WO2000023973A1

WO2000023973A1 - Substrat de composant electro-optique, substrat de matrice active et procede servant a verifier un substrat de composant electro-optique

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Publication number: WO2000023973A1
Application number: PCT/JP1999/005723
Authority: WO
Inventors: Tokuro Ozawa
Original assignee: Seiko Epson Corporation
Priority date: 1998-10-16
Filing date: 1999-10-15
Publication date: 2000-04-27
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Description

明細書

電気光学装置用基板およびアクティブマトリクス基板ならびに電気光学装置用基板の検査方法技術分野

本発明は、電気光学装置用基板およびアクティブマトリクス基板ならびに電気光学装置用基板の検査方法に関する。技術背景

従来より、一対の基板の間隙に液晶を挟持してなる液晶表示装置が知られている。このような液晶表示装置として、一対の基板のうちの一方にアクティブマトリクス基板を用いたものが実用化されている。このアクティブマトリクス基板は、ガラス基板等の上面に、複数のデータ線と、各デ一夕線と直交する複数のゲート線とが形成されている。そして、各データ線とゲート線との交差に対応して画素電極が形成されている。各画素電極は、薄膜トランジスタ（Thin Fi lm Transist or) を介して各デ一夕線およびゲート線に接続されている。

ここで、ゲート線およびデータ線は、各々表示画素の数に応じた本数だけ形成される。例えば、カラー表示が可能な液晶表示装置にあっては、 4 8 0本のゲート線と 6 4 0 X 3本（R G B各色に対応）のデータ線が備えたものや、 1 0 2 4 本のゲート線と 1 2 8 0 X 3本のデータ線を備えたものが知られている。このように、アクティブマトリクス基板には、膨大な数の配線を形成する必要があるが、各データ線およびゲート線には断線や配線狭窄部（配線が他の部分よりも狭くなつている部分）等の欠陥があってはならない。

しかしながら、アクティブマトリクス基板の各種製造工程における種々の要因から、配線の欠陥がある割合で発生してしまうのは避けられないのが現状である。このため、ゲート線ゃデ一夕線の欠陥を有するァクティブマトリクス基板を確実に見つけ出し、また、同一要因に基づく断線等の欠陥の再発を防止すべく断線箇所を正確に把握したいという要望がある。かかる要望に応えるための断線検査方法が、実開昭 6 3 - 7 0 5 9 6号公報に開示されている。

この断線検査方法では、まず、基板上にストライプ状に形成された複数のゲ一ト線について、 1本目のゲート線と 2本目のゲート線の左端部同士、 2本目のゲ —ト線と 3本目のゲート線の右端部同士、 3本目のゲート線と 4本目のゲート線の左端部同士、 4本目のゲート線と 5本目のゲート線の右端部同士、 ···、という具合に、隣接するゲート線（またはデータ線）の端部同士を接続する。このようにすることにより、各ゲート線を直列に接続してなる 1本の配線が形成される。そして、例えば、この配線に所定の電流が流れるか否かを調べることにより、レ、ずれかのゲート線に欠陥があるか否かを判定する。

しかしながら、この断線検査方法では、ゲート線のいずれかが断線しているか否かを検査することはできるが、具体的にどのゲート線に欠陥があるのかを突き止めることはできない。従って、この検査方法を用いた場合、ゲート線の断線箇所の位置を判定して、欠陥を生じさせた要因等を追跡したり、類推することができない。このため、断線の再発防止に向けた有効な対策を講じることができないという問題がある。

また、上記断線検査方法においては、直列に接続した配線に一定の電流 iを流し、その両端部における電位差を測定することにより欠陥の有無を判断することも考えられる。具体的には、まず、いずれの配線にも欠陥が存在しない場合の電圧を予め測定しておく。この電圧は、配線（例えばゲート線）の一本あたりの抵抗値を R L、配線の総本数（例えばゲート線の総本数）を Nとすると、 i N R L で表される。次に、検査対象たる配線の両端部における電位差を測定する。ここで、いずれかの配線に欠陥が存在した場合、測定される電圧は i ( R B + N R L ) で表される。 R Bは配線狭窄部等の欠陥箇所における抵抗値である。そして、これらの電圧の差、すなわち、 i N R L— i ( R B + N R L ) を求める。そして、この結果検出された電圧値が所定値よりも小さい場合には、いずれかの配線に断線があると判定するのである。

しかしながら、この手法を採用した場合、 N R L》R Bとなっているときには、上述した式から求められる電圧は = 0となってしまうため、欠陥の検出をすることができなくなってしまう。つまり、上述した方法では、配線数が多い場合（すなわち抵抗 N R Lが大きい場合）や配線が細くなつているだけで完全には断線していないような場合（すなわち、配線の一部に狭窄部がある状態で抵抗 R Bが比較的小さい場合）には、欠陥の検出が困難になってしまうという問題があった。そこで、上記のような問題を解消すべく、以下に示す方法によって断線や配線狭窄部を検出する方法が提案されている。この方法について、図 6を参照して説明する。図 6に示すアクティブマトリクス基板 S 2において、例えばゲート線（G 1〜G 6 ) の左端側にゲート電極駆動回路としての Yシフトレジスタ 3 1およびバッファステージ 3 3が設けられており、右端側には Yシフトレジスタ 3 2およびバッファステージ 3 4が設けられている。

この検査方法では、まず、 Yシフトレジスタ 3 2側のバッファステージ 3 4の最終段の出力レベルをすベてローレベルとしたうえで、 Yシフトレジス夕 3 1に選択パルスを入力する。具体的には、 Yシフトレジスタ 3 1側のバッファステージ 3 3の最終段のィンバ一夕の出力信号を順次排他的に口一レベルからハイレべルに切換える。この結果、ゲート線 G l、 G 2、 ···、 G 6には、順次、電流 i l， i 2 , · · · i 6が流れることとなる。これらの各電流値を、バッファステージ 3 4の近傍において測定することにより、ゲート線の一本一本について断線の有無を検査していくのである。

ここで、電流 i l , i 2， · · · i 6の電流値が所定値以上であれば、そのゲート線には断線はないと判断することができる。これに対し、測定された電流値が所定値よりも低い場合には、そのゲート線に何らかの欠陥があるものと判断することができる。

ところで、 Yシフトレジスタ 3 1および 3 2等を、最高プロセス温度が 4 0 0 〜6 0 0 °C程度の低温プロセスで作成したポリシリコンを用いて形成した場合、その Yシフトレジスタ 3 1や 3 2が静電破壊され機能不全となる危険性が高いことが分かっている。さらに、パーティクル等の影響によってパターン不良が生じ、これにより Yシフトレジスタ 3 1および 3 2に機能不全が生じてしまうこともある o

従って、例えば Yシフトレジスタ 3 1や 3 2の少なくとも一方に不良が生じ、バッファステージ 3 3および 3 4のすべてがハイレベルに固定されている場合には、上記の断線検査方法でゲート線（G 1〜G 6 ) を順次選択して電流を流すことができない。従って、上述した断線検査方法では、断線検査作業を常に安定して行なうことができないという危惧があった。

さらに、上述した断線検査方法においては、膨大な本数の配線の各々を順次選択し、断線の有無を検出しなければならない。従って、検査に要する時間が長くなってしまうという問題もある。発明の開示

本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、迅速かつ確実に欠陥箇所を特定でき、かつ、常に安定して欠陥検査を行うことができる電気光学装置用基板およびアクティブマトリクス基板ならびに電気光学装置用基板の検査方法を提供することを目的している。

上記目的を達成するため、この発明は、複数の配線と、複数のスイッチング素子と、通電手段とを具備することを特徴とする電気光学装置用基板を提供するものである。ここで、複数のスイッチング素子の各々は、隣接する上記各配線の間に介挿されている。また複数のスイッチング素子の各々は、第 1グループまたは第 2グループのいずれかに属し、隣合うスィツチング素子は異なるグループに属し、前記各グループ単位で当該グループに属するスィツチング素子のオンオフ切換えが可能である。また、上記通電手段は、複数のスイッチング素子を介して直列接続される 2本の配線からなる複数の配線対に電流を流し、または電圧を印加する。

また、本発明は、上述した電気光学装置用基板の検査方法を提供するものである。この検査方法は、複数の配線と、各々隣接する前記各配線の間に介挿された複数のスィツチング素子とを有する電気光学装置用基板の検査方法であって、隣接するスィツチング素子が異なるグループに属するように、前記複数のスィツチング素子を第 1のグループおよび第 2のグループに分け、前記第 1グループに属するスィツチング素子をオンにするとともに、当該スィツチング素子を介して直列接続される 2本の配線からなる複数の配線対に電流を流し、または電圧を印加することにより、当該配線対における欠陥の有無を判定する第 1の配線検査過程と、前記第 2グループに属するスイッチング素子をオンにするとともに、当該スィツチング素子を介して直列接続される 2本の配線からなる複数の配線対に電流を流し、または電圧を印加することにより、当該配線対における欠陥の有無を判定する第 2の配線検査過程と、前記第 1の配線検査過程の判定結果と前記第 2の配線検査過程の判定結果とに基づいて、欠陥を有する配線を判定する欠陥判定過程とを有することを特徴としている。

かかる電気光学装置用基板の検査方法によれば、隣接する 2本の配線からなる配線対における欠陥の有無を判定することができるから、各配線の欠陥の有無を高速に検出することができる。また、第 1グループに属するスイッチング素子によって直列接続された 2本の配線からなる配線対における欠陥の有無と、第 2グループに属するスィツチング素子によって直列接続された 2本の配線からなる配線対における欠陥の有無とを判定することができるので、各判定結果に基づいて、欠陥を有する配線を比較的詳細に特定することができる。

また、この発明は、各々第 1端部および第 2端部を有する複数の配線と、各々隣接する前記各配線の間の前記第 1端部近傍に介挿された複数の第 1スィッチング素子であって、各々第 1グループまたは第 2グループのいずれかに属し、隣合ぅスィツチング素子は異なるグループに属し、前記各グル一プ単位で当該グループに属するスィツチング素子のオンオフ切換えが可能な複数の第 1スィツチング素子と、各々隣接する前記各配線の間の前記第 2端部近傍に介挿された複数の第 2スィツチング素子であって、各々第 3グループまたは第 4グループのいずれかに属し、隣合うスイッチング素子は異なるグループに属し、前記各グループ単位で当該グループに属するスィツチング素子のオンオフ切換えが可能な複数の第 2 スィツチング素子と、前記複数の第 1スィツチング素子を介して直列接続される 2本の配線からなる複数の配線対に電流を流し、または電圧を印加する第 1通電手段と、前記複数の第 2スィツチング素子を介して直列接続される 2本の配線からなる複数の配線対に電流を流し、または電圧を印加する第 2通電手段とを具備することを特徴とする電気光学装置用基板を提供するものである。

また、本発明は、この電気光学装置用基板の検査方法を提供するものである。この検査方法は、隣接する第 1スイッチング素子が異なるグループに属するように、前記複数の第 1スィツチング素子を第 1のグループおよび第 2のグループに分け、第 1過程と第 2過程のうちの一方を実行する検査過程を有している。第 1 過程は、前記第 1グループに属するスイッチング素子をオンにするとともに、当該スィツチング素子を介して直列接続される 2本の配線からなる複数の配線対に前記第 2通電手段を用いて電流を流し、または電圧を印加することにより、当該配線対における欠陥の有無を判定する第 1の配線検査過程と、前記第 2グループに属するスィツチング素子をオンにするとともに、当該スィツチング素子を介して直列接続される 2本の配線からなる複数の配線対に前記第 2通電手段を用いて電流を流し、または電圧を印加することにより、当該配線対における欠陥の有無を判定する第 2の配線検査過程とからなる。また、第 2過程は、前記第 3グループに属するスィツチング素子をオンにするとともに、当該スィツチング素子を介して直列接続される 2本の配線からなる複数の配線対に前記第 1通電手段を用いて電流を流し、または電圧を印加することにより、当該配線対における欠陥の有無を判定する第 1の配線検査過程と、前記第 4グループに属するスィツチング素子をオンにするとともに、当該スイッチング素子を介して直列接続される 2本の配線からなる複数の配線対に前記第 1通電手段を用いて電流を流し、または電圧を印加することにより、当該配線対における欠陥の有無を判定する第 2の配線検査過程とからなる。また、この検査方法は、前記第 1配線検査過程の判定結果と、前記第 2配線検査過程の判定結果とに基づいて、欠陥を有する配線を判定する欠陥判定過程を有している。

かかる電気光学装置用基板の検査方法によれば、第 1通電手段および第 2通電手段のいずれか一方の機能が不良であっても、他方を用いて検査を行うことができるから、常に安定した検査を行うことができるという利点がある。また、上記電気光学装置用基板においては、前記第 1通電手段と第 2通電手段の各々は、前記複数の配線の駆動手段として使用可能な回路としてもよい。すなわち、各通電手段を、各配線の駆動を指令するデータを順次シフトするシフトレジス夕と、各々前記シフトレジス夕の各ステージに対応した複数の 3ステートバッファであって、各々の出力端が前記各配線の端部と接続された複数の 3ステ一トバッファとを含んだ構成としてもよい。こうすれば、配線検査用の回路を別途設ける必要がなくなるため、製造コストを低減することができる。

また、本発明は、複数の第 1配線の各々と複数の第 2配線の各々とを交互に配列してなる複数の配線と、前記複数の第 1配線の各々と、当該各第 1配線と一方の側において隣接する各第 2配線との間に介挿された複数のスィツチング素子と、前記複数のスィツチング素子の各々を介して直列接続される 2本の配線からなる複数の配線対に電流を流し、または電圧を印加する通電手段とを具備することを特徴とする電気光学装置用基板を提供するものである。

さらに、本発明は、この電気光学装置用基板の検査方法を提供するものである。この検査方法は、前記複数のスイッチング素子をオンにするとともに、当該スィツチング素子を介して直列接続される 2本の配線からなる複数の配線対に電流を流し、または電圧を印加することにより、当該配線対における欠陥の有無を判定する配線検査過程を有することを特徴としている。

かかる電気光学装置用基板の検査方法によれば、相互に直列接続される 2本の配線からなる複数の配線対のいずれかに欠陥があることを判定することができるので、迅速かつ詳細に配線の検査を行うことができるという利点がある。図面の簡単な説明

図 1は、この発明の一実施形態である電気光学装置用基板の構成を示す図である α

図 2は、同実施形態である電気光学装置用基板の検査手順を示すフローチヤ一トである。

図 3は、同実施形態である電気光学装置用基板の検査方法を示す図である。図 4 ( a ) は、同実施形態である電気光学装置用基板を用いた電気光学装置の構成を示す平面図であり、（b ) は（a ) における A— A，線の断面図である。図 5は、この発明の変形例である電気光学装置用基板の構成を示す図である。図 6は、従来の検査方法を適用した電気光学装置用基板の一例を示す図である。発明を実施するための最良の形態

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。

ぐ電気光学装置用基板の構成 >

図 1は、本発明に係る電気光学装置用基板 S 1の構成を示す図である。この電気光学装置用基板 S 1には、複数本のゲート線が水平方向に延在して形成され、複数本のデータ線が垂直方向に延在して形成されている。なお、図 1においては、便宜上、 6本のゲート線 G 1〜G 6と、 6本のデータ線 D 1〜D 6とが形成された電気光学装置用基板 S 1を示している。ただし、実際の電気光学装置では、ゲート線が 4 8 0本で、データ線が 6 4 0 X 3本（R G B各色に対応）、または、ゲート線が 1 0 2 4本で、データ線が 1 2 8 0 X 3本といった本数で形成される。各ゲート線 G 1〜G 6とデータ線 D 1〜D 6とが交差する部分には、それぞれ薄膜トランジスタ（T F T ) が形成されている。各薄膜トランジスタのゲートはゲート線に接続されている。各薄膜トランジス夕のソースはデータ線に接続されている。また、各薄膜トランジスタのドレインは画素電極に接続されている。このような構成において、各薄膜トランジスタは、ゲート線に供給される電圧に応じてオンオフ制御される。そして、各薄膜トランジスタががオン状態となっている間に、データ線に印加された電圧が、各画素電極に供給されるようになっている。

この実施形態においては、上記で F Tはポリシリコン層をチャネル層とするいわゆるポリシリコン T F Tで構成されており、周辺回路を構成するトランジスタ (スイッチング素子）とともに同一プロセスにより、同時に形成される。

隣合う各ゲート線 G 1〜G 6の間には、その両端部近傍に、複数のスィッチング素子が設けられている。各スイッチング素子は、相互に隣接する各ゲート線の間の導通および切断を切換えるためのものである。これらのスィツチング素子は、例えば薄膜トランジスタ（TFT) で形成されている。なお、以下では、ゲート線 G 1と G2との間、ゲート線 G3と G4との間、およびゲート線 G 5と G 6との間に設けられた各薄膜トランジスタのうち、各ゲート線の左側の端部近傍に設けられた薄膜トランジスタ T 1 a、 T 1 bおよび T 1 cを第 1の左側トランジス夕列（T l a、 T l b、 T i c) と総称し、各ゲート線の右側の端部近傍に設けられた薄膜トランジスタ T 3 a、 T3 bおよび T3 cを第 1の右側トランジスタ列（T3a、 T3 b、 T 3 c) と総称する。一方、ゲート線 G 2と G 3との間、およびゲート線 G 4と G 5との間に設けられた各薄膜トランジスタのうち、各ゲ —ト線の左側の端部近傍に設けられた薄膜トランジスタ T 2 aおよび T 2 bを第 2の左側トランジスタ列（T 2 a、 T 2 b) と総称し、各ゲート線の右側の端部近傍に設けられた薄膜トランジスタ T4 aおよび T4 bを第 2の右側トランジス夕列（T 4 a、 T 4 b) と総称する。

第 1の左側トランジスタ列（T 1 a、 T 1 b、 T i c) および第 2の左側トランジス夕列（T2 a、 T 2 b) の各ゲートは、基板上に設けられたテスト端子に接続されている。そして、これらのトランジスタ列を構成する薄膜トランジスタは、このテスト端子から入力される信号に応じて、オンオフが切換えられるようになっている。具体的には、各トランジスタ列単位で、当該トランジスタ列に厲する薄膜トランジスタのオンオフが切換えられるようになっている。

同様に、第 1の右側トランジスタ列（T 3 a、 T 3 b、 T 3 c) および第 2の右側トランジスタ列（T4 a、 T 4 b) の各ゲートも、基板上に設けられたテスト端子に接続されている。そして、これらのトランジスタ列を構成する薄膜トランジス夕は、このテスト端子から入力される信号に応じて、オンオフが切換えられるようになっている。具体的には、各トランジスタ列単位で、当該トランジス夕列に属する薄膜トランジス夕のオンオフが切換えられる。

また、各ゲート線 G 1〜G 6の左側の一端には、バッファステージ 3を介して Yシフトレジスタ 1が接続されている。一方、各ゲート線 G 1〜G 6の右側の一端には、バッファステージ 4を介して Yシフトレジス夕 2が接続されている。上記バッファステージ 3の最終段には 3ステートバッファ群 5が形成されている。 3ステートバッファ群 5を構成する各 3ステートバッファ 5 1〜5 6には、図示しない上位装置から信号 DRV— Lが供給される。また、バッファステージ 4の最終段には 3ステートバッファ群 6が形成されている。この 3ステートバッファ群 6を構成する各 3ステートバッファ 6 1〜6 6には、図示しない上位装置から信号 DRV— Rが供給される。上記 3ステートバッファ群 5および 3ステ一トバッファ群 6を構成する各 3ステートバッファは、上位装置から供給される信号 D R V— Lまたは D R V— Rがハイレベルの時は、前段のィンバ一夕の出力信号をレベル反転してゲート線に出力する。また、上位装置から供給される信号 D RV— Lまたは DRV— Rが口一レベルの時は、各 3ステートバッファの出力部は、ハイインピーダンス状態となる。なお、上述した上位装置とは、例えば、基板上に形成されたテスト端子を介して、各 3ステートバッファに対して信号 D R ¥— または011¥— 1 を供給可能なテスト装置である。

一方、デ一夕線 D l、 D 3および D 5の一端（図 1においては上側の一端）は、薄膜トランジスタ T 6 a、 T 6 bおよび T 6 cを介してデ一夕入力線 SRC 2に接続されている。また、デ一夕線 D 2、 D 4および D 6の一端（図 1においては上側の一端）は、薄膜トランジス夕 T 5 a、 T 5 bおよび T 5 cを介してデータ入力線 SRC 1に接続されている。これらの薄膜トランジスタのゲートは、 Xシフトレジスタ 7に接続されている。各薄膜トランジス夕は、 Xシフトレジスタ Ί から供給される信号に応じてオンオフ制御される。そして、これにより、データ線 D 1、 D 3および D 5とデ一夕入力線 SRC 2との間の導通または切断が切換えられる一方、デ一夕線 D 2、 D 4および D 6とデータ入力線 SRC 1との間の導通または切断が切換えられるようになつている。つまり、図示しない上位装置からデ一夕入力線 SRC 1および SRC 2に供給される電圧を、データ線 D 1〜 D 6に印加することができる。

また、データ線 D 1〜D 6の他端側（図 1上では下端側）には、隣接する各デ —夕線の間の導通 ·切断を切換えるための薄膜トランジスタが設けられている。以下では、データ線 D 1と D 2との間に設けられた薄膜トランジスタ T 7 a、デ一夕線 D 3と D 4との間に設けられた薄膜トランジスタ T 7 b、およびデータ線 D 5と D 6との間に設けられた薄膜トランジスタ T 7 cを第 1のトランジスタ列 (T7 a、 T7 b、 T 7 c) と総称する。一方、データ線 D 2と D 3との間に設けられた薄膜トランジスタ T 8 a、およびデータ線 D 4と D 5との間に設けられた薄膜トランジスタ T 8 bを第 2のトランジスタ列（T8a、 T 8 b) と総称す o

第 1のトランジスタ列（T7 a、 T 7 b、 T 7 c ) および第 2のトランジスタ列（T8 a、 T 8 b) の各ゲートは、基板上に設けられたテスト端子に接続されている。そして、各トランジスタ列を構成する薄膜トランジスタは、このテスト端子から入力される信号に応じてオンオフが切換えられるようになつている。具体的には、各トランジスタ列単位で、当該トランジスタ列に属する薄膜トランジス夕のオンオフが切換えられる。

以上が本発明に係る電気光学装置用基板の構成である。 <電気光学装置用基板の検査手順 >

次に、図 2に示すフローチャートならびに図 3 (a) および（b) を参照して、ゲート線 G 1〜G 6の欠陥の有無および断線箇所を判定する手順を説明する。まず、 Yシフトレジスタ 1または 2の機能を検査し（ステップ S T 1 ) 、各 Y シフトレジスタの機能の良否を判定する（ステップ ST 2) 。この Yシフトレジスタの検査は、例えば以下の手順によって行われる。まず、基板上に設けられたテスト端子から Yシフトレジス夕 1のデータ入力端子に何らかのデータを入力し、 Yシフトレジス夕 1によりこのデータをシフトさせる。そして、 Yシフトレジス夕 1の最終ステージから出力されるデータを、他のテスト端子を介して検出して調査することにより、 Yシフトレジスタ 1の機能の良否を判定する。同様の検査を Yシフトレジス夕 2についても行い、各 Yシフトレジス夕の機能の良否を判定する。

この結果、 Yシフ卜レジスタ 1および 2がともに不良であると判定された場合、この電気光学装置用基板 S 1は不良品であると判断できるから、ゲート線 G 1〜 G 6等の欠陥の有無の検査を行うまでもなく、直ちに検査を終了する（ステップ S T 3および S T 4) 。

一方、ステップ ST 2において、いずれか一方の Yシフトレジスタ、または両方の Yシフトレジスタが良品であると判定された場合には、ゲート線 G 1〜G 6 の断線の有無の検査に移行する。なお、いずれか一方の Yシフトレジス夕が不良であると判定された場合であっても、他方の Yシフトレジスタを用いて画像を表示することができる。従って、この時点においては当該電気光学装置用基板自体は一応良品であるものとして以後の検査を行う。

ゲート線 G 1〜G 6の欠陥の有無の検査は、第 1のゲート線断線検査過程と第 2のゲート線断線検査過程とに分けることができる。以下では、これらの各検査過程毎に検査の内容を説明する。なお、ここでは、上記ステップ S T 2において Yシフトレジスタ 1が動作不良であると判断された場合を想定する（ステップ S T 9) 。

( 1 ) 第 1のゲート線断線検査過程

まず、第 1の左側トランジスタ列（T 1 a、 T 1 b、 T i c) の各ゲートに対して、各薄膜トランジスタをオン状態とする信号が、基板上のテスト端子から入力される。一方、第 2の左側トランジスタ列（ T 2 a、 T 2 b) 、第 1の右側トランジス夕列（T 3 a、 T 3 b、 T 3 c) および第 2の右側トランジスタ列（T 4 a、 T 4 b) はオフ状態としておく。また、 Yシフトレジスタ 1に接続されたバッファステージ 3内の各 3ステートバッファ 5 1〜56に対して口一レベルの信号 D R V— Lを供給し、各 3ステートバッファ 5 1〜 56の出力部をハイィンピーダンス状態とする。

この結果、図 3 (a) に示すように、各ゲート線の左端の端部において、ゲート線 G 1と G 2との間、ゲート線 G 3と G 4との間、およびゲート線 G 5と G 6 との間が導通されることとなる。

次に、 Yシフトレジス夕 2により、 1ビヅトのデータ " 1" を順次シフトすることにより、各々導通された各ゲート線に対して、順次電流を流す。すなわち、 Yシフトレジス夕 2の 6ステージの出力状態が " 1 00000 " となると、 3ステ一トバッファ 6 1からはハイレベルの信号が、他の 3ステ一トバッファからは口一レベルの信号が出力される。この結果、ゲート線 G 1および G 2のいずれもが断線していない場合には、ゲート線 G 1→薄膜トランジスタ T 1 a→ゲート線 G 2という経路を経て電流 i 1 2が流れる。次に、 Yシフトレジスタ 2をシフト動作させ、 Yシフトレジス夕 2の 6ステージの出力状態が "00 1 000" となると、 3ステートバッファ 63からはハイレベルの信号が、他の 3ステートバヅファからは口一レベルの信号が出力される。この結果、ゲート線 G 3および G4 のいずれもが断線していない場合には、ゲート線 G 3 薄膜トランジスタ T 1 b →ゲート線 G 4という経路を経て電流 i 34が流れる。さらに、 Yシフトレジス' 夕 2をシフト動作させることにより Yシフトレジス夕 2の 6ステージの出力状態を " 0000 1 0 " とすると、 3ステートバッファ 65からはハイレベルの信号が、他の 3ステートバッファからは口一レベルの信号が出力される。この結果、ゲート線 G 5および G 6のいずれもが断線していない場合にはゲート線 G 5→薄膜トランジスタ T l c→ゲート線 G 6という経路を経て電流 i 56が流れる。このようにして、各々導通された一対のゲート線の間に電流を順次流すのである。一方、この工程に並行して、上記電流 i 1 2、 i 34および i 56の電流値を順次測定する。これらの各電流値の測定は、例えば、各 3ステートバッファの電源電流を含む電気光学装置用基板全体の電源電流を電流計によって測定し、 Yシフトレジスタ 2の 6ステージの出力状態が "000000" であるときの電源電流との差分を求めることにより実施することができる。

なお、 3ステートバッファ 6 1〜66の出力端子に電流測定用のパッドを形成し、そのパッドにプローブを当てて 2つのパッド間の電圧、すなわち、 2本のゲート線の電圧降下を求めてもよい。具体的には、以下の通りである。まず、導通された一対のゲート線のいずれにも断線または配線狭窄部がない場合に検出される電圧は、 2 iRLとなる。ここで、 iは、一対のゲート線に流す電流の電流値であり、 RLは、ゲート線の 1本あたりの抵抗値である。一方、いずれかのゲート線に配線狭窄部が存在した場合、測定される電圧は i (RB+ 2RL) で表される。 R Bは配線狭窄部等の欠陥箇所における抵抗値である。そして、これらの電圧の差、すなわち、 2 iRL— i (RB + 2RL) を求める。そして、この値を所定値と比較することによって、ゲート線に断線または配線狭窄部があるか否かを判定する。ここで、上述した従来の技術に示した配線検査方法、すなわち、すべてのゲート線を接続して 1本の配線を形成し、当該配線の両端における電位差を測定する方法においては、配線数が多い場合には欠陥の検出が困難となるという問題があった。これに対し、本実施形態によれば、導通された 2本のゲート線の電圧降下を求めるようになっているので、配線が多い場合であっても、確実に各配線の欠陥を検出することができるという利点がある。

なお、以下では、各ゲート線を流れる電流の電流値を求め、この電流値に基づいて配線の欠陥の有無を判定するものとして説明を進める。

さて、こうして測定された各電流値と、予め求められた所定値とを比較することにより、各ゲート線における断線の有無を判定する（ステップ S T 1 0 ) 。すなわち、例えば、測定された電流値が所定値を超えていればそのゲート線間には断線がないと判定し、所定値を下回る場合にはいずれかのゲート線に断線があるものと判定する。なお、上記所定値は、実験等の結果に基づいて予め求められた値である。

図 3 ( a ) に示す例においては、実線の矢印が、上記所定値を超えた電流が流れていることを示している。これに対し、白抜きの矢印は、上記所定値を下回る電流が流れている力または電流が全く流れていないことを示している。図 3 ( a ) に示す例においては、電流 i 1 2のみが所定値を超えているので、ゲート線 G 1 および G 2には断線がないと判定できる。一方、電流 i 3 4は所定値を下回るので、この段階では、ゲート線 G 3および G 4の一方または両方に断線または配線狭窄部等の欠陥があると判定できる。同様に、電流 i 5 6も所定値を下回るので、ゲート線 G 5および G 6の一方または両方に断線があると判定できる。

ところで、この時点では、断線があると判定された 1対のゲート線（ゲート線 G 3および G 4、ならびにゲート線 G 5および G 6 ) のうちのいずれのゲート線に断線が生じているのかを特定することはできない。これを明らかにするために、上述した手順の後、以下に示す第 2のゲート線断線検査過程が実行される。従つて、第 1のゲート線断線検査過程において、すべてのゲート線間を流れる電流の電流値が所定値を超えた場合には、すべてのゲート線に断線はないと判定できるから、以下に示す第 2のゲート線断線検査過程を省略することができる。この場合には、電流値測定のための手間が、前掲図 6に示した従来の断線検査方法と比較して概ね半分で済む。

(2) 第 2のゲート線断線検査過程

続いて、第 2の左側トランジスタ列（T 2 a、 T 2 b) の各ゲートに対して、各薄膜トランジスタをオン状態とする信号をテスト端子から入力する。一方、第 1の左側トランジスタ列（T l a、 T l b、 T i c) 、第 1の右側トランジスタ列（T 3 a、 T 3 b、 T 3 c) および第 2の右側トランジス夕列（T 4 a、 T 4 b) はオフ状態としておく。また、バッファステージ 3内の各 3ステートバヅファ 5 1〜56の出力部をハイインピ一ダンス状態とする。

これにより、図 3 (b) に示すように、各ゲート線の左端側において、ゲート線 G2と G3との間、およびゲート線 G4と G5との間を導通させることができる。続いて、上記第 1のゲート線断線検査過程と同様に、 Yシフトレジスタ 2により 1ビットのデ一夕 "1" を順次シフ卜することにより、導通された一対の各ゲート線に対し、順次電流を流す。すなわち、 Yシフトレジスタ 2の 6ステージの出力状態が "010000" となると、ゲート線 G2および G3のいずれもが断線していない場合には、ゲート線 G 2 薄膜トランジスタ T 2 a—ゲート線という経路を経て電流 i 23が流れる。次に、 Yシフトレジス夕 2をシフト動作させ、 6ステージの出力状態が " 000 100" となると、ゲート線 G 4→薄膜卜ランジス夕 T 1 b ゲート線 G5という経路を経て電流 i 56が流れる。

そして、この電流 i 23および i 45の電流値を測定する。この測定は、上記第 1のゲ一ト線断線検査過程において説明したのと同様の方法により実施することができる。次に、この測定結果を、上述した所定値と比較する。この結果、測定された電流値が所定値を超えている場合には、そのゲート線間には断線がないと判定する。一方、測定された電流値が所定値を下回る場合には、一対のゲート線のうちの一方または両方に断線があると判定する。すなわち、図 3 (b) に示した例においては、電流 i 23および i 45はともに所定値を下回るので、ゲート線 G 2 および G 3の一方または両方、およびゲート線 G 4および G 5の一方または両方に断線の可能性があると判定できる。

ここで、この判定結果と、上述した第 1のゲート線断線検査過程の判定結果とを総合勘案することにより、いずれのゲート線に欠陥が生じているのかを特定することができる。すなわち、第 2のゲート線断線検査過程においては、ゲート線 G 2および G 3の一方または両方に欠陥があると判定されたが、第 1のゲート線断線検査過程においては、ゲート線 G 2に欠陥はないと判定されている。これらの判定結果を考慮すれば、結局、ゲート線 G 3に欠陥があると特定することができる。

なお、ゲート線 G 4、 G 5および G 6については、電流 i 3 4、 i 4 5および i 5 6がともに所定値を下回っているため、いずれのゲート線に欠陥があるのかは特定できない。しかしながら、ゲート線 G 4〜G 5にかけて連続的または断続的に欠陥箇所が存在するとの判定を行うことができる。

以上説明した検査の結果、いずれかのゲート線に欠陥があると判定された場合には、当該電気光学装置用基板は不良品であると判定され、検査を終了する（ステヅプ S T 1 0、 S T 3および S T 4 ) 。一方、いずれのゲート線にも断線がないと判定された場合には、当該電気光学装置用基板は良品であると判定される（ステツプ S T 1 1および S T 1 7 ) 。ここで、上記ステップ S T 1において、 Yシフトレジス夕 1の機能が不良であると判定されている。従って、当該電気光学装置用基板 S 1が実際に電気光学装置に用いられた場合には、 Yシフトレジスタ 2 によって各ゲート線が駆動されることとなる（ステップ S T 1 2 ) 。この場合には、機能不全である Yシフトレジス夕 1側の 3ステートバッファ群 5を構成する各 3ステートバッファ 5 1〜5 6を、ハイィンピ一ダンス状態とする。

また、以上説明した検査（ステップ S T 9 ) の結果に基づいて、ゲート線 G 3 〜G 6付近の配線形成工程等をチェックすることにより、断線発生の要因を追跡したり推測することが可能となる。従って、ゲート線の断線等の再発防止の対策を講じることができる。また、ゲート線における断線の有無を短い時間で確実に検出することができるため、断線等の欠陥を有する電気光学装置用基板が、電気光学装置の組立ラインに供給されるのを確実に回避することができる。ところで、図 2中のステップ S T 2で、 Yシフトレジスタ 2に何らかの動作不良が生じていると判定された場合には、上記ステップ S T 9における一連の検査工程を Yシフトレジスタ 1を用いて行う（ステップ ST 1 3) 。すなわち、まず、ノソファステージ 4内の各 3ステートバッファ 6 1〜 66に対して口一レベルの信号 DRV— Rを供給し、各 3ステートバッファ 6 1〜66の出力部をハイインピーダンス状態とする。そして、第 1のデ一夕線断線検査過程においては、第 1 の右側トランジスタ列（T 3 a、 T 3 b、 T 3 c) の各ゲートに対し、各薄膜トランジス夕をオン状態とする信号をテスト端子から供給する。一方、第 1の左側トランジスタ列（T 1 a、 T 1 b、 T 1 c ) _N 第 2の左側トランジス夕列（T 2 a、 T 2 b) 、および第 2の右側トランジスタ列（T 4 a、 T 4 b) はオフ状態としておく。この結果、各ゲート線の右側の端部において、ゲート線 G 1と G2 との間、ゲート線 G 3と G 4との間、およびゲート線 G 5と G 6との間が導通されることとなる。

この状態で、 Yシフトレジスタ 1を動作させ、各々導通された一対のゲート線に電流を流す。そして、この電流値を測定し、測定された電流値と上述した所定値とを比較することにより、各ゲート線の断線の有無を判定する。

一方、第 2のデータ線断線検査過程においては、第 2の右側トランジスタ列（T 4 a、 T 4 b) の各ゲートに対し、各薄膜トランジスタをオン状態とする信号をテスト端子から供給する。一方、第 1の左側トランジスタ列（T 1 a、 T 1 b、 T i c) , 第 2の左側トランジスタ列（T 2 a、 T 2 b) 、および第 1の右側トランジス夕列（T 3 a、 T 3 b、 T 3 c) はオフ状態としておく。この結果、ゲ —ト線 G 2と G 3との間、およびゲート線 G 4と G 5との間が各ゲート線の右側の端部近傍において導通される。この状態で、 Yシフトレジスタ 1を動作させ、各々導通された一対のゲート線に電流を流す。そして、この電流値と所定値とを比較することにより、各ゲート線の断線の有無を判断する（ステップ S T 14) 。なお、ここでは、ステップ ST 2において Yシフトレジスタ 2が不良であると判断されている。従って、上記検査の結果、いずれの配線にも欠陥がないと判断された場合、当該電気光学装置用基板のゲート線は、 Yシフトレジスタ 1によつて駆動されることとなる（ステップ S T 1 6 )

また、図 2中のステップ S T 2で、 Yシフトレジス夕 1および 2がともに良品であると判定された場合には、上記ステップ S T 9における一連の検査工程と同様の工程を Yシフトレジス夕 1または 2のいずれか一方または両方を用いて行う (ステップ S T 5 ) 。この結果、いずれの配線にも欠陥がないと判断された場合、当該電気光学装置用基板のゲート線は、 Yシフトレジス夕 1または 2の一方または両方によって駆動されることとなる（ステップ S T 8 ) 。

以上説明したように、本発明に係る電気光学装置用基板 S 1によれば、たとえ左右一方の Yシフトレジスタやバッファステージが静電破壊していたり、パターン不良等で機能不全となっている場合であっても、一方のシフトレジス夕ゃバッファステージが正常に動作する状態にあれば断線検査を行うことができる。また、バッファステージ内の各 3ステ一トバッファを独立にハイィンピーダンス状態とすることができるため、シフトレジスタの一方が機能不全であったとしても、機能不全のシフトレジス夕側の 3ステートバッファ群をハイインピ一ダンス状態とすることにより、従来どおりの駆動が可能となる。従って、電気光学装置の良品率を向上することができる。次に、デ一夕線 D 1〜D 6の欠陥の検査手順について説明する。

データ線 D 1〜D 6の検査は、原理的には概ねゲート線の検査と同様の手順により行われる。以下、データ線 D 1〜D 6の断線検査について、第 1のデ一夕線断線検査過程と第 2のデータ線断線検査過程とに分けて説明する。

( 1 ) 第 1のデータ線断線検査過程

まず、第 1のトランジスタ列（T 7 a、 T 7 b、 T 7 c ) の各ゲートに対して、各薄膜トランジスタをオン状態とする信号をテスト端子から供給する。一方、第 2のトランジスタ列（T 8 a、 T 8 b、 T 8 c ) はオフ状態としておく。この結果、データ線 D 1と D 2との間、デ一夕線 D 3と D 4との間、およびデータ線 D 5と D 6との間が、各データ線の一端において導通されることとなる。一方、デ一夕信号線 SRC 2には Hレベルの電圧を、データ信号線 SRC 1には Lレベルの電圧を、それそれ印加しておく。次に、 Xシフトレジスタ 7により、 2ビットのデータ "1 1"を順次シフ卜することにより、導通された各ゲート線に対して、順次電流を流す。すなわち、 Xシフトレジス夕 7の 6ステージの出力状態が " 1 10000" となると、データ線 D 1とデータ信号線 SRC 2とが導通するとともに、データ線 D 2とデータ信号線 SRC 1とが導通する。この結果、データ線 D 1および D 2のいずれにも断線がない場合、データ線 D 1→薄膜トランジスタ T 7 a→ゲート線 D 2という経路を経て電流 i 12が流れる。続いて、 Xシフトレジス夕 7を動作させ、 Xシフトレジス夕 7の 6ステージの出力状態を "001 100" とする。これにより、データ線 D 3とデータ信号線 S R C 2とが導通するとともに、データ線 D 4とデータ信号線 SRC 1とが導通する。この結果、デ —夕線 D 3および D 4のいずれにも断線がない場合、データ線 D 3→薄膜トランジス夕 T 7 b→デ一夕線 D 4という経路を経て電流 i 34が流れる。同様に、 X シフトレジス夕 7の 6ステージの出力状態を "00001 1" とすることにより、データ線 D 5と D 6との間に電流 i 56が流れる。こうして、第 1のトランジス夕列（T7 a、 T7 b、 T 7 c) によって導通された一対のデータ線の間に電流を順次流すことができる。一方、上記工程に並行して、上述した電流 i 12、 i 34および i 56の電流値を測定する。そして、この測定された電流値と、予め求められた所定値とを比較することにより、導通された一対のデータ線における断線の有無を判定することができる。

(2) 第 2のデータ線断線検査過程

次に、第 2のトランジスタ列（T8 a、 T 8 b) の各ゲートに対して、各薄膜トランジスタをオン状態とする信号をテスト端子から供給する。一方、第 1のトランジスタ列（T 7 a、 T 7 b、 T 7 c) はオフ状態としておく。この結果、デ —夕線 D 2と D 3との間、およびデ一夕線 D 4と D 5との間が、各データ線の下側の一端において導通される。続いて、 Xシフトレジスタ 7を用い、デ一夕線 D 2に接続された薄膜トランジスタ T 5 aとデータ線 D 3に接続された薄膜トランジス夕 T 5 bとをオンにする。この結果、デ一夕線 D 2と D 3との間に電流 i 2 3を流すことができる。以後同様の手順を踏むことにより、データ線 D 4と D 5 との間に電流 i 4 5を流す。これらの電流 i 2 3および i 4 5の電流値を測定し、上述した所定値と比較することにより、導通された一対のデータ線における断線の有無を判定する。

そして、上述した第 1のデータ線検査過程および第 2のデータ線検査過程の結果を総合勘案することにより、欠陥が存在するデータ線を特定することができる。もちろん、第 1のデータ線断線検査過程においてすベてのデータ線に断線箇所または狭窄部がないことが分かった場合には、第 2のデータ線断線検査過程を行う必要はない。

なお、第 1の断線検査過程および第 2の断線検査過程における判定および双方の検査過程の判定結果を総合勘案した最終的な判定については、マイクロコンビュ一タ等によって自動的に行うようにすることもできる。

また、断線検査の検査結果をハードディスク等の記憶装置に記憶したり、当該結果をプリン夕等によって印字出力するようにしてもよい。こうすれば、断線結果を、断線発生の要因等を研究するための資料として活用することもできる。また、本実施形態においては、簡略化のためにゲート線およびデ一夕線がそれそれ 6本ずつ設けられた場合について説明した。これに対し、実際の電気光学装置においては、例えば 4 8 0本のゲ一卜線と 6 4◦ X 3本（R G B各色に対応）のデ一夕線とが設けられたものや、 1 0 2 4本のゲート線と 1 2 8 0 X 3本のデ一夕線とが設けられたものが知られている。このような構成の電気光学装置であつても、上述した手順により、各ゲート線およびデータ線の断線検査を行うことができるのはもちろんである。ぐ電気光学装置の全体構成 >

次に、図 4を参照して、上述した電気光学装置用基板を用いた電気光学装置の構造について説明する。ここで、図 4 ( a ) は、電気光学装置の構成を示す平面図であり、図 4 ( b ) は、図 4 ( a ) における A— A，線の断面図である。

これらの図に示されるように、電気光学装置 1 0 0は、上記実施形態に係る電気光学装置用基板 S 1 と対向基板 1 0 2とが、シール材 1 0 4によって一定の間隙を保って貼り合わせられている。対向基板 1 0 2の電気光学装置用基板 S 1と対向する表面には、対向電極 1 0 8などが形成されている。そして、両基板の間隙には、電気光学材料としての液晶 1 0 5が挟持されている。なお、実際にはシール材 1 0 4には切欠部分がある。そして、この切欠部分を介して液晶 1 0 5が封入された後、封止材によって封止される。ただし、図 4 ( a ) および（b ) においては切欠部分および封止材は省略されている。また、上述したように、複数のゲート線および複数のデータ線の交差部分に対応して薄膜トランジスタ（図 4 ( a ) および（b ) においては図示せず）が設けられている。この薄膜トランジス夕のドレインには、画素電極 1 1 8が接続されている。各画素電極 1 1 8は、図 4 ( a ) に示すように、各ゲート線およびデータ線の交差部分に対応してマトリクス状に配列される。また、図 4 ( a ) における領域 1 0 7には、複数の接続端子が形成されている。各接続端子の一端は、上述した Yシフトレジスタ 1および 2ならびに Xシフトレジスタ 7等に接続されている。一方、各接続端子の他端は、外部装置の出力端子と接続されている。これにより外部装置からの信号および電源が、電気光学装置 1 0 0の各部に供給されるようになっている。く変形例〉

上記実施形態に係る電気光学装置用基板 S 1は、複数のゲート線の両端にそれそれ Yシフトレジスタ 1および 2が接続され、隣接するすべてのゲート線の間に薄膜トランジスタが設けられた構成とした。しかしながら、電気光学装置の構成はこれに限られるものではない。以下、図 5を参照して、本発明の変形例に係る電気光学装置用基板 S 3とその検査方法について説明する。

同図に示すように、この電気光学装置用基板 S 3は、複数のゲート線 G 1〜G 6と Yシフトレジスタ 1とを具備している。なお、図 5においては、便宜的に 6 本のゲート線のみを図示しているが、実際の電気光学装置においては、より多数のゲート線が設けられるのは言うまでもない。また、図 5においては、便宜的に、ゲート線 G 1〜G 6と Yシフトレジスタ 1のみを図示しているが、実際には、上記実施形態と同様に、複数のデータ線および Xシフトレジス夕が設けられている。図 5に示すように、各ゲート線の一端は、 Yシフトレジスタ 1にそれそれ接続されている。また、各ゲート線 G 1〜G 6の Yシフトレジス夕 1に接続された一端と反対側の一端には、複数のスイッチング素子が接続されている。各スイッチング素子は、例えば薄膜トランジスタであり、接続された 2本のゲート線間の接続および切断を切換えるためのものである。具体的には、ゲート線 G 1と G2との間に薄膜トランジスタ T 12が、ゲート線 G3と G4との間には薄膜トランジス夕 T 34が、ゲート線 G 4と G 5との間には薄膜トランジスタ T 45が、それそれ設けられている。つまり、図 5に示すように、上から数えて奇数番目のゲート線 G l、 G3、 G5と、これらの各ゲート線と一方の側（図 5においては下側）において隣接する偶数番目のゲート線 G 2、 G4、 G 6との間に薄膜トランジス夕が設けられているのである。各薄膜トランジスタ T 12、 T34、 Τ56のゲ —トは、基板上に設けられたテスト端子にそれぞれ接続されており、このテスト端子から供給される信号に応じてオンオフが切換えられるようになつている。以上示した構成の電気光学装置 S 3において、ゲート線の断線の有無の検査は、以下の手順で行われる。

まず、各薄膜トランジスタ Τ 12、 Τ 34、 Τ 56のゲートに対して所定の電圧を印加し、各薄膜トランジスタをオンにする。この結果、ゲート線 G 1と G2 との間、ゲート線 G 3と G 4との間、およびゲート線 G 5と G 6との間を、各ゲート線の右側の端部近傍において導通させることができる。次に、 Υシフトレジス夕 1により、 1ビッ卜のデータ "1" を順次シフトすることにより、各々導通された各ゲート線に対して順次電流を流す。具体的には、まず、 Υシフトレジス夕 1の 6ステージの出力状態を " 100000" とする。この結果、ゲート線 G 1および G 2のいずれにも断線がない場合、ゲート線 G 1→薄膜トランジスタ Τ 12→ゲート線 G 2という経路を経て電流 i 12が流れる。次に、 Yシフトレジス夕 1を動作させ、 Yシフトレジスタ 1の 6ステージの出力状態を "00100 0" とすることにより、ゲート線 G3と G4との間に電流 i 34を流す。以後同様にして、ゲート線 G 5と G 6との間に電流 i 56を流す。そして、上記工程に並行して、上記電流 i 1 2、 i 3 4、 i 5 6の電流値を順次測定する。この測定された各電流値と、予め求められた所定値とを比較することにより、各ゲート線における断線の有無を判定することができる。

この変形例によれば、上記実施形態のように、欠陥を有するゲート線を 1本に特定することはできない。しかしながら、一対のゲート線のうちのいずれか一方に欠陥があることを判定することができる。さらに、上記実施形態における第 2 のゲート線断線検査過程にあたる工程（すなわち、相互に導通させるゲート線を別のゲート線に切換えて検査を行う工程）を行う必要がないため、上記実施形態と比較して短い時間で検査を行うことができるという利点がある。

Claims

請求の範囲

1 . 複数の配線と、

各々隣接する前記各配線の間に介挿された複数のスィツチング素子であって、各々第 1グループまたは第 2グループのいずれかに属し、隣合うスィツチング素子は異なるグループに属し、前記各グループ単位で当該グループに属するスィッチング素子のオンオフ切換えが可能な複数のスィツチング素子と、

前記複数のスィツチング素子を介して直列接続される 2本の配線からなる複数の配線対に電流を流し、または電圧を印加する通電手段と

を具備することを特徴とする電気光学装置用基板。

2 . 各々第 1端部および第 2端部を有する複数の配線と、

各々隣接する前記各配線の間の前記第 1端部近傍に介挿された複数の第 1スィツチング素子であって、各々第 1グループまたは第 2グループのいずれかに属し、隣合うスィツチング素子は異なるグループに属し、前記各グループ単位で当該グループに属するスィツチング素子のオンオフ切換えが可能な複数の第 1スィッチング素子と、

各々隣接する前記各配線の間の前記第 2端部近傍に介挿された複数の第 2スィツチング素子であって、各々第 3グループまたは第 4グループのいずれかに属し、隣合うスィツチング素子は異なるグループに属し、前記各グループ単位で当該グループに属するスィツチング素子のオンオフ切換えが可能な複数の第 2スィツチング素子と、

前記複数の第 1スィツチング素子を介して直列接続される 2本の配線からなる複数の配線対に電流を流し、または電圧を印加する第 1通電手段と、

前記複数の第 2スイッチング素子を介して直列接続される 2本の配線からなる複数の配線対に電流を流し、または電圧を印加する第 2通電手段と

を具備することを特徴とする電気光学装置用基板。

3 . 前記第 1通電手段と第 2通電手段の各々は、前記複数の配線の駆動手段として使用可能な回路であり、

各配線の駆動を指令するデータを順次シフトするシフトレジスタと、各々前記シフトレジスタの各ステージに対応した複数の 3ステートバッファであって、各々の出力端が前記各配線の端部と接続された複数の 3ステートバッファと

を有することを特徴とする請求項 2に記載の電気光学装置用基板。

4 . 複数の選択線と、複数の信号線と、各選択線および信号線に接続されたスィツチング素子と、各スィツチング素子に接続された画素電極とを具備するァクテイブマトリクス基板において、

各々隣接する前記各信号線の間に介挿された複数の検査用スィツチング素子であって、各々第 1グループまたは第 2グループのいずれかに属し、隣合う検査用スィツチング素子は異なるグループに属し、前記各グループ単位で当該グループに属する検査用スィツチング素子のオンオフ切換えが可能な複数の検査用スィッチング素子と、

前記各信号線の駆動に使用可能な信号線駆動回路であって、前記複数の検査用スィツチング素子を介して直列接続される 2本の信号線からなる複数の信号線対に電流を流し、または電圧を印加する信号線駆動回路と

を具備することを特徴とするアクティブマトリクス基板。

5 . 各々第 1端部および第 2端部を有する複数の選択線と、複数の信号線と、各選択線および信号線に接続されたスィツチング素子と、各スィツチング素子の一端に接続された画素電極とを具備するァクティブマトリクス基板において、各々隣接する前記各選択線の間の前記第 1端部近傍に介挿された複数の第 1スィツチング素子であって、各々第 1グループまたは第 2グループのいずれかに属し、隣合うスイッチング素子は異なるグループに属し、前記各グループ単位で当該グループに属するスィツチング素子のオンオフ切換えが可能な複数の第 1スィツチング素子と、各々隣接する前記各選択線の間の前記第 2端部近傍に介挿された複数の第 2スィツチング素子であって、各々第 3グループまたは第 4グループのいずれかに属し、隣合うスイッチング素子は異なるグループに属し、前記各グループ単位で当該グループに属するスィツチング素子のオンオフ切換えが可能な複数の第 2スィツチング素子と、

前記各選択線の駆動に使用可能な第 1の選択線駆動回路であって、前記複数の第 1スィツチング素子を介して直列接続される 2本の選択線からなる複数の選択線対に電流を流し、または電圧を印加する第 1の選択線駆動回路と、

前記各選択線の駆動に使用可能な第 2の選択線駆動回路であって、前記複数の第 2スィツチング素子を介して直列接続される 2本の選択線からなる複数の選択線対に電流を流し、または電圧を印加する第 2の選択線駆動回路と

を具備することを特徴とするァクティブマトリクス基板。

6 . 複数の第 1配線の各々と複数の第 2配線の各々とを交互に配列してなる複数の配線と、

前記複数の第 1配線の各々と、当該各第 1配線と一方の側において隣接する各第 2配線との間に介挿された複数のスィツチング素子と、

前記複数のスィツチング素子の各々を介して直列接続される 2本の配線からなる複数の配線対に電流を流し、または電圧を印加する通電手段と

を具備することを特徴とする電気光学装置用基板。

7 . 複数の配線と、各々隣接する前記各配線の間に介挿された複数のスィッチング素子とを有する電気光学装置用基板の検査方法であって、

隣接するスィツチング素子が異なるグループに属するように、前記複数のスィツチング素子を第 1のグループおよび第 2のグループに分け、

前記第 1グループに属するスィツチング素子をオンにするとともに、当該スィツチング素子を介して直列接続される 2本の配線からなる複数の配線対に電流を流し、または電圧を印加することにより、当該配線対における欠陥の有無を判定する第 1の配線検査過程と、

前記第 2グループに属するスィツチング素子をオンにするとともに、当該スィツチング素子を介して直列接続される 2本の配線からなる複数の配線対に電流を流し、または電圧を印加することにより、当該配線対における欠陥の有無を判定する第 2の配線検査過程と、

前記第 1の配線検査過程の判定結果と前記第 2の配線検査過程の判定結果とに基づいて、欠陥を有する配線を判定する欠陥判定過程と

を有することを特徴とする電気光学装置用基板の検査方法。

8 . 各々第 1端部および第 2端部を有する複数の配線と、各々隣接する前記各配線間の前記第 1端部近傍に介挿された複数の第 1スィツチング素子と、各々隣接する前記各配線間のの前記第 2端部近傍に介挿された複数の第 2スィツチング素子と、前記複数の配線の第 1端部に接続された第 1通電手段と、前記複数の配線の第 2端部に接続された第 2通電手段とを具備する電気光学装置用基板の検査方法であって、

隣接する第 1スィッチング素子が異なるグループに属するように、前記複数の第 1スィツチング素子を第 1のグループおよび第 2のグループに分けるとともに、隣接する第 2スィッチング素子が異なるグループに属するように、前記複数の第 2スイッチング素子を第 3のグループおよび第 4のグループに分け、

前記第 1グループに属するスイッチング素子をオンにするとともに、当該スィッチング素子を介して直列接続される 2本の配線からなる複数の配線対に前記第 2通電手段を用いて電流を流し、または電圧を印加することにより、当該配線対における欠陥の有無を判定する第 1の配線検査過程と、前記第 2グループに属するスィツチング素子をオンにするとともに、当該スィツチング素子を介して直列接続される 2本の配線からなる複数の配線対に前記第 2通電手段を用いて電流を流し、または電圧を印加することにより、当該配線対における欠陥の有無を判定する第 2の配線検査過程とからなる第 1過程と、

前記第 3グループに属するスィツチング素子をオンにするとともに、当該スィツチング素子を介して直列接続される 2本の配線からなる複数の配線対に前記第 1通電手段を用いて電流を流し、または電圧を印加することにより、当該配線対における欠陥の有無を判定する第 1の配線検査過程と、前記第 4グループに属するスィツチング素子をオンにするとともに、当該スィツチング素子を介して直列接続される 2本の配線からなる複数の配線対に前記第 1通電手段を用いて電流を流し、または電圧を印加することにより、当該配線対における欠陥の有無を判定する第 2の配線検査過程とからなる第 2過程と

のうちのいずれか一方を実行する検査過程と、

前記第 1配線検査過程の判定結果と、前記第 2配線検査過程の判定結果とに基づいて、欠陥を有する配線を判定する欠陥判定過程と

9 . 前記検査過程に先立ち、前記第 1通電手段および第 2通電手段の機能の良否を判定する判定過程を有し、

前記検査過程においては、

前記判定過程において前記第 1通電手段が不良であると判定された場合には前記第 1過程を実行し、前記判定過程において前記第 2通電手段が不良であると判定された場合には前記第 2工程と実行し、前記判定過程において前記第 1通電手段および第 2通電手段の両方が不良であると判定された場合には第 1過程および第 2過程のいずれも実行しないこと

を特徴とする請求項 7に記載の電気光学装置用基板の検査方法。

1 0 . 複数の第 1配線の各々と複数の第 2配線の各々とを交互に配列してなる複数の配線と、前記複数の第 1配線の各々と当該第 1配線と一方の側において隣合う各第 2配線との間に介挿された複数のスィツチング素子とを具備する電気光学装置用基板の検査方法であって、

前記複数のスィツチング素子をオンにするとともに、当該スィツチング素子を介して直列接続される 2本の配線からなる複数の配線対に電流を流し、または電圧を印加することにより、当該配線対における欠陥の有無を判定する配線検査過程を有すること

を特徴とする電気光学装置用基板の検査方法。