TWI737689B - 顯示設備 - Google Patents
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Abstract
一種顯示設備,其包括:包括在第一區域和第二區域之間的彎曲區域,並且在彎曲軸附近彎曲之基板、在第一區域的基板的上表面上方的顯示單元、以及在與上表面相對之基板的下表面上並且包括對應於彎曲區域的開口之的保護膜,其中開口的內側表面相對於基板的下表面傾斜。
Description
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2016年3月11日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2016-0029691號之優先權及權益,其全部內容於此併入作為參考。
一個或複數個實施例係關於在製造過程中降低製造成本和缺陷率的顯示設備。
通常,顯示設備包括在基板上的顯示單元。在此顯示設備中,顯示設備的至少一部分可以被彎曲以改善自各種角度的可視度,並且減少非顯示區域的面積。
然而,在相關技術中,在彎曲的顯示設備的製造期間可能發生缺陷,或者生產彎曲的顯示設備的製造成本可能過高。
一個或複數個實施例包含降低在製造過程期間的缺陷率及製造成本的顯示設備。
其他態樣將部分闡述於下列說明中,而部分將從描述中顯而易見,或可由實施提出的實施例得知。。
根據一個或複數個實施例,一種顯示設備包括:包括在第一區域與第二區域之間的彎曲區域,並在彎曲軸附近彎曲之基板、在第一區域的基板的上表面上的顯示單元、以及在與上表面相對的基板的下表面上並且包括對應於彎曲區域的開口之保護膜,其中開口的內側表面相對於基板的下表面傾斜。
顯示設備還可以包括在基板和保護膜之間一體成形地橫跨第一區域、彎曲區域和第二區域的黏合層。
對應於開口的黏合層的部分可以具有小於在基板與保護膜之間的黏合層厚度的部份的厚度。
與開口相鄰的保護膜的一部分可在朝向開口的方向上具有逐漸減少的厚度。
逐漸減少的厚度可以非恆定的比率(inconsistent rate)減少。
逐漸減少的厚度可以在朝向開口的方向以遞減比率(decreasing rate)減少。
保護膜可以包括具有恆定厚度的第一部分、具有在朝向開口的方向上逐漸減少的厚度且與開口相鄰的第二部分、以及具有大於第一部分的厚度且在第一部分與第二部分之間的第三部分。
彎曲區域可位在開口。
開口可位在彎曲區域。
根據一個或複數個實施例,一種顯示設備包括:包括第一區域與第二區域之間的彎曲區域,且在彎曲軸附近彎曲之基板、在第一區域中的基坂
的上表面上的顯示單元、以及與上表面相對的基板的下表面上並且包括對應於彎曲區域的凹部之保護膜。
保護膜的凹部可以具有其中凹部的厚度朝向凹部的中心逐漸減少之第一部分。
第一部分中的凹部的厚度可以非恆定的比率朝向凹部的中心減少。
第一部分中的凹部的厚度可以遞減比率向凹部的中心減少。
保護膜的凹部可以具有其中凹部的厚度是恆定的第二部分。
第二部分可以對應於凹部的中心。
保護膜可以包括具有恆定厚度的第一部分、以及位於第一部分與凹部之間且具有大於第一部分的厚度之第三部分。
彎曲區域可以位在凹部中。
BA:彎曲區域
BAX:彎曲軸
DU:顯示單元
DA:顯示區域
UEW,OW:寬度
t1,t2:厚度
1A:第一區域
2A:第二區域
100:基板
110:緩衝層
120:閘極絕緣層
130:層間絕緣層
140:平坦化層
150:像素限定層
160:有機材料層
160a,180EP:不平坦表面
170:保護膜
170a,170b:內側表面
170c,172:第二部分
170d,171:第一部分
170CC:凹部
110a,120a,130a,170OP,171OP,172OP,173OP:開口
173:第三部分
180:黏合層
210:薄膜電晶體
211:半導體層
213:閘極電極
213a,213b:第二導電層
215a:源極電極
215b:汲極電極
215c:第一導電層
300:有機發光裝置
310:像素電極
320:中間層
330:相對電極
400:封裝層
410:第一無機封裝層
420:有機封裝層
430:第二無機封裝層
510:光學透明黏合劑
520:偏振板
600:彎曲保護層
這些及/或其他態樣從以下實施例描述搭配附圖將變得顯而易見,並且更容易理解,其中:第1圖是根據實施例之一部分的顯示設備繪示的示意圖;第2圖至第4圖是製造第1圖的顯示設備的製程的示意性截面圖;第5圖是第1圖的顯示設備的一部分的示意性截面圖;第6圖是根據實施例之顯示設備的一部分的的示意性截面圖;第7圖是根據實施例之顯示設備的一部分的示意性截面圖;第8圖是根據實施例之顯示設備的一部分的示意性截面圖;
第9圖是根據實施例之顯示設備的一部分的示意性截面圖;第10圖是根據實施例之顯示設備的一部分的示意性截面圖;第11圖是根據實施例之顯示設備的一部分的示意性截面圖;第12圖是根據實施例之顯示設備的一部分的示意性截面圖;第13圖是根據實施例之顯示設備的一部分的示意性截面圖;第14圖是根據實施例之顯示設備的一部分的示意性截面圖;以及,第15圖是根據實施例之顯示設備的一部分的示意性截面圖。
藉由參考實施例和附圖的以下詳細描述,可以更容易地理解本發明概念的特徵和實現其的方法。在下文中,將參考附圖更詳細地描述示例性實施例,其中在全文中相似的元件符號表示相似的元件。然而,本發明可以以各種不同的形式實施,並且其不應被解釋為僅限於本文所示的實施例。相反,這些實施例被提供為示例,使得本揭露將是徹底和完整的,並且將向所屬技術領域具有通常知識者完整地傳達本發明的態樣和特徵。因此,可以不描述不適應於所屬技術領域具有通常知識者用於完全理解本發明的態樣和特徵之製程、元件和技術。除非另有說明,在附圖及全文描述中相似的元件符號表示相似的元件,因此將不重複其描述。在附圖中,為了清楚起見,元件、層和區域的相對尺寸可能被誇大。
應當理解,儘管術語「第一」、「第二」、「第三」等可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分,這些元件、部件、區域、層及/或部
分不應受這些術語的限制。這些術語用於將一個元件、部件、區域,層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分。因此,在不脫離本發明的精神和範圍的情況下,下面描述的第一元件、部件、區域,層或部分可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分。
在本文中可以使用諸如「之下(beneath)」、「下方(below)」、「下部(lower)」、「下面(under)」、「上方(above)」「上部(upper)」等之類的空間相對術語來描述說明圖式中所繪示之一個元件或特徵與另一個元件或特徵的關係。應當理解,除了附圖中所示的方位之外,空間相對術語旨在包括使用中或在操作中的裝置的不同方位。例如,如將圖式中的裝置被翻轉,則被描述為在其他元件或特徵「下方(below)」或「之下(beneath)」或「下面(under)」的元件將被定向在其他元件或特徵「上方(above)」。因此,「下方(below)」和「下面(under)」的示例術語可以包括上下方向。該裝置可以以其他方向定向(例如,旋轉90度或在其他方位),並且在此使用的空間相關描述用語應據此作相應的解釋。
應當理解,當元件、層、區域或部件在另一元件、層、區域或部件「上(on)」,「連接到(connected to)」或「耦合到(coupled to)」另一元件、層、區域或部件時,其可以直接在其他元件、層、區域或部件上、直接地連接到(connected to)或耦合到(coupled to)另一元件、層、區域或部件,或者可存在一個或複數個中間元件、層、區域或部件。此外,亦將理解的是,當元件或層被稱為在兩個元件或層之間時,其可以是兩個元件或層之間唯一的元件或層,或者也可能存在一個或複數個中間元件或層。
在下面的例子中,x軸、y軸和z軸不限於直角坐標系的三個軸,並且可以從廣義上解釋。例如,x軸、y軸和z軸可以為彼此垂直,或者可以表示為彼此不垂直的不同方向。
本文使用的術語僅用於描述特定實施例的目的,而不是限制本發明。如本文所使用的,單數形式「一(a)」和「一(an)」也旨在包括複數形式,除非上下文另有明確指示。將進一步理解的是,術語「包括(comprises)」、「包含(comprising)」、「包含(includes)」和「包含(including)」在本說明書中使用時,係指明所述特徵(features)、整數(integers)、步驟(steps)、操作(operations)、元件(elements)及/或部件(components)的存在,但不排除存在或添加一個或複數個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、部件及/或其組合。如本文所描述,術語「及/或(and/or)」包括一個或複數個相關列出的項目的任何和所有組合。諸如「至少一個(at least one of)」置於一列表元件前時,係修改整個列表的元件而非修改列表中的單一元件。
如本文所使用的術語「實質上(substantially)」、「約(about)」和類似術語用作近似術語而不是程度術語,其旨在表示由所屬技術領域具有通常知識者所確認的測量值或計算值的固有偏差。此外,在描述本發明的實施例時,「可(may)」的使用是指「本發明的一個或複數個實施例(one or more embodiments of the present invention)」。如本文所使用的術語「使用(use)」、「使用(using)」和「已使用(used)」分別可以被認為是術語「利用(utilize)」、「利用(utilizing)」和「利用(utilized)」的同義詞。此外,術語「示例性(exemplary)」旨在表示示例或說明。
當可以不同地實施某個實施例時,可以不同於所述的順序執行特定的製程順序。例如,可以實質上同時執行兩個連續描述的製程或者以與所描述的順序相反的順序執行。
根據本文所描述的本發明的實施例之電子或電氣裝置及/或任何其他相關裝置或部件可以使用任何合適的硬體、韌體(例如,專用積體電路)、軟體、或軟體、韌體及硬體的組合來實現。例如,該裝置的的各種部件可以形成在一個積體電路(integrated circuit,IC)晶片上或獨立的積體電路(IC)晶片上。此外,這些裝置的各種部件可以在可撓性印刷電路膜(flexible printed circuit film)、帶狀載體封裝(tape carrier package,TCP),印刷電路板(printed circuit board,PCB)上或在一個基板上形成。此外,這些裝置的各種部件可以是在一個或複數個計算裝置中的一個或複數個處理器上運行、執行計算機程序指令並與其他系統部件件交互以執行本文所述的各種功能之製程或線程。計算機程序指令被儲存在可以使用標準存儲裝置(例如隨機存取存儲器(random access memory,RAM))在計算機裝置中執行的存儲器中。計算機程序指令也可以儲存在其他非暫時性計算機可讀媒介中,例如CD-ROM、快閃記憶體(flash drive)等。此外,所屬技術領域具有通常知識者應該認識到,各種計算機裝置的功能可以被組合或集成到單個計算機裝置中,或者特定計算機裝置的功能可以分佈在一個或多個其他計算機裝置上而不脫離本發明的示例性實施例的精神和範圍。
除非另有定義,本文所用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的通常知識者所通常理解的相同的含義。將進一步理解,諸如在常用字典中定義的術語應被解釋為具有與相關領域及/或本說明書的上下
文中的含義一致的含義,並且不應被解釋為理想化或過度正式的意義,除非其在此明確定義。
第1圖是根據實施例之顯示設備的一部分的示意圖。在根據本實施例的顯示設備中,用於顯示設備一部分之基板100為部分地彎曲,因此顯示設備也具有類似於基板100的部分彎曲形狀。
如第1圖所示,根據實施例的顯示設備的基板100包括沿第一方向(+y方向)延伸的彎曲區域BA。彎曲區域BA位於在與第一方向交叉的第二方向(+x方向)上的第一區域1A和第二區域2A之間。此外,基板100在第一方向(+y方向)延伸的彎曲軸BAX附近彎曲,如第1圖所示。在彎曲區域BA中,拉伸應力可施加到基板100的上表面(外表面),並且壓力可施加到基板100的下表面(內側表面)。基板100可以包括具有可撓性或可彎曲特性的各種材料,例如聚醚碸(polyethersulphone,PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate,PAR)、聚醚醯亞胺(polyetherimide,PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚苯硫(polyphenylene sulfide,PPS)、聚芳酯(polyarylate)、聚醯亞胺(polyimide,PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)和醋酸丙酸纖維素(cellulose acetate propionate,CAP)等的聚合物樹脂。包括顯示裝置和薄膜晶體管的顯示單元DU可以位於第一區域1A處。如果需要,顯示單元DU可以被擴展到彎曲區域BA或甚至延伸到第二區域2A。
第2圖至第4圖是製造第1圖的顯示設備的製程的示意性截面圖。首先,製備如第2圖所示的顯示面板。如第2圖所示,基板100的第一區域1A包括顯示區域DA。如第2圖所示,除了顯示區域DA之外,第一區域1A還可以包括在
顯示區域DA的外部的非顯示區域的一部分。第二區域2A也可以包括非顯示區域。包括顯示裝置,諸如有機發光裝置300,且亦包含薄膜電晶體210的顯示單元可以位於第一區域1A。基板100包括第一區域1A和第二區域2A之間的彎曲區域BA,且彎曲區域BA可以彎曲成如第1圖所示的形狀。
顯示面板包括在基板100的下表面,即與顯示單元的方向(+z方向)相反方向(-z方向)上的保護膜170。保護膜170可以透過黏合層180附接到基板100的下表面。將在下面更詳細地描述附接有保護膜170的顯示面板的詳細結構。
與有機發光裝置300電性連接的薄膜電晶體210可以設置在顯示面板的顯示區域DA中,因此也可以設置在有機發光裝置300等的顯示裝置中。有機發光裝置300與薄膜電晶體210的電性連接可以透過將像素電極310電性連接到薄膜電晶體210來實現。
如果需要,薄膜電晶體也可以設置在基板100上的顯示區域DA的外部的外圍區域。外圍區域上的薄膜電晶體可以是例如用於控制施加到顯示區域DA的電訊號的電路單元的一部分。
薄膜電晶體210可以包括含有非晶矽、多晶矽或有機半導體材料的半導體層211。薄膜電晶體210還可以包括閘極電極213、源極電極215a和汲極電極215b。為了確保半導體層211和閘極電極213之間的絕緣性,閘極絕緣層120可以設置在半導體層211和閘極電極213之間。閘極絕緣層120可以包括無機材料,例如氧化矽、氮化矽及/或氮氧化矽。
此外,層間絕緣層130可以設置在閘極電極213上,並且源極電極215a和汲極電極215b可以設置在層間絕緣層130上。層間絕緣層130可以包括無
機材料,例如氧化矽、氮化矽及/或氮氧化矽。可以透過化學氣相沉積(chemical vapor deposition,CVD)或原子層沉積(atomic layer deposition,ALD)形成包括無機材料(例如,閘極絕緣層120和層間絕緣層130)的絕緣層。相同的製程可以應用於下文所述的其他實施例及其修改。
緩衝層110可以設置在薄膜電晶體210和基板100之間。緩衝層110可以包括無機材料,例如氧化矽、氮化矽及/或氮氧化矽。緩衝層110可以改善基板100的上表面的平滑度,或者可以防止或減少雜質從基板100滲透到薄膜電晶體210的半導體層211中。
平坦化層140可以配置在薄膜電晶體210上。例如,如第2圖所示,當有機發光裝置300配置在薄膜電晶體210的上方時,平坦化層140可以平坦化覆蓋薄膜電晶體210的保護層的上部,且有機發光裝置300可以配置在平坦化層140上。平坦化層140可以包括例如有機材料,如丙烯酸(acryl),苯環丁烯(benzocyclobutene,BCB)、聚醯亞胺和六甲基二矽氧(hexamethyldisiloxane,HMDSO)。在第2圖中,平坦化層140具有單層結構,但平坦化層140可以進行各種修改。例如,平坦化層140可以具有多層結構。
此外,如第2圖所示,平坦化層140可以在顯示區域DA的外部具有開口,使得顯示區域DA中的平坦化層140的一部分和第二區域2A中的平坦化層140的另一部分可以物理地彼此分離。然後,可以防止外部雜質透過平坦化層140到達顯示區域DA。
在顯示區域DA中,有機發光裝置300可以設置在平坦化層140上。有機發光裝置300可以包括像素電極310、相對電極330和位於像素電極310和相對電極330之間並且包括發射層的中間層320。像素電極310可以透過形成在
平坦化層140中的開口接觸源極電極215a和汲極電極215b之一,並且可以電性連接到薄膜電晶體210,如第2圖所示。
像素限定層150可以設置在平坦化層140上。像素限定層150包括分別對應於子像素的開口,即,像素限定層150至少包括露出像素電極310的中心部分以限定像素的開口。此外,在第2圖所示的示例中,像素限定層150增加像素電極310的邊緣與位於像素電極310上的相對電極330之間的距離,以防止從像素電極310的邊緣產生電弧放電或電短路。像素限定層150可以包括有機材料,例如聚醯亞胺或六甲基二矽氧(HMDSO)。
有機發光裝置300的中間層320可以包括低分子量有機材料或聚合物有機材料。當中間層320包括低分子量有機材料時,中間層可以包括單層或多層結構的電洞注入層(hole injection layer,HIL)、電洞傳輸層(hole transport layer,HTL)、發射層(emission layer,EML)、電子傳輸層(electron transport layer,ETL)及/或電子注入層(electron injection layer,EIL)。可以透過真空沉積法沉積低分子量有機材料。
當中間層320包括聚合物材料時,中間層320可以包括電洞傳輸層(HTL)和發射層(EML)。此處,電洞傳輸層可以包括PEDOT,並且發射層可以包括聚對苯乙烯基(poly-phenylenevinylene(PPV)-based)或聚芴基(polyfluorene-based)的聚合物材料。上述中間層320可以透過網版列印法(screen printing method)、噴墨列印法(inkjet printing method)或雷射誘導熱成像(laser induced thermal imaging,LITI)法形成。
然而,中間層320不限於上述示例,並且可能具有各種結構。另外,中間層320可以包括在複數個像素電極310上一體成形的層,或者可以包括被圖樣化以對應於複數個像素電極310中的每一個像素電極310的層。
相對電極330配置在顯示區域DA的上方,如第2圖所示,其可以覆蓋顯示區域DA。也就是說,相對電極330可以相對於複數個有機發光裝置一體地形成,以便對應於或覆蓋複數個像素電極310。
由於有機發光裝置300可能容易被外部的溼氣或氧氣所損壞,封裝層400可以覆蓋有機發光裝置300,以保護有機發光裝置300。封裝層400覆蓋顯示區域DA,並且還可以在顯示區域DA外延伸。如第2圖所示,封裝層400可以包括第一無機封裝層410、有機封裝層420和第二無機封裝層430。
第一無機封裝層410覆蓋相對電極330,並且可以包括氧化矽、氮化矽及/或氮氧化矽。如果需要,可以在第一無機封裝層410和相對電極330之間配置諸如封蓋層的其他層。因為第一無機封裝層410形成為具有與其下結構相對應的形狀,所以第一無機封裝層410可能具有不均勻的上表面。
有機封裝層420覆蓋第一無機封裝層410,與第一無機封裝層410不同,有機封裝層420可以具有均勻或平面的上表面。更詳細地說,有機封裝層420可以在對應於顯示區域DA的部分處具有大致或實質均勻的上表面。有機封裝層420可以包括選自由聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚乙烯磺酸鹽(polyethylene sulfonate)、聚甲醛(polyoxymethylene)、聚芳酯和六甲基二矽氧所組成的群組中的至少一種材料。
第二無機封裝層430覆蓋有機封裝層420,並且可以包括氧化矽、氮化矽及/或氮氧化矽。第二無機封裝層430可以在顯示區域DA的外部的邊緣處接觸第一無機封裝層410,從而防止有機封裝層420暴露於外部。
如上所述,由於封裝層400包括第一無機封裝層410、有機封裝層420和第二無機封裝層430,即使在上述多層結構的封裝層400中存在裂縫,該裂縫可能被隔開、或可停止於第一無機封裝層410和有機封裝層420或有機封裝層420與第二無機封裝層430之間。因此,可以防止或減少外部濕氣或氧氣可能滲透到顯示區域DA的路徑的形成。
如果需要,可以進一步執行用於實現觸控螢幕功能的各種圖樣的觸控電極的製程、或者形成用於保護封裝層400上的觸控電極的觸控保護層的製程。
顯示面板包括在基板100的下表面上的保護膜170,即在與顯示單元所在的表面的方向(+z方向)相反的方向(-z方向)的表面上。保護膜170可以包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)。如上所述,保護膜170可以透過黏合層180黏附到基板100的下表面。黏合層180可以包括例如壓敏黏合劑(pressure sensitive adhesive,PSA)。在保護膜170附接到基板100的下表面的製程期間的時間點可以根據情況而變化。
例如,當在一個母基板上形成複數個顯示單元時,固體的載體基板可以位於母基板之下,以便在製程中容易地處理具有可撓性或可彎曲特性的母基板。在母基板上形成複數個顯示單元和用於封裝顯示單元的封裝層400之後,可以將載體基板與母基板分離。另外,在封裝層400上形成觸控電極及/或用於保護觸控電極的觸控保護層之後,載體基板可以與母基板分離。在任一種情
況下,在將載體基板從母基板分離之後,保護膜170附接到與載體基板接觸的母基板的表面。在該狀態下,切割母基板和保護膜170,以得到複數個顯示面板。基板100可以理解為從母基板切割的基板。
在透過切割母基板和保護膜170獲得複數個面板之後,偏振板520通過光學透明黏合劑(optically clear adhesive,OCA)510附著到封裝層400,如果需要的話,印刷電路板或電子晶片可以附接到第二區域2A。如果在封裝層400上存在觸控電極或觸控保護層,則光學透明黏合劑(OCA)510和偏振板520可以位於上述元件上方。此外,彎曲保護層(bending protection layer,BPL)600可以設置在顯示區域DA的外部或顯示區域DA外側的部分。
代替從母基板同時獲得複數個顯示面板,可以在一個基板100上形成單個顯示單元。在這種情況下,固體的載體基板可以位於基板100的下方,以便於在製程期間處理具有可撓性或可彎曲特性的基板100。在基板100形成顯示單元和用於封裝顯示單元的封裝層400之後,載體基板可以與基板100分離。此外,如果需要,在封裝層400上形成觸控電極及/或用於保護觸控電極的觸控保護層之後,載體基板可以與基板100分離。在任一情況下,在將載體基板從基板100分離之後,保護膜170可以附著到朝向載體基板之基板100的表面。之後,偏振板520可以經由光學透明黏合劑(OCA)510附著到封裝層400或者觸控保護層,如果需要,則可以將印刷電路板或電子晶片附接到第二區域2A。此外,彎曲保護層(BPL)600可以形成在顯示區域DA的外部部分上。
偏振板520可以減少外部光的反射。例如,當通過偏振板520的外部光被相對電極330的上表面反射,然後再次通過偏振板520時,外部光通過偏振板520兩次,且可改變外部光線的相位。因此,反射光的相位與進入偏振板520
的外部光的相位不同,從而發生破壞性干涉(destructive interference)。因此,可以減少外部光的反射,並且可以改善顯示影像的可視度。如第2圖所示,光學透明黏合劑(OCA)510和偏振板520可以覆蓋平坦化層140中的開口。
根據實施例的顯示設備的製造方法不需要包括形成偏振板520,並且如果需要,可以省略偏振板520或用另一個部件替換偏振板520。例如,為了減少外部光的反射,可以形成黑色矩陣和濾色器,以替代接附偏振板520。
彎曲保護層(BPL)600可以在至少對應於彎曲區域BA處位在第一導電層215c上。當堆疊結構彎曲時,堆疊結構中存在應力中性平面(stress neutral plane)。如果沒有彎曲保護層600,則當基板100彎曲時,因為第一導電層215c的位置可能不對應於應力中性平面,所以過大地拉伸應力可能被施加到彎曲區域BA中的第一導電層215c。然而,藉由形成彎曲保護層(BPL)600並調整彎曲保護層(BPL)600的厚度和楊氏模量(Young’s modulus),可調整在包括基板100、第一導電層215c和彎曲保護層(BPL)600的結構中的應力中性平面的位置。因此,應力中性平面可以透過彎曲保護層(BPL)600調整成在第一導電層215c的周圍,因此可降低施加到第一導電層215c的拉伸應力。
與第2圖的示例不同,彎曲保護層(BPL)600可以延伸到顯示設備中的基板100的一端。例如,在第二區域2A中,第一導電層215c、第二導電層213b及/或其他電性連接到第一導電層215c和第二導電層213b的導電層可至少部分地不被層間絕緣層130或平坦化層140覆蓋,但可替代地電性連接至各種電子裝置或印刷電路板。因此,第一導電層215c、第二導電層213b及/或其他電性連接到第一導電層215c和第二導電層213b的導電層可具有電性連接到各種電子裝置或印刷電路板的部分。此處,電性連接部分可被保護以防止外部雜質如:濕氣,
因此,彎曲保護層(BPL)600可以覆蓋電性連接部分,亦即執行作為保護層。為此,彎曲保護層(BPL)600可擴展到例如顯示設備的基板100的端部。
另外,在第2圖中,在朝向顯示區域DA方向(-x方向)的彎曲保護層(BPL)600的上表面與偏振板520的上表面(+z方向)一致,但是一個或複數個實施例不限於此。例如,在朝向顯示區域DA方向(-x方向)的彎曲保護層(BPL)600的端部可以部分地覆蓋在偏振板520邊緣處的偏振板520上表面。此外,在朝向顯示區域DA方向(-x方向)的彎曲保護層(BPL)600的端部可不與偏振板520及/或光學透明黏合劑(OCA)510接觸。
參照第3圖和第4圖,在將保護膜170附著到基板100的下表面之後,將雷射光束照射到對應於彎曲區域BA的保護膜170的至少一部分,使得保護膜170可以具有對應於彎曲區域BA的開口170OP,如第4圖所示。在第4圖中,雷射光束被照射到保護膜170的部分,其中保護膜170的一部分對應於下文所述的有機材料層160的不平坦表面160a。此處,定義開口170OP的內側表面170a和170b相對於基板100的下表面傾斜。開口170OP可以沿第一方向(+y方向)延伸,使得對應於第一區域1A的保護膜170的一部分與對應於第二區域2A的保護膜170的一部分分離。如第4圖所示,在保護膜170中形成開口170OP之後,基板100可以在彎曲區域BA中彎曲,使得顯示面板可以具有如第1圖所示的形狀。
第5圖是第1圖的顯示設備的一部分的示意性截面圖,並且示出了基板100、保護膜170和黏合層180。如第5圖所示,基板100可以在彎曲區域BA彎曲。保護膜170保護基板100的下表面,因而可以具有其本身的剛性(stiffness)或剛度(rigidity)。因此,當基板100在保護膜170具有低可撓性的狀態下彎曲時,保護膜170可能與基板100另外地分離。然而,根據本實施例的顯示設備,
保護膜170包括對應於彎曲區域BA的開口170OP。因此,可以有效地防止保護膜170和基板100之間的分離。
具體地,在根據實施例的顯示設備中,保護膜170中的開口170OP的內側表面170a和170b相對於基板100的下表面傾斜。因此,保護膜170的厚度可能朝向開口170OP減少。因此,即使壓力隨著基板100在彎曲區域BA彎曲而產生在保護膜170的開口170OP的附近的部分時,自該部分產生的應力量可能因為朝向開口170OP的保護膜170的厚度逐漸減少而降低。因此,可以有效地防止保護膜170與基板100分離。
為了降低施加到保護膜170的應力,彎曲區域BA可以位於保護膜170的開口170OP內,並且可以理解的是,保護膜170中的開口170OP的面積大於彎曲區域BA,如第5圖所示。然而,一個或複數個實施例不限於此。也就是說,如第6圖所示,其為根據實施例的顯示設備的一部分之示意性截面圖,保護膜170的開口170OP可以位於彎曲區域BA內,其表示彎曲區域BA的面積可以大於保護膜170中的開口170OP。即使在第6圖所示的實施例中,開口170OP周圍的保護膜170的厚度是朝向開口170OP減少,相對於上述第5圖所示的實施例,並且可降低從開口170OP產生的應力。因此,可以有效地防止保護膜170與基板100分離。
此外,第2圖至第4圖所示的包含無機材料的緩衝層110、閘極絕緣層120和層間絕緣層130可以被稱為第一無機絕緣層。第一無機絕緣層可以包括對應於彎曲區域BA的第一開口,如第2圖至第4圖所示。也就是說,緩衝層110、閘極絕緣層120和層間絕緣層130可以分別包括對應於彎曲區域BA的開口110a、120a和130a。第一開口對應於彎曲區域BA可以表示第一開口與彎曲區域BA重疊。此處,第一開口的面積可以大於彎曲區域BA的面積。為此,在第2圖至第4
圖中,第一開口的寬度OW大於彎曲區域BA的寬度。此處,第一開口的面積可以被定義為緩衝層110、閘極絕緣層120、以及層間絕緣層130的分別的開口110a、120a以及130a中之一的面積,其具有最小面積或寬度。此外,在第2圖至第4圖中,第一開口的面積被描述為由緩衝層110中的開口110a的面積所限定。
在第2圖至第4圖中,緩衝層110中的開口110a的內側表面和閘極絕緣層120中的開口120a的內側表面被描述為彼此對應,但是一個或複數個實施例不限於此。例如,閘極絕緣層120的開口120a的面積可以大於緩衝層110中的開口110a的面積。在這種情況下,第一開口的面積也可以定義成緩衝層110、閘極絕緣層120和層間絕緣層130分別的開口110a、120a和130a中最小的一個的面積。
如上所述,當形成顯示單元時,形成填充第一無機絕緣層的第一開口的至少一部分的有機材料層160。在第2圖至第4圖中,有機材料層160完全填滿第一開口。此外,顯示單元包括通過彎曲區域BA從第一區域1A朝向第二區域2A延伸的第一導電層215c,並且第一導電層215c在有機材料層160的上方。如果不存在有機材料層160,則第一導電層215c可以位在無機絕緣層中的一個上,例如層間絕緣層130。第一導電層215c可以在與源極電極215a或汲極電極215b相同的製程期間(例如,同時)使用與源極電極215a或汲極電極215b相同的材料形成。
如上所述,如第4圖所示,在保護膜170中形成開口170OP後,如第5圖所示,顯示面板在彎曲區域BA彎曲。此處,基板100在彎曲區域BA彎曲的同時,雖然拉伸應力可能施加到第一導電層215c,但是根據本實施例顯示設備可防止或減少在彎曲過程期間發生在第一導電層215c的缺陷。
如果包括緩衝層110、閘極絕緣層120及/或層間絕緣層130的第一無機絕緣層不包括對應於彎曲區域BA的開口,而替代地從第一區域1A連續延伸到第二區域2A,並且第一導電層215c位在其上,則在基板100的彎曲的過程中,相對較大的拉伸應力被施加到第一導電層215c。特別是,由於第一無機絕緣層具有比有機材料層160具有更大的剛度/剛性,所以在彎曲區域BA中的第一無機絕緣層中更可能形成裂紋,且當第一無機絕緣層發生裂紋時,在第一無機絕緣層上的第一導電層215c中也可能發生裂紋,因此大幅增加缺陷發生的可能性,例如第一導電層215c的斷開。
然而,根據本實施例的顯示設備,第一無機絕緣層包括對應於彎曲區域BA的第一開口,並且對應於彎曲區域BA的第一導電層215c的部分位在有機材料層160上,其至少部分地填充第一無機絕緣層的第一開口。由於第一無機絕緣層包括對應於彎曲區域BA的第一開口,所以在第一無機絕緣層中發生裂紋的可能性降低,並且由於有機材料的特性,有機材料層160較不會具有裂紋。因此,可以防止或減少裂紋發生在有機材料層160上的第一導電層215c的部分中,其中第一導電層215c的部分對應於彎曲區域BA。由於有機材料層160具有低於無機材料層的硬度,有機材料層160可以吸收由基板100彎曲而產生的拉伸應力,以降低拉伸應力集中於第一導電層215C。
此外,當形成顯示單元時,除了第一導電層215c之外,可以形成第二導電層213a和213b。第二導電層213a和213b可以不同於第一導電層215c的層級而形成於第一區域1A及/或第二區域2A(或分別形成於第一區域1A和第二區域2A),且可與第一導電層215c電性連接。在第2圖至第4圖中,第二導電層213a和213b可包括與薄膜電晶體210的閘極電極213相同的材料,並且形成於與閘極
電極213同一層(亦即,形成於閘極絕緣層120上)。此外,第一導電層215c分別經由形成在層間絕緣層130中的接觸孔接觸第二導電層213a和213b。此外,第二導電層213a位於第一區域1A中,且第二導電層213b位於第二區域2A中。
第一區域1A中的第二導電層213a可以電性連接到顯示區域DA內的薄膜電晶體210,因而第一導電層215c可以透過第二導電層213a電性連接到顯示區域DA的薄膜電晶體210。第二區域2A中的第二導電層213b也可以透過第一導電層215c電性連接到顯示區域DA中的薄膜電晶體210。因此,在顯示區域DA外部的第二導電層213a和213b可以電性連接到顯示區域DA中的元件,或者可以朝著顯示區域DA延伸,使得至少一些部分的第二導電層213a和213b可以位於顯示區域DA中。
如上所述,如第4圖所示,在保護膜170中形成開口170OP後,如第5圖所示,顯示面板在彎曲區域BA中彎曲。此處,由於基板100在彎曲區域BA中彎曲,所以拉伸應力可能施加到彎曲區域BA中的元件。
因此,穿過彎曲區域BA的第一導電層215c包括具有高可撓性的材料,從而可以防止第一導電層215c中的缺陷,例如裂紋或第一導電層215c中的斷開。此外,包括具有比第一導電層215c低的延伸率的材料,並且包括電性/物性與第一導電層215c不同的材料之第二導電層213a和213b形成於第一區域1A及/或第二區域2A,因此可以改善傳送電訊號的效率,或者可以減少顯示設備的製程期間的缺陷率。例如,第二導電層213a和213b可以包括鉬(molybdenum),並且第一導電層215c可以包括鋁。如果需要,第一導電層215c和第二導電層213a和213b可以具有多層結構。
與第2圖至第4圖的示例不同,第二區域2A中的第二導電層213b的上部的至少一部分可以替代地不被平坦化層140覆蓋,並且可以替代地被暴露於外部以電性連接到各種電子裝置或印刷電路板。
此外,如第2圖至第4圖所示,有機材料層160可以在其上表面(在+z方向)至少部分地有不平坦表面160a。由於有機材料層160包括不平坦表面160a,位於有機材料層160上的第一導電層215c可以包括具有與有機材料層160的不平坦表面160a對應的形狀的上表面及/或下表面。
如上所述,由於在製程期間,基板100在彎曲區域BA彎曲,所以拉伸應力被施加到第一導電層215c。因此,當第一導電層215c的上表面及/或下表面具有與有機材料層160的不平坦表面160a相對應的形狀時,可降低施加到第一導電層215c的拉伸應力的量。也就是說,彎曲過程中可能發生的拉伸應力可以透過具有低剛度/剛性的有機材料層160的變形而降低。此時,至少在彎曲過程之前,具有不平坦形狀的第一導電層215c的形狀對應由於彎曲而改變有機材料層160的形狀而變形,因此可有效地防止缺陷的產生,諸如第一導電層215c的斷開。
此外,不平坦表面160a至少部分地形成在有機材料層160的上表面(在+z方向),因此可增加有機材料層160的上表面的表面積以及第一開口內的第一導電層215c的表面上及下表面的各自表面積。此外,有機材料層160的上表面以及第一導電層215c的上表面和下表面的相對大的表面積可以實現大的變形餘量(deformation margin),以降低由基板100的彎曲引起的拉伸應力。
因為第一導電層215c位在有機材料層160上,所以第一導電層215c的下表面具有與有機材料層160的不平坦表面160a對應的形狀。然而,第一導電
層215c的上表面可以具有不對應於有機材料層160的不平坦表面160a的形狀的不平坦表面。
有機材料層160的不平坦表面160a(在+z方向)可以以各種方式形成。例如,可以使用光阻材料來形成有機材料層160,並且曝光量可以根據在製造過程中呈平坦狀態的有機材料層160的上表面的位置而變化,並藉由使用狹縫光罩或半色調光罩,使得特定部分可以相對於其他部分被蝕刻(移除)更多。此處,蝕刻較多的部分可以理解成有機材料層160的上表面中的凹部。然而,根據一個或複數個實施例的顯示設備中的有機材料層160的形成製程不限於上述示例。例如,在形成具有平坦的上表面的有機材料層160之後,可以藉由使用乾性蝕刻方法移除特定部分。
為了使有機材料層160具有不平坦表面160a(在+z方向),有機材料層160可以在其上表面(+z方向)包括沿第一方向(+y方向)延伸的複數個槽。此處,有機材料層160上的第一導電層215c的上表面的形狀對應於有機材料層160的上表面的形狀。
有機材料層160可以僅在第一無機絕緣層的第一開口內具有不平坦表面160a。在第2圖至第4圖中,有機材料層160的不平坦表面160a的寬度UEW小於第一無機絕緣層的第一開口的寬度OW。如果有機材料層160在第一無機絕緣層中的第一開口的內部和外部皆具有不平坦表面160a,則有機材料層160在緩衝層110中的開口110a的內表面、閘極絕緣層120中的開口120a的內表面或層間絕緣層130中的開口130a的內表面附近具有不平坦表面160a。因為有機材料層160在凹部上的厚度比在突出部分上的厚度相對較小,所以當凹部位於緩衝層110的開口110a的內表面、閘極絕緣層120的開口120a的內表面或者層間絕緣層130的開
口130a的內表面的周圍時,有機材料層160可能斷開。因此,有機材料層160可以僅在第一無機絕緣層的第一開口內具有不平坦表面160a,進而可防止有機材料層160在緩衝層110的開口110a的內表面、閘極絕緣層120的開口120a的內表面或層間絕緣層130的開口130a的內表面的周圍斷開。
如上所述,為了減少在彎曲區域BA處的第一導電層215c中產生斷開的可能性,有機材料層160可以在彎曲區域BA中具有不平坦表面160a。因此,有機材料層160的不平坦表面160a的面積可以大於彎曲區域BA的面積,並且可以小於第一開口的面積。也就是說,如第2圖至第4圖所示,有機材料層160的不平坦表面160a的寬度UEW大於彎曲區域BA的寬度,且小於第一開口的寬度OW。
如果緩衝層110、閘極絕緣層120和層間絕緣層130中的至少一個包括有機絕緣材料,則有機材料層160可以在與包括有機絕緣材料的該層相同的製程(例如,同時)期間形成,此外,包括有機絕緣材料的層和有機材料層160可以彼此一體地形成。有機絕緣材料的示例可以包括聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚乙烯磺酸鹽、聚甲醛、聚芳酯及/或六甲基二矽氧。
參考第2圖至第4圖的上述結構可以應用於下文所述的一個或複數個實施例中,並且可以應用於其修改。
第7圖是根據實施例的顯示設備的一部分的示意性截面圖。為了便於說明,第7圖的顯示設備不彎曲。在截面圖或平面圖示出下文所述的一個或複數個實施例中,為了方便描述,顯示設備不處於彎曲狀態(例如,尚未彎曲狀態)。在上述參考第4圖的顯示設備的情況,保護膜170的開口170OP的寬度等於有機材料層160中的不平坦表面160a的寬度UEW,但是實施例不限於此。例
如,如第7圖所示,保護膜170的開口170OP的寬度可以小於有機材料層160的不平坦表面160a的寬度UEW。
如第3圖和第4圖所示,當開口170P藉由雷射光照射到保護膜170對應於彎曲區域BA的部分而形成在保護膜170中,黏合層180仍可位於對應於開口170OP的區域中,如第4圖至第7圖所示。因此,顯示設備包括插入於基板100和保護膜之間的黏合層180,且黏合層180可被整體地形成橫跨第一區域1A、彎曲區域BA,以及第二區域2A。
當開口170OP透過將雷射光束照射於保護膜170而形成,基板100可不被損壞。因而,藉由在保護膜170中形成開口170OP,並且確保黏合層180保留在開口170OP中,而不自保護膜170和基板180間移除黏合層180,可避免基板100的損壞。也就是說,黏合層180可以在製造過程期間可保護對應於開口170OP的部分的基板100。此外,如果黏合層180包括壓敏黏合劑,則即使基板100在彎曲區域BA彎曲,也可以由於壓敏黏合劑的特性而可降低在彎曲區域BA內的黏合層180中產生的應力。
此處,黏合層180可以在整個第一區域1A、彎曲區域BA和第二區域2A中具有恆定或一致的厚度。此外,如第8圖所示,其是根據實施例的顯示設備的的一部分的示意性截面圖,當開口170OP形成在保護膜170中,對應於開口170OP的黏合層180可以部分地移除(例如:變薄)。因此,與開口170OP相對應的部分的黏合層180的厚度t1可以小於在基板100和保護膜170之間的部分/區域處的黏合層180的厚度t2。然而,在這種情況下,黏合層180或其至少一部分仍保留在保護膜170的開口170OP中,因此在形成開口170OP期間可以防止對基板100的損壞,並且黏合層180可以在製造過程中保護對應於開口170OP的基板100。
此外,如第9圖所示,其是根據實施例的顯示設備的一部分的示意性截面圖,黏合層180可以具有對應於開口170OP的不平坦表面180EP(在-z方向上)。此處,不平坦表面180EP是不規則的,即不平坦表面180EP的寬度、高度和峰及/或谷的間隔不是恆定的。如上所述,由於黏合層180在對應於開口170OP的部分中包括不平坦表面180EP,所以當基板100彎曲時產生在黏合層180中的應力可以被分散,而不是集中於一點。
如第7圖至第9圖所示,保護膜170具有圍繞開口170OP的厚度,其中朝向開口170OP的厚度是以恆定率逐漸地減少。然而,一或複數個實施例不限於此。在第10圖中,其是根據實施例的顯示設備的一部分的示意性截面圖,在相鄰於保護膜170的開口170OP之保護膜170中的部分170d中,保護膜170的厚度可不以恆定率減少。特別地,在部分170d中,厚度的減少比率可朝向開口170OP而降低。在這種情況下,如第10圖所示,保護膜170中的開口170OP的內側表面170a和170b與開口170OP內的黏合層180的表面可以形成完全凹形。即使在第10圖所示的結構中,對應於開口170OP的黏合層180的表面可能不平坦,而可具有不平坦表面。或者,黏合層180可以在整個第一區域1A、彎曲區域BA及第二區域2A中具有恆定厚度。
此外,如第3圖所示,當透過將雷射光束照射到保護膜170而形成開口170OP時,可能從移除保護膜170的部分產生顆粒,並且顆粒可能附著到圍繞開口170OP的保護膜170上。在這種情況下,如圖11所示,其是根據實施例的顯示設備的一部分的示意性截面圖,保護膜170具有恆定厚度的第一部分171、鄰近開口170OP並具有朝向開口170OP減少的厚度的第二部分172以及位於第一部分171和第二部分172之間且比第一部分171更厚的第三部分173。如上所述,
由於相對較厚的第三部分173位於保護膜170的開口170OP周圍,所以可以降低或防止開口170OP周圍的保護膜170的性能的劣化。在這種情況下,如第9圖所示,黏合層180也可以在對應於開口170OP的部分中具有不平坦表面(例如,180EP)。
如果需要,可以另外向第三部分173額外地照射雷射光束以去除顆粒,使得第一部分173和第二部分172之間不存在第三部分173。也就是說,除了第二部分172之外,保護膜170可以具有恆定厚度。在這種情況下,由於顆粒之間的接合強度和顆粒與保護膜170的表面之間的接合強度低於保護膜170中的元件之間的接合強度,因而可僅移除顆粒,而不損壞保護膜170的表面。
上述已描述保護膜170包括對應於彎曲區域BA的一個開口170OP的情況,但是一個或複數個實施例不限於此。例如,如第12圖所示,其是根據實施例的顯示設備的一部分的示意性截面圖,保護膜170可以包括分別對應於彎曲區域BA的複數個開口171OP、172OP和173OP。複數個開口171OP、172OP和173OP中的每一個可以在第一方向(+y方向)上延伸,並且可以藉由僅將雷射光束照射到其對應的部分來實現。
在根據本實施例的顯示設備中,由於保護膜170包括與彎曲區域BA對應的複數個開口171OP、172OP和173OP,所以可有效地防止基板100彎曲時的保護膜170與基板100間的分離。在這種情況下,在第二方向(+x方向)的最後一個開口的開口173OP的第二方向(+x方向)的內側表面170b以及朝向顯示區域DA的方向的最後一個開口的開口171OP的內側表面170a(內側表面170a位在朝向與顯示區域DA的方向(-x方向),其與第二方向(+x方向)相反)可以相對於基板100的下表面傾斜。
在第12圖中,對應於複數個開口171OP、172OP和173OP的黏合層180的厚度t1小於基板100和保護膜170之間的黏合層180的厚度t2。然而,一個或多個實施例不限於此,並且黏合層180的厚度可以在整個第一區域1A、彎曲區域BA和第二區域2A中恆定的。
保護膜170已描述成具有上述開口170OP,但是一個或複數個實施例不限於此。例如,如第13圖所示,其是根據實施例的顯示設備的一部分的示意性截面圖,保護膜170可以包括對應於彎曲區域BA的凹部170CC。凹部170CC可以透過不完全去除對應於彎曲區域BA的保護膜170的部分來實現。凹部170CC可以具有第一部分170d,其中凹部的厚度朝向凹部170CC的中心逐漸減少。例如,第一部分170d中的凹部170CC的厚度可以朝向彎曲軸逐漸減少。或者,凹部170CC可以具有第二部分170c,其中凹部的厚度是恆定的。在後一種情況下,第二部分170c可以位於凹部170CC的中心周圍。
由於保護膜170保護基板100的下表面,保護膜170可以具有其自身的剛性(例如,可為相對剛度)。因此,如果保護膜170具有低可撓性,則當基板100彎曲時,保護膜170可能與基板100分離。然而,根據本實施例的顯示設備,由於保護膜170包括對應於彎曲區域BA的凹部170CC,因此可以有效地防止保護膜170與基板100之間的分離。
此處,彎曲區域BA可以對應於第13圖所示的凹部170CC。特別地,當凹部170CC具有圍繞凹部170CC的中心的恆定厚度的第二部分170c時,彎曲區域BA可以位於第二部分170c中(例如,彎曲區域BA的寬度小於第二部分170c的寬度)。此外,如第14圖所示,其是根據實施例的顯示設備的一部分的
示意性截面圖,如果需要(例如,第二部分170c的寬度小於彎曲區域BA的寬度),則第二部分170c可以位於彎曲區域BA中。
在相鄰凹部170CC的第二部分170c的第一部分170d中,朝向凹部170CC的中心的厚度減少比率可不為恆定。詳細而言,在第一部分170d中,厚度的減少比率可朝凹部170CC的中心減少。
此外,當雷射光束照射到保護膜170以形成凹部170CC時,顆粒可能從移除保護膜170的部分產生,並且顆粒可能附著到凹部170CC周圍的保護膜170上。在這種情況下,如第15圖所示,其是根據實施例的顯示設備的一部分的示意性截面圖,保護膜170包括具有恆定厚度的第一部分171和位於第一部分171與凹部170CC之間且具有大於第一部分171的厚度的第三部分173。如上所述,由於相對較厚的第三部分173位於保護膜170的凹部170CC周圍,因此可以防止保護膜170在凹部170CC周圍的性能的劣化。
如果需要,雷射光束可以額外地照射到第三部分173,以除去附著的顆粒,並且可以省略第三部分173。也就是說,保護膜170在凹部170CC以外的部分可以具有恆定的厚度。在這種情況下,由於附著顆粒之間的接合強度和附著顆粒與保護膜170之間的接合強度低於保護膜170中的元件之間的耦合強度,因此可以除去附著的顆粒而不損傷保護膜170的表面。
顯示設備已如上述,但是一個或複數個實施例不限於此。例如,製造上述顯示設備的方法也可以包括在一個或複數個實施例的範圍內。
根據一個或複數個實施例,可以實現能夠在製造過程期間降低製造成本和缺陷率的顯示設備。然而,一個或複數個實施例的範圍不限於此。
應當理解,本文描述的實施例應僅在描述性意義上被考慮,而不是為了限制的目的。在其他實施例中,每個實施例中的特徵或態樣的描述通常被認為可用於其他類似特徵或態樣。
雖然已經參考附圖描述了一個或複數個實施例,但是所述技術領域中具有通常知識者將理解的是,在不脫離由以下發明申請專利範圍及其功能等效物所限定的精神和範圍的情況下,可以對其形式和細節進行各種改變。
BA:彎曲區域
DA:顯示區域
UEW,OW:寬度
1A:第一區域
2A:第二區域
100:基板
110:緩衝層
120:閘極絕緣層
130:層間絕緣層
140:平坦化層
150:像素限定層
160:有機材料層
160a:不平坦表面
170:保護膜
180:黏合層
110a,120a,130a,170OP:開口
170a,170b:內側表面
210:薄膜電晶體
211:半導體層
213:閘極電極
213a,213b:第二導電層
215a:源極電極
215b:汲極電極
215c:第一導電層
300:有機發光裝置
310:像素電極
320:中間層
330:相對電極
400:封裝層
410:第一無機封裝層
420:有機封裝層
430:第二無機封裝層
510:光學透明黏合劑
520:偏振板
600:彎曲保護層
Claims (13)
- 一種顯示設備,其包括:一基板,其包括在一第一區域與一第二區域之間的一彎曲區域,且在一彎曲軸附近彎曲;一顯示單元,係在該第一區域的該基板的一上表面上;以及一保護膜,係在與該上表面相對之該基板的一下表面上,且包括對應於該彎曲區域的一開口,其中該開口的一內側表面相對於該基板的該下表面傾斜,其中與該開口相鄰的該保護膜的部分在朝向該開口的方向上具有以非恆定的比率逐漸減少的厚度。
- 如請求項1所述之顯示設備,其進一步包括在該基板和該保護膜之間一體成形地橫跨該第一區域、該彎曲區域及該第二區域之一黏合層。
- 如請求項2所述之顯示設備,其中對應於該開口之該黏合層的部分具有小於該基板與該保護膜之間的該黏合層之部分的厚度。
- 如請求項1所述之顯示設備,其中該逐漸減少的厚度在朝向該開口的方向上以遞減比率減少。
- 如請求項1所述之顯示設備,其中該保護膜包括:一第一部分,係具有一恆定厚度;一第二部分,係鄰近該開口,並且具有在朝向該開口的方向上逐漸減少的厚度;以及一第三部分,係在該第一部分與該第二部分之間,並且具有大 於該第一部分之厚度。
- 如請求項1所述之顯示設備,其中該彎曲區域位於該開口中。
- 如請求項1所述之顯示設備,其中該開口位於該彎曲區域中。
- 一種顯示設備,其包括:一基板,其包括在一第一區域與一第二區域之間的一彎曲區域,並且在一彎曲軸附近彎曲;一顯示單元,係在該第一區域的該基板的一上表面上;以及一保護膜,係與該上表面相對之該基板的一下表面上,且包括對應於該彎曲區域的一凹部,其中該保護膜的該凹部具有厚度朝向該凹部之一中心以非恆定的比率逐漸減少的一第一部分。
- 如請求項8所述之顯示設備,其中該第一部分中的該凹部之厚度以遞減比率朝向該凹部之該中心減少。
- 如請求項8所述之顯示設備,其中該保護膜的該凹部具有其中該凹部的厚度為恆定的一第二部分。
- 如請求項10所述之顯示設備,其中該第二部分對應於該凹部的該中心。
- 如請求項8所述之顯示設備,其中該保護膜包括:一第一部分,具有恆定厚度;以及一第三部分,係位於該第一部分與該凹部之間,且具有大於該第一部分的厚度。
- 如請求項8所述之顯示設備,其中該彎曲區域位於該凹部中。
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