KR19990020173A - 음극선관의 수지필름층 도포용액, 이를 이용한 음극선관의 스크린 제조방법과 이에 의한 음극선관 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 음극선관의 수지필름층 도포용액을 제공한다.

그 도포용액은, 면판의 배면에 부착되어 형성되는 일정한 배열구조의 다수의 스트라이프(stripe) 또는 도트(dot)형상의 3종의 형광체 및 그 각 형광체들사이의 블랙코팅과 같은 빛흡수물질과, 그 형광체 및 빛흡수물질의 배면에 형성되어 전도막과 반사경면의 역할을 하는 알루미늄박막층으로 된 형광면을 지니며, 그 알루미늄박막층을 형성하기 직전에 알루미늄박막층의 평면도 및 반사율을 높이기 위해서는 상기 형광체와 빛흡수물질 및 알루미늄박막층 사이에 라커와 같은 수지로 수지필름층을 형성하기 위한 음극선관의 수지필름층 도포용액에 있어서, 상기 수지필름층 도포용액이 무기물입자들을 포함하는 것을 특징으로 한다.

이에 따라 그 무기물입자들에 의해 수지필름층의 표면에 수많은 요철이 형성되게 되어 알루미늄박막층의 밀착성을 향상시키고 수지필름층 등의 휘발성성분을 완전히 휘발시킬 수 있어 그 알루미늄박막층의 경면성을 크게 향상시킬 수 있게 된다.

Description

음극선관의 수지필름층 도포용액, 이를 이용한 음극선관의 스크린 제조방법과 이에 의한 음극선관

본 발명은 음극선관의 수지필름층 도포용액, 이를 이용한 음극선관의 스크린 제조방법과 이에 의한 음극선관에 관한 것으로, 더 상세하게는 보다 효율성이 높은 반사경면을 지니는 알루미늄박막층을 형성하기 위한 음극선관의 수지필름층에 관한 것이다.

일반적으로 음극선관은, 도 1에 도시된 바와 같이, 판넬(panel)(12), 펀넬(funnel)(13) 및 네크(14)로 구분되는 진공 벌브(bulb)와, 그 네크(14) 내부에 장착되는 전자총(11)과, 판넬(12)의 측벽에 장착되는 새도우마스크(16)를 구비한다.

그 판넬(12)의 면판(18)의 내면에는 형광면(20)이 형성되어 있어, 전자총(11)으로부터 방출된 전자빔(19a)(19b)은 각종 렌즈계에 의해 집속되고 가속되며, 양극보턴(15)을 통해 인가되는 고전압에 의해 크게 가속되면서 편향요크(17)에 의해 편향되고 새도우마스크(16)의 애퍼처 또는 슬리트(16a)를 통과하여 형광면(20)에 주사된다.

형광면(20)은 면판(18)의 배면에 형성되는데, 칼라의 경우 도 2에 도시된 바와 같이 일정한 배열구조의 다수의 스트라이프(stripe) 또는 도트(dot)형상의 형광체(R,G,B)와, 그 각 형광체들사이의 블랙코팅과 같은 빛흡수물질로 형성된다. 또, 그 배면은 전도막층으로서 알루미늄박막층(22)이 형성되어 형광면의 휘도증대, 형광면의 이온손상방지, 형광면의 전위강하방지 등의 역할을 하게 된다. 또한, 그 알루미늄박막층(22)의 평면도 및 반사율을 높이기 위해서는 형광면(20)과 전도막층(22)사이에 라커(lacquer)와 같은 수지로 된 수지필름층(22')이 형성되며, 이 수지필름층(22')은 알루미늄박막층(22)의 형성후에 튜브의 수명을 위해 연소되어 휘발된다.

이러한 형광면(20)이 발색광 인성분과 같은 형광입자들을 포함하는 현탁액(slurry) 또는 빛흡수물질을 포함하는 현탁액을 도포하고 건조시켜 형성되는 종래의 습식 사진 석판술(photolithographic wet process)은, 고화질의 요구를 충족시키지 못할 뿐만 아니라 제조공정 및 제조설비가 복잡하여 제조비용이 크게 소요되며, 또한, 대량의 청정수 소모와 폐수발생, 인배출물, 6가 크롬감광체 배출 등 여러가지 문제점들을 안고 있다. 최근에 이러한 습식사진석판술을 개량한 전자사진식(electrophotographical) 스크린제조방법이 개발되었는데, 이 전자사진식 제조방법도 습식은 여전히 상술한 문제점들을 안고 있으며, 건식 제조방법에 의해서는 상술한 문제점들이 상당히 해소되었다.

그 대표적인 건식 전자사진식 스크린제조방법은 미국 특허 제 4,921,767호(1990년 5월 1일 특허됨)에 개시되어 있는 바, 이를 간략히 설명하면 다음과 같다.

도 3a 내지 3e에는 그 건식 전자사진식 스크린제조방법의 각 기본공정이 개략적으로 도시된다.

판넬(12)는 스크린공정에 들어가기 전에 그 내면이 여러가지 방법으로 세척된다. 그리고나서, 그 판넬의 면판(18)의 내면에는 도 3a에서와 같이 전기적 전도막(32)이 코팅되고, 그 위에 광전도막(34)이 코팅된다. 이러한 전도막(32)에 사용되는 화합물로는 주석이나 인듐(indium)산화물, 또는 그 혼합물과 같은 무기전도물이 개시되어 있고, 휘발성전도막의 원료로는 Aldrich Chemical Co.의 상품명 폴리브린(Polybrene : 1,5-디메틸-1,5-디아자-언디카메틸렌 폴리메소브로마이드, 헥사디메스린 브로마이드)이 개시되어 있다. 이러한 폴리브린은 약 10 중량%의 프로판놀과 10중량%수용성 접착 폴리머(폴리 비닐알콜, 폴리아크릴산, 폴리아미드 등)를 함유하는 수용액상태로 도포되고 건조되어 10⁸Ω/?(ohms per square unit) 이하의 표면저항과 약 1-2μm의 두께를 가지는 전도막(32)을 형성한다. 그 전도막(32)위에 도포되는 광전도막(34)으로는 휘발성 유기폴리머(폴리비닐 카바졸)또는 폴리머 바인더(폴리메틸메타크릴레이트 또는 폴리프로필렌 카본네이트)에 용해된 n-에틸 카바졸이나 n-비닐카바졸 또는 테트라페닐부타트리엔과 같은 유기단량체와, 적당한 광전도 염료와 용매를 포함하는 도포액이 개시되어 있다. 그 광전도 염료성분으로는 가시광선(바람직하게는 400-700nm파장)에 반응하는 것으로서 크리스탈 바이오릿(crystal violet), 크로리다인 블루우(chloridine blue), 로다민 EG(rhodamine EG)와 같은 것들이 약 0.1 내지 0.4 중량 % 함유되는 것으로 개시되어 있다. 그리고 용매로는 전도막(32)을 오염시키지 아니하는 클로로벤젠이나 싸이클로펜타논과 같은 유기물이 개시되어 있다. 이와같은 조성을 가지는 광전도막(34)은 2-6μ의 두께를 가진다.

도 3b에는 상술한 바와 같이 이중코팅된 판넬면판(18)의 광전도막(34)에 종래의 대전장치(36)에 의해 암실에서 +전하로 대전되는 대전공정이 개략적으로 도시된다. 그 대전장치(36)는 고전압의 직류전원의 +전극이 방전전극에 인가되고, -전극은 전도막(32)에 인가됨과 동시에 어스되며, 이와 같이 +전극에 인가된 대전장치(36)의 방전전극이 면판(18)의 광전도막(34)위를 가로질러 이동함으로써 광전도막(34)은 +전하로 대전되어 +200 내지 +700 볼트의 정전위로 대전시킨다.

도 3c는 노광공정을 도시한 것으로 상술한 바와 같이 대전된 광전도막(34)은 역시 암실내에서 새도우마스크(16)를 통해 렌즈(35')를 구비하는 크세논 플래시 램프(35)에 의해서 노광된다. 따라서, 먼저 새도우마스크(16)가 판넬(12)에 장착되고 전도막(32)은 어스된다. 이 공정에서는 그 크세논 플래시램프(35)를 켜서 렌즈(35')와 새도우마스크(16)를 통해 그 램프(35)의 광선을 광전도막(34)에 조사하면, 새도우마스크(16)의 애퍼처 또는 슬리트(16a)에 해당하는 광전도막(34)부분들이 노광되고, 그 가시광선에 의해 그 노광부분의 +전하가 전도막(32)을 통해 방출되어 제 3 도(다)에 도시된 바와 같이 노광부분만 비대전상태로 된다. 상술한 크세논 플래시 램프(35)는 칼라의 경우 빛흡수물질을 부착시키기 위해서는 종래와 같이 그 광선이 각 전자빔이 입사각에 일치하도록 3위치사이를 이동하는 구조가 바람직하다.

도 3d는 현상(형광입자 또는 빛흡수물질의 부착)공정을 개략적으로 도시한다. 이공정에서는 현상용기(35)내에 건식 빛흡수물질미세분말 또는 건식의 각 형광체미세분말과, 그 각 분말과의 접촉으로 정전기를 발생시킬 수 있는 캐리어 비드(carrier bead)가 담겨진다. 그 빛흡수물질용 캐리어 비드는 미세분말과 접촉하여 빛흡수물질입자는 -전하로, 또 형광입자는 +전하롤 대전시킬 수 있는 것이 적당하며, 그와같이 전하를 띠도록 혼합된다. 새도우마스크(16)를 제거한 판넬(12)은 광전도막(34)이 그 분말에 접촉할 수 있도록 상술한 분말이 담긴 현상용기(35)위에 설치된다.

이 때 혼합된 분말중에서 -전하를 띤 빛흡수물질은 +전하로 대전된 광전도막(34)의 비노광부분에 전기인력에 의해 부착되게 되며, +전하를 띤 형광입자는 +전하로 대전된 광전도막(34)의 비노광부분에서는 반발하고 +전하가 방출된 광전도막(34)의 노광부분에만 역현상(reversal developing)에 의해 부착하게 된다.

도 3e는 적외선 가열에 의한 고착공정을 도시한 것으로, 이 공정에서는 상술한 현상공정에서 부착된 건식 빛흡수물질입자 또는 건식의 각 형광입자들이 서로, 또한 광전도막(34)에 고착된다. 따라서, 가열에 의해 융착되는 적당한 폴리머 성분이 그 광전도막(34)과 건식 빛흡수물질입자나 건식의 각 형광입자들에 포함된다.

상술한 공정들이 칼라음극선관의 제조를 위해서는 3종의 형광체에 대해 반복 실시된다. 또한, 블랙 매트릭스의 빛흡수물질도 3종의 형광체의 부착 전이나 그 후에 상술한 바와 같이 형성될 수 있다.

이와 같이 형광체 및 빛흡수물질이 형성된 다음, 라커공정에서 라커막이 종래의 방법으로 형성되고, 알루마이징공정에서 알루미늄박막도 종래의 방법으로 형성되며, 그 뒤, 베이킹(backing)공정으로 투입되어 대기 중에서 약 30분동안 425℃에서 가열 건조됨으로써, 전도막(32), 광전도막(34)과 각 형광체 및 라커 등에 존재하는 용매 등의 휘발성 성분이 제거되고 빛흡수물질(21)과 각 형광체(R,G,B)가 도 2에서와 같이 형성된 형광면(20)이 얻어진다.

그러나, 상술한 종래의 건식전자사진식 스크린 제조방법은 형상후에도 3e의 고착공정을 필요로 하고 광전도막이 가시광선에 쉽게 감응되어지기 때문에 광전도막을 형성한 이후 고착공정에 이르기까지 모든 작업을 암실에서 수행하여야 하는 단점이 있었다.

이에, 본 출원인은 광전도막을 자외선에 감응하는 광전도성 용액으로 형성함으로써 상기의 문제점을 해결하였다. 그 광전도막을 형성하기 위한 광전도성 용액으로서, 자외선에 반응하는 물질의 일예로는 도너(doner)로서 0.01 내지 1중량%의 비스 디메틸 페닐 디페닐 부타트리엔(bis-1,4-dimethyl phenyl (-1,4 -diphenyl (butatriene))) 또는 2 내지 5 중량%의 테트라페닐 에틸렌(tetraphenyl ethylene)과, 어셉터(acceptor)로서 트리니트로플루오리논(trinitro-fluorenone: TNF) 및 에틸 안트라퀴논(ethyl anthraquinone: EAQ)중 적어도 1종 이상 각각 0.01 내지 1중량%를 고분자바인더(binder)로서의 1 내지 30 중량%의 폴리스티렌(polystyrene: PS)과 함께 잔량인 톨루엔(toluene)이나 크실렌(xylene)에 용해시켜 사용하였다.

상기 고분자바인더(binder)로서 상기 폴리스티렌이외에 폴리알파메틸스티렌(poly(α-methylstyrene: PAMS), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate: PMMA) 및 폴리 스티렌-옥사졸린 코폴리머(polystyrene-oxazoline copolymer: PS-OX) 등이 사용될 수 있다.

그러나, 도 3e의 형광체의 고착을 위한 고착공정에서 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이 현상된 형광체(P)가 광전도막(34)속으로 내려 앉게 되고 수지필름층(22')을 형성하면, 그 표면이 판넬(12)의 내면과 같이 매끄럽게 형성되어 베이킹공정이나 판넬과 판넬의 봉착을 위한 프리트(frit)로에서의 연소과정에서 상술한 전도막(32), 광전도막(34) 및 수지필름층(22')으로부터 발생하는 과다한 가스의 압력에 의해 알루미늄박막층(22)이 쉽게 부풀어 들뜨게 되며, 이에 따라 알루미늄박막층(22)의 경면성이 저하되고 나아가 상기 휘발성 수지들이 잔류하게 되어 화질을 저하시키는 문제가 있다.

따라서, 본 발명은, 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 알루미늄박막층의 들뜸현상이 없이 습식 슬러리법에서의 수지필름층 또는 건식 전자사진식에서의 전도막, 광전도막 및 수지필름층이 완전히 휘발하게 되는 안전한 음극선관의 수지필름층 도포용액, 이를 이용한 음극선관의 스크린 제조방법과 이에 의한 음극선관을 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1은 칼라음극선관의 부분단면한 개략평면도,

도 2는 도1의 음극선관의 스크린 구성을 나타낸 부분 확대단면도,

도 3a 내지 도 3e는 건식전자사진식 스크린 제조방법을 설명하기 위한 개략도,

도 4a 및 도 4b는 종래의 음극선관의 수지필름층 형성에 따른 문제점을 설명하기 위한 개략도,

도 5 본 발명에 따른 음극선관의 수지필름층 형성과정을 설명하기 위한 개략도.

도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

10 : 음극선관(CRT) 11 : 전자총

12 : 판넬(panel) 13 : 펀넬(funnel)

14 : 네크(neck) 15 : 양극 보턴

16 : 새도우마스크 17 : 편향 요크

18 : 판넬면관 19 a, 19b : 전자빔

20 : 형광면(스크린) 21 : 빛흡수물질

22 : 알루미늄박막층 32 : 전도막

34 : 광전도막 35 : 광원(가시광선)

35' : 렌즈 35 : 현상용기

36 : 대전장치

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 음극선관의 수지필름층 도포용액은, 면판의 배면에 부착되어 형성되는 일정한 배열구조의 다수의 스트라이프(stripe) 또는 도트(dot)형상의 3종의 형광체 및 그 각 형광체들사이의 블랙코팅과 같은 빛흡수물질과, 그 형광체 및 빛흡수물질의 배면에 형성되어 전도막과 반사경면의 역할을 하는 알루미늄박막층으로 된 형광면을 지니며, 그 알루미늄박막층을 형성하기 직전에 알루미늄박막층의 평면도 및 반사율을 높이기 위해서는 상기 형광체와 빛흡수물질 및 알루미늄박막층 사이에 라커와 같은 수지로 수지필름층을 형성하기 위한 음극선관의 수지필름층 도포용액에 있어서, 상기 수지필름층 도포용액이 무기물입자들을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라 그 무기물입자들에 의해 수지필름층의 표면에 수많은 요철이 형성되게 되어 알루미늄박막층의 밀착성을 향상시키고 수지필름층 등의 휘발성성분을 완전히 휘발시킬 수 있어 그 알루미늄박막층의 경면성을 크게 향상시킬 수 있게 된다.

또한, 본 발명은, 면판의 배면에 부착되어 형성되는 일정한 배열구조의 다수의 스트라이프(stripe) 또는 도트(dot)형상의 형광체(R,G,B) 및 그 각 형광체들사이의 블랙코팅과 같은 빛흡수물질과, 그 형광체 및 빛흡수물질의 배면에 형성되어 전도막과 반사경면의 역할을 하는 알루미늄박막층으로 된 형광면을 지니며, 그 알루미늄박막층의 평면도 및 반사율을 높이기 위해서는 상기 형광체와 빛흡수물질 및 알루미늄박막층 사이에 라커와 같은 수지로 수지필름층을 형성한 후에 알루미늄박막층을 형성함으로써 형광면이 형성되는 음극선관에 있어서, 상기 수지필름층이 무기물입자들을 포함하여 형성됨으로써 상기 형광체와 빛흡수물질 및 알루미늄박막층 사이에 무기물 입자들이 잔류하는 것을 특징으로 하는 음극선관을 제공한다.

또, 본 발명은, 상술한 종래의 습식 사진 석판술이나 건식 전자사진식 스크린제조방법에 모두 적용될 수 있다. 특히 판넬의 내면에 코팅된 휘발성 전도막(32)위에 가시광선 내지 자외선에 감응하는 물질을 함유하는 휘발성 광전도막(34)을 형성시키고, 그 광전도막에 균일한 정전하를 대전시킨 후, 그 광전도막을 가시광선 내지 자외선광원으로부터 가시광선 내지 자외선을 새도우마스크를 통과시켜 선택적으로 노광하고, 그 노광된 부분에 적어도 하나의 형광체나 빛흡수물질을 대전하여 부착시키는 단계들을 포함하는 음극선관의 건식 전자사진식 스크린 제조방법에 있어서: 그 형광체 및 빛흡수물질의 배면에 무기물입자들을 포함하는 라커와 같은 수지로 수질필름층을 형성하는 단계와; 그 수지필름층위에 전도막과 반사경면의 역할을 하는 알루미늄박막층을 형성하는 단계와; 상기 전도막과 광전도막 및 수지필름층의 휘발성성분을 열에 의해 휘발시키기 위한 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 본 발명에 따른 음극선관의 건식 전자사진식 스크린 제조방법의 경우 후술하는 바와 같이 더욱 효과적이다.

상기 무기물입자들은 그 함량이 수지필름층의 고형물중 0.01%-50wt%인 것이 바람직하며, SiO₂것이 무색 내지 백색으로 잔류하더라도 화질에의 영향이 없게 된다. 상기 무기물입자들의 직경은 0.5μm이하인 것이 더욱 효과적이다.

이하, 첨부된 도면과 함께 본 발명의 실시예의 구성과 작용을 상세히 설명한다.

음극선선관의 스크린 제조시 알루미늄박막층(22)을 형성하기 직전에 알루미늄박막층(22)의 평면도 및 반사율을 높이기 위해서 상기 형광체(R,G,B)와 빛흡수물질(21) 및 알루미늄박막층(22) 사이에 라커와 같은 수지로 수지필름층(22')을 형성한다. 이와 같은 수지필름층(22')은 알루미늄박막층(22)의 형성후에 사용중 가스발생 소지를 제거하여 튜브의 수명을 장기화하기 위해 베이킹공정이나 판넬과 펀넬의 봉착을 위한 프리트(frit)로에서의 연소과정에서 연소되어 휘발된다.

본 발명은, 도 5에서와 같이 수지필름층(22')의 표면에 요철을 형성하여 알루미늄박막층(22)의 밀착성을 크게 하고, 베이킹공정이나 판넬과 펀넬의 봉착을 위한 프리트(frit)로에서의 연소과정에서 상술한 전도막(32), 광전도막(34) 및 수지필름층(22')으로부터 발생하는 가스가 국부적으로 돌출된 요철의 틈새를 따라 전면적에 설쳐 분산되어 방출되고 알루미늄박막층(22)에 작용하는 압력을 저하시킴으로써 알루미늄박막층의 들뜸현상이 없이 전도막(32), 광전도막(34) 및 수지필름층(22')이 완전히 휘발되게 한 것이다.

즉, 본 발명의 실시예들에 따라 음극선관의 수지필름층 도포용액은, 무기물입자로서 직경이 0.5μm이하인 SiO₂를 포함하는 라커액으로 구성된다. 그 무기물입자들의 함량은 수지필름층(22')의 고형물중 0.01%-50wt%로 하였다.

도 3a 내지 도 3e와 관련된 건식 전자사진식 스크린제조방법에 의해 소정의 배열구조로 스크린 형광체(R,G,B)및 빛흡수물질(21)을 형성시킨다음, 이러한 음극선관의 수지필름층 도포용액을 이용하여 형광체(R,G,B) 및 빛흡수물질(21)의 배면에 무기물입자들을 포함하는 라커로 수지필름층(22')을 형성시켰으며, 그 뒤, 그 수지필름층(22')위에 전도막과 반사경면의 역할을 하는 알루미늄박막층(22)을 형성하고 상기 전도막(32)과 광전도막(34) 및 상기 수지필름층(22')의 휘발성 성분에 열에 의해 휘발시키기 위한 베이킹단계를 실시한 결과, 그 무기물입자들의 함량 변화에 따른 결과는 다음과 같았다.

위에서 알 수 있는 바와 같이 SiO₂의 양은 고형분 대비 1-10wt%정도가 가장 사용하기에 적당하지만, 0.01wt%만 함유하여도 효과가 있는 것으로 나타났다.

상술한 건식 전자사진식 스크린제조방법은, (1) 판넬의 내면에 종래와 같은 유기전도막 수용액으로 휘발성 전도막을 형성시킨 후; (2) 그 전도막 위에 본 발명에 의한 광전도막 용액으로 휘발성 광전도막을 형성시키고; (3) 그 광전도막 위에 균일한 정전하를 대전시키며; (4) 그 대전된 광전도막의 정전하를 선택적으로 방출시키도록 새도우마스크를 통과시켜 노광시키며; (5) 그 후 소정의 미세분말을 대전시켜 상기 노광단계에서 정전하가 선택적으로 노광부분과 비노광부분 중 어느 하나의 영역에 대전된 미세분말을 부착시키는 현상단계를 거치게 되며, 칼라 음극선관의 경우 이러한 공정들이 3종의 형광체(R,G,B)에 대해 실시되고 각 형광체(R,G,B)들이 고착된다.

빛흡수물질(21)도 위와 같은 방법으로 각 형광체(R,G,B)의 현상 전이나 후에 형성될 수 있으며, 상기 투입되는 판넬(12)이, 종래의 습식 슬러리법으로 빛흡수물질(21)들을 소정의 패턴으로 배열시킨 판넬(12)일 수도 있다.

이와 같이 형광체 및 빛흡수물질이 형성된 다음, 라커공정에서 본 발명에 따라 무기물입자로서 이산화 규소(SiO₂) 입자들을 함유하는 수지필름층 도포용액에 의해 라커막 즉 수지필름층(22')이 종래의 방법으로 형성되고, 알루마이징공정에서 알루미늄박막도 종래의 방법으로 형성되며, 그 뒤, 베이킹(baking)공정으로 투입되어 대기 중에서 약 30분동안 425℃에서 가열 건조됨으로써, 전도막(32), 광전도막(34)과 각 형광체 및 라커 등에 존재하는 용매 등의 휘발성 성분이 제거되고 빛흡수물질(21)과 각 형광체(R,G,B)가 도 2에서와 같이 형성된 형광면(20)이 얻어진다.

한편, 상술한 건식 전자사진식 스크린제조방법뿐만 아니라, 구체적인 예시는 생략되지만, 습식 슬러리법에 의해 형광체와 빛흡수물질을 형성시킨 다음, 본 발명에 따라 무기물입자들을 포함하는 수지필름층(22')을 형성시킨 경우에도 상술한 바와 같은 효과는 있었다. 그러나, 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이 건식 전자사진식 스크린제조방법의 경우, 수지필름층(22')의 표면의 평활도가 습식 슬러리법의 경우보다 더 높기 때문에 SiO₂를 함유한 라커는 건식 전자사진식 스크린제조방법의 경우와 같이 평활도가 높은 경우에 더욱 유용하였다.

이와 같이 하여 제조된 음극선관은, 그 형광면(20)에 이산화 규소(SiO₂) 입자들이 잔존하게 된다. 또, 여타의 무기물입자들을 포함하여 수지필름층(22')을 형성시킨 경우에도 상술한 효과는 있었다. 그러나 본 실시예들에 의한 이산화 규소(SiO₂)입자들은 무색 내지 백색으로 투명하여 형광면(20)에 잔존하더라도 휘도의 저하가 없었으며, 화질에 영향을 미치지 아니하여 더욱 바람직하였다.

한편, 상술한 현상단계는 도 3d의 마찰대전방법이외에 형광체 등의 미세분말을 공급하는 과정에서 파이프와의 마찰대전에 의해 그 미세분말을 대전시키는 것이나, 스프레이 코터로 분출시키기 직전에 코로나방전에 의해 그 미세분말을 대전시키는 것도 가능하다.

또한, 도 3e의 고착공정은, 아세톤, 메틸 이소부틸 케톤과 같은 솔벤트 증기를 접촉시켜 고착시키는 베이퍼 스웰링(vapour swelling)법이나, 석유계 크실렌(xylene), 톨루엔(toluene), TCE, 메틸 이소부틸 케톤(MIBK) 등의 솔벤트중에서 2종이상을 혼합하여 액체 정전 스프레이 건으로 현상된 R,G,B 형광체 분말에 분무하여 고착시키는 방법도 사용될 수 있으며, 아예 고착공정의 일부 내지는 전부가 생략될 수도 있다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 음극선관의 수지필름층 도포용액, 이를 이용한 음극선관의 스크린 제조방법과 이에 의한 음극선관의 구성에 작용에 의하면, 알루미늄박막층(22)의 밀착성이 향상됨과 동시에 건식 전자사진식 스크린제조방법의 베이킹공정이나 판넬과 펀넬의 봉착을 위한 프리트(frit)로에서의 연소과정에서 알루미늄박막층(22)의 부풀어 들뜸이 없어, 수지필름층(22') 내지 전도막(32)과 광전도막(34)으로부터 휘발성 성분이 완전하게 제거될 수 있어, 알루미늄박막층(22)의 경면성이 향상되며, 음극선관의 화질이 크게 향상되게 되는 등의 효과가 있다.

이상에서 본 발명의 일예를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 청구범위 기재사항으로부터 당업자라면 용이하게 여러 가지 응용과 변형이 가능할 것이다.

Claims (13)

1. 면판(18)의 배면에 부착되어 형성되는 일정한 배열구조의 다수의 스트라프(stripe) 또는 도트(dot)형상의 형광체(R,G,B) 및 그 각 형광체들사이의 블랙코팅과 같은 빛흡수물질과, 그 형광체(R,G,B) 및 빛흡수물질(21)의 배면에 형성되어 전도막과 반사경면의 역할을 하는 알루미늄박막층(22)으로 된 형광면을 지니며, 그 알루미늄박막층(22)을 형성하기 직전에 알루미늄박막층(22)의 평면도 및 반사율을 높이기 위해서는 상기 형광체(R,G,B)와 빛흡수물질(21) 및 알루미늄박막층(22) 사이에 라커와 같은 수지로 수지필름층(22')을 형성하기 위한 음극선관의 수지필름층 도포용액에 있어서,

   상기 수지필름층이 무기물입자들을 포함하는 것을 특징으로 하는 음극선관의 수지필름층 도포용액.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 무기물입자들은 그 함량이 수지필름층(22')의 고형물중 0.01%-50wt%인 것을 특징으로 하는 음극선관의 수지필름층 도포용액.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 무기물입자들은 SiO₂인 것을 특징으로 하는 음극선관의 수지필름층 도포용액.
4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 무기물입자들의 직경은 0.5μm 이하인 것을 특징으로 하는 음극선관의 수지필름층 도포용액.
5. 면판(18)의 배면에 부착되어 형성되는 일정한 배열구조의 다수의 스트라프(stripe) 또는 도트(dot)형상의 형광체(R,G,B) 및 그 각 형광체들사이의 블랙코팅과 같은 빛흡수물질과, 그 형광체(R,G,B) 및 빛흡수물질(21)의 배면에 형성되어 전도막과 반사경면의 역할을 하는 알루미늄박막층(22)으로 된 형광면을 지니며, 그 알루미늄박막층(22)의 평면도 및 반사율을 높이기 위해서는 상기 형광체(R,G,B)와 빛흡수물질(21) 및 알루미늄박막층(22) 사이에 라커와 같은 수지로 수지필름층(22')을 형성한 후에 알루미늄박막층(22)을 형성함으로써 형광면이 형성되는 음극선관의 있어서,

   상기 수지필름층이 무기물입자들을 포함하여 형성됨으로써 상기 형광체(R,G,B)와 빛흡수물질(21) 및 알루미늄박막층(22) 사이에 무기물입자들이 잔류하는 것을 특징으로 하는 음극선관.
6. 제 5 항에 있어서, 상기 무기물입자들은 그 함량이 수지필름층(22')의 고형물중 0.01%-50wt%인 것을 특징으로 하는 음극선관.
7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 무기물입자들은 SiO₂인 것을 특징으로 하는 음극선관.
8. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 무기물입자들의 직경은 0.5μm 이하인 것을 특징으로 하는 음극선관.
9. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 형광체(R,G,B)들과 빛흡수물질(21)중 적어도 하나의 형광체나 빛흡수물질이, 판넬의 내면에 코팅된 휘발성 전도막 위에 가시광선 내지 자외선에 감응하는 물질을 함유하는 휘발성 광전도막을 형성시키고, 그 광전도막에 균일한 정전하를 대전시킨 후, 그 광전도막을 가시광선 내지 자외선광원으로부터 가시광선 내지 자외선을 새도우마스크를 통과시켜 선택적으로 노광하고, 그 노광된 부분에 적어도 하나의 형광체나 빛흡수물질을 대전하여 부착시키는 단계들을 포함하는 음극선관의 건식 전자사진식 스크린 제조방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 음극선관.
10. 판넬의 내면에 코팅된 휘발성 전도막(32)위에 가시광선 내지 자외선에 감응하는 물질을 함유하는 휘발성 광전도막(34)을 형성시키고, 그 광전도막에 균일한 정전하를 대전시킨 후, 그 광전도막을 가시광선 내지 자외선광원으로부터 가시광선 내지 자외선을 새도우마스크를 통과시켜 선택적으로 노광하고, 그 노광된 부분에 적어도 하나의 형광체(R,G,B)나 빛흡수물질(21)을 대전하여 부착시키는 단계들을 포함하는 음극선관의 건식 전자사진식 스크린 제조방법에 있어서:

    그 형광체(R,G,B) 및 빛흡수물질(21)의 배면에 무기물입자들을 포함하는 라커와 같은 수지로 수질필름층(22')을 형성하는 단계와;

    그 수지필름층(22')위에 전도막과 반사경면의 역할을 하는 알루미늄박막층(22)을 형성하는 단계와;

    상기 전도막(32)과 광전도막(34) 및 수지필름층(22')의 휘발성성분을 열에 의해 휘발시키기 위한 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 음극선관의 건식 전자사진식 스크린 제조방법.
11. 제 10 항에 있어서, 상기 무기물입자들은 그 함량이 수지필름층(22')의 고형물중 0.01%-50wt%인 것을 특징으로 하는 음극선관의 건식 전자사진식 스크린 제조방법.
12. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 무기물입자들은 SiO₂인 것을 특징으로 하는 음극선관의 건식 전자사진식 스크린 제조방법.
13. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 무기물입자들의 직경은 0.5μm 이하인 것을 특징으로 하는 음극선관의 건식 전자사진식 스크린 제조방법.