CN1153179C - 电光装置用基板及其检查方法和有源矩阵基板 - Google Patents

Abstract

在第1栅线断线检查过程中，对第1左侧晶体管列的各栅，供给使各薄膜晶体管成为导通状态的信号，测定流过由各薄膜晶体管导通的2条栅线的电流值。在第2栅线断线检查过程中，对第2左侧晶体管列的各栅，供给使各薄膜晶体管成为导通状态的信号，测定流过由各薄膜晶体管导通的2条栅线的电流值。其次，根据第1栅线断线检查过程和第2栅线断线检查过程的检查结果，判定是否在某一条栅线中存在缺陷。

Description

电光装置用基板及其检查方法和有源矩阵基板

技术领域

本发明涉及电光装置用基板和有源矩阵基板以及电光装置用基板的检查方法。

背景技术

迄今为止，已知有在一对基板的间隙中夹持液晶而构成的液晶显示装置。作为这样的液晶显示装置，使用有源矩阵基板作为一对基板中的一方的液晶显示装置已实现了实用化。在该有源矩阵基板中，在玻璃基板等的上表面上形成了多条数据线和与各数据线正交的多条栅线。而且，与各数据线和栅线的交叉点对应地形成了像素电极。各像素电极通过薄膜晶体管与各数据线和栅线连接。

在此，数据线和栅线分别以与显示像素数对应的条数被形成。例如，在能进行彩色显示的液晶显示装置中，已知有具备480条栅线和640×3条(对应于RGB各色)数据线的装置及具备1024条栅线和1280×3条数据线的装置。这样，在有源矩阵基板中，必须形成庞大的数目的布线，但在各数据线和栅线中不能有断线或布线狭窄部(与其它部分相比，布线变窄的部分)等的缺陷。

但是，因为有源矩阵基板的各种制造工序中的种种原因之故，目前的情况是不能避免以某种比例发生布线的缺陷。因此，存在下述的要求：能可靠地发现具有栅线或数据线的缺陷的有源矩阵基板，此外，打算准确地掌握断线部位，以便防止基于相同的原因的断线等的缺陷的再次发生。

在实开昭63-70596号公报中公开了用于响应这样的要求的断线检查方法。

在该断线检查方法中，首先，对于在基板上以条状被形成的多条栅线，连接邻接的栅线(或数据线)的端部相互间，如第1条栅线与第2条栅线的左端部相互间、第2条栅线与第3条栅线的右端部相互间、第3条栅线与第4条栅线的左端部相互间、第4条栅线与第5条栅线而的右端部相互间、…等等。通过这样做，形成串联地连接各栅线构成的1条布线。然后，例如通过研究预定的电流是否流过该布线，来判定在某一条栅线中是否存在缺陷。

但是，在该断线检查方法中，虽然能够检查栅线的某一条是否断线，但不能具体地查明哪条栅线中存在缺陷。因而，在使用该检查方法的情况下，不能判定栅线的断线部位的位置，追踪使缺陷产生的原因，或进行类推。因此，存在不能采取防止断线的再次发生的有效对策的问题。

此外，在上述断线检查方法中，还可以考虑通过使恒定的电流i流过串联地连接的布线、并测定在其两端部的电位差来判断缺陷的有无。具体地说，首先，预先测定在哪一条布线中也不存在缺陷的情况的电压。如果将每一条布线(例如栅线)的电阻值设为RL，将布线的总条数(例如栅线的总条数)设为N，则用iNRL来表示该电压。其次，测定作为检查对象的布线的两端部的电位差。在此，在某一条布线中存在缺陷的情况下，用i(RB+NRL)来表示该被测定的电压。RB是布线狭窄部等的缺陷部位的电阻值。然后，求出这些电压的差，即，iNRL-i(RB+NRL)。然后，在该结果被检测出的电压值比预定值小的情况下，判定为在某一条布线中存在断线。

但是，在采用该方法的情况下，在NRL＞＞RB时，由于从上述的式求出的电压≈0，故不能进行缺陷的检测。即，在上述的方法中，存在下述问题：在布线数多的情况(即，电阻NRL大的情况)或布线只是变细而没有完全断线的情况(即，s在布线的一部分中存在狭窄部的状态下，电阻RB较小的情况)下，缺陷的检测变得困难。

因此，为了解决上述的问题，提出了用以下示出的方法来检测断线或布线狭窄部的方法。关于该方法，参照图6进行说明。在图6中示出的有源矩阵基板S2中，例如在栅线(G1～G6)的左端一侧，设置了作为栅电极驱动电路的Y移位寄存器31和缓冲级33，在右端一侧，设置了Y移位寄存器32和缓冲级34。

在该检查方法中，首先，在使Y移位寄存器32一侧的缓冲级34的最终级的输出电平全部为低电平之后，对Y移位寄存器31输入选择脉冲。具体地说，将Y移位寄存器31一侧的缓冲级33的最终级的倒相器的输出信号依次排他地从低电平切换为高电平。其结果，在栅线G1、G2、…、G6中依次流过电流i1、i2、…、i6。通过在缓冲级34的附近测定这些电流值，对于栅线逐条地检查断线的有无。

在此，如果电流i1、i2、…、i6的电流值为预定值以上，则可判断为在该栅线中没有断线。与此不同，在被测定的电流值比预定值低的情况下，可判断为在该栅线中存在某种缺陷。

但是，在使用由最高工艺温度约为400～600℃的低温工艺制成的多晶硅来形成Y移位寄存器31和32的情况下，可知该Y移位寄存器31和32被静电破坏而成为功能不全的危险性高。再者，也有由于粒子等的影响而产生图形不良、由此在Y移位寄存器31和32中产生功能不全的情况。

因而，例如在Y移位寄存器31和32的至少一方中产生不良情况、缓冲级33和34的全部被固定于高电平的情况下，在上述的断线检查方法中不能依次选择栅线(G1～G6)而流过电流。因而，在上述的断线检查方法中，存在不能始终稳定地进行断线检查操作的担心。

再者，在上述的断线检查方法中，必须依次选择庞大的条数的布线的每一条来检测出断线的有无。因而，也存在在检查中所需要的时间变长的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述的情况而进行的，其目的在于提供这样一种电光装置用基板和有源矩阵基板以及电光装置用基板的检查方法，其中，能迅速且可靠地确定缺陷部位，而且，能始终稳定地进行缺陷检查。

为了达到上述目的，本发明提供一种以具备多条布线、多个开关元件和通电装置为特征的电光装置用基板。在此，多个开关元件的每一个被插到邻接的上述各布线之间。此外，多个开关元件的每一个属于第1组或第2组的某一组，相邻的开关元件属于不同的组，能以上述各组为单位来切换属于该组的开关元件的通断。此外，上述通电装置使电流流过由通过多个开关元件串联连接的2条布线构成的多个布线对，或对该多个布线对施加电压。

此外，本发明提供一种上述的电光装置用基板的检查方法。该检查方法是电光装置用基板的检查方法，该电光装置用基板具有多条布线和分别插在邻接的上述各布线间的多个开关元件，其特征在于：将上述多个开关元件分成第1组和第2组，以使邻接的开关元件属于不同的组，该电光装置用基板的检查方法具有：第1布线检查过程，在使属于上述第1组的开关元件导通的同时，使电流流过由通过该开关元件串联连接的2条布线构成的多个布线对，或对该多个布线对施加电压，由此，判定该布线对中的缺陷的有无；第2布线检查过程，在使属于上述第2组的开关元件导通的同时，使电流流过由通过该开关元件串联连接的2条布线构成的多个布线对，或对该多个布线对施加电压，由此，判定该布线对中的缺陷的有无；以及缺陷判定过程，根据上述第1布线检查过程的判定结果和上述第2布线检查过程的判定结果判定具有缺陷的布线。

按照这样的电光装置用基板的检查方法，因为能判定由邻接的2条布线构成的布线对中的缺陷的有无，故可高速地检测出各布线的缺陷的有无。此外，由于能判定由利用属于第1组的开关元件串联连接的2条布线构成的布线对中的缺陷的有无和由利用属于第2组的开关元件串联连接的2条布线构成的布线对中的缺陷的有无，故可根据各判定结果比较详细地确定具有缺陷的布线。

此外，本发明提供一种电光装置用基板，其特征在于，具备：分别具有第1端部和第2端部的多条布线；多个第1开关元件，该多个第1开关元件是分别插在邻接的上述各布线间的上述第1端部附近的多个第1开关元件，分别属于第1组或第2组的某一组，相邻的开关元件属于不同的组，能以上述各组为单位进行属于该组的开关元件的通断切换；多个第2开关元件，该多个第2开关元件是分别插在邻接的上述各布线间的上述第2端部附近的多个第2开关元件，分别属于第3组或第4组的某一组，相邻的开关元件属于不同的组，能以上述各组为单位进行属于该组的开关元件的通断切换；第1通电装置，使电流流过由通过上述多个第1开关元件串联连接的2条布线构成的多个布线对，或对该多个布线对施加电压；以及第2通电装置，使电流流过由通过上述多个第2开关元件串联连接的2条布线构成的多个布线对，或对该多个布线对施加电压。

此外，本发明提供一种电光装置用基板的检查方法。该检查方法将上述多个第1开关元件分成第1组和第2组，以使邻接的第1开关元件属于不同的组，具有执行第1过程和第2过程中的一方的检查过程。第1过程由下述的第1布线检查过程和第2布线检查过程构成：第1布线检查过程，在使属于上述第1组的开关元件导通的同时，使用上述第2通电装置使电流流过由通过该开关元件串联连接的2条布线构成的多个布线对，或对该多个布线对施加电压，由此，判定该布线对中的缺陷的有无；第2布线检查过程，在使属于上述第2组的开关元件导通的同时，使用上述第2通电装置使电流流过由通过该开关元件串联连接的2条布线构成的多个布线对，或对该多个布线对施加电压，由此，判定该布线对中的缺陷的有无。此外，第2过程由下述的第1布线检查过程和第2布线检查过程构成：第1布线检查过程，在使属于上述第3组的开关元件导通的同时，使用上述第1通电装置使电流流过由通过该开关元件串联连接的2条布线构成的多个布线对，或对该多个布线对施加电压，由此，判定该布线对中的缺陷的有无；第2布线检查过程，在使属于上述第4组的开关元件导通的同时，使用上述第1通电装置使电流流过由通过该开关元件串联连接的2条布线构成的多个布线对，或对该多个布线对施加电压，由此，判定该布线对中的缺陷的有无。此外，该检查方法具有缺陷判定过程，根据上述第1布线检查过程的判定结果和上述第2布线检查过程的判定结果判定具有缺陷的布线。

按照这样的电光装置用基板的检查方法，因为即使第1通电装置和第2通电装置的某一方的功能不良，也可使用另一方进行检查，故具有能始终进行稳定的检查的优点。

此外，在上述电光装置用基板中，上述第1通电装置和第2通电装置的每一个可以是可作为上述多个布线的驱动装置使用的电路。即，可将各通电装置作成包含依次对指令各布线的驱动的数据进行移位的移位寄存器和多个3态缓冲器的结构，其中该多个3态缓冲器是分别与上述移位寄存器的各级对应的多个3态缓冲器，各自的输出端与上述各布线的端部连接。如果这样做，则由于没有必要另外设置布线检查用的电路，故可降低制造成本。

此外，本发明提供一种电光装置用基板，其特征在于，具备：多条布线，交替地配置多条第1布线的每一条和多条第2布线的每一条而构成；多个开关元件，插在上述多条第1布线的每一条与在一侧与该各第1布线邻接的各第2布线之间；以及通电装置，使电流流过由通过上述多个开关元件的每一个串联连接的2条布线构成的多个布线对，或对该多个布线对施加电压。

此外，本发明提供一种电光装置用基板的检查方法。该检查方法的特征在于具有下述的布线检查过程：在使上述多个开关元件导通的同时，使电流流过由通过该开关元件串联连接的2条布线构成的多个布线对，或对该多个布线对施加电压，由此，判定该布线对中的缺陷的有无。

按照这样的电光装置用基板的检查方法，由于可判定在由相互串联连接的2条布线构成的多个布线对的某一个中存在缺陷，故具有能迅速且详细地进行布线的检查的优点。

附图说明

图1是示出作为本发明的一实施形态的电光装置用基板的结构的图。

图2是示出作为该实施形态的电光装置用基板的检查顺序的流程图。

图3是示出作为该实施形态的电光装置用基板的检查方法的图。

图4(a)是示出使用了作为该实施形态的电光装置用基板的电光装置的结构的平面图，(b)是(a)中的A-A’线的剖面图。

图5是示出作为本发明的变形例的电光装置用基板的结构的图。

图6是示出应用了现有的检查方法的电光装置用基板的一例的图。

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的实施形态。

<电光装置用基板的结构>

图1是示出与本发明有关的电光装置用基板S1的结构的图。在该电光装置用基板S1中，多条栅线在水平方向上延伸而被形成，多条数据线在垂直方向上延伸而被形成。再有，在图1中，为了方便起见，示出了形成了6条栅线G1～G6和6条数据线D1～D6的电光装置用基板S1。但是，在实际的电光装置中，以栅线是480条、数据线是640×3条(对应于RGB各色)、或栅线是1024条、数据线是1280×3条那样的条数来形成。

在各栅线G1～G6和数据线D1～D6的交叉部分处分别形成了薄膜晶体管(TFT)。各薄膜晶体管的栅与栅线连接。各薄膜晶体管的源与数据线连接。此外，各薄膜晶体管的漏与像素电极连接。在这样的结构中，根据供给栅线的电压对各薄膜晶体管进行通断控制。而且，在各薄膜晶体管成为导通状态的期间内，将施加到数据线上的电压供给各像素电极。

在该实施形态中，上述TFT由将多晶硅层作为沟道层的所谓的多晶硅TFT来构成，利用同一工艺与构成外围电路的晶体管(开关元件)一起同时被形成。

在相邻的各栅线G1～G6间，在其两端部附近，设置了多个开关元件。各开关元件用于切换相互邻接的各栅线之间的导通和切断。这些开关元件例如用薄膜晶体管(TFT)来形成。再有，以下，将在栅线G1与G2间、栅线G3与G4间和栅线G5与G6间被设置的各薄膜晶体管中的在各栅线的左侧的端部附近被设置的薄膜晶体管T1a、T1b和T1c总称为第1左侧晶体管列(T1a、T1b、T1c)，将在各栅线的右侧的端部附近被设置的薄膜晶体管T3a、T3b和T3c总称为第1右侧晶体管列(T3a、T3b、T3c)。另一方面，将在栅线G2与G3间和栅线G4与G5间被设置的各薄膜晶体管中的在各栅线的左侧的端部附近被设置的薄膜晶体管T2a和T2b总称为第2左侧晶体管列(T2a、T2b)，将在各栅线的右侧的端部附近被设置的薄膜晶体管T4a和T4b总称为第2右侧晶体管列(T4a、T4b)。

第1左侧晶体管列(T1a、T1b、T1c)和第2左侧晶体管列(T2a、T2b)的各栅与基板上被设置的测试端子连接。而且，构成这些晶体管列的薄膜晶体管根据从该测试端子被输入的信号，切换通断。具体地说，以各晶体管列为单位，切换属于该晶体管列的薄膜晶体管的通断。

同样，第1右侧晶体管列(T3a、T3b、T3c)和第2右侧晶体管列(T4a、T4b)的各栅也与基板上被设置的测试端子连接。而且，构成这些晶体管列的薄膜晶体管根据从该测试端子被输入的信号，切换通断。具体地说，以各晶体管列为单位，切换属于该晶体管列的薄膜晶体管的通断。

此外，将Y移位寄存器1通过缓冲级3连接到各栅线G1～G6左侧的一端。另一方面，将Y移位寄存器2通过缓冲级4连接到各栅线G1～G6右侧的一端。

在上述缓冲级3的最终级中形成了3态缓冲器组5。从未图示的高位装置将信号DRV-L供给构成3态缓冲器组5的各3态缓冲器51～56。此外，在缓冲级4的最终级中形成了3态缓冲器组6。从未图示的高位装置将信号DRV-R供给构成该3态缓冲器组6的各3态缓冲器61～66。构成上述3态缓冲器组5和3态缓冲器组6的各3态缓冲器在从高位装置被供给的信号DRY-L或DRV-R为高电平时，将前级的倒相器的输出信号进行电平反转，输出到栅线上。此外，在由高位装置供给的信号DRY-L或DRV-R为低电平时，各3态缓冲器的输出部成为高阻抗状态。再有，所谓上述的高位装置，例如是通过在基板上被形成的测试端子能对各3态缓冲器供给信号DRY-L或DRV-R的测试装置。

另一方面，数据线D1、D3和D5的一端(在图1中，是上侧的一端)通过薄膜晶体管T6a、T6b、T6c与数据输入线SRC2连接。此外，数据线D2、D4和D6的一端(在图1中，是上侧的一端)通过薄膜晶体管T5a、T5b、T5c与数据输入线SRC1连接。这些薄膜晶体管的栅与X移位寄存器7连接。根据从X移位寄存器7被供给的信号，对各薄膜晶体管进行通断控制。而且，由此，能切换数据线D1、D3和D5与数据输入线SRC2之间的导通或切断，另一方面，能切换数据线D2、D4和D6与数据输入线SRC1之间的导通或切断。即，可将从未图示的高位装置供给数据输入线SRC1和SRC2的电压施加到数据线D1～D6上。

此外，在数据线D1～D6的另一端一侧(在图1中，是下端一侧)设置了切换邻接的各数据线之间的导通、切断用的薄膜晶体管。以下，将设置在数据线D1和D2之间的薄膜晶体管T7a、设置在数据线D3和D4之间的薄膜晶体管T7b、设置在数据线D5和D6之间的薄膜晶体管T7c总称为第1晶体管列(T7a、T7b、T7c)。另一方面，将设置在数据线D2和D3之间的薄膜晶体管T8a和设置在数据线D4和D5之间的薄膜晶体管T8b总称为第2晶体管列(T8a、T8b)。

第1晶体管列(T7a、T7b、T7c)和第2晶体管列(T8a、T8b)的各栅与基板上被设置的测试端子连接。而且，构成各晶体管列的薄膜晶体管根据从该测试端子被输入的信号，切换通断。具体地说，以各晶体管列为单位，切换属于该晶体管列的薄膜晶体管的通断。

以上是与本发明有关的电光装置用基板的结构。

<电光装置用基板的检查顺序>

其次，参照图2中示出的流程图和图3(a)和(b)，说明判定栅线G1～G6的缺陷的有无和断线部位的顺序。

首先，检查Y移位寄存器1或2的功能(步骤ST1)，判定各Y移位寄存器的功能的良否(步骤ST2)。该Y移位寄存器的检查按照例如以下的顺序来进行。首先，从基板上被设置的测试端子对Y移位寄存器1的数据输入端子输入某个数据，由Y移位寄存器1对该数据进行移位。然后，通过经其它测试端子检测并调查从Y移位寄存器1的最终级输出的数据，判定Y移位寄存器1的功能的良否。对于Y移位寄存器2也进行同样的检查，判定各Y移位寄存器的功能的良否。

其结果，在判定为Y移位寄存器1和2都为不合格的情况下，因为能判断为该电光装置用基板S1为不合格品，故用不着进行栅线G1～G6等的缺陷的有无的检查，直接结束检查(步骤ST3和ST4)。

另一方面，在步骤ST2中，在判定为某一方的Y移位寄存器、或两方的Y移位寄存器为合格品的情况下，转移到栅线G1～G6的断线的有无的检查。再有，即使在判定为某一方的Y移位寄存器为不合格品的情况下，也能使用另一方的Y移位寄存器来显示图像。因而，在该时刻，将该电光装置用基板本身作为大致的合格品，进行以后的检查。

栅线G1～G6的缺陷的有无的检查可分为第1栅线断线检查过程和第2栅线断线检查过程。以下，对这些检查过程的每一个，说明检查的内容。再有，在此，在上述步骤ST2中，设定判断为Y移位寄存器1为工作不良的情况(步骤ST9)。

(1)第1栅线断线检查过程

首先，对第1左侧晶体管列(T1a、T1b、T1c)的各栅，从基板上的测试端子输入使各薄膜晶体管成为导通状态的信号。另一方面，预先使第2左侧晶体管列(T2a、T2b)、第1右侧晶体管列(T3a、T3b、T3c)和第2右侧晶体管列(T4a、T4b)处于关断状态。此外，对与Y移位寄存器1连接的缓冲级3内的各3态缓冲器51～56供给低电平的信号DRV-L，使各3态缓冲器51～56的输出部处于高阻抗状态。

其结果，如图3(a)中所示，在各栅线的左端的端部，栅线G1与G2之间、栅线G3与G4之间和栅线G5与G6之间被导通。

其次，通过由Y移位寄存器2依次对1比特的数据“1”进行移位，相对于被导通的各栅线，分别依次使电流流过。即，如果Y移位寄存器2的6级的输出状态成为“100000”，则从3态缓冲器61输出高电平的信号，从其它3态缓冲器输出低电平的信号。其结果，在栅线G1和G2的任一条都没有断线的情况下，电流i12经栅线G1→薄膜晶体管T1a→栅线G2这样的路径流动。其次，如果使Y移位寄存器2进行移位工作，Y移位寄存器2的6级的输出状态成为“001000”，则从3态缓冲器63输出高电平的信号，从其它3态缓冲器输出低电平的信号。其结果，在栅线G3和G4的任一条都没有断线的情况下，电流i34经栅线G3→薄膜晶体管T1b→栅线G4这样的路径流动。再者，如果通过使Y移位寄存器2进行移位工作，Y移位寄存器2的6级的输出状态成为“000010”，则从3态缓冲器65输出高电平的信号，从其它3态缓冲器输出低电平的信号。其结果，在栅线G5和G6的任一个都没有断线的情况下，电流i56经栅线G5→薄膜晶体管T1c→栅线G6这样的路径流动。这样，分别依次电流使流过被导通的一对栅线之间。

另一方面，与该工序并行地，依次测定上述电流i12、i34及i56的电流值。通过例如用电流计测定包含各3态缓冲器的电源电流的电光装置用基板整体的电源电流，求出与Y移位寄存器2的6级的输出状态为“000000”时的电源电流的差分，可实施这些各电流值的测定。

再有，可在3态缓冲器61～66的输出端子上形成电流测定用的焊区(pad)，将探针与该焊区接触，求出2个焊区间的电压、即2条栅线的电压降。具体地说，如下所述。首先，在被导通的一对栅线的任一条中都没有断线或布线狭窄部的情况下被检测的电压为2iRL。在此，i是流过一对栅线的电流的电流值，RL是每一条栅线的电阻值。另一方面，在某一条栅线中存在布线狭窄部的情况下，被测定的电压用i(RB+2RL)来表示。RB是在布线狭窄部等的缺陷部位的电阻值。然后，求出这些电压的差、即2iRL-i(RB+2RL)。然后，通过将该值与预定值比较，判定在栅线中是否存在断线或布线狭窄部。在此，在上述的现有的技术中示出的布线检查方法、即连接全部栅线、形成1条布线来测定该布线的两端的电位差的方法中，在布线数多的情况下存在缺陷的检测变得困难的问题。与此不同，按照本实施形态，由于成为求被导通的2条栅线的电压降，故有即使在布线多的情况下也能可靠地检测出各布线的缺陷的优点。

再有，以下，求出流过各栅线的电流的电流值，根据该电流值来判定布线的缺陷的有无，以此来进行说明。

那么，通过比较这样测定的各电流值和预先求出的预定值，来判定各栅线中的断线的有无(步骤ST10)。即，例如如果被测定的电流值超过预定值，则判定为该栅线间没有断线，在低于预定值的情况下，判定为在某一条栅线中存在断线。再有，上述预定值是根据实验等的结果预先求出的值。

在图3(a)中示出的例子中，实线的箭头示出了超过上述预定值的电流流动的情况。与此不同，空白的箭头示出了低于上述预定值的电流流动，或电流完全没有流动的情况。在图3(a)中示出的例子中，由于只有电流i12超过预定值，故可判定为在栅线G1和G2中没有断线。另一方面，由于电流i34低于预定值，故在该阶段中，可判定为栅线G3和G4的一方或两方中存在断线或布线狭窄部等的缺陷。同样，由于电流i56也低于预定值，故可判定为栅线G5和G6的一方或两方中存在断线。

但是，在该时刻，不能确定被判定为存在断线的1对栅线(栅线G3和G4以及栅线G5和G6)中的哪一条栅线中产生了断线。为了明确这一点，在上述顺序后，执行以下示出的第2栅线断线检查过程。因而，在第1栅线断线检查过程中，在流过全部的栅线间的电流的电流值超过预定值的情况下，因为可判定为在全部的栅线中没有断线，故可省略以下示出的第2栅线断线检查过程。此时，电流值测定用的工作量与上述图6中示出的现有的断线检查方法比较，大致为一半就够了。

(2)第2栅线断线检查过程

接着，对第2左侧晶体管列(T2a、T2b)的各栅，从测试端子输入使各薄膜晶体管成为导通状态的信号。另一方面，预先使第1左侧晶体管列(T1a、T1b、T1c)、第1右侧晶体管列(T3a、T3b、T3c)和第2右侧晶体管列(T4a、T4b)处于关断状态。此外，使缓冲级3内的各3态缓冲器51～56的输出部处于高阻抗状态。

由此，如图3(b)中所示，在各栅线的左端一侧，可使在栅线G2与G3之间和栅线G4与G5之间导通。接着，与上述第1栅线断线检查过程相同，通过由Y移位寄存器2依次对1比特的数据“1”进行移位，相对于被导通的一对的各栅线，分别依次使电流流过。即，如果Y移位寄存器2的6级的输出状态成为“010000”，则在栅线G2和G3的任一条都没有断线的情况下，电流i23经栅线G2→薄膜晶体管T2a→栅线G3这样的路径流动。其次，如果使Y移位寄存器2进行移位工作，Y移位寄存器2的6级的输出状态成为“000100”，则电流i45经栅线G4→薄膜晶体管T1b→栅线G5这样的路径流动。

然后，测定该电流i23和i45的电流值。可利用与在上述第1栅线断线检查过程中已说明的相同的方法来实施该测定。其次，将该测定结果与上述的预定值比较。其结果，在被测定的电流值超过预定值的情况下，判定为该栅线间没有断线。另一方面，在被测定的电流值低于预定值的情况下，判定为在一对栅线中的一方或两方中存在断线。即，在图3(b)中示出的例子中，由于i23和i45都低于预定值，故判定为在栅线G2和G3的的一方或两方和在栅线G4和G5的一方或两方中存在断线的可能性。

在此，通过综合地考虑该判定结果及上述的第1栅线断线检查过程的判定结果，可确定在哪一条栅线中产生了缺陷。即，在第2栅线断线检查过程中，虽然判定为在栅线G2和G3的一方或两方中存在缺陷，但在第1栅线断线检查过程中，判定为在栅线G2中没有缺陷。如果考虑这些判定结果，则结果是，可确定在栅线G3中存在缺陷。

再有，关于栅线G4、G5和G6，由于电流i34、i45和i56都低于预定值，故不能确定在哪一条栅线中存在缺陷。但是，可判定为在栅线G4～G5中存在连续或断续的缺陷部位。

以上已说明的检查的结果，在判定为在某一条栅线中存在缺陷的情况下，将该电光装置用基板判定为不合格品，结束检查(步骤ST10、ST3和ST4)。另一方面，在判定为在哪一条栅线中也没有断线的情况下，将该电光装置用基板判定为合格品(步骤ST11和ST17)。在此，在上述步骤ST1中，判定了Y移位寄存器1的功能为不合格。因而，在实际上将该电光装置用基板S1用于电光装置的情况下，利用Y移位寄存器2来驱动各栅线(步骤ST12)。此时，使构成作为功能不全的Y移位寄存器1一侧的3态缓冲器组5的各3态缓冲器51～56处于高阻抗状态。

此外，根据以上已说明的检查(步骤ST9)的结果，通过检验栅线G3～G6附近的布线形成工序等，可追踪断线发生的原因、或进行推测。因而，可采取防止栅线的断线等的再次发生的对策。此外，由于可在短时间内可靠地检测出栅线中的断线的有无，故能可靠地避免将具有断线等的缺陷的电光装置用基板供给电光装置的组装线。

但是，在图2中的步骤ST2中，在判定为在Y移位寄存器2中产生了某种工作不良的情况下，使用Y移位寄存器1进行上述的步骤ST9中的一系列的检查工序(步骤ST13)。即，首先，对缓冲级4内的各3态缓冲器61～66供给低电平的信号DRY-R，使各3态缓冲器61～66的输出部处于高阻抗状态。然后，在第1栅线断线检查过程中，对第1右侧晶体管列(T3a、T3b、T3c)的各栅从测试端子供给使各薄膜晶体管成为导通状态的信号。另一方面，预先使第1左侧晶体管列(T1a、T1b、T1c)、第2左侧晶体管列(T2a、T2b)和第2右侧晶体管列(T4a、T4b)处于关断状态。其结果，在各栅线的右侧的端部，栅线G1与G2之间、栅线G3与G4之间和栅线G5与G6之间被导通。

在该状态下，使Y移位寄存器1工作，分别使电流流过被导通的一对栅线。然后，通过测定该电流值，比较被测定的电流值与上述的预定值，判定各栅线的断线的有无。

另一方面，在第2栅线断线检查过程中，对第2右侧晶体管列(T4a、T4b)的各栅从测试端于供给使各薄膜晶体管成为导通状态的信号。另一方面，预先使第1左侧晶体管列(T1a、T1b、T1c)、第2左侧晶体管列(T2a、T2b)和第1右侧晶体管列(T3a、T3b、T3c)处于关断状态。其结果，栅线G2与G3之间和栅线G4与G5之间在各栅线的右侧的端部附近被导通。在该状态下，使Y移位寄存器1工作，分别使电流流过被导通的一对栅线。然后，通过比较该电流值与预定值，判断各栅线的断线的有无(步骤ST14)。

再有，在此，在步骤ST2中，判断为Y移位寄存器2为不合格。因而，上述检查的结果，在判断为哪一条布线中也没有缺陷的情况下，该电光装置用基板的栅线由Y移位寄存器1来驱动(步骤ST16)。

此外，在图2中的步骤ST2中，在判定为Y移位寄存器1和2都是合格品的情况下，使用Y移位寄存器1或2的某一方或两方来进行与上述步骤ST9中的一系列的检查工序同样的工序(步骤ST5)。其结果，在判断为哪一条布线中也没有缺陷的情况下，该电光装置用基板的栅线由Y移位寄存器1或2的一方或两方来驱动(步骤ST8)。

如以上所说明的那样，按照与本发明有关的电光装置用基板S1，即使在例如左右一方的Y移位寄存器或缓冲级受到静电破坏、或因图形不良等而成为功能不全的情况下，如果一方的移位寄存器或缓冲级处于正常工作的状态，则可进行断线检查。此外，由于可独立地使缓冲级内的各3态缓冲器处于高阻抗状态，故即使假定移位寄存器的一方为功能不全，通过使功能不全的移位寄存器一侧的3态缓冲器组处于高阻抗状态，可进行象以往那样的驱动。因而，可提高电光装置的合格品率。

其次，说明数据线D1～D6的缺陷的检查顺序。

在原理上说，利用大致与栅线的检查同样的顺序来进行数据线D1～D6的检查。以下，关于数据线D1～D6的断线检查，分为第1数据线断线检查过程和第2数据线断线检查过程来说明。

(1)第1数据线断线检查过程

首先，对第1晶体管列(T7a、T7b、T7c)的各栅，从测试端子供给使各薄膜晶体管成为导通状态的信号。另一方面，预先使第2晶体管列(T8a、T8b)处于关断状态。其结果，数据线D1与D2之间、数据线D3与D4之间和数据线D5与D6之间在各数据线的一端处被导通。另一方面，预先对数据信号线SRC2施加高电平的电压，对数据信号线SRC1施加低电平的电压。其次，通过由X移位寄存器7依次对2比特的数据“11”进行移位，相对于被导通的各栅线，依次使电流流过。即，如果X移位寄存器7的6级的输出状态成为“110000”，则数据线D1与数据信号线SRC2导通，同时，数据线D2与数据信号线SRC1导通。其结果，在数据线D1和D2的哪一条中都没有断线的情况下，电流i12经数据线D1→薄膜晶体管T7a→数据线D2这样的路径流动。接着，使X移位寄存器7工作，X移位寄存器7的6级的输出状态为“001100”。由此，数据线D3与数据信号线SRC2导通，同时，数据线D4与数据信号线SRC1导通。其结果，在数据线D3和D4的哪一条中都没有断线的情况下，电流i34经数据线D3→薄膜晶体管T7b→数据线D4这样的路径流动。同样，通过使X移位寄存器7的6级的输出状态成为“000011”，电流i56在数据线D5与D6之间流动。这样，可使电流依次流过由第1晶体管列(T7a、T7b、T7c)导通的一对数据线之间。另一方面，与上述工序并行地，测定上述的电流i12、i34和i56的电流值。然后，通过比较该被测定的电流值与预先求出的预定值，可判定被导通的一对数据线中的断线的有无。

(2)第2数据线断线检查过程

其次，对第2晶体管列(T8a、T8b)的各栅，从测试端子供给使各薄膜晶体管成为导通状态的信号。另一方面，预先使第1晶体管列(T7a、T7b、T7c)处于关断状态。其结果，数据线D2与D3之间和数据线D4与D5之间在各数据线的下侧的一端处被导通。接着，使用X移位寄存器7，使与数据线D2连接的薄膜晶体管T5a和与数据线D3连接的薄膜晶体管T5b导通。其结果，可使电流i23在数据线D2与D3之间流过。以后，通过按照同样的顺序，使电流i45在数据线D4与D5之间流过。测定该电流i23和i45的电流值，通过与上述预定值比较，判定被导通的一对数据线中的断线的有无。

然后，综合地考虑上述的第1数据线检查过程和第2数据线检查过程的结果，可确定存在缺陷的数据线。当然，在第1数据线断线检查过程中已了解在全部数据线中没有断线部位或狭窄部的情况下，没有必要进行第2数据线断线检查过程。

再有，关于综合考虑了第1断线检查过程和第2断线检查过程中的判定和双方的检查过程的判定结果的最终的判定，也可利用微型计算机等自动地进行。

此外，可将断线检查的检查结果存储在硬盘等的存储装置中，或利用打印机打印并输出该结果。如果这样做，则可把断线结果作为研究断线发生的原因等用的资料充分地利用。

此外，在本实施形态中，为了简化起见，说明了分别各设置6条栅线和数据线的情况。与此不同，在实际的电光装置中，已知设置了480条栅线、640×3条(对应于RGB各色)数据线的装置、或设置了1024条栅线、1280×3条数据线的装置。即使是这样的结构的电光装置，当然也可按照上述顺序进行各栅线和数据线的断线检查。

<电光装置的整体结构>

其次，参照图4，说明使用了上述的电光装置用基板的电光装置的结构。在此，图4(a)是示出电光装置的结构的平面图，图4(b)是图4(a)中的A-A’线的剖面图。

如这些图中所示，在电光装置100中，利用密封材料104，在保持一定的间隙的情况下，将与上述实施形态有关的电光装置用基板S1与对置基板102粘贴在一起。在对置基板102的与电光装置用基板S1相对的表面上形成了对置电极108等。而且，在两基板的间隙中夹持了作为电光材料的液晶105。再有，实际上在密封材料104中有切口部分。而且，在通过该切口部分封入了液晶105后，利用密封材料进行密封。其中，在图4(a)和(b)中省略了切口部分和密封材料。此外，如上所述，与多条栅线和多条数据线的交叉部分相对应，设置了薄膜晶体管(在图4(a)和(b)中未图示)。将像素电极118连接到该薄膜晶体管的漏上。如图4(a)中所示，与各栅线和数据线的交叉部分相对应，以矩阵状配置了各像素电极118。此外，在图4(a)中的区域107中，形成了多个连接端子。各连接端子的一端与上述的Y移位寄存器1和2以及X移位寄存器7等连接。另一方面，各连接端子的另一端与外部装置的输出端子连接。由此，将来自外部装置的信号和电源供给电光装置100的各部分。

<变形例>

与上述实施形态有关的电光装置用基板S1作成在多条栅线的两端分别连接Y移位寄存器1和2、在邻接的全部栅线间设置了薄膜晶体管的结构。但是，电光装置的结构不限于此。以下，参照图5，说明与本发明的变形例有关的电光装置用基板S3及其检查方法。

如该图中所示，该电光装置用基板S3具备多条栅线G1～G6和Y移位寄存器1。再有，在图5中，为方便起见，只图示了6条栅线，但在实际的电光装置中，不用说，设置了条数更多的栅线。此外，在图5中，为方便起见，只图示了栅线G1～G6和Y移位寄存器1，但实际上，与上述实施形态同样，设置了多条数据线和X移位寄存器。

如图5中所示，各栅线的一端分别与Y移位寄存器1连接。此外，多个开关元件连接到与各栅线G1～G6的与Y移位寄存器1连接的一端相反一侧的一端上。各开关元件例如是薄膜晶体管，用来切换被连接的2条栅线间的连接和切断。具体地说，在栅线G1与G2之间设置了薄膜晶体管T12，在栅线G3与G4之间设置了薄膜晶体管T34，在栅线G4与G5之间设置了薄膜晶体管T45。即，如图5中所示，从上开始数，在第奇数条栅线G1、G3、G5与第偶数条栅线G2、G4、G6之间设置了薄膜晶体管，其中，第偶数条栅线G2、G4、G6与这些各第奇数条栅线在一侧(在图5中是下侧)邻接。各薄膜晶体管T12、T34、T56的栅分别与设置在基板上的测试端子连接，根据由该测试端子供给的信号切换通断。

在以上示出的结构的电光装置S3中，用以下的顺序来进行栅线的断线的有无的检查。

首先，对各薄膜晶体管T12、T34、T56的栅施加预定的电压，使各薄膜晶体管导通。其结果，在各栅线的右侧的端部附近，可使栅线G1与G2之间、栅线G3与G4之间和栅线G5与G6之间导通。其次，通过由Y移位寄存器1依次对1比特的数据“1”进行移位，相对于被导通的各栅线，分别依次使电流流过。具体地说，首先，使Y移位寄存器1的6级的输出状态成为“100000”。其结果，在栅线G1和G2的任一条中都没有断线的情况下，电流i12经栅线G1→薄膜晶体管T12→栅线G2这样的路径流动。其次，使Y移位寄存器1工作，通过使Y移位寄存器1的6级的输出状态成为“001000”，使电流i34在栅线G3与G4之间流动。以后，以同样的方式，使电流i56在栅线G5与G6之间流动。

然后，与上述工序并行地，依次测定上述电流i12、i34、i56的电流值。通过比较该被测定的各电流值与预先求出的预定值，可判定各栅线中的断线的有无。

按照该变形例，如上述实施形态那样，不能确定1条有缺陷的栅线。但是，可判定在一对栅线中的任一方中有缺陷。再者，由于没有必要进行上述实施形态中的第2栅线断线检查过程中的工序(即，将相互导通的栅线与另外的栅线调换来进行检查的工序)，故与上述实施形态比较具有能在短时间内进行检查的优点。

Claims (11)

1.一种电光装置用基板，其特征在于，具备：

多条布线；

多个开关元件，分别插在由邻接的2条上述布线构成的布线对之间，分别属于第1组或第2组的任一组，由一条布线和与该布线相邻的2条上述布线构成的上述各布线对之间分别插入的开关元件属于不同的组，能以上述各组为单位进行属于该组的开关元件的通断切换；以及

移位寄存器，将供给上述各布线对的数据依次移位；

在通过导通的上述开关元件串联连接的布线对中，通过将数据从上述移位寄存器供给到该布线对的一条布线，而将电流流过或将电压施加到上述布线对，并且根据上述移位寄存器依次移位的数据，将电流依次流过或依次将电压施加到各上述多个布线对。

2.一种电光装置用基板，其特征在于，具备：

分别具有第1端部和第2端部的多条布线；

多个第1开关元件，该多个第1开关元件是分别插在邻接的上述布线间的上述第1端部附近的多个第1开关元件，分别属于第1组或第2组的任一组，相邻的开关元件属于不同的组，能以上述各组为单位进行属于该组的开关元件的通断切换；

多个第2开关元件，该多个第2开关元件是分别插在邻接的上述布线间的上述第2端部附近的多个第2开关元件，分别属于第3组或第4组的任一组，相邻的开关元件属于不同的组，能以上述各组为单位进行属于该组的开关元件的通断切换；

第1通电装置，具有依次将数据移位的移位寄存器，与由于该移位寄存器的数据的移位相对应，依次使电流流过由通过上述多个第1开关元件串联连接的2条布线构成的多个布线对，或对该多个布线对依次施加电压；以及

第2通电装置，具有依次将数据移位的移位寄存器，与由于该移位寄存器的数据的移位相对应，依次使电流流过由通过上述多个第2开关元件串联连接的2条布线构成的多个布线对，或对该多个布线对依次施加电压。

3.如权利要求2中所述的电光装置用基板，其特征在于：

上述第1通电装置和第2通电装置的每一个是能作为上述多条布线的驱动装置使用的电路，

上述第1通电装置和第2通电装置的每一个具有：

移位寄存器，依次对指令各布线的驱动的数据进行移位；以及

多个3态缓冲器，该多个3态缓冲器是分别与上述移位寄存器的各级对应的多个3态缓冲器，其各自的输出端与上述各布线的端部连接。

4.一种电光装置用基板，其特征在于，具备：

多条布线，交替地配置多条第1布线的每一条和多条第2布线的每一条而构成；和

移位寄存器，将供给上述各布线的数据依次移位；

在上述多条第1布线的每1条，和与各该第1布线在一侧邻接的第2布线之间，插入开关元件，并在与各该第1布线在另一侧邻接的第2布线之间，不插入开关元件；在由通过导通的上述开关元件串联连接的2条布线构成的布线对中，通过将数据从上述移位寄存器供给到该布线对的一条布线，而将电流流过或将电压施加到上述布线对，并且根据上述移位寄存器依次移位的数据，将电流依次流过或将电压依次施加到各上述多个布线对。

5.一种电光装置用基板，其特征在于，具备：

多条布线；

多个开关元件，插入在由分别邻接的2条上述布线构成的各布线对之间，在由1条布线和邻接该布线的2条上述布线构成的上述各布线对之间分别插入上述开关元件；和

将供给上述布线对的数据依次移位的移位寄存器；

将在包括供给来自上述移位寄存器的数据的布线的布线对中的一方的布线对中插入的开关元件导通，将另一方的布线对中插入的开关元件关断；通过将来自上述移位寄存器的数据供给通过导通的上述开关元件串联连接的上述一方的布线对的一方的布线，而将电流流过或将电压施加到上述一方的布线对；

将关断的上述开关元件和导通的上述开关元件的导通和关断切换时，通过将来自上述移位寄存器的数据供给到上述另一方的布线对的一方的布线，将电流流过或将电压施加到上述另一布线对；

根据上述移位寄存器依次移位的数据，将电流依次流过或将电压依次施加到多个上述一方的布线对或另一方的布线对。

6.一种有源矩阵基板，该有源矩阵基板具备：多条选择线；多条信号线；与各栅线和各信号线连接的开关元件；以及与所述各开关元件连接的像素电极，其特征在于，具备：

移位寄存器，将供给数据到上述信号线对的通断信号依次移位；

开关元件，是在由分别邻接的2条上述信号线构成的各信号线对之间插入的多个开关元件，分别属于第1组或第2组中的任一组，在由一信号线和与该信号线邻接的2条上述信号线构成的上述各信号线对之间分别插入的开关元件属于不同的组，以上述各组为单位，可以进行属于该组的开关元件的通断切换，通过来自上述移位寄存器的信号，在包括供给数据的信号线的信号线对之中的一方的信号线对中插入的开关元件导通，在另一方的信号线对中插入的开关元件断开；和

信号线驱动电路，该信号线驱动电路是能使用于上述各信号线的驱动的信号线驱动电路，在通过导通的上述开关元件串联连接的信号线对中，根据从上述移位寄存器供给该信号线对的信号，将电流流过或将电压施加，并且上述移位寄存器依次将电流流过或依次将电压施加到上述各信号线对。

7.一种有源矩阵基板，该有源矩阵基板具备：分别具有第1端部和第2端部的多条栅线；多条信号线；与各栅线和信号线连接的开关元件；以及与各开关元件的一端连接的像素电极，其特征在于，具备：

多个第1开关元件，该多个第1开关元件是分别插在邻接的上述栅线间的上述第1端部附近的多个第1开关元件，分别属于第1组或第2组的任一组，相邻的开关元件属于不同的组，能以上述各组为单位进行属于该组的开关元件的通断切换；

多个第2开关元件，该多个第2开关元件是分别插在邻接的上述栅线间的上述第2端部附近的多个第2开关元件，分别属于第3组或第4组的任一组，相邻的开关元件属于不同的组，能以上述各组为单位进行属于该组的开关元件的通断切换；

第1驱动电路，该第1驱动电路具有第1移位寄存器并进行上述各栅线的驱动，根据上述第1移位寄存器依次移位的数据，依次使电流流过由通过上述多个第1开关元件串联连接的2条栅线构成的多个栅线对，或对该多个栅线对依次施加电压；以及

第2驱动电路，该第2驱动电路具有第2移位寄存器并进行上述各栅线的驱动，根据上述第2移位寄存器依次移位的数据，依次使电流流过由通过上述多个第2开关元件串联连接的2条栅线构成的多个栅线对，或对该多个栅线对依次施加电压。

8.一种电光装置用基板的检查方法，该电光装置用基板具有多条布线和分别插在邻接的2条上述布线构成的布线对之间的多个开关元件，和将供给上述各布线对的数据依次移位的移位寄存器，其特征在于：

将上述多个开关元件分成第1组和第2组，以使在由一条布线和邻接该布线的2条上述布线构成的上述布线对之间分别插入的开关元件属于不同的组，

该电光装置用基板的检查方法具有：

第1布线检查过程，在使属于上述第1组的开关元件导通的同时，在通过该开关元件串联连接的布线对中，通过将数据从上述移位寄存器供给该布线对的一条布线，使电流流过或将电压施加到上述布线对，并且根据上述移位寄存器依次移位的数据，通过将电流依次流过或依次将电压施加到上述各多个布线对，判定该布线对中的缺陷的有无；

第2布线检查过程，在使属于上述第2组的开关元件导通的同时，在通过该开关元件串联连接的布线对中，通过将数据从上述移位寄存器供给该布线对的一条布线，使电流流过或将电压施加到上述布线对，并且根据上述移位寄存器依次移位的数据，通过将电流依次流过或依次将电压施加到上述各多个布线对，判定该布线对中的缺陷的有无；以及

缺陷判定过程，根据上述第1布线检查过程的判定结果和上述第2布线检查过程的判定结果判定具有缺陷的布线。

9.一种电光装置用基板的检查方法，该电光装置用基板具备：分别具有第1端部和第2端部的多条布线；分别插在邻接的上述各布线间的上述第1端部附近的多个第1开关元件；分别插在邻接的上述各布线间的上述第2端部附近的多个第2开关元件；与第1移位寄存器依次将数据移位相对应，使电流依次流过或依次施加电压到上述多个布线的第1端部的第1通电装置；以及与第2移位寄存器依次将数据移位相对应，使电流依次流过或依次施加电压到上述多个布线的第2端部的第2通电装置，其特征在于：

将上述多个第1开关元件分成第1组和第2组，以使邻接的第1开关元件属于不同的组，同时，将上述多个第2开关元件分成第3组和第4组，以使邻接的第2开关元件属于不同的组，

该电光装置用基板的检查方法具有：

判定过程，判定上述第1通电装置和上述第2通电装置的功能是否良好；

检查过程，执行下述的第1过程和第2过程中的任一方，

该第1过程由下述的第1布线检查过程和第2布线检查过程构成：第1布线检查过程，在使属于上述第1组的开关元件导通的同时，对通过该开关元件串联连接的2条布线构成的多个布线对，通过与上述第2移位寄存器依次将数据移位相对应，使电流依次流过，或依次施加电压，判定该多个布线对中有无缺陷；第2布线检查过程，在使属于上述第2组的开关元件导通的同时，对通过该开关元件串联连接的2条布线构成的多个布线对，通过与上述第2移位寄存器依次将数据移位相对应，使电流依次流过，或依次施加电压，判定该布线对中有无缺陷，

该第2过程由下述的第1布线检查过程和第2布线检查过程构成：第1布线检查过程，在使属于上述第3组的开关元件导通的同时，对通过该开关元件串联连接的2条布线构成的多个布线对，通过与上述第1移位寄存器依次将数据移位相对应，使电流依次流过，或依次施加电压，判定该多个布线对中有无缺陷；第2布线检查过程，在使属于上述第4组的开关元件导通的同时，对通过该开关元件串联连接的2条布线构成的多个布线对，通过与上述第1移位移位寄存器依次将数据移位相对应，使电流依次流过，或依次施加电压，判定该多个布线对中有无缺陷；以及

缺陷判定过程，根据上述第1布线检查过程的判定结果和上述第2布线检查过程的判定结果判定具有缺陷的布线；

在上述判定过程中，判定上述第1通电装置为不合格的情况下，执行上述检查过程中的第1过程，在上述判定过程中判定上述第2通电装置为不合格的情况下，执行上述检查过程中的第2过程，在判定上述第1通电装置和上述第2通电装置两者为不合格的情况下，不执行上述第1过程和第2过程的任一过程。

10.一种电光装置用基板的检查方法，该电光装置用基板具备：多条布线，交替地配置多条第1布线的每一条和多条第2布线的每一条而构成；移位寄存器，将供给上述各布线对的数据依次移位；以及多个开关元件，插在上述多条第1布线的每一条与在一侧与该第1布线邻接的各第2布线之间；在各该第1布线和与另一侧邻接的第2布线之间不插入开关元件，其特征在于：

具有下述的布线检查过程：在使上述开关元件导通的同时，在由通过该开关元件串联连接的2条布线构成的布线对中，通过将数据从上述移位寄存器供给该布线对的一条布线，使电流流过或将电压施加到上述布线对，并且根据上述移位寄存器依次移位的数据，通过将电流依次流过或将电压依次施加到上述各布线对，判定所述布线对中的缺陷的有无。

11.一种电光装置用于基板的检查方法，该电光装置用基板具备：

多条布线；

多个开关元件，插入在由分别邻接的2条上述布线构成的各布线对之间，在由1条布线和邻接该布线的2条上述布线构成的上述各布线对之间分别插入上述开关元件；和

将供给上述各布线对的数据依次移位的移位寄存器；

其特征在于：

通过将在包括供给来自上述移位寄存器的数据的布线的布线对中的一方的布线对中插入的开关元件导通，将另一方的布线对中插入的开关元件关断；通过将上述来自移位寄存器的数据供给通过导通的上述开关元件串联连接的布线对的一方的布线，而将电流流过或将电压施加到上述布线对，并且根据上述移位寄存器依次移位的数据，将电流依次流过或将电压依次施加到各上述多个布线对，而判定上述各布线对中缺陷的有无。

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