TWI718536B - 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體 - Google Patents

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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

[課題] 提供一種可抑制伴隨著利用含有金屬被膜而發生之金屬污染的裝置及方法。 [解決手段] 塗佈・顯像裝置(2)，係具備有第一保護處理部(U01)、成膜部(U02)、第一洗淨處理部(U03)及控制部(U08)。控制器(U08)，係被構成為執行如下述步驟：以在晶圓(W)之周緣部(Wc)形成第一保護膜的方式，控制第一保護處理部(U01)；以在晶圓(W)的表面(Wa)形成光阻膜的方式，控制成膜部(U02)；以對晶圓(W)的周緣部(Wc)供給用以去除光阻膜之第一洗淨液的方式，控制第一洗淨處理部(U03)；以對該周緣部(Wc)供給用以去除金屬成分之第二洗淨液的方式，控制第一洗淨處理部(U03)；及以對該周緣部(Wc)供給用以去除第一保護膜(PF1)之第三洗淨液的方式，控制第一洗淨處理部(U03)。

Description

基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
本揭示，係關於基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體。
在專利文獻1中，係揭示有一種將包含金屬之塗佈材料的層形成於基板上之基板處理方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2016-29498號公報
[本發明所欲解決之課題]
包含金屬之塗佈材料的層 (以下，稱為「含有金屬被膜」。)，係可活用於基板處理中之各種情況。例如，將含有金屬被膜使用作為光阻膜，藉此，期待提升對於曝光處理之感度。又，將含有金屬膜使用作為所謂硬遮罩，藉此，期待提升蝕刻耐性。然而，在利用含有金屬被膜之際，係必需抑制基板本身及與該基板接觸之機器的金屬污染。
本揭示之目的在於，提供一種可抑制伴隨著利用含有金屬被膜而發生之金屬污染的基板處理裝置及基板處理方法。 [用以解決課題之手段]
本揭示之一態樣的基板處理裝置，係被構成為具備有：第一保護處理部，在基板之周緣部形成第一保護膜；成膜部，在基板之表面形成含有金屬的被膜；第一洗淨處理部，對形成有被膜之基板的周緣部進行洗淨處理；及控制部，控制部，係執行如下述步驟：以在基板之周緣部形成第一保護膜的方式，控制第一保護處理部；以在形成有第一保護膜之基板的表面形成被膜的方式，控制成膜部；以對形成有被膜之基板的周緣部供給用以去除被膜之第一藥液的方式，控制第一洗淨處理部；在第一藥液被供給至基板的周緣部後，以對該周緣部供給用以去除金屬成分之第二藥液的方式，控制第一洗淨處理部；及在第二藥液被供給至基板的周緣部後，以對該周緣部供給用以去除第一保護膜之第三藥液的方式，控制第一洗淨處理部。
根據該基板處理裝置，在將第一保護膜形成於基板之周緣部的狀態下，在基板之表面形成被膜，藉此，防止金屬成分附著於基板之周緣部。由於在去除被膜之周緣部分後，係藉由去除第一保護膜的方式，也一起去除殘留於第一保護膜的金屬成分，因此，期待可充分抑制基板的周緣部中之金屬成分的殘留。
然而，本案發明者等，係發現了即便在去除第一保護膜後，金屬成分亦可能殘留於基板之周緣部的情形。作為產生這樣的現象之要因，係認為在去除第一保護膜的過程中，殘留於第一保護膜的表面之金屬成分之的一部分會附著於基板之周緣部。作為在第一保護膜之去除後亦殘留之金屬成分的解決對策，雖考慮在去除第一保護膜後，進一步洗淨基板之周緣部，但因暴露於顯示出對金屬成分之高洗淨性的藥液 ，而恐有基板被侵蝕之虞。
對此，根據本基板處理裝置，在供給用以去除第一保護膜的第三藥液之前，執行用以去除金屬成分之第二藥液的供給。藉由第二藥液之供給，殘留於第一保護膜之金屬成分的大部分會被去除。此時，由於基板之周緣部，係藉由第一保護膜所保護，因此，第二藥液所致之基板的侵蝕被抑制。在第三藥液的供給之前供給第二藥液，藉此，在大幅削減殘留於第一保護膜之金屬成分的狀態下，第一保護膜被去除。因此，在去除第一保護膜後，亦大幅削減殘留於基板之周緣部的金屬成分。因此，可抑制伴隨著利用含有金屬被膜而發生之金屬污染。
第二藥液，係亦可具有比第一藥液及第三藥液更強的酸性。在該情況下，在第一保護膜的去除之前，可去除大部分的金屬成分。
控制部，係亦可被構成為更執行如下述步驟：在第二藥液被供給至基板的周緣部後，第三藥液被供給至該周緣部之前，以對該周緣部供給第一藥液的方式，控制第一洗淨處理部。在該情況下，藉由第一藥液的供給，去除第二藥液之殘留成分，藉此，在第一保護膜的去除後，可更削減殘留於基板之周緣部的物質。
亦可更具備有：熱處理部，對被膜進行加熱，控制部，係亦可被構成為更執行如下述步驟：在第一藥液被供給至形成有被膜之基板的周緣部後，第三藥液被供給至該周緣部之前，以對該基板之被膜進行加熱的方式，控制熱處理部。在該情況下，被膜之強度藉由被膜的加熱而提升。在藉由加熱提升被膜的強度之前，對基板之周緣部供給第一藥液，藉此，可輕易進行該周緣部的去除。在第三藥液的供給之前，藉由加熱來使被膜的強度提升，藉此，可更確實地抑制第三藥液的供給中之金屬成分自被膜的溶出。因此，可更確實地削減殘留於基板之周緣部的金屬成分。
控制部，係亦可被構成為更執行如下述步驟：在第一藥液被供給至形成有被膜之基板的周緣部後，第二藥液被供給至該周緣部之前，以對該基板之被膜進行加熱的方式，控制熱處理部。在該情況下，在第二藥液的供給之前，藉由加熱來使被膜的強度提升，藉此，可更確實地抑制第二藥液的供給中之金屬成分自被膜的溶出。因此，可更確實地削減殘留於基板之周緣部的金屬成分。
控制部，係亦可被構成為更執行如下述步驟：在第三藥液被供給至基板的周緣部後，以對該基板之被膜進行加熱的方式，控制熱處理部。在該情況下，在對被膜進行加熱的工程之前，集中執行將被膜之不要部分去除的工程，藉此，可達成基板處理之效率化。
亦可更具備有：第二保護處理部，在基板的周緣部形成第二保護膜；顯像處理部，進行被膜之顯像處理；及第二洗淨處理部，對已進行了被膜之顯像處理的基板之周緣部進行洗淨處理，控制部，係亦可被構成為更執行如下述步驟：在第三藥液被供給至基板的周緣部後，以在該周緣部形成第二保護膜的方式，控制第二保護處理部；以在形成有第二保護膜之基板的被膜進行顯像處理的方式，控制顯像處理部；以對進行了被膜之顯像處理之基板的周緣部供給用以去除金屬成分之第四藥液的方式，控制第二洗淨處理部；及在第四藥液被供給至基板的周緣部後，以對該周緣部供給用以去除第二保護膜之第五藥液的方式，控制第二洗淨處理部。在該情況下，在被膜的顯像處理階段中，亦執行與被膜的形成階段中之第一保護膜的形成、第二藥液所致之金屬成分的去除及第三藥液所致之第一保護膜的去除相同之程序，藉此，可更確實地削減殘留於基板之周緣部的金屬成分。
更具備有：顯像處理部，進行被膜之顯像處理；及第二洗淨處理部，對已進行了被膜之顯像處理的基板之周緣部進行洗淨處理，控制部，係亦可被構成為更執行如下述步驟：在第二藥液被供給至基板的周緣部後，第三藥液被供給至基板的周緣部之前，以進行該基板之被膜的顯像處理之方式，控制顯像處理部；及在第三藥液被供給至進行了被膜之顯像處理的基板之周緣部之前，以對該周緣部供給用以去除金屬成分之第四藥液的方式，控制第二洗淨處理部。在該情況下，在被膜的形成階段與被膜的顯像處理階段中共用第一保護膜，藉此，可達成基板處理的效率化。
本揭示之另一態樣的基板處理方法，係包含有如下述步驟：在基板之周緣部形成第一保護膜；在形成有第一保護膜之基板的表面形成含有金屬的被膜；對形成有被膜之基板的周緣部供給用以去除被膜的第一藥液；在第一藥液被供給至基板的周緣部後，對該周緣部供給用以去除金屬成分的第二藥液；及在第二藥液被供給至基板的周緣部後，對該周緣部供給用以去除第一保護膜的第三藥液。
第二藥液，係亦可具有比第一藥液及第三藥液更強的酸性。
亦可更包含有如下述步驟：在第二藥液被供給至基板的周緣部後，第三藥液被供給至該周緣部之前，對該周緣部供給第一藥液。
亦可更包含有如下述步驟：在第一藥液被供給至形成有被膜之基板的周緣部後，第三藥液被供給至該周緣部之前，對該基板的被膜進行加熱。
亦可在第一藥液被供給至形成有被膜之基板的周緣部後，第二藥液被供給至該周緣部之前，對該基板的被膜進行加熱。
亦可在第三藥液被供給至基板的周緣部後，對該基板的被膜進行加熱。
亦可更包含有如下述步驟：在第三藥液被供給至基板的周緣部後，在該周緣部形成第二保護膜；在形成有第二保護膜之基板的被膜進行顯像處理；對進行了被膜之顯像處理的基板之周緣部供給用以去除金屬成分的第四藥液；及在第四藥液被供給至基板的周緣部後，對該周緣部供給用以去除第二保護膜的第五藥液。
亦可更包含有如下述步驟：在第二藥液被供給至基板的周緣部後，第三藥液被供給至基板的周緣部之前，進行該基板之被膜的顯像處理；及在第三藥液被供給至進行了被膜之顯像處理之基板的周緣部之前，對該周緣部供給用以去除金屬成分的第四藥液。
本揭示之另一態樣的記憶媒體，係一種電腦可讀取之記憶媒體，其記錄有用以使裝置執行上述基板處理方法的程式。 [發明之效果]
根據本揭示，可抑制伴隨著利用含有金屬被膜而發生之金屬污染。
以下，參照圖面，詳細地說明關於實施形態。在說明中，對同一要素或具有同一功能的要素標記同一符號，並省略重複的說明。
[基板處理系統] 圖1所示之基板處理系統1，係對基板施予感光性被膜之形成、該感光性被膜之曝光及該感光性被膜之顯像的系統。處理對象之基板，係例如半導體之晶圓W。感光性被膜，係例如光阻膜。基板處理系統1，係具備有塗佈・顯像裝置2與曝光裝置3。曝光裝置3，係進行被形成於晶圓W(基板)上之光阻膜(感光性被膜)的曝光處理。具體而言，係藉由液浸曝光等的方法，對光阻膜之曝光對象部分照射能量線。塗佈・顯像裝置2，係在藉由曝光裝置3進行曝光處理之前，進行在晶圓W(基板)之表面形成光阻膜的處理，並在曝光處理後，進行光阻膜之顯像處理。
[基板處理裝置] 以下，作為基板處理裝置之一例，說明塗佈・顯像裝置2的構成。如圖2所示，塗佈・顯像裝置2，係具有：第一保護處理部U01，在晶圓W之周緣部形成第一保護膜；成膜部U02，在晶圓W之表面形成含有金屬的光阻膜；第一洗淨處理部U03，對形成有光阻膜之晶圓W的周緣部進行洗淨處理；熱處理部U04，對光阻膜進行加熱；顯像處理部U05，進行光阻膜之顯像處理；第二保護處理部U07，在晶圓W之周緣部形成第二保護膜；第二洗淨處理部U06，對已進行了光阻膜之顯像處理的晶圓W之周緣部進行洗淨處理；及控制部U08，對該等進行控制。
更具體而言，塗佈・顯像裝置2，係具備有載體區塊4、處理區塊5、介面區塊6及控制器900。
(載體區塊) 載體區塊4，係進行將晶圓W導入塗佈・顯像裝置2內及將晶圓W從塗佈・顯像裝置2內導出。例如，載體區塊4，係可支撐晶圓W用之複數個載體C，且內藏有收授臂A1。載體C，係例如收容圓形之複數片晶圓W。收授臂A1，係從載體C取出晶圓W且傳遞至處理區塊5，並從處理區塊5接收晶圓W且返回載體C內。
(處理區塊) 處理區塊5，係具有上下排列之複數個處理模組11，12，13，14與升降臂A7。升降臂A7，係使晶圓W在處理模組11，12，13，14之間升降。
處理模組11，係具有：液處理單元U11；熱處理單元U12；檢查單元U13；及搬送臂A3，將晶圓W搬送至該些單元。
如圖3所示，液處理單元U11，係具有保護處理部100。保護處理部100，係作為上述之第一保護處理部U01而發揮功能，對晶圓W之周緣部Wc供給用以形成第一保護膜的藥液(以下，稱為「保護液」。)。作為第一保護膜之具體例，係可列舉出酚系樹脂、萘系樹脂、聚苯乙烯系樹脂或苯系樹脂等的有機膜。另外，該些膜，雖係如後述般經由藥液之塗佈及加熱所形成者，但在以下中，係為了方便起見，將加熱前後的膜兩者稱為「第一保護膜」。
保護處理部100，係具有旋轉保持部110、液供給部120及噴嘴位置調節部130。
旋轉保持部110，係藉由真空吸附等來保持水平配置之晶圓W，並將電動馬達等作為動力源而繞垂直軸線旋轉。
液供給部120，係對藉由旋轉保持部110所保持之晶圓W的周緣部Wc供給保護液。保護液，係例如包含成為酚系樹脂、萘系樹脂、聚苯乙烯系樹脂或苯系樹脂等的原料之有機成分。
液供給部120，係例如具有噴嘴121，122、供給源123及閥124，125。噴嘴121，122，係對晶圓W之周緣部Wc吐出保護液。噴嘴121，係被配置於晶圓W之周緣部Wc的上方，並開口於下方(例如晶圓W之外周側的斜下方)。噴嘴122，係被配置於晶圓W之周緣部Wc的下方，並開口於上方(例如晶圓W之外周側的斜上方)。供給源123，係收容供給用之保護液並壓送至噴嘴121，122。閥124，125，係分別使從供給源123朝噴嘴121，122之保護液的流路開閉。閥124，係例如空氣操作閥，被設置於將供給源123及噴嘴121連接的管路。閥125，係例如空氣操作閥，被設置於將供給源123及噴嘴122連接的管路。
噴嘴位置調節部130，係調節噴嘴121的位置。更具體而言，噴嘴位置調節部130，係將電動馬達等作為動力源，使噴嘴121沿著橫跨晶圓W之上方的直線移動。
返回圖2，熱處理單元U12，係執行熱處理，該熱處理，係包含有藉由電熱線等的熱源來加熱第一保護膜之處理。檢查單元U13，係取得用以判定第一保護膜之形成狀態是否正常的資訊。例如，檢查單元U13，係藉由攝像裝置，取得第一保護膜之至少一部分的圖像資訊。
處理模組12，係具有：液處理單元U21；熱處理單元U22；及搬送臂A3，將晶圓W搬送至該些單元。
如圖4所示，液處理單元U21，係具有成膜部200與洗淨處理部300。
成膜部200，係作為上述之成膜部U02而發揮功能，對晶圓W之周緣部Wc供給用以形成含有金屬之無機光阻膜的藥液(以下，稱為「光阻液」。)。另外，光阻膜，雖係如後述般經由藥液之塗佈及加熱所形成者，但在以下中，係為了方便起見，將加熱前後的膜兩者稱為「光阻膜」。
成膜部200，係具有旋轉保持部210、液供給部220及噴嘴位置調節部230。
旋轉保持部210，係藉由真空吸附等來保持水平配置之晶圓W，並將電動馬達等作為動力源而繞垂直軸線旋轉。
液供給部220，係對藉由旋轉保持部210所保持之晶圓W的表面Wa供給光阻液。液供給部220，係例如具有噴嘴221、供給源222及閥223。噴嘴221，係對晶圓W之表面Wa吐出光阻液。噴嘴221，係被配置於晶圓W的上方，並開口於下方(例如垂直下方)。供給源222，係收容供給用之光阻液並壓送至噴嘴221。閥223，係使從供給源222朝噴嘴221之光阻液的流路開閉。閥223，係例如空氣操作閥，被設置於將供給源222及噴嘴221連接的管路。
噴嘴位置調節部230，係調節噴嘴221的位置。更具體而言，噴嘴位置調節部230，係將電動馬達等作為動力源，使噴嘴221沿著橫跨晶圓W之上方的直線移動。
洗淨處理部300，係作為上述之第一洗淨處理部U03的一部分而發揮功能。洗淨處理部300，係具有液供給部310與液供給部320。
液供給部310，係對藉由旋轉保持部210所保持之晶圓W的周緣部Wc，供給用以去除光阻膜之第一洗淨液(第二藥液)。第一洗淨液，係例如丙二醇單甲醚(PGME)、丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)等的有機溶劑。
液供給部310，係例如具有噴嘴311，312、供給源313及閥314，315。噴嘴311，312，係對晶圓W之周緣部Wc吐出第一洗淨液。噴嘴311，係被配置於晶圓W之周緣部Wc的上方，並開口於下方(例如晶圓W之外周側的斜下方)。噴嘴312，係被配置於晶圓W之周緣部Wc的下方，並開口於上方(例如晶圓W之外周側的斜上方)。供給源313，係收容供給用之第一洗淨液並壓送至噴嘴311，312。閥314，315，係分別使從供給源313朝噴嘴311，312之第一洗淨液的流路開閉。閥314，係例如空氣操作閥，被設置於將供給源313及噴嘴311連接的管路。閥315，係例如空氣操作閥，被設置於將供給源313及噴嘴312連接的管路。
液供給部320，係對藉由旋轉保持部210所保持之晶圓W的周緣部Wc，供給用以去除金屬成分之第二洗淨液(第一藥液)。第二洗淨液，係具有比第一洗淨液更強的酸性。作為第二洗淨液之具體例，係可列舉出將酸性成分混合於有機溶劑的藥液。作為酸性成分的具體例，係可列舉出乙酸、檸檬酸、鹽酸或硫酸等。
液供給部320，係例如具有噴嘴321，322、供給源323及閥324，325。噴嘴321，322，係對晶圓W之周緣部Wc吐出第二洗淨液。噴嘴321，係被配置於晶圓W之周緣部Wc的上方，並開口於下方(例如晶圓W之外周側的斜下方)。噴嘴322，係被配置於晶圓W之周緣部Wc的下方，並開口於上方(例如晶圓W之外周側的斜上方)。供給源323，係收容供給用之第二洗淨液並壓送至噴嘴321，322。閥324，325，係分別使從供給源323朝噴嘴321，322之第二洗淨液的流路開閉。閥324，係例如空氣操作閥，被設置於將供給源323及噴嘴321連接的管路。閥325，係例如空氣操作閥，被設置於將供給源323及噴嘴322連接的管路。
噴嘴位置調節部330，係調節噴嘴311，321的位置。更具體而言，噴嘴位置調節部330，係將電動馬達等作為動力源，使噴嘴311，321沿著橫跨晶圓W之上方的直線移動。
如上述般，旋轉保持部210，係亦被使用於液供給部310對晶圓W的周緣部Wc供給第一洗淨液之際及液供給部320對晶圓W的周緣部Wc供給第二洗淨液之際。亦即，旋轉保持部210，係兼作為洗淨處理部300的旋轉保持部。
返回圖2，熱處理單元U22，係作為上述之熱處理部U04而發揮功能，並執行熱處理，該熱處理，係包含有藉由電熱線等的熱源來加熱光阻膜之處理。
處理模組13，係具有：液處理單元U31；及搬送臂A3，將晶圓W搬送至液處理單元U31。
如圖5所示，液處理單元U31，係具有洗淨處理部400。洗淨處理部400，係作為上述之第一洗淨處理部U03的一部分而發揮功能，對晶圓W之周緣部Wc供給用以去除第一保護膜的第三洗淨液(第二藥液)。第三洗淨液，係具有比第二洗淨液弱的酸性(第二洗淨液，係具有比第三洗淨液更強的酸性。)。作為第三洗淨液之具體例，係可列舉出環己酮、苯甲醚、加馬丁內酯等的有機溶劑。
洗淨處理部400，係具有旋轉保持部410、液供給部420及噴嘴位置調節部430。
旋轉保持部410，係藉由真空吸附等來保持水平配置之晶圓W，並將電動馬達等作為動力源而繞垂直軸線旋轉。
液供給部420，係對藉由旋轉保持部410所保持之晶圓W的周緣部Wc供給第三洗淨液。液供給部420，係例如具有噴嘴421，422、供給源423及閥424，425。噴嘴421，422，係對晶圓W之周緣部Wc吐出第三洗淨液。噴嘴421，係被配置於晶圓W之周緣部Wc的上方，並開口於下方(例如晶圓W之外周側的斜下方)。噴嘴422，係被配置於晶圓W之周緣部Wc的下方，並開口於上方(例如晶圓W之外周側的斜上方)。供給源423，係收容供給用之第三洗淨液並壓送至噴嘴421，422。閥424，425，係分別使從供給源423朝噴嘴421，422之第三洗淨液的流路開閉。閥424，係例如空氣操作閥，被設置於將供給源423及噴嘴421連接的管路。閥425，係例如空氣操作閥，被設置於將供給源423及噴嘴422連接的管路。
噴嘴位置調節部430，係調節噴嘴421的位置。更具體而言，噴嘴位置調節部430，係將電動馬達等作為動力源，使噴嘴421沿著橫跨晶圓W之上方的直線移動。
返回圖2，處理模組14，係在光阻膜的曝光處理後，對形成有後述之第二保護膜的晶圓W進行處理。處理模組14，係具有：熱處理單元U41；檢查單元U42；液處理單元U43；及搬送臂A3，將晶圓W搬送至該些單元。
熱處理單元U41，係執行熱處理，該熱處理，係包含有藉由電熱線等的熱源來加熱光阻膜及第二保護膜之處理。檢查單元U42，係取得用以判定第二保護膜之形成狀態是否正常的資訊。例如，檢查單元U42，係藉由攝像裝置，取得第二保護膜之至少一部分的圖像資訊。
如圖6所示，液處理單元U43，係具有顯像處理部500與洗淨處理部600。顯像處理部500，係作為上述之顯像處理部U05而發揮功能，進行光阻膜之顯像處理。顯像處理部500，係具有旋轉保持部510、液供給部520，530及噴嘴位置調節部540。
旋轉保持部510，係藉由真空吸附等來保持水平配置之晶圓W，並將電動馬達等作為動力源而繞垂直軸線旋轉。
液供給部520，係對藉由旋轉保持部510所保持之晶圓W的表面Wa供給顯像處理用之藥液(以下，稱為「顯像液」。)。液供給部520，係例如具有噴嘴521、供給源522及閥523。噴嘴521，係對晶圓W之表面Wa吐出顯像液。噴嘴521，係被配置於晶圓W的上方，並開口於下方(例如垂直下方)。供給源522，係收容供給用之顯像液並壓送至噴嘴521。閥523，係使從供給源522朝噴嘴521之顯像液的流路開閉。閥523，係例如空氣操作閥，被設置於將供給源522及噴嘴521連接的管路。
液供給部530，係對藉由旋轉保持部510所保持之晶圓W的表面Wa供給用以沖洗顯像液之液體(以下，稱為「沖洗液」。)。液供給部530，係例如具有噴嘴531、供給源532及閥533。噴嘴531，係對晶圓W之表面Wa吐出沖洗液。噴嘴531，係被配置於晶圓W的上方，並開口於下方(例如垂直下方)。供給源532，係收容供給用之沖洗液並壓送至噴嘴531。閥533，係使從供給源532朝噴嘴531之沖洗液的流路開閉。閥533，係例如空氣操作閥，被設置於將供給源532及噴嘴531連接的管路。
噴嘴位置調節部540，係調節噴嘴521，531的位置。更具體而言，噴嘴位置調節部540，係將電動馬達等作為動力源，使噴嘴521，531沿著橫跨晶圓W之上方的直線移動。
洗淨處理部600，係作為上述之第二洗淨處理部U06而發揮功能。洗淨處理部600，係具有液供給部610與液供給部620。
液供給部610，係對藉由旋轉保持部510所保持之晶圓W的周緣部Wc，供給用以去除金屬成分之第四洗淨液(第四藥液)。作為第四洗淨液之具體例，係可列舉出將酸性成分混合於有機溶劑的藥液。作為酸性成分的具體例，係可列舉出乙酸、檸檬酸、鹽酸或硫酸等。
液供給部610，係例如具有噴嘴611，612、供給源613及閥614，615。噴嘴611，612，係對晶圓W之周緣部Wc吐出第四洗淨液。噴嘴611，係被配置於晶圓W之周緣部Wc的上方，並開口於下方(例如晶圓W之外周側的斜下方)。噴嘴612，係被配置於晶圓W之周緣部Wc的下方，並開口於上方(例如晶圓W之外周側的斜上方)。供給源613，係收容供給用之第四洗淨液並壓送至噴嘴611，612。閥614，615，係分別使從供給源613朝噴嘴611，612之第四洗淨液的流路開閉。閥614，係例如空氣操作閥，被設置於將供給源613及噴嘴611連接的管路。閥615，係例如空氣操作閥，被設置於將供給源613及噴嘴612連接的管路。
液供給部620，係對藉由旋轉保持部510所保持之晶圓W的表面Wa，供給用以去除第二保護膜之第五洗淨液(第五藥液)。第五洗淨液，係具有比第四洗淨液弱的酸性(第四洗淨液，係具有比第五洗淨液更強的酸性。)。作為第五洗淨液之具體例，係可列舉出環己酮、苯甲醚、加馬丁內酯等的有機溶劑。
液供給部620，係例如具有噴嘴621，622、供給源623及閥624，625。噴嘴621，622，係對晶圓W之周緣部Wc吐出第五洗淨液。噴嘴621，係被配置於晶圓W之周緣部Wc的上方，並開口於下方(例如晶圓W之外周側的斜下方)。噴嘴622，係被配置於晶圓W之周緣部Wc的下方，並開口於上方(例如晶圓W之外周側的斜上方)。供給源623，係收容供給用之第五洗淨液並壓送至噴嘴621，622。閥624，625，係分別使從供給源623朝噴嘴621，622之第五洗淨液的流路開閉。閥624，係例如空氣操作閥，被設置於將供給源623及噴嘴621連接的管路。閥625，係例如空氣操作閥，被設置於將供給源623及噴嘴622連接的管路。
噴嘴位置調節部630，係調節噴嘴611，621的位置。更具體而言，噴嘴位置調節部630，係將電動馬達等作為動力源，使噴嘴611，621沿著橫跨晶圓W之上方的直線移動。
如上述般，旋轉保持部510，係亦被使用於液供給部610對晶圓W的周緣部Wc供給第四洗淨液之際及液供給部620對晶圓W的周緣部Wc供給第五洗淨液之際。亦即，旋轉保持部510，係兼作為洗淨處理部600的旋轉保持部。
(介面區塊) 回到圖2，介面區塊6，係在處理區塊5與曝光裝置3之間進行晶圓W的收授。例如，介面區塊6，係具有背面洗淨單元U51、背面檢查單元U52、液處理單元U53及收授臂A8。收授臂A8，係一面經由背面洗淨單元U51、背面檢查單元U52及液處理單元U53，一面在處理區塊5與曝光裝置3之間進行晶圓W的收授。
背面洗淨單元U51，係洗淨晶圓W之背面Wb。背面檢查單元U52，係取得用以判定晶圓W之背面Wb是否有異物之附著等的資訊。例如，背面檢查單元U52，係藉由攝像裝置，取得背面Wb之至少一部分的圖像資訊。
如圖7所示，背面檢查單元U52，係具有保護處理部700。保護處理部700，係作為上述之第二保護處理部U07而發揮功能，對晶圓W之周緣部Wc供給用以形成第二保護膜的藥液(以下，稱為「保護液」。)。作為第二保護膜之具體例，係可列舉出酚系樹脂、萘系樹脂、聚苯乙烯系樹脂或苯系樹脂等的有機膜。另外，該些膜，雖係經由藥液之塗佈及加熱所形成者，但在以下中，係為了方便起見，將加熱前後的膜兩者稱為「第二保護膜」。
保護處理部700，係被構成為與上述之保護處理部100相同。亦即，保護處理部700，係具有：旋轉保持部710，與旋轉保持部110相同；液供給部720，與液供給部120相同；及噴嘴位置調節部730，與噴嘴位置調節部130相同。液供給部720，係具有：噴嘴721，722，與噴嘴121，122相同；供給源723，與供給源123相同；及閥724，725，與閥124，125相同。
(控制器) 返回圖2，控制器900，係控制載體區塊4、處理區塊5及介面區塊6，作為上述之控制部U08而發揮功能。
控制器900，係被構成為執行如下述步驟：以在晶圓W之周緣部Wc形成第一保護膜的方式，控制第一保護處理部U01；以在形成有第一保護膜之晶圓W的表面Wa形成光阻膜的方式，控制成膜部U02；以對形成有光阻膜之晶圓W的周緣部Wc供給第一洗淨液的方式，控制第一洗淨處理部U03；在第一洗淨液被供給至晶圓W的周緣部Wc後，以對該周緣部Wc供給第二洗淨液的方式，控制第一洗淨處理部U03；及在第二洗淨液被供給至晶圓W的周緣部Wc後，以對該周緣部Wc供給第三洗淨液的方式，控制第一洗淨處理部U03。
控制器900，係亦可被構成為更執行如下述步驟：在第二洗淨液被供給至晶圓W的周緣部Wc後，第三洗淨液被供給至該周緣部Wc之前，以對該周緣部Wc供給第一洗淨液的方式，控制第一洗淨處理部U03，且亦可被構成為更執行如下述步驟：在第一洗淨液被供給至晶圓W的周緣部Wc後，第三洗淨液被供給至該周緣部Wc之前，以對該晶圓W之光阻膜進行加熱的方式，控制熱處理部U04。
控制器900，係亦可被構成為執行如下述步驟：在第三洗淨液被供至晶圓W的周緣部Wc後，以在該周緣部Wc形成第二保護膜的方式，控制第二保護處理部U07；以在形成有第二保護膜之晶圓W的光阻膜進行顯像處理的方式，控制顯像處理部U05；以對進行了光阻膜之顯像處理的晶圓W之周緣部Wc供給第四洗淨液的方式，控制第二洗淨處理部U06；及在第四洗淨液被供給至晶圓W的周緣部Wc後，以對該周緣部Wc供給第五洗淨液的方式，控制第二洗淨處理部U06。
以下，例示控制器900的具體構成。如圖8所示，控制器900，係作為功能上之構成(以下，稱為「功能模組」。)，具有搬送控制部911、第一保護控制部912、成膜控制部913、周緣去除控制部914、洗淨控制部915、洗淨控制部916、加熱控制部917、保護膜去除控制部918、進出控制部919、第二保護控制部920、加熱控制部921、顯像控制部922、洗淨控制部923及保護膜去除控制部924。
搬送控制部911，係以搬送晶圓W的方式，控制收授臂A1及搬送臂A3。
第一保護控制部912，係以在晶圓W之周緣部Wc形成第一保護膜的方式，控制保護處理部100、熱處理單元U12及檢查單元U13。
成膜控制部913，係以在形成有第一保護膜之晶圓W的表面Wa形成光阻膜的方式，控制成膜部200。
周緣去除控制部914，係以對形成有光阻膜之晶圓W的周緣部Wc供給第一洗淨液的方式，控制洗淨處理部300。
洗淨控制部915，係在第一洗淨液被供給至晶圓W的周緣部Wc後，以對該周緣部Wc供給第二洗淨液的方式，控制洗淨處理部300。
洗淨控制部916，係在第二洗淨液被供給至晶圓W的周緣部Wc後，以對該周緣部Wc供給第一洗淨液的方式，控制洗淨處理部300。
加熱控制部917，係在第一洗淨液被供給至晶圓W的周緣部Wc後，以對該晶圓W之光阻膜進行加熱的方式，控制熱處理單元U22。
保護膜去除控制部918，係在藉由熱處理單元U22加熱晶圓W的光阻膜後，以對該晶圓W之周緣部Wc供給第三洗淨液的方式，控制洗淨處理部400。
進出控制部919，係在第三洗淨液被供給至晶圓W的周緣部Wc後，以將該晶圓W送出至曝光裝置3並從曝光裝置3接收曝光處理後之晶圓W的方式，控制收授臂A8。
第二保護控制部920，係以在藉由收授臂A8從曝光裝置3所接收之晶圓W的周緣部Wc形成第二保護膜的方式，控制保護處理部700。
加熱控制部921，係以對形成有第二保護膜之晶圓W的光阻膜進行加熱的方式，控制熱處理單元U41。
顯像控制部922，係在藉由檢查單元U42加熱晶圓W的光阻膜後，以在該光阻膜進行顯像處理的方式，控制顯像處理部500。
洗淨控制部923，係以對進行了光阻膜之顯像處理之晶圓W的周緣部Wc供給第四洗淨液的方式，控制洗淨處理部600。
保護膜去除控制部924，係在第四洗淨液被供給至晶圓W的周緣部Wc後，以對該周緣部Wc供給第五洗淨液的方式，控制洗淨處理部600。
控制器900，係藉由1或複數個控制用電腦所構成。例如，控制器900，係具有圖9所示之電路930。電路930，係具有一個或複數個處理器931、記憶體932、儲存器933及輸出入埠934。
儲存器933，係記錄有程式之記憶媒體，該程式，係用以使塗佈・顯像裝置2執行後述的基板處理方法。例如儲存器933，係記錄用以構成上述各功能模組的程式。儲存器933，係只要為電腦可讀取，則亦可為任一種儲存器。作為具體例，可列舉出硬碟、非揮發性半導體記憶體、磁碟及光碟等。記憶體932，係暫時記憶從儲存器933載入的程式及處理器931的演算結果。處理器931，係藉由與記憶體932協作執行程式的方式，構成各功能模組。
輸出入埠934，係因應來自處理器931的指令，在與載體區塊4、處理區塊5及介面區塊6的各構成要素之間進行電信號之輸出入。
另外，控制器900之硬體構成，係未必要限定於藉由程式構成各功能模組者。例如，控制器900之上述功能模組的至少一部分，係亦可藉由專用之邏輯電路或整合了此邏輯電路之ASIC(Application Specific Integrated Circuit)所構成。
[基板處理方法] 接著，作為基板處理方法之一例，說明控制器900所致之控制程序。
(概要) 如圖10所示，控制器900，係首先執行步驟S01。步驟S01，係包含有如下述者：以在晶圓W之周緣部Wc形成第一保護膜的方式，控制液處理單元U11、熱處理單元U12及檢查單元U13。關於更具體的處理容器內，係如後述。
其次，控制器900，係執行步驟S02。步驟S02，係包含有如下述者：以在形成有第一保護膜之晶圓W的表面Wa形成光阻膜的方式，控制液處理單元U21之成膜部200；以對該晶圓W之周緣部Wc供給第一洗淨液的方式，控制液處理單元U21之洗淨處理部300；以對該晶圓W之周緣部Wc供給第二洗淨液的方式，控制液處理單元U21之洗淨處理部300；及以對該晶圓W之周緣部Wc再次供給第一洗淨液的方式，控制液處理單元U21之洗淨處理部300。關於更具體的處理容器內，係如後述。
其次，控制器900，係執行步驟S03。步驟S03，係包含有如下述者：以對晶圓W之周緣部Wc供給第三洗淨液的方式，控制液處理單元U31。關於更具體的處理容器內，係如後述。
其次，控制器900，係執行步驟S04。在步驟S04中，進出控制部919以將從液處理單元U31所搬出之晶圓W搬入至背面洗淨單元U51的方式，控制收授臂A8，並以洗淨該晶圓W之背面Wb的方式，控制背面洗淨單元U51。
其次，控制器900，係執行步驟S05。在步驟S05中，進出控制部919以從背面洗淨單元U51搬出晶圓W並搬入至背面檢查單元U52的方式，控制收授臂A8，並以取得該晶圓W之背面Wb之圖像資訊的方式，控制背面檢查單元U52，從而根據藉由背面檢查單元U52所取得的圖像資訊，判定背面Wb是否有異物之附著。
其次，控制器900，係執行步驟S06。在步驟S06中，進出控制部919以從背面檢查單元U52搬出晶圓W而送出至曝光裝置3的方式，控收授臂A8。
其次，控制器900，係執行步驟S07。在步驟S07中，進出控制部919以接收藉由曝光裝置3施予了光阻膜之曝光處理之晶圓W的方式，控制收授臂A8。
其次，控制器900，係執行步驟S08。步驟S08，係以在藉由收授臂A8從曝光裝置3所接收之晶圓W的周緣部Wc形成第二保護膜的方式，控制液處理單元U53。關於更具體的處理容器內，係如後述。
其次，控制器900，係執行步驟S09。步驟S09，係包含有如下述者：以對形成有第二保護膜之晶圓W的光阻膜進行加熱的方式，控制熱處理單元U41；以在該晶圓W之光阻膜進行顯像處理的方式，控制液處理單元U43之顯像處理部500；以對該晶圓W之周緣部Wc供給第四洗淨液的方式，控制液處理單元U43之洗淨處理部600；及以對該晶圓W之周緣部Wc供給第五洗淨液的方式，控制液處理單元U43之洗淨處理部600。關於更具體的處理容器內，係如後述。以上，控制器900所致之控制程序結束。
(保護膜形成程序) 接著，說明上述步驟S01之具體的處理內容。如圖11所示，控制器900，係首先執行步驟S11。在步驟S11中，搬送控制部911以從載體C搬出晶圓W而搬送至處理模組11的方式，控制收授臂A1，以將該晶圓W搬入至液處理單元U11的方式，控制處理模組11之搬送臂A3，並以保持該晶圓W的方式，控制旋轉保持部110。
其次，控制器900，係執行步驟S12。在步驟S12中，第一保護控制部912以開始晶圓W之旋轉的方式，控制旋轉保持部110。
其次，控制器900，係執行步驟S13。在步驟S13中，第一保護控制部912以將噴嘴121配置於藉由旋轉保持部110所保持之晶圓W的周緣部Wc之上方的方式，控制噴嘴位置調節部130，其後，以將閥124，125開啟且開始自噴嘴121，122吐出保護液PL1的方式，控制液供給部120(參閱圖12)。藉此，保護液PL1從上下被供給至旋轉中之晶圓W的周緣部Wc，從而在該周緣部Wc形成保護液PL1的液膜。其後，第一保護控制部912，係以將閥124，125關閉且停止自噴嘴121，122吐出保護液PL1的方式，控制液供給部120。
其次，控制器900，係執行步驟S14。在步驟S14中，第一保護控制部912以使旋轉保持部110所致之晶圓W的旋轉繼續，等待周緣部Wc中之保護液PL1的乾燥(溶劑之揮發)。藉此，在晶圓W之周緣部Wc形成第一保護膜PF1(參閱圖13)。
其次，控制器900，係執行步驟S15。在步驟S15中，第一保護控制部912以使晶圓W之旋轉停止的方式，控制旋轉保持部110。
其次，控制器900，係執行步驟S16。在步驟S16中，搬送控制部911以從液處理單元U11搬出晶圓W而搬入至熱處理單元U12的方式，控制搬送臂A3。
其次，控制器900，係執行步驟S17。在步驟S17中，第一保護控制部912以對晶圓W進行加熱的方式，控制熱處理單元U12。伴隨著晶圓W之加熱，形成於該晶圓W之周緣部Wc的第一保護膜PF1被加熱。藉此，促進第一保護膜PF1中之交聯反應等，可提升第一保護膜PF1的強度。
其次，控制器900，係執行步驟S18。在步驟S18中，搬送控制部911以從熱處理單元U12搬出晶圓W而搬入至檢查單元U13的方式，控制搬送臂A3。
其次，控制器900，係執行步驟S19。在步驟S19中，第一保護控制部912以取得被形成於晶圓W之周緣部Wc的第一保護膜PF1之圖像資訊的方式，控制檢查單元U13，並根據藉由檢查單元U13所取得之圖像資訊，判定第一保護膜PF1的形成狀態是否正常。在藉由檢查單元U13取得第一保護膜PF1的圖像資訊後，搬送控制部911以從檢查單元U13搬出晶圓W的方式，控制搬送臂A3。以上，上述步驟S01結束。
(成膜・洗淨程序) 接著，說明上述步驟S02之具體的處理內容。如圖14所示，控制器900，係首先執行步驟S21。在步驟S21中，搬送控制部911以使藉由處理模組11的搬送臂A3從檢查單元U13所搬出之晶圓W上升或下降至處理模組12的方式，控制升降臂A7，以將該晶圓W搬入至液處理單元U21的方式，控制處理模組12之搬送臂A3，並以保持該晶圓W的方式，控制旋轉保持部210。
其次，控制器900，係執行步驟S22。在步驟S22中，成膜控制部913以開始晶圓W之旋轉的方式，控制旋轉保持部210。
其次，控制器900，係執行步驟S23。在步驟S23中，成膜控制部913以將噴嘴221配置於藉由旋轉保持部210所保持之晶圓W的旋轉中心之上方的方式，控制噴嘴位置調節部230，其後，以將閥223開啟且開始自噴嘴221吐出光阻液FL1的方式，控制液供給部220(參閱圖15(a))。藉此，在旋轉中之晶圓W之表面Wa形成光阻液FL1的液膜。其後，成膜控制部913，係以將閥223關閉且停止自噴嘴221吐出光阻液FL1的方式，控制液供給部220。
其次，控制器900，係執行步驟S24。在步驟S24中，成膜控制部913以使旋轉保持部210所致之晶圓W的旋轉繼續，等待光阻液FL1的乾燥(溶劑之揮發)。藉此，在晶圓W之表面Wa形成光阻膜MF1(參閱圖16(a)。)。
其次，控制器900，係執行步驟S25。在步驟S25中，周緣去除控制部914以將噴嘴311配置於藉由旋轉保持部210所保持之晶圓W的周緣部Wc之上方的方式，控制噴嘴位置調節部330，其後，以將閥314，315開啟且開始自噴嘴311，312吐出第一洗淨液CS1的方式，控制液供給部310(參閱圖15(b))。藉此，第一洗淨液CS1從上下被供給至旋轉中之晶圓W的周緣部Wc，從而在該周緣部Wc中，光阻膜MF1被去除。其後，周緣去除控制部914，係以將閥314，315關閉且停止自噴嘴311，312吐出第一洗淨液CS1的方式，控制液供給部310。在第一洗淨液CS1的吐出被停止後，有金屬成分M殘留於第一保護膜PF1的情形(參閱圖16(b))。亦有如下述之情形：在第一保護膜PF1的表層，形成有第一保護膜PF1之成分與金屬成分M鍵結的混合層。
其次，控制器900，係執行步驟S26。在步驟S26中，洗淨控制部915以將噴嘴321配置於藉由旋轉保持部210所保持之晶圓W的周緣部Wc之上方的方式，控制噴嘴位置調節部330，其後，以將閥324，325開啟且開始自噴嘴321，322吐出第二洗淨液CS2的方式，控制液供給部320(參閱圖15(c))。藉此，第二洗淨液CS2從上下被供給至旋轉中之晶圓W的周緣部Wc，去除附著於第一保護膜PF1之金屬成分M(參閱圖16(c))。其後，洗淨控制部915，係以將閥324，325關閉且停止自噴嘴321，322吐出第二洗淨液CS2的方式，控制液供給部320。
其次，控制器900，係執行步驟S27。在步驟S27中，洗淨控制部916以將噴嘴311再配置於藉由旋轉保持部210所保持之晶圓W的周緣部Wc之上方的方式，控制噴嘴位置調節部330，其後，以將閥314，315開啟且開始自噴嘴311，312吐出第一洗淨液CS1的方式，控制液供給部310(參閱圖15(d))。藉此，第一洗淨液CS1從上下被供給至旋轉中之晶圓W的周緣部Wc，去除附著於該周緣部Wc之第二洗淨液CS2的成分。其後，洗淨控制部916，係以將閥314，315關閉且停止自噴嘴311，312吐出第一洗淨液CS1的方式，控制液供給部310。
其次，控制器900，係執行步驟S28。在步驟S28中，洗淨控制部916以使旋轉保持部210所致之晶圓W的旋轉繼續，等待第一洗淨液CS1的飛散及揮發。
其次，控制器900，係執行步驟S29。在步驟S29中，洗淨控制部916以使晶圓W之旋轉停止的方式，控制旋轉保持部210。
其次，控制器900，係執行步驟S30。在步驟S30中，搬送控制部911以從液處理單元U21搬出晶圓W而搬入至熱處理單元U22的方式，控制搬送臂A3。
其次，控制器900，係執行步驟S31。在步驟S31中，加熱控制部917以對晶圓W進行加熱的方式，控制熱處理單元U22。伴隨著晶圓W之加熱，形成於該晶圓W之表面Wa的光阻膜MF1被加熱。藉此，促進光阻膜MF1中之交聯反應等，可提升光阻膜MF1的強度。其後，搬送控制部911以從熱處理單元U22搬出晶圓W的方式，控制搬送臂A3。
(保護膜去除程序) 接著，說明上述步驟S03之具體的處理內容。如圖17所示，控制器900，係首先執行步驟S41。在步驟S41中，搬送控制部911以使藉由處理模組12的搬送臂A3從熱處理單元U22所搬出之晶圓W上升或下降至處理模組13的方式，控制升降臂A7，以將該晶圓W搬入至液處理單元U31的方式，控制處理模組13之搬送臂A3，並以保持該晶圓W的方式，控制旋轉保持部410。
其次，控制器900，係執行步驟S42。在步驟S42中，保護膜去除控制部918以開始晶圓W之旋轉的方式，控制旋轉保持部410。
其次，控制器900，係執行步驟S43。在步驟S43中，保護膜去除控制部918以將噴嘴421配置於藉由旋轉保持部410所保持之晶圓W的周緣部Wc之上方的方式，控制噴嘴位置調節部430，其後，以將閥424，425開啟且開始自噴嘴421，422吐出第三洗淨液CS3的方式，控制液供給部420(參閱圖18)。藉此，第三洗淨液CS3從上下被供給至旋轉中之晶圓W的周緣部Wc，去除第一保護膜PF1(參閱圖19)。其後，保護膜去除控制部918，係以將閥424，425關閉且停止自噴嘴421，422吐出第三洗淨液CS3的方式，控制液供給部420。
其次，控制器900，係執行步驟S44。在步驟S44中，保護膜去除控制部918以使旋轉保持部410所致之晶圓W的旋轉繼續，等待第三洗淨液CS3的飛散及揮發。
其次，控制器900，係執行步驟S45。在步驟S45中，保護膜去除控制部918以使晶圓W之旋轉停止的方式，控制旋轉保持部410。其後，搬送控制部911以從液處理單元U31搬出晶圓W的方式，控制搬送臂A3。
(保護膜形成程序) 接著，說明上述步驟S08之具體的處理內容。如圖20所示，控制器900，係首先執行步驟S51。在步驟S51中，進出控制部919以將從曝光裝置3所接收之晶圓W搬入至液處理單元U53的方式，控制收授臂A8。
其次，控制器900，係執行步驟S52。在步驟S52中，第二保護控制部920以開始晶圓W之旋轉的方式，控制旋轉保持部710。
其次，控制器900，係執行步驟S53。在步驟S53中，第二保護控制部920以將噴嘴721配置於藉由旋轉保持部710所保持之晶圓W的周緣部Wc之上方的方式，控制噴嘴位置調節部730，其後，以將閥724，725開啟且開始自噴嘴721，722吐出保護液PL2的方式，控制液供給部720(參閱圖21)。藉此，保護液PL2從上下被供給至旋轉中之晶圓W的周緣部Wc，從而在該周緣部Wc形成保護液PL2的液膜。其後，第二保護控制部920，係以將閥724，725關閉且停止自噴嘴721，722吐出保護液PL2的方式，控制液供給部720。
其次，控制器900，係執行步驟S54。在步驟S54中，第二保護控制部920以使旋轉保持部710所致之晶圓W的旋轉繼續，等待周緣部Wc中之保護液PL2的乾燥(溶劑之揮發)。藉此，在晶圓W之周緣部Wc形成第二保護膜PF2(參閱圖22)。
其次，控制器900，係執行步驟S55。在步驟S55中，第二保護控制部920以使晶圓W之旋轉停止的方式，控制旋轉保持部710。其後，進出控制部919以從液處理單元U53搬出晶圓W而搬送至處理模組14的方式，控制收授臂A8。
(顯像・洗淨程序) 接著，說明上述步驟S09之具體的處理內容。如圖23所示，控制器900，係首先執行步驟S61。在步驟S61中，搬送控制部911以將藉由收授臂A8搬送到處理模組14之晶圓W搬入至熱處理單元U41的方式，控制處理模組14之搬送臂A3。
其次，控制器900，係執行步驟S62。在步驟S62中，加熱控制部921以對晶圓W進行加熱的方式，控制熱處理單元U41。該加熱，係所謂曝光後烘烤(PEB)。伴隨著晶圓W之加熱，該晶圓W的光阻膜MF1及第二保護膜PF2被加熱。藉此，在光阻膜MF1的曝光部位中，進行使對顯像液之溶解性變化的反應(例如酸催化劑反應)。在第二保護膜PF2中促進交聯反應等，可提升第二保護膜PF2的強度。
其次，控制器900，係執行步驟S63。在步驟S63中，搬送控制部911以從熱處理單元U41搬出晶圓W而搬入至檢查單元U42的方式，控制搬送臂A3。
其次，控制器900，係執行步驟S64。在步驟S64中，顯像控制部922以取得被形成於晶圓W之周緣部Wc的第二保護膜PF2之圖像資訊的方式，控制檢查單元U42，並根據藉由檢查單元U42所取得之圖像資訊，判定第二保護膜PF2的形成狀態是否正常。
其次，控制器900，係執行步驟S65。在步驟S65中，搬送控制部911以從檢查單元U42搬出晶圓W而搬入至液處理單元U43的方式，控制搬送臂A3，並以保持該晶圓W的方式，控制旋轉保持部510。
其次，控制器900，係執行步驟S66。在步驟S66中，顯像控制部922以開始晶圓W之旋轉的方式，控制旋轉保持部510。
其次，控制器900，係執行步驟S67。在步驟S67中，顯像控制部922以將噴嘴521配置於藉由旋轉保持部510所保持之晶圓W的旋轉中心之上方的方式，控制噴嘴位置調節部540，其後，以將閥523開啟且開始自噴嘴521吐出顯像液DL1的方式，控制液供給部520(參閱圖24(a))。藉此，顯像液DL1被供給至光阻膜MF1，光阻膜MF1中之施予了曝光處理的部分及其他部分的任一方會溶解於顯像液DL1。其後，顯像控制部922，係以將閥523關閉且停止自噴嘴521吐出顯像液DL1的方式，控制液供給部520。
其次，控制器900，係執行步驟S68。在步驟S68中，顯像控制部922以將噴嘴531配置於藉由旋轉保持部510所保持之晶圓W的旋轉中心之上方的方式，控制噴嘴位置調節部540，其後，以將閥533開啟且開始自噴嘴531吐出沖洗液RL1的方式，控制液供給部530(參閱圖24(b))。藉此，沖洗液RL1被供給至光阻膜MF1而沖掉顯像液DL1及光阻膜MF1的溶解成分。其後，顯像控制部922，係以將閥533關閉且停止自噴嘴531吐出沖洗液RL1的方式，控制液供給部530。
在沖洗液RL1的吐出被停止後，有金屬成分M殘留於第二保護膜PF2的情形(參閱圖25(a))。亦有如下述之情形：在第二保護膜PF2的表層，形成有第二保護膜PF2之成分與金屬成分M鍵結的混合層。
其次，控制器900，係執行步驟S69。在步驟S69中，洗淨控制部923以將噴嘴611配置於藉由旋轉保持部510所保持之晶圓W的周緣部Wc之上方的方式，控制噴嘴位置調節部630，其後，以將閥614，615開啟且開始自噴嘴611，612吐出第四洗淨液CS4的方式，控制液供給部610(參閱圖24(c))。藉此，第四洗淨液CS4從上下被供給至旋轉中之晶圓W的周緣部Wc，去除附著於第二保護膜PF2之金屬成分M(參閱圖25(b))。其後，洗淨控制部923，係以將閥614，615關閉且停止自噴嘴611，612吐出第四洗淨液CS4的方式，控制液供給部610。
其次，控制器900，係執行步驟S70。在步驟S70中，保護膜去除控制部924以將噴嘴621配置於藉由旋轉保持部510所保持之晶圓W的周緣部Wc之上方的方式，控制噴嘴位置調節部630，其後，以將閥624，625開啟且開始自噴嘴621，622吐出第五洗淨液CS5的方式，控制液供給部620(參閱圖24(d))。藉此，第五洗淨液CS5從上下被供給至旋轉中之晶圓W的周緣部Wc，去除保護液PL2(參閱圖25(c))。其後，保護膜去除控制部924，係以將閥624，625關閉且停止自噴嘴621，622吐出第五洗淨液CS5的方式，控制液供給部620。
其次，控制器900，係執行步驟S71。在步驟S71中，保護膜去除控制部924以使旋轉保持部510所致之晶圓W的旋轉繼續，等待第五洗淨液CS5的飛散及揮發。
其次，控制器900，係執行步驟S72。在步驟S72中，保護膜去除控制部924以使晶圓W之旋轉停止的方式，控制旋轉保持部510。
其次，控制器900，係執行步驟S73。在步驟S73中，搬送控制部911以從液處理單元U43搬出晶圓W的方式，控制搬送臂A3，並以將該晶圓W搬入至載體C的方式，控制收授臂A1。
[本實施形態之效果] 如以上說明般，塗佈・顯像裝置2，係具備有：第一保護處理部U01，在晶圓W之周緣部Wc形成第一保護膜PF1；成膜部U02，在晶圓W之表面Wa形成含有金屬的光阻膜MF1；第一洗淨處理部U03，對形成有光阻膜MF1之晶圓W的周緣部Wc進行洗淨處理；及控制部U08。控制器U08，係被構成為執行如下述步驟：以在晶圓W之周緣部Wc形成第一保護膜PF1的方式，控制第一保護處理部U01；以在形成有第一保護膜PF1之晶圓W的表面Wa形成光阻膜MF1的方式，控制成膜部U02；以對形成有光阻膜MF1之晶圓W的周緣部Wc供給用以去除光阻膜MF1之第一洗淨液CS1的方式，控制第一洗淨處理部U03；在第一洗淨液CS1被供給至晶圓W的周緣部Wc後，以對該周緣部Wc供給用以去除金屬成分之第二洗淨液CS2的方式，控制第一洗淨處理部U03；及在第二洗淨液CS2被供給至晶圓W的周緣部Wc後，以對該周緣部Wc供給用以去除第一保護膜PF1之第三洗淨液CS3的方式，控制第一洗淨處理部U03。
根據塗佈・顯像裝置2，在將第一保護膜PF1形成於晶圓W之周緣部Wc的狀態下，在晶圓W之表面Wa形成光阻膜MF1，藉此，防止金屬成分附著於晶圓W之周緣部Wc。由於在去除光阻膜MF1之周緣部分後，係藉由去除第一保護膜PF1的方式，也一起去除殘留於第一保護膜PF1的金屬成分，因此，期待可充分抑制晶圓W的周緣部Wc中之金屬成分的殘留。
然而，本案發明者等，係發現了即便在去除第一保護膜PF1後，金屬成分亦可能殘留於晶圓W之周緣部Wc的情形。作為產生這樣的現象之要因，係認為在去除第一保護膜PF1的過程中，殘留於第一保護膜PF1的表面之金屬成分的一部分會附著於基板之周緣部。作為在第一保護膜PF1之去除後亦殘留之金屬成分的解決對策，雖考慮在去除第一保護膜PF1後，進一步洗淨晶圓W之周緣部Wc，但因暴露於顯示出對金屬成分之高洗淨性的藥液 ，而恐有晶圓W被侵蝕之虞。
對此，根據塗佈・顯像裝置2，在供給用以去除第一保護膜PF1的第三洗淨液CS3之前，執行用以去除金屬成分之第二洗淨液CS2的供給。藉由第二洗淨液CS2之供給，殘留於第一保護膜PF1之金屬成分的大部分會被去除。此時，由於晶圓W之周緣部Wc，係藉由第一保護膜PF1所保護，因此，第二洗淨液CS2所致之晶圓W的侵蝕被抑制。在第三洗淨液CS3的供給之前供給第二洗淨液CS2，藉此，在大幅削減殘留於第一保護膜PF1之金屬成分的狀態下，第一保護膜PF1被去除。因此，在去除第一保護膜PF1後，亦大幅削減殘留於晶圓W之周緣部Wc的金屬成分。因此，可抑制伴隨著利用含有金屬之光阻膜MF1而發生的金屬污染。
第二洗淨液CS2，係亦可具有比第一洗淨液CS1及第三洗淨液CS3更強的酸性。在該情況下，在第一保護膜PF1的去除之前，可去除大部分的金屬成分。
控制器900，係亦可被構成為更執行如下述步驟：在第二洗淨液CS2被供給至晶圓W的周緣部Wc後，第三洗淨液CS3被供給至該周緣部Wc之前，以對該周緣部Wc供給第一洗淨液CS1的方式，控制第一洗淨處理部U03。在該情況下，藉由第一洗淨液CS1的供給，去除第二洗淨液CS2之殘留成分，藉此，在第一保護膜PF1的去除後，可更削減殘留於晶圓W之周緣部Wc的物質。
塗佈・顯像裝置2，係亦可更具備有：熱處理部U04，對光阻膜MF1進行加熱。控制器900，係亦可被構成為更執行如下述步驟：在第一洗淨液CS1被供給至形成有光阻膜MF1之晶圓W的周緣部Wc後，第三洗淨液CS3被供給至該周緣部Wc之前，以對該晶圓W之光阻膜MF1進行加熱的方式，控制熱處理部U04。在該情況下，光阻膜MF1之強度藉由光阻膜MF1的加熱而提升。在藉由加熱提升光阻膜MF1的強度之前，對晶圓W之周緣部Wc供給第一洗淨液CS1，藉此，可輕易進行該周緣部的去除。在第三洗淨液CS3的供給之前，藉由加熱來使光阻膜MF1的強度提升，藉此，可更確實地抑制第三洗淨液CS3的供給中之金屬成分自光阻膜MF1的溶出。因此，可更確實地削減殘留於晶圓W之周緣部Wc的金屬成分。
塗佈・顯像裝置2，係亦可更具備有：第二保護處理部U07，在晶圓W之周緣部Wc形成第二保護膜PF2；顯像處理部U05，進行光阻膜MF1之顯像處理；及第二洗淨處理部U06，對已進行了光阻膜MF1之顯像處理的晶圓W之周緣部Wc進行洗淨處理。控制器900，係亦可被構成為執行如下述步驟：在第三洗淨液CS3被供至晶圓W的周緣部Wc後，以在該周緣部Wc形成第二保護膜PF2的方式，控制第二保護處理部U07；以在形成有第二保護膜PF2之晶圓W的光阻膜MF1進行顯像處理的方式，控制顯像處理部U05；以對進行了光阻膜MF1之顯像處理的晶圓W之周緣部Wc供給用以去除金屬成分之第四洗淨液CS4的方式，控制第二洗淨處理部U06；及在第四洗淨液CS4被供給至晶圓W的周緣部Wc後，以對該周緣部Wc供給用以去除第二保護膜PF2之第五洗淨液CS5的方式，控制第二洗淨處理部U06。在該情況下，在光阻膜MF1的顯像處理階段中，亦執行與光阻膜MF1的形成階段中之第一保護膜PF1的形成、第二洗淨液CS2所致之金屬成分的去除及第三洗淨液CS3所致之第一保護膜PF1的去除相同之程序，藉此，可更確實地削減殘留於晶圓W之周緣部Wc的金屬成分。
以上，雖說明了實施形態，但本發明並不一定限定於上述之實施形態，在不脫離其要旨的範圍下可進行各種變更。
保護處理部100之構成，係不限定於從上下對晶圓W之周緣部Wc供給保護液PL1的構成。例如，保護處理部100，係亦可被構成為從噴嘴121供給保護液PL1，並從噴嘴122供給與保護液PL1不同的有機溶劑OS1。如圖26(a)及(b)所示，控制部U08，係亦可在以從噴嘴122供給有機溶劑OS1的方式，控制液供給部120後，以從噴嘴121供給保護液PL1的方式，控制液供給部120。在該情況下，被塗佈於周緣部Wc之下側的有機溶劑OS1作為誘因而發揮作用，從上方所供給的保護液PL1亦被引導至周緣部Wc之下側(參閱圖26(c)及(d))。藉此，可藉由第一保護膜PF1保護周緣部Wc的上下，而不從噴嘴121，122兩者供給保護液PL1。關於保護處理部700之構成及控制程序，亦可進行相同的變形。
控制部U08，係亦可被構成為執行如下述步驟：在第一洗淨液CS1被供給至形成有光阻膜MF1之晶圓W的周緣部Wc後，第二洗淨液CS2被供給至該周緣部Wc之前，以對該晶圓W之光阻膜MF1進行加熱的方式，控制熱處理部U04。在該情況下，用以供給第二洗淨液CS2之液供給部320，係亦可被設置於液處理單元U31的洗淨處理部400。洗淨處理部400，係亦可被構成為藉由噴嘴位置調節部430來使噴嘴321移動，或亦可具有與噴嘴位置調節部430不同之噴嘴321用的噴嘴位置調節部。
根據「在第一洗淨液CS1被供給至形成有光阻膜MF1之晶圓W的周緣部Wc後，第二洗淨液CS2被供給至該周緣部Wc之前，對該晶圓W之光阻膜MF1進行加熱」的構成，在第二洗淨液CS2的供給之前，藉由加熱來使光阻膜MF1的強度提升，藉此，可更確實地抑制第二洗淨液CS2的供給中之金屬成分自光阻膜MF1的溶出。因此，可更確實地削減殘留於晶圓W之周緣部Wc的金屬成分。
控制部U08，係亦可被構成為執行如下述步驟：在第三洗淨液CS3被供給至晶圓W的周緣部Wc後，以對該晶圓W之光阻膜MF1進行加熱的方式，控制熱處理部U04。在該情況下，用以供給第三洗淨液CS3之液供給部420，係亦可被設置於液處理單元U21的洗淨處理部300。以此為前提，塗佈・顯像裝置2，係亦可具有液處理單元U31。洗淨處理部300，係亦可被構成為藉由噴嘴位置調節部330來使噴嘴421移動，或亦可具有與噴嘴位置調節部330不同之噴嘴421用的噴嘴位置調節部。
根據「在第三洗淨液CS3被供給至晶圓W的周緣部Wc後，對該晶圓W之光阻膜MF1進行加熱」的構成，在對光阻膜MF1進行加熱的工程之前，集中執行將光阻膜MF1之不要部分去除的工程，藉此，可達成基板處理之效率化。
控制部U08，係亦可被構成為執行如下述步驟：在第二洗淨液CS2被供給至晶圓W的周緣部Wc後，第三洗淨液CS3被供給至晶圓W的周緣部Wc之前，以進行該晶圓W的周緣部Wc之顯像處理的方式，控制顯像處理部U05；及在第三洗淨液CS3被供給至進行了周緣部Wc之顯像處理之晶圓W的周緣部Wc之前，以對該周緣部Wc供給用以去除金屬成分之第四洗淨液CS4的方式，控制第二洗淨處理部U06。在該情況下，在顯像處理部500，係亦可設置液供給部420以代替液供給部620。以此為前提，塗佈・顯像裝置2，係亦可具有液處理單元U31及液處理單元U53。
根據「在第二洗淨液CS2被供給至晶圓W的周緣部Wc後，第三洗淨液CS3被供給至晶圓W的周緣部Wc之前，進行該晶圓W的周緣部Wc之顯像處理，並在第三洗淨液CS3被供給至進行了周緣部Wc之顯像處理之晶圓W的周緣部Wc之前，對該周緣部Wc供給第四洗淨液CS4」的構成，在光阻膜MF1的形成階段與光阻膜MF1的顯像處理階段中共用第一保護膜PF1，藉此，可達成基板處理的效率化。
在可藉由第二洗淨液CS2去除光阻膜MF1之周緣部的情況下，控制部U08，係亦可被構成為不執行如下述步驟：在第二洗淨液CS2被供給至形成有光阻膜MF1之晶圓W的周緣部Wc之前，以供給第一洗淨液CS1的方式，控制第一洗淨處理部U03。在該情況下，洗淨處理部300，係亦可不具有用以供給第一洗淨液CS1的液供給部310。
根據像這樣的構成，可進行基板處理之更效率化。另外，在第二洗淨液CS2被供給至形成有光阻膜MF1之晶圓W的周緣部Wc之前，不供給第一洗淨液CS1的構成，係一般情況下如末尾附記所示。
光阻膜MF1的形成階段中之第一保護膜PF1的形成、第二洗淨液CS2所致之金屬成分的去除及第三洗淨液CS3所致之第一保護膜PF1的去除，係亦可應用於形成光阻膜MF1的其他被膜。作為光阻膜MF1的其他被膜，係例如可列舉出含有金屬之硬遮罩(金屬硬遮罩)等。作為處理對象之基板，係不限於半導體晶圓，亦可為例如玻璃基板、遮罩基板、FPD(Flat Panel Display)等。
(附記1) 一種基板處理裝置，係具備有： 第一保護處理部，在基板之周緣部形成第一保護膜； 成膜部，在前述基板之表面形成含有金屬的被膜； 第一洗淨處理部，對形成有前述被膜之前述基板的周緣部進行洗淨處理；及 控制部， 前述控制部，係被構成為執行如下述步驟： 以在前述基板之周緣部形成前述第一保護膜的方式，控制前述第一保護處理部； 以在形成有前述第一保護膜之前述基板的表面形成前述被膜的方式，控制前述成膜部； 以對形成有前述被膜之前述基板的周緣部供給用以去除金屬成分之第一藥液的方式，控制前述第一洗淨處理部；及 在第二藥液被供給至前述基板的周緣部後，以對該周緣部供給用以去除前述第一保護膜之第三藥液的方式，控制前述第一洗淨處理部。 (附記2) 如附記1之基板處理裝置，其中， 前述第一藥液，係具有比前述第二藥液更強的酸性。 (附記3) 如附記1或2之基板處理裝置，其中， 前述控制部，係被構成為更執行如下述步驟： 在前述第一藥液被供給至前述基板的周緣部後，前述第二藥液被供給至該周緣部之前，以對該周緣部供給用以去除前述第一藥液的殘留成分之第三藥液的方式，控制前述第一洗淨處理部。 (附記4) 如附記1~3中任一項之基板處理裝置，其中，更具備有： 熱處理部，對前述被膜進行加熱， 前述控制部，係被構成為更執行如下述步驟： 在前述第一藥液被供給至形成有前述被膜之前述基板的周緣部後，前述第二藥液被供給至該周緣部之前，以對該基板之前述被膜進行加熱的方式，控制前述熱處理部。 (附記5) 如附記1~3中任一項之基板處理裝置，其中，更具備有： 熱處理部，對前述被膜進行加熱， 前述控制部，係被構成為更執行如下述步驟： 在前述第二藥液被供給至前述基板的周緣部後，以對該基板之前述被膜進行加熱的方式，控制前述熱處理部。 (附記6) 如附記1~5中任一項之基板處理裝置，其中，更具備有： 第二保護處理部，在前述基板之周緣部形成第二保護膜； 顯像處理部，進行前述被膜之顯像處理；及 第二洗淨處理部，對已進行了前述被膜之顯像處理的前述基板之周緣部進行洗淨處理， 前述控制部，係被構成為更執行如下述步驟： 在前述第二藥液被供給至前述基板的周緣部後，以在該周緣部形成前述第二保護膜的方式，控制前述第二保護處理部； 以在形成有前述第二保護膜之前述基板的前述被膜進行顯像處理的方式，控制前述顯像處理部； 以對進行了前述被膜之顯像處理之前述基板的周緣部供給用以去除金屬成分之第三藥液的方式，控制前述第二洗淨處理部；及 在前述第三藥液被供給至前述基板的周緣部後，以對該周緣部供給用以去除前述第二保護膜之第四藥液的方式，控制前述第二洗淨處理部。 (附記7) 如附記1~5中任一項之基板處理裝置，其中，更具備有： 顯像處理部，進行前述被膜之顯像處理；及 第二洗淨處理部，對已進行了前述被膜之顯像處理的前述基板之周緣部進行洗淨處理， 前述控制部，係被構成為更執行如下述步驟： 在前述第一藥液被供給至前述基板的周緣部後，前述第二藥液被供給至前述基板的周緣部之前，以進行該基板之前述被膜的顯像處理之方式，控制前述顯像處理部；及 在前述第二藥液被供給至進行了前述被膜之顯像處理的前述基板之周緣部之前，以對該周緣部供給用以去除金屬成分之第三藥液的方式，控制前述第二洗淨處理部。 [實施例]
以下，雖說明關於實施例，但本發明並非限定於實施例。
[試樣製作] (實施例1) 藉由以下程序，將在晶圓W形成光阻膜MF1者作為實施例1的試樣。首先，執行上述之步驟S11~S19，藉此，在晶圓W之周緣部Wc形成第一保護膜PF1。在步驟S17中，係以設定溫度350℃來對第一保護膜PF1進行加熱。其次，執行上述之步驟S21~S31，藉此，在晶圓W之表面Wa進行了光阻膜MF1的形成、光阻膜MF1之周緣部的去除、周緣部Wc的洗淨及光阻膜MF1的加熱。其次，執行上述之步驟S41~S45，藉此，去除了第一保護膜PF1。
(比較例1) 藉由以下程序，將在晶圓W形成光阻膜MF1者作為比較例1的試樣。首先，執行上述之步驟S11~S19，藉此，在晶圓W之周緣部Wc形成第一保護膜PF1。在步驟S17中，係以設定溫度250℃來對第一保護膜PF1進行加熱。其次，執行跳過上述之步驟S21~S31中之步驟S26，S27的程序，藉此，在晶圓W之表面Wa進行了光阻膜MF1的形成、光阻膜MF1之周緣部的去除。其次，執行上述之步驟S41~S45，藉此，去除了第一保護膜PF1。
(比較例2) 除了將步驟S17中之設定溫度從250℃變更為350℃以外，係藉由與比較例1相同的程序，在晶圓W形成光阻膜MF1，以作為比較例2的試樣。
(比較例3) 藉由與比較例2相同的程序，在將光阻膜MF1形成於晶圓W後，將在該晶圓W進行了步驟S26，S27者作為比較例3的試樣。亦即，比較例3之試樣，係在第一保護膜PF1的去除後，藉由第二洗淨液CS2及第一洗淨液CS1來洗淨周緣部Wc者。
[金屬成分之殘留量的評估] 在水平型基板檢測裝置，以酸來使晶圓W之周緣部Wc的最外表面與液體接觸，並將藉由液體接觸所獲得的液體全量回收，以作為測定試液。藉由感應耦合電漿質譜分析法(ICP-MS)來測定出該測定試液。將測定所獲得之質量轉換成原子數，並除以接液的面積，藉此，換算成每一單位面積的原子數。
[金屬成分之殘留量的評估結果] 如圖27所示，在比較例1中，殘留於每1平方公分之金屬原子的個數為2.7×1012 個。對此，在比較例2中，殘留於每1平方公分之金屬原子的個數為4.7×1010 個，相對於比較例1削減至約57分之1。從該結果確認到，藉由在光阻膜MF1的形成前，形成第一保護膜PF1，其後，去除第一保護膜PF1的方式，可大幅地削減殘留於周緣部Wc之金屬成分。
在比較例3中，殘留於每1平方公分之金屬原子的個數為7.1×109 個，相對於比較例2削減至約7分之1。從該結果確認到，藉由提高第一保護膜PF1之加熱溫度而提高第一保護膜PF1之強度的方式，可大幅地削減殘留於周緣部Wc之金屬成分。
在比較例4中，殘留於每1平方公分之金屬原子的個數為5.1×109 個，相對於比較例3無法獲得金屬成分之大幅的削減效果。在實施例1中，殘留於每1平方公分之金屬原子的個數為1.5×109 個，相對於比較例3削減至約5分之1。從該些結果確認到，相較於在第一保護膜PF1的去除後進行第二洗淨液CS2所致之洗淨的情形，在第一保護膜PF1的去除前進行第二洗淨液CS2所致之洗淨者可大幅削減金屬成分。
2‧‧‧塗佈/顯像裝置(基板處理裝置) U01‧‧‧第一保護處理部 U02‧‧‧成膜部 U03‧‧‧第一洗淨處理部 U04‧‧‧熱處理部 U05‧‧‧顯像處理部 U07‧‧‧第二保護處理部 U06‧‧‧第二洗淨處理部 U08‧‧‧控制部 W‧‧‧晶圓(基板) Wa‧‧‧表面 Wc‧‧‧周緣部
[圖1] 表示基板處理系統之概略構成的立體圖。 [圖2] 以圖2中之II-II線所示的剖面圖。 [圖3] 保護膜形成用之液處理單元的示意圖。 [圖4] 成膜・洗淨用之液處理單元的示意圖。 [圖5] 保護膜去除用之液處理單元的示意圖。 [圖6] 保護膜形成用之液處理單元的示意圖。 [圖7] 顯像・洗淨用之液處理單元的示意圖。 [圖8] 表示控制部之功能性構成的方塊圖。 [圖9] 表示控制部之硬體構成的方塊圖。 [圖10] 表示基板處理程序的流程圖。 [圖11] 表示保護膜形成程序的流程圖。 [圖12] 表示保護膜形成中之液處理單元的示意圖。 [圖13] 表示保護膜形成後之晶圓周緣部的示意圖。 [圖14] 表示成膜・洗淨程序的流程圖。 [圖15] 表示成膜・洗淨中之液處理單元的示意圖。 [圖16] 表示成膜・洗淨中之晶圓周緣部的示意圖。 [圖17] 表示保護膜去除程序的流程圖。 [圖18] 表示保護膜去除中之液處理單元的示意圖。 [圖19] 表示保護膜去除後之晶圓周緣部的示意圖。 [圖20] 表示保護膜形成程序的流程圖。 [圖21] 表示保護膜形成中之液處理單元的示意圖。 [圖22] 表示保護膜形成後之晶圓周緣部的示意圖。 [圖23] 表示顯像・洗淨・保護膜去除程序的流程圖。 [圖24] 表示顯像・洗淨・保護膜去除中之液處理單元的示意圖。 [圖25] 表示顯像・洗淨・保護膜去除中之晶圓周緣部的示意圖。 [圖26] 表示保護膜形成程序之變形例的示意圖。 [圖27] 表示金屬成分之殘留量之比較結果的圖表。
A1‧‧‧收授臂
A3‧‧‧搬送臂
A7‧‧‧升降臂
A8‧‧‧收授臂
U11‧‧‧液處理單元
U12‧‧‧熱處理單元
U13‧‧‧檢查單元
U21‧‧‧液處理單元
U31‧‧‧液處理單元
U41‧‧‧熱處理單元
U42‧‧‧檢查單元
U43‧‧‧液處理單元
U51‧‧‧背面洗淨單元
U52‧‧‧背面檢查單元
U53‧‧‧液處理單元
U01，100‧‧‧保護処理部
U02，200‧‧‧成膜部
U03，300‧‧‧洗淨處理部
U03，400‧‧‧洗淨處理部
U05，500‧‧‧顯像處理部
U06，600‧‧‧洗淨處理部
U07，700‧‧‧保護処理部
U08，900‧‧‧控制部
U22，U04‧‧‧熱處理單元
911‧‧‧搬送控制部
912‧‧‧第一保護控制部
913‧‧‧成膜控制部
914‧‧‧周緣去除控制部
915‧‧‧洗淨控制部
916‧‧‧洗淨控制部
917‧‧‧加熱控制部
918‧‧‧保護膜去除控制部
919‧‧‧進出控制部
920‧‧‧第二保護控制部
921‧‧‧加熱控制部
922‧‧‧顯像控制部
923‧‧‧洗淨控制部
924‧‧‧保護膜去除控制部

Claims (15)

  1. 一種基板處理裝置，係具備有： 第一保護處理部，在基板之周緣部形成第一保護膜； 成膜部，在前述基板之表面形成含有金屬的被膜； 第一洗淨處理部，對形成有前述被膜之前述基板的周緣部進行洗淨處理；及 控制部， 前述控制部，係被構成為執行如下述步驟： 以在前述基板之周緣部形成前述第一保護膜的方式，控制前述第一保護處理部； 以在形成有前述第一保護膜之前述基板的表面形成前述被膜的方式，控制前述成膜部； 以對在其表面形成有前述被膜之前述基板的周緣部供給「用以去除前述被膜之周緣部並去除殘留於前述保護膜之金屬成分」之第一藥液的方式，控制前述第一洗淨處理部；及 在前述第一藥液被供給至前述基板的周緣部後，以對該周緣部供給用以去除前述第一保護膜之第二藥液的方式，控制前述第一洗淨處理部。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中， 前述第一藥液，係具有比前述第二藥液更強的酸性。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中， 前述控制部，係被構成為更執行如下述步驟： 在前述第一藥液被供給至前述基板的周緣部後，前述第二藥液被供給至該周緣部之前，以對該周緣部供給用以去除前述第一藥液之殘留成分之第三藥液的方式，控制前述第一洗淨處理部。
  4. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之基板處理裝置，其中，更具備有： 熱處理部，對前述被膜進行加熱， 前述控制部，係被構成為更執行如下述步驟： 在前述第一藥液被供給至形成有前述被膜之前述基板的周緣部後，前述第二藥液被供給至該周緣部之前，以對該基板之前述被膜進行加熱的方式，控制前述熱處理部。
  5. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之基板處理裝置，其中，更具備有： 熱處理部，對前述被膜進行加熱， 前述控制部，係被構成為更執行如下述步驟： 在前述第二藥液被供給至前述基板的周緣部後，以對該基板之前述被膜進行加熱的方式，控制前述熱處理部。
  6. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之基板處理裝置，其中，更具備有： 第二保護處理部，在前述基板之周緣部形成第二保護膜； 顯像處理部，進行前述被膜之顯像處理；及 第二洗淨處理部，對已進行了前述被膜之顯像處理的前述基板之周緣部進行洗淨處理， 前述控制部，係被構成為更執行如下述步驟： 在前述第二藥液被供給至前述基板的周緣部後，以在該周緣部形成前述第二保護膜的方式，控制前述第二保護處理部； 以在形成有前述第二保護膜之前述基板的前述被膜進行顯像處理的方式，控制前述顯像處理部； 以對進行了前述被膜之顯像處理之前述基板的周緣部供給用以去除金屬成分之第四藥液的方式，控制前述第二洗淨處理部；及 在前述第四藥液被供給至前述基板的周緣部後，以對該周緣部供給用以去除前述第二保護膜之第五藥液的方式，控制前述第二洗淨處理部。
  7. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之基板處理裝置，其中，更具備有： 顯像處理部，進行前述被膜之顯像處理；及 第二洗淨處理部，對已進行了前述被膜之顯像處理的前述基板之周緣部進行洗淨處理， 前述控制部，係被構成為更執行如下述步驟： 在前述第一藥液被供給至前述基板的周緣部後，前述第二藥液被供給至前述基板的周緣部之前，以進行該基板之前述被膜的顯像處理之方式，控制前述顯像處理部；及 在前述第二藥液被供給至進行了前述被膜之顯像處理的前述基板之周緣部之前，以對該周緣部供給用以去除金屬成分之第四藥液的方式，控制前述第二洗淨處理部。
  8. 一種基板處理方法，係包含有如下述步驟：： 在基板之周緣部形成第一保護膜； 在形成有前述第一保護膜之前述基板的表面形成含有金屬的被膜； 對形成有前述被膜之前述基板的周緣部供給「用以去除前述被膜之周緣部並去除殘留於前述保護膜之金屬成分」的第一藥液；及 在前述第一藥液被供給至前述基板的周緣部後，對該周緣部供給用以去除前述第一保護膜的第二藥液。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理方法，其中， 前述第一藥液，係具有比前述第二藥液更強的酸性。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理方法，其中，更包含有如下述步驟： 在前述第一藥液被供給至前述基板的周緣部後，前述第二藥液被供給至該周緣部之前，對該周緣部供給用以去除前述第一藥液之殘留成分的第三藥液。
  11. 如申請專利範圍第8~10項中任一項之基板處理方法，其中，更包含有如下述步驟： 在前述第一藥液被供給至形成有前述被膜之前述基板的周緣部後，前述第二藥液被供給至該周緣部之前，對該基板之前述被膜進行加熱。
  12. 如申請專利範圍第8~10項中任一項之基板處理方法，其中，更包含有如下述步驟： 在前述第二藥液被供給至前述基板的周緣部後，對該基板之前述被膜進行加熱。
  13. 如申請專利範圍第8~10項中任一項之基板處理方法，其中，被構成為更執行如下述步驟： 在前述第二藥液被供給至前述基板的周緣部後，在該周緣部形成第二保護膜； 在形成有前述第二保護膜之前述基板的前述被膜進行顯像處理； 對進行了前述被膜之顯像處理的前述基板之周緣部供給用以去除金屬成分的第四藥液；及 在前述第四藥液被供給至前述基板的周緣部後，對該周緣部供給用以去除前述第二保護膜的第五藥液。
  14. 如申請專利範圍第8~10項中任一項之基板處理方法，其中，被構成為更執行如下述步驟： 在前述第一藥液被供給至前述基板的周緣部後，前述第二藥液被供給至前述基板的周緣部之前，進行該基板之前述被膜的顯像處理；及 在前述第二藥液被供給至進行了前述被膜之顯像處理之前述基板的周緣部之前，對該周緣部供給用以去除金屬成分的第四藥液。
  15. 一種電腦可讀取之記憶媒體，係記錄有用以使裝置執行如申請專利範圍第8~14項中任一項之基板處理方法的程式。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7160624B2 (ja) * 2018-10-17 2022-10-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US12099305B2 (en) * 2019-07-08 2024-09-24 Merck Patent Gmbh Rinse and method of use thereof for removing edge protection layers and residual metal hardmask components
TWI739201B (zh) * 2019-11-08 2021-09-11 辛耘企業股份有限公司 基板濕處理裝置及基板清洗方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060165409A1 (en) * 2005-01-21 2006-07-27 Tokyo Electron Limited Coating and developing system and coating and developing method
US20080118861A1 (en) * 2006-11-21 2008-05-22 Tokyo Electron Limited Film forming method, film forming apparatus and pattern forming method
US8985880B2 (en) * 2010-07-09 2015-03-24 Tokyo Electron Limited Coating and developing apparatus and method

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6114254A (en) * 1996-10-15 2000-09-05 Micron Technology, Inc. Method for removing contaminants from a semiconductor wafer
TW466561B (en) * 1999-10-06 2001-12-01 Ebara Corp Method and apparatus for cleaning substrates
JP2005060722A (ja) * 2003-08-08 2005-03-10 Ebara Corp 基板処理方法及び基板処理装置
JP2005174961A (ja) * 2003-12-05 2005-06-30 Ebara Corp 基板処理方法及び装置
US7267497B2 (en) * 2005-01-21 2007-09-11 Tokyo Electron Limited Coating and developing system and coating and developing method
JP4955976B2 (ja) * 2005-01-21 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4096947B2 (ja) * 2005-01-26 2008-06-04 セイコーエプソン株式会社 絶縁化処理前基板、および基板の製造方法
JP4797662B2 (ja) * 2006-02-03 2011-10-19 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像方法、塗布、現像装置及び記憶媒体
JP2008060302A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Sokudo:Kk 基板処理装置
US9176377B2 (en) 2010-06-01 2015-11-03 Inpria Corporation Patterned inorganic layers, radiation based patterning compositions and corresponding methods
JP5338757B2 (ja) * 2010-07-09 2013-11-13 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP5841389B2 (ja) * 2011-09-29 2016-01-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理方法
JP5988438B2 (ja) * 2012-08-02 2016-09-07 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法及び塗布処理装置
JP6618334B2 (ja) * 2015-06-03 2019-12-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法
JP6436068B2 (ja) * 2015-11-19 2018-12-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP2017098367A (ja) * 2015-11-20 2017-06-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
JP6439766B2 (ja) * 2016-09-23 2018-12-19 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像方法及び塗布、現像装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060165409A1 (en) * 2005-01-21 2006-07-27 Tokyo Electron Limited Coating and developing system and coating and developing method
US20080118861A1 (en) * 2006-11-21 2008-05-22 Tokyo Electron Limited Film forming method, film forming apparatus and pattern forming method
US8985880B2 (en) * 2010-07-09 2015-03-24 Tokyo Electron Limited Coating and developing apparatus and method

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