JP4096947B2 - 絶縁化処理前基板、および基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、表面の導電性を有する部位の一部が絶縁化処理されるのを防ぐための保護膜を備えた絶縁化処理前基板、およびこの絶縁化処理前基板を絶縁化処理して行う基板の製造方法、弾性表面波振動子の製造方法、さらにはこの製造方法によって製造された弾性表面波振動子、弾性表面波装置、電子機器に関する。

弾性表面波（Surface Acoustic Wave、以下では「ＳＡＷ」と略すことがある）を電気的に駆動あるいは検出するために用いられる弾性表面波振動子は、水晶片などの圧電体の表面上に、アルミニウムなどの薄膜によって交差指電極（Interdigital transducer、以下では「ＩＤＴ」と略す）、反射器、導通パッドを形成して製造される。このような弾性表面波振動子においては、ＩＤＴの表面に導電性異物が付着すると、周波数が変動したり、安定した共振特性が得られなくなるなどの不具合が生じる。このため、ＩＤＴの表面は、絶縁物質で覆われていることが望ましい。一方、導通パッドは、外部配線を接続するための部位であるので、その表面は、絶縁物質で覆われずに導電性を保っていることが望ましい。

こうした要件を満たす弾性表面波振動子を製造するための技術として、特許文献１に示される技術が知られている。この技術は、フォトリソグラフィー法を利用した保護膜形成技術を含んでいる。具体的には、まず、アルミニウム薄膜からなるＩＤＴ、反射器、および導通パッドが形成された圧電体の表面全体にレジストを塗付する。次に、導通パッド上にのみ、後述の陽極酸化に対する保護膜としてのレジスト膜が残るように、レジストを現像する。続いてアルミニウム薄膜の表面全体を陽極酸化して酸化膜を形成し、最後に導通パッド上のレジスト膜を除去するという技術である。この技術によれば、ＩＤＴおよび反射器の表面は絶縁物質である酸化膜で覆われる一方、導通パッドの表面は、陽極酸化処理の際にレジスト膜によって保護されているので酸化膜が形成されず、アルミニウム薄膜が露出した状態となる。

近年ではさらに、保護膜としてのレジストを、インクジェット法によって導通パッド上にのみ選択的に付与する手法が提案されている。この手法によれば、レジストの使用量を削減することができる。また、レジストを現像する工程を省略できることからフォトマスクが不要であり、製造コストを抑えることができる。さらに、アルミニウム薄膜の表面がレジスト現像液によって劣化する不具合を回避することもできる。

特開平１１−３３０８８２号公報

しかしながら、インクジェット法によってレジストを付与すると、レジスト膜の厚さが不足してしまう傾向がある。特にレジスト膜の外縁部の厚さが不足すると、陽極酸化工程において、保護膜としてのレジスト膜が配置された領域にも一部酸化膜が形成されてしまうという課題がある。これは、レジスト膜の外縁部の厚さが不足することによって、レジスト膜の外周側から導通パッドとレジスト膜との界面に陽極酸化液が染み込んでしまうことが原因である。この課題は、インクジェット法によるレジストの付与を、レジスト膜が十分な厚さになるまで繰り返すことによって回避できるものの、今度は生産性が低下するという別の課題が生じる。

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、絶縁化処理に対して十分な強度を有する生産性の高い保護膜を備えた絶縁化処理前基板を提供することにある。また、本発明の目的の一つは、基体表面の導電部のうち所望の領域のみを絶縁化処理することが可能な基板の製造方法、弾性表面波振動子の製造方法を提供することにある。さらに、本発明の目的の一つは、高い信頼性を有する弾性表面波振動子、弾性表面波装置、および電子機器を提供することにある。

本発明による絶縁化処理前基板は、表面の導電性を有する部位の一部が絶縁化処理されるのを防ぐための保護膜を備えた絶縁化処理前基板であって、表面に導電性を有する部位を含む基体と、前記基体表面上に前記導電性を有する部位の一部を覆うように配置された、周状の外縁部が該周状の外縁部以外の領域に比べて相対的に厚い保護膜とを備えることを特徴とする。さらに、前記保護膜は、前記周状の外縁部の厚さが、該周状の外縁部以外の領域の厚さの２倍以上、かつ１０倍以下であることが望ましい。

上記構成によって得られる効果の一つは、前記保護膜が前記基体表面に施される絶縁化処理に対して十分な強度（密着強度）を有することである。

また、前記絶縁化処理前基板が備える前記保護膜の材料はレジストであってもよい。

上記構成によって得られる効果の一つは、前記保護膜が所定の手法を用いることで容易に剥離できることである。

本発明による基板の製造方法は、基体表面の導電性を有する部位の一部を除く領域を絶縁化処理することにより基板を製造する基板の製造方法であって、表面に導電性を有する部位を含む基体を加熱する第１の工程と、前記基体上に前記導電性を有する部位の一部を覆うように、液滴吐出装置を用いて機能液を付与する第２の工程と、前記機能液を乾燥させて、周状の外縁部が該周状の外縁部以外の領域に比べて相対的に厚い保護膜を表面に備えた絶縁化処理前基板を形成する第３の工程と、前記絶縁化処理前基板の表面に絶縁化処理を施す第４の工程と、前記保護膜を剥離する第５の工程とを含むことを特徴とする。第１の工程で基板を加熱することによって、機能液を周状の外縁部が厚くなるように乾燥させることができる。こうして形成された、周状の外縁部が厚い保護膜は、基体に対する密着強度が強いという特徴を有する。このため、本発明による基板の製造方法においては、絶縁化処理の際に保護膜と基体との間に絶縁化処理のための液体が染み込み難い。

また、本発明による基板の製造方法は、基体表面の導電性を有する部位の一部を除く領域を絶縁化処理することにより基板を製造する基板の製造方法であって、表面に導電性を有する部位を含む基体上に該導電性を有する部位の一部を覆うように、溶媒の沸点が１７０℃以上かつ２５０℃以下である機能液を液滴吐出装置を用いて付与する第１の工程と、前記機能液を乾燥させて、周状の外縁部が該周状の外縁部以外の領域に比べて相対的に厚い保護膜を表面に備えた絶縁化処理前基板を形成する第２の工程と、前記絶縁化処理前基板の表面に絶縁化処理を施す第３の工程と、前記保護膜を剥離する第４の工程とを含むことを特徴とする。また、前記第１の工程の前に、前記基体を加熱する工程を含んでいてもよい。溶媒の沸点が１７０℃以上かつ２５０℃以下である機能液は、乾燥時に周状の外縁部が厚くなる。こうして形成された、周状の外縁部が厚い保護膜は、基体に対する密着強度が強いという特徴を有する。このため、本発明による基板の製造方法においては、絶縁化処理の際に保護膜と基体との間に絶縁化処理のための液体が染み込み難い。

また、前記絶縁化処理は、陽極酸化法による処理を含んでいてもよい。

さらに、前記保護膜における前記周状の外縁部の厚さは、該周状の外縁部以外の領域の厚さの２倍以上、かつ１０倍以下であることが好ましい。

上記方法によって得られる効果の一つは、前記基体表面に施される絶縁化処理に対して十分な強度（密着強度）を有する生産性の高い保護膜を用いることによって、前記基体表面のうち所望の範囲のみが絶縁化処理された基板が容易に得られることである。

上述の基板の製造方法において前記基体を加熱する工程は、前記基体を３０℃以上、かつ１２０℃以下の温度に加熱することが好ましい。より望ましくは、前記基体を４０℃以上、かつ６０℃以下の温度に加熱する。基体を加熱する温度が３０℃以上であれば、保護膜の周状の外縁部の厚さが、該周状の外縁部以外の領域の厚さの２倍以上となり、また基体を加熱する温度が１２０℃以下であれば、保護膜の周状の外縁部の厚さが、該周状の外縁部以外の領域の厚さの１０倍以下となる。

上記方法によって得られる効果の一つは、前記保護膜が前記基体表面に施される絶縁化処理に対して十分な強度（密着強度）を有することである。

また、上述の基板の製造方法において用いる前記機能液は、レジストを含んでいてもよい。

上記方法によって得られる効果の一つは、前記保護膜が所定の手法を用いることで容易に剥離できることである。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。

（Ａ．弾性表面波振動子）
図６（ｃ）は、本発明による基板の製造方法を用いて製造される弾性表面波振動子の模式図であり、図８（ｅ）は、図６（ｃ）中のＢ−Ｂ線でこの弾性表面波振動子を切断したときの断面図である。弾性表面波振動子１は、水晶片１０と、アルミニウム薄膜からなる導通パッド２１、ＩＤＴ２２、および反射器２３と、アルミニウム酸化膜からなる絶縁層４０とからなる。ここで、図６（ｃ）中の斜線部は、絶縁層４０が形成された領域を示す。なお、導通パッド２１、ＩＤＴ２２、および反射器２３が、本発明における「基体表面の導電性を有する部位」に対応する。

水晶片１０は、水晶ウェハ５０（図５参照）を直方体状にカットして作られる圧電体である。水晶片１０の表面には、２つの櫛歯が互い違いに入り込んで向かい合わされたような形状をもつ一対のＩＤＴ２２が配置されている。ＩＤＴ２２には、これと一繋がりのアルミニウム薄膜で形成された導通パッド２１が接続されている。導通パッド２１は、外部配線（不図示）を接続するための部位である。導通パッド２１の大きさのオーダーは、一辺が数百μｍ程度であるのが一般的である。また、ＩＤＴ２２を挟むようにして一対の反射器２３が配置されている。反射器２３は、ＩＤＴ２２および導通パッド２１と同一のアルミニウム薄膜形成プロセスによって形成される。

外部配線から導通パッド２１を介してＩＤＴ２２に高周波信号を印加すると、電極間に電界が発生して弾性表面波が励振され、水晶片１０上を伝搬していく。この弾性表面波は反射器２３によって繰り返し反射され、水晶片１０上には弾性表面波の定常波が立つ。このように、弾性表面波振動子１は、弾性表面波の反射を利用して弾性表面波エネルギーを閉じ込める共振器として機能する。

上述の機構を有する弾性表面波振動子１は、ＩＤＴ２２の表面または反射器２３の表面に異物が付着すると、周波数が変動したり、安定した共振特性が得られなくなるなどの不具合が発生する。また、一対のＩＤＴ２２間が導電性異物によってショートすると、弾性表面波振動子としての機能自体が得られなくなる。これらの不具合を回避するために、ＩＤＴ２２の表面、反射器２３の表面、および導通パッド２１の表面の一部は、アルミニウム薄膜の表面を酸化することによって形成された絶縁層４０で覆われている。絶縁層４０は、ＩＤＴ２２の表面および反射器２３の表面を覆うことで、ＩＤＴ２２または反射器２３の配置された領域に導電性異物等が付着した際に上述の不具合が発生するのを防ぐ。

（Ｂ．製造装置）
図１を参照しながら、弾性表面波振動子１の製造に用いる製造装置２について説明する。以下では、表面にアルミニウム薄膜からなる導通パッド２１、ＩＤＴ２２、反射器２３、接続線５２、およびターミナル５３とを有する水晶ウェハ５０（図５参照）を「基体１１」と表記する。基体１１は、水晶ウェハ５０の表面に１２個のＳＡＷパターン５１が形成されてなる。ＳＡＷパターン５１のそれぞれは、導通パッド２１、ＩＤＴ２２、および反射器２３を含んでおり、１つのＳＡＷパターンが１つの弾性表面波振動子１に対応する。なお、本実施形態では、説明の便宜上ＳＡＷパターン５１の数を１２としたが、実際の基体１１は、水晶ウェハ５０の大きさおよび製造する弾性表面波振動子１の大きさに応じて、さらに多数のＳＡＷパターン５１を有するのが一般的である。

図１に示す製造装置２は、基体１１の表面の所定の領域に絶縁層４０を形成して、複数の弾性表面波振動子１を含む基板を製造するための装置である。製造装置２は、基体１１の表面を洗浄する洗浄装置３１０と、基体１１を加熱する加熱装置３２０と、基体１１の表面の所定の領域に液状の材料である保護材料３０Ａ（図８（ｂ）参照）を付与する液滴吐出装置３３０と、基体１１の表面上の保護材料３０Ａを乾燥させて保護膜３０を形成する乾燥装置３４０と、導通パッド２１およびＩＤＴ２２の表面を陽極酸化して、導通パッド２１およびＩＤＴ２２の表面のうち保護膜３０が形成されていない領域に絶縁層４０を形成する陽極酸化装置３５０と、保護膜３０を基体１１上から剥離する剥離装置３６０と、を備えている。

さらに製造装置２は、洗浄装置３１０、加熱装置３２０、液滴吐出装置３３０、乾燥装置３４０、陽極酸化装置３５０、剥離装置３６０、の順番に基体１１を搬送する搬送装置３００も備えている。

なお、保護材料３０Ａが、本発明における「機能液」に対応する。保護材料３０Ａは、後述する液状の材料１１１（図２、図３参照）の一種である。

（Ｃ．液滴吐出装置の全体構成）
次に、図２を用いて液滴吐出装置３３０の全体構成について説明する。図２に示す液滴吐出装置３３０は、基本的には液状の材料１１１（保護材料３０Ａ）を吐出するためのインクジェット装置である。より具体的には、液滴吐出装置３３０は、液状の材料１１１を保持するタンク１０１と、チューブ１１０と、グランドステージＧＳと、吐出ヘッド部１０３と、ステージ１０６と、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、制御部１１２と、支持部１０４ａと、を備えている。

吐出ヘッド部１０３は、ヘッド１１４（図３参照）を保持している。このヘッド１１４は、制御部１１２からの信号に応じて、液状の材料１１１の液滴を吐出する。なお、吐出ヘッド部１０３におけるヘッド１１４は、チューブ１１０によってタンク１０１に連結されており、このため、タンク１０１からヘッド１１４に液状の材料１１１が供給される。

ステージ１０６は基体１１を固定するための平面を提供している。さらにステージ１０６は、吸引力を用いて基体１１の位置を固定する機能も有する。

第１位置制御装置１０４は、支持部１０４ａによって、グランドステージＧＳから所定の高さの位置に固定されている。この第１位置制御装置１０４は、制御部１１２からの信号に応じて、吐出ヘッド部１０３をＸ軸方向と、Ｘ軸方向に直交するＺ軸方向と、に沿って移動させる機能を有する。さらに、第１位置制御装置１０４は、Ｚ軸に平行な軸の回りで吐出ヘッド部１０３を回転させる機能も有する。ここで、本実施形態では、Ｚ軸方向は、鉛直方向（つまり重力加速度の方向）に平行な方向である。

第２位置制御装置１０８は、制御部１１２からの信号に応じて、ステージ１０６をグランドステージＧＳ上でＹ軸方向に移動させる。ここで、Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向およびＺ軸方向の双方と直交する方向である。

上記のような機能を有する第１位置制御装置１０４の構成と第２位置制御装置１０８の構成とは、リニアモータまたはサーボモータを利用した公知のＸＹロボットを用いて実現できる。このため、ここでは、それらの詳細な構成の説明を省略する。

さて上述のように、第１位置制御装置１０４によって、吐出ヘッド部１０３はＸ軸方向に移動する。そして、第２位置制御装置１０８によって、基体１１はステージ１０６と共にＹ軸方向に移動する。これらの結果、基体１１に対するヘッド１１４の相対位置が変わる。より具体的には、これらの動作によって、吐出ヘッド部１０３、ヘッド１１４、またはノズル１１８（図３参照）は、ステージ１０６に固定された基体１１に対して、Ｚ軸方向に所定の距離を保ちながら、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に相対的に移動、すなわち相対的に走査する。「相対移動」または「相対走査」とは、液状の材料１１１を吐出する側と、そこからの吐出物が着弾する側（被吐出部）の少なくとも一方を他方に対して相対移動することを意味する。

制御部１１２は、液状の材料１１１の液滴を吐出すべき相対位置を表す吐出データを外部情報処理装置から受け取るように構成されている。制御部１１２は、受け取った吐出データを内部の記憶装置に格納するとともに、格納された吐出データに応じて、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、ヘッド１１４と、を制御する。なお、吐出データとは、基体１１上に、液状の材料１１１を所定パターンで付与するためのデータである。本実施形態では、吐出データはビットマップデータの形態を有している。

上記構成を有する液滴吐出装置３３０は、吐出データに応じて、ヘッド１１４のノズル１１８（図３参照）を基体１１に対して相対移動させるとともに、被吐出部に向けてノズル１１８から液状の材料１１１を吐出する。

なお、インクジェット法で層、膜、またはパターンを形成するとは、液滴吐出装置３３０のような装置を用いて、所定の物体上に、層、膜、またはパターンを形成することである。

（Ｄ．ヘッド）
図３（ａ）および（ｂ）に示すように、液滴吐出装置３３０におけるヘッド１１４は、複数のノズル１１８を有するインクジェットヘッドである。具体的には、ヘッド１１４は、振動板１２６と、ノズル１１８の開口を規定するノズルプレート１２８と、を備えている。そして、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間には、液たまり１２９が位置しており、この液たまり１２９には、図示しない外部タンクから孔１３１を介して供給される液状の材料１１１が常に充填される。

また、振動板１２６とノズルプレート１２８との間には、複数の隔壁１２２が位置している。そして、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、一対の隔壁１２２と、によって囲まれた部分がキャビティ１２０である。キャビティ１２０はノズル１１８に対応して設けられているため、キャビティ１２０の数とノズル１１８の数とは同じである。キャビティ１２０には、一対の隔壁１２２間に位置する供給口１３０を介して、液たまり１２９から液状の材料１１１が供給される。なお、本実施形態では、ノズル１１８の直径は、約２７μｍである。

さて、振動板１２６上には、それぞれのキャビティ１２０に対応して、それぞれの振動子１２４が位置する。振動子１２４のそれぞれは、ピエゾ素子１２４Ｃと、ピエゾ素子１２４Ｃを挟む一対の電極１２４Ａ，１２４Ｂとを含む。制御部１１２が、この一対の電極１２４Ａ，１２４Ｂの間に駆動電圧を与えることで、対応するノズル１１８から液状の材料１１１の液滴Ｄが吐出される。ここで、ノズル１１８から吐出される材料の体積は、０ｐｌ以上４２ｐｌ（ピコリットル）以下の間で可変である。なお、ノズル１１８からＺ軸方向に液状の材料１１１の液滴Ｄが吐出されるように、ノズル１１８の形状が調整されている。

本明細書では、１つのノズル１１８と、ノズル１１８に対応するキャビティ１２０と、キャビティ１２０に対応する振動子１２４と、を含んだ部分を「吐出部１２７」と表記することもある。この表記によれば、１つのヘッド１１４は、ノズル１１８の数と同じ数の吐出部１２７を有する。吐出部１２７は、ピエゾ素子の代わりに電気熱変換素子を有してもよい。つまり、吐出部１２７は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用して材料を吐出する構成を有していてもよい。

（Ｅ．制御部）
次に、制御部１１２の構成を説明する。図４に示すように、制御部１１２は、入力バッファメモリ２００と、記憶装置２０２と、処理部２０４と、走査駆動部２０６と、ヘッド駆動部２０８とを備えている。入力バッファメモリ２００と処理部２０４とは相互に通信可能に接続されている。処理部２０４と、記憶装置２０２と、走査駆動部２０６と、ヘッド駆動部２０８とは、図示しないバスによって相互に通信可能に接続されている。

走査駆動部２０６は、第１位置制御装置１０４および第２位置制御装置１０８と相互に通信可能に接続されている。同様にヘッド駆動部２０８は、ヘッド１１４と相互に通信可能に接続されている。

入力バッファメモリ２００は、液滴吐出装置３３０の外部に位置する外部情報処理装置（不図示）から、液状の材料１１１の液滴を吐出するための吐出データを受け取る。入力バッファメモリ２００は、吐出データを処理部２０４に供給し、処理部２０４は吐出データを記憶装置２０２に格納する。図４では、記憶装置２０２はＲＡＭである。

処理部２０４は、記憶装置２０２内の吐出データに基づいて、被吐出部に対するノズル１１８の相対位置を示すデータを走査駆動部２０６に与える。走査駆動部２０６はこのデータと、吐出周期と、に応じたステージ駆動信号を第１位置制御装置１０４および第２位置制御装置１０８に与える。この結果、被吐出部に対する吐出ヘッド部１０３の相対位置が変わる。一方、処理部２０４は、記憶装置２０２に記憶された吐出データに基づいて、液状の材料１１１の吐出に必要な吐出信号をヘッド１１４に与える。この結果、ヘッド１１４における対応するノズル１１８から、液状の材料１１１の液滴Ｄが吐出される。

制御部１１２は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、バスを含んだコンピュータである。したがって、制御部１１２の上記機能は、コンピュータによって実行されるソフトウェアプログラムによって実現される。もちろん、制御部１１２は、専用の回路（ハードウェア）によって実現されてもよい。

（Ｆ．液状の材料）
上述の「液状の材料１１１」とは、ヘッド１１４のノズル１１８から液滴Ｄとして吐出されうる粘度を有する材料をいう。ここで、液状の材料１１１が水性であると油性であるとを問わない。ノズル１１８から吐出可能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。ここで、液状の材料１１１の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であるのが好ましい。粘度が１ｍＰａ・ｓ以上である場合には、液状の材料１１１の液滴Ｄを吐出する際にノズル１１８の周辺部が液状の材料１１１で汚染されにくい。一方、粘度が５０ｍＰａ・ｓ以下である場合は、ノズル１１８における目詰まり頻度が小さく、このため円滑な液滴Ｄの吐出を実現できる。なお、「液状の材料１１１」は、被吐出部に付与された後に固有の機能を果たすことから、「機能液」とも呼ぶ。

本実施形態で用いる保護材料３０Ａは、上述の条件を満たす液状の材料１１１である。保護材料３０Ａにはレジストが含有されており、溶媒にはＮ−メチル−２−ピロリドンが使用されている。ヘッド１１４のノズル１１８から被吐出部に吐出された保護材料３０Ａを乾燥させると、溶媒が蒸発する。その結果、被吐出部にレジストからなる保護膜３０が形成される。また、保護膜３０は、レジスト剥離用の薬液を用いて剥離することができる。

保護材料３０Ａには、本実施形態で用いたＮ−メチル−２−ピロリドンの他にも、種々の溶媒を用いることができる。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノン、酢酸エチル、乳酸ブチルなどの極性化合物を例示できる。

また、保護材料３０Ａには、溶媒を含まない、いわゆる無溶媒系の材料を用いてもよい。具体的には、ポリメチルメタクリレート、ポリヒドロキシエチルメタクリレート、ポリシクロヘキシルメタクリレートなどのアクリル系樹脂、ポリジエチレングリコールビスアリルカーボネート、ポリカーボネートなどのアリル系樹脂、メタクリル樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ酢酸ビニル系樹脂、セルロース系樹脂、ポリアミド系樹脂、フッ素系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリスチレン系樹脂などの熱可塑性または熱硬化性の樹脂が挙げられ、これらのうちの一種、または複数種を混合して用いることができる。

（Ｇ．基板の製造方法）
続いて、図１、および図５から図９を参照しながら、上述の液滴吐出装置３３０を含む製造装置２を用いた弾性表面波振動子１の製造方法について説明する。

まず、公知の成膜技術とパターニング技術とを用いて、水晶ウェハ５０上に、アルミニウム薄膜からなる導通パッド２１、ＩＤＴ２２、および反射器２３を含むＳＡＷパターン５１と、接続線５２、およびターミナル５３を形成し、基体１１を製造する（図５参照）。導通パッド２１、ＩＤＴ２２、反射器２３、接続線５２、およびターミナル５３は、１回のアルミニウム薄膜形成工程によって同時に成膜することができる。基体１１が有する複数のＳＡＷパターン５１のうちの１つに着目したものが図６（ａ）であり、図６（ａ）中のＡ−Ａ線で基体１１を切断したときの断面図が図８（ａ）である。

ＳＡＷパターン５１が形成された基体１１は、図１に示す製造装置２に搬入され、搬送装置３００によって洗浄装置３１０に運ばれる。ここで、純水超音波洗浄法、あるいはＵＶ洗浄法等によって、基体１１の表面の洗浄を行う。

洗浄工程を経た基体１１は、搬送装置３００によって加熱装置３２０に運ばれる。基体１１は、ここで５０℃に加熱される。基体１１を加熱する方法は様々なものが考えられるが、ここでは、温度を設定可能な恒温槽の槽内温度を５０℃に設定し、この中に基体１１を一定時間放置する方法を用いている。

続いて、基体１１は、搬送装置３００によって液滴吐出装置３３０のステージ１０６に運ばれる。そして、図８（ｂ）に示すように、液滴吐出装置３３０は、基体１１上の後述する保護領域に保護材料３０Ａの層が形成されるように、ヘッド１１４の吐出部１２７から保護材料３０Ａを吐出する。ここで、基体１１が上述の加熱装置３２０によって加熱されてから基体１１上に保護材料３０Ａが吐出されるまでの時間は十分に短いので、保護材料３０Ａが吐出されるときの基体１１の温度は、依然として約５０℃に保たれている。

基体１１上の保護領域のすべてに保護材料３０Ａの層が形成された場合には、搬送装置３００が基体１１を乾燥装置３４０内に位置させる。そして、乾燥装置３４０は、基体１１上の保護材料３０Ａを完全に乾燥させる。この乾燥には、基体１１を１２０℃の環境下に３０分間放置する方法を用いている。この過程で、保護材料３０Ａ中の溶媒が蒸発し、図８（ｃ）に示すように、保護材料３０Ａが吐出されていた領域に、保護材料３０Ａ中に含まれるレジストからなる保護膜３０が形成される。以下では、表面に保護膜３０が形成された基体１１を「絶縁化処理前基板１２」とも呼ぶ。

ここで、基体１１上のうち、液滴吐出装置３３０によって保護材料３０Ａが吐出されるべき保護領域、すなわち、保護膜３０が形成されるべき保護領域について、図６（ｂ）および図７を用いて説明する。図６（ｂ）は、保護膜３０が形成された状態の基体１１において１つのＳＡＷパターンに着目した図である。なお、図６（ｂ）中の斜線部は、保護膜３０が形成された領域を示す。図７（ｂ）は、図６（ｂ）中の導通パッド２１付近を拡大した図であり、図７（ａ）は、図７（ｂ）中のＣ−Ｃ線で基体１１を切断したときの断面図である。保護領域は、図６（ｂ）および図７において保護膜３０が形成されている領域に相当する。より詳細には、保護領域は、導通パッド２１の表面のうち、導通パッド２１の外縁部を除いた領域である。この領域は、前述したように外部配線を接続するための領域であって、後述する陽極酸化工程において絶縁層４０（図８（ｅ））を形成せずに表面の導電性を維持しておくことが好ましい領域であり、本発明における「（基体）表面の導電性を有する部位の一部」に相当する。

なお、図６（ｂ）および図７に示した保護領域は、外部配線を接続するという目的を達成するために最低限確保しておくべき領域であって、保護領域の取り得る範囲の上限を示すものではない。保護領域は、絶縁層４０を形成すべき領域にかからない範囲で広くとることもできる。例えば、導通パッド２１の領域を越えて、水晶ウェハ５０にかかっても良い。ただし、保護材料３０Ａの使用量を抑えることができるという液滴吐出装置３３０を用いた保護膜３０の形成方法の利点を最大限に生かすためには、図６（ｂ）および図７に示すような領域を保護領域とすることが好ましい。

こうして得られた保護膜３０は、図７に示すように、周状の外縁部３１が、この周状の外縁部３１以外の領域、すなわち外縁部３１に囲まれた中央部３２に対して厚くなる。換言すると、保護膜３０は、平坦な中央部３２と、中央部３２を取り囲んで中央部３２より厚い外縁部３１とからなる。このように外縁部３１の厚さが十分確保された保護膜３０は、後述する陽極酸化工程において、保護膜３０の外周側から導通パッド２１と保護膜３０との界面に陽極酸化液が染み込むことがなく、陽極酸化に対して十分な強度（密着強度）を有する。また、この保護膜３０の形成のためには、液滴吐出装置３３０によって保護材料３０Ａを付与する工程は一度だけ経ればよいので、保護膜３０は、生産性の高い保護膜であると言える。さらに、こうした保護膜３０を備えた絶縁化処理前基板１２は、後述するように、陽極酸化工程において表面の導電部のうち所望の領域のみを陽極酸化させることが可能である。

保護膜３０の外縁部３１が中央部３２に対して厚くなる理由は、以下のように推測される。図９（ａ）は、導通パッド２１上に付与された乾燥前の保護材料３０Ａを示す。保護材料３０Ａの上部には、保護材料３０Ａ中の溶媒が気化した気体３３が多く存在している。よって、保護材料３０Ａの周囲における溶媒の蒸気圧は、保護材料３０Ａの側面付近に対して上部の方が高くなっている。このため、溶媒は、図９（ｂ）中の矢印３４が示すように、主に保護材料３０Ａの側面から気化していく。そして、保護材料３０Ａ内の溶媒は、保護材料３０Ａの側面近傍の領域３５から気化した溶媒を補填するように、領域３５へ向かって移動する（矢印３６）。この溶媒の移動の際に、保護材料３０Ａに含有されているレジストも同時に領域３５へ向かって移動する（矢印３６）。このように、側面近傍の領域３５からの溶媒の気化と、領域３５への溶媒およびレジストの移動と、からなるサイクルが、保護材料３０Ａが乾燥するまで繰り返される。こうして、図９（ｃ）に示すように、保護材料３０Ａはレジストが外縁部３１に偏った状態で乾燥し、結果として、図７に示すような周状の外縁部３１が中央部３２に対して厚い保護膜３０が形成される。

ここで、図７（ａ）に示す外縁部３１の厚さａの、中央部３２の厚さｂに対する比率ａ／ｂは、基体１１の温度や溶媒の沸点によって変化する。まず、基体１１の温度が高いと、比率ａ／ｂは大きくなる。これは、高温の基体１１上に付与された保護材料３０Ａは、基体１１の温度とほぼ等しい温度に保たれるので、液体としての粘度が下がり、保護材料３０Ａの乾燥までに上述のサイクルにおける矢印３６の移動が繰り返されることに起因すると推測される。この結果、乾燥時におけるレジストの保護膜３０の外縁部３１への偏りが大きくなるため、比率ａ／ｂが大きくなる。また、溶媒の沸点が高いときも、比率ａ／ｂは大きくなる。これは、溶媒の沸点が高いと、保護材料３０Ａに含まれる溶媒が気化し難いため、保護材料３０Ａの乾燥までに上述のサイクルにおける矢印３６の移動が行われる時間が増加することに起因する。この結果、乾燥時におけるレジストの保護膜３０の外縁部３１への偏りが大きくなるため、比率ａ／ｂが大きくなる。

保護領域に保護膜３０が形成された基体１１（すなわち絶縁化処理前基板１２）は、搬送装置３００によって陽極酸化装置３５０に運ばれる。図１０に、陽極酸化装置３５０の模式図を示す。陽極酸化装置３５０は、槽５４、陽極酸化液５５、電源５６、陰極５７、およびクリップ５８からなる。槽５４の中には陽極酸化液５５が入っており、陽極酸化液５５には、電源５６の負極に接続された陰極５７が浸かっている。また、電源５６の正極はクリップ５８に接続されており、クリップ５８は、陽極酸化液５５に浸かった基体１１上のターミナル５３を保持している。基体１１上のターミナル５３は、図５に示すように、接続線５２、導通パッド２１、ＩＤＴ２２、および反射器２３と一体に形成されたアルミニウム薄膜である。ここで、基体１１上のすべてのＳＡＷパターン５１は、陽極酸化液５５に浸かっている。

このような構成の陽極酸化装置３５０において、電源５６から、陰極５７を陰極、基体１１側を陽極として電流を流すことによって、陽極酸化を行う。本実施形態では、陽極酸化によってアルミニウム薄膜の表面に無孔性の酸化膜を形成するために、陽極酸化液５５にはリン酸塩の水溶液またはホウ酸塩の水溶液の混合液を用いている。この他に、クエン酸塩やアジピン酸塩などの中性近傍の塩の水溶液を用いることもできる。また、液温は、多孔性の酸化膜となることを避けるため室温程度が望ましく、例えば、ホウ酸塩の水溶液を用いた場合は２０℃から３０℃程度が望ましい。

このような条件下で陽極酸化を行うことによって、図８（ｄ）に示すように、ＩＤＴ２２の表面、反射器２３の表面、および導通パッド２１の表面に、印加電圧に略比例した厚さのアルミニウム酸化膜からなる絶縁層４０が形成される。ただし、導通パッド２１の表面のうち、保護膜３０が形成されている領域、つまり保護領域は、陽極酸化液５５に触れていないため絶縁層４０が形成されない。このように、保護膜３０は、陽極酸化に対して導通パッド２１表面を保護する。

保護膜３０の陽極酸化に対する密着強度は、上述の比率ａ／ｂによって変化する。保護膜３０が陽極酸化に対して十分な密着強度を持つためには、比率ａ／ｂが２以上、かつ１０以下であることが望ましい。比率ａ／ｂが２未満の場合、保護膜の外縁部の厚さが十分でないので、保護膜の外周側から導通パッドと保護膜との界面に陽極酸化液５５が染み込んでしまうことがある。このとき、導通パッドの保護領域の一部に絶縁層が形成されてしまう。また、比率ａ／ｂが１０より大きい場合、保護膜の中央部の厚さｂの絶対値が小さくなっており、中央部の強度が十分でないので、陽極酸化工程において中央部が剥離してしまうことがある。このとき、保護膜が剥離した領域には絶縁層が形成されてしまう。

発明者の実験によれば、前述の加熱装置３２０による基体１１の加熱工程において、基体１１の加熱温度が３０℃を下回ると、比率ａ／ｂが２未満になる場合があった。また、基体１１の加熱温度が１２０℃を上回ると、比率ａ／ｂが１０を超える場合があった。このため、加熱装置３２０による基体１１の加熱温度は、３０℃以上、かつ１２０℃以下であることが望ましい。さらに、基体１１の加熱温度が４０℃以上、かつ６０℃以下のとき、保護膜３０の陽極酸化に対する強度が最も高くなることが確認されている。本実施形態においては、加熱装置３２０による加熱工程において、基体１１は５０℃に加熱されているので、保護膜３０は陽極酸化に対して十分な強度を有している。具体的には、保護膜３０と導通パッド２１との界面に陽極酸化液５５が染み込んで保護領域の一部に絶縁層４０が形成されることがなく、また保護膜３０の中央部３２が剥離することもないので、基体１１上のすべての保護領域が陽極酸化から保護される。

ＩＤＴ２２の表面、反射器２３の表面、および導通パッド２１の表面の一部に絶縁層４０が形成された基体１１は、搬送装置３００によって剥離装置３６０に運ばれる。剥離装置３６０は、所定の薬液を用いて基体１１上の保護領域に形成されたレジストからなる保護膜３０を剥離する。これによって、導通パッド上の保護領域は再び導電性を有するアルミニウムが露出した状態となり、外部配線の接続に好適な構成となる。なお、保護膜３０に使用するレジストの種類によっては、前述の加熱装置３２０による加熱工程において基体１１が１２０℃より高い温度に加熱されていると、剥離が困難になる場合がある。この点からも、加熱工程における基体１１の加熱温度は１２０℃以下であることが望ましい。

こうして、基体１１の表面のうち所定の範囲に絶縁層４０が形成された、複数の弾性表面波振動子１を含む基板が得られる。本実施形態の基板の製造方法によれば、外縁部３１が中央部３２に対して相対的に厚い保護膜３０を備えた絶縁化処理前基板１２を用いることによって、基板表面のうち所望の範囲のみが絶縁化処理されて絶縁層４０が形成された基板を製造することができる。また、前述したようにこの保護膜３０は生産性が高いため、本実施形態の基板の製造方法によれば、生産性を落とさずに上記の効果を得ることができる。

（Ｈ．弾性表面波振動子の製造方法）
こうして製造された基板を、それぞれが１つのＳＡＷパターン５１を含むような小片に分割することによって、図６（ｃ）および図８（ｅ）に示す弾性表面波振動子１が得られる。この弾性表面波振動子１は、弾性表面波の反射を利用して弾性表面波エネルギーを閉じ込める共振器として機能する。この弾性表面波振動子１は、導通パッド２１上の保護領域が導電性を有するアルミニウムの露出した状態となっているため、外部配線を容易かつ確実に接続することができる。このため、外部配線との接続不良に起因する不具合が発生しにくい。また、ＩＤＴ２２の表面、反射器２３の表面、および導通パッド２１の表面の一部がアルミニウム薄膜の表面を酸化することによって形成された絶縁層４０で覆われているため、ＩＤＴ２２または反射器２３の配置された領域に導電性異物等が付着しても不具合が発生しない。このように、本実施形態の基板の製造方法を含む弾性表面波振動子の製造方法によれば、信頼性の高い弾性表面波振動子１を製造することができる。

また、本実施形態の基板の製造方法は、共振器として機能する弾性表面波振動子の製造方法の他にも、周波数選択機能を有する弾性表面波振動子を始めとする、種々の弾性表面波振動子の製造方法に適用することができる。

（Ｉ．弾性表面波装置）
上記の弾性表面波振動子１は、様々な装置に組み込んで弾性表面波装置として用いることができる。図１１は、上記の弾性表面波振動子１を組み込んだ弾性表面波装置としての発振器６０の模式図である。図１１（ａ）は、発振器６０の側断面図であり、図１１（ｂ）は、発振器６０の平断面図である。発振器６０は、パッケージ６１、基部６２、集積回路６３、配線６４、金属ワイヤ６５，６６、および弾性表面波振動子１からなる。基部６２の上面には、弾性表面波振動子１と、弾性表面波振動子１を駆動するための集積回路６３が実装されており、また、弾性表面波振動子１と集積回路６３とを電気的に接続するための配線６４がパターニングされている。弾性表面波振動子１と配線６４、および配線６４と集積回路６３は、それぞれ金線等からなる金属ワイヤ６５，６６によって電気的に接続されている。ここで、弾性表面波振動子１と金属ワイヤ６５は、導通パッド２１上のうちアルミニウムが露出した領域、すなわち保護領域において、ワイヤボンディング法によって接続されている。パッケージ６１は、基部６２、および基部６２上に配置された部品をすべて覆ってこれらを密封する。

本実施形態の発振器６０は、弾性表面波振動子１の導通パッド２１上の保護領域が導電性を有するアルミニウムの露出した状態となっているため、弾性表面波振動子１と金属ワイヤ６５とを容易かつ確実に接続することができる。このため、金属ワイヤとの接続不良に起因する不具合が発生しにくい。また、弾性表面波振動子１上のＩＤＴ２２および反射器２３が絶縁層４０によって覆われているので、仮にパッケージ６１内に導電性異物が混入しており、この導電性異物等がＩＤＴ２２または反射器２３に付着したとしても、不具合が発生しない。このように、弾性表面波装置に本実施形態の弾性表面波振動子を適用することによって、高い信頼性を実現することができる。

さらに、本実施形態の弾性表面波振動子は、発振器６０の他にも、周波数フィルタを始めとする種々の弾性表面波装置に適用することができる。

（Ｊ．電子機器）
続いて、上述の弾性表面波装置を電子機器に適用した例について説明する。図１２は、弾性表面波装置としての発振器６０を内部に組み込んだ携帯電話機５００の模式図である。この携帯電話機５００は、高い信頼性を有する発振器６０を備えるため、長期間にわたって好適な動作を維持することができる。本実施形態の弾性表面波装置は、携帯電話機５００の他にも、パーソナルコンピュータ、携帯型電子端末、時計等を始めとする種々の電子機器に適用することができる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。

（変形例１）
上述の実施形態は、外縁部３１が中央部３２に対して相対的に厚い保護膜３０を形成するために、基体１１を加熱装置３２０で加熱する第１の工程と、液滴吐出装置３３０を用いて保護材料３０Ａを付与する第２の工程を含むが、上記の工程に代えて、溶媒の沸点が１７０℃以上、かつ２５０℃以下である保護材料３０Ａを液滴吐出装置３３０を用いて付与する工程を含んでいてもよい。これは、基体１１の温度を高くすることの他に、保護材料３０Ａの溶媒の沸点を高くすることによっても、比率ａ／ｂを大きくすることができることに基づく変形例である。発明者の実験によれば、基体１１を加熱しない場合でも、保護材料３０Ａの溶媒の沸点が１７０℃以上、かつ２５０℃以下である場合に、外縁部３１が中央部３２に対して相対的に厚い、陽極酸化に対して十分な強度を有する保護膜３０を形成できることが確認されている。

本変形例による基板の製造方法では、洗浄装置３１０で洗浄された基体１１は、加熱装置３２０による加熱工程を経ずに液滴吐出装置３３０に運ばれ、溶媒の沸点が１７０℃以上、かつ２５０℃以下である保護材料３０Ａが付与される。この点を除くと、本変形例は、上述の実施形態と基本的に同じである。本変形例によれば、基体１１の加熱工程を省略できるので、基板の製造工程を短縮することができる。

なお、本変形例は、溶媒の沸点が１７０℃以上、かつ２５０℃以下である保護材料３０Ａを用いた場合には、加熱装置３２０による加熱工程を省略しなければならない旨を示すものではない。加熱装置３２０によって基体１１を加熱してから、溶媒の沸点が１７０℃以上、かつ２５０℃以下である保護材料３０Ａを付与した場合は、外縁部３１が中央部３２に対して相対的に厚い保護膜３０をより容易に形成することが可能である。

（変形例２）
上述の実施形態においては、アルミニウム薄膜の表面を絶縁化するための処理として陽極酸化法を用いたが、この絶縁化処理は、基体１１の表面に絶縁性を有する層を形成可能なものであればどのような方法を用いてもよい。例えば、陽極酸化法の他に、酸素などのガスが封入された処理室に基体１１を入れて加熱することによって基体１１の表面に酸化膜を形成する熱酸化法などを用いてもよい。このような絶縁化処理を含む基板の製造方法によっても、基板表面のうち所望の範囲のみに絶縁層４０が形成された基板を製造することができる。

（変形例３）
上述の実施形態においては、加熱装置３２０としての恒温槽によって基体１１を加熱したが、基体１１の加熱方法は、この他にも、基体１１に保護材料３０Ａが付与されるときに基体１１が所定の温度に加熱されているものであればどのような手法であってもよい。例えば、液滴吐出装置３３０のステージ１０６に基体加熱手段を設置し、ステージ１０６に運ばれた基体１１がこの基体加熱手段によって加熱されるような方式を用いてもよい。また、液滴吐出装置３３０に、ステージ１０６の位置を加熱することが可能なランプ等の熱放射装置を設置し、ステージ１０６に運ばれた基体１１がこの熱放射装置によって加熱されるような方式を用いてもよい。このような加熱工程を含む基板の製造方法によっても、外縁部３１が中央部３２に対して相対的に厚い保護膜３０を用いて、基板表面のうち所望の範囲のみに絶縁層４０が形成された基板を製造することができる。

（変形例４）
上述の実施形態では、水晶ウェハ５０上にアルミニウム薄膜が形成された基体１１をもとに基板を製造したが、この他にも、表面に導電性を有する部位を有する基体であればどのような基体をもとに製造してもよい。例えば、表面に金属配線を有するシリコンウェハなどを基体として用いてもよい。このような基体を用いた場合でも、基板表面のうち所望の範囲のみに絶縁層４０が形成された基板を製造することができる。

基板の製造装置を示す模式図。 液滴吐出装置を示す模式斜視図。 液滴吐出装置におけるヘッドの一部を示し、（ａ）は模式斜視図、（ｂ）は側断面図。 液滴吐出装置における制御部の機能ブロック図。 ＳＡＷパターンを有する基体の模式平面図。 （ａ）および（ｂ）は、基体の拡大斜視図、（ｃ）は、弾性表面波振動子の模式斜視図。 （ａ）および（ｂ）は、保護膜が形成された導通パッドの拡大図。 （ａ）から（ｅ）は、本発明の実施形態の基板の製造方法を説明する模式側面図。 （ａ）から（ｃ）は、基体上に保護膜が形成される過程を説明する模式側面図。 陽極酸化装置を示す模式図。 本発明の実施形態の発振器を示し、（ａ）は側断面図、（ｂ）は平断面図。 本発明の実施形態の携帯電話機の模式斜視図。

符号の説明

１…弾性表面波振動子、２…製造装置、１０…水晶片、１１…基体、１２…絶縁化処理前基板、２１…基体表面の導電性を有する部位を構成する導通パッド、２２…基体表面の導電性を有する部位を構成するＩＤＴ、２３…基体表面の導電性を有する部位を構成する反射器、３０Ａ…機能液としての保護材料、３０…保護膜、３１…保護膜の外縁部、３２…保護膜の中央部、４０…絶縁層、５０…水晶ウェハ、５１…ＳＡＷパターン、６０…弾性表面波装置としての発振器、３００…搬送装置、３１０…洗浄装置、３２０…加熱装置、３３０…液滴吐出装置、３４０…乾燥装置、３５０…陽極酸化装置、３６０…剥離装置、５００…電子機器としての携帯電話機。

Claims (11)

1. 表面の導電性を有する部位の一部が絶縁化処理されるのを防ぐための保護膜を備えた絶縁化処理前基板であって、
   表面に導電性を有する部位を含む基体と、
   前記基体表面上に前記導電性を有する部位の一部を覆うように配置された、周状の外縁部が該周状の外縁部以外の領域に比べて相対的に厚い保護膜と
   を備えることを特徴とする絶縁化処理前基板。
2. 請求項１に記載の絶縁化処理前基板であって、
   前記周状の外縁部の厚さが、該周状の外縁部以外の領域の厚さの２倍以上、かつ１０倍以下であることを特徴とする絶縁化処理前基板。
3. 請求項１に記載の絶縁化処理前基板であって、
   前記保護膜の材料はレジストであることを特徴とする絶縁化処理前基板。
4. 基体表面の導電性を有する部位の一部を除く領域を絶縁化処理することにより基板を製造する基板の製造方法であって、
   表面に導電性を有する部位を含む基体を加熱する第１の工程と、
   前記基体上に前記導電性を有する部位の一部を覆うように、液滴吐出装置を用いて機能液を付与する第２の工程と、
   前記機能液を乾燥させて、周状の外縁部が該周状の外縁部以外の領域に比べて相対的に厚い保護膜を表面に備えた絶縁化処理前基板を形成する第３の工程と、
   前記絶縁化処理前基板の表面に絶縁化処理を施す第４の工程と、
   前記保護膜を剥離する第５の工程と
   を含むことを特徴とする基板の製造方法。
5. 基体表面の導電性を有する部位の一部を除く領域を絶縁化処理することにより基板を製造する基板の製造方法であって、
   表面に導電性を有する部位を含む基体上に該導電性を有する部位の一部を覆うように、溶媒の沸点が１７０℃以上かつ２５０℃以下である機能液を液滴吐出装置を用いて付与する第１の工程と、
   前記機能液を乾燥させて、周状の外縁部が該周状の外縁部以外の領域に比べて相対的に厚い保護膜を表面に備えた絶縁化処理前基板を形成する第２の工程と、
   前記絶縁化処理前基板の表面に絶縁化処理を施す第３の工程と、
   前記保護膜を剥離する第４の工程と
   を含むことを特徴とする基板の製造方法。
6. 請求項５に記載の基板の製造方法であって、
   前記第１の工程の前に、前記基体を加熱する工程を含むことを特徴とする基板の製造方法。
7. 請求項４から６のいずれか一項に記載の基板の製造方法であって、
   前記絶縁化処理は、陽極酸化法による処理を含むことを特徴とする基板の製造方法。
8. 請求項４から６のいずれか一項に記載の基板の製造方法であって、
   前記保護膜における、前記周状の外縁部の厚さが、該周状の外縁部以外の領域の厚さの２倍以上、かつ１０倍以下であることを特徴とする基板の製造方法。
9. 請求項４または６に記載の基板の製造方法であって、
   
   前記基体を加熱する工程は、前記基体を３０℃以上、かつ１２０℃以下の温度に加熱することを特徴とする基板の製造方法。
10. 請求項４または６に記載の基板の製造方法であって、
    前記基体を加熱する工程は、前記基体を４０℃以上、かつ６０℃以下の温度に加熱することを特徴とする基板の製造方法。
11. 請求項４から６のいずれか一項に記載の基板の製造方法であって、
    前記機能液はレジストを含むことを特徴とする基板の製造方法。

Images