WO2001057905A1 - Film de transfert, procede de formation d'une couche de fond metallique, et affichage des images - Google Patents

Film de transfert, procede de formation d'une couche de fond metallique, et affichage des images Download PDF

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WO2001057905A1
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film
transfer
metal back
phosphor
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PCT/JP2001/000744
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Takeo Ito
Hajime Tanaka
Tomoko Nakazawa
Taichiro Nakayama
Takaaki Shinohara
Yoichiro Nakayama
Kazuo Sakai
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Kabushiki Kaisha Toshiba
Nikka Techno, Inc.
Fuji Pigment Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to a transfer film, a method for forming a metal back layer on a phosphor screen using the transfer film, and an image display device having the metal back layer.
  • a metal film was formed on the inner surface of the phosphor layer (the surface opposite to the fusplate).
  • the metal-back structure is widely used.
  • the metal back layer reflects the light traveling toward the electron source side from the light emitted from the phosphor by the electrons emitted from the electron source to the fuse plate to increase the brightness or to increase the brightness of the phosphor. It plays a role in stabilizing the potential of the layer. It also has a function to prevent the phosphor layer from being damaged by ions generated by ionization of the gas remaining in the vacuum envelope.
  • a metal back layer is formed by forming a thin film of nitrocellulose on a phosphor layer by a spin method or the like (lacquer method), and then vacuum-depositing aluminum (A 1) on the phosphor layer. It is performed by a method of removing organic matter by firing.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-102139 discloses a simple metal back layer forming method in which a metal vapor-deposited film is formed on a film to which a release agent has been previously applied.
  • a method (transfer method) of transferring this onto the phosphor layer using an adhesive has been proposed.
  • the transfer method was difficult to put into practical use.
  • the adhesive layer in order to ensure good transferability, the adhesive layer must be thick to ensure sufficient adhesive strength, but if the adhesive layer is thick, a large amount of organic substances will be decomposed in the next firing step. Must be scattered. For this reason, the decomposition gas generated at this time caused destruction of the metal film such as blistering, and it was difficult to maintain good baking resistance.
  • Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 3-49131, 415-143, 5-19084, and the like disclose a fine film for extracting a decomposition gas into a metal film. There is disclosed a method for improving defects caused by blistering of a metal film in a transfer method by providing holes. However, each of these methods has a problem that a side effect of deteriorating the light reflection performance of the metal back layer is caused.
  • JP-A-64-31434 discloses a structure in which an anchor layer made of an acrylic resin or the like is formed between a metal back layer and a release agent layer.
  • an anchor layer made of an acrylic resin or the like is formed between a metal back layer and a release agent layer.
  • the gap between the face plate having the phosphor screen and the rear plate having the electron emitting element is about 1 to several mm, and the resolution and the characteristics of the spacer are low. From the point of view I can't. As a result, a high voltage of about 10 kV is applied to the extremely narrow gap between the face plate and the rear plate, and a strong electric field is formed.
  • the present invention has been made to solve these problems.
  • the transfer film of the first invention of the present invention has at least a base film, and a release agent layer, a protective film, and a metal film formed by laminating the base film on the base film.
  • the protective film is mainly made of a resin, and is mainly composed of a phosphoric acid ester, an aliphatic monobasic acid ester, an aliphatic dibasic acid ester, a dihydric alcohol ester, an oxyester, a butyl oleate, Dibutyl adipate, paraffin chloride, toluene sulphone ethyl amide, toluene sulphone amide methyl amide, amino benzene sulphon amide compound, sulphone amide compound, methyl abietic acid, dinonyl naphthalene, tributyl acetyl citrate, Amino toluenesulfonamide compound, N-butylbenzenesulfonamide
  • the softening agent has a mass ratio of 1 to 30% based on the total material constituting the protective film. It is desirable to be contained in the box. Further, as described in claim 3, it is preferable that the thickness of the protective film is 0.1 to 30 ⁇ m. Further, as described in claim 4, it can be configured to further have an adhesive layer on the metal film.
  • vinyl acetate resin ethylene-vinyl acetate copolymer, styrene-acrylic acid resin, ethylene vinyl acetate-acrylic acid terpolymer resin, chloride
  • a resin containing at least one resin selected from the group consisting of a vinyl acetate copolymer resin, a polybutene resin, and a polyamide resin can be used.
  • a transfer film according to a second aspect of the present invention is a transfer film, comprising: a base film; and a release agent layer and a transfer layer laminated on the base film. layers, 1 0 2 ⁇ 1 0 8 ⁇ / D; characterized by have a high resistance layer having a (square or less the same.) the surface resistivity of. Then, in the transfer film of the second invention, urchin it according to claim 7, transfer layer, and a high-resistance layer surface resistivity of 1 0 2 ⁇ 1 0 8 ⁇ Z port, is stacked thereon and 1 0 may be configured to have a light reflecting layer having a surface resistivity of less than 2 Omega Zeta mouth.
  • a method of forming a metal back layer comprising the steps of: forming a phosphor layer on an inner surface of a face plate; After the film is arranged so as to be in contact with the phosphor layer via an adhesive layer, the transfer film is pressed onto the phosphor layer and adhered thereto, and then the base film of the transfer film is peeled off. And a step of heat-treating the ferrite with the metal film transferred onto the phosphor layer.
  • the metal film on the transfer film or the fluorescent film may be used before the metal film transfer step.
  • At least one on the body layer may have a step of forming an adhesive layer.
  • a metal back layer forming method comprising the steps of: forming a phosphor layer on an inner surface of a face plate; and transferring the transfer film of the sixth aspect to the transfer film.
  • a metal back layer forming method comprising the steps of: forming a phosphor layer on an inner face of a face plate; A transfer step of placing the transfer film on the body layer via an adhesive layer, pressing the transfer film on the phosphor layer and bonding the same, and then peeling off the base film of the transfer film; Heat-treating the face plate on which the transfer layer has been transferred onto the layer.
  • At least one may have a step of forming an adhesive layer.
  • a metal back layer is formed on the substrate by the metal back layer forming method according to claim 8. Characterized in that the fluorescent screen is provided.
  • an envelope having a rear plate, a face plate disposed to face the rear plate, and Many electron emission formed in And a phosphor layer formed on the face plate so as to face the rear plate and emits light by an electron beam emitted from the electron-emitting device.
  • the metal back layer forming method described in 8 it is possible to provide a structure having a phosphor screen on which a metal back layer is formed.
  • An image display device includes a phosphor layer and a metal back layer formed on the phosphor layer on the inner surface of the fuse plate.
  • the metal back layer in the image display device, the metal back layer, and that it has a high resistance layer having a 1 0 3 to 1 0 1 surface resistivity ° Omega / mouth feature.
  • a metal back layer is formed on the inner surface of the face plate by the metal back layer forming method according to claim 10. It has a phosphor screen.
  • a fluorescent screen having a metal back layer formed by the metal back layer forming method according to claim 11 is provided on an inner surface of the fuse plate. It is characterized by having.
  • the image display device according to the seventh to ninth aspects of the present invention includes a rear plate facing the face plate as described in each of claims 20 to 23, wherein the rear plate is provided on the rear plate. It can be configured to have many electron-emitting devices.
  • FIG. 1 shows a typical defective pattern and a non-defective pattern in the transferred and formed metal back layer.
  • Fig. 1 ⁇ shows the state of poor transferability
  • Fig. 1B shows the state of poor blistering
  • Fig. 1C shows the state of poor cracking.
  • Fig. 1D shows a good product.
  • toluene 75 parts of toluene (parts by mass; the same applies hereinafter), 12 parts of methylisobutylketone, 12 parts of methylethylketone, and 12 parts of acetylene glycol 0.2 on a polyester base film having a film thickness of 20 ⁇ .
  • Parts of wax, 0.2 parts of waxes, 0.2 parts of cellulose acetate, 0.2 parts of rosin resin, and 0.2 parts of silicone resin by gravure coating. After drying, a release agent layer having a thickness of 0.5 ⁇ m was formed.
  • a resin composition comprising 90 parts of pure water and 10 parts of polyvinyl alcohol was applied by a gravure coater and dried to form an adhesive layer. At this time, 10 kinds of adhesive layers having different thicknesses were produced.
  • a transfer film was manufactured by the above configuration.
  • a metal back layer was formed on the test piece by a transfer method using the transfer film.
  • the transfer film is configured such that a release agent layer 2, a protective film 3, a metal film 4, and an adhesive layer 5 are laminated on a base film 1 in this order.
  • the transfer film 6 is pressed and adhered onto the phosphor layer 8 using a rubber roller 7, and then the base film 1 is peeled off, and then, as shown in FIG. 2C.
  • Organic substances are decomposed and scattered in the firing process.
  • a metal back layer (metal film) 4 is completed as shown in FIG. 2D.
  • reference numeral 9 denotes a face plate
  • 10 denotes a light shielding layer.
  • the adhesive layer 5 of the transfer film is arranged so as to be in contact with the phosphor layer 8 of the test piece, and the rubber layer 17 having a hardness of 50 degrees and a surface temperature of 200 ° C. m / min. rate of 3 0 0 crimped by a pressing force of kg / cm 2, 1 0 in m / min. speed peeling the base film 1, a metal film (aluminum film on the fluorescent surface of the test piece 4) Transcribed.
  • the test piece on which the aluminum film was transferred was heated (baked) to decompose and remove organic components.
  • the furnace temperature schedule is 10 ° C / min. From room temperature to 200 ° C, and 200 ° C. The temperature was raised from C to 380 ° C with a temperature gradient of 9 ° C Zmin., From 380 ° C to 450 ° C with a temperature gradient of 3 ° C Zmin., And then at 450 ° C for 30 minutes. After heating, the temperature was lowered to room temperature with a temperature gradient of 3 ° CZmin. As described above, a sample on which a metal back layer was formed was manufactured.
  • FIG. 3 shows the results obtained from the above experiments and evaluations.
  • (a) represents the transfer characteristic
  • (bl) represents the blister characteristic.
  • a transfer film and a test piece were prepared in the same manner as described above, and the aluminum film was transferred onto the phosphor layer. Then, sandpaper (#) is placed on the transferred aluminum film.
  • FIG. 3 show the evaluation results of the blister characteristics.
  • (B2) shows the case where micropore processing (micropore preparation) was performed once
  • (b3) shows the case where micropore processing was performed twice.
  • the greater the number of times of micropore treatment the greater the thickness of the adhesive layer in which blistering occurs.
  • With a single micropore treatment it is possible to set the adhesive film thickness so that both the transferability and the blistering property are 100% in the non-defective area in the area A in the figure. It can be seen that the width of the film thickness has spread to the regions A and B in the figure, and the workability has also expanded.
  • the metal back effect of the above sample was determined by the following simple method.
  • a cube of 30 cm on a side was made of an acrylic plate.
  • a matte black paint was applied to the inner surface to create a pseudo-reflection space inside the cube.
  • a hole having a diameter of 2 cm was provided in the center of one side of the cube, and a visible light reflectance evaluation box was manufactured by the above configuration.
  • a test piece was placed on the hole of this visible light reflectance evaluation box in close contact with the fluorescent screen side.
  • an incandescent lamp was irradiated from a position of 45 ° to the front surface of the face plate of the test piece.
  • the front side of the feather plate of the test piece located on the hole of the visible light reflectance evaluation box was used as the measurement surface. Then, the reflection luminance was measured from a position perpendicular to the measurement surface, and the visible light reflectance R f (./.) was obtained from the value of the measured reflection luminance through the calculation of the following equation.
  • Rf (%) (T Rf / S Rf) X 1 0 0
  • Rf (%) represents the reflectance of visible light
  • T Rf represents the reflection luminance of the test piece having the metal back layer formed thereon
  • S Rf represents the reflection luminance of the test piece having only the phosphor layer.
  • Table 1 shows the results of evaluating the Rf values using the method described above.
  • the metal back effect is remarkably large when the micropore treatment is not performed, with the Rf value of 190, but the number of micropore treatments As the value increases, the R f value decreases. That is, although the non-defective area ratio approaches 100%, it can be seen that the metal back effect is reduced by half.
  • the inventors focused on the fact that the transferability between the metal film and the phosphor layer could be improved depending on the type of the adhesive, and as a result of examining various adhesives, the adhesive was bonded. Due to differences in power, they were classified into three groups.
  • the first group is a group in which the metal film and the phosphor layer cannot be bonded, regardless of the thickness of the adhesive. Rosin-based resins, terranes-based resins, cyclopentadiene-based resins, and cumarone resins , An alkyd resin, an epoxy resin, a chlorinated polyolefin resin, a phenol resin, an acryl silicone resin, and a ketone resin.
  • the second group which has a low adhesive strength, requires measures against poor blistering.
  • Such a third group includes vinyl acetate resin, ethylene-vinyl acetate copolymer, styrene-acrylic acid resin, ethylene-vinyl acetate-acrylic acid terpolymer resin, and vinyl chloride-vinyl acetate copolymer.
  • examples include those containing a polymer resin, a polybutene resin, a polyamide resin, or the like as a main component.
  • Fig. 4 shows the transferability and blistering characteristics when a toluene solution of vinyl acetate resin is used as a representative example of the third group of adhesives. Adhesive The experiment and evaluation were performed in the same manner as described above, except for the type. In FIG. 4, (a) shows the transferability, and (b) shows the blister characteristics.
  • the crack properties deteriorate as the adhesive thickness decreases.
  • the crack characteristics are good products with three characteristics within the range of area A in Fig. 4. All the area ratios became 100%.
  • the non-defective area ratio of the three characteristics 100%, since the non-defective area ratio of the three characteristics is 100%, the area of the adhesive film thickness is narrow.
  • the workability was not good, for example, a slight change in film thickness resulted in a defective or good product.
  • the inventors conducted further studies to solve the problem of crack generation, and as a result, arranged a protective film mainly composed of resin between the metal film and the release agent layer, and protected the protective film.
  • FIG. 5 shows the experimental results of crack characteristics when toluene sulfone ethyl amide was used as a softener and contained in the protective layer.
  • As the adhesive a toluene solution of vinyl acetate resin, which was the third group, was used, and the other conditions were the same as above. In FIG.
  • / 0 , (a2) is 30.
  • / o and (a3) are ratios of 40 ⁇ 1 ⁇ 2, and represent the transferability when the protective layer is contained in the resin composition. If the softener is added in an amount of more than 30%, the transferability is significantly deteriorated.
  • the amount of the softener added is 1 to the resin composition of the protective layer.
  • the ratio is up to 30%.
  • the non-defective area ratio can be 100% in the region A in FIG.
  • the non-defective area ratio is 100 ° / ° in each of the transferability, the blistering property, and the crack property.
  • a metal back layer having a wide setting range of the adhesive film thickness, good workability, and a large visible light reflection effect can be formed.
  • the transfer film, the transfer layer for the metal back shape formation, the surface resistivity is by the high-resistance layer of 1 0 2 ⁇ 1 0 8 Omega Zeta mouth, 1 0 3 to 1 0
  • a metal back layer having a surface resistivity of 1 ° ⁇ can be formed. Then, the discharge can be suppressed and the withstand voltage characteristics can be remarkably improved without significantly lowering the brightness (luminance) of the phosphor screen.
  • the above range of the surface resistivity is obtained as a result of repeated experiments by the present inventors on the relationship between the surface resistivity of the metal back layer and the firing voltage.
  • FIG. 1 shows the pattern of the metal back layer formed by the transfer method
  • Fig. 1A shows a photograph showing poor transferability
  • Fig. 1B shows a photograph showing poor blistering
  • Fig. 1C shows a crack.
  • FIG. 1D is a photograph showing a good product.
  • Fig. 2 shows an example of a method of forming a metal back layer by a transfer method.
  • Fig. 2 ⁇ is a cross-sectional view of a transfer film
  • Fig. 2 ⁇ is a cross-sectional view showing a metal film transfer step
  • Fig. 2C shows a heat treatment step.
  • FIG. 2D is a cross-sectional view of the ferrite plate on which the metal back layer is formed.
  • Fig. 3 is a graph showing the transferability and blistering characteristics of the metal back layer formed by the conventional transfer method.
  • Fig. 4 is a graph showing the transferability, blistering characteristics and crack characteristics of the metal back layer formed by the transfer method using an adhesive with high adhesive strength.
  • Fig. 5 shows the addition of a softener to the protective layer.
  • FIG. 9 is a graph showing crack characteristics of a metal back layer formed using the transferred transfer film.
  • Figure 6 is a graph showing the transferability and blistering characteristics of a metal back layer formed using a transfer film with a softener added to the protective layer.
  • FIG. 7 is a sectional view showing a first embodiment of the transfer film of the present invention
  • FIG. 8 is a sectional view showing a second embodiment of the transfer film of the present invention
  • FIG. FIG. 7 is a graph showing the relationship between the amount of oxygen introduced during vapor deposition and the surface resistivity in the preparation of the transfer film of the embodiment;
  • FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view schematically showing a structure of a phosphor screen on which a metal back layer is formed using the transfer film of the second embodiment
  • Fig. 11 is a graph showing the relationship between the surface resistivity of the metal back layer and the discharge starting voltage of FED.
  • FIG. 12 is a sectional view showing a third embodiment of the transfer film of the present invention.
  • FIG. 13 is an enlarged cross-sectional view schematically showing a structure of a phosphor screen on which a metal back layer is formed using the transfer film of the third embodiment.
  • FIG. 14 is a graph showing the relationship between the relative luminance of FED and the firing voltage.
  • FIG. 15 shows a method of forming a metal back layer on a face plate for a color cathode ray tube by a transfer method in Example 1, and FIG. 15A is a cross-sectional view showing a step of transferring a metal film.
  • 5B is a cross-sectional view showing a base film peeling process, and
  • FIG. 15C is a cross-sectional view of a face plate having a metal back layer formed thereon.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of a color CRT having a metal back layer formed according to Example 1,
  • FIG. 17 is a cross-sectional view of a color FED including a metal back layer formed according to the third embodiment.
  • FIG. 7 is a sectional view showing a first embodiment of the transfer film of the present invention.
  • reference numeral 11 denotes a base film, and a release agent layer 12, a protective film 13, a metal film 14, and an adhesive layer 15 are laminated on the base film 11 in this order. It is formed.
  • the base film 11 is not particularly limited, and polyester (polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate), polyethylene, polypropylene, and nylon which are generally used as a base film are used. (Polyamide), cellophane, polycarbonate, polyacrylate, It can be arbitrarily selected from resins such as polyimides and aromatic polyamides. It is desirable that the thickness of the base film 11 be about 5 to 50 / im. If the thickness of the e- base film 11 is too thin, the transfer film is significantly deformed during the pressing process, and the metal film If wrinkles and the like easily occur in 14 and the thickness is too large, the ability to follow the base is deteriorated, and the transferability is reduced.
  • the release agent examples include cellulose acetate, wax, fatty acid, fatty acid amide, fatty acid ester, rosin, acrylic resin, silicone, fluororesin, and the like. It is appropriately selected and used depending on the releasability from the protective film 13. Further, such a release agent layer 12 is formed on the base film 11 by a Daravia coater or the like, and its thickness is desirably 0.1 to 30 ⁇ . If the thickness of the release agent layer 12 is too small, the releasability decreases, and if the thickness is too large, the film formability of the protective film 13 deteriorates, which is not preferable.
  • thermosetting resin for the protective film 13, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, a photocurable resin, or the like is used as a base. Specifically, it is appropriately selected in consideration of the three properties of transferability, blistering property, and crack property, and in consideration of a combination with an adhesive described later.
  • phosphate aliphatic monobasic acid ester, aliphatic dibasic acid ester, dihydric alcohol ester, oxyacid ester, butyl oleate, dibutyl adipate, chloride Paraffin, toluene sulfone ethino rare amide, toluene sulfone methyl amide, amino benzene sulfone amide compound, sulfone amide
  • a softener selected from compounds, methyl abietic acid, dinonyl naphthalene, tributyl acetyl citrate, amino toluenesulfonamide, N-butylbenzenesulfonamide, etc. is applied to the entire protective film.
  • Such a protective film 13 is formed by a gravure coater or the like.
  • the film thickness is about 0.1 to 30 ⁇ m. If the thickness of the protective film 13 is too small, the visible light reflection performance of the metal film 14 (metal back layer) to be formed is deteriorated.
  • the metal film 14 is appropriately selected from metals such as A 1, Au, and Ni, and is formed on the protective film 13 by vapor deposition.
  • the thickness of the metal film 14 is set in consideration of the dead voltage and the like from the usage environment such as the anode voltage applied to the phosphor screen, but is usually about 10 to 20 O nm.
  • the adhesive is appropriately selected from those having good adhesiveness to both the phosphor layer and the metal film 14 in consideration of the combination with the protective film 13. desirable.
  • it is mainly composed of vinyl acetate resin, ethylene-butyl acetate copolymer, styrene-acrylic acid resin, ethylene-monoacetic acid vinyl-acrylic acid terpolymer resin, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer resin, polybutene resin, and polyamide resin.
  • There is an adhesive as a component and two or more resins can be used in combination. Further, in order to improve the film quality other than the adhesiveness, a resin, a stabilizer, a filler, and the like other than those described above can be used in combination as needed.
  • Such an adhesive layer 15 is formed on the metal film 14 by gravure coating or the like, and its thickness is desirably l to 20 / im. If the thickness of the adhesive layer 15 is too small, the transferability and crack characteristics deteriorate, and if it is too thick, the blistering characteristics deteriorate. Furthermore, such an adhesive layer 15 is Instead of being provided on the transfer film side, it may be provided on the phosphor layer side. Further, it may be provided on both the transfer film side and the phosphor layer side.
  • a phosphor layer is formed on a face plate. That, Z n S system, Y 2 0 3 based phosphor such as Y 2 ⁇ 2 S system (average particle diameter. 4 to 1 5 m), slide rie method, a spray method, a printing method, faceplates A phosphor layer is formed by coating and drying on the substrate, and performing patterning using a photolithography method as necessary.
  • the transfer film of the above-described embodiment is disposed on the phosphor layer so that the adhesive layer is in contact with the phosphor layer, and a pressing process is performed.
  • the pressing method there are a stamp method and a roller type method.
  • the material constituting the pressing portion a material whose hardness can be adjusted, such as natural rubber or silicone rubber, is preferable, and its hardness is about 20 to 100 degrees. Further, heat may be applied at the time of pressing, and the heating can be performed to about 40 to 250 ° in consideration of the resin used for the transfer film. Pressing force shall be the 1 0 0 0 kg / cm 2 of about l to.
  • the base film is peeled off.
  • the speed of peeling is not particularly limited, but if the film is not continuously peeled, the transferability will be uneven, which is not preferable.
  • a part of the adhesive layer, the metal film, the protective film, and a part of the release agent layer remains on the phosphor screen.
  • the phosphor screen formed with the metal film or the like is heated and fired at a temperature of about 450 ° C. for each ferrite to remove the remaining organic components. Through the above steps, a phosphor screen having a good metal back layer is completed.
  • various inorganic materials such as aluminum oxide, silicon dioxide (Si 2 ), AIN or TIN can be used.
  • the following method can be used to form the aluminum oxide high resistance layer in the transfer film.
  • the surface resistivity of the formed high-resistance layer can be controlled by adjusting the amount of oxygen introduced during the vapor deposition.
  • oxygen introduction amount was 2 SCMM, 4 SCMM and 6 SC M and depositing of aluminum and are each 1 0 2 Omegazeta port, 1 0 4 0 necked and 1 0 6 Omega Noro
  • a deposited film having a surface resistivity was formed. Further, it was found that, after the formation, the deposited film was further subjected to a heat treatment (baking) at a temperature of about 450 ° C., whereby the oxidation proceeded and the surface resistivity increased by one to three orders of magnitude.
  • FIG. 9 is a graph showing the relationship between the oxygen introduction amount and the surface resistivity obtained as a result of this experiment.
  • a method such as sputtering is usually employed.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically illustrating an embodiment of a phosphor screen that has been removed.
  • reference numeral 17 denotes a translucent substrate such as a glass panel
  • 18 denotes a phosphor layer
  • 19 denotes a metal back layer.
  • the metal back layer 19 has a film resistivity of 5 to 150 nm and a surface resistivity of 10 3 to 10 1 ° ⁇ / port.
  • the reflectivity of the metal back layer 19 is 40 to 95% in terms of relative luminance when the ordinary aluminum film is 100%.
  • Transfer membrane 2 0 1 0 2 to 1 0 8 surface resistivity of Omegazeta port on the high-resistance layer 2 1 having a surface resistivity of 1 0 2 Omegazeta good low-resistance layer of a reflective less than port 2 2 has a laminated / formed two-layer structure.
  • the total thickness of the transfer film 20 having such a two-layer structure is 5
  • Nm150 nm is preferable, and the range of 10 ⁇ 10 Onm is more preferable.
  • a phosphor screen with a metal back shown in FIG. 13 is formed.
  • This phosphor screen, high surface resistivity has a 1 0 3 1 0 3 ⁇ 1 ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ port surface resistivity of the stacked good reflective low-resistance layer 2 2 and thereon below Omegazeta port
  • a metal back layer 19 composed of the resistance layer 21 is formed on the phosphor layer 18.
  • the reflectivity of the metal back layer 19 is relative luminance with the ordinary aluminum film being 100%.
  • the lower low-resistance layer 22 has a reflectance of 85-: 100%, and the upper high-resistance layer 21 Is 20 to 90%.
  • Example 1 Specific examples in which the present invention is applied to a display device will be described.
  • a transfer film was prepared according to the following procedure. On a 20-m-thick polyester resin base film, 75 parts of toluene, 12 parts of methylisobutylketone, 12 parts of methylethylketone, 0.2 parts of acetylene glycol, 0.2 parts of waxes Parts, 0.2 parts of cellulose acetate, 0.2 parts of mouth resin, and 0.2 parts of silicone resin, coated with a gravure coater, dried, and dried to a thickness of 0.5 ⁇ m. m release agent layer was formed.
  • a stripe-shaped light-shielding layer made of black pigment was formed on the inner surface of the face plate 23 for the type 32 color cathode-ray tube by the photolithographic method.
  • the phosphor layers 18 of three colors, red (R), green (G), and blue ( ⁇ ), are placed between the light-shielding portions on the light-shielding layer so that they are adjacent to each other in a stripe shape. It was formed by a photolithographic method.
  • the adhesive layer of the transfer film 24 contacts the phosphor layer 18 With a shape along the inner surface of the ferrite plate 23, a rubber stamp 25 with a hardness of 50 degrees and a surface temperature of 200 ° C, a pressing time of 1 second and 300 kg / cm Pressure was applied in the direction of the arrow with a pressing force of 2 .
  • the base film 11 is peeled off at a speed of l O m Z min., And a metal film (aluminum) is formed on the phosphor layer 18 of the ferrite plate 23. 14) were adhered.
  • a metal back layer 19 was formed as shown in FIG. 15C.
  • necessary treatments such as sealing of the electron gun, exhausting, and attachment of an explosion-proof band were performed, and a 32-inch color CRT having the structure shown in Fig. 16 was completed.
  • reference numeral 26 denotes a funnel
  • 27 denotes an electron gun
  • 28 denotes a light shielding layer
  • 29 denotes a shadow mask
  • 30 denotes an explosion-proof band.
  • the yield in the heat treatment and embedding process was 90 ⁇ 1 ⁇ 2, which was a sufficiently practical range.
  • the breakdown of defects caused by the metal back layer was 4% for blistering failure and 5% for cracking, which was due to the variation in the thickness of the adhesive layer.
  • a transfer film was prepared according to the following procedure. On a 20 ⁇ m-thick polyester resin base film, 75 parts of toluene, 12 parts of methylisobutylketone, 12 parts of methylethylketone, and acetylene A release agent composed of 0.2 parts of silicone and 0.2 part of silicone resin was applied by a gravure coater and dried to form a release agent layer having a thickness of 0.5 ⁇ .
  • the yield in the heat treatment step was as good as 99%, and no defect due to the metal back layer occurred.
  • the acceleration voltage was 3 2 1 ⁇
  • the current density was 0.5 AZcm 2
  • the center luminance was measured with a whole raster signal, all of R, G, and B were +20 compared to the lacquer method. The value was as high as%, indicating a good metal back effect.
  • a transfer film was produced in the same manner as in Example 2. However, the thickness of the aluminum film was 50 nm.
  • a stripe-shaped light-shielding layer made of a black pigment is formed on one side of a face plate for a 10-inch FED by a screen printing method.
  • the three color phosphor layers of red (R), green (G), and blue (B) are screen-printed so that they are adjacent to each other in stripes between the light-shielding parts on the layer. Formed by the method.
  • the transfer film was placed so that the adhesive layer side of the transfer film was in contact with the phosphor layer, and a rubber roller with a hardness of 50 degrees and a surface temperature of 200 ° C was used to apply a speed of 2 mZmin.
  • the base film was peeled off at a speed of 10 m./rnin.
  • an aluminum film was formed on the phosphor layer of the face plate.
  • change the face plate from room temperature to 200 ° C at 10 ° C Zmin., From 200 ° C to 380 ° C at 9 ° C Zmin., And from 380 ° C to 450 ° C.
  • the temperature was raised to 3 ° C.
  • an electron source in which a large number of surface conduction electron-emitting devices are formed in a matrix on the substrate, is fixed to a rear plate, and the rear plate is mounted on a face plate via a support frame using a frit glass. Sealed. After that, necessary processes such as exhausting and sealing were performed to complete a 10-inch color FED having the structure shown in FIG.
  • reference numeral 31 denotes a high-voltage terminal
  • 32 denotes a remote plate
  • 33 denotes a substrate
  • 34 denotes a surface conduction electron-emitting device
  • 35 denotes a support frame
  • 36 denotes a face plate
  • 37 denotes a plate.
  • the fluorescent screen on which the metal back layer is formed is shown.
  • the yield in the heat treatment process was as good as 99%, and no failure was caused by the metal back layer.
  • the acceleration voltage was 5 kV
  • the current density was 20 ⁇ AZ cm 2
  • the center was measured with a single raster signal
  • the R, G, and B were + 50% higher than the Lattice method. Shows numerical values and has a good metal back effect I was getting it.
  • luminance unevenness was evaluated by the following method.
  • the image display section of the ferrite plate is divided into 100 zones of 10 columns vertically and 10 rows horizontally, and the accelerating voltage is 5 kV, and the current density of each of R, G and B is 20 ⁇ A
  • the white luminance of each zone was measured using a single signal of the whole surface / cm 2 and the luminance unevenness was evaluated based on the standard deviation of the luminance value of the zone.
  • the standard deviation ( ⁇ ) when the metal back layer was formed by the lacquer method was 30.5, whereas it was 2.6 in the present embodiment, and the variation in luminance was almost eliminated. .
  • a transfer film was prepared according to the following procedure.
  • a 0.5 / m- thick release agent layer consisting mainly of silicone resin is formed on a 20 / im-thick polyester resin base film, and then a melamine resin
  • a protective film having a thickness of 1 m and containing as a main component was formed.
  • a stripe-shaped light-shielding layer made of black pigment is formed on one side of the FED face plate by a screen printing method, and red (R), green (G), and blue are formed between the light-shielding portions.
  • the phosphor layers of three colors (B) were formed by a screen printing method so that they were adjacent to each other in a stripe shape.
  • the transfer film was placed so that the adhesive layer side was in contact with the phosphor layer, the high-resistance layer was transferred in the same manner as in Example 3, and then heat-treated at 450 ° C. for 30 minutes. This heat treatment immediately after transfer about 1 0 3 surface resistivity of ⁇ port and a high-resistance layer is increased, the metal back layer is formed to have a 1 0 5 Omega Z port surface resistivity of the order one .
  • an electron source in which a large number of surface conduction electron-emitting devices are formed in a matrix on the substrate is fixed to a rear plate, and then the rear plate and the face plate having the metal back layer described above are separated. They were placed facing each other at an interval of about l mm, and sealed with frit glass via a support frame. After that, necessary processes such as exhaustion and sealing were performed to complete the 10-inch color FED.
  • the FED obtained in this way was driven by an acceleration voltage of 5 kV, a current density of 20 x A / cm 2 , and a single raster signal on the entire surface, and the brightness of the center was measured. It showed 90% relative brightness compared to the film.
  • the discharge starting voltage increased from 4 kV to 12 kV, confirming that the discharge was suppressed and the withstand voltage characteristics were good.
  • a transfer film was produced in the same manner as in Example 4. However, the transfer film for forming the metal back was formed as described below. Chi words, increasing the degree of vacuum to 1 XI 0- 4 Pa, by depositing aluminum reluctant such introduce oxygen at a rate of 4 SCCM, the surface resistivity on the protective film of about 1
  • the transferability and the baking resistance can be improved, and the good metal back layer can be obtained. You can get better. Also, the width of the thickness of the adhesive layer provided on the transfer film or the like can be set wide, and the workability of forming the adhesive layer is good. Then, the reflection effect of the formed metal back layer is high, and a high-luminance phosphor screen can be obtained. In addition, discharge between the substrates is suppressed, and the withstand voltage characteristics are improved.
  • the process of forming the metal back layer is simple, and the manufacturing cost of the display device can be reduced.
  • a display surface with good quality without luminance unevenness can be obtained.

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Description

明 細 書 転写フィルムとメタルバック層形成方法、
および画像表示装置 技術分野
本発明は、 転写フィルムとそれを用いた蛍光面のメタルバック層形成 方法、 およびメタルバック層を有する画像表示装置に関する。 背景技術
従来から、 陰極線管 (C R T ) や、 フィール ドェミ ッショ ン方式の画 像表示装置 (F E D ) などの蛍光面では、 蛍光体層の内面 (フュースプ レートと反対側の面) に金属膜が形成されたメタルバック方式の構造が 広く採用されている。 このメタルバック層は、 電子源から放出された電 子によって蛍光体から発せられた光の う ちで、 電子源側に進む光を フユ一スプレー ト側へ反射して輝度を高めたり、 蛍光体層の電位を安定 させる役割を果たす。 また、 真空外囲器内に残留するガスが電離して生 じるイオンによ り、 蛍光体層が損傷するのを防ぐ機能も有している。 従来からメタルバック層の形成は、 二 トロセルロースからなる薄い膜 をスピン法などで蛍光体層の上に形成し (ラッカ一法) 、 その上にアル ミニゥム (A 1 ) を真空蒸着し、 さらに焼成して有機物を除去する方法 により行われている。
一方、 特開昭 6 3— 1 0 2 1 3 9号等には、 簡便なメタルバック層形 成方法と して、 予め離型剤を施したフィルム上に金属蒸着膜を形成して おき、 これを、 接着剤を用いて蛍光体層上に転写する方法 (転写方式) が提案されている。 しかしながら、 転写方式によるメタルバック層の形成方法では、 蛍光 体層への充分な接着力の確保と、 焼成工程での耐ベーキング特性が必要 とされるが、 これらの特性は両立が難しく、 従来から転写方式は実用化 が困難であった。
すなわち、 良好な転写性を確保するためには、 接着剤層を厚く し接着 力を充分に確保しなければならないが、 接着剤層が厚いと、 次の焼成ェ 程において大量の有機物を分解して飛散させなければならない。 そのた め、 このとき発生する分解ガスにより、 火膨れなどの金属膜の破壊が起 こり、 耐べ一キング特性を良好に保つことが困難であった。
また、 特開平 3— 4 9 1 3 1号、 特開平 4一 5 1 4 2 3号、 特開平 5 - 1 9 0 0 8 4号公報などには、 金属膜に分解ガスを抜くための微細孔 を設けることにより、 転写方式での金属膜の火膨れによる不良を改善す る方法が開示されている。 しかし、 これらの方法ではいずれも、 メタル バック層の光反射性能を劣化させるという副次作用を起こすという問題 があった。
一方、 特開昭 6 4 - 3 0 1 3 4号には、 メタルバック層と離型剤層と の間に、 ァク リル系などの樹脂からなるアンカー層を形成する構成が開 示されているが、 この方法でも良好な金属膜の形成は困難であった。
さらに、 前記したラッカ一法によるメタルバック層の形成では、 大き な凹凸を持つ下地面に、 真空蒸着により金属膜を形成するため、 薄くて 反射率の高い膜の形成が困難であった。 したがって、 高輝度の蛍光面を 得ることが難しく、 特に、 低速電子線領域で作動する F E Dのよ うな表 示装置の蛍光面においては、 輝度ムラの問題も発生していた。
またさらに、 F E Dでは、 蛍光面を有するフェースプレー トと電子放 出素子を有する リアプレートとの間のギャップ (間隙) は、 1〜数 mm 程度であり、 解像度やスぺ一サの特性上の観点から大きくすることがで きない。 その結果、 フェースプレー トと リアプレー トとの極めて狭い間 隙に、 1 0 k V前後の高電圧が印加され強電界が形成されるため、 放電
(絶縁破壊) が生じやすいという問題があった。 そして、 放電が発生す ると、 電子放出素子や蛍光面が破壊されあるいは劣化するおそれがあつ た。
本発明は、 これらの問題を解決するためになされたものであり、 転写 方式で特性の良好なメタルバック層を形成することができる転写フィル ムと、 転写方式により効果の高いメタルバック層を作業性よく形成する 方法、 およびメタルバック効果が高く耐電圧性に優れ、 高輝度で高品位 の表示が可能な画像表示装置を提供することを目的とする。 発明の開示
本発明の第 1 の発明の転写フィルムは、 請求項 1 に記載するように、 ベースフィルムと、 このベースフィルム上に積層して形成された離型剤 層、 保護膜および金属膜を少なく とも有する転写フィルムにおいて、 前 記保護膜が、 樹脂を主体と し、 リン酸エステル、 脂肪族一塩基酸エステ ル、 脂肪族二塩基酸エステル、 二価アルコールエステル、 ォキシ酸エス テル、 ォレイ ン酸ブチル、 アジピン酸ジブチル、 塩化パラフィ ン、 トル エンスルフォンェチルアミ ド、 トルエンスノレフォンメチルアミ ド、 アミ ノベンゼンスルフォンアミ ド化合物、 スルフォンア ミ ド化合物、 ァビエ チン酸メチル、 ジノニルナフタ レン、 ァセチルクェン酸 ト リ ブチル、 ァ ミ ノ トルエンスルフォンアミ ド化合物、 N—ブチルベンゼンスルフォン アミ ドからなる群より選ばれる 1種以上の柔軟剤を含有することを特徴 とする。
第 1の発明の転写フィルムにおいては、 請求項 2に記載するように、 柔軟剤が、 保護膜を構成する全材料に対する質量比で、 1〜 3 0 %の範 囲で含有されることが望ましい。 また、 請求項 3に記載するよ うに、 保 護膜の膜厚を 0 . 1 〜 3 0 μ m とすることが望ましい。 さらに、 請求項 4に記載するよ うに、 金属膜上にさらに接着剤層を有するように構成す ることができる。 そして、 接着剤と しては、 請求項 5に記載するように、 酢酸ビニル樹脂、 エチレン一酢酸ビニル共重合体、 スチレン一アク リル 酸樹脂、 エチレン一酢酸ビニルーアク リル酸三元重合体樹脂、 塩化ビニ ルー酢酸ビニル共重合体樹脂、 ポリブテン樹脂、 ポリアミ ド樹脂からな る群より選ばれる 1種以上の樹脂を主成分とするものを使用することが できる。
第 2の発明の転写フィルムは、 請求項 6 に記載するよ う に、 ベース フィルムと、 このべ一スフイルム上に積層された離型剤層および転写層 を少なく とも備えた転写フィルムにおいて、 前記転写層が、 1 0 2〜 1 0 8 Ω / D ( square; 以下同じ。 ) の表面抵抗率を有する高抵抗層を有 することを特徴とする。 そして、 第 2の発明の転写フィルムにおいては、 請求項 7に記載するよ うに、 転写層が、 表面抵抗率が 1 0 2〜 1 0 8 Ω Z口の高抵抗層と、 その上層に積層された 1 0 2 Ω Ζ口未満の表面抵抗 率を有する光反射層とを有することように構成することができる。
本発明の第 3の発明のメタルバック層形成方法は、 請求項 8に記載す るように、 フェースプレー ト内面に蛍光体層を形成する工程と、 請求項 1記載の転写フィルムを、 その金属膜が前記蛍光体層に接着剤層を介し て接するように配置し、 前記転写フィルムを前記蛍光体層上に押圧し接 着した後、 該転写ブイルムのべ一スフィルムを剥ぎ取る金属膜転写工程 と、 前記蛍光体層上に前記金属膜が転写されたフエ一スプレー トを加熱 処理する工程とを備えたことを特徴とする。
第 3の発明のメタルバック層形成方法においては、 請求項 9に記載す るように、 金属膜転写工程の前に、 転写フィルムの金属膜上または蛍光 体層上の少なく とも一方に、 接着剤層を形成する工程を有することがで きる。
本発明の第 4の発明のメタルバック層形成方法は、 請求項 1 0に記載 するように、 フェースプレー ト内面に蛍光体層を形成する工程と、 請求 項 6記載の転写フィルムを、 その転写層が前記蛍光体層に接着剤層を介 して接するように配置し、 前記転写フィルムを前記蛍光体層上に押圧し 接着した後、 該転写ブイルムのべ一スフィルムを剥ぎ取る転写工程と、 前記蛍光体層上に前記転写層が転写されたフュースプレー トを加熱処理 する工程とを備えたことを特徴とする。
第 5の発明のメタルバック層形成方法は、 請求項 1 1 に記載するよう に、 フェースプレート内面に蛍光体層を形成する工程と、 請求項 7記載 の転写フィルムを、 その転写層が前記蛍光体層に接着剤層を介して接す るように配置し、 前記転写ブイルムを前記蛍光体層上に押圧し接着した 後、 該転写フィルムのべ一スフイルムを剥ぎ取る転写工程と、 前記蛍光 体層上に前記転写層が転写されたフエ一スプレートを加熱処理する工程 とを備えたことを特徴とする。
第 4および第 5の発明のメタルバック層形成方法においては、 請求項 1 2および請求項 1 3に記載するように、 転写工程の前に、 転写フィル ムの転写層上または蛍光体層上の少なく とも一方に、 接着剤層を形成す る工程を有することができる。
本発明の第 6の発明の画像表示装置は、 請求項 1 4に記載するように、 フエ一スプレー ト上に、 請求項 8記载のメタルバック層形成方法によつ てメタルバック層が形成された蛍光面を備えたことを特徴とする。 また、 第 6の発明の画像表示装置においては、 請求項 1 5に記載するように、 リアプレー ト と、 前記リアプレー ト と対向配置されたフェースプレー ト とを有する外囲器と、 前記リアプレー ト上に形成された多数の電子放出 素子と、 前記フェースプレー ト上に前記リアプレー トに対向して形成さ れ、 前記電子放出素子から放出される電子ビームにより発光する蛍光体 層とを具備し、 前記フェースプレー ト上に、 請求項 8記載のメタルバッ ク層形成方法によってメタルバック層が形成された蛍光面を備えた構成 とすることができる。
本発明の第 7の発明の画像表示装置は、 請求項 1 6に記載するよ うに、 フュースプレー トの内面に、 蛍光体層と該蛍光体層の上に形成されたメ タルバック層を備えた画像表示装置において、 前記メタルバック層が、 1 0 3〜 1 0 1 ° Ω /口の表面抵抗率を有する高抵抗層を有するこ とを特 徴とする。 そして、 この画像表示装置においては、 請求項 1 7に記載す るよ うに、 メ タルバック層が、 1 0 3 Ω Ζ口未満の表面抵抗率を有する 光反射層と、 その上層に積層された表面抵抗率が 1 0 3〜 1 0 1 ° Ω Ζ口 の高抵抗層とを有するように構成することができる。
本発明の第 8の発明の画像表示装置は、 請求項 1 8に記載するように、 フェースプレ一ト内面に、 請求項 1 0記載のメタルバック層形成方法に よってメタルバック層が形成された蛍光面を備えたことを特徴とする。 第 9の発明の画像表示装置は、 請求項 1 9に記載するように、 フユ一ス プレー ト内面に、 請求項 1 1記載のメタルバック層形成方法によってメ タルバック層が形成された蛍光面を備えたことを特徴とする。 そして、 第 7乃至第 9の発明の画像表示装置においては、 請求項 2 0乃至請求項 2 3にそれぞれ記載するよ うに、 フェースプレー トに対向配置されたリ ァプレー トを備え、 前記リアプレー ト上に多数の電子放出素子を有する ように構成することができる。
本発明は、 転写方式による蛍光面のメタルバック層の形成において、 接着剤層および保護膜の各材料等について、 詳細な実験を実施した結果、 達成されたものである。 以下に、 実験の詳細を示す。 まず、 必要特性と されていた耐べ一キング特性について、 従来は火膨 れ現象のみが考慮されていたが、 これに、 従来は考慮されていなかった 亀裂特性を新たに加えて考える必要があることを確認した。 つまり、 転 写方式でのメタルバック層形成においては、 転写性と火膨れ特性と亀裂 特性の 3つの特性をバランスよく満たすことが不可欠である。 ここで、 転写 · 形成されたメタルバック層における代表的な不良パターンおよび 良品のパターンを、 図 1 に示す。 図 1 Αは転写性が不良な状態、 図 1 B は火膨れ不良の状態、 図 1 Cは亀裂不良の状態をそれぞれ示す。 なお、 図 1 Dは良品である。
転写性と火膨れ特性と亀裂特性の 3つの特性の相関関係を、 実験結果 に基づいて説明する。 まず、 転写性と火膨れ特性は、 接着剤の膜厚に密 接に関係していることが、 従来から知られている。 そこで、 従来からの 転写方式の形成方法によりメタルバック層を作製し、 転写性および火膨 れ特性の接着剤膜厚依存性を調べた。 手順を以下に示す。
まず、 膜厚 2 0 μ ιη のポリエステル製のベースフィルム上に、 トルェ ン 7 5部 (質量部。 以下同じ) 、 メチルイ ソブチルケ トン 1 2部、 メチ ルェチルケ トン 1 2部、 アセチレングリ コール 0 . 2部、 ワ ックス類 0 . 2部、 酢酸セルロース 0 . 2部、 ロジン系樹脂 0 . 2部、 シリ コーン樹 月旨 0 . 2部からなる離型剤を、 グラビアコ一タによ り塗布し乾燥して、 0 . 5 μ m 厚の離型剤層を形成した。
次いで、 この離型剤層上に、 メチルイ ソブチルケ トン 2 5部、 メチル ェチルケ トン 2 5部、 変性アルコール 6部、 トルェン 1 0部、 酢酸ブチ ル 1 0部、 酢酸ェチル 1 0部、 メラミ ン樹脂 5部、 尿素樹脂 5部、 繊維 素誘導体 1部、 ロジン系樹脂 1部、 ジメチルシロキサン 1部、 リン酸 0 . 5部、 p— トルエンスルフォン酸 0 . 5部からなる樹脂組成物を、 グラ ビアコータにより塗布 ' 乾燥し、 1 μ πι 厚の保護膜を形成した後、 この 保護膜上にアルミ ニウムを蒸着し、 厚さ 5 0 nm のアルミ ニウム膜を形 成した。 次に、 このアルミニウム膜上に、 純水 9 0部、 ポリ ビエルアル コール 1 0部からなる樹脂組成物をグラビアコータにより塗布 · 乾燥し、 接着剤層を形成した。 このとき、 接着剤層の膜厚を変えたものを、 1 0 数種類作製した。 以上の構成により転写フィルムを作製した。
次に、 蛍光面の作製手順を示す。 まず、 縦 l O cmX横 l O cmX厚さ 3 mmのソーダガラス板をフェースプレー トと し、 その上に、 Y2 02 S : E u 4 0部、 純水 5 0部、 ポリ ビニルアルコール 1 . 4部、 重クロム酸 アンモニゥム 0 . 0 5部、 界面活性剤 3部からなる蛍光体スラ リーを、 スピンコ一タにより塗布 ' 乾燥した。 次いで、 水銀ランプによ り 0. 5 mW/ c m2 の紫外線強度で 3 0秒間全面露光した後、 純水により現像 して、 架橋硬化していない余剰なスラ リ ーを除去した。 その後、 得られ た蛍光体層を乾燥して、 水分を除去した。 以上の構成により、 蛍光面の テス ト片を作製した。
次いで、 前記転写フィルムを用いて、 テス ト片上に転写方式によりメ タルバック層を形成した。
ここで、 メタルバック層形成の各プロセスの詳細を、 図 2に示す。 転 写フィルムは、 図 2 Aに示すように、 ベースフィルム 1上に、 離型剤層 2、 保護膜 3、 金属膜 4および接着剤層 5が、 この順で積層されて構成 されており、 この転写フィルム 6 を、 図 2 Bに示すよ う に、 ゴムロー ラー 7を用いて蛍光体層 8上に押圧し接着してから、 ベースフィルム 1 を剥がし取り、 次いで図 2 Cに示すよ うに、 焼成工程において有機物を 分解して飛散させる。 こう して、 図 2 Dに示すよ うに、 メタルバック層 (金属膜) 4が完成される。 なお、 図中符号 9はフェースプレー ト、 1 0は遮光層をそれぞれ示す。 良好なメタルバック層を形成するためには、 図 2 Bに示す転写工程でムラ無く均一に転写すること と、 図 2 Cに示す 焼成工程で、 金属膜 4に損傷を起こさせないことが重要である。
具体的には、 転写フィルムの接着剤層 5が、 テス ト片の蛍光体層 8に 接するよ うに配置し、 硬度 5 0度、 表面温度 2 0 0 °Cのゴムローラ一 7 によ り、 2 m/min.の速度、 3 0 0 k g / c m 2 の押圧力で圧着し、 1 0 m/min.の速度でベースフィルム 1 を剥がして、 テス ト片の蛍光面上 に金属膜 (アルミニウム膜) 4を転写した。
次いで、 このよ う にアルミニゥム膜が転写されたテス ト片を、 加熱処 理 (ベ一キング) して有機分を分解 · 除去した。 このときの炉温スケ ジュールは、 室温から 2 0 0 °Cまでを 1 0 °C / min.、 2 0 0。Cから 3 8 0 °Cまでを 9 °CZmin. 、 3 8 0 °Cから 4 5 0 °Cまでを 3 °C Zmin. の温 度勾配で昇温し、 4 5 0 °Cで 3 0分間加熱後、 3 °CZmin. の温度勾配 で常温まで降温した。 以上のようにして、 メ タルバック層が形成された 試料を作製した。
次に、 これらのメタルバック層試料について、 転写性および火膨れ特 性を以下に示すようにして評価した。 まず、 透明なプラスチックシート に 5 mm X 5 mm の間隔で格子状に線を書いたものを用意し、 これを評価 シー トとする。 この評価シー トを、 アルミニウム膜転写後のテス ト片上 にのせ、 テス ト片上の格子の数をカウン 卜する。 このとき、 格子の一部 のみがテス ト片上にある場合は、 半分以上の格子面積がテス ト片上にあ る場合にのみ、 カウン 卜する。 次に、 カウン 卜 された格子のうちで、 そ の下のアルミニウム膜が完全に ( 1 0 0 %) 転写されている格子の数を、 カウン 卜する。 そして、 全格子数に対するアルミニゥム 1 0 0 %転写格 子数の割合を、 金属膜転写工程での良品面積率と して、 転写性を評価し た。
また、 加熱処埋後も同様の評価を行った。 アルミニウム 1 0 0 %転写 格子数に対する火膨れ不良が発生しなかった格子数の割合を、 加熱処理 工程での良品面積率と して、 火膨れ特性を評価した。 このとき、 火膨れ 不良発生格子は、 発生面積に関わらずカウン 卜するものと した。 以上の 実験および評価によって得られた結果を、 図 3に示す。 図 3中、 ( a ) は転写特性を、 (b l ) は火膨れ特性をそれぞれ表す。
この図から、 接着剤層の膜厚が厚いほど、 蛍光体層に対する接着性が 向上し、 転写性は良く なるが、 ベ一キング工程で飛散ガスが多く発生し、 火膨れが発生する。 一方、 接着剤層の膜厚が薄いと、 火膨れ特性は改善 されるものの、 転写性が悪く なり、 転写性と火膨れ特性の両方で良品面 積率 1 0 0 %になる領域が存在しないことがわかる。
また、 従来からの火膨れ特性改善方法である、 金属膜に微細孔を開け る手法を、 以下の手順で試みた。 まず、 前述と同じ手順で転写フィルム およびテス ト片をそれぞれ作製し、 アルミニウム膜を蛍光体層上に転写 した。 その後、 転写されたアルミニウム膜上にサン ドペーパー ( #
1000 ) を配置し、 硬度 5 0度、 表面温度 2 5 °Cのゴム口一ラーにより、 2 m / min.の速度、 1 0 k gノ c m 2 の押圧力で微細孔作製処理を行つ た。 このとき、 処埋回数が 1 回のものと 2回のものをそれぞれ作製した。 次いで、 同様な加熱処理を行い、 メタルバック層を作製した。
そして、 前記と同様な方法によ り評価を行った。 図 3中の ( b 2 ) 、 ( b 3 ) に火膨れ特性の評価結果を示す。 ( b 2 ) は微細孔処埋 (微細 孔作製処理) が 1回の場合を、 ( b 3 ) は微細孔処埋が 2回の場合をそ れぞれ示す。 微細孔処理の回数が多いほど、 火膨れが発生する接着剤層 の膜厚が大きくなつている。 微細孔処理 1回で、 図中の領域 Aにおいて、 転写性と火膨れ特性の両方が良品面積率 1 0 0 %となる接着剤膜厚が設 定可能となり、 更に微細孔処理 2回で、 その膜厚の幅が図中の領域 Aお よび Bに広がり、 作業性も拡大していることがわかる。
次に、 上記試料のメタルバック効果を、 以下の手順による簡易な方法 で評価した。 まず、 アク リ ル板で一辺が 3 0 cm の立方体を作製した。 このとき、 内面につや消しブラックの塗料を塗布し、 立方体内部を擬似 的な無反射空間と した。 次いで、 立方体の一辺の中央に、 直径 2 cm の 孔を設け、 以上の構成により、 可視光反射率評価ボックスを作製した。 この可視光反射率評価ボックスの孔上に、 テス ト片をその蛍光面側が 接するように密着して配置した。 次に、 テス ト片のフェースプレー ト前 面に対して、 4 5 ° の位置よ り 白熱灯を照射した。 こ う して、 可視光反 射率評価ボックスの孔上に位置するテス ト片のフエ一スプレー ト前面側 を測定面と した。 そして、 測定面に垂直な位置から反射輝度を測定し、 測定された反射輝度の値から、 以下の式の計算を経て、 可視光反射率 R f (。/。) を求めた。
Rf (%) = (T Rf / S Rf ) X 1 0 0
式中、 Rf (%) は可視光反射率、 T Rf はメタルバック層が形成さ れたテス ト片の反射輝度、 S Rf は蛍光体層のみのテス ト片の反射輝度 をそれぞれ表す。 Rf 値が 2 0 0に近いほど、 良好なメタルバック効果 を持ち、 1 0 0に近いほど、 メタルバック効果は小さく なる。
以上のような方法で Rf 値を評価した結果を、 表 1 に示す。
【表 1】
Figure imgf000013_0001
表 1から明らかなように、 微細孔処理を施さない場合は、 Rf 値が 1 9 0 とメタルバック効果は著しく大きいのであるが、 微細孔処理の回数 を増すほど、 R f 値は小さく なつてしま う。 すなわち、 良品面積率は 1 0 0 %に近く なるものの、 メ タルバック効果が半減してしまう とレ、うこ とがわかる。
そこで発明者らは、 接着剤の種類によっては金属膜と蛍光体層との転 写性を向上させることができる点に着目 し、 種々の接着剤について検討 を行った結果、 接着剤をその接着力の違いにより、 3つのグループに分 類した。 第 1 のグループは、 接着剤の膜厚に関係なく、 金属膜と蛍光体 層とを接着することができないグループであり、 ロジン系樹脂、 テルぺ ン系樹脂、 シクロペンタジェン系樹脂、 クマロン樹脂、 アルキ ド樹脂、 エポキシ系樹脂、 塩素化ポリオレフイン樹脂、 フエノール樹脂、 ァク リ ルシリ コーン樹脂、 ケ トン樹脂等を主成分とするものが挙げられる。 第 2のグループは、 接着力が低いため、 火膨れ不良に対する対策が必要な ものであり 、 ポリ ビュルアルコールをはじめ、 E P D M (エチレン一プ ロ ピレン一ジェン共重合体) 、 ネオプレンフエノールゴム、 イ ソプレン ゴム、 アク リ ロニ ト リルゴム、 二 ト リルフエノールゴム、 イ ソブチレン 樹脂、 ボリブテン樹脂、 ブタジエン系ゴム、 ポリ ウレタン樹脂、 ァク リ ル酸エステル樹脂、 ポリエステル系樹脂等を主成分とするものが挙げら れる。 さらに、 第 3のグループと して、 接着力が強く 、 薄い膜厚におい ても転写性が良好であるため、 火膨れ不良に対する対策が不要である接 着剤がある。 このよ うな第 3 グループと しては、 酢酸ビニル樹脂、 ェチ レン一酢酸ビニル共重合体、 スチレン一アク リル酸樹脂、 エチレン一酢 酸ビニルーァク リル酸三元重合体樹脂、 塩化ビニルー酢酸ビニル共重合 樹脂、 ポリブテン樹脂、 ポリアミ ド樹脂等を主成分とするものが挙げら れる。
第 3グループの接着剤の代表例と して、 酢酸ビニル樹脂の トルエン溶 液を使用した場合の転写性および火膨れ特性を、 図 4に示す。 接着剤の 種類以外は、 前記した方法と同様にして実験および評価を行った。 図 4 中 ( a ) は転写性を、 ( b ) は火膨れ特性をそれぞれ示す。
この図からわかるように、 接着剤の膜厚が 1〜 2 0 μ m の領域におい て、 転写性、 火膨れ特性の両特性で良品面積率 1 0 0 %が得られた。 し かし、 接着剤の接着力が低い第 2グループの接着剤を使用した場合には、 転写性が充分でなく、 第 3グループの接着剤の使用では発生することの なかった、 亀裂不良という新たな問題が発生した。
これは、 加熱処理時に金属膜が亀裂状に損傷するものであり、 押圧処 理の際に生じる微細なしわや、 転写後の金属膜と蛍光体層とのテンショ ンの違い等が、 発生の原因と考えられる。 亀裂特性を、 図 4中の ( c ) に示す。
この図からわかるように、 亀裂特性は、 接着剤の膜厚が低いほど悪化 する。 この亀裂特性を、 前記した ( a ) 転写性と ( b ) 火膨れ特性にさ らに加えて、 転写方式の性能を考えた場合は、 図 4の領域 Aの範囲で、 3つの特性の良品面積率が全て 1 0 0 %になった。 しかし、 3特性の良 品面積率を 1 0 0 %にすることが可能ではあるが、 そのよ うに 3つの特 性の良品面積率を 1 0 0 %にする接着剤膜厚の領域が狭いため、 わずか な膜厚変動で不良になったり良品になったりするなど、 作業性がよくな かった。
したがって、 発明者らは、 この亀裂発生の問題を解決するためにさら に鋭意研究を重ねた結果、 金属膜と離型剤層との間に樹脂を主体と した 保護膜を配し、 その保護膜に、 リ ン酸エステル、 脂肪族一塩基酸エステ ル、 脂肪族二塩基酸エステル、 二価アルコールエステル、 ォキシ酸エス テル、 ォレイ ン酸ブチル、 アジピン酸ジブチル、 塩化パラフィ ン、 トル エンスルフォンェチルアミ ド、 トノレエンスルフォンメチルア ミ ド、 アミ ノベンゼンスルフォンアミ ド化合物、 スルフォンアミ ド化合物、 ァビエ チン酸メチル、 ジノニルナフタ レン、 ァセチルクェン酸 ト リ ブチル、 ァ ミ ノ トルエンスルフォンアミ ド化合物、 N—ブチルベンゼンスルフォン アミ ドからなる群より選ばれる 1種以上の柔軟剤を含有させることによ り、 亀裂発生の防止に効果があることを見出した。
前記した柔軟剤を保護膜に含有させることによ り 、 保護膜の柔軟性が 向上させることができる。 こ う して保護膜の柔軟性が高められることで、 転写時に蛍光面の凹凸表面への追随性が向上し、 金属膜における微細な しわの発生が防止されると ともに、 金属膜にかかる無理なテンショ ンが 軽減される。 なお、 このとき、 蛍光体粒子の間にまで金属膜が追随して 侵入することがないので、 メタルバック層の光反射性能は維持される。 柔軟剤と して トルエンスルフォンェチルア ミ ドを使用し、 これを保護 層に含有させた場合の亀裂特性の実験結果を、 図 5に示す。 なお、 接着 剤と しては、 前記した第 3グループである酢酸ビニル樹脂の トルエン溶 液を使用し、 その他の条件は、 前記と同様にして行った。 図 5 中 ( c 1 ) は、 前記した柔軟剤を 0 . 5 °/o、 ( c 2 ) は柔軟剤を 1 %、 ( c 3 ) は柔軟剤を 1 0 %、 ( c 4 ) は柔軟剤を 3 0 %乃至 4 0 %の割合 (質量比) で、 それぞれ保護層の樹脂組成物に含有させた場合の良品面 積率 (亀裂特性) を表す。 保護層に柔軟剤を 1 %以上添加すると、 その 添加量に応じて亀裂特性は向上し、 3 0 %の添加でその効果は飽和する。 —方、 このときの転写性および火膨れ特性を、 図 6 に示す。 図 6中 ( a l ) 、 ( a 2 ) 、 ( a 3 ) は転写性、 ( b ) は火膨れ特性を示す。 ( a 1 ) は柔軟剤を 0〜 2 0 。/0、 ( a 2 ) は 3 0。/o、 ( a 3 ) は 4 0 <½ の割合で、 それぞれ保護層の樹脂組成物に含有させた場合の転写性を表 す。 柔軟剤を 3 0 %より も多く添加すると、 転写性が著しく悪化してし まう。
以上のことから、 柔軟剤の添加量は、 保護層の樹脂組成物に対して 1 〜 3 0 %の割合とすることが好ましく、 このとき、 図 5中の領域 Aにお いて、 良品面積率を 1 0 0 %とすることができる。
また、 これら試料のメタルバック効果を、 表 2に示す。 【表 2 】
Figure imgf000017_0001
表 2から明らかなように、 柔軟剤を添加しても R f 値は劣化すること がなく、 1 9 0 と良好である。
このように、 本発明の転写フィルムを使用することにより、 転写性、 火膨れ特性、 亀裂特性の各特性において、 良品面積率 1 0 0 °/。が達成さ れ、 かつ接着剤膜厚の設定幅が広く作業性が良好で、 可視光反射効果も 大きいメタルバック層を形成することができる。
さらに、 本発明においては、 転写フィルムにおいて、 メタルバック形 成用の転写層を、 表面抵抗率が 1 0 2〜 1 0 8 Ω Ζ口の高抵抗層にする ことにより、 1 0 3〜 1 0 1 ° Ω Ζ口の表面抵抗率を有するメタルバック 層を形成することができる。 そして、 蛍光面の明るさ (輝度) をあまり 低下させることなく、 放電を抑制し耐電圧特性を著しく改善することが できる。 前記した表面抵抗率の範囲は、 メタルバック層の表面抵抗率と 放電開始電圧との関係について、 本発明者らが何度も実験を重ねた結果. 得られたものである。 図面の簡単な説明
図 1は、 転写方式により形成されたメタルバック層のパターンを示し、 図 1 Aは転写性が不良な状態を示す写真、 図 1 Bは火膨れ不良の状態を 示す写真、 図 1 Cは亀裂不良の状態を示す写真、 図 1 Dは良品を示す写 真であり、
図 2は、 転写方式によるメタルバック層の形成方法の一例を示し、 図 2 Αは転写フィルムの断面図、 図 2 Βは金属膜転写工程を示す断面図、 図 2 Cは加熱処理工程を示す断面図、 図 2 Dはメタルバック層が形成さ れたフエ一スプレー トの断面図であり、
図 3は、 従来の転写方式により形成されたメタルバック層の転写性と 火膨れ特性を示すグラフであり、
図 4は、 接着力の高い接着剤を使用し、 転写方式により形成されたメ タルバック層の転写性、 火膨れ特性および亀裂特性を示すグラフであり、 図 5は、 保護層に柔軟剤を添加した転写フィルムを用いて形成された メタルバック層の亀裂特性を示すグラフであり、
図 6は、 保護層に柔軟剤を添加した転写フィルムを用いて形成された メタルバック層の転写性および火膨れ特性を示すグラフであり、
図 7は、 本発明の転写フィルムの第 1 の実施形態を示す断面図であり、 図 8は、 本発明の転写フィルムの第 2 の実施形態を示す断面図であり、 図 9は、 第 2に実施形態の転写フィルムの作成において、 蒸着の際の 酸素導入量と表面抵抗率との関係を表わすグラフであり、
図 1 0は、 第 2の実施形態の転写ブイルムを使用してメタルバック層 が形成された蛍光面の構造を概略的に示す拡大断面図であり、
図 1 1は、 メタルバック層の表面抵抗率と F E Dの放電開始電圧との 関係を示すグラフであり、
図 1 2は、 本発明の転写フィルムの第 3の実施形態を示す断面図であ り 、
図 1 3は、 第 3の実施形態の転写フィルムを使用してメタルバック層 が形成された蛍光面の構造を概略的に示す拡大断面図であり、
図 1 4は、 F E Dの相対輝度と放電開始電圧との関係を示すグラフで あり、
図 1 5は、 実施例 1で、 カラ一ブラウン管用のフェースプレー トに転 写方式により メタルバック層を形成する方法を示し、 図 1 5 Aは金属膜 の転写工程を示す断面図、 図 1 5 Bはべ一スフイルムの剥離工程を示す 断面図、 図 1 5 Cはメタルバック層が形成されたフエ一スプレートの断 面図であり、
図 1 6は、 実施例 1 により形成されたメタルバック層を備えたカラ一 ブラウン管の断面図であり、
図 1 7は、 実施例 3により形成されたメタルバック層を備えたカラー F E Dの断面図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の好適な実施の形態について説明する。 なお、 本発明は 以下の実施例に限定されるものではない。
図 7は、 本発明の転写フィルムの第 1 の実施形態を示す断面図である。 図において、 符号 1 1 はべ一スフイノレムを示し、 このベースフィルム 1 1 の上に、 離型剤層 1 2、 保護膜 1 3、 金属膜 1 4および接着剤層 1 5 力 この順で積層して形成されている。
ベ一スフイルム 1 1 と しては、 特に限定されず、 一般的にベースフィ ルムと して使用されているポリエステル (ポリエチレンテレフタ レー ト、 ポリブチレンテレフタ レー ト) 、 ポリエチレン、 ポリプロピレン、 ナイ ロ ン (ポリアミ ド) 、 セロハン、 ポリカーボネー ト、 ポリアク リ レー ト、 ポリイ ミ ド、 芳香族ポリアミ ド等の樹脂から、 任意に選択して使用する ことができる。 このべ一スフイルム 1 1 の厚さは、 5〜 5 0 /i m 程度と することが望ま しい e ベ一スフイルム 1 1 の厚さが薄すぎると、 転写 フィルムの押圧処理時に変形が著しく、 金属膜 1 4にしわ等が発生しや すく 、 厚すぎると、 下地との追随性が劣化し、 転写性が低下する。
離型剤と しては、 酢酸セルロース、 ワ ックス、 脂肪酸、 脂肪酸アミ ド、 脂肪酸エステル、 ロジン、 アク リル樹脂、 シリ コーン、 フッ素樹脂等が 挙げられ、 これらの中から、 ベ一スフイルム 1 1 と保護膜 1 3 との剥離 性に応じて適宜選択して使用される。 また、 このよ うな離型剤層 1 2は、 ダラビアコータ等によ りべ一スフイルム 1 1上に形成され、 その膜厚は 0 . 1 〜 3 0 μ π とすることが望ましい。 剥離剤層 1 2の厚さが薄すぎ ると、 剥離性が低下し、 厚すぎると、 保護膜 1 3の成膜性が悪化して好 ましくない。
保護膜 1 3 には、 熱硬化性榭脂、 熱可塑性樹脂、 光硬化性樹脂等が ベースと して使用される。 具体的には、 転写性、 火膨れ特性、 亀裂特性 の 3特性を考慮し、 後述する接着剤との組合せを考えた上で適宜選択さ れる。 例えば、 アク リル樹脂、 メ ラミン樹脂、 尿素樹脂、 アク リルーメ ラミン共重合体樹脂、 メ ラ ミ ン一尿素共重合体樹脂、 ポリ ウレタン樹脂、 ポリエステル樹脂、 エポキシ樹脂、 アルキッ ド樹脂、 ポリアミ ド樹脂、 セルロース類、 ビニル系樹脂、 ゴム類系等から選ばれた 1種以上のポリ マ一が、 ベースと して使用される。
そして、 亀裂特性を向上させるために、 リ ン酸エステル、 脂肪族一塩 基酸エステル、 脂肪族二塩基酸エステル、 二価アルコールエステル、 ォ キシ酸エステル、 ォレイ ン酸ブチル、 アジピン酸ジブチル、 塩化パラ フィン、 トルエンスルフォンェチノ レア ミ ド、 トルエンスルフォンメチ ルァミ ド、 アミ ノベンゼンスルフォンァ ミ ド化合物、 スルフォンァミ ド 化合物、 ァビエチン酸メチル、 ジノニルナフタレン、 ァセチルクェン酸 ト リブチル、 ァ ミ ノ トルエンスルフォンア ミ ド化合物、 N—ブチルベン ゼンスルフォンアミ ドなどから選ばれた柔軟剤が、 保護膜全体に対して
1〜 3 0 %の割合で混入される。
また、 このよ うな保護膜 1 3は、 グラビアコータ等によ り離型剤層 1
2上に形成され、 その膜厚は 0 . 1 〜 3 0 μ m 程度とすることが望まし レ、。 保護膜 1 3 の膜厚が薄すぎる と、 形成される金属膜 1 4 (メタル バック層) の可視光反射性能が劣化し、 厚すぎると、 火膨れ特性が悪化 して好ましく ない。
金属膜 1 4は、 A 1 、 A u、 N i などの金属から適宜選択され、 蒸着 により保護膜 1 3上に形成される。 金属膜 1 4の膜厚は、 蛍光面にかか るァノード電圧等の使用環境から、 デッ ドボルテージなどを考慮して設 定されるが、 通常 1 0〜 2 0 O nm程度である。
接着剤は、 蛍光体層および金属膜 1 4 の両方に接着性の良好なものの 中から、 保護膜 1 3 との組合せを考慮して適宜選択され、 前記した第 3 グループの接着剤の使用が望ましい。 例えば、 酢酸ビュル樹脂、 ェチレ ンー酢酸ビュル共重合体、 スチレン一アク リル酸樹脂、 エチレン一酢酸 ビニルーァク リル酸三元重合体樹脂、 塩化ビニルー酢酸ビニル共重合体 樹脂、 ポリブテン樹脂、 ポリアミ ド樹脂を主成分とする接着剤があり、 2種類以上の樹脂を併用することもできる。 また、 接着性以外の膜質改 善のために、 必要に応じて前記以外の樹脂や安定剤、 充填剤等を併用す るこ とができる。
このよ うな接着剤層 1 5は、 グラビアコ一タ等により金属膜 1 4上に 形成され、 その厚さは l 〜 2 0 /i m とすることが望ましい。 接着剤層 1 5の厚さが薄すぎると、 転写性および亀裂特性が悪化し、 厚すぎると火 膨れ特性が悪化して好ましく ない。 さらに、 このよ うな接着剤層 1 5を、 転写フィルム側に設けず、 蛍光体層側に設けること もできる。 また、 転 写フィルム側と蛍光体層側との両方に設けてもよい。
次に、 このよ うな構成の転与フィルムを用いてメタルバック層を形成 する実施形態について説明する。
まず、 フェースプレート上に蛍光体層を形成する。 すなわち、 Z n S 系、 Y203 系、 Y22S系などの蛍光体 (平均粒子径 4〜 1 5 m) を、 スラ リ ー法、 スプレー法、 印刷法などにより、 フェースプレー ト上に塗 布 · 乾燥し、 必要に応じてフォ ト リ ソ法を用いてパターニングを行い、 蛍光体層を形成する。
次に、 この蛍光体層上に、 前記した実施例の転写フィルムを、 接着剤 層が蛍光体層上に接するように配置し、 押圧処理を行う。 押圧方式と し ては、 スタンプ方式、 ローラ一方式等がある。 押圧部を構成する材料と しては、 天然ゴム、 シリ コーンゴム等の硬度の調整が可能なものがよく、 その硬度は 2 0〜 1 0 0度程度とする。 また、 押圧時は熱を加えてよく、 転写フィルムに使用する樹脂等との兼ね合いで、 4 0から 2 5 0 °じ程度 に加熱することができる。 押圧力は l〜 1 0 0 0 k g / c m2程度とす る。
次いで、 ベースフィルムを剥がし取る。 剥がし取る速度については、 特に限定されないが、 連続的に剥がし取らないと転写性にムラが生じ好 ましくない。 このとき、 蛍光面上には、 接着剤層、 金属膜、 保護膜およ び離型剤層の一部が残る。 その後、 金属膜などの形成された蛍光面を、 フエ一スプレー トごと 4 5 0 °C程度の温度に加熱焼成し、 残留する有機 分を除去する。 以上の工程を経て、 良好なメ タルバック層が形成された 蛍光面が完成する。
次に、 本発明の転写フィルムの第 2の実施形態について説明する。 こ の転写フィルムでは、 図 8に示すように、 ベ一スフイルム 1 1上に離型 剤層 1 2が形成され、 その上に表面抵抗率が 1 0 2〜 1 0 8 ΩΖ口の高 抵抗層 1 6 と接着剤層 1 5が積層して形成されている。 なお、 離型剤層 1 2 と高抵抗層 1 6 との間に保護膜が介設された構造と しても良い。 高 抵抗層 1 6の膜厚は、 5〜: 1 5 0 nm とすることが好ましく 、 1 0〜 1 0 0 nmの範囲がより好適している。
高抵抗層 1 6を構成する材料と しては、 アルミニウム酸化物、 二酸化 ゲイ素 (S i 〇 2) 、 A i Nあるいは T i Nのよ うな各種無機材料を使 用することができる。 転写フィルムにおいて、 アルミニウム酸化物の高 抵抗層を形成するには、 以下に示す方法を採ることができる。
すなわち、 1 X 1 0— 4Pa 程度の高真空度にした後、 酸素を導入しな がら剥離剤層あるいは保護膜上にアルミ二ゥムを蒸着することにより、 高抵抗層を形成することができる。
ここで、 蒸着の際の酸素導入量を調整することで、 形成される高抵抗 層の表面抵抗率をコン トロールすることができる。 本発明者らが、 酸素 導入量を 2 SCMM、 4 SCMM および 6 SC M と してアルミ ニウムの蒸着を 行ったところ、 それぞれ 1 0 2 ΩΖ口、 1 040 口および 1 06 Ωノロ の表面抵抗率を有する蒸着膜が形成された。 そして、 形成後この蒸着膜 をさらに 4 5 0 °C程度の温度で加熱処理 (ベーキング) することで、 酸 化が進行し表面抵抗率が 1〜 3桁上昇することがわかった。 この実験の 結果、 得られた酸素導入量と表面抵抗率との関係を表わすグラフを図 9 に示す。
また、 転写フィルムにおいて、 二酸化ケイ素 (S i O 2) 、 A 1 Nあ るいは T i Nから成る高抵抗層を形成するには、 通常スパッタ リ ングな どの方法が採られる。
次に、 このよ う な高抵抗層を有する転写フィルムを用いて形成された メタルバック層について説明する。 図 1 0は、 メタルバック層が形成さ れた蛍光面の実施形態を概略的に示す断面図である。 図において、 符号 1 7はガラスパネルのよ うな透光性基板、 1 8は蛍光体層、 1 9はメタ ルバック層をそれぞれ示している。 メタルバック層 1 9は、 膜厚が 5〜 1 5 0 nm で 1 0 3〜 1 0 1 ° Ω /口の表面抵抗率を有している。 また、 メタルバック層 1 9の反射率は、 通常のアルミ二ゥム膜を 1 0 0 %と し た相対輝度で 4 0〜 9 5 %となっている。
このよ うな蛍光面を有するフエ一スプレー トと電子放出素子を有する リアプレー トとを、 基板間距離を 1 mm と して組み立てて得られた F E Dについて、 メタルバック層の表面抵抗率と放電開始電圧との関係を、 図 1 1 に示す =
このグラフから明らかなよ うに、 メタルバック層の表面抵抗率を 1 0 3 Ω Ζ口以上とすることで、 顕著な放電抑制効果が認められるが、 表面 抵抗率が 1 0 1 ϋ Ω /口を越えると、 電流が極端に流れにく く なり、 安 定した輝度を得ることができない。 このような耐電圧特性の向上が達成 される理由については必ずしも明らかではないが、 高抵抗の層を配置し たことによる放電抑制効果に加えて、 膜質の違いによる関係も考えられ る。
このように、 前記した蛍光面を有する F E Dにおいては、 基板間の放 電が抑制され、 耐電圧特性が向上する。 また、 1 0 3〜 1 0 1 0 Ω Ζ口と 高い表面抵抗率を有するメ タルバック層 1 9が、 転写方式によ り形成さ れているので、 ラッカ一法またはェマルジョ ン法により形成されたメタ ルバック層に比べて、 極めて薄くても光透過率の増大が生じにく く反射 性が高い層が得られており、 特に F E Dのよ うな低電圧駆動の表示装置 では有利である。
次に、 本発明の転写フィルムの第 3 の実施形態について説明する。 こ の転写フィルムにおいては、 図 1 2に示すよ うに、 ベースフィルム 1 1 上に離型剤層 1 2が形成され、 その上にメタルバック形成用の転写膜 2 0 と接着剤層 1 5が積層して形成されている。 転写膜 2 0は、 1 02〜 1 08 ΩΖ口の表面抵抗率を有する高抵抗層 2 1 の上に、 表面抵抗率が 1 0 2 ΩΖ口未満で反射性の良好な低抵抗層 2 2が積層 · 形成された 2 層構造を有している。 このよ うな 2層構造の転写膜 2 0の全膜厚は、 5
〜 1 5 0 nm とすることが好ましく、 1 0〜 1 0 Onm の範囲がより好適 している。
このよ うな転写フィルムを用いることによ り 、 図 1 3 に示すメ タル バック付き蛍光面が形成される。 この蛍光面では、 表面抵抗率が 1 0 3 ΩΖ口未満で反射性の良好な低抵抗層 2 2 とその上に積層された 1 03 〜 1 Ο ι σ ΩΖ口の表面抵抗率を有する高抵抗層 2 1 とから成るメ タル バック層 1 9が、 蛍光体層 1 8上に形成されている。 メタルバック層 1 9の反射率は、 通常のアルミニウム膜を 1 0 0 %と した相対輝度で、 下 層の低抵抗層 2 2が 8 5〜 : 1 0 0 %、 上層の高抵抗層 2 1 が 2 0〜 9 0 %となっている。
次に、 このよ うな蛍光面を有するフユ一スプレー トと電子放出素子を 有する リ アプレー ト とを、 基板間距離を l nrni と して組み立てて得られ た F E Dについて、 相対輝度と放電開始電圧との関係を図 1 4に示す。 また、 メタルバック層 1 9が、 表面抵抗率が l O S l O i O Qノロの高 抵抗層のみから構成された F E Dについて、 相対輝度と放電開始電圧と の関係を同様に測定した結果を、 図に破線で示す
このグラフから、 低抵抗層 2 2 と高抵抗層 2 1 とが積層された 2層構 造のメタルバック層 1 9を有する F E Dでは、 基板間の放電が抑制され、 耐電圧特性が向上する うえに、 メタルバック層 1 9での光反射性が十分 に確保され、 高輝度を有していることがわかる。 これに対して、 メタル バック層 1 9が高抵抗層のみから構成された F E Dでは、 表面抵抗率の 上昇に反比例して膜の反射性が低下し、 輝度の低下が生じる。
次に、 本発明を表示装置に適用した具体的実施例について説明する。 実施例 1
まず、 以下の手順にしたがって、 転写フィルムを作製した。 厚さ 2 0 m のポリエステル樹脂製のベ一スフイルム上に、 トルエン 7 5部、 メチ ルイ ソブチルケ トン 1 2部、 メチルェチルケ トン 1 2部、 アセチレング リ コール 0. 2部、 ワ ックス類 0. 2部、 酢酸セルロース 0. 2部、 口 ジン系樹脂 0. 2部、 シリ コーン樹脂 0 . 2部からなる離型剤を、 グラ ビアコ一タによ り塗布 ' 乾燥し、 厚さ 0 . 5 μ mの離型剤層を形成した。 次いで、 この離型剤層上に、 メチルイソブチルケ トン 2 5部、 メチルェ チルケ トン 2 5部、 変性アルコール 6部、 トルエン 1 0部、 酢酸ブチル 1 0部、 酢酸ェチル 1 0部、 メ ラ ミ ン樹脂 5部、 尿素樹脂 5部、 繊維素 誘導体 1部、 ロジン系樹脂 1部、 ジメチルシロキサン 1部、 リ ン酸 0. 5部、 p— トルエンスルフォン酸 0 . 5部からなる樹脂組成物を、 ダラ ビアコ一タにより塗布 · 乾燥し、 厚さ 1 μ πιの保護膜を形成した。
次いで、 この保護膜上にアルミニゥムを蒸着し、 厚さ 1 0 O nm のァ ルミ -ゥム膜を形成した後、 このアルミニウム膜上に、 トルエン 9 0部、 ポリ酢酸ビニル樹脂 1 0部からなる樹脂組成物をグラビアコ一タにより 塗布 · 乾燥し、 厚さ 1 2 μ πι の接着剤層を形成した。 このよ うにして、 転写フィルムを作製した。
次に、 図 1 5 Aに示すように、 3 2型カラ一ブラウン管用のフェース プレート 2 3内面に、 黒色顔料からなるス トライプ状の遮光層を、 フォ ト リ ソ法によ り形成した後、 遮光層上の遮光部と遮光部との間に、 赤 (R) 、 緑 (G) 、 青 (Β) の 3色の蛍光体層 1 8を、 ス トライプ状で それぞれが隣り合うようにフォ ト リ ソ法により形成した。
次に、 前記した転写フイルム 2 4の接着剤層が蛍光体層 1 8に接する よ うに配置し、 フエ一スプレー ト 2 3内面に沿った形状を有し、 硬度 5 0度で表面温度 2 0 0 °Cのゴムスタンプ 2 5により、 押圧時間 1秒、 3 0 0 k g / c m 2 の押圧力で矢印方向に圧着した。 その後、 図 1 5 Bに 示すよ う に、 l O m Z min. の速度でベ一ス フイ ルム 1 1 を剥が し、 フエ一スプレー ト 2 3の蛍光体層 1 8上に金属膜 (アルミ ニウム膜) 1 4を接着した。
次いで、 公知のブラウン管製造工程にしたがって、 フェースプレート とファンネルとの接合を行い、 接合の際のピーク温度約 4 5 0 °Cの加熱 処理工程で、 有機分を分解し除去した。 こ う して、 図 1 5 Cに示すよう に、 メタルバック層 1 9を形成した。 その後、 電子銃の封止、 排気、 防 爆バンドの取付け等の必要な処理を行い、 図 1 6に示す構造を有する 3 2型カラ一ブラウン管を完成した。 なお、 図中符号 2 6はファ ンネル、
2 7は電子銃、 2 8は遮光層と蛍光体層およびメ タルバック層、 2 9は シャ ドウマスク、 3 0は防爆バンドをそれぞれ示す。
このようなカラ一ブラウン管のメタルバック層形成において、 加熱処 埋工程での歩留まりは 9 0 <½であり、 充分に実用可能域であった。 メタ ルバック層に起因する不良の内訳は、 火膨れ不良 4 %、 亀裂不良 5 %で あり、 接着剤層の厚さのバラツキによるものであった。 また、 加速電圧
3 2 k V、 電流密度 0 . 5 / A Z c m 2、 全面ラスタ一信号にてセン ター輝度を測定したと ころ、 R, G, B と もに、 ラ ッカ一法でメ タル バック層を形成した場合に比べて、 + 2 0 %と高い数値を示し、 良好な メタルバック効果を得ていた。
実施例 2
まず、 以下の手順にしたがって、 転写フィルムを作製した。 厚さ 2 0 μ m のポリエステル樹脂製のベ一スフイルム上に、 トルエン 7 5部、 メチ ルイ ソブチルケ トン 1 2部、 メチルェチルケ トン 1 2部、 ァセチレング リ コ一ル 0 . 2部、 シリ コーン樹脂 0 . 2部からなる離型剤を、 グラビ アコ一タにより塗布 · 乾燥し、 厚さ 0 . 5 μ π の離型剤層を形成した。 次いで、 この離型剤層上に、 メチルイ ソブチルケ トン 2 5部、 メチルェ チルケ トン 2 5部、 変性アルコール 6部、 トルエン 1 0部、 酢酸ブチル 1 0部、 酢酸ェチル 1 0部、 メラミン樹脂 5部、 尿素樹脂 5部、 繊維素 誘導体 1部、 ロジン系樹脂 1部、 ジメチルシロキサン 1部、 リ ン酸 0 . 5部、 ρ— トルエンスルフォ ン酸 0 . 5 部、 Ν —ブチルベンゼンスル フォンアミ ド 2部からなる樹脂組成物を、 グラビアコ一タによ り塗布 · 乾燥し、 厚さ 1 // mの保護膜を形成した。
次いで、 この保護膜上にアルミ ニウムを蒸着し、 厚さ 1 0 0 nm のァ ルミ二ゥム膜を形成した後、 このアルミニウム膜上に、 トルエン 9 0部、 ポリ酢酸ビエル樹脂 1 0部からなる樹脂組成物をダラビアコータにより 塗布 · 乾燥し、 厚さ 4 /i m の接着剤層を形成した。 このよ う にして作製 された転写フィルムを用い、 実施例 1 と同様にして 3 2型カラ一ブラウ ン管を完成した。
このようなカラーブラゥン管の製造において、 加熱処理工程での歩留 まりは 9 9 %と良好であり、 メタルバック層に起因する不良は発生しな かった。 また、 加速電圧 3 2 1^ 、 電流密度 0 . 5 A Z c m 2、 全面 ラスタ一信号にてセンタ一輝度を測定したと ころ、 R, G , B と もに ラッカ一法に比べて + 2 0 %と高い数値を示し、 良好なメタルバック効 果を得ていた。
実施例 3
まず、 実施例 2 と同様にして転写フィルムを作製した。 但し、 アルミ二 ゥム膜の膜厚は 5 0 nmと した。
次いで、 1 0型 F E D用のフェースプレー トの片面に、 黒色顔料から なるス トライプ状の遮光層をスク リ一ン印刷法により形成した後、 遮光 層上の遮光部と遮光部との間に、 赤 (R) 、 緑 (G) 、 青 (B) の 3色 の蛍光体層を、 ス トライプ状でそれぞれが隣り合う ようにスク リーン印 刷法より形成した。
次に、 転写ブイルムの接着剤層側が蛍光体層に接するよ うに配置し、 硬度 5 0度、 表面温度 2 0 0 °Cのゴムローラーによ り、 2 mZmin.の速 度、 3 0 0 k g c m2 の押圧力で圧着した後、 1 0 m./rnin.の速度で ベ一スフイルムを剥がし、 フェースプレートの蛍光体層上にアルミユウ ム膜を形成した。 その後、 フェースプレートを、 室温から 2 0 0 °Cまで を 1 0°CZmin.、 2 0 0 °Cから 3 8 0 °Cまでを 9 °C Zmin.、 3 8 0 °C力 ら 4 5 0 °Cまでを 3 °CZmin.の温度勾配で昇温し、 4 5 0 °Cで 3 0分間 加熱処理した後、 3 °CZmin.の温度勾配で室温まで降温した。 この加熱 処理によ り、 各樹脂層から有機分が焼失され、 蛍光体層の上にメタル バック層が形成された。
次いで、 基板上に表面伝導型電子放出素子をマ ト リクス状に多数形成 した電子発生源を、 リアプレートに固定した後、 このリアプレートを、 支持枠を介してフェースプレー トにフリ ッ トガラスにより封着した。 そ の後、 排気、 封止等必要な処理を施し、 図 1 7に示す構造を有する 1 0 型カラ— F E Dを完成した。 なお、 図中符号 3 1 は高圧端子、 3 2はリ ァプレー ト、 3 3は基板、 3 4は表面伝導型電子放出素子、 3 5は支持 枠、 3 6はフエ一スプレート、 3 7はメタルバック層が形成された蛍光 面をそれぞれ示す。
このような F E Dのメタルバック層形成において、 加熱処理工程での 歩留まりは 9 9 %と良好であり、 メタルバック層起因による不良は発生 しなかった。 また、 加速電圧 5 k V、 電流密度 2 0 μ AZ c m2、 全面 ラスタ一信号にてセンタ一輝度を測定したところ、 R, G, B ともラッ 力一法に対して + 5 0 %と高い数値を示し、 良好なメタルバック効果を 得ていた。
さらに、 以下の方法により、 輝度ムラを評価した。 すなわち、 フエ一 スプレー トの画像表示部を、 縦 1 0列、 横 1 0列の 1 0 0個のゾーンに 分け、 加速電圧 5 k V、 R , G , Bそれぞれの電流密度 2 0 μ A / c m 2、 全面ラスタ一信号にて各ゾーンの白色輝度を測定し、 ゾーンの輝度 値の標準偏差により輝度ムラを評価した。 その結果、 ラッカー法により メタルバック層を形成した場合の標準偏差 ( σ ) が、 3 0 . 5 となった のに対し、 本実施例では 2 . 6 となり、 輝度のバラツキがほとんど解消 されていた。 これは、 アルミニウム膜の膜厚の均一性によるものであり、 F E Dのよ うな低電圧駆動の表示装置の場合、 本発明の転写方式による メタルバック層形成が、 特に有効であることが実証された。
実施例 4
まず、 以下の手順にしたがって、 転写フィルムを作製した。 厚さ 2 0 /i m のポリエステル樹脂製のベ一スフイルム上に、 シリ コーン樹脂を主成 分とする厚さ 0 . 5 / m の離型剤層を形成した後、 その上に、 メラミン 樹脂を主成分とする厚さ 1 mの保護膜を形成した。
次いで、 この保護膜上にアルミニゥムを蒸着し、 厚さ 7 0 nm のアル ミニゥム酸化物の膜を形成した。 このとき、 まず真空度を 1 X 1 0—4
Pa まで高めてから、 酸素を 4 SCCM の割合で導入しながらアルミニウム を蒸着した。 こ う して、 表面抵抗率が約 1 0 3 Ω Ζ口の高抵抗層を形成 した。 さらにその上に、 酢酸ビニル樹脂等を主成分とする厚さ 1 2 /i m の接着剤層を形成し、 転写シートを完成した。
次に、 F E D用のフェースプレー トの片面に、 黒色顔料からなるス ト ライプ状の遮光層をスク リーン印刷法により形成した後、 遮光部の間に 赤 (R ) 、 緑 (G ) 、 青 (B ) の 3色の蛍光体層を、 ス トライプ状でそ れぞれが隣り合うようにスク リ一ン印刷法より形成した。 次に、 転写フィルムの接着剤層側が蛍光体層に接するよ うに配置し、 実施例 3 と同様にして高抵抗層を転写した後、 4 5 0 °Cで 3 0分間加熱 処理した。 この加熱処理により、 転写直後は約 1 0 3 ΩΖ口であった高 抵抗層の表面抵抗率が上昇し、 1 05 Ω Z口のオーダ一の表面抵抗率を 有するメタルバック層が形成された。
次いで、 基板上に表面伝導型電子放出素子をマ ト リクス状に多数形成 した電子発生源を、 リアプレートに固定した後、 このリアプレートと前 記したメタルバック層を有するフェースプレー トとを、 約 l mm の間隔 で対向配置し、 支持枠を介してフリ ッ トガラスにより封着した。 その後、 排気、 封止等必要な処理を施し、 1 0型カラー F E Dを完成した。
このようにして得られた F E Dを、 加速電圧 5 k V、 電流密度 2 0 x A/ c m2, 全面ラスタ一信号にて駆動しセンタ一輝度を測定したとこ ろ、 メタルバック層を通常のアルミユウム膜と した場合に比べて 9 0 % の相対輝度を示した。 また、 放電開始電圧は従来の 4 k Vから 1 2 k V まで上昇し、 放電が抑制され耐電圧特性が良好であることが確かめられ た。
実施例 5
まず、 実施例 4 と同様にして転写フィルムを作製した。 但し、 メ タル バック形成用の転写膜の形成を、 以下に示すようにして行った。 すなわ ち、 真空度を 1 X I 0— 4Pa まで高め、 酸素を 4 SCCM の割合で導入しな がらアルミニウムを蒸着することにより、 保護膜上に表面抵抗率が約 1
03 Ω /口の高抵抗層 (厚さ 3 5 ηπ を形成した後、 通常の条件でアル ミニゥムの蒸着を行い、 高抵抗層の上に 1 0 ΩΖ口以下の表面抵抗率を 有するアルミ二ゥム膜 (厚さ 3 5 nm) を形成した。
次いで、 この転写フィルムを使用し、 実施例 4 と同様にして 1 0型力 ラー F E Dを完成した。 得られた F E Dを、 加速電圧 5 k V、 電流密度 2 0 μ A / c m 全面ラスタ一信号にて駆動してセンタ一輝度を測定 したところ、 メタルバック層を通常のアルミニゥム膜と した場合に比べ て 9 5 %の相対輝度を示し、 この実施例で得られたメタルバック層の反 射性が、 実施例 4のものに比べて高いことがわかった。 また、 放電開始 電圧は従来の 4 k Vから 1 2 k Vまで上昇しており、 実施例 4 と同等の 高い耐電圧特性を有することがわかった。 産業上の利用可能性
以上説明したように、 本発明では、 転写方式によるメタルバック層の 形成において、 転写性と耐ベーキング特性 (特に亀裂特性) を改善する ことができ、 それによ り良好なメタルバック層を歩留ま り良く得ること ができる。 また、 転写フィルム等に設ける接着剤層の厚さの幅も、 広く 設定することができ、 接着剤層形成の作業性が良い。 そして、 形成され るメタルバック層の反射効果が高く、 高輝度の蛍光面が得られる。 また、 基板間の放電が抑制され、 耐電圧特性が向上する。
さらにまた、 メタルバック層形成の工程が簡便で、 表示装置の製造コ ス トも低くすることができる。 特に、 低電圧駆動の表示装置では、 輝度 ムラがなく品位の良好な表示面が得ることができる。

Claims

請求の範囲
1 . ベースフィルムと、 このべ一スフイルム上に積層して形成された離 型剤層、 保護膜および金属膜を少なく とも有する転写フィルムにおいて、 前記保護膜が、 樹脂を主体と し、 リン酸エステル、 脂肪族一塩基酸ェ ステル、 脂肪族二塩基酸エステル、 二価アルコールエステル、 ォキシ酸 エステル、 ォレイ ン酸ブチル、 アジピン酸ジブチル、 塩化パラフィ ン、 トルエンスルフォンェチルア ミ ド、 トルエンス/レフオンメチルアミ ド、 ァミ ノベンゼンスルフォンア ミ ド化合物、 スルフォンア ミ ド化合物、 ァ ビエチン酸メチル、 ジノニルナフタ レン、 ァセチルクェン酸 ト リ ブチル、 ァミ ノ トルエンスルフォンアミ ド化合物、 N—ブチノレベンゼンスルフォ ンアミ ドからなる群より選ばれる 1種以上の柔軟剤を含有することを特 徴とする転写フィルム。
2 . 前記柔軟剤が、 前記保護膜を構成する全材料に対する質量比で、 1 - 3 0 %の範囲で含有されることを特徴とする請求項 1記載の転写フィ ルム。
3 . 前記保護膜の膜厚が、 0 . 1 〜 3 0 // m であることを特徴とする請 求項 1記載の転写フィルム。
4 . 前記金属膜上に、 さらに接着剤層を有することを特徴とする請求項 1記載の転写フィルム。
5 . 前記接着剤が、 酢酸ビニル樹脂、 エチレン一酢酸ビニル共重合体、 スチレンーァク リル酸樹脂、 エチレン一酢酸ビュル一ァク リル酸三元重 合体樹脂、 塩化ビニルー酢酸ビニル共重合体樹脂、 ポリブテン樹脂、 ポ リアミ ド樹脂からなる群より選ばれる 1種以上の樹脂を主成分とするこ とを特徴とする請求項 1記載の転写フィルム。
6 . ベ一スフイルムと、 このべ一スフイルム上に積層された離型剤層お よび転写層を少なく とも備えた転写フィルムにおいて、
前記転写層が、 1 0 2〜 1 0 8 Ω //口 ( square ; 以下同じ。 ) の表面 抵抗率を有する高抵抗層を有することを特徴とする転写フィルム。
7 . 前記転写層が、 表面抵抗率が 1 0 2〜 1 0 8 Ω /口の高抵抗層と、 δ その上層に積層された 1 0 2 Ω Ζ口未満の表面抵抗率を有する光反射層 とを有することを特徴とする請求項 6記載の転写フィルム。
8 . フエ一スプレー ト内面に蛍光体層を形成する工程と、
請求項 1記載の転写ブイルムを、 その金属膜が前記蛍光体層に接着剤 層を介して接するように配置し、 前記転写フィルムを前記蛍光体層上に0 押圧し接着した後、 該転写フィルムのべ一スフイルムを剥ぎ取る金属膜 転写工程と、
前記蛍光体層上に前記金属膜が転写されたフエ一スプレートを加熱処 理する工程とを備えたことを特徴とするメタルバック層形成方法。
9 . 前記金属膜転写工程の前に、 前記転写フィルムの金属膜上または前5 記蛍光体層上の少なく とも一方に、 前記接着剤層を形成する工程を有す ることを特徴とする請求項 8記載のメタルバック層形成方法。
1 0 . フェースプレー ト内面に蛍光体層を形成する工程と、
請求項 6記載の転写フィルムを、 その転写層が前記蛍光体層に接着剤 層を介して接するように配置し、 前記転写フィルムを前記蛍光体層上に0 押圧し接着した後、 該転写フィルムのべ一スフイルムを剥ぎ取る転写ェ 程と、
前記蛍光体層上に前記転写層が転写されたフユ一スプレートを加熱処 理する工程とを備えたことを特徴とするメタルバック層形成方法。
1 1 . フエ一スプレート内面に蛍光体層を形成する工程と、
5 請求項 7記載の転写フィルムを、 その転写層が前記蛍光体層に接着剤 層を介して接するように配置し、 前記転写ブイルムを前記蛍光体層上に 押圧し接着した後、 該転写フイルムのベ一スフイルムを剥ぎ取る転写ェ 程と、
前記蛍光体層上に前記転写層が転写されたフェースブレー トを加熱処 理する工程とを備えたことを特徴とするメタルバック層形成方法。
1 2 . 前記転写工程の前に、 前記転写フィルムの転写層上または前記蛍 光体層上の少なく とも一方に、 前記接着剤層を形成する工程を有するこ とを特徴とする請求項 1 0記載のメタルバック層形成方法。
1 3 . 前記転写工程の前に、 前記転写フィルムの転写層上または前記蛍 光体層上の少なく とも一方に、 前記接着剤層を形成する工程を有するこ とを特徴とする請求項 1 1記載のメタルバック層形成方法。
1 4 . フエ一スプレート内面に、 請求項 8記載のメタルバック層形成方 法によってメタルバック層が形成された蛍光面を備えたことを特徴とす る画像表示装置。
1 5 . リアプレー ト と、 前記リ アプレー ト と対向配置されたフエ一スプ レートとを有する外囲器と、 前記リアプレート上に形成された多数の電 子放出素子と、 前記フエ一スプレート上に前記リアプレー トに対向して 形成され、 前記電子放出素子から放出される電子ビームにより発光する 蛍光体層とを具備し、 前記フェースプレー ト内面に、 請求項 8記载のメ タルバック層形成方法によってメタルバック層が形成された蛍光面を備 えたことを特徴とする画像表示装置。
1 6 . フェースプレートの内面に、 蛍光体層と該蛍光体層の上に形成さ れたメタルバック層を備えた画像表示装置において、
前記メタルバック層が、 1 0 3〜 1 0 1 ° Ω Ζ口の表面抵抗率を有する 高抵抗層を有することを特徴とする画像表示装置。
1 7 . 前記メ タルバック層が、 1 0 3 Ωノロ未満の表面抵抗率を有する 光反射層と、 その上層に積層された表面抵抗率が 1 0 3〜 1 0 1 ° Ω Ζ口 の高抵抗層とを有することを特徴とする請求項 1 6記載の画像表示装置。
1 8 . フエ一スプレー ト内面に、 請求項 1 0記載のメタルバック層形成 方法によってメタルバック層が形成された蛍光面を備えたことを特徴と する画像表示装置。
1 9 . フユ一スプレー ト内面に、 請求項 1 1記載のメタルバック層形成 方法によってメタルバック層が形成された蛍光面を備えたことを特徴と する画像表示装置。
2 0 . 前記フェースプレー トに対向配置されたリアプレー トを備え、 前 記リアプレート上に多数の電子放出素子を有することを特徴とする請求 項 1 6記載の画像表示装置。
2 1 . 前記フェースプレートに対向配置されたリアプレー トを備え、 前 記リアプレ一ト上に多数の電子放出素子を有することを特徴とする請求 項 1 7記載の画像表示装置。
2 2 . 前記フヱ一スプレートに対向配置されたリアプレー トを備え、 前 記リアプレート上に多数の電子放出素子を有することを特徴とする請求 項 1 8記載の画像表示装置。
2 3 . 前記フェースプレートに対向配置されたリ アプレートを備え、 前 記リアプレート上に多数の電子放出素子を有することを特徴とする請求 項 1 9記載の画像表示装置。
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