TWI749206B - 高頻介電加熱接著片，及使用高頻介電加熱接著片而成的接著方法 - Google Patents

高頻介電加熱接著片，及使用高頻介電加熱接著片而成的接著方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供即使是比較大面積的高頻介電加熱接著片，亦可省略剝離片，而且處理容易並且可獲得良好施工性之高頻介電加熱接著片及使用其之接著方法。 　　本發明之高頻介電加熱接著片等係含有片狀基材與高頻介電接著劑層而成之高頻介電加熱接著片，其特徵為高頻介電接著劑層含有作為A成分之熱塑性樹脂及作為B成分之介電填充劑。

Description

高頻介電加熱接著片，及使用高頻介電加熱接著片而成的接著方法
[0001] 本發明有關高頻介電加熱接著片，及使用高頻介電加熱接著片而成的接著方法。 　　尤其有關可省略剝離片，而可成為高頻介電加熱接著片，即使是比較大面積的高頻介電加熱接著片，亦為處理或對於被接著體之施工性優異之高頻介電加熱接著片，及省略此等剝離片而使用高頻介電加熱接著片之接著方法。
[0002] 近幾年來，作為無剝離片之接著片提案有各種黏著片製品。 　　例如提案有對於氯乙烯包材等之被接著體之黏著力強，以捲狀態之耐黏連性優異之無襯底感熱記錄用標籤(參考專利文獻1)。 　　更具體而言，一種感熱記錄用標籤，其係於支撐體上具有依序層合含有熱塑性樹脂、黏著賦予劑及固體可塑劑之至少任一者之第1感熱性黏著劑層與第2感熱性黏著劑層而成之感熱性黏著劑層之感熱記錄用標籤，且第2感熱性黏著劑層中之固體可塑劑含有率高於第1感熱性黏著劑層中之固體可塑劑含有率。 　　[0003] 又，提案一種自動貼附機適性優異之無襯底標籤(參見專利文獻2)。 　　更具體而言，係一種無襯底標籤，其係具有支撐體、構成該支撐體之一面側最外層無襯底標籤的剝離層、及構成支撐體之另一面側之最外面的黏著劑層的無襯底標籤，且黏著劑層係紫外線交聯型丙烯酸系熱熔融黏著劑，且黏著劑層之玻璃轉移溫度為-40℃以下。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0004] 　　[專利文獻1] 日本特開平10-258477號公報(申請專利範圍等) 　　[專利文獻2] 日本特開2013-231256號公報(申請專利範圍等)
[發明欲解決之課題] 　　[0005] 然而，專利文獻1~2所揭示之以往的無剝離片之接著片均分別具備複數之感熱性黏著劑層或黏著劑層。 　　因此，含有該等感熱性黏著劑層等構成大面積之接著片時，對於作為被接著體之特定部位難以正確對位，且見到施工時過度耗費時間等之問題。 　　且，以往之無剝離片之接著片雖具備感熱性黏著劑層等，但關於介電填充劑之摻合則完全未提及，亦即，由該感熱性黏著劑層等之構成判斷，見到對於被接著體無法高頻介電加熱接著之問題。 　　[0006] 因此，本發明人等積極檢討以往問題之結果，發現藉由組合片狀基材與不具有表面觸黏性之高頻介電接著層而構成高頻介電加熱接著片，可省略剝離片，而且處理性或施工性優異，並且藉由比較短時間之高頻介電加熱處理(以下有時亦稱為介電加熱處理)，對於各種被接著體亦可獲得良好接著力，因而完成本發明。 　　亦即，本發明之目的在於提供組合片狀基材與特定之高頻介電接著層而成之高頻介電加熱接著片，其係處理性或施工性優異，並且對於各種被接著體之高頻介電加熱接著性優異之高頻介電加熱接著片，及使用此等高頻介電加熱接著片而成之接著方法。 [用以解決課題之手段] 　　[0007] 依據本發明，提供一種高頻介電加熱接著片，其係含有片狀基材與高頻介電接著劑層而成之高頻介電加熱接著片，其特徵為高頻介電接著劑層含有作為A成分之熱塑性樹脂及作為B成分之介電填充劑，而可解決上述問題點。 　　亦即，若為具有特定高頻介電接著劑層之高頻介電加熱接著片，藉由具有不具有表面觸黏性之高頻介電接著層，而可省略剝離片。 　　因此，即使為如大面積化時，不僅處理性或施工性優異，藉由短時間之介電加熱處理，即使對於表面凹凸大的被接著體，亦可獲得良好接著力。 　　[0008] 且，構成本發明之高頻介電加熱接著片時，較好為高頻介電接著劑層滿足下述(i)之條件。 　　(i)依據JIS K 7121(1987)測定之熔解熱量為1~80J/g之範圍內之值。 　　以如此高頻介電加熱接著片之狀態，藉由具有特定之熔解熱量，藉由更短時間之介電加熱處理，可確實獲得良好接著力。 　　[0009] 又，構成本發明之高頻介電加熱接著片時，較好為高頻介電接著劑層滿足下述(ii)之條件： 　　(ii)依循JIS K 7121(1987)規定之方法測定之熔點或軟化點為80~200℃之範圍內之值。 　　以如此高頻介電加熱接著片之狀態，藉由具有特定之熔點或軟化點，可於使用環境等之耐熱性(包含耐熱蠕變性)與介電加熱處理之熔著性之間，可實現良好平衡。 　　[0010] 又，構成本發明之高頻介電加熱接著片時，較好為高頻介電接著劑層含有作為A成分之具有特定溶解度參數(δ1)之第1熱塑性樹脂及具有大於該第1熱塑性樹脂的溶解度參數(δ2)之第2熱塑性樹脂。 　　藉由高頻介電接著劑層含有此等複數之熱塑性樹脂，於構成本發明之高頻介電加熱接著片時，可應用於更廣範圍種類之被黏著體。 　　且，藉由高頻介電接著劑層含有此等複數之熱塑性樹脂，亦可將高頻介電加熱接著片之撓性或機械特性調整至期望範圍。 　　[0011] 又，構成本發明之高頻介電加熱接著片時，較好相對於A成分100質量份，B成分之摻合量為5~800質量份之範圍內之值。 　　藉由設為如此對於熱塑性樹脂以特定比例含有作為B成分之介電填充劑之高頻介電接著劑層，可展現作為高頻介電加熱接著片之透明性，或可提高特定之處理性。 　　此外，依據該高頻介電接著劑層，可藉由短時間之介電加熱處理而確實獲得更良好之接著性。 　　[0012] 又，構成本發明之高頻介電加熱接著片時，較好B成分之依據JIS Z 8819-2(2001)測定之平均粒徑為1~30μm之範圍內之值。 　　藉由如此將B成分之平均粒徑控制於特定範圍，由於可增大於填充劑內部可分極之距離，進而分極程度變大，施加高頻時之反轉運動激烈，故可控制且提高含高頻介電接著劑層之高頻介電加熱接著片之介電加熱性(發熱性)。 　　[0013] 又，構成本發明之高頻介電加熱接著片時，B成分較好為氧化鋅。 　　如此，B成分若為氧化鋅，則即使於A成分中以比較少量摻合時，於介電加熱處理中，含高頻介電接著劑層之高頻介電加熱接著片亦可發揮特定之發熱效果。 　　此外，若為氧化鋅，則於A成分中可均一分散，可於含高頻介電接著劑層之高頻介電加熱接著片之透明性與介電加熱處理中之熔著性之間，實現進一步之良好平衡。 　　[0014] 又，本發明之另一態樣係高頻介電加熱接著片之接著方法，其係含有片狀基材與高頻介電接著劑層而成的高頻介電加熱接著片之接著方法，其特徵為包含下述步驟(1)~(2)： 　　(1)於片狀基材上，形成含有作為A成分之熱塑性樹脂及作為B成分之介電填充劑而成之高頻介電接著劑層，作成高頻介電加熱接著片之步驟， 　　(2)將高頻介電加熱接著片藉由高頻介電加熱處理而接著於被接著體上之步驟。 　　亦即，依據此等高頻介電加熱接著片之接著方法，藉由含有不具有表面觸黏性之高頻介電接著層，可省略剝離薄片，進而省略此等剝離薄片之去除作業，而可縮短化。 　　因此，若為該高頻介電加熱接著片，不僅處理性或施工性優異，亦可適用於各種被接著體，進而藉由短時間之介電加熱處理，對於表面凹凸較大之被接著體，亦可獲得良好接著力。
 [第1實施形態]
第1實施形態之高頻介電加熱接著片係至少含有片狀基材與高頻介電接著劑層而成之高頻介電加熱接著片，其 特徵為高頻介電接著劑層含有作為A成分之熱塑性樹脂及作為B成分之介電填充劑。
以下，針對第1實施形態之高頻介電加熱接著片之構成或形態等，一邊述及適當圖式(圖1~圖8)一邊具體加以說明。
1.片狀基材 (1)種類
片狀基材種類並未特別限定，可根據用途或使用形態，使用由單層或複數層所成之各種片狀基材。
作為此等片狀基材，舉例為上等紙、美術紙、銅版紙、牛皮紙、玻璃紙、含浸紙等之紙基材。
又，亦較好為對於該等紙基材層合聚乙烯樹脂等熱塑性樹脂而得之層合紙。
又，作為片狀基材亦可為合成紙。此等合成紙相較於紙基材，具有耐水性優異之優點，相對於通常之樹脂薄膜，有印刷適性優異之優點。而且，作為該合成紙市售有含空洞型合成紙[商品名：CRISPR(東洋紡股份有限公司製等]、內部紙化法合成紙[商品名：YUPO(優寶股份有限公司(YUPO CORPORATION製))等]、表面塗佈法合成紙[商品名：PEACH COAT(日清紡績股份有限公司製)等]、及紡黏法合成紙[商品名：TYVEK(杜邦股份有限公司製)等]等，可較好地使用該等。
再者，作為片狀基材，亦可較好地使用樹脂薄膜例如聚氯乙烯樹脂薄膜(有時包含可塑劑)、聚烯烴樹脂薄膜(亦包含聚乙烯樹脂薄膜、環烯烴樹脂薄膜、降冰片烯樹脂薄膜)、聚酯樹脂(包含聚對苯二甲酸乙二酯樹脂薄膜、聚萘二甲酸丁二酯樹脂薄膜、聚萘二甲酸乙二酯樹脂薄膜等)、丙烯酸樹脂薄膜、聚醯胺樹脂薄膜、聚胺基甲酸酯樹脂薄膜、聚矽氧樹脂薄膜、三乙醯基纖維素樹脂薄膜、聚苯乙烯樹脂薄膜、聚乙烯醇樹脂薄膜、ABS樹脂薄膜、聚碳酸酯樹脂薄膜、聚縮醛樹脂薄膜、縲縈樹脂薄膜等之單獨一種或組合兩種以上。 　　[0019] 此外，作為此等樹脂薄膜之變化例，亦較好使用以聚酯發泡樹脂薄膜、胺基甲酸酯發泡樹脂薄膜、聚苯乙烯發泡樹脂薄膜等為代表之發泡樹脂型的片狀基材。 　　又，片狀基材所用之該等樹脂薄膜中，基於賦予各添加劑之功能的特定目的，亦可摻合可塑劑、安定劑、由各種有機材料或無機材料所成之填充劑、著色劑(包含顏料或染料)、抗氧化劑、紫外線吸收劑、難燃劑、金屬皂、芳香劑、滑劑、界面活性劑等之各種添加劑。 　　[0020] 再者，作為片狀基材，亦可為織布、不織布等之布帛，或鋁箔、不鏽鋼箔、銅箔等之金屬箔。 　　如此於片狀基材為如金屬箔之導電材料時，並非自片狀基材側施加高頻，而是藉由自被接著體側進行，亦即藉由使高頻介電接著劑層位於導電性片狀基材與高頻施加裝置之間，而可加熱高頻介電接著劑層。 　　又，作為上述之片狀基材，可使用構成材料由一種所成之單獨基材，或亦可使用由兩種以上之不同層層合而成之複合基材。 　　[0021] (2)厚度 　　又，片狀基材之厚度通常較好為10~1,000μm之範圍內之值。 　　其理由為若片狀基材厚度為未達10μm之值，則有機械強度急遽降低，處理性降低之情況之故。 　　另一方面，若片狀基材厚度為超過1,000μm之值，則有難以捲成捲筒狀之情況之故。 　　因此，雖亦依據高頻介電加熱接著片之用途等而定，但片狀基材厚度更好為20~800μm之範圍內之值，又更好為30~500μm之範圍內之值，最好為50~300μm之範圍內之值。 　　[0022] 2. 高頻介電接著劑層 (1) A成分：熱塑性樹脂 (A成分種類) 　　關於作為構成高頻介電接著劑層之A成分的熱塑性樹脂種類，並未特別限定，但基於易熔解並且具有特定耐熱性等，較好為聚烯烴系樹脂、烯烴系熱塑性彈性體、苯乙烯系熱塑性彈性體、聚醯胺樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、聚縮醛樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚丙烯酸系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚乙酸乙烯酯系樹脂、苯氧系樹脂及聚酯系樹脂之至少一種。
更具體而言，作為聚烯烴系樹脂，舉例為由聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等之均聚物所成之樹脂、及由乙烯、丙烯、丁烯、己烯、辛烯、4-甲基戊烯等之共聚物所成之α-烯烴樹脂等之單獨一種或兩種以上之組合。
而且，聚烯烴樹脂中，若為聚丙烯樹脂，由於熔點或軟化點容易調整，且不僅便宜，而且機械強度或透明性亦優異，故可謂特佳。
又，本發明所用之聚丙烯系樹脂時，較好於1MHz之比介電率(以下，以ε’/1MHz表記)為2.2~2.6之範圍內之值，於1MHz之介電正切(以下，以tanδ/1MHz表記)為0.0005~0.0018之範圍內之值，進而損失係數為0.0047左右。
又，本發明所用之結晶性聚酯樹脂時，較好其比介電率(ε’/1MHz)為2.8~4.1之範圍內之值，介電正切(tanδ/1MHz)為0.005~0.026之範圍內之值，進而損失係數為0.0168~0.11之範圍內之值。
(A成分之熔點或軟化點)
又，構成高頻介電接著劑層之A成分的熔點或軟化點較好為80~200℃之範圍內之值。
亦即，該A成分，於結晶性樹脂之情況，藉由設為結晶部分熔解之溫度，以示差掃描熱量計(DSC)等測定之熔點規定於特定範圍內之值，可實現使用環境等之耐熱性與 介電加熱處理之熔著性之間的良好平衡。
更具體而言，使用示差掃描熱量計，將測定試料(熱塑性樹脂)10mg升溫至250℃後，以10℃/分鐘之降溫速度冷卻至25℃而結晶化，再度以10℃/分鐘之升溫速度加熱，熔解時，於DSC圖譜(熔解曲線)上觀察之熔解峰的峰值溫度可設為測定試料之熔點。
又，A成分於非結晶性(非晶性)樹脂時，藉由設為非晶部分熔解之溫度，依據環球法等測定之軟化點(玻璃轉移點)規定於特定範圍內之值，亦可實現耐熱性與介電加熱處理之熔著性之間的良好平衡。
更具體而言，依據JIS K 6863(1994)，可測定A成分之軟化點。
總之，A成分之熔點或軟化點為未達80℃之值時，耐熱性不足，有包含高頻介電接著劑層之高頻介電加熱接著片之使用用途過度受到限制，使機械強度顯著降低之情況。
另一方面，A成分之熔點或軟化點為超過200℃之值時，有對於高頻介電加熱接著片之介電加熱處理中之熔著過度耗費時間，接著力過度變低之情況。
因此，A成分中，更好熱塑性樹脂之熔點或軟化點為100~190℃之範圍內之值，又更好為130~180℃之範圍內之值。
又，上述A成分之熔點或軟化點較好對構成高頻介電接著劑層的A成分單獨測定，但實務上，作為後述之含高頻介電接著劑之高頻介電加熱接著片，測定熔點或軟化點，以此為基礎，亦可推定A成分之熔點或軟化點。 　　[0026] (A成分之平均分子量) 　　又，A成分之平均分子量(重量平均分子量)通常較好為5000~30萬之範圍內之值。 　　其理由為A成分之重量平均分子量為未達5000之值時，有耐熱性或接著強度顯著降低之情況之故。 　　另一方面，A成分之重量平均分子量為超過30萬之值時，有實施介電加熱處理時之熔著性等顯著降低之情況之故。 　　因此，A成分之重量平均分子量更好為1萬~20萬之範圍內之值，又更好為3萬~10萬之範圍內之值。 　　又，A成分之重量平均分子量可依據例如JIS K 7367-3(1999)，藉由極限黏度法或凝膠滲透層析法(GPC法)測定。 　　[0027] (A成分之熔融流速) 　　又，A成分之熔融流速(MFR)亦受重量平均分子量之影響，但通常於230℃、2.16kg荷重之條件下，通常較好為1~300g/10min之範圍內之值。 　　亦即，該MFR若為1g/10min以上，則接著部之耐熱性相對提高之故。 　　另一方面，藉由該MFR為300g/10min以下，可使介電加熱之接著時間變短，可獲得安定之接著性之故。 　　因此，該MFR較好為1~100g/10min，更好為1~50g/10min。 　　且，該MFR之值可依據JIS K 7210-1(2014)，於230℃、2.16kg荷重之條件下測定。 　　[0028] (A成分之複數熱塑性樹脂之組合) 　　關於上述A成分，亦較好由複數熱塑性樹脂之組合所構成。 　　例如，較好使用作為A1成分之具有特定溶解度參數(δ1)之第1熱塑性樹脂及作為A2成分具有大於該第1熱塑性樹脂的溶解度參數(δ2)之第2熱塑性樹脂之組合而構成。 　　亦即，若為至少具有以包含該A1成分、A2成分及B成分構成之高頻介電接著劑層的高頻介電加熱接著片，則例如對於各種被接著體亦可藉由較短時間之介電加熱處理而良好接著。 　　此外，若為此等高頻介電加熱接著片，則控制儲存彈性模數(E’)變容易，可提高作為高頻介電加熱接著片之特定處理性或可撓性。 　　因此，依據該高頻介電加熱接著片，無須剝離薄片，亦容易作成長條捲筒之形態。 　　[0029] (2)B成分：介電填充劑 (B成分之種類) 　　作為B成分之介電填充劑種類，若為具有藉由施加頻率28MHz或40MHz等之高頻而可發熱之高介電損失率之高頻吸收性填充劑，則未特別限制。 　　因此，較好為氧化鋅、碳化矽(SiC)、銳鈦礦型氧化鈦、鈦酸鋇、鈦酸鋯酸鋇、鈦酸鉛、鈮酸鉀、金紅石型氧化鈦、水合矽酸鋁、鹼金屬或鹼土金屬之水合鋁矽酸鹽等之具有結晶水之無機物質等之單獨一種或兩種以上之組合。 　　該等中，氧化鋅或碳化矽由於種類豐富，可自各種形狀、尺寸選擇，配合用途而可改良介電接著薄膜之接著特性或機械特性，且即使以比較少量摻合，亦富含發熱性，故而特別佳。 　　[0030] (摻合量) 　　且，對於A成分100質量份，B成分之摻合量較好為5~800質量份之範圍內之值。 　　其理由為若B成分之摻合量過少，則進行介電加熱處理時，亦缺乏發熱性，使A成分之熔融性過度降低，有無法獲得強固接著之情況之故。 　　另一方面，B成分之摻合量過多時，有介電加熱處理時之高頻介電加熱接著片之流動性過於降低之情況之故。 　　因此，對於A成分100質量份，B成分之摻合量更好為30~600質量份之範圍內之值，又更好為50~300質量份之範圍內之值。 　　[0031] (平均粒徑) 　　且依據JIS Z 8819-2(2001)測定之B成分之平均粒徑(中值徑，D50)較好為0.1~30μm之範圍內之值。 　　其理由為該平均粒徑若未達0.1μm，雖根據填充劑種類而定，但於填充劑內部可分極之距離變小故分極程度變小之故。因此，由於施加高頻時之反轉運動降低，故有介電加熱性過度降低，被接著體彼此之強固接著變困難之情況。 　　另一方面，隨著平均粒徑增大，由於填充劑內部可分極之距離變大故分極程度變大，施加高頻時之反轉運動變激烈，故介電加熱性提高。 　　然而，平均粒徑若超過30μm，則由於與周圍之介電填充劑之距離縮短，故受到其電荷之影響，而有施加高頻時之反轉運動降低，介電加熱性過於降低，或被接著體彼此之強固接合變困難之情況。 　　因此，B成分之平均粒徑更好為1~30μm之範圍內之值，又更好為2~25μm之範圍內之值，最好為3~20μm之範圍內之值。 　　[0032] 此處，參考圖2，說明高頻介電接著劑層之B成分的平均粒徑之影響與使用介電加熱接著薄膜之高頻接著性的關係。 　　圖2之橫軸採用B成分之平均粒徑之值(μm)，縱軸顯示接著性(相對值)。 　　更具體而言，依據後述實施例1所記載之評價，將評價◎設為5點，評價○設為3點，評價△設為1點，評價×設為0點，進行相對評價者。 　　[0033] 因此，如由圖2之特性曲線所理解，針對接著力，關於B成分之平均粒徑而可存在最適值。 　　亦即，B成分之平均粒徑為0.4μm而過小時，可說是被接著體彼此無法充分高頻接著。 　　相對於此，B成分之平均粒徑為2μm而比較大時，可說是高頻接著性之評價急遽提高。 　　再者，B成分之平均粒徑為10~20μm而相當大時，高頻接著性之評價大致安定，與過度小時比較，可說是相當提高。 　　另一方面，B成分之平均粒徑超過40μm，而為50μm之相當大時，高頻接著性之評價反而降低，可說是與過度小之情況同等。 　　因此，對於使用介電加熱接著薄膜之高頻接著性，可說是B成分之平均粒徑具有最適值，例如較好為1~30μm之範圍內之值，更好為2~20μm之範圍內之值。 　　[0034] 又，說到圖3，說明B成分之平均粒徑與以tanδ/ε’表示之介電特性之關係。 　　亦即，圖3之橫軸採用B成分之平均粒徑之值(μm)，縱軸表示介電特性(tanδ/ε’×10-3 )之值作為介電特性。 　　因此，如由圖3中之特性曲線所理解，針對介電特性，關於B成分之平均粒徑而可存在最適值。 　　亦即，B成分之平均粒徑為0.4μm而過小時，可說是介電特性相當低，因此推定被接著體彼此無法充分高頻接著。 　　相對於此，B成分之平均粒徑為2μm而比較大時，可說是介電特性值急遽變大，至少超過0.005。 　　再者，B成分之平均粒徑若為10μm左右，則介電特性稍微混亂，但至少達到0.008~0.01之範圍。 　　另一方面，B成分之平均粒徑超過10μm，而為20μm左右時，介電特性之值反而降低，成為低於0.008之值。 　　又，B成分之平均粒徑超過40μm，而為50μm左右時，介電特性之值相當低，成為低於0.002之值。 　　因此，對於以tanδ/ε’表示之介電特性，可說是B成分之平均粒徑具有最適值，為了獲得比較高之值，例如較好設為1~20μm之範圍內之值，更好為2~15μm之範圍內之值。 　　[0035] 再者，說到圖4，說明B成分之種類(合計6種)及摻合量(3程度)與以tanδ/ε’表示之介電特性之關係。 　　圖4之橫軸採用B成分相對於A成分100質量份之摻合量(質量份)，縱軸表示採用以tanδ/ε’表示之介電特性的值。 　　又，特性曲線A係對應於TiO2 (銳鈦礦型結晶)，特性曲線B係對應於氧化鋅(ZnO)，特性曲線C係對應於碳化矽(SiC)，特性曲線D係對應於TiO2 (金紅石型結晶)，特性曲線E係對應於鈦酸鋇(BaTiO3 )，特性曲線F係對應於氧化鋯(ZrO2 )。 　　[0036] 因此，如由圖4中之特性曲線A~C所理解，B成分若為TiO2 、ZnO及SiC，則隨著摻合量增加至150質量份左右，介電特性(tanδ/ε’)之值顯著變大。 　　同樣，如由圖4中之特性曲線A~C所理解，摻合量若增加至350質量份左右，介電特性(tanδ/ε’)之值亦進而變大，但亦見到一部分飽和之傾向。 　　另一方面，如由特性曲線D~F所理解，可說是B成分若為TiO2 (金紅石型結晶)、BaTiO3 、ZrO2 ，則摻合量即使增加至150質量份左右，介電特性(tanδ/ε’)之值亦幾乎無變化。 　　因此，相對於以tanδ/ε’表示之介電特性，B成分之種類及摻合量顯示極強影響，為了獲得比較高的值，例如B成分相對於A成分100質量份之摻合量更好為50~500質量份之範圍內之值，又更好為100~400質量份之範圍內之值。 　　[0037] (3)高頻介電接著劑層 (3)-1 摻合成分 　　又，高頻介電接著劑層中，作為A成分雖亦可由單獨一種熱塑性樹脂所構成，但亦較好由兩種以上之熱塑性樹脂之組合所構成。 　　亦即，例如更好含有具有特定溶解度參數(δ1)之第1熱塑性樹脂及具有大於該第1熱塑性樹脂的溶解度參數(δ2)之第2熱塑性樹脂。 　　其理由為藉由含有此等複數熱塑性樹脂，構成具有該高頻介電接著劑層之高頻介電加熱接著片時，可應用於更廣範圍的被接著體之故。 　　[0038] (3)-2 厚度 　　又，高頻介電接著劑層之厚度通常較好為10~2000μm之範圍內之值。 　　對於如此控制高頻介電接著劑層之厚度，可提高構成高頻介電加熱接著片時之處理性，並且藉由短時間介電加熱處理，亦可確實獲得良好接著性。 　　更具體而言，高頻介電接著劑層之厚度若為未達10μm之值，則作為高頻介電加熱接著片之處理性顯著降低，而有難以適用於具有表面凹凸之被接著體之情況之故。 　　另一方面，高頻介電接著劑層之厚度若為超過2000 μm，則獲得特定接著力時，介電加熱處理之時間變過長，於構成高頻介電加熱接著片時，有變得過厚，而相反地處理性降低之情況之故。 　　因此，高頻介電接著劑層之厚度更好為20~1000μm之範圍內之值，又更好為30~500μm之範圍內之值。 　　又，高頻介電接著劑層不僅由單層所成，亦較好由複數層構成，該情況下，高頻介電接著劑層之合計厚度在特性範圍內之值，例如較好為10~2000μm之範圍內之值。 　　[0039] (3)-3 摻合比(B成分/A成分) 　　又，高頻介電接著劑層較好由相對於A成分100質量份，B成分之摻合比為5~800質量份之範圍內之值的樹脂組成物所構成。 　　如此藉由對於A成分的熱塑性樹脂，以特定比例含有作為B成分之介電填充劑，而可提高高頻介電接著劑層及作為高頻介電加熱接著片之處理性，藉由短時間之介電加熱處理，亦可確實獲得良好接著力。 　　因此，構成高頻介電接著劑層之樹脂組成物中，相對於A成分100質量份，B成分之摻合比更好為10~500質量份之範圍內之值，B成分之摻合比又更好為30~300質量份之範圍內之值。 　　[0040] (3)-4 添加劑 　　又，於高頻介電接著劑層中，較好摻合黏著賦予劑、可塑劑、蠟、著色劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、抗菌劑、偶合劑、黏度調整劑、除介電填充劑以外之有機或無機填充劑等之至少一種的各種添加劑。 　　亦即，黏著賦予劑或可塑劑可改善高頻介電加熱接著片之熔融特性或接著特性。 　　因此，作為黏著賦予劑舉例為例如松脂衍生物、聚萜烯樹脂、芳香族改質萜烯樹脂及其氫化物、萜烯酚樹脂、香豆素．茚樹脂、脂肪族系石油系樹脂、芳香族系石油系樹脂及其氫化物。 　　[0041] 又，作為可塑劑可例示例如鏈烷系加工油、萘系加工油、或芳香族系加工油等之石油系加工油，蓖麻油或妥爾油等之天然油、鄰苯二甲酸二丁酯、鄰苯二甲酸二辛酯或己二酸二丁酯等之二元酸二烷基址、液狀聚丁烯或液狀異戊二烯等之低分子量液狀聚合物。 　　該情況下，雖亦根據添加劑種類或其摻合用途而定，但通常較好為高頻介電加熱接著片之全體量的0.1~20質量%之範圍內之值，更好為1~10質量%之範圍內之值，再更好為2~5質量%之範圍內之值。 　　[0042] (3)-5 介電特性 　　又，關於高頻介電接著劑層之介電特性(介電正切(tanδ)或比介電率(ε’))，亦可根據JIS C 2138(2007)測定，但依據阻抗材料法，可簡便且正確地測定。 　　亦即，關於至少含有A成分及B成分而成之高頻介電接著劑層，將使用阻抗材料裝置等測定之介電正切(tanδ)除以同樣測定之比介電率(ε’)所得之介電特性(tanδ/ε’)較好為0.005以上之值。 　　其理由為該介電特性若未達0.005，則不管A成分種類為何，經介電加熱處理時，均有未進行特定發熱，而難以使被接著體彼此強固接著之情況之故。 　　但，該介電特性之值若過大，則可使用之A成分種類或介電填充劑種類過度受到限制，而有全光線透過率急遽降低之情況。 　　因此，高頻介電接著劑層之介電特性更好為0.008~0.05之範圍內之值，又更好為0.01~0.03之範圍內之值。 　　又，該高頻介電接著劑層之介電特性，具體而言，係使用阻抗材料分析儀E4991(Agilent公司製)，於23℃之頻率40MHz之條件下，分別測定比介電率(ε’)及介電正切(tanδ)，並作為介電特性(tanδ/ε’)之值予以算出。 　　[0043] (3)-6 熔點或軟化點 　　又，高頻介電接著劑層之熔點或軟化點較好為80~200℃之範圍內之值。 　　亦即，構成高頻介電加熱接著片之高頻介電接著劑層之熔點或軟化點(有時僅稱為高頻介電加熱接著片之熔點或軟化點)可使用示差掃描熱量計(DSC)等測定。 　　因此，高頻介電加熱接著片之熔點或軟化點若為未達80℃之值，則耐熱性不充分，耐熱蠕變性顯著降低，有損及經熔著之被接著體的保存安定性之情況。 　　另一方面，高頻介電加熱接著片之熔點或軟化點若為超過200℃之值，則介電加熱處理時熔著過度耗費時間，有接著強度反而降低之情況。 　　因此，高頻介電加熱接著片之熔點或軟化點更好為100~190℃之範圍內之值，又更好為130~180℃之範圍內之值。 　　[0044] (3)-7 熔解熱量 　　又，高頻介電接著劑層之根據JIS K 7121(1987)測定之熔解熱量為1~80J/g之範圍內之值。 　　其理由為藉由將構成高頻介電加熱接著片之高頻介電接著劑層之熔解熱量(有時僅稱為高頻介電加熱接著片之熔解熱量)規定於特定範圍內之值，可實現使用環境等之耐熱性與介電加熱處理之熔著性之間的良好平衡。 　　更具體而言，該熔解熱量若為未達1J/g之值，則有耐熱性不充分，高頻接著力或接著力(拉伸剪切力)，進而耐熱蠕變性顯著降低之情況。 　　另一方面，該熔解熱量若為超過80J/g之值，則有介電加熱處理之熔著過度耗費時間，所得接著力(拉伸剪切力)過於變低之情況。 　　因此，該熔解熱量更好為5~70J/g之範圍內之值，又更好為10~60 J/g之範圍內之值。 　　又，起因於添加劑之摻合等，而有例如所得DSC圖譜中，存在複數熔解峰之情況，但此等情況，可自複數之熔解峰的合計量，算出高頻介電加熱接著片之熔解熱量。 　　[0045] (3)-8 黏彈性特性 　　又，關於高頻介電接著劑層之黏彈性特性(動態彈性模數)，以頻率10Hz之條件下測定之儲存彈性模數(E’)，於室溫及80℃之溫度下，均較好為1×106 ~1×1010 Pa之範圍內之值。
其理由為構成高頻介電加熱接著片之高頻介電接著劑層之黏彈性特性(以下有時僅稱為高頻介電加熱接著片之黏彈性特性)，於室溫及80℃之溫度下，若為未達1×106Pa之值，則高頻介電加熱接著片之表面顯現觸黏性，有以捲筒形狀保存時因黏連而變困難之情況之故。
另一方面，該儲存彈性模數，於室溫及80℃下，若為超過1×1010Pa之值，則高頻介電加熱接著片易脆化，而有難以自捲筒捲出或因高張力而難以貼附於被接著體之情況之故。
3.其他層 (1)接受層
高頻介電加熱接著片使用於印刷標籤用途、建築裝飾材料之裝飾材用途或看板等之標記用途等之施以印刷之用途時，如圖1(d)所例示，亦較好於片狀基材12之單面(設置高頻介電接著劑層10之側的相反面)設置接受層13。
亦即，藉由如此於片狀基材12設置接受層13，即使於片狀基材12之印刷適性不充分時，亦可應用於如上述之施以印刷之用途之故。
此處，作為構成接受層13之材料並未特別限定，只要考慮片狀基材之材質與印刷所使用之墨水或印刷手段，進而考慮其上形成之裝飾層14之特定等適當選擇即可。
具體而言，使用以聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸樹脂等之熱塑性樹脂或熱硬化性樹脂作為黏合劑，適當摻合填充劑、顏料、染料、硬化劑、交聯劑等之添加劑及溶劑而成之塗佈劑，由該等塗佈於片狀基材並乾燥而設置接受層。
又，例如裝飾層14為噴墨層時，藉由設置聚乙烯醇樹脂或聚乙烯縮醛樹脂等所成之接受層13，而可防止噴墨用塗料之收縮(cissing)等，可形成安定且強固之裝飾層14。
又，關於接受層13之厚度並未特別限定，只要考慮印刷使用之墨水種類或印刷手段而適當決定即可。
因此，該接受層13之厚度通常較好為1~10μm之範圍內之值。
(2)裝飾層
又，如圖1(c)或圖1(d)所例示，高頻介電加熱接著片21之片狀基材12之上方亦較好設置裝飾層14。
而且，作為該裝飾層14，係用以對視認者提供由文字、數字、記號、花樣、圖樣等所構成之特定資訊，或對被接著體賦予裝飾性之層，通常為由特定塗料所成之印刷層，但亦可為利用壓花加工之賦形層。
亦即，更具體而言，該裝飾層14係由胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、氯乙烯樹脂、聚矽氧樹脂等之各種樹脂中，摻合各種著色劑之塗料所成之凹版(gravure)印刷層、噴墨層、凹版印刷層或賦形層。
而且，作為如此印刷層之裝飾層之形成手段，可選擇凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、凹版(gravure)印刷、軟版印刷、熱轉印印刷、噴墨印刷及靜電印刷(碳粉印刷)等之習知印刷技術，或壓花輥加工等之賦形技術之任一者。 　　又，裝飾層14之厚度並未特別限制，只要考慮印刷所使用之墨水種類或印刷手段等適當決定即可。 　　因此，該裝飾層14之厚度通常較好為1~10μm之範圍內之值。 　　[0050] (3)表面保護層 　　又，如圖1(e)所例示，於高頻介電加熱接著片23之片狀基材12之上方設置裝飾層14時，該裝飾層14之進而上方亦較好設置表面保護層16。 　　其理由為藉由該表面保護層16，可保護裝飾層14免於受到賦予至高頻介電加熱接著片之刺激之故。 　　尤其，對於表面保護層16較好使用具有充分強度之材料以可防止對於擦過性之刺激而使印刷層損傷或脫落。 　　又，表面保護層16較好具有充分之光透過性(例如光透過率為80%以上)，以維持裝飾層14之視認性。 　　又再者，基於修正裝飾層14之光澤感或濛霧感等之美觀的目的，表面保護層16表面可為平滑，或亦可為凹凸狀(濛霧調)。 　　因此，作為構成此等表面保護層16之材料，較好為透明樹脂薄膜，更具體而言，較好為聚乙烯薄膜或聚對苯二甲酸乙二酯薄膜等之藉由延伸處理而增加強度之透明薄膜。 　　又，作為於後述之路面標記片中使用時之表面保護層，為了發揮止滑效果或光散射效果，較好使用施以表面濛霧加工之透明聚乙烯薄膜。 　　又，關於表面保護層16之厚度並未特別限制，只要考慮高頻介電加熱接著片23之用途或其所應用之環境等適當決定即可。 　　因此，該表面保護層16之厚度通常較好為5~100μm之範圍內之值。 　　[0051] (4)層間接著劑層 　　又，如圖1(b)或圖1(e)所示，為了使構成高頻介電加熱接著片20’或者高頻介電加熱接著片23之各層與其所鄰接之層接著，或為了增強層間之接著強度，亦較好設置層間接著劑層(有時僅稱為接著劑層)15、17。 　　尤其，較好如圖1(b)或圖1(e)所示，於片狀基材12與高頻介電接著劑層10之間，或如圖1(e)所例示，於表面保護層16與裝飾層14之間，分別設置層間接著劑層15、17。 　　而且，作為如此於片狀基材12與高頻介電接著劑層10之間設置之層間接著劑層(第2接著劑層)15，較好為熱塑性接著劑、熱硬化性接著劑、感壓性接著劑(黏著劑)等。 　　熱硬化性接著劑或感壓性接著劑，較好係以水或有機溶劑溶解或分散構成接著劑之成分而成之塗佈液而供給，於設置層間接著劑層之際，塗布乾燥此塗布液，且積層2層。 　　又，作為熱塑性接著劑，可藉由擠出製膜而設置，亦可藉由使以有機溶劑等溶解或分散之塗佈液進行塗佈乾燥而形成。 　　另一方面，為了確保對於裝飾層14之視認性，設於表面保護層16與裝飾層14之間之層間接著劑層(第1接著劑層) 17較好係由透明之感壓性接著劑(例如光透過率為80%以上)構成。 　　[0052] 此外，作為構成該等層間接著劑層15、17之熱塑性樹脂，若能獲得充分之接著強度，則任何樹脂均可。 　　因此，具體而言，舉例為乙烯乙酸乙烯酯共聚物、乙烯(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯(甲基)丙烯酸酯共聚物、離子聚合物樹脂、氯化聚烯烴樹脂等。 　　又，層間接著劑層15、17所使用之熱硬化性樹脂之具體例舉例為聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、環氧樹脂、丙烯酸樹脂、酚樹脂等。 　　又，作為層間接著劑層15、17所使用之感壓性接著劑之具體例舉例為丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、乙烯醚系黏著劑等。 　　[0053] 又，關於層間接著劑層15、17之厚度並未特別限制，只要考慮該層間接著劑層15、17之構成成分或與該等層接觸之上下層之種類適當決定即可，而且，層間接著劑層15、17之厚度可各為相同亦可不同。 　　因此，層間接著劑層15、17之厚度分別通常較好為1~50μm之範圍內之值。 　　[0054] 4. 高頻介電加熱接著片 (1)構成例 　　以下，邊述及適當圖式邊具體說明高頻介電加熱接著片之構成例。 　　[0055] (1)-1 構成例1 　　構成例1係如圖1(a)所例示，自上方朝向下方，包含片狀基材12與高頻介電接著劑層10而成之高頻介電加熱接著片20。 　　此處，片狀基材12及高頻介電接著劑層10之態樣如第1實施形態之上述內容。 　　亦即，依據此等高頻介電加熱接著片20，可為單一構成，亦可藉由對各種被接著體施以高頻介電加熱處理，而可短時間且容易地貼附。 　　[0056] (1)-2 構成例2 　　又，構成例2係如圖1(c)所例示，自上方朝向下方，依序包含裝飾層14、片狀基材12與高頻介電接著劑層10而成之高頻介電加熱接著片21。 　　若為此等高頻介電加熱接著片21，由於可作成不具有表面觸黏性之裝飾片，故即使為較大面積亦可容易地貼附。 　　[0057] (1)-3 構成例3 　　又，構成例3係如圖1(d)所例示，自上方朝向下方，依序包含裝飾層14、接受層13、片狀基材12與高頻介電接著劑層10而成之高頻介電加熱接著片22。 　　依據此等高頻介電加熱接著片22，由於透過接受層13自其上方設置裝飾層14，故可顯著提高裝飾層14之耐久性或形成性。亦即該接受層13係為了於片狀基材12之表面安定地形成特定裝飾層14並且提高其間之接著性的層。 　　[0058] (1)-4 構成例4 　　又，構成例4係如圖1(e)所例示，自上方朝向下方，依序包含表面保護層16、層間接著劑層(第1接著劑層)17、裝飾層14、接受層13、片狀基材12、層間接著劑層(第2接著劑層)15與高頻介電接著劑層10而成之高頻介電加熱接著片23。 　　依據此等高頻介電加熱接著片23，由於透過層間接著劑層(第1接著劑層)17設置表面保護層16，故可顯著提高其耐久性。而且，於如僅表面保護層16劣化之情況，亦可於裝飾層14之上方的層間接著劑層17之界面剝離，而更換新的表面保護層16。 　　而且，作為構成例4，如圖1(e)所例示之高頻介電加熱接著片23，較好於片狀基材12與高頻介電接著劑層10之間，進而設置另一層間接著劑層(第2接著劑層)15。 　　其理由為藉由設置此等層間接著劑層15，可顯著提高該等之層間接著力，進而關於高頻介電加熱接著片23之耐久性亦顯著提高。 　　[0059] (1)-5 其他構成例 　　此外，雖未圖示，但作為高頻介電加熱接著片之構成例，亦可於上述之表面保護層16之與片狀基材相反側之面、或於表面保護層16與高頻介電接著劑層10之間之任一層間，設置硬塗層、抗靜電層、電絕緣層等之至少一層。 　　[0060] (2) 表面觸黏 　　又，高頻介電加熱接著片藉由使用上述高頻介電接著劑層，而可成為無特定之表面觸黏，而不需要剝離片之接著片。 　　此處，高頻介電接著劑層，作為具有或不具有特定之表面觸黏之標準，較好為於傾斜式球觸黏試驗法中成為未達2之程度，亦即將直徑為2/32吋之鋼球於配置成30度斜面之長10cm之高頻介電接著劑層上不停止而滑行之表面狀態。 　　若高頻介電加熱接著片具有特定表面觸黏，於省略剝離片之狀態，成為滾筒狀時，高頻介電接著劑層會與接觸面固著，而難以安定地捲出高頻介電加熱接著片，而有高頻介電加熱接著片的處理變困難之情況。 　　[0061] (3) 高頻介電加熱接著片之應用例 　　本發明之高頻介電加熱接著片之應用例並未特別限定，可應用於使用接著片或黏著片之各種用途。 　　舉例為例如印刷標籤、看板用標記片、地板用標記片、路面用標記片、家具裝飾用片、家電製品裝飾用片、車輛內外裝用片、船舶內外裝用片、飛機車輛內外裝用片、車輛內裝用片、建築用片、壁用片、隔板用片、門裝飾用片、道路標識用片等。 　　而且，上述應用例中，尤其與被接著體之接著面積廣時，可獲得於施工現場進行接著作業時，因不具有剝離片故不會因剝離操作而引起位置偏移，因不具有表面觸黏，故位置對準等之作業性優異之特徵。 　　因此，作為高頻介電加熱接著片之應用例，特佳為地板用標記片或路面用標記片(以下有時將兩用途一起稱為路面標記片)。 　　[0062] 此處，作為路面標記片，黏著片型者為已知。該路面標記片大多係貼附於眾多路人眼睛所及之繁華街道之道路或路面，由於其上有多數人通過，故期望強力之接著力黏著劑(接著劑)。 　　因此，以往之路面標記片100，如圖8顯示其構成般，為了提高該路面標記片100與被接著體的地板或路面之接著力，對貼附路面標記片之前的地板面或路面預先進行底塗處理。 　　且，進而以往之路面標記片100，基於提高與地板面或路面之接著力為目的，使用壓路機等，將路面標記片100之表面順應於凹凸之加工係不可欠缺。亦即，以往之路面標記片100於層內具有延展性之金屬箔120，貼附於地板面或路面後有必要立即使金屬箔120變形之作業。 　　相對於此，本發明之高頻介電加熱接著片使用作為路面標記片時，藉由介電加熱處理而使高頻介電加熱接著劑層之熱塑性樹脂超過熔點或軟化點，可顯示充分流動性。因此，不需施以順應於凹凸之加工，亦可順應於地板面或路面之凹凸而展現充分接著力。 　　因此，若為可應用介電加熱處理之用途，作為高頻介電加熱接著片之應用例並未特別限制。 　　[0063] (4) 高頻介電加熱接著片之製造例 　　以下，顯示高頻介電接著劑層及高頻介電加熱接著片之典型製造例1~4，但根據高頻介電加熱接著片之用途或態樣，可適當變更或修正。 　　[0064] (4)-1 製造例1 　　首先，將單獨製造構成高頻介電加熱接著片之高頻介電接著劑層之情況的製造方法作為製造例1加以說明。 　　亦即，藉由各種擠出製膜裝置可製造高頻介電接著劑層。具體而言，以特定比率預先混合作為A成分之熱塑性樹脂成分與作為B成分之介電填充劑，藉由雙軸擠出機等於特定溫度熔融混練作成顆粒。所得顆粒投入具備T模嘴等之噴出口的擠出裝置(擠出機等)，於特定溫度熔融混練，自噴出口擠出成薄膜狀，於特定條件冷卻並藉由捲取裝置捲取，獲得單獨之高頻介電接著劑層。 　　[0065] (4)-2 製造例2 　　其次，針對由片狀基材12與高頻介電接著劑層10所成之圖1(a)之構成的高頻介電加熱接著片20之製造例2(製造例2-1~2-4)加以說明。 　　首先，製造例2-1係藉由擠出層合機製造圖1(a)之高頻介電加熱接著片之例。 　　具體而言，準備具備捲出裝置、捲取裝置及T模嘴等之噴出口的擠出裝置，將片狀基材12自該捲出裝置繞掛至該捲取裝置。 　　其次，將與製造例1同樣獲得之顆粒以特定溫度熔融混練，自所具備之噴出口擠出至片狀基材之路徑上，塗佈於片狀基材12之特定面上。 　　所得層合體於特定條件下冷卻，使用捲取裝置捲取，藉此獲得圖1(a)之構成的高頻介電加熱接著片20。 　　[0066] 又，製造例2-2係藉由共擠出而製造圖1(a)例示之高頻介電加熱接著片20之例。 　　具體而言，分別準備與製造例1同樣獲得之顆粒與成為片狀基材12的原材料之樹脂顆粒。 　　又，準備於噴出口具備多層模嘴之擠出裝置，於特定溫度將各顆粒熔融混練，自多層模嘴以層合狀態擠出，邊冷卻邊捲取，獲得圖1(a)之構成的高頻介電加熱接著片20。 　　又，該製造例2-2可採用於片狀基材12係由熱塑性樹脂所成，並擠出製膜之情況。 　　[0067] 又，製造例2-3係藉由加熱接著而製造圖1(a)例示之高頻介電加熱接著片20之例。 　　具體而言，準備製造例1所得之單層高頻介電接著劑層10與片狀基材12，並且準備具有可加熱加壓輥之特定層合機裝置，將片狀基材12與單層高頻介電接著劑層10加熱壓著而獲得。 　　[0068] 再者，製造例2-4係藉由高頻介電加熱而製造圖1(a)例示之高頻介電加熱接著片20之例。 　　具體而言，準備製造例1所得之單層高頻介電接著劑層10與片狀基材12，並且準備具有加壓輥與高頻施加裝置之特定層合機裝置，將片狀基材12與單層高頻介電接著劑層10高頻加熱壓著而獲得。 　　[0069] (4)-3 製造例3 　　其次，針對依序層合片狀基材、層間接著劑層與高頻介電接著劑層所成之圖1(b)中例示之高頻介電加熱接著片20’之製造例3(製造例3-1~3-4)加以說明。 　　藉由形成此層間接著劑層，可補強片狀基材與高頻介電接著劑層之間的接著強度，進而高頻介電接著劑層藉由施加高頻所致之高溫而低凝集化而可防止引起層間剝離。 　　[0070] 亦即，製造例3-1係藉由共擠出層合機，用以獲得圖1(b)中例示之高頻介電加熱接著片20’之製造例。 　　具體而言，準備具備捲出裝置、捲取裝置及多層模嘴等之噴出口的擠出裝置，將片狀基材自該捲出裝置繞掛至該捲取裝置。其次，將與製造例1同樣獲得之顆粒與層間接著劑層用之顆粒分別以特定溫度熔融混練，自所具備之噴出口以層合狀態擠出至片狀基材之路徑上，於片狀基材之特定面上形成層間接著劑層與高頻介電接著劑層。因此，將所得層合體於特定條件下冷卻，並使用捲取裝置捲取，藉此獲得特定構成的高頻介電加熱接著片。 　　[0071] 又，製造例3-2係藉由三層共擠出，用以獲得圖1(b)中例示之高頻介電加熱接著片20’之另一製造例。 　　具體而言，分別準備與製造例1同樣獲得之顆粒、層間接著劑層用之顆粒與成為片狀基材之原材料的樹脂顆粒。 　　又，準備於噴出口具備多層模嘴之擠出裝置，以特定溫度將各顆粒熔融混練，自多層模嘴擠出為特定之多層狀態，邊冷卻邊捲取，可獲得特定構成的高頻介電加熱接著片。 　　[0072] 又，製造例3-3係使用塗佈機之製造例，特徵係層合由塗佈型接著劑所成之層間接著劑15，用以獲得圖1(b)中例示之高頻介電加熱接著片20’之又另一製造例。 　　具體而言，準備片狀基材及基於製造例1之高頻介電接著劑層，並且準備具備第1捲出裝置、第2捲出裝置、捲取裝置、塗佈頭及加熱乾燥機之塗佈機。 　　其次，將片狀基材或高頻介電接著薄膜之任一者繞掛於第1捲出裝置與捲取裝置上，另一者設置於第2捲出裝置。 　　其次，以於第1捲出裝置與加熱乾燥機之間配置之塗佈頭，將形成層間接著劑層15之塗佈型接著劑塗佈於繞掛側之片材上之後，藉加熱乾燥機乾燥。 　　較好亦根據需要進而加熱交聯。 　　其次，自第2捲出裝置捲出另一片材，貼合於經乾燥之層間接著劑層15之面，並以捲取裝置捲取，可獲得特定構成的高頻介電加熱接著片。 　　[0073]製造例3-4係使用黏著層合手段之製造例，係用以獲得圖1(b)中例示之高頻介電加熱接著片20’之又另一製造例。 　　具體而言，準備片狀基材、基於製造例1之高頻介電接著劑層及剝離片，並且準備與製造例3-3所用者相同之塗佈機。 　　其次，將剝離片繞掛於第1捲出裝置與捲取裝置上，並且將片狀基材或高頻介電接著劑層之任一者設置於第2捲出裝置。 　　其次，以於第1捲出裝置與加熱乾燥機之間配置之塗佈頭，形成由感壓性接著劑(黏著劑)所成之層間接著劑層15。 　　將塗佈型接著劑塗佈於剝離片上之後，藉加熱乾燥機乾燥，較好亦根據需要進而使黏著劑加熱交聯。 　　其次，捲出設置於第2捲出裝置之片材，貼合於經乾燥之層間接著劑層(黏著劑層)15之面，並以捲取裝置捲取，可獲得附黏著劑層之片狀基材或附黏著劑層之高頻介電接著劑層。 　　其次，黏著劑之養生結束後，去除剝離片，與片狀基材或高頻介電接著劑層之剩餘一者貼合，可獲得特定構成之高頻介電加熱接著片。 　　依據該製造例3-4，所得之高頻介電加熱接著片於製造過程中雖使用剝離片，但使用時，亦即於以高頻加熱處理而接著於被接著體之步驟中，由於既已去除而不存在，故具有操作容易性與其他製造例無改變之特徵。 　　另一方面，由於可以半製品之狀態長期保存，故高頻介電加熱接著片20’因原材料之種類多樣而成為少量多品種時，亦有助於生產性提高之優點。 　　[0074] (4)-4 製造例4 　　其次，製造例4中，針對層合接受層13、裝飾層14及表面保護層16之步驟分別加以說明。 　　首先，於片狀基材12上直接或於圖1(a)所示構成之2層層合體或圖1(b)所示構成之3層層合體之片狀基材側上，藉由使用特定塗佈裝置，塗佈構成接受層之塗佈劑而可形成接受層13。 　　此處，作為塗佈裝置並未特別限定，只要具備適合於構成接受層的塗佈劑之塗佈頭的塗佈機即可。 　　其次，於利用印刷之情況，於片狀基材12上直接或於圖1(a)所示構成之2層層合體或圖1(b)所示構成之3層層合體之片狀基材側上，藉由施以印刷而形成裝飾層14。此處，使用之印刷墨水種類及印刷手段等，只要適當選擇符合所描繪之表現的材料、裝置即可。 　　相對於此，於裝飾層14由賦型層所成之情況，藉由對片狀基材施以壓花加工之方法，或以帶有反轉賦型面之澆鑄片將片狀基材的液狀原材料進行澆鑄鑄模而可形成裝飾層14。 　　其次，可於裝飾層上直接塗佈透明塗料(clear coat)後，使其硬化而形成表面保護層16，或亦可分別藉由常溫貼附透明之感壓性接著片(構成表面保護層16與層間接著劑層17)而設於高頻介電加熱接著片之特定部位。 　　[0075] [第2實施形態] 　　第2實施形態係高頻介電加熱接著片之接著方法，其係含有片狀基材與高頻介電接著劑層而成的高頻介電加熱接著片之接著方法，其特徵為包含下述步驟(1)~(2)。 　　(1)於片狀基材上，形成含有作為A成分之熱塑性樹脂及作為B成分之介電填充劑而成之高頻介電接著劑層，作成高頻介電加熱接著片之步驟， 　　(2)將高頻介電加熱接著片藉由高頻介電加熱處理而接著於被接著體上之步驟。 　　以下，針對第2實施形態之高頻介電加熱接著片之接著方法，以與第1實施形態不同點為中心加以說明。 　　[0076] 1. 步驟(1) 　　步驟(1)係於片狀基材上藉由形成高頻介電接著劑層而作成高頻介電加熱接著片之步驟。 　　又，片狀基材、高頻介電接著劑層、高頻介電加熱接著片之態樣、及其製造方法等，與第1實施形態說明之內容可為相同內容。 　　[0077] 2. 步驟(2) (1) 被接著體 　　步驟(2)係將高頻介電加熱接著片載置於被接著體上之特定位置，藉由高頻介電加熱處理予以接著之步驟。 　　此時，通常，較好根據使用用途將高頻介電加熱接著片切斷為特定形狀，並載置於被接著體上之特定位置。 　　[0078] 又，被接著體之態樣並未特別限定，舉例為各種應用例所用之被接著體的材質。 　　更具體而言，可為由有機材料、無機材料(包含金屬材料等)之各種材料所成之被接著體，亦可為該等之複合材料。 　　因此，作為構成被接著體之有機材料，舉例為聚丙烯樹脂、聚乙烯樹脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物樹脂(ABS樹脂)、聚碳酸酯樹脂、尼龍6、尼龍66等之聚醯胺樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂(PBT樹脂)、聚縮醛樹脂(POM樹脂)、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚苯乙烯樹脂等之塑膠材料，苯乙烯-丁二烯橡膠(SBR)、乙烯丙烯橡膠(EPR)、聚矽氧等之橡膠材料。 　　又，亦舉例玻璃纖維與前述塑膠材料之複合材料的纖維強化樹脂(FRP)為較佳之被接著體之材質。 　　[0079] 再者，高頻介電加熱接著片使用作為地板用標記片或路面用標記片時，被接著體可為由瀝青、水泥、石材、磁磚材等之地板材或路面材料，或由構成其他地板材、階梯部分、外壁部分等之材料構成。 　　[0080] (2) 介電加熱處理 　　接著，步驟(2)係使用圖5或圖6中例示之高頻介電加熱接著裝置(以下有時僅稱介電加熱接著裝置) 50、50’，對於高頻介電加熱接著片，以任意的條件(例如以高頻輸出0.1~20kW及施加時間1秒以上、未達120秒等)進行介電加熱處理之步驟。 　　以下，針對步驟(2)中使用之介電加熱接著裝置或其介電加熱處理條件加以說明。 　　[0081] (2)-1 介電加熱接著裝置 　　介電加熱接著裝置50係如圖5所示，挾持於片狀基材12及被接著體30(地板面或舖設面)之間，經由高頻介電接著劑層10進行介電加熱處理，並且同時藉由以電極單元之端部58a進行加壓處理，而對被接著體30接著高頻介電加熱接著片20所用之裝置。 　　而且，該介電加熱接著裝置50具備分別對對向配置之第1高頻施加電極56a及第2高頻施加電極56b施加例如頻率28MHz或40MHz左右之高頻的高頻產生裝置59及電源60。 　　[0082] 又，若於第1高頻施加電極56a及第2高頻施加電極56b間施加高頻電場，則於高頻介電接著劑層10中均一分散之介電填充劑10a吸收高頻能量。 　　且再者，該介電填充劑10a可作為發熱源發揮功能，藉由其發熱，使構成高頻介電接著劑層10的一部分之熱塑性樹脂10b熔融，最終可對被接著體30接著。 　　因此，如圖5所示，加上兼作為壓置裝置之以電極單元之端部58a之加壓，藉由高頻介電接著劑層10之加熱熔融，亦可對於如具有表面凹凸之被接著體30強固地接著。 　　[0083] 又再者，作為另一介電加熱接著裝置50’，亦較好使用如圖6所例示，具有複數第1高頻施加電極56a及相對極的複數第2高頻施加電極56b交互排列而成之電極(格柵電極) 56之單面介電加熱接著裝置。 　　亦即，電極單元58之形狀成為扁平，不予配線58’電性連接，相反側之格柵電極56之端部配置於電極單元58之底面側的構成。 　　[0084] 而且，該電極單元58由於具有此等構成，故自格柵電極56施加之高頻可以更廣面描繪迴路，成為對於高頻介電加熱接著片20以廣面積貫通電力線之狀態。 　　因此，對於比較大面積之被接著體，由於電極單元58之端部58a接觸之面積變大，故可效率良好地進行接著作業。 　　[0085] 又，如圖6所示，於電極單元58之底面的端部58a相反側之特定面，藉由設置握把62或特定突起物(未圖示)，而賦予如熨斗之操作性。藉此，可更提高單面介電加熱接著裝置50’之手動的處理性。 　　又，由於電極單元58之底面的端部58a暴露於高溫，故使用低介電率且耐熱性之構成材料例如四氟化乙烯樹脂的鐵氟龍(註冊商標)或聚矽氧樹脂等所成之板狀材。 　　[0086] (2)-2 介電加熱處理條件 　　介電加熱處理條件可適當變更，但通常作為高頻輸出，較好為0.1~20kW範圍內之值，更好為0.2~10kW範圍內之值，又更好為0.2~5kW範圍內之值。 　　又，關於高頻之施加時間亦較好為1秒~未達120秒之範圍內之值，更好為5~100秒之範圍內之值，又更好為10~80秒之範圍內之值。 　　再者，高頻頻率較好為1~100MHz之範圍內之值，更好為5~80 MHz之範圍內之值，又更好為10~50MHz之範圍內之值。具體而言，由國際電性通信聯合所分配之工業用頻帶13.56MHz、27.12MHz、40.68MHz亦可利用於本發明之介電加熱接著方法。
[實施例] [實施例1] 1.高頻介電加熱接著片之製作 (1)介電加熱接著薄膜之製作
準備作為A成分之一的無規聚丙烯系樹脂(PRIME POLYMER股份有限公司製，PRIME POLYPRO N-744NP，熔點：130℃，MFR：7g/10min，熔解熱量：60J/g，於表1中記載為A1)50質量份。
又，準備作為另一A成分之結晶性聚酯樹脂(東洋紡股份有限公司製，BYRON GM-915，熔點：139℃，熔解熱量：7J/g，重量平均分子量：45000，於表1中記載為A2)50質量份。
再者，準備作為B成分之氧化鋅(堺化學工業股份有限公司製，LIPZINC11，平均粒徑：11μm，比重：5.6，於表1中記載為B1)69質量份。
其次，將該等預備混合後，供給於30mm
Figure 107111787-A0305-02-0048-2
雙軸擠出機之料斗中，設定為汽缸設定溫度180~200℃，模塊溫度200℃，進行熔融混練。其後，藉由水冷冷卻，以造粒機獲得粒狀顆粒。
其次，將所得粒狀顆粒投入設置有T模嘴之單軸擠出機的料斗，以汽缸溫度為200℃，模塊溫度為200℃之條 件，自T模嘴擠出厚400μm之薄膜狀熔融混練物，將其冷卻至室溫，而獲得介電加熱接著薄膜。
(2)高頻介電加熱接著片之製作
對所得介電加熱接著薄膜預先形成厚30μm之丙烯酸系黏著劑層(第2丙烯酸系黏著劑層)，層合厚50μm之聚氯乙烯薄膜。
其次，對聚氯乙烯薄膜之露出面亦即設置第2丙烯酸系黏著劑層之相反面，使用噴墨印表機，形成厚1μm之裝飾層(第1層合體)。
其次，作成預先形成厚30μm之丙烯酸系黏著劑層(第1丙烯酸系黏著劑層)之厚200μm之另一聚氯乙烯薄膜且於其表面施以壓花處理之附黏著劑層之保護薄膜(第2層合體)。
其次，於第1層合體之裝飾層上，藉由經由第1丙烯酸系黏著劑層，層合第2層合體，獲得路面標記型之高頻介電加熱接著片。
又，做為參考，於圖7(a)~(b)中顯示用以說明所得介電加熱接著薄膜表面及剖面狀態之圖(照片，倍率：150倍)。
3.高頻介電加熱接著片之評價 (1)表面黏著性(評價1)
藉由傾斜式球觸黏法(J.Dow法)，測定高頻介電加熱接著片之介電加熱接著薄膜之露出面的表面黏著性。 　　亦即，該傾斜式球觸黏試驗法中，確認成為未達2之程度(將直徑為2/32吋之鋼球於配置成30度斜面之長10cm之高頻介電接著劑表面上，不停止而滑行之表面狀態)。 　　[0090] (2) 高頻接著性(評價2) 　　作為被接著體，準備灰泥試驗片(U-KOU商會製，ISO基準砂，尺寸10mm×70mm×150mm)。 　　其次，於該灰泥試驗片上，以使第2層合體露出於表面側之方式載置切斷為特定大小之高頻介電加熱接著片。 　　其次，使用高頻介電加熱接著裝置TECHNOIRON-400 (YAMAMOTO VINITA股份有限公司製)，以頻率40MHz、高頻輸出0.4kW之條件下，施加介電加熱處理時間改變之高頻，作成接著薄膜與被接著體接著而成之試驗片。 　　針對所得試驗片測定接著力，藉以下基準，評價高頻接著性。 　　◎：以未達80秒之介電加熱處理，對於被接著體接著試驗片。 　　○：以80秒以上~未達100秒之介電加熱處理，對於被接著體接著試驗片。 　　△：以100秒以上~未達150秒之介電加熱處理，對於被接著體接著試驗片。 　　×：即使實施150秒以上之介電加熱處理，亦無法對被接著體接著試驗片。 　　[0091] [實施例2] 　　僅使用實施例1所用之無規聚丙烯系樹脂(PRIME POLYPRO N-744NP，表1中記載為A1) 100質量份作為A成分，作為B成分同樣以實施例1所用之氧化鋅(LPZINC11，表1中記載為B1)以169質量份之比例摻合以外，與實施例1同樣作成路面標記型之高頻介電加熱接著片並進行評價。 　　[0092] [實施例3] 　　實施例3中，作成實施例1中之第1層合體時，使用於兩面具有接受層且厚75μm之含空洞之聚酯系合成紙(東洋紡股份有限公司製，CRISPER K2323)替代作為片狀基材之聚氯乙烯薄膜。 　　設置厚30μm之丙烯酸系黏著劑層(第1丙烯酸系黏著劑層)，接著，於合成紙之露出面，亦即設置第1丙烯酸系黏著劑層之相反面上，使用噴墨印表機，形成厚1μm之裝飾層而成之層合薄片作為印刷標籤型之高頻介電加熱接著片。 　　其次，針對所得高頻加熱接著片之高頻接著性(評價2)，替代作為被接著體之灰泥試驗片，而使用聚丙烯樹脂板(日本TESTPANEL股份有限公司製)以外，與實施例1同樣評價。
Figure 107111787-A0305-02-0052-1
[產業上之可利用性]
依據本發明之高頻介電加熱接著片及使用高頻介電加熱接著片之接著方法，藉由具有片狀基材與特定之高頻介電接著劑層，而可省略剝離片。
因此，即使為比較大面積，亦易於處理且可獲得良好施工性，再者，藉由比較短時間之高頻介電處理，對於包含具有相當表面凹凸之地板面或路面等之各種被接著體，亦可獲得良好接著力。
亦即，依據本發明之高頻介電加熱接著片，不論具有相當表面凹凸之地板面等之形態為何，藉由特定之高頻介電處理，均可正確且短時間對各種被接著體進行貼附。
10:高頻介電接著劑層
10a:介電填充劑(B成分)
10b:熱塑性樹脂(A成分)
12:片狀基材
13:接受層
14:裝飾層
15:層間接著劑層(第2接著劑層)
16:表面保護層
17:層間接著劑層(第1接著劑層)
20、20’、21、22、23:高頻介電加熱接著片
50、50’:高頻介電加熱接著裝置
56a:第1高頻施加電極
56b:第2高頻施加電極
56:一對電極(格柵電極)
58:電極單元
58a:電極單元之端部
58’:配線(電性纜線)
59:高頻產生裝置
60:電源
62:握把
圖1(a)~(e)各係用以說明本發明之高頻介電加熱接著片之構成例的圖。
圖2係用以說明B成分之平均粒徑對於使用介電加熱接著薄膜的高頻接著性之影響的圖。
圖3係用以說明B成分之平均粒徑對於高頻介電接著劑層之介電特性(tanδ/ε’)之影響的圖。
圖4係用以說明B成分之種類(6種)及摻合量(3程度)對於高頻介電接著劑層之介電特性(tanδ/ε’)之影響的圖。
圖5係供於用以說明使用特定之單面高頻介電加熱裝置之介電加熱接著方法的圖。
圖6係供於用以說明使用具備格柵電極之單面高頻介電加熱裝置之介電加熱接著方法的圖。
圖7(a)~(b)係用以說明本發明之接著構造體之製造方法所用之介電加熱接著薄膜表面及剖面狀態之圖(照片，倍率：150倍)。
圖8係用以說明構成以往之路面標記片(黏著型)之構成的圖。
10‧‧‧高頻介電接著劑層
10a‧‧‧介電填充劑(B成分)
10b‧‧‧熱塑性樹脂(A成分)
12‧‧‧片狀基材
13‧‧‧接受層
14‧‧‧裝飾層
15‧‧‧層間接著劑層(第2接著劑層)
16‧‧‧表面保護層
17‧‧‧層間接著劑層(第1接著劑層)
20、20’、21、22、23‧‧‧高頻介電加熱接著片

Claims (7)

  1. 一種高頻介電加熱接著片，其係含有片狀基材與高頻介電接著劑層而成之高頻介電加熱接著片，其中設置裝飾層於前述片狀基材的上方；前述高頻介電接著劑層含有作為A成分之熱塑性樹脂及作為B成分之介電填充劑；前述B成分之依據JIS Z 8819-2(2001)測定之平均粒徑為1~30μm之範圍內之值；前述B成分為氧化鋅、碳化矽(SiC)、銳鈦礦型氧化鈦之單獨一種或兩種以上之組合；相對於前述A成分100質量份，前述B成分之摻合量為5~800質量份之範圍內之值；前述高頻介電接著劑層滿足下述(ii)之條件：(ii)依循JIS K 7121(1987)規定之方法測定之熔點或軟化點為80~200℃之範圍內之值。
  2. 如請求項1之高頻介電加熱接著片，其中前述高頻介電接著劑層滿足下述(i)之條件：(i)依據JIS K 7121(1987)測定之熔解熱量為1~80J/g之範圍內之值。
  3. 如請求項1或2之高頻介電加熱接著片，其中依序層合前述高頻介電接著劑層、前述片狀基材及前述裝飾層。
  4. 如請求項1或2之高頻介電加熱接著片，其中前述高頻介電接著劑層含有作為A成分之具有特定溶解度參數(δ1)之第1熱塑性樹脂及具有大於該第1熱塑性樹脂的溶解度參數(δ2)之第2熱塑性樹脂。
  5. 如請求項1或2之高頻介電加熱接著片，其中前述B成分為氧化鋅。
  6. 如請求項1或2之高頻介電加熱接著片，其中前述裝飾層係由選自由文字、數字、記號、花樣及圖樣所成群組之至少任一者所構成。
  7. 一種高頻介電加熱接著片之接著方法，其包含下述步驟(1)~(2)；並且前述高頻介電加熱接著片包含片狀基材、高頻介電接著劑層及設置於前述片狀基材的上方之裝飾層；前述高頻介電接著劑層含有作為A成分之熱塑性樹脂及作為B成分之介電填充劑；前述B成分之依據JIS Z 8819-2(2001)測定之平均粒徑為1~30μm之範圍內之值；前述B成分為氧化鋅、碳化矽(SiC)、銳鈦礦型氧化鈦之單獨一種或兩種以上之組合；相對於前述A成分100質量份，前述B成分之摻合量為 5~800質量份之範圍內之值；前述高頻介電接著劑層滿足下述(ii)之條件；(1)於前述片狀基材上，形成前述高頻介電接著劑層與前述裝飾層，作成前述高頻介電加熱接著片之步驟，(2)將前述高頻介電加熱接著片藉由高頻介電加熱處理而接著於被接著體上之接著步驟；(ii)依循JIS K 7121(1987)規定之方法測定之熔點或軟化點為80~200℃之範圍內之值。
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