TWI707372B - 磁性核心與其製造方法,及線圈部件 - Google Patents

磁性核心與其製造方法,及線圈部件 Download PDF

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Abstract

提供一種生產性優良、具有穩定的磁特性且處理容易的磁性核心。本發明的磁性核心10為包含導體的線圈部件用的磁性核心,將分割為小片的複數的軟磁性薄帶積層而成。

Description

磁性核心與其製造方法,及線圈部件
本發明有關於磁性核心與其製造方法,及線圈部件。
伴隨著近年的功率元件的小型化,希望將功率元件之中佔有多數空間的變壓器、線圈更加的小型化。作為變壓器、線圈用的磁性核心的材料,一般多使用鐵氧體。
在將變壓器、線圈等小型化之際,驅動時的最大磁束密度必須變大。然而,由於鐵氧體的飽和磁束密度並不是很大,就此使用鐵氧體的小型化存在界限。作為飽和磁束密度大的材料,可舉出Fe-Si系材料、非晶質系材料、金屬玻璃系材料、奈米結晶系等的金屬軟磁性體(例如是參照專利文獻1)。作為使用金屬軟磁性體而成的磁性核心,可舉出將金屬軟磁性體的粉末藉由壓力成形的壓粉核心、將金屬軟磁性體的薄帶捲繞並成為環狀的形狀等的捲繞核心、將金屬軟磁性體的薄帶積層的積層核心等。進而,為了將此些的磁性核心小型化,必須將飽和磁束密度高的磁性材料以高占空因數填充於受到某種程度限制的核心體積內。
壓粉核心是將金屬的軟磁性體粉末填充於模具內,並藉由施加壓力而成型,為了提高占空因數而必須為高的壓力,特別是Fe基非晶質系、金屬玻璃系、奈米結晶系等的材料的粉體為硬,成型需要非常高的壓力,為了製作占空因數(space factor)高的核心,具有耗費非常大的成本的問題。
捲繞核心是將以成為所希望長度、寬度的方式加工的金屬軟磁性的薄帶捲繞以製作。雖然此方法得到了較高占空因數的核心,核心的形狀限制為可對應捲繞者。而且,一般而言,為了去除非晶質系的磁性薄帶的加工應變,或是為了使奈米結晶系的磁性薄帶中的微結晶析出,進行熱處理。經由此熱處理,磁性薄帶的磁特性提升但變得非常脆,特別是構成捲繞核心的情況下,有變得容易破損,變得難以處理的問題。
作為其他的核心,具有藉由將複數的磁性薄帶沖壓,將此些於其厚度方向積層以製作的積層核心。積層核心與捲繞核心得到相同的高占空因數,而且相對於捲繞核心有較高的形狀的自由度,除了功率元件用的磁性部件之外,亦用於馬達的轉子或定子等。但是,金屬薄帶,特別是熱處理前的非晶質系、奈米結晶系的磁性薄帶,具有硬而難以沖壓為所希望形狀、並且沖壓模的消耗劇烈的問題。而且,由於沖壓時所施加的應力,有必要進行為了使磁性薄帶的切斷面所產生的磁特性劣化回復的熱處理,但進行熱處理的情形,具有上述的由於磁性薄帶變脆,變得難以處理的問題。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利公開平11-74108號公報
[發明所要解決的課題]
本發明是鑑於上述事項而成者,其目的為提供一種生產性優良、具有穩定的磁特性且處理容易的磁性核心與其製造方法,以及具備該核心的線圈部件。 [用於解決課題的手段]
本發明為了解決上述課題,提供以下的手段。
(1)本發明的一態樣的磁性核心,為包含導體的線圈部件用的磁性核心,將分割為小片的複數的軟磁性薄帶積層而成。
(2)於上述(1)所記載的磁性核心中,前述軟磁性薄帶以平均破裂(crack)間隔成為0.015mm以上且1mm以下的方式分割為小片為佳。
(3)於上述(1)或(2)所記載的磁性核心中,磁性材料的占空因數以70%以上且99.5%以下為佳。
(4)本發明的一態樣的線圈部件,是在上述(1)~(3)的其中一項所記載的磁性核心捲繞線圈而成。
(5)本發明的一態樣的磁性核心的製造方法,於上述(1)~(3)的其中之一所記載的磁性核心的製造方法中,包括熱處理步驟,對複數的軟磁性薄帶進行熱處理;接著層形成步驟,於經熱處理的複數的前述軟磁性薄帶的個別的主面形成接著層;小片化處理步驟,將形成有前述接著層的複數前述軟磁性薄帶個別進行小片化處理;沖壓步驟,將經小片化處理的複數的前述軟磁性薄帶個別沖壓為規定的形狀;以及積層步驟,將經小片化處理的複數的前述軟磁性薄帶彼此經由前述接著層於厚度方向積層。 [發明的效果]
本發明的構成磁性核心的軟磁性薄帶雖然以硬的材料構成,但分割為複數的小片,與未分割的情形相比能夠以弱的力沖壓。因此,本發明的磁性核心容易加工為所希望形狀,生產性優良。
一般而言,如對軟磁性薄帶進行沖壓,沖壓的部分與殘餘的部分因切斷而產生應力,其應力傳遞至軟磁性薄帶的殘餘的部分而磁特性劣化。但是,由於本發明的軟磁性薄帶經小片化,產生應力的切斷面附近的部分與其他部分物理的分離,因此此應力不會傳遞至切斷面附近以外的大部分,能夠將應力所致的傷害抑制為最小限度。因此,本發明的軟磁性薄帶不會受到沖壓所致的影響,具有穩定的磁特性。
由於本發明的磁性核心經由薄接著層而將軟磁性薄帶複數積層,藉此成為磁性體材料的占空因數高的結構且強固,因此容易處理。
由於本發明的磁性核心由複數的軟磁性薄帶積層而成,電流路徑於積層方向的複數部位分斷。進而,由於本發明的磁性核心將個別的軟磁性薄帶小片化,電流路徑於與積層方向相交的方向的複數部位亦分斷。因此,本發明的線圈部件的交流磁場的伴隨著磁束變化之渦電流的路徑在所有的方向分斷,能夠大幅降低渦電流損失。
以下對本發明一邊適當參照圖式並進行詳細說明。以下的說明所使用的圖式,具有為了使本發明的特徵容易理解而便宜行事的將特徵部分擴大表示的情形,且各構成要素的尺寸比例亦有與實際相異的情形。以下說明中所例示的材料、尺寸僅為一例,本發明並不限定於此些,能夠在達成本發明效果的範圍內適當變更並實施。
[線圈部件] 對本發明的一實施型態的磁性核心10以及線圈部件100的構成進行說明。圖1的上側為從圓筒狀的磁性核心10的中心軸C延長的一側所見的線圈部件100的平面圖。圖1的下側為包含中心軸C以面B切斷的情形之線圈部件100的斷面圖。斷面的更裡側部分的圖式予以省略。
磁性核心10為使用於包含導體的線圈部件(變壓器、扼流圈、磁感測器等)者,由分割為小片的複數的軟磁性薄帶10a、10b、...積層而成。此處所示的線圈部件100係於磁性核心10的周圍捲繞螺旋狀等的線圈20而成。線圈20的形狀、尺寸、數目等,可因應線圈部件100的用途而改變。可以使用如圖1所示的具有貫通孔的一體的磁性核心,亦可以使用如同後述變形例3的藉由複數部件組合而形成貫通孔的磁性核心。
[磁性核心] 圖2為圖1所示的磁性核心10的斷面中,包含虛線所圍區域R的部分之擴大、且明示其具體構成的圖。磁性核心10由在厚度方向積層的複數的軟磁性薄帶M(10a~10j)、與相鄰的軟磁性薄帶間所挾的接著層S(2a~2i)所構成。磁性核心10於其積層方向的一端側以及他端側的亦可以分別具備保護膜3a、3b。本發明的磁性核心與通常的磁性核心相同,具有磁性核心用軟磁性薄帶與接著層作為主要元件,但在能夠達成本發明的效果的範圍內亦可含有其他的構成要素。
藉由具有接著層S,能夠抑制分割後的小片的脫落。作為接著層S的材料,可使用公知者,例如是可舉出於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜基材的表面塗佈丙烯酸系接著劑、矽酮樹脂、丁二烯樹脂等構成的接著劑或熱熔膠等而成者。而且,作為基材,除了PET膜之外,可舉出聚醯亞胺膜、聚酯膜、聚苯硫醚(PPS)膜、聚丙烯(PP)膜、如同聚四氟乙烯(PTFE)的氟樹脂膜等的樹脂膜等。而且,亦可以於熱處理後的軟磁性薄帶的主面直接塗佈丙烯酸樹脂等,將其作為接著層。
圖2所例示為磁性核心10具備複數的軟磁性薄帶的情形,但所具備的軟磁性薄帶亦可為1枚。本發明的磁性核心所具備的軟磁性薄帶為複數的情形,全部為本發明的磁性核心用軟磁性薄帶的情形,效果最大。
作為本發明的磁性核心的製造方法,可使用公知的方法。
[軟磁性薄帶] 軟磁性薄帶10具有複數的破裂,藉由此些而分割為複數的小片。本說明書在藉由破裂分割、小片化的區域以線段劃界時,線段的長度除以與線段交叉的破裂數者定義為「平均破裂間隔」。
參照圖3所示的具體例子,對「平均破裂間隔」的計算方法進行說明。圖3中的數字為破裂與線段的交叉點依序計數的數字。圖3所示的例子為4mm×4mm的正方形的磁性核心用軟磁性薄帶,進行小片化處理而產生有破裂。圖中破裂以實線表示,且線段以虛線表示。
線段為於正方形的磁性核心用軟磁性薄帶的一方向(圖中的橫方向)延伸者,於與此方向垂直的方向(圖中的縱方向)以10條的線段劃分為平行的等間隔。此時,計數與線段交叉的破裂的數目以作為與線段交叉的破裂的總數,以線段的總長度除以此總數者作為平均破裂間隔。以計算式表示則成為如同式(1)。 平均破裂間隔[mm]=(線段的總長度)/(與線段交叉的破裂的總數) ……(1) 圖3所示的例子帶入計算式(1)的話,與線段交叉的破裂的總數為46個,線段的總長為40mm,平均破裂間隔為40/46[mm]而約為0.87mm。
由於平均破裂間隔依所選擇的區域而變化,以複數的區域計算並取平均者為佳。而且,以預先決定選擇區域的作法為佳。例如是,如同本實施型態使用環狀的軟磁性薄帶10的情形,在計算平均破裂間隔之際,作為選擇的區域能夠以包含環狀區域的中央線A的方式選擇。
個別的軟磁性薄帶以平均破裂間隔成為0.015mm以上且1mm以下的方式分割為小片為佳。平均破裂間隔如小於0.015mm,軟磁性薄帶的磁導率變得過低,作為磁性核心的性能變低。而且,平均破裂間隔如大於1mm,難以藉由弱的力沖壓,沖壓之際於切斷面產生的應力所及範圍變廣,藉由小片化所致的效果變得薄弱。
作為磁性核心用軟磁性薄帶的材料,例如是可使用非晶質合金、微結晶合金、磁透合金、由奈米異質結構構成的合金等的磁性合金等的公知材料。非晶質系合金例如是Fe基非晶質軟磁性材料、Co基非晶質軟磁性材料等,而且,微結晶合金例如是Fe基奈米結晶軟磁性材料等。而且,奈米異質結構是指微結晶存在於非晶質中的結構。
Fe基奈米結晶軟磁性材料的組成,由組成式(Fe 1- α + β )) X1α X2β 1- a+b+c+d+e+f )) Ma Bb Pc Sid Ce Sf 構成, X1為由Co以及Ni所組之組群選擇1種以上, X2為由Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Cu、Cr、Bi、N、O以及稀土元素所組之組群選擇1種以上, M為由Nb、Hf、Zr、Ta、Mo、V以及W所組之組群選擇1種以上, 0≦a≦0.140 0.020<b≦0.200 0≦c≦0.150 0≦d≦0.180 0≦e≦0.040 0≦f≦0.030
α≧0
β≧0
0≦α+β≦0.50,a、c、d中的1種以上大於0為佳。
磁性核心中所佔的磁性材料的體積比率(占空因數)以70%以上且99.5%以下為佳。於個別的軟磁性薄帶中,磁性材料的占空因數大於70%的話,能夠充分提高飽和磁束密度,能夠有效的利用為磁性核心。而且,磁性材料的占空因數小於99.5%的話,難以引起破損,作為磁性核心的處理變得容易。
圖1是例示作為磁性核心為圓筒狀者,但磁性核心的形狀並沒有特別的限制,例如是亦可使用接下來所示的形狀。
(變形例1)
圖4所示為本實施型態的變形例1的線圈部件110的構成。磁性核心成為矩形筒狀。線圈部件110是在包圍磁性核心10的貫通孔H的側壁中的2部位中,沿著貫通孔H的周方向捲繞螺旋狀等的線圈20而成。圖4的上側為從矩形筒狀的磁性核心10的中心軸C延長的一側所見的線圈部件110的平面圖。圖4的下側為包含中心軸C以面切斷的情形之線圈部件110的斷面圖。斷面的更裡側部分的圖式予以省略。與本實施型態相同的部位,不依照形狀的不同而標示相同的符號。於變形例1的構成中,亦能夠得到與上述實施型態相同的效果。
(變形例2)
圖5構成本實施型態的變形例2的線圈部件120。磁性線圈10為在內部具有分隔部10A的矩形筒狀。分隔部10A將矩形筒的內部分割為2。線圈部件120係在分隔部10A捲繞螺旋狀等的線圈20而成。圖5的上側為從矩形筒狀的磁性核心10的中心軸C延長的一側所見的線圈部件120的平面圖。圖5的下側為包含中心軸C以 面切斷的情形之線圈部件120的斷面圖。斷面的更裡側部分的圖式予以省略。與本實施型態相同的部位,不依照形狀的不同而標示相同的符號。於變形例2的構成中,亦能夠得到與上述實施型態相同的效果。
(變形例3)
圖6(a)、(b)所示為本實施型態的變形列3的線圈部件130的構成。本例的磁性核心10與變形例2相同,為在內部具有分隔部10A的矩形筒狀,進而於2個部分10B、10C具有可分割的結構。圖6(b)所示為未分割狀態的磁性線圈10的平面圖,圖6(a)為分割的一側的部分10B的平面圖以及斷面圖。關於分割的各部分的形狀,並不限定於此處所示者。與本實施型態相同的部位,不依照形狀的不同而標示相同的符號。於變形例3的構成中,亦能夠得到與上述實施型態相同的效果。
[磁性核心的製造方法]
本實施型態的磁性核心的製造方法,主要具有熱處理步驟、接著層形成步驟、小片化步驟、沖壓步驟、積層步驟。對各工程的概要進行說明。
(熱處理步驟)
準備上述複數的軟磁性薄帶,進行熱處理。處理溫度概略為400℃以上且700℃以下的範圍,因應軟磁性薄帶的材料決定。藉由此熱處理,軟磁性薄帶脆化,且成為能進行小片化的狀態。軟磁性薄帶的材料為Fe基奈米結晶系材料的情形,藉由此熱處理,於軟磁性薄帶析出奈米結晶。而且,軟磁性薄帶的材料為Fe基非晶質系材料的情形,藉由此熱處理,去除軟磁性薄帶中的殘留應變。
(接著層形成步驟)
於經熱處理的軟磁性薄帶的個別如上所述形成接著層。接著層的形成可使用公知的方法進行。例如是藉由對軟磁性薄帶薄的塗佈含樹脂的溶液,使溶劑乾燥,以形成接著層之方法。而且,亦有在軟磁性薄帶貼附雙面膠帶,將其作為接著層的方法。作為此情形的雙面膠帶,例如是使用於PET(聚對苯二甲酸乙二酯)膜的兩面塗佈接著劑者。
(小片化處理步驟) 將形成有接著層的複數的軟磁性薄帶,以使平均破裂間隔為上述範圍的方式,個別分割為複數的小片(小片化處理)。藉由形成有接著層,能夠防止分割的小片散落。亦即是,小片化處理後軟磁性薄帶雖然分割為複數的小片,任意的小片的位置都經由接著層固定,作為整體而維持小片化處理前的形狀。
小片化處理可使用公知的方法,亦即是,施加外力而分割的方法。作為施加外力而分割的方法,例如是已知有以模具按壓切割的方法,經由軋輥彎折的方法等。於使用此些方法之際,亦具有使用在模具或輥上設置有預先決定之圖案的模具或輥的情形。
(沖壓步驟) 將經小片化的複數的軟磁性薄帶與接著層共同沖壓為規定的形狀。本實施型態是例示將中央沖壓為圓形狀的情形。沖壓例如是可在具有規定形狀的沖模與面板之間挾持軟磁性薄帶,由面板側向沖模側或是由沖模側向面板側加壓以進行。
(積層步驟) 經沖壓的複數的軟磁性薄帶彼此經由接著層於厚度方向重疊積層,藉此能夠得到本實施型態的磁性核心。尚且,沖壓步驟與積層步驟的順序亦可以顛倒。
如同上述,本實施型態的線圈部件100的磁性核心10用的軟磁性薄帶M雖然如上所述以硬的材料構成,但是分割為複數的小片,與未分割的情形相比能夠以弱的力沖壓。因此,本實施型態的磁性核心10容易加工為所希望的形狀,生產性優良。
一般而言,如對軟磁性薄帶沖壓,在沖壓的部分與殘餘的部分因切斷而產生應力,且此應力傳遞至軟磁性薄帶的殘餘部分而使磁特性劣化。但是,本實施型態的軟磁性薄帶M經小片化,產生應力的切斷面附近的部分與其他部分物理性的分離,因此,此應力不會傳遞至切斷面的附近以外的大部分,能夠將應力所致的傷害抑制到最小限度。因此,本實施型態的軟磁性薄帶M不受沖壓所致的影響,具有穩定的磁特性。
本實施型態的磁性核心10由於藉由將軟磁性薄帶複數積層而成為磁性體材料的占空因數高的結構且強固,因此容易處理。
由於本實施型態的磁性核心10是由複數的軟磁性薄帶M積層而成,電流路徑於積層方向T的複數部位分斷。進而,由於本實施型態的磁性核心10的個別的軟磁性薄帶M經小片化,電流路徑於與積層方向相交方向的複數部位中亦分斷。因此,本實施型態的線圈部件100的伴隨著交流磁場的磁束變化之渦電流的路徑在所有方向中分斷,能夠大幅降低渦電流損失。 [實施例]
「實施例1」 1.磁性核心的製作 (1)首先,於預先經570℃熱處理的厚度約20μm的Fe基奈米結晶軟磁性薄帶塗布樹脂溶液。其後使溶劑乾燥,於軟磁性薄帶的兩面個別形成1~2μm程度的接著層,以製作具備接著層的磁性薄片。 (2)其次,對所製作的磁性薄片以平均破裂間隔成為0.17mm的方式來調整小片化尺寸而進行小片化處理,以製作小片化磁性薄片。 (3)其次,對此小片化磁性薄片進行沖壓而成為環狀(外徑18mm,內徑10mm)。此沖壓是將小片化磁性薄片挾於沖模與面板之間,由面板側向沖模側加壓以進行。 (4)其次,將經沖壓的小片化磁性薄片以成為高度約5mm的方式複數枚貼合並積層者作為磁性核心。所得的磁性核心的占空因數約85%。依照相同的順序,進而製作30個相同構成的磁性核心。
2.評價 (1)線圈的電感Ls 對所得的個別的磁性核心,如圖1所示的沿圓周方向捲繞線圈以形成30個線圈部件,使用電感電阻電容測量計(LCR meter)個別測定100kHz的線圈的電感。 (2)cv值(標準偏差/平均值) 對於所測定的30個的線圈的電感,計算cv值。
「實施例2」 除了對磁性薄片以平均破裂間隔成為0.5mm的方式進行小片化處理以外,以與實施例1相同的製作實施例2的磁性核心並進行評價。
「實施例3」 除了對磁性薄片以平均破裂間隔成為0.015mm的方式進行小片化處理以外,以與實施例1相同的製作實施例3的磁性核心並進行評價。
「實施例4」 除了對磁性薄片以平均破裂間隔成為0.01mm的方式進行小片化處理以外,以與實施例1相同的製作實施例4的磁性核心並進行評價。
「實施例5」 除了對磁性薄片以平均破裂間隔成為0.75mm的方式進行小片化處理以外,以與實施例1相同的製作實施例5的磁性核心並進行評價。
「實施例6」 除了使用Fe基非晶質軟磁性材料構成的軟磁性薄帶作為軟磁性薄帶以外,以與實施例1相同的製作實施例6的磁性核心並進行評價。
「實施例7」 除了對磁性薄片以平均破裂間隔成為1mm的方式進行小片化處理以外,以與實施例1相同的製作實施例7的磁性核心並進行評價。
「實施例8」 除了對磁性薄片以平均破裂間隔成為2mm的方式進行小片化處理以外,以與實施例1相同的製作實施例8的磁性核心並進行評價。
「比較例1」 對未進行上述熱處理以及小片化處理的磁性薄片進行與實施例1相同的評價。除了熱處理以及小片化處理以外,與實施例1相同的進行。
「比較例2」 對未進行上述小片化處理的磁性薄片進行與實施例1相同的評價。除了小片化處理以外,與實施例1相同的進行。
表1為匯總實施例1~8、比較例1、2的測定結果以及評價結果者。由於實施例1~8的任一者的情形都對軟磁性薄片小片化,能夠以弱的力沖壓。而且,由於實施例1~8的任一者的情形,沖壓時的斷面附近所產生的應力都難以傳遞至內部,因此抑制磁特性的劣化(電感Ls的降低)。特別是,平均破裂間隔為0.15mm以上且1mm以下的範圍,將電感的cv值抑制為低。
比較例1由於軟磁性薄帶未經熱處理以及小片化處理,難以以與實施例1~8相同的力沖壓,無法測定電感。比較例2藉由進行熱處理而能夠以與實施例1~8相同的力沖壓,但未進行小片化處理,沖壓所產生的應力傳遞至軟磁性薄帶的廣範圍,而使電感的cv值惡化。
表1
Figure 108107017-A0304-0001
「實施例9」 作為軟磁性薄帶,調整接著層的厚度以使占空因數為98%以外,與實施例1相同的製作實施例9的磁性核心並進行評價。
「比較例3」 製作與實施例1相同的材料、相同的尺寸構成的圓筒狀的磁性核心作為比較例3。此磁性核心並不是複數的軟磁性薄帶積層而成者,而是將軟磁性薄帶捲繞以製作的核心。對此以與實施例1相同的進行評價。
表2為匯總實施例8、9、比較例3的測定結果以及評價結果者。實施例8、9的積層核心得到高電感且cv值抑制為小。相對於此,比較例3的捲繞核心與實施例8、9相比電感低,且cv值變大。這被認為是相較於積層核心,由於捲繞核心是將軟磁性薄帶捲繞為圓筒狀而容易產生間隙,占空因數變低,而且,容易受到捲繞時的偏差的影響,而cv值變大。
[表2]
Figure 108107017-A0304-0002
100、110、120‧‧‧線圈部件 10‧‧‧磁性核心 10A、10B、10C‧‧‧分隔部 20‧‧‧線圈 3a、3b‧‧‧保護膜 A‧‧‧中央線 B‧‧‧面 C‧‧‧中心軸 H‧‧‧貫通孔 M(10a~10j)‧‧‧軟磁性薄帶 R‧‧‧區域 S(2a~2i)‧‧‧接著層 T‧‧‧積層方向
圖1所示為本發明的一實施型態的線圈部件的平面圖(上側)以及斷面圖(下側)。 圖2所示為構成圖1的線圈部件的磁性核心的斷面模式圖。 圖3所示為用於對「平均破裂間隔」的計算方法進行說明的圖。 圖4所示為本發明的變形例1的線圈部件的平面圖。 圖5所示為本發明的變形例2的線圈部件的平面圖。 圖6所示為本發明的變形例3的線圈部件的平面圖。
100‧‧‧線圈部件
10‧‧‧磁性核心
10a、10b‧‧‧軟磁性薄帶
20‧‧‧線圈
A‧‧‧中央線
B‧‧‧面
C‧‧‧中心軸
H‧‧‧貫通孔
R‧‧‧區域
T‧‧‧積層方向

Claims (3)

  1. 一種磁性核心,其為包含導體的線圈部件用的磁性核心,其特徵在於:將分割為小片的複數的軟磁性薄帶積層而成;其中前述軟磁性薄帶以平均破裂間隔成為0.015mm以上且1mm以下的方式分割為小片;磁性材料的占空因數為70%以上且99.5%以下;以及前述軟磁性薄帶為Fe基奈米結晶軟磁性薄帶。
  2. 一種線圈部件,其特徵在於:在如申請專利範圍第1項所記載的磁性核心捲繞線圈而成。
  3. 一種磁性核心的製造方法,其為如申請專利範圍第1項所記載的磁性核心的製造方法,其特徵在於包括:熱處理步驟,對複數的軟磁性薄帶進行熱處理;接著層形成步驟,於經熱處理的複數的前述軟磁性薄帶的個別的主面形成接著層;小片化處理步驟,將形成有前述接著層的複數前述軟磁性薄帶個別進行小片化處理;沖壓步驟,將經小片化處理的複數的前述軟磁性薄帶個別沖壓為規定的形狀;以及積層步驟,將經小片化處理的複數的前述軟磁性薄帶彼此經由前述接著層於厚度方向積層。
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