WO2001001461A1

WO2001001461A1 - Verfahren zur herstellung einer strukturierten schicht

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Publication number: WO2001001461A1
Application number: PCT/DE2000/001979
Authority: WO
Inventors: Walter Hartner; Günter SCHINDLER; Volker Weinrich; Frank Hintermaier; Igor Kasko; Hermann Wendt
Original assignee: Infineon Technologies Ag
Priority date: 1999-06-25
Filing date: 2000-06-20
Publication date: 2001-01-04
Also published as: US6495415B2; US20020086511A1; TW523865B; DE19929307C1

Abstract

Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Schicht, insbesondere zur Herstellung einer leitenden strukturierten Schicht, bereitgestellt, das folgende Schritte aufweist: a) ein Substrat mit zumindest einem Zielbereich (8) und zumindest einem Migrationsbereich (5, 14) wird bereitgestellt; b) das Schichtmaterial (9) wird aufgebracht; und c) eine Wärmebehandlung wird durchgeführt, so daß das Schichtmaterial (9) von dem Migrationsbereich (5, 14) zu dem Zielbereich (8) migriert. Das erfindungsgemäße Verfahren besitzt den Vorteil, daß das häufig nur schwer ätzbare Schichtmaterial (9) nicht direkt strukturiert werden muß. Die gewünschte Struktur (10) der Schicht wird durch die Vorstrukturierung des Substrats in einen Zielbereich und einen Migrationsbereich vorgegeben und durch die Migration des Schichtmaterials aufgrund der Wärmebehandlung in Art einer Selbstorganisation erzeugt.

Description

Beschreibung

Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Schicht

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Schicht, insbesondere ein Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Schicht in einer integrierten Schaltung.

Während der letzten 25 Jahre hat sich die Speicherdichte von DRAM-Speicherbausteinen von einer Generation zur nächsten Generation jeweils vervierfacht. Das prinzipielle Design einer elementaren Speicherzelle sowie die zum Aufbau der Speicherzelle verwendeten Materialien haben sich dabei jedoch im wesentlichen nicht verändert. Eine DRAM-Speicherzelle besteht wie vor 25 Jahren aus einem Transistor und einem Kondensator, der die zur Darstellung der Information notwendige Ladung speichert. Der Kondensator der Speicherzelle besitzt dabei Elektroden aus dotiertem Silizium bzw. Polysilizium und eine zwischen den Elektroden angeordnete dielektrische Schicht aus Siliziumdioxid und/oder Siliziumnitrid.

Um die in einem Kondensator gespeicherte Ladung reproduzierbar auslesen zu können, sollte die Kapazität des Kondensators mindestens einen Wert von etwa 30 fF besitzen. Gleichzeitig mußte und muß die laterale Ausdehnung des Kondensators ständig verkleinert werden, um die genannte Erhöhung der Speicherdichte erzielen zu können. Diese an sich gegenläufigen Anforderungen an den Kondensator der

Speicherzelle führten und führen zu einer immer komplexeren Strukturierung des Kondensators („Trench-Kondensatoren" , „Stack-Kondensatoren", „Kronen-Kondensatoren"), um trotz kleiner werdender lateraler Ausdehnung des Kondensators eine ausreichende Kondensatorfläche bereitstellen zu können.

Dementsprechend wird jedoch die Herstellung des Kondensators immer aufwendiger und damit immer teurer. Ein weiterer Weg, eine ausreichende Kapazität des Kondensators zu gewährleisten, liegt in der Verwendung anderer Materialien zwischen den Kondensatorelektroden. In letzter Zeit werden daher anstatt des herkömmlichen

Siliziumoxids/ Siliziumnitrids neue Materialien, insbesondere Paraelektrika und Ferroelektrika, zwischen den Kondensatorelektroden einer Speicherzelle verwendet. Diese neuen Materialien besitzen eine deutlich höhere relative Dielektrizitätskonstante (> 20) als das herkömmliche

Siliziumoxid/Siliziumnitrid (< 8) . Daher kann durch den Einsatz dieser Materialien, bei gleicher Kapazität und gleicher lateralen Ausdehnung der Speicherzelle, die benötigte Kondensatorfläche und damit die benötigte Komplexität der Strukturierung des Kondensators deutlich vermindert werden. Beispielsweise kommen Bariumstrontiumtitanat (BST, (Ba,Sr)Ti0₃) , Bleizirkonattitanat (PZT, Pb(Zr,Ti)0₃) bzw. Lanthan-dotiertes Bleizirkonattitanat oder Strontiumwismuttantalat (SBT, SrBi₂Ta₂0₉) zum Einsatz.

Neben herkömmlichen DRAM-Speicherbausteinen werden in Zukunft auch ferroelektrische Speicheranordnungen, sogenannte FRAM's, eine wichtige Rolle spielen. Ferroelektrische Speicheranordnungen besitzen gegenüber herkömmlichen Speicheranordnungen, wie beispielsweise DRAMs und SRAMs, den Vorteil, daß die gespeicherte Information auch bei einer Unterbrechung der Spannungs- bzw. Stromversorgung nicht verloren geht sondern gespeichert bleibt. Diese Nichtflüchtigkeit ferroelektrischer Speicheranordnungen beruht auf der Tatsache, daß bei ferroelektrischen Materialien die durch ein äußeres elektrisches Feld eingeprägte Polarisation auch nach Abschalten des äußeren elektrischen Feldes im wesentlichen beibehalten wird. Auch für ferroelektrischer Speicheranordnungen kommen die bereits genannten neuen Materialien wie Bariumstrontiumtitanat (BST, (Ba,Sr)Ti0₃) , Bleizirkonattitanat (PZT, Pb(Zr,Ti)0₃) bzw. Lanthan-dotiertes Bleizirkonattitanat oder Strontiumwismuttantalat (SBT, SrBi₂Ta₂0₉) zum Einsatz.

Leider bedingt die Verwendung der neuen Paraelektrika bzw. Ferroelektrika auch die Verwendung neuer

Elektrodenmaterialien. Die neuen Paraelektrika bzw. Ferroelektrika werden üblicherweise auf bereits vorhandenen Elektroden (Bodenelektroden) abgeschieden. Die Prozessierung erfolgt unter hohen Temperaturen, bei denen die Materialien, aus denen normalerweise die Kondensatorelektroden bestehen, so z.B. dotiertes Polysilizium, leicht oxidiert werden und ihre elektrisch leitenden Eigenschaften verlieren, was zum Ausfall der Speicherzelle führen würde.

Wegen ihrer guten Oxidationsbeständigkeit und/oder der

Ausbildung elektrisch leitfähiger Oxide gelten 4d und 5d Übergangsmetalle, insbesondere Platinmetalle (Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt) und insbesondere Platin selbst, als aussichtsreiche Kandidaten, die dotiertes Silizium/Polysilizium als Elektrodenmaterial ersetzen könnten.

Leider hat sich herausgestellt, daß die oben genannten, in integrierten Schaltungen neu eingesetzten Materialien zu den chemisch nur schwer oder nicht ätzbaren Materialien gehören, bei denen der Ätzabtrag, auch bei der Verwendung „reaktiver" Gase, überwiegend oder fast ausschließlich auf dem physikalischen Anteil der Ätzung beruht.

Die Strukturierung der bisher verwendeten Materialien erfolgt in der Regel durch sogenannte plasmaunterstützte anisotrope Ätzverfahren. Dabei werden üblicherweise physikalischchemische Verfahren angewandt, bei denen Gasgemische aus einem oder mehreren reaktiven Gasen, wie z.B. Sauerstoff, Chlor, Brom, Chlorwasserstoff, Bromwasserstoff bzw. halogenierten Kohlenwasserstoffen und aus Edelgasen (z.B. Ar, He) verwendet werden. Diese Gasgemische werden in der Regel in einem elektromagnetischen Wechselfeld bei geringen Drücken angeregt, wodurch das Gasgemisch in ein Plasma überführt wird.

Die positiven Ionen des Plasmas treffen dann nahezu senkrecht auf die zu strukturierende Schicht, was eine gute Abbildung einer auf der zu strukturierende Schicht liegenden Maske erlaubt. Üblicherweise werden als Maskenmaterialien Photolacke verwendet, da diese durch einen Belichtungsschritt und einen Entwicklungsschritt relativ einfach strukturiert werden können. Der physikalische Teil der Ätzung wird durch Impuls und kinetische Energie der auftreffenden Ionen (z.B. Cl₂ ⁺, Ar⁺) bewirkt. Zusätzlich werden dadurch chemische Reaktionen zwischen der zu strukturierenden Schicht und den reaktiven Gasteilchen (Ionen, Moleküle, Atome, Radikale) unter Bildung flüchtiger Reaktionsprodukte initiiert oder verstärkt (chemischer Teil der Ätzung) . Diese chemischen

Reaktionen zwischen den Substratteilchen und den Gasteilchen sind verantwortlich für hohe Ätzselektivitäten des

Ätzprozesses .

Wegen der geringen oder fehlenden chemischen Komponente bei der Ätzung der oben genannten Materialien, insbesondere bei der Ätzung des Elektrodenmaterials, liegt der Ätzabtrag der zu strukturierenden Schicht in der selben Größenordnung wie der Ätzabtrag der Maske bzw. der Unterlage (Ätzstoppschicht) , d.h. die Ätzselektivität zur Ätzmaske bzw. Unterlage ist im allgemeinen klein (zwischen etwa 0,3 und 3,0) . Dies hat zur Folge, daß durch die Erosion von Masken mit geneigten Flanken und die unvermeidliche Facettenbildung der Masken nur eine geringe Maßhaltigkeit der Strukturierung gewährleistet werden kann. Darüber hinaus wird, insbesondere bei einem „Overetch"- Schritt, die Unterlage stark angeätzt und es kommt zu schwer kontrollierbaren Abschrägungen der Ätzflanken. Dies hat zur Folge, daß sehr kleine Elektroden (Grundfläche der Elektrode = F², F = kleinste durch eine bestimmte Technologie herstellbare Strukturgröße) nur mit sehr großem Aufwand erzeugt werden können.

Zur Verbesserung oder Vermeidung des Ätzprozesses schwerätzbarer Schichtmaterialien werden in der EP 859 405 A2, der EP 867 926 AI und der DE 197 03 205 AI Verfahren beschrieben, bei denen erhabene Kondensatorelektroden, selektive Silizidbereiche oder kombinierte Edelmetall - /Nichtedelmetallstrukturen gebildet werden.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Schicht anzugeben, bei dem die bei physikalisch-chemischen Ätzprozessen auftretenden, genannten Probleme deutlich vermindert sind bzw. vermieden werden.

Diese Aufgabe wird von dem Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Schicht gemäß Patentanspruch 1 sowie von der Elektrode gemäß Patentanspruch 20 gelöst. Weitere vorteilhafte Ausfuhrungsformen, Ausgestaltungen und Aspekte der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen der Beschreibung und den beiliegenden Zeichnungen.

Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Schicht, insbesondere zur Herstellung einer leitenden strukturierten Schicht, bereitgestellt, das folgende Schritte aufweist:

a) ein Substrat mit zumindest einem Zielbereich und zumindest einem Migrationsbereich wird bereitgestellt;

b) das Schichtmaterial wird aufgebracht; und ω W

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herstellbaren Strukturgröße F² hergestellt, so muß bei den herkömmlichen Herstellungsverfahren die Grundfläche der Elektrode deutlich größer als F² gewählt werden, um einen Überlapp zwischen der Elektrode und der Barriere gewährleisten zu können. Würde bei den herkömmlichen

Herstellungsverfahren die Grundfläche der Elektrode nicht deutlich größer als F² gewählt werden, so könnten Ungenauigkeiten in der Justierung der entsprechenden Masken dazu führen, daß zwischen der Elektrode und der Barriere kein Überlapp vorhanden ist. Dies hätte zur Folge, daß die

Elektrode nicht angeschlossen wäre, was zum Ausfall der Speicherzelle führen würde. Dementsprechend besitzen Speicherzellen, in denen ein Stack-Kondensator verwendet wird, einen relativ großen Platzbedarf, was sich negativ auf die erzielbare Speicherdichte auswirkt.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren können die Anschlüsse als Zielbereiche und die zwischen den Anschlüssen liegende isolierende Schicht als Migrationsbereich verwendet werden. Dementsprechend entstehen die Elektroden, als ein Teil der zu strukturierenden Schicht, selbstjustiert auf den Anschlüssen (Zielbereiche) , so daß ein ausreichender Überlapp zwischen den Elektroden und ihren Anschlüssen automatisch gewährleistet ist. Auf eine an sich ungewollte Vergrößerung der Elektrode, die nach dem Stand der Technik notwendig ist, um Lagefehler auszugleichen, kann verzichtet werden. Dementsprechend kann der Platzbedarf der Elektrode verringert werden.

Da zur Definition der Struktur der zu strukturierenden

Schicht die Vorstrukturierung des Substrates verwendet wird, die beispielsweise bei der Herstellung von Speicherzelle zur Herstellung der Anschlüsse benutzt wird, kann weiterhin eine Maskenebene eingespart werden. Die nach dem Stand der Technik unterschiedlichen Masken zur Erzeugung der Anschlüsse und zur Erzeugung der Elektroden können zu einer Maske vereinigt

Y₂0₃, YN, Sc₂0₃, ScN, Ti0₂, Ta₂0₃ oder Oxide der Lanthaniden und/oder der Zielbereich Pt , Pd, Rh, Ir, Ru, Os, Re oder deren leitende Oxide oder Silizide, Cu, Ag, Au, Ni , Si, oder ein Übergangsmetall oder ein Silizid der Übergangsmetalle. Weiterhin ist es bevorzugt, wenn als Schichtmaterial ein Metall der 4d und 5d Übergangsmetalle, insbesondere ein Platinmetall, insbesondere Platin, oder Rhenium verwendet wird.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform wird vor dem Schritt c) dem Schichtmaterial Ti, TiN, Ta, TaN, W, WN, Bi, BiO_x, Ir, IrO_x, IrHfO_x, Ru, RuO_x, Pd und/oder PdO_x hinzugegeben. Dies geschieht in bevorzugter Weise indem auf das Schichtmaterial eine Schicht, die diese genannten Materialien enthält, aufgebracht und eine

Temperaturbehandlung durchgeführt wird, so daß die genannten Materialien in das Schichtmaterial diffundieren. Die Zugabe der genannten Materialien erhöht die Beweglichkeit der Atome bzw. Moleküle des Schichtmaterials, so daß die Migration des Schichtmaterials in relativ kurzer Zeit abgeschlossen ist.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausfuhrungsform werden in Schritt a) zur Bereitstellung des Substrats mit zumindest einem Zielbereich und zumindest einem Migrationsbereich folgende Schritte durchgeführt:

ein Substrat mit dem Material des Migrationsbereichs wird bereitgestellt;

- das Material des Zielbereichs wird aufgebracht; und

das Material des Zielbereichs wird strukturiert, so daß zumindest ein Zielbereich und zumindest ein Migrationbereich erzeugt werden. Die Strukturierung des Materials des Zielbereichs kann dabei durch eine Phototechnik mit anschließender Ätzung oder durch eine Damascene-Technik erfolgen.

- ein Substrat wird bereitgestellt;

das Material des Zielbereichs wird aufgebracht;

das Material des Zielbereichs wird strukturiert;

das Material des Migrationsbereichs wird aufgebracht; und

ein Planarisierungsschritt wird durchgeführt, so daß zumindest ein Zielbereich und zumindest ein Migrationbereich erzeugt werden.

Dabei ist es insbesondere bevorzugt, wenn das Material des Zielbereichs als Schicht abgeschieden und das Material des Zielbereichs mit einer Hartmaske strukturiert wird.

Bevorzugte Materialien für die Hartmaske sind Titannitrid, Titanoxid oder Siliziumoxid. Durch die Verwendung einer Hartmaske ergeben sich in der Regel bei der Strukturierung des Materials des Zielbereichs verrundete Kanten. Dies hat zur Folge, daß die so erzeugten Strukturen an ihrer Oberseite eine kleinere laterale Ausdehnung als an ihrer Unterseite aufweisen. Wird dann der Bereich um diese Strukturen mit dem Material des Migrationsbereichs aufgefüllt, so ergeben sich an der Oberfläche Zielbereiche mit einer lateralen Ausdehnung, die kleiner ist als man sie direkt mit der eingesetzten Lithografie erzeugen könnte. Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausfuhrungsform wird auch das Material des Migrationsbereichs als Schicht abgeschieden. Dabei ist es insbesondere bevorzugt, wenn ein CMP-Schritt als Planarisierungsschritt durchgeführt wird.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Figuren der Zeichnung näher dargestellt. Es zeigen:

Figuren 1 bis 8 ein erstes erfindungsgemäßes Verfahren zu Herstellung einer strukturierten Schicht;

Figuren 9 und 10 ein zweites erfindungsgemäßes Verfahren zu Herstellung einer strukturierten Schicht; und

Figuren 11 bis 16 ein drittes erfindungsgemäßes Verfahren zu Herstellung einer strukturierten Schicht.

Fig. 1 zeigt ein Siliziumsubstrat 1 mit bereits fertiggestellten Auswahltransistoren 4. Die Auswahltransistoren 4 weisen jeweils zwei Diffusionsgebiete 2 auf, welche an der Oberfläche des Siliziumsubtrats 1 angeordnet sind. Zwischen den Diffusionsgebieten 2 eines Auswahltransistors 4 ist die Kanalzone angeordnet, die durch das Gateoxid von der Gateelektrode 3 auf der Oberfläche des Siliziumsubstrats 1 getrennt ist. Diese Auswahltransistoren werden nach den im Stand der Technik bekannten Verfahren hergestellt, die hier nicht näher erläutert werden. Auf das Siliziumsubtrat mit den Auswahltransistoren 4 wird eine isolierende Schicht 5, beispielsweise eine Si0₂-Schicht aufgebracht. Je nachdem für die Herstellung der

Auswahltransistoren 4 verwendetem Verfahren können auch mehrere isolierende Schichten aufgebracht werden. Die sich daraus ergebende Struktur ist in Fig. 1 gezeigt.

Anschließend werden durch eine Phototechnik die Kontaktlöcher 6 erzeugt. Dies erfolgt beispielsweise durch eine anisotrope Di to :

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weiteren Schicht zur Bildung der oberen Elektrode (nicht gezeigt) . Üblicherweise werden diese Schichten dann gemeinsam strukturiert, so daß die Speicherzellen aus einem Auswahltransistor 4 und einem Kondensator fertiggestellt sind.

Die Figuren 9 und 10 zeigen ein zweites erfindungsgemäßes Verfahren zu Herstellung einer strukturierten Schicht.

Die ersten Schritte dieser weiteren Ausfuhrungsform der vorliegenden Erfindungen stimmen dabei mit den Schritten überein, wie sie im Zusammenhang mit den Figuren 1 bis 4 erläutert wurden. Auf eine nochmalige Erläuterung dieser Schritte wird daher verzichtet. Ausgehend von der in Fig. 4 gezeigten Situation erfolgt nun eine zu der Barriere 8 selektive Rückätzung der isolierenden Schicht 5, so daß sich die in der Fig. 9 gezeigte Situation ergibt.

Damit ist der erste Schritt a) des erfindungsgemäßen Verfahrens abgeschlossen. Ein Substrat mit Zielbereichen, den Barrieren 8, und einem Migrationsbereich, der isolierenden Schicht 5, wurde bereitgestellt.

Es folgt wiederum die ganzflächige Abscheidung des Elektrodenmaterials in Form einer 40 nm dünnen Platinschicht. Die Platinschicht wird durch ein Sputterverfahren mit einer Sputtertemperatur von etwa 550°C aufgebracht. Anschließend wird eine Wismutoxidschicht 13 auf die dünne Platinschicht, beispielsweise durch eine CVD-Verfahren, aufgebracht und eine Wärmebehandlung bei einer Temperatur von etwa 500°C durchgeführt. Durch die Wärmebehandlung diffundiert ein Teil der Wismutatome aus der Wismutoxidschicht in die dünne Platinschicht .

Anschließend wird die Wismutoxidschicht durch eine Ätzung selektiv zu der Platinschicht entfernt und eine weitere Wärmebehandlung bei einer Temperatur von etwa 700°C in einer

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eine Situation, die analog zu der in Fig. 9 gezeigten Situation ist. Durch die bereits erläuterten Schritte einer Platinabscheidung mit nachfolgender Wärmebehandlung kann dann die Fig. 17 gezeigte Konfiguration erzeugt werden.

Die in Fig. 17 gezeigte Ausfuhrungsform besitzt den Vorteil, daß auch die Seitenwände der Barriere 8 als

Konsensatorflachen genutzt werden können, wodurch sich bei im wesentlichen gleicher lateraler Ausdehnung des Kondensators eine Erhöhung der Kondensatorfläche ergibt.

Claims

Patentansprüche

1. Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Schicht aus einem Schichtmaterial, insbesondere zur Herstellung einer leitenden strukturierten Schicht, mit den Schritten:

a) ein Substrat (1) mit zumindest einem Zielbereich (8) und zumindest einem Migrationsbereich (5) wird bereitgestellt;

b) das Schichtmaterial (9) wird aufgebracht; und

c) eine Wärmebehandlung wird durchgeführt, so daß das Schichtmaterial (9) von dem Migrationsbereich (5) zu dem Zielbereich migriert (8) .

2. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß in Schritt b) das Schichtmaterial (9) als eine dünne Schicht aufgebracht wird.

3. Verfahren nach Anspruch 2 , d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Schichtdicke der dünnen Schicht kleiner als 100 nm, bevorzugt kleiner als 50 nm, ist.

4. Verfahren nach einem der vorherstehenden Ansprüchen, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Wärmebehandlung bei einer Temperatur von mehr als 550°C, bevorzugt mehr als 600°C, durchgeführt wird.

5. Verfahren nach einem der vorherstehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Wärmebehandlung in einer Sauerstoff-, Stickstoff-, oder Argonatmosphäre durchgeführt wird.

6. Verfahren nach einem der vorherstehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß das Schichtmaterial (9) durch Sputtern ganzflächig abgeschieden wird.

7. Verfahren nach Anspruch 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Sputtertemperatur über 500°C liegt.

8. Verfahren nach einem der vorherstehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Migrationsbereich (5) Si0₂, Si₃N₄, Al₂0₃, A1N, BN, MgO, La₂0₃, LaN, Y₂0₃ , YN, Sc₂0₃, ScN, Ti0₂, Ta₂0₃ oder Oxide der Lanthaniden enthält .

9. Verfahren nach einem der vorherstehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Zielbereich (8) Pt, Pd, Rh, Ir, Ru, Os , Re oder deren leitende Oxide oder Silizide, Cu, Ag, Au, Ni , Si, oder ein Übergangsmetall oder ein Silizid der Übergangsmetalle enthält .

10.Verfahren nach einem der vorherstehenden Ansprüche d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß als Schichtmaterial (9) ein Metall der 4d und 5d

Übergangsmetalle, insbesondere ein Platinmetall, insbesondere Platin, oder Rhenium verwendet wird.

11.Verfahren nach einem der vorherstehenden Ansprüche d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß vor dem Schritt c) dem Schichtmaterial (9) Ti, TiN, Ta, TaN, W, WN, Bi, BiO_x, Ir, IrO_x, IrHfO_x, Ru, RuO_x, Pd und/oder PdO_x hinzugegeben wird.

12. Verfahren nach Anspruch 11, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß dem Schichtmaterial (9) Ti , TiN, Ta, TaN, W, WN, Bi, BiO_x, Ir, IrO_x, IrHfO_x, Ru, RuO_x, Pd und/oder PdO_x hinzugegeben wird, indem auf das Schichtmaterial (9) eine Schicht /13) , die diese Materialien enthält, aufgebracht und eine Temperaturbehandlung durchgeführt wird, so daß diese Materialien in das Schichtmaterial diffundieren.

13. Verfahren nach einem der vorherstehenden Ansprüche d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß in Schritt a) zur Bereitstellung des Substrats mit zumindest einem Zielbereich (8) und zumindest einem Migrationsbereich (5) folgende Schritte durchgeführt werden:

- ein Substrat (1) mit dem Material des

Migrationsbereichs (5) wird bereitgestellt;

das Material des Zielbereichs (8) wird aufgebracht; und

- das Material des Zielbereichs (8) wird strukturiert, so daß zumindest ein Zielbereich (8) und zumindest ein Migrationsbereich (5) erzeugt werden.

14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12 d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß in Schritt a) zur Bereitstellung des Substrats (1) mit zumindest einem Zielbereich (8) und zumindest einem Migrationsbereich (5) folgende Schritte durchgeführt werden:

ein Substrat (1) wird bereitgestellt;

das Material des Zielbereichs (8) wird aufgebracht;

- das Material des Zielbereichs (8) wird strukturiert; das Material des Migrationsbereichs (5) wird aufgebracht ; und

ein Planarisierungsschritt wird durchgeführt, so daß zumindest ein Zielbereich (8) und zumindest ein Migrationsbereich (5) erzeugt werden.

15.Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß das Material des Zielbereichs (8) als Schicht abgeschieden wird.

16.Verfahren nach Anspruch 15, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß das Material des Zielbereichs (8) mit einer Hartmaske strukturiert wird.

17.Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 16, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß das Material des Migrationsbereichs (5) als Schicht abgeschieden wird.

18.Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 17, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß ein CMP-Schritt als Planarisierungsschritt durchgeführt wird.

19.Verfahren nach einem der vorherstehenden Ansprüche d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Schritte b) und c) wiederholt werden, um eine strukturierte Schicht mit einer vorgegebenen Dicke zu erzeugen.

20. Elektrode, insbesondere für einen Speicherkondensator d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Elektrode als Teil einer strukturierten Schicht gemäß einem der vorherstehenden Verfahren erhältlich ist.