DE10134748A1 - Oberflächenwellenbauelement - Google Patents
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Abstract
Ein Oberflächenwellenbauelement umfaßt ein Oberflächenwellensubstrat, das zwei IDT-Elektroden aufweist, die Verdrahtungselektrodenabschnitte umfassen, die aus Aluminium hergestellt und auf denselben angeordnet sind. Ein erster, ein zweiter und ein dritter Metallfilm sind auf jedem der Verdrahtungselektrodenabschnitte laminiert. Der erste Metallfilm weist eine hervorragende Verbindbarkeit mit Aluminium auf, und der dritte Metallfilm weist eine hervorragende Verbindbarkeit mit Kontakthügeln auf. Zudem weist der zweite Metallfilm eine Fähigkeit auf, die Diffusion des Metalls, das den ersten Metallfilm definiert, zu unterdrücken.
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Oberflächenwel
lenbauelemente, die bei Resonatoren, piezoelektrischen Fil
tern und anderen Vorrichtungen verwendet werden, und spe
zieller bezieht sich die vorliegende Erfindung auf Verbes
serungen bei Oberflächenwellenbauelementen, die einen der
artigen Aufbau aufweisen, daß Elektroden über Au-
Kontakthügel (Bumps) extern verbunden sind.
Bei herkömmlichen Oberflächenwellenbauelementen werden Kon
takthügel, die aus Au oder anderen Materialien gebildet
sind, oft zum externen Verbinden der Oberflächenwellenbau
elemente verwendet. Ausführungen einer elektrischen Verbin
dung zwischen herkömmlichen Oberflächenwellenbauelementen
und der externen Umgebung werden nachstehend unter Bezug
nahme auf Fig. 10 und 11 beschrieben.
Wie in Fig. 10A gezeigt, umfaßt ein Oberflächenwellenbau
element 51 ein Oberflächenwellensubstrat 52, das aus einem
piezoelektrischen Material hergestellt ist. Das Oberflä
chenwellensubstrat 52 ist an der oberen Oberfläche 52a des
selben mit Interdigitalelektroden (IDT-Elektroden) 53 und
54 versehen. Die IDT-Elektroden 53 und 54 sind durch Alumi
niumstrukturen definiert. Die IDT-Elektrode 53 umfaßt einen
ersten und einen zweiten kammartigen Elektrodenabschnitt
53a und 53b, die derart aufgebaut sind, daß eine Mehrzahl
von Elektrodenfingern an einem Ende derselben miteinander
elektrisch verbunden sind. Der erste und der zweite kammar
tige Elektrodenabschnitt 53a bzw. 53b sind mit einem Ver
drahtungselektrodenabschnitt 53c bzw. 53d verbunden.
Dementsprechend umfaßt die IDT-Elektrode 54 einen ersten
und einen zweiten kammartigen Elektrodenabschnitt 54a und
54d und einen ersten und einen zweiten Verdrahtungselektro
denabschnitt 54c und 54d.
Die Verdrahtungselektrodenabschnitte 53c, 53d, 54c und 54d
werden verwendet, um das Oberflächenwellenbauelement 51 mit
externen Elementen zu verbinden, und aus Au gebildete Kon
takthügel 55 sind auf denselben vorgesehen, um eine solche
Verbindung zu erreichen. Spezieller sind die Verdrahtungs
elektrodenabschnitte 53c, 53d, 54c und 54d über die Kon
takthügel 55 mit Elektrodenverbindungsanschlußflächen, die
auf einem Substrat vorgesehen sind, das außerhalb des Ober
flächenwellenbauelements 51 angeordnet ist, elektrisch ver
bunden.
Fig. 10B zeigt eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts,
der um den Verdrahtungselektrodenabschnitt 53c angeordnet
ist, als ein Beispiel eines Abschnitts um den Kontakthügel
55. Wie in Fig. 10B gezeigt ist, ist das Oberflächenwellen
substrat 52 auf der oberen Oberfläche desselben mit dem aus
Aluminium herstellten Verdrahtungselektrodenabschnitt 53c
versehen, und der Kontakthügel 55 ist auf dem Verdrahtungs
elektrodenabschnitt 53c angeordnet.
Um ferner einen Leiterwiderstand zu reduzieren, wurde ein
Verdrahtungselektrodenabschnitt, der einen Zweischichten-
Aufbau aufweist, wie in Fig. 11 gezeigt, vorgeschlagen. Un
ter Bezugnahme auf Fig. 11 ist der Verdrahtungselektroden
abschnitt 53c durch Laminieren von Verdrahtungselektroden
schichten 53c1 und 53c2, die aus Aluminium gebildet sind,
auf dem Oberflächenwellensubstrat 52 aufgebaut.
Die Kontakthügel 55 werden durch ein Draht-Kontakthügel-
Verbindungsverfahren und durch Erhitzen des Oberflächenwel
lensubstrats 52 auf eine Temperatur von 100°C bis 300°C ge
bildet.
Das in dem Oberflächenwellenbauelement enthaltene Oberflä
chenwellensubstrat ist jedoch oft aus einem hochgradig py
roelektrischen Material, beispielsweise Lithiumtantalat
(LiTaO3), Lithiumniobat (LiNbO3) oder anderen derartigen
Materialien, hergestellt. Wenn derartige hochgradig pyroe
lektrische Materialien erhitzt werden, werden auf den Ober
flächen derselben elektrische Ladungen erzeugt. In einem
solchen Fall kann bei dem Oberflächenwellenbauelement 51,
da die kammartigen Elektrodenabschnitte 53a, 53b, 54a und
54b voneinander getrennt sind, beispielsweise zwischen den
Elektrodenfingern, die nahe beieinander angeordnet sind,
eine elektrische Entladung auftreten. Dadurch können die
Elektrodenfinger schmelzen, zerbrochen oder auf andere Wei
se beschädigt werden. Insbesondere bei den IDT-Elektroden
53 und 54 beträgt die Größe eines Zwischenraums zwischen
den benachbarten Elektrodenfingern mehrere Mikrometer, und
es kann leicht zu Fehlfunktionen aufgrund von Pyroelektri
zität kommen, wie oben beschrieben.
Um dies zu verhindern, werden bisher deshalb die folgenden
beiden Verfahren herkömmlicherweise verwendet. Gemäß einem
ersten Verfahren werden alle Elektroden, die auf einem Mut
tersubstrat vorgesehen sind, zunächst kurzgeschlossen und
mit einem Massepotential verbunden, woraufhin die Kontakt
hügel gebildet werden. Die Elektroden, die kurzgeschlossen
sind, werden zu einem Zeitpunkt geschnitten, da die Ober
flächenwellenbauelemente während eines Vereinzelungsvor
gangs von dem Muttersubstrat getrennt sind. Zusätzlich sind
gemäß einem zweiten Verfahren Temperaturgradienten, mit de
nen die Oberflächenwellenbauelemente erhitzt oder abgekühlt
werden, extrem gering eingestellt, so daß die oben be
schriebenen, durch Pyroelektrizität verursachten Fehlfunk
tionen verhindert werden.
Bei dem ersten Verfahren ist es jedoch schwierig, Fehlfunk
tionen, die auf Pyroelektrizität zurückzuführen sind, zu
verlässig zu verhindern. Zudem liegt bei dem zweiten Ver
fahren insofern ein Problem vor, als die Zeit für das Ver
arbeiten beträchtlich erhöht ist. Anstatt des ersten und
des zweiten Verfahrens kann auch ein Verfahren, bei dem die
Kontakthügel bei Raumtemperatur gebildet werden, angewandt
werden, um Fehlfunktionen aufgrund von Pyroelektrizität zu
verhindern. Wenn die Kontakthügel allerdings bei solch ei
ner niedrigen Temperatur gebildet werden, kann die Bin
dungsfestigkeit beträchtlich vermindert sein.
Zudem ist in der ungeprüften japanischen Patentanmeldung
Nr. 8-307192 das folgende Verfahren offenbart. Es werden
nämlich zunächst alle Regionen der IDT-Elektroden, ein
schließlich der kammartigen Elektrodenabschnitte und der
Verdrahtungselektrodenabschnitte, durch einen Aluminiumfilm
gebildet und durch einen Pd-Film oder einen Pt-Film be
deckt. Daraufhin werden die Au-Kontakthügel gebildet. Bei
diesem Verfahren ist es jedoch extrem schwierig, die Sei
tenoberflächen des Aluminiumfilms durch den Pd-Film oder
den Pt-Film zu bedecken. Somit ist dieses Verfahren nicht
praktisch.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Oberflä
chenwellenbauelement zu schaffen, bei dem die zum Bilden
der Kontakthügel erforderliche Zeit stark reduziert ist,
bei dem ein Schmelzen oder den Bruch der Elektroden verhin
dert ist und bei dem zwischen dem Kontakthügel und den
Elektroden eine sehr hohe Bindungsfestigkeit vorliegt.
Diese Aufgabe wird durch ein Oberflächenwellenbauelement
gemäß Anspruch 1 und durch ein Oberflächenwellenbauelement
gemäß Anspruch 15 gelöst.
Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegen
den Erfindung umfaßt ein Oberflächenwellenbauelement ein
Oberflächenwellensubstrat; mindestens eine Interdigital
elektrode, die auf dem Oberflächenwellensubstrat angeordnet
ist, wobei die Interdigitalelektrode einen ersten kammarti
gen Elektrodenabschnitt, bei dem eine Mehrzahl von Elektro
denfingern an einem Ende desselben miteinander verbunden
sind, einen zweiten kammartigen Elektrodenabschnitt, bei
dem eine Mehrzahl von Elektrodenfingern an einem Ende des
selben miteinander verbunden sind, und erste und zweite
Verdrahtungselektrodenabschnitte umfaßt, Anschlußleitungs
elektroden, welche mit den ersten bzw. den zweiten kammar
tigen Elektrodenabschnitten verbunden sind, und Verbin
dungsanschlußflächen umfassen, die über Kontakthügel mit
einer externen Umgebung verbunden sind, wobei die Elektro
denfinger der ersten und der zweiten kammartigen Elektro
denabschnitte ineinandergreifen bzw. interdigital angeord
net sind und wobei die ersten und die zweiten kammartigen
Elektrodenabschnitte und die ersten und die zweiten Ver
drahtungselektrodenabschnitte einen Aluminiumfilm umfassen;
und einen ersten, einen zweiten und einen dritten Metall
film, die auf jedem der ersten und der zweiten Verdrah
tungselektrodenabschnitte, einschließlich des Aluminium
films, in der Reihenfolge des ersten Metallfilms, des zwei
ten Metallfilms und des dritten Metallfilms laminiert sind,
wobei der erste Metallfilm stärker mit Aluminium verbindbar
ist als der zweite Metallfilm, wobei der dritte Metallfilm
stärker mit den Kontakthügeln verbindbar ist als der erste
Metallfilm und wobei der zweite Metallfilm eine Fähigkeit
aufweist, die Diffusion von Metallen, die zum Bilden des
ersten und des dritten Metallfilms verwendet werden, zu un
terdrücken.
Wie oben beschrieben ist jeder der Verdrahtungselektroden
abschnitte, der die Anschlußleitungselektroden und die Ver
bindungsanschlußflächen umfaßt, vorzugsweise mit einem La
minat versehen, das den ersten, den zweiten und den dritten
Metallfilm umfaßt. Das Laminat ist aufgrund des ersten Me
tallfilms fest mit dem Verdrahtungselektrodenabschnitt ver
bunden, und der dritte Metallfilm ist fest an dem Kontakt
hügel befestigt.
Da der dritte Metallfilm aus einem Metall hergestellt ist,
das sich stärker an die Kontakthügel binden läßt, ist es
zudem nicht notwendig, während des Vorgangs des Formens der
Kontakthügel Hitze anzulegen. Somit wird verhindert, daß
Fehlfunktionen aufgrund von Pyroelektrizität auftreten,
auch wenn das Oberflächenwellensubstrat aus einem hochgra
dig pyroelektrischen Material aufgebaut ist.
Da der zweite Metallfilm die Diffusion des Metalls, das den
ersten Metallfilm definiert, verhindert, wird zudem die
Diffusion des Metalls, das den ersten Metallfilm definiert,
in den dritten Metallfilm verhindert, auch wenn Hitze ange
legt wird.
Da es nicht nötig ist, während des Vorgangs des Bildens der
Kontakthügel Hitze anzulegen, ist somit die Bearbeitungs
zeit stark verringert. Zudem kann das Oberflächenwellenbau
element, bei dem ein Auftreten der Fehlfunktionen aufgrund
von Pyroelektrizität verhindert wird, erhalten werden.
Das Oberflächenwellenbauelement gemäß einem weiteren bevor
zugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung kann
ferner einen Reaktionsunterdrückungsfilm umfassen, der zwi
schen dem Aluminium und dem ersten Metallfilm angeordnet
ist, um eine Reaktion zwischen dem Aluminiumfilm und einem
Laminat, das den zweiten und den dritten Metallfilm umfaßt,
zu unterdrücken.
In einem solchen Fall wird die Reaktion zwischen dem Alumi
niumfilm und dem zweiten und dem dritten Metallfilm verhin
dert, auch wenn während eines Vorgangs des Abdichtens des
Oberflächenwellenbauelements in einem Gehäuse Hitze ange
legt wird. Dementsprechend wird die Bindungsfestigkeit der
Kontakthügelverbindung nicht leicht verringert.
Zudem kann der erste Metallfilm gemäß bevorzugten Ausfüh
rungsbeispielen der vorliegenden Erfindung aus einem Me
tall, das aus Ti, Cr, Ni und Hf ausgewählt ist, oder aus
einer Legierung derselben oder einem anderen geeigneten Ma
terial gebildet sein. Ferner kann der zweite Metallfilm aus
einem Metall, das aus Pg, Pd, Pt, Ni und Cu ausgewählt ist,
oder aus einer Legierung derselben oder einem anderen ge
eigneten Material gebildet sein. Der dritte Metallfilm kann
aus einem Metall, das aus Ag und Au ausgewählt ist, oder
aus einer Legierung derselben oder einem anderen geeigneten
Material gebildet sein.
Dementsprechend weist der dritte Metallfilm, wenn die aus
Au aufgebauten Kontakthügel gebildet sind, eine hervorra
gende Verbindbarkeit mit den Kontakthügeln auf, so daß die
Kontakthügel ohne ein Anlegen von Hitze gebildet werden
können. Zudem wird die Diffusion des Materials, das den
dritten Metallfilm definiert, beispielsweise Ag, Au und Le
gierungen derselben, zuverlässig unterdrückt, wenn der
zweite Metallfilm aus einem der oben beschriebenen Materia
lien gebildet ist. Ferner weist der erste Metallfilm, der
aus einem der oben beschriebenen Materialien gebildet ist,
eine hervorragende Verbindbarkeit mit Aluminium auf, so daß
die Kontakthügel fest mit den Verdrahtungselektrodenab
schnitte verbunden sein können.
Wenn der dritte Metallfilm entweder aus Ag oder Au oder ei
nem anderen Metall mit hoher Leitfähigkeit, oder einer Le
gierung derselben hergestellt ist, ist zudem der Leitungs
widerstand im Vergleich zu dem herkömmlichen Oberflächen
wellenbauelement, das einen Zweischicht-Aufbau aufweist,
stark verringert.
Dementsprechend kann das Oberflächenwellenbauelement, bei
dem der Leitungswiderstand verringert und die Charakteri
stika verbessert sind, erhalten werden.
Der Reaktionsunterdrückungsfilm kann aus dem gleichen Mate
rial wie das Material, das den ersten Metallfilm definiert,
gebildet sein. In einem solchen Fall kann die Anzahl an Ma
terialien, die zum Bilden des Laminats, das den ersten, den
zweiten und den dritten Film umfaßt, und des Reaktionsun
terdrückungsfilms, verwendet werden, verringert sein. Zudem
kann ein Prozeß zum Bilden des Laminats und des Reaktions
unterdrückungsfilms vereinfacht sein.
Ferner kann der Reaktionsunterdrückungsfilm entweder aus
einem Metall oder einem anorganischen, isolierenden Materi
al gebildet sein. Wenn der Reaktionsunterdrückungsfilm aus
einem anorganischen, isolierenden Material hergestellt ist,
müssen der erste, der zweite und der dritte Metallfilm mit
dem Aluminiumfilm elektrisch verbunden sein.
In einem solchen Fall kann eine Art und Weise, auf die der
Aluminiumfilm und der erste, der zweite und der dritte Me
tallfilm elektrisch verbunden sind, angemessen bestimmt
werden.
Beispielsweise kann der Reaktionsunterdrückungsfilm, der
aus dem anorganischen, isolierenden Material hergestellt
ist, mit einem Durchgangsloch versehen sein, über das der
erste, der zweite bis zu dem dritten Metallfilm mit dem
Aluminiumfilm elektrisch verbunden sind.
Dementsprechend sind Abschnitte des Aluminiumfilms, mit
Ausnahme des Abschnitts, an dem das Laminat mit demselben
elektrisch verbunden ist, mit dem anorganischen, isolieren
den Material bedeckt. Somit wird die Reaktion zwischen dem
Aluminiumfilm und dem zweiten und dem dritten Film auf zu
verlässigere Weise unterdrückt.
In dem Fall, in dem der Reaktionsunterdrückungsfilm aus ei
nem Metall hergestellt ist, kann ein Material zum Bilden
des Reaktionsunterdrückungsfilms aus Ti, Cr und Legierungen
derselben oder einem anderen geeigneten Material ausgewählt
sein.
Da der Reaktionsunterdrückungsfilm leitfähig ist, ist somit
eine elektrische Verbindung zwischen dem Laminat, das den
ersten, den zweiten und den dritten Metallfilm umfaßt, und
dem Aluminiumfilm gewährleistet.
Zudem kann der Reaktionsunterdrückungsfilm so angeordnet
sein, so daß die Peripherie desselben außerhalb der Peri
pherie des Laminats liegt, das den ersten, den zweiten und
den dritten Metallfilm umfaßt.
Dementsprechend sind der Aluminiumfilm und das Laminat, das
den ersten, den zweiten und den dritten Metallfilm umfaßt,
auf zuverlässigere Weise voneinander getrennt, und die Re
aktion zwischen dem Aluminiumfilm und dem Laminat, das den
zweiten und den dritten Metallfilm umfaßt, wird wirksamer
unterdrückt. Somit kann das Oberflächenwellenbauelement,
bei dem die Charakteristika weiter verbessert sind, erhal
ten werden.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung
werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden
Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1A eine Draufsicht eines Oberflächenwellenbauele
ments gemäß einem ersten bevorzugten Ausführungs
beispiel der vorliegenden Erfindung;
Fig. 1B eine Schnittansicht der Fig. 1A entlang der Linie
A-A;
Fig. 2 einen Graphen, der die Beziehungen zwischen der
Verbindungstemperatur und der Bindungsfestigkeit
einer Kontakthügelverbindung bei einem herkömmli
chen Oberflächenwellenbauelement und bei dem
Oberflächenwellenbauelement gemäß dem ersten be
vorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung zeigt;
Fig. 3A eine Schnittansicht eines Abschnitts des Oberflä
chenwellenbauelements gemäß dem ersten bevorzug
ten Ausführungsbeispiel, die einen Zustand zeigt,
bei dem eine zweite und eine dritte Metallschicht
mit einem Aluminiumfilm reagieren;
Fig. 3B eine Schnittansicht eines Abschnitts des Oberflä
chenwellenbauelements gemäß dem ersten bevorzug
ten Ausführungsbeispiel, die einen Zustand zeigt,
bei dem eine zweite und eine dritte Metallschicht
mit einem Aluminiumfilm reagieren;
Fig. 4 eine Schnittansicht eines Abschnitts eines Ober
flächenwellenbauelements gemäß einem zweiten be
vorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung;
Fig. 5A ein Mikrophoto eines Verdrahtungselektrodenab
schnitts bei dem ersten bevorzugten Ausführungs
beispiel;
Fig. 5B ein Mikrophoto des Verdrahtungselektrodenab
schnitts bei dem ersten bevorzugten Ausführungs
beispiel, um den herum Reaktionsprodukte erzeugt
werden;
Fig. 5C ein Mikrophoto eines Verdrahtungselektrodenab
schnitts bei dem zweiten bevorzugten Ausführungs
beispiel der vorliegenden Erfindung;
Fig. 6A ein Mikrophoto von Verdrahtungselektrodenab
schnitten der Oberflächenwellenbauelemente gemäß
dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel nach
einem Schnellerhitzungsexperiment;
Fig. 6B ein Mikrophoto von Verdrahtungselektrodenab
schnitten der Oberflächenwellenbauelemente gemäß
dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel nach
einem Schnellerhitzungsexperiment;
Fig. 7 einen Graphen, der die Beziehung zwischen der Er
hitzungszeit und der Temperatur während des
Schnellerhitzungsexperiments zeigt;
Fig. 8A eine Draufsicht eines Oberflächenwellenbauele
ments gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Erfindung;
Fig. 8B eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts des
Oberflächenwellenbauelements gemäß dem dritten
bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung;
Fig. 8C eine Schnittansicht eines Abschnitts des Oberflä
chenwellenbauelements gemäß dem dritten bevorzug
ten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfin
dung;
Fig. 9A eine Schnittansicht eines Oberflächenwellenbau
elements gemäß einem vierten bevorzugten Ausfüh
rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
Fig. 9B eine vergrößerte Ansicht, die schematisch einen
Teil eines Verdrahtungselektrodenabschnitts des
Oberflächenwellenbauelements gemäß dem vierten
bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung zeigt;
Fig. 10A eine perspektivische Ansicht eines Beispiels her
kömmlicher Oberflächenwellenbauelemente;
Fig. 10B eine Schnittansicht, die schematisch eine Ver
drahtungselektrode des herkömmlichen Oberflächen
wellenbauelements zeigt; und
Fig. 11 eine Schnittansicht, die schematisch eine Ver
drahtungselektrode eines weiteren Beispiels her
kömmlicher Oberflächenwellenbauelemente zeigt.
Unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen wird im
folgenden ein Oberflächenwellenbauelement gemäß bevorzugten
Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung ausführ
lich veranschaulicht.
Fig. 1A ist eine Draufsicht eines Oberflächenwellenbauele
ments gemäß einem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung, und Fig. 1B ist eine Schnittan
sicht der Fig. 1A entlang der Linie A-A. Das Oberflächen
wellenbauelement 1 gemäß dem ersten bevorzugten Ausfüh
rungsbeispiel wird vorzugsweise als ein Bandpaßfilter ver
wendet. Das Oberflächenwellenbauelement 1 umfaßt ein im we
sentlichen rechtwinkliges Oberflächenwellensubstrat 2, das
vorzugsweise durch ein piezoelektrisches Substrat oder
durch Bilden eines piezoelektrischen Dünnfilms auf einem
isolierenden Substrat aufgebaut ist. Als das piezoelektri
sche Substrat wird vorzugsweise ein Substrat verwendet, das
aus einer piezoelektrischen Keramik, beispielsweise einer
Blei-Zirkonat-Titanat-Keramik, oder aus einem piezoelektri
schen Einkristall, beispielsweise LiTaO3, LiNbO3, Quarzkri
stall, oder einem anderen geeigneten Material hergestellt
ist.
Wenn das Oberflächenwellensubstrat 2 durch Laminieren eines
piezoelektrischen Dünnfilms auf einem isolierenden Substrat
hergestellt wird, kann ein Substrat, das aus einem geeigne
ten Material, beispielsweise Glas, Saphir oder einem ande
ren Material gebildet ist, als das isolierende Substrat
verwendet werden, und ZnO, Ta2O5 oder ein anderes geeigne
tes Material kann zum Bilden des piezoelektrischen Dünn
films verwendet werden.
Zwei IDT-Elektroden 3 und 4 sind auf der oberen Oberfläche
2a des Oberflächenwellensubstrats 2 vorgesehen und entlang
der Ausbreitungsrichtung von Oberflächenwellen angeordnet.
Die IDT-Elektrode 3 umfaßt einen ersten kammartigen Elek
trodenabschnitt 3a, bei dem eine Mehrzahl von Elektroden
fingern an einem Ende desselben miteinander verbunden sind,
und einen zweiten kammartigen Elektrodenabschnitt 3b, bei
dem eine Mehrzahl von Elektrodenfingern an einem Ende des
selben elektrisch miteinander verbunden sind. Der erste und
der zweite kammartige Elektrodenabschnitt 3a und 3b sind so
angeordnet, daß die Elektrodenfinger derselben ineinander
greifen. Zudem ist ein erster Verdrahtungselektrodenab
schnitt 3c durchgehend mit der ersten kammartigen Elektrode
3a ausgeführt und mit derselben elektrisch verbunden. Der
erste Verdrahtungselektrodenabschnitt 3c umfaßt eine An
schlußleitungselektrodenschicht 3c1 und eine Verbindungsan
schlußflächenschicht 3c2, die miteinander durchgehend aus
geführt sind. Die Anschlußleitungselektrode 3c1 und eine
Verbindungsanschlußfläche 3c2 entsprechen den Verdrahtungs
elektrodenschichten 53c1 bzw. 53c2, die in Fig. 11 gezeigt
sind. Die Verbindungsanschlußfläche 3c2 wird zum Bilden ei
nes Kontakthügels auf denselben verwendet, über den die
Verbindung mit der externen Umgebung hergestellt wird. Ähn
lich ist ein zweiter Verdrahtungselektrodenabschnitt 3d mit
dem zweiten kammartigen Elektrodenabschnitt 3b durchgehend
ausgeführt und elektrisch mit demselben verbunden. Zudem
umfaßt der zweite Verdrahtungselektrodenabschnitt 3d ferner
eine Anschlußleitungselektrode 3d1 und eine Verbindungsan
schlußfläche 3d2.
Ferner umfaßt die IDT-Elektrode 4 zudem eine erste und eine
zweite kammartige Elektrode 4a und 4b und einen ersten und
einen zweiten Verdrahtungselektrodenabschnitt 4c und 4d.
Der erste und der zweite Verdrahtungselektrodenabschnitt 4c
und 4d umfassen Anschlußleitungselektroden 4c1 bzw. 4d1 und
Verbindungsanschlußflächen 4c2 bzw. 4d2.
Die kammartigen Elektrodenabschnitte 3a, 3b, 4a und 4b, die
in den IDT-Elektroden 3 und 4 enthalten sind, umfassen vor
zugsweise Aluminiumstrukturen und sind durch diese defi
niert. Zudem werden die Verdrahtungselektrodenabschnitte
3c, 3d, 4c und 4d vorzugsweise zu derselben Zeit aus Alumi
niumstrukturen gebildet, wie die kammartigen Elektrodenab
schnitte 3a, 3b, 4a und 4b gebildet werden.
Der erste, der zweite und der dritte Metallfilm 5, 6 und 7
sind auf jedem der Verdrahtungselektrodenabschnitte 3c, 3d,
4c und 4d vorgesehen. Dies wird nachstehend unter Bezugnah
me auf Fig. 1B näher beschrieben.
Wenn der erste Verdrahtungselektrodenabschnitt 3c als ein
Beispiel betrachtet wird, sind der erste, der zweite und
der dritte Metallfilm 5 bis 7 in der Reihenfolge des ersten
Films 5 bis zu dem dritten Metallfilm 7 auf demselben ge
bildet. Spezieller sind der erste, der zweite und der drit
te Metallfilm 5, 6 und 7 nicht nur auf der Verbindungsan
schlußfläche 3c2 gebildet, sondern auch auf der Anschluß
leitungselektrode 3c1. Bei dem ersten bevorzugten Ausfüh
rungsbeispiel weisen der erste, der zweite und der dritte
Metallfilm 5, 6 und 7 vorzugsweise im wesentlichen dieselbe
Größe auf. Unter Bezugnahme auf Fig. 1B sind die Laminate
8, die die ersten, die zweiten und die dritten Metallfilme
5, 6 und 7 umfassen, derart angeordnet, daß die Ränder der
selben innerhalb der Ränder der Verdrahtungselektrodenab
schnitte 3c und 3d liegen. Zudem sind auf den Laminaten 8
Kontakthügel 9, die vorzugsweise aus Au gebildet sind, vor
gesehen. Die ersten, die zweiten und die dritten Metallfil
me 5, 6 und verhindern Fehlfunktionen, wie z. B. ein
Schmelzen oder einen Bruch der Elektroden aufgrund von Py
roelektrizität und verbinden die Kontakthügel 9 in kurzer
Zeit fest mit den Verdrahtungselektrodenabschnitten 3c und
3d.
Dementsprechend sind die ersten Metallfilme 5 vorzugsweise
aus einem Material gebildet, das im Vergleich zu den zwei
ten Metallfilmen 6 eine hervorragende Verbindbarkeit mit
Aluminium aufweist, aus dem die Verdrahtungselektrodenab
schnitte 3c und 3d gebildet sind. Obwohl das Material zum
Bilden der ersten Metallfilme 5 nicht beschränkt ist, wird
vorzugsweise ein Metall wie beispielsweise Ti, Cr, Ni, Hf
oder ein anderes geeignetes Metall, oder eine Legierung
derselben, beispielsweise NiCr, verwendet.
Die zweiten Metallfilme 6 sind vorzugsweise aus einem Mate
rial hergestellt, das eine Fähigkeit aufweist, die aufwärts
gerichtete Diffusion des Metalls, das die ersten Metallfil
me 5 bildet, zu unterdrücken. Obwohl das Material zum Bil
den der zweiten Metallfilme 6 ebenfalls nicht beschränkt
ist, sind die zweiten Metallfilme 6 vorzugsweise aus einem
Metall wie beispielsweise Pd, Pt, Ni, Cu oder aus einer Le
gierung derselben oder aus einem anderen geeigneten Materi
al gebildet.
Die dritten Metallfilme 7 sind vorzugsweise aus einem Mate
rial gebildet, das im Vergleich zu den ersten Metallfilmen
5 eine hervorragende Verbindbarkeit mit den Kontakthügeln 9
aufweist. Obwohl das Material zum Bilden der dritten Me
tallfilme 7 ebenfalls nicht beschränkt ist, sind die drit
ten Metallfilme 7 vorzugsweise aus Ag, Au oder einer Legie
rung derselben oder einem anderen geeigneten Material ge
bildet.
Da die dritten Metallfilme 7, die in den Laminaten 8 ent
halten sind, eine hervorragende Verbindbarkeit mit den aus
Au gebildeten Kontakthügeln 9 aufweisen, sind die Kontakt
hügel 9 stark mit den Laminaten 8 verbunden. Obwohl die er
sten Metallfilme 5 eine hervorragende Verbindbarkeit mit
Aluminium aufweisen, wird das Metall, das die ersten Me
tallfilme 5 bildet, jedoch in der Regel nach oben diffun
diert. Da jedoch die zweiten Metallfilme 6 die Aufwärtsdif
fusion unterdrücken, wird die Diffusion des Metalls, das
die ersten Metallfilme 5 bildet, zu den dritten Metallfil
men 7 hin auf zuverlässige Weise verhindert. Somit wird die
Bindungsfestigkeit zwischen den Kontakthügeln 9 und den
dritten Metallfilmen 7 nicht vermindert und bleibt sehr
stark.
Dementsprechend sind die Kontakthügel 9 durch Verwendung
der Laminate 8 bezüglich der Verdrahtungselektrodenab
schnitte 3c und 3d, die aus Aluminium hergestellt sind,
stark verbunden. Da die dritten Metallfilme 7 eine hervor
ragende Verbindbarkeit mit den Kontakthügeln 9 aufweisen,
ist es zudem nicht nötig, das Oberflächenwellensubstrat 2
bei dem Vorgang des Bildens der Kontakthügel 9 auf eine ho
he Temperatur zu erhitzen. In einem Fall, bei dem die Kon
takthügel 9 mit den dritten Metallfilmen 7, die aus Au oder
Ag gebildet sind, verbunden werden, können die Kontakthügel
9 beispielsweise bei Raumtemperatur von ca. 20°C bis ca.
30°C gebildet werden.
Da es nicht nötig ist, das Oberflächenwellensubstrat 2 bei
dem Vorgang des Formens der Kontakthügel 9 auf eine hohe
Temperatur zu erhitzen, treten Fehlfunktionen aufgrund von
Pyroelektrizität nicht auf, auch wenn das Oberflächenwel
lensubstrat 2 aus einem hochgradig pyroelektrischen Materi
al hergestellt ist. Dementsprechend ist die Fehlerrate bei
dem Herstellungsprozeß des Oberflächenwellenbauelements 1
wirksam minimiert.
Es ist auch möglich, die Bindungsfestigkeit der Kontakthü
gel 9 zu erhöhen, ohne die zweiten Metallfilme 6 zwischen
den ersten Metallfilmen 5 und den dritten Metallfilmen 7
vorzusehen. In einem solchen Fall wird jedoch das Metall,
das die ersten Metallfilme 5 bildet, allmählich zu der
Oberfläche der dritten Metallfilme 7 diffundiert, und die
Bindungsfestigkeit der Kontakthügel 9 wird allmählich ver
mindert.
Als nächstes wird im folgenden ein experimentelles Beispiel
beschrieben.
Es wurde ein aus Lithiumtantalat gebildetes Oberflächenwel
lensubstrat 2 hergestellt, und auf dem Oberflächenwellen
substrat 2 wurden IDT-Elektroden 3 und 4, die aus einem
Aluminiumfilm mit einer Dicke von ca. 0,1 µm bis ca. 0,2 µm
aufgebaut waren, gebildet. Daraufhin wurden Ti-Filme mit
einer Dicke von ca. 0,1 µm auf den Verdrahtungselektroden
abschnitten 3c, 3d, 4c und 4d gebildet, um die ersten Me
tallfilme 5 zu definieren. Anschließend wurden auf den er
sten Metallfilmen 5 Pd-Filme mit einer Dicke von ca. 0,08 µm
gebildet, um die zweiten Metallfilme 6 zu definieren,
und auf den zweiten Metallfilmen 6 wurden Au-Filme mit ei
ner Dicke von ca. 0,3 µm gebildet, um die dritten Metall
filme 7 zu definieren. Daraufhin wurden die Au-Kontakthügel
9 durch ein Draht-Kontakthügel-Verbindungsverfahren gebil
det, ohne daß das Oberflächenwellensubstrat 2 erhitzt wur
de. Demgemäß wurde ein Beispiel des Oberflächenwellenbau
elements 1 gemäß dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung fertiggestellt.
Zu Vergleichszwecken wurde ein herkömmliches Oberflächen
wellenbauelement hergestellt, indem die Au-Kontakthügel 9
direkt auf den Verdrahtungselektrodenabschnitten 3c, 3d, 4c
und 4d gebildet wurden, ohne daß die Laminate 8 gebildet
wurden.
Bezüglich sowohl des Beispiels des Oberflächenwellenbauele
ments 1 gemäß dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung als auch den herkömmlichen Ober
flächenwellenbauelements wurde die Bindungsfestigkeit der
Kontakthügel 9 gemessen. Die Ergebnisse sind in Fig. 2 ge
zeigt.
Wie aus Fig. 2 hervorgeht, wies das Beispiel des Oberflä
chenwellenbauelements 1 gemäß dem ersten bevorzugten Aus
führungsbeispiel eine hervorragende Bindungsfestigkeit im
Vergleich zu dem herkömmlichen Oberflächenwellenbauelement
auf.
Gemäß dem Verfahren, das in der oben beschriebenem unge
prüften japanischen Patentanmeldung Nr. 8-307192 offenbart
wurde, müssen nicht nur die oberen Oberflächen des Alumini
umfilms, sondern auch die Seitenoberflächen desselben mit
einem Pd-Film oder einem Pt-Film bedeckt sein. Somit liegt
insofern ein Problem vor, als es schwierig ist, einen sol
chen Film zu bilden. Bei dem Oberflächenwellenbauelement 1
gemäß dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vor
liegenden Erfindung sind jedoch nur die Verdrahtungselek
trodenabschnitte 3c, 3d, 4c und 4d in den IDT-Elektroden 3
und 4 mit den ersten, zweiten und dritten Metallfilmen 5, 6
und 7 bedeckt. Somit werden die ersten, zweiten und dritten
Metallfilme 5, 6 und 7 leicht gebildet, und die Laminate 8
können durch Verwendung beispielsweise einer Abhebetechnik
gebildet werden.
In dem Fall, in dem ein Lötmaterial, beispielsweise AuSn,
oder ein anderes geeignetes Material zum Abdichten des
Oberflächenwellenbauelements 1 in einem Gehäuse verwendet
wird, wird das Oberflächenwellenbauelement 1 während des
Abdichtvorgangs auf ca. 250°C bis 400°C erhitzt. In einem
solchen Fall können die Peripherieabschnitte der Laminate 8
und die Verdrahtungselektrodenabschnitte 3c, 3d, 4c und 4d,
die aus Aluminium gebildet sind, miteinander reagieren, um
eine Legierung zu bilden. Folglich kann der Leitungswider
stand erhöht sein, und Charakteristika der Komponenten kön
nen verschlechtert sein. Wenn die ersten, zweiten und drit
ten Metallfilme 5, 6 und 7 bei leicht verschobenen Positio
nen bei dem Vorgang des Bildens der Laminate 8 gebildet
werden, können die Metalle, die die zweiten und dritten Me
tallfilme 6 und 7 definieren, beispielsweise Au, Pd, oder
ein anderes geeignetes Material, mit Aluminium in Berührung
kommen. Da die Metalle, die die zweiten und die dritten Me
tallfilme 6 und 7 definieren, mit Aluminium reagieren,
tritt die oben beschriebene Reaktion ein, wenn die sich be
rührenden Abschnitte auf eine hohe Temperatur erhitzt wer
den. Beispielsweise können die zweiten und dritten Metall
filme 6 und 7 derart gebildet sein, daß die zweiten und
die dritten Metallfilme 6 und 7 breiter sind als die ersten
Metallfilme 5 oder von den ersten Metallfilmen 5 hervorste
hen. In solch einem Fall, wie in Fig. 3A und 3B gezeigt,
kommen die zweiten und dritten Metallfilme 6 und 7 mit den
Verdrahtungselektrodenabschnitten 3c und 3d an den Seiten
der ersten Metallfilme 5 in Berührung. Folglich können Re
aktionsprodukte 10, die aus einer Legierung gebildet sind,
erzeugt werden.
Im Gegensatz dazu, wie in Fig. 4 gezeigt, ist ein Oberflä
chenwellenbauelement gemäß einem zweiten bevorzugten Aus
führungsbeispiel mit Reaktionsunterdrückungsfilmen 11 ver
sehen. In bezug auf Fig. 4 sind die Reaktionsunterdrüc
kungsfilme 11 vorzugsweise zwischen die Verdrahtungselek
trodenabschnitte 3c und 3d, die aus Aluminium gebildet
sind, und die Laminate 8 eingeschoben. Zudem sind die Reak
tionsunterdrückungsfilme 11 vorzugsweise so angeordnet, daß
die Ränder derselben außerhalb der Ränder der Laminate 8
liegen, so daß Stufen B gebildet werden.
Die Reaktionsunterdrückungsfilme 11 sind vorzugsweise aus
einem geeigneten Material gebildet, das in der Lage ist,
die Reaktion zwischen Aluminium und Metallen, die in den
Laminaten 8 enthalten sind, zu unterdrücken. Gemäß dem
zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel sind die Reaktions
unterdrückungsfilme 11 vorzugsweise aus einem Metall wie z. B.
Ti, Cr, oder einem anderen geeigneten Material, oder aus
einer Legierung, die diese Metalle als eine Hauptkomponente
aufweist, hergestellt.
Das Oberflächenwellenbauelement gemäß dem zweiten bevorzug
ten Ausführungsbeispiel weist einen ähnlichen Aufbau wie
das Oberflächenwellenbauelement 1 gemäß dem ersten bevor
zugten Ausführungsbeispiel auf, mit der Ausnahme, daß die
Reaktionsunterdrückungsfilme 11 vorgesehen sind.
Durch Bilden der Reaktionsunterdrückungsfilme 11, wie oben
beschrieben, wird die Reaktion zwischen Aluminium, das die
Verdrahtungselektrodenabschnitte 3c, 3d, 4c und 4d defi
niert, und den Materialien, die die Laminate 8 definieren,
verhindert. Dementsprechend wird verhindert, daß Charakte
ristika des Oberflächenwellenbauelements verschlechtert
werden.
Wenn jedoch bei dem Abdichtvorgang kein Löten verwendet
wird und wenn kein Erhitzen auf eine hohe Temperatur statt
findet, beispielsweise wenn ein Haftmittel zum Abdichten
des Oberflächenwellenbauelements in einem Gehäuse verwendet
wird, kann geeigneterweise das Oberflächenwellenbauelement
1 gemäß dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel verwen
det werden. Wenn im einzelnen während des Abdichtvorgangs
keine Hitze angelegt wird, werden die in Fig. 3B erzeugten
Reaktionsprodukte 10 nicht erzeugt, und es werden keine
Charakteristika der Komponenten verschlechtert. Wenn jedoch
bei dem Vorgang des Anbringens des Oberflächenwellenbauele
ments auf einer Schaltungsplatine eine Hitze von ca. 250°C
oder mehr angelegt wird, ist das Oberflächenwellenbauele
ment gemäß dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel ge
eigneter.
Wie oben beschrieben, sind die Reaktionsunterdrückungsfilme
11 gemäß dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel so an
geordnet, daß Ränder derselben außerhalb der Ränder der La
minate 8 liegen, so daß die Stufen B gebildet werden. Die
selbe Wirkung kann jedoch auch von dem Oberflächenwellen
bauelement 1 gemäß dem ersten bevorzugten Ausführungsbei
spiel erhalten werden, indem man die ersten Metallfilme 5
derart anordnet, daß die Ränder derselben außerhalb der
Ränder der zweiten und dritten Metallfilme 6 und 7 liegen.
Auch in diesem Fall wird verhindert, daß die Metalle, die
die zweiten und dritten Metallfilme 6 und 7 definieren, mit
Aluminium in Berührung kommen. In diesem Fall fungieren die
ersten Metallfilme 5 als die oben beschriebenen Reaktions
unterdrückungsfilme 11.
Als nächstes werden in Verbindung mit experimentellen Er
gebnissen Zustände der Reaktionsprodukte bei den Oberflä
chenwellenbauelementen gemäß dem ersten und dem zweiten be
vorzugten Ausführungsbeispiel unter Bedingungen, in denen
Hitze von ca. 300°C bis ca. 350°C angelegt wird, beschrie
ben.
Fig. 5A ist ein Mikrophoto des Verdrahtungselektrodenab
schnitts des Oberflächenwellenbauelements gemäß dem ersten
bevorzugten Ausführungsbeispiel, bevor Hitze angelegt wird,
und Fig. 5B ist ein Mikrophoto der Reaktionsprodukte, nach
dem die Hitze angelegt ist. In Fig. 5B sind die erzeugten
Reaktionsprodukte durch schwarze Abschnitte an der Periphe
rie des Laminats, das auf dem Verdrahtungselektrodenab
schnitt gebildet ist, gezeigt, und sie erstrecken sich von
dem mittleren Abschnitt an der Oberseite bis nach unten
rechts in der Figur.
Fig. 5C ist ein Mikrophoto des Verdrahtungselektrodenab
schnitts des Oberflächenwellenbauelements gemäß dem zweiten
bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Bei dem Experiment wurden die Oberflächenwellenbauelemente
gemäß dem ersten und dem zweiten bevorzugten Ausführungs
beispiel auf die Temperatur von ca. 500°C mit dem Tempera
turgradienten von ca. 1°C/s erhitzt, um die Reaktion zu be
schleunigen. Nachdem die Temperatur auf ca. 500°C gehalten
wurde, wurden die Oberflächenwellenbauelemente unter norma
len Bedingungen abgekühlt. Bezüglich des Oberflächenwellen
bauelements gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel wurde das
oben beschriebene Beispiel, von dem das in Fig. 2 gezeigte
Ergebnis erhalten wurde, verwendet. Bezüglich des Oberflä
chenwellenbauelements gemäß dem zweiten bevorzugten Ausfüh
rungsbeispiel wurde das Oberflächenwellenbauelement, das
den gleichen Aufbau wie das oben beschriebene Beispiel auf
weist, außer daß Reaktionsunterdrückungsfilme vorgesehen
waren, die aus NiCr mit einer Dicke von ca. 0,05 µm gebil
det waren, verwendet. Eine Breite C der Stufen zwischen den
Reaktionsunterdrückungsfilmen und den Laminaten wurden un
ter Berücksichtigung von Verschiebungen zwischen den Reak
tionsunterdrückungsfilmen und den Laminaten angemessen be
stimmt.
Fig. 6A, 6B und 7 zeigen Ergebnisse des oben beschriebenen
Experiments. Fig. 6A ist ein Mikrophoto der Verdrahtungs
elektrodenabschnitte des Oberflächenwellenbauelements gemäß
dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel nach dem Experi
ment, und Fig. 6B ist ein Mikrophoto der Verdrahtungselek
trodenabschnitte des Oberflächenwellenbauelements gemäß dem
zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel nach dem Experi
ment. Wie in Fig. 6A gezeigt ist, sind die Ränder der Ver
drahtungselektrodenabschnitte bei dem Oberflächenwellenbau
element gemäß dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel
schwarz gefärbt, was zeigt, daß die Reaktionsprodukte er
zeugt werden. Im Gegensatz dazu wird bei dem Oberflächen
wellenbauelement gemäß dem zweiten bevorzugten Ausführungs
beispiel die Erzeugung der Reaktionsprodukte verhindert,
wie in Fig. 6B gezeigt.
Fig. 7 ist ein Graph, der die Bedingungen zeigt, unter de
nen die Reaktionsprodukte erzeugt wurden. Wie aus der Figur
hervorgeht, wurde die Erzeugung der Reaktionsprodukte bei
dem Oberflächenwellenbauelement gemäß dem ersten bevorzug
ten Ausführungsbeispiel begonnen, als die Temperatur des
selben auf ca. 430°C erhöht wurde. Im Gegensatz dazu trat
bei dem Oberflächenwellenbauelement gemäß dem zweiten be
vorzugten Ausführungsbeispiel die Reaktion auch dann nicht
ein, als die Temperatur desselben auf 500°C erhöht wurde,
und wurde 30 Sekunden, nachdem die Temperatur auf 500°C er
höht wurde, begonnen. Zudem wurden bei dem Oberflächenwel
lenbauelement gemäß dem zweiten bevorzugten Ausführungsbei
spiel die Reaktionsprodukte nicht an den Rändern der Ver
drahtungselektrodenabschnitte erzeugt, wie bei dem Oberflä
chenwellenbauelement gemäß dem ersten bevorzugten Ausfüh
rungsbeispiel. Statt dessen wurden die Reaktionsprodukte an
verschiedenen Abschnitten erzeugt, mit Ausnahme der Ränder
der Verdrahtungselektrodenabschnitte (siehe Fig. 6B).
Dementsprechend wurde bei dem oben beschriebenen Erhit
zungsexperiment die Reaktion, die bei dem Oberflächenwel
lenbauelement gemäß dem zweiten bevorzugten Ausführungsbei
spiel eintrat, nicht aufgrund der Verschiebungen der Me
tallfilme bewirkt. Es versteht sich somit, daß die oben be
schriebene Reaktion, die durch die Verschiebungen der Me
tallfilme bewirkt wird, durch Bilden der Reaktionsunter
drückungsfilme gemäß dem zweiten bevorzugten Ausführungs
beispiel auf zuverlässige Weise unterdrückt werden kann.
Zudem wird angenommen, daß das Reaktionsprodukt weiter un
terdrückt werden kann, wenn die Dicke der Reaktionsunter
drückungsfilme erhöht wird.
Obwohl die Reaktionsunterdrückungsfilme 11, die zwischen
den Laminaten 8 und den Verdrahtungselektrodenabschnitten
3c, 3d, 4c und 4d angeordnet sind, vorzugsweise aus einem
Metall gemäß dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel
gebildet sind, können die Reaktionsunterdrückungsfilme 11
auch aus einem anorganischen, isolierenden Material gebil
det sein. Beispielsweise sind bei Oberflächenwellenbauele
menten gemäß einem dritten und einem vierten bevorzugten
Ausführungsbeispiel, die in Fig. 8A bis 8C bzw. in Fig. 9A
und 9B gezeigt sind, die Reaktionsunterdrückungsfilme 11
aus einem anorganischen, isolierenden Material, beispiels
weise SiN, SiO2, oder einem anderen geeigneten Material ge
bildet.
Wie in Fig. 8A bis 8C gezeigt ist, sind bei einem Oberflä
chenwellenbauelement 21 gemäß dem dritten bevorzugten Aus
führungsbeispiel die Laminate 8, die die ersten, zweiten
und dritten Metallfilme 5, 6 und 7 umfassen, auf den Ver
drahtungselektrodenabschnitten 3c, 3d, 4c und 4d über die
Reaktionsunterdrückungsfilme 11 individuell gebildet. Die
Reaktionsunterdrückungsfilme 11 sind vorzugsweise aus einem
anorganischen, isolierenden Material derart gebildet, daß
die Ränder derselben außerhalb der Ränder der Laminate 8
liegen, so daß die Stufen B gebildet werden. Wie in Fig. 8C
gezeigt, sind in den Reaktionsunterdrückungsfilmen 11
Durchgangslöcher 11a gebildet, obwohl die Reaktionsunter
drückungsfilme 11 aus einem anorganischen, isolierenden Ma
terial gebildet sind, so daß die Laminate 8 mit den Ver
drahtungselektrodenabschnitte 3c und 3d elektrisch verbun
den sind. Insbesondere sind die ersten Metallfilme 5 so ge
bildet, daß die Durchgangslöcher 11a mit denselben gefüllt
sind, so daß die ersten Metallfilme 5 mit den Verdrahtungs
elektrodenabschnitten 3c und 3d, die aus Aluminium gebildet
sind, elektrisch verbunden sind.
Obwohl sich die zweiten und die dritten Metallfilme 6 und 7
in Fig. 8C bis zu den Reaktionsunterdrückungsfilmen 11
erstrecken, tritt dies nur dann ein, wenn die Breiten der
zweiten und dritten Metallfilme 6 und 7 größer sind als die
der ersten Metallfilme 5. Wenn die Breiten der ersten,
zweiten und dritten Metallfilme 5, 6 und 7 die gleichen
sind und keine Verschiebungen derselben auftreten, erstrec
ken sich die zweiten und dritten Metallfilme 6 und 7 an den
Seiten der ersten Metallfilme 5 nicht nach unten.
Wie in Fig. 9A und 9B gezeigt ist, erstrecken sich bei dem
Oberflächenwellenbauelement gemäß dem vierten bevorzugten
Ausführungsbeispiel die Reaktionsunterdrückungsfilme 11
über die Ränder der Verdrahtungselektrodenabschnitte 3c und
3d hinaus. Wie in Fig. 9B gezeigt ist, welche eine vergrö
ßerte Draufsicht eines Abschnitts ist, der den Reaktionsun
terdrückungsfilm 11 umfaßt, liegt die Peripherie des Reak
tionsunterdrückungsfilms 11 im einzelnen außerhalb der Pe
ripherie des Verdrahtungselektrodenabschnitts 3c. Dadurch,
daß der Reaktionsunterdrückungsfilm 11 derart angeordnet
wird, daß die Peripherie desselben außerhalb der Peripherie
des Verdrahtungselektrodenabschnitts 3c liegt, wird die Re
aktion zwischen dem Verdrahtungselektrodenabschnitt 3c, der
aus Aluminium hergestellt ist, und den zweiten und dritten
Metallfilmen 6 und 7 auf zuverlässigere Weise verhindert.
Obwohl die Oberflächenwellenbauelemente gemäß dem ersten,
zweiten, dritten und vierten bevorzugten Ausführungsbei
spiel die Oberflächenwellenfilter vom Transversaltyp sind,
die zwei IDT-Elektroden 3 und 4 umfassen, ist die vorlie
gende Erfindung nicht hierauf beschränkt. Da das Oberflä
chenwellenbauelement gemäß diverser bevorzugter Ausfüh
rungsbeispiele der vorliegenden Erfindung dadurch gekenn
zeichnet ist, daß der Aufbau der Verdrahtungselektrodenab
schnitte in demselben modifiziert wird, ist die Anzahl der
IDT-Elektroden nicht beschränkt. Zusätzlich zu den Oberflä
chenwellenfiltern vom Transversaltyp kann die vorliegende
Erfindung ferner auch auf diverse andere Oberflächenwellen
bauelemente angewandt werden, beispielsweise Oberflächen
wellenresonatoren, Oberflächenwellenfilter vom Resonatortyp
und andere Bauelemente.
Claims (22)
1. Oberflächenwellenbauelement (1), das folgende Merkmale
aufweist:
ein Oberflächenwellensubstrat (2);
mindestens eine Interdigitalelektrode (3, 4), die auf dem Oberflächenwellensubstrat angeordnet ist, wobei die mindestens eine Interdigitalelektrode einen ersten kammartigen Elektrodenabschnitt (3a, 4a), bei dem eine Mehrzahl von Elektrodenfingern an einem Ende desselben miteinander verbunden sind, einen zweiten kammartigen Elektrodenabschnitt (3b, 4b), bei dem eine Mehrzahl von Elektrodenfingern an einem Ende desselben mitein ander verbunden sind, und einen ersten und einen zwei ten Verdrahtungselektrodenabschnitt (3c, 3d, 4c, 4d) umfaßt, die Anschlußleitungselektroden (3c1, 3d1), welche mit dem ersten bzw. dem zweiten kammartigen Elektrodenabschnitt verbunden sind, eine Mehrzahl von Kontakthügeln (9) und Verbindungsanschlußflächen (3c2, 3d2) umfassen, die über die Mehrzahl von Kontakthügeln mit einer externen Umgebung verbunden sind, wobei die Elektrodenfinger des ersten und des zweiten kammarti gen Elektrodenabschnitts ineinandergreifen und wobei der erste und der zweite kammartige Elektrodenab schnitt und der erste und der zweite Verdrahtungselek trodenabschnitt einen Aluminiumfilm umfassen; und
einen ersten, einen zweiten und einen dritten Metall film (5, 6, 7), die auf jedem des ersten und des zwei ten Verdrahtungselektrodenabschnitts in der Reihenfol ge des ersten Metallfilms (5), des zweiten Metallfilms (6) und des dritten Metallfilms (7) laminiert sind, wobei der erste Metallfilm stärker mit Aluminium ver bindbar ist als der zweite Metallfilm, wobei der drit te Metallfilm stärker mit der Mehrzahl von Kontakthü geln verbindbar ist als der erste Metallfilm und wobei der zweite Metallfilm die Fähigkeit aufweist, die Dif fusion von Metallen, die den ersten und den dritten Metallfilm definieren, zu unterdrücken.
ein Oberflächenwellensubstrat (2);
mindestens eine Interdigitalelektrode (3, 4), die auf dem Oberflächenwellensubstrat angeordnet ist, wobei die mindestens eine Interdigitalelektrode einen ersten kammartigen Elektrodenabschnitt (3a, 4a), bei dem eine Mehrzahl von Elektrodenfingern an einem Ende desselben miteinander verbunden sind, einen zweiten kammartigen Elektrodenabschnitt (3b, 4b), bei dem eine Mehrzahl von Elektrodenfingern an einem Ende desselben mitein ander verbunden sind, und einen ersten und einen zwei ten Verdrahtungselektrodenabschnitt (3c, 3d, 4c, 4d) umfaßt, die Anschlußleitungselektroden (3c1, 3d1), welche mit dem ersten bzw. dem zweiten kammartigen Elektrodenabschnitt verbunden sind, eine Mehrzahl von Kontakthügeln (9) und Verbindungsanschlußflächen (3c2, 3d2) umfassen, die über die Mehrzahl von Kontakthügeln mit einer externen Umgebung verbunden sind, wobei die Elektrodenfinger des ersten und des zweiten kammarti gen Elektrodenabschnitts ineinandergreifen und wobei der erste und der zweite kammartige Elektrodenab schnitt und der erste und der zweite Verdrahtungselek trodenabschnitt einen Aluminiumfilm umfassen; und
einen ersten, einen zweiten und einen dritten Metall film (5, 6, 7), die auf jedem des ersten und des zwei ten Verdrahtungselektrodenabschnitts in der Reihenfol ge des ersten Metallfilms (5), des zweiten Metallfilms (6) und des dritten Metallfilms (7) laminiert sind, wobei der erste Metallfilm stärker mit Aluminium ver bindbar ist als der zweite Metallfilm, wobei der drit te Metallfilm stärker mit der Mehrzahl von Kontakthü geln verbindbar ist als der erste Metallfilm und wobei der zweite Metallfilm die Fähigkeit aufweist, die Dif fusion von Metallen, die den ersten und den dritten Metallfilm definieren, zu unterdrücken.
2. Oberflächenwellenbauelement gemäß Anspruch 1, das fer
ner einen Reaktionsunterdrückungsfilm (11) aufweist,
der zwischen dem Aluminiumfilm und dem ersten Metall
film (5) angeordnet ist, um eine Reaktion zwischen dem
Aluminiumfilms und einem Laminat (8), das den zweiten
Metallfilm (6) und den dritten Metallfilm (7) umfaßt,
zu unterdrücken.
3. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß Anspruch 1 oder
2, bei dem der erste Metallfilm (5) mindestens ein Ma
terial aufweist, das aus der Gruppe ausgewählt ist,
die aus Ti, Cr, Ni, Hf und Legierungen derselben be
steht.
4. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß einem der An
sprüche 1 bis 3, bei dem der zweite Metallfilm (6)
mindestens ein Material aufweist, das aus der Gruppe
ausgewählt ist, die aus Pd, Pt, Ni, Cu und Legierungen
derselben besteht.
5. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß einem der An
sprüche 1 bis 4, bei dem der dritte Metallfilm (7) zu
mindest ein Material aufweist, das aus der Gruppe aus
gewählt ist, die aus Ag, Au und Legierungen derselben
besteht.
6. Oberflächenwellenbauelement (1)) gemäß Anspruch 2,
bei dem der Reaktionsunterdrückungsfilm (11) aus dem
gleichen Material hergestellt ist wie ein Material,
das zum Bilden des ersten Metallfilms (5) verwendet
ist.
7. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß Anspruch 2, bei
dem der Reaktionsunterdrückungsfilm (11) aus einem an
organischen, isolierenden Material hergestellt ist und
bei dem der erste, der zweite und der dritte Metall
film (5, 6, 7) mit dem Aluminiumfilm elektrisch ver
bunden sind.
8. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß Anspruch 7, bei
dem der Reaktionsunterdrückungsfilm (11), der aus dem
anorganischen, isolierenden Material hergestellt ist,
mit einem Durchgangsloch versehen ist, über das der
erste, der zweite und der dritte Metallfilm (5, 6, 7)
mit dem Aluminiumfilm elektrisch verbunden sind.
9. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß Anspruch 2, bei
dem der Reaktionsunterdrückungsfilm (11) mindestens
ein Material aufweist, das aus der Gruppe ausgewählt
ist, die aus Ti und Cr und Legierungen derselben be
steht.
10. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß Anspruch 9, bei
dem der Reaktionsunterdrückungsfilm (11) derart ange
ordnet ist, daß die Peripherie desselben außerhalb der
Peripherie eines Laminats (8) liegt, das den ersten,
den zweiten und den dritten Metallfilm (5, 6, 7) um
faßt.
11. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß einem der An
sprüche 1 bis 10, bei dem die Mehrzahl von Kontakthü
geln (9) aus Au hergestellt ist.
12. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß einem der An
sprüche 1 bis 11, bei dem der erste, der zweite und
der dritte Metallfilm (5, 6, 7) auf den Verbindungsan
schlußflächen (3c2, 3d2) und einer Anschlußleitungs
elektrode (3c1, 3d1) angeordnet sind.
13. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß Anspruch 2, bei
dem eine Stufe zwischen dem Reaktionsunterdrückungs
film (11) und einem ersten Laminat (8), das jeden des
ersten, zweiten und dritten Metallfilms (5, 6, 7) um
faßt, und einem zweiten Laminat (8), das den zweiten
und dritten Metallfilm (6, 7) umfaßt, vorgesehen ist.
14. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß Anspruch 2, bei
dem sich der Reaktionsunterdrückungsfilm (11) über die
Peripherien der Verdrahtungselektrodenabschnitte (3c,
3d, 4c, 4d) erstreckt.
15. Oberflächenwellenbauelement (1), das folgende Merkmale
aufweist:
ein Oberflächenwellensubstrat (2);
mindestens zwei Interdigitalelektroden (3, 4), die auf dem Oberflächenwellensubstrat angeordnet sind, wobei jede der mindestens zwei Interdigitalelektroden einen ersten kammartigen Elektrodenabschnitt (3a, 4a), bei dem eine Mehrzahl von Elektrodenfingern an einem Ende desselben miteinander verbunden sind, einen zweiten kammartigen Elektrodenabschnitt (3b, 4b), bei dem eine Mehrzahl von Elektrodenfingern an einem Ende desselben miteinander verbunden sind, und einen ersten und einen zweiten Verdrahtungselektrodenabschnitt (3c, 3d, 4c, 4d) umfaßt, die Anschlußleitungselektroden (3c1, 3d1), welche mit dem ersten bzw. dem zweiten kammartigen Elektrodenabschnitt verbunden sind, eine Mehrzahl von Kontakthügeln (9) aus Au und Verbindungsanschlußflä chen (3c2, 3d2) umfassen, die über die Mehrzahl von Kontakthügeln mit einer externen Umgebung verbunden sind, wobei die Elektrodenfinger des ersten und des zweiten kammartigen Elektrodenabschnitts ineinander greifen und wobei der erste und der zweite kammartige Elektrodenabschnitt und der erste und der zweite Ver drahtungselektrodenabschnitt durch einen Aluminiumfilm definiert sind; und
ein Laminat (8), das einen ersten, einen zweiten und einen dritten Metallfilm (5, 6, 7) umfaßt, die auf je dem des ersten und des zweiten Verdrahtungselektroden abschnitts angeordnet sind, wobei der erste Metallfilm stärker mit Aluminium verbindbar ist als der zweite Metallfilm, wobei der dritte Metallfilm stärker mit der Mehrzahl von Kontakthügeln verbindbar ist als der erste Metallfilm und wobei der zweite Metallfilm die Fähigkeit aufweist, die Diffusion von Metallen, die den ersten und den dritten Metallfilm definieren, zu unterdrücken.
ein Oberflächenwellensubstrat (2);
mindestens zwei Interdigitalelektroden (3, 4), die auf dem Oberflächenwellensubstrat angeordnet sind, wobei jede der mindestens zwei Interdigitalelektroden einen ersten kammartigen Elektrodenabschnitt (3a, 4a), bei dem eine Mehrzahl von Elektrodenfingern an einem Ende desselben miteinander verbunden sind, einen zweiten kammartigen Elektrodenabschnitt (3b, 4b), bei dem eine Mehrzahl von Elektrodenfingern an einem Ende desselben miteinander verbunden sind, und einen ersten und einen zweiten Verdrahtungselektrodenabschnitt (3c, 3d, 4c, 4d) umfaßt, die Anschlußleitungselektroden (3c1, 3d1), welche mit dem ersten bzw. dem zweiten kammartigen Elektrodenabschnitt verbunden sind, eine Mehrzahl von Kontakthügeln (9) aus Au und Verbindungsanschlußflä chen (3c2, 3d2) umfassen, die über die Mehrzahl von Kontakthügeln mit einer externen Umgebung verbunden sind, wobei die Elektrodenfinger des ersten und des zweiten kammartigen Elektrodenabschnitts ineinander greifen und wobei der erste und der zweite kammartige Elektrodenabschnitt und der erste und der zweite Ver drahtungselektrodenabschnitt durch einen Aluminiumfilm definiert sind; und
ein Laminat (8), das einen ersten, einen zweiten und einen dritten Metallfilm (5, 6, 7) umfaßt, die auf je dem des ersten und des zweiten Verdrahtungselektroden abschnitts angeordnet sind, wobei der erste Metallfilm stärker mit Aluminium verbindbar ist als der zweite Metallfilm, wobei der dritte Metallfilm stärker mit der Mehrzahl von Kontakthügeln verbindbar ist als der erste Metallfilm und wobei der zweite Metallfilm die Fähigkeit aufweist, die Diffusion von Metallen, die den ersten und den dritten Metallfilm definieren, zu unterdrücken.
16. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß Anspruch 15, das
ferner einen Reaktionsunterdrückungsfilm (11) auf
weist, der zwischen dem Aluminiumfilm und dem ersten
Metallfilm (5) angeordnet ist, um eine Reaktion zwi
schen dem Aluminiumfilm und einem Laminat (8), das den
zweiten Metallfilm (6) und den dritten Metallfilm (7)
umfaßt, zu unterdrücken.
17. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß Anspruch 15 oder
16, bei dem der erste Metallfilm (5) mindestens ein
Material aufweist, das aus der Gruppe ausgewählt ist,
die aus Ti, Cr, Ni, Hf und Legierungen derselben be
steht, der zweite Metallfilm (6) mindestens ein Mate
rial aufweist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die
aus Pd, Pt, Ni, Cu und Legierungen derselben besteht,
und der dritte Metallfilm (7) mindestens ein Material
aufweist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus
Ag, Au und Legierungen derselben besteht.
18. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß Anspruch 16, bei
dem der Reaktionsunterdrückungsfilm (11) aus dem glei
chen Material hergestellt ist wie ein Material, das
zum Bilden des ersten Metallfilms (5) verwendet ist.
19. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß Anspruch 16, bei
dem der Reaktionsunterdrückungsfilm (11) aus einem an
organischen, isolierenden Material gebildet ist und
bei dem der erste, der zweite und der dritte Metall
film (5, 6, 7) mit dem Aluminiumfilm elektrisch ver
bunden sind.
20. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß Anspruch 19, bei
dem der Reaktionsunterdrückungsfilm (11), der aus dem
anorganischen, isolierenden Material hergestellt ist,
mit einem Durchgangsloch versehen ist, über das der
erste, der zweite und der dritte Metallfilm (5, 6, 7)
mit dem Aluminiumfilm elektrisch verbunden sind.
21. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß Anspruch 16, bei
dem der Reaktionsunterdrückungsfilm (11) mindestens
ein Material aufweist, das aus der Gruppe ausgewählt
ist, die aus Ti, Cr und Legierungen derselben besteht.
22. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß Anspruch 21, bei
dem der Reaktionsunterdrückungsfilm (11) derart ange
ordnet ist, daß die Peripherie desselben außerhalb der
Peripherie eines Laminats (8) liegt, das den ersten,
zweiten und dritten Metallfilm (5, 6, 7) umfaßt.
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DE (1) | DE10134748B4 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9071222B2 (en) | 2010-10-15 | 2015-06-30 | Epcos Ag | Method for forming an electrode |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1187323B1 (de) * | 2000-03-03 | 2007-11-14 | Daishinku Corporation | Kristallresonator |
JP3438709B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2003-08-18 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電デバイス及びその製造方法と圧電発振器の製造方法 |
JP3925133B2 (ja) * | 2000-12-26 | 2007-06-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 |
JP2003087080A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-03-20 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
JP2003110403A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-04-11 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波素子、それを用いた弾性表面波装置、弾性表面波素子の製造方法、および弾性表面波装置の製造方法 |
US6856007B2 (en) * | 2001-08-28 | 2005-02-15 | Tessera, Inc. | High-frequency chip packages |
US7148610B2 (en) * | 2002-02-01 | 2006-12-12 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Surface acoustic wave device having improved performance and method of making the device |
DE10246784B4 (de) * | 2002-10-08 | 2013-06-13 | Epcos Ag | Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit geringer Einfügedämpfung und Verfahren zur Herstellung |
JP3865712B2 (ja) * | 2003-05-26 | 2007-01-10 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波デバイス |
US7141909B2 (en) * | 2003-06-17 | 2006-11-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
WO2005004195A2 (en) * | 2003-07-03 | 2005-01-13 | Shellcase Ltd. | Method and apparatus for packaging integrated circuit devices |
JP3764450B2 (ja) * | 2003-07-28 | 2006-04-05 | Tdk株式会社 | 表面弾性波素子、表面弾性波装置、表面弾性波デュプレクサ、及び表面弾性波素子の製造方法 |
US20050067681A1 (en) * | 2003-09-26 | 2005-03-31 | Tessera, Inc. | Package having integral lens and wafer-scale fabrication method therefor |
US20050085016A1 (en) * | 2003-09-26 | 2005-04-21 | Tessera, Inc. | Structure and method of making capped chips using sacrificial layer |
US20050116344A1 (en) * | 2003-10-29 | 2005-06-02 | Tessera, Inc. | Microelectronic element having trace formed after bond layer |
US20050139984A1 (en) * | 2003-12-19 | 2005-06-30 | Tessera, Inc. | Package element and packaged chip having severable electrically conductive ties |
EP1720794A2 (de) * | 2004-03-01 | 2006-11-15 | Tessera, Inc. | Verkapselung von akustischen und elektromagnetischen wandlerchips |
WO2005091500A1 (ja) | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波装置 |
JP4096947B2 (ja) * | 2005-01-26 | 2008-06-04 | セイコーエプソン株式会社 | 絶縁化処理前基板、および基板の製造方法 |
US20060183270A1 (en) * | 2005-02-14 | 2006-08-17 | Tessera, Inc. | Tools and methods for forming conductive bumps on microelectronic elements |
US8143095B2 (en) * | 2005-03-22 | 2012-03-27 | Tessera, Inc. | Sequential fabrication of vertical conductive interconnects in capped chips |
US7936062B2 (en) * | 2006-01-23 | 2011-05-03 | Tessera Technologies Ireland Limited | Wafer level chip packaging |
US20080002460A1 (en) * | 2006-03-01 | 2008-01-03 | Tessera, Inc. | Structure and method of making lidded chips |
WO2007125724A1 (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 電子部品及びその製造方法 |
US8604605B2 (en) | 2007-01-05 | 2013-12-10 | Invensas Corp. | Microelectronic assembly with multi-layer support structure |
EP2175556B1 (de) | 2007-07-30 | 2014-09-03 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Elastische Wellenvorrichtung und Herstellungsverfahren dafür |
JP4468436B2 (ja) * | 2007-12-25 | 2010-05-26 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
JP4521451B2 (ja) * | 2008-03-24 | 2010-08-11 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
JP5262553B2 (ja) * | 2008-10-14 | 2013-08-14 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
JP5558158B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2014-07-23 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
JP5325729B2 (ja) * | 2009-09-28 | 2013-10-23 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波フィルタ |
JP2013145932A (ja) * | 2010-05-07 | 2013-07-25 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
WO2015041153A1 (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
JP6166190B2 (ja) * | 2014-02-03 | 2017-07-19 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子および弾性波装置 |
JP6402704B2 (ja) * | 2015-11-19 | 2018-10-10 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、デュプレクサ及びマルチプレクサ |
JP7224094B2 (ja) * | 2017-06-26 | 2023-02-17 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
CN111341743B (zh) | 2018-12-19 | 2024-04-16 | 株式会社村田制作所 | 电子部件 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3721841A (en) * | 1971-06-16 | 1973-03-20 | Motorola Inc | Contact for piezoelectric crystals |
US3959747A (en) * | 1975-04-30 | 1976-05-25 | Rca Corporation | Metallized lithium niobate and method of making |
JPS5411173U (de) * | 1977-06-24 | 1979-01-24 | ||
US4477952A (en) * | 1983-04-04 | 1984-10-23 | General Electric Company | Piezoelectric crystal electrodes and method of manufacture |
JPS62173813A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-30 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波素子 |
JP3039971B2 (ja) * | 1989-09-19 | 2000-05-08 | 株式会社日立製作所 | 接合型圧電装置及び製造方法並びに接合型圧電素子 |
JPH04343511A (ja) | 1991-05-21 | 1992-11-30 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子 |
JPH0878999A (ja) | 1994-09-07 | 1996-03-22 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
JPH08307192A (ja) | 1995-04-28 | 1996-11-22 | Mitsumi Electric Co Ltd | 表面弾性波デバイス |
JPH09223944A (ja) * | 1995-12-13 | 1997-08-26 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
JPH1013184A (ja) | 1996-06-19 | 1998-01-16 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
JP3275775B2 (ja) | 1997-05-16 | 2002-04-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
JPH11234082A (ja) | 1998-02-13 | 1999-08-27 | Toko Inc | 表面弾性波装置 |
JP2000165192A (ja) | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
-
2000
- 2000-08-10 JP JP2000243040A patent/JP3405329B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-06-27 US US09/892,231 patent/US6552475B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-17 DE DE10134748A patent/DE10134748B4/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9071222B2 (en) | 2010-10-15 | 2015-06-30 | Epcos Ag | Method for forming an electrode |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002100951A (ja) | 2002-04-05 |
JP3405329B2 (ja) | 2003-05-12 |
DE10134748B4 (de) | 2008-01-03 |
US20020024271A1 (en) | 2002-02-28 |
US6552475B2 (en) | 2003-04-22 |
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