KR20020074492A

KR20020074492A - 전사 필름, 메탈백층 형성 방법 및 화상 표시 장치

Info

Publication number: KR20020074492A
Application number: KR1020027009998A
Authority: KR
Inventors: 다께오 이또; 하지메 다나까; 도모꼬 나까자와; 다이찌로 나까야마; 다까아끼 시노하라; 요이찌로 나까야마; 가즈오 사까이
Original assignee: 가부시끼가이샤 도시바; 가부시끼가이샤 니까 테크노; 후지시끼소 가부시끼 가이샤
Priority date: 2000-02-03
Filing date: 2001-02-02
Publication date: 2002-09-30
Also published as: US6841926B2; US20050062394A1; TWI257640B; CN1397082A; US7157843B2; KR100460468B1; WO2001057905A1; EP1255275A1; US20030006696A1; CN1204587C

Abstract

전사 필름은 베이스 필름 (11)과 이 베이스 필름 (11) 상에 순서대로 적층하여 형성된 이형제층 (12), 보호막 (13) 및 금속막 (14)을 갖는 전사 필름에 있어서, 보호막 (13)이 인산 에스테르, 지방족-염기산 에스테르, 지방족 2염기산 에스테르, 2가 알코올 에스테르 등의 유연제를 함유한다. 이 전사 필름을 사용하여 메탈백층을 형성한다. 또한, 전사 필름의 전사층을 표면 저항율이 10²내지 10⁸의 고저항층으로 하므로써 형성되는 메탈백층의 표면 저항율을 높이고 방전을 제어할 수 있다.

Description

전사 필름, 메탈백층 형성 방법 및 화상 표시 장치 {Transfer Film, Method for Forming Metal Back Layer, and Image Display}

종래부터 음극 선관 (CRT)이나 전계 방출 방식의 화상 표시 장치 (FED) 등의 형광면에서는 형광체층의 내면 (페이스 플레이트와 반대측의 면)에 금속막이 형성된 메탈백 방식의 구조가 넓게 채용되고 있다. 이 메탈백층은 전자원으로부터 방출된 전자에 의해서 형광체로부터 발생한 광 중에, 전자원측으로 진행하는 광을 페이스 플레이트측으로 반사하여 휘도를 높이거나 형광체층의 전위를 안정시키는 역활을 한다. 또한 진공 엔벌로프(envelope) 내에 잔류하는 가스가 전리하여 생기는 이온에 의해 형광체층이 손상하는 것을 막는 기능도 갖고 있다.

종래부터 메탈백층의 형성은 니트로셀룰로오스로 이루어지는 얇은 막을 스핀법 등으로 형광체층 상에 형성하여 (라커법), 그 위에 알루미늄 (Al)을 진공 증착하고, 또한 소성하여 유기물을 제거하는 방법에 의해 행하여 진다.

한편, 일본 특허 공개소 63-102139호 등에는 간편한 메탈백층 형성 방법으로서, 미리 이형제를 적용한 필름 상에 금속 증착막을 형성하고, 이것을 접착제를 사용하여 형광체층 상에 전사하는 방법 (전사 방식)이 제안되고 있다.

그러나, 전사 방식에 의한 메탈백층의 형성 방법에서는 형광체층으로의 충분한 접착력의 확보와 소성 공정에서의 내베이킹 특성이 필요하지만, 이들 특성은 양립이 어려워, 종래부터 전사 방식은 실용화가 곤란하였다.

즉, 양호한 전사성을 확보하기 위해서는, 접착제층을 두껍게 하여 접착력을 충분히 확보해야만 하지만, 접착제층이 두꺼우면 다음 소성 공정에서 대량의 유기물을 분해하여 비산시키지 않으면 안된다. 따라서, 이 때 발생하는 분해 가스에 의해 블리스터(blister) 등의 금속막의 파괴가 발생되고 내베이킹 특성을 양호하게 유지하는 것이 곤란하였다.

또한, 일본 특허 공개평 3-49131호, 일본 특허 공개평 4-51423호, 일본 특허공개평 5-l90084호 공보 등에는, 금속막에 분해 가스를 빼기 위한 미세 구멍을 설치함으로써 전사 방식에서의 블리스터에 의한 금속막의 불량을 개선하는 방법이 개시되어 있다. 그러나, 이러한 방법에서는 모두 메탈백층의 광 반사 성능을 열화시키는 부차 작용을 일으킨다는 문제가 있었다.

한편, 일본 특허 공개소 64-30134호에는 메탈백층과 이형제층 사이에, 아크릴계 등의 수지로 이루어지는 앵커층을 형성하는 구성이 개시되어 있지만, 이 방법에서도 양호한 금속막의 형성은 곤란하였다.

또한, 상기한 락커법에 의한 메탈백층의 형성에서는 커다란 요철을 갖는 기재면에 진공 증착에 의해 금속막을 형성하기 때문에 얇고 반사율이 높은 막의 형성이 곤란하였다. 따라서, 고휘도의 형광면을 얻기가 어렵고, 특히 저속 전자선 영역에서 작동하는 FED와 같은 표시 장치의 형광면에서는 휘도 얼룩(불균일)의 문제도 발생되고 있었다.

또한, FED에서 형광면을 갖는 페이스 플레이트와 전자 방출 소자를 갖는 리어 플레이트 사이의 갭 (간극)은 1 내지 수 mm 정도이고, 해상도나 스페이서의 특성 면에서 크게 할 수 없다. 그 결과 페이스 플레이트와 리어 플레이트와의 매우 좁은 간극에 1O kV 전후의 고전압이 인가되어 강전계가 형성되기 때문에, 방전 (절연 파괴)이 생기기 쉽다는 문제가 있었다. 그리고 방전이 발생하면 전자 방출 소자나 형광면이 파괴 또는 열화될 우려가 있었다.

본 발명은 이들 문제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 전사 방식으로 특성이 양호한 메탈백층을 형성할 수 있는 전사 필름, 전사 방식에 의해 효과가 높은 메탈백층을 작업성 좋게 형성하는 방법, 및 메탈백 효과가 높고 내전압성이 우수하고, 고휘도로 고품질의 표시가 가능한 화상 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

<발명의 개시>

본 발명의 제1 발명의 전사 필름은 제1항에 기재하는 바와 같이, 베이스 필름과 이 베이스 필름 상에 적층하여 형성된 이형제층, 보호막 및 금속막을 적어도 갖는 전사 필름에 있어서, 상기 보호막이 수지를 주체로 하고, 인산 에스테르, 지방족 1염기산 에스테르, 지방족 2염기산 에스테르, 2가 알코올 에스테르, 옥시산 에스테르, 올레인산부틸, 아디프산디부틸, 염화파라핀, 톨루엔술폰에틸아미드, 톨루엔술폰메틸아미드, 아미노벤젠술폰아미드 화합물, 술폰아미드 화합물, 아비에틴산메틸, 디노닐나프탈렌, 아세틸시트르산트리부틸, 아미노톨루엔술폰아미드 화합물, N-부틸벤젠술폰아미드로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 유연제를 함유하는 것을 특징으로 한다.

제1 발명의 전사 필름에 있어서는 제2항에 기재하는 바와 같이, 유연제가, 보호막을 구성하는 전재료에 대한 질량비로 1 내지 30 ％의 범위로 함유되는 것이 바람직하다. 또한 제3항에 기재하는 바와 같이, 보호막의 막 두께를 0.1 내지 30 ㎛으로 하는 것이 바람직하다. 또한 제4항에 기재하는 바와 같이, 금속막 상에 또한 접착제층을 갖도록 구성할 수 있다. 그리고 접착제로서는 제5항에 기재하는 바와 같이, 아세트산비닐 수지, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 스티렌-아크릴산 수지, 에틸렌-아세트산비닐-아크릴산 3원중합체 수지, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체 수지, 폴리부텐 수지, 폴리아미드 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 수지를 주성분으로 하는 것을 사용할 수 있다.

제2 발명의 전사 필름은 제6항에 기재하는 바와 같이, 베이스 필름과 이 베이스 필름 상에 적층된 이형제층 및 전사층을 적어도 구비한 전사 필름에 있어서, 상기 전사층이 1O²내지 1O⁸Ω/□ (square: 이하 동일)의 표면 저항율을 갖는 고저항층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 그리고 제2 발명의 전사 필름에 있어서는 제7항에 기재하는 바와 같이, 전사층이 표면 저항율 1O²내지 1O⁸Ω/□의 고저항층과 그 상층에 적층된 1O²Ω/□ 미만의 표면 저항율을 갖는 광 반사층을 포함하도록 구성할 수 있다.

본 발명의 제3 발명의 메탈백층 형성 방법은 제8항에 기재하는 바와 같이, 페이스 플레이트 내면에 형광체층을 형성하는 공정과, 제1항에 기재된 전사 필름을, 그의 금속막이 상기 형광체층에 접착제층을 통해 접하도록 배치하고, 상기 전사 필름을 상기 형광체층 상에 눌러 접착한 후, 상기 전사 필름의 베이스 필름을 박리하는 금속막 전사 공정과, 상기 형광체층 상에 상기 금속막이 전사된 페이스 플레이트를 가열 처리하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.

제3 발명의 메탈백층 형성 방법에 있어서는, 제9항에 기재하는 바와 같이 금속막 전사 공정 전에, 전사 필름의 금속막 상 및 형광체층 상의 적어도 한편에 접착제층을 형성하는 공정을 포함할 수 있다.

본 발명의 제4 발명의 메탈백층 형성 방법은, 제10항에 기재하는 바와 같이, 페이스 플레이트 내면에 형광체층을 형성하는 공정과, 제6항에 기재된 전사 필름을, 그의 전사층이 상기 형광체층에 접착제층을 통해 접하도록 배치하고, 상기 전사 필름을 상기 형광체층 상에 압착 접착한 후, 상기 전사 필름의 베이스 필름을 박리하는 전사 공정과, 상기 형광체층 상에 상기 전사층이 전사된 페이스 플레이트를 가열 처리하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.

제5 발명의 메탈백층 형성 방법은, 제11항에 기재하는 바와 같이, 페이스 플레이트 내면에 형광체층을 형성하는 공정과, 제7항에 기재된 전사 필름을, 그의 전사층이 상기 형광체층에 접착제층을 통해 접하도록 배치하고, 상기 전사 필름을 상기 형광체층 상에 압착 접착한 후, 상기 전사 필름의 베이스 필름을 박리하는 전사 공정과, 상기 형광체층 상에 상기 전사층이 전사된 페이스 플레이트를 가열 처리하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.

제4 및 제5 발명의 메탈백층 형성 방법에 있어서는, 제12항 및 제13항에 기재하는 바와 같이, 전사 공정 전에, 전사 필름의 전사층 상 및 형광체층 상의 적어도 한편에 접착제층을 형성하는 공정을 포함할 수 있다.

본 발명의 제6 발명의 화상 표시 장치는, 제14항에 기재하는 바와 같이, 페이스 플레이트 상에 제8항에 기재된 메탈백층 형성 방법에 의해서 메탈백층이 형성된 형광면을 구비한 것을 특징으로 한다. 또한 제6 발명의 화상 표시 장치에 있어서는, 제15항에 기재하는 바와 같이, 리어 플레이트와, 상기 리어 플레이트와 대향 배치된 페이스 플레이트를 갖는 엔벌로프와, 상기 리어 플레이트 상에 형성된 다수의 전자 방출 소자와, 상기 페이스 플레이트 상에 상기 리어 플레이트에 대향하여 형성되고 상기 전자 방출 소자로부터 방출되는 전자빔에 의해 발광하는 형광체층을 구비하고 상기 페이스 플레이트 상에, 제8항에 기재된 메탈백층 형성 방법에 의해서 메탈백층이 형성된 형광면을 구비한 구성으로 할 수 있다.

본 발명의 제7 발명의 화상 표시 장치는, 제16항에 기재하는 바와 같이, 페이스 플레이트 내면에, 형광체층과 상기 형광체층 상에 형성된 매탈백층을 구비한 화상 표시 장치에 있어서, 상기 메탈백층이, 1O³내지 1O¹⁰Ω/□의 표면 저항율을 갖는 고저항층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 그리고 이 화상 표시 장치에 있어서는, 제17항에 기재하는 바와 같이, 메탈백층이 1O³Ω/□ 미만의 표면 저항율을 갖는 광 반사층과, 그 상층에 적층된 표면 저항율 1O³내지 1O¹⁰Ω/□의 고저항층을갖도록 구성할 수 있다.

본 발명의 제8 발명의 화상 표시 장치는, 제18항에 기재하는 바와 같이, 페이스 플레이트 내면에, 제10항에 기재된 메탈백층 형성 방법에 의해 메탈백층이 형성된 형광면을 구비하는 것을 특징으로 한다. 제9 발명의 화상 표시 장치는 제19항에 기재하는 바와 같이, 페이스 플레이트 내면에, 제11항에 기재된 메탈백층형성 방법에 따라 메탈백층이 형성된 형광면을 구비한 것을 특징으로 한다. 그리고, 제7 내지 제9 발명의 화상 표시 장치에 있어서는, 제20항 내지 제23항에 각각 기재하는 바와 같이, 페이스 플레이트에 대향 배치된 리어 플레이트를 구비하고, 상기 리어 플레이트 상에 다수의 전자 방출 소자를 갖도록 구성할 수 있다.

본 발명은 전사 방식에 의한 형광면의 메탈백층의 형성에 있어서, 접착제층 및 보호막의 각 재료 등에 대해서 상세한 실험을 실시한 결과 달성된 것이다. 이하에 실험에 대해 상세히 나타낸다.

우선, 필요 특성인 내베이킹 특성과 관련하여, 종래에는 블리스터 현상만이 고려되었지만, 여기에 종래 고려되지 않았던 균열 특성을 새롭게 덧붙여 생각할 필요가 있다는 것을 확인하였다. 즉, 전사 방식으로의 메탈백층 형성에 있어서는, 전사성과 블리스터 특성과 균열 특성의 3가지 특성을 균형 있게 만족시키는 것이 불가결하다. 여기서 전사ㆍ형성된 메탈층에 있어서의 대표적인 불량 패턴 및 양품의 패턴을 도 1에 나타낸다. 도 1A는 전사성이 불량한 상태, 도 1B는 블리스터 불량의 상태, 도 1C는 균열 불량의 상태를 각각 표시한다. 또한, 도 1D는 양품이다.

전사성과 블리스터 특성과 균열 특성의 3가지 특성의 상관 관계를 실험 결과에 기초하여 설명한다. 우선 전사성과 블리스터 특성은, 접착제의 막 두께에 밀접하게 관계되어 있는 것이 종래부터 알려져 있다. 그래서 종래부터의 전사 방식의 형성 방법에 의해 메탈백층을 제작하고, 전사성 및 블리스터 특성의 접착제의 막 두께 의존성을 조사하였다. 순서를 이하에 표시한다.

우선, 막 두께 20 ㎛의 폴리에스테르 제조의 베이스 필름 상에, 톨루엔 75 부 (질량부. 이하 동일), 메틸이소부틸케톤 12 부, 메틸에틸케톤 12 부, 아세틸렌글리콜 0.2 부, 왁스류 0.2 부, 아세트산셀룰로오스 0.2 부, 로진계 수지 0.2 부, 실리콘 수지 0.2 부로 이루어지는 이형제를 그라비아 코터에 의해 도포하고 건조하여 0.5 ㎛ 두께의 이형제층을 형성하였다.

계속해서, 상기 이형제층 상에, 메틸이소부틸케톤 25 부, 메틸에틸케톤 25 부, 변성 알코올 6 부, 톨루엔 10 부, 아세트산부틸 10 부, 아세트산에틸 10 부, 멜라민 수지 5 부, 우레아 수지 5 부, 셀룰로오스 유도체 1 부, 로진계 수지 1 부, 디메틸실록산 1 부, 인산 O.5 부, p-톨루엔술폰산 0.5 부로 이루어지는 수지 조성물을 그라비아 코터에 의해 도포ㆍ건조하여 1 ㎛ 두께의 보호막을 형성한 후, 이 보호막 상에 알루미늄을 증착하여, 두께 50 nm의 알루미늄막을 형성하였다. 다음으로, 이 알루미늄막 상에, 순수 90 부, 폴리비닐알코올 10 부로 이루어지는 수지 조성물을 그라비아 코터에 의해 도포ㆍ건조하여 접착제층을 형성하였다. 이 때, 접착제층의 막 두께를 바꾼 것을 10종류 이상 제작하였다. 이상의 구성에 의해 전사 필름을 제작하였다.

다음으로, 형광면의 제작 순서를 나타낸다. 우선, 세로 10 cm×가로 10 cm×두께 3 mm의 소다 유리판을 페이스 플레이트로 하고, 그 위에 Y₂O₂S:Eu 40 부, 순수 50 부, 폴리비닐알코올 1.4 부, 중크롬산암모늄 0.05 부, 계면 활성제 3 부로 이루어지는 형광체 슬러리를 스핀 코터에 의해 도포ㆍ건조하였다. 계속해서, 수은 램프에 의해 0.5 mW/cm²의 자외선 강도로 3O 초간 전면 노광한 후, 순수에 의해 현상하여, 가교 경화하지 않은 잉여 슬러리를 제거하였다. 그 후, 얻어진 형광체층을 건조하고 수분을 제거하였다. 이상의 구성에 의해 형광면의 테스트편을 제작하였다.

계속해서 상기 전사 필름을 사용하여 테스트편 상에 전사 방식에 의해 메탈백층을 형성하였다.

여기서, 메탈백층 형성의 각 프로세스의 상세를 도 2에 나타낸다. 전사 필름은 도 2A에 나타낸 바와 같이 베이스 필름 (1) 상에, 이형제층 (2), 보호막 (3), 금속막 (4) 및 접착제층 (5)가 이 순서로 적층되어 구성되고, 이 전사 필름 (6)을 도 2B에 나타내는 바와 같이 고무 롤러 (7)을 이용하여 형광체층 (8) 상에 압착 접착한 후, 베이스 필름 (1)을 박리하고, 계속해서 도 2C에 나타낸 바와 같이 소성 공정에서 유기물을 분해하여 비산시킨다. 이렇게 하여 도 2D에 나타낸 바와 같이, 메탈백층 (금속막) (4)가 완성된다. 또한, 도면 중 부호 (9)는 페이스 플레이트, (10)은 차광층을 각각 나타낸다. 양호한 메탈백층을 형성하기 위해서는 도 2B에 나타내는 전사 공정에서 얼룩 없이 균일하게 전사하는 것과, 도 2C에 나타내는 소성 공정에서 금속막 (4)에 손상을 일으키지 않은 것이 중요하다.

구체적으로는, 전사 필름의 접착제층 (5)가 테스트편의 형광체층 (8)에 접하 도록 배치하고, 경도 50 도, 표면 온도 200 ℃의 고무 롤러 (7)에 의해 2 m/분의 속도, 3OO kg/cm²의 가압력으로 압착하고, 1O m/분의 속도로 베이스 필름 (1)을 박리하여, 테스트편의 형광면 상에 금속막 (알루미늄막) (4)를 전사하였다.

계속해서, 이와 같이 알루미늄막이 전사된 테스트편을 가열 처리 (베이킹)하여 유기분을 분해ㆍ제거하였다. 이 때의 로 온도 스케줄은, 실온에서 200 ℃까지를 10 ℃/분, 200 ℃에서 380 ℃ 까지를 9 ℃/분, 380 ℃에서 450 ℃까지를 3 ℃/분의 온도 구배로 승온하고, 450 ℃에서 30 분간 가열 후, 3 ℃/분의 온도 구배로 상온까지 온도를 내렸다. 이상과 같이 하여 메탈백층이 형성된 시료를 제작하였다.

다음으로, 이러한 메탈백층 시료에 대해서 전사성 및 블리스터 특성을 이하에 나타내는 바와 같이 하여 평가하였다. 우선, 투명한 플라스틱 시트에 5 mm×5 mm의 간격으로 격자상으로 선을 그은 것을 준비하고, 이것을 평가 시트로 한다. 이 평가 시트를 알루미늄막 전사 후의 테스트 편상에 올려, 테스트편 상의 격자의 수를 카운트한다. 이 때, 격자의 일부만이 테스트편 상에 있는 경우는 반 이상의 격자 면적이 테스트편 상에 있는 경우에만 카운트한다. 다음으로, 카운트된 격자 중, 그 아래의 알루미늄막이 완전히 (100 ％) 전사되어 있는 격자의 수를 카운트한다. 그리고 전체 격자수에 대한 알루미늄 100 ％ 전사 격자수의 비율을 금속막 전사 공정에서의 양품 면적율로서 사용하여 전사성을 평가하였다.

또한, 가열 처리 후에도 동일한 평가를 하였다. 알루미늄 100 ％ 전사 격자수에 대한 블리스터 불량이 발생하지 않은 격자수의 비율을 가열 처리 공정에서의 양품 면적율로서 사용하여 블리스터 특성을 평가하였다. 이 때, 블리스터 불량 발생 격자는 발생 면적에 상관없이 카운트하는 것으로 하였다. 이상의 실험 및 평가에 의해서 얻어진 결과를 도 3에 나타낸다. 도 3 중, (a)는 전사 특성을, (b1)은 블리스터 특성을 각각 나타낸다.

이 도면으로부터, 접착제층의 막 두께가 두꺼울수록 형광체층에 대한 접착성이 향상되고 전사성은 좋아지지만, 베이킹 공정에서 비산 가스를 많이 발생시키고 블리스터가 발생한다. 한편, 접착제층의 막 두께가 얇으면 블리스터 특성은 개선되지만, 전사성이 나빠지며, 전사성과 블리스터 특성의 양쪽으로 양품 면적율 100 ％가 되는 영역이 존재하지 않는다는 것을 알 수 있다.

또한, 종래부터의 블리스터 특성 개선 방법인, 금속막에 미세 구멍을 뚫은 방법을 이하의 순서로 시도하였다. 우선 상기한 바와 동일한 순서로 전사 필름 및 테스트편을 각각 제작하고, 알루미늄막을 형광체층 상에 전사하였다. 그 후, 전사된 알루미늄막 상에 샌드 페이퍼 (#1000)를 배치하고, 경도 50 도, 표면 온도 25 ℃의 고무 롤러에 의해 2 m/분의 속도, 1O kg/cm²의 가압력으로 미세 구멍 제작 처리를 하였다. 이 때, 처리 횟수가 1회의 것과 2회의 것을 각각 제작하였다. 계속해서 동일한 가열 처리를 하여 메탈백층을 제작하였다.

그리고 상기와 동일한 방법에 의해 평가하였다. 도 3 중의 (b2), (b3)에 블리스터 특성의 평가 결과를 나타낸다. (b2)는 미세 구멍 처리 (미세 구멍 제작 처리)가 1회인 경우를, (b3)은 미세 구멍 처리가 2회인 경우를 각각 표시한다. 미세구멍 처리의 횟수가 많을수록 블리스터가 발생하는 접착제층의 막 두께가 커져 있다. 미세 구멍 처리 1회로 도면 중의 영역 A에 있어서 전사성과 블리스터 특성의 양쪽이 양품 면적율 100 ％가 되는 접착제 막 두께가 설정 가능해지고, 또한 미세구멍 처리 2회로 그 막 두께의 폭이 도면 중의 영역 A 및 B로 확대되어 작업성도 확대되어 있다는 것을 알 수 있다.

다음으로, 상기 시료의 메탈백 효과를 이하의 순서에 의한 간단하고 용이한 방법으로 평가하였다. 우선, 아크릴판으로 한변이 30 cm인 입방체를 제작하였다. 이 때, 내면에 윤기 없애는 블랙 도료를 도포하여, 입방체 내부를 의사적인 무반사 공간으로 하였다. 계속해서 입방체의 한변의 중앙에 직경 2 cm의 구멍을 설치하고, 이상의 구성에 의해 가시광 반사율 평가 박스를 제작하였다.

이 가시광 반사율 평가 박스의 구멍 상에, 테스트편을 그 형광면측이 접하 도록 밀착 배치하였다. 다음으로, 테스트편의 페이스 플레이트 전면 (前面)에 대하여 45 도의 위치로 백열 등을 조사하였다. 이렇게 가시광 반사율 평가 박스의 구멍 상에 위치하는 테스트편의 페이스 플레이트 전면측을 측정면으로 하였다. 그리고 측정면에 수직인 위치에서 반사 휘도를 측정하고, 측정된 반사 휘도의 값으로부터 이하의 식의 계산을 거쳐 가시광 반사율 Rf (％)를 구하였다.

Rf (％)=(TRf/SRf)×100

식 중, Rf (％)는 가시광 반사율, TRf는 메탈백층이 형성된 테스트편의 반사휘도, SRf는 형광체층만을 갖는 테스트편의 반사 휘도를 각각 나타낸다. Rf치가 200에 가까울 수록 양호한 메탈백 효과를 가지며, 100에 가까울 수록 메탈백 효과는 작아진다.

이상과 같은 방법으로 Rf치를 평가한 결과를 표 1에 나타낸다.

미세 구멍 처리	접착제의 막 두께	Rf (%)
없음	25 ㎛	190
1회	25 ㎛	160
2회	25 ㎛	130

표 1에서 명백한 바와 같이, 미세 구멍 처리를 실시하지 않은 경우는, Rf치가 190으로 메탈백 효과는 현저하게 크지만, 미세 구멍 처리의 횟수가 늘수록 Rf치는 작아진다. 즉, 양품 면적율은 100 ％에 가까워지지만 메탈백 효과가 반감되어 버린다는 것을 알 수 있다.

따라서, 본 발명자들은 접착제의 종류에 따라서 금속막과 형광체층과의 전사성을 향상시킬 수 있다는 점에 주목하여 여러가지 접착제에 대하여 검토한 결과, 접착제를 그 접착력의 차이에 따라 3개의 그룹으로 분류하였다. 제1 그룹은 접착제의 막 두께에 관계없이 금속막과 형광체층을 접착할 수 없는 그룹으로, 로진계 수지, 테르펜계 수지, 시클로펜타디엔계 수지, 쿠마론 수지, 알키드 수지, 에폭시계 수지, 염소화폴리올레핀 수지, 페놀 수지, 아크릴실리콘 수지, 케톤 수지 등을 주성분으로 하는 것을 들 수 있다. 제2 그룹은 접착력이 낮기 때문에 블리스터 불량에 대한 대책이 필요한 것으로, 폴리비닐알코올을 비롯하여 EPDM (에틸렌-프로필렌-디엔 공중합체), 네오프렌페놀 고무, 이소프렌 고무, 아크릴로니트릴 고무, 니트릴페놀 고무, 이소부틸렌 수지, 폴리부텐 수지, 부타디엔계 고무, 폴리우레탄 수지, 아크릴산에스테르 수지, 폴리에스테르계 수지 등을 주성분으로 하는 것을 들 수 있다. 또한 제3 그룹으로서 접착력이 강하고, 얇은 막 두께에 있어서도 전사성이 양호하기 때문에 블리스터 불량에 대한 대책이 불필요한 접착제가 있다. 이러한 제3 그룹으로서는 아세트산비닐 수지, 에틸렌아세트산비닐 공중합체, 스티렌-아크릴산 수지, 에틸렌-아세트산비닐-아크릴산 3원중합체 수지, 염화비닐-아세트산비닐 공중합 수지, 폴리부텐 수지, 폴리아미드 수지 등을 주성분으로 하는 것을 들수 있다.

제3 그룹의 접착제의 대표예로서, 아세트산비닐 수지의 톨루엔 용액을 사용한 경우의 전사성 및 블리스터 특성을 도 4에 나타낸다. 접착제의 종류 이외는, 상기 방법과 같이 하여 실험 및 평가를 하였다. 도 4 중 (a)는 전사성을, (b)는 블리스터 특성을 각각 나타낸다.

이 도면에서 알 수 있는 바와 같이, 접착제의 막 두께가 1 내지 20 ㎛의 영역에서, 전사성, 블리스터 특성의 양특성에서 양품 면적율 100 ％가 얻어졌다. 그러나 접착제의 접착력이 낮은 제2 그룹의 접착제를 사용한 경우에는, 전사성이 충분하지 않고, 제3 그룹의 접착제의 사용으로는 발생하는 일이 없었던 균열 불량이라는 새로운 문제가 발생하였다.

이것은 가열 처리시에 금속막이 균열형으로 손상되는 것이고, 가압 처리시에 생기는 미세한 주름이나 전사 후의 금속막과 형광체층과의 장력의 차이 등이 발생의 원인이라고 생각된다. 균열 특성을 도 4 중의 (c)에 나타낸다.

이 도면으로부터 알 수 있는 바와 같이, 균열 특성은 접착제의 막 두께가 낮을 수록 악화된다. 이 균열 특성을 상기 (a) 전사성과 (b) 블리스터 특성에 더하여 전사 방식의 성능을 생각한 경우는, 도 4의 영역 A의 범위에서 3 개의 특성의 양품 면적율이 전부 100 ％가 되었다. 그러나, 3가지 특성의 양품 면적율을 100 ％로 하는 것이 가능하지만, 그와 같이 3가지 특성의 양품 면적율을 100 ％로 하는 접착제 막 두께의 영역이 좁기 때문에 약간의 막 두께 변동으로 불량이 되거나 양품이 되기도 하는 등, 작업성이 좋지 않았다.

따라서, 본 발명자들은 이 균열 발생의 문제를 해결하기 위해서 또한 예의 연구를 거듭한 결과, 금속막과 이형제층과의 사이에 수지를 주체로 한 보호막을 배치하고, 그 보호막에 인산 에스테르, 지방족 1염기산 에스테르, 지방족 2염기산 에스테르, 2가 알코올 에스테르, 옥시산 에스테르, 올레인산부틸, 아디프산디부틸, 염화파라핀, 톨루엔술폰산에틸아미드, 톨루엔술폰메틸아미드, 아미노벤젠술폰아미드 화합물, 술폰아미드 화합물, 아비에틴산메틸, 디노닐나프탈렌, 아세틸시트르산트리부틸, 아미노톨루엔술폰아미드 화합물, N-부틸벤젠술폰아미드로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 유연제를 함유시킴으로써 균열 발생의 방지에 효과가 있는 것을 발견하였다.

상기 유연제를 보호막에 함유시킴으로써 보호막의 유연성을 향상시킬 수 있다. 이렇게 해서 보호막의 유연성이 높아져, 전사시 형광면의 요철 표면으로의 추수성(追隨性)이 향상되고 금속막에서의 미세한 주름의 발생이 방지됨과 동시에, 금속막에 대한 무리한 장력이 경감된다. 또한, 이 때 형광체 입자 사이에 금속막이추수하여 침입하는 것이 없기 때문에, 메탈백층의 광 반사 성능은 유지된다.

유연제로서 톨루엔술폰에틸아미드를 사용하고, 이것을 보호층에 함유시킨 경우의 균열 특성의 실험 결과를 도 5에 나타낸다. 또한, 접착제로서는 상기한 제3 그룹인 아세트산비닐 수지의 톨루엔 용액을 사용하고 그 밖의 조건은 상기와 같이 하였다. 도 5 중 (c1)은, 상기한 유연제를 O.5 ％, (c2)는 유연제를 1 ％, (c3)은 유연제를 10 ％, (c4)는 유연제를 30 ％ 내지 40 ％의 비율 (질량비)로 각각 보호층의 수지 조성물에 함유시킨 경우의 양품 면적율 (균열 특성)을 나타낸다. 보호층에 유연제를 1 ％ 이상 첨가하면 그 첨가량에 따라서 균열 특성은 향상되고, 30 ％의 첨가로 그 효과는 포화된다.

한편, 이 때의 전사성 및 블리스터 특성을 도 6에 나타낸다. 도 6 중 (a1), (a2), (a3)은 전사성, (b)는 블리스터 특성을 나타낸다. (a1)은 유연제를 0 내지 20 ％, (a2)는 30 ％, (a3)은 40 ％의 비율로, 각각 보호층의 수지 조성물에 함유시킨 경우의 전사성을 나타낸다. 유연제를 30 ％ 보다도 많이 첨가하면 전사성이 현저히 악화된다.

이상의 점으로부터 유연제의 첨가량은 보호층의 수지 조성물에 대하여 1 내지 30 ％의 비율로 하는 것이 바람직하고, 이 때 도 5 중의 영역 A에 있어서 양품 면적율을 100 ％로 할 수 있다.

또한, 이들 시료의 메탈백 효과를 표 2에 나타낸다.

미세 구멍 처리	유연제 첨가량	접착제의 막 두께	Rf (%)
없음	0 %	16 ㎛	190
없음	1 %	8 ㎛	190
없음	10 %	2 ㎛	190
없음	30 %	2 ㎛	190

표 2로부터 명백한 바와 같이, 유연제를 첨가하여도 Rf치는 열화되는 일이 없고 190으로 양호하다.

이와 같이 본 발명의 전사 필름을 사용함으로써 전사성, 블리스터 특성, 균열 특성의 각 특성에 있어서, 양품 면적율 100 ％가 달성되고, 또한 접착제막 두께의 설정폭이 넓고 작업성이 양호하고, 가시광 반사 효과도 큰 메탈백층을 형성할 수 있다.

또한, 본 발명에 있어서, 전사막에서 메탈백 형성용의 전사층을 표면 저항율이 1O²내지 1O⁸Ω/□인 고저항층으로 함으로써, 1O³내지 1O¹⁰Ω/□의 표면 저항율을 갖는 메탈백층을 형성할 수가 있다. 그리고, 형광면의 밝기 (휘도)를 지나치게 저하시키는 일 없이, 방전을 억제하여 내전압 특성을 현저히 개선할 수 있다. 상기 표면 저항율의 범위는 메탈백층의 표면 저항율과 방전 개시 전압의 관계에 대해서 본 발명자들이 몇번이나 실험을 거듭한 결과 얻어진 것이다.

본 발명은 전사 필름과 그것을 사용한 형광면의 메탈백층 형성 방법, 및 메탈백층을 갖는 화상 표시 장치에 관한 것이다.

도 1은 전사 방식에 의해 형성된 메탈백층의 패턴을 나타내고, 도 1A는 전사성이 불량인 상태를 나타내는 사진, 도 1B는 블리스터 불량의 상태를 나타내는 사진, 도 1C는 균열 불량의 상태를 나타내는 사진, 도 1D는 양품을 나타내는 사진이다.

도 2는 전사 방식에 의한 메탈백층의 형성 방법의 한 예를 나타내고, 도 2A는 전사 필름의 단면도, 도 2B는 금속막 전사 공정을 나타내는 단면도, 도 2C는 가열 처리 공정을 나타내는 단면도, 도 2D는 메탈백층이 형성된 페이스 플레이트의 단면도이다.

도 3은 종래의 전사 방식에 의해 형성된 메탈백층의 전사성과 블리스터 특성을 나타내는 그래프이다.

도 4는 접착력이 높은 접착제를 사용하고 전사 방식에 의해 형성된 메탈백층의 전사성, 블리스터 특성 및 균열 특성을 나타내는 그래프이다.

도 5는 보호층에 유연제를 첨가한 전사 필름을 사용하여 형성된 메탈백층의 균열 특성을 나타내는 그래프이다.

도 6은 보호층에 유연제를 첨가한 전사 필름을 사용하여 형성된 메탈백층의 전사성 및 블리스터 특성을 나타내는 그래프이다.

도 7은 본 발명의 전사 필름의 제1 실시형태를 나타내는 단면도이다.

도 8은 본 발명의 전사 필름의 제2 실시형태를 나타내는 단면도이다.

도 9는 제2 실시형태의 전사 필름의 제조에 있어서, 증착시의 산소 도입량과 표면 저항율과의 관계를 나타내는 그래프이다.

도 10은 제2 실시형태의 전사 필름을 사용하여 메탈백층이 형성된 형광면의 구조를 개략적으로 나타내는 확대 단면도이다.

도 11은 메탈백층의 표면 저항율과 FED의 방전 개시 전압의 관계를 나타내는 그래프이다.

도 12는 본 발명의 전사 필름의 제3 실시형태를 나타내는 단면도이다.

도 13은 제3 실시형태의 전사 필름을 사용하여 메탈백층이 형성된 형광면의 구조를 개략적으로 나타내는 확대 단면도이다.

도 14는 FED의 상대 휘도와 방전 개시 전압과의 관계를 나타내는 그래프이다.

도 15는 실시예 1에서 칼라 브라운관용의 페이스 플레이트에 전사 방식에 의해 메탈백층을 형성하는 방법을 나타내며, 도 15A는 금속막의 전사 공정을 나타내는 단면도, 도 15B는 베이스 필름의 박리 공정을 나타내는 단면도, 도 15 C는 메탈백층이 형성된 페이스 플레이트의 단면도이다.

도 16은 실시예 1에 의해 형성된 메탈백층을 구비한 칼라 브라운관의 단면도이다.

도 17은 실시예 3에 의해 형성된 메탈백층을 구비한 칼라 FED의 단면도이다.

<발명을 실시하기 위한 최량의 형태>

이하, 본 발명의 적합한 실시의 형태에 대해서 설명한다. 또한, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.

도면에 있어서, 부호 (11)은 베이스 필름을 나타내고, 이 베이스 필름 (11) 상에, 이형제층 (12), 보호막 (13), 금속막 (14) 및 접착제층 (15)가 이 순서대로 적층되어 형성된다.

베이스 필름 (11)로서는 특별히 한정되지 않고, 일반적으로 베이스 필름으로서 사용되고 있는 폴리에스테르 (폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 나일론 (폴리아미드), 셀로판, 폴리카보네이트, 폴리아크릴레이트, 폴리이미드, 방향족 폴리아미드 등의 수지로부터 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 이 베이스 필름 (11)의 두께는 5 내지 50 ㎛ 정도로 하는 것이 바람직하다. 베이스 필름 (11)의 두께가 지나치게 얇으면 전사 필름의 가압 처리시에 변형이 현저하고 금속막 (14)에 주름 등이 발생되기 쉽고, 지나치게 두꺼우면 기재와의 추수성이 열화되어 전사성이 저하된다.

이형제로서는 아세트산셀룰로오스, 왁스, 지방산, 지방산 아미드, 지방산 에스테르, 로진, 아크릴 수지, 실리콘, 불소 수지 등을 들 수 있고, 이들 중에서 베이스 필름 (11)과 보호막 (13)과의 박리성에 따라 적절하게 선택하여 사용된다. 또한 이러한 이형제층 (12)는 그라비아 코터 등에 의해 베이스 필름 (11) 상에 형성되고, 그 막 두께는 0.1 내지 30 ㎛으로 하는 것이 바람직하다. 이형제층 (12)의 두께가 지나치게 얇으면 박리성이 저하되고, 지나치게 두꺼우면 보호막 (13)의 성막성이 악화되어 바람직하지 않다.

보호막 (13)에는 열경화성 수지, 열가소성 수지, 광경화성 수지 등이 베이스로서 사용된다. 구체적으로는 전사성, 블리스터 특성, 균열 특성의 3 특성을 고려하여 후술하는 접착제와의 조합을 고려한 후 적절하게 선택된다. 예를 들면, 아크릴 수지, 멜라민 수지, 우레아 수지, 아크릴-멜라민 공중합체 수지, 멜라민-우레아 공중합체 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 알키드 수지, 폴리아미드 수지, 셀룰로오스류, 비닐계 수지, 고무류계 등에서 선택된 1종 이상의중합체가 베이스로서 사용된다.

그리고 균열 특성을 향상시키기 위해서 인산 에스테르, 지방족 1염기산 에스테르, 지방족 2염기산 에스테르, 2가 알코올 에스테르, 옥시산 에스테르, 올레인산부틸, 아디프산디부틸, 염화파라핀, 톨루엔술폰에틸아미드, 톨루엔술폰메틸아미드, 아미노벤젠술폰아미드 화합물, 술폰아미드 화합물, 아비에틴산메틸, 디노닐나프탈렌, 아세틸시트르산트리부틸, 아미노톨루엔술폰아미드 화합물, N-부틸벤젠술폰아미드 등에서 선택된 유연제가, 보호막 전체에 대하여 1 내지 30 ％의 비율로 혼입된다.

또한, 이러한 보호막 (13)은 그라비아 코터 등에 의해 이형제층 (12) 상에 형성되고, 그 막 두께는 0.1 내지 30 ㎛ 정도로 하는 것이 바람직하다. 보호막 (13)의 막 두께가 지나치게 얇으면 형성되는 금속막 (14) (메탈백층)의 가시광 반사 성능이 열화되고, 지나치게 두꺼우면 블리스터 특성이 악화되어 바람직하지 않다.

금속막 (14)는 Al, Au, Ni 등의 금속으로부터 적절하게 선택되고 증착에 의해 보호막 (13) 상에 형성된다. 금속막 (14)의 막 두께는 형광면에 관한 애노드 전압 등의 사용 환경에서, 데드 전압 등을 고려하여 설정되지만 통상 10 내지 200 nm 정도이다.

접착제는 형광체층 및 금속막 (14)의 양쪽에 접착성이 양호한 것 중에서 보호막 (13)과의 조합을 고려하여 적절하게 선택되고 상기 제3 그룹의 접착제의 사용이 바람직하다. 예를 들면, 아세트산비닐 수지, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체,스티렌-아크릴산 수지, 에틸렌-아세트산비닐-아크릴산 3원중합체 수지, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체 수지, 폴리부텐 수지, 폴리아미드 수지를 주성분으로 하는 접착제가 있고, 2 종류 이상의 수지를 병용할 수도 있다. 또한, 접착성 이외에 막질개선을 위해, 필요에 따라서 상기 이외의 수지나 안정제, 충전제 등을 병용할 수가 있다.

이러한 접착제층 (15)는 그라비아 코터 등에 의해 금속막 (14) 상에 형성되고, 그 두께는 1 내지 20 ㎛으로 하는 것이 바람직하다. 접착제층 (15)의 두께가 지나치게 얇으면 전사성 및 균열 특성이 악화되고, 지나치게 두꺼우면 블리스터 특성이 악화되어 바람직하지 않다. 또한, 이러한 접착제층 (15)를 전사 필름측에 설치하지 않고 형광체층측에 설치할 수 있다. 또한, 전사 필름측과 형광체층측의 양쪽에 설치할 수도 있다.

다음으로, 이러한 구성의 전사 필름을 사용하여 메탈백층을 형성하는 실시형태에 대해서 설명한다.

우선, 페이스 플레이트 상에 형광체층을 형성한다. 즉, ZnS계, Y₂O₃계, Y₂O₂S 계 등의 형광체 (평균 입경 4 내지 15 ㎛)를, 슬러리법, 스프레이법, 인쇄법 등에 의해 페이스 플레이트 상에 도포ㆍ건조하고, 필요에 따라 포토리소그래피법을 사용하여 패터닝을 하여 형광체층을 형성한다.

다음으로, 이 형광체층 상에, 상기 실시예의 전사 필름을 접착제층이 형광체층 상에 접하도록 배치하고 가압 처리한다. 가압 방식으로서는 스탬프 방식, 롤러방식 등이 있다. 가압부를 구성하는 재료로서는 천연 고무, 실리콘 고무 등의 경도의 조정이 가능한 것이 좋으며, 그 경도는 20 내지 100 도 정도로 한다. 또한 가압시 열을 가할 수 있으며, 전사 필름에 사용하는 수지 등을 고려하여 40 내지 250 ℃ 정도로 가열할 수 있다. 가압력은 1 내지 1OOO kg/cm²정도로 한다.

계속해서 베이스 필름을 박리한다. 박리하는 속도에 대해서는 특별히 한정되지 않지만 연속적으로 박리하지 않으면 전사성에 얼룩이 생겨 바람직하지 않다. 이 때, 형광면 상에는 접착제층, 금속막, 보호막 및 이형제층의 일부가 남는다. 그 후, 금속막 등이 형성된 형광면을 페이스 플레이트마다 450 ℃ 정도의 온도로 가열 소성하고 잔류하는 유기분을 제거한다. 이상의 공정을 거쳐 양호한 메탈백층이 형성된 형광면이 완성된다.

다음으로, 본 발명의 전사 필름의 제2 실시형태에 대해서 설명한다. 이 전사 필름은 도 8에 나타내는 바와 같이 베이스 필름 (11) 상에 이형제층 (12)가 형성되고, 그 위에 표면 저항율이 1O²내지 1O⁸Ω/□의 고저항층 (16)과 접착제층 (15)가 적층되어 형성된다. 또한, 이형제층 (12)과 고저항층 (16) 사이에 보호막이 개설된 구조일 수 있다. 고저항층 (16)의 막 두께는 5 내지 150 nm으로 하는 것이 바람직하고, 10 내지 1OO nm의 범위가 보다 적합하다.

고저항층 (16)을 구성하는 재료로서는 알루미늄 산화물, 이산화규소 (SiO₂), AlN 또는 TiN 같은 각종 무기 재료를 사용할 수가 있다. 전사 필름에 있어서 알루미늄 산화물의 고저항층을 형성하기 위해서 이하에 나타내는 방법을 채용할 수 있다.

즉, 1×1O^-4Pa 정도의 고진공도로 한 후, 산소를 도입하면서 이형제층 또는 보호막 상에 알루미늄을 증착시킴으로써 고저항층을 형성할 수 있다.

여기서 증착시의 산소 도입량을 조정함으로써 형성되는 고저항층의 표면 저항율을 조정할 수 있다. 본 발명자들은 산소 도입량을 2 SCMM, 4 SCMM 및 6 SCMM으로서 알루미늄의 증착을 행하였더니 각각 1O²Ω/□, 1O⁴Ω/□ 및 1O⁶Ω/□의 표면 저항율을 갖는 증착막이 형성되었다. 그리고 형성 후 이 증착막을 또한 450 ℃ 정도의 온도로 가열 처리 (베이킹)함으로써 산화가 진행되어 표면 저항율이 1 내지 3 자리수 상승하는 것을 알았다. 이 실험의 결과 얻어진 산소 도입량과 표면 저항율의 관계를 나타내는 그래프를 도 9에 나타낸다.

또한, 전사 필름에 있어서 이산화규소 (SiO₂), AIN 또는 TiN으로 이루어지는 고저항층을 형성하기 위해서 통상 스퍼터링 등의 방법이 채용된다.

다음으로, 이러한 고저항층을 갖는 전사 필름을 이용하여 형성된 메탈백층에 대해서 설명한다. 도 10은 메탈백층이 형성된 형광면의 실시형태를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 도면에 있어서, 부호 (17)은 유리 패널과 같은 투광성 기판, (18)은 형광체층, (19)는 메탈백층을 각각 나타낸다. 메탈백층 (19)는 막 두께가 5 내지 15O nm에서 1O³내지 1O¹⁰Ω/□의 표면 저항율을 갖는다. 또한, 메탈백층 (19)의 반사율은 통상의 알루미늄막을 100 ％로 한 상대 휘도로 40 내지 95 ％가된다.

이러한 형광면을 갖는 페이스 플레이트와 전자 방출 소자를 갖는 리어 플레이트를 기판간 거리 1 mm로 조립하여 얻어진 FED에 있어서 메탈백층의 표면 저항율과 방전 개시 전압과의 관계를 도 11에 나타낸다.

이 그래프로부터 명백한 바와 같이, 메탈백층의 표면 저항율을 10³Ω/□ 이상으로 함으로써 현저한 방전 억제 효과가 확인되지만, 표면 저항율이 10¹⁰Ω/□를 초과하면 전류가 극단적으로 흐르기 어렵고, 안정된 휘도를 얻을 수 없다. 이러한 내전압 특성의 향상이 달성되는 이유에 대해서는 반드시 분명하지 않지만, 고저항의 층을 배치한 것에 의한 방전 억제 효과에 더하여 막질의 차이에 의한 관계도 고려된다.

이와 같이 상기한 형광면을 갖는 FED에서는 기판간의 방전이 억제되고, 내전압 특성이 향상된다. 또한 1O³내지 1O¹⁰Ω/□의 높은 표면 저항율을 갖는 메탈백층 (19)가 전사 방식에 의해 형성되기 때문에, 라커법 또는 에멀젼법에 의해 형성된 메탈백층과 비교하여, 매우 얇아도 광 투과율이 증대되기 어렵고 반사성이 높은 층이 얻어지고, 특히 FED와 같은 저전압 구동의 표시 장치로서는 유리하다.

다음으로, 본 발명의 전사 필름의 제3 실시형태에 대해서 설명한다. 이 전사 필름에 있어서는 도 12에 나타내는 바와 같이, 베이스 필름 (11) 상에 이형제층 (12)가 형성되고, 그 위에 메탈백 형성용의 전사막 (20)과 접착제층 (15)가 적층되어 형성된다. 전사막 (2O)은 10²내지 lO⁸Ω/□의 표면 저항율을 갖는 고저항층 (21) 상에, 표면 저항율이 10²Ω/□ 미만으로 반사성이 양호한 저저항층 (22)가 적층ㆍ형성된 2층 구조를 갖고 있다. 이러한 2층 구조의 전사막 (20)의 전체 막 두께는 5 내지 150 nm으로 하는 것이 바람직하고, 10 내지 100 nm의 범위가 보다 적합하다.

이와 같은 전사 필름을 사용함으로써 도 13에 나타내는 메탈백 부착된 형광면이 형성된다. 이 형광면에서는 표면 저항율이 1O³Ω/□ 미만으로 반사성이 양호한 저저항층 (22)과 그 위에 적층된 10³내지 10¹⁰Ω/□의 표면 저항율을 갖는 고저항층 (21)로 이루어지는 메탈백층 (19)이 형광체층 (18) 상에 형성되어 있다. 메탈백층 (19)의 반사율은 통상의 알루미늄막을 100 ％로 한 상대 휘도로, 하층의 저저항층 (22)이 85 내지 100 ％, 상층의 고저항층 (21)이 20 내지 90 ％가 된다.

다음으로, 이러한 형광면을 갖는 페이스 플레이트와 전자 방출 소자를 갖는 리어 플레이트를 기판간 거리 1 mm으로 조립하여 얻어진 FED에 대해서 상대 휘도와 방전 개시 전압과의 관계를 도 14에 나타낸다. 또한 메탈백층 (19)이, 표면 저항율 1O³내지 1O¹⁰Ω/□의 고저항층만으로 구성된 FED에 있어서 상대 휘도와 방전 개시 전압과의 관계를 동일하게 측정한 결과를 도면에 파선으로 나타낸다.

이 그래프로부터 저저항층 (22)과 고저항층 (21)이 적층된 2층 구조의 메탈백층 (19)를 갖는 FED에서는 기판간의 방전이 억제되어 내전압 특성이 향상되며,메탈백층 (19)에서의 광 반사성이 충분히 확보되어 고휘도를 갖고 있음을 알 수 있다. 여기에 대하여 메탈백층 (19)가 고저항층만으로부터 구성된 FED에서는 표면 저항율의 상승에 반비례하여 막의 반사성이 저하되고, 휘도의 저하가 생긴다.

다음으로 본 발명을 표시 장치에 적용한 구체적 실시예에 대해서 설명한다.

<실시예 1>

우선, 이하의 순서에 따라 전사 필름을 제작하였다. 두께 20 ㎛의 폴리에스테르 수지 제조의 베이스 필름 상에, 톨루엔 75 부, 메틸이소부틸케톤 12 부, 메틸에틸케톤 12 부, 아세틸렌글리콜 0.2 부, 왁스류 0.2 부, 아세트산셀룰로오스 0.2 부, 로진계 수지 0.2 부, 실리콘 수지 0.2 부로 이루어지는 이형제를 그라비아 코터에 의해 도포ㆍ건조하여, 두께 0.5 ㎛의 이형제층을 형성하였다. 계속해서, 이 이형제층 상에, 메틸이소부틸케톤 25 부, 메틸에틸케톤 25 부, 변성 알코올 6 부, 톨루엔 10 부, 아세트산부틸 10 부, 아세트산에틸 10 부, 멜라민 수지 5 부, 우레아수지 5 부, 셀룰로오스 유도체 1 부, 로진계 수지 1 부, 디메틸실록산 1 부, 인산 O.5부, p-톨루엔술폰산 0.5부로 이루어지는 수지 조성물을 그라비아 코터에 의해 도포ㆍ건조하여, 두께 1 ㎛의 보호막을 형성하였다.

계속해서, 이 보호막 상에 알루미늄을 증착하여 두께 1OO nm의 알루미늄막을 형성한 후, 이 알루미늄막 상에, 톨루엔 90 부, 폴리아세트산비닐 수지 10 부로 이루어지는 수지 조성물을 그라비아 코터에 의해 도포ㆍ건조하여, 두께 12 ㎛의 접착제층을 형성하였다. 이와같이 하여 전사 필름을 제작하였다.

다음으로, 도 15 A에 나타내는 바와 같이, 32형 칼라 브라운관용의 페이스플레이트 (23) 내면에, 흑색 안료로 이루어지는 스트라이프상의 차광층을 포토리소그래피법에 의해 형성한 후, 차광층 상의 차광부와 차광부와의 사이에 적색 (R), 녹색 (G), 청색 (B)의 3색의 형광체층 (18)을, 스트라이프상으로 각각 인접하도록 포토리소그래피법에 의해 형성하였다.

다음으로, 상기 전사 필름 (24)의 접착제층이 형광체층 (18)에 접하도록 배치하고, 페이스 플레이트 (23) 내면에 일치하는 형상을 갖는, 경도 50 도로 표면 온도 200 ℃의 고무 스탬프 (25)에 의해, 가압 시간 1 초, 30O kg/cm²의 가압력으로 화살표 방향으로 압착시켰다. 그 후, 도 15B에 나타낸 바와 같이 1O m/분의 속도로 베이스 필름 (11)을 박리하고, 페이스 플레이트 (23)의 형광체층 (18) 상에 금속막 (알루미늄막) (14)를 접착하였다.

계속해서 공지된 브라운관 제조 공정에 따라서 페이스 플레이스와 퓨널(funnel)을 접합시키고, 접합시의 피크 온도 약 450 ℃의 가열 처리 공정에서 유기분을 분해하여 제거하였다. 이렇게 하여 도 15 C에 나타내는 바와 같이, 메탈백층 (19)를 형성하였다. 그 후, 전자총의 봉지, 배기, 방폭 밴드 부착 등 필요한 처리를 행하여 도 16에 나타내는 구조를 갖는 32형 칼라 브라운관을 완성하였다. 또한 도면 중 부호 (26)은 퓨널, (27)은 전자총, (28)은 차광층, 형광체층 및 메탈백층, (29)는 새도우 마스크, (30)은 방폭 밴드를 각각 표시한다.

이러한 칼라 브라운관의 메탈백층 형성에 있어서, 가열 처리 공정에서의 수율은 90 ％이고 충분히 실용가능한 영역이었다. 메탈백층에 기인하는 불량의 내역은 블리스터 불량 4 ％, 균열 불량 5 ％이고, 접착제층의 두께의 변동에 의한 것이었다. 또한, 가속 전압 32 kV, 전류 밀도 0.5 ㎂/cm², 전면 래스터 신호로 센터 휘도를 측정하였더니, R, G, B 모두 라커법으로 메탈백층을 형성한 경우와 비교하여, +20 ％로 높은 수치를 나타내고 양호한 메탈백 효과를 얻고 있었다.

<실시예 2>

우선, 이하의 순서에 따라 전사 필름을 제작하였다. 두께 20 ㎛의 폴리에스테르 수지로 제조된 베이스 필름 상에, 톨루엔 75 부, 메틸이소부틸케톤 12 부, 메틸에틸케톤 12 부, 아세틸렌글리콜 0.2 부, 실리콘 수지 0.2 부로 이루어지는 이형제를 그라비아 코터에 의해 도포ㆍ건조하여 두께 0.5 ㎛의 이형제층을 형성하였다. 계속해서 이 이형제층 상에, 메틸이소부틸케톤 25 부, 메틸에틸케톤 25 부, 변성 알코올 6 부, 톨루엔 10 부, 아세트산부틸 10 부, 아세트산에틸 10 부, 멜라민 수지 5 부, 우레아 수지 5 부, 셀룰로오스 유도체 1 부, 로진계 수지 1 부, 디메틸실록산 1 부, 인산 0.5 부, p-톨루엔술폰산 0.5 부, N-부틸벤젠술폰아미드 2 부로 이루어지는 수지 조성물을 그라비아 코터로 도포ㆍ건조하여 두께 1 ㎛의 보호막을 형성하였다.

계속해서, 이 보호막 상에 알루미늄을 증착하여 두께 1OO nm의 알루미늄막을 형성한 후, 이 알루미늄막 상에, 톨루엔 90 부, 폴리아세트산비닐 수지 10 부로 이루어지는 수지 조성물을 그라비아 코터에 의해 도포ㆍ건조하여 두께 4 ㎛의 접착제층을 형성하였다. 이렇게 하여 제작된 전사 필름을 사용하여 실시예 1과 동일하게하여 32형 브라운관을 완성하였다.

이러한 칼라 브라운관의 제조에 있어서, 가열 처리 공정에서의 수율은 99 ％로 양호하고, 메탈박층에 기인하는 불량은 발생되지 않았다. 또한, 가속 전압 32 kV, 전류 밀도 0.5 ㎂/cm², 전면 래스터 신호로 센터 휘도를 측정하였더니, R, G, B 모두 래커법과 비교하여, +20 ％로 높은 수치를 나타내고 양호한 메탈백 효과를 얻었다.

<실시예 3>

우선, 실시예 2와 동일하게 하여 전사 필름을 제작하였다. 단, 알루미늄막의 막 두께는 50 nm로 하였다.

이어서, 10형 FED용의 페이스 플레이트의 한면에 흑색 안료로 이루어지는 스트라이프상의 차광층을 스크린 인쇄법에 의해 형성한 후, 차광층 상의 차광부와 차광부 사이에 적 (R), 녹 (G), 청 (B)의 3색의 형광체층을 스트라이프상으로 각각이 인접하도록 스크린 인쇄법으로 형성하였다.

다음으로, 전사 필름의 접착제층측이 형광체층에 접하도록 배치하고, 경도 50 도, 표면 온도 200 ℃의 고무 롤러에 의해, 2 m/분의 속도, 3OO kg/cm²의 가압력으로 압착한 후, 1O m/분의 속도로 베이스 필름을 박리하여 페이스 플레이트의 형광체층 상에 알루미늄막을 형성하였다. 그 후, 페이스 플레이트를, 실온에서 200 ℃까지를 10 ℃/분, 200 ℃에서 380 ℃까지를 9 ℃/분, 380 ℃에서 450 ℃까지를 3 t/분의 온도 구배로 승온하고, 450 ℃에서 30 분간 가열 처리한 후, 3 ℃/분의 온도 구배로 실온까지 온도를 내렸다. 이 가열 처리에 의해, 각 수지층으로부터 유기분이 소실되고, 형광체층 상에 메탈백층이 형성되었다.

계속해서, 기판 상에 표면 전도형 전자 방출 소자를 매트릭스상으로 다수 형성한 전자 발생원을 리어 플레이트에 고정한 후, 이 리어 플레이트를 지지 프레임을 통해 페이스 플레이트에 프릿 유리에 의해 밀봉 부착하였다. 그 후, 배기, 봉지 등 필요한 처리를 실시하여, 도 17에 나타내는 구조를 갖는 10 형 칼라 FED를 완성하였다. 또한, 도면 중 부호 (31)은 고압 단자, (32)는 리어 플레이트, (33)은 기판, (34)는 표면 전도형 전자 방출 소자, (35)는 지지 프레임, (36)은 페이스 플레이트, (37)은 메탈백층이 형성된 형광면을 각각 표시한다.

이러한 FED의 메탈백층 형성에 있어서, 가열 처리 공정에서의 수율은 99 ％로 양호하고, 메탈백층에 의한 불량은 발생하지 않았다. 또한, 가속 전압 5 kV, 전류 밀도 20 ㎂/cm², 전면 래스터 신호로 센터 휘도를 측정하였더니, R, G, B 모두 래커법에 대하여 +50 ％로 높은 수치를 나타내어 양호한 메탈백 효과를 얻었다.

또한, 이하의 방법에 의해 휘도 얼룩을 평가하였다. 즉, 페이스 플레이트의 화상 표시부를, 세로 10 열, 가로 10 열의 100 개의 영역으로 나누고, 가속 전압 5 kV, R, G, B 각각의 전류 밀도 20 ㎂/cm, 전면 래커 신호로써 각 영역의 백색 휘도를 측정하여, 영역의 휘도치의 표준 편차에 의해 휘도 얼룩을 평가하였다. 그 결과, 래커법에 의해 메탈백층을 형성한 경우의 표준 편차 (σ)가 30.5인 반면, 본 실시예에서는 2.6이 되고, 휘도의 변동이 거의 해소되어 있었다. 이것은 알루미늄막의 막 두께의 균일성에 의한 것으로, FED와 같은 저전압 구동의 표시 장치의 경우, 본 발명의 전사 방식에 의한 메탈백층 형성이 특히 유효한다는 것이 실증되었다.

<실시예 4>

우선, 이하의 순서에 따라, 전사 필름을 제작하였다. 두께 20 ㎛의 폴리에스테르 수지 제조 제조의 베이스 필름 상에, 실리콘 수지를 주성분으로 하는 두께 0.5 ㎛의 이형제층을 형성한 후, 그 위에, 멜라민 수지를 주성분으로 하는 두께 1 ㎛의 보호막을 형성하였다.

계속해서, 이 보호막 상에 알루미늄을 증착하고 두께 70 nm의 알루미늄 산화물의 막을 형성하였다. 이 때, 우선 진공도를 1×1O^-4Pa까지 높인 후, 산소를 4 SCCM의 비율로 도입하면서 알루미늄을 증착하였다. 이렇게 하여 표면 저항율이 약 1O³Ω/□인 고저항층을 형성하였다. 또한 그 위에, 아세트산비닐 수지 등을 주성분으로 하는 두께 12 ㎛의 접착제층을 형성하여 전사 시트를 완성하였다.

다음으로 FED용의 페이스 플레이트의 한면에, 흑색 안료로 이루어지는 스트라이프상의 차광층을 스크린 인쇄법에 의해 형성한 후, 차광부 사이에 적색 (R), 녹색 (G), 청색 (B)의 3색의 형광체층을 스트라이프상으로 각각 인접하도록 스크린 인쇄법으로 형성하였다.

다음으로 전사 필름의 접착제층측이 형광체층에 접하도록 배치하고, 실시예 3과 동일하게 하여 고저항층을 전사한 후, 450 ℃에서 30 분간 가열 처리하였다.이 가열 처리에 의해, 전사 직후는 약 1O³Ω/□이었던 고저항층의 표면 저항율이 상승하고, 1O⁵Ω/□의 차수의 표면 저항율을 갖는 메탈백층이 형성되었다.

계속해서, 기판 상에 표면 전도형 전자 방출 소자를 매트릭스상으로 다수 형성한 전자 발생원을 리어 플레이트에 고정한 후, 이 리어 플레이트와 상기 메탈백층을 갖는 페이스 플레이트를 약 1 mm의 간격으로 대향 배치하고 지지 프레임을 통해 프릿 유리에 의해 밀봉 부착하였다. 그 후, 배기, 봉지 등 필요한 처리를 실시하여 10 형 컬러 FED를 완성하였다.

이렇게 하여 얻어진 FED를, 가속 전압 5 kV, 전류 밀도 20 ㎂/cm², 전면 레스터 신호로 구동하여 센터 휘도를 측정하였더니 메탈백층을 통상의 알루미늄막으로 한 경우와 비교하여 90 ％의 상대 휘도를 나타냈다. 또한, 방전 개시 전압은 종래의 4 kV에서 12 kV까지 상승하여 방전이 억제되어 내전압 특성이 양호하다는 것이 확인되었다.

<실시예 5>

우선, 실시예 4와 동일하게 하여 전사 필름을 제작하였다. 단, 메탈백 형성용 전사막의 형성을 이하에 나타낸 바와 같이 행하였다. 즉, 진공도를 1×1O^-4Pa까지 높이고, 산소를 4 SCCM의 비율로 도입하면서 알루미늄을 증착함으로써, 보호막 상에 표면 저항율이 약 l0³Ω/□의 고저항층 (두께 35 nm)을 형성한 후, 통상의 조건으로 알루미늄의 증착을 행하여, 고저항층 상에 10 Ω/□ 이하의 표면 저항율을 갖는 알루미늄막 (두께 35 nm)를 형성하였다.

계속해서, 이 전사 필름을 사용하여 실시예 4와 동일하게 하여 10 형 칼라 FED를 완성하였다. 얻어진 FED를, 가속 전압 5 kV, 전류 밀도 20 ㎂/cm², 전면 래스터 신호로 구동하여 센터 휘도를 측정하였더니, 메탈백층을 통상의 알루미늄막으로 한 경우와 비교하여 95 ％의 상대 휘도를 나타내고, 이 실시예에서 얻어진 메탈백층의 반사성이, 실시예 4의 것과 비교하여 높다는 것을 알았다. 또한, 방전 개시 전압은 종래의 4 kV에서 12 kV까지 상승하고 있고, 실시예 4와 동등한 높은 내 전압 특성을 갖는다는 것을 알았다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에서는 전사 방식에 의한 메탈백층의 형성에 있어서, 전사성과 내베이킹 특성 (특히 균열 특성)을 개선할 수 있고, 그에 따라 양호한 수율로 메탈백층을 얻을 수 있다. 또한, 전사 필름 등에 설치하는 접착제층의 두께의 폭도 넓게 설정할 수 있고, 접착제층 형성의 작업성이 양호하다. 그리고 형성되는 메탈백층의 반사 효과가 높고, 고휘도의 형광면이 얻어진다. 또한, 기판 사이의 방전이 억제되고 내전압 특성이 향상된다.

또한, 메탈백층 형성의 공정이 간편하고, 표시 장치의 제조 비용도 낮게 할 수 있다. 특히, 저전압 구동의 표시 장치로서는 휘도 얼룩이 없고 품질이 양호한 표시면을 얻을 수 있다.

Claims

보호막이 수지를 주체로 하고, 인산 에스테르, 지방족 1염기산 에스테르, 지방족 2염기산 에스테르, 2가 알코올 에스테르, 옥시산 에스테르, 올레인산부틸, 아디프산디부틸, 염화파라핀, 톨루엔술폰에틸아미드, 톨루엔술폰메틸아미드, 아미노벤젠술폰아미드 화합물, 술폰아미드 화합물, 아비에틴산메틸, 디노닐나프탈렌, 아세틸시트르산트리부틸, 아미노톨루엔술폰아미드 화합물 및 N-부틸벤젠술폰아미드로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 유연제를 함유하는 것을 특징으로 하는, 베이스 필름과 이 베이스 필름 상에 적층하여 형성된 이형제층, 보호막 및 금속막을 적어도 갖는 전사 필름.
제1항에 있어서, 상기 유연제가 상기 보호막을 구성하는 전 재료에 대한 질량비로서 1 내지 30 ％의 범위로 함유되는 것을 특징으로 하는 전사 필름.
제1항에 있어서, 상기 보호막의 막 두께가 0.1 내지 30 ㎛인 것을 특징으로 하는 전사 필름.
제1항에 있어서, 상기 금속막 상에 접착제층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 필름.
제1항에 있어서, 상기 접착제가 아세트산비닐 수지, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 스티렌-아크릴산 수지, 에틸렌-아세트산비닐-아크릴산 3원중합체 수지, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체 수지, 폴리부텐 수지 및 폴리아미드 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 수지를 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 전사 필름.
전사층이 1O²내지 1O⁸Ω/□ (square: 이하 동일)의 표면 저항율을 갖는 고저항층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 베이스 필름과 이 베이스 필름 상에 적층된 이형제층 및 전사층을 적어도 구비한 전사 필름.
제6항에 있어서, 상기 전사층이, 표면 저항율 1O²내지 1O⁸Ω/□의 고저항층과 그 상층에 적층된 1O²Ω/□ 미만의 표면 저항율을 갖는 광 반사층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 필름.
페이스 플레이트 내면에 형광체층을 형성하는 공정,

제1항에 기재된 전사 필름을 그의 금속막이 상기 형광체층에 접착제층을 통해 접하도록 배치하고, 상기 전사 필름을 상기 형광체층 상에 압착 접착한 후, 상기 전사막 필름을 박리하는 금속막 전사 공정, 및

상기 형광체층 상에 상기 금속막이 전사된 페이스 플레이트를 가열 처리하는공정을 구비한 것을 특징으로 하는 메탈백층 형성 방법.
제8항에 있어서, 상기 금속막 전사 공정 전에, 상기 전사 필름의 금속막 및 상기 형광체층 중 적어도 한편에 상기 접착제층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 메탈백층 형성 방법.
페이스 플레이트 내면에 형광체층을 형성하는 공정,

제6항에 기재된 전사 필름을 그의 전사층이 상기 형광체층에 접착제층을 통해 접하도록 배치하고, 상기 전사 필름을 상기 형광체층 상에 압착 접착한 후, 상기 전사 필름을 박리하는 전사 공정, 및

상기 형광체층 상에 상기 전사층이 전사된 페이스 플레이트를 가열 처리하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 메탈백층 형성 방법.
페이스 플레이트 내면에 형광체층을 형성하는 공정,

제7항에 기재된 전사 필름을 그의 전사층이 상기 형광체층에 접착제층을 통해 접하도록 배치하고, 상기 전사 필름을 상기 형광체층 상에 압착 접착한 후, 상기 전사 필름을 박리하는 전사 공정, 및

상기 형광체층 상에 상기 전사층이 전사된 페이스 플레이트를 가열 처리하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 메탈백층 형성 방법.
제10항에 있어서, 상기 전사 공정 전에, 상기 전사 필름의 전사층 및 상기 형광체층 중 적어도 한편에 상기 접착제층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 메탈백층 형성 방법.
제11항에 있어서, 상기 전사 공정 전에, 상기 전사 필름의 전사층 및 상기 형광체층 중 적어도 한편에 상기 접착제층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 메탈백층 형성 방법.
페이스 플레이트 내면에, 제8항에 기재된 메탈백층 형성 방법에 의해 메탈백층이 형성된 형광면을 구비한 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
리어 플레이트 및 상기 리어 플레이트와 대향 배치된 페이스 플레이트를 갖는 엔벌로프,

상기 리어 플레이트 상에 형성된 다수의 전자 방출 소자,

상기 페이스 플레이트 상에 상기 리어 플레이트에 대향하여 형성되고 상기 전자 방출 소자로부터 방출되는 전자빔에 의해 발광되는 형광체층을 구비하고,

상기 페이스 플레이트 내면에, 제8항에 기재된 메탈백층 형성 방법에 의해서 메탈백층이 형성된 형광면을 구비한 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
메탈백층이 1O³내지 1O¹⁰Ω/□의 표면 저항율을 갖는 고저항층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 페이스 플레이트의 내면에, 형광체층과 상기 형광체층 상에 형성된 메탈백층을 구비한 화상 표시 장치.
제16항에 있어서, 상기 메탈백층이 1O³Ω/□ 미만의 표면 저항율을 갖는 광 반사층과 그 상층에 적층된 표면 저항율이 1O³내지 1O¹⁰Ω/□의 고저항층을 포함하는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
페이스 플레이트 내면에, 제10항에 기재된 메탈백층 형성 방법에 의해서 메탈백층이 형성된 형광면을 구비한 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
페이스 플레이트 내면에, 제11항에 기재된 메탈백층 형성 방법에 의해서 메탈백층이 형성된 형광면을 구비한 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
제16항에 있어서, 상기 페이스 플레이트에 대향 배치된 리어 플레이트를 구비하고, 상기 리어 플레이트 상에 다수의 전자 방출 소자를 갖는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
제17항에 있어서, 상기 페이스 플레이트에 대향 배치된 리어 플레이트를 구비하고, 상기 리어 플레이트 상에 다수의 전자 방출 소자를 갖는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
제18항에 있어서, 상기 페이스 플레이트에 대향 배치된 리어 플레이트를 구비하고, 상기 리어 플레이트 상에 다수의 전자 방출 소자를 갖는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
제19항에 있어서, 상기 페이스 플레이트에 대향 배치된 리어 플레이트를 구비하고, 상기 리어 플레이트 상에 다수의 전자 방출 소자를 갖는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.