrier layer preferably also lines the side walls of the contact holes in order to prevent hydrogen from penetrating laterally into the intermediate oxide.
  • the hydrogen barrier layer can consist of both an insulating and an electrically conductive material.
  • an electrically conductive material it should preferably be covered with an insulating layer in order to avoid possible short circuits to the metallization.
  • the hydrogen barrier layer can be withdrawn from the edges of the contact holes.
  • the hydrogen-sensitive dielectric is preferably a layer containing metal oxide, which is a paraelectric or a ferroelectric.
  • the metal oxide-containing layer preferably has the general form AB0 X , where A is for at least one metal from the group barium (Ba), strontiu (Sr), bismuth (Bi), lead (Pb), zircon (Zr), lanthanum (La), niobium (Mb), potassium (K) or calcium (Ca), B is titanium (Ti), tantalum (Ta), niobium (Nb) or ruthenium (Ru) and O is oxygen (0).
  • the hydrogen-sensitive dielectric serves as a capacitor dielectric and is arranged between two metal-containing electrodes, one of the two electrodes being arranged between the hydrogen-sensitive dielectric and the intermediate oxide.
  • the capacitor electrodes preferably consist of platinum (Pt), ruthenium (Ru), rhenium (Re), rhodium (Rh), palladium (Pa), iridium (Ir), iridium oxide, ruthenium oxide, strontium-ruthenium oxide or an alloy of these materials ,
  • the thickness of the intermediate oxide strongly depends on the structure size used in the manufacture of the microelectronic structure. The smaller the structure size (the minimal is attainable lithographic resolution), the smaller the layer thickness of the individual functional layers will generally be. In the case of dynamic semiconductor memories, this is due to the fact that a storage capacitor must always store a minimum charge, and this can only be achieved with reduced structures and thus a reduced surface area by reducing the layer thickness of the capacitor dielectric. With the downsizing of the structures, all other layers must generally also be made thinner. With the currently common structure sizes between 0.25 and 0.17 ⁇ m, the intermediate oxide should have a layer thickness of greater than 200 nm. The intermediate oxide is preferably even thicker than 400 nm.
  • the intermediate oxide can have a smaller layer thickness than 200 nm, since the hydrogen barrier layer itself is also made thinner and thus the deposition time in a hydrogen-containing atmosphere is reduced.
  • the adhesion of the hydrogen-sensitive dielectric remains consistently good even after a forming gas anneal due to the protective effect of the thick intermediate oxide in conjunction with the hydrogen diffusion barrier. Detachment of individual layers could not be observed.
  • the thick intermediate oxide also protects the underlying hydrogen-sensitive dielectric from the mechanical effects of plasma deposition processes, e.g. can be caused by impinging ions.
  • the invention is also based on the object of specifying a method for producing a microelectronic structure with a hydrogen-sensitive dielectric, in which the protection of the hydrogen-sensitive dielectric is improved.
  • This problem is solved by a method for producing a microelectronic structure which has a hydrogen-sensitive dielectric covered by a hydrogen barrier layer, with the steps: a hydrogen-sensitive dielectric is applied to a substrate; at least one intermediate oxide is applied to the hydrogen-sensitive dielectric in a thickness which is at least five times the thickness of the hydrogen-sensitive dielectric; and - the intermediate oxide is covered with a hydrogen barrier layer.
  • the intermediate oxide is preferably applied by means of spin-on-glass or a TEOS process. It is further preferred if, after the hydrogen barrier layer has been applied, contact holes are etched into the intermediate oxide and the side walls of the contact holes are lined with an insulating layer.
  • the insulating layer can consist of the same material as the hydrogen barrier layer, so that both together take on the function of the hydrogen barrier layer.
  • the hydrogen barrier layer on the other hand, can also consist of a conductive material, in which case the hydrogen barrier layer should be covered by the insulating layer.
  • the insulating layer can be produced from two sub-layers, the first sub-layer being applied to the intermediate oxide or to the hydrogen barrier layer before the etching of the contact holes, but the second sub-layer after the etching of the contact holes is applied conformally to the intermediate oxide, the second sub-layer subsequently is anisotropically etched back to form edge webs lining the side walls of the contact holes.
  • the insulating layer is covered by the first partial layer lying on the surface of the intermediate oxide or the hydrogen barrier layer and by the side walls of the contacts. second sub-layer lining clock holes.
  • the insulating layer preferably consists of silicon nitride.
  • FIG. 1 shows a microelectronic device according to the invention
  • FIGS. 2A-2C individual process steps for producing a microelectronic device according to the invention
  • Figure 3 shows a microelectronic according to the invention
  • Figure 4 shows a microelectronic according to the invention
  • FIG. 1 shows a semiconductor substrate 2 which is covered by an insulation layer 6 through which contact holes 4 pass.
  • the lower electrodes 8 of the individual storage capacitors are located on the insulation layer 6 above the respective contact holes 4.
  • the electrodes 8 consist of a metal electrode 10 and an oxygen barrier layer 12 located between the metal electrode 10 and the respective contact hole 4.
  • the oxygen barrier layer 12 is intended to prevent diffusion of oxygen through the contact holes 4 filled with conductive material to the semiconductor substrate 2. If the contact holes 4 are filled with polysilicon, the oxygen barrier layer 12 prevents this
  • the oxygen barrier layer can also be constructed in multiple layers.
  • a suitable material for producing the oxygen barrier layer is, for example, partially oxidized iridium oxide. If necessary, you can choose between Oxygen barrier layer and the insulation layer 6 adhesive layers are located.
  • the lower electrodes 8 are each covered with a ferroelectric layer 14 and an upper electrode 16 in the form of a metal layer.
  • the ferroelectric layer and the metal layer are each deposited conformally and are preferably structured together using anisotropic etching processes.
  • the upper electrodes 16 then arise from the metal layer structured in this way.
  • the metal electrodes 10 and the upper electrodes 16 preferably consist of a noble metal, such as platinum, or of palladium, iridium, rhenium, osmium or ruthenium.
  • Preferred materials for the ferroelectric layer 14 are strontium bismuth tantalate (SBT, SrBi 2 Ta 2 0 9 ), niobium doped strontium bismuth tantalate (SBTN, SrBi 2 (Ta, Nb) 2 0 9 ), lead zirconium Titanate (Pb (Zr, Ti) 0 3 ) or bismuth titanate (BTO, Bi 4 Ti 3 0 12 ).
  • a paraelectric layer with a high dielectric constant (for example greater than 20, preferably greater than 50) can also be used.
  • a material is, for example, barium strontium titanate (BST, (Ba, Sr) Ti0 3 ).
  • BST, (Ba, Sr) Ti0 3 barium strontium titanate
  • the materials mentioned above are all metal oxide-containing materials of the general ABO x form .
  • the lower electrodes, the ferroelectric layer and the upper electrodes each form a storage capacitor.
  • the storage capacitors are covered with a planarizing layer 18, which here represents the intermediate oxide.
  • the intermediate oxide 18 can be deposited, for example, using an SOG method or using an ozone-activated TEOS method.
  • the SOG process is a low-temperature process in which there can be no damage to plasma or hydrogen.
  • Another advantage of the SOG process is its high level of surface planarization.
  • the TEOS process is also carried out in a hydrogen-free atmosphere.
  • any oxide is suitable as a material for the intermediate oxide 18, even if it is deposited in a hydrogen-containing atmosphere. Such an oxide should, however, offer sufficient permeability to oxygen so that after deposition a recovery anneal can be carried out in an oxygen-containing atmosphere to remove the hydrogen damage in the ferroelectric layer.
  • the intermediate oxide 18 has contact holes 20 which extend either to the upper electrodes 16 or to the semiconductor substrate 2.
  • the contact holes are lined with an insulating layer 22 and filled with a conductive material 24.
  • the insulating layer 22 also simultaneously covers the surface of the intermediate oxide 18.
  • the insulating layer 22 simultaneously forms the hydrogen barrier layer.
  • the lining of the contact holes with the insulating layer 22 serving as a hydrogen barrier layer reduces the lateral diffusion of hydrogen.
  • the contact holes 20 can, for example, also be filled with tungsten, which is usually deposited in a hydrogen-containing atmosphere, or large quantities of hydrogen are released during its deposition.
  • the ferroelectric layer preferably has a thickness of 50-100 nm.
  • the thickness of the intermediate oxide should be at least 300-800 nm. These values are exemplary for a technology with a structure width of 0.25 ⁇ m.
  • the insulating layer 22 serving as a hydrogen diffusion barrier preferably consists of silicon nitride that by means of an LP-CVD (low pressure chemical vapor deposition)
  • FIG. 2A shows a semiconductor substrate 2 with an intermediate oxide 18 located above it.
  • a hydrogen barrier layer is arranged in a first partial layer 28 on the surface of the intermediate oxide 18.
  • the first partial layer 28 and the intermediate oxide 18 were structured together.
  • the first partial layer 28 can be etched first and then the intermediate oxide 18 using the structured partial layer 28 as a mask.
  • Contact holes 20 are created in the intermediate oxide 18 with the etching.
  • a second partial layer 30 is applied in conformity, which in particular covers the side walls of the contact holes 20.
  • the result of this process step is shown in Figure 2B.
  • the second sub-layer 30 is anisotropically etched back, so that only edge webs remain on the side walls of the contact holes. Finally, the contact holes 20 are filled with a conductive material 24.
  • the structure thus obtained is shown in FIG. 2C.
  • the first sub-layer 28 and the second sub-layer 30 together form the hydrogen barrier layer 22.
  • the two-stage process for producing the hydrogen barrier layer 22 serves in particular to completely cover the intermediate oxide 18 with the hydrogen barrier layer except for the bottom regions.
  • the hydrogen barrier layer consists of an electrically conductive material, it must be covered by an insulating layer to avoid short circuits.
  • the hydrogen barrier layer is first applied to the intermediate oxide 18 and then the insulating layer is preferably applied in the form of a first partial layer. Then the first sub-layer of the insulating layer, the hydrogen barrier layer and the intermediate oxide are etched, a second sub-layer is deposited conformally and is etched back anisotropically. This process sequence differs from that shown in FIGS. 2A-2B only in that the hydrogen barrier layer lies below the partial layers 28, 30 which now serve as insulating layer 22.
  • FIG. This is intended to improve the insulation of the conductive hydrogen diffusion barrier from the contact holes.
  • FIG. 4 shows a hydrogen diffusion barrier made of a conductive material and also set back from the side edges of the contact holes.
  • the metallization 32 which preferably consists of aluminum, copper, an aluminum alloy or a copper alloy, sits above the contact holes 20. If the hydrogen barrier layer 26 or the insulating layer 22 extends up to the side edges of the contact holes 20 and even into the contact holes 20, the metallization 32 is also located above these layers.
  • the materials for the hydrogen diffusion barrier come as electrically insulating materials, for example silicon nitride and silicon oxynitride, and as electrically conductive materials, for example TiN, TiSiN, TaN, TaSiN (see, for example, German patent application 100 56 295.7 by the same applicant, to which reference is hereby made in full). in question. LIST OF REFERENCE NUMBERS

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Abstract

Es wird eine mikroelektronische Struktur mit einem verbesserten Schutz eines wasserstoffempfindlichen Dielektrikums vor einer Wasserstoffkontamination vorgeschlagen. Dazu ist vorgesehen, das wasserstoffempfindliche Dielektrikum (14) zumindest mit einem Zwischenoxid (18) zu bedecken, dessen Materialstärke mindestens das Fünffache der Dicke des wasserstoffempfindlichen Dielektrikums beträgt. Das Zwischenoxid (18) dient gleichzeitig als Intermetalldielektrikum, und trägt somit auf seiner Oberseite eine Metallisierung. Das ausreichend dicke Zwischenoxid (18) absorbiert den eventuell bei der Abscheidung einer Wasserstoffbarrierenschicht (22, 26) freiwerdenden Wasserstoff und schützt so das wasserstoffempfindliche Dielektrikum (14).

Description

Beschreibung
Mikroelektronische Struktur mit einer Wasserstoffbarrierenschicht
Die Erfindung liegt auf dem Gebiet der Halbleitertechnologie und betrifft eine mikroelektronische Struktur mit einem Wasserstoffempfindlichen Dielektrikum, das von einer Wasserstoffbarrierenschicht bedeckt ist. Weiterhin betrifft die Er- findung ein Verfahren zu Herstellung einer derartigen mikroelektronischen Struktur.
Bei einer Vielzahl von mikroelektronischen Strukturen werden dieelektrische oder ferroelektrische Schichten verwendet, die empfindlich auf Wasserstoff reagieren. So kann es zum Beispiel bei metalloxidhaltigen ferroelektrischen Schichten dazu kommen, daß die Polarisierbarkeit reduziert und damit die ferroelektrische Schicht in ihrer Funktion eingeschränkt wird.
Die Einwirkung von Wasserstoff läßt sich jedoch bei der Herstellung von Halbleiterprodukten in Form von mikroelektronischen Strukturen kaum verhindern. So sind beispielsweise bei der Konditionierung der Metallisierung und der Transistoren Ausheilschritte in Formiergas (95% N2, 5% H2) erforderlich. Weiterhin werden viele Schichten in wasserstoffhaltiger Atmosphäre abgeschieden, so z.B. Wolfram und Siliziumnitrid. Im Falle von ferroelektrischen Schichten führt die Einwirkung von Wasserstoff nachweislich zu einer Verschlechterung der elektrischen Eigenschaften, insbesondere zu einem erhöhten Leckstrom, Kurzschlüssen und geringerer Polarisation. Sofern die ferroelektrischen Schichten als Kondensatordielektrikum eines Speicherkondensators verwendet werden, kann die Einwirkung von Wasserstoff auch zu einer Verringerung der Haftung der ferroelektrischen Schichten und damit der Speicherkondensatoren auf dem Substrat führen. Um die Einwirkung von Wasserstoff auf wasserstoffempfindliche Schichten zu verringern wurde vorgeschlagen, sogenannte Was- serstoffbarrierenschichten auf die wasserstof empfindlichen Schichten aufzubringen, um letztere bei nachfolgenden Prozeß- schritten in Wasserstoffhaltiger Atmosphäre zu schützen. Im Falle von Speicherkondensatoren wird üblicherweise das Kondensatormodul von einer Wasserstoffbarrierenschicht (encapsu- lation barrier layer, EBL) bedeckt.
So ist es zum Beispiel aus der DE 199 04 379 AI bekannt, die obere Elektroden eines Speicherkondensators mit einer Passivierungsschicht und anschließend mit einer Wasserstoffbarrierenschicht zu bedecken. Die Passivierungsschicht soll dabei die katalytische Spaltung von Ammoniak durch die metallhalti- ge obere Elektrode verhindern, der zur Abscheidung der Passivierungsschicht erforderlich ist. Die katalytische Spaltung von Ammoniak führt zur unmittelbareb Freisetzung von Wasserstoff, der bei unbedeckter oberer Elektrode durch diese bis zum Kondensatordielektrikum hindurch diffundieren kann. Es hat sich jedoch gezeigt, daß diese Passivierungsschicht zwar eine katalytische Spaltung von Ammoniak weitgehend ausschließt, ansonsten jedoch keinen ausreichenden Schutz vor dem durch die Abscheidungsreaktion an sich freiwerdendem Wasserstoff bietet.
Aus der EP 0 513 894 A2 ist ebenfalls bekannt, eine Wasserstoffbarrierenschicht unmittelbar auf das Kondensatormodul und insbesondere auf die von der ferroelektrische Schicht nicht bedeckten Randbereiche der Kondensatorelektroden aufzu- bringen. Sofern die Wasserstoffbarrierenschicht aus einem elektrisch leitenden Material besteht, muß gemäß EP 0 513 894 A2 zwischen der Wasserstoffbarrierenschicht und dem Kondensatormodul eine isolierende Schicht vorgesehen werden.
Das Problem der Wasserstoffdiffusion soll dagegen gemäß US 6,027,947 durch Einkapselung der oberen Kondensatorelektrode mittels des Ferroelektrikums vermindert werden. Es hat sich weiter gezeigt, daß bei der Abscheidung der Wasserstoffbarrierenschichten neben der Gefahr der Kontamination der ferroelektrischen Schicht durch Wasserstoff auch eine Be- lastung durch das bei der Abscheidung nachfolgender Schichten (z.B. Wasserstoffdiffusionsbarriere, Oxidschichten) verwendete Plasma zu beobachten ist. Dabei kann es insbesondere zu elektrostatischen Aufladungen der Kondensatorelektrode und in deren Folge zu einer Schädigung der ferroelektrische Schicht kommen.
Daher liegt der Erfindung die Aufgabe zu Grunde, eine mikroelektronische Struktur anzugeben, bei der diese Schädigungen weitgehend ausgeschlossen sind.
Diese Aufgabe wird bei der eingangs genannten mikroelektronischen Struktur dadurch gelöst, daß zwischen dem wasserstoffempfindlichen Dielektrikum und der Wasserstoffbarrierenschicht zumindest ein Zwischenoxid angeordnet ist, das inde- stens fünfmal so dick wie das wasserstoffempfindliche Dielektrikum ist .
Das Zwischenoxid besitzt erfindungsgemäß eine Mindestdicke, die fünfmal, bevorzugt sogar zehnmal größer als die Dicke des wasserstoffemp indlichen Dielektrikums sein soll. Die Wasserstoffbarrierenschicht liegt somit nicht direkt auf dem wasserstoffempfindlichen Dielektrikum bzw. in dessen unmittelbarer Nähe, sondern ist zumindest durch das Zwischenoxid von diesem getrennt. Die vergleichsweise große Dicke des Zwi- schenoxids sichert, daß der eventuell bei der Abscheidung der Wasserstoffbarrierenschicht entstehende Wasserstoff nicht bis zum wasserstoffempfindlichen Dielektrikum diffundieren kann. Das Zwischenoxid absorbiert einen vergleichsweise hohen Anteil des eindiffundierten Wasserstoffs. Die Absorptionsfähig- keit des Zwischenoxids nimmt mit seiner Dicke zu. Daher ist es bevorzugt, wenn die Dicke des Zwischenoxids deutlich grö- ßer als das Fünffache der Dicke der wasserstoffempfindlichen Schicht ist .
Bevorzugt übernimmt das Zwischenoxid gleichzeitig die Funkti- on eines so genannten Intermetalldielektrikums, d.h., daß auf dem Zwischenoxid eine Metallisierungsschicht angeordnet und in dem Zwischenoxid Kontaktlöcher ausgebildet sind, welche die Metallisierungsschicht mit Funktionselementen unterhalb des Zwischenoxids verbinden. Die Kontaktlöcher sind dabei be- vorzugt mit einem leitfähigen Material gefüllt. Die Wasserstoffbarrierenschicht wird somit aus dem Bereich des wasserstoffempfindlichen Dielektrikums in dem Bereich oberhalb des Zwischenoxids verlagert. Da das Zwischenoxid gleichzeitig die Funktion eines Intermetalldielektrikums übernimmt, kann hier auf die Abscheidung einer zusätzlichen Schicht, wie es der eingangs genannte Stand der Technik verlangt, verzichtet werden, sofern prinzipiell ein Intermetalldielektrikum bei der mikroelektronischen Struktur vorgesehen ist . Dies soll im folgenden am Beispiel eines ferroelektrischen Kondensators einer Speicherzelle eines Halbleiterbauelements näher erläutert werden.
Ein derartiger ferroelektrischer Kondensator sitzt in der Regel auf einer Isolationsschicht, die ihn von dem eigentlichen Halbleitersubstrat t ennt. Der Kondensator besteht dabei aus einer unteren und einer oberen Elektrode und einem dazwischen liegenden ferroelektrischen Dielektrikum. Die untere Elektrode wird über eine in der Isolationsschicht ausgebildete leit- fähigen Verbindung mit dem Halbleitersubstrat verbunden. Die obere Elektroden ist dagegen mit einer Metallisierung elektrisch leitend verbunden, die auf einem den Kondensator planarisierend bedeckenden Intermetalldielektrikum angeordnet ist. Die Verbindung zwischen der Metallisierung und der oberen Elektrode wird durch mit leitfähigem Material gefüllte Kontaktlöcher hergestellt. Auf ein derartiges Intermetalldielektrikum, das gleichzeitig als Zwischenoxid dient, wird erfindungsgemäß die Wasserstoff- barrierenschicht aufgebracht, so daß diese nicht mehr wie im Stand der Technik unterhalb, sondern oberhalb des Interme- talldielektrikums angeordnet ist. Die damit verbundenen Vorteile sind einerseits eine verbesserte Wasserstoffabsorption und andererseits ein verbesserter Schutz gegenüber von einem Plasma induzierte Schädigungen. Insbesondere bietet die ausreichende Dicke des Intermetalldielektrikums bzw. des Zwi- schenoxids eine ausreichenden Schutz vor Wasserstoff. Darüber hinaus schützt das Intermetalldielektrikum bzw. das Zwischenoxid die Kondensatorelektroden vor einer elektrostatischen Aufladung bei der Plasmaabscheidung der Wasserstoffbarrierenschicht .
Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß bei der erfindungsgemäßen mikroelektronischen Struktur ein so genannte Recovery- Anneal nach der Abscheidung des Zwischenoxids durchgeführt werden kann, um vor Abscheidung der Wasserstoffbarrieren- schicht eventuell entstandene Schädigungen in der wasserstoffempfindlichen Schicht zu beseitigen. Eine so ausgeheilte wasserstoffempfindliche Schicht ist bei der nachfolgenden Abscheidung der Wasserstoffbarrierenschicht durch das relativ dicke Zwischenoxid ausreichend geschützt.
Bevorzugt handelt es sich bei dem Zwischenoxid um eine Siliziumoxidschicht, die mittels eines TEOS-Verfahrens oder mit einem SOG- (Spin-on-glas) Verfahren aufgebracht wird. Der Vorteil dieser Verfahren besteht darin, daß sie in ammoniakfrei- er Atmosphäre durchgeführt werden. So kann zum Beispiel das TEOS-Verfahren lediglich ozonaktiviert erfolgen. Ein weiterer Vorteil besteht in einer Planarisierung der Oberfläche der mikroelektronischen Struktur durch das Zwischenoxid. Die Planarisierung erleichtert die nachfolgenden Prozeßschritte. Daher ist das Zwischenoxid bevorzugt eine planarisierende Schicht . Bevorzugt kleidet die Wasserstoffbarrierenschicht auch die Seitenwände der Kontaktlöcher aus, um ein seitliches Eindringen von Wasserstoff in das Zwischenoxid zu verhindern. Die Wasserstoffbarrierenschicht kann sowohl aus einem isolieren- den als auch aus einem elektrisch leitenden Material bestehen. Sofern ein elektrisch leitendes Material verwendet wird, sollte dieses bevorzugt von einer isolierenden Schicht bedeckt werden, um eventuelle Kurzschlüsse zur Metallisierung zu vermeiden. Zur weiteren Verbesserung der elektrischen Iso- lation der aus einem elektrisch leitfähigen Material hergestellten Wasserstoffbarrierenschicht gegenüber kann die Wasserstoffbarrierenschicht von den Rändern der Kontaktlöcher zurückgezogen sein.
Bevorzugt ist das wasserstoffempfindliche Dielektrikum eine metalloxidhaltige Schicht, die ein Paraelektrikum oder ein Ferroelektrikum darstellt . Die metalloxidhaltige Schicht weist dabei bevorzugt die allgemeine Form AB0X auf, wobei A für wenigstens ein Metall aus der Gruppe Barium (Ba) , Stron- tiu (Sr) , Wismut (Bi) , Blei (Pb) , Zirkon (Zr) , Lanthan (La) , Niob (Mb) , Kalium (K) oder Kalzium (Ca) , B für Titan (Ti) , Tantal (Ta) , Niob (Nb) oder Ruthenium (Ru) und O für Sauerstoff (0) steht.
Weiterhin ist bevorzugt, wenn das wasserstoffempfindliche Dielektrikum als Kondensatordielektrikum dient und zwischen zwei metallhaltigen Elektroden angeordnet ist, wobei eine der beiden Elektroden zwischen dem wasserstoffempfindlichen Dielektrikum und dem Zwischenoxid angeordnet ist. Die Kondensa- torelektroden bestehen dabei bevorzugt aus Platin (Pt) , Ruthenium (Ru) , Rhenium (Re) , Rhodium (Rh) , Palladium (Pa) , Iridium (Ir) , Iridiumoxid, Rutheniumoxid, Strontium- Rutheniumoxid oder einer Legierung dieser Materialien.
Die Dicke des Zwischenoxids hängt stark von der bei der Herstellung der mikroelektronischen Struktur verwendeten Struk- turgrδße ab. Je kleiner die Strukturgröße (die minimal er- reichbare lithografische Auflösung) ist, desto geringer wird in der Regel die Schichtdicke der einzelnen Funktionsschichten sein. Im Falle von dynamischen Halbleiterspeichern liegt dies daran, daß ein Speicherkondensatoren stets eine Mindest- ladung speichern muß, und dies bei verkleinerten Strukturen und damit verkleinerter Oberfläche nur durch eine Verringerung der Schichtdicke des Kondensatordielektrikums erreichbar ist. Mit der Verkleinerung der Strukturen müssen in der Regel grundsätzlich auch alle anderen Schichten dünner ausgeführt werden. Bei den derzeit gängigen Strukturgroßen zwischen 0,25 und 0,17 μm sollte das Zwischenoxid eine Schichtdicke von größer 200 nm haben. Bevorzugt ist das Zwischenoxid sogar dicker als 400 nm. Je dicker das Zwischenoxid ausgebildet wird, desto stärker tritt dessen schützende Wirkung in den Vordergrund. Bei zukünftigen Strukturgröße von 0,1 μm und darunter kann das Zwischenoxid eine geringere Schichtdicke als 200 nm aufweisen, da die Wasserstoffbarrierenschicht selbst ebenfalls dünner ausgebildet wird und damit sich die Abscheidungszeit in wasserstoffhaltiger Atmosphäre verrin- gert.
Als weiterer Vorteil zeigte sich, daß die Haftung des wasserstoffempfindlichen Dielektrikums aufgrund der schützenden Wirkung des dicken Zwischenoxids in Verbindung mit der Was- serstoffdiffusionsbarriere auch nach einem Formiergas-Anneal gleichbleibend gut bleibt . Ein Ablösen einzelner Schichten konnte nicht beobachtet werden. Darüber hinaus schützt das dicke Zwischenoxid das darunter liegende wasserstoffempfindliche Dielektrikum auch vor den mechanischen Auswirkungen von Plasmaabscheideprozesse, die z.B. durch auftreffende Ionen hervorgerufen werden können.
Der Erfindung liegt weiterhin die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zu Herstellung einer mikroelektronischen Struktur mit einem wasserstoffempfindlichen Dielektrikum anzugeben, bei dem der Schutz des wasserstoffempfindlichen Dielektrikums verbessert ist. Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zu Herstellung einer mikroelektronischen Struktur, die ein von einer Wasserstoffbarrierenschicht bedecktes wasserstoffempfindliches Dielektrikum aufweist, mit den Schritten: ein wasserstoffempfindliches Dielektrikum wird auf ein Substrat aufgebracht; auf das wasserstoffempfindliche Dielektrikum wird zumindest ein Zwischenoxid in einer Dicke aufgebracht, die mindestens das fünffache der Dicke des wasserstoffempfindlichen Dielektrikums beträgt; und - das Zwischenoxid wird mit einer Wassersto fbarrierenschicht bedeckt .
Bevorzugt wird das Zwischenoxid mittels Spin-on-glas oder einem TEOS-Verfahren aufgebracht. Weiterhin ist bevorzugt, wenn nach Aufbringen der Wasserstoffbarrierenschicht in das Zwischenoxid Kontaktlöcher geätzt und die Seitenwände der Kontaktlöcher mit einer isolierenden Schicht ausgekleidet werden. Die isolierende Schicht kann dabei aus demselben Material wie die Wasserstoffbarrierenschicht bestehen, so daß beide zusammen die Funktion der Wasserstoffbarrierenschicht übernehmen. Die Wasserstoffbarrierenschicht kann dagegen auch aus einem leitfähigen Material bestehen, wobei in diesem Fall die Wasserstoffbarrierenschicht von der isolierenden Schicht bedeckt sein sollte.
Grundsätzlich kann die isolierende Schicht aus zwei Teilschichten hergestellt werden, wobei die erste Teilschicht auf das Zwischenoxid bzw. auf die Wasserstoffbarrierenschicht vor der Ätzung der Kontaktlöcher, die zweite Teilschicht jedoch nach der Ätzung der Kontaktlöcher konform auf das Zwischenoxid aufgebracht wird, wobei die zweite Teilschicht anschließend anisotrop zur Bildung von die Seitenwände der Kontaktlöcher auskleidende Randstege zurückgeätzt wird. In diesem Fall wird die isolierende Schicht von der auf der Ober- fläche des Zwischenoxids bzw. der Wasserstoffbarrierenschicht liegenden ersten Teilschicht und der die Seitenwände der Kon- taktlöcher auskleidenden zweiten Teilschicht gebildet. Bevorzugt besteht die isolierende Schicht aus Siliziumnitrid.
Nachfolgend soll die Erfindung an Hand eines zeichnerisch in Figuren dargestellten Ausführungsbeispiels erläutert werden. Es zeigt: Figur 1 eine erfindungsgemäße mikroelektronische
Struktur, Figuren 2A-2C einzelne Verfahrensschritte zu Herstellung einer erfindungsgemäßen mikroelektronischen
Struktur, Figur 3 eine erfindungsgemäße mikroelektronische
Struktur mit von den Rändern der Kontaktlöcher zurückgezogener Wasserstoffbarrieren- schicht und einer isolierenden Schicht, und
Figur 4 eine erfindungsgemäße mikroelektronische
Struktur mit aufgebrachter Metallisierung.
Figur 1 zeigt ein Halbleitersubstrat 2 das von einer mit Kon- taktlöchern 4 durchsetzten Isolationsschicht 6 bedeckt ist.
Auf der Isolationsschicht 6 oberhalb der jeweiligen Kontaktlöcher 4 befinden sich die unteren Elektroden 8 der einzelnen Speicherkondensatoren. Die Elektroden 8 bestehen dabei aus einer Metallelektrode 10 und einer zwischen der Metallelek- trode 10 und dem jeweiligen Kontaktloch 4 befindlichen Sauerstoffbarrierenschicht 12. Die Sauerstoffbarrierenschicht 12 soll eine Diffusion von Sauerstoff durch die mit leitfähigen Material gefüllten Kontaktlöcher 4 zum Halbleitersubstrat 2 verhindern. Sofern die Kontaktlöcher 4 mit Polysilizium ge- füllt sind, verhindert die Sauerstoffbarrierenschicht 12 die
Oxidation von Polysilizium und sichert daher, daß die Kontaktlöcher 4 nicht von einer isolierenden Siliziumoxidschicht bedeckt sind. Die Sauerstoffbarrierenschicht kann auch mehrlagig aufgebaut sein. Ein geeignetes Material zur Herstellung der Sauerstoffbarrierenschicht ist zum Beispiel teilweise oxidiertes Iridiumoxid. Gegebenenfalls können sich zwischen Sauerstoffbarrierenschicht und der Isolationsschicht 6 Haft- vermittlungsschichten befinden.
Die unteren Elektroden 8 sind jeweils mit einer ferroelektri- sehe Schicht 14 und einer oberen Elektrode 16 in Form einer Metallschicht bedeckt. Die ferroelektrische Schicht und die Metallschicht werden jeweils konform abgeschieden und bevorzugt gemeinsam mittels anisotroper Ätzverfahren strukturiert. Aus der so strukturierten Metallschicht entstehen dann die oberen Elektroden 16.
Bevorzugt bestehen die Metallelektroden 10 und die oberen Elektroden 16 aus einem Edelmetall, wie zum Beispiel Platin, oder aus Palladium, Iridium, Rhenium, Osmium oder Ruthenium. Bevorzugte Materialien für die ferroelektrische Schicht 14 sind Strontium-Wismut-Tantalat (SBT, SrBi2Ta209) , Niobium dotiertes Strontium-Wismut-Tantalat (SBTN, SrBi2 (Ta,Nb) 209) , Blei-Zirkon-Titanat (Pb (Zr,Ti)03) oder Wismut-Titanat (BTO, Bi4Ti3012) . Anstelle einer ferroelektrischen Schicht kann auch eine paraelektrische Schicht mit einer hohen Dielektrizitätskonstante (z.B. größer als 20, bevorzugt größer als 50) verwendet werden. Ein derartiges Material ist zum Beispiel Bari- um-Strontium-Titanat (BST, (Ba,Sr) Ti03) . Bei den vorstehend genannten Materialien handelt es sich durchweg um metalloxid- haltigen Materialien der allgemeinen Form ABOx.
Die unteren Elektroden, die ferroelektrische Schicht und die oberen Elektroden bilden zusammen jeweils einen Speicherkondensator. Die Speicherkondensatoren sind mit einer planari- sierenden Schicht 18 bedeckt, die hier das Zwischenoxid darstellt. Das Zwischenoxid 18 kann zur Vermeidung von Wasserstoff- und Plasmaschäden zum Beispiel mit einem SOG-Verfahren oder mit einem ozonaktivierten TEOS-Verfahren abgeschieden werden. Das SOG-Verfahren ist ein Niedertemperatur-Verfahren, bei dem es weder zu Plasma- nach zu WasserstoffSchädigungen kommen kann. Ein weiterer Vorteil des SOG-Verfahrens liegt in seiner hohen Planarisierung der Oberfläche. Bei einem ozonak- tivierten TEOS-Verfahren wird ebenfalls in einer wasserstofffreien Atmosphäre gearbeitet. Grundsätzlich eignet sich jedes Oxid als Material für das Zwischenoxid 18, auch wenn es in einer wasserstoffhaltigen Atmosphäre abgeschieden wird. Ein derartiges Oxid sollte jedoch eine ausreichende Durchlässigkeit für Sauerstoff bieten, damit nach Abscheidung ein Reco- very-Anneal in sauerstoffhaltiger Atmosphäre zur Beseitigung der Wasserstoffschäden in der ferroelektrischen Schicht durchgeführt werden kann.
Das Zwischenoxid 18 weist Kontaktlöcher 20 auf, die sich entweder bis zu den oberen Elektroden 16 oder bis zum Halbleitersubstrat 2 erstrecken. Die Kontaktlöcher sind mit einer isolierenden Schicht 22 ausgekleidet und mit einem leitfähi- gen Material 24 gefüllt . Die isolierende Schicht 22 bedeckt gleichzeitig auch die Oberfläche des Zwischenoxids 18. Die isolierende Schicht 22 bildet gleichzeitig die Wasserstoffbarrierenschicht. Die Auskleidung der Kontaktlöcher mit der als Wasserstoffbarrierenschicht dienenden isolierenden Schicht 22 vermindert eine seitliche Eindiffusion von Wasserstoff. Dadurch können die Kontaktlδcher 20 zum Beispiel auch mit Wolfram gefüllt werden, das üblicherweise in einer wasserstoffhaltigen Atmosphäre abgeschieden wird, bzw. bei dessen Abscheidung große Mengen an Wasserstoff freigesetzt wer- den.
Bevorzugt weist die ferroelektrische Schicht eine Dicke von 50 - 100 nm auf. Dagegen sollte die Dicke des Zwischenoxids mindestens 300 - 800 nm betragen. Diese Werte sind beispiel- haft für eine Technologie mit einer Strukturbreite von 0,25 μm.
Die als Wasserstoffdiffusionsbarriere dienende isolierende Schicht 22 besteht bevorzugt aus Siliziumnitrid, daß mittels eines LP-CVD(low pressure chemical vapour deposition) -
Verfahrens abgeschieden wird. Siliziumnitrid sollte dabei möglichst stöchiometrisch vorliegen. Nachfolgend sollen einzelne Verfahrensschritte des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens näher erläutert werden. In Figur 2A ist ein Halbleitersubstrat 2 mit darüber befind- lichem Zwischenoxid 18 dargestellt. Auf der Oberfläche des Zwischenoxids 18 ist eine Wasserstoffbarrierenschicht in einer ersten Teilschicht 28 angeordnet. Die erste Teilschicht 28 und das Zwischenoxid 18 wurden gemeinsam strukturiert. Alternativ kann auch die die erste Teilschicht 28 zuerst und nachfolgend das Zwischenoxid 18 unter Verwendung der strukturierten Teilschicht 28 als Maske geätzt werden. Mit der Ätzung werden Kontaktlöcher 20 in dem Zwischenoxid 18 geschaffen.
Nach erfolgter Ätzung wird konform eine zweite Teilschicht 30 aufgebracht, welche insbesondere die Seitenwände der Kontaktlöcher 20 bedeckt. Das Ergebnis dieses Prozeßschritts ist in Figur 2B dargestellt .
Nachfolgend wird die zweite Teilschicht 30 anisotrop zurückgeätzt, so daß lediglich Randstege an den Seitenwänden der Kontaktlöcher verbleiben. Schließlich werden die Kontaktlöcher 20 mit einem leitfähigen Material 24 gefüllt. Die so erhaltene Struktur zeigt Figur 2C. Die erste Teilschicht 28 und die zweite Teilschicht 30 bilden zusammen die Wasserstoffbarrierenschicht 22. Das zweistufige Verfahren zu Herstellung der Wasserstoffbarrierenschicht 22 dient insbesondere dazu, das Zwischenoxid 18 bis auf die Bodenbereiche vollständig mit der Wasserstoffbarrierenschicht zu bedecken.
Sofern die Wasserstoffbarrierenschicht aus einem elektrisch leitfähigen Material besteht, muß diese zur Vermeidung von Kurzschlüssen von einer isolierenden Schicht bedeckt werden. In diesem Fall wird auf das Zwischenoxid 18 zunächst die Was- serstoffbarrierenschicht und anschließend die isolierende Schicht bevorzugt in Form einer ersten Teilschicht aufgebracht. Anschließend werden die erste Teilschicht der isolie- renden Schicht, die Wasserstoffbarrierenschicht und das Zwischenoxid geätzt, eine zweite Teilschicht konform abgeschieden und anisotrop zurückgeätzt. Dieser Verfahrensablauf unterschiedet sich von dem in den Figuren 2A - 2B gezeigten le- diglich dahingehend, daß die Wasserstoffbarrierenschicht unterhalb der nunmehr als isolierende Schicht 22 dienenden Teilschichten 28, 30 liegt.
Eine diesbezügliche Struktur zeigt Figur 3. Dort ist die aus einem leitfähigen Material bestehende Wasserstoffdiffusionsbarriere 26 zusätzlich seitlich von den Rändern der Kontaktlöcher 20 zurückgesetzt. Damit soll die Isolation der leitfähigen Wasserstoffdiffusionsbarriere gegenüber den Kontaktlöchern verbessert werden.
Schließlich zeigt Figur 4 eine ebenfalls von den Seitenrändern der Kontaktlöcher zurückgesetzte Wasserstoffdiffusionsbarriere aus einem leitfähigen Material . Oberhalb der Kontaktlöcher 20 sitzt die Metallisierung 32, die bevorzugt aus Aluminium, Kupfer, einer Aluminiumlegierung oder einer Kupferlegierung besteht . Sofern die Wasserstoffbarrierenschicht 26 bzw. die isolierende Schicht 22 bis zu den Seitenrändern der Kontaktlöcher 20 und sogar in die Kontaktlöcher 20 hineinragt sitzt die Metallisierung 32 auch oberhalb dieser Schichten.
Als Materialien für die Wasserstoffdiffusionsbarriere kommen als elektrisch isolierende Materialien z.B. Siliziumnitrid uns Siliziumoxynitrid, und als elektrisch leitenden Materia- lien z.B. TiN, TiSiN, TaN, TaSiN (siehe z.B. deutsche Patentanmeldung 100 56 295.7 der gleichen Anmelderin, auf die hier vollinhaltlich Bezug genommen wird) in Frage. Bezugszeichenliste
2 Halbleitersubstrat
4 Kontaktloch 6 Isolationsschicht
8 untere Elektrode
10 Metallelektrode
12 Sauerstoffbarrierenschicht
14 ferroelektrische Schicht/paraelektrische Schicht/metalloxidhaltige Schicht
16 obere Elektrode
18 Zwischenoxid
20 Kontaktloch
22 isolierende Schicht/Wasserstoffbarrierenschicht 24 leitfähiges Material
26 Wasserstoffbarrierenschicht
28 erste Teilschicht
30 zweite Teilschicht/Randstege 32 Metallisierung

Claims

Patentansprüche
1. Mikroelektronische Struktur mit einem wasserstoffempfindlichen Dielektrikum (14) , das von einer Wasserstoffbarrieren- Schicht (22, 26) bedeckt ist, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem wasserstoffempfindlichen Dielektrikum (14) und der Wasserstoffbarrierenschicht (22, 26) zumindest ein Zwischenoxid (18) angeordnet ist, das mindestens fünfmal so dick wie das wasserstoffempfindliche Dielektrikum (14) ist.
2. Mikroelektronische Struktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß im Zwischenoxid (18) mit leitfähigem Material (24) gefüllte Kontaktlöcher (20) angeordnet sind.
3. Mikroelektronische Struktur nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Zwischenoxid (18) eine Spin-on-glas oder eine TEOS- Schicht ist.
4. Mikroelektronische Struktur nach einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Wasserstoffbarrierenschicht (22, 26) aus einem elektrisch isolierenden Material besteht.
5. Mikroelektronische Struktur nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Wasserstoffbarrierenschicht (22, 26) aus Siliziumnitrid besteht .
6. Mikroelektronische Struktur nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Wasserstoffbarrierenschicht (22) die Seitenwände der Kon- taktlöcher (20) auskleidet.
7. Mikroelektronische Struktur nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Wasserstoffbarrierenschicht (26) aus einem elektrisch leitenden Material besteht .
8. Mikroelektronische Struktur nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Wasserstoffbarrierenschicht (26) von den Rändern der Kon- taktlöcher (20) beabstandet ist.
9. Mikroelektronische Struktur nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Wasserstoffbarrierenschicht (26) von einer isolierenden Schicht (22, 28, 30) bedeckt ist, die die Seitenwände der Kontaktlöcher (20) auskleidet.
10. Mikroelektronische Struktur nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das wasserstoffempfindliche Dielektrikum (14) eine metalloxidhaltige Schicht ist.
11. Mikroelektronische Struktur nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die metalloxidhaltige Schicht (14) ein Ferroelektrikum oder ein Paraelektrikum ist .
12. Mikroelektronische Struktur nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß die metalloxidhaltige Schicht (14) die allgemeine Form ABOx aufweist, wobei A für wenigstens ein Metall aus der Gruppe Barium (Ba) , Strontium (Sr) , Wismut (Bi) , Blei (Pb) , Zirkon (Zr) , Lanthan (La) , Niob (Nb) , Kalium (K) oder Kalzium (Ca) , B für Titan (Ti) , Tantal (Ta) , Niob (Nb) oder Ruthenium (Ru) und O für Sauerstoff (O) steht.
13. Mikroelektronische Struktur nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das wasserstoffempfindliche Dielektrikum (14) als Kondensa- tordielektrikum dient und zwischen zwei metallhaltigen Elektroden (8, 16) angeordnet ist, wobei eine der beiden Elektroden (8, 16) zwischen dem wasserstoffempfindlichen Dielektrikum (14) und dem Zwischenoxid (18) angeordnet ist.
14. Mikroelektronische Struktur nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die metallhaltigen Elektroden (8, 16) aus Platin (Pt) , Ruthenium (Ru) , Rhenium (Re) , Rhodium (Rh) , Palladium (Pa) , Iridium (Ir) , Iridiumoxid, Rutheniumoxid, Strontium-Rutheniumoxid oder einer Legierung dieser Materialien besteht.
15. Verfahren zu Herstellung einer mikroelektronischen Struktur, die ein von einer Wasserstoffbarrierenschicht (22, 26) bedecktes wasserstoffempfindliches Dielektrikum (14) auf- weist, mit den Schritten: ein wasserstoffempfindliches Dielektrikum (14) wird auf ein Substrat (2, 6) aufgebracht; auf das wasserstoffempfindliche Dielektrikum (14) wird zumindest ein Zwischenoxid (18) in einer Dicke aufgebracht, die mindestens das fünffache der Dicke des wasserstoffempfindlichen Dielektrikums (14) beträgt; und das Zwischenoxid (18) wird mit einer Wasserstoffbarrierenschicht (22, 26) bedeckt.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß das Zwischenoxid (18) mittels Spin-on-glas oder einem TEOS-
Verfahren aufgebracht wird.
17. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, daß nach Aufbringen der Wasserstoffbarrierenschicht (22, 26) in das Zwischenoxid (18) Kontaktlöcher (20) geätzt und die Seitenwände der Kontaktlöcher (20) mit einer isolierenden Schicht 22, 30) ausgekleidet werden.
18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierende Schicht (22, 28, 30) aus dem gleichen Material wie die Wasserstoffbarrierenschicht (22, 26) besteht und beide zusammen die Wasserstoffbarrierenschicht bilden.
19. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Wasserstoffbarrierenschicht (26) aus einem elektrisch leitenden Material besteht, das von der isolierenden Schicht (22, 28, 30) bedeckt ist.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierende Schicht (22) aus zwei Teilschichten (28, 30) hergestellt wird, wobei die erste Teilschicht (28) auf das Zwischenoxid (18) bzw. auf die Wasserstoffbarrierenschicht (26) vor der Ätzung der Kontaktlöcher (20) und die zweite Teilschicht (30) nach der Ätzung der Kontaktlöcher (20) kon- form auf das Zwischenoxid (18) und die erste Teilschicht (28) aufgebracht wird, wobei die zweite Teilschicht (30) anschließend anisotrop zur Bildung von die Seitenwände der Kontaktlöcher (20) auskleidende Randstege (30) zurück geätzt wird.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierende Schicht (22, 28, 30) aus Siliziumnitrid besteht .
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß das wasserstoffempfindliche Dielektrikum (14) von einer metalloxidhaltige Schicht der allgemeine Form ABOx gebildet wird, wobei A für wenigstens ein Metall aus der Gruppe Barium (Ba) , Strontium (Sr) , Wismut (Bi) , Blei (Pb) , Zirkon (Zr) , Lanthan (La) , Niob (Nb) , Kalium (K) oder Kalzium (Ca) , B für Titan (Ti) , Tantal (Ta) , Niob (Nb) oder Ruthenium (Ru) und O für Sauerstoff (O) steht.
23. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß auf das wasserstoffempfindliche Dielektrikum (14) eine metallhaltige Elektrode (16) aufgebracht wird, die von dem Zwischenoxid (18) bedeckt wird.
24. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß die metallhaltige Elektrode (16) aus Platin (Pt) , Ruthenium (Ru) , Rhenium (Re) , Rhodium (Rh) , Palladium (Pa) , Iridium (Ir) , Iridiumoxid, Rutheniumoxid, Strontium-Rutheniumoxid oder einer Legierung dieser Materialien besteht.
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