TWI699846B - 發光二極體基板的修復裝置及修復方法 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及發光二極體基板修復裝置及方法,本發明裝置包括:第一檢查部,用於檢測配置於基板上的多個發光二極體中的不良發光二極體;發光二極體去除部,從基板去除通過第一檢查部檢測到的不良發光二極體;焊料供給部,向去除不良發光二極體的基板的不良發生區域中的至少一部分供給新導電性焊料;發光二極體供給部,在新導電性焊料上放置新發光二極體;發光二極體結合部,對新導電性焊料進行加熱,來提高新發光二極體與基板的結合力;第二檢查部,以附著有新發光二極體的基板為物件來檢查發光二極體不良與否;以及至少一個移送機器人,向第一檢查部、發光二極體去除部、焊料供給部、發光二極體供給部、發光二極體結合部及第二檢查部依次移送基板。

Description

發光二極體基板的修復裝置及修復方法
本發明涉及發光二極體基板修復裝置及方法,更詳細地,涉及可準確且有效地執行發光二極體修復步驟的發光二極體基板修復裝置及方法。
發光二極體(LED,Light Emitting Diode)接合電子多的N型半導體與空穴多的P型半導體而成,若向此半導體施加正向電壓,電子和空穴移動來在接合部再結合,這種再結合能量成為光並釋放光。
發光二極體具有低耗電、長壽命、高效率、極小的大小、暫態點燈、寬的工作溫度範圍、高的耐衝擊及耐振動特性、不產生紅外線及紫外線、不通過濾波器也可實現高彩度、不產生水銀等的固有優點,並且,在生產方面,相比於以往的液晶顯示器(LCD)、有機發光二極體顯示器(OLED Display),在結構方面更簡化。
在以往,將這種發光二極體僅用作解析度不高的戶外廣告板或照明,由於製程技術及超精密設備的體現,可生產很小的迷你(Mini)型或微米(Micro)單位的超小型發光二極體晶片(Chip),由於品質問題得到改善,優點多於以往使用的液晶顯示器或有機發光二極體顯示器,除顯示器外,還研發了諸多應用產品。
超小型發光二極體與有機發光二極體相似,但使用無機材料,為自發光裝置,因此,無需額外的背面光或液晶層、偏光板。並且,光轉換效率高,對於低電力顯示器的利用可能性高,相比于有機發光二極體的有機成分或傳統液晶顯示器的液晶層,無需擔憂老化(burn-in)現象。並且,畫面的轉換速度也比以往的液晶顯示器、有機發光二極體顯示器優秀,不僅尺寸小,還具有超高解析度、超高速轉換速度的超小型發光二極體適合用於虛擬實境(VR)及擴增實境(AR)頭盔。
但是,即使具有如上所述的優點,以當前技術生產尺寸與現有顯示器相同的各種產品時消耗比現有顯示器更貴的費用。這是因為,大量生產的工廠或步驟還未最佳化。
製作電子螢幕或廣告板時發生的發光二極體晶片的不良發光二極體通過如下的步驟進行焊接(Soldering)來維修發光二極體面板(Panel)的不良發光二極體晶片並產品化,即,在以往,均通過手工作業使用烙鐵或熱風去除焊錫(Solder)和晶片並配置優質的發光二極體晶片。
以往使用的發光二極體晶片的尺寸大,因此可進行手工作業,但維修不良晶片時的耗時多,即使已維修,因沒有包括如晶片的接合強度或絕緣電阻等的電特性在內的步驟的一慣性,從而產生其他問題。並且,為進行維修,通過手工作業檢查不良發光二極體晶片,而不是自動化檢查,因此,具有無效率且準確率降低的問題。
本發明的目的在於,提供使以往通過手工作業進行的發光二極體修復步驟有效地自動化並提高發光二極體基板的量產性及品質穩定性的發光二極體基板修復裝置及方法。
本發明一實施例的發光二極體基板修復裝置包括:第一檢查部,用於檢測配置於基板上的多個發光二極體中的不良發光二極體;發光二極體去除部,從上述基板去除通過上述第一檢查部檢測到的不良發光二極體;焊料供給部,向去除上述不良發光二極體的上述基板的不良發生區域中的至少一部分供給新導電性焊料;發光二極體供給部,在上述新導電性焊料上放置新發光二極體;發光二極體結合部,對上述新導電性焊料進行加熱,來提高上述新發光二極體與上述基板的結合力;第二檢查部,以附著有上述新發光二極體的上述基板為物件來檢查發光二極體不良與否;以及至少一個移送機器人,向上述第一檢查部、上述發光二極體去除部、上述焊料供給部、上述發光二極體供給部、上述發光二極體結合部及上述第二檢查部依次移送上述基板。
並且,上述第一檢查部包括:第一工作台;一對第一基板支撐部,形成於上述第一工作台上,用於放置上述基板;第一圖像感測器,用於整列位於上述第一基板支撐部的基板;以及第一攝影機,用於拍攝放置於上述第一基板支撐部且完成整列的基板,來檢測不良發光二極體,通過分析被上述第一攝影機拍攝的影像來檢測不良發光二極體,向上述發光二極體去除部、上述焊料供給部、上述發光二極體供給部、上述發光二極體結合部提供所檢測的不良發光二極體的位置資訊。
並且,上述發光二極體去除部包括:第二工作台;一對第二基板支撐部,形成於上述第二工作台上,用於放置上述基板;第二圖像感測器,用於整列位於上述第二基板支撐部的基板;第一加熱部,對位於完成整列的基板的上述不良發光二極體的導電性焊料進行加熱,來弱化上述不良發光二極體的導電性焊料的結合力;以及去除模組,從上述基板分離上述不良發光二極體。
並且,上述焊料供給部包括:第三工作台;一對第三基板支撐部,形成於上述第三工作台上,用於放置上述基板;第三圖像感測器,用於整列位於上述第三基板支撐部的基板;以及焊料提供部,使新導電性焊料位於完成整列的基板的不良發生區域中的至少一部分。
並且,上述發光二極體供給部包括:第四工作台;一對第四基板支撐部,形成於上述第四工作台上,用於放置上述基板;第四圖像感測器,用於整列位於上述第四基板支撐部的基板;新發光二極體提供部,擁有多個新發光二極體;以及發光二極體放置部,向上述新發光二極體提供部移動來獲取新發光二極體,並在完成整列的基板的新導電性焊料上放置所獲取的新發光二極體。
並且,上述發光二極體結合部包括:第五工作台;一對第五基板支撐部,形成於上述第五工作台上,用於放置上述基板;第五圖像感測器,用於整列位於上述第五基板支撐部的基板;以及第二加熱部,對完成整列的基板的新導電性焊料進行加熱。
並且,上述第二檢查部包括:第六工作台;一對第六基板支撐部,形成於上述第六工作台上,用於放置上述基板;第六圖像感測器,用於整列位於上述第六基板支撐部的基板;以及第二攝影機,放置於上述第六基板支撐部來拍攝完成整列的基板,用於檢測不良發光二極體,通過分析被上述第二攝影機拍攝的影像來檢查不良發光二極體的存在與否。
並且,在上述第二檢查部中將相應基板判斷為不良的情況下,上述移送機器人向上述發光二極體去除部再次移送上述基板。
並且,在上述第一基板支撐部、第二基板支撐部、第三基板支撐部、第四基板支撐部、第五基板支撐部、第六基板支撐部分別設置有用於檢測上述基板的放置與否的基板感測器。
並且,上述第一基板支撐部、第二基板支撐部、第三基板支撐部、第四基板支撐部、第五基板支撐部、第六基板支撐部的間隔分別根據上述基板的大小而改變,形成有用於吸附固定所放置的基板的吸附孔。
並且,上述第一檢查部、上述發光二極體去除部、上述焊料供給部、上述發光二極體供給部、上述發光二極體結合部及上述第二檢查部還分別包括高度測定感測器。
並且,上述發光二極體供給部以串聯或並聯方式設置多個,上述移送機器人以多個上述發光二極體供給部為物件交替移送上述基板。
本發明一實施例的發光二極體基板修復方法包括:步驟(a),檢測配置於基板上的多個發光二極體中的不良發光二極體;步驟(b),從上述基板去除檢測到的上述不良發光二極體;步驟(c),向去除上述不良發光二極體的上述基板的不良發生區域中的至少一部分提供新導電性焊料;步驟(d),在上述新導電性焊料上放置新發光二極體;步驟(e),對上述新導電性焊料進行加熱,來提高上述新發光二極體與上述基板的結合力;以及步驟(f),以附著有上述新發光二極體的上述基板為物件來檢查發光二極體不良與否。
並且,上述步驟(a)包括:步驟(a-1),檢測並固定上述基板;步驟(a-2),整列所固定的上述基板;步驟(a-3),測定完成整列的基板的步驟區域高度;步驟(a-4),參照所測定的基板的高度來在所設定的位置拍攝上述基板;以及步驟(a-5),通過分析所拍攝的影像來檢測不良發光二極體。
並且,上述步驟(b)包括:步驟(b-1),檢測並固定上述基板;步驟(b-2),整列所固定的上述基板;步驟(b-3),測定完成整列的基板的步驟區域高度;步驟(b-4),參照所測定的不良發光二極體的高度來在所 設定的位置對位於上述基板的上述不良發光二極體的導電性焊料進行加熱;以及步驟(b-5),從基板分離上述不良發光二極體。
並且,上述步驟(c)包括:步驟(c-1),檢測並固定上述基板;步驟(c-2),整列所固定的上述基板;步驟(c-3),測定完成整列的基板的步驟區域高度;以及步驟(c-4),參照所測定的基板的高度來在所設定的位置向上述基板的不良發生區域中的至少一部分提供新導電性焊料。
並且,上述步驟(d)包括:步驟(d-1),檢測並固定上述基板;步驟(d-2),整列所固定的上述基板;步驟(d-3),測定完成整列的基板的步驟區域高度;以及步驟(d-4),參照所測定的新導電性焊料的高度在上述新導電性焊料上放置新發光二極體。
並且,上述步驟(e)包括:步驟(e-1),檢測並固定上述基板;步驟(e-2),整列所固定的上述基板;步驟(e-3),測定完成整列的基板的步驟區域高度;以及步驟(e-4),參照所測定的新發光二極體的高度來在所設定的位置對上述基板的新導電性焊料進行加熱。
並且,上述步驟(f)包括:步驟(f-1),檢測並固定上述基板;步驟(f-2),整列所固定的上述基板;步驟(f-3),測定完成整列的基板的步驟區域高度;步驟(f-4),參照所測定的基板的高度來在所設定的位置拍攝上述基板;以及步驟(f-5),通過分析所拍攝的影像來檢測不良發光二極體。
根據如上所述的本發明,能夠提供可使以往通過手工作業進行的發光二極體修復步驟有效地自動化並提高發光二極體基板的量產性及品質穩定性的發光二極體基板修復裝置及方法。
1:基板修復裝置
10、20、30:外殼
100:第一檢查部
101:第一本體部
102:第二本體部
103:第一移動部
104:第二移動部
105:第一連接部
106:第二連接部
107:第三移動部
108:第四移動部
110:第一工作台
121、122:第一基板支撐部
123:基板感測器
125:吸附孔
130:第一圖像感測器
140:第一高度測定感測器
150:第一攝影機
200:發光二極體去除部
202:第二本體部
204:第二移動部
206:第二連接部
208:第四移動部
210:第二工作台
221、222:第二基板支撐部
230:第二圖像感測器
240:第二高度測定感測器
250:第一加熱部
260:去除模組
300:焊料供給部
302:第二本體部
304:第二移動部
306:第二連接部
308:第四移動部
310:第三工作台
321、322:第三基板支撐部
330:第三圖像感測器
340:第三高度測定感測器
350:焊料提供部
400:發光二極體供給部
402:第二本體部
404:第二移動部
406:第二連接部
408:第四移動部
410:第四工作台
421、422:第四基板支撐部
430:第四圖像感測器
440:第四高度測定感測器
450:新發光二極體提供部
460:發光二極體放置部
500:發光二極體結合部
502:第二本體部
504:第二移動部
506:第二連接部
508:第四移動部
510:第五工作台
521、522:第五基板支撐部
530:第五圖像感測器
540:第五高度測定感測器
550:第二加熱部
50:基板
51:發光二極體
52:導電性焊料
54:不良發光二極體
56:殘餘導電性焊料
57:新導電性焊料
60:新發光二極體
600:第二檢查部
610:第六工作台
621、622:第六基板支撐部
630:第六圖像感測器
640:第六高度測定感測器
650:第二攝影機
710、720:移送機器人
730:移送軌道
810:裝載部
820:卸載部
圖1a為示出本發明一實施例的發光二極體基板修復裝置的圖,圖1b為示出圖1中示出的發光二極體基板修復裝置的內部結構的圖,圖1c為示出作為檢查對象的進行步驟之前的發光二極體基板的圖。
圖2a為詳細示出本發明一實施例的第一檢查部的圖,圖2b為為了說明第一檢查部的步驟而示出基板的圖,圖2c為示出本發明一實施例的基板支撐部的圖。
圖3a為示出本發明一實施例的發光二極體去除部的圖,圖3b至圖3d為用於說明發光二極體去除部的步驟的圖。
圖4a為示出本發明一實施例的焊料供給部的圖,圖4b為用於說明焊料供給部的步驟的圖。
圖5a為示出本發明一實施例的發光二極體供給部的圖,圖5b及圖5c為用於說明發光二極體供給部的步驟的圖。
圖6a為示出本發明一實施例的發光二極體結合部的圖,圖6b為用於說明發光二極體結合部的步驟的圖。
圖7為示出本發明一實施例的第二檢查部的圖。
圖8為示出本發明一實施例的發光二極體基板的修復方法的流程圖。
圖9為示出本發明一實施例的第一檢查步驟的流程圖。
圖10為示出本發明一實施例的發光二極體去除步驟的流程圖。
圖11為示出本發明一實施例的焊料供給步驟的流程圖。
圖12為示出本發明一實施例的發光二極體供給步驟的流程圖。
圖13為示出本發明一實施例的發光二極體結合步驟的流程圖。
圖14為示出本發明一實施例的第二檢查步驟的流程圖。
以下,在附圖例示與本發明相關的實施例,並詳細說明實施例。但是,本發明並不限定於以下所揭示的實施例,能夠以互不相同的各種形態實現,包括所有本發明的思想及技術範圍內的所有變更、等同技術方案或代替技術方案。
在說明本發明的結構要素的過程中,可使用第一、第二、A、B、(a)、(b)等的術語。這種術語僅用於將一結構要素區別於另一結構要素,相應結構要素的本質、次序或順序等並不限定於上述術語。並且,在本說明書中,當提出一結構要素與另一結構要素“相連接”、“相結合”或“相聯接”時,一結構要素可與另一結構要素直接連接或直接聯接,但在各個結構要速之間還可“連接”、“結合”或“聯接”有其他結構要素。在“連接”、“結合”或“聯接”的情況下,不僅包括物理“連接”、“結合”或“聯接”的情況,還包括根據需要通過電“連接”、“結合”或“聯接”的情況。
在本說明書記載的“~部(~單元)”、“~器”、“~子”、“~模組”等的術語意味著處理至少一個功能或動作的單位,這可通過硬體或軟體或硬體及軟體內的結合實現。並且,除非具有特別相反的記載,則在本說明書記載的“包括”、“構成”或“具有”等的術語內涵相應結構要素,因此,應解釋為還包括其他結構要素,而不是排除其他結構要素。
並且,需要明確的是,對於本說明書的結構部按照各個結構部所負責的主要功能區分。即,以下所要說明的兩個以上的結構部合併為一個結構部或者一個結構部以更加細分化的功能分為兩個以上的結構部。並且,以下所要說明的結構部除自身所負責的主要功能之外,分別還可執行其他結構部所負責的功能中的一部分或全部功能,各個結構部分別負責的主要功能中的一部功能可被其他結構部負責來執行。
以下,參照與本發明的實施例相關的附圖來說明本發明實施例的發光二極體基板修復裝置及方法。
圖1a為示出本發明一實施例的發光二極體基板修復裝置的圖,圖1b為示出圖1中示出的發光二極體基板修復裝置的內部結構的圖,圖1c為作為檢查物件的進行步驟之前的發光二極體基板的圖。
參照圖1a及圖1b,本發明一實施例的發光二極體基板修復裝置1可包括第一檢查部100、發光二極體去除部200、焊料供給部300、發光二極體供給部400、發光二極體結合部500、第二檢查部600以及移送機器人710、720,還可包括裝載部810和卸載部820。
如圖1a所示,第一檢查部100、發光二極體去除部200、焊料供給部300、發光二極體供給部400、發光二極體結合部500、第二檢查部600及移送機器人710、720可設置於額外的設備外殼10內。並且,在相應設備外殼10還可設置用於排氣的管道等。
裝載部810和卸載部820也可具有額外的外殼20、30,在圖1b中,為了說明的便利,省略了外殼10、20、30的圖示。
第一檢查部100用於檢測配置於基板50上的多個發光二極體51中的不良發光二極體。
發光二極體去除部200接收通過第一檢查部100檢測到不良發光二極體的基板50,可從基板50去除相應不良發光二極體。並且,發光二極體去除部200還可根據需求去除殘留於去除不良發光二極體的基板50的不良發生區域的導電性焊料。
焊料供給部300接收通過發光二極體去除部200去除不良發光二極體的基板50,並可向基板50的不良發生區域中的至少一部分提供新導電性焊料。
發光二極體供給部400接收通過焊料供給部300接收新導電性焊料的基板50,並可在上述新導電性焊料上放置新發光二極體。
發光二極體結合部500接收通過發光二極體供給部400放置新發光二極體的基板50,並可對上述新導電性焊料進行加熱來提高上述新發光二極體與基板50的結合力。
第二檢查部600接收通過發光二極體結合部500完成接合步驟的基板50,能夠以附著有新發光二極體的基板50為物件來檢查發光二極體不良與否。
這種第一檢查部100、發光二極體去除部200、焊料供給部300、發光二極體供給部400、發光二極體結合部500及第二檢查部600可根據步驟順序沿著第一方向(例如,X軸方向)依次配置。如圖所示,這種步驟單元使第一檢查部100、發光二極體去除部200、焊料供給部300、發光二極體供給部400、發光二極體結合部500、第二檢查部600能夠以直線依次配置,還能夠以圓形依次配置。
移送機器人710、720向各個步驟位置移送需要檢查及修復的基板50。
例如,移送機器人710、720可向第一檢查部100、發光二極體去除部200、焊料供給部300、發光二極體供給部400、發光二極體結合部500及第二檢查部600依次移送基板50。
並且,移送機器人710、720從裝載部810接收基板50並向執行最初步驟的第一檢查部100移送,通過第二檢查部600完成最終步驟後,可向卸載部820移送相應基板50。
移送機器人710、720可沿著移送軌道730移動或固定,上述移送軌道730沿著第一方向設置,由此,可向以第一方向或圓形配置的各個第一檢 查部100、發光二極體去除部200、焊料供給部300、發光二極體供給部400、發光二極體結合部500、第二檢查部600移送基板50。
並且,可設置一個或多個移送機器人710、720。在圖1b中,示出設置兩個移送機器人710、720的情況,但並不限定於此,移送機器人710、720的數量可根據處理量或步驟時間改變。
在設置多個移送機器人710、720的情況下,可區分各個移送機器人710、720的負責步驟。例如,第一移送機器人710可負責向一部分步驟單元(例如,第一檢查部100、發光二極體去除部200、焊料供給部300)移送基板,第二移送機器人720可向另一部分(或剩餘)步驟單元(例如,發光二極體供給部400、發光二極體結合部500、第二檢查部600)移送基板。
並且,移送機器人710、720能夠以移動基板50的各種結構設計。例如,移送機器人710、720可具有能夠把持或夾住(Clip)基板50的機械結構或能夠固定基板50的真空式、吸附式、靜電式等的結構。
另一方面,根據檢查及修復步驟的處理量或步驟時間,可使第一檢查部100、發光二極體去除部200、焊料供給部300、發光二極體供給部400、發光二極體結合部500、第二檢查部600、裝載部810及卸載部820中的特定步驟單元或整個發光二極體修復裝置1以並聯或串聯的方式設置多個,從而可提高生產率。
例如,在放置新發光二極體的發光二極體供給部400的步驟時間過於長情況下,能夠以串聯或並聯的方式設置多個發光二極體供給部400。在此情況下,移送機器人710、720能夠以多個發光二極體供給部400為物件交替移送從焊料供給部300接收的基板50。
裝載部810為供給通過第一檢查部100進行檢查步驟的基板50的裝置,如一例,如圖1b所示,能夠以印刷電路板運輸架(PCB Carrier)(輸送 盒(Cassette))方式構成。在此情況下,裝載部810可由用於檢測有無運輸架(Carrier)的運輸架傳感部、用於確認層疊於運輸架內部的基板的映射(Mapping)傳感部、用於整列運輸架的整列部構成。
並且,裝載部810還能夠以利用傳送帶的直列(In-Line)物流方式(參照圖1b的箭頭)實現,在此情況下,可由用於確認有無基板的基板傳感部以及用於整列基板的整列部構成。
若裝載部810完成包括確認有無基板及整列基板在內的用於供給基板的準備過程,則通過移送機器人710、720向各個第一檢查部100、發光二極體去除部200、焊料供給部300、發光二極體供給部400、發光二極體結合部500、第二檢查部600依次移動基板50。
參照圖1c,在基板50上配置多個發光二極體51,上述多個發光二極體51可通過導電性焊料52附著於基板50上。其中,如圖1c所示,導電性焊料52可在基板50上形成一個層(layer),但並不限定於此,即,導電性焊料52還可與各個發光二極體51相對應地分割形成。
導電性焊料52可由具有導電性的各種焊料實現,例如,可將各向異性導電膜(ACF,Anisotropically Conductive Film)、各向異性導電膠(ACA,Anisotropically Conductive Adhesive)、焊錫、糊劑(paste)、樹脂(resin)等用作導電性焊料52。
圖2a為詳細示出本發明一實施例的第一檢查部的圖,圖2b為為了說明第一檢查部的步驟而示出基板的圖,圖2c為示出本發明一實施例的基板支撐部的圖。
參照圖2a及圖2b,第一檢查部100可包括第一工作台110、第一基板支撐部121、122、第一圖像感測器130、第一高度測定感測器140、第一攝 影機150,由此,可檢測存在於基板50上的多個發光二極體51中的不良發光二極體54。
第一工作台110能夠以沿著第一方向(例如,X軸方向)及第二方向(例如,Y軸方向)移動的方式設置於第一本體部101,並且,能夠以維持水準狀態的狀態旋轉的方式設置於第一本體部101。
一對第一基板支撐部121、122可形成於第一工作台110上,能夠以分別放置並固定基板50的兩個末端的方式隔開規定距離來設置。
在此情況下,第一基板支撐部121、122可具有根據基板50的大小而改變第一基板支撐部121、122之間的間隔D的結構,來放置各種大小的基板50。
例如,可通過使第一基板支撐部121、122中的至少一個移動來改變上述間隔D。
並且,如圖2c所示,在第一基板支撐部121、122的各個上端部還可設置用於檢測基板50的放置與否的基板感測器123及用於吸附固定所放置的基板50的吸附孔125。
即,第一檢查部100可通過基板感測器123檢測基板50是否位於第一基板支撐部121、122上,在檢測到基板50的情況下,可通過吸附孔125吸入空氣來吸附固定基板50。
如圖2c,在基板感測器123的情況下,可分別設置於一對第一基板支撐部121、122,或僅設置於第一基板支撐部121、122中的一個。
並且,基板感測器123能夠以各種方式實現,可使用機械方式、光學方式、聲波方式、電磁方式等,可使用常規非接觸式感測器或接觸式感測器等。
為固定基板50的兩端,優選在各個第一基板支撐部121、122形成吸附孔125,可根據基板50的大小,在各個第一基板支撐部121、122形成多個吸附孔125。
並且,為通過吸附孔125進行空氣吸入,可在第一檢查部100額外設置空氣泵或真空泵。
第一圖像感測器130可用於整列位於第一基板支撐部121、122的基板50。
即,第一圖像感測器130向基板50上移動來拍攝與基板50有關的圖像,來獲取基板50的基準點。之後,第一工作台110以使所獲取的基板50的基準點位於指定座標的方式移動來整列基板50。
並且,第一圖像感測器130可設置於第二本體部102,來沿著第一方向(例如,X軸方向)及協力廠商向(例如,Z軸方向)移動。例如,在第二本體部102設置可沿著第一方向移動的第一移動部103,第一移動部103可與第一連接部105相結合。並且,在第一連接部105可設置能夠沿著協力廠商向移動的第三移動部107,在上述第三移動部107可設置第一圖像感測器130。並且,第一圖像感測器130能夠以還沿著協力廠商向移動的形態設置於第三移動部107。但是,用於移動第一圖像感測器130的設計方式並不限定於此,可具有其他方式。
如一例,第一圖像感測器130可使用電荷耦合圖像感測器(Charge Coupled Device Image Sensor)。
第一高度測定感測器140可用於測定基板50的高度。可通過檢測當前基板50的高度來控制如第一圖像感測器130和第一攝影機150等的結構要素的移動量。在通過第一圖像感測器130和第一攝影機150拍攝的情況下,相應單元與基板50的垂直距離很重要。即,需準確地控制第一圖像感測器130與基板 50的垂直距離及第一攝影機150與基板50的垂直距離才能以不超出第一圖像感測器130和第一攝影機150的焦點範圍內拍攝相應基板50。
並且,第一高度測定感測器140能夠以沿著第一方向(例如,X軸方向)及協力廠商向(例如,Z軸方向)移動的方式設置於第二本體部102,來使上述第一高度測定感測器140向基板50上移動來測定基板50的高度。在此情況下,第一高度測定感測器140的設置方式可與第一圖像感測器130相同,第一高度測定感測器140也能夠以還沿著協力廠商向移動的形態設置於第三移動部107。
第一高度測定感測器140能夠以測定距離的各種方式實現,例如,可使用如紅外線等的光學方式、超聲波方式等,可使用常規的距離測定感測器或高度測定感測器等。
為檢測不良發光二極體54,第一攝影機150可放置於第一基板支撐部121、122來拍攝通過第一高度測定感測器140完成高度測定的基板50。
例如,第一攝影機150能夠以位於與通過第一高度測定感測器140測定的基板50的高度隔開預設基準距離的位置的狀態拍攝基板50。
之後,第一檢查部100通過分析被第一攝影機150拍攝的影像來檢測不良發光二極體54,為後續步驟,可向其他步驟單元(例如,發光二極體去除部200、焊料供給部300、發光二極體供給部400、發光二極體結合部500、第二檢查部600)傳輸不良發光二極體54的位置資訊(例如,座標資訊)。
並且,除不良發光二極體54的位置資訊之外,第一檢查部100還可生成如不良發光二極體54的亮度的各種不良相關資訊。
第一攝影機150以能夠沿著第一方向(例如,X軸方向)及協力廠商向(例如,Z軸方向)移動的方式設置於第二本體部102,使得上述第一攝影機150向基板50上移動來拍攝基板50。
例如,在第二本體部102設置可沿著第一方向移動的第二移動部104,第二移動部104可與第二連接部106相結合。並且,在第二連接部106可設置能夠沿著協力廠商向移動的第四移動部108,在上述第四移動部108可設置第一攝影機150。並且,第一攝影機150能夠以還沿著協力廠商向移動的形態設置於第四移動部108。但是,用於移動第一攝影機150的設計方式並不限定於此,可具有其他方式。
雖未額外圖示,但第一檢查部100可設置有用於整體控制各個結構要素的控制部。並且,上述控制部通過分析第一攝影機150的影像來將具有異常亮度的發光二極體檢測為不良發光二極體54,並可形其他步驟單元的控制部提供相應不良發光二極體54的座標。例如,異常亮度可定義為低於特定基準亮度的亮度,還包括發光二極體不發光來表示暗點的情況。
另一方面,為檢查發光二極體51的點燈,發光二極體51需發光,因此,在第一檢查部100可設置有用於向發光二極體51供電的額外的供電部(未圖示)。並且,第一檢查部100可由設置有用於檢查外觀及視覺的普通照明的環境或暗室環境構成,可形成有額外的基板投入口。
在通過第一檢查部100完成不良發光二極體54的檢測步驟的情況下,移送機器人710、720可向發光二極體去除部200的第二基板支撐部221、222移送位於第一基板支撐部121、122的基板50。在相應基板50中未檢測到不良發光二極體54的情況下,為再次檢查,移送機器人710、720可向第二檢查部600移送基板50,或不進行再次檢查並向卸載部820排出基板50。
圖3a為示出本發明一實施例的發光二極體去除部的圖,圖3b至圖3d為用於說明發光二極體去除部的步驟的圖。
參照圖3a至圖3d,發光二極體去除部200可包括第二工作台210、第二基板支撐部221、222、第二圖像感測器230、第二高度測定感測器 240、第一加熱部250以及去除模組260,由此,從基板50去除通過第一檢查部100檢測到的不良發光二極體54,在需要的情況下,還可去除殘留於去除不良發光二極體54的基板50的不良發生區域DA的殘餘導電性焊料56。
第二工作台210、第二基板支撐部221、222、第二圖像感測器230、及第二高度測定感測器240的結構與之前說明的第一檢查部100的第一工作台110、第一基板支撐部121、122、第一圖像感測器130及第一高度測定感測器140的結構相同,因此,將省略對此的說明。
參照圖3b,第一加熱部250放置於第二基板支撐部221、222來對位於完成整列的基板50的不良發光二極體54的導電性焊料52,來弱化不良發光二極體54的導電性焊料52的結合力。
即,通過第一加熱部250解除位於不良發生區域DA的導電性焊料52的固化,來處於回流(reflow)狀態,由此,之後可通過去除模組260去除不良發光二極體54。
如一例,第一加熱部250可由擁有鐳射光源的鐳射裝置實現,在此情況下,第一加熱部250可向不良發光二極體54的上側移動來向不良發生區域DA照射鐳射。並且,除鐳射裝置之外,第一加熱部250還可由對不良發光二極體54的導電性焊料52進行加熱步驟的其他裝置實現。例如,第一加熱部250可由能夠釋放熱風的裝置或加熱至預設溫度的加熱棒等實現。
在此情況下,第一加熱部250可利用從第一檢查部100接收的不良發光二極體54的位置資訊來掌握不良發光二極體54的位置,由此,可向不良發光二極體54的上側移動來對相應不良發生區域DA進行加熱。並且,在借助第一加熱部250的加熱步驟中,第一加熱部250與不良發光二極體54之間的垂直距離很重要。需準確地控制第一加熱部250與不良發光二極體54之間的垂直距離,才能防止不良發光二極體54之外的其他發光二極體51受損。
為此,第二高度測定感測器240可測定不良發光二極體54的高度,第一加熱部250能夠以位於與通過第二高度測定感測器240測定的不良發光二極體54的高度隔開預設基準距離的位置的狀態進行加熱。
第一加熱部250可沿著第一方向(例如,X軸方向)及協力廠商向(例如,Z軸方向)移動來設置於第二本體部202,使得上述第一加熱部250向基板50上移動來對不良發生區域DA進行加熱。
例如,在第二本體部202設置可沿著第一方向移動的第二移動部204,第二移動部204可與第二連接部206相結合。並且,在第二連接部206可設置能夠沿著協力廠商向移動的第四移動部208,在上述第四移動部208可設置第一加熱部250。並且,第一加熱部250能夠以還沿著協力廠商向移動的形態設置於第四移動部208。但是,用於移動第一加熱部250設計方式並不限定於此,可具有其他方式。
參照圖3c,去除模組260對不良發生區域DA進行加熱之後,可從基板50分離相應的不良發光二極體54。
即,位於不良發生區域DA的導電性焊料52通過加熱步驟處於固化解除的狀態,去除模組260可輕鬆去除不良發光二極體54。
去除模組260能夠以從基板50分離不良發光二極體54的各種結構設計,例如,可使用夾具(Gripper)、真空式、吸附式、粘結式、利用靜電或電磁的附著方式等。
若分離不良發光二極體54,則在相應不良發生區域DA可殘留一部分殘餘導電性焊料56。由此,如圖3d所示,去除模組260還可去除殘留於不良發生區域DA的殘餘導電性焊料56。
在此情況下,去除模組260可利用從第一檢查部100接收的不良發光二極體54的位置資訊來掌握不良發光二極體54的位置,由此,可向不良發光二極體54的上側移動。
並且,去除模組260可參照通過第二高度測定感測器240測定的不良發光二極體54的高度沿著協力廠商向下降來把持或附著不良發光二極體54,並再次上升,從而可從基板50去除不良發光二極體54。
殘餘導電性焊料56的去除動作也與此相似,去除模組260可利用從第一檢查部100接收的不良發光二極體54的位置資訊來向不良發生區域DA上移動。
並且,去除模組260可參照通過第二高度測定感測器240測定的殘餘導電性焊料56的高度沿著協力廠商向下降來去除殘餘導電性焊料56。
去除模組260能夠以沿著第一方向(例如,X軸方向)及協力廠商向(例如,Z軸方向)移動的方式設置於第二本體部202,使得去除模組260向基板50上移動來去除不良發光二極體54及殘餘導電性焊料56。如一例,可與第一加熱部250相似方式的結構設計,但並不限定於此,可具有其他方式。
在完成借助發光二極體去除部200的步驟後,可通過第二圖像感測器230檢查步驟,在檢查結果沒有問題的情況下,移送機器人710、720可向焊料供給部300的第三基板支撐部321、322移送位於第二基板支撐部221、222的基板50。
圖4a為示出本發明一實施例的焊料供給部的圖,圖4b為用於說明焊料供給部的步驟的圖。
參照圖4a及圖4b,焊料供給部300可包括第三工作台310、第三基板支撐部321、322、第三圖像感測器330、第三高度測定感測器340以及焊料 提供部350,由此,可向不良發生區域DA中的至少一部分提供新導電性焊料57。
第三工作台310、第三基板支撐部321、322、第三圖像感測器330及第三高度測定感測器340的結構與之前說明的第一檢查部100的第一工作台110、第一基板支撐部121、122、第一圖像感測器130及第一高度測定感測器140的結構相同,因此,將省略對此的說明。
參照圖4b,焊料提供部350放置於第三基板支撐部321、322來使新導電性焊料57位於完成整列的基板50的不良發生區域DA中的至少一部分。
在此情況下,焊料提供部350可利用從第一檢查部100接收的不良發光二極體54的位置資訊來掌握不良發生區域DA的位置,由此,可向不良發生區域DA的上側移動。並且,在借助焊料提供部350的新焊料提供步驟中,焊料提供部350與基板50的垂直距離很重要。需控制焊料提供部350與基板50的垂直距離才能使新導電性焊料57準確地位於所需的位置。
為此,第三高度測定感測器340可測定基板50的高度,焊料提供部350能夠以位於與通過第三高度測定感測器340測定的基板50的高度隔開預設基準距離的位置的狀態向相應不良發生區域DA提供新導電性焊料57。
焊料提供部350以能夠沿著第一方向(例如,X軸方向)及協力廠商向(例如,Z軸方向)移動的方式設置於第二本體部302,使得上述焊料提供部350向基板50上移動來向不良發生區域DA提供新導電性焊料57。
例如,在第二本體部302設置可沿著第一方向移動的第二移動部304,第二移動部304可與第二連接部306相結合。並且,在第二連接部306可設置能夠沿著協力廠商向移動的第四移動部308,在上述第四移動部308可設置焊料提供部350。並且,焊料提供部350能夠以還沿著協力廠商向移動的形態設置 於第四移動部308。但是,用於移動焊料提供部350的設計方式並不限定於此,可具有其他方式。
並且,焊料提供部350可根據焊料的種類以供給新導電性焊料57的定量分配器(dispenser)或滴落(Pick&Drop)方式的焊料供給頭實現。
如導電性焊料52,新導電性焊料57可由各種焊料實現,例如,可將各向異性導電膜、各向異性導電膠、焊錫、糊劑、樹脂等用作新導電性焊料57。
在完成借助焊料供給部300的步驟後,可通過第三圖像感測器330檢查步驟,在檢查結果沒有問題的情況下,移送機器人710、720可向發光二極體供給部400的第四基板支撐部421、422移動位於第三基板支撐部321、322的基板50。
圖5a為示出本發明一實施例的發光二極體供給部的圖,圖5b及圖5c為用於說明發光二極體供給部的步驟的圖。
參照圖5a至圖5c,發光二極體供給部400包括第四工作台410、第四基板支撐部421、422、第四圖像感測器430、第四高度測定感測器440、新發光二極體提供部450及發光二極體放置部460,由此,可在新導電性焊料57上放置新發光二極體60。
第四工作台410、第四基板支撐部421、422、第四圖像感測器430及第四高度測定感測器440的結構與之前說明的第一檢查部100的第一工作台110、第一基板支撐部121、122、第一圖像感測器130及第一高度測定感測器140的結構相同,因此,將省略對此的說明。
新發光二極體提供部450可擁有多個新發光二極體60,如一例,可固定設置於第二本體部402或單獨設置。
在此情況下,新發光二極體60可配置于新發光二極體提供部450上,新發光二極體60可手動或自動地向新發光二極體提供部450供給。
參照圖5b,發光二極體放置部460可向新發光二極體提供部450移動來獲取新發光二極體60。
並且,參照圖5c,發光二極體放置部460可放置於第四基板支撐部421、422來在完成整列的基板50的不良發生區域DA上放置新發光二極體60。
在此情況下,發光二極體放置部460可利用從第一檢查部100接收的不良發光二極體54的位置資訊來掌握不良發生區域DA的位置,由此,可向不良發生區域DA的上側移動。
並且,發光二極體放置部460可參照通過第四高度測定感測器440測定的新導電性焊料57的高度沿著協力廠商向下降來在新導電性焊料57上放置新發光二極體60。
發光二極體放置部460以能夠沿著第一方向(例如,X軸方向)及協力廠商向(例如,Z軸方向)移動的方式設置於第二本體部402,來向新發光二極體提供部450移動從而獲取新發光二極體60,並向基板50上移動來向不良發生區域DA提供新發光二極體60。
例如,在第二本體部402設置可沿著第一方向移動的第二移動部404,第二移動部404可與第二連接部406相結合。並且,在第二連接部406可設置能夠沿著協力廠商向移動的第四移動部408,在上述第四移動部408可設置發光二極體放置部460。並且,發光二極體放置部460能夠以海燕這協力廠商向移動的形態設置於第四移動部408。但是,用於移動發光二極體放置部460的設計方式並不限定於此,可具有其他方式。
發光二極體放置部460以能夠與新發光二極體60相結合來移動上述新發光二極體60的各種結構設計,例如,可使用真空式、吸附式、粘結式、利用靜電或電磁的附著方式等。
在此情況下,在發光二極體放置部460中,當放置新發光二極體60時,可僅執行簡單的放置步驟,且不執行額外的加壓步驟。
另一方面,在上述內容中,對發光二極體放置部460以向新導電性焊料57上移動之後通過時發光二極體放置部460下降的方式提供新發光二極體60的方式進行了說明,在另一實施例中,發光二極體放置部460還可在向新導電性焊料57上移動之後通過使第四工作台410上升的方式提供新發光二極體60。
在完成借助發光二極體供給部400的步驟後,可通過第四圖像感測器430檢查步驟,在檢查結果沒有問題的情況下,移送機器人710、720可向發光二極體結合部500的第五基板支撐部521、522移動位於第四基板支撐部421、422的基板50。
圖6a為示出本發明一實施例的發光二極體結合部的圖,圖6b為用於說明發光二極體結合部的步驟的圖。
參照圖6a及圖6b,發光二極體結合部500可包括第五工作台510、第五基板支撐部521、522、第五圖像感測器530、第五高度測定感測器540、第二加熱部550,由此,對新導電性焊料57進行加熱,來提高新發光二極體60與基板50的結合力。
第五工作台510、第五基板支撐部521、522、第五圖像感測器530、第五高度測定感測器540的結構與之前說明的第一檢查部100的第一工作台110、第一基板支撐部121、122、第一圖像感測器130及第一高度測定感測器140的結構相同,因此,將省略對此的說明。
第二加熱部550可放置於第五基板支撐部521、522來對完成整列的基板50的新導電性焊料57進行加熱。由此,解除位於不良發生區域DA的新導電性焊料57的固化,來處於回流狀態,之後,新導電性焊料57再次固化來使新發光二極體60與基板50堅固地結合。
在此情況下,不伴隨額外的加壓步驟,即使不進行額外的加壓步驟,通過新發光二極體60的自重,新發光二極體60與新導電性焊料57能夠以所需的強度相互附著。
如一例,第二加熱部550可由擁有鐳射光源的鐳射裝置實現,在此情況下,第二加熱部550可向新導電性焊料57的上側移動來向不良發生區域DA照射鐳射。並且,除鐳射裝置之外,第二加熱部550還可由對新導電性焊料57進行加熱步驟的其他裝置實現。例如,第二加熱部550可由能夠釋放熱風的裝置或加熱至預設溫度的加熱棒等實現。
在此情況下,第二加熱部550可利用從第一檢查部100接收的不良發光二極體54的位置資訊來掌握新發光二極體60或新導電性焊料57的位置,由此,可向不良發生區域DA的上側移動來對相應不良發生區域DA進行加熱。並且,在借助第二加熱部550的加熱步驟中,第二加熱部550與基板50之間的垂直距離很重要。需準確地控制第二加熱部550與基板50之間的垂直距離,才能防止新導電性焊料57之外的其他導電性焊料52的受損。
為此,第五高度測定感測器540可測定新發光二極體60的高度,第二加熱部550能夠以位於與通過第五高度測定感測器540測定的新發光二極體60的高度隔開預設基準距離的位置的狀態進行加熱。
第二加熱部550以能夠沿著第一方向(例如,X軸方向)及協力廠商向(例如,Z軸方向)移動的方式設置於第二本體部502,來向基板50上移動來向不良發生區域DA照射鐳射。
例如,在第二本體部502可設置能夠沿著第一方向移動的第二移動部504,第二移動部504可與第二連接部506相結合。並且,在第二連接部506可設置能夠沿著協力廠商向移動的第四移動部508,在上述第四移動部508可設置第二加熱部550。並且,第二加熱部550能夠以還沿著協力廠商向移動的形態設置於第四移動部508。但是,用於移動第二加熱部550的設計方式並不限定於此,可具有其他方式。
在完成借助發光二極體結合部500的步驟後,可通過第二圖像感測器230檢查步驟,在檢查結果沒有問題的情況下,移送機器人710、720可向第二檢查部600的第六基板支撐部621、622移送位於第五基板支撐部521、522的基板50。
圖7為示出本發明一實施例的第二檢查部600的圖。
參照圖7,第二檢查部600可包括第六工作台610、第六基板支撐部621、622、第六圖像感測器630、第六高度測定感測器640、第二攝影機650,由此,能夠以附著有新發光二極體60的基板50為物件最終檢查發光二極體不良與否。
第六工作台610、第六基板支撐部621、622、第六圖像感測器630、第六高度測定感測器640、第二攝影機650的結構與之前說明的第一檢查部100的第一工作台110、第一基板支撐部121、122、第一圖像感測器130、第一高度測定感測器140、第一攝影機150的結構相同,因此,將省略對此的說明。
並且,第二檢查部600也可通過相同方式檢測存在於基板50上的不良發光二極體,在通過第二檢查部600未檢測到額外的不良發光二極體的情況下,移送機器人710、720可向卸載部820移送相應基板50。
在通過第二檢查部600檢測到基板50上的其他不良發光二極體的情況下,移送機器人710、720將相應基板50再次向發光二極體去除部200或前後相關步驟移送,來再次進行修復步驟。並且,為了後續修復步驟,第二檢查部600可向其他步驟單元(例如,發光二極體去除部200,焊料供給部300,發光二極體供給部400,發光二極體結合部500)傳輸檢測到的不良發光二極體的位置資訊(例如,座標資訊)。並且,除不良發光二極體54的位置資訊之外,第二檢查部600可生成如不良發光二極體54的亮度的各種不良相關資訊。
圖8為示出本發明一實施例的發光二極體基板的修復方法的流程圖,圖9為示出本發明一實施例的第一檢查步驟的流程圖,圖10為示出本發明一實施例的發光二極體去除步驟的流程圖。並且,圖11為示出本發明一實施例的焊料供給步驟的流程圖,圖12為示出本發明一實施例的發光二極體供給步驟的流程圖,圖13為示出本發明一實施例的發光二極體結合步驟的流程圖,圖14為示出本發明一實施例的第二檢查步驟的流程圖。
參照圖8和之前說明的圖1至圖7來說明本發明一實施例的發光二極體基板的修復方法。
本發明一實施例的發光二極體基板的修復方法可包括第一檢查步驟S100、發光二極體去除步驟S200、焊料供給步驟S300、發光二極體供給步驟S400、發光二極體結合步驟S500以及第二檢查步驟S600。
在第一檢查步驟S100中,可檢測配置於基板50上的多個發光二極體51中的不良發光二極體54。
具體地,第一檢查步驟S100可包括檢測並固定基板的步驟S110、基板整列步驟S120、高度測定步驟S130、基板拍攝步驟S140以及不良發光二極體檢測步驟S150。
在檢測並固定基板的步驟S110中,檢測為了執行第一檢查步驟而投入的基板50,在檢測到相應基板50的情況下,可吸附固定相應基板50。
在基板整列步驟S120中,拍攝與所固定的基板50有關的圖像並獲取基板50的基準點,利用此以使基板50的基準點位於指定座標的方式整列相應基板50。
在高度測定步驟S130中,可測定完成整列的基板50的步驟區域高度。如一例,可測定完成整列的基板50的高度。
在基板拍攝步驟S140中,可參照測定的步驟區域的高度來在所設定的位置拍攝基板50。
在不良發光二極體檢測步驟S150中,通過分析所拍攝的影像來將具有異常亮度的發光二極體檢測為不良發光二極體54。
在發光二極體去除步驟S200中,從基板50去除在第一檢查步驟S100中檢測到的不良發光二極體54,根據需求,還可去除殘留於去除不良發光二極體54的基板50的不良發生區域DA的殘餘導電性焊料56。
具體地,發光二極體去除步驟S200可包括檢測並固定基板的步驟S210、基板整列步驟S220、高度測定步驟S230、加熱步驟S240以及不良發光二極體去除步驟S250。
在檢測並固定基板的步驟S210,檢測為了執行不良發光二極體去除步驟而投入的基板50,在檢測到相應基板50的情況下,可吸附固定相應基板50。
在基板整列步驟S220中,拍攝與所固定的基板50有關的圖像並獲取基板50的基準點,利用此以使基板50的基準點位於指定座標的方式整列相應基板50。
在高度測定步驟S230中,可測定完成整列的基板50的步驟區域高度。如一例,可測定完成整列的基板50的不良發光二極體54的高度。即,排列於基板50的發光二極體51、54的高度具有偏差,因此,為了準確地進行加熱步驟,需準確地測定作為加熱對象的不良發光二極體54的高度。
在加熱步驟S240中,可參照測定的不良發光二極體54的高度來在所設定的位置對存在於上述基板50的不良發光二極體54的導電性焊料52進行加熱,來弱化不良發光二極體54的導電性焊料52的結合力。
在本步驟S230中,可通過如之前所說明的鐳射等的加熱單元進行加熱步驟。
在不良發光二極體去除步驟S250中,在對導電性焊料52進行加熱之後,可從基板50分離相應不良發光二極體54。並且,在本步驟S240中,還可去除殘留於不良發生區域DA的殘餘導電性焊料56。
在焊料供給步驟S300中,可向不良發生區域DA中的至少一部分提供新導電性焊料57。
具體地,焊料供給步驟S300可包括檢測並固定基板的步驟S310、基板整列步驟S320、高度測定步驟S330以及焊料提供步驟S430。
在檢測並固定基板的步驟S310中,檢測為了執行新導電性焊料提供步驟而投入的基板50,在檢測到相應基板50的情況下,可吸附固定相應基板50。
在基板整列步驟S320中,拍攝與所固定的基板50有關的圖像並獲取基板50的基準點,利用此以使基板50的基準點位於指定座標的方式整列相應基板50。
在高度測定步驟S330中,可測定完成整列的基板50的步驟區域高度。如一例,可測定完成整列的基板50的高度。
在焊料提供步驟S340中,可參照測定的基板50的高度來在所設定的位置向基板50的不良發生區域DA中的至少一部分提供新導電性焊料57。
在發光二極體供給步驟S400中,可在新導電性焊料57上放置新發光二極體60。
具體地,發光二極體供給步驟S400可包括檢測並固定基板的步驟S410、基板整列步驟S420、高度測定步驟S430以及發光二極體提供步驟S440。
在檢測並固定基板的步驟S410中,檢測為了執行新發光二極體提供步驟而投入的基板50,在檢測到相應基板50的情況下,可吸附固定相應基板50。
在基板整列步驟S420中,拍攝與所固定的基板50有關的圖像並獲取基板50的基準點,利用此以使基板50的基準點位於指定座標的方式整列相應基板50。
在高度測定步驟S430中,可測定完成整列的基板50的步驟區域高度。如一例,可測定位於完成整列的基板50的新導電性焊料57的高度。
在發光二極體提供步驟S440中,可參照測定的新發光二極體60的高度來在基板50的新導電性焊料57上放置新發光二極體60。
在發光二極體結合步驟S500中,可通過對新導電性焊料57進行加熱來提高新發光二極體60與基板50的結合力。
具體地,發光二極體結合步驟S500可包括檢測並固定基板的步驟S510、基板整列步驟S520、高度測定步驟S530以及鐳射照射步驟S540。
在檢測並固定基板的步驟S510中,檢測為了執行發光二極體結合步驟而投入的基板50,在檢測到相應基板50的情況下,可吸附固定相應基板50。
在基板整列步驟S520中,拍攝與所固定的基板50有關的圖像並獲取基板50的基準點,利用此以使基板50的基準點位於指定座標的方式整列相應基板50。
在高度測定步驟S530中,可測定完成整列的基板50的步驟區域高度。如一例,可測定完成整列的基板50的新發光二極體60的高度。
在鐳射照射步驟S540中,可按照測定的新發光二極體60的高度來在所設定的位置對基板50的新導電性焊料57進行加熱。
第二檢查步驟S600中,能夠以附著有新發光二極體60的基板50為物件最終檢查發光二極體不良與否。
具體地,第二檢查步驟S600可包括檢測並固定基板的步驟S610、基板整列步驟S620、高度測定步驟S630、基板拍攝步驟S640以及不良發光二極體檢測步驟S650。
可與之前說明的第一檢查步驟S100相同的步驟進行這種第二檢查步驟S600。
在在第二檢查步驟S600中再次檢測到不良發光二極體54的情況下,可再次進行之前的發光二極體去除步驟S200或前後相關步驟。
目前,在未普及超小型發光二極體顯示器裝置的狀況下,在現有發光二極體廣告板及燈具(Lamp)產業中,還未實現與修復(Repair)有關的重要性及必要性的需求,對於檢查及修復裝置的研發也微乎其微,因此,通過手工作業來進行修復。
但是,為了近幾年普及發光二極體顯示器,研發適合大量生產的發光二極體基板的修復自動化設備的必要性備受關注。
本發明的主要目的在於,研發如下的發光二極體修復裝置:用於本發明的發光二極體晶片的大小包括常用的發光二極體晶片,以最小為微米 大小的發光二極體晶片為物件,適用雷射技術來實現通過極速及局部加熱的不使基板及晶片受損的有效的修復技術。並且,準確且有效地執行不良發光二極體晶片修復步驟,並可擔保在發光二極體顯示器的普及部分中佔據重要部分的量產性、品質安全性、生產率。
本發明所屬技術領域的普通技術人員可在不變更本發明的技術思想或必要特徵的情況下以其他具體實施方式實施本發明。因此,以上所記述的實施例在所有方面僅屬於例示,並不限定本發明。本發明的範圍通過發明要求保護範圍來確定,而不是通過上述詳細說明來確定,應解釋為發明要求保護範圍的含義、範圍及從與之等同的概念匯出的所有變更或變形的實施方式均屬於本發明的範圍。
1基板修復裝置                                100第一檢查部 200發光二極體去除部                    300焊料供給部 400發光二極體供給部                    500發光二極體結合部 50基板                                             600第二檢查部 710、720移送機器人                      730移送軌道 810裝載部                                       820卸載部

Claims (11)

  1. 一種發光二極體基板修復裝置,其特徵在於, 包括: 第一檢查部,用於檢測配置於基板上的多個發光二極體中的不良發光二極體; 發光二極體去除部,從上述基板去除通過上述第一檢查部檢測到的不良發光二極體; 焊料供給部,向去除上述不良發光二極體的上述基板的不良發生區域中的至少一部分供給新導電性焊料; 發光二極體供給部,在上述新導電性焊料上放置新發光二極體; 發光二極體結合部,對上述新導電性焊料進行加熱,來提高上述新發光二極體與上述基板的結合力; 第二檢查部,以附著有上述新發光二極體的上述基板為物件來檢查發光二極體不良與否;以及 至少一個移送機器人,向上述第一檢查部、上述發光二極體去除部、上述焊料供給部、上述發光二極體供給部、上述發光二極體結合部及上述第二檢查部依次移送上述基板, 上述第一檢查部包括: 第一工作台; 一對第一基板支撐部,形成於上述第一工作台上,用於放置上述基板; 第一圖像感測器,用於整列位於上述第一基板支撐部的基板;以及 第一攝影機,用於拍攝放置於上述第一基板支撐部且完成整列的基板,來檢測不良發光二極體, 通過分析被上述第一攝影機拍攝的影像來檢測不良發光二極體,向上述發光二極體去除部、上述焊料供給部、上述發光二極體供給部、上述發光二極體結合部提供所檢測的不良發光二極體的位置資訊, 上述發光二極體去除部包括: 第二工作台; 一對第二基板支撐部,形成於上述第二工作台上,用於放置上述基板; 第二圖像感測器,用於整列位於上述第二基板支撐部的基板; 第一加熱部,對位於完成整列的基板的上述不良發光二極體的導電性焊料進行加熱,來弱化上述不良發光二極體的導電性焊料的結合力;以及 去除模組,從上述基板分離上述不良發光二極體, 上述焊料供給部包括: 第三工作台; 一對第三基板支撐部,形成於上述第三工作台上,用於放置上述基板; 第三圖像感測器,用於整列位於上述第三基板支撐部的基板;以及 焊料提供部,使新導電性焊料位於完成整列的基板的不良發生區域中的至少一部分, 上述發光二極體供給部包括: 第四工作台; 一對第四基板支撐部,形成於上述第四工作台上,用於放置上述基板; 第四圖像感測器,用於整列位於上述第四基板支撐部的基板; 新發光二極體提供部,擁有多個新發光二極體;以及 發光二極體放置部,向上述新發光二極體提供部移動來獲取新發光二極體,並在完成整列的基板的新導電性焊料上放置所獲取的新發光二極體, 上述發光二極體結合部包括: 第五工作台; 一對第五基板支撐部,形成於上述第五工作台上,用於放置上述基板; 第五圖像感測器,用於整列位於上述第五基板支撐部的基板;以及 第二加熱部,對完成整列的基板的新導電性焊料進行加熱, 上述第二檢查部包括: 第六工作台; 一對第六基板支撐部,形成於上述第六工作台上,用於放置上述基板; 第六圖像感測器,用於整列位於上述第六基板支撐部的基板;以及 第二攝影機,放置於上述第六基板支撐部來拍攝完成整列的基板,用於檢測不良發光二極體, 通過分析被上述第二攝影機拍攝的影像來檢查不良發光二極體的存在與否, 上述第一檢查部、上述發光二極體去除部、上述焊料供給部、上述發光二極體供給部、上述發光二極體結合部及上述第二檢查部還分別包括高度測定感測器。
  2. 根據請求項1所述的發光二極體基板修復裝置,其特徵在於,在上述第二檢查部中將相應基板判斷為不良的情況下,上述移送機器人向上述發光二極體去除部再次移送上述基板。
  3. 根據請求項1所述的發光二極體基板修復裝置,其特徵在於,在上述第一基板支撐部、第二基板支撐部、第三基板支撐部、第四基板支撐部、第五基板支撐部、第六基板支撐部分別設置有用於檢測上述基板的放置與否的基板感測器。
  4. 根據請求項3所述的發光二極體基板修復裝置,其特徵在於,上述第一基板支撐部、第二基板支撐部、第三基板支撐部、第四基板支撐部、第五基板支撐部、第六基板支撐部的間隔分別根據上述基板的大小而改變,形成有用於吸附固定所放置的基板的吸附孔。
  5. 根據請求項1所述的發光二極體基板修復裝置,其特徵在於, 上述發光二極體供給部以串聯或並聯方式設置多個, 上述移送機器人以多個上述發光二極體供給部為物件交替移送上述基板。
  6. 一種發光二極體基板修復方法,其特徵在於,包括: 步驟(a),檢測配置於基板上的多個發光二極體中的不良發光二極體; 步驟(b),從上述基板去除檢測到的上述不良發光二極體; 步驟(c),向去除上述不良發光二極體的上述基板的不良發生區域中的至少一部分提供新導電性焊料; 步驟(d),在上述新導電性焊料上放置新發光二極體; 步驟(e),對上述新導電性焊料進行加熱,來提高上述新發光二極體與上述基板的結合力;以及 步驟(f),以附著有上述新發光二極體的上述基板為物件來檢查發光二極體不良與否, 上述步驟(a)包括: 步驟(a-1),檢測並固定上述基板; 步驟(a-2),整列所固定的上述基板; 步驟(a-3),測定完成整列的基板的步驟區域高度; 步驟(a-4),參照所測定的高度來在所設定的位置拍攝上述基板;以及 步驟(a-5),通過分析所拍攝的影像來檢測不良發光二極體。
  7. 根據請求項6所述的發光二極體基板修復方法,其特徵在於,上述步驟(b)包括: 步驟(b-1),檢測並固定上述基板; 步驟(b-2),整列所固定的上述基板; 步驟(b-3),測定完成整列的基板的步驟區域高度; 步驟(b-4),參照所測定的高度來在所設定的位置對位於上述基板的上述不良發光二極體的導電性焊料進行加熱;以及 步驟(b-5),從基板分離上述不良發光二極體。
  8. 根據請求項7所述的發光二極體基板修復方法,其特徵在於,上述步驟(c)包括: 步驟(c-1),檢測並固定上述基板; 步驟(c-2),整列所固定的上述基板; 步驟(c-3),測定完成整列的基板的步驟區域高度;以及 步驟(c-4),參照所測定的高度來在所設定的位置向上述基板的不良發生區域中的至少一部分提供新導電性焊料。
  9. 根據請求項8所述的發光二極體基板修復方法,其特徵在於,上述步驟(d)包括: 步驟(d-1),檢測並固定上述基板; 步驟(d-2),整列所固定的上述基板; 步驟(d-3),測定完成整列的基板的步驟區域高度;以及 步驟(d-4),參照所測定的高度來在上述新導電性焊料上放置新發光二極體。
  10. 根據請求項9所述的發光二極體基板修復方法,其特徵在於,上述步驟(e)包括: 步驟(e-1),檢測並固定上述基板; 步驟(e-2),整列所固定的上述基板; 步驟(e-3),測定完成整列的基板的步驟區域高度;以及 步驟(e-4),參照所測定的高度來在所設定的位置對上述基板的新導電性焊料進行加熱。
  11. 根據請求項10所述的發光二極體基板修復方法,其特徵在於,上述步驟(f)包括: 步驟(f-1),檢測並固定上述基板; 步驟(f-2),整列所固定的上述基板; 步驟(f-3),測定完成整列的基板的步驟區域高度; 步驟(f-4),參照所測定的高度來在所設定的位置拍攝上述基板;以及 步驟(f-5),通過分析所拍攝的影像來檢測不良發光二極體。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI773068B (zh) * 2020-12-28 2022-08-01 財團法人工業技術研究院 檢測裝置及發光二極體的檢測方法
US11656181B2 (en) 2018-12-21 2023-05-23 Industrial Technology Research Institute Inspection apparatus and inspection method for inspecting light-emitting diodes

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102240603B1 (ko) * 2019-04-04 2021-04-15 영남대학교 산학협력단 Led 구조체 전사 방법
KR102206275B1 (ko) * 2019-05-22 2021-01-21 황영수 소형 엘이디 소자의 자동 리워킹 장치
KR102177446B1 (ko) * 2019-06-11 2020-11-11 황영수 소형 엘이디 소자를 위한 리워킹 시스템
KR102642331B1 (ko) 2019-07-03 2024-03-04 삼성전자주식회사 마이크로 led 디스플레이 모듈 및 이를 제조하는 방법
JP7292138B2 (ja) * 2019-07-23 2023-06-16 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置のリペアシステム
KR102420160B1 (ko) * 2019-07-26 2022-07-13 한국광기술원 마이크로 led 리페어 공정
CN110842367A (zh) * 2019-10-09 2020-02-28 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种激光修复微型led的装置和方法
KR20210044430A (ko) 2019-10-15 2021-04-23 삼성전자주식회사 디스플레이 장치의 제조 방법, 중계 기판 및 기록 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램
WO2021137625A1 (ko) * 2019-12-31 2021-07-08 주식회사 에이맵플러스 디스플레이 패널, 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102306773B1 (ko) * 2019-12-31 2021-09-30 주식회사 에이맵플러스 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 그 제조방법
US11508780B2 (en) 2020-01-14 2022-11-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing display apparatus, display apparatus, and structure for manufacturing display apparatus
KR102335737B1 (ko) * 2020-01-23 2021-12-03 황영수 소형 부품 공급 장치 및 그에 의한 리워킹 방법
KR20210117831A (ko) * 2020-03-20 2021-09-29 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 디스플레이 모듈의 리페어 방법
CN112993091B (zh) * 2020-06-29 2022-05-31 重庆康佳光电技术研究院有限公司 修复装置及修复方法
CN111785752B (zh) * 2020-07-07 2023-01-17 深圳市微组半导体科技有限公司 主板返修方法
KR20220007789A (ko) * 2020-07-10 2022-01-19 삼성디스플레이 주식회사 미세 구조체를 포함하는 잉크의 제조 방법
KR20230037584A (ko) * 2020-08-24 2023-03-16 엘지전자 주식회사 마이크로 엘이디 디스플레이의 리페어 공정을 위한 칩 제거장치
JP2022044218A (ja) * 2020-09-07 2022-03-17 株式会社ブイ・テクノロジー ボンディング装置、リペア装置及びリペア方法
CN112103214A (zh) * 2020-09-08 2020-12-18 深圳市联得自动化装备股份有限公司 发光二极管产品的检测修复系统及检测修复方法
CN112222721B (zh) * 2020-09-28 2022-07-12 东莞市盟拓智能科技有限公司 Led返修机及led灯珠更换的方法
CN112652684B (zh) * 2020-12-29 2021-10-01 海盐县集佳建材有限公司 一种基板上led灯珠的替换方法
CN112951972B (zh) * 2021-02-02 2022-08-16 东莞市中麒光电技术有限公司 一种cob模块修复方法
CN114038342A (zh) * 2021-03-09 2022-02-11 重庆康佳光电技术研究院有限公司 Led显示屏的修复方法
CN113130714B (zh) * 2021-04-13 2022-10-14 东莞市中麒光电技术有限公司 一种led器件返修方法
CN113351578A (zh) * 2021-06-03 2021-09-07 东莞市中麒光电技术有限公司 显示模块返修方法
JP7458582B2 (ja) 2022-05-24 2024-04-01 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
KR20240034921A (ko) * 2022-09-07 2024-03-15 한국로봇융합연구원 폐배터리 팩 해체 시스템
KR102497909B1 (ko) 2022-09-22 2023-02-09 (주)동영 Led 조명등의 led 기판 접합장치
CN117066631B (zh) * 2023-10-13 2024-01-05 湖南凌特科技有限公司 一种灯珠连续组装设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0439084A2 (en) * 1990-01-23 1991-07-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Assembling system of semiconductor chip
KR101149056B1 (ko) * 2010-06-29 2012-05-24 주식회사 영우디에스피 오엘이디 패널의 검사장치
KR101890934B1 (ko) * 2017-12-01 2018-08-22 한국광기술원 픽셀형 led 공정

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2809207B2 (ja) * 1996-06-13 1998-10-08 日本電気株式会社 半導体装置のリペア方法とリペア装置
JPH118338A (ja) * 1997-06-17 1999-01-12 Nichia Chem Ind Ltd 表面実装型ledの取り外し方法、取り外し装置及び発光装置のリペア方法
KR100492159B1 (ko) * 2002-10-30 2005-06-02 삼성전자주식회사 기판 검사 장치
TWI241934B (en) * 2003-12-03 2005-10-21 Quanta Display Inc Apparatus and method for inspecting and repairing circuit defect
JP2005223000A (ja) * 2004-02-03 2005-08-18 On Denshi Kk リワーク装置およびその温度加熱方法
JP2011129647A (ja) * 2009-12-16 2011-06-30 Shinapex Co Ltd チップ部品のリワーク装置及びこれに用いるセットピン
KR100989561B1 (ko) * 2010-06-10 2010-10-25 주식회사 창성에이스산업 Led 및 웨이퍼 검사장치 및 이를 이용한 검사방법
KR101043236B1 (ko) * 2010-11-17 2011-06-22 표준정보기술 주식회사 Led 칩 외관 검사 장치 및 그 방법
JP5351214B2 (ja) * 2011-06-17 2013-11-27 シャープ株式会社 リペア装置およびリペア方法、デバイスの製造方法
JP2013030719A (ja) * 2011-07-29 2013-02-07 Sharp Corp 光源ユニット、及び光源ユニットを備えた液晶表示装置
KR101423122B1 (ko) * 2012-02-17 2014-07-25 주식회사 미르기술 반투명 형광체를 포함하는 엘이디 부품의 검사장치 및 검사방법
JP2014045185A (ja) * 2012-08-03 2014-03-13 Meisho Kk プリント基板用リワーク装置
JP2017022163A (ja) * 2015-07-07 2017-01-26 東芝ライテック株式会社 発光装置およびその製造方法
CN105723528A (zh) * 2015-11-04 2016-06-29 歌尔声学股份有限公司 微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备
US11114423B2 (en) * 2015-12-01 2021-09-07 Sharp Kabushiki Kaisha Image-forming element
WO2017205132A1 (en) * 2016-05-24 2017-11-30 Danesh Fariba Selective die repair on a light emitting device assembly
TWI641125B (zh) * 2017-05-03 2018-11-11 啟端光電股份有限公司 底部發光型微發光二極體顯示器及其修補方法
TWI632666B (zh) * 2017-12-11 2018-08-11 台灣愛司帝科技股份有限公司 半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置
TWI636267B (zh) * 2018-02-12 2018-09-21 友達光電股份有限公司 發光二極體的檢測方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0439084A2 (en) * 1990-01-23 1991-07-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Assembling system of semiconductor chip
KR101149056B1 (ko) * 2010-06-29 2012-05-24 주식회사 영우디에스피 오엘이디 패널의 검사장치
KR101890934B1 (ko) * 2017-12-01 2018-08-22 한국광기술원 픽셀형 led 공정

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11656181B2 (en) 2018-12-21 2023-05-23 Industrial Technology Research Institute Inspection apparatus and inspection method for inspecting light-emitting diodes
TWI773068B (zh) * 2020-12-28 2022-08-01 財團法人工業技術研究院 檢測裝置及發光二極體的檢測方法

Also Published As

Publication number Publication date
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