JP3265593B2

JP3265593B2 - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP3265593B2
Application number: JP25516791A
Authority: JP
Inventors: 豊和藤居; 康志内藤
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1991-10-02
Filing date: 1991-10-02
Publication date: 2002-03-11
Anticipated expiration: 2017-03-11
Also published as: JPH0594964A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ｐ＋拡散層領域と、ｐ
＋ポリサイド配線と、ｐ＋ポリサイド配線の上あるいは
下の層間絶縁膜として用いたＢＰＳＧ膜とを具備する構
造において、ｐ＋拡散層領域とｐ＋ポリサイド配線の間
にコンタクトが形成されている半導体装置の製造方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ダイナミック・ランダム・アクセ
ス・メモリ（ＤＲＡＭ）のビットラインの配線材料とし
て、ポリシリコンとシリサイドの多層膜（ポリサイド
膜）が使用されている。このポリサイド配線をビットラ
インだけではなく、周辺回路にも用いることを特徴とす
る半導体装置が、特開平１ー１８６６５５号公報に記載
されている。この方法では、ｎ＋ポリシリコンとタング
ステンシリサイドの多層膜（ｎ＋ポリサイド配線）、お
よびｐ＋ポリシリコンとタングステンシリサイドの多層
膜（ｐ＋ポリサイド配線）の双方を用い、それぞれｎ＋
拡散層領域およびｐ＋拡散層領域にコンタクトをとって
いる。

【０００３】また、従来よりポリサイド配線の下および
上の層間絶縁膜として、リンを含むシリコン酸化膜（Ｐ
ＳＧ膜）あるいはリンおよびボロンを含むシリコン酸化
膜（ＢＰＳＧ膜）が用いられている。これらの絶縁膜
は、軟化温度以上の熱処理を行うことにより絶縁膜の表
面が平坦化し、その後の配線工程が容易になるという利
点がある。特に、ＢＰＳＧ膜は、９００℃以下の温度で
平坦化するため、層間絶縁膜として最も良く使用されて
いる。

【０００４】しかし、ポリシリコン配線を具備する半導
体装置においては、ＢＰＳＧ膜を層間絶縁膜として用い
た場合、ＢＰＳＧ膜中のリンあるいはボロンが、ポリシ
リコン膜中に拡散し、配線抵抗およびコンタクト抵抗を
高くする。このため、ポリシリコン膜とＢＰＳＧ膜の間
に、拡散防止膜を存在させることを特徴とする半導体装
置が、特開平３ー１０４１３９号公報に報告されてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来ＤＲＡＭのビット
ラインにポリサイド配線として使用されていたｎ＋ポリ
サイド配線およびｎ＋拡散層では、ＢＰＳＧ膜を直接ポ
リサイド配線と接触させてもｎ＋ポリサイド配線とｎ＋
拡散層とのコンタクト抵抗は安定していた。しかし、ｐ
＋ポリサイド配線およびｐ＋拡散層を用いる場合、コン
タクト抵抗が高くなるという問題を有している。

【０００６】この原因として第１に、ＢＰＳＧ膜中のｎ
型不純物であるリンがｐ＋ポリシリコン中に拡散するこ
とでキャリアとしての電子をｐ＋ポリシリコン中に発生
させ、この電子がｐ＋ポリシリコン中のキャリアである
ホールと再結合する。このためｐ＋ポリシリコン中のホ
ールの密度が低下し、ｐ＋ポリシリコンの抵抗が高くな
り、その結果、ｐ＋ポリサイド配線とｐ＋拡散層領域と
のコンタクト抵抗が高くなることが考えられる。第２
に、ｐ＋ポリシリコン中のｐ型不純物であるボロンがＢ
ＰＳＧ膜とシリサイドの界面に偏析しｐ＋ポリシリコン
中のボロン濃度が低下する。ここで、ボロンが偏析する
ことによりシリサイド中のボロン濃度が低下すると、シ
リサイド中のボロンの拡散速度は非常に速いため、ｐ＋
ポリシリコン中のボロン濃度も低下する。このため、ｐ
＋ポリシリコン中のキャリアとしてのホール密度が同様
に低下し、ｐ＋ポリシリコンの抵抗が高くなり、その結
果、ｐ＋ポリサイド配線とｐ＋拡散層領域とのコンタク
ト抵抗が高くなることが考えられる。これに対し、ｎ＋
ポリサイド配線とｎ＋拡散層領域とのコンタクト抵抗が
高くならないのは、ｎ＋ポリサイド配線では、リンの拡
散によりｎ＋ポリシリコン中にキャリアの電子が発生し
てもキャリアとしての電子の密度は低下せず、また、ｎ
＋ポリサイド中のｎ型不順物であるヒ素は、ボロンより
拡散速度が遅いため、ヒ素濃度が低下せずキャリアとし
ての電子の密度が低下しないためと考えられる。このよ
うに、ｐ＋ポリサイド配線を用いるときは、ｐ＋ポリサ
イド配線とＢＰＳＧ膜の間の相互拡散が、抵抗増大の原
因である。

【０００７】しかしながら、ＢＰＳＧ膜にコンタクトホ
ールを開口した後、全面に第１の拡散防止膜としてシリ
コン酸化膜を堆積し、その後フォトマスクを用いて、コ
ンタクトホール部のみのシリコン酸化膜をエッチングす
る、特開平３ー１０４１３９号公報の方法では、最初に
ＢＰＳＧ膜にコンタクトホールを開口するためのフォト
マスクと、次にシリコン酸化膜をエッチングするフォト
マスクの重ね合わせ精度に、コンタクト抵抗が大きく依
存するという問題を有している。フォトマスクの重ね合
わせ余裕を考慮することが必要となるため、重ね合わせ
余裕分コンタクトサイズを小さくしなければならなくな
り、サブミクロンコンタクトには使用できない。

【０００８】また、ポリシリコン配線を酸化し表面に第
３の拡散防止膜としてシリコン酸化膜を形成する、特開
平３ー１０４１３９号公報の方法は、ポリサイド配線に
は使用できない。これは、高融点金属シリサイドは異常
酸化しやすく、酸化膜厚均一性を制御することが非常に
難しいからである。例えば、タングステンシリサイドを
酸化したとき、タングステン酸化物は非常に不均一に発
生し、さらに、酸化することにより体積が３倍にも増加
する。このため、酸化した後のタングステンシリサイド
の表面凹凸は配線膜厚の２倍にもなり、さらに配線がシ
ョートするという問題を有している。

【０００９】本発明は上記問題点に鑑み、ＢＰＳＧ膜の
熱処理を行っても、ｐ＋ポリサイド配線とｐ＋拡散層と
のコンタクト抵抗が高くならない半導体装置の製造方法
を提供するものである。

【００１０】

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めの本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に
形成されたｐ＋拡散層領域と、前記ｐ＋拡散層領域上に
形成された第１のＢＰＳＧ膜と、前記第１のＢＰＳＧ膜
に開口されたコンタクトホールと、前記第１のＢＰＳＧ
膜上に形成された第１の拡散防止膜と、前記コンタクホ
ール内の前記第１のＢＰＳＧ膜の側壁に形成された第２
の拡散防止膜と、前記コンタクホールを通じて前記ｐ＋
拡散層領域と電気的に接続するための配線として形成さ
れたｐ＋ポリサイド配線と、前記ｐ＋ポリサイド配線の
上に形成された第２のＢＰＳＧ膜とを具備する半導体装
置の製造方法において、前記ｐ＋ポリサイド配線を形成
した後、少なくとも前記ｐ＋ポリサイド配線を覆う第３
の拡散防止膜を形成し、その後前記第３の拡散防止膜上
に前記第２のＢＰＳＧ膜を堆積し熱処理を行う工程を有
し、前記第３の拡散防止膜が、前記ｐ＋ポリサイド配線
を形成した後、アンモニア雰囲気中で熱処理を行うある
いは窒素雰囲気中でプラズマ処理を行うことで形成し
た、前記ｐ＋ポリサイド配線の高融点金属シリサイド部
分の表面の高融点金属窒化膜、および前記ｐ＋ポリシリ
コン配線のｐ＋ポリシリコン部分の表面のシリコン窒化
膜であることを特徴とする。

【００１２】

【作用】本発明は上記した拡散防止膜が存在する構成に
より、ＢＰＳＧ膜の熱処理を行っても、ＢＰＳＧ膜中の
リンがｐ＋ポリサイド配線中に拡散することがない。こ
のため、ｐ＋ポリサイド配線とｐ＋拡散層領域とのコン
タクト抵抗は高くならない。また、シリコン窒化膜ある
いはタングステン窒化膜を拡散防止膜として用いた場
合、ｐ＋ポリサイド配線中のボロンが拡散防止膜とシリ
サイドの界面に偏析することがないため、ｐ＋ポリサイ
ド配線中のボロン濃度が低下しない。このため、ｐ＋ポ
リサイド配線とｐ＋拡散層領域とのコンタクト抵抗はさ
らに安定する。

【００１３】さらに、ｐ＋ポリサイドを窒化すること
で、ｐ＋ポリサイド配線上にのみ拡散防止膜を形成する
ことにより、化学気相成長法により全面にシリコン窒化
膜を拡散防止膜として形成したときに発生する、応力に
よるデバイス特性劣化および配線の信頼性の劣化の発生
の心配はない。また、コンタクト内に拡散防止膜を形成
するときに、重ね合わせ余裕を必要せず、このため、コ
ンタクトホールのサイズを微細化できる。

【００１４】

【実施例】（実施例１）以下本発明の一実施例の半導体
装置の製造方法について、図面を参照しながら説明す
る。図１は本発明の第１の実施例の半導体装置の製造方
法により作成した半導体装置の要部断面構成図である。

【００１５】図１において、１はシリコン基板で（本実
施例ではｎ型基板）、２は素子分離領域、３はｐ＋拡散
層領域、４はシリコン酸化膜、５はＢＰＳＧ膜、６はコ
ンタクトホール、７は第１の拡散防止膜としてＢＰＳＧ
膜５上に形成されたシリコン窒化膜、８は第２の拡散防
止膜としてコンタクトホール６の側壁に形成されたシリ
コン窒化膜、９はｐ＋ポリサイド配線を構成するｐ＋ポ
リシリコン、１０はｐ＋ポリサイド配線を構成するタン
グステンシリサイド、１１は第３の拡散防止膜として形
成されたシリコン窒化膜、１２はＢＰＳＧ膜である。

【００１６】次に、第１の実施例の半導体装置の製造方
法について図２の断面図を参照しながら説明する。

【００１７】図２(a)では、シリコン基板１上に素子分
離領域２を形成した後、ＢＦ₂ ⁺イオンを、加速エネルギ
ー２０ＫｅＶ、ドーズ量１ｘ１０¹⁵ｃｍ^-2の条件でイオ
ン注入を行い、ｐ＋拡散層領域３を形成する。その後、
全面にシリコン酸化膜４を５０ｎｍ、ＢＰＳＧ膜５を４
００ｎｍ順次堆積し、ＢＰＳＧ膜５のフローのために９
００℃・３０分の熱処理を行う。ここで、ＢＰＳＧ膜５
中のボロン濃度は、１０．０ｍｏｌ％Ｂ₂Ｏ₃、リン濃度
は、６．０ｍｏｌ％Ｐ₂Ｏ₅とする。シリコン酸化膜４
は、ＢＰＳＧ膜５中のリンがｐ＋拡散層領域３に拡散す
るのを防ぐ目的のために形成するものであり、拡散を防
ぐことが可能であればシリコン窒化膜等他の膜でも良
い。その後全面に第１の拡散防止膜としてシリコン窒化
膜７を形成し、フォトレジストをマスクとして周知のド
ライエッチング法を用いてコンタクトホール６を開口す
る。このとき、第１の拡散防止膜として、シリコン窒化
膜の変わりにシリコン酸化膜を用いても良い。

【００１８】図２(b)では、第２の拡散防止膜として全
面にシリコン窒化膜８を５０ｎｍ堆積する。このとき、
第２の拡散防止膜として、シリコン窒化膜の変わりにシ
リコン酸化膜を用いても良い。

【００１９】図２(c)では、その後、全面を異方性エッ
チングをすることにより、コンタクトホール６の側壁部
のシリコン窒化膜８を残存させながら、コンタクトホー
ル６の底部のシリコン窒化膜８を除去する。このとき、
ＢＰＳＧ膜５上の第１の拡散防止膜であるシリコン窒化
膜７が無くならないように注意し、もしシリコン窒化膜
７の残存膜厚が非常に薄くなる場合は、シリコン窒化膜
７の膜厚をあらかじめ厚くしておいても良い。

【００２０】図２(d)では、その後、ポリシリコン膜９
を５０ｎｍ堆積し、全面にＢＦ₂ ⁺イオンを、加速エネル
ギー１５ＫｅＶ、ドーズ量１ｘ１０¹⁵ｃｍ^-2の条件でイ
オン注入を行うことでポリシリコンをｐ＋ポリシリコン
膜９とする。その後、タングステンシリサイド膜１０を
２００ｎｍ堆積し、さらに全面にＢＦ₂ ⁺イオンを、加速
エネルギー１５ＫｅＶ、ドーズ量１ｘ１０¹⁵ｃｍ^-2の条
件でイオン注入を行う。その後、所望のパターニングを
行うことで、ｐ＋ポリシリコン膜９およびタングステン
シリサイド膜１０をｐ＋ポリサイド配線とする。

【００２１】その後、図１に示すように、第３の拡散防
止膜としてシリコン窒化膜１１を５０ｎｍ堆積し、ＢＰ
ＳＧ膜１２を４００ｎｍ堆積する。ここで、第３の拡散
防止膜として、シリコン窒化膜の変わりにシリコン酸化
膜を用いても良い。また、ＢＰＳＧ膜１２中のボロン濃
度は、１０.０ｍｏｌ％Ｂ₂Ｏ₃、リン濃度は、６.０ｍｏ
ｌ％Ｐ₂Ｏ₅とする。その後、ＢＰＳＧ膜１２のフローの
ために９００℃・３０分の熱処理を行うことによって、
図１に示す半導体装置が完成する。

【００２２】以上のように、ｐ＋ポリシリコン膜９とＢ
ＰＳＧ膜５が、第１および第２の拡散防止膜の存在によ
り直接接触しないため、ＢＰＳＧ５膜中のリンがｐ＋ポ
リシリコン膜中に拡散しない。また、ｐ＋ポリシリコン
膜９およびタングステンシリサイド膜１０が、第３の拡
散防止膜の存在により、ＢＰＳＧ膜１２と直接接触しな
いため、ＢＰＳＧ膜１２中のリンが、ｐ＋ポリシリコン
膜９中に拡散することがない。このとき、タングステン
シリサイド膜１０中のリンおよびボロンの拡散速度は非
常に速いため、タングステンシリサイド膜１０の表面に
も、第３の拡散防止膜を必要とする。これにより、ｐ＋
ポリサイド配線とｐ＋拡散層領域とのコンタクト抵抗が
高くならない。また、拡散防止膜としてシリコン窒化膜
を用いた場合、拡散防止膜とｐ＋ポリシリコン膜９ある
いはタングステンシリサイド膜１０の界面にボロンが偏
析しないため、ｐ＋ポリシリコン膜中９のボロン濃度が
低下せず、コンタクト抵抗はより安定する。ただし、シ
リコン窒化膜を拡散防止膜として用いた場合、シリコン
窒化膜の膜厚を厚くすると、シリコン窒化膜の応力が大
きくなり、デバイス特性を劣化させたり配線の信頼性を
劣化させたりするので、注意が必要となる。

【００２３】また、この方法では、コンタクトホール６
の側壁部のシリコン酸化膜８をフォトマスクを使用せず
に形成するため、合わせ余裕を必要とせず、コンタクト
ホール６の微細化が可能となる。

【００２４】なお、本実施例では、ｐ＋ポリサイドを形
成する方法として、ポリシリコン９を形成した後、およ
びタングステンシリサイド１０を形成した後の双方の工
程においてイオン注入を行うが、ポリシリコン９を形成
した後のみ、あるいはタングステンシリサイド１０を形
成した後のみのイオン注入でも良い。また、ＢＰＳＧ膜
５およびＢＰＳＧ膜１２中のボロン濃度は、７.０−１
５.０ｍｏｌ％Ｂ₂Ｏ₃の範囲、リン濃度は、４.０−８.
０ｍｏｌ％Ｐ₂Ｏ₅の範囲であれば同様の効果が得られ
る。また、ＢＰＳＧ膜１２の熱処理は、９５０℃以下の
温度であればコンタクト抵抗は高くならない。また、拡
散防止膜の膜厚はそれぞれ、１０ｎｍ以上あれば同様の
効果が得られる。

【００２５】さらに、応力が問題とならない第２の拡散
防止膜にはシリコン窒化膜を用い、全面に堆積するため
応力が問題となる第１および第３の拡散防止膜には、シ
リコン酸化膜を使用するといった使い分けを行っても良
い。

【００２６】（実施例２）図３は本発明の第２の実施例
における半導体装置の製造方法を示す要部断面構成図で
ある。第１の実施例では第３の拡散防止膜としてシリコ
ン窒化膜を形成したのに対し、第２の実施例では第３の
拡散防止膜をｐ＋ポリサイド配線を窒化処理することに
より形成することに特徴がある。以下順次図３に従って
製造方法を説明する。

【００２７】ｐ＋ポリサイド配線を形成する工程まで
は、第１の実施例における図２（ａ）〜（ｄ）と同様で
あるため、省略する。

【００２８】図３(a)では、その後、アンモニア雰囲気
中において８５０℃、１０分の熱処理を行う、あるいは
窒素雰囲気中において５００℃、１０分のプラズマ処理
を行う。これにより、第３の拡散防止膜としてｐ＋ポリ
シリコン９の側壁部には、シリコン窒化膜１３を形成
し、タングステンシリサイド１０の表面および側壁部に
はタングステン窒化膜１４を形成する。このとき、シリ
コン窒化膜１３およびタングステン窒化膜１４の膜厚
は、４ｎｍ以上あれば良い。

【００２９】図３(b)では、実施例１と同様に、ＢＰＳ
Ｇ膜１２を４００ｎｍ堆積する。ここで、ＢＰＳＧ膜１
２中のボロン濃度は、１０．０ｍｏｌ％Ｂ₂Ｏ₃、リン濃
度は、６．０ｍｏｌ％Ｐ₂Ｏ₅とする。その後、ＢＰＳＧ
膜１２のフローのために９００℃・３０分の熱処理を行
う。

【００３０】以上のように、ｐ＋ポリシリコン膜９およ
びタングステンシリサイド膜１０とＢＰＳＧ膜１１が、
第３の拡散防止膜としてのシリコン窒化膜１３およびタ
ングステン窒化膜１４の存在により直接接触しないた
め、ＢＰＳＧ膜１１中のリンがｐ＋ポリシリコン膜９中
に拡散せず、コンタクト抵抗が高くならない。また、タ
ングステン窒化膜１４とタングステンシリサイド膜１０
との界面にボロンが偏析しないため、ｐ＋ポリシリコン
膜９中のボロン濃度が低下せず、コンタクト抵抗はより
安定する。この方法では、タングステンシリサイド膜１
０の窒化速度がＢＰＳＧ膜５の窒化速度と比較して速い
ため、ｐ＋ポリサイド上にのみ拡散防止膜が形成され
る。このため、シリコン窒化膜１１を全面に形成した第
１の実施例と比較して、応力の問題は発生せず、しかも
拡散防止効果は同程度あるという特徴がある。

【００３１】なお、本実施例では、ｐ＋ポリサイド配線
の窒化方法として、アンモニア雰囲気中において８５０
℃の熱処理を行ったが、７００℃以上の温度の熱処理で
あれば、タングステン窒化膜は形成される。また、プラ
ズマ処理によりｐ＋ポリサイド配線の窒化を行う場合、
窒素雰囲気中において５００℃の温度においてプラズマ
処理を行う方法を用いたが、４００℃以上の温度であれ
ば、タングステン窒化膜は形成される。また、タングス
テン窒化膜１４が、４ｎｍ以上形成される条件であれば
他の方法を用いても問題ない。また、ＢＰＳＧ膜５およ
びＢＰＳＧ膜１２中のボロン濃度は、７.０−１５.０ｍ
ｏｌ％Ｂ₂Ｏ₃の範囲、リン濃度は、４.０−８.０ｍｏｌ
％Ｐ₂Ｏ₅の範囲であれば同様の効果が得られる。また、
ＢＰＳＧ膜１２の熱処理は、９５０℃以下の温度であれ
ばコンタクト抵抗は高くならない。

【００３２】

【発明の効果】本発明は、ｐ＋拡散層領域と、ＢＰＳＧ
膜と、ｐ＋ポリサイド配線とを具備する構造で、ｐ＋ポ
リサイド配線とｐ＋拡散層領域との間にコンタクトが存
在する半導体装置の製造方法において、ｐ＋ポリシリコ
ン膜とＢＰＳＧ膜の間に拡散防止膜を形成するため、Ｂ
ＰＳＧ膜の熱処理を行っても、ＢＰＳＧ膜中のリンがｐ
＋ポリシリコン膜中に拡散せず、コンタクト抵抗が高く
ならない。また、拡散防止膜としてシリコン窒化膜を用
いた場合、シリコン窒化膜とタングステンシリサイド膜
の界面にボロンが偏析しないため、ｐ＋ポリシリコン中
のボロン濃度が低下せず、コンタクト抵抗はより安定す
る。さらに、コンタクトホールの側壁部の第２の拡散防
止膜をフォトマスクを使用せずに形成するため、合わせ
余裕を必要とせず、コンタクトホールの微細化が可能と
なる。

【００３３】さらに、ｐ＋ポリサイド配線を窒化処理す
ることで、第３の拡散防止膜を形成することにより、ｐ
＋ポリサイド上にのみ第３の拡散防止膜が形成され、応
力の問題は発生せず、しかも拡散防止効果はシリコン窒
化膜を用いた場合と同程度ある。

【００３４】以上のように、ＢＰＳＧ膜の熱処理を行っ
ても、ｐ＋ポリサイドとｐ＋拡散層領域のコンタクト抵
抗が高くならない。このｐ＋ポリサイドおよびそのコン
タクトを、従来より用いられているｎ＋ポリサイドと組
み合わせて用いることにより、ＤＲＡＭあるいはマイコ
ンの等のＣＭＯＳ構造を有する半導体装置の集積度は大
幅に向上し、その実用的効果は非常に大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における半導体装置の要部断面構成図

【図２】本発明の第一の実施例における半導体装置の製
造方法の要部工程断面図

【図３】本発明の第二の実施例における半導体装置の製
造方法の要部工程断面図

【符号の説明】

１シリコン基板２素子分離領域３ｐ＋拡散層領域４シリコン酸化膜５、１２ＢＰＳＧ膜６コンタクトホール７、８、１１シリコン窒化膜９ｐ＋ポリシリコン１０タングステンシリサイド１３シリコン窒化膜１４タングステン窒化膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平３−60153（ＪＰ，Ａ) 特開平１−181415（ＪＰ，Ａ) 特開平２−137222（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−62380（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−50043（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/28 H01L 21/31 - 21/3215 H01L 21/768

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上に形成されたｐ＋拡散層領
域と、前記ｐ＋拡散層領域上に形成された第１のＢＰＳ
Ｇ膜と、前記第１のＢＰＳＧ膜に開口されたコンタクト
ホールと、前記第１のＢＰＳＧ膜上に形成された第１の
拡散防止膜と、前記コンタクホール内の前記第１のＢＰ
ＳＧ膜の側壁に形成された第２の拡散防止膜と、前記コ
ンタクホールを通じて前記ｐ＋拡散層領域と電気的に接
続するための配線として形成されたｐ＋ポリサイド配線
と、前記ｐ＋ポリサイド配線の上に形成された第２のＢ
ＰＳＧ膜とを具備する半導体装置の製造方法において、前記ｐ＋ポリサイド配線を形成した後、少なくとも前記
ｐ＋ポリサイド配線を覆う第３の拡散防止膜を形成し、
その後前記第３の拡散防止膜上に前記第２のＢＰＳＧ膜
を堆積し熱処理を行う工程を有し、前記第３の拡散防止膜が、前記ｐ＋ポリサイド配線を形
成した後、アンモニア雰囲気中で熱処理を行うあるいは
窒素雰囲気中でプラズマ処理を行うことで形成した、前
記ｐ＋ポリサイド配線の高融点金属シリサイド部分の表
面の高融点金属窒化膜、および前記ｐ＋ポリシリコン配
線のｐ＋ポリシリコン部分の表面のシリコン窒化膜であ
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。