TWI805773B - 晶片傳送單元及晶片傳送系統 - Google Patents
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- TWI805773B TWI805773B TW108119248A TW108119248A TWI805773B TW I805773 B TWI805773 B TW I805773B TW 108119248 A TW108119248 A TW 108119248A TW 108119248 A TW108119248 A TW 108119248A TW I805773 B TWI805773 B TW I805773B
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- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims abstract description 923
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 228
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims abstract description 134
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 148
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 claims description 117
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 70
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 59
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 53
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 38
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 31
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 30
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 30
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 claims description 29
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 28
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 26
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 24
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 claims description 23
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 18
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 claims description 17
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 claims description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 15
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims description 12
- 238000005496 tempering Methods 0.000 claims description 11
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 claims description 10
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 claims description 6
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1097
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 70
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 35
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 33
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 19
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 14
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 8
- 230000004044 response Effects 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 7
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 7
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 4
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 3
- 230000008672 reprogramming Effects 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 2
- 230000036461 convulsion Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 231100000279 safety data Toxicity 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-diol;bis(4-fluorophenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1.C1=CC(F)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(F)C=C1 JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- -1 cerium rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007635 classification algorithm Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000007620 mathematical function Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000003032 molecular docking Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 238000011022 operating instruction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- MWNWHRXJMMENND-UHFFFAOYSA-M sodium;4,6-bis(sulfanylidene)-1h-1,3,5-triazine-2-thiolate Chemical compound [Na+].[S-]C1=NC(=S)NC(=S)N1 MWNWHRXJMMENND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Abstract
本發明提出一種晶片傳送單元,其具有:至少一個數據處理單元(10),該至少一個數據處理單元(10)至少設置用於記錄及/或處理感測器模組(14,14')的與晶片傳送系統(16)的至少一個子部件相關聯的至少一個感測器(12,12',12'',32,32',38,38')的感測器數據;尤其具有:該晶片傳送系統(16)的至少一個晶片處理模組(18);該晶片傳送系統(16)的至少一個晶片介面系統(20),該晶片介面系統(20)具有晶片傳送容器(22)和用於裝載及/或卸載該晶片傳送容器(22)及/或該晶片處理模組(18)的裝載及/或卸載站(24);該晶片傳送系統(16)的至少一個晶片傳送容器傳送系統(26);及/或該晶片傳送系統(16)的至少一個晶片搬運機器人(28)。
Description
本發明涉及:請求項1所述的晶片傳送單元、請求項28所述的具有晶片傳送單元的晶片傳送容器、請求項33所述的具有晶片傳送單元的裝載及/或卸載站、請求項34所述的具有晶片傳送容器且具有裝載及/或卸載站的晶片傳送系統、以及請求項36所述的具有晶片傳送單元的方法。
本發明的目的尤其是提供一種通用裝置,該裝置在至少一個晶片的傳送、至少一個晶片的儲存及/或至少一個晶片尤其是在晶片製造環境(Fab)內在晶片傳送系統的子部件之間的傳遞方面具有有利的特性。該目的是根據本發明藉由請求項1、28、33、34和36的特徵來實現的,而本發明的有利的設計方案和改進方案可以由附屬項中獲得。
本發明提出一種晶片傳送單元,其具有:至少一個數據處理單元,所述至少一個數據處理單元至少設置用於記錄及/或處理感測器模組的與晶片傳送系統的至少一個子部件相關聯的至少一個感測器的感測器數據;尤其具有:所述晶片傳送系統的至少一個晶片處理模組;所述晶片傳送系統的至少一
個晶片介面系統,所述晶片介面系統具有晶片傳送容器和用於裝載及/或卸載所述晶片傳送容器及/或所述晶片處理模組的裝載及/或卸載站;所述晶片傳送系統的至少一個晶片傳送容器傳送系統;及/或所述晶片傳送系統的至少一個晶片搬運機器人。由此,可以在至少一個晶片的傳送、至少一個晶片的儲存及/或至少一個晶片尤其是在Fab內在晶片傳送系統的子部件之間的傳遞方面提供尤其有利的特性。另外,可以有利地實現晶片及/或晶片的環境條件的監控,由此可以尤其避免差錯,例如生產差錯、晶片損壞及/或晶片污染。由此,可以有利地減少廢品,由此可以尤其提高效率,尤其是成本效率及/或件數效率。
「晶片傳送單元」應尤其較佳理解為電子單元,該單元設置成控制、調節及/或監控晶片傳送系統的至少兩個子部件之間的至少一個晶片的至少一次傳送及/或晶片傳送系統的至少一個子部件內的至少一個晶片的至少一次傳送。尤其地,晶片傳送單元構成為晶片狀態檢查裝置及/或晶片環境條件檢查裝置。「數據處理單元」應尤其理解為至少一個電子數據處理設備,尤其是至少一個電腦及/或電腦系統,所述電腦及/或電腦系統較佳地借助可編程計算規範處理數據,尤其是由感測器模組獲得的數據。
較佳地,數據處理單元包括多個彼此分開構成的專用電腦,所述多個專用電腦可以尤其構成聯網的數據處理系統。尤其地,可以設想的是,數據處理單元具有中央電腦,所述中央電腦設置成收集、管理及/或組織專用電腦的數據。替代地或附加地,數據處理單元可以集成在Fab的中央控制及/或調節系統中,或者至少部分地與Fab的中央控制及/或調節系統一體構成。尤其地,Fab的中央控制及/或調節系統構成晶片傳送系統的子部件。兩個單元及/或系統及/或模組及/或裝置「部分地一體」構成的表述應尤其理解為,這些單元
具有至少一個,尤其是至少兩個,有利地至少三個共同的元件,這些元件是兩個單元及/或系統及/或模組及/或裝置的組成部分,尤其是功能上重要的組成部分。尤其地,數據處理系統的專用電腦為此能夠至少臨時相互通信。尤其地,專用電腦的至少一部分構成為嵌入式系統,所述嵌入式系統尤其集成在晶片傳送系統的至少一個子部件的技術環境中。尤其地,數據處理單元,較佳專用電腦包括資訊輸入、資訊處理及/或資訊輸出。有利地,數據處理單元,較佳專用電腦具有至少一個處理器、儲存器、尤其是ROM或快閃記憶體、輸入和輸出裝置,另外的電子構件,操作程式,調節常式,控制常式及/或計算常式。較佳地,數據處理單元(較佳專用電腦)的構件,佈置在電路板上及/或有利地佈置在殼體中。
「感測器模組」應尤其理解為包括至少一個感測器的模組。感測器至少設置成檢測至少一個參數。參數尤其構成為物理、化學及/或幾何參數。替代地或附加地,參數還可以構成為物理參數的時間變化及/或符號,例如與晶片相關聯的識別符。物理參數尤其包括:溫度、力、電流、電阻、電壓、磁場、壓力、品質、物質量、數量、強度,尤其是輻射強度、頻率、能量、容量、持續時間、速度、加速度、加加速度、推動力、機械應力、電場及/或波長。化學參數尤其包括:物質組成、濃度,尤其是氣體濃度,例如氧氣、H2O等、密度、濕度、pH值及/或蒸汽壓。幾何參數尤其包括:晶片的幾何特性,例如長度,尤其是直徑、厚度、位置、傾斜度、表面狀況、曲率、角度、體積及/或表面。可以設想的是,感測器模組包括多個感測器,所述多個感測器尤其設置成檢測不同參數。
「晶片傳送系統」應尤其理解為由部件形成的系統,這些部件設置成操縱,例如移動及/或處理至少一個晶片。晶片傳送系統的「晶片處理模組」尤其構成為Fab的模組,所述模組設置成在晶片上執行至少一個處理步驟以製造晶片。「晶片介面系統」應尤其理解為由部件形成的系統,這些部件設置成例如藉由包殼及/或遮罩,尤其在Fab內及/或在Fab的設備內移動,例如傳送、轉裝及/或旋轉至少一個物體,尤其是至少一個晶片、及/或允許至少一個物體,尤其是至少一個晶片的尤其受保護的移動。
「晶片傳送容器」應尤其理解為具有可封閉的內部空間或內部的傳送容器,其中,該內部空間或內部設置成收納晶片。尤其地,晶片傳送容器至少設置用於傳送至少直徑為200mm、較佳至少300mm並且更佳至少450mm的晶片。尤其地,晶片傳送容器至少設置用於傳送至少一個晶片、較佳至少三個晶片、有利地至少五個晶片、特別有利地至少十個晶片、更佳至少25個晶片並且尤佳至多一百個晶片。替代地或附加地,晶片傳送容器設置成收納與晶片不同構成的至少一個物體,例如曝光掩模。尤其地,晶片傳送容器構成為可擕式。尤其地,晶片傳送容器構成為真空密封地可封閉的。較佳地,晶片傳送容器構成為真空晶片傳送容器,該真空晶片傳送容器尤其設置成在其內部中提供及/或保持真空環境。尤其地,晶片傳送容器設置成將晶片儲存在真空環境中。「真空環境」應尤其理解為壓力低於300hPa、較佳低於1hPa、更佳低於10-3hPa並且尤佳低於10-6hPa的環境。尤其地,晶片傳送容器在真空環境下具有高密封性,其中,尤其是晶片傳送容器的洩漏率小於10-4mbar*l/s,較佳小於10-5mbar*l/s,有利地小於10-6mbar*l/s,特別有利地小於10-7mbar*l/s,更佳小於10-8mbar*l/s並且尤佳小於10-9mbar*l/s。替代地,晶片傳送容器可以設置成將晶片
儲存及/或保持在標準環境及/或特殊組合的環境例如氮環境中。尤其地,晶片傳送容器具有數據處理系統的構成為嵌入式系統的專用電腦。尤其地,晶片傳送容器具有感測器模組的至少一個感測器,所述至少一個感測器較佳地從晶片傳送容器的內部檢測參數。尤其地,晶片傳送容器構成為不同於「前開式晶片傳送盒」(Front Opening Unified Pod)、Front Opening Universal Pod(FOUP)及/或「標準機械介面盒」(Standard Mechanical Interface Pod(SMIF-Pod))。尤其地,晶片傳送容器具有裝載及/或卸載開口,用於將晶片裝載到晶片傳送容器中及/或從晶片傳送容器中卸載晶片,所述裝載及/或卸載開口可以尤其藉由晶片傳送容器的晶片傳送容器打開元件真空密封地封閉。在適當的傳送位置處,裝載及/或卸載開口佈置在晶片傳送容器的下側。
「裝載及/或卸載站」應尤其理解為閘門,其設置成在晶片傳送容器和晶片傳送系統的另外的子部件例如晶片處理模組之間傳遞晶片。尤其地,借助裝載及/或卸載站在特別受保護的環境中進行晶片的傳遞,藉由該環境將有利地盡可能避免敏感晶片的污染或損壞。尤其地,晶片傳送容器和裝載及/或卸載站設置成,尤其是在聯結狀態下構成一個共同的微型環境,在該聯結狀態下,晶片傳送容器固定在裝載及/或卸載站的表面上在裝載及/或卸載位置處。「微型環境」應尤其理解為具有與環境大氣隔離的環境例如真空的外殼。為了從晶片傳送容器傳遞出至少一個晶片,在晶片卸載期間,晶片傳送容器打開元件下降到裝載及/或卸載站的內部中。
「晶片傳送容器傳送系統」應尤其理解為用於傳送晶片傳送容器的系統,該系統具有例如在Fab內的軌道系統的軌道上推進的傳送滑車,這些傳送滑車設置用於保持晶片傳送容器。晶片傳送容器傳送系統尤其實施為適
用於潔淨室的架空提升傳送系統(OHT,Overhead Hoist Transport)。替代地或附加地,晶片傳送容器傳送系統可以包括另外的傳送方法,例如,尤其是自主作用的傳送無人機、輪式車輛、輸送帶、(抽真空的)傳送管等。
「感測器數據的記錄」應尤其還理解為從感測器模組讀出、獲取及/或接收感測器數據,啟動及/或解除啟動感測器模組的感測器及/或儲存感測器數據。「感測器數據的處理」應尤其還理解為接收、轉換及/或準備感測器數據,以及較佳地將感測器數據傳輸到例如數據處理單元的中央電腦、Fab的中央控制及/或調節系統及/或數據處理單元的至少一個專用電腦及/或感測器模組的其他感測器。「設置」應尤其理解為專門編程、設計及/或配備。設置一物體用於特定的功能的表述應尤其理解為,該物體在至少一個應用狀態及/或運行狀態下執行及/或實施該特定的功能。
此外,提出的是,數據處理單元具有至少一個預測模組,所述至少一個預測模組至少設置成,至少基於感測器的感測器數據,尤其是感測器的感測器數據的至少一個過程,及/或基於借助感測器確定的至少一個參數值,生成用於未來結果及/或未來事件,尤其是至少晶片傳送系統的子部件的未來操作準備的預測。由此,可以有利地實現高水準的過程可靠性,尤其是藉由可以可靠地估計重要參數、例如過程參數、安全參數及/或品質參數的未來發展。另外,可以有利地較佳選擇晶片生產過程中的時間序列,由此可以有利地實現低的過程成本及/或高的產品品質。另外,可以有利地較佳在發生損壞情況之前檢測或預測晶片傳送系統的子部件的失效及/或故障。由此,可以有利地將故障時間保持較短並且改善維護間隔。另外,可以由此實現晶片傳送系統的子部件的長使用壽命。預測模組可以有利地構成為數據處理單元內的單獨的伺服器及/或
電腦,尤其是專用電腦。替代地,預測模組可以有利地集成在數據處理單元的伺服器及/或電腦中,例如數據處理單元的中央電腦及/或Fab的中央控制及/或調節系統中。「參數值」尤其採用參數的單個值及/或參數的變化的形式,例如參數的上升及/或下降。「晶片生產過程」應尤其理解為晶片從純晶片基板開始直到完全的顯著的晶片的整個生產過程。
「預測」應尤其理解為參數值、參數的過程及/或參數範圍。較佳地,預測應理解為機器可讀取的輸出,及/或對操作者來說可清楚理解的有關未來過程,例如在特定時間點仍然可用的計算時間段及/或在事件例如故障及/或超過或低於參數閾值發生之前在特定時間點仍可處理的計算件數的指示的輸出。「事件」應尤其理解為達到及/或超過及/或低於閾值。替代地或附加地,事件可以例如採用對原料箱中所需的原料耗盡及/或達到傳送介質的完全填充狀態及/或生產步驟(例如完全除氣/冷卻等)完成的形式。尤佳地,預測應理解為機器可讀取的陳述的輸出,及/或對操作者來說可清晰理解的有關可達到的事件、例如尤其預測的晶片品質、直到晶片完成的時間段、有關預期過程成本、有關晶片傳送系統的子部件的預期使用壽命及/或有關晶片傳送系統的子部件的預期操作準備的陳述的輸出。「事件」應尤其理解為過程參數,例如使用準備、過程成本、過程持續時間、過程速度等、及/或產品參數,例如產品品質。
另外,提出的是,數據處理單元具有至少一個預測模組,所述至少一個預測模組至少設置成,基於至少感測器的感測器數據的至少一個過程來生成用於感測器數據的未來過程的預測。由此,可以有利地實現高水準的過程可靠性及/或高水準的過程品質,尤其是藉由可以可靠地估計重要參數,例如過程參數、安全參數及/或品質參數的未來的另外的過程。「感測器數據的過
程」應尤其理解為由感測器模組的感測器確定的參數及/或由數據處理單元處理的參數的時間相關的參數值序列。尤其地,預測模組設置成例如借助數學外推來計算感測器數據的未來過程。可以設想的是,除了外推的未來過程之外,預測模組還確定及/或輸出所計算的未來過程的至少一個差錯估計及/或至少一個不確定範圍。例如,預測模組檢測參數的上升,確定匹配該上升的數學函數,例如線性函數並且外推相應的另外的、在該示例中為線性的上升,預測模組可以根據該上升可以預告一時間點,在該時間點如果所預告的過程是準確的,參數超過設定的閾值。
另外,提出的是,預測模組至少設置成,根據至少兩個、尤其是多於兩個感測器的感測器數據的組合及/或比較尤其同時比較來生成用於未來事件、用於未來結果、尤其是用於晶片傳送系統的至少子部件的操作準備的未來發展、及/或用於至少一個感測器數據集的未來過程的預測。由此,可以有利地生成特別可靠的預測。尤其地,預測模組使用至少兩個不同參數用於預測,這些不同參數已由具有不同測量方法及/或不同測量任務的感測器確定。尤其地,預測模組將不同參數進行比較及/或組合,用於生成預測。「同時比較」應尤其理解為同時測量的參數的比較。例如,預測模組將晶片傳送容器中的濕度和壓力的同時上升與晶片傳送容器即將發生的洩露相關聯,而沒有濕度升高的壓力上升更可能與仍然熱的晶片的平衡除氣相關聯。替代地或附加地,可以設想的是,預測模組使用至少兩個相同參數用於預測,這些相同參數已由具有不同測量方法及/或相同測量方法的感測器確定。由此,可以有利地實現高冗餘度。
此外,提出的是,預測模組從所確定的感測器數據的未來過程生成用於至少一個時間段的至少一個預測,該時間段一直持續到感測器數據偏離安全數據範圍。由此,可以有利地改進及/或簡化晶片傳送過程及/或晶片製造過程的組織性。「偏離安全數據範圍」及/或「位於安全數據範圍之外」的感測器數據應尤其理解為達到或低於或超過至少一個預定的閾值、及/或位於允許的參數範圍之外的感測器數據,較佳為參數值。可以設想的是,數據處理單元設置成借助顯示單元指示至少一個時間段。
另外,提出的是,預測模組設置成根據至少一個感測器數據集,尤其至少根據多個感測器數據集執行模式識別,用於至少生成預測。由此,可以有利地實現特別有效的及/或特別準確的預測。例如,預測模組可以從晶片傳送容器的內部中的壓力的常規跳躍上升和隨後的同樣跳躍下降推斷出虛擬真空洩漏,該虛擬真空洩漏會影響晶片傳送容器中的晶片品質,尤其是使該晶片品質惡化。「模式識別」應尤其理解為電腦輔助模式識別,例如借助聚類演算法及/或分類演算法。尤其地,預測模組具有識別一組感測器數據中規則性、重複性、相似性及/或規律性的能力。
當晶片傳送單元具有控制及/或調節單元時,可以有利地抵消具有負面後果的事件及/或結果,所述控制及/或調節單元至少設置成,基於預測模組的預測啟動晶片傳送系統的至少一個子部件的至少一個參數的至少一個適應。由此,可以有利地提高產品品質及/或生產效率的水準。另外,可以有利地將生產成本和故障時間保持為較少和較短。「控制及/或調節單元」應尤其理解為具有至少一組控制電子器件的單元。「控制電子器件組」應尤其理解為具有處理器單元和儲存器模組以及儲存在儲存器模組中的操作程式的單元。
較佳地,控制及/或調節單元至少部分地與Fab的中央控制及/或調節系統及/或數據處理單元,尤其是數據處理單元的至少一個專用電腦一體構成。尤其地,預測模組設置成將預測發送到中央電腦及/或Fab的中央控制及/或調節系統。尤其地,控制及/或調節單元設置成尤其自動地讀出預測模組的預測,並且在必要時從預測中獲得控制脈衝,例如用於晶片傳送容器傳送系統的控制。「至少一個參數的適應」應尤其理解為參數的主動適應,例如晶片傳送容器的內部壓力的主動降低。例如,控制及/或調節單元在接收到預告過早超過晶片傳送容器中的最大壓力的預測時,例如借助晶片傳送容器的嵌入式真空泵的啟動及/或借助藉由晶片傳送容器傳送系統進行的晶片傳送容器向外部泵站的轉運來啟動壓力降低,所述外部泵站設置成與晶片傳送容器聯結並調節晶片傳送容器的內部壓力。另一個例子是在運送特定的晶片傳送容器之前根據所發送的與該特定的晶片傳送容器相關的預測預先設定裝載及/或卸載站及/或晶片處理模組的至少一個參數,例如內部壓力,泵送方案及/或與晶片接觸構件的溫度。
此外,提出的是,晶片傳送單元具有至少一個控制及/或調節單元,所述至少一個控制及/或調節單元至少設置成,借助晶片傳送容器傳送系統至少基於感測器數據來控制及/或調節至少一個晶片傳送容器的物流。由此,可以有利地實現具有高效率和有效性的物流。「物流」應尤其理解為貨物傳送、尤其是Fab內的晶片傳送容器的傳送的規劃、控制、改善及/或實施。尤其地,晶片傳送容器的物流控制包括相對於Fab的晶片處理及/或晶片儲存設備的晶片傳送容器的分佈、分配及/或傳送的至少一個控制。例如,控制及/或調節單元設置成,將晶片傳送容器根據感測器數據分級地運送到各個處理步驟。在這
裡,可以例如較佳地運送具有當前最差感測器數據的晶片傳送容器,由此可以有利地減少廢品的產生。替代地,可以例如較佳地運送具有當前最佳感測器數據的晶片傳送容器,由此可以有利地分選出特別高品質的生產批次。
附加地,提出的是,借助所述晶片傳送容器傳送系統的晶片傳送容器的物流控制是藉由控制及/或調節單元基於由預測模組生成的預測進行。由此,可以有利地抵消具有負面後果的事件及/或結果。由此,可以有利地提高產品品質水準及/或生產效率水準。此外,可以有利地分別將生產成本和故障時間保持為較少和較短。例如,控制及/或調節單元可以設置成將晶片傳送容器根據其預測分級地運送到各個處理步驟。在這裡,可以例如較佳地運送具有特別負面的預測或直到事件發生前的時間段特別短的晶片傳送容器,由此可以有利地減少廢品的產生。替代地,可以例如較佳地運送具有特別正面的預測或特別好的參數值、例如特別低的濕度的晶片傳送容器,由此可以有利地分選出特別高品質的生產批次。
當控制及/或調節單元設置成尤其借助晶片傳送容器傳送系統防止晶片傳送容器的至少一個參數偏離安全數據範圍時,可以有利地將廢品的產生保持較少及/或可以藉由從生產迴圈中移除受污染的晶片傳送容器來避免晶片傳送系統的子部件的污染。尤其地,控制及/或調節單元設置成,借助晶片傳送容器傳送系統轉運晶片傳送容器用於再生及/或分選出所述晶片傳送容器,這些晶片傳送容器的感測器輸出感測器數據,這些感測器數據偏離安全數據範圍及/或由預測模組分配一預測,該預測預測出過早偏離安全數據範圍。尤其地,晶片傳送系統包括再生站,所述再生站設置成再生晶片傳送容器的至少一個參數,例如內部壓力及/或污染水準。例如,再生站可以包括用於泵出晶片傳送容
器的泵出站及/或用於再生晶片傳送容器的內壁的等離子體再生站。替代地或附加地,再生站可以包括轉裝站,所述轉裝站設置成將晶片從有差錯的及/或待再生的晶片傳送容器轉裝到新近調節的、無差錯的晶片傳送容器中。
此外,提出的是,至少數據處理單元、至少預測模組,尤其是預測模組的預測方法、及/或至少控制及/或調節單元,尤其是控制及/或調節單元對預測模組的預測的反應,為可重新編程及/或可再編程的設計。由此,可以有利地實現高靈活性。尤其地,數據處理單元、預測模組及/或控制及/或調節單元的操作程式特別如此構成,使得能夠對限定晶片傳送系統對預測模組的輸出反應的規則進行簡單且靈活的重新編程及/或再編程。尤其地,數據處理單元、預測模組及/或控制及/或調節單元具有使用者介面,所述使用者介面包括至少一個輸入單元,例如鍵盤,和輸出單元,例如螢幕,並且所述使用者介面專門為此編程以允許現有規則的呈現、修改及/或組合以及新規則的輸入。
此外,提出的是,晶片傳送單元具有機器學習模組,所述機器學習模組設置成借助機器學習改善預測及/或借助機器學習改善對預測的反應。由此,可以有利地實現晶片傳送單元的不斷改進。另外,可以有利地實現晶片傳送單元尤其至少部分地適應於特定的Fab。機器學習模組可以有利地構成為數據處理單元內的單獨的伺服器及/或電腦,特別是專用電腦。替代地,機器學習模組可以有利地集成在數據處理單元的伺服器及/或電腦中,例如數據處理單元的中央電腦及/或Fab的中央控制及/或調節單元中。尤其地,機器學習模組至少部分地與預測模組一體構成。尤其地,機器學習模組設置成尤其自動地檢測感測器數據集中的新模式並且較佳地可供用於預測模組的模式識別。尤其地,機器學習模組設置用於監控學習,其中,較佳地由機器學習模組檢測的模式必
須由操作者檢查和批准。可以在由操作者借助數據處理單元、預測模組及/或控制及/或調節單元的重新編程批准之後,為批准的模式分配至少一個新規則及/或至少一個現有規則。替代地或附加地,機器學習模組可以設置用於部分監控學習及/或無監控學習。尤其地,機器學習模組設置成,在晶片傳送系統的至少一個子部件的一個故障/多個故障之前根據可能會導致故障的一個模式/多個模式搜索所儲存的感測器數據集。由此,可以有利地識別迄今未知的差錯源及/或差錯指示符,並且所確定的模式可以在必要時用於確定用於未來對策的策略。
另外,提出的是,晶片傳送單元包括感測器模組,所述感測器模組具有至少一個感測器。由此,可以有利地實現晶片及/或晶片的環境條件的監控,由此可以尤其避免差錯,例如生產差錯、晶片的損壞及/或晶片的污染。尤其地,至少一個感測器模組,較佳地至少一個感測器與晶片傳送系統的單個子部件相關聯。尤其地,至少一個感測器模組,較佳地至少一個感測器,固定地與晶片傳送系統的至少一個單個子部件連接。尤其地,晶片傳送單元包括多個感測器模組,所述多個感測器模組可以尤其包括多個感測器。尤其地,感測器模組的至少一個感測器構成為光學感測器、電子感測器,尤其是電阻及/或電容感測器、磁感測器、機械感測器、熱電感測器、壓電感測器及/或電感感測器。較佳地,感測器構成為至少部分地集成在晶片傳送系統的子部件中,例如,感測器佈置在晶片傳送容器的內壁上。
此外,提出的是,感測器模組具有至少一個另外的感測器,所述至少一個另外的感測器構成為至少大致與該感測器相同。結果,可以有利地提高冗餘度,由此可以尤其容易地及/或快速地識別各個感測器的故障。尤其
地,感測器模組的另外的感測器設置成檢測與感測器模組的感測器相同的晶片傳送系統的相同子部件的相同參數。
此外,提出的是,感測器模組的感測器設置成確定參數,其中,感測器模組具有至少一個附加的另外的感測器,所述至少一個附加的另外的感測器設置成確定與感測器相同的參數,其中,所述附加的另外的感測器使用用於確定參數的測量方法,所述測量方法至少大致不同於感測器確定參數所借助的測量方法。由此,可以有利地進一步提高冗餘度,由此可以尤其容易地及/或快速地識別各個感測器的故障,並且可以容易且快速地檢查測量值的合理性。尤其地,感測器模組的附加的另外的感測器設置成檢測與感測器模組的感測器及/或感測器模組的另外的感測器相同的晶片傳送系統的子部件的相同參數。
此外,提出的是,晶片傳送單元具有至少一個測量技術單元,所述至少一個測量技術單元至少包括感測器,尤其是至少感測器模組的感測器及/或數據處理單元的至少一部分,尤其是數據處理單元的至少一個專用電腦,並且構成尤其是構成公共包的組件組,其中,測量技術單元設置用於可更換的佈置在晶片傳送系統的至少一個子部件上,尤其是在晶片傳送容器、晶片處理模組及/或裝載及/或卸載站上。由此,可以有利地提高靈活性,尤其是藉由將測量技術單元構成為可重複使用的及/或可更換的。有利地,測量技術單元的組成可以適應特定的框架條件,例如特定的感測器構造及/或特定的感測器組成。另外,測量技術單元可以有利地從晶片傳送系統的剔除的、待再生的及/或當前未使用的子部件,尤其是晶片傳送容器上拆卸,並且安裝在晶片傳送系統的新的、再生的及/或當前使用的子部件,尤其是晶片傳送容器上。由此,可以有利
地將更換部件成本保持較低。尤其地,測量技術單元設置成借助感測器捕獲感測器數據並且借助數據處理單元處理檢測到的感測器數據。較佳地,測量技術單元構成為感測器測量儀器,該感測器測量儀器構成為可以非破壞性地安裝在另外的構件上及/或從晶片傳送系統的子部件,尤其是晶片傳送容器中可拆下。
在該上下文中,多個構件「構成一個組件」應尤其理解為,這些構件具有至少一個共同的殼體及/或這些構件被實施為使得它們在不使用工具的情況下不能彼此分離及/或不能彼此非破壞性地分離。測量技術單元設置用於「可更換的佈置」應尤其理解為,測量技術單元作為整體構成為可以非破壞性地安裝在另外的構件上及/或可以從另外的構件上拆下。較佳地,測量技術單元可以構成為免工具地安裝在另外的構件上及/或可以從另外的構件上拆下。
尤其地,測量技術單元具有組件元件,所述組件元件有利地設置成與另外的構件例如晶片傳送容器的相應的組件元件聯結。尤其地,組件元件和相應的組件元件構成為形狀鎖合元件,所述形狀鎖合元件尤其設置成至少借助形狀鎖合相互聯結,尤其是相互接合,例如借助與至少一個卡定凸耳的夾式連接。替代地或附加地,組件元件還可以包括非形狀鎖合連接,例如螺紋連接及/或借助工具可建立的及/或可拆卸的連接。此外,可以設想的是,測量技術單元,尤其是代替集成在測量技術單元中的感測器,包括至少一個連接元件,尤其是插頭連接器,用於連接感測器的至少一個數據輸出端。例如,感測器固定地集成在晶片傳送系統的子部件中,尤其是在晶片傳送容器中,並且具有尤其構成為插頭連接器的數據輸出端,所述數據輸出端較佳地可從外部接入。在這裡,當測量技術單元與晶片傳送系統的子部件的聯結時,較佳地建立數據處理單元和感測器之間的數據連接。替代地或附加地,可以設想的是,感
測器設置用於感測器數據的無線通訊。尤其地,感測器具有發送器模組,用於感測器數據的無線通訊。尤其地,測量技術單元具有接收器模組,用於感測器數據的無線通訊。較佳地,感測器的發送器模組和測量技術單元的接收器模組借助近場通信技術(NFC)進行通信。由此,可以有利地省去感測器模組的單獨的電源,例如電池。
此外,提出的是,晶片傳送單元具有快速聯結裝置,所述快速聯結裝置設置用於測量技術單元與晶片傳送系統的子部件、尤其是與晶片傳送容器及/或與裝載及/或卸載站的可拆卸的及/或可互換的連接。由此,可以有利地實現測量技術單元的簡單及/或快速的更換、安裝及/或拆卸。另外,可以由此有利地減少安裝及/或拆卸期間的工作量,由此可以尤其提高操作便利性。快速聯結裝置尤其包括夾式連接或卡定連接,該夾式連接或卡定連接較佳地設置用於建立形狀鎖合。替代地或附加地,快速聯結裝置可以包括磁連接,該磁連接例如具有至少一個永磁體,該磁連接較佳地設置用於建立非形狀鎖合,尤其是磁力非形狀鎖合。較佳地,磁連接包括多個磁元件,尤其是磁體,這些磁元件較佳地至少大致佈置在平面中。藉由這種佈置,可以有利地確定測量技術單元相對於晶片傳送系統的子部件,尤其是相對於晶片傳送容器的取向,及/或避免滑動/扭轉。尤其地,快速聯結裝置構成為非破壞性地及/或免工具地可製造的及/或可拆卸的。
當至少一個感測器設置成尤其光學捕獲尤其佈置在晶片傳送系統的子部件中的至少一個晶片的外形的至少一部分,尤其是變形度時,可以有利地已在晶片生產過程的執行期間進行晶片的品質檢查。另外,可以由此有利地在整個晶片生產過程的執行期間,尤其是在各個處理步驟之間監控外形狀態
的進展,由此可以尤其識別對晶片的外形有影響的源。有利地,可以由此實現高的過程可靠性和高品質。「變形度」應尤其理解為晶片形狀與理想圓形及/或理想平坦外形的偏差,例如至少部分曲率,尤其是在晶片平面中。外形獲取尤其借助光學感測器,例如借助相機,借助光柵及/或借助鐳射感測器來進行。例如,晶片的外形獲取,尤其是晶片的變形獲取可以藉由相機使用自動圖像識別來進行。例如,晶片的外形獲取,尤其是晶片的變形獲取藉由光柵或藉由光學感測器借助透射及/或反射的輻射光的評估來進行。替代地或附加地,可以例如借助電容測量方法及/或借助掃描來檢測晶片的外形。
另外,提出的是,所檢測的外形構成晶片的實際外形,其中,數據處理單元設置成使晶片的實際外形至少與晶片的標稱外形進行比較。由此,可以有利地實現自動品質監控及/或自動差錯監控。尤其地,標稱外形被儲存在數據處理單元的儲存器模組中。尤其地,數據處理單元將所測量的實際外形虛擬地與所儲存的標稱外形疊加,用於檢查外形,尤其是用於確定晶片外形的偏差。尤其地,數據處理單元設置成,當所確定的晶片的外形的偏差超過一定的、尤其是可手動設定的閾值時,向操作者發出通知及/或向Fab的中央控制及/或調節系統發出指令,這導致晶片的相應的貼標籤及/或分選出。
此外,提出的是,至少一個感測器設置成檢測晶片傳送系統的子部件內、尤其是晶片傳送單元的晶片保持裝置內、較佳晶片傳送單元的晶片架的至少一個晶片的至少一個位置、尤其是至少一個晶片的至少一個定位。由此,可以有利地實現晶片位置的尤其自動化的監控,由此可以有利地提高過程可靠性。尤其地,定位採取晶片在晶片傳送系統的子部件內的預定位置處的定中心的形式。較佳地,感測器設置成監控晶片的定中心精度。
此外,提出的是,檢測位置,尤其是定位構成晶片的實際位置,尤其是實際定位,其中,數據處理單元設置成將晶片的實際位置,尤其是實際定位至少與晶片的標稱位置,尤其是標稱定位進行比較。由此,可以有利地實現自動品質監控及/或自動差錯監控。尤其地,標稱位置,尤其是標稱定位被儲存在數據處理單元的儲存器模組中。尤其地,數據處理單元將所測量的實際位置,尤其是實際定位,虛擬地與所儲存的標稱位置,尤其是標稱定位疊加,用於檢查晶片的位置、尤其是定位,尤其是用於確定晶片的位置、尤其是定位的偏差。尤其地,數據處理單元設置成,當所確定的晶片的位置、尤其是定位的偏差超過一定的、尤其是可手動設定的閾值時,向操作者發出通知及/或向Fab的中央控制及/或調節系統發出指令,這導致晶片的相應的貼標籤及/或分選出。
當感測器模組的至少一個感測器構成為無源感測器時,可以有利地實現低成本的及/或可易於識別或讀出的檢測方法。「無源感測器」應尤其理解為不依賴於電能供應而可工作的感測器。較佳地,無源感測器構成為顏色指示器,尤其可逆的顏色指示器。例如,無源感測器隨著監控參數、例如濕度及/或氧濃度的增加而變色。變色可以尤其由操作者直接讀出或借助相機的影像處理來讀出。可以設想的是,晶片傳送系統的監控子部件,尤其是晶片傳送容器具有透明元件,例如觀察窗,所述透明元件較佳地允許觀察無源感測器,其中,無源感測器尤其佈置在晶片傳送系統的子部件、尤其是晶片傳送容器的內部中。替代地或附加地,無源感測器可以包括例如至少一個應變計及/或至少一個機械溫度計,例如雙金屬溫度計或液體溫度計。
另外,提出的是,感測器模組的至少一個感測器設置成檢測晶片傳送容器、尤其是晶片傳送容器的內部的至少一個參數。由此,可以有利地實現高的過程可靠性,尤其是藉由可以在各個過程步驟之間的傳送及/或儲存期間監控晶片。由此,可以有利地減少由於受污染的及/或有差錯的晶片而導致晶片處理模組污染及/或損壞的風險。晶片傳送容器、尤其是晶片傳送容器的內部的檢測參數中的至少一個較佳地構成為上述的物理、化學及/或幾何參數中的至少一個,例如構成為晶片傳送容器的內部壓力、氧濃度及/或濕度。
當感測器模組的至少一個感測器設置成檢測晶片傳送容器的內容物、尤其是儲存在晶片傳送容器中的物體、較佳地儲存在晶片傳送容器中的晶片的至少一個參數時,可以有利地實現高的過程可靠性,尤其是藉由可以在各個過程步驟之間的傳送及/或儲存期間監控晶片。由此,可以有利地進一步減少由於受污染的及/或有差錯的晶片而導致晶片處理模組污染及/或損壞的風險。晶片傳送容器的內容物、尤其是儲存在晶片傳送容器中的物體、較佳地儲存在晶片傳送容器中的晶片的檢測參數中的至少一個較佳地構成為上述的物理、化學及/或幾何參數中的至少一個,例如構成為物體的溫度、物體的曲率及/或物體的定位。儲存在晶片傳送容器中的物體尤其構成為晶片、用於晶片的曝光掩模或晶片生產所需的類似物體。
此外,提出的是,感測器模組的至少一個感測器可與儲存在晶片傳送容器中的物體、尤其是晶片、尤其是剛好一個儲存在晶片傳送容器中的物體、尤其是剛好一個儲存在晶片傳送容器中的晶片的至少一個子組相關聯。由此,可以有利地實現物體、尤其是晶片、較佳各個物體、尤其是晶片、及/或多個物體、尤其是晶片的各個子組的單獨監控。由此,可以有利地實現高的監
控精度。「物體的子組」應尤其理解為這樣的物體組,該物體組包括所有物體的至多90%、較佳所述物體的至多50%,有利地所有物體的至多30%,更佳所有物體的至多10%並且尤佳剛好一個物體。尤其地,一旦所有物體的總數超過數字1,則所有物體的總數包括至少兩個子組並且至多包括與物體數量相對應的子組的數量。與一個物體的子組,尤其是單個物體相關聯的感測器尤其設置成僅捕獲與子組的物體、尤其是單個物體相關聯的感測器數據。較佳地,至少一個感測器與每個物體子組,尤其是每個物體相關聯。例如,溫度感測器與每個物體子組,尤其是每個物體相關聯。由此,可以有利地捕獲晶片傳送容器內的參數變化,例如由於以不同速度發生的冷卻過程而產生的溫度變化。有利地,可以更好地識別各個有差錯的物體,並且在必要時將其分選出。
此外,提出的是,感測器模組的至少一個感測器設置成檢測裝載及/或卸載站、尤其是裝載及/或卸載站的內部的至少一個參數。由此,可以有利地實現高的過程可靠性,尤其是藉由可以在各個晶片傳送容器之間及/或在晶片傳送容器和晶片處理模組之間的傳遞期間監控晶片。由此,可以有利地減少由於受污染的及/或有差錯的晶片而導致晶片傳送容器及/或晶片處理模組污染及/或損壞的風險。裝載及/或卸載站、尤其是裝載及/或卸載站的內部的檢測參數中的至少一個較佳地構成為上述的物理、化學及/或幾何參數中的至少一個,例如構成為裝載及/或卸載站的內部壓力、氧濃度及/或濕度。
此外,提出的是,感測器模組的至少一個感測器設置成檢測晶片處理模組、晶片傳送容器傳送系統及/或晶片搬運機器人的至少一個參數。由此,可以有利地實現高的過程可靠性,尤其是藉由在處理期間或在各個晶片處理模組之間的傳送期間監控晶片。由此,可以有利地減少由於受污染的及/或有
差錯的晶片而導致晶片處理模組污染及/或損壞的風險。晶片處理模組、晶片傳送容器傳送系統及/或晶片搬運機器人的至少一個檢測參數較佳構成為上述的物理、化學及/或幾何參數中的至少一個,例如構成為加速度及/或加加速度。
此外,提出的是,感測器模組的至少一個感測器設置成檢測由晶片傳送容器的內部和裝載及/或卸載站的內部在晶片傳送過程期間形成的局部環境的參數。由此,可以有利地實現高的過程可靠性,尤其是藉由可以在各個晶片傳送容器之間及/或在晶片傳送容器和晶片處理模組之間的傳遞期間監控晶片。由此,可以有利地減少由於受污染的及/或有差錯的晶片而導致晶片傳送容器及/或晶片處理模組污染及/或損壞的風險。另外,裝載及/或卸載站的感測器可以有利地用於確定晶片傳送容器的參數,例如晶片傳送容器的內部壓力,或反之亦然。局部環境、尤其是在晶片傳送過程期間形成的微型環境的檢測參數中的至少一個較佳地構成為上述的物理、化學及/或幾何參數中的至少一個,例如構成為微型環境的內部壓力、氧濃度及/或濕度。「晶片傳送過程」尤其包括這樣的過程,其中,晶片借助晶片傳送容器打開元件的降低從晶片傳送容器被卸載到裝載及/或卸載站的內部並且借助晶片搬運機器人被傳送到晶片處理模組中。局部環境尤其構成微型環境。
當數據處理單元及/或感測器模組具有至少一個儲存器模組,尤其是上述的儲存器模組時,可以有利地實現差錯源的精確追溯,所述儲存器模組至少設置用於儲存感測器數據的過程。尤其地,感測器模組設置成週期性地將感測器數據儲存在儲存器模組中。尤其地,感測器模組和數據處理單元具有彼此分開構成的儲存器模組。較佳地,感測器模組的儲存器模組由數據處理單元定期讀出,並且所儲存的感測器數據的過程從感測器模組的儲存器模組傳輸
到數據處理單元的儲存器模組中,尤其是用於評估。較佳地,數據處理單元的儲存器模組具有比感測器模組的儲存器模組大得多的儲存容量。
另外,提出的是,數據處理單元具有至少一個評估模組,所述至少一個評估模組至少設置用於評估感測器數據的至少一個過程,所述至少一個過程尤其儲存在數據處理單元的儲存器模組中,其中,所述評估模組包括自動差錯檢測裝置,所述自動差錯檢測裝置至少設置成檢測感測器模組的感測器的至少一個故障及/或感測器模組的至少一個感測器的異常感測器數據。由此,可以有利地避免故障及/或由Fab的控制及/或調節系統基於錯誤數據進行的錯誤控制。評估模組可以有利地構成為數據處理單元內的單獨的伺服器及/或電腦,尤其是專用電腦。替代地,評估模組可以有利地集成在數據處理單元的伺服器及/或電腦中,例如數據處理單元的中央電腦中及/或Fab的中央控制及/或調節系統中。「異常感測器數據」尤其是這樣的感測器數據,這些感測器數據具有異常過程,例如強的雜訊及/或特別突然的階躍變化,及/或異常參數值,例如位於物理上實際範圍之外的參數值。自動差錯檢測裝置尤其構成為可再編程及/或可重新編程。較佳地,可以手動補充、刪除及/或修改自動差錯檢測裝置對故障及/或異常感測器數據進行檢測所依據的規則。
當至少一個感測器構成為相機系統,尤其是智慧相機系統時,可以有利地借助圖像識別實現至少一個參數及/或參數值的確定。有利地,相機系統可以設置成尤其同時或順序地捕獲一個以上的單個參數。較佳地,相機系統,尤其是相機系統的相機設置成捕獲兩個不同的參數,尤其是幾何參數,例如晶片的曲率,晶片的定位及/或晶片的直徑。較佳地,相機系統,尤其是相機系統的相機設置成捕獲兩個以上的不同參數。「智慧相機系統」應尤其理解為
這樣的相機系統,該相機系統與數據處理單元通信並且較佳地依賴於待捕獲的參數執行相機的自動聚焦及/或取向,並且尤其包括自動影像處理裝置,用於從由相機系統拍攝的圖像中自動提取參數。例如,相機系統具有自動晶片識別裝置,所述自動晶片識別裝置尤其設置成自動識別位於相機系統的像場中的晶片。較佳地,相機系統至少設置成,自動讀出感測器模組的至少一個無源感測器。
此外,提出的是,晶片傳送單元具有至少一個晶片保持裝置,尤其是晶片架,在所述晶片保持裝置之上及/或之中佈置有感測器模組的至少一個感測器。由此,可以有利地藉由位於晶片的鄰近區域中的感測器實現參數的獲取,由此可以尤其實現高精度。另外,可以由此有利地將所捕獲的參數與多個晶片內的單個晶片相關聯,由此可以尤其捕獲不同晶片的參數差,例如溫度差。「晶片保持裝置」尤其構成為一種裝置,該裝置設置成以位置固定的方式保持至少一個晶片,較佳多個晶片。較佳地,晶片保持裝置佈置在晶片傳送容器的內部中。較佳地,晶片保持裝置固定地與晶片傳送容器打開元件連接。尤其地,在形成微型環境期間,晶片保持裝置與晶片傳送容器打開元件一起移動到裝載及/或卸載站的內部中。晶片保持裝置尤其由適合真空的材料構成,例如金屬,可切削玻璃陶瓷及/或塑膠,例如PEEK。晶片保持裝置尤其具有夾緊元件,所述夾緊元件設置成禁止所保持的晶片的滑動。感測器尤其至少部分地集成在晶片保持裝置中,尤其是在晶片保持裝置的夾緊元件中的至少一個中,較佳地與晶片保持裝置,尤其是晶片保持裝置的夾緊元件中的至少一個一體構成。
此外,提出的是,晶片傳送單元具有充電模組,所述充電模組設置成向感測器模組的能量儲存器及/或數據處理單元的能量儲存器無接觸地提供充電能量。由此,可以有利地實現特別簡單的充電過程。能量儲存器尤其構成為物理能量儲存器,例如電容器等及/或化學能量儲存器,例如電池等。「無接觸地提供充電能量」尤其應理解為這樣的充電能量提供,其中用於對能量儲存器充電的能量至少部分地完全無線被傳輸。尤其地,藉由充電模組借助磁場,例如藉由感應,借助電磁波及/或借助光,例如藉由光電池進行能量傳輸。充電模組尤其包括至少一個能量發送元件,所述至少一個能量發送元件例如構成為磁場發生器、用於產生電磁輻射的發生器及/或用於發出光波的光源。較佳地,能量發送元件至少佈置在晶片傳送系統的子部件上,例如在裝載及/或卸載站上。尤其地,晶片傳送系統包括多個能量發送元件,這些能量發送元件佈置在晶片傳送系統的不同位置處。替代地或附加地,至少一個能量發送元件可以構成晶片傳送系統的單獨的子部件,所述單獨的子部件不依賴於晶片傳送系統的另外的子部件。另外,充電模組尤其包括能量接收元件,所述能量接收元件例如至少構成為磁線圈、用於接收電磁輻射的天線及/或光電池。能量接收元件尤其與感測器模組的至少一個感測器、較佳地感測器模組的多個感測器、及/或數據處理單元的至少一個專用電腦相關聯。能量接收元件至少佈置在晶片傳送系統的一個子部件上,例如在晶片傳送容器上。替代地或附加地,可以設想的是,晶片傳送容器的至少一個能量接收元件在晶片傳送容器對接到裝載及/或卸載站的過程中建立與至少一個能量發送元件的直接接觸式插頭連接,用於向與晶片傳送容器相關聯的至少一個能量儲存器充電。
附加地,提出的是,充電模組具有至少一個導體電路,所述至少一個導體電路設置成從電場及/或磁場中獲取充電能量並將其轉換成電能。由此,可以有利地實現無線的能量傳輸,尤其是在充電模組的部件之間。藉由無線的能量傳輸,尤其是藉由免除耗損的插頭連接,可以有利地減少容易出錯性。尤其地,導體電路與能量接收元件相關聯。尤其地,導體電路構成為RFID天線及/或感應線圈等。
另外,提出的是,晶片傳送單元具有至少一個光電池單元,所述至少一個光電池單元設置成向感測器模組的能量儲存器及/或數據處理單元的能量儲存器提供充電能量。由此,可以有利地創建簡單的無線充電設施。尤其地,光電池單元至少部分地構成能量接收元件。尤其地,光電池單元具有至少一個光電池,較佳為上述的光電池。
此外,提出的是,晶片傳送單元具有至少一個照明單元,所述至少一個照明單元設置成照明光電池單元的至少一個光電池。由此,可以有利地向能量接收元件提供簡單的無線的能量供應。尤其地,照明單元構成能量發送元件。尤其地,照明單元具有光源,尤其是上述的光源。
此外,提出的是,數據處理單元,尤其是數據處理單元的至少一個專用電腦,具有至少一個NFC介面及/或WLAN介面,用於處理感測器數據。由此,可以有利地允許數據處理單元的至少臨時相鄰部分,尤其專用電腦之間的直接通信。例如,數據處理單元的與用於確定裝載及/或卸載站內的內部壓力的感測器相關聯的專用電腦可以設置成,在數據處理單元的另一台專用電腦移動到前一台專用電腦鄰近區域中時,該數據處理單元的另一台專用電腦與例如用於確定晶片傳送容器的內部中的內部壓力的感測器相關聯,借助NFC介
面自動地接收所述另外的專用電腦的數據並且從所測量和接收的數據的組合自動地確定裝載及/或卸載站與晶片傳送容器之間的壓差。替代地或附加地,用於處理感測器數據的數據處理單元可以包括藍牙(Bluetooth)介面、ZigBee介面、WiMAX介面或用於無線數據傳輸、較佳為近場數據傳輸的類似介面。
此外,提出的是,晶片傳送單元包括至少一個讀出裝置,所述至少一個讀出裝置具有至少一個讀出位置並且設置成,在將數據處理單元,尤其是數據傳輸元件定位在讀出位置的鄰近區域中時觸發數據處理單元,尤其是數據處理單元的數據傳輸元件的數據通信。由此,可以有利地尤其藉由以下方式實現高效能,即,只有當接收器在接收範圍內明確可用時,消耗能量的數據通信才有效。尤其地,讀出位置與晶片傳送系統的至少一個子部件,尤其是至少晶片傳送容器傳送系統及/或裝載及/或卸載站相關聯。尤其地,數據通信包括將感測器數據集、晶片傳送容器的識別符及/或操作指令至少一次傳輸到例如感測器的專用電腦,尤其是用於適應感測器設置、測量間隔等,這些識別符設置成唯一識別晶片傳送容器。較佳地,晶片傳送系統包括多個讀出位置。尤其地,讀出位置佈置在Fab的軌道系統的節點處,這些節點較佳地在晶片生產過程期間由所有晶片傳送容器通過。此外,讀出位置較佳地與裝載及/或卸載站相關聯,晶片傳送容器在晶片生產過程期間對接到所述裝載及/或卸載站。讀出裝置尤其構成為RFID讀取單元等。
替代地或附加地,讀出位置可以構成晶片傳送系統的單獨的子部件,所述單獨的子部件較佳地不依賴於晶片傳送系統的另外的子部件。尤其地,這種不依賴的讀出位置構成診斷站。可以設想的是,所有晶片傳送容器在常規生產週期中至少一次有選擇地接近診斷站及/或讀出位置。替代地或附加
地,可以設想的是,晶片傳送容器由操作者手動或由Fab的中央控制及/或調節系統自動,尤其是依賴於對儲存在晶片傳送容器中的晶片的總儲存時間及/或測量參數值的預測,有選擇地轉運到診斷站及/或讀出位置。另外,可以設想的是,有選擇地接近診斷站及/或讀出位置的頻率依賴於預測而變化。在這裡,尤其是頻率越下降,預測結果就越肯定。
軌道系統及/或傳送滑車的物體、尤其是讀出位置的「鄰近區域」應尤其理解為由距該物體至多5m,較佳至多2m,有利地至多1m,更佳至多50cm並且尤佳至多25cm的點形成的區域。數據傳輸元件尤其包括至少一個發送機構和至少一個接收機構,所述至少一個發送機構設置用於發送數據處理單元、尤其是專用電腦的電子數據,所述至少一個接收機構設置用於接收數據處理單元、尤其是專用電腦的電子數據。尤其地,數據傳輸元件在數據通信期間將包含在數據處理單元的儲存器模組中的所有資訊項、尤其是數據處理單元的位於鄰近區域中的部分的儲存器模組中、較佳地位於鄰近區域中的專用電腦的儲存器模組中的所有資訊項傳輸到讀出裝置。替代地或附加地,讀出裝置可以設置成僅查詢數據處理單元的特定的可選數據項,例如特定的感測器數據集,於是,數據處理單元僅傳輸所查詢的數據。數據通信被「觸發」應尤其理解為,在檢測到數據處理單元的至少一部分、較佳地至少一個專用電腦的存在時,在鄰近區域中自動啟動數據通信。
當晶片傳送單元的充電模組及/或充電能量提供模組至少部分地與讀出裝置一體構成時,可以有利地減少構件,由此可以尤其將生產和材料成本保持較低,該充電模組及/或該充電能量提供模組設置成在充電過程期間將充電能量無接觸地傳輸到充電模組的至少一部分,尤其是能量接收元件。
附加地,提出的是,數據處理單元的至少一部分,尤其是數據處理單元的至少一個專用電腦與晶片傳送系統的晶片傳送容器相關聯並且設置成,將晶片傳送容器的感測器數據,尤其是壓力感測器數據與數據處理單元的至少一個另外的部分,尤其是數據處理單元的至少一個另外的專用電腦進行交換,尤其是在用於晶片傳送過程的局部環境的構成期間,該數據處理單元與晶片傳送系統的裝載及/或卸載站相關聯。由此,可以有利地使裝載及/或卸載站的至少一個參數例如內部壓力與晶片傳送容器的參數匹配。由此,可以有利地使用於構成微型環境的裝載及/或卸載站和晶片傳送容器的參數較佳地在構成微型環境之前彼此一致。例如,晶片傳送容器的內部壓力被發送到裝載及/或卸載站,緊接著,裝載及/或卸載站的內部壓力在借助晶片傳送容器打開元件打開晶片傳送容器之前適應於所接收的壓力值。
此外,提出的是,晶片傳送單元具有至少一個警報模組,所述至少一個警報模組至少設置成,在檢測到至少一個感測器的感測器數據偏離尤其是可預設定的安全數據範圍時及/或在檢測到晶片傳送系統的至少一個子部件的故障時發出至少一個、尤其是聲音及/或光警告。由此,可以有利地快速且有效地注意到可能的故障,由此可以尤其實現對故障的有效和快速反應。由此,可以有利地避免故障時間及/或將故障時間保持得時間較短。警報模組尤其包括至少一個警報器、至少一個警告燈及/或至少一個數據發送裝置,該至少一個警報器、該至少一個警告燈及/或該至少一個數據發送裝置尤其設置成將有關檢測到的偏差及/或故障的警告及/或通知發送到至少一個操作者及/或至少Fab的中央控制及/或調節系統。尤其地,警報模組與晶片傳送系統的至少一個子部件相關聯。較佳地,晶片傳送單元包括多個警報模組,這些警報模組尤其與晶片傳送
系統的不同子部件相關聯。較佳地,至少一個警報模組與至少一個、尤佳每個晶片傳送容器相關聯。尤其地,警報模組固定地與晶片傳送容器連接。有利地,借助警報模組可在大量晶片傳送容器中快速且容易地識別具有故障的晶片傳送容器,例如藉由相應地良好可識別的照明,該照明例如具有醒目的顏色、強烈的發光度及/或亮度調製,及/或藉由相應地清楚可聽的聲音信號。
尤其地,評估模組設置成,在藉由自動差錯檢測裝置檢測到差錯的情況下啟動警報模組,尤其是與晶片傳送系統的具有該差錯的子部件相關聯的警報模組。Fab的中央控制及/或調節系統尤其設置成,在接收到及/或檢測到警告時執行自動控制,所述自動控制失活晶片傳送系統的受影響的子部件及/或將其從晶片生產過程中移除。較佳地,Fab的中央控制及/或調節系統指示晶片傳送容器傳送系統將存在警告的晶片傳送容器轉運到診斷站,轉運到再生站及/或將其完全排除在生產週期之外。替代地或附加地,Fab的中央控制及/或調節系統設置成指示晶片傳送容器傳送系統不將另外的晶片,尤其是不將晶片傳送容器運送到晶片傳送系統的存在警告及/或與存在警告的晶片處理模組連接的子部件,例如裝載及/或卸載站。
另外,提出了一種晶片傳送容器,其具有晶片傳送單元和至少一個感測器模組,所述至少一個感測器模組具有至少一個感測器。由此,可以在至少一個晶片的傳送、至少一個晶片的儲存及/或至少一個晶片向晶片傳送系統的另外的子部件的傳送方面實現尤其有利的特性。
此外,提出的是,晶片傳送容器具有至少一個調溫單元,所述至少一個調溫單元至少設置成,基於至少一個感測器的感測器數據對儲存在晶片傳送容器中的至少一個物體,尤其是儲存在晶片傳送容器中的至少一個晶片
進行調溫,尤其是加熱及/或冷卻,其中,至少一個感測器構成為溫度感測器。由此,可以有利地能夠實現的是,將晶片傳送容器內部的物體保持在對物體及/或晶片生產過程有利的溫度及/或使所述物體達到有利的溫度。調溫單元尤其包括加熱系統及/或冷卻系統。藉由調溫單元對物體的調溫尤其是藉由經由物體的一部分與調溫單元的一部分,尤其是調溫單元的調溫元件之間的至少一次直接物理接觸的熱流來進行。替代地或附加地,可以借助利用熱輻射例如紅外輻射的物體照射藉由加熱設備進行溫度升高。較佳地,調溫藉由調溫單元來控制及/或調節,尤其是藉由控制及/或調節單元來控制及/或調節。尤其地,溫度感測器與控制及/或調節單元一起構成恒溫器。溫度感測器尤其構成為熱敏電阻、半導體溫度感測器、熱元件、高溫計等。
此外,提出的是,調溫單元具有至少一個調溫元件,尤其是上述的調溫元件,所述調溫元件與待由調溫單元調溫的物體,尤其是待由調溫單元調溫的晶片物理接觸。由此,可以有利地實現用於調溫的有效熱流。尤其地,至少一個調溫元件,較佳多個調溫元件與儲存在晶片傳送容器中的每個物體相關聯。與物體相關聯的調溫元件較佳地如此接觸該物體,使實現整個物體的盡可能均勻的調溫。例如,多個相互聯結的調溫元件沿物體的圓周以盡可能均勻的間隔接觸物體。調溫元件尤其包括加熱元件及/或冷卻元件。尤其地,借助冷卻元件可以有利地支援及/或加速物體的冷卻,這尤其可以在通常由於缺少熱傳送介質而只能非常緩慢地進行冷卻的真空環境中帶來很大的優點,例如節省時間。加熱元件尤其構成為電阻加熱元件、熱電元件,尤其是帕耳帖元件、及/或加熱流體流過的加熱回路的一部分。冷卻元件尤其構成為熱電元件,尤其是帕耳帖元件,及/或冷卻流體流過的冷卻回路的一部分。另外,可以設想的
是,加熱元件及/或冷卻元件構成為導熱元件,所述導熱元件具有特別高的導熱性並且設置成建立與尤其佈置在晶片傳送容器外部的加熱及/或冷卻源的導熱接觸。
加熱及/或冷卻源尤其與晶片傳送系統的子部件相關聯。例如,可以設想的是,裝載及/或卸載站具有加熱及/或冷卻源,其中,在晶片傳送容器與載入及/或卸載對接時,在加熱及/或冷卻源與至少一個調溫元件之間建立導熱連接。替代地或附加地,可以設想的是,加熱及/或冷卻源構成晶片傳送系統的單獨的、尤其是構成為調溫站的子部件。晶片傳送容器傳送系統可以尤其設置成,在晶片生產過程期間,較佳地依賴於由感測器測量的至少一個參數例如溫度,將晶片傳送容器運送到調溫站用於對包含在其中的晶片進行調溫。
當晶片傳送容器的調溫單元設置成分別對儲存在晶片傳送容器中的至少兩個物體,尤其是晶片進行調溫,尤其是加熱及/或冷卻時,可以有利地實現晶片傳送容器內的盡可能均勻的溫度分佈。另外,可以有利地使物體的溫度適應物體的一定特性,例如,由此還能夠將不同的物體保持在不同的溫度及/或使不同的物體達到不同的溫度。尤其地,調溫單元設置成分別對儲存在晶片傳送容器中的三個、四個、五個及/或多個、較佳所有物體進行調溫。為此,調溫單元具有彼此在導熱技術上去聯結的調溫元件,尤其是導熱元件,這些調溫元件與分別待調溫的物體相關聯。
另外,提出的是,感測器模組至少設置成,尤其是借助構成為溫度感測器的兩個感測器單獨捕獲儲存在晶片傳送容器中的第一物體、尤其是晶片的溫度和儲存在晶片傳送容器中的第二物體、尤其是晶片的另外的溫度。由此,可以有利地確定晶片傳送容器內的溫度分佈,由此例如可以記錄不同物
體的不同冷卻速度。尤其地,感測器模組設置成分別確定儲存在晶片傳送容器中的三個、四個、五個及/或多個、較佳所有物體的溫度。
當晶片傳送容器具有可佈置在晶片傳送容器之上和/之中的至少一個真空泵時,可以有利地進行晶片傳送容器的內部壓力的直接適應,尤其是不依賴於與裝載及/或卸載站的聯結。由此,可以有利地在晶片傳送容器的內部中保持足夠的真空,尤其是也在傳送過程期間及/或在晶片傳送容器的儲存期間。「真空泵」應尤其理解為一構件,該構件設置成改變封閉空間,例如晶片傳送容器的內部中的壓力,較佳地至少大致減小該壓力,其中,尤其是藉由從晶片傳送容器的內部輸送物質及/或藉由在特定位置處收集及/或捆束物質來引起壓力降低。尤其地,泵構成為擠壓泵、噴射泵、分子泵、尤其是渦輪分子泵、低溫泵及/或吸附泵。真空泵「可佈置在晶片傳送容器上」應尤其理解為,真空泵可固定地與晶片傳送容器連接,較佳地使得真空泵固定地與晶片傳送容器相關聯並且可在晶片傳送容器運送期間與晶片傳送容器一起移動。真空泵「可佈置在晶片傳送容器中」應尤其理解為,真空泵至少部分地,較佳完全地佈置在晶片傳送容器的內部中。
尤其地,晶片傳送容器具有至少一個真空泵緊固單元,所述至少一個真空泵緊固單元設置成將真空泵位置固定地,尤其是非位置鎖合地,例如借助螺紋連接等,及/或形狀鎖合地,例如借助夾式連接及/或卡定連接等固定到晶片傳送容器上。較佳地,借助真空泵緊固單元的連接構成為非破壞性地及/或免工具地可拆卸的。由此,真空泵可以有利地在不同的晶片傳送容器之間來回交換及/或在傳送容器停止使用時可以繼續使用真空泵,例如藉由安裝在新
的晶片傳送容器上。較佳地,真空泵設置成泵抽空封閉的晶片傳送容器,其中,尤其是在晶片傳送容器的儲存期間及/或傳送期間執行泵送過程。
尤其地,可以設想的是,晶片傳送系統具有子部件,所述子部件構成為真空泵交換站。真空泵交換站尤其設置成,將真空泵佈置在晶片傳送容器上,從晶片傳送容器移除真空泵及/或更換與晶片傳送容器相關聯的真空泵。晶片傳送容器傳送系統尤其設計成,較佳地藉由自動控制Fab的中央控制及/或調節單元及/或藉由由操作者手動控制來將晶片傳送容器運送到真空泵交換站。較佳地,將晶片傳送容器運送到真空泵交換站基於晶片傳送容器的至少一個感測器,尤其是內部壓力感測器的感測器數據及/或基於預測模組的預測來進行。尤其地,晶片傳送容器被運送到真空泵交換站,該晶片傳送容器迄今尚未與真空泵相關聯並且其內部壓力已經超過特定的壓力閾值及/或其預測有壓力閾值的即將發生地超過。真空泵藉由真空泵交換站與這些晶片傳送容器相關聯。另外,尤其是晶片傳送容器被運送到真空泵交換站,該晶片傳送容器已經與真空泵相關聯並且其內部壓力已經低於特定的壓力閾值及/或其預測有長時間段直到超過壓力閾值。相關聯的真空泵藉由真空泵交換站從這些晶片傳送容器移除。
尤其地,至少控制及/或調節單元,較佳地數據處理單元的與晶片傳送容器相關聯的專用電腦的控制及/或調節單元設置成,基於感測器模組的感測器數據借助真空泵控制及/或調節晶片傳送容器的內部中的壓力。尤其地,因此與晶片傳送容器相關聯的真空泵一旦超過設定的壓力閾值就啟動真空泵的啟動,並且一旦低於另外的設定的閾值就停止真空泵,其中,尤其是另外的壓
力閾值顯著低於壓力閾值較佳至少一個數量級,較佳至少兩個數量級以及較佳至少三個數量級。
當真空泵包括至少一個吸氣器,尤其是離子吸氣器時及/或當在晶片傳送容器的內部佈置有至少一個吸氣器時,可以有利地實現簡單及/或有效的壓力調節。吸氣器可以尤其構成為離子吸氣泵的一部分,然而較佳地,吸氣器不依賴於離子吸氣泵構成。尤其地,吸氣器構成為非揮發性吸氣器。吸氣器尤其構成為「散裝吸氣器」,其具有擁有盡可能大的表面的外形,例如至少一個、較佳多個板、條、線等的佈置。替代地或附加地,吸氣器可以構成為塗層,該塗層尤其佈置在晶片傳送容器的較佳金屬的表面上,較佳晶片傳送容器的內壁的至少一部分的表面及/或晶片傳送容器打開元件的表面上,及/或晶片保持裝置的較佳金屬的表面上。尤其地,吸氣器至少部分地由合金構成,該合金至少包括鋯、釩、鈷、鋁、鈦、鐵及/或鈰稀土金屬。
當晶片傳送容器具有與真空泵的可拆卸的及/或可互換的連接時,可以有利地實現高的靈活性,尤其是藉由僅將所有晶片傳送容器的一部分與真空泵相關聯,尤其是依賴於相應的內部壓力。另外,可以有利地實現與分選出的晶片傳送容器相關聯的真空泵的可再利用性,由此可以將成本保持得較低。尤其地,借助上述的真空泵緊固單元進行真空泵與晶片傳送容器的可拆卸的及/或可互換的連接。
此外,提出的是,晶片傳送容器具有真空密封的真空泵快速聯結裝置,所述真空密封的真空泵快速聯結裝置設置用於真空泵,尤其是真空泵的至少一個吸入口與晶片傳送容器的內部的可拆卸的及/或可互換的聯結。由
此,可以有利地將組裝、拆卸及/或更換真空泵所需的時間及/或工作花費保持較低。
此外,提出了一種裝載及/或卸載站,其具有晶片傳送單元,並且具有至少一個感測器模組,所述至少一個感測器模組具有至少一個感測器。由此,可以在晶片傳送系統的子部件之間,尤其是晶片傳送容器、裝載及/或卸載站及/或與裝載及/或卸載站連接的晶片處理模組之間的至少一個晶片的傳送方面提供尤其有利的特性。另外,可以有利地實現對晶片及/或晶片的環境條件的監控,由此可以尤其避免差錯,例如生產差錯、晶片損壞及/或晶片污染。
此外,提出的是,裝載及/或卸載站具有中央控制及/或調節單元,所述中央控制及/或調節單元至少設置成控制及/或調節與晶片傳送系統的至少一個另外的子部件,尤其是至少與晶片傳送系統的晶片處理模組、至少與晶片傳送系統的晶片傳送容器傳送系統及/或至少與晶片傳送系統的晶片搬運機器人的數據通信,及/或晶片傳送系統的至少兩個子部件之間的數據通信及/或裝載及/或卸載站與外部數據處理系統的數據通信。由此,可以有利地實現對由裝載及/或卸載站執行的晶片傳送的可靠控制。裝載及/或卸載站的中央控制及/或調節單元尤其與晶片傳送單元的控制及/或調節單元一體構成;較佳地,裝載及/或卸載站的中央控制及/或調節單元以及晶片傳送單元的控制及/或調節單元是相同的。裝載及/或卸載站的中央控制及/或調節單元尤其至少部分地與Fab的中央控制及/或調節系統、與數據處理單元及/或與數據處理單元的至少一個專用電腦一體構成。尤其地,數據通信包括感測器數據集的確定參數例如壓力值及/或子部件的控制指令的至少一次交換。外部數據處理系統尤其構成為Fab的中央控制及/或調節系統及/或Fab外部的另外的數據處理系統,例如雲端
(Cloud)等。尤其地,裝載及/或卸載站的中央控制及/或調節單元的數據通信及/或晶片傳送系統的另外的子部件的數據通信如此構成,使得確保了與現有的及/或已建立的系統、例如現有的晶片處理模組、現有的晶片傳送容器傳送系統及/或現有的Fab的中央控制及/或調節系統的相容性。
此外,提出了一種晶片傳送系統,尤其是上述的晶片傳送系統,其具有至少一個晶片介面系統,所述至少一個晶片介面系統具有晶片傳送容器和用於裝載及/或卸載晶片傳送容器的裝載及/或卸載站,並且所述晶片傳送系統尤其具有:晶片處理模組,至少一個晶片傳送容器傳送系統及/或至少一個晶片搬運機器人。由此,可以在至少一個晶片的傳送、至少一個晶片的儲存及/或至少一個晶片的處理,尤其是在Fab內方面提供尤其有利的特性。
另外,提出的是,晶片傳送系統包括至少一個晶片傳送容器傳送系統,所述至少一個晶片傳送容器傳送系統具有軌道系統和可沿所述軌道系統移動的至少一個傳送滑車,其中,所述晶片傳送容器傳送系統具有讀出裝置的至少一個讀出位置,至少用於讀出至少一個感測器模組及/或數據處理單元的至少一部分,尤其是數據處理單元的專用電腦。由此,可以提供有利的讀出模式。較佳地,至少一個讀出位置佈置在節點處,所有晶片傳送容器在晶片生產過程中藉由所述節點至少一次,由此可以有利地確保的是,所有晶片傳送容器的感測器數據分別被讀出至少一次。較佳地,在每個節點處佈置一個讀出位置。尤佳地,在晶片傳送系統的每個子部件之前及/或之後佈置一個讀出位置,所述子部件尤其在晶片生產過程中構成站,並且晶片傳送容器傳送系統向所述子部件運送至少一個晶片傳送容器,並且晶片傳送容器傳送系統從所述子部件拾取至少一個晶片傳送容器。由此,至少在每次在晶片傳送容器中及/或從晶片
傳送容器中裝載及/或卸載晶片之後,數據處理單元的中央電腦、控制及/或調節單元及/或Fab的中央控制及/或調節系統有利地接收更新的感測器數據集。由此,可以有利地實現高的過程可靠性。
當讀出位置佈置在軌道系統的至少一個軌道的鄰近區域中及/或傳送滑車上時,可以有利地實現感測器數據的簡單讀出,特別是由於在晶片傳送容器沿著軌道系統移動期間,在移動經過讀出位置的情況下觸發感測器數據的自動讀出,及/或由於在晶片傳送容器每次移動到傳送滑車的鄰近區域中時,即尤其是在藉由晶片傳送容器傳送系統每次收納晶片傳送容器時,觸發感測器數據的自動讀出。此外,可以在將讀出位置佈置在軌道系統的至少一個軌道的鄰近區域中時及/或在將讀出位置佈置在傳送滑車上時,有利地使用尤其節能的NFC技術用於讀出感測器數據。
另外,提出了一種方法,其具有:至少一個晶片傳送單元,至少一個晶片傳送容器,至少一個裝載及/或卸載站及/或至少一個晶片傳送系統。由此,可以在至少一個晶片的傳送、至少一個晶片的儲存及/或至少一個晶片的處理,尤其是在Fab內的方面提供尤其有利的特性。
此外,提出了一種方法,其具有至少一個晶片傳送容器和至少一個裝載及/或卸載站,其中,根據晶片傳送容器的感測器模組的感測器數據,尤其是根據由預測模組對晶片傳送容器的數據處理單元的預測,固定地指定用於傳送到裝載及/或卸載站的晶片傳送容器的序列。由此,可以有利地實現高的過程可靠性。此外,可以有利地實現高產品品質,尤其是藉由避免晶片在次改善條件下儲存太長時間。另外,可以由此將晶片傳送系統的子部件的污染保持較少,由此尤其可以實現晶片傳送系統的子部件的長使用壽命。尤其地,Fab
的中央控制及/或調節系統及/或控制及/或調節單元根據所接收的感測器數據集確定序列。尤其地,將來自不同晶片傳送容器的感測器數據集的特定參數值相互比較並且較佳地以降冪及/或昇冪方式排序,以便確定序列。然後,根據參數值的排序確定序列。在這裡,可以設想的是,具有最佳參數值的晶片傳送容器佔據序列中的第一位置,以便獲得具有特別好的性能的晶片批,或者具有最佳參數值的晶片傳送容器佔據序列中的第一位置,以實現盡可能少的廢品產生。
此外,提出的是,其感測器數據在安全數據範圍之外及/或其預測有感測器數據過早偏離安全數據範圍的晶片傳送容器較佳地例如被運送到裝載和卸載站,及/或將序列中的新的位於更前的位置分配給晶片傳送容器。由此,可以有利地實現高平均生產品質,特別是藉由防止晶片在次改善條件下儲存太長時間。另外,可以由此有利地降低晶片傳送系統的子部件的污染風險,並且可以減少廢品產生。尤其地,在重新分配序列中的位置時,序列中的所有其他位置都被更新和改寫。較佳地,控制及/或調節單元及/或Fab的中央控制及/或調節系統設置成,以規則及/或不規則的間隔,例如在經過特定時間例如一分鐘之後,在記錄了一定數量的新感測器數據集之後,較佳地在每次新輸入感測器數據集時,及/或在記錄了一定數量的感測器數據集的更新之後,尤其是在每次更新至少一個感測器數據集時,進行序列的重新確定,尤其是參數值及/或晶片傳送容器的重新排序。
此外,提出的是,其感測器數據在安全數據範圍之外及/或其預測有感測器數據過早偏離安全數據範圍的晶片傳送容器,借助晶片傳送容器傳送系統被轉運到用於晶片傳送系統的晶片傳送容器的再生站,尤其是上述的再生站、轉運到用於晶片傳送系統的晶片傳送容器的診斷站,尤其是上述的診斷
站、及/或轉運到用於晶片的晶片檢查站。由此,可以有利地實現高平均生產品質,尤其是藉由防止晶片在次改善條件下儲存太長時間。另外,可以由此有利地減小晶片傳送系統的子部件的污染風險,並且可以減少廢品產生。尤其地,借助晶片傳送容器傳送系統對晶片傳送容器的轉運由控制及/或調節單元及/或Fab的中央控制及/或調節系統啟動。「晶片檢查站」應尤其理解為設置成檢查至少一個晶片是否損壞的裝置。尤其地,晶片檢查站構成晶片傳送系統的單獨子部件。
此外,提出了一種方法,其具有:晶片傳送系統,至少裝載及/或卸載站,以及多個晶片傳送單元,所述方法分別具有至少一個感測器模組並且分別具有數據處理單元的構成為專用電腦的至少一部分,其中,由所述晶片傳送單元發送的所有感測器數據的數據集由所述裝載及/或卸載站的所述中央控制及/或調節單元收集,並且所述數據集用於控制及/或調節所述晶片傳送系統的至少一個子部件,尤其是所述晶片傳送容器傳送系統。由此,可以實現對晶片傳送系統的子部件,尤其是晶片傳送容器傳送系統的特別有利的、尤其是特別有效的控制。尤其地,由裝載及/或卸載站的中央控制及/或調節單元根據數據集確定控制及/或調節資訊項用於Fab內的晶片傳送容器的有效分配及/或有效物流。尤其地,由裝載及/或卸載站的中央控制及/或調節單元根據所確定的控制及/或調節資訊項組織及/或執行Fab內的晶片傳送容器的分配或物流。替代地或附加地,裝載及/或卸載站的中央控制及/或調節單元將所確定的控制及/或調節資訊發送到Fab的中央控制及/或調節系統,然後該中央控制及/或調節系統承擔Fab內的晶片傳送容器的分配及/或物流的組織和執行。
此外,提出的是,所收集的數據集用於至少一個差錯源的尤其是借助模式識別的尤其是自動的識別、檢測、定位及/或追溯。由此,可以有利地簡化差錯源的定位、規避及/或消除,由此可以有利地縮短故障時間。
根據本發明的晶片傳送單元、根據本發明的晶片傳送容器、根據本發明的裝載及/或卸載站、根據本發明的晶片傳送系統和根據本發明的方法在此不應限於上述的應用和實施方式。尤其地,用於實現本文所述功能的,根據本發明的晶片傳送單元、根據本發明的晶片傳送容器、根據本發明的裝載及/或卸載站、根據本發明的晶片傳送系統和根據本發明的方法可以具有與本文中提到的各個元件、構件、方法步驟和單元的數量不同的數量。
10:數據處理單元
12:感測器
14:感測器模組
16:晶片傳送系統
18:晶片處理模組
20:晶片介面系統
22:晶片傳送容器
24:裝載及/或卸載站
26:晶片傳送容器傳送系統
28:晶片搬運機器人
30:預測模組
32:另外的感測器
34:控制及/或調節單元
36:機器學習模組
38:附加的另外的感測器
40:測量技術單元
42:中央控制及/或調節系統
44:快速聯結裝置
46:診斷站
48:晶片
50:儲存器模組
52:評估模組
54:能量發送元件
56:能量接收元件
58:數據傳輸元件
60:真空泵緊固單元
62:外部泵站
64:晶片保持裝置
66:充電模組
68:能量儲存器
70:再生站
72:導體電路
74:光電池單元
76:照明單元
78:光電池
80:NFC介面
82:讀出裝置
84:真空泵交換站
86:讀出位置
88:充電能量提供模組
90:晶片傳送單元
從以下附圖說明中可以得到另外的優點。在附圖中示出了本發明的實施例。附圖、說明書和請求項包含許多組合的特徵。本領域技術人員還可以方便地單獨考慮這些特徵並將它們組合成有意義的另外組合。
圖1示出了具有晶片傳送單元的晶片傳送系統的示意圖;圖2示出了晶片傳送系統的構成為晶片傳送容器的子部件的示意性局部剖視圖;圖3示出了晶片傳送單元的測量技術單元的示意圖;圖4示出了用於將晶片傳送容器與晶片傳送系統的裝載及/或卸載站聯結的方法的示意流程圖;圖5示出了用於晶片傳送單元的能量儲存器的無線能量供應的方法的示意性流程圖;圖6示出了用於檢查晶片傳送系統內的晶片的幾何偏差的方法的示意流程圖;
圖7示出了用於讀出感測器數據的方法的示意流程圖;以及圖8示出了用於控制晶片傳送系統的方法的示意流程圖。
圖1示出了晶片傳送系統16的示意圖。晶片傳送系統16佈置在晶片製造環境(Fab)140內。Fab 140具有中央控制及/或調節系統42。中央控制及/或調節系統42設置用於控制Fab 140內的生產過程、晶片加工過程、物流過程等。中央控制及/或調節系統42具有中央通信元件142。中央通信元件142至少設置用於與晶片傳送系統16的子部件通信。中央通信元件142至少設置用於與位於Fab 140內的數據傳輸元件58通信。
晶片傳送系統16具有晶片傳送單元90。晶片傳送系統16包括多個子部件。晶片傳送系統16包括晶片處理模組18。較佳地,晶片傳送系統16包括多個晶片處理模組18。晶片處理模組18構成晶片傳送系統16的子部件。晶片處理模組18具有晶片傳送單元90。
晶片傳送系統16包括晶片介面系統20。晶片介面系統20包括晶片傳送容器22。較佳地,晶片傳送系統16或晶片介面系統20包括多個晶片傳送容器22。晶片傳送容器22構成晶片傳送系統16的子部件。晶片傳送容器22具有晶片傳送單元90。
晶片傳送容器22設置用於儲存及/或傳送物體128。物體128構成為晶片48。替代地,物體128也可以構成為與晶片48不同,例如構成為曝光掩模。在這裡,物體128佈置在晶片傳送容器22的內部106(參見圖2)中。晶片傳送容器22可以以真空密封的方式封閉。在借助晶片傳送容器22傳送及/或儲存物體128期間,晶片傳送容器22的內部106被抽真空。晶片傳送容器22具
有晶片傳送容器打開元件92(參見圖2)。晶片傳送容器打開元件92設置成以真空密封的方式封閉晶片傳送容器22。晶片傳送容器打開元件92在晶片傳送容器22的正常操作期間,佈置在晶片傳送容器22的下側。
晶片介面系統20包括裝載及/或卸載站24。較佳地,晶片傳送系統16或晶片介面系統20包括多個裝載及/或卸載站24。裝載及/或卸載站24構成晶片傳送系統16的子部件。裝載及/或卸載站24具有晶片傳送單元90。裝載及/或卸載站24設置用於裝載及/或卸載物體128。裝載及/或卸載站24設置用於裝載及/或卸載晶片傳送容器22。裝載及/或卸載站24設置用於裝載及/或卸載晶片處理模組18。裝載及/或卸載站24設置成允許及/或至少部分地執行物體128在晶片傳送容器22和晶片傳送系統16的另外的子部件之間的傳送。在借助裝載及/或卸載站24在晶片傳送容器22和晶片傳送系統16的另外的子部件之間傳送物體128期間,物體128持久地處於真空內及/或抽真空環境內。
裝載及/或卸載站24具有主軸單元(未示出),該主軸單元設置成,在裝載及/或卸載過程期間使物體128沿垂直方向移動,並且這樣做使物體128在晶片傳送容器22的內部106和裝載及/或卸載站24的內部138之間移動。裝載及/或卸載站24設置成,借助於將晶片傳送容器打開元件92下降到裝載及/或卸載站24的內部138中藉由打開晶片傳送容器22來形成局部環境。該局部環境採用小型環境的形式。局部環境用於在晶片傳送容器22與裝載及/或卸載站24或晶片處理模組18之間的晶片48的晶片傳送過程。
裝載及/或卸載站24具有中央控制及/或調節單元108。中央控制及/或調節單元108設置成控制及/或調節裝載及/或卸載站24與晶片傳送系統16的至少一個另外的子部件的數據通信。中央控制及/或調節單元108設置成控制及/或調節晶片傳送系統16的兩個以上的子部件之間的數據通信。中央控制及/
或調節單元108設置成控制及/或調節裝載及/或卸載站24與外部數據處理系統例如Fab 140的中央控制及/或調節系統42的數據通信。
晶片傳送系統16具有晶片搬運機器人28。較佳地,晶片傳送系統16包括多個晶片搬運機器人28。晶片搬運機器人28構成晶片傳送系統16的子部件。晶片搬運機器人28具有晶片傳送單元90。晶片搬運機器人28設置用於操縱物體128。晶片搬運機器人28設置成使物體128在裝載及/或卸載站24與晶片傳送系統16的子部件例如晶片處理模組18之間移動。晶片搬運機器人28設置用於裝載和卸載裝載及/或卸載站24。晶片搬運機器人28設置用於裝載和卸載晶片保持裝置64(參見圖2)。晶片搬運機器人28設置用於裝載及/或卸載晶片傳送系統16的子部件,尤其是晶片處理模組18。晶片搬運機器人28構成為可旋轉、可樞轉並且可在所有三個空間方向上移動。晶片搬運機器人28具有夾持元件130。夾持元件130構成為夾持臂。夾持元件130設置成如此夾持物體128,使得其在隨後的操縱期間不會滑動或掉落。
晶片傳送系統16包括晶片傳送容器傳送系統26。晶片傳送容器傳送系統26構成晶片傳送系統16的子部件。晶片傳送容器傳送系統26具有晶片傳送單元90。晶片傳送容器傳送系統26具有傳送滑車112。晶片傳送容器傳送系統26具有軌道系統110。軌道系統110具有至少一個軌道114。傳送滑車112可沿軌道114移動。較佳地,晶片傳送容器傳送系統26具有多個傳送滑車112,這些傳送滑車112同時沿軌道系統110移動。
傳送滑車112具有收納元件132。收納元件132構成為用於保持晶片傳送容器22的準備部件。收納元件132設置成收納晶片傳送容器22並相對於傳送滑車112保持晶片傳送容器22。為了保持晶片傳送容器22,收納元件132具有機械止動裝置(未示出)。替代地,藉由收納元件132保持晶片傳送容器22也可以借助與機械聯結不同的聯結方法來實現,例如借助磁保持等。借助
收納元件132相對於傳送滑車112所保持的晶片傳送容器22可藉由晶片傳送容器傳送系統26沿整個軌道系統110移動。
傳送滑車112具有懸掛單元134。懸掛單元134包括保持纜線136。懸掛單元134包括多個保持纜線136。懸掛單元134設置成將收納元件132與傳送滑車112連接。保持纜線136可在傳送滑車112內捲起。收納元件132和傳送滑車112之間的間距借助懸掛單元134可變。懸掛單元134設置成使收納元件132(以及因此還有由收納元件132收納的晶片傳送容器22)相對於傳送滑車112升高及/或下降。
晶片傳送單元90具有感測器模組14。感測器模組14具有感測器12。感測器模組14的感測器12與晶片傳送系統16的子部件相關聯。感測器模組14具有另外的感測器32。感測器模組14的另外的感測器32與感測器模組14的感測器12一樣與晶片傳送系統16的相同的子部件相關聯。感測器模組14具有附加的另外的感測器38。附加的另外的感測器38與感測器模組14的感測器12一樣與晶片傳送系統16的相同的子部件相關聯。感測器模組14的感測器12設置成確定參數。感測器模組14的感測器12、32、38設置成檢測晶片傳送系統16的子部件的參數。感測器模組14的感測器12、32、38設置成以可讀出的方式輸出晶片傳送系統16的子部件的檢測參數。晶片傳送單元90具有多個感測器模組14。一個感測器模組14恰好與晶片傳送系統16的一個子部件相關聯。替代地,一個感測器模組14可以與晶片傳送系統16的一個以上子部件相關聯,並且/或者多個感測器模組14可以與晶片傳送系統16的相同的子部件相關聯。
感測器模組14的另外的感測器32構成為與感測器模組14的感測器12大致相同。感測器模組14的另外的感測器32設置成與感測器模組14的感測器12一樣檢測相同的參數。感測器模組14的另外的感測器32設置成與感
測器模組14的感測器12一樣使用相同的測量方法。感測器模組14的另外的感測器32構成相對於感測器模組14的感測器12冗餘的感測器。
感測器模組14的附加的另外的感測器38設置成與感測器模組14的感測器12一樣確定相同的參數。感測器模組14的附加的另外的感測器38使用一種與感測器模組14的感測器12確定參數所用的測量方法不同的測量方法來確定參數。替代地或附加地,感測器模組14具有至少一個、較佳多個感測器,這些感測器設置成檢測相同的參數及/或與該參數不同的另外的參數。
與晶片傳送容器22相關聯的感測器模組14的感測器12、32、38設置成感測晶片傳送容器22的參數。與晶片傳送容器22相關聯的感測器模組14的感測器12、32、38設置成感測晶片傳送容器22的內部106的環境參數,尤其是在晶片傳送容器22的內部106中占主導的環境的環境參數。與晶片傳送容器22相關聯的感測器模組14的感測器12、32、38設置成感測晶片傳送容器22的內容物的參數,例如物體128及/或晶片48的參數。與晶片傳送容器22及/或裝載及/或卸載站24相關聯的感測器模組14的感測器12、32、38設置成在局部環境由裝載及/或卸載站24的內部138和晶片傳送容器22的內部106形成的晶片傳送過程期間感測該局部環境的參數。
感測器模組14設置成分別檢測儲存在晶片傳送容器22中的第一物體128的參數和儲存在晶片傳送容器22中的第二物體128的另外的參數。感測器模組14設置成分別檢測儲存在晶片傳送容器22中的第一物體128的溫度和儲存在晶片傳送容器22中的第二物體128的另外的溫度。感測器模組14設置成分別單獨檢測不同的物體128及/或晶片48的多個參數及/或溫度。
晶片傳送容器22具有NFC介面80。感測器模組14與晶片傳送容器22的NFC介面80以數據通信技術的方式連接。NFC介面80允許借助晶片傳送單元90的讀出裝置82讀出感測器模組14的感測器數據。替代地或附加
地,感測器模組14直接具有NFC介面80(參見圖3)。NFC介面80構成為RFID晶片。RFID晶片設置成由讀出裝置82讀出。
晶片傳送容器22具有真空泵100。晶片傳送容器22具有真空泵緊固單元60。真空泵緊固單元60構成為形狀鎖合的夾式連接。真空泵100可借助真空泵緊固單元60固定地佈置在晶片傳送容器22上。真空泵100設置用於調節晶片傳送容器22的內部106中的內部壓力。真空泵100設置用於將晶片傳送容器22的內部106抽真空。真空泵100可基於感測器模組14的感測器數據來控制及/或調節。真空泵100具有驅動單元154(參見圖2)。驅動單元154設置用於驅動真空泵100的泵機構。真空泵100的驅動單元154設置成與晶片傳送單元90的數據處理單元10的一部分相互作用以控制泵機構。真空泵100具有能量儲存器68(參見圖2)。能量儲存器68設置成向驅動單元154供應電能。
真空泵100具有與晶片傳送容器22的可拆卸的連接。真空泵100構成為可從晶片輸送容器22上取下。真空泵100構成為可更換的。晶片傳送容器22具有真空泵快速聯結裝置104。真空泵快速聯結裝置104設置用於將真空泵100與晶片傳送容器22的內部106可拆卸地及/或可更換地聯接。真空泵快速聯結裝置104以真空密封的方式構成。晶片傳送容器22具有密封元件148。密封元件148設置成在借助真空泵快速聯結裝置104移除及/或更換真空泵100期間確保晶片傳送容器22的密封性或晶片傳送容器22的內部106中的真空的完整性。
晶片傳送容器22包括吸氣器102(參見圖2)。吸氣器102構成替代的及/或附加的真空泵100'。圖2所示的吸氣器102佈置在晶片傳送容器22的內部106中。吸氣器102構成為晶片傳送容器22的內壁160的塗層。替代地或附加地,吸氣器102還可以構成為位於晶片傳送容器22的內部106中的另外的構件例如晶片架的至少一部分的塗層。吸氣器102設置成收納及/或結合位於
晶片傳送容器22的內部106中的分子及/或顆粒。吸氣器102構成為可再生。替代地或附加地,吸氣器102可以構成為單獨構件,該構件佈置在晶片傳送容器22的內部106內及/或真空泵100內。
晶片傳送系統16包括真空泵交換站84。真空泵交換站84構成晶片傳送系統16的子部件。真空泵交換站84具有晶片傳送單元90。真空泵交換站84構成可由晶片傳送容器傳送系統26接近的單獨站。借助晶片傳送容器傳送系統26將真空泵100及/或吸氣器102應被更換及/或被移除的晶片傳送容器22運送到真空泵交換站84。借助晶片傳送容器傳送系統26將真空泵100及/或吸氣器102應相關聯的晶片傳送容器22運送到真空泵交換站84。真空泵交換站84設置成自動拆卸及/或連接真空泵快速聯結裝置104。
晶片傳送單元90具有數據處理單元10(也參見圖3)。數據處理單元10設置用於記錄感測器模組14的感測器12、32、38的感測器數據。數據處理單元10設置用於處理感測器模組14的感測器12、32、38的感測器數據。數據處理單元10包括專用電腦118。較佳地,數據處理單元10包括多個專用電腦118。數據處理單元10的至少一部分,尤其是數據處理單元10的一個專用電腦118,與晶片傳送容器22相關聯。數據處理單元10的至少一個另外的部分,尤其是數據處理單元10的一個另外的專用電腦118,與裝載及/或卸載站24相關聯。數據處理單元10的至少一個附加的另外的部分,尤其是一個附加的另外的專用電腦118,與晶片傳送系統16的附加的另外的子部件相關聯。
至少一個專用電腦118與每個感測器12、32、38相關聯。至少一個專用電腦118與晶片傳送系統16的每個子部件相關聯,至少一個感測器模組14至少部分地與該每個子部件相關聯。尤其地,晶片傳送系統16的每個子部件與至少一個專用電腦118相關聯,至少一個感測器模組14至少部分地與該每個
子部件相關聯。數據處理單元10具有NFC介面80。NFC介面80設置用於處理或發送及/或接收感測器數據。
數據處理單元10的專用電腦118一起聯網。數據處理單元10的部分,尤其是數據處理單元10的部分和另外的部分設置成彼此交換感測器數據。數據處理單元10包括數據傳輸單元144。數據傳輸單元144設置用於在數據處理單元10的專用電腦118之間傳輸數據,例如感測器數據及/或控制數據。數據傳輸單元144設置用於在數據處理單元10和Fab 140的中央控制及/或調節系統42之間傳輸數據,例如感測器數據及/或控制數據。數據傳輸單元144設置用於與中央通信元件142通信。數據傳輸可以尤其至少部分地借助NFC介面80來實現。
數據傳輸單元144包括數據傳輸元件58。數據傳輸元件58構成為用於電子數據的接收器及/或發送器。數據傳輸元件58構成為天線。較佳地,數據傳輸單元144包括多個數據傳輸元件58。至少一個數據傳輸元件58與每個專用電腦118相關聯。至少一個數據傳輸元件58與晶片傳送系統16的每個子部件相關聯。尤其地,晶片傳送系統16的每個子部件具有至少一個數據傳輸元件58。
數據處理單元10包括中央控制及/或調節單元108。數據處理單元10具有中央電腦122(參見圖3)。中央電腦122構成中央控制及/或調節單元108的一部分。中央電腦122設置成執行數據處理單元10的計算任務。中央電腦122設置成協調數據處理單元10的計算任務。中央電腦122設置成將數據處理單元10的計算任務分配給數據處理單元10的各個子部件,例如各個模組及/或專用電腦118。中央電腦122尤其借助直接物理數據連接或借助數據傳輸單元144的無線數據連接與數據處理單元10的另外的子部件通信。中央電腦122設置成借助數據傳輸單元144的數據連接與Fab 140的中央控制及/或調節系統
42交換數據及/或命令,例如控制指令。數據處理單元10或數據處理單元10的操作程式的編程構成為可再編程及/或可重新編程。
感測器模組14具有儲存器模組50。數據處理單元10具有儲存器模組50。較佳地,感測器模組14及/或數據處理單元10具有多個儲存器模組50。數據處理單元10的儲存器模組50與感測器模組14的儲存器模組50一體構成,較佳地相同構成。替代地或附加地,每個感測器12、32、38及/或每個專用電腦118可以具有儲存器模組50。感測器模組14的儲存器模組50設置用於儲存感測器模組14的感測器12、32、38的感測器數據過程。數據處理單元10的儲存器模組50設置用於儲存感測器模組14的感測器12、32、38的感測器數據過程及/或用於儲存數據處理單元10及/或專用電腦118的計算。儲存器模組50與晶片傳送容器22的NFC介面80以數據通信技術的方式連接。
數據處理單元10具有預測模組30(參見圖3)。預測模組30設置成從中央電腦122及/或專用電腦118接收感測器數據。預測模組30設置成將預測發送到中央電腦122及/或操作者或顯示單元(未示出)。預測模組30或預測模組30的操作程式的編程及/或預測模組30的操作程式的預測生成規則,構成為可再編程及/或可重新編程。
預測模組30設置成基於感測器模組14的感測器12、32、38的感測器數據生成用於未來結果及/或未來事件的預測。預測模組30設置成基於借助感測器12、32、38確定的參數值生成用於未來結果及/或未來事件的預測。預測模組30設置成基於感測器模組14的感測器12、32、38的感測器數據過程生成用於感測器模組14的感測器12、32、38的感測器數據的未來過程的預測。預測模組30設置成根據感測器模組14的兩個或兩個以上感測器12、32、38的感測器數據的組合及/或比較生成用於未來事件、未來結果及/或用於感測器數據集的未來過程的預測。預測模組30設置成,根據確定的感測器模組14的感測器12、
32、38的感測器數據的未來過程生成用於一時間段的預測,該時間段持續直到感測器模組14的感測器12、32、38的感測器數據偏離安全數據範圍。預測模組30設置成根據感測器模組14的感測器12、32、38的感測器數據集執行模式識別以生成預測。
數據處理單元10具有控制及/或調節單元34(也參見圖3)。控制及/或調節單元34設置成從中央電腦122及/或從專用電腦118接收預測模組30的預測及/或感測器數據及/或指令。控制及/或調節單元34設置成將控制及/或調節指令發送到中央電腦122、操作者或顯示單元、Fab 140的中央控制及/或調節系統42及/或晶片傳送系統16的子部件。控制及/或調節單元34或控制及/或調節單元34的操作程式的編程及/或可由控制及/或調節單元34輸出的控制及/或調節規範的編程構成為可再編程及/或可重新編程。
控制及/或調節單元34設置成借助晶片傳送容器傳送系統26基於感測器數據控制及/或調節晶片傳送容器22的物流。控制及/或調節單元34設置成借助晶片傳送容器傳送系統26基於由預測模組30確定的預測來控制及/或調節晶片傳送容器22的物流。控制及/或調節單元34設置成借助晶片傳送容器傳送系統26基於由中央電腦122評估的預測及/或感測器數據來控制及/或調節晶片傳送容器22的物流。
控制及/或調節單元34設置成基於預測模組30的預測啟動晶片傳送系統16的子部件的至少一個參數的適應。控制及/或調節單元34設置成防止晶片傳送容器22的參數偏離安全數據範圍。另外,控制及/或調節單元34還設置成防止晶片傳送系統16的另外的子部件的參數偏離安全數據範圍。
數據處理單元10具有機器學習模組36(參見圖3)。機器學習模組36設置成借助機器學習來改善由預測模組30確定的預測。機器學習模組36設置成借助機器學習來改善對由預測模組30確定的預測的反應。機器學習模組
36設置成從中央電腦122及/或從專用電腦118接收預測模組30的預測及/或感測器數據及/或指令。機器學習模組36設置成修改及/或重新編程中央電腦122、控制及/或調節單元34及/或專用電腦118的控制及/或調節指令。機器學習模組36設置成重新編程預測模組30。機器學習模組36設置成修改用於生成預測的預測模組30的規則及/或制定用於生成預測的新規則。
數據處理單元10具有評估模組52。評估模組52設置用於評估感測器模組14的感測器12、32、38的感測器數據的至少一個過程。評估模組52包括自動差錯檢測裝置。評估模組52的自動差錯檢測裝置設置成檢測感測器模組14的感測器12、32、38中的至少一個的故障。評估模組52的自動差錯檢測裝置設置成檢測感測器模組14的感測器12、32、38中的至少一個的異常感測器數據。評估模組52設置成從中央電腦122、專用電腦118及/或感測器模組14接收感測器數據。評估模組52設置成將關於所檢測的差錯的資訊項輸出到中央電腦122、數據傳輸元件58,用於無線發送到Fab 140的中央控制及/或調節系統42及/或操作者或顯示單元。
晶片傳送單元90具有警報模組94。較佳地,晶片傳送單元90具有多個警報模組94。警報模組94設置成在檢測到感測器12、32、38中的一個的感測器數據偏離安全數據範圍時輸出警告。警報模組94設置成在例如藉由評估模組52檢測到晶片傳送系統16的至少一個子部件的故障時,輸出警告。警告採用聲音信號的形式。警告採用光信號的形式。警告包括藉由數據傳輸單元144向操作者發送警告消息。警報模組94與晶片傳送容器22相關聯。此外,晶片傳送系統16的每個子部件具有單獨的警報模組94。替代地或附加地,晶片傳送系統16的子部件可以具有用於輸出各種類型的警告的多個警報模組94及/或具有多個警報能力的一個警報模組94並且/或者一個警報模組94可以與晶片傳送系統16的一個以上子部件相關聯。
晶片傳送單元90具有能量儲存器68。能量儲存器68構成為電池。電池構成為可再充電蓄電池。能量儲存器68設置成向感測器模組14的感測器12、32、38供應能量。能量儲存器68設置成向數據處理單元10供應能量。能量儲存器68設置成向數據處理單元10的專用電腦118供應能量。能量儲存器68設置成向數據傳輸單元144供應能量。能量儲存器68設置成向數據傳輸元件58供應能量。單獨的能量儲存器68與晶片傳送系統16的每個子部件相關聯。替代地或附加地,可以設想的是,單獨的能量儲存器68與每個感測器12、32、38及/或每個專用電腦118相關聯。
晶片傳送單元90具有充電模組66。充電模組66設置成向能量儲存器68供應充電能量。借助充電模組66將充電能量傳輸到能量儲存器68以無接觸的方式進行。充電模組66包括能量發送元件54。充電模組66包括能量接收元件56。能量發送元件54和能量接收元件56構成為彼此分開。能量發送元件54和能量接收元件56佈置成在充電操作期間彼此不接觸。能量發送元件54佈置在裝載及/或卸載站24的鄰近區域中。替代地或附加地,能量發送元件54可以佈置在Fab 140內的另外的位置處,例如在晶片傳送容器傳送系統26的鄰接區域中,尤其是晶片傳送容器傳送系統26的軌道114的鄰近區域中及/或在晶片傳送系統16的另外的子部件的鄰近區域中。
晶片傳送單元90具有充電能量提供模組88。充電能量提供模組88設置成在充電過程期間借助充電模組66以無接觸的方式提供充電能量。充電能量提供模組88設置成在充電過程期間借助充電模組66將充電能量發射到自由空間中。充電能量提供模組88可以包括RFID讀出器。能量發送元件54構成為充電能量提供模組88。能量接收元件56設置成接收、較佳地至少部分地吸收由充電能量提供模組88發射到自由空間中的能量。
充電模組66具有導體電路72(參見圖2)。導體電路72與能量接收元件56相關聯。導體電路72具有盤繞的形式。導體電路72設置成從電場及/或磁場中取出充電能量並將其轉換成電能。由導體電路72取出的能量設置成給能量儲存器68充電。導體電路72構成為RFID晶片的一部分。替代地或附加地,導體電路72可以構成為感應充電系統的一部分。
晶片傳送單元90包括光電池單元74。充電模組66包括光電池單元74。光電池單元74包括多個光電池78。光電池單元74構成為能量接收元件56的一部分。光電池單元74設置成將照射的光轉換成電能。光電池單元74設置成向能量儲存器68,尤其是感測器模組14及/或數據處理單元10的能量儲存器68供應充電能量。充電模組66包括照明單元76。照明單元76設置成照明光電池單元74的至少一個光電池78。借助照明單元76的光電池單元74的照明是無接觸的能量傳輸。
晶片傳送單元90具有讀出裝置82。較佳地,晶片傳送單元90具有多個讀出裝置82,其中,讀出裝置82較佳地佈置在晶片傳送系統16的重要節點處。例如,讀出裝置82佈置在晶片傳送容器傳送系統26的軌道系統110的交叉點的鄰近區域中及/或晶片傳送容器傳送系統26的傳送滑車112的鄰近區域中。讀出裝置82設置成觸發數據處理單元10、尤其是儲存器模組50及/或感測器模組14的資訊項的讀出。讀出裝置82設置成讀出晶片傳送系統16的子部件的感測器數據、晶片傳送系統16的部分部件的識別符及/或數據處理單元10的程式指令。
讀出裝置82包括NFC介面80。讀出裝置82包括RFID讀取器。讀出裝置82與充電模組66及/或充電能量提供模組88部分地一體構成。替代地,讀出裝置82還可以包括替代於RFID系統的用於觸發式電子數據傳輸的系統。讀出裝置82具有數據傳輸元件58。數據傳輸元件58用於在數據傳輸單元
144內無線傳輸讀出數據。數據傳輸元件58設置成將由讀出裝置82讀出的數據傳輸到Fab 140的中央控制及/或調節系統42及/或中央電腦122。
讀出裝置82具有讀出位置86。讀出位置86構成為一區域,在該區域內能夠借助讀出裝置82進行讀出。晶片傳送容器傳送系統26具有讀出裝置82的多個讀出位置86,用於讀出晶片傳送容器22的至少一個感測器模組14及/或數據處理單元10的至少一部分。晶片傳送容器傳送系統26的讀出位置86佈置在軌道系統110的軌道114的鄰近區域中及/或傳送滑車112的鄰近區域中。
讀出裝置82設置成在將數據處理單元10定位在讀出位置86的鄰近區域中時觸發數據處理單元10的數據通信。讀出裝置82設置成在將NFC介面80例如晶片傳送容器22的NFC介面80定位在讀出位置86的鄰近區域中時觸發數據處理單元10的與晶片傳送系統16的已移動到讀出位置86的鄰近區域中的子部件相關聯的部分的數據通信,例如晶片傳送容器22的專用電腦118的數據通信。
晶片傳送系統16具有診斷站46。診斷站46構成晶片傳送系統16的子部件。診斷站46具有晶片傳送單元90。診斷站46構成可由晶片傳送容器傳送系統26接近的單獨站,該單獨站具有讀出位置86,用於讀出晶片傳送容器22的感測器數據。借助晶片傳送容器傳送系統26將晶片傳送容器22運送到診斷站46,該晶片傳送容器22的感測器數據應在計畫外的時間點被讀出。
晶片傳送系統16具有晶片檢查站116。晶片檢查站116構成晶片傳送系統16的子部件。晶片檢查站116具有晶片傳送單元90。晶片檢查站116構成可由晶片傳送容器傳送系統26接近的單獨站,該單獨站設置成檢查至少一個晶片48是否損壞。晶片檢查站116與晶片卸載站146連接,該晶片卸載站146設置成將晶片48從晶片傳送容器22卸載並將其傳送到晶片檢查站116。晶片卸
載站146構成為與裝載及/或卸載站24大致相同。借助晶片卸載站146在晶片傳送容器22和晶片檢查站116之間的晶片48的傳送是在封閉的真空環境中進行。
晶片傳送系統16具有轉裝站120。轉裝站120構成晶片傳送系統16的子部件。轉裝站120具有晶片傳送單元90。轉裝站120構成可由晶片傳送容器傳送系統26接近的單獨站,該單獨站設置成將一個晶片傳送容器22的內容物例如物體128或晶片48轉裝到另外的晶片傳送容器22中。轉裝站120構成晶片卸載站146。借助轉裝站120將內容物從一個晶片傳送容器22轉裝到另外的晶片傳送容器22是在封閉的真空環境中進行。
晶片傳送系統16具有外部泵站62。外部泵站62構成晶片傳送系統16的子部件。外部泵站62具有晶片傳送單元90。外部泵站62構成可由晶片傳送容器傳送系統26接近的單獨站,該單獨站設置成與晶片傳送容器22聯結並且調節或降低晶片傳送容器22的內部壓力。轉裝站120構成外部泵站62。
晶片傳送系統16具有再生站70。再生站70構成晶片傳送系統16的子部件。再生站70具有晶片傳送單元90。再生站70形成可由晶片傳送容器傳送系統26接近的單獨站,該單獨站設置成再生即改善晶片傳送容器22的至少一個參數,例如內部壓力及/或雜質程度。再生站70可以尤其構成晶片傳送容器清潔站。
晶片傳送單元90具有測量技術單元40。測量技術單元40包括具有感測器12、32、38的感測器模組14。測量技術單元40包括數據處理單元10的一部分。測量技術單元40包括數據處理單元10的專用電腦118。測量技術單元40包括儲存器模組50。測量技術單元40包括能量儲存器68。測量技術單元40的能量儲存器68構成為電池。測量技術單元40的能量儲存器68構成為可再充電。測量技術單元40的能量儲存器68構成為可更換。由此,可以有利地實現測量技術單元40的長使用壽命。
圖2示出了晶片傳送系統16的構成為晶片傳送容器22的子部件的示意圖。在晶片傳送容器22上佈置有測量技術單元40。測量技術單元40牢固地安裝在晶片傳送系統16的子部件上,該子部件在此例示為晶片傳送容器22。測量技術單元40構成連貫組件。測量技術單元40設置用於可更換地佈置在晶片傳送系統16的子部件上。測量技術單元40的連貫組件可作為單件安裝在晶片傳送系統16的子部件上,該子部件在此例示為晶片傳送容器22。測量技術單元40的連貫組件可作為單件從晶片傳送系統16的子部件上拆卸,該子部件在此例示為晶片傳送容器22。測量技術單元40具有殼體單元150。測量技術單元40的各個部件,例如感測器12、32、38,專用電腦118,儲存器模組50及/或能量儲存器68至少部分地佈置在殼體單元150內。
晶片傳送單元90具有快速聯結裝置44。快速聯結裝置44設置用於將測量技術單元40與晶片傳送系統16的子部件可拆卸地聯結,該子部件在此例示為晶片傳送容器22。晶片傳送單元90的快速聯結裝置44設置用於將測量技術單元40與晶片傳送系統16的子部件可更換地聯結,該子部件在此例示為晶片傳送容器22。快速聯結裝置44包括多個安裝元件152。安裝元件152形成為夾式連接的卡定凸耳。安裝元件152與晶片傳送系統16的子部件一體構成。安裝元件152設置成接合到測量技術單元40的相應的安裝元件(未示出)中。
晶片傳送單元90具有晶片保持裝置64。晶片保持裝置64構成為晶片架。晶片保持裝置64設置用於將晶片48保持在固定位置。晶片保持裝置64設置用於防滑地保持晶片48。晶片保持裝置64設置用於以一個在另一個之上垂直堆疊地保持晶片48。晶片48借助晶片保持裝置64如此被保持,使得相鄰的晶片48沒有相互接觸的點。晶片48借助晶片保持裝置64如此被保持,使得晶片48與晶片保持裝置64的總接觸面積最小化。
晶片保持裝置64具有夾緊元件246。較佳地,晶片保持裝置64具有多個夾緊元件246。夾緊元件246設置成借助夾緊來保持物體128及/或晶片48。夾緊元件246接觸以將物體128及/或晶片48保持在兩個相對側上,尤其是在物體128的上側和在物體128的下側。每個物體128或每個晶片48由多個夾緊元件246保持。用於保持物體128的多個夾緊元件246分別在物體128的彼此間隔開的位置處接觸物體。用於保持物體128的多個夾緊元件246佈置成在圓周方向上圍繞物體128分佈。替代地,可以設想的是,物體128及/或晶片48不是借助夾緊而是僅藉由將物體128及/或晶片48放置到夾緊元件246上來保持,這些夾緊元件246較佳地具有與物體128及/或晶片48的外形適應的保持區域。晶片保持裝置64佈置在晶片傳送容器22的內部106中。晶片保持裝置64與晶片傳送容器22的晶片傳送容器打開元件92牢固地連接。晶片傳送容器打開元件92的移動引起晶片保持裝置64和保持在其中的晶片48的移動。
晶片保持裝置64包括替代的及/或附加的感測器模組14'。替代的及/或附加的感測器模組14'包括感測器12'。替代的及/或附加的感測器模組14'的感測器12'佈置在晶片保持裝置64中。晶片保持裝置64至少部分地圍繞替代的及/或附加的感測器模組14'的感測器12'。替代的及/或附加的感測器模組14'的感測器12'佈置在晶片保持裝置64的位置處,該位置設置用於與晶片48的物理接觸。感測器12'佈置在晶片保持裝置64的夾緊元件246上及/或中。感測器模組14'與晶片保持裝置64,尤其是夾緊元件246中的至少一個部分地一體構成。儲存在晶片保持裝置64中的晶片48可細分為子組。替代的及/或附加的感測器模組14'的感測器12'可與儲存在晶片傳送容器22中的晶片48的一個子組相關聯。替代的及/或附加的感測器模組14'的感測器12'設置成確定與感測器12'相關聯的晶片48的子組的至少一個參數。替代的及/或附加的感測器模組14'的感測器12'可剛好與一個晶片48相關聯,尤其是剛好與保持在晶片保持裝置64
中的晶片48中的最上部晶片48相關聯。替代的及/或附加的感測器模組14'的感測器12'設置成確定與感測器12'相關聯的晶片48的至少一個參數。
替代的及/或附加的感測器模組14'包括另外的感測器32'。替代的及/或附加的感測器模組14'的另外的感測器32'佈置在晶片保持裝置64中。替代的及/或附加的感測器模組14'的另外的感測器32'佈置在晶片保持裝置64的背離由晶片保持裝置64保持的晶片48的一側。替代的及/或附加的感測器模組14'包括附加的另外的感測器38'。替代的及/或附加的感測器模組14'的附加的另外的感測器38'佈置在晶片保持裝置64的表面上。替代的及/或附加的感測器模組14'的附加的另外的感測器38'構成為無源感測器。無源感測器構成為顏色指示板。無源感測器設置成在由無源感測器監測的參數發生變化時改變其表面顏色。
晶片傳送單元90具有至少一個替代的及/或附加的感測器12"。替代的及/或附加的感測器12"構成為相機系統。相機系統包括相機156。相機156具有數據傳輸單元144的數據傳輸元件58。替代的及/或附加的感測器12"設置成至少讀出無源感測器。晶片傳送系統16的子部件具有觀察窗158,該子部件在此例示為晶片傳送容器22。觀察窗158構成為透明窗格。觀察窗158設置成允許視場進入晶片傳送系統16的子部件的內部,尤其是進入晶片傳送容器22的內部106。相機156佈置在晶片傳送容器22外。替代地或附加地,替代的及/或附加的感測器12",尤其是相機156,也可以至少部分地佈置在晶片傳送系統16的子部件內,尤其是在晶片傳送容器22的內部106中。相機156設置成藉由觀察窗158檢測或觀察傳送容器22的內部106。觀察窗158較佳地如此構成,使得能夠從外部觀察位於晶片傳送容器22的內部106中的所有晶片48。尤其地,觀察窗158在晶片傳送容器22的圓周方向上具有至少1cm、較佳地至少3cm、更佳地至少5cm並且尤佳至多10cm的延伸。尤其地,觀察窗158具有垂直於晶片傳送容器22的圓周方向的延伸,該延伸對應於晶片傳送容器22的垂直於圓
周方向的總延伸的至少50%、較佳地至少75%、更佳地至少85%並且尤佳地至多95%。
替代的及/或附加的感測器12"設置成捕獲至少一個晶片48的外形的一部分。替代的及/或附加的感測器12"設置成捕獲晶片48的凸起。替代的及/或附加的感測器12"的相機156的像場至少大致垂直於晶片保持裝置64中的晶片48的儲存平面取向。在此,術語「大致垂直」應尤其限定相對於參考方向的方向的取向,其中,該方向和該參考方向,尤其是在一個平面中觀察,夾成90°的角度,並且該角度具有尤其小於8°、有利地小於5°並且特別有利地小於2°的最大偏差。
由替代的及/或附加的感測器12"檢測的晶片48的外形構成晶片48的實際外形。在數據處理單元10的儲存器模組50中儲存有晶片48的標稱外形。數據處理單元10設置成使所檢測的晶片48的外形與晶片48的標稱外形進行比較。晶片48的外形的超出特定閾值的檢測偏差由數據處理單元10借助數據傳輸單元144輸出到操作者及/或晶片傳送系統16的相關子部件的警報模組94。
替代的及/或附加的感測器12"設置成檢測晶片48在晶片傳送系統16的子部件內的位置,該子部件在此例如構成為晶片傳送容器22。由替代的及/或附加的感測器12"檢測的晶片48的位置採用晶片48的實際位置的形式。在數據處理單元10的儲存器模組50中儲存有用於晶片傳送系統16的子部件的晶片48的標稱位置。數據處理單元10設置成使檢測到的晶片48的實際位置與晶片傳送系統16的子部件內的晶片48的標稱位置進行比較。晶片48的位置的超出特定閾值的檢測偏差由數據處理單元10借助數據傳輸單元144輸出到操作者及/或晶片傳送系統16的相關子部件的警報模組94。
關於替代的及/或附加的感測器模組14'的感測器12'、32'、38'的其他特性或關聯關係,參考感測器模組14的感測器12、32、38的描述。
晶片傳送容器22具有調溫單元96。調溫單元96設置成基於構成為溫度感測器的感測器12、32、38的感測器數據對儲存在晶片傳送容器22中的至少一個物體128進行調溫。調溫單元96設置成加熱物體128。調溫單元96設置成冷卻物體128。調溫單元96設置成將物體128保持在特定溫度。溫度由控制及/或調節單元34及/或中央控制及/或調節單元108預先確定。
調溫單元96具有調溫元件98。調溫元件98構成為加熱元件。替代地或附加地,調溫元件98構成為冷卻元件。調溫元件98設置成允許物體128和調溫單元96之間的熱流。調溫元件98與待由調溫單元96調溫的物體128物理接觸。調溫單元96較佳地具有多個調溫元件98。可以設想的是,分別地,調溫元件98的一部分僅設置用於加熱並且調溫元件98的一部分僅設置用於冷卻,及/或調溫元件98至少部分地設置用於同時進行加熱和冷卻操作。調溫單元96與晶片保持裝置64一體構成。調溫元件98與晶片保持裝置64的夾緊元件246中的至少一個一體構成。
調溫單元96設置成對儲存在晶片傳送容器22中的兩個物體128分別進行調溫。調溫單元96設置成對儲存在晶片傳送容器22中的兩個以上物體128分別進行調溫。調溫單元96的各個調溫元件98為此專門與待調溫的各個物體128相關聯。
圖3示出了測量技術單元40的示意圖。測量技術單元40具有感測器模組14。此外,測量技術單元40與替代的及/或附加的感測器模組14'連接。借助晶片傳送單元90的快速聯結裝置44建立測量技術單元40與替代的及/或附加的感測器模組14'之間的連接。在這裡,測量技術單元40與替代的及/或附加的感測器模組14'之間的插頭連接接通。替代的及/或附加的感測器模組14'的感
測器12'、32'各自具有NFC介面80。替代的及/或附加的感測器模組14'的感測器12'、32'各自具有發送器模組124。發送器模組124設置用於無線發送感測器12'、32'的感測器數據。替代的及/或附加的感測器模組14'的感測器12'、32'各自具有接收器模組126。接收器模組126設置用於接收對感測器12'、32'的無線發送指令。
在圖3所示的實施例中,測量技術單元40與中央控制及/或調節單元108分開形成。然而,如由雙箭頭和虛線連接線所示,測量技術單元40與中央控制及/或調節單元108接觸,其中,所述接觸可以採用借助物理數據線的連接及/或無線連接的形式。中央控制及/或調節單元108具有單獨的能量儲存器68。
圖4示出了用於將晶片傳送容器22與裝載及/或卸載站24聯結的方法的流程圖。在至少一個方法步驟162中,晶片傳送容器22對接在裝載及/或卸載站24的上側。在這裡,晶片傳送容器22由晶片傳送容器傳送系統26運送到裝載及/或卸載站24並且放置在裝載及/或卸載站24上。此外,在這裡,借助真空張緊裝置(未示出)建立晶片傳送容器22與裝載及/或卸載站24之間的真空密封連接。在至少一個另外的方法步驟164中,藉由附接晶片傳送容器打開元件92來打開晶片傳送容器22。在這裡,在晶片傳送容器22的內部106中保持真空。在至少一個另外的方法步驟166中,由晶片傳送容器22的內部106和裝載及/或卸載站24的內部138形成微型環境。在至少一個另外的方法步驟168中,晶片傳送容器22的內部106及/或裝載及/或卸載站24的內部138的微型環境的參數由屬於晶片傳送容器22及/或裝載及/或卸載站24的感測器模組14的感測器12、32、38檢測。
圖5示出了用於晶片傳送單元90的能量儲存器68的無線能量供應的方法的流程圖。在至少一個方法步驟170中,晶片傳送系統16的子部件被
帶入充電模組66的能量發送元件54附近。在至少一個另外的方法步驟180中,晶片傳送系統16的子部件進入能量發送元件54附近的移動由充電模組66檢測。在至少一個另外的方法步驟172中,能量發送元件54的能量發送模式被啟動。在這裡,能量從能量發送元件54無線輻射到能量發送元件54的鄰近區域中。在至少一個另外的方法步驟174中,能量接收元件56的能量接收模式被啟動。在這裡,能量接收元件56至少部分地吸收由能量發送元件54輻射的能量。輻射能量以電磁輻射的形式存在,例如光或相對低能電磁(EM)波。在至少一個另外的方法步驟176中,由能量接收元件56吸收的能量由充電模組66轉換成電能。在至少一個另外的方法步驟182中,所接收的電能儲存在能量接收元件56側的能量儲存器68中。在至少一個另外的方法步驟178中,晶片傳送系統16的子部件從充電模組66的能量發送元件54移除。在這裡,無線充電過程中斷。
圖6示出了用於檢查晶片傳送系統16內的晶片48的幾何偏差的方法的流程圖。在至少一個方法步驟184中,藉由替代的及/或附加的感測器模組14'的感測器12"進行晶片48的外形及/或位置的測量。在這裡,確定實際外形及/或實際位置。在至少一個另外的方法步驟186中,與替代的及/或附加的感測器模組14'相關聯的儲存器模組50,例如數據處理單元10的儲存器模組50,尤其是中央控制及/或調節單元108的儲存器模組50,及/或測量技術單元40的儲存器模組50被查詢。借助查詢將標稱位置及/或標稱外形載入到緩衝儲存器中。在至少一個另外的方法步驟188中,執行實際位置和標稱位置及/或實際外形和標稱外形的比較。在至少一個另外的方法步驟194中,確定實際位置與標稱位置及/或實際外部形狀與標稱外部形狀的偏差。在至少一個另外的方法步驟196中,將偏差與閾值進行比較。在至少一個另外的方法步驟192中,偏差顯示在顯示元件例如螢幕上。在至少一個另外的方法步驟190中,在超出閾值時警報模組94被啟動。在這裡,發出聲音及/或光警告。
圖7示出了用於讀出感測器數據的方法的流程圖。在至少一個方法步驟198中,晶片傳送系統16的子部件移動到讀出位置86附近。在這裡,晶片傳送系統16的子部件例如借助晶片傳送容器傳送系統26沿軌道系統110移動,該軌道系統110具有讀出位置86。在至少一個另外的方法步驟200中,晶片傳送系統16的子部件在讀出位置86附近由讀出裝置82檢測。在至少一個另外的方法步驟202中,讀出指令由讀出裝置82啟動並發送。在至少一個另外的方法步驟212中,讀出指令由晶片傳送系統16的子部件的NFC介面80及/或由晶片傳送系統16的子部件的數據傳輸元件58接收。在至少一個另外的方法步驟204中,晶片傳送系統16的子部件回應於接收到讀出指令而發送所請求的感測器數據。在至少一個另外的方法步驟210中,回應於接收到讀出指令,進行晶片傳送系統16的子部件的能量儲存器68的充電。在這裡,由讀出裝置82發送的能量由晶片傳送系統16的子部件吸收。在這裡,讀出裝置82與充電模組66一體構成。在至少一個另外的方法步驟206中,已發送的晶片傳送系統16的子部件的感測器數據被內部標記以避免重新發送。在至少一個另外的方法步驟208中,晶片傳送系統16的子部件與讀出裝置82的無線數據連接例如藉由從讀出位置86的鄰近區域中移除晶片傳送系統16的子部件來斷開。
圖8示出了用於控制晶片傳送系統16的方法的流程圖。在至少一個方法步驟214中,至少一個參數及/或感測器數據集由感測器模組14、14'的感測器12、12'、12"、32、32'、38、38'確定。在至少一個另外的方法步驟232中,參數及/或感測器數據集被發送到預測模組30。在至少一個另外的方法步驟234中,根據所發送的參數及/或感測器數據集來執行模式識別。然後考慮模式識別在方法步驟238中生成預測。在至少一個另外的方法步驟236中,執行多個參數及/或感測器數據集的比較。然後,考慮該比較在方法步驟238中生成預測。在
至少一個方法步驟238中,根據感測器數據集及/或參數,尤其是考慮先前的比較及/或先前的模式識別,生成用於未來事件及/或結果的預測。
在至少一個另外的方法步驟216中,參數及/或感測器數據集被發送到評估模組52。在至少一個另外的方法步驟222中,將感測器數據,尤其是感測器數據集、預測及/或參數相互比較。在至少一個另外的方法步驟218中,根據所接收的感測器數據及/或參數來執行自動差錯檢測。在至少一個另外的方法步驟220中,根據預測及/或自動差錯檢測生成控制及/或調節指令並將其發送到Fab 140的中央控制及/或調節系統42及/或晶片傳送容器傳送系統26。在至少一個另外的方法步驟240中,預測、自動差錯檢測和所產生的控制及/或調節反應由機器學習模組36處理。在這裡,對預測、自動差錯檢測以及所產生的控制及/或調節反應進行分析並推導出結論。根據機器學習模組36的結論,可以在必要時改進、改善及/或修改未來的預測、差錯在必要時及/或控制及/或調節反應。在至少一個另外的方法步驟242中,改進的、改善的及/或修改的預測、差錯檢測及/或控制及/或調節反應被發送到預測模組30、評估模組52及/或Fab 140的中央控制及/或調節系統42。
在至少一個另外的方法步驟224中,根據晶片傳送容器22的感測器模組14的感測器數據指定用於運送到裝載及/或卸載站24的晶片傳送容器22的序列。在這裡,優先傳送其感測器數據在安全數據範圍之外及/或其預測有感測器數據過早偏離安全數據範圍的晶片傳送容器22,並且/或者該晶片傳送容器22被分配一個位於序列更前方的新空間。在至少一個另外的方法步驟226中,其感測器數據在安全數據範圍之外及/或其預測有感測器數據偏離安全數據範圍的晶片傳送容器22借助晶片傳送容器傳送系統26被轉運到再生站70、診斷站46及/或晶片檢查站116。
在至少一個另外的方法步驟230中,由晶片傳送單元90發送的所有感測器數據的數據集被收集。隨後,在至少一個另外的方法步驟244中,由晶片傳送單元90發送的所有感測器數據的數據集用於控制及/或調節晶片傳送容器傳送系統26。在至少一個另外的方法步驟228中,由晶片傳送單元90發送的所有感測器數據的收集數據集用於至少一個差錯源的檢測、定位及/或追溯。
晶片傳送單元較佳地,至少所述數據處理單元10、至少所述預測模組30及/或至少所述控制及/或調節單元34可以為可再編程及/或可重新編程設計。
晶片傳送單元較佳地,機器學習模組36,所述機器學習模組36設置成,借助機器學習改善預測及/或借助機器學習改善對預測的反應。
晶片傳送單元較佳地,感測器模組14、14',所述感測器模組14、14'具有至少一個感測器12、12'、12"、32、32'、38、38'。
晶片傳送單元較佳地,所述感測器模組14、14'具有至少一個另外的感測器32,所述至少一個另外的感測器32構成為至少大致與所述感測器12、12'、12"、32、32'、38、38'相同。
晶片傳送單元較佳地,所述感測器模組14、14'的所述感測器12、12'、12"、32、32'、38、38'設置成確定參數,其中,所述感測器模組14、14'具有至少一個附加的另外的感測器38,所述至少一個附加的另外的感測器38設置成確定與所述感測器12、12'、12"、32、32'、38、38'相同的參數,其中,所述附加的另外的感測器38使用與所述感測器12、12'、12"、32、32'、38、38'確定參數所使用的測量方法至少大致不同的測量方法來確定參數。
晶片傳送單元較佳地,至少一個測量技術單元40,所述測量技術單元40包括至少所述感測器模組14、14'的所述感測器12、12'、12"、32、32'、38、38'及/或所述數據處理單元10的至少一部分並且構成組件組,其中,所述測
量技術單元40設置用於可互換地佈置在所述晶片傳送系統16的至少一個子部件上。
晶片傳送單元較佳地,快速聯結裝置44,所述快速聯結裝置44設置用於所述測量技術單元40與所述晶片傳送系統16的子部件的可拆卸的及/或可互換的聯結。
晶片傳送單元較佳地,至少一個感測器12、12'、12"、32、32'、38、38'設置成捕獲至少一個晶片48的外形的至少一部分。
晶片傳送單元較佳地,所檢測的外形構成所述晶片48的實際外形,其中,所述數據處理單元10設置成,使所述晶片48的所述實際外形至少與所述晶片48的標稱外形進行比較。
晶片傳送單元較佳地,至少一個感測器12、12'、12"、32、32'、38、38'設置成檢測所述晶片傳送系統16的子部件內的至少一個晶片48的至少一個位置。
晶片傳送單元較佳地,所檢測的位置構成所述晶片48的實際位置,其中,所述數據處理單元10設置成使所述晶片48的所述實際位置至少與所述晶片(48)的標稱位置進行比較。
晶片傳送單元較佳地,所述感測器模組14、14'的至少一個感測器12、12'、12"、32、32'、38、38'構成為無源感測器。
晶片傳送單元較佳地,所述感測器模組14、14'的至少一個感測器12、12'、12"、32、32'、38、38'設置成檢測所述晶片傳送容器22的至少一個參數。
晶片傳送單元較佳地,所述感測器模組14、14'的至少一個感測器12、12'、12"、32、32'、38、38'設置成檢測所述晶片傳送容器(22)的內容物的至少一個參數。
晶片傳送單元較佳地,所述感測器模組14'的至少一個感測器12'、32'、38'可與儲存在所述晶片傳送容器22中的物體128的至少一個子組128、尤其是儲存在所述晶片傳送容器22中的恰好一個物體128相關聯。
晶片傳送單元較佳地,所述感測器模組14、14'的至少一個感測器12、12'、12"、32、32'、38、38'設置成檢測所述裝載及/或卸載站24的至少一個參數。
晶片傳送單元較佳地,所述感測器模組14、14'的至少一個感測器12、12'、12"、32、32'、38、38'設置成檢測所述晶片處理模組18、所述晶片傳送容器傳送系統26及/或所述晶片搬運機器人28的至少一個參數。
晶片傳送單元較佳地,所述感測器模組14、14'的至少一個感測器12、12'、12"、32、32'、38、38'設置成檢測由晶片傳送容器22的內部106和裝載及/或卸載站24的內部138在晶片傳送過程中形成的局部環境的參數。
晶片傳送單元較佳地,所述數據處理單元10及/或所述感測器模組14、14'具有至少一個儲存器模組50,所述至少一個儲存器模組50至少設置用於儲存感測器數據的過程。
晶片傳送單元較佳地,所述數據處理單元10具有至少一個評估模組52,所述至少一個評估模組52至少設置用於評估感測器數據的至少一個過程,其中,所述評估模組52包括自動差錯檢測單元,所述自動差錯檢測單元至少設置成識別所述感測器模組14、14'的感測器12、12'、12"、32、32'、38、38'的至少一個故障及/或所述感測器模組14、14'的至少一個感測器12、12'、12"、32、32'、38、38'的異常感測器數據。
晶片傳送單元較佳地,至少一個感測器12"構成為相機系統。
晶片傳送單元較佳地,至少一個晶片保持裝置64,在所述至少一個晶片保持裝置64之上及/或之中佈置有所述感測器模組14'的至少一個感測器12'、32'、38'。
晶片傳送單元較佳地,充電模組66,所述充電模組66設置成向所述感測器模組14,14'的能量儲存器68及/或所述數據處理單元10的能量儲存器68無接觸地供應充電能量。
晶片傳送單元較佳地,所述充電模組66具有至少一個導體電路72,所述至少一個導體電路72設置成從電場及/或磁場獲取充電能量並將其轉換成電能。
晶片傳送單元較佳地,至少一個光電池單元74,所述至少一個光電池單元74設置成向所述感測器模組14、14'的能量儲存器68及/或所述數據處理單元10的能量儲存器68供應充電能量。
晶片傳送單元較佳地,至少一個照明單元76,所述至少一個照明單元76設置成照明所述光電池單元74的至少一個光電池78。
晶片傳送單元較佳地,用於處理感測器數據的所述數據處理單元10具有至少一個NFC介面80。
晶片傳送單元較佳地,至少一個讀出裝置82,所述至少一個讀出裝置82具有至少一個讀出位置86並且設置成,在將所述數據處理單元10定位在所述讀出位置86的鄰近區域中時觸發所述數據處理單元10的數據通信。
晶片傳送單元較佳地,所述晶片傳送單元90的所述充電模組66及/或充電能量提供模組88至少部分地與所述讀出裝置82一體構成,所述充電模組66及/或所述充電能量提供模組88設置成在充電過程中將充電能量無接觸地傳輸到所述充電模組66的至少一部分。
晶片傳送單元較佳地,所述數據處理單元10的至少一部分與所述晶片傳送系統16的晶片傳送容器22相關聯並且設置成將所述晶片傳送容器22的感測器數據與所述數據處理單元10的與所述晶片傳送系統16的裝載及/或卸載站24相關聯的至少一個另外的部分進行交換。
晶片傳送單元較佳地,至少一個警報模組94,所述至少個警報模組94至少設置成,在檢測到至少一個感測器12、12'、12"、32、32'、38、38'的感測器數據偏離安全數據範圍時及/或在檢測到所述晶片傳送系統16的至少一個子部件的故障時發出至少一個警告。
較佳地,一種晶片傳送容器22,其具有晶片傳送單元90和至少一個感測器模組14、14',所述感測器模組14、14'具有至少一個感測器12、12'、12"、32、32'、38、38'。
晶片傳送容器22較佳地,至少一個調溫單元96,所述至少一個調溫單元96至少設置成,基於所述至少一個感測器12、12'、12"、32、32'、38、38'的感測器數據對儲存在所述晶片傳送容器22中的至少一個物體128進行調溫,其中,所述至少一個感測器12、12'、12"、32、32'、38、38'構成為溫度感測器。
晶片傳送容器22較佳地,所述調溫單元96具有至少一個調溫元件98,所述至少一個調溫元件98與待由所述調溫單元96調溫的物體128物理接觸。
晶片傳送容器22較佳地,所述晶片傳送容器22的所述調溫單元96設置成分別對儲存在所述晶片傳送容器22中的至少兩個物體128進行調溫。
晶片傳送容器22較佳地,所述感測器模組14、14'至少設置成分別捕獲儲存在所述晶片傳送容器22中的第一物體128的溫度和儲存在所述晶片傳送容器22中的第二物體128的另外的溫度。
晶片傳送容器22較佳地,至少一個真空泵100、100',所述至少一個真空泵100、100'可佈置在所述晶片傳送容器22之上及/或之中。
晶片傳送容器22較佳地,所述真空泵100、100'包括至少一個吸氣器102。
晶片傳送容器22較佳地,與所述真空泵100、100'的可拆卸的及/或可互換的連接。
晶片傳送容器22較佳地,真空密封的真空泵快速聯結裝置104,所述真空密封的真空泵快速聯結裝置104設置用於所述真空泵100、100'與所述晶片傳送容器22的內部106的可拆卸的及/或可互換的聯結。
較佳地,一種裝載及/或卸載站24,其具有尤其前述的晶片傳送單元90,並且具有至少一個感測器模組14、14',所述至少一個感測器模組14、14'具有至少一個感測器12、12'、12"、32、32'、38、38'。
裝載及/或卸載站24較佳地,中央控制及/或調節單元108,所述中央控制及/或調節單元108至少設置成控制及/或調節與晶片傳送系統16的至少一個另外的子部件的數據通信,及/或控制及/或調節所述晶片傳送系統16的至少兩個子部件之間的數據通信,及/或控制及/或調節所述裝載及/或卸載站24與外部數據處理系統的數據通信。
較佳地,一種晶片傳送系統16,其具有至少一個晶片介面系統20,所述至少一個晶片介面系統20具有前述的晶片傳送容器22和前述的用於裝載及/或卸載晶片傳送容器22的裝載及/或卸載站24。
晶片傳送系統16較佳地,至少一個晶片傳送容器傳送系統26,所述至少一個晶片傳送容器傳送系統26具有軌道系統110和可沿所述軌道系統110移動的至少一個傳送滑車112,其中,所述晶片傳送容器傳送系統26具有讀
出裝置82的至少一個讀出位置86,至少用於讀出至少一個感測器模組14、14'及/或數據處理單元10的至少一部分。
晶片傳送系統16較佳地,所述讀出位置86佈置在所述軌道系統110的至少一個軌道114的鄰近區域中及/或所述傳送滑車112上。
較佳地,一種方法,其具有:前述的至少一個晶片傳送單元90,前述的至少一個晶片傳送容器22,前述的至少一個裝載及/或卸載站24,及/或前述的至少一個晶片傳送系統16。
前述方法較佳地,根據所述晶片傳送容器22的感測器模組14、14'的感測器數據固定地指定用於傳送到所述裝載及/或卸載站24的晶片傳送容器22的序列。
前述方法較佳地,較佳傳送其感測器數據在安全數據範圍之外及/或其預測有感測器數據過早偏離安全數據範圍的的晶片傳送容器22,並且/或者該晶片傳送容器22被給予一個位於序列更前方的新位置。
前述方法較佳地,其感測器數據在安全數據範圍之外及/或其預測有感測器數據偏離安全數據範圍的晶片傳送容器22借助晶片傳送容器傳送系統26被轉運到用於所述晶片傳送系統16的晶片傳送容器22的再生站70、用於所述晶片傳送系統16的晶片傳送容器22的診斷站46及/或所述晶片傳送系統16的晶片檢查站116。
前述方法較佳地,其具有:前述的晶片傳送系統16,前述的裝載及/或卸載站24,以及前述的多個晶片傳送單元90,所述方法分別具有至少一個感測器模組14、14'並且分別具有數據處理單元10的構成為專用電腦118的至少一部分,其中,由所述晶片傳送單元90發送的所有感測器數據的數據集由所述裝載及/或卸載站24的所述中央控制及/或調節單元108收集,並且所述數據集
用於控制及/或調節所述晶片傳送系統16的至少一個子部件,尤其是所述晶片傳送容器傳送系統26。
前述方法較佳地,所收集的數據集用於至少一個差錯源的檢測、定位及/或追溯。
10:數據處理單元
12:感測器
14:感測器模組
16:晶片傳送系統
18:晶片處理模組
20:晶片介面系統
22:晶片傳送容器
24:裝載及/或卸載站
26:晶片傳送容器傳送系統
28:晶片搬運機器人
32:另外的感測器
34:控制及/或調節單元
38:附加的另外的感測器
40:測量技術單元
42:中央控制及/或調節系統
46:診斷站
48:晶片
50:儲存器模組
54:能量發送元件
56:能量接收元件
58:數據傳輸元件
60:真空泵緊固單元
62:外部泵站
66:充電模組
68:能量儲存器
70:再生站
74:光電池單元
76:照明單元
80:NFC介面
82:讀出裝置
84:真空泵交換站
86:讀出位置
88:充電能量提供模組
90:晶片傳送單元
94:警報模組
100:真空泵
104:真空泵快速聯結裝置
108:中央控制及/或調節單元
110:軌道系統
112:傳送滑車
114:軌道
116:晶片檢查站
118:專用電腦
120:轉裝站
128:物體
130:夾持元件
132:收納元件
134:懸掛單元
136:保持纜線
138:內部
140:晶片製造環境(Fab)
142:中央通信元件
144:數據傳輸單元
146:晶片卸載站
Claims (39)
- 一種晶片傳送單元,其特徵在於,具有:至少一個數據處理單元(10),該至少一個數據處理單元(10)至少設置用於記錄及/或處理感測器模組(14,14')的與晶片傳送系統(16)的至少一個子部件相關聯的至少一個感測器(12,12',12",32,32',38,38')的感測器數據;尤其具有:該晶片傳送系統(16)的至少一個晶片處理模組(18);該晶片傳送系統(16)的至少一個晶片介面系統(20),該晶片介面系統(20)具有晶片傳送容器(22)和用於裝載及/或卸載該晶片傳送容器(22)及/或該晶片處理模組(18)的裝載及/或卸載站(24);該晶片傳送系統(16)的至少一個晶片傳送容器傳送系統(26);及/或該晶片傳送系統(16)的至少一個晶片搬運機器人(28),其中該數據處理單元(10)具有至少一個預測模組(30),該預測模組(30)至少設置成,至少基於該感測器(12,12',12",32,32',38,38')的感測器數據及/或基於借助該感測器(12,12',12",32,32',38,38')確定的至少一個參數值生成用於未來結果及/或未來事件的預測,且該預測模組(30)至少設置成,基於該感測器(12,12',12",32,32',38,38')的感測器數據的至少一個過程生成用於感測器數據的未來過程的預測,且其中借助該晶片傳送容器傳送系統(26)的該晶片傳送容器(22)的物流的控制是藉由該控制及/或調節單元(34)基於由該預測模組(30)生成的預測進行,其中該感測器模組(14)與該晶片傳送容器(22)相關聯且該感測器模組(14)的該感測器(12,32,38)設置成感測該晶片傳送容器(22)的內部(106)的環境參數,即在該晶片傳送容器(22)的該內部(106)中占主導的環境的環境參數。
- 如請求項1的晶片傳送單元,其中,該預測模組(30)至少設置成,根據至少兩個感測器(12,12',12",32,32',38,38')的感測器數據的組合及/或比較生成用於未來事件、用於未來結果及/或用於至少一個感測器數據集的未來過程的預測。
- 如請求項1的晶片傳送單元,其中,該預測模組(30)從所確定的感測器數據的未來過程生成用於至少一個時間段的預測,該至少一個時間段一直持續到該感測器數據偏離安全數據範圍。
- 如請求項1的晶片傳送單元,其中,該預測模組(30)設置成,根據至少一個感測器數據集執行模式識別,用於至少生成預測。
- 如請求項1的晶片傳送單元,其中該控制及/或調節單元(34)至少設置成,基於該預測模組(30)的預測啟動該晶片傳送系統(16)的至少一個子部件的至少一個參數的至少一個適應。
- 如請求項1的晶片傳送單元,其中該控制及/或調節單元(34)至少設置成,借助晶片傳送容器傳送系統(26)至少基於感測器數據控制及/或調節至少一個晶片傳送容器(22)的物流。
- 如請求項1或6的晶片傳送單元,其中,該控制及/或調節單元(34)設置成,防止該晶片傳送容器(22)的至少一個參數偏離安全數據範圍。
- 至少如請求項1或6的晶片傳送單元,其中,至少該數據處理單元(10)、至少該預測模組(30)及/或至少該控制及/或調節單元(34)可以為可再編程及/或可重新編程設計。
- 至少如請求項1的晶片傳送單元,其具有機器學習模組(36),該機器學習模組(36)設置成,借助機器學習改善預測及/或借助機器學習改善對預測的反應。
- 如請求項1的晶片傳送單元,其具有感測器模組(14,14'),該感測器模組(14,14')具有至少一個感測器(12,12',12",32,32',38,38')。
- 至少如請求項10的晶片傳送單元,其中,該感測器模組(14,14')的該感測器(12,12',12",32,32',38,38')設置成確定參數,其中,該感測器模組(14,14')具有至少一個附加的另外的感測器(38),該至少一個附加的另外的感測器(38)設置成確定與該感測器(12,12',12",32,32',38,38')相同的參數,其中,該附加的另外的感測器(38)使用與該感測器(12,12',12",32,32',38,38')確定參數所使用的測量方法至少大致不同的測量方法來確定參數。
- 至少如請求項10的晶片傳送單元,其具有至少一個測量技術單元(40),該測量技術單元(40)包括至少該感測器模組(14,14')的該感測器(12,12',12",32,32',38,38')及/或該數據處理單元(10)的至少一部分並且構成組件組,其中,該測量技術單元(40)設置用於可互換地佈置在該晶片傳送系統(16)的至少一個子部件上且具有快速聯結裝置(44),該快速聯結裝置(44)設置用於該測量技術單元(40)與該晶片傳送系統(16)的子部件的可拆卸的及/或可互換的聯結。
- 至少如請求項10的晶片傳送單元,其中,至少一個感測器(12,12',12",32,32',38,38')設置成捕獲至少一個晶片(48)的外形的至少一部分。
- 如請求項13的晶片傳送單元,其中,所檢測的外形構成該晶片(48)的實際外形,其中,該數據處理單元(10)設置成,使該晶片(48)的該實際外形至少與該晶片(48)的標稱外形進行比較。
- 至少如請求項10的晶片傳送單元,其中,至少一個感測器(12,12',12",32,32',38,38')設置成檢測該晶片傳送系統(16)的子部件內的至少一個晶片(48)的至少一個位置,且其中所檢測的位置構成該晶片(48)的實際位置,其中,該數據處理單元(10)設置成使該晶片(48)的該實際位置至少與該晶片(48)的標稱位置進行比較。
- 至少如請求項10的晶片傳送單元,其中,該感測器模組(14,14')的至少一個感測器(12,12',12",32,32',38,38')構成為無源感測器。
- 至少如請求項10的晶片傳送單元,其中,該感測器模組(14,14')的至少一個感測器(12,12',12",32,32',38,38')設置成檢測該晶片傳送容器(22)的內容物的至少一個參數,且其中該感測器模組(14')的至少一個感測器(12',32',38')可與儲存在該晶片傳送容器(22)中的物體(128)的至少一個子組(128)、尤其是儲存在該晶片傳送容器(22)中的恰好一個物體(128)相關聯。
- 根據請求項1或2的晶片傳送單元,其中,該數據處理單元(10)具有至少一個評估模組(52),該至少一個評估模組(52)至少設置用 於評估感測器數據的至少一個過程,其中,該評估模組(52)包括自動差錯檢測單元,該自動差錯檢測單元至少設置成識別該感測器模組(14,14')的感測器(12,12',12",32,32',38,38')的至少一個故障及/或該感測器模組(14,14')的至少一個感測器(12,12',12",32,32',38,38')的異常感測器數據。
- 至少如請求項10的晶片傳送單元,其具有至少一個晶片保持裝置(64),在該至少一個晶片保持裝置(64)之上及/或之中佈置有該感測器模組(14')的至少一個感測器(12',32',38')。
- 至少如請求項10的晶片傳送單元,其具有充電模組(66),該充電模組(66)設置成向該感測器模組(14,14')的能量儲存器(68)及/或該數據處理單元(10)的能量儲存器(68)無接觸地供應充電能量。
- 如請求項20的晶片傳送單元,其中,該充電模組(66)具有至少一個導體電路(72),該至少一個導體電路(72)設置成從電場及/或磁場獲取充電能量並將其轉換成電能。
- 至少如請求項10的晶片傳送單元,其具有至少一個光電池單元(74),該至少一個光電池單元(74)設置成向該感測器模組(14,14')的能量儲存器(68)及/或該數據處理單元(10)的能量儲存器(68)供應充電能量。
- 如請求項22的晶片傳送單元,其中至少一個照明單元(76),該至少一個照明單元(76)設置成照明該光電池單元(74)的至少一個光電池(78)。
- 如請求項1或2的晶片傳送單元,其中,用於處理感測器數據的該數據處理單元(10)具有至少一個NFC介面(80)。
- 如請求項1或2的晶片傳送單元,其具有至少一個讀出裝置(82),該至少一個讀出裝置(82)具有至少一個讀出位置(86)並且設置成,在將該數據處理單元(10)定位在該讀出位置(86)的鄰近區域中時觸發該數據處理單元(10)的數據通信。
- 至少如請求項20的晶片傳送單元,其中,該晶片傳送單元(90)的該充電模組(66)及/或充電能量提供模組(88)至少部分地與該讀出裝置(82)一體構成,該充電模組(66)及/或該充電能量提供模組(88)設置成在充電過程中將充電能量無接觸地傳輸到該充電模組(66)的至少一部分。
- 如請求項1或2的晶片傳送單元,其中,該數據處理單元(10)的至少一部分與該晶片傳送系統(16)的晶片傳送容器(22)相關聯並且設置成將該晶片傳送容器(22)的感測器數據與該數據處理單元(10)的與該晶片傳送系統(16)的裝載及/或卸載站(24)相關聯的至少一個另外的部分進行交換。
- 一種晶片傳送容器(22),其特徵在於具有晶片傳送單元(90)和至少一個感測器模組(14,14'),該感測器模組(14,14')具有至少一個感測器(12,12',12",32,32',38,38'),該晶片傳送容器(22)具有至少一個調溫單元(96),該至少一個調溫單元(96)至少設置成,基於該至少一個感測器(12,12',12",32,32',38,38')的感測器數據對儲存在該晶片傳送容器(22)中的至少一個物體(128)進行調溫,其中該至少一個感測器(12,12',12",32,32',38,38')構成為溫度感測器,其中該調溫單元 (96)具有至少一個調溫元件(98),該至少一個調溫元件(98)與待由該調溫單元(96)調溫的物體(128)物理接觸,其中該晶片傳送容器(22)的該調溫單元(96)設置成分別對儲存在該晶片傳送容器(22)中的至少兩個物體(128)進行調溫。
- 如請求項28的晶片傳送容器(22),其中,該感測器模組(14,14')至少設置成分別捕獲儲存在該晶片傳送容器(22)中的第一物體(128)的溫度和儲存在該晶片傳送容器(22)中的第二物體(128)的另外的溫度。
- 如請求項28或29的晶片傳送容器(22),其具有至少一個真空泵(100,100'),該至少一個真空泵(100,100')可佈置在該晶片傳送容器(22)之上及/或之中,其中該真空泵(100,100')包括至少一個吸氣器(102)。
- 如請求項30的晶片傳送容器(22),其與該真空泵(100,100')的可拆卸的及/或可互換的連接。
- 如請求項30的晶片傳送容器(22),其具有真空密封的真空泵快速聯結裝置(104),該真空密封的真空泵快速聯結裝置(104)設置用於該真空泵(100,100')與該晶片傳送容器(22)的內部(106)的可拆卸的及/或可互換的聯結。
- 一種裝載及/或卸載站(24),其特徵在於,具有如請求項1至32中任一項的晶片傳送單元(90),並且具有至少一個感測器模組(14,14'),該至少一個感測器模組(14,14')具有至少一個感測器(12,12',12",32,32',38,38');該裝載及/或卸載站(24)具有中央控制及/或調節單 元(108),該中央控制及/或調節單元(108)至少設置成控制及/或調節與晶片傳送系統(16)的至少一個另外的子部件的數據通信,及/或控制及/或調節該晶片傳送系統(16)的至少兩個子部件之間的數據通信,及/或控制及/或調節該裝載及/或卸載站(24)與外部數據處理系統的數據通信。
- 一種晶片傳送系統(16),其特徵在於具有至少一個晶片介面系統(20),該至少一個晶片介面系統(20)具有請求項28至32中任一項的晶片傳送容器(22)和請求項33的用於裝載及/或卸載晶片傳送容器(22)的裝載及/或卸載站(24)。
- 如請求項34的晶片傳送系統(16),其具有至少一個晶片傳送容器傳送系統(26),該至少一個晶片傳送容器傳送系統(26)具有軌道系統(110)和可沿該軌道系統(110)移動的至少一個傳送滑車(112),其中,該晶片傳送容器傳送系統(26)具有讀出裝置(82)的至少一個讀出位置(86),至少用於讀出至少一個感測器模組(14,14')及/或數據處理單元(10)的至少一部分,其中該讀出位置(86)佈置在該軌道系統(110)的至少一個軌道(114)的鄰近區域中及/或該傳送滑車(112)上。
- 一種晶片傳送方法,其特徵在於,具有:請求項1至27中任一項的至少一個晶片傳送單元(90)、請求項28至32中任一項的至少一個晶片傳送容器(22)、請求項33的至少一個裝載及/或卸載站(24)、及/或請求項34或35的至少一個晶片傳送系統(16),其中根據該晶片傳送容器(22)的感測器模組(14,14')的感測器數據固定地指定用於傳送到該裝載及/或卸載站(24)的晶片傳送容器(22)的序列。
- 如請求項36的方法,其中,較佳傳送其感測器數據在安全數據範圍之外及/或其預測有感測器數據過早偏離安全數據範圍的的晶片傳送容器(22),並且/或者該晶片傳送容器(22)被給予一個位於序列更前方的新位置。
- 如請求項36或37的方法,其中,其感測器數據在安全數據範圍之外及/或其預測有感測器數據偏離安全數據範圍的晶片傳送容器(22)借助晶片傳送容器傳送系統(26)被轉運到用於該晶片傳送系統(16)的晶片傳送容器(22)的再生站(70)、用於該晶片傳送系統(16)的晶片傳送容器(22)的診斷站(46)及/或該晶片傳送系統(16)的晶片檢查站(116)。
- 如請求項36或37的方法,其具有:請求項34或35的晶片傳送系統(16)、至少請求項33的裝載及/或卸載站(24)、以及請求項1至27中任一項的多個晶片傳送單元(90),該方法分別具有至少一個感測器模組(14,14')並且分別具有數據處理單元(10)的構成為專用電腦(118)的至少一部分,其中,由該晶片傳送單元(90)發送的所有感測器數據的數據集由該裝載及/或卸載站(24)的該中央控制及/或調節單元(108)收集,並且該數據集用於控制及/或調節該晶片傳送系統(16)的至少一個子部件,尤其是該晶片傳送容器傳送系統(26)。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102018113786.9 | 2018-06-08 | ||
DE102018113786.9A DE102018113786A1 (de) | 2018-06-08 | 2018-06-08 | Waferübergabeeinheit und Waferübergabesystem |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202013556A TW202013556A (zh) | 2020-04-01 |
TWI805773B true TWI805773B (zh) | 2023-06-21 |
Family
ID=68652048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW108119248A TWI805773B (zh) | 2018-06-08 | 2019-06-04 | 晶片傳送單元及晶片傳送系統 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11282725B2 (zh) |
JP (1) | JP7469855B2 (zh) |
KR (1) | KR20190139784A (zh) |
CN (1) | CN110577082B (zh) |
DE (1) | DE102018113786A1 (zh) |
TW (1) | TWI805773B (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2018-06-08 DE DE102018113786.9A patent/DE102018113786A1/de not_active Withdrawn
-
2019
- 2019-05-24 US US16/421,746 patent/US11282725B2/en active Active
- 2019-05-31 JP JP2019101975A patent/JP7469855B2/ja active Active
- 2019-06-04 TW TW108119248A patent/TWI805773B/zh active
- 2019-06-07 KR KR1020190067401A patent/KR20190139784A/ko unknown
- 2019-06-10 CN CN201910496529.XA patent/CN110577082B/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7469855B2 (ja) | 2024-04-17 |
DE102018113786A1 (de) | 2019-12-12 |
TW202013556A (zh) | 2020-04-01 |
CN110577082A (zh) | 2019-12-17 |
CN110577082B (zh) | 2023-02-21 |
US20190378734A1 (en) | 2019-12-12 |
JP2019212908A (ja) | 2019-12-12 |
US11282725B2 (en) | 2022-03-22 |
KR20190139784A (ko) | 2019-12-18 |
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