KR100354942B1 - 전기 광학 장치용 기판, 액티브 매트릭스 기판 및 전기광학 장치용 기판의 검사방법 - Google Patents

전기 광학 장치용 기판, 액티브 매트릭스 기판 및 전기광학 장치용 기판의 검사방법 Download PDF

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Abstract

제 1 게이트선 단선 검사 과정에 있어서는, 제 1 좌측 트랜지스터열의 각 게이트에 대하여, 각 박막 트랜지스터를 온 상태로 하는 신호를 공급하고, 각 박막 트랜지스터에 의해서 도통된 2개의 게이트선에 흐르는 전류치를 측정한다. 제 2 게이트선 단선 검사 과정에 있어서는, 제 2 좌측 트랜지스터열의 각 게이트에 대하여, 각 박막 트랜지스터를 온 상태로 하는 신호를 공급하며, 각 박막 트랜지스터에 의해서 도통된 2개의 게이트선에 흐르는 전류치를 측정한다. 다음에, 제 1 게이트선 단선 검사 과정 및 제 2 게이트선 단선 검사 과정에 있어서의 검사결과에 기초하여, 어떠한 게이트선에 결함이 있는지를 판정한다.

Description

전기 광학 장치용 기판, 액티브 매트릭스 기판 및 전기 광학 장치용 기판의 검사방법{Substrate for electrooptic device, Active matrix substrate, and Method of testing substrate for electrooptic device}
종래부터, 한 쌍의 기판의 틈에 액정을 협지하여 이루어지는 액정 표시 장치가 알려져 있다. 이러한 액정 표시 장치로서, 한 쌍의 기판중의 한쪽에 액티브 매트릭스 기판을 사용한 것이 실용화되어 있다. 이 액티브 매트릭스 기판은, 유리기판 등의 상면에, 복수의 데이터선과, 각 데이터선과 직교하는 복수의 게이트선이 형성되어 있다. 그리고, 각 데이터선과 게이트선의 교차에 대응하여 화소 전극이 형성되어 있다. 각 화소 전극은, 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)를 개재시켜 각 데이터선 및 게이트선에 접속되어 있다.
여기서, 게이트선 및 데이터선은, 각각 표시 화소의 수에 따른 개수만큼 형성된다. 예를 들면, 컬러 표시가 가능한 액정 표시 장치에 있어서는, 480개의 게이트선과 640×3개(RGB 각 색에 대응)의 데이터선이 구비된 것이나, 1024개의 게이트선과 1280×3개의 데이터선을 구비한 것이 알려져 있다. 이와 같이, 액티브 매트릭스 기판에는, 방대한 수의 배선을 형성할 필요가 있지만, 각 데이터선 및 게이트선에는 단선이나 배선 협착부(배선이 다른 부분보다도 좁게 되어 있는 부분) 등의 결함이 있어서는 안 된다.
그러나, 액티브 매트릭스 기판의 각종 제조공정에 있어서의 여러 가지 요인으로부터, 배선의 결함이 어떤 비율로 발생하게 되는 것은 피할 수 없는 것이 현 상황이다. 그 때문에, 게이트선이나 데이터선의 결함을 갖는 액티브 매트릭스 기판을 확실히 찾아내고, 또한, 동일 요인에 의거하는 단선 등의 결함의 재발을 방지하기 위해서 단선 개소를 정확하게 파악하고자 하는 요망이 있다.
이러한 요망에 대응하기 위한 단선 검사 방법이, 일본 실개소63-70596호 공보에 개시되어 있다.
이 단선 검사 방법에서는, 우선, 기판상에 스트라이프형으로 형성된 복수의 게이트선에 대해서, 1개째의 게이트선과 2개째의 게이트선의 좌단부끼리, 2개째의 게이트선과 3개째의 게이트선의 우단부끼리, 3개째의 게이트선과 4개째의 게이트선의 좌단부끼리, 4개째의 게이트선과 5개째의 게이트선의 우단부끼리, …, 와 같은 상태로, 인접하는 게이트선(또는 데이터선)의 단부끼리를 접속한다. 이와 같이 하는 것에 의해, 각 게이트선을 직렬로 접속하여 이루어지는 1개의 배선이 형성된다. 그리고, 예를 들면, 이 배선에 소정의 전류가 흐르는지의 여부를 조사하는 것에 의해, 어떠한 게이트선에 결함이 있는지의 여부를 판정한다.
그러나, 이 단선 검사 방법에서는, 게이트선의 어느 것이 단선하고 있는지의 여부를 검사할 수 있지만, 구체적으로 어떤 게이트선에 결함이 있는지를 밝혀낼 수는 없다. 따라서, 이 검사방법을 사용한 경우, 게이트선의 단선 개소의 위치를 판정하여, 결함을 생기게 한 요인 등을 추적하거나, 유추할 수 없다. 이 때문에, 단선의 재발 방지에 대한 유효한 대책을 강구할 수 없다는 문제가 있다.
또한, 상기 단선 검사 방법에 있어서는, 직렬로 접속한 배선에 일정한 전류(i)를 흘리고, 그 양 단부에 있어서의 전위차를 측정하는 것에 의해 결함의 유무를 판단하는 것도 생각된다. 구체적으로는, 우선, 어떠한 배선에도 결함이 존재하지 않는 경우의 전압을 미리 측정하여 둔다. 이 전압은, 배선(예를 들면 게이트선)의 한개당의 저항치를 RL, 배선의 총 개수(예를 들면 게이트선의 총 개수)를 N이라고 하면, iNRL로 나타난다. 다음에, 검사대상인 배선의 양 단부에 있어서의 전위차를 측정한다. 여기서, 어떠한 배선에 결함이 존재한 경우, 측정되는 전압은 i(RB+NRL)로 나타난다. RB는 배선 협착부 등의 결함 개소에 있어서의 저항치이다. 그리고, 이들의 전압의 차, 즉, iNRL-i(RB+NRL)를 구한다. 그리고, 이 결과 검출된 전압치가 소정치보다도 작은 경우에는, 어떠한 배선에 단선이 있다고 판정하는 것이다.
그러나, 이 수법을 채용한 경우, NRL≫RB로 되어 있을 때에는, 상술한 식으로부터 구해지는 전압은 ≒ 0이 되어 버리기 때문에, 결함의 검출을 할 수 없게 되어 버린다. 결국, 상술한 방법에서는, 배선수가 많은 경우(즉 저항(NRL)이 큰 경우)나 배선이 가늘게 되어 있을 뿐으로 완전하게는 단선하고 있지 않는 경우(즉, 배선의 일부에 협착부가 있는 상태에서 저항(RB)이 비교적 작은 경우)에는, 결함의 검출이 곤란하게 되어 버린다는 문제가 있었다.
그래서, 상기와 같은 문제를 해소하기 위해서, 이하에 나타내는 방법에 의해서 단선이나 배선 협착부를 검출하는 방법이 제안되어 있다. 이 방법에 대해서, 도 6을 참조하여 설명한다. 도 6에 도시하는 액티브 매트릭스 기판(S2)에 있어서, 예를 들면 게이트선(G1 내지 G6)의 좌단측에 게이트 전극 구동회로로서의 Y 시프트 레지스터(31) 및 버퍼 스테이지(33)가 설치되어 있고, 우단측에는 Y 시프트 레지스터(32) 및 버퍼 스테이지(34)가 설치되어 있다.
이 검사방법에서는, 우선, Y 시프트 레지스터(32)측의 버퍼 스테이지(34)의 최종단의 출력 레벨을 전부 로우 레벨로 한 후에, Y 시프트 레지스터(31)에 선택 펄스를 입력한다. 구체적으로는, Y 시프트 레지스터(31)측의 버퍼 스테이지(33)의 최종단의 인버터의 출력신호를 순차 배타적으로 로우 레벨로부터 하이 레벨로 전환한다. 이 결과, 게이트선(G1, G2, …, G6)에는, 순차, 전류(i1, i2,··· i6)가 흐르게 된다. 이들의 각 전류치를, 버퍼 스테이지(34)의 근방에 있어서 측정하는 것에 의해, 게이트선의 하나 하나에 대하여 단선의 유무를 검사해 가는 것이다.
여기서, 전류(i1, i2,···i6)의 전류치가 소정치 이상이면, 그 게이트선에는 단선은 없다고 판단할 수 있다. 이것에 대하여, 측정된 전류치가 소정치보다도 낮은 경우에는, 그 게이트선에 어떠한 결함이 있는 것이라고 판단할 수 있다.
그런데, Y 시프트 레지스터(31,32) 등을, 최고 프로세스 온도가 400 내지 600℃ 정도의 저온 프로세스에서 작성한 폴리실리콘을 사용하여 형성한 경우, 그 Y 시프트 레지스터(31,32)가 정전 파괴되어 기능부전이 될 위험성이 높은 것을 알 수 있다. 더욱이, 미립자 등의 영향에 의해서 패턴 불량이 생기고, 이로써 Y 시프트레지스터(31,32)에 기능부전이 생겨 버리는 경우도 있다.
따라서, 예를 들면 Y 시프트 레지스터(31, 32)의 적어도 한쪽에 불량이 생기고, 버퍼 스테이지(33,34)의 전부가 하이 레벨에 고정되어 있는 경우에는, 상기의 단선 검사 방법에서 게이트선(G1 내지 G6)을 순차 선택하여 전류를 흘릴 수 없다. 따라서, 상술한 단선 검사 방법에서는, 단선 검사 작업을 항상 안정하게 할 수 없다는 우려가 있었다.
더욱이, 상술한 단선 검사 방법에 있어서는, 방대한 개수의 배선의 각각을 순차 선택하고, 단선의 유무를 검출하지 않으면 안 된다. 따라서, 검사에 요하는 시간이 길어져 버리는 문제도 있다.
본 발명은 전기 광학 장치용 기판, 액티브 매트릭스 기판 및 전기 광학 장치용 기판의 검사방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예인 전기 광학 장치용 기판의 구성을 도시하는 도면.
도 2는 동 실시예인 전기 광학 장치용 기판의 검사 순서를 도시하는 흐름도.
도 3은 동 실시예인 전기 광학 장치용 기판의 검사방법을 도시하는 도면.
도 4a는 동 실시예인 전기 광학 장치용 기판을 사용한 전기 광학 장치의 구성을 도시하는 평면도이고, 도 4b는 도 4a에 있어서의 A-A'선의 단면도.
도 5는 본 발명의 변형예인 전기 광학 장치용 기판의 구성을 도시하는 도면.
도 6은 종래의 검사방법을 적용한 전기 광학 장치용 기판의 일 예를 도시하는 도면.
본 발명은 상술한 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 신속하고 또한 확실하게 결함 개소를 특정할 수 있고, 또한, 항상 안정하게 결함 검사를 행할 수 있는 전기 광학 장치용 기판 및 액티브 매트릭스 기판 및 전기 광학 장치용 기판의 검사방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은, 복수의 배선과, 복수의 스위칭 소자와, 통전수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치용 기판을 제공하는 것이다. 여기서, 복수의 스위칭 소자의 각각은, 인접하는 상기 각 배선의 사이에 삽입되어 있다. 또한 복수의 스위칭 소자의 각각은, 제 1 그룹 또는 제 2 그룹의 어느 하나에 속하고, 인접하는 스위칭 소자는 다른 그룹에 속하며, 상기 각 그룹 단위로 해당 그룹에 속하는 스위칭 소자의 온 오프 전환이 가능하다. 또한, 상기통전수단은, 복수의 스위칭 소자를 개재시켜 직렬 접속되는 2개의 배선으로 이루어지는 복수의 배선쌍에 전류를 흘리고, 또는 전압을 인가한다.
또한, 본 발명은 상술한 전기 광학 장치용 기판의 검사방법을 제공하는 것이다. 이 검사방법은, 복수의 배선과, 각각 인접하는 상기 각 배선의 사이에 삽입된 복수의 스위칭 소자를 갖는 전기 광학 장치용 기판의 검사방법으로서, 인접하는 스위칭 소자가 다른 그룹에 속하도록, 상기 복수의 스위칭 소자를 제 1 그룹 및 제 2 그룹으로 나누고, 상기 제 1 그룹에 속하는 스위칭 소자를 온으로 함과 동시에, 해당 스위칭 소자를 개재시켜 직렬 접속되는 2개의 배선으로 이루어지는 복수의 배선쌍에 전류를 흘리고, 또는 전압을 인가하는 것에 의해, 해당 배선쌍에 있어서의 결함 유무를 판정하는 제 1 배선 검사 과정과, 상기 제 2 그룹에 속하는 스위칭 소자를 온으로 함과 동시에, 해당 스위칭 소자를 개재시켜 직렬 접속되는 2개의 배선으로 이루어지는 복수의 배선쌍에 전류를 흘리고, 또는 전압을 인가하는 것에 의해, 해당 배선쌍에 있어서의 결함의 유무를 판정하는 제 2 배선 검사 과정과, 상기 제 1 배선 검사 과정의 판정결과와 상기 제 2 배선 검사 과정의 판정결과에 기초하여, 결함을 갖는 배선을 판정하는 결함 판정 과정을 갖는 것을 특징으로 하고 있다.
이러한 전기 광학 장치용 기판의 검사방법에 의하면, 인접하는 2개의 배선으로 이루어지는 배선쌍에 있어서의 결함의 유무를 판정할 수 있으므로, 각 배선의 결함의 유무를 고속으로 검출할 수 있다. 또한, 제 1 그룹에 속하는 스위칭 소자에 의해서 직렬 접속된 2개의 배선으로 이루어지는 배선쌍에 있어서의 결함의 유무와, 제 2 그룹에 속하는 스위칭 소자에 의해서 직렬 접속된 2개의 배선으로 이루어지는 배선쌍에 있어서의 결함의 유무를 판정할 수 있기 때문에, 각 판정결과에 기초하여, 결함을 갖는 배선을 비교적 상세하게 특정할 수 있다.
또한, 본 발명은, 각각 제 1 단부 및 제 2 단부를 갖는 복수의 배선과, 각각 인접하는 상기 각 배선의 사이의 상기 제 1 단부 근방에 삽입된 복수의 제 1 스위칭 소자로서, 각각 제 1 그룹 또는 제 2 그룹의 어느 하나에 속하고, 인접하는 스위칭 소자는 다른 그룹에 속하며, 상기 각 그룹 단위로 해당 그룹에 속하는 스위칭 소자의 온 오프 전환이 가능한 복수의 제 1 스위칭 소자와, 각각 인접하는 상기 각 배선의 사이의 상기 제 2 단부 근방에 삽입된 복수의 제 2 스위칭 소자로서, 각각 제 3 그룹 또는 제 4 그룹의 어느 하나에 속하며, 인접하는 스위칭 소자는 다른 그룹에 속하고, 상기 각 그룹 단위로 해당 그룹에 속하는 스위칭 소자의 온 오프 전환이 가능한 복수의 제 2 스위칭 소자와, 상기 복수의 제 1 스위칭 소자를 개재시켜 직렬 접속되는 2개의 배선으로 이루어지는 복수의 배선쌍에 전류를 흘리고, 또는 전압을 인가하는 제 1 통전수단과, 상기 복수의 제 2 스위칭 소자를 개재시켜 직렬 접속되는 2개의 배선으로 이루어지는 복수의 배선쌍에 전류를 흘리며, 또는 전압을 인가하는 제 2 통전수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치용 기판을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명은, 이 전기 광학 장치용 기판의 검사방법을 제공하는 것이다. 이 검사방법은, 인접하는 제 1 스위칭 소자가 다른 그룹에 속하도록, 상기 복수의 제 1 스위칭 소자를 제 1 그룹 및 제 2 그룹으로 나누고, 제 1 과정과 제 2 과정중의 한쪽을 실행하는 검사 과정을 가지고 있다. 제 1 과정은, 상기 제 1 그룹에 속하는 스위칭 소자를 온으로 함과 동시에, 해당 스위칭 소자를 개재시켜 직렬 접속되는 2개의 배선으로 이루어지는 복수의 배선쌍에 상기 제 2 통전수단을 사용하여 전류를 흘리며, 또는 전압을 인가하는 것에 의해, 해당 배선쌍에 있어서의 결함의 유무를 판정하는 제 1 배선 검사 과정과, 상기 제 2 그룹에 속하는 스위칭 소자를 온으로 함과 동시에, 해당 스위칭 소자를 개재시켜 직렬 접속되는 2개의 배선으로 이루어지는 복수의 배선쌍에 상기 제 2 통전수단을 사용하여 전류를 흘리고, 또는 전압을 인가하는 것에 의해, 해당 배선쌍에 있어서의 결함의 유무를 판정하는 제 2 배선 검사 과정으로 이루어진다. 또한, 제 2 과정은, 상기 제 3 그룹에 속하는 스위칭 소자를 온으로 함과 동시에, 해당 스위칭 소자를 개재시켜 직렬 접속되는 2개의 배선으로 이루어지는 복수의 배선쌍에 상기 제 1 통전수단을 사용하여 전류를 흘리고, 또는 전압을 인가하는 것에 의해, 해당 배선쌍에 있어서의 결함의 유무를 판정하는 제 1 배선 검사 과정과, 상기 제 4 그룹에 속하는 스위칭 소자를 온으로 함과 동시에, 해당 스위칭 소자를 개재시켜 직렬 접속되는 2개의 배선으로 이루어지는 복수의 배선쌍에 상기 제 1 통전수단을 사용하여 전류를 흘리고, 또는 전압을 인가하는 것에 의해, 해당 배선쌍에 있어서의 결함의 유무를 판정하는 제 2 배선 검사 과정으로 이루어진다. 또한, 이 검사방법은, 상기 제 1 배선 검사 과정의 판정결과와, 상기 제 2 배선 검사 과정의 판정결과에 기초하여, 결함을 갖는 배선을 판정하는 결함 판정 과정을 가지고 있다.
이러한 전기 광학 장치용 기판의 검사방법에 의하면, 제 1 통전수단 및 제 2통전수단의 어느 한쪽의 기능이 불량이더라도, 다른쪽을 사용하여 검사를 행할 수있으므로, 항상 안정된 검사를 행할 수 있다는 이점이 있다.
또한, 상기 전기 광학 장치용 기판에 있어서는, 상기 제 1 통전수단과 제 2 통전수단의 각각은, 상기 복수의 배선의 구동수단으로서 사용 가능한 회로로 하여도 좋다. 즉, 각 통전수단을, 각 배선의 구동을 지령하는 데이터를 순차 시프트하는 시프트 레지스터와, 각각 상기 시프트 레지스터의 각 스테이지에 대응한 복수의 3 스테이트 버퍼로서, 각각의 출력단이 상기 각 배선의 단부와 접속된 복수의 3 스테이트 버퍼를 포함한 구성으로 하여도 좋다. 이렇게 하면, 배선 검사용의 회로를 별도로 설치할 필요가 없어지기 때문에, 제조 비용을 저감할 수 있다.
또한, 본 발명은, 복수의 제 1 배선의 각각과 복수의 제 2 배선의 각각을 교대로 배열하여 이루어지는 복수의 배선과, 상기 복수의 제 1 배선의 각각과, 해당 각 제 1 배선과 한쪽의 측에 있어서 인접하는 각 제 2 배선과의 사이에 삽입된 복수의 스위칭 소자와, 상기 복수의 스위칭 소자의 각각을 개재시켜 직렬 접속되는 2개의 배선으로 이루어지는 복수의 배선쌍에 전류를 흘리고, 또는 전압을 인가하는 통전수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치용 기판을 제공하는 것이다.
더욱이, 본 발명은, 이 전기 광학 장치용 기판의 검사방법을 제공하는 것이다. 이 검사방법은, 상기 복수의 스위칭 소자를 온으로 함과 동시에, 해당 스위칭 소자를 개재시켜 직렬 접속되는 2개의 배선으로 이루어지는 복수의 배선쌍에 전류를 흘리고, 또는 전압을 인가하는 것에 의해, 해당 배선쌍에 있어서의 결함의 유무를 판정하는 배선 검사 과정을 갖는 것을 특징으로 하고 있다.
이러한 전기 광학 장치용 기판의 검사방법에 의하면, 서로 직렬 접속되는 2개의 배선으로 이루어지는 복수의 배선쌍의 어느 하나에 결함이 있는 것을 판정할 수 있기 때문에, 신속하고 또한 상세하게 배선의 검사를 행할 수 있다는 이점이 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
<전기 광학 장치용 기판의 구성>
도 1은 본 발명에 관련되는 전기 광학 장치용 기판(S1)의 구성을 도시하는 도면이다. 이 전기 광학 장치용 기판(S1)에는, 복수개의 게이트선이 수평방향으로 연장하여 형성되고, 복수개의 데이터선이 수직방향으로 연장하여 형성되어 있다.또, 도 1에 있어서는, 편의상, 6개의 게이트선(G1 내지 G6)과, 6개의 데이터선(D1 내지 D6)이 형성된 전기 광학 장치용 기판(S1)을 도시하고 있다. 단, 실제의 전기 광학 장치에서는, 게이트선이 480개이며, 데이터선이 640×3개(RGB 각 색에 대응), 또는, 게이트선이 1024개로, 데이터선이 1280×3개와 같은 개수로 형성된다.
각 게이트선(G1 내지 G6)과 데이터선(D1 내지 D6)이 교차하는 부분에는, 각각 박막 트랜지스터(TFT)가 형성되어 있다. 각 박막 트랜지스터의 게이트는 게이트선에 접속되어 있다. 각 박막 트랜지스터의 소스는 데이터선에 접속되어 있다. 또한, 각 박막 트랜지스터의 드레인은 화소 전극에 접속되어 있다. 이러한 구성에 있어서, 각 박막 트랜지스터는, 게이트선에 공급되는 전압에 따라서 온 오프 제어된다. 그리고, 각 박막 트랜지스터가 온 상태로 되어 있는 동안에, 데이터선에 인가된 전압이, 각 화소 전극에 공급되도록 되어 있다.
이 실시예에 있어서는, 상기 TFT는 폴리실리콘층을 채널층으로 하는 이른바 폴리실리콘 TFT로 구성되어 있고, 주변회로를 구성하는 트랜지스터(스위칭 소자)와 함께 동일 프로세스에 의해, 동시에 형성된다.
인접하는 각 게이트선(G1 내지 G6)의 사이에는, 그 양 단부 근방에, 복수의 스위칭 소자가 설치되어 있다. 각 스위칭 소자는, 서로 인접하는 각 게이트선의 사이의 도통 및 절단을 전환하기 위한 것이다. 이들의 스위칭 소자는, 예를 들면 박막 트랜지스터(TFT)로 형성되어 있다. 또, 이하에서는, 게이트선(G1,G2)의 사이, 게이트선(G3,G4)의 사이, 및 게이트선(G5,G6)의 사이에 설치된 각 박막 트랜지스터중, 각 게이트선의 좌측의 단부 근방에 설치된 박막 트랜지스터(T1a, T1b,T1c)를 제 1 좌측 트랜지스터열(T1a, T1b, T1c)로 총칭하며, 각 게이트선의 우측의 단부 근방에 설치된 박막 트랜지스터(T3a, T3b,T3c)를 제 1 우측 트랜지스터열(T3a, T3b, T3c)로 총칭한다. 한편, 게이트선(G2,G3)의 사이, 및 게이트선(G4,G5)의 사이에 설치된 각 박막 트랜지스터중, 각 게이트선의 좌측의 단부 근방에 설치된 박막 트랜지스터(T2a,T2b)를 제 2 좌측 트랜지스터열(T2a, T2b)로 총칭하며, 각 게이트선의 우측의 단부 근방에 설치된 박막 트랜지스터(T4a,T4b)를 제 2 우측 트랜지스터열(T4a, T4b)로 총칭한다.
제 1 좌측 트랜지스터열(T1a, T1b, T1c) 및 제 2 좌측 트랜지스터열(T2a, T2b)의 각 게이트는, 기판상에 설치된 테스트 단자에 접속되어 있다. 그리고, 이들의 트랜지스터열을 구성하는 박막 트랜지스터는, 이 테스트 단자로부터 입력되는 신호에 따라서, 온 오프가 전환되고 있다. 구체적으로는, 각 트랜지스터열 단위로, 해당 트랜지스터열에 속하는 박막 트랜지스터의 온 오프가 전환되로록 되어 있다.
마찬가지로, 제 1 우측 트랜지스터열(T3a, T3b, T3c) 및 제 2 우측 트랜지스터열(T4a, T4b)의 각 게이트도, 기판상에 설치된 테스트 단자에 접속되어 있다. 그리고, 이들의 트랜지스터열을 구성하는 박막 트랜지스터는, 이 테스트 단자로부터 입력되는 신호에 따라서, 온 오프가 전환되도록 되어 있다. 구체적으로는, 각 트랜지스터열 단위로, 해당 트랜지스터열에 속하는 박막 트랜지스터의 온 오프가 전환된다.
또한, 각 게이트선(G1 내지 G6)의 좌측의 일단에는, 버퍼 스테이지(3)를 개재시켜 Y 시프트 레지스터(1)가 접속되어 있다. 한편, 각 게이트선(G1 내지 G6)의 우측의 일단에는, 버퍼 스테이지(4)를 개재시켜 Y 시프트 레지스터(2)가 접속되어 있다.
상기 버퍼 스테이지(3)의 최종단에는 3 스테이트 버퍼군(5)이 형성되어 있다. 3 스테이트 버퍼군(5)을 구성하는 각 3 스테이트 버퍼(51 내지 56)에는, 도시하지 않는 상위장치로부터 신호(DRV-L)가 공급된다. 또한, 버퍼 스테이지(4)의 최종단에는 3 스테이트 버퍼군(6)이 형성되어 있다. 이 3 스테이트 버퍼군(6)을 구성하는 각 3 스테이트 버퍼(61 내지 66)에는, 도시하지 않는 상위장치로부터 신호(DRV-R)가 공급된다. 상기 3 스테이트 버퍼군(5) 및 3 스테이트 버퍼군(6)을 구성하는 각 3 스테이트 버퍼는, 상위장치로부터 공급되는 신호(DRV-L, DRV-R)가 하이 레벨일 때는, 전단계의 인버터의 출력신호를 레벨 반전하여 게이트선에 출력한다. 또한, 상위장치로부터 공급되는 신호(DRV-L,DRV-R)가 로우 레벨일 때는, 각 3 스테이트 버퍼의 출력부는, 하이 임피던스 상태로 된다. 또, 상술한 상위장치란, 예를 들면, 기판상에 형성된 테스트 단자를 개재시켜, 각 3 스테이트 버퍼에 대하여 신호(DRV-L, DRV-R)를 공급할 수 있는 테스트 장치이다.
한편, 데이터선(D1, D3,D5)의 일단(도 1에 있어서는 상측의 일단)은, 박막 트랜지스터(T6a, T6b,T6c)를 개재시켜 데이터 입력선(SRC2)에 접속되어 있다. 또한, 데이터선(D2, D4,D6)의 일단(도 1에 있어서는 위쪽의 일단)은, 박막 트랜지스터(T5a, T5b,T5c)를 개재시켜 데이터 입력선(SRC1)에 접속되어 있다. 이들의 박막 트랜지스터의 게이트는, X 시프트 레지스터(7)에 접속되어 있다. 각 박막 트랜지스터는, X 시프트 레지스터(7)로부터 공급되는 신호에 따라서 온 오프 제어 된다. 그리고, 이로써, 데이터선(D1, D3,D5)과 데이터 입력선(SRC2)의 사이의 도통 또는 절단이 전환되는 한편, 데이터선(D2, D4,D6)과 데이터 입력선(SRC1)과의 사이의 도통 또는 절단이 전환되도록 되어 있다. 결국, 도시하지 않는 상위장치로부터 데이터 입력선(SRC1,SRC2)에 공급되는 전압을, 데이터선(D1 내지 D6)에 인가할 수 있다.
또한, 데이터선(D1 내지 D6)의 타단측(도 1상에서는 하단측)에는, 인접하는 각 데이터선의 사이의 도통·절단을 전환하기 위한 박막 트랜지스터가 설치되어 있다. 이하에서는, 데이터선(D1,D2)의 사이에 설치된 박막 트랜지스터(T7a), 데이터선(D3,D4)의 사이에 설치된 박막 트랜지스터(T7b), 및 데이터선(D5,D6)과의 사이에 설치된 박막 트랜지스터(T7c)를 제 1 트랜지스터열(T7a, T7b, T7c)로 총칭한다. 한편, 데이터선(D2,D3)의 사이에 설치된 박막 트랜지스터(T8a), 및 데이터선(D4,D5)의 사이에 설치된 박막 트랜지스터(T8b)를 제 2 트랜지스터열(T8a, T8b)로 총칭한다.
제 1 트랜지스터열(T7a, T7b, T7c) 및 제 2 트랜지스터열(T8a, T8b)의 각 게이트는, 기판상에 설치된 테스트 단자에 접속되어 있다. 그리고, 각 트랜지스터열을 구성하는 박막 트랜지스터는, 이 테스트 단자로부터 입력되는 신호에 따라서 온 오프가 전환되도록 되어 있다. 구체적으로는, 각 트랜지스터열 단위로, 해당 트랜지스터열에 속하는 박막 트랜지스터의 온 오프가 전환된다.
이상이 본 발명에 관련되는 전기 광학 장치용 기판의 구성이다.
<전기 광학 장치용 기판의 검사 순서>
다음에, 도 2에 도시하는 흐름도 및 도 3a 및 도 3b를 참조하여, 게이트선(G1 내지 G6)의 결함의 유무 및 단선 개소를 판정하는 순서를 설명한다.
우선, Y 시프트 레지스터(1,2)의 기능을 검사하고(단계 ST1), 각 Y 시프트 레지스터의 기능의 양부를 판정한다(단계 ST2). 이 Y 시프트 레지스터의 검사는, 예를 들면 이하의 순서에 의해서 행해진다. 우선, 기판상에 설치된 테스트 단자로부터 Y 시프트 레지스터(1)의 데이터 입력단자에 어떠한 데이터를 입력하고, Y 시프트 레지스터(1)에 의해 이 데이터를 시프트 시킨다. 그리고, Y 시프트 레지스터(1)의 최종 스테이지에서 출력되는 데이터를, 다른 테스트 단자를 개재시켜 검출하여 조사하는 것에 의해, Y 시프트 레지스터(1)의 기능의 양부를 판정한다. 동일한 검사를 Y 시프트 레지스터(2)에 대해서도 행하여, 각 Y 시프트 레지스터의 기능의 양부를 판정한다.
이 결과, Y 시프트 레지스터(1,2)가 모두 불량이라고 판정된 경우, 이 전기 광학 장치용 기판(S1)은 불량품이라고 판단할 수 있으므로, 게이트선(G1 내지 G6) 등의 결함의 유무의 검사를 행할 필요도 없고, 즉시 검사를 종료한다(단계 ST3, ST4).
한편, 단계(ST2)에 있어서, 어느 한쪽의 Y 시프트 레지스터, 또는 양쪽의 Y 시프트 레지스터가 우량품이라고 판정된 경우에는, 게이트선(G1 내지 G6)의 단선의 유무의 검사로 이행한다. 또, 어느 한쪽의 Y 시프트 레지스터가 불량이라고 판정된 경우라도, 다른쪽의 Y 시프트 레지스터를 사용하여 화상을 표시할 수 있다. 따라서, 이 시점에 있어서는 해당 전기 광학 장치용 기판 자체는 일단 우량품인 것으로 하여 이후의 검사를 행한다.
게이트선(G1 내지 G6)의 결함의 유무의 검사는, 제 1 게이트선 단선 검사 과정과 제 2 게이트선 단선 검사 과정으로 나눌 수 있다. 이하에서는, 이들의 각 검사 과정마다 검사의 내용을 설명한다. 또, 여기서는, 상기 단계(ST2)에 있어서 Y 시프트 레지스터(1)가 동작 불량이라고 판단된 경우를 상정한다(단계 ST9).
(1) 제 1 게이트선 단선 검사 과정
우선, 제 1 좌측 트랜지스터열(T1a, T1b, T1c)의 각 게이트에 대하여, 각 박막 트랜지스터를 온 상태로 하는 신호가, 기판상의 테스트 단자로부터 입력된다. 한편, 제 2 좌측 트랜지스터열(T2a, T2b), 제 1 우측 트랜지스터열(T3a, T3b, T3c)및 제 2 우측 트랜지스터열(T4a, T4b)은 오프상태로 해 둔다. 또한, Y 시프트 레지스터(1)에 접속된 버퍼 스테이지(3)내의 각 3 스테이트 버퍼(51 내지 56)에 대하여 로우 레벨의 신호(DRV-L)를 공급하고, 각 3 스테이트 버퍼(51 내지 56)의 출력부를 하이 임피던스 상태로 한다.
이 결과, 도 3a에 도시하는 바와 같이, 각 게이트선의 좌단의 단부에서, 게이트선(G1,G2)의 사이, 게이트선(G3,G4)의 사이, 및 게이트선(G5,G6)의 사이가 도통되게 된다.
다음에, Y 시프트 레지스터(2)에 의해, 1 비트의 데이터(“1”)를 순차 시프트하는 것에 의해, 각각 도통된 각 게이트선에 대하여, 순차 전류를 흘린다. 즉, Y 시프트 레지스터(2)의 6 스테이지의 출력상태가 “100000”으로 되면, 3 스테이트 버퍼(61)로부터는 하이 레벨의 신호가, 다른 3 스테이트 버퍼로부터는 로우 레벨의 신호가 출력된다. 이 결과, 게이트선(G1,G2)의 어떠한 것도 단선하지 않고 있는 경우에는, 게이트선(G1)→박막 트랜지스터(T1a)→게이트선(G2)라는 경로를 거쳐서 전류(i12)가 흐른다. 다음에, Y 시프트 레지스터(2)를 시프트 동작시켜, Y 시프트 레지스터(2)의 6 스테이지의 출력상태가 “001000”으로 되면, 3 스테이트 버퍼(63)로부터는 하이 레벨의 신호가, 다른 3 스테이트 버퍼로부터는 로우 레벨의 신호가 출력된다. 이 결과, 게이트선(G3,G4)의 어떠한 것도 단선하지 않고 있는 경우에는, 게이트선(G3)→박막 트랜지스터(T1b)→게이트선(G4)이라는 경로를 거쳐서 전류(i34)가 흐른다. 더욱이, Y 시프트 레지스터(2)를 시프트 동작시키는 것에 의해 Y 시프트 레지스터(2)의 6 스테이지의 출력상태를 “000010”으로 하면, 3 스테이트 버퍼(65)로부터는 하이 레벨의 신호가, 다른 3 스테이트 버퍼로부터는 로우 레벨의 신호가 출력된다. 이 결과, 게이트선(G5,G6)의 어떠한 것도 단선하지 않고 있는 경우에는 게이트선(G5)→ 박막 트랜지스터(T1c)→게이트선(G6)이라는 경로를 거쳐서 전류(i56)가 흐른다. 이렇게 하여, 각각 도통된 한 쌍의 게이트선의 사이에 전류를 순차 흘리는 것이다.
한편, 이 공정에 병행하여, 상기 전류(i12, i34,i56)의 전류치를 순차 측정한다. 이들의 각 전류치의 측정은, 예를 들면, 각 3 스테이트 버퍼의 전원 전류를 포함하는 전기 광학 장치용 기판 전체의 전원 전류를 전류계에 의해서 측정하여, Y시프트 레지스터(2)의 6 스테이지의 출력상태가 “000000”일 때의 전원 전류와의 차분을 구하는 것에 의해 실시할 수 있다.
또, 3 스테이트 버퍼(61 내지 66)의 출력단자에 전류 측정용의 패드를 형성하고, 그 패드에 프로브를 대어 2개의 패드간의 전압, 즉, 2개의 게이트선의 전압강하를 구하여도 좋다. 구체적으로는, 이하와 같다. 우선, 도통된 한 쌍의 게이트선의 어느 것에도 단선 또는 배선 협착부가 없는 경우에 검출되는 전압은, 2iRL로 된다. 여기서, i는, 한 쌍의 게이트선에 흘리는 전류의 전류치이고, RL은, 게이트선의 1개당의 저항치이다. 한편, 어느 하나의 게이트선에 배선 협착부가 존재한 경우, 측정되는 전압은 i(RB+2RL)로 나타난다. RB는 배선 협착부 등의 결함 개소에 있어서의 저항치이다. 그리고, 이들의 전압의 차, 즉, 2iRL-i(RB+2RL)를 구한다. 그리고, 이 값을 소정치와 비교함으로써, 게이트선에 단선 또는 배선 협착부가 있는지의 여부를 판정한다. 여기서, 상술한 종래의 기술에 나타낸 배선검사방법, 즉, 모든 게이트선을 접속하여 1개의 배선을 형성하고, 해당 배선의 양 단에 있어서의 전위차를 측정하는 방법에 있어서는, 배선수가 많은 경우에는 결함의 검출이 곤란하게 된다는 문제가 있었다. 이것에 대하여, 본 실시예에 의하면, 도통된 2개의 게이트선의 전압 강하를 구하도록 되어 있기 때문에, 배선이 많은 경우라도, 확실하게 각 배선의 결함을 검출할 수 있다는 이점이 있다.
또, 이하에서는, 각 게이트선을 흐르는 전류의 전류치를 구하고, 이 전류치에 기초하여 배선의 결함의 유무를 판정하는 것으로 하여 설명을 진행시킨다.
그런데, 이렇게 하여 측정된 각 전류치와, 미리 구해진 소정치를 비교하는것에 의해, 각 게이트선에 있어서의 단선의 유무를 판정한다(단계 ST10). 즉, 예를 들면, 측정된 전류치가 소정치를 넘고 있으면 그 게이트선간에는 단선이 없다고 판정하고, 소정치를 하회하는 경우에는 어느 하나의 게이트선에 단선이 있는 것으로 판정한다. 또, 상기 소정치는, 실험 등의 결과에 기초하여 미리 구해진 값이다.
도 3a에 도시하는 예에 있어서는, 실선의 화살표가, 상기 소정치를 넘는 전류가 흐르고 있는 것을 나타내고 있다. 이것에 대하여, 희게 한 화살표는, 상기 소정치를 하회하는 전류가 흐르고 있거나, 또는 전류가 전혀 흐르고 있지 않는 것을 나타내고 있다. 도 3a에 도시하는 예에 있어서는, 전류(i12)만이 소정치를 넘고 있기 때문에, 게이트선(G1,G2)에는 단선이 없다고 판정할 수 있다. 한편, 전류(i34)는 소정치를 하회하기 때문에, 이 단계에서는, 게이트선(G3,G4)의 한쪽 또는 양쪽에 단선 또는 배선 협착부 등의 결함이 있다고 판정할 수 있다. 마찬가지로, 전류(i56)도 소정치를 하회하기 때문에, 게이트선(G5,G6)의 한쪽 또는 양쪽에 단선이 있다고 판정할 수 있다.
그런데, 이 시점에서는, 단선이 있다고 판정된 1쌍의 게이트선(게이트선(G3, G4), 및 게이트선(G5,G6))중의 어느 쪽의 게이트선에 단선이 생기고 있는 것인지를 특정할 수는 없다. 이것을 밝히기 위해서, 상술한 순서의 뒤, 이하에 나타내는 제 2 게이트선 단선 검사 과정이 실행된다. 따라서, 제 1 게이트선 단선 검사 과정에 있어서, 모든 게이트선간을 흐르는 전류의 전류치가 소정치를 넘는 경우에는, 모든 게이트선에 단선은 없다고 판정할 수 있으므로, 이하에 도시하는 제 2 게이트선 단선 검사 과정을 생략할 수 있다. 이 경우에는, 전류치 측정을 위한 시간이, 상술한 도 6에 도시한 종래의 단선 검사 방법과 비교하여 대략 반으로 충분하다.
(2) 제 2 게이트선 단선 검사 과정
계속해서, 제 2 좌측 트랜지스터열(T2a, T2b)의 각 게이트에 대하여, 각 박막 트랜지스터를 온 상태로 하는 신호를 테스트 단자로부터 입력한다. 한편, 제 1 좌측 트랜지스터열(T1a, T1b, T1c), 제 1 우측 트랜지스터열(T3a, T3b, T3c),제 2 우측 트랜지스터열(T4a, T4b)은 오프상태로서 둔다. 또한, 버퍼 스테이지(3)내의 각 3 스테이트 버퍼(51 내지 56)의 출력부를 하이 임피던스 상태로 한다.
이로써, 도 3b에 도시하는 바와 같이, 각 게이트선의 좌단측에 있어서, 게이트선(G2,G3)의 사이, 및 게이트선(G4,G5)의 사이를 도통시킬 수 있다. 계속해서, 상기 제 1 게이트선 단선 검사 과정과 마찬가지로, Y 시프트 레지스터(2)에 의해 1 비트의 데이터(“1”)를 순차 시프트하는 것에 의해, 도통된 한 쌍의 각 게이트선에 대하여, 순차 전류를 흘린다. 즉, Y 시프트 레지스터(2)의 6 스테이지의 출력상태가 “010000”으로 되면, 게이트선(G2,G3)의 어떠한 것도 단선하고 있는 않는 경우에는, 게이트선(G2)→박막 트랜지스터(T2a)→게이트선이라는 경로를 거쳐서 전류(i23)가 흐른다. 다음에, Y 시프트 레지스터(2)를 시프트 동작시켜, 6 스테이지의 출력상태가 “000100”으로 되면, 게이트선(G4)→박막 트랜지스터(T1b)→게이트선(G5)이라는 경로를 거쳐서 전류(i56)가 흐른다.
그리고, 이 전류(i23,i45)의 전류치를 측정한다. 이 측정은, 상기 제 1 게이트선 단선 검사 과정에 있어서 설명한 것과 같은 방법에 의해 실시할 수 있다.다음에, 이 측정결과를, 상술한 소정치와 비교한다. 이 결과, 측정된 전류치가 소정치를 넘고 있는 경우에는, 그 게이트선간에는 단선이 없다고 판정한다. 한편, 측정된 전류치가 소정치를 하회하는 경우에는, 한 쌍의 게이트선중의 한쪽 또는 양쪽에 단선이 있다고 판정한다. 즉, 도 3b에 도시한 예에 있어서는, 전류(i23,i45)는 함께 소정치를 하회하기 때문에, 게이트선(G2,G3)의 한쪽 또는 양쪽, 및 게이트선(G4,G5)의 한쪽 또는 양쪽에 단선의 가능성이 있다고 판정할 수 있다.
여기서, 이 판정결과와, 상술한 제 1 게이트선 단선 검사 과정의 판정결과를 종합 감안하는 것에 의해, 어느 쪽의 게이트선에 결함이 생기고 있는지를 특정할 수 있다. 즉, 제 2 게이트선 단선 검사 과정에 있어서는, 게이트선(G2,G3)의 한쪽 또는 양쪽에 결함이 있다고 판정되었지만, 제 1 게이트선 단선 검사 과정에 있어서는, 게이트선(G2)에 결함은 없다고 판정되어 있다. 이들의 판정결과를 고려하면, 결국, 게이트선(G3)에 결함이 있다고 특정할 수 있다.
또, 게이트선(G4, G5,G6)에 대해서는, 전류(i34, i45,i56)가 모두 소정치를 하회하고 있기 때문에, 어느 쪽의 게이트선에 결함이 있는지는 특정할 수 없다. 그러나, 게이트선(G4 내지 G5)에 걸쳐서 연속적 또는 단속적으로 결함 개소가 존재한다는 판정을 행할 수 있다.
이상 설명한 검사의 결과, 어느 하나의 게이트선에 결함이 있다고 판정된 경우에는, 해당 전기 광학 장치용 기판은 불량품이라고 판정되며, 검사를 종료한다( ST10, ST3및 ST4). 한편, 어느 쪽의 게이트선에도 단선이 없다고 판정된 경우에는, 해당 전기 광학 장치용 기판은 우량품이라고 판정된다(단계 ST11,ST17). 여기서, 상기 단계(ST1)에 있어서, Y 시프트 레지스터(1)의 기능이 불량이라고 판정되어 있다. 따라서, 해당 전기 광학 장치용 기판(S1)가 실제로 전기 광학 장치에 사용된 경우에는, Y 시프트 레지스터(2)에 의해서 각 게이트선이 구동되게 된다(단계 ST12). 이 경우에는, 기능부전인 Y 시프트 레지스터(1)측의 3 스테이트 버퍼군(5)을 구성하는 각 3 스테이트 버퍼(51 내지 56)를, 하이 임피던스 상태로 한다.
또한, 이상 설명한 검사(단계 ST9)의 결과에 기초하여, 게이트선(G3 내지 G6) 부근의 배선 형성 공정 등을 체크하는 것에 의해, 단선 발생의 요인을 추적하거나 추측하는 것이 가능해진다. 따라서, 게이트선의 단선 등의 재발방지의 대책을 강구할 수 있다. 또한, 게이트선에 있어서의 단선의 유무를 짧은 시간에 확실히 검출할 수 있기 때문에, 단선 등의 결함을 갖는 전기 광학 장치용 기판이, 전기 광학 장치의 조립 라인에 공급되는 것을 확실히 피할 수 있다.
그런데, 도 2중의 단계(ST2)에서, Y 시프트 레지스터(2)에 어떠한 동작 불량이 생기고 있다고 판정된 경우에는, 상기 단계(ST9)에 있어서의 일련의 검사공정을 Y 시프트 레지스터(1)를 사용하여 행한다(단계 ST13). 즉, 우선, 버퍼 스테이지(4)내의 각 3 스테이트 버퍼(61 내지 66)에 대하여 로우 레벨의 신호(DRV-R)를 공급하고, 각 3 스테이트 버퍼(61 내지 66)의 출력부를 하이 임피던스 상태로 한다. 그리고, 제 1 데이터선 단선 검사 과정에 있어서는, 제 1 우측 트랜지스터열(T3a, T3b, T3c)의 각 게이트에 대하여, 각 박막 트랜지스터를 온 상태로 하는 신호를 테스트 단자로부터 공급한다. 한편, 제 1 좌측 트랜지스터열(T1a, T1b, T1c), 제 2 좌측 트랜지스터열(T2a, T2b), 및 제 2 우측 트랜지스터열(T4a, T4b)은오프상태로 해 둔다. 이 결과, 각 게이트선의 우측의 단부에서, 게이트선(G1,G2)의 사이, 게이트선(G3,G4)의 사이, 및 게이트선(G5 ,G6)의 사이가 도통되게 된다.
이 상태에서, Y 시프트 레지스터(1)를 동작시켜, 각각 도통된 한 쌍의 게이트선에 전류를 흘린다. 그리고, 이 전류치를 측정하여, 측정된 전류치와 상술한 소정치를 비교하는 것에 의해, 각 게이트선의 단선의 유무를 판정한다.
한편, 제 2 데이터선 단선 검사 과정에 있어서는, 제 2 우측 트랜지스터열(T4a, T4b)의 각 게이트에 대하여, 각 박막 트랜지스터를 온 상태로 하는 신호를 테스트 단자로부터 공급한다. 한편, 제 1 좌측 트랜지스터열(T1a, T1b, T1c), 제 2 좌측 트랜지스터열(T2a, T2b), 및 제 1 우측 트랜지스터열(T3a, T3b, T3c)은 오프상태로 해 둔다. 이 결과, 게이트선(G2,G3)의 사이, 및 게이트선(G4,G5)의 사이가 각 게이트선의 우측의 단부 근방에 있어서 도통된다. 이 상태에서, Y 시프트 레지스터(1)를 동작시켜, 각각 도통된 한 쌍의 게이트선에 전류를 흘린다. 그리고, 이 전류치와 소정치를 비교하는 것에 의해, 각 게이트선의 단선의 유무를 판단한다(단계 ST14).
또, 여기서는, 단계(ST2)에 있어서 Y 시프트 레지스터(2)가 불량이라고 판단되어 있다. 따라서, 상기 검사의 결과, 어느 쪽의 배선에도 결함이 없다고 판단된 경우, 해당 전기 광학 장치용 기판의 게이트선은, Y 시프트 레지스터(1)에 의해서 구동되게 된다(단계 ST16).
또한, 도 2중의 단계(ST2)에서, Y 시프트 레지스터(1,2)가 모두 우량품이라고 판정된 경우에는, 상기 단계(ST9)에 있어서의 일련의 검사공정과 같은 공정을 Y시프트 레지스터(1,2)의 어느 한쪽 또는 양쪽을 사용하여 행한다(단계 ST5). 이 결과, 어느 쪽의 배선에도 결함이 없다고 판단된 경우, 해당 전기 광학 장치용 기판의 게이트선은, Y 시프트 레지스터(1,2)의 한쪽 또는 양쪽에 의해서 구동되게 된다(단계 ST8).
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 관련되는 전기 광학 장치용 기판(S1)에 의하면, 가령 좌우 한쪽의 Y 시프트 레지스터나 버퍼 스테이지가 정전 파괴하고 있거나, 패턴 불량 등으로 기능부전으로 되어 있는 경우이더라도, 한쪽의 시프트 레지스터나 버퍼 스테이지가 정상으로 동작하는 상태에 있으면 단선검사를 행할 수 있다. 또한, 버퍼 스테이지내의 각 3 스테이트 버퍼를 독립으로 하이 임피던스 상태로 할 수 있기 때문에, 시프트 레지스터의 한쪽이 기능부전이었다고 해도, 기능부전의 시프트 레지스터측의 3 스테이트 버퍼군을 하이 임피던스 상태로 하는 것에 의해, 종래와 같은 구동이 가능해진다. 따라서, 전기 광학 장치의 우량품률을 향상시킬 수 있다.
다음에, 데이터선(D1 내지 D6)의 결함의 검사 순서에 대해서 설명한다.
데이터선(D1 내지 D6)의 검사는, 원리적으로는 대강 게이트선의 검사와 같은 순서에 의해 행해진다. 이하, 데이터선(D1 내지 D6)의 단선검사에 관해서, 제 1 데이터선 단선 검사 과정과 제 2 데이터선 단선 검사 과정으로 나누어 설명한다.
(1) 제 1 데이터선 단선 검사 과정
우선, 제 1 트랜지스터열(T7a, T7b, T7c)의 각 게이트에 대하여, 각 박막 트랜지스터를 온 상태로 하는 신호를 테스트 단자로부터 공급한다. 한편, 제 2 트랜지스터열(T8a, T8b, T8c)은 오프상태로 해 둔다. 이 결과, 데이터선(D1,D2)과의 사이, 데이터선(D3,D4)의 사이, 및 데이터선(D5,D6)의 사이, 각 데이터선의 일단에 있어서 도통되게 된다. 한편, 데이터 신호선(SRC2)에는 H 레벨의 전압을, 데이터 신호선(SRC1)에는 L 레벨의 전압을, 각각 인가하여 놓는다. 다음에, X 시프트 레지스터(7)에 의해, 2 비트의 데이터(“11”)를 순차 시프트하는 것에 의해, 도통된 각 게이트선에 대하여, 순차 전류를 흘린다. 즉, X 시프트 레지스터(7)의 6 스테이지의 출력상태가 “110000”으로 되면, 데이터선(D1)과 데이터 신호선(SRC2)이 도통함과 동시에, 데이터선(D2)과 데이터 신호선(SRC1)이 도통한다. 이 결과, 데이터선(D1,D2)의 어떠한 것에도 단선이 없는 경우, 데이터선 (D1)→박막 트랜지스터(T7a)→게이트선(D2)이라는 경로를 거쳐서 전류(i12)가 흐른다. 계속해서, X 시프트 레지스터(7)를 동작시켜, X 시프트 레지스터(7)의 6 스테이지의 출력상태를 “001100”으로 한다. 이로써, 데이터선(D3)과 데이터 신호선(SRC2)이 도통함과 동시에, 데이터선(D4)과 데이터 신호선(SRC1)이 도통한다. 이 결과, 데이터선(D3,D4)의 어떠한 것에도 단선이 없는 경우, 데이터선(D3)→박막 트랜지스터(T7b)→데이터선(D4)이라는 경로를 거쳐서 전류(i34)가 흐른다. 마찬가지로, X 시프트 레지스터(7)의 6 스테이지의 출력상태를 “000011”로 하는 것에 의해, 데이터선(D5,D6)의 사이에 전류(i56)가 흐른다. 이렇게 해서, 제 1 트랜지스터열(T7a, T7b, T7c)에 의해서 도통된 한 쌍의 데이터선의 사이에 전류를 순차 흘릴 수 있다. 한편, 상기 공정에 병행하여, 상술한 전류(i12, i34,i56)의 전류치를 측정한다. 그리고, 이 측정된 전류치와, 미리 구해진 소정치를 비교하는것에 의해, 도통된 한 쌍의 데이터선에 있어서의 단선의 유무를 판정할 수 있다.
(2) 제 2 데이터선 단선 검사 과정
다음에, 제 2 트랜지스터열(T8a, T8b)의 각 게이트에 대하여, 각 박막 트랜지스터를 온 상태로 하는 신호를 테스트 단자로부터 공급한다. 한편, 제 1 트랜지스터열(T7a, T7b, T7c)은 오프상태로 해 둔다. 이 결과, 데이터선(D2,D3)의 사이, 및 데이터선(D4,D5)의 사이가, 각 데이터선의 하측의 일단에 있어서 도통된다. 계속해서, X 시프트 레지스터(7)를 사용하여, 데이터선(D2)에 접속된 박막 트랜지스터(T5a)와 데이터선(D3)에 접속된 박막 트랜지스터(T5b)를 온으로 한다. 이 결과, 데이터선(D2,D3)의 사이에 전류(i23)를 흘릴 수 있다. 이후 같은 순서를 밟는 것에 의해, 데이터선(D4,D5)의 사이에 전류(i45)를 흘린다. 이들의 전류(i23,i45)의 전류치를 측정하여, 상술한 소정치와 비교하는 것에 의해, 도통된 한 쌍의 데이터선에 있어서의 단선의 유무를 판정한다.
그리고, 상술한 제 1 데이터선 검사 과정 및 제 2 데이터선 검사 과정의 결과를 종합 감안하는 것에 의해, 결함이 존재하는 데이터선을 특정할 수 있다. 물론, 제 1 데이터선 단선 검사 과정에 있어서 모든 데이터선에 단선 개소 또는 협착부가 없는 것을 안 경우에는, 제 2 데이터선 단선 검사 과정을 행할 필요는 없다.
또, 제 1 단선 검사 과정 및 제 2 단선 검사 과정에 있어서의 판정 및 쌍방의 검사 과정의 판정결과를 종합 감안한 최종적인 판정에 대해서는, 마이크로컴퓨터 등에 의해서 자동적으로 행하도록 할 수 있다.
또한, 단선검사의 검사결과를 하드디스크 등의 기억장치에 기억하거나, 해당결과를 프린터 등에 의해서 인자 출력하도록 하여도 좋다. 이렇게 하면, 단선결과를, 단선발생의 요인 등을 연구하기 위한 자료로서 활용할 수도 있다.
또한, 본 실시예에 있어서는, 간략화를 위해 게이트선 및 데이터선이 각각 6개씩 설치된 경우에 대하여 설명하였다. 이것에 대하여, 실제의 전기 광학 장치에 있어서는, 예를 들면 480개의 게이트선과 640×3개(RGB 각 색에 대응)의 데이터선이 설치된 것이나, 1024개의 게이트선과 1280×3개의 데이터선이 설치된 것이 알려져 있다. 이러한 구성의 전기 광학 장치이더라도, 상술한 순서에 의해, 각 게이트선 및 데이터선의 단선검사를 행할 수 있는 것은 물론이다.
<전기 광학 장치의 전체 구성>
다음에, 도 4를 참조하여, 상술한 전기 광학 장치용 기판을 사용한 전기 광학 장치의 구조에 대하여 설명한다. 여기서, 도 4a는, 전기 광학 장치의 구성을 도시하는 평면도이고, 도 4b는, 도 4a에 있어서의 A-A' 선의 단면도이다.
이들의 도면에 도시하는 바와 같이, 전기 광학 장치(100)는, 상기 실시예에 관련되는 전기 광학 장치용 기판(S1)과 대향기판(102)이, 밀봉재(104)에 의해서 일정한 틈을 유지하여 접합되어 있다. 대향기판(102)의 전기 광학 장치용 기판(S1)과 대향하는 표면에는, 대향전극(108) 등이 형성되어 있다. 그리고, 양 기판의 틈에는, 전기광학재료로서의 액정(105)이 협지되어 있다. 또, 실제로는 밀봉재(104)에는 결절부분이 있다. 그리고, 이 결절부분을 개재시켜 액정(105)이 봉입된 후,밀봉재에 의해서 밀봉된다. 단, 도 4a 및 도 4b에 있어서는 결절부분 및 밀봉재는 생략되어 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 복수의 게이트선 및 복수의 데이터선의교차부분에 대응하여 박막 트랜지스터(도 4a,도 4b에 있어서는 도시하지 않음)가 설치되어 있다. 이 박막 트랜지스터의 드레인에는, 화소 전극(118)이 접속되어 있다. 각 화소 전극(118)은, 도 4a에 도시하는 바와 같이, 각 게이트선 및 데이터선의 교차부분에 대응하여 매트릭스형으로 배열된다. 또한, 도 4a에 있어서의 영역(107)에는, 복수의 접속단자가 형성되어 있다. 각 접속단자의 일단은, 상술한 Y 시프트 레지스터(1,2) 및 X 시프트 레지스터(7) 등에 접속되어 있다. 한편, 각 접속단자의 타단은, 외부장치의 출력단자와 접속되어 있다. 이것에 의해 외부장치로부터의 신호 및 전원이, 전기 광학 장치(100)의 각 부에 공급되도록 되어 있다.
<변형예>
상기 실시예에 관련되는 전기 광학 장치용 기판(S1)은, 복수의 게이트선의 양 단에 각각 Y 시프트 레지스터(1,2)가 접속되고, 인접하는 모든 게이트선의 사이에 박막 트랜지스터가 설치된 구성으로 하였다. 그렇지만, 전기 광학 장치의 구성은 이것에 한정되는 것은 아니다. 이하, 도 5를 참조하여, 본 발명의 변형예에 관련되는 전기 광학 장치용 기판(S3)과 그 검사방법에 관해서 설명한다.
상기 도면에 도시하는 바와 같이, 이 전기 광학 장치용 기판(S3)은, 복수의 게이트선(G1 내지 G6)과 Y 시프트 레지스터(1)를 구비하고 있다. 또, 도 5에 있어서는, 편의적으로 6개의 게이트선만을 도시하고 있지만, 실제의 전기 광학 장치에 있어서는, 보다 다수의 게이트선이 설치되는 것은 말할 필요도 없다. 또한, 도 5에 있어서는, 편의적으로, 게이트선(G1 내지 G6)과 Y 시프트 레지스터(1)만을 도시하고 있지만, 실제로는, 상기 실시예와 마찬가지로, 복수의 데이터선 및 X 시프트레지스터가 설치되어 있다.
도 5에 도시하는 바와 같이, 각 게이트선의 일단은, Y 시프트 레지스터(1)에 각각 접속되어 있다. 또한, 각 게이트선(G1 내지 G6)의 Y 시프트 레지스터(1)에 접속된 일단과 반대측의 일단에는, 복수의 스위칭 소자가 접속되어 있다. 각 스위칭 소자는, 예를 들면 박막 트랜지스터이며, 접속된 2개의 게이트선간의 접속 및 절단을 전환하기 위한 것이다. 구체적으로는, 게이트선(G1,G2)의 사이에 박막 트랜지스터(T12)가, 게이트선(G3,G4)의 사이에는 박막 트랜지스터(T34)가, 게이트선(G4,G5)의 사이에는 박막 트랜지스터(T45)가, 각각 설치되어 있다. 결국, 도 5에 도시하는 바와 같이, 위에서 세어 홀수번째의 게이트선(G1, G3, G5)과, 이들의 각 게이트선과 한쪽의 측(도 5에 있어서는 하측)에 있어서 인접하는 짝수번째의 게이트선(G2, G4, G6)과의 사이에 박막 트랜지스터가 설치되어 있는 것이다. 각 박막 트랜지스터(T12, T34, T56)의 게이트는, 기판상에 설치된 테스트 단자에 각각 접속되어 있고, 이 테스트 단자로부터 공급되는 신호에 따라서 온 오프가 전환되도록 되어 있다.
이상 나타낸 구성의 전기 광학 장치(S3)에 있어서, 게이트선의 단선의 유무의 검사는, 이하의 순서로 행해진다.
우선, 각 박막 트랜지스터(T12, T34, T56)의 게이트에 대하여 소정의 전압을 인가하여, 각 박막 트랜지스터를 온으로 한다. 이 결과, 게이트선(G1,G2)의 사이, 게이트선(G3,G4)의 사이, 및 게이트선(G5,G6)의 사이를, 각 게이트선의 우측의 단부 근방에 있어서 도통시킬 수 있다. 다음에, Y 시프트 레지스터(1)에 의해, 1 비트의 데이터“1”을 순차 시프트하는 것에 의해, 각각 도통된 각 게이트선에 대하여 순차 전류를 흘린다. 구체적으로는, 우선, Y 시프트 레지스터(1)의 6 스테이지의 출력상태를 “100000”으로 한다. 이 결과, 게이트선(G1,G2)의 어떠한 것에도 단선이 없는 경우, 게이트선(G1)→박막 트랜지스터(T12)→게이트선(G2)이라는 경로를 거쳐서 전류(i12)가 흐른다. 다음에, Y 시프트 레지스터(1)를 동작시켜, Y 시프트 레지스터(1)의 6 스테이지의 출력상태를 “001000”으로 하는 것에 의해, 게이트선(G3,G4)의 사이에 전류(i34)를 흘린다. 이후 동일하게 하여, 게이트선(G5,G6)의 사이에 전류(i56)를 흘린다.
그리고, 상기 공정에 병행하여, 상기 전류(i12, i34, i56)의 전류치를 순차 측정한다. 이 측정된 각 전류치와, 미리 구해진 소정치를 비교하는 것에 의해, 각 게이트선에 있어서의 단선의 유무를 판정할 수 있다.
이 변형예에 의하면, 상기 실시예와 같이, 결함을 갖는 게이트선을 1개에 특정하는 것은 불가능하다. 그렇지만, 한 쌍의 게이트선중의 어느 한쪽에 결함이 있는 것을 판정할 수 있다. 더욱이, 상기 실시예에 있어서의 제 2 게이트선 단선 검사 과정에 대응하는 공정(즉, 서로 도통시키는 게이트선을 다른 게이트선으로 전환하는 검사를 행하는 공정)을 행할 필요가 없기 때문에, 상기 실시예와 비교하여 짧은 시간에 검사를 행할 수 있다는 이점이 있다.

Claims (10)

  1. 복수의 배선,
    각각 인접하는 상기 각 배선 사이에 삽입된 복수의 스위칭 소자로서, 각각제 1 그룹 또는 제 2 그룹의 어느 하나에 속하고, 인접하는 스위칭 소자는 다른 그룹에 속하며, 상기 각 그룹 단위로 해당 그룹에 속하는 스위칭 소자의 온 오프 전환이 가능한 복수의 스위칭 소자 및,
    상기 복수의 스위칭 소자를 개재시켜 직렬 접속되는 2개의 배선으로 이루어지는 복수의 배선쌍에 전류를 흘리고, 또는 전압을 인가하는 통전수단(通電手段)을 구비하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치용 기판.
  2. 각각 제 1 단부 및 제 2 단부를 갖는 복수의 배선,
    각각 인접하는 상기 각 배선 사이의 상기 제 1 단부 근방에 삽입된 복수의 제 1 스위칭 소자로서, 각각 제 1 그룹 또는 제 2 그룹의 어느 하나에 속하고, 인접하는 스위칭 소자는 다른 그룹에 속하며, 상기 각 그룹 단위로 해당 그룹에 속하는 스위칭 소자의 온 오프 전환이 가능한 복수의 제 1 스위칭 소자,
    각각 인접하는 상기 각 배선 사이의 상기 제 2 단부 근방에 삽입된 복수의 제 2 스위칭 소자로서, 각각 제 3 그룹 또는 제 4 그룹의 어느 하나에 속하고, 인접하는 스위칭 소자는 다른 그룹에 속하며, 상기 각 그룹 단위로 해당 그룹에 속하는 스위칭 소자의 온 오프 전환이 가능한 복수의 제 2 스위칭 소자 및,
    상기 복수의 제 1 스위칭 소자를 개재시켜 직렬 접속되는 2개의 배선으로 이루어지는 복수의 배선쌍에 전류를 흘리고, 또는 전압을 인가하는 제 1 통전수단과,
    상기 복수의 제 2 스위칭 소자를 개재시켜 직렬 접속되는 2개의 배선으로 이루어지는 복수의 배선쌍에 전류를 흘리고, 또는 전압을 인가하는 제 2 통전수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치용 기판.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 통전수단과 제 2 통전수단의 각각은, 상기 복수의 배선의 구동수단으로서 사용 가능한 회로이며,
    각 배선의 구동을 지령하는 데이터를 순차 시프트하는 시프트 레지스터 및,
    각각 상기 시프트 레지스터의 각 스테이지에 대응한 복수의 3 스테이트 버퍼로서, 각각의 출력단이 상기 각 배선의 단부와 접속된 복수의 3 스테이트 버퍼를 갖는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치용 기판.
  4. 복수의 선택선과, 복수의 신호선과, 각 선택선 및 신호선에 접속된 스위칭 소자와, 각 스위칭 소자에 접속된 화소 전극을 구비하는 액티브 매트릭스 기판에 있어서,
    각각 인접하는 상기 각 신호선 사이에 삽입된 복수의 검사용 스위칭 소자로서, 각각 제 1 그룹 또는 제 2 그룹의 어느 하나에 속하고, 인접하는 검사용 스위칭 소자는 다른 그룹에 속하며, 상기 각 그룹 단위로 해당 그룹에 속하는 검사용스위칭 소자의 온 오프 전환이 가능한 복수의 검사용 스위칭 소자 및,
    상기 각 신호선의 구동에 사용 가능한 신호선 구동회로로서, 상기 복수의 검사용 스위칭 소자를 개재시켜 직렬 접속되는 2개의 신호선으로 이루어지는 복수의 신호선쌍에 전류를 흘리고, 또는 전압을 인가하는 신호선 구동회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  5. 각각 제 1 단부 및 제 2 단부를 갖는 복수의 선택선과, 복수의 신호선과, 각 선택선 및 신호선에 접속된 스위칭 소자와, 각 스위칭 소자의 일단에 접속된 화소 전극을 구비하는 액티브 매트릭스 기판에 있어서,
    각각 인접하는 상기 각 선택선 사이의 상기 제 1 단부 근방에 삽입된 복수의 제 1 스위칭 소자로서, 각각 제 1 그룹 또는 제 2 그룹의 어느 하나에 속하고, 인접하는 스위칭 소자는 다른 그룹에 속하며, 상기 각 그룹 단위로 해당 그룹에 속하는 스위칭 소자의 온 오프 전환이 가능한 복수의 제 1 스위칭 소자,
    각각 인접하는 상기 각 선택선 사이의 상기 제 2 단부 근방에 삽입된 복수의 제 2 스위칭 소자로서, 각각 제 3 그룹 또는 제 4 그룹의 어느 하나에 속하고, 인접하는 스위칭 소자는 다른 그룹에 속하며, 상기 각 그룹 단위로 해당 그룹에 속하는 스위칭 소자의 온 오프 전환이 가능한 복수의 제 2 스위칭 소자,
    상기 각 선택선의 구동에 사용 가능한 제 1 선택선 구동회로로서, 상기 복수의 제 1 스위칭 소자를 개재시켜 직렬 접속되는 2개의 선택선으로 이루어지는 복수의 선택선쌍에 전류를 흘리고, 또는 전압을 인가하는 제 1 선택선 구동회로 및,
    상기 각 선택선의 구동에 사용 가능한 제 2 선택선 구동회로서, 상기 복수의 제 2 스위칭 소자를 개재시켜 직렬 접속되는 2개의 선택선으로 이루어지는 복수의 선택선쌍에 전류를 흘리고, 또는 전압을 인가하는 제 2 선택선 구동회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  6. 복수의 제 1 배선의 각각과 복수의 제 2 배선의 각각을 교대로 배열하여 이루어지는 복수의 배선,
    상기 복수의 제 1 배선의 각각과 해당 각 제 1 배선과 한쪽의 측에 있어서 인접하는 각 제 2 배선 사이에 삽입된 복수의 스위칭 소자 및,
    상기 복수의 스위칭 소자의 각각을 개재시켜 직렬 접속되는 2개의 배선으로 이루어지는 복수의 배선쌍에 전류를 흘리고, 또는 전압을 인가하는 통전수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치용 기판.
  7. 복수의 배선과, 각각 인접하는 상기 각 배선 사이에 삽입된 복수의 스위칭 소자를 갖는 전기 광학 장치용 기판의 검사방법에 있어서,
    인접하는 스위칭 소자가 다른 그룹에 속하도록, 상기 복수의 스위칭 소자를 제 1 그룹 및 제 2 그룹으로 나누고,
    상기 제 1 그룹에 속하는 스위칭 소자를 온으로 함과 동시에, 해당 스위칭 소자를 개재시켜 직렬 접속되는 2개의 배선으로 이루어지는 복수의 배선쌍에 전류를 흘리고, 또는 전압을 인가하는 것에 의해, 해당 배선쌍에 있어서의 결함의 유무를 판정하는 제 1 배선 검사 과정,
    상기 제 2 그룹에 속하는 스위칭 소자를 온으로 함과 동시에, 해당 스위칭 소자를 개재시켜 직렬 접속되는 2개의 배선으로 이루어지는 복수의 배선쌍에 전류를 흘리고, 또는 전압을 인가하는 것에 의해, 해당 배선쌍에 있어서의 결함의 유무를 판정하는 제 2 배선 검사 과정 및,
    상기 제 1 배선 검사 과정의 판정결과와 상기 제 2 배선 검사 과정의 판정결과에 기초하여, 결함을 갖는 배선을 판정하는 결함 판정 과정을 갖는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치용 기판의 검사방법.
  8. 각각 제 1 단부 및 제 2 단부를 갖는 복수의 배선과, 각각 인접하는 상기 각 배선 사이의 상기 제 1 단부 근방에 삽입된 복수의 제 1 스위칭 소자와, 각각 인접하는 상기 각 배선 사이의 상기 제 2 단부 근방에 삽입된 복수의 제 2 스위칭 소자와, 상기 복수의 배선의 제 1 단부에 접속된 제 1 통전수단과, 상기 복수의 배선의 제 2 단부에 접속된 제 2 통전수단을 구비하는 전기 광학 장치용 기판의 검사방법에 있어서,
    인접하는 제 1 스위칭 소자가 다른 그룹에 속하도록, 상기 복수의 제 1 스위칭 소자를 제 1 그룹 및 제 2 그룹으로 나눔과 동시에, 인접하는 제 2 스위칭 소자가 다른 그룹에 속하도록, 상기 복수의 제 2 스위칭 소자를 제 3 그룹 및 제 4 그룹으로 나누고,
    상기 제 1 그룹에 속하는 스위칭 소자를 온으로 함과 동시에, 해당 스위칭소자를 개재시켜 직렬 접속되는 2개의 배선으로 이루어지는 복수의 배선쌍에 상기 제 2 통전수단을 사용하여 전류를 흘리고, 또는 전압을 인가하는 것에 의해, 해당 배선쌍에 있어서의 결함의 유무를 판정하는 제 1 배선 검사 과정과, 상기 제 2 그룹에 속하는 스위칭 소자를 온으로 함과 동시에, 해당 스위칭 소자를 개재시켜 직렬 접속되는 2개의 배선으로 이루어지는 복수의 배선쌍에 상기 제 2 통전수단을 사용하여 전류를 흘리고, 또는 전압을 인가하는 것에 의해, 해당 배선쌍에 있어서의 결함의 유무를 판정하는 제 2 배선 검사 과정으로 이루어지는 제 1 과정,
    상기 제 3 그룹에 속하는 스위칭 소자를 온으로 함과 동시에, 해당 스위칭 소자를 개재시켜 직렬 접속되는 2개의 배선으로 이루어지는 복수의 배선쌍에 상기 제 1 통전수단을 사용하여 전류를 흘리고, 또는 전압을 인가하는 것에 의해, 해당 배선쌍에 있어서의 결함의 유무를 판정하는 제 1 배선 검사 과정과, 상기 제 4 그룹에 속하는 스위칭 소자를 온으로 함과 동시에, 해당 스위칭 소자를 개재시켜 직렬 접속되는 2개의 배선으로 이루어지는 복수의 배선쌍에 상기 제 1 통전수단을 사용하여 전류를 흘리고, 또는 전압을 인가하는 것에 의해, 해당 배선쌍에 있어서의 결함의 유무를 판정하는 제 2 배선 검사 과정으로 이루어지는 제 2 과정의 중의 어느 한쪽을 실행하는 검사 과정 및,
    상기 제 1 배선 검사 과정의 판정결과와, 상기 제 2 배선 검사 과정의 판정결과에 기초하여, 결함을 갖는 배선을 판정하는 결함 판정 과정을 갖는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치용 기판의 검사방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 검사 과정에 앞서서, 상기 제 1 통전수단 및 제 2 통전수단의 기능의 양부를 판정하는 판정과정을 가지며,
    상기 검사 과정에 있어서는,
    상기 판정과정에 있어서 상기 제 1 통전수단이 불량이라고 판정된 경우에는 상기 제 1 과정을 실행하고, 상기 판정과정에 있어서 상기 제 2 통전수단이 불량이라고 판정된 경우에는 상기 제 2 공정과 실행하며, 상기 판정과정에 있어서 상기 제 1 통전수단 및 제 2 통전수단의 양쪽이 불량이라고 판정된 경우에는 제 1 과정 및 제 2 과정의 모두 실행하지 않는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치용 기판의 검사방법.
  10. 복수의 제 1 배선의 각각과 복수의 제 2배선의 각각을 교대로 배열하여 이루어지는 복수의 배선과, 상기 복수의 제 1 배선의 각각과 해당 제 1 배선과 한쪽의 측에 있어서 인접하는 각 제 2 배선과의 사이에 삽입된 복수의 스위칭 소자를 구비하는 전기 광학 장치용 기판의 검사방법에 있어서,
    상기 복수의 스위칭 소자를 온으로 함과 동시에, 해당 스위칭 소자를 개재시켜 직렬 접속되는 2개의 배선으로 이루어지는 복수의 배선쌍에 전류를 흘리고, 또는 전압을 인가하는 것에 의해, 해당 배선쌍에 있어서의 결함의 유무를 판정하는 배선 검사 과정을 갖는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치용 기판의 검사방법.
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