JP3405329B2 - 表面波装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、共振子や帯域フィ
ルタなどに用いられる表面波装置に関し、より詳細に
は、Ａｕバンプなどにより外部と電気的に接続される電
極構造を有する表面波装置の改良に関する。
ルタなどに用いられる表面波装置に関し、より詳細に
は、Ａｕバンプなどにより外部と電気的に接続される電
極構造を有する表面波装置の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、表面波装置では、外部との電気的
接続に、Ａｕなどからなるバンプを用いた接続方法が多
用されている。図１０及び図１１を参照して、従来の表
面波装置の外部との電気的接続構造を説明する。
接続に、Ａｕなどからなるバンプを用いた接続方法が多
用されている。図１０及び図１１を参照して、従来の表
面波装置の外部との電気的接続構造を説明する。
【０００３】図１０（ａ）に示すように、表面波装置５
１は、圧電材料よりなる表面波基板５２を有する。表面
波基板５２の上面５２ａ上には、インターデジタル電極
（ＩＤＴ電極）５３，５４が形成されている。ＩＤＴ電
極５３，５４は、アルミニウムをパターニングすること
により形成されている。ＩＤＴ電極５３は、複数本の電
極指が一端で電気的に接続された構造を有する第１，第
２のくし歯電極部５３ａ，５３ｂを有する。第１，第２
のくし歯電極部５３ａ，５３ｂに連ねられて、配線電極
部５３ｃ，５３ｄが形成されている。
１は、圧電材料よりなる表面波基板５２を有する。表面
波基板５２の上面５２ａ上には、インターデジタル電極
（ＩＤＴ電極）５３，５４が形成されている。ＩＤＴ電
極５３，５４は、アルミニウムをパターニングすること
により形成されている。ＩＤＴ電極５３は、複数本の電
極指が一端で電気的に接続された構造を有する第１，第
２のくし歯電極部５３ａ，５３ｂを有する。第１，第２
のくし歯電極部５３ａ，５３ｂに連ねられて、配線電極
部５３ｃ，５３ｄが形成されている。
【０００４】ＩＤＴ電極５４についても、同様に、第
１，第２のくし歯電極部５４ａ，５４ｂ及び配線電極部
５４ｃ，５４ｄを有する。配線電極部５３ｃ，５３ｄ，
５４ｃ，５４ｄは、表面波装置５１を外部と接続する部
分であり、配線電極部５３ｃ，５３ｄ，５４ｃ，５４ｄ
上には、Ａｕからなるバンプ５５が形成されている。す
なわち、バンプ５５を介して、配線電極部５３ｃ，５３
ｄ，５４ｃ，５４ｄが、表面波装置５１外の基板上に形
成された電極パッドに電気的に接合される。
１，第２のくし歯電極部５４ａ，５４ｂ及び配線電極部
５４ｃ，５４ｄを有する。配線電極部５３ｃ，５３ｄ，
５４ｃ，５４ｄは、表面波装置５１を外部と接続する部
分であり、配線電極部５３ｃ，５３ｄ，５４ｃ，５４ｄ
上には、Ａｕからなるバンプ５５が形成されている。す
なわち、バンプ５５を介して、配線電極部５３ｃ，５３
ｄ，５４ｃ，５４ｄが、表面波装置５１外の基板上に形
成された電極パッドに電気的に接合される。
【０００５】上記バンプ５５が形成されている部分を配
線電極部５３ｃを例にとり、図１０（ｂ）に拡大して示
す。すなわち、表面波基板５２上に、アルミニウムから
なる配線電極部５３ｃが形成されており、該配線電極部
５３ｃ上にバンプ５５が形成されている。
線電極部５３ｃを例にとり、図１０（ｂ）に拡大して示
す。すなわち、表面波基板５２上に、アルミニウムから
なる配線電極部５３ｃが形成されており、該配線電極部
５３ｃ上にバンプ５５が形成されている。
【０００６】また、配線電極部の導体抵抗を低めるため
に、２層構造の配線電極部も提案されている。すなわ
ち、図１１に示すように、表面波基板５２上に、アルミ
ニウムからなる配線層５３ｃ1 ，５３ｃ2 を積層するこ
とにより、配線電極部５３ｃが形成されている。この場
合、上方の配線層５３ｃ2 上にＡｕからなるバンプ５５
が形成される。
に、２層構造の配線電極部も提案されている。すなわ
ち、図１１に示すように、表面波基板５２上に、アルミ
ニウムからなる配線層５３ｃ1 ，５３ｃ2 を積層するこ
とにより、配線電極部５３ｃが形成されている。この場
合、上方の配線層５３ｃ2 上にＡｕからなるバンプ５５
が形成される。
【０００７】ところで、上述したようなバンプ５５の形
成は、表面波基板５２を１００〜３００℃の温度に加熱
し、ワイヤバンピング法により行われていた。
成は、表面波基板５２を１００〜３００℃の温度に加熱
し、ワイヤバンピング法により行われていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、表面波
装置に用いられる表面波基板材料の中には、例えばタン
タル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3 ）やニオブ酸リチウム
（ＬｉＮｂＯ3 ）などのように焦電性の強い材料が存在
する。これらの焦電性の強い表面波基板材料では、加熱
されると、表面に電荷が発生する。ところが、表面波装
置５１を例にとると、くし歯電極部５３ａ，５３ｂ，５
４ａ，５４ｂは、いずれも分離されているので、行き場
を失った電荷が近接した電極間で放電し、電極が溶融し
たり、切断したりするおそれがある。特に、ＩＤＴ電極
５３，５４においては、隣り合う電極指間の間隔が数μ
ｍ程度であるため、上記のような焦電破壊が生じやすか
った。
装置に用いられる表面波基板材料の中には、例えばタン
タル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3 ）やニオブ酸リチウム
（ＬｉＮｂＯ3 ）などのように焦電性の強い材料が存在
する。これらの焦電性の強い表面波基板材料では、加熱
されると、表面に電荷が発生する。ところが、表面波装
置５１を例にとると、くし歯電極部５３ａ，５３ｂ，５
４ａ，５４ｂは、いずれも分離されているので、行き場
を失った電荷が近接した電極間で放電し、電極が溶融し
たり、切断したりするおそれがある。特に、ＩＤＴ電極
５３，５４においては、隣り合う電極指間の間隔が数μ
ｍ程度であるため、上記のような焦電破壊が生じやすか
った。
【０００９】そのため、従来、マザー基板上に電極を
形成した後、基板上の電極を全て短絡しかつアース電位
に接続し、その状態でバンプを形成し、マザー基板から
個々の表面波装置をダイシングする際に短絡されていた
電極間を切断する方法、あるいはバンプ形成に際して
の加熱及び冷却温度勾配を非常に緩くし、焦電破壊を抑
制する方法が採用されていた。
形成した後、基板上の電極を全て短絡しかつアース電位
に接続し、その状態でバンプを形成し、マザー基板から
個々の表面波装置をダイシングする際に短絡されていた
電極間を切断する方法、あるいはバンプ形成に際して
の加熱及び冷却温度勾配を非常に緩くし、焦電破壊を抑
制する方法が採用されていた。
【００１０】しかしながら、の方法では、焦電破壊を
確実に防止することが困難であった。また、の方法で
は、製造時間が著しく長くなるという問題があった。ま
た、焦電破壊を避けるために、室温付近の低温でバンプ
を形成することも考えられるが、このような低温でバン
プを形成した場合、バンプのＡｌ膜との接合強度が著し
く低下することになる。
確実に防止することが困難であった。また、の方法で
は、製造時間が著しく長くなるという問題があった。ま
た、焦電破壊を避けるために、室温付近の低温でバンプ
を形成することも考えられるが、このような低温でバン
プを形成した場合、バンプのＡｌ膜との接合強度が著し
く低下することになる。
【００１１】また、特開平８−３０７１９２号公報に
は、ＩＤＴ電極、すなわちくし歯電極部及び配線電極部
の全体をアルミニウムで構成した後、かつこれらの全体
をＰｄやＰｔで被覆し、しかる後Ａｕバンプを形成する
方法が開示されている。しかしながら、このような方法
では、アルミニウム膜の側面上にＰｄやＰｔを成膜する
ことが非常に難しく、実用的ではなかった。
は、ＩＤＴ電極、すなわちくし歯電極部及び配線電極部
の全体をアルミニウムで構成した後、かつこれらの全体
をＰｄやＰｔで被覆し、しかる後Ａｕバンプを形成する
方法が開示されている。しかしながら、このような方法
では、アルミニウム膜の側面上にＰｄやＰｔを成膜する
ことが非常に難しく、実用的ではなかった。
【００１２】本発明の目的は、バンプの形成に長時間を
要することなく、かつバンプ形成に際しての焦電破壊に
よる電極の溶融や切断が生じ難く、さらにバンプの電極
に対する接合強度に優れた表面波装置を提供することに
ある。
要することなく、かつバンプ形成に際しての焦電破壊に
よる電極の溶融や切断が生じ難く、さらにバンプの電極
に対する接合強度に優れた表面波装置を提供することに
ある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明に係る表面波装置
は、表面波基板と、前記表面波基板に形成された少なく
とも１つのＩＤＴ電極とを備え、ＩＤＴ電極が、複数本
の電極指が一端で電気的に接続された第１のくし歯電極
部と、複数本の電極指が一端で電気的に接続された第２
のくし歯電極部と、第１，第２のくし歯電極部にそれぞ
れ電気的に接続されておりかつ外部とバンプ接続される
第１，第２の配線電極部とを有し、第１，第２のくし歯
電極部の電極指が互いに間挿し合うように配置されてお
り、かつ前記第１，第２のくし歯電極部及び第１，第２
の配線電極部がアルミニウム膜により構成されており、
前記第１，第２の配線電極部において前記アルミニウム
膜上に順に積層された第１〜第３の金属膜をさらに備
え、第１の金属膜が、第２の金属膜よりもアルミニウム
に対する接合性に優れており、第３の金属膜が第１の金
属膜よりもバンプに対する接合性に優れており、第２の
金属膜が、第１，第３の金属膜を構成している金属の拡
散を抑制する金属を用いて構成されており、前記アルミ
ニウム膜と第１の金属膜との間に、第２，第３の金属膜
からなる積層膜とアルミニウム膜との反応を抑制する反
応抑制膜がさらに備えられており、前記反応抑制膜が、
無機絶縁材料膜からなり、かつアルミニウム膜と第１〜
第３の金属膜とが電気的に接続されていることを特徴と
する。
は、表面波基板と、前記表面波基板に形成された少なく
とも１つのＩＤＴ電極とを備え、ＩＤＴ電極が、複数本
の電極指が一端で電気的に接続された第１のくし歯電極
部と、複数本の電極指が一端で電気的に接続された第２
のくし歯電極部と、第１，第２のくし歯電極部にそれぞ
れ電気的に接続されておりかつ外部とバンプ接続される
第１，第２の配線電極部とを有し、第１，第２のくし歯
電極部の電極指が互いに間挿し合うように配置されてお
り、かつ前記第１，第２のくし歯電極部及び第１，第２
の配線電極部がアルミニウム膜により構成されており、
前記第１，第２の配線電極部において前記アルミニウム
膜上に順に積層された第１〜第３の金属膜をさらに備
え、第１の金属膜が、第２の金属膜よりもアルミニウム
に対する接合性に優れており、第３の金属膜が第１の金
属膜よりもバンプに対する接合性に優れており、第２の
金属膜が、第１，第３の金属膜を構成している金属の拡
散を抑制する金属を用いて構成されており、前記アルミ
ニウム膜と第１の金属膜との間に、第２，第３の金属膜
からなる積層膜とアルミニウム膜との反応を抑制する反
応抑制膜がさらに備えられており、前記反応抑制膜が、
無機絶縁材料膜からなり、かつアルミニウム膜と第１〜
第３の金属膜とが電気的に接続されていることを特徴と
する。
【００１４】
【００１５】また、本発明のより特定的な局面では、前
記第１の金属膜が、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ及びＨｆからなる
群から選択した１種の金属または該金属を主成分とする
合金からなり、第２の金属膜が、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ及び
Ｃｕからなる群から選択した１種の金属または該金属を
主成分とした合金からなり、第３の金属膜が、Ａｇ及び
Ａｕからなる群から選択した１種の金属または該金属を
主成分とする合金からなる。
記第１の金属膜が、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ及びＨｆからなる
群から選択した１種の金属または該金属を主成分とする
合金からなり、第２の金属膜が、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ及び
Ｃｕからなる群から選択した１種の金属または該金属を
主成分とした合金からなり、第３の金属膜が、Ａｇ及び
Ａｕからなる群から選択した１種の金属または該金属を
主成分とする合金からなる。
【００１６】
【００１７】反応抑制膜を無機絶縁材料膜で構成する場
合、アルミニウム膜と第１〜第３の金属膜からなる積層
金属膜との電気的接続の態様については、適宜変更する
ことができる。
合、アルミニウム膜と第１〜第３の金属膜からなる積層
金属膜との電気的接続の態様については、適宜変更する
ことができる。
【００１８】例えば、前記無機絶縁材料からなる膜に貫
通孔が形成されており、該貫通孔において、第１〜第３
の金属膜からなる積層膜と、アルミニウム膜とが電気的
に接続されていてもよい。
通孔が形成されており、該貫通孔において、第１〜第３
の金属膜からなる積層膜と、アルミニウム膜とが電気的
に接続されていてもよい。
【００１９】本発明のさらに他の特定の局面では、前記
反応抑制膜の外縁が、前記第１〜第３の金属膜からなる
積層膜の外縁よりも外側に至るように形成されている。
反応抑制膜の外縁が、前記第１〜第３の金属膜からなる
積層膜の外縁よりも外側に至るように形成されている。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
の具体的な実施例を説明することにより、本発明に係る
表面波装置の詳細を説明する。
の具体的な実施例を説明することにより、本発明に係る
表面波装置の詳細を説明する。
【００２１】図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の
参考例に係る表面波装置を示す平面図及び（ａ）におけ
るＡ−Ａ線に沿う断面図である。本参考例の表面波装置
１は、帯域フィルタとして用いられるものである。表面
波装置１は、矩形の表面波基板２を有する。表面波基板
２は、圧電基板または絶縁性基板上に圧電薄膜を形成す
ることにより構成される。圧電基板としては、チタン酸
ジルコン酸鉛系セラミックスのような圧電セラミックス
あるいはＬｉＴａＯ3、ＬｉＮｂＯ3もしくは水晶のよう
な圧電単結晶により構成される。
参考例に係る表面波装置を示す平面図及び（ａ）におけ
るＡ−Ａ線に沿う断面図である。本参考例の表面波装置
１は、帯域フィルタとして用いられるものである。表面
波装置１は、矩形の表面波基板２を有する。表面波基板
２は、圧電基板または絶縁性基板上に圧電薄膜を形成す
ることにより構成される。圧電基板としては、チタン酸
ジルコン酸鉛系セラミックスのような圧電セラミックス
あるいはＬｉＴａＯ3、ＬｉＮｂＯ3もしくは水晶のよう
な圧電単結晶により構成される。
【００２２】なお、表面波基板２が、絶縁性基板に圧電
性薄膜を積層した構造の場合、絶縁性基板としてはガラ
スまたはサファイヤなどの適宜の絶縁材料からなるもの
を用いることができ、圧電薄膜についてもＺｎＯやＴａ
2 Ｏ5 などからなるものを用いることができる。
性薄膜を積層した構造の場合、絶縁性基板としてはガラ
スまたはサファイヤなどの適宜の絶縁材料からなるもの
を用いることができ、圧電薄膜についてもＺｎＯやＴａ
2 Ｏ5 などからなるものを用いることができる。
【００２３】表面波基板２の上面２ａ上には、２個のＩ
ＤＴ電極３，４が表面波伝搬方向において所定距離を隔
てて配置されている。ＩＤＴ電極３は、複数本の電極指
が一端で電気的に接続された第１のくし歯電極部３ａ
と、複数本の電極指が一端で電気的に接続された第２の
くし歯電極部３ｂとを有する。くし歯電極部３ａ，３ｂ
の電極指は互いに間挿し合うように配置されている。ま
た、くし歯電極部３ａに連ねられて、すなわち、くし歯
電極部３ａに電気的に接続されるように第１の配線電極
部３ｃが形成されている。配線電極部３ｃは、引き回し
電極３ｅ1 と引き回し電極３ｅ1 に連なっているパッド
３ｃ2 とを有する。パッド３ｃ2 がバンプにより接続さ
れる部分となる。同様に、第２のくし歯電極部３ｂに電
気的に接続されるように、引き回し電極３ｄ1 とパッド
３ｄ2 とを有する第２の配線電極部３ｄが形成されてい
る。
ＤＴ電極３，４が表面波伝搬方向において所定距離を隔
てて配置されている。ＩＤＴ電極３は、複数本の電極指
が一端で電気的に接続された第１のくし歯電極部３ａ
と、複数本の電極指が一端で電気的に接続された第２の
くし歯電極部３ｂとを有する。くし歯電極部３ａ，３ｂ
の電極指は互いに間挿し合うように配置されている。ま
た、くし歯電極部３ａに連ねられて、すなわち、くし歯
電極部３ａに電気的に接続されるように第１の配線電極
部３ｃが形成されている。配線電極部３ｃは、引き回し
電極３ｅ1 と引き回し電極３ｅ1 に連なっているパッド
３ｃ2 とを有する。パッド３ｃ2 がバンプにより接続さ
れる部分となる。同様に、第２のくし歯電極部３ｂに電
気的に接続されるように、引き回し電極３ｄ1 とパッド
３ｄ2 とを有する第２の配線電極部３ｄが形成されてい
る。
【００２４】ＩＤＴ電極４側においても、同様に、第
１，第２のくし歯電極部４ａ，４ｂ及び第１，第２の配
線電極部４ｃ，４ｄが形成されている。第１，第２の配
線電極４ｃ，４ｄは、引き回し電極４ｃ1 ，４ｄ1 と、
これに連なるパッド４ｃ2 ，４ｄ2 とを有する。
１，第２のくし歯電極部４ａ，４ｂ及び第１，第２の配
線電極部４ｃ，４ｄが形成されている。第１，第２の配
線電極４ｃ，４ｄは、引き回し電極４ｃ1 ，４ｄ1 と、
これに連なるパッド４ｃ2 ，４ｄ2 とを有する。
【００２５】ＩＤＴ電極３，４のくし歯電極部３ａ，３
ｂ，４ａ，４ｂは、アルミニウムをパターニングするこ
とにより形成されている。配線電極部３ｃ，３ｄ，４
ｃ，４ｄについても、くし歯電極部３ａ，３ｂ，４ａ，
４ｂと同じ工程によりアルミニウムをパターニングする
ことにより形成されている。
ｂ，４ａ，４ｂは、アルミニウムをパターニングするこ
とにより形成されている。配線電極部３ｃ，３ｄ，４
ｃ，４ｄについても、くし歯電極部３ａ，３ｂ，４ａ，
４ｂと同じ工程によりアルミニウムをパターニングする
ことにより形成されている。
【００２６】表面波装置１の特徴は、配線電極部３ｃ，
３ｄ，４ｃ，４ｄ上に、第１〜第３の金属膜５〜７が積
層されていることにある。これを、図１（ｂ）を参照し
て説明する。
３ｄ，４ｃ，４ｄ上に、第１〜第３の金属膜５〜７が積
層されていることにある。これを、図１（ｂ）を参照し
て説明する。
【００２７】配線電極部３ｃ上には、第１〜第３の金属
膜５〜７がこの順序で積層されている。すなわち、第１
〜第３の金属膜５〜７は、パッド３ｃ2上だけでなく、
引き回し電極３ｃ1上にも積層されている。第１〜第３
の金属膜５〜７は、本参考例では同じ大きさとされてお
り、かつ積層膜８の外縁は配線電極部３ｃ，３ｄの外縁
よりも内側に存在する。また、第１〜第３の金属膜５〜
７が積層されてなる積層膜８上に、Ａｕからなるバンプ
９が形成されている。第１〜第３の金属膜５〜７は、Ａ
ｕからなるバンプ９の形成に際し、焦電破壊による電極
の溶融や切断を防止すると共に、バンプ９を短時間でか
つ配線電極部３ｃに強固に接合するために設けられてい
る。
膜５〜７がこの順序で積層されている。すなわち、第１
〜第３の金属膜５〜７は、パッド３ｃ2上だけでなく、
引き回し電極３ｃ1上にも積層されている。第１〜第３
の金属膜５〜７は、本参考例では同じ大きさとされてお
り、かつ積層膜８の外縁は配線電極部３ｃ，３ｄの外縁
よりも内側に存在する。また、第１〜第３の金属膜５〜
７が積層されてなる積層膜８上に、Ａｕからなるバンプ
９が形成されている。第１〜第３の金属膜５〜７は、Ａ
ｕからなるバンプ９の形成に際し、焦電破壊による電極
の溶融や切断を防止すると共に、バンプ９を短時間でか
つ配線電極部３ｃに強固に接合するために設けられてい
る。
【００２８】すなわち、第１の金属膜５は、第２の金属
膜６に比べて配線電極部３ｃ、すなわちアルミニウムに
対する接合性に優れている金属材料により構成されてい
る。このようなアルミニウムに対する接合性に優れた金
属材料としては、特に限定されるわけではないが、例え
ば、Ｔｉ、Ｃｒ、ＮｉもしくはＨｆのような金属、ある
いはこれらの金属を主成分とする合金、例えばＮｉＣｒ
などを好適に用いることができる。
膜６に比べて配線電極部３ｃ、すなわちアルミニウムに
対する接合性に優れている金属材料により構成されてい
る。このようなアルミニウムに対する接合性に優れた金
属材料としては、特に限定されるわけではないが、例え
ば、Ｔｉ、Ｃｒ、ＮｉもしくはＨｆのような金属、ある
いはこれらの金属を主成分とする合金、例えばＮｉＣｒ
などを好適に用いることができる。
【００２９】第２の金属膜６は、第１の金属膜５を構成
している金属の上方への拡散を抑制する金属により構成
されている。第２の金属膜６を構成する金属材料につい
ても、上記作用を果たし得る限り特に限定されるわけで
はないが、例えば、Ｐｄ、Ｐｔ、ＮｉもしくはＣｕなど
の金属、あるいはこれらの金属を主成分とした合金を用
いることができる。
している金属の上方への拡散を抑制する金属により構成
されている。第２の金属膜６を構成する金属材料につい
ても、上記作用を果たし得る限り特に限定されるわけで
はないが、例えば、Ｐｄ、Ｐｔ、ＮｉもしくはＣｕなど
の金属、あるいはこれらの金属を主成分とした合金を用
いることができる。
【００３０】第３の金属膜７は、第１の金属膜５よりも
バンプに対する接合性に優れた金属材料により構成され
る。第３の金属膜７を構成する金属についても、上記作
用を果たし得る限り特に限定されるわけではないが、Ａ
ｇもしくはＡｕまたはこれらの金属を主成分とする合金
を好適に用いることができる。
バンプに対する接合性に優れた金属材料により構成され
る。第３の金属膜７を構成する金属についても、上記作
用を果たし得る限り特に限定されるわけではないが、Ａ
ｇもしくはＡｕまたはこれらの金属を主成分とする合金
を好適に用いることができる。
【００３１】すなわち、積層膜８において、第３の金属
膜７が、Ａｕからなるバンプ９に対する接合性に優れて
いるので、バンプ９は、積層膜８に対して強固に接合さ
れる。また、第１の金属膜５は、アルミニウムに対する
接合性に優れているが、第１の金属膜５を構成している
金属は上方に拡散しやすい。しかしながら、第２の金属
膜６が、上記拡散を抑制するように作用するので、第１
の金属膜５を構成している金属の第３の金属膜７への拡
散が確実に抑制される。従って、バンプ９と第３の金属
膜７との接合強度の低下が抑制される。
膜７が、Ａｕからなるバンプ９に対する接合性に優れて
いるので、バンプ９は、積層膜８に対して強固に接合さ
れる。また、第１の金属膜５は、アルミニウムに対する
接合性に優れているが、第１の金属膜５を構成している
金属は上方に拡散しやすい。しかしながら、第２の金属
膜６が、上記拡散を抑制するように作用するので、第１
の金属膜５を構成している金属の第３の金属膜７への拡
散が確実に抑制される。従って、バンプ９と第３の金属
膜７との接合強度の低下が抑制される。
【００３２】よって、積層膜８を用いることにより、バ
ンプ９を、アルミニウムからなる配線電極部３ｃに強固
に接合することができる。さらに、第３の金属膜７が、
バンプに対する接合性に優れているので、バンプ９を形
成するに際し高温に加熱する必要がない。例えば、Ａｕ
からなるバンプ９をＡｕまたはＡｇからなる第３の金属
膜７に接合する場合、バンプ９の形成に際しては常温
（２０℃〜３０℃）の温度で行うことができる。
ンプ９を、アルミニウムからなる配線電極部３ｃに強固
に接合することができる。さらに、第３の金属膜７が、
バンプに対する接合性に優れているので、バンプ９を形
成するに際し高温に加熱する必要がない。例えば、Ａｕ
からなるバンプ９をＡｕまたはＡｇからなる第３の金属
膜７に接合する場合、バンプ９の形成に際しては常温
（２０℃〜３０℃）の温度で行うことができる。
【００３３】よって、表面波基板２が焦電性の高い材料
で構成されている場合であっても、バンプ９の形成に際
し高温に加熱する必要がないので、焦電破壊が生じ難
い。従って、表面波装置１の製造に際し、良品率を効果
的に高め得る。
で構成されている場合であっても、バンプ９の形成に際
し高温に加熱する必要がないので、焦電破壊が生じ難
い。従って、表面波装置１の製造に際し、良品率を効果
的に高め得る。
【００３４】なお、第１の金属膜５と、第３の金属膜７
との間に設けられている第２の金属膜６が設けられてお
らずとも、バンプ９の接合強度は高められるものの、第
１の金属膜５を構成している金属が徐々に第３の金属膜
７の表面に拡散し、バンプ９の接合強度が劣化すること
になる。
との間に設けられている第２の金属膜６が設けられてお
らずとも、バンプ９の接合強度は高められるものの、第
１の金属膜５を構成している金属が徐々に第３の金属膜
７の表面に拡散し、バンプ９の接合強度が劣化すること
になる。
【００３５】次に、具体的な実験例につき説明する。上
記表面波装置１として、例えば、タンタル酸リチウムか
らなる表面波基板２を用意し、アルミニウムをパターニ
ングすることにより、０．１〜０．２μｍの厚みのアル
ミニウム膜からなるＩＤＴ電極３，４を形成した。しか
る後、配線電極部３ｃ，３ｄ，４ｃ，４ｄ上に、第１の
金属膜５として、０．１μｍのＴｉ膜を形成し、次に、
第２の金属膜６として、０．０８μｍの厚みのＰｄ膜を
形成し、さらに第３の金属膜７として、厚み０．３μｍ
のＡｕ膜を形成した。しかる後、第３の金属膜７上に、
Ａｕバンプをワイヤバンピング法により表面波基板２を
加熱することなく形成し、本参考例の表面波装置１を得
た。
記表面波装置１として、例えば、タンタル酸リチウムか
らなる表面波基板２を用意し、アルミニウムをパターニ
ングすることにより、０．１〜０．２μｍの厚みのアル
ミニウム膜からなるＩＤＴ電極３，４を形成した。しか
る後、配線電極部３ｃ，３ｄ，４ｃ，４ｄ上に、第１の
金属膜５として、０．１μｍのＴｉ膜を形成し、次に、
第２の金属膜６として、０．０８μｍの厚みのＰｄ膜を
形成し、さらに第３の金属膜７として、厚み０．３μｍ
のＡｕ膜を形成した。しかる後、第３の金属膜７上に、
Ａｕバンプをワイヤバンピング法により表面波基板２を
加熱することなく形成し、本参考例の表面波装置１を得
た。
【００３６】比較のために、積層金属膜５を用いずに、
配線電極３ｃ上に直接Ａｕからなるバンプ９を形成し、
従来の表面波装置を作製した。なお、参考例及び従来例
の表面波装置のいずれにおいても、バンプ９を形成し、
接合強度を測定した。結果を図２に示す。
配線電極３ｃ上に直接Ａｕからなるバンプ９を形成し、
従来の表面波装置を作製した。なお、参考例及び従来例
の表面波装置のいずれにおいても、バンプ９を形成し、
接合強度を測定した。結果を図２に示す。
【００３７】図２から明らかなように、参考例の表面波
装置１によれば、従来例の表面波装置に比べて高い接合
強度を示すことがわかる。前述した特開平８−３０７１
９２号公報に記載の方法では、Ａｌ膜の上面だけでなく
側面にもＰｄやＰｔを被覆する必要があり、このような
成膜が困難であったのに対し、第１の参考例の表面波装
置１では、配線電極部において、配線電極部３ｃ，３
ｄ，４ｃ，４ｄ上においてのみ、順に第１〜第３の金属
膜５〜７を積層すればよいだけであるため、製造容易で
あり、例えばリフトオフ技術を用いて容易に積層膜８を
形成することができる。
装置１によれば、従来例の表面波装置に比べて高い接合
強度を示すことがわかる。前述した特開平８−３０７１
９２号公報に記載の方法では、Ａｌ膜の上面だけでなく
側面にもＰｄやＰｔを被覆する必要があり、このような
成膜が困難であったのに対し、第１の参考例の表面波装
置１では、配線電極部において、配線電極部３ｃ，３
ｄ，４ｃ，４ｄ上においてのみ、順に第１〜第３の金属
膜５〜７を積層すればよいだけであるため、製造容易で
あり、例えばリフトオフ技術を用いて容易に積層膜８を
形成することができる。
【００３８】ところで、第１の参考例の表面波装置１に
おいて、表面波装置１をパッケージに封止するに際し、
例えばＡｕＳｎなどのロウ材による封止方法が用いられ
ると、封止時に２５０〜４００℃程度の高熱を受けるこ
とになる。このような場合、積層膜８の端部とアルミニ
ウム膜からなる配線電極部３ｃとの間に反応が生じ、合
金化し、配線抵抗が上昇し素子の特性が劣化するおそれ
がある。これは、積層膜８を製造する過程において、第
１〜第３の金属膜５〜７がわずかにずれて積層され、Ａ
ｌに対して反応しやすい第２，第３の金属膜６，７を構
成している金属、例えばＡｕやＰｄが直接Ａｌと接触し
たところに、高熱が加わることにより生じる。すなわ
ち、第２，第３の金属膜６，７が、それぞれ、ＰｄやＡ
ｕにより構成されており、第１の金属膜５よりも幅広に
形成されたり、第１の金属膜５の端縁よりも外側にはみ
出して形成された場合、図３に示すように、第１の金属
膜５の側方で、第２，第３の金属膜６，７が配線電極部
３ｃと接触し、反応生成物である合金１０を形成するこ
とがある。
おいて、表面波装置１をパッケージに封止するに際し、
例えばＡｕＳｎなどのロウ材による封止方法が用いられ
ると、封止時に２５０〜４００℃程度の高熱を受けるこ
とになる。このような場合、積層膜８の端部とアルミニ
ウム膜からなる配線電極部３ｃとの間に反応が生じ、合
金化し、配線抵抗が上昇し素子の特性が劣化するおそれ
がある。これは、積層膜８を製造する過程において、第
１〜第３の金属膜５〜７がわずかにずれて積層され、Ａ
ｌに対して反応しやすい第２，第３の金属膜６，７を構
成している金属、例えばＡｕやＰｄが直接Ａｌと接触し
たところに、高熱が加わることにより生じる。すなわ
ち、第２，第３の金属膜６，７が、それぞれ、ＰｄやＡ
ｕにより構成されており、第１の金属膜５よりも幅広に
形成されたり、第１の金属膜５の端縁よりも外側にはみ
出して形成された場合、図３に示すように、第１の金属
膜５の側方で、第２，第３の金属膜６，７が配線電極部
３ｃと接触し、反応生成物である合金１０を形成するこ
とがある。
【００３９】これに対して、第２の参考例では、図４に
示すように、積層膜８と、配線電極部３ｃとの間に反応
抑制膜１１が積層される。反応抑制膜１１は、積層膜８
と、アルミニウムからなる配線電極部３ｃとの間に挟持
されている。また、反応抑制膜１１の外縁が、積層膜８
の外縁よりも外側に至るように形成されており、それに
よって段差Ｂが形成されている。
示すように、積層膜８と、配線電極部３ｃとの間に反応
抑制膜１１が積層される。反応抑制膜１１は、積層膜８
と、アルミニウムからなる配線電極部３ｃとの間に挟持
されている。また、反応抑制膜１１の外縁が、積層膜８
の外縁よりも外側に至るように形成されており、それに
よって段差Ｂが形成されている。
【００４０】上記反応抑制膜１１を構成する材料として
は、積層膜８を構成している金属とＡｌとの反応や合金
化を抑制し得る適宜の材料を用いることができ、図４に
示す第２の参考例では、反応抑制膜１１は、Ｔｉ、Ｃｒ
のような金属、またはこれらの金属を主成分とする合金
により構成されている。
は、積層膜８を構成している金属とＡｌとの反応や合金
化を抑制し得る適宜の材料を用いることができ、図４に
示す第２の参考例では、反応抑制膜１１は、Ｔｉ、Ｃｒ
のような金属、またはこれらの金属を主成分とする合金
により構成されている。
【００４１】なお、第２の参考例の表面波装置は、反応
抑制膜１１が形成されていることを除いては、第１の参
考例の表面波装置と同様である。上記のように、反応抑
制膜１１を形成することにより、積層膜８と配線電極部
３ｃを構成しているアルミニウムとの反応が抑制され、
表面波装置の特性の劣化を抑制することができる。
抑制膜１１が形成されていることを除いては、第１の参
考例の表面波装置と同様である。上記のように、反応抑
制膜１１を形成することにより、積層膜８と配線電極部
３ｃを構成しているアルミニウムとの反応が抑制され、
表面波装置の特性の劣化を抑制することができる。
【００４２】もっとも、ロウ材による封止などの高熱が
加わらない場合、すなわち表面波装置１をパッケージに
封止する場合接着剤を用いる場合などにおいては、第１
の参考例の表面波装置１を好適に用いることができる。
すなわち、封止に際し高熱が加わらない場合には、第１
の参考例において、図３に示した反応物の生成が生じ
ず、従って素子の特性劣化も生じない。ただし、この表
面波装置を回路基板上にはんだ実装する場合に約２５０
℃以上の高熱が加わる時は第２の参考例が有効である。
加わらない場合、すなわち表面波装置１をパッケージに
封止する場合接着剤を用いる場合などにおいては、第１
の参考例の表面波装置１を好適に用いることができる。
すなわち、封止に際し高熱が加わらない場合には、第１
の参考例において、図３に示した反応物の生成が生じ
ず、従って素子の特性劣化も生じない。ただし、この表
面波装置を回路基板上にはんだ実装する場合に約２５０
℃以上の高熱が加わる時は第２の参考例が有効である。
【００４３】なお、第２の参考例においては、反応抑制
膜の外縁が積層膜８の外縁よりも外側に至るように形成
し、段差Ｂを構成したが、第１の参考例の表面波装置１
において、第１の金属膜５の外縁が第２，第３の金属膜
６，７の外縁よりも外側に至るように形成し、それによ
って第２，第３の金属膜６，７とアルミニウムとの接触
を抑制してもよい。すなわち、第１の金属膜５を、上記
反応抑制膜の作用を兼ねるように構成してもよい。
膜の外縁が積層膜８の外縁よりも外側に至るように形成
し、段差Ｂを構成したが、第１の参考例の表面波装置１
において、第１の金属膜５の外縁が第２，第３の金属膜
６，７の外縁よりも外側に至るように形成し、それによ
って第２，第３の金属膜６，７とアルミニウムとの接触
を抑制してもよい。すなわち、第１の金属膜５を、上記
反応抑制膜の作用を兼ねるように構成してもよい。
【００４４】次に、第１，第２の参考例の表面波装置に
ついて、３００〜３５０℃程度の高熱が加わった場合の
上記反応生成物の状態を具体的な実験例に基づき説明す
る。図５（ａ）は、第１の参考例の表面波装置の配線電
極部の加熱前の状態を示す顕微鏡写真であり、図５
（ｂ）は、加熱後に生じた反応生成物を示す顕微鏡写真
である。図５（ｂ）において、中央から右下方に延びて
いる配線電極部上の積層膜の端縁において、黒くなって
いる部分が上述した反応生成物が生じている部分であ
る。
ついて、３００〜３５０℃程度の高熱が加わった場合の
上記反応生成物の状態を具体的な実験例に基づき説明す
る。図５（ａ）は、第１の参考例の表面波装置の配線電
極部の加熱前の状態を示す顕微鏡写真であり、図５
（ｂ）は、加熱後に生じた反応生成物を示す顕微鏡写真
である。図５（ｂ）において、中央から右下方に延びて
いる配線電極部上の積層膜の端縁において、黒くなって
いる部分が上述した反応生成物が生じている部分であ
る。
【００４５】また、図５（ｃ）は、第２の参考例におけ
る配線電極部を示す顕微鏡写真である。実験に際して
は、反応を加速するために１℃／秒の温度勾配で第１，
第２の参考例の表面波装置を５００℃まで加熱し、５０
０℃に１分間維持した後、自然冷却した。第１の参考例
の表面波装置としては、前述した図２に示した結果が得
られた表面波装置を用い、第２の参考例の表面波装置と
しては、反応抑制膜として０．０５μｍの厚みのＮｉＣ
ｒ膜が形成されていることを除いては、第１の参考例と
同様にして構成されているものを用いた。また、反応抑
制膜と積層膜８との間の段差の外側の幅Ｃについては、
反応抑制膜と積層膜の位置ずれを考慮した幅であればよ
い。
る配線電極部を示す顕微鏡写真である。実験に際して
は、反応を加速するために１℃／秒の温度勾配で第１，
第２の参考例の表面波装置を５００℃まで加熱し、５０
０℃に１分間維持した後、自然冷却した。第１の参考例
の表面波装置としては、前述した図２に示した結果が得
られた表面波装置を用い、第２の参考例の表面波装置と
しては、反応抑制膜として０．０５μｍの厚みのＮｉＣ
ｒ膜が形成されていることを除いては、第１の参考例と
同様にして構成されているものを用いた。また、反応抑
制膜と積層膜８との間の段差の外側の幅Ｃについては、
反応抑制膜と積層膜の位置ずれを考慮した幅であればよ
い。
【００４６】上記のようにして、第１，第２の参考例の
表面波装置に高温を付加した結果を、図６及び図７に示
す。図６（ａ）は、第１の参考例の表面波装置の配線電
極部の実験後の状態を、図６（ｂ）は、第２の参考例の
表面波装置の上記実験後の状態を示す顕微鏡写真であ
る。図６（ａ）及び図６（ｂ）から明らかなように、第
１の参考例の表面波装置では、配線電極部の外側端縁が
黒くなり、上記反応生成物が生じているのに対し、図６
（ｂ）に示す第２の参考例の表面波装置では、このよう
な反応生成物の発生が抑制されていることがわかる。
表面波装置に高温を付加した結果を、図６及び図７に示
す。図６（ａ）は、第１の参考例の表面波装置の配線電
極部の実験後の状態を、図６（ｂ）は、第２の参考例の
表面波装置の上記実験後の状態を示す顕微鏡写真であ
る。図６（ａ）及び図６（ｂ）から明らかなように、第
１の参考例の表面波装置では、配線電極部の外側端縁が
黒くなり、上記反応生成物が生じているのに対し、図６
（ｂ）に示す第２の参考例の表面波装置では、このよう
な反応生成物の発生が抑制されていることがわかる。
【００４７】また、図７は、上記第１，第２の参考例の
表面波装置における反応生成物の発生状況を示す図であ
る。図７から明らかなように、第１の参考例の表面波装
置では、４３０℃程度に加熱された際に反応生成物が発
生したのに対し、第２の参考例の表面波装置では、５０
０℃に到達しても反応は開始せず、５００℃に到達して
から３０秒後に反応が生じた。また、第２の参考例の表
面波装置では、第１の参考例の表面波装置のように配線
電極部の端部から、すなわち配線電極部の特定の部分か
ら始まるのではなく、第２の参考例の表面波装置では、
配線電極部の端縁以外の様々な部分で発生した（図６
（ｂ））。
表面波装置における反応生成物の発生状況を示す図であ
る。図７から明らかなように、第１の参考例の表面波装
置では、４３０℃程度に加熱された際に反応生成物が発
生したのに対し、第２の参考例の表面波装置では、５０
０℃に到達しても反応は開始せず、５００℃に到達して
から３０秒後に反応が生じた。また、第２の参考例の表
面波装置では、第１の参考例の表面波装置のように配線
電極部の端部から、すなわち配線電極部の特定の部分か
ら始まるのではなく、第２の参考例の表面波装置では、
配線電極部の端縁以外の様々な部分で発生した（図６
（ｂ））。
【００４８】従って、第２の参考例の表面波装置におい
て、上記高温付加試験において発生した反応は、金属膜
の積層ずれに起因するものでないことがわかる。よっ
て、第２の参考例のように反応抑制膜１１を設けること
により、積層ずれに起因する上記反応を確実に抑制する
ことがわかる。また、反応抑制膜１１の厚み分だけ、上
記反応生成物の生成速度が抑制されるものと思われる。
て、上記高温付加試験において発生した反応は、金属膜
の積層ずれに起因するものでないことがわかる。よっ
て、第２の参考例のように反応抑制膜１１を設けること
により、積層ずれに起因する上記反応を確実に抑制する
ことがわかる。また、反応抑制膜１１の厚み分だけ、上
記反応生成物の生成速度が抑制されるものと思われる。
【００４９】第２の参考例の表面波装置では、金属から
なる反応抑制膜１１が積層膜８とアルミニウムからなる
配線電極部３ｃとの間にサンドイッチされていたが、本
発明では反応抑制膜１１は、無機絶縁物材料で構成され
る。図８（ａ）〜（ｃ）及び図９（ａ），（ｂ）に示す
第１，第２の実施例では、反応抑制膜が無機絶縁物材
料、例えばＳｉＮ、ＳｉＯ2などで構成されている。
なる反応抑制膜１１が積層膜８とアルミニウムからなる
配線電極部３ｃとの間にサンドイッチされていたが、本
発明では反応抑制膜１１は、無機絶縁物材料で構成され
る。図８（ａ）〜（ｃ）及び図９（ａ），（ｂ）に示す
第１，第２の実施例では、反応抑制膜が無機絶縁物材
料、例えばＳｉＮ、ＳｉＯ2などで構成されている。
【００５０】図８（ａ）〜（ｃ）に示す第１の実施例の
表面波装置２１では、配線電極部３ｃ，３ｄ，４ｃ，４
ｄ上に、第１〜第３の金属膜５〜７からなる積層膜８が
無機絶縁物材料からなる反応抑制膜１１を介して積層さ
れている。反応抑制膜１１の外縁は、積層金属膜８の外
縁よりも外側に至るように形成されており、それによっ
て段差Ｂが形成されている。もっとも、本実施例では、
反応抑制膜１１が、無機絶縁物材料であるため、積層膜
８とアルミニウムからなる配線電極部との電気的導通を
確保するために、反応抑制膜１１に貫通孔１１ａが形成
されている。従って、貫通孔１１ａ内に、入り込むよう
に、第１の金属膜５が成膜されているので、第１の金属
膜５が下方のアルミニウムからなる配線電極部３ｃ，３
ｄに電気的に接続されている。
表面波装置２１では、配線電極部３ｃ，３ｄ，４ｃ，４
ｄ上に、第１〜第３の金属膜５〜７からなる積層膜８が
無機絶縁物材料からなる反応抑制膜１１を介して積層さ
れている。反応抑制膜１１の外縁は、積層金属膜８の外
縁よりも外側に至るように形成されており、それによっ
て段差Ｂが形成されている。もっとも、本実施例では、
反応抑制膜１１が、無機絶縁物材料であるため、積層膜
８とアルミニウムからなる配線電極部との電気的導通を
確保するために、反応抑制膜１１に貫通孔１１ａが形成
されている。従って、貫通孔１１ａ内に、入り込むよう
に、第１の金属膜５が成膜されているので、第１の金属
膜５が下方のアルミニウムからなる配線電極部３ｃ，３
ｄに電気的に接続されている。
【００５１】なお、図８（ｃ）では、第２の金属膜６及
び第３の金属膜７が、反応抑制膜１１上に到達している
が、これは、第２，第３の金属膜６，７の幅が第１の金
属膜５よりも大きい場合の結果を示す。もっとも、第１
の実施例において、第２，第３の金属膜６，７の幅は、
第１の金属膜５と等しく、かつ積層ずれが生じない場合
には、第２，第３の金属膜６，７は、第１の金属膜５上
に積層され、図示のように側縁が下方に垂下することは
ない。
び第３の金属膜７が、反応抑制膜１１上に到達している
が、これは、第２，第３の金属膜６，７の幅が第１の金
属膜５よりも大きい場合の結果を示す。もっとも、第１
の実施例において、第２，第３の金属膜６，７の幅は、
第１の金属膜５と等しく、かつ積層ずれが生じない場合
には、第２，第３の金属膜６，７は、第１の金属膜５上
に積層され、図示のように側縁が下方に垂下することは
ない。
【００５２】図９（ａ）及び（ｂ）に示す第２の実施例
の表面波装置では、第１の実施例の表面波装置の変形例
であり、ここでは、反応抑制膜１１が、下方の配線電極
部３ｃ，３ｄよりも外側に至るように形成されている。
すなわち、図９（ｂ）に拡大平面図で示すように、反応
抑制膜１１の外縁が、下方の配線電極部３ｃの外縁より
も外側に至るように形成されている。このように、反応
抑制膜１１の外縁１１ｂを、配線電極部３ｃの外縁より
も外側に至るように形成することにより、アルミニウム
よりなる配線電極部３ｃと、上方の第２，第３の金属膜
６，７との反応をより確実に防止することができる。
の表面波装置では、第１の実施例の表面波装置の変形例
であり、ここでは、反応抑制膜１１が、下方の配線電極
部３ｃ，３ｄよりも外側に至るように形成されている。
すなわち、図９（ｂ）に拡大平面図で示すように、反応
抑制膜１１の外縁が、下方の配線電極部３ｃの外縁より
も外側に至るように形成されている。このように、反応
抑制膜１１の外縁１１ｂを、配線電極部３ｃの外縁より
も外側に至るように形成することにより、アルミニウム
よりなる配線電極部３ｃと、上方の第２，第３の金属膜
６，７との反応をより確実に防止することができる。
【００５３】なお、上述した第１，第２の実施例では、
２個のＩＤＴ電極３，４を有するトランスバーサル型の
表面波フィルタにつき説明したが、本発明は、表面波装
置の配線電極部の構造の改良に特徴を有するものである
ため、ＩＤＴ電極の数については特に限定されない。ま
た、トランスバーサル型の表面波フィルタだけでなく、
表面波共振子や共振子型表面波フィルタなどの、適宜の
表面波装置に適用することができる。
２個のＩＤＴ電極３，４を有するトランスバーサル型の
表面波フィルタにつき説明したが、本発明は、表面波装
置の配線電極部の構造の改良に特徴を有するものである
ため、ＩＤＴ電極の数については特に限定されない。ま
た、トランスバーサル型の表面波フィルタだけでなく、
表面波共振子や共振子型表面波フィルタなどの、適宜の
表面波装置に適用することができる。
【００５４】
【発明の効果】本発明に係る表面波装置では、引き回し
電極とパッドとを有する配線電極部に、第１〜第３の金
属膜からなる積層膜が形成されているので、第１の金属
膜により、該積層膜が配線電極部に強固に接合され、第
３の金属膜がバンプに強固に接合される。
電極とパッドとを有する配線電極部に、第１〜第３の金
属膜からなる積層膜が形成されているので、第１の金属
膜により、該積層膜が配線電極部に強固に接合され、第
３の金属膜がバンプに強固に接合される。
【００５５】また、第３の金属膜として、バンプに対す
る接合性に優れた金属を用いているので、バンプ形成に
際し加熱する必要はない。よって、表面波基板構成材料
として、焦電性の高い材料を用いたとしても、焦電破壊
が生じ難い。
る接合性に優れた金属を用いているので、バンプ形成に
際し加熱する必要はない。よって、表面波基板構成材料
として、焦電性の高い材料を用いたとしても、焦電破壊
が生じ難い。
【００５６】さらに、第２の金属膜が、第１の金属膜を
構成している金属の拡散を抑制するように作用するの
で、加熱されたとしても、第１の金属膜を構成している
金属の第３の金属膜への拡散が抑制され、そのためバン
プと積層膜との接合強度の低下が生じ難い。
構成している金属の拡散を抑制するように作用するの
で、加熱されたとしても、第１の金属膜を構成している
金属の第３の金属膜への拡散が抑制され、そのためバン
プと積層膜との接合強度の低下が生じ難い。
【００５７】従って、本発明によれば、バンプ形成に加
熱を必要としないので表面波装置の製造工程を短縮する
ことができ、バンプ形成時の焦電破壊が生じ難い表面波
装置を提供することができる。
熱を必要としないので表面波装置の製造工程を短縮する
ことができ、バンプ形成時の焦電破壊が生じ難い表面波
装置を提供することができる。
【００５８】アルミニウム膜と第１の金属膜との間に、
第２，第３の金属膜からなる積層膜とアルミニウム膜と
の反応を抑制する反応抑制膜が形成されているので、表
面波装置をパッケージに封止する際に加熱されたとして
も、該反応抑制膜により第２，第３の金属膜とアルミニ
ウム膜との反応を抑制することができ、それによってバ
ンプ接合による接合強度の低下がさらに生じ難い。ま
た、反応抑制膜として無機絶縁材料膜を用いているの
で、アルミニウム膜と積層膜との電気的接続を図る部分
以外では、アルミニウム膜が無機絶縁材料膜により被覆
されているので、アルミニウム膜と第２，第３の金属膜
との反応をより確実に抑制することができる。
第２，第３の金属膜からなる積層膜とアルミニウム膜と
の反応を抑制する反応抑制膜が形成されているので、表
面波装置をパッケージに封止する際に加熱されたとして
も、該反応抑制膜により第２，第３の金属膜とアルミニ
ウム膜との反応を抑制することができ、それによってバ
ンプ接合による接合強度の低下がさらに生じ難い。ま
た、反応抑制膜として無機絶縁材料膜を用いているの
で、アルミニウム膜と積層膜との電気的接続を図る部分
以外では、アルミニウム膜が無機絶縁材料膜により被覆
されているので、アルミニウム膜と第２，第３の金属膜
との反応をより確実に抑制することができる。
【００５９】第１の金属膜が、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ及びＨ
ｆからなる群から選択した１種の金属または該金属を主
成分とする合金からなり、第２の金属膜がＰｄ、Ｐｔ、
Ｎｉ及びＣｕからなる群から選択した１種の金属または
該金属を主成分とする合金からなり、第３の金属膜がＡ
ｇ及びＡｕからなる群から選択した１種の金属または該
金属を主成分とする合金からなる場合には、Ａｕバンプ
などを形成した場合、第３の金属膜がバンプとの接合性
に優れているので、加熱することなしに該バンプを形成
することができる。また、第２の金属膜が上記金属また
は合金からなるので、ＡｇまたはＡｕあるいはこれらの
合金からなる第３の金属膜を構成している金属の拡散が
確実に抑制される。また、Ｔｉ、Ｃｒ、ＮｉもしくはＨ
ｆまたはこれらの金属を主成分とする合金からなる第１
の金属膜は、アルミニウムに対する密着性に優れている
ので、バンプを配線電極部に強固に接合することができ
る。
ｆからなる群から選択した１種の金属または該金属を主
成分とする合金からなり、第２の金属膜がＰｄ、Ｐｔ、
Ｎｉ及びＣｕからなる群から選択した１種の金属または
該金属を主成分とする合金からなり、第３の金属膜がＡ
ｇ及びＡｕからなる群から選択した１種の金属または該
金属を主成分とする合金からなる場合には、Ａｕバンプ
などを形成した場合、第３の金属膜がバンプとの接合性
に優れているので、加熱することなしに該バンプを形成
することができる。また、第２の金属膜が上記金属また
は合金からなるので、ＡｇまたはＡｕあるいはこれらの
合金からなる第３の金属膜を構成している金属の拡散が
確実に抑制される。また、Ｔｉ、Ｃｒ、ＮｉもしくはＨ
ｆまたはこれらの金属を主成分とする合金からなる第１
の金属膜は、アルミニウムに対する密着性に優れている
ので、バンプを配線電極部に強固に接合することができ
る。
【００６０】さらに、導電性に優れているＡｕやＡｇま
たはこれらの合金により最上層の第３の金属膜が構成さ
れている場合には、配線抵抗がＡｌの２層構造からなる
従来例に比べて低くなる。従って、配線抵抗が低く、特
性の良好な表面波装置を提供することが可能となる。
たはこれらの合金により最上層の第３の金属膜が構成さ
れている場合には、配線抵抗がＡｌの２層構造からなる
従来例に比べて低くなる。従って、配線抵抗が低く、特
性の良好な表面波装置を提供することが可能となる。
【００６１】
【００６２】反応抑制膜が無機絶縁材料からなるので、
アルミニウム膜と第１〜第３の金属膜とが電気的に接続
される必要がある。この場合、無機絶縁材料からなる膜
に貫通孔を形成してもよく、その場合には、該貫通孔に
おいて第１〜第３の金属膜からなる積層膜と、アルミニ
ウム膜とが電気的に接続される。
アルミニウム膜と第１〜第３の金属膜とが電気的に接続
される必要がある。この場合、無機絶縁材料からなる膜
に貫通孔を形成してもよく、その場合には、該貫通孔に
おいて第１〜第３の金属膜からなる積層膜と、アルミニ
ウム膜とが電気的に接続される。
【００６３】
【００６４】
【００６５】反応抑制膜の外縁が、第１〜第３の金属膜
からなる積層膜の外縁よりも外側に至るように形成され
ている場合には、反応抑制膜により、アルミニウム膜と
積層膜とがより確実に隔てられるので、アルミニウム膜
と第２，第３の金属膜との間の反応を効果的に抑制する
ことができ、良好な素子特性を実現することができる。
からなる積層膜の外縁よりも外側に至るように形成され
ている場合には、反応抑制膜により、アルミニウム膜と
積層膜とがより確実に隔てられるので、アルミニウム膜
と第２，第３の金属膜との間の反応を効果的に抑制する
ことができ、良好な素子特性を実現することができる。
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の参考例に
係る表面波装置の平面図及び（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断
面図。
係る表面波装置の平面図及び（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断
面図。
【図２】第１の参考例及び従来例の表面波装置における
バンプ接合による接合強度と、接合温度との関係を示す
図。
バンプ接合による接合強度と、接合温度との関係を示す
図。
【図３】第１の参考例の表面波装置において、第２，第
３の金属膜とアルミニウム膜とが反応した状態を説明す
るための断面図。
３の金属膜とアルミニウム膜とが反応した状態を説明す
るための断面図。
【図４】第２の参考例に係る表面波装置を説明するため
の断面図。
の断面図。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、配線電極部の顕微鏡写真で
あり、（ａ）は第１の参考例を、（ｂ）は第１の参考例
において配線電極部に反応生成物が生じた状態を、
（ｃ）は第２の参考例の配線電極部を示す。
あり、（ａ）は第１の参考例を、（ｂ）は第１の参考例
において配線電極部に反応生成物が生じた状態を、
（ｃ）は第２の参考例の配線電極部を示す。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は、高温加速試験後の第１及
び第２の参考例の配線電極部の状態を示す各顕微鏡写
真。
び第２の参考例の配線電極部の状態を示す各顕微鏡写
真。
【図７】高温加速試験における加熱時間と試料温度との
関係を示す図。
関係を示す図。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施例に係る表面波
装置の平面図、部分拡大平面図及び縦断面図。
装置の平面図、部分拡大平面図及び縦断面図。
【図９】（ａ）及び（ｂ）は、第２の実施例に係る表面
波装置の断面図及び配線電極部を示す模式的拡大平面
図。
波装置の断面図及び配線電極部を示す模式的拡大平面
図。
【図１０】（ａ）及び（ｂ）は、従来の表面波装置を説
明するための斜視図及び配線電極部の構造を示す模式的
断面図。
明するための斜視図及び配線電極部の構造を示す模式的
断面図。
【図１１】従来の表面波装置の他の例における配線電極
部の構造を示す模式的断面図。
部の構造を示す模式的断面図。
１…表面波装置
２…表面波基板
３，４…ＩＤＴ電極
３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂ…くし歯電極部
３ｃ，３ｄ，４ｃ，４ｄ…配線電極部
５…第１の金属膜
６…第２の金属膜
７…第３の金属膜
８…積層膜
９…バンプ
１１…反応抑制膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 田賀 重人
京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株
式会社村田製作所内
(72)発明者 冬爪 敏之
京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株
式会社村田製作所内
(56)参考文献 特開 平８−307192（ＪＰ，Ａ)
特開2000−165192（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−234082（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−322159（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−13184（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−78999（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−343511（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H03H 9/145
H03H 3/08
Claims (4)
- 【請求項１】 表面波基板と、 前記表面波基板に形成された少なくとも１つのインター
デジタル電極とを備え、 前記インターデジタル電極が、複数本の電極指が一端で
電気的に接続された第１のくし歯電極部と、複数本の電
極指が一端で電気的に接続された第２のくし歯電極部
と、第１，第２のくし歯電極部にそれぞれ電気的に接続
される引き回し電極及び外部とバンプ接続されるパッド
を有する第１，第２の配線電極部とを有し、第１，第２
のくし歯電極部の電極指が互いに間挿し合うように配置
されており、かつ 前記第１，第２のくし歯電極部及び第１，第２の配線電
極部がアルミニウム膜により構成されており、 前記第１，第２の配線電極部において前記アルミニウム
膜上に順に積層された第１〜第３の金属膜をさらに備
え、 第１の金属膜が、第２の金属膜よりもアルミニウムに対
する接合性に優れており、第３の金属膜が第１の金属膜
よりもバンプに対する接合性に優れており、第２の金属
膜が、第１，第３の金属膜を構成している金属の拡散を
抑制する金属を用いて構成されており、 前記アルミニウム膜と第１の金属膜との間に、第２，第
３の金属膜からなる積層膜とアルミニウム膜との反応を
抑制する反応抑制膜がさらに備えられており、前記反応
抑制膜が、無機絶縁材料膜からなり、かつアルミニウム
膜と第１〜第３の金属膜とが電気的に接続されて いるこ
とを特徴とする、表面波装置。 - 【請求項２】 前記無機絶縁材料からなる膜に貫通孔が
形成されており、該貫通孔において、第１〜第３の金属
膜からなる積層膜と、アルミニウム膜とが電気的に接続
されている、請求項１に記載の表面波装置。 - 【請求項３】 前記第１の金属膜が、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ
及びＨｆからなる群から選択した１種の金属または該金
属を主成分とする合金からなり、第２の金属膜が、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、Ｎｉ及びＣｕからなる群から選択した１種の
金属または該金属を主成分とした合金からなり、第３の
金属膜が、Ａｇ及びＡｕからなる群から選択した１種の
金属または該金属を主成分とする合金からなる、請求項
１または２に記載の表面波装置。 - 【請求項４】 前記反応抑制膜の外縁が、前記第１〜第
３の金属膜からなる積層膜の外縁よりも外側に至るよう
に形成されている、請求項１〜３のいずれかに記載の表
面波装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000243040A JP3405329B2 (ja) | 2000-07-19 | 2000-08-10 | 表面波装置 |
| US09/892,231 US6552475B2 (en) | 2000-07-19 | 2001-06-27 | Surface acoustic wave device |
| DE10134748A DE10134748B4 (de) | 2000-07-19 | 2001-07-17 | Oberflächenwellenbauelement |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-219363 | 2000-07-19 | ||
| JP2000219363 | 2000-07-19 | ||
| JP2000243040A JP3405329B2 (ja) | 2000-07-19 | 2000-08-10 | 表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002100951A JP2002100951A (ja) | 2002-04-05 |
| JP3405329B2 true JP3405329B2 (ja) | 2003-05-12 |
Family
ID=26596328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000243040A Expired - Lifetime JP3405329B2 (ja) | 2000-07-19 | 2000-08-10 | 表面波装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6552475B2 (ja) |
| JP (1) | JP3405329B2 (ja) |
| DE (1) | DE10134748B4 (ja) |
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