WO2001013419A1 - Dispositif et procede de traitement - Google Patents

Description

明 細 書 処理装置及び処理方法 技術分野

本発明は、 被処理体表面に形成された酸化膜を除去する処理装置及び処理方法 に関する。 背景技術

従来、 ウェハ形成された微細なホール内の自然酸化膜を有効に除去する方法と しては、 例えば、 以下のような表面処理方法がある。

まず、 N 2ガスと H 2ガスの混合ガスをプラズマにより活性化して活性ガス種 を形成し、 この活性ガス種のダウンフローに N F 3ガスを添加して N F 3ガスを 活性化する。 この N F 3ガスの活性ガス種をウェハの表面の自然酸化膜と反応さ せて生成膜を形成し、 その後ウェハを所定の温度に加熱することにより前記生成 月莫を昇華させて除去する。

このような方法に使用される装置としては、 内部にウェハを収納する処理容器 と、 N F 3ガスの活性ガス種を生成する N F 3活性ガス種生成装置と、 ウェハを 加熱するために処理容器の外部に設けられた加熱手段と、 この加熱手段と前記被 処理体との間に設けられ、 加熱手段からの熱エネルギを透過する透過窓とを備え た処理装置が知られている。 そして、 ウェハの表面に形成された自然酸化膜に、 N F 3ガスの活性ガス種を低温で反応させて生成膜を形成し、 この生成膜を加熱 手段によって所定の温度に加熱して昇華させ、 前記自然酸化膜を除去するように なっている。

しかしながら、 上記処理装置にあっては、 被処理ウェハの加熱処理後に、 新た な被処理ウェハを処理容器に導入して低温処理を行おうとすると、 前回の加熱処 理時の熱が透過窓に蓄積されており、 この透過窓からの熱放射によってウェハが 加熱されてしまう。 このため、 透過窓が所定の温度まで冷却されるのを待たねば ならず、 処理能率が著しく低下するという問題点があった。 発明の開示

本発明は、 上記課題を解決するために成されたものであって、 透過窓に残存し ている加熱処理時の熱によって被処理体の温度が上昇するのを防止し、 これによ つて、 連続的に被処理体を処理できる処理装置及び処理方法を提供することを目 的としている。

請求の範囲第 1項に記載の発明は、 被処理体の表面に形成された酸化膜を除去 するための処理装置であって、 被処理体を収納する処理容器と、 活性ガス種を生 成する活性ガス種生成装置と、 処理容器の外部に設けられ被処理体を加熱する加 熱手段と、 この加熱手段と被処理体との間の処理容器に設けられた透過窓であつ て、 処理容器の内外を気密に遮蔽するとともに加熱手段からの加熱用のエネルギ を透過する透過窓と、 被処理体と透過窓との間に挿抜可能に設けられた遮蔽板と を備え、 遮蔽板を閉状態にして透過窓からの放射熱を遮断した状態で、 被処理体 の表面に形成された酸化膜に、 活性ガス種を低温状態で反応させて生成膜を形成 し、 その後、 遮蔽板を開状態にして、 加熱手段からの放射熱を透過窓を通して生 成膜に加え、 所定の温度に加熱して気化させ、 生成膜を除去することを特徴とす る。

請求の範囲第 2項に記載の発明は、 被処理体の表面に形成された酸化膜を除去 するための処理装置であって、 活性ガス種を生成する活性ガス種生成装置とを有 し、 被処理体の表面に形成された酸化膜に、 活性ガス種を低温状態で反応させて 生成膜を形成する第 1の処理室と、 被処理体を加熱する加熱手段を有し、 この加 熱手段で被処理体の表面に形成された生成膜を所定の温度に加熱して気化させ、 生成膜を除去する第 2の処理室と、 これら第 1の処理室と第 2の処理室との間で 被処理体を搬送する搬送手段と、 を備えたことを特徴とする。

請求の範囲第 3項に記載の発明は、 活性ガス種は、 N F 3ガスの活性ガス種で あることを特徴とする。

請求の範囲第 4項に記載の発明は、 遮蔽板には、 この遮蔽板を冷却する冷却手 段が設けられていることを特徴とする。

請求の範囲第 5項に記載の発明は、 搬送手段は、 第 1の処理室と第 2の処理室 に接続されるとともに内部が非反応性雰囲気になされた搬送室内に設けられてい ることを特徴とする。

請求の範囲第 6項に記載の発明は、 活性ガス種生成装置は、 プラズマ形成部を 有するプラズマ形成管と、 このプラズマ形成管内に N 2ガスと H 2ガスを供給 するプラズマガス導入部と、 プラズマ形成管内からダウンフローする活性ガス種 に N F 3ガスを添加する N F 3ガス供給部とを備えていることを特徴とする。 請求の範囲第 7項に記載の発明は、 プラズマ形成部は、 マイクロ波を発生する マイクロ波発生源と、 発生したマイクロ波をプラズマ形成管内へ導入する導波管 とよりなることを特徴とする。

請求の範囲第 8項に記載の発明は、 被処理体を収納する処理容器と、 この処理 容器の外部に設けられ被処理体を加熱する加熱手段と、 この加熱手段と被処理体 との間の処理容器に設けられた透過窓と、 被処理体と透過窓との間に挿抜可能に 設けられた遮蔽板とを有する処理装置を用いて、 被処理体の表面に形成された酸 化膜を除去するための処理方法であって、 遮蔽板を閉状態にして透過窓からの放 射熱を遮断した状態で、 被処理体の表面に形成された酸化膜に、 活性ガス種を低 温状態で反応させて生成膜を形成し、 その後、 遮蔽板を閧状態にして、 加熱手段 からの放射熱を透過窓を通して生成膜に加え、 所定の温度に加熱して気化させ、 生成膜を除去することを特徴とする。

請求の範囲第 9項に記載の発明は、 被処理体の表面に形成された酸化膜を除去 する処理方法であって、 第 1の処理室において、 被処理体の表面に形成された酸 化膜に活性ガス種を低温状態で反応させて生成膜を形成する工程と、 生成膜が形 成された被処理体を前記第 1の処理室から第 2の処理室へ搬送する工程と、 第 2 の処理室において、 被処理体の表面に形成された生成膜を所定の温度に加熱して 気化させ、 生成膜を除去する工程とを有することを特徴とする。 図面の簡単な説明

図 1は、 本発明の第 1の実施の形態の処理装置を示す構成図である。

図 2は、 図 1に示す処理装置の可動シャツ夕を示す I I― I I線に沿う概略平 面図である。

図 3は、 図 2中 I I I— I I I線に沿う概略断面図である。 図 4は、 可動シャツ夕の他の例を示す概略平面図である。

図 5は、 本発明の第 2の実施の形態の処理装置を示す構成図である。 発明を実施するための最良の形態

以下、 本発明に係る処理装置を実施するための最良の形態を図面を参照して説 明する。

図 1ないし図 3は、 処理装置の第 1の実施の形態を示す構成図である。 図 1に おいて、 この処理装置 1 2は、 N 2ガスと H 2ガスの混合ガスをプラズマにより 活性化するプラズマ形成管 1 4と、 被処理体である半導体ウェハ Wに対して、 酸 化膜、 特に自然酸化膜 （大気中の酸素や洗浄液等との接触により意図しないで形 成された酸化膜） を除去するための所定の表面処理を行なう処理容器 1 6とを有 している。

この処理容器 1 6は、 アルミニウムにより円筒体状に成形されており、 この処 理容器 1 6内には、 上下動可能な支持部材 1 8により支持された石英製の載置台 2 0が設けられている。 処理容器 1 6の底部の周縁部には、 排気口 2 2が設けら れ、 処理容器 1 6内を真空引き可能としている。 また、 載置台 2 0の下方の処理 容器 1 6底部には照射口 2 6が形成されており、 この照射口 2 6には、 石英製の 透過窓 2 8が気密に設けられている。 この透過窓 2 8の下方には、 上記載置台 2 0を下面側から加熱するためのハロゲンランプ等よりなる多数の加熱ランプ 3 6 が設けられており、 この加熱ランプ 3 6から放出される加熱用の光線が透過窓 2 8を透過してウェハ Wの裏面に入射するようになっている。

一方、 プラズマ形成管 1 4は、 例えば石英により管状に成形されており、 上記 処理容器 1 6の天井部に開口するとともに、 この処理容器 1 6に起立させた状態 で気密に取り付けられている。 このプラズマ形成管 1 4の上端には、 この管内に N 2ガスと H 2ガスよりなるプラズマガスを導入するプラズマガス導入部 4 4 が設けられる。 このプラズマ導入部 4 4は、 プラズマ形成管 1 4内に挿通された 導入ノズル 4 6を有しており、 この導入ノズル 4 6にはガス通路 4 8が連結され ている。 このガス通路 4 8には、 それそれマスフ口一コントローラのごとき流量 制御器 5 0を介して N 2ガスを充填した N 2ガス源 5 2及び H 2ガスを充填し た H 2ガス源 5 4がそれそれ接続されている。

また、 上記導入ノズル 4 6の真下には、 プラズマ形成部 5 6が設けられている。 このプラズマ形成部 5 6は、 2 . 4 5 G H zのマイクロ波を発生するマイクロ波 発生源 5 8と、 上記プラズマ形成管 1 4に設けた例えばェベンソン型の導波管等 のマイクロ波供給器 6 0よりなり、 上記マイクロ波発生源 5 8で発生したマイク 口波を矩形導波管 6 2を介して上記マイクロ波供給器 6 0へ供給するようになつ ている。 そして、 この供給されたマイクロ波によりプラズマ形成管 1 4内にブラ ズマを立て、 H 2ガスと N 2ガスの混合ガスを活性化し、 このダウンフローを 形成し得るようになつている。

上記プラズマ形成管 1 4の下端部である流出口 6 4には、 これに連通させて、 下方向へ傘状に広がった石英製の覆い部材 6 6が設けられており、 載置台 2 0の 上方を覆ってガスを効率的にウェハ W上に流下させるようになつている。 そして、 この流出口 6 4の直下には、 N F 3ガスを供給するための N F 3ガス供給部 6 8 が設けられる。 この N F 3ガス供給部 6 8は、 石英製のリング状のシャワーへ ッド 7 0を有し、 このシャワーへッド 7 0には多数のガス孔 7 2が形成されてい る。 このシャワーヘッド 7 0は、 連通管 7 4、 ガス通路 7 6、 流量制御器 7 8を 介して N F 3ガスを充填する N F 3ガス源 8 0に接続されている。

このような構成において、 載置台 2 0と透過窓 2 8との間には、 可動シャツ夕 1 0 1が設けられている。 この可動シャツ夕 1 0 1は、 図 2及び図 3に示すよう なものであって、 透過窓 2 8を覆うように回動可能に配設された遮蔽板 1 0 3を 有している、 この遮蔽板 1 0 3には、 この遮蔽板 1 0 3を回動させる回動軸 1 0 5が設けられ、 この回動軸 1 0 5は、 処理容器 1 6の外壁 1 0 7を貫通して配設 されている。 この回動軸 1 0 5と外壁 1 0 Ίとの間には、 この回動軸 1 0 5と外 壁 1 0 7との間を回動自在かつ気密に保持する磁性流体シール 1 0 9が設けられ ている。 この回動軸 1 0 5には、 軸側ギア 1 1 1が設けられており、 この軸側ギ ァ 1 1 1には、 モ一夕側ギア 1 1 3を介して駆動モ一夕 1 1 5が設けられている。 そして、 駆動モー夕 1 1 5を作動させることによって、 軸側ギア 1 1 1とモ一 夕側ギア 1 1 3を介して遮蔽板 1 0 3を回動させ、 図 2に示すような開位置と図 3に示すような閉位置に位置せしめることができるようになつている。 また、 遮蔽板 1 0 3および回動軸 1 0 5の内部には冷媒通路 1 1 7が形成され ている。 この冷媒通路 1 1 7は、 回動軸 1 0 5の下端部から処理容器 1 6の外部 に伸び、 処理容器 1 6外部に設けられた冷媒循環手段 1 1 9に接続されている。 そして、 この冷媒循環手段 1 1 9によって冷媒通路 1 1 7に水等の冷媒を流すこ とによって、 遮蔽板 1 0 3を冷却するようになっている。 このようにすることに より、 透過窓 2 8からの輻射熱が遮蔽板 1 0 3に到達し遮蔽板 1 0 3の温度が上 昇するのを防止することができ、 したがって遮蔽板 1 0 3からの輻射熱がウェハ Wに到達し、 ウェハの温度が上昇するのを防止することができる。

—方、 図 4は、 他の可動シャツ夕 1 2 1の例を示す図である。 この可動シャツ 夕 1 2 1は、 透過窓 2 8をおおう遮蔽板 1 2 3を有している。 この遮蔽板 1 2 3 には、 2つの駆動軸 1 2 5、 1 2 5が接続されており、 この駆動軸 1 2 5， 1 2 5の他端には、 油圧シリンダ 1 2 7のビストンロッドが連結されている。 また、 駆動軸 1 2 5が処理容器 1 6の外壁を 1 2 9を貫通する部分には、 この駆動軸 1 2 5と外壁 1 2 9との間に磁性流体シール 1 3 1が設けられており、 駆動軸 1 2 5と外壁 1 2 9との間を気密に維持しつつ駆動軸を外壁に対して移動できるよう になっている。 そして、 油圧シリンダ 1 2 7を作動させることによって、 遮蔽板 1 2 3を、 開位置と閉位置に位置せしめることができるようになつている。 この場合においても、 図 3に示す場合と同様に、 遮蔽板 1 2 3および駆動軸 1 2 5の内部に冷媒通路を形成し、 処理容器 1 6の外部に位置する冷媒通路の端部 に、 処理容器 1 6の外部に設けた冷媒循環手段を接続して、 遮蔽板 1 2 3を冷却 可能に構成することもできる。 このようすれば、 遮蔽板 1 2 3からの輻射熱によ るウェハ Wの温度上昇を抑制することができる。

次に、 以上のように構成された装置を用いて行なわれる自然酸化膜の除去方法 について説明する。 まず、 被処理体である半導体ウェハ Wを、 図示しないゲート バルブを介して処理容器 1 6内に導入し、 これを載置台 2 0上に載置する。 この ウェハ Wには、 例えば前段階でコンタクトホール等が形成されており、 その底部 の表面に自然酸化膜が発生している。

ウェハ Wを処理容器 1 6内に搬入したならば、 処理容器 1 6内を密閉し、 内部 を真空引きする。 そして、 N 2ガス源 5 2及び H 2ガス源 5 4より N 2ガス及 び H2ガスをそれそれ、 所定の流量でプラズマガス導入部 44よりプラズマ形 成管 14内へ導入する。 これと同時に、 マイクロ波形成部 56のマイクロ波発生 源 58より 2. 45 GHzのマイクロ波を発生し、 これをマイクロ波供給器 60 へ導いて、 これよりプラズマ形成管 14内へ導入する。 これにより、 N2ガス と H 2ガスはマイクロ波によりプラズマ化されると共に活性化され、 活性ガス 種が形成される。 この活性ガス種は処理容器 16内の真空引きによりダウンフロ 一を形成してプラズマ形成管 14内を流出口 64に向けて流下することになる。 一方、 NF 3ガス供給部 68のリング状のシャワーヘッ ド 70からは、 NF3 ガス源 80より供給された NF 3ガスが N 2ガスと H 2ガスよりなる混合ガス のダウンフローの活性ガス種に添加される。 この結果、 添加された NF 3ガスも ダウンフローの活性ガス種により活性化されることになる。 このように NF 3ガ スも活性ガス化され、 上記したダウンフローの活性ガス種と相まってウェハ の 表面の自然酸化膜と反応し、 S i、 N、 H、 Fの混合した生成膜を形成すること になる。

この処理は低温で反応が促進されるため、 この処理中はウェハ Wは加熱されて はならず、 室温の状態で生成膜を形成する。

ここで、 この処理中は、 可動シャツ夕 103は閉状態になされている。 これは、 前回の加熱処理中に加熱された透過窓 28からの輻射熱がウェハ Wに到達し、 ゥ ェハの温度が上昇するのを防止するためである。

この時のプロセス条件は、 ガスの流量に関しては、 H2、 NF3、 N2が、 そ れそれ 10 s c cm、 150 s c cm、 1400 s c c mである。 プロセス圧力 は 4Torr、 プラズマ電力は 400W、 プロセス時間は 1分である。 このよう にして、 ウェハ表面に自然酸化膜と反応した生成膜を形成する。 この場合、 載置 台 20の上方は、 傘状の覆い部材 66により覆われているのでダウンフローの活 性ガス種の分散が抑制されて、 これが効率的にウェハ面上に流下し、 効率的に生 成膜を形成することができる。

このように生成膜の形成が完了したならば、 H2、 NF 3, N 2のそれぞれの ガスの供給を停止すると共に、 マイクロ波発生源 58の駆動も停止し、 処理容器 16内を真空引きして残留ガスを排除する。 その後、 可動シャツ夕 103を開状 態に位置せしめ、 加熱ランプ 3 6を点灯させてウェハ Wを所定の温度、 例えば 1 0 0 °C以上に加熱する。 この加熱により、 上記生成膜は昇華 （気化） する。 これ により、 ウェハ Wの自然酸化膜が除去されてウェハ表面に S i面が現れることに なる。 この時のプロセス条件は、 プロセス圧力が 1 m T o r r以下、 プロセス時 間は 2分程度である。

以上説明したように、 この処理装置にあっては、 ウェハ Wと透過窓 2 8との間 に、 挿抜可能な可動シャツ夕 1 0 1を設けているから、 活性化された N F 3ガス がゥヱハ表面の自然酸化膜と反応し、 S i、 N、 H、 Fの混合した生成膜を形成 する、 いわゆる低温処理時に、 前回の加熱処理時に加熱された透過窓 2 8からの 輻射熱によって、 ウェハ Wが加熱されるのを防止することができる。 このため、 複数のウェハについて、 低温処理と加熱処理を順次繰り返し行う場合に、 低温処 理中に前回の加熱処理による輻射熱でゥェハ加熱されてしまうことを防止するこ とができる。 従って、 低温処理と加熱処理とを連続的に間隔を置くことなく行う ことができ、 酸化膜除去作業を効率良く行うことができる。

また、 この処理装置の可動シャツ夕にあっては、 処理容器外に配設されたモー 夕 1 1 5と処理容器内の遮蔽板 1 0 3とを磁性流体シール 1 0 9でシールされた 回転軸 1 0 5で連結しているから、 駆動源を処理容器内に設ける必要がなく、 従 つて処理容器を小型にすることができるとともに、 汚染を防止することができる。 このような作用効果は、 図 4に示す往復動型の可動シャツ夕 1 2 1においても同 ¾に する。

図 5は、 本発明の第 2の実施の形態を示すものである。 この処理装置 2 0 1は、 低温処理室と加熱処理室をそれそれ別に備えていることを特徴としている。 この 処理装置 2 0 1は、 中央部に搬送室 2 0 3を有している。 この搬送室 2 0 3には、 ウェハ搬送用の搬送装置が設けられている。 この搬送室 2 0 3の内部は、 非反応 性雰囲気、 例えば真空になされており、 ウェハ Wの搬送中に、 ウェハ Wに自然酸 化膜が発生することを抑制することができる。 この搬送室 2 0 3には、 被処理ゥ ェハを搬送室 2 0 3内に搬入するためのロードロック室 2 0 5が設けられている。 一方、 前記搬送室 2 0 3のロードロック室 2 0 5と反対の側には、 2つの低温 処理室 2 0 7、 2 0 7がそれそれ設けられている。 この低温処理室 2 0 7は、 図 1に示す処理装置 1 2から可動シャツ夕 1 0 1と加熱ランプ 3 6を取り除いたも のである。 この場合、 処理容器 1 6の底部が気密に塞がれる必要はあるが、 処理 容器 1 6の底部を塞く、ための部材が、 図 1の場合の透過窓 2 8のように光透過性 を有する必要はない。 従って、 図 1の場合の透過窓 2 8に代えて、 例えばアルミ ニゥム板で処理容器 1 6の底部を塞ぐようにしてもよい。 この低温処理室 2 0 7 では、 活性化された N F 3ガスがウェハ表面の自然酸化膜と反応し、 S i、 N、 H、 Fの混合した生成膜を形成する。

また、 搬送室 2 0 3には、 加熱室 2 0 9が設けられている。 この加熱室 2 0 9 の内部には、 加熱手段、 例えば公知の抵抗加熱式ステージヒ一夕が設けられ、 こ のステージヒー夕によりウェハ Wを加熱することができる。 この加熱室 2 0 9で は、 低温処理後のウェハ Wを所定の温度、 例えば 1 0 0 °C以上に加熱し、 この加 熱により上記生成膜は昇華 （気化） する。 これにより、 ウェハ Wの自然酸化膜が 除去される。

さらに、 搬送室 2 0 3には、 冷却室 2 1 1が設けられている。 この冷却室 2 1 1は、 加熱処理後のウェハを冷却するためのものである。 処理後のウェハは、 樹 脂製のカセットに収納されて搬出されることになつているが、 ウェハが高温のま まだと樹脂製カセットを痛めるおそれがある。 このため、 カセットへ収納する前 にウェハを冷却するようにしている。

このような処理装置 2 0 1において、 自然酸化膜が表面に形成された被処理ゥ ェハは、 ロードロック室 2 0 5から搬送室 2 0 3へ搬入される。 ついで、 このゥ ェハは、 低温処理室 2 0 7に搬送され、 ここにおいていわゆる低温処理を施され る。 ここで、 この処理装置 2 0 1にあっては、 低温処理室 2 0 7に対して加熱室 2 0 9は別に設けられているから、 前回の加熱処理中の熱が残存して低温処理に 悪影響を及ぼすのを防止することができる。 その後、 被処理ウェハは加熱室 2 0 9に送られる。 ここで、 低温処理後のウェハ Wを所定の温度、 例えば 1 0 0 °C以 上に加熱し、 この加熱により上記生成膜は昇華 （気化） する。 これにより、 ゥェ ハ Wの自然酸化膜が除去される。 その後、 この加熱されたウェハは、 冷却室 2 1 1に送られる。 ゥヱハは、 ここで冷却されてから、 カセットに収納されて搬出さ れる。 従って、 高温のままのウェハが樹脂製カセッ トを痛めるおそれを防止する ことができる。

以上説明したように、 この処理装置 2 0 1にあっては、 低温処理室 2 0 7と加 熱処理室 2 0 9がそれそれ別に設けられているから、 活性化された N F 3ガスが ウェハ表面の自然酸化膜と反応し、 S i、 N、 H、 Fの混合した生成膜を形成す る、 いわゆる低温処理時に、 加熱処理の影響によってウェハが加熱されるのを防 止することができる。 従って、 低温処理と加熱処理とを連続的に間隔を置くこと なく行うことができ、 従って酸化膜除去作業を効率良く行うことができる。

本発明にあっては、 被処理体と透過窓との間に挿抜可能に遮蔽板を設けている。 従って、 遮蔽板を閉状態にして透過窓からの放射熱を遮断し、 低温状態で酸化膜 に活性ガス種を反応させることができる。 また、 本発明にあっては、 酸化膜に活 性ガス種を反応させる低温処理とその後の加熱処理とを別の室で行っている。 従 つて、 低温処理と加熱処理とを連続して行うことができ、 酸化膜除去作業を効率 的に行うことができる。

Claims

請 求 の 範 囲

1 . 被処理体の表面に形成された酸化膜を除去するための処理装置であって、 被処理体を収納する処理容器と、

活性ガス種を生成する活性ガス種生成装置と、

前記処理容器の外部に設けられ前記被処理体を加熱する加熱手段と、

この加熱手段と前記被処理体との間の前記処理容器に設けられた透過窓であつ て、 前記処理容器の内外を気密に遮蔽するとともに前記加熱手段からの加熱用の エネルギを透過する透過窓と、

前記被処理体と前記透過窓との間に挿抜可能に設けられた遮蔽板とを備え、 前記遮蔽板を閉状態にして前記透過窓からの放射熱を遮断した状態で、 被処理 体の表面に形成された酸化膜に、 前記活性ガス種を低温状態で反応させて生成膜 を形成し、

その後、 前記遮蔽板を閧状態にして、 前記加熱手段からの放射熱を前記透過窓 を通して前記生成膜に加え、 所定の温度に加熱して気化させ、 前記生成膜を除去 する処理装置。

2 . 被処理体の表面に形成された酸化膜を除去するための処理装置であって、 活性ガス種を生成する活性ガス種生成装置を有し、 被処理体の表面に形成され た酸化膜に、 前記活性ガス種を低温状態で反応させて生成膜を形成する第 1の処 理室と、

前記被処理体を加熱する加熱手段を有し、 この加熱手段で前記被処理体の表面 に形成された生成膜を所定の温度に加熱して気化させ、 前記生成膜を除去する第

2の処理室と、

これら第 1の処理室と第 2の処理室との間で前記被処理体を搬送する搬送手段 と、

を備えた処理装置。

3 . 前記活性ガス種は、 N F 3ガスの活性ガス種である請求の範囲第 1項又 は第 2項のいずれかに記載の処理装置。

4 . 前記遮蔽板には、 この遮蔽板を冷却する冷却手段が設けられている請求 の範囲第 1項に記載の処理装置。

5 . 前記搬送手段は、 前記第 1の処理室と前記第 2の処理室に接続されると ともに内部が非反応性雰囲気になされた搬送室内に設けられている請求の範囲第 2項に記載の処理装置。

6 . 前記活性ガス種生成装置は、 プラズマ形成部を有するプラズマ形成管と、 このプラズマ形成管内に N 2ガスと H 2ガスを供給するプラズマガス導入部と、 前記ブラズマ形成管内からダウンフロ一する活性ガス種に N F 3ガスを添加す る N F 3ガス供給部とを備えている請求の範囲第 1項又は第 2項に記載の処理

7 . 前記プラズマ形成部は、 マイクロ波を発生するマイクロ波発生源と、 発 生したマイクロ波を前記プラズマ形成管内へ導入する導波管とよりなる請求の範 囲第 6項に記載の処理装置。

8 . 被処理体を収納する処理容器と、 この処理容器の外部に設けられ前記被 処理体を加熱する加熱手段と、 この加熱手段と前記被処理体との間の前記処理容 器に設けられた透過窓と、 前記被処理体と前記透過窓との間に挿抜可能に設けら れた遮蔽板とを有する処理装置を用いて、 被処理体の表面に形成された酸化膜を 除去するための処理方法であって、

前記遮蔽板を閉状態にして前記透過窓からの放射熱を遮断した状態で、 前記被 処理体の表面に形成された酸化膜に、 活性ガス種を低温状態で反応させて生成膜 を形成し、

その後、 前記遮蔽板を閧状態にして、 前記加熱手段からの放射熱を前記透過窓 を通して前記生成膜に加え、 所定の温度に加熱して気化させ、 前記生成膜を除去 する処理方法。

9 . 被処理体の表面に形成された酸化膜を除去する処理方法であって、 第 1の処理室において、 被処理体の表面に形成された酸化膜に活性ガス種を低 温状態で反応させて生成膜を形成する工程と、

前記生成膜が形成された被処理体を前記第 1の処理室から第 2の処理室へ搬送 する工程と、

前記第 2の処理室において、 前記被処理体の表面に形成された前記生成膜を所 定の温度に加熱して気化させ、 前記生成膜を除去する工程と、

を具備する処理方法。