TWI653674B - Wafer interval maintaining device and wafer interval maintaining method - Google Patents

Abstract

本發明的課題為將已被擴張之擴張片的鬆弛確實地且在短時間內予以去除。解決手段為晶片間隔維持裝置，其是將透過擴張片而被環狀框架所支撐之被加工物的複數個晶片之間隔維持在已擴張之狀態的裝置，並做成具備工作台、框架保持機構、擴張機構、加熱機構以及推壓機構的構成，該工作台用以吸引保持被加工物，該框架保持機構在工作台的周圍保持環狀框架，該擴張機構可使保持台與框架保持機構在鉛直方向上相對移動以擴張擴張片而在被加工物的複數個晶片之間形成間隔，該加熱機構用以對藉由解除擴張膠帶的擴張而在被加工物周圍產生的隆起部照射熱能，該推壓機構用於從下方將擴張片上之加熱機構所產生的熱能的照射位置予以推壓。

Description

晶片間隔維持裝置及晶片間隔維持方法 發明領域

本發明是有關於一種將透過擴張片而被環狀框架支撐的被加工物分割後之一個個晶片維持在已將晶片間隔擴張的狀態下的晶片間隔維持裝置及晶片間隔維持方法。

發明背景

已知，以往有一種在被黏貼於擴張片的被加工物上沿著分割預定線形成改質層、雷射加工溝、切削溝等分割起點之後，再將被加工物分割成一個個晶片的方法(參照例如，專利文獻1)。在專利文獻1所記載的分割方法中，是藉由擴張被環狀框架撐開的擴張片，以對沿著分割預定線所形成的分割起點施加外力，而沿著其強度已降低的分割起點將被加工物分割成一個個晶片。但是，一旦解除擴張片的擴張，則會有在擴張片上產生很大的鬆弛，使鄰接的晶片彼此相接觸而造成缺損或破損的可能性。

因此，也有以下的方法被提出：在維持(固定)晶片之間的間隔的狀態下，對擴張片之鬆弛較大的被加工物周圍賦予熱等的外來刺激，而使擴張片的鬆弛收縮。在這 個方法中，要顧慮的是，根據擴張片的材質與厚度的不同，會有外來刺激所形成的鬆弛的收縮不充分，或者是鬆弛沒有收縮的情形。因此，已有一種藉由把持住擴張片的鬆弛而進行熱壓接，以在擴張片上作出張力的方法被提出(參照例如，專利文獻2)。在這個專利文獻2記載的方法中，是使在被加工物之周圍所生成的擴張片之鬆弛向上方隆起，而在涵蓋全周的範圍將這個隆起部把持住並且進行熱壓接，以去除擴張片的鬆弛。

先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2007-189057號公報

專利文獻2：日本專利特開2013-239557號公報

發明概要

但是，在朝環狀框架黏貼擴張片時，由於是在擴張片的其中一個方向上施加張力，因此在被施加了張力的其中一個方向和與其直交的另一個方向上會於張力上形成偏差。因此，在專利文獻2記載的方法中，受到存在於擴張片內的張力的影響，會於被加工物的周圍在徑向上不同距離處產生隆起部。因此，會有以下的問題：被加工物的周圍被隆起部包圍成俯視下呈橢圓形狀、且要將隆起部在涵蓋全周的範圍予以熱壓接以去除擴張片之鬆弛是困難的。

本發明是有鑒於這類的問題點而作成的發明，其 目的在於提供一種能夠確實地且在短時間內去除因擴張片之擴張所產生之鬆弛的晶片間隔維持裝置及晶片間隔維持方法。

本發明的晶片間隔維持裝置，是將構成被黏貼在擴張片上且被裝設在環狀框架之被加工物的複數個晶片的間隔維持在已擴張的狀態下的晶片間隔維持裝置，其包括：工作台，具有可支撐被加工物的支撐面，並以可隔著擴張片將被加工物吸引保持的形式予以支撐；框架保持機構，具有用來在該工作台周圍保持環狀框架的保持面；擴張機構，藉由擴張該擴張片以在複數個該晶片之間形成間隔；加熱機構，將以該擴張機構擴張該擴張片而在該晶片之間形成有間隔的複數個該晶片隔著該擴張片吸引保持在該工作台上，並且從上方側，對藉由解除該擴張機構所進行的擴張而在被加工物的外周與該環狀框架的內周之間使該擴張片的剩餘部分隆起的隆起部照射熱能，以使該隆起部收縮；以及推壓機構，配置於可將與該加熱機構的熱照射口相向的該擴張片包夾的正下方，並從該擴張片下方往該加熱機構的該熱照射口的方向推壓該擴張片，而使該隆起部移動至該加熱機構之該熱照射口附近。

依據此構成，藉由將被加工物保持於工作台、將 環狀框架保持於框架保持機構、並擴張擴張片，就能在晶片之間形成間隔。而且，透過工作台的吸引而可在被加工物的晶片之間以將間隔維持住的狀態解除擴張片的擴張，藉此，在被加工物的外周與環狀框架的內周之間因擴張片的鬆弛而產生的剩餘部分會隆起而形成隆起部。此時，即使因為存在擴張片內的張力之偏差，而使被加工物的周圍所產生的隆起部偏離熱照射口的正下方，仍然能藉由推壓機構推壓擴張片，而將隆起部移動至熱照射口的正下方。由於隆起部被移動至熱照射口的附近，因此能夠從熱照射口對隆起部照射熱能以有效率地使隆起部熱收縮。

又，本發明的晶片間隔維持方法，是使用上述記載的晶片間隔維持裝置，將構成被黏貼在擴張片上且被裝設在環狀框架之被加工物的複數個晶片的間隔維持在已擴張的狀態下的晶片間隔維持方法，其是由下列步驟所構成：保持步驟，在該工作台上隔著該擴張片載置被加工物，並且以該框架保持機構保持該環狀框架；晶片間隔擴張步驟，在實施了該保持步驟之後，藉由使該工作台與該框架保持機構於鉛直方向上相對移動預定距離而相對於該框架保持機構將該工作台往上推並拉伸該擴張片，以在該複數個晶片之間形成間隔；吸引保持步驟，在實施了該晶片間隔擴張步驟之後，藉由在該工作台上隔著該擴張片吸引保持被加工物，以維持鄰接的該晶片之間的間隔；隆起部形成步驟，在開始該吸引保持步驟之後，使該 工作台與該框架保持機構在鉛直方向上相對移動，以將相對於該框架保持機構的該工作台之往上推予以解除，而使該擴張片被擴張所形成的該擴張片之剩餘部位在被加工物的外周側形成朝該擴張片表面側凸起的隆起部；以及加熱收縮步驟，在實施了該隆起部形成步驟之後，以該推壓機構推壓擴張片而使該隆起部移動至該加熱機構的該熱照射口的正下方，並且以該加熱機構使該隆起部加熱收縮。

又，在上述晶片間隔維持方法中，在設定有交叉的複數條分割預定線的被加工物上沿著該分割預定線形成有分割起點，而可在該晶片間隔擴張步驟中，將被加工物分割成複數個晶片，並且在晶片之間形成間隔。

依據本發明，藉由在解除了擴張片的擴張狀態後，使所產生的隆起部移動至熱照射口的正下方，而可以確實地且在短時間內去除因擴張片之擴張所產生的鬆弛。

1‧‧‧晶片間隔維持裝置

11‧‧‧工作台

12‧‧‧框架保持機構

13‧‧‧吸引源

14‧‧‧開關閥

21‧‧‧支撐面

22‧‧‧滾輪

23‧‧‧推壓機構

24‧‧‧階部

25‧‧‧罩蓋

26‧‧‧汽缸

29‧‧‧支柱部

31‧‧‧載置台

32‧‧‧保持面

33‧‧‧蓋板

34‧‧‧圓形開口

37‧‧‧升降汽缸

38‧‧‧汽缸桿

41‧‧‧加熱機構

42‧‧‧升降板

43‧‧‧旋轉軸

45‧‧‧熱照射口

51‧‧‧表面

52‧‧‧分割預定線

53‧‧‧缺口

54‧‧‧改質層

C‧‧‧晶片

F‧‧‧環狀框架

L‧‧‧兩點鏈線

P1、P2‧‧‧位置

R‧‧‧隆起部

S‧‧‧擴張片

W‧‧‧被加工物

圖1是本實施形態的晶片間隔維持裝置的立體圖。

圖2A~C是本實施形態的工作台的上表面模式圖及剖面模式圖。

圖3A~C是本實施形態的推壓機構的動作的說明圖。

圖4是表示本實施形態的保持步驟之一例的圖。

圖5是表示本實施形態的晶片間隔擴張步驟之一例的 圖。

圖6是表示本實施形態的吸引保持步驟之一例的圖。

圖7是表示本實施形態的隆起部形成步驟之一例的圖。

圖8A、B是表示本實施形態的加熱收縮步驟之一例的圖。

用以實施發明之形態

以下，針對本實施形態的晶片間隔維持裝置進行說明。圖1是本實施形態的晶片間隔維持裝置的立體圖。圖2是本實施形態的工作台的上表面模式圖及剖面模式圖。再者，分別顯示為：圖2A是工作台的上表面模式圖，圖2B是沿著圖2A的線A-A的剖面模式圖，圖2C是沿著圖2A的線B-B線的剖面模式圖。又，本實施形態的晶片間隔維持裝置，並不受限於圖1所示之構成，並可做適當的變更。

如圖1所示，晶片間隔維持裝置1是構成為將透過擴張片S而被環狀框架F所支撐的圓板狀被加工物W，藉由擴張片S的片擴張而分割成一個個的晶片。又，晶片間隔維持裝置1是構成為在維持晶片間隔的狀態下解除擴張片S的擴張，而藉由加熱收縮(heat shrink)去除片擴張解除後所產生的鬆弛。像這樣，讓擴張片S只於被拉伸而大幅鬆弛之處熱收縮，而可在維持被加工物W分割後的晶片間隔的狀態下進行固定。

在被加工物W的表面51上設有格子狀的分割預定線52，且藉由分割預定線52所劃分出的各個區域中形成 有各種元件(圖未示)。在被加工物W的外緣設有表示結晶方位的缺口53。再者，被加工物W也可以是在矽、砷化錄等半導體基板上形成有IC、LSI等元件的半導體晶圓，也可以是在陶瓷、玻璃、藍寶石系的無機材料基板上形成有LED等光元件的光元件晶圓。被加工物W可在透過擴張片S被環狀框架F所支撐的狀態下被搬入晶片間隔維持裝置1。

又，在被加工物W的內部形成有沿著分割預定線52成為分割起點的改質層54(參照圖4)。再者，改質層54指的是，藉由雷射光的照射而使被加工物W內部的密度、折射率、機械強度或其他物理特性變得與周圍不同的狀態，並且強度比周圍還要降低的區域。改質層54可以是例如，熔融處理區域、裂痕(crack)區域、絕緣破壞區域、折射率變化區域，也可以是混合了該等區域的區域。又，在以下的說明當中，雖然是舉改質層54作為分割起點來例示說明，但是分割起點只要是可以使被加工物W的強度降低而成為分割時的起點的即可，也可以是例如雷射加工溝、切削溝、切割線(scribe line)。

晶片間隔維持裝置1，在中央配置能夠吸引保持被加工物W的工作台11，且在工作台11的周圍配置用來保持環狀框架F的框架保持機構12。工作台11是藉由複數個支柱部29而被支撐，且在工作台11的上表面上以多孔質陶瓷材形成有用以支撐被加工物W的支撐面21。支撐面21是通過工作台11內的流路而被連接到吸引源13(參照圖4)，並藉由在支撐面21上產生的負壓以吸引保持被加工物W。又， 從支撐面21連通到吸引源13的流路上設有開關閥14(參照圖4)，並藉由開關閥14切換支撐面21的吸引保持與吸引解除。

如圖2A所示，在工作台11的外周緣上，涵蓋全周的範圍而設置有複數個滾輪22與複數個推壓機構23。此時，是在環周方向上將1個推壓機構23配置於2個連續配置的滾輪22的隔壁，並使複數個滾輪22與複數個推壓機構23在工作台11的外周緣平均地設置著。如圖2B所示，複數個滾輪22是被配置在形成於工作台11外周緣的階部24上，並藉由使被加工物W(參照圖1)被支撐面21所支撐，而轉動接觸於擴張片S(參照圖1)的下側。藉由將複數個滾輪22轉動接觸於擴張片S，可以抑制在擴張片S擴張時於工作台11的外周緣所產生的摩擦。

如圖2C所示，複數個推壓機構23是可從工作台11的支撐面21出沒的可動銷，並被配置在形成於工作台11的外周緣的階部24上。又，在配置有推壓機構23的階部24上以包覆推壓機構23的銷尖之周圍的形式設置有罩蓋25。在設有推壓機構23之處，可藉由此罩蓋25以抑制擴張片S擴張時在工作台11的外周緣上所產生的摩擦。又，在工作台11的下表面設有可驅動推壓機構23的汽缸26。再者，後面將敘述推壓機構23的動作。

回到圖1，框架保持機構12，是做成將環狀框架F載置於載置台31的保持面32上，且利用蓋板33從上方包夾，而在工作台11的周圍以載置台31的保持面32保持環狀 框架F。載置台31在俯視下為四角形，且在中央形成有比工作台11直徑還要大的圓形開口34。載置台31的四個角落受到可使載置台31升降的4個升降汽缸37之汽缸桿(cylinder rod)38從下側支撐著。4個升降汽缸37是以電動汽缸等所構成，並且作為使框架保持機構12升降以使擴張片S擴張的擴張機構而發揮功能。

蓋板33是形成為在中央具有比工作台11的直徑還要大之圓形開口35的矩形板狀。當將蓋板33載置於載置台31上時，即可藉由蓋板33與載置台31保持環狀框架F，並且被加工物W與擴張片S的一部份會從蓋板33的圓形開口35露出於上方。再者，蓋板33是在載置於載置台31的狀態下，藉由例如圖未示之夾具部而被固定於載置台31上。

在蓋板33的上方，設有具備了複數個加熱機構41的圓板狀升降板42。升降板42是被固定在由圖未示之馬達等所旋轉的旋轉軸43之下端，並藉由圖未示的升降機構在鉛直方向上移動。複數個加熱機構41是遠紅外線加熱器，且被定位於環狀框架F與被加工物W之間的環狀區域。加熱機構41是例如，可用點照射不易被金屬材料吸收之在3μm~25μm的峰波形的遠紅外線，以形成為可控制裝置各部位的加熱，而只將擴張片S的照射處予以適當地加熱。

在這種晶片間隔維持裝置1中，是藉由驅動升降汽缸37以使框架保持機構12在保持住環狀框架F的狀態下被降下，而使工作台11從蓋板33及載置台31的圓形開口34、35突出。藉由使工作台11相對於框架保持機構12相對 地被往上推，使擴張片S在徑向上被擴張，而使被加工物W被分割成一個個晶片。又，當框架保持機構12被往上升而解除擴張片S的擴張時，會使擴張片S被放鬆而在被加工物W的周圍產生鬆弛，使擴張片S的剩餘部分隆起。

此擴張片S之已隆起的隆起部R(參照圖3B)可藉由複數個加熱機構41而被熱收縮。此時，加熱機構41於遠紅外線的照射範圍變得過大時，就會對被加工物W造成損害，因此，較理想的是，對擴張片S的隆起部R點照射遠紅外線以局部地進行加熱。然而，若是被黏貼於環狀框架F上的擴張片S內存在有往預定方向的張力時，則受到此張力偏差的影響，會在偏離加熱機構41的遠紅外線照射位置的位置上產生隆起部R。

於是，在本實施形態的晶片間隔維持裝置1中，在被加工物W周圍所產生的隆起部R於偏離遠紅外線的照射位置的情況下，會形成藉由以上述推壓機構23將擴張片S往上推，而使隆起部R對齊遠紅外線的照射位置。然後，藉由從加熱機構41對隆起部R點照射遠紅外線，以使隆起部R有效地被熱收縮。

以下，參照圖3，針對工作台及推壓機構進行說明。圖3是本實施形態的推壓機構的動作之說明圖。再者，分別顯示為：圖3A是被加工物的上表面模式圖，圖3B是沿著圖3A的線C-C的剖面模式圖，圖3C是沿著圖3A的線D-D的剖面模式圖。

如圖3A所示，當在被加工物W的分割後解除擴 張片S的擴張時，在被加工物W的外周與環狀框架F的內周之間會產生使擴張片S之剩餘部分隆起的隆起部R。如上所述，由於在擴張片S內存在有在預定方向上的張力，因此被加工物W的外周與環狀框架F的內周之間的隆起部R的產生位置在周方向上是相異的。具體來說，位置P1是在被加工物W的外周與環狀框架F的內周的大致中間位置上產生隆起部R，位置P2是在被加工物W的外周附近產生隆起部R。

又，加熱機構41(參照圖3B)的遠紅外線照射位置，如兩點鏈線L所示，是對齊於被加工物W的外周與環狀框架F的內周的大致中間位置。位置P1為擴張片S的隆起部R與遠紅外線的照射位置一致，位置P2為擴張片S的隆起部R偏離了遠紅外線的照射位置。又，在擴張片S的背側上，沿著遠紅外線照射位置等間隔地配置有複數個推壓機構23。也就是說，是包夾著擴張片S而將複數個推壓機構23定位於複數個加熱機構41(參照圖3B)的熱照射口45的正下方。

然後，藉由使複數個推壓機構23從工作台11的支撐面21突出，就可使俯視下橢圓狀的隆起部R移動到虛線所示之遠紅外線的照射位置。具體來說，圖3B所示之位置P1，是在被加工物W的外周與環狀框架F的內周的大致中間位置上產生擴張片S的隆起部R，即使沒有驅動推壓機構23，隆起部R仍然會被定位於遠紅外線的照射位置。另一方面，圖3C所示之位置P2，是在被加工物W的外周附近產生擴張片S的隆起部R，並要藉由以推壓機構23將擴張片S向上推， 以使隆起部R被移動至遠紅外線的照射位置。

像這樣，可藉由推壓機構23而從擴張片S的下方往加熱機構41之熱照射口45的方向推壓擴張片S，且將擴張片S的隆起部R移動至熱照射口45的附近。然後，就可使遠紅外線以較佳的精度從加熱機構41的熱照射口45朝向擴張片S的隆起部R進行點照射。因此，可在只將隆起部R附近加熱而不會對被加工物W造成損害的情形下，只讓隆起部R有效率地被加熱收縮。

參照圖4至圖7，針對晶片間隔維持裝置之晶片間隔維持方法進行說明。圖4是表示本實施形態的保持步驟之一例的圖。圖5是表示本實施形態的晶片間隔擴張步驟之一例的圖。圖6是表示本實施形態的吸引保持步驟之一例的圖。圖7是表示本實施形態的隆起部形成步驟之一例的圖。圖8是表示本實施形態的加熱收縮步驟之一例的圖。再者，對於被加工物，是做成在前段步驟中形成有分割起點之物的形式來進行說明。

如圖4所示，首先實施保持步驟。在保持步驟中，被加工物W是隔著擴張片S而被載置於工作台11上，且被加工物W的周圍的環狀框架F是藉由框架保持機構12而被保持。此時，工作台11會形成為比被加工物W的直徑還要大，且將工作台11的推壓機構23配置在被加工物W與環狀框架F之間的擴張片S的下方。又，由於將開關閥14關閉著，因此會使從吸引源13往支撐面21的吸引力被切斷。此外，在被加工物W的內部，沿著分割預定線52(參照圖1)形成有作 為分割起點的改質層54。

如圖5所示，在保持步驟之後則實施晶片間隔擴張步驟。在晶片間隔實施步驟中，藉由使框架保持機構12從初始位置沿著鉛直方向下降預定距離，就可以使工作台11相對於框架保持機構12相對地被上推。其結果，使黏貼有被加工物W的擴張片S在放射方向上被擴張，而可透過擴張片S對被加工物W的改質層54(參照圖2)賦與外力。被加工物W會以強度已降低的改質層54作為分割起點而被分割成一個個晶片C。擴張片S會被拉伸到使相鄰的晶片C完全分開並止，且在複數個晶片C之間形成間隔。

此時，由於在工作台11的外周緣上使擴張片S轉動接觸於複數個滾輪22(參照圖2)，因此可抑制擴張片S的擴張時的摩擦等。再者，晶片間隔擴張步驟，雖然是藉由讓框架保持機構12相對於工作台11下降而將擴張片S擴張，但是並不受限於此構成。只要是可以藉由工作台11與框架保持機構12在鉛直方向上相對移動預定距離來擴張擴張片S即可。例如，也可以使工作台11相對於框架保持機構12上升來擴張擴張片S，也可以使工作台11上升而框架保持機構12下降以擴張擴張片S。

如圖6所示，在晶片間隔擴張步驟之後則實施吸引保持步驟。在吸引保持步驟中，是打開開關閥14而連通吸引源13與支撐面21，並於工作台11上在支撐面21產生吸引力。此時，由於擴張片S已受到拉伸，因此可藉由被加工物W在工作台11上隔著擴張片S被吸引保持，而維持鄰接的 晶片C之間的間隔。像這樣，在晶片間隔的擴張時，是使擴張片S在工作台11上不被吸引保持以免阻礙擴張片S的擴張，在晶片間隔擴張之後，則使擴張片S在工作台11受到吸引保持以維持晶片的間隔。

如圖7所示，在吸引保持步驟之後則實施隆起部形成步驟。在隆起部形成步驟中，是將框架保持機構12從下降位置上升，且將相對於框架保持機構12的工作台11的往上推予以解除。藉由解除工作台11的往上推，擴張片S被擴張而形成的剩餘部分會隆起，並在被加工物W的外周側形成隆起部R。此時，由於擴張片S被吸引保持在工作台11上，因此即使被加工物W周圍的擴張片S鬆弛，在工作台11上的擴張片S上也不會有產生鬆弛之情形。

如圖8所示，在隆起部形成步驟之後則實施加熱收縮步驟。如圖8A所示，在加熱收縮步驟中，是藉由推壓機構23從下側推壓擴張片S，而將擴張片S的隆起部R移動至加熱機構41之熱照射口45的正下方。在例如，被加工物W的外周附近所產生的隆起部R，是藉由以推壓機構23在加熱機構41之熱照射口45的正下方製作新的隆起部R的方式而被移動。接著，如圖8B所示，藉由來自加熱機構41之熱照射口45的遠紅外線的點照射，以使擴張片S的隆起部R被加熱收縮(heat shrink)。然後，使複數個加熱機構41以圍繞著鉛直軸的方式旋轉，以使得擴張片S的隆起部R沿著全周的範圍受到加熱收縮。

像這樣，即使因為存在於擴張片S內的張力之偏 差，而使得被加工物W周圍所產生的隆起部R偏離加熱機構41的照射位置，仍然可藉由推壓機構23而將擴張片S移動至加熱機構41的照射位置。因此，可藉由加熱機構41的點照射，以有效地使擴張片S的隆起部R被熱收縮。在加熱收縮步驟中，由於只有被加工物W周圍的擴張片S之隆起部R被熱收縮，因此即使解除工作台11的吸引保持，仍然可使鄰接的晶片C的間隔以被維持住的狀態受到固定。

如以上所述，本實施形態的晶片間隔維持裝置1，是藉由將被加工物W保持於工作台11，且將環狀框架F保持於框架保持機構12上，並擴張擴張片S，以在晶片之間形成間隔。並且，利用工作台11的吸引以在維持了被加工物W的晶片C之間的間隔的狀態下解除擴張片S的擴張，藉此，在被加工物W的外周與環狀框架F的內周之間，因擴張片S的鬆弛而產生的剩餘部分會隆起而形成隆起部R。此時，即使因為存在擴張片S內的張力之偏差，而使在被加工物W的周圍所產生的隆起部R偏離熱照射口45的正下方，仍然能夠藉由推壓機構23推壓擴張片S，而將隆起部R移動至熱照射口45的正下方。由於隆起部R可被移動到熱照射口45的附近，因此能夠從熱照射口45對隆起部R照射遠紅外線而使隆起部R有效率地熱收縮。

再者，本發明並不受限於上述實施形態，且可以進行各種變更而實施。在上述實施形態中，關於在附圖所圖示的大小與形狀等，並不受限於此，並可在能發揮本發明的效果的範圍內做適當變更。另外，只要在不脫離本發 明的目的之範圍內，均可做適當變更而實施。

例如，雖然在本實施形態的晶片間隔擴張步驟中是做成以下的構成：藉由擴張片S的擴張而將被加工物W分割成複數個晶片C，並且在複數個晶片C之間形成間隔，但是並不受限於此構成。在例如，被加工物W已經被分割的情況下，則在晶片間隔擴張步驟中，也可以藉由擴張片S的擴張而在複數個晶片C之間形成間隔。

又，在本實施形態中，加熱機構41雖然是做成以遠紅外線點照射擴張片S的隆起部R而使其熱收縮的構成，但並不受限於此構成。加熱機構41只要是可以做到使隆起部R熱收縮，則無論如何被構成都可。

又，在本實施形態中，雖然框架保持機構12是做成藉由載置台31與蓋板33來將環狀框架F夾入之構成，但是並不受限於此構成。框架保持機構12只要是能保持環狀框架F即可，例如，將框架保持機構12做成將以空氣致動器(air actuator)等所驅動的夾具部設於載置台31的四周以保持環狀框架F的四周之構成亦可。

又，在本實施形態中，雖然是以複數個可動銷構成推壓機構23，但並不受限於此構成。推壓機構23只要是可以推壓擴張片S的隆起部R，使其移動至加熱機構41的照射口45附近的構成，則無論如何被構成都可。例如，推壓機構23也可以構成為使筒狀的周壁從工作台11的支撐面21突出，並將擴張片S的隆起部R涵蓋全周範圍而予以推壓。

產業上之可利用性

如以上所說明的，本發明具有可確實地且在短時間內因去除擴張片之擴張而產生的鬆弛的效果，特別是在將小晶片、大口徑之被加工物的複數個晶片間隔維持在已擴張的狀態下的晶片間隔維持方法上是有用的。

Claims (3)

1. 一種晶片間隔維持裝置，是用於將構成被黏貼於擴張片上且被裝設於環狀框架上的被加工物的複數個晶片的間隔維持在已擴張的狀態下的晶片間隔維持裝置，特徵在於，其包括：工作台，具有可支撐被加工物的支撐面，並以可隔著擴張片將被加工物吸引保持的形式予以支撐；框架保持機構，具有用來在該工作台周圍保持環狀框架的保持面；擴張機構，藉由擴張該擴張片以在複數個該晶片之間形成間隔；加熱機構，將以該擴張機構擴張該擴張片而在該晶片之間形成有間隔的複數個該晶片隔著該擴張片吸引保持在該工作台上，並且從上方側，對藉由解除該擴張機構所進行的擴張而在被加工物的外周與該環狀框架的內周之間使該擴張片的剩餘部分隆起的隆起部照射熱，以使該隆起部收縮；以及推壓機構，配置於可將與該加熱機構的熱照射口相向的該擴張片包夾的正下方，並從該擴張片下方往該加熱機構的該熱照射口的方向推壓該擴張片，而使該隆起部移動至該加熱機構的熱照射位置。
2. 一種晶片間隔維持方法，是使用請求項1記載的晶片間隔維持裝置，將構成被黏貼在擴張片上且被裝設在環狀框架之被加工物的複數個晶片的間隔維持在已擴張的狀態下的晶片間隔維持方法，其是由下列步驟所構成：保持步驟，在該工作台上隔著該擴張片載置被加工物，並且以該框架保持機構保持該環狀框架；晶片間隔擴張步驟，在實施了該保持步驟之後，藉由使該工作台與該框架保持機構於鉛直方向上相對移動預定距離而相對於該框架保持機構將該工作台往上推並拉伸該擴張片，以在該複數個晶片之間形成間隔；吸引保持步驟，在實施了該晶片間隔擴張步驟之後，藉由在該工作台上隔著該擴張片吸引保持被加工物，以維持鄰接的該晶片之間的間隔；隆起部形成步驟，在開始該吸引保持步驟之後，使該工作台與該框架保持機構在鉛直方向上相對移動，以將相對於該框架保持機構的該工作台之往上推予以解除，而使該擴張片被擴張所形成的該擴張片之剩餘部位在被加工物的外周側形成朝該擴張片表面側凸起的隆起部；以及加熱收縮步驟，在實施了該隆起部形成步驟之後，以該推壓機構推壓擴張片而使該隆起部移動至該加熱機構的該熱照射口的正下方，並且以該加熱機構使該隆起部加熱收縮。
3. 如請求項2之晶片間隔維持方法，其中，在已設定有交叉的複數條分割預定線的被加工物上，沿著該分割預定線形成有分割起點，以在該晶片間隔擴張步驟中，讓被加工物被分割成複數個晶片，並且在晶片之間形成間隔。