JPH0878999A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
- Publication number
- JPH0878999A JPH0878999A JP21375594A JP21375594A JPH0878999A JP H0878999 A JPH0878999 A JP H0878999A JP 21375594 A JP21375594 A JP 21375594A JP 21375594 A JP21375594 A JP 21375594A JP H0878999 A JPH0878999 A JP H0878999A
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- JP
- Japan
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- electrode
- saw
- chip
- layer
- soldered
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- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】引出電極の根元のＡｌ電極が、半田腐食して断
線し、伝送不良を発生することのない弾性表面波装置を
提供する。 【構成】ＳＡＷ基板に形成したＩＤＴ電極から引き出さ
れた引出電極の根元のＡｌ電極上に、半田腐食防止用保
護膜を形成した弾性表面波装置。
線し、伝送不良を発生することのない弾性表面波装置を
提供する。 【構成】ＳＡＷ基板に形成したＩＤＴ電極から引き出さ
れた引出電極の根元のＡｌ電極上に、半田腐食防止用保
護膜を形成した弾性表面波装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＤＴ電極から引き出
された引出電極の根元の半田接続による腐食およびそれ
による断線を防止した弾性表面波装置に関する。
された引出電極の根元の半田接続による腐食およびそれ
による断線を防止した弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４に、従来の一般的フェイスダウンボ
ンディングタイプの弾性表面波装置のＳＡＷチップ１０
を示す。同図において、１１はＳＡＷ圧電基板で、この
ＳＡＷ圧電基板１１には、近接して２つの入出力ＩＤＴ
電極１２が、この入出力ＩＤＴ電極１２の外側には反射
器電極１３が、そして入出力ＩＤＴ電極１２から導出さ
れた引出電極１４が、蒸着、スパッタリング等により金
属Ａｌを用いて形成される。
ンディングタイプの弾性表面波装置のＳＡＷチップ１０
を示す。同図において、１１はＳＡＷ圧電基板で、この
ＳＡＷ圧電基板１１には、近接して２つの入出力ＩＤＴ
電極１２が、この入出力ＩＤＴ電極１２の外側には反射
器電極１３が、そして入出力ＩＤＴ電極１２から導出さ
れた引出電極１４が、蒸着、スパッタリング等により金
属Ａｌを用いて形成される。
【０００３】図４に示すＳＡＷチップ１０は、図５に示
すように、メタライズ配線電極の形成されたチップキャ
リア１５上に、反転されて、即ち、図４に示す表面を下
にして載置され、半田１６ａにより、ＳＡＷチップ１０
の引出電極１４とチップキャリア１５のメタライズ配線
電極とが接続される。そして、チップキャリア１５にキ
ャップ１７を蓋被して、半田１６ｂにより、これらを接
合封止する構造のものである。
すように、メタライズ配線電極の形成されたチップキャ
リア１５上に、反転されて、即ち、図４に示す表面を下
にして載置され、半田１６ａにより、ＳＡＷチップ１０
の引出電極１４とチップキャリア１５のメタライズ配線
電極とが接続される。そして、チップキャリア１５にキ
ャップ１７を蓋被して、半田１６ｂにより、これらを接
合封止する構造のものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のフェイスダウンボンディングタイプの弾性表
面波装置は、図５に示す完成品での初期試験またはリフ
ロー試験（２６０℃、１分間）において、図６に示すよ
うに、半田１６ａが付着している引出電極１４の根元１
４ａのＡｌ電極が腐食して断線し、伝送特性不良が発生
するということがあった。
うな従来のフェイスダウンボンディングタイプの弾性表
面波装置は、図５に示す完成品での初期試験またはリフ
ロー試験（２６０℃、１分間）において、図６に示すよ
うに、半田１６ａが付着している引出電極１４の根元１
４ａのＡｌ電極が腐食して断線し、伝送特性不良が発生
するということがあった。
【０００５】したがって、本発明は、引出電極の根元の
Ａｌ電極が、半田腐食して断線し、伝送不良を発生する
ことのない弾性表面波装置を提供することを目的とす
る。
Ａｌ電極が、半田腐食して断線し、伝送不良を発生する
ことのない弾性表面波装置を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の課題に対する解
決手段は、ＳＡＷ基板に形成したＩＤＴ電極から引き出
された引出電極の根元のＡｌ電極上に、半田腐食防止用
保護膜を形成した弾性表面波装置である。
決手段は、ＳＡＷ基板に形成したＩＤＴ電極から引き出
された引出電極の根元のＡｌ電極上に、半田腐食防止用
保護膜を形成した弾性表面波装置である。
【０００７】
【作用】本発明は、ＳＡＷ基板に形成したＩＤＴ電極か
ら引き出された引出電極の根元のＡｌ電極上に、半田腐
食防止用保護膜を形成しているので、ＳＡＷチップの引
出電極をチップキャリアのメタライズ配線電極に半田接
続して、完成品を信頼性試験等にかけて過酷な環境にお
いても、引出電極の根元のＡｌ電極が腐食して断線する
ことがない。
ら引き出された引出電極の根元のＡｌ電極上に、半田腐
食防止用保護膜を形成しているので、ＳＡＷチップの引
出電極をチップキャリアのメタライズ配線電極に半田接
続して、完成品を信頼性試験等にかけて過酷な環境にお
いても、引出電極の根元のＡｌ電極が腐食して断線する
ことがない。
【０００８】
【実施例】以下に、本発明の実施例について図面を参照
して説明する。図１は本発明の一実施例のＳＡＷチップ
の平面図、図２は図１におけるＸ−Ｘ断面図である。図
１において、１はＳＡＷチップで、このＳＡＷチップ１
のＳＡＷ圧電基板２には、近接して２つの入出力ＩＤＴ
電極３が、この入出力ＩＤＴ電極３の外側には反射器電
極４が、そして入出力ＩＤＴ電極３から導出された引出
電極５が、蒸着、スパッタリング等により金属Ａｌによ
り形成される。
して説明する。図１は本発明の一実施例のＳＡＷチップ
の平面図、図２は図１におけるＸ−Ｘ断面図である。図
１において、１はＳＡＷチップで、このＳＡＷチップ１
のＳＡＷ圧電基板２には、近接して２つの入出力ＩＤＴ
電極３が、この入出力ＩＤＴ電極３の外側には反射器電
極４が、そして入出力ＩＤＴ電極３から導出された引出
電極５が、蒸着、スパッタリング等により金属Ａｌによ
り形成される。
【０００９】前記引出電極５の根元には、ＳｉＯ2 、Ｓ
ｉＮｘなどの保護膜５ａがＡｌ電極上に形成される。こ
の部分の断面形状が図２に示される。この保護膜５ａの
試作サイズは、８００μｍ×３００μｍ、膜厚：７００
±３００オンク゛ストロ-ムである。そして、図２に示すよう
に、この保護膜５ａの一部と引出電極５上に、Ｎｉ層６
ａおよびＡｇ層６ｂが順次形成される。
ｉＮｘなどの保護膜５ａがＡｌ電極上に形成される。こ
の部分の断面形状が図２に示される。この保護膜５ａの
試作サイズは、８００μｍ×３００μｍ、膜厚：７００
±３００オンク゛ストロ-ムである。そして、図２に示すよう
に、この保護膜５ａの一部と引出電極５上に、Ｎｉ層６
ａおよびＡｇ層６ｂが順次形成される。
【００１０】前記保護膜５ａは、前記従来例において説
明した半田腐食による断線を防止するためのものであ
る。また、Ｎｉ層６ａおよびＡｇ層６ｂは、半田接続を
良好にするためのものである。
明した半田腐食による断線を防止するためのものであ
る。また、Ｎｉ層６ａおよびＡｇ層６ｂは、半田接続を
良好にするためのものである。
【００１１】そして、図１に示すＳＡＷチップ１は、従
来例と同様に、図３に示すように、メタライズ配線電極
の形成されたチップキャリア７上に、反転されて、即
ち、図１に示す表面を下にして載置され、半田８ａによ
り、ＳＡＷチップ１の引出電極５とチップキャリア７の
メタライズ配線電極（図示せず）とが接続される。そし
て、チップキャリア７にキャップ９を蓋被して、半田８
ｂにより、これらを接合封止する。
来例と同様に、図３に示すように、メタライズ配線電極
の形成されたチップキャリア７上に、反転されて、即
ち、図１に示す表面を下にして載置され、半田８ａによ
り、ＳＡＷチップ１の引出電極５とチップキャリア７の
メタライズ配線電極（図示せず）とが接続される。そし
て、チップキャリア７にキャップ９を蓋被して、半田８
ｂにより、これらを接合封止する。
【００１２】
【発明の効果】本発明は、ＳＡＷ基板に形成したＩＤＴ
電極から引き出された引出電極の根元のＡｌ電極上に、
半田腐食防止用保護膜を形成しているので、ＳＡＷチッ
プの引出電極をチップキャリアのメタライズ配線電極に
半田接続して、完成品を信頼性試験等にかけて過酷な環
境においても、引出電極の根元のＡｌ電極が腐食して断
線することが防止でき、伝送特性の不良率を低減するこ
とができる。
電極から引き出された引出電極の根元のＡｌ電極上に、
半田腐食防止用保護膜を形成しているので、ＳＡＷチッ
プの引出電極をチップキャリアのメタライズ配線電極に
半田接続して、完成品を信頼性試験等にかけて過酷な環
境においても、引出電極の根元のＡｌ電極が腐食して断
線することが防止でき、伝送特性の不良率を低減するこ
とができる。
【図１】 本発明の一実施例のＳＡＷチップの平面図
【図２】 図１のＸ−Ｘ断面図
【図３】 図１に示すＳＡＷチップをチップキャリアに
搭載してケーシングした本実施例の断面形態図
搭載してケーシングした本実施例の断面形態図
【図４】 従来例のＳＡＷチップの平面図
【図５】 図４に示すＳＡＷチップをチップキャリアに
搭載してケーシングした従来例の断面形態図
搭載してケーシングした従来例の断面形態図
【図６】 図５に示す従来例のＳＡＷチップの平面図
１ ＳＡＷチップ ２ ＳＡＷ圧電基板 ３ 入出力ＩＤＴ電極 ４ 反射器電極 ５ 引出電極 ５ａ 保護膜 ６ａ Ｎｉ層 ６ｂ Ａｇ層 ７ チップキャリア ８ａ、８ｂ 半田 ９ キャップ
Claims (1)
- 【請求項１】 ＳＡＷ基板に形成したＩＤＴ電極から引
き出された引出電極の根元のＡｌ電極上に、半田腐食防
止用保護膜を形成した弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21375594A JPH0878999A (ja) | 1994-09-07 | 1994-09-07 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21375594A JPH0878999A (ja) | 1994-09-07 | 1994-09-07 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878999A true JPH0878999A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16644496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21375594A Pending JPH0878999A (ja) | 1994-09-07 | 1994-09-07 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878999A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6404110B1 (en) | 1997-05-16 | 2002-06-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Surface acoustic wave element having a bump electrode and surface acoustic wave device comprising the same |
| US6552475B2 (en) | 2000-07-19 | 2003-04-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
-
1994
- 1994-09-07 JP JP21375594A patent/JPH0878999A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6404110B1 (en) | 1997-05-16 | 2002-06-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Surface acoustic wave element having a bump electrode and surface acoustic wave device comprising the same |
| US6552475B2 (en) | 2000-07-19 | 2003-04-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
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