KR100267175B1 - 음극선관의 건식 전자사진식 스크린제조용 광전도막도포용액 및 이를 사용하는 스크린제조방법 - Google Patents

음극선관의 건식 전자사진식 스크린제조용 광전도막도포용액 및 이를 사용하는 스크린제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 장기간 보관이 가능하고 광전도 특성이 우수한 음극선관의 전자사진식 스크린 제조용 광전도막도포용액 및 이를 이용한 스크린 제조방법을 제공한다.
그 광존도막의 조성이,
Figure kpo00001
위와 같은 구조식의 테트라페닐 에틸렌(tetraphenyl ethylene:TPE)(단, R은 H, CH3, C2H5, C3H7, OCH3, OC2H5, OC3H7, COCH3로서 R1=R2=R3=R4=H인 것을 제외한 것)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 따라, 광전도막의 장기보관이 가능하고 광전도막(34)의 대전 및 광전도 특성을 향상시켜 현상밀도를 향상시킬 수 있는 등의 효과가 있다.

Description

음극선관의 건식 전자사진식 스크린 제조용 광전도막도포용액 및 이를 사용하는 스크린 제조방법.
본 발명은 음극선관의 건식 전자사진식 스크린 제조용 광전도막도포 용액 및 이를 사용하는 그 스크린 제조방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 광전도 특성을 향상시켜 에너지 절감과 함께 형광체 분말의 현상 밀도를 높이고 경시변화를 저하시켜 장기간 보관한 후에도 광전도특성을 지니는 음극 선관의 건식 전자사진식 스크린 제조용 광전도막도포용액 및 이를 사용하는 그 스크린 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 음극선관은, 제1도에 도시된 바와 같이, 판넬(panel)(12), 펀넬(funnel)(13) 및 네트(14)로 구분되는 진공 벌브(bulb)와, 그 네트(14) 내부에 장착되는 전자총(11)과, 판넬(12)의 측벽에 장착되는 새도우마스크(16)를 구비한다.
그 판넬(12)의 면편(18)의 내면에는 형광면(20)이 형성되어 있어, 전자총(11)으로부터 방출된 전자빔(19a)(19b)은 각종 렌즈계에 의해 집속되고 가속도매, 양극보턴(15)을 통해 인가되는 고전압에 의해 크게 가속되면서 편향요크(17)에 의해 편향되고 새도우마스크(16)에 애퍼처 또는 슬리트(16a)를 통과하여 형광면(20)에 주사된다.
형광면(20)은 면판(18)의 배면에 형성되는데, 칼라의 경우 제2도에 도시된 바와 같이 일정한 배열구조의 다수의 스트라이프(stripe) 또는 도트(dot)형상의 형광체(R,G,B)와, 그 각 형광체들사이의 블랙코팅과 같은 빛흡수물질로 형성된다. 또, 그 배면은 전도막층으로 알루미늄박막층(22)이 형성되어 형광면의 휘도증대, 형광면의 이온손상방지, 형광면의 전위강하방지 등의 역할을 하게 된다. 또한, 그 알루미늄박막층(22)의 평면도 및 반사율을 높이기 위해서는 형광면(20)과 전도막층(22)사이에 라커(lacquer)와 같은 수지로 된 수지층(22')이 형성된다.
이러한 형광면(20)이 발색광 인성분과 같은 형광입자들을 포함하는 현탁액(siurry) 또는 빛흡수물질을 포함하는 현탁액을 도포하고 건조시켜 형성되는 종래의 습식 사진 석판술(photolithographic wet process)은, 고화질의 요구를 충족시키지 못할 뿐만 아니라 제조공정 및 제조설비가 복잡 하여 제조 비용이 크게 소요되며, 또한, 대량의 청정수 소모와 폐수발생, 인배출물, 6가 크롬감광체 배출 등 여러가지 문제점들을 안고 있다. 최근에 이러한 습식사진석판술을 개량한 전자사진식(electrophotographical) 스크린 제조방법이 개발되었는데, 이 전자사진식 제조방법도 습식은 여전히 상술한 문제점들을 안고 있으며, 건식 제조방법에 의해서는 상술한 문제점들이 상당히 해소되었다.
그 대표적인 건식 전자사진식 스크린제조방법은 미국 특허 제 4,921,767호(1990년 5월 1일 특허되)에 개시되어 있는 바, 이를 간략히 설명하면 다음과 같다.
제3a도 내지 제3e도에는 그 건식 전자사진식 스크린제조방법의 각 기본공정이 개략적으로 도시된다.
판넬(12)는 스크린공정에 들어가기 전에 그 내면이 여러가지 방법으로 세척된다. 그리고나서, 그 판넬의 면판(18)의 내면에는 제3a도에서와 같이 전기적 전도막(32)이 코팅되고, 그 위에 광전도막(34)이 코팅된다. 이러한 전도막(32)에 사용되는 화합물로는 주석이나 인듐(indium)산화물, 또는 그 혼합물과 같은 무기전도물이 개시되어 있고, 휘발성전도막의 원료로는 Aldrich Chemical Co. 의 상품명 폴리브린(Polybrene : 1,5-디메틸-1,5-디아지-언디카메틸렌 폴리메소브로마이드, 헥사디메스린 브로마이드)이 개시되어 있다. 이러한 폴리브린은 약 10중량%의 프로판놀과 10중량% 수용성 접척 폴리머(폴리 비닐알콜, 폴리아크릴산, 폴리아미드 등)를 함유하는 수용 액상대로 도포되고 건조되어 108
Figure kpo00002
/ (ohms per square unit)이하의 표면 저항의 약 1-2㎛의 두께를 가지는 전도막(32)을 형성한다. 그 전도막(32)위에 도포되는 광전도막(34)으로는 휘발성 유기폴리머(폴리비닐 카바졸) 또는 폴리머 바인더(폴리메틸메타크릴레이트 또는 폴리프로필렌 카본네이트)에 융해된 n-에틸 카바졸이나 n-비닐카바졸 또는 테트라페닐부타트리엔과 같은 유기단량체와, 적당한 광전도 염료와 용매를 포함하는 도포액이 개시되어 있다. 그 광전도 염료성분으로는 가시광선(바람직하게는 400-700nm파장)에 반응하는 것으로서 크리스탈 바이오릿(crystal violet), 크로리다인 블루우(chloridine blue), 로다민 EG(rhodamine EG)와 같은 것들이 약 0.1 내지 0.4 중량% 함유되는 것으로 개시되어 있다. 그리고 용매로는 전도막(32)을 오염시키지 아니하는 클로로벤젠이나 싸이클로펜타논과 같은 유기물이 개시 되어 있다. 이와 같은 조성을 가지는 광전도막(34)은 2-6μ의 두께를 가진다
제3b도에는 상술한 바와 같이 이중코팅된 판넬면판(18)이 광전도막(34)에 종래의 대전장치(36)에 의해 암실에서 +전하로 대전되는 대전공정이 개략적으로 도시된다. 그 대전장치(36)는 고전압의 직류전원의 +전극이 방전전극에 인가되고, -전극은 전도막(32)에 인가됨과 동시에 어스되며, 이와 같이 +전극에 인가된 대전장치(36)의 방전전극이 면판(18)의 광전도막(34)위를 가로질러 이동함으로써 광전도막(34)은 +전하로 대전되어 +200+700볼트의 정전위로 대전시킨다.
제3c도는 노광공정을 도시한 것으로 상숭한 바와 같이 대전되 광전도막(34)은 역시 암실내에서 새도우마스크(16)를 통해 렌즈(35')를 구비하는 크세논 플래시 램프(35)에 의해서 노광된다. 따라서, 먼저 새도우마스크(16)가 판넬(12)에 장착되고 전도막(32)은 어스된다. 이 공정에서는 그 크세논 플래시램프(35)를 켜서 렌즈(35')와 새도우마스크(16)를 통해 그 램프(35)의 광선을 광전도막(34)에 조사하면, 새도우마스크(16)의 애퍼처 또는 슬리트(16a)에 해당하는 광전도막(34)부분들이 노광되고, 그 가시광선에 의해 그 노광부분의 +전하가 전도막(32)을 통해 방출되어 제 3 도 (다)에 도시된 바와 같이 노광부분만 비대전상태로 된다. 상술한 크세논 플래시 램프(35)는 칼라의 경우 빛흡수물질을 부착시키기 위해서는 종래와 같이 그 광선이 각 전자빔의 입사각에 일치하도록 3위치사이를 이동하는 구조가 바람직하다.
제3d도는 현상(형광입자 또는 빛흡수물질의 부착)공정을 개략적으로 도시한다. 이 공정에서는 현상용기(35")내에 건식 빛흡수물질미세분말 또는 건식의 각 형광체미세분말과, 그 각 분말과의 접촉으로 정전기를 발생시킬 수 있는 캐리어 비드(carrier bead)가 담겨진다. 그 빛흡수물질용 캐리어 비드는 미세분말과 접촉하여 빛흡수물질입자는 -전하로, 또 형광입자는 +전하로 대전시킬 수 있는 것이 적당하며, 그와 같이 전하를 띠도록 혼합된다. 새도우마스크(16)를 제거한 판넬(12)은 광전도막(34)이 그 분말에 접촉할 수 있도록 상술한 분말이 담기 현상용기(35")위에 설치된다.
이 때 혼합된 분말중에서 -전하를 띤 빛흡수물질은 +전하로 대전된 광전도마가(34)의 비노광부분에 전기인력에 의해 부착되게 되며, +전하를 띤 형광입자는 +전하로 대전된 광전도막(34)의 비노광부분에서는 반발하고 +전하가 방출된 광전도막(34)의 노광부분에만 역현상(reversal developing)에 의해 부착하게 된다.
제3e도는 적외선 가열에 의한 고착공정을 도시한 것으로, 이 공정에서는 상술한 현상공정에서 부착된 건식 빛흡수물질입자 또는 건식의 각 형광 입자들이 서로, 또한, 광전도막(34)에 고착된다. 따라서, 가열에 의해 융착되는 적당한 폴리머 성분이 그 광전도막(34)과 건식 빛흡수물질입자나 건식의 각 형광입자들에 포함된다.
상술한 공정들이 칼라음극선관의 제조를 위해서는 3종의 형광체에 대해 반복실시된다. 또한, 블랙 매트릭스의 빛흡수물질도 3종의 형광체의 부착 전이나 그 후에 상술한 바와 같이 형성될 수 있다.
이와 같이 형광체 및 빛흡수물질이 형성된 다음, 라커공정에서 라커막이 종래의 방법으로 형성되고, 알루마이징공정에서 알루미늄박막도 종래의 방법으로 형성되며, 그 뒤, 베이킹(baking)공정으로 투입되어 대기 중에서 약 20분동안 425℃에서 가열 건조됨으로써, 전도막(32), 광전도막(34)과 각 형광체 및 라커 등에 존재하는 용매 등의 휘발성성분이 제거되고 빛흡수 물질(21)과 각 형광체(R,G,B)가 제2도에서와 같이 형성된 형광면(20)이 얻어진다.
그러나, 상술한 종래의 건식전자사진식 스크린 제조방법은 형상후에도 3a도의 고착공정을 필요로 하고 광전도막이 가시광선에 쉽게 감응되어지기 때문에 광전도막을 형성한 이후 고착공정에 이르기까지 모든 작업을 암실에서 수행하여야 하는 단점이 있었다.
이에, 본 출원인은 광전도막을 자외선에 감응하는 광전도성 용액으로 형성함으로써 상기의 문제점을 해결하였다. 그 광전도막을 형성하기 위한 광전도성 용액으로서, 자외선에 반응하는 물질의 일예로는 도너(doner)로서 0.01 내지 1중량%의 비스 디메틸 페닐 디페닐 부타트리엔(bis-1, 4-dimethyl pheryl(-1, 4-diphenyl(butatriene))) 또는 2 내지 5 중량%의 테트라페닐 에틸렌(tatraphenyl ethylene: TPE)과, 어셉터(acceptor)로서 트리니트로플루오리논(trinitro-fluorenone: TNF) 및 에틸 안트라퀴논(ethyl anthraqlinone: EQ)중 적어도 1종 이상 각각 0.01 내지 1중량%를 고분자바인더(binder)로서의 1 내지 30 중량%의 폴리스티렌(polystyene :PS) 과 함께 잔량인 톨루엔(toluene)이나 크실렌(xylene)에 용해시켜 사용하였다.
상기 고분자바인더(binder)로서 상기 폴리스티렌이외에 폴리 알파메틸스티렌(
Figure kpo00003
-methylstyrene:PAMS), 폴리 메틸 메타크릴레이트(polymethylmethacrylate:PMMA) 및 폴리 스티렌-옥사졸린 코폴리머(polystyrene-oxazoline copolymer:PS-OX)등이 사용될 수 있다.
그러나, 상술된 도너로서의 2 내지 5중량%의 테트라페닐 에틸렌(TPE)는 재결정속도가 높고 경시변화가 커서 24시간 보관한 후에는 사용할 수 없게 되는 문제점이 있다. 그 이유는 그 분자구조가 평면적이어서 주로 도포시에 적층되어 광전도막(34)을 형성하며, 용해후에는 응집되기 때문인 것으로 생각된다.
따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 광전도특 향상시켜 에너지 절감과 함께 형광체 분말의 현상 밀도를 높이고 경시 변화를 저하시켜 장기간 보관한 후에도 광전도특성을 지니는 음극선관의 건식 전자사진식 스크린 제조용 광전도막도포용액 및 이를 사용하는 그 스크린 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
제 1도는 칼라음극선관의 부분단면한 개략평면도,
제2도는 제1도의 음극선관의 스크린 구성을 나타낸 부분 확대단면도.
제3a도 내지 제3e는 건식전자사진식 스크린 제조방법을 설명하기 위한 개략도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 음극선관(CRT) 11 : 전자총
12 : 판넬 (panel) 13 : 펀넬(funnel)
14 : 네크(neck) 15 : 양극 보턴
16 : 새도우마스크 17 : 편향 요크
18 : 판넬면판 19a,19b : 전자빔
20 : 형광면(스크린) 21 : 빛흡수물질
22 : 알루미늄박막층 32 : 전도막
34 : 광전도막 35 : 광원(가시광선)
35' : 렌즈 35" : 현상용기
36 : 대전장치
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 음극선관의 건식 전자사진식 스크린 제조용 광전도막도포용액은, 판넬내면에 휘발성 전도막을 형성시키고, 그 위에 자외선에 감응하는 물질을 함유하는 휘발성 광전도막을 형성시키며, 그 광전도막에 균일한 정전하를 대전시킨 후, 자외선 광원에 의해 선택적으로 상기 광전도막의 정전하를 방출시키도록 노광하고 정전하로 대전된 미세분말 입자를 부착시키는 건식 전자사진식 음극선관의 스크린 제조용 광전도막 도포용액에 있어서,
Figure kpo00004
도너로서 위와 같은 구조식의 테트라페닐 에틸렌(tetraphenyl ethylene: TPE)(단, R은 H, CH3, C2H5, C3H7, OCH3, OC2H5, OC3H7, COCH3로서 R1=R2=R3=R4=H인 것을 제외한 것)을 함유하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 판넬의 내면에 코팅된 휘발성 전도막(32)위에 자외선에 감응하는 물질을 함유하는 휘발성 광전도막(34)을 형성시키고, 그 광전도막에 균일한 정전하를 대전시킨 후, 그 광전도막을 자외선 광원으로부터 자외선을 새도우마스크를 통과시켜 선택적으로 노광하고, 그 노광된 광전도막에 대전된 형광체 내지 빛흡수물질의 미세분말을 부착시키는 단계들을 포함하는 음극선관의 건식 전자사진식 스크린 제조방법에 있어서, 상기 광전도막이, 상술한 광전도막도포용액을 도포하여 형성되는 것을 특징으로 하는 음극선관의 건식 전자사진식 스크린 제조방법을 제공한다.
이하, 첨부된 도면과 함께 본 발명의 실시예의 구성과 작용을 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 광전도막용액은, 제3a도 내지 제3e도에 도시된 바와 유사하게 판넬내면에 휘발성 전도막(32)을 형성시키고 그 위에 자외선에 감응하는 물질을 함유하는 휘발성 광전도막(34)을 형성시키며, 그 광전도막(34)에 균일한 정전하를 대전시킨 후, 광원에 의해 선택적으로 상기 광전도막의 정전하를 방출시켜서 정전하로 대전된 미세분말 입자를 부착시키는 건식 전자사진식 음극선관의 스크린 제조용 광전도막 도포용액에 있어, 자외선에 적용하는 도너(doner)물질로서 다음의 구조식을 가지는 테트라페닐 에틸렌(tetraphenyl ethylene :TPE)을 함유하는 것을 특징으로 한다.
Figure kpo00005
단, 위와 같은 구조식에서 R은 H, CH3, C2H5, C3H7, OCH3, OC2H5, OC3H7, COCH3로서 R1=R2=R3=R4=H인 것은 제외된다.
그 실시예로서 다음과 같은 조성의 광전도막도포용액에 의해 전도막(32)이 형성된 판넬(12)의 전도막(32)위에 광전도막(34)을 4μ두께로 형성 하였다. 즉, 상기 테트라페닐 에틸렌을 폴리 스티렌-옥사졸린 코폴리머(polystyrene-oxezoline copolymer:PS-OX), 에틸 안트라퀴논 및 트리니트로플루오리논과 함께 톨루엔에 용해시켜 광전도막도포용액을 형성하되, 폴리 스티렌-옥사졸린 코폴리머는 톨루엔의 10wt%, 상기 테트라페닐 에틸렌은 폴리 스타렌-옥사졸리 코폴리머의 20wt%, 에틸 안트라퀴논와 트리니트로플루오리논은 각각 테트라페닐 에틸렌의 10wt%로 하였다.
이와 같이 광전도막(34)이 형성된 판넬(12)을 제3b도에서와 유사하게 대전공정을 거친 후, 48시간이 경과한 후에도 노광공정에서 현상에 지장이 없을 정도로 노광이 가능하였다. 이는 상술한 본 발명의 구조식을 지니는 테트라페닐 에틸렌의 경시변화가 낮아 장시간후에도 사용이 가능한 것을 의미하며, 그 이유로는 상술한 R1=R2=R3=R4=H인 테트라페닐 에틸렌과 비교할 때, 그 테트라페닐 에틸렌이 평면적임에 비하여 테트라페닐 에틸렌 중 어느 하나의 R이라도 CH3, C2H5, C3H7, OCH3, OC2H5, OC3H7, COCH3로 치환되는 경우, 입체적인 구조로 되어 막형성시에 단순한 적층상태가 아닌 입체적인 구조이기 때문에 재결정속도가 늦은 것에 기인한 것으로 판단된다.
또한, 제3a도 내지 제3e도에서와 유사하게 대전공정과 노광공정을 거친후, 그 노광된 부분과 노광되지 아니한 부분사이의 전위차를 종래와 비교하였다.
즉, 대전공정에서 350볼트로 대전하였고, 노광공정에서 0.1mW의 자외선램프로 5초간 새도우마스크(16)를 통과시켜 노광한 결과, 상기 R1내지 R4에 따라 다음과 같았다.
R1=CH3, R2=R3=R4=H인 경우 노광부분과 비노광부분의 전위차가 230볼트였으며, R1=COCH3, R2=R3=R4=H인 경우 180볼트였고, R1=OC3H7, R2=R3=R4=H인 경우 185볼트였다.
상기 구조식에서 R1=R2=R3=R4=H인 종래의 테트라페닐 에틸렌의 경우 동일한 조건하에서 300볼트로 대전하고 동일한 조건하에서 노광한 결과, 노광부분과 비노광부분의 전위차가 150볼트였다.
따라서, 본 발명에 따른 테트라페닐 에틸렌을 사용하여 광전도막도포 용액을 형성시킨 경우, 적어도 30볼트이상의 전위차가 발생하여 종래보다 광전도막성이 월등하였다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 음극선관의 건식 전자사진식 스크린 제조용 광전도막용액은 일예로서 다음과 같은 스크린 제조공정에서 사용된다.
(1) 판넬의 내면에 종래와 같은 유기전도막 수용액으로 휘발성 전도막을 형성시킨 후: (2) 그 전도막 위에 본 발명에 의한 광전도막 용액으로 휘발성 광전도막을 형성시키고:(3) 그 광전도막 위에 균일한 정전하를 대전시키며:(4) 그 대전된 광전도막의 정전하를 선택적으로 방출시키도록 새도우마스크를 통과시켜 노광시켜며:(5)그 후 소정의 미세분말을 대전시켜 상기 노광단계에서 정전하가 선택적으로 노광부분과 비노광부분 중 어느 하나의 여역에 대전된 미세분말을 부착시키는 현상단계를 거치게 되며, 칼라 음극선관의 경우 이러한 공정들이 3종의 형광체에 대해 실시되고 각 형광체들이 고착된다. 빛흡수물질(21)도 위와 같은 방법으로 각 형광체(R.G.B)의 현상 전이나 후에 형성될 수 있으며, 상기 투입되는 판넬(12)이, 종래의 습식 슬러리법으로 빛흡수물질들을 소정의 패턴으로 배열시킨 판넬(12)일 수도 있다.
이와 같이 형광체 및 빛흡수물질이 형성된 다음, 라커공정에서 라커막 즉 수지필름층(22')이 종래의 방법으로 형성되고, 알루마이징공정에서 알루미늄박막도 종래의 방법으로 형성되며, 그 뒤, 베이킹(baking)공정으로 투입되어 대기 중에서 약 30분동안 425℃에서 가열 건조됨으로서, 전도막(32), 광전도막(34)과 각 형광체 및 라커 등에 존재하는 용질 등의 휘발성 성분이 연소되어 제거되고 빛흡수물질(21)과 각 형광체(R.G.B)가 제2도에서와 같이 형성된 형광면(20)이 얻어진다.
이상에서 본 발명의 광전도막 도포용액에 의해 형성된 광전도막(34)은 제3b의 대전공정에 있어서 그 광전도막(34)에의 대전 특성 내지는 전기적 특성이 월등하게 나타났고, 입체적인 구조로 인하여 적어도 48시간 까지는 보관할 수 있으며, 강한 도너로서 작용에 광전도특성을 더욱 향상시켰다.
한편, 광전도막도포용액을 위한 솔벤트로는 상술한 고분자 바인더를 용해시키는, 용매로서 톨루엔과 크실렌이외에도 벤젠 또는 벤젠 유도체 및 그 혼합물이 사용할 수 있을 것이다.
또, 상기 현상단게는 제3d도의 마찰대전방법이외에 형광체 등이 미세 분말을 공급하는 과정에서 파이프와의 마찰대전에 의해 그 미세분말을 대전 시키는 것이나, 스프레이 코터로 분출시키기 직전에 코로나방전에 의해 그 미세분말을 대전시키는 것도 가능하다.
또한, 제3e도의 고착공정은, 아세톤, 메틸 이소부틸 케톤과 같은 솔벤트증기를 접촉시켜 고착시키는 베이퍼 스웰링(vapour swelling)법이나, 석유계 크실렌(xylene), 톨루엔(toluenc), TCE, 메틸 이소부틸 케논(MIBK) 등의 솔벤트중에서 2종이상을 혼합하여 액체 정전 스프레이 건으로 현상된 R.G.B 형광체 분말에 분무하여 고착시키는 스프레이 방법도 사용될 수 있으며, 이에 고착공정의 일부 내지는 전부가 생략될 수도 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에서 따른 음극선관의 건식 전자사진식 스크린 제조용 광전도막도포용액 및 이를 사용하는 그 스크린 제조방법의 구성과 작용에 의하면, 광전도막 도포용액의 도너로서 입체구조의 테트라페닐 에틸렌을 사용함으로써 광전도막(34)을 48시간이상 보관하여 사용할 수 있으며, 광전도막성이 우수한 것으로 나타났으며, 이에 따라, 더욱 현상공정에서 현상밀도를 크게 할 수 있는 등의 효과가 있다.
이상에서 본 발명의 일예를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 청구범위 기재사항으로 당업자라면 용이하게 여러 가지 응용과 변형이 가능할 것이다.

Claims (2)

  1. 판넬내면에 휘발성 전도막(32)을 형성시키고 그 위에 자외선에 감응하는 물질을 함유하는 휘발성 광전도막(34)을 형성시키며, 그 광전도막에 균일한 정전하를 대전시킨 후, 자외선 광원에 의해 선택적으로 상기 광전도막의 정전하를 방출시켜서 노광하고 그 노광된 광전도막(34)에 정전하로 대 분말 입자를 부착시키는 건식 전자사진식 음극선관의 스크린 제조용 광전도막 도포용액에 있어서,
    상기 광전도막도포용액이,
    Figure kpo00006
    도너로서 위와 같이 구조식의 테트라페닐 에틸렌(tetraphenyl ethylene: TPE)(단, R은 H, CH3, C2H5, C3H7, OCH3, OC2H5, OC3H7, COCH3로서 R1=R2=R3=R4=H인 것을 제외한 것)을 함유하며,
    상기 테트라페닐 에틸렌을 폴리 스티렌=옥사졸린 코폴리머( copolymer:PS-OX), 에틸 안트라퀴논(ethylanthraquinone:EAQ) 및 트리니트로플루오리논(trinitro-fluorenone: TNF)과 함께 톨루엔에 용해시켜 광전도막도포용액을 형성하되, 폴리 스티렌-옥사졸리 코폴리머는 톨루엔의 10wt%, 상기 테트라페닐 에틸렌은 폴리 스티렌-옥사졸린 코폴리머의 20wt%, 에틸 안트라퀴논와 트리니트로플루오리논은 각각 테트라페닐 에틸렌의 10wt%함유하는 것을 특징으로 하는 음극선관의 건식 전자사진식 스크린 제조용 광전도막도포용액.
  2. 판넬의 내면에 코팅된 휘발성 전도막(32)위에 가시광선 내지 자외선에 감응하는 물질을 함유하는 휘발성 광전도막(34)을 형성시키고, 그 광전도막에 균일한 정전하를 대전시킨 후, 그 광전도막을 자외선광원으로부터 자외선을 새도우마스크를 통과시켜 선택적으로 노광하고, 그 노광된 관전도막(34)에 대전된 형광체 내지 빛흡수물질의 미세분말을 부착시키는 단계들을 포함하는 음극선관의 건식 전자사진식 스크린 제조방법에 있어서,
    상기 광전도막이 도너로서 위와 같은 구조식의 테트라페닐 에틸렌(tetraphenyl ethylene: TPE)(단, R은 H, CH3, C2H5, C3H7, OCH3, OC2H5, OC3H7, COCH3로서 R1=R2=R3=R4=H인 것을 제외한 것)을 함유하며,
    Figure kpo00007
    상기 테트라페닐 에틸렌을 폴리 스티렌-옥사졸린 코폴리머, 에틸 안트라퀴논(ethylanthraquinone:EAQ) 및 트리니트로플루오리논(trinitro-fluorenone:TNE)과 함께 톨루엔에 용해시켜 광전도막도포용액을 형성하되, 폴리 스티렌-옥사졸린 코폴리머는 톨루엔의 10wt%, 상기 테트라페닐 에틸렌은 폴리 스티렌-옥사졸리 코폴리머의 20wt%, 에틸 안트라퀴논와 트리니트로플루오리논은 각각 테트라페닐 에틸렌의 10wt%함유하는 광전도막도포용액을 도포하여 형성하는 것을 특징으로 하는 음극선관의 건식전자사진식 스크린 제조방법.
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