JP2001053055A - 処理装置及び処理方法 - Google Patents

処理装置及び処理方法

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JP2001053055A JP11229338A JP22933899A JP2001053055A JP 2001053055 A JP2001053055 A JP 2001053055A JP 11229338 A JP11229338 A JP 11229338A JP 22933899 A JP22933899 A JP 22933899A JP 2001053055 A JP2001053055 A JP 2001053055A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 活性ガス種を被処理体の酸化膜に反応させて
生成膜を形成する低温工程と、被処理体を所定の温度に
加熱することにより生成膜を気化させる加熱工程とを交
互に連続して行うことができる処理装置及び処理方法を
提供する。 【解決手段】 処理装置１２は、被処理体Ｗと透過窓２
８との間に挿抜可能な遮蔽板１０３を設け、遮蔽板１０
３を閉状態にして透過窓２８からの放射熱を遮断した状
態で、被処理体の表面に形成された自然酸化膜に、ＮＦ
３ガスの活性ガス種を低温状態で反応させて生成膜を形
成し、その後、遮蔽板１０３を開状態にして、加熱ラン
プ３６からの放射熱を透過窓２８を通して生成膜に加
え、自然酸化膜を除去するようにしている。また、低温
で自然酸化膜にＮＦ３を反応させる低温処理室２０７と
生成膜を加熱する加熱室２０９とを別々に有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理体表面に形
成された酸化膜を除去する処理装置及び処理方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ウェハ形成された微細なホール内
の自然酸化膜を有効に除去する方法としては、例えば、
以下のような表面処理方法がある。
【０００３】まず、Ｎ2 ガスとＨ2 ガスの混合ガスをプ
ラズマにより活性化して活性ガス種を形成し、この活性
ガス種のダウンフローにＮＦ3 ガスを添加してＮＦ3 ガ
スを活性化する。このＮＦ3 ガスの活性ガス種をウェハ
の表面の自然酸化膜と反応させて生成膜を形成し、その
後ウェハを所定の温度に加熱することにより前記生成膜
を昇華させて除去する。
【０００４】このような方法に使用される装置として
は、内部にウェハを収納する処理容器と、ＮＦ3 ガスの
活性ガス種を生成するＮＦ３活性ガス種生成装置と、ウ
ェハを加熱するために処理容器の外部に設けられた加熱
手段と、この加熱手段と前記被処理体との間に設けら
れ、加熱手段からの熱エネルギを透過する透過窓とを備
えた処理装置が知られている。そして、ウェハの表面に
形成された自然酸化膜に、ＮＦ3 ガスの活性ガス種を低
温で反応させて生成膜を形成し、この生成膜を加熱手段
によって所定の温度に加熱して昇華させ、前記自然酸化
膜を除去するようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記処
理装置にあっては、被処理ウェハの加熱処理後に、新た
な被処理ウェハを処理容器に導入して低温処理を行おう
とすると、前回の加熱処理時の熱が透過窓に蓄積されて
おり、この透過窓からの熱放射によってウェハが加熱さ
れてしまう。このため、透過窓が所定の温度まで冷却さ
れるのを待たねばならず、処理能率が著しく低下すると
いう問題点があった。
【０００６】本発明は、上記課題を解決するために成さ
れたものであって、透過窓に残存している加熱処理時の
熱によって被処理体の温度が上昇するのを防止し、これ
によって、連続的に被処理体を処理できる処理装置及び
処理方法を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、被処理体の表面に形成された酸化膜を除去するため
の処理装置であって、被処理体を収納する処理容器と、
活性ガス種を生成する活性ガス種生成装置と、処理容器
の外部に設けられ被処理体を加熱する加熱手段と、この
加熱手段と被処理体との間の処理容器に設けられた透過
窓であって、処理容器の内外を気密に遮蔽するとともに
加熱手段からの加熱用のエネルギを透過する透過窓と、
被処理体と透過窓との間に挿抜可能に設けられた遮蔽板
とを備え、遮蔽板を閉状態にして透過窓からの放射熱を
遮断した状態で、被処理体の表面に形成された酸化膜
に、活性ガス種を低温状態で反応させて生成膜を形成
し、その後、遮蔽板を開状態にして、加熱手段からの放
射熱を透過窓を通して生成膜に加え、所定の温度に加熱
して気化させ、生成膜を除去することを特徴とする。
【０００８】請求項２に記載の発明は、被処理体の表面
に形成された酸化膜を除去するための処理装置であっ
て、活性ガス種を生成する活性ガス種生成装置とを有
し、被処理体の表面に形成された酸化膜に、活性ガス種
を低温状態で反応させて生成膜を形成する第１の処理室
と、被処理体を加熱する加熱手段を有し、この加熱手段
で被処理体の表面に形成された生成膜を所定の温度に加
熱して気化させ、生成膜を除去する第２の処理室と、こ
れら第１の処理室と第２の処理室との間で被処理体を搬
送する搬送手段と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】請求項３に記載の発明は、活性ガス種は、
ＮＦ３ガスの活性ガス種であることを特徴とする。
【００１０】請求項４に記載の発明は、遮蔽板には、こ
の遮蔽板を冷却する冷却手段が設けられていることを特
徴とする。
【００１１】請求項５に記載の発明は、搬送手段は、第
１の処理室と第２の処理室に接続されるとともに内部が
非反応性雰囲気になされた搬送室内に設けられているこ
とを特徴とする。
【００１２】請求項６に記載の発明は、活性ガス種生成
装置は、プラズマ形成部を有するプラズマ形成管と、こ
のプラズマ形成管内にＮ2 ガスとＨ2 ガスを供給するプ
ラズマガス導入部と、プラズマ形成管内からダウンフロ
ーする活性ガス種にＮＦ3 ガスを添加するＮＦ3 ガス供
給部とを備えていることを特徴とする。
【００１３】請求項７に記載の発明は、プラズマ形成部
は、マイクロ波を発生するマイクロ波発生源と、発生し
たマイクロ波をプラズマ形成管内へ導入する導波管とよ
りなることを特徴とする。
【００１４】請求項８に記載の発明は、被処理体を収納
する処理容器と、この処理容器の外部に設けられ被処理
体を加熱する加熱手段と、この加熱手段と被処理体との
間の処理容器に設けられた透過窓と、被処理体と透過窓
との間に挿抜可能に設けられた遮蔽板とを有する処理装
置を用いて、被処理体の表面に形成された酸化膜を除去
するための処理方法であって、遮蔽板を閉状態にして透
過窓からの放射熱を遮断した状態で、被処理体の表面に
形成された酸化膜に、活性ガス種を低温状態で反応させ
て生成膜を形成し、その後、遮蔽板を開状態にして、加
熱手段からの放射熱を透過窓を通して生成膜に加え、所
定の温度に加熱して気化させ、生成膜を除去することを
特徴とする。
【００１５】請求項９に記載の発明は、被処理体の表面
に形成された酸化膜を除去する処理方法であって、第１
の処理室において、被処理体の表面に形成された酸化膜
に活性ガス種を低温状態で反応させて生成膜を形成する
工程と、生成膜が形成された被処理体を前記第１の処理
室から第２の処理室へ搬送する工程と、第２の処理室に
おいて、被処理体の表面に形成された生成膜を所定の温
度に加熱して気化させ、生成膜を除去する工程とを有す
ることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る処理装置の実
施の形態を図面を参照して説明する。
【００１７】図１ないし図３は、処理装置の第１の実施
の形態を示す構成図である。図１において、この処理装
置１２は、Ｎ2 ガスとＨ2 ガスの混合ガスをプラズマに
より活性化するプラズマ形成管１４と、被処理体である
半導体ウエハＷに対して、酸化膜、特に自然酸化膜（大
気中の酸素や洗浄液等との接触により意図しないで形成
された酸化膜）を除去するための所定の表面処理を行な
う処理容器１６とを有している。
【００１８】この処理容器１６は、アルミニウムにより
円筒体状に成形されており、この処理容器１６内には、
上下動可能な支持部材１８により支持された石英製の載
置台２０が設けられている。処理容器１６の底部の周縁
部には、排気口２２が設けられ、処理容器１６内を真空
引き可能としている。また、載置台２０の下方の処理容
器１６底部には照射口２６が形成されており、この照射
口２６には、石英製の透過窓２８が気密に設けられてい
る。この透過窓２８の下方には、上記載置台２０を下面
側から加熱するためのハロゲンランプ等よりなる多数の
加熱ランプ３６が設けられており、この加熱ランプ３６
から放出される加熱用の光線が透過窓２８を透過してウ
ェハＷの裏面に入射するようになっている。
【００１９】一方、プラズマ形成管１４は、例えば石英
により管状に成形されており、上記処理容器１６の天井
部に開口するとともに、この処理容器１６に起立させた
状態で気密に取り付けられている。このプラズマ形成管
１４の上端には、この管内にＮ2 ガスとＨ2 ガスよりな
るプラズマガスを導入するプラズマガス導入部４４が設
けられる。このプラズマ導入部４４は、プラズマ形成管
１４内に挿通された導入ノズル４６を有しており、この
導入ノズル４６にはガス通路４８が連結されている。こ
のガス通路４８には、それぞれマスフローコントローラ
のごとき流量制御器５０を介してＮ2 ガスを充填したＮ
2 ガス源５２及びＨ2 ガスを充填したＨ2 ガス源５４が
それぞれ接続されている。
【００２０】また、上記導入ノズル４６の真下には、プ
ラズマ形成部５６が設けられている。このプラズマ形成
部５６は、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生するマイ
クロ波発生源５８と、上記プラズマ形成管１４に設けた
エベンソン型の導波管６０よりなり、上記マイクロ波発
生源５８で発生したマイクロ波を矩形導波管６２を介し
て上記エベンソン型の導波管６０へ供給するようになっ
ている。そして、この供給されたマイクロ波によりプラ
ズマ形成管１４内にプラズマを立て、Ｈ2 ガスとＮ2 ガ
スの混合ガスを活性化し、このダウンフローを形成し得
るようになっている。
【００２１】上記プラズマ形成管１４の下端部である流
出口６４には、これに連通させて、下方向へ傘状に広が
った石英製の覆い部材６６が設けられており、載置台２
０の上方を覆ってガスを効率的にウエハＷ上に流下させ
るようになっている。そして、この流出口６４の直下に
は、ＮＦ3 ガスを供給するためのＮＦ3 ガス供給部６８
が設けられる。このＮＦ3 ガス供給部６８は、石英製の
リング状のシャワーヘッド７０を有し、このシャワーヘ
ッド７０には多数のガス孔７２が形成されている。この
シャワーヘッド７０は、連通管７４、ガス通路７６、流
量制御器７８を介してＮＦ3 ガスを充填するＮＦ3 ガス
源８０に接続されている。
【００２２】このような構成において、載置台２０と透
過窓２８との間には、可動シャッタ１０１が設けられて
いる。この可動シャッタ１０１は、図２及び図３に示す
ようなものであって、透過窓２８を覆うように回動可能
に配設された遮蔽板１０３を有している、この遮蔽板１
０３には、この遮蔽板１０３を回動させる回動軸１０５
が設けられ、この回動軸１０５は、処理容器１６の外壁
１０７を貫通して配設されている。この回動軸１０５と
外壁１０７との間には、この回動軸１０５と外壁１０７
との間を回動自在かつ気密に保持する磁性流体シール１
０９が設けられている。この回動軸１０５には、軸側ギ
ア１１１が設けられており、この軸側ギア１１１には、
モータ側ギア１１３を介して駆動モータ１１５が設けら
れている。
【００２３】そして、駆動モータ１１５を作動させるこ
とによって、軸側ギア１１１とモータ側ギア１１３を介
して遮蔽板１０３を回動させ、図２に示すような開位置
と図３に示すような閉位置に位置せしめることができる
ようになっている。
【００２４】また、遮蔽板１０３および回動軸１０５の
内部には冷媒通路１１７が形成されている。この冷媒通
路１１７は、回動軸１０５の下端部から処理容器１６の
外部に伸び、処理容器１６外部に設けられた冷媒循環手
段１１９に接続されている。そして、この冷媒循環手段
１１９によって冷媒通路１１７に水等の冷媒を流すこと
によって、遮蔽板１０３を冷却するようになっている。
このようにすることにより、透過窓２８からの輻射熱が
遮蔽板１０３に到達し遮蔽板１０３の温度が上昇するの
を防止することができ、したがって遮蔽板１０３からの
輻射熱がウエハＷに到達し、ウエハの温度が上昇するの
を防止することができる。
【００２５】一方、図４は、他の可動シャッタ１２１の
例を示す図である。この可動シャッタ１２１は、透過窓
２８をおおう遮蔽板１２３を有している。この遮蔽板１
２３には、２つの駆動軸１２５、１２５が接続されてお
り、この駆動軸１２５，１２５の他端には、油圧シリン
ダ１２７のピストンロッドが連結されている。また、駆
動軸１２５が処理容器１６の外壁を１２９を貫通する部
分には、この駆動軸１２５と外壁１２９との間に磁性流
体シール１３１が設けられており、駆動軸１２５と外壁
１２９との間を気密に維持しつつ駆動軸を外壁に対して
移動できるようになっている。そして、油圧シリンダ１
２７を作動させることによって、遮蔽板１２３を、開位
置と閉位置に位置せしめることができるようになってい
る。
【００２６】この場合においても、図３に示す場合と同
様に、遮蔽板１２３および駆動軸１２５の内部に冷媒通
路を形成し、処理容器１６の外部に位置する冷媒通路の
端部に、処理容器１６の外部に設けた冷媒循環手段を接
続して、遮蔽板１２３を冷却可能に構成することもでき
る。このようすれば、遮蔽板１２３からの輻射熱による
ウエハＷの温度上昇を抑制することができる。
【００２７】次に、以上のように構成された装置を用い
て行なわれる自然酸化膜の除去方法について説明する。
まず、被処理体である半導体ウエハＷを、図示しないゲ
ートバルブを介して処理容器１６内に導入し、これを載
置台２０上に載置する。このウエハＷには、例えば前段
階でコンタクトホール等が形成されており、その底部の
表面に自然酸化膜が発生している。
【００２８】ウエハＷを処理容器１６内に搬入したなら
ば、処理容器１６内を密閉し、内部を真空引きする。そ
して、Ｎ2 ガス源５２及びＨ2 ガス源５４よりＮ2 ガス
及びＨ2 ガスをそれぞれ、所定の流量でプラズマガス導
入部４４よりプラズマ形成管１４内へ導入する。これと
同時に、マイクロ波形成部５６のマイクロ波発生源５８
より２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生し、これをエベ
ンソン型の導波管６０へ導いて、これよりプラズマ形成
管１４内へ導入する。これにより、Ｎ2 ガスとＨ2 ガス
はマイクロ波によりプラズマ化されると共に活性化さ
れ、活性ガス種が形成される。この活性ガス種は処理容
器１６内の真空引きによりダウンフローを形成してプラ
ズマ形成管１４内を流出口６４に向けて流下することに
なる。
【００２９】一方、ＮＦ3 ガス供給部６８のリング状の
シャワーヘッド７０からは、ＮＦ3ガス源８０より供給
されたＮＦ3 ガスがＮ2 ガスとＨ2 ガスよりなる混合ガ
スのダウンフローの活性ガス種に添加される。この結
果、添加されたＮＦ3 ガスもダウンフローの活性ガス種
により活性化されることになる。このようにＮＦ3 ガス
も活性ガス化され、上記したダウンフローの活性ガス種
と相まってウエハＷの表面の自然酸化膜と反応し、Ｓ
ｉ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｏの混合した生成膜を形成することに
なる。
【００３０】この処理は低温で反応が促進されるため、
この処理中はウエハＷは加熱されてはならず、室温の状
態で生成膜を形成する。
【００３１】ここで、この処理中は、可動シャッタ１０
３は閉状態になされている。これは、前回の加熱処理中
に加熱された透過窓２８からの輻射熱がウェハＷに到達
し、ウェハの温度が上昇するのを防止するためである。
【００３２】この時のプロセス条件は、ガスの流量に関
しては、Ｈ2 、ＮＦ3 、Ｎ2 が、それぞれ１０ｓｃｃ
ｍ、１５０ｓｃｃｍ、１４００ｓｃｃｍである。プロセ
ス圧力は４Ｔｏｒｒ、プラズマ電力は４００Ｗ、プロセ
ス時間は１分である。このようにして、ウエハ表面に自
然酸化膜と反応した生成膜を形成する。この場合、載置
台２０の上方は、傘状の覆い部材６６により覆われてい
るのでダウンフローの活性ガス種の分散が抑制されて、
これが効率的にウエハ面上に流下し、効率的に生成膜を
形成することができる。
【００３３】このように生成膜の形成が完了したなら
ば、Ｈ2 、ＮＦ3 、Ｎ2 のそれぞれのガスの供給を停止
すると共に、マイクロ波発生源５８の駆動も停止し、処
理容器１６内を真空引きして残留ガスを排除する。その
後、可動シャッタ１０３を開状態に位置せしめ、加熱ラ
ンプ３６を点灯させてウエハＷを所定の温度、例えば１
００℃以上に加熱する。この加熱により、上記生成膜
は、Ｓｉ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｏの混じった分子となって昇華
（気化）して行く。これにより、ウエハＷの自然酸化膜
が除去されてウエハ表面にＳｉ面が現れることになる。
この時のプロセス条件は、プロセス圧力が１ｍＴｏｒｒ
以下、プロセス時間は２分程度である。
【００３４】以上説明したように、この処理装置にあっ
ては、ウェハＷと透過窓２８との間に、挿抜可能な可動
シャッタ１０１を設けているから、活性化されたＮＦ３
ガスがウェハ表面の自然酸化膜と反応し、Ｓｉ、Ｎ、
Ｈ、Ｆ、Ｏの混合した生成膜を形成する、いわゆる低温
処理時に、前回の加熱処理時に加熱された透過窓２８か
らの輻射熱によって、ウェハＷが加熱されるのを防止す
ることができる。このため、複数のウェハについて、低
温処理と加熱処理を順次繰り返し行う場合に、低温処理
中に前回の加熱処理による輻射熱でウェハ加熱されてし
まうことを防止することができる。従って、低温処理と
加熱処理とを連続的に間隔を置くことなく行うことがで
き、酸化膜除去作業を効率良く行うことができる。
【００３５】また、この処理装置の可動シャッタにあっ
ては、処理容器外に配設されたモータ１１５と処理容器
内の遮蔽板１０３とを磁性流体シール１０９でシールさ
れた回転軸１０５で連結しているから、駆動源を処理容
器内に設ける必要がなく、従って処理容器を小型にする
ことができるとともに、汚染を防止することができる。
このような作用効果は、図４に示す往復動型の可動シャ
ッタ１２１においても同様に奏する。
【００３６】図５は、本発明の第２の実施の形態を示す
ものである。この処理装置２０１は、低温処理室と加熱
処理室をそれぞれ別に備えていることを特徴としてい
る。この処理装置２０１は、中央部に搬送室２０３を有
している。この搬送室２０３には、ウェハ搬送用の搬送
装置が設けられている。この搬送室２０３の内部は、非
反応性雰囲気、例えば真空になされており、ウエハＷの
搬送中に、ウエハＷに自然酸化膜が発生することを抑制
することができる。この搬送室２０３には、被処理ウェ
ハを搬送室２０３内に搬入するためのロードロック室２
０５が設けられている。
【００３７】一方、前記搬送室２０３のロードロック室
２０５と反対の側には、２つの低温処理室２０７、２０
７がそれぞれ設けられている。この低温処理室２０７
は、図１に示す処理装置１２から可動シャッタ１０１と
加熱ランプ３６を取り除いたものである。この場合、処
理容器１６の底部が気密に塞がれる必要はあるが、処理
容器１６の底部を塞ぐための部材が、図１の場合の透過
窓２８のように光透過性を有する必要はない。従って、
図１の場合の透過窓２８に代えて、例えばアルミニウム
板で処理容器１６の底部を塞ぐようにしてもよい。この
低温処理室２０７では、活性化されたＮＦ３ガスがウェ
ハ表面の自然酸化膜と反応し、Ｓｉ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｏの
混合した生成膜を形成する。
【００３８】また、搬送室２０３には、加熱室２０９が
設けられている。この加熱室２０９の内部には、加熱手
段、例えば公知の抵抗加熱式ステージヒータが設けら
れ、このステージヒータによりウエハＷを加熱すること
ができる。この加熱室２０９では、低温処理後のウエハ
Ｗを所定の温度、例えば１００℃以上に加熱し、この加
熱により上記生成膜はＳｉ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｏの混じった
分子となって昇華（気化）して行く。これにより、ウエ
ハＷの自然酸化膜が除去される。
【００３９】さらに、搬送室２０３には、冷却室２１１
が設けられている。この冷却室２１１は、加熱処理後の
ウェハを冷却するためのものである。処理後のウェハ
は、樹脂製のカセットに収納されて搬出されることにな
っているが、ウェハが高温のままだと樹脂製カセットを
痛めるおそれがある。このため、カセットへ収納する前
にウェハを冷却するようにしている。
【００４０】このような処理装置２０１において、自然
酸化膜が表面に形成された被処理ウェハは、ロードロッ
ク室２０５から搬送室２０３へ搬入される。ついで、こ
のウェハは、低温処理室２０７に搬送され、ここにおい
ていわゆる低温処理を施される。ここで、この処理装置
２０１にあっては、低温処理室２０７に対して加熱室２
０９は別に設けられているから、前回の加熱処理中の熱
が残存して低温処理に悪影響を及ぼすのを防止すること
ができる。その後、被処理ウェハは加熱室２０９に送ら
れる。ここで、低温処理後のウエハＷを所定の温度、例
えば１００℃以上に加熱し、この加熱により上記生成膜
はＳｉ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｏの混じった分子となって昇華
（気化）して行く。これにより、ウエハＷの自然酸化膜
が除去される。その後、この加熱されたウェハは、冷却
室２１１に送られる。ウェハは、ここで冷却されてか
ら、カセットに収納されて搬出される。従って、高温の
ままのウェハが樹脂製カセットを痛めるおそれを防止す
ることができる。
【００４１】以上説明したように、この処理装置２０１
にあっては、低温処理室２０７と加熱処理室２０９がそ
れぞれ別に設けられているから、活性化されたＮＦ３ガ
スがウェハ表面の自然酸化膜と反応し、Ｓｉ、Ｎ、Ｈ、
Ｆ、Ｏの混合した生成膜を形成する、いわゆる低温処理
時に、加熱処理の影響によってウェハが加熱されるのを
防止することができる。従って、低温処理と加熱処理と
を連続的に間隔を置くことなく行うことができ、従って
酸化膜除去作業を効率良く行うことができる。
【００４２】
【発明の効果】本発明にあっては、被処理体と透過窓と
の間に挿抜可能に遮蔽板を設けている。従って、遮蔽板
を閉状態にして透過窓からの放射熱を遮断し、低温状態
で酸化膜に活性ガス種を反応させることができる。ま
た、本発明にあっては、酸化膜に活性ガス種を反応させ
る低温処理とその後の加熱処理とを別の室で行ってい
る。従って、低温処理と加熱処理とを連続して行うこと
ができ、酸化膜除去作業を効率的に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の処理装置を示す構
成図。
【図２】図１に示す処理装置の可動シャッタを示すＩＩ
−ＩＩ線に沿う概略平面図である。
【図３】図２中ＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う概略断面図。
【図４】可動シャッタの他の例を示す概略平面図。
【図５】本発明の第２の実施の形態の処理装置を示す構
成図。
【符号の説明】
１２ 処理装置 １４ プラズマ形成管 １６ 処理容器 ２８ 透過窓 ３６ 加熱ランプ １０３ 遮蔽板 １２３ 遮蔽板 ２０１ 処理装置 ２０３ 搬送室 ２０７ 低温処理室 ２０９ 加熱室

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】被処理体の表面に形成された酸化膜を除去
    するための処理装置であって、 被処理体を収納する処理容器と、 活性ガス種を生成する活性ガス種生成装置と、 前記処理容器の外部に設けられ前記被処理体を加熱する
    加熱手段と、 この加熱手段と前記被処理体との間の前記処理容器に設
    けられた透過窓であって、前記処理容器の内外を気密に
    遮蔽するとともに前記加熱手段からの加熱用のエネルギ
    を透過する透過窓と、 前記被処理体と前記透過窓との間に挿抜可能に設けられ
    た遮蔽板とを備え、 前記遮蔽板を閉状態にして前記透過窓からの放射熱を遮
    断した状態で、被処理体の表面に形成された酸化膜に、
    前記活性ガス種を低温状態で反応させて生成膜を形成
    し、 その後、前記遮蔽板を開状態にして、前記加熱手段から
    の放射熱を前記透過窓を通して前記生成膜に加え、所定
    の温度に加熱して気化させ、前記生成膜を除去すること
    を特徴とする処理装置。
  2. 【請求項２】被処理体の表面に形成された酸化膜を除去
    するための処理装置であって、 活性ガス種を生成する活性ガス種生成装置を有し、被処
    理体の表面に形成された酸化膜に、前記活性ガス種を低
    温状態で反応させて生成膜を形成する第１の処理室と、 前記被処理体を加熱する加熱手段を有し、この加熱手段
    で前記被処理体の表面に形成された生成膜を所定の温度
    に加熱して気化させ、前記生成膜を除去する第２の処理
    室と、 これら第１の処理室と第２の処理室との間で前記被処理
    体を搬送する搬送手段と、を備えたことを特徴とする処
    理装置。
  3. 【請求項３】前記活性ガス種は、ＮＦ３ガスの活性ガス
    種であることを特徴とする請求項１又は２のいずれかに
    記載の処理装置。
  4. 【請求項４】前記遮蔽板には、この遮蔽板を冷却する冷
    却手段が設けられていることを特徴とする請求項１に記
    載の処理装置。
  5. 【請求項５】前記搬送手段は、前記第１の処理室と前記
    第２の処理室に接続されるとともに内部が非反応性雰囲
    気になされた搬送室内に設けられていることを特徴とす
    る請求項２に記載の処理装置。
  6. 【請求項６】前記活性ガス種生成装置は、プラズマ形成
    部を有するプラズマ形成管と、このプラズマ形成管内に
    Ｎ2 ガスとＨ2 ガスを供給するプラズマガス導入部と、
    前記プラズマ形成管内からダウンフローする活性ガス種
    にＮＦ3 ガスを添加するＮＦ3 ガス供給部とを備えてい
    ることを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載の
    処理装置。
  7. 【請求項７】前記プラズマ形成部は、マイクロ波を発生
    するマイクロ波発生源と、発生したマイクロ波を前記プ
    ラズマ形成管内へ導入する導波管とよりなることを特徴
    とする請求項６に記載の処理装置。
  8. 【請求項８】被処理体を収納する処理容器と、この処理
    容器の外部に設けられ前記被処理体を加熱する加熱手段
    と、この加熱手段と前記被処理体との間の前記処理容器
    に設けられた透過窓と、前記被処理体と前記透過窓との
    間に挿抜可能に設けられた遮蔽板とを有する処理装置を
    用いて、被処理体の表面に形成された酸化膜を除去する
    ための処理方法であって、 前記遮蔽板を閉状態にして前記透過窓からの放射熱を遮
    断した状態で、前記被処理体の表面に形成された酸化膜
    に、活性ガス種を低温状態で反応させて生成膜を形成
    し、 その後、前記遮蔽板を開状態にして、前記加熱手段から
    の放射熱を前記透過窓を通して前記生成膜に加え、所定
    の温度に加熱して気化させ、前記生成膜を除去すること
    を特徴とする処理方法。
  9. 【請求項９】被処理体の表面に形成された酸化膜を除去
    する処理方法であって、 第１の処理室において、被処理体の表面に形成された酸
    化膜に活性ガス種を低温状態で反応させて生成膜を形成
    する工程と、 前記生成膜が形成された被処理体を前記第１の処理室か
    ら第２の処理室へ搬送する工程と、 前記第２の処理室において、前記被処理体の表面に形成
    された前記生成膜を所定の温度に加熱して気化させ、前
    記生成膜を除去する工程と、を具備することを特徴とす
    る処理方法。
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