TWI612658B - 顯示裝置 - Google Patents

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TWI612658B
TWI612658B TW105138044A TW105138044A TWI612658B TW I612658 B TWI612658 B TW I612658B TW 105138044 A TW105138044 A TW 105138044A TW 105138044 A TW105138044 A TW 105138044A TW I612658 B TWI612658 B TW I612658B
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opening
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Yasukazu Kimura
Takuma Nishinohara
Toshihiko Itoga
Hajime Akimoto
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Japan Display Inc
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Abstract

本發明之目的之一在於提高具有可撓曲性之顯示裝置之可靠性。 本發明提供一種顯示裝置，其包含：具有可撓曲性之基板、具有可撓曲性之基板上之包含電晶體與顯示元件之像素、將信號發送至像素之沿一個方向延伸之第1配線、沿與一個方向為交叉之方向延伸之第2配線、第1配線或第2配線之上層之無機絕緣層、及無機絕緣層之上層之有機絕緣層，且無機絕緣層具有使第1配線或第2配線之上表面部露出之開口部，而有機絕緣層係以將開口部埋入之方式設置。

Description

顯示裝置
本發明係關於一種顯示裝置，在本說明書中所揭示之發明之一個實施方式係關於一種設置於具有可撓曲性之顯示裝置之層間絕緣層的構成。
業界不斷開發並非使用硬質之玻璃基板製作之平板狀顯示裝置、而是使用塑膠薄膜等之具有可撓曲性之基板的片狀顯示裝置(如此之顯示裝置亦被稱為「片式顯示器」)。若是片式顯示器，由於為輕量且不易產生斷裂，並可彎折或使其彎曲為曲面狀，故其新用途之開發乃為人所期待者。 顯示裝置之顯示部利用由薄膜電晶體形成之像素電路來驅動配列為矩陣狀之像素。薄膜電晶體係構成為包含半導體膜、閘極絕緣膜及閘極電極，藉由經由層間絕緣層而設置之掃描信號線、映像信號線等而形成像素電路。 然而，若彎曲具有可撓曲性之基板，則在顯示部之大致全面上以無機絕緣材料形成之閘極絕緣膜與層間絕緣膜中產生裂痕，而存在有對顯示裝置之可靠性造成不良影響之問題。因此，為了應對處理如此之問題，在日本特開2007-288078號公報中揭示有藉由去除存在於未形成薄膜電晶體之區域的絕緣膜之積層體(包含閘極絕緣膜、層間絕緣膜之積層體)，而將該絕緣膜積層體分離為島狀的構造(參照專利文獻1)。
[發明所欲解決之問題] 另外，由於用作可撓曲性基板之樹脂基板與玻璃基板相比透濕性及吸濕性為高，故需要由氮化矽膜等形成之障壁膜。在日本特開2007-288078號公報所揭示之顯示裝置中，由於去除至設置於薄膜電晶體之基底面之絕緣膜，故水分擴散至顯示裝置之內部。在顯示裝置內擴散至內部之水分不僅成為使薄膜電晶體劣化之原因，亦成為使利用液晶或有機電致發光材料形成之顯示元件劣化的原因。因而，日本特開2007-288078號公報所揭示之顯示裝置雖然能夠提高相對於可撓曲性基板之彎曲的耐性，但由於因水分等所導致之元件之劣化以致可靠性降低。 [解決問題之技術手段] 根據本發明之一個實施方式提供一種顯示裝置，其包含：具有可撓曲性之基板、具有可撓曲性之基板上之包含電晶體與顯示元件之像素、將信號發送至像素之沿一個方向延伸之第1配線、沿與一個方向為交叉之方向延伸之第2配線、第1配線或第2配線之上層之無機絕緣層、及無機絕緣層之上層之有機絕緣層，且無機絕緣層具有使第1配線或第2配線之上表面部露出之開口部，而有機絕緣層係以將開口部埋入之方式設置。 根據本發明之一個實施方式提供一種顯示裝置，其具有像素部，該像素部沿一個方向及與一個方向為交叉之方向配列有複數個像素，並包含：沿一個方向延伸並將信號發送至沿一個方向配列之複數個像素之第1配線、沿與一個方向為交叉之方向延伸並將信號發送至沿與一個方向交叉之方向配列之複數個像素之第2配線、及被覆第1配線及第2配線中至少一者之無機絕緣層，並且無機絕緣層具有使第1配線及第2配線中至少一者露出之開口部，開口部沿一個方向及與一個方向為交叉之方向中至少一個方向設置。
以下，一邊參照圖式等一邊說明本發明之實施方式。惟，本發明可以多個不同之態樣實施，而並非是限定於以下例示之實施方式之記載內容而解釋者。圖式為使說明更加明確，與實際之態樣相較雖存在將各部之寬度、厚度、形狀等示意性地表示之情形，但其終極而言僅為一例，並非係限定本發明之解釋者。且，在本說明書及各圖中，存在針對已出現之圖式賦予與前述之要件為相同之要件以相同之符號，而適宜地省略詳細之說明之情形。符號之末尾所附之「a」、「b」等之記號係為了識別相同之要件而使用者。再者，相對於各要件而附記為「第1」、「第2」之文字係為了便於區別各要件而使用之標識，只要無特別說明，即不具有其以外之含義。 在本說明書中，某一構件或區域位於另一構件或區域之「上(或下)」之情形，只要無特別限定，其不僅包含位於另一構件或區域之正上方(或正下方)之情形，亦包含位於另一構件或區域之上方(或下方)之情形，亦即亦包含在另一構件或區域之上方(或下方) 於中間包含另一構成要件之情形。 在本說明書中，顯示裝置包含第1基板。第1基板至少具有平面狀之一個主面，在該一個主面上設置有複數層被膜而形成有層構造。在以下之說明中，於剖面觀察下，以第1基板之一個主面為基準，以該一個主面之上方側為「上」、「上層」或「上方」而進行說明。 [顯示裝置之構成] 圖1係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置100之立體圖。顯示裝置100具有配列有複數個像素116之像素部106，且利用該像素部106形成顯示畫面。像素116形成於第1基板102。第1基板102應用具有可撓曲性之基材。例如，作為第1基板102可使用片狀之有機樹脂薄膜。又，以覆蓋設置於第1基板102之像素部106之方式設置有第2基板104。第2基板104為密封構件，與第1基板102相同地，可應用片狀之構件。又，作為對應於第2基板104之密封構件亦可塗佈有樹脂材料。 顯示裝置100於在第1基板102設置有像素部106之情形下，可能有顯示畫面自第2基板104側被視認之情形、或自第1基板102側被視認之情形此兩種情形。圖1所示之顯示裝置100係採用具有自第2基板104側視認由像素部106形成之顯示畫面的構成。 顯示裝置100，由於第1基板102具有可撓曲性，而可使顯示畫面沿至少一個方向彎曲。圖1例示使顯示裝置100沿一個方向(圖1所示之X方向)彎曲之狀態。顯示裝置100以顯示畫面成為凸面之方式彎曲。此外，圖1係顯示顯示裝置100沿X方向彎曲之例，但本發明並不限定於此。亦可使顯示裝置100沿與一個方向為交叉之方向(圖1所示之Y方向)彎曲，再者還可沿X方向及Y方向此兩個方向彎曲。且，包含亦可相對於X方向及Y方向朝傾斜方向彎曲之構成。顯示裝置100具有除使顯示畫面彎曲為凸面以外，亦可使其彎曲為凹面之構成。 圖2顯示如此之顯示裝置100之電路構成。顯示裝置100具備：配列有像素116之像素部106、第1驅動電路108、第2驅動電路110、第3驅動電路112、及包含複數個端子118之端子部114。該等之各部位設置於具有可撓曲性之第1基板102上。在本發明之一個實施方式中，於像素116內設置有發光元件作為顯示元件。此外，顯示元件並不限定於發光元件，可應用為了顯示畫像而使用之其他之元件。例如，可使用利用液晶之光電效應之液晶元件、電致變色元件。 像素部106沿列方向(圖2所示之X方向)配設有第1閘極配線120及第2閘極配線122，沿行方向(圖2所示之Y方向)配設有資料配線124。又，像素部106配設有將電力供給至各像素116之發光元件之第1電源線126。第1驅動電路108將信號輸出至第1閘極配線120，第2驅動電路110將信號輸出至第2閘極配線122，第3驅動電路112將信號輸出至資料配線124。端子部114被輸入驅動顯示裝置100之信號。 此外，圖2顯示像素116沿列方向及行方向正方配列之一例，但本發明之一個實施方式並不限定於此。例如，作為像素116之配列亦可應用三角形配列或波形瓦(Pen Tile)配列等其他之配列形式。且，在顯示裝置100中，驅動電路、信號線、電源線之各構成可適宜地變更。 圖3顯示像素116之電路構成(像素電路)之一例。像素電路包含：第1電晶體130、第2電晶體132、驅動電晶體134、發光元件136、及保持電容元件138。驅動電晶體134具有作為控制端子之閘極、作為輸入輸出端子之源極及汲極之各端子。例如，在圖3中，驅動電晶體134之汲極經由第2電晶體132與第1電源線126電性連接，源極與發光元件136之一個端子電性連接。發光元件136之一個端子經由驅動電晶體134及第2電晶體132與第1電源線126連接，另一個端子與第2電源線128連接。在第1電源線126被賦予高電位(PVDD)，在第2電源線128被賦予低電位(PVSS)。 驅動電晶體134之閘極經由第1電晶體130與資料配線124電性連接。第1電晶體130藉由賦予至第1閘極配線120之控制信號SG(具有振幅VGH/VGL)而導通關斷(ON/OFF)之動作受到控制。第1電晶體130藉由高電位之控制信號VGH而被控制為導通，藉由低電位之控制信號VGL而被控制為關斷。在第1電晶體130導通時，基於資料配線124之資料信號之電位被賦予至驅動電晶體134之閘極。第2電晶體132藉由被賦予至第2閘極配線122之控制信號BG(具有振幅VGH/VGL)，而相同地導通關斷(ON/OFF)之動作受到控制。 在驅動電晶體134之源極與閘極之間設置有保持電容元件138。由保持電容元件138保持驅動電晶體134之閘極電位。發光元件136之發光強度由驅動電晶體134之汲極電流控制。若在驅動電晶體134之閘極被賦予基於資料信號之電位，第2電晶體132成為導通，則電流朝發光元件136流動。藉此，發光元件136發光。 圖4顯示像素116之第1電晶體130、第2電晶體132、驅動電晶體134、發光元件136、保持電容元件138、第1閘極配線120、第2閘極配線122、資料配線124、及第1電源線126的配置。 驅動電晶體134具有半導體層142a、及閘極電極148a。半導體層142a之源極區域在第1接觸孔166a與源極配線154連接，汲極區域在第2接觸孔166b與汲極配線156連接。源極配線154在第3接觸孔166c與像素電極162連接。第1電晶體130具有半導體層142b、及閘極電極148b，閘極電極148b與沿一個方向(圖4所示之X方向)延伸之第1閘極配線120a連接。第1電晶體130之對應於源極及汲極之輸入輸出端子之一者與沿與一個方向為交叉之方向(圖4所示之Y方向)延伸之資料配線124a連接，另一者和與驅動電晶體134之閘極電極148a連接之閘極配線150連接。第2電晶體132具有半導體層142c、及閘極電極148c，閘極電極148c與沿一個方向(圖4所示之X方向)延伸之第2閘極配線122a連接。第2電晶體132之對應於源極及汲極之輸入輸出端子之一者與沿和一個方向為交叉之方向(圖4所示之Y方向)延伸之第1電源線126a連接，另一者與連接於驅動電晶體134之汲極之汲極配線156連接。保持電容元件138形成於半導體層142a、保持電容電極164所重疊之區域。此外，在圖4中省略閘極絕緣層、層間絕緣層等。 本發明之一個實施方式之顯示裝置100可如圖1所示般彎曲包含顯示畫面之區域。另外，顯示裝置100包含即便在使像素部106彎曲之情形下亦防止可靠性之降低之構造。以下，說明其細節。 [第1實施方式] 本實施方式例示可沿至少一個方向彎曲之顯示裝置之構造。圖5顯示具有圖4所示之構成之像素116在像素部106中配列之態樣。圖5顯示有：第1像素116a、第2像素116b、第3像素116c及第4像素116d、沿一個方向(圖5所示之X方向)延伸之第1閘極配線120a、120b、120c、第2閘極配線122a、122b、122c、及沿與一個方向為交叉之方向(圖5所示之Y方向)延伸之資料配線124a、124b、124c、及第1電源線126a、126d、126c。亦即，在像素部106中，第1閘極配線120及第2閘極配線122沿第1像素116a與第4像素116d配列之方向延伸，資料配線124與第1電源線126沿第1像素116a與第2像素116b配列之方向延伸。 在圖5中雖未明示，但在第1閘極配線120a、120b及第2閘極配線122a、122b與資料配線124a、124b及第1電源線126a、126b之間設置有由無機絕緣材料形成之第1絕緣層。另外，第1絕緣層設置有將第1閘極配線120a、120b、120c之上表面部開口之第1開口部176a～176f。且，第1絕緣層設置有將第2閘極配線122a、122b、122c之上表面部開口之第2開口部178a～178f。 其次，將沿圖5所示之A-B線之剖面構造在圖6中顯示。又，該A-B線係設定為對應於圖4所示之像素116之配置圖之A-B線者。 圖6顯示有：驅動電晶體134、發光元件136、保持電容元件138之剖面構造。且，圖6顯示有：第1閘極配線120a、第2閘極配線122d、第1電源線126a及資料配線124b之剖面構造。該等要件設置於第1基板102上。 此外，第1基板102使用具有可撓曲性之基板。例如，使用有機樹脂薄膜作為第1基板102。作為有機樹脂薄膜之一例，可使用聚醯亞胺薄膜。聚醯亞胺薄膜之厚度較佳者為1～100 μm，更佳者為1～50 μm。作為基板材料，聚醯亞胺為一例，該材料由於耐熱性、耐藥品性、機械性強度優異，故作為本實施方式所使用之基板材料為較佳者。 在第1基板102中，於設置有驅動電晶體134之第1面設置有基底絕緣層140。在本實施方式中，基底絕緣層140並非是必需之構成，其具有作為防止雜質自第1基板102側朝半導體層142側擴散之障壁層之機能。 驅動電晶體134之構成包含：半導體層142a、閘極絕緣層146、及閘極電極148a。半導體層142a之源極區域與源極配線154連接，汲極區域與汲極配線156連接。在閘極電極148a與源極配線154及汲極配線156之間設置有第1絕緣層152。源極配線154經由形成於第1絕緣層152之第1接觸孔166a而與半導體層142a之源極區域接觸，汲極配線156經由形成於第1絕緣層152之第2接觸孔166b而與半導體層142a之汲極區域接觸。 在第1絕緣層152上設置有第2絕緣層158。在第2絕緣層158上設置有像素電極162。第2絕緣層158成為像素電極162之基底面，用作使該基底面平坦化之平坦化膜。源極配線154與像素電極162經由形成於第2絕緣層158之第3接觸孔166c而連接。 在本實施方式中，半導體層142由各種半導體材料形成。例如，作為半導體層142，可應用矽半導體，更具體而言，使用多晶矽膜或非晶質矽膜，此外，半導體層142亦可使用具有半導體特性之金屬氧化物(例如亦稱為「氧化物半導體」)。閘極電極148a及閘極配線120a由鋁、鈦、鉬、鎢等之金屬材料形成，具有例如鈦與鋁積層而成之構造。第1絕緣層152使用無機絕緣材料，例如為氮化矽膜、或氮化矽膜及氧化矽膜之積層體。第2絕緣層158使用有機絕緣材料，由例如聚醯亞胺、丙烯酸等之樹脂材料形成。又，基底絕緣層140具有氧化矽與氮化矽積層而成之構造，例如具有以氧化矽膜夾有氮化矽膜之上層及下層之構造。 像素電極162之周緣部由被稱為分離圍堰層168之絕緣層包圍。分離圍堰層168覆蓋像素電極162之端部及第3接觸孔166c。發光元件136之構成包含：像素電極162、有機層170及對向電極172。在發光元件136之上表面設置有密封層174。密封層174係構成為包含不會使水分等透過之氮化矽膜。在圖6中雖未圖示，但在密封層174之上層側設置有第2基板104。 有機層170由一層或複數層構成，至少在一部分上包含有機電致發光材料。發光元件136於在像素電極162與對向電極172之間施加發光臨限值電壓以上之電壓時發光。在本實施方式中應用像素電極162利用透明導電膜與金屬膜之積層構造來反射在有機層170發光之光的構成。例如，像素電極162具有至少2層之透明導電膜、及由該2層之透明導電膜夾著之金屬膜(較佳者係例如銀(Ag)、鋁(Al)等之反射率高之材料)。對向電極172由透明導電膜形成。在有機層170發光之光自對向電極172側出射。 保持電容元件138具有保持電容電極164與第1絕緣層152及源極配線154重疊之構造。保持電容電極164與閘極電極148a在同一層上形成。 在圖6中，第1絕緣層152設置有將第1閘極配線120a之上表面開口之第1開口部176a、及將第2閘極配線122c之上表面開口之第2開口部178e。亦即，第1絕緣層152具有與閘極配線(第1閘極配線120a、第2閘極配線122c)之上表面部重疊之部分之一部分經除去的區域。然而，第1絕緣層152並非將位於下層側之閘極配線(第1閘極配線120a、第2閘極配線122c)之全部開口，而是以至少被覆閘極配線(第1閘極配線120a、第2閘極配線122c)之側面部之方式設置。 如此之第1開口部176及第2開口部178可於在第1絕緣層152形成第1接觸孔166a、及第2接觸孔166b時同時形成。因而，為了在第1絕緣層152形成第1開口部176及第2開口部178，即便不增加步驟數亦可實現。 第1開口部176、第2開口部178沿第1閘極配線120、第2閘極配線122延伸之方向具有細長之開口形狀。換言之，在第1絕緣層152上，沿像素電極162之一邊設置有矩形之第1開口部176、第2開口部178。當然，第1開口部176及第2開口部178係去除第1閘極配線120、第2閘極配線122與資料配線124及第1電源線126交叉之區域而設置。 第1絕緣層152由於由氧化矽膜、氮化矽膜等之無機絕緣膜形成而具有脆性。因而，若使第1基板102彎曲至某一曲率以上，則在第1絕緣層152中會產生裂痕。又，在第1絕緣層152之下層側由於設置有閘極配線而存在階差部。由於第1絕緣層152以覆蓋該階差部之方式設置，若使第1基板102彎曲，則處於應力容易集中在覆蓋該階差部之區域之狀況。亦即，由於應力在被覆第1閘極配線120、第2閘極配線122之部分集中，而可謂是因使第1基板102彎曲，而在第1絕緣層152中容易產生裂痕。另一方面，第1閘極配線120、第2閘極配線122由於為金屬膜而具有塑性，而相對於第1基板102之彎曲而具有耐性。 本實施方式藉由在第1絕緣層152與第1閘極配線120及第2閘極配線122重疊之區域設置第1開口部176及第2開口部178，而形成為緩和第1絕緣層152所蒙受之彎曲應力的構造，藉而防止裂痕之產生。亦即，在第1絕緣層152中，藉由在與被認為應力集中之閘極配線重疊之區域設置開口部(亦可為缺口部)，而使彎曲應力不會集中在第1絕緣層152之特定部分。 進而，設置於第1絕緣層152之第1開口部176及第2開口部178被形成第2絕緣層158之有機絕緣材料埋入。如此，藉由將去除第1絕緣層152之區域以形成第2絕緣層158之有機樹脂埋入，而防止在彎曲第1基板102時第1絕緣層152之裂痕之產生。 本實施方式藉由採用在覆蓋閘極配線之無機絕緣層設置將該閘極配線之上表面開口之開口部，並在該開口部埋入與無機絕緣層積層之有機絕緣層的構造，而使該部位作為應力緩和區域而發揮機能。在以下之說明中，亦將該部位稱為「應力緩和區域」。如此之應力緩和區域，較佳者係預先設置於如圖1所示般使顯示裝置100彎曲之情形下之其彎曲部。 根據本實施方式，能夠提供藉由將設置於第1絕緣層152之開口部(第1開口部176、第2開口部178)沿閘極配線(第1閘極配線120、第2閘極配線)之方向設置，藉而因應力緩和區域之作用，沿與其平行之方向容易彎曲的顯示裝置。 此外，第1絕緣層152用作相對於驅動電晶體134等之保護膜。亦即，第1絕緣層152具有作為防止水分等浸入半導體層142之阻擋層的機能。然而，由於在第1絕緣層152設置有第1開口部176及第2開口部178，故有作為阻擋層之機能受損之擔憂。但是，形成閘極配線之金屬層一般而言水蒸氣透過率低，而具有防止水分等之浸入之特性。本實施方式藉由將設置於第1絕緣層152之第1開口部176設置於第1閘極配線120上，且將第2開口部178設置於第2閘極配線122上，而使作為阻擋層之機構不會受損。 作為具體的構成，藉由在第1絕緣層152包含至少1層之氮化矽膜，而提高作為防止水分等之雜質浸入之障壁層的機能。且，第1閘極配線120、第2閘極配線122所使用之鋁、鈦、鉬等之金屬膜相對於水分等具有障壁性。因而，即便在第1絕緣層152設置有第1開口部176，藉由將該第1開口部176以重疊於第1閘極配線120之上表面部之方式設置，而能夠維持作為障壁層之機能。 亦即，藉由第1開口部176之寬度較第1閘極配線120之寬度狹窄地設定，第1絕緣層152覆蓋第1閘極配線120之側面部及上端面，藉而能夠形成防止水分等之雜質浸入的密閉構造。藉此，由於驅動電晶體134之半導體層142之上表面被由第1絕緣層152與第1閘極配線120、第2閘極配線122形成之密封構造覆蓋，下表面被包含氮化矽膜之基底絕緣層140覆蓋，故能夠防止水分等之雜質浸入，而能夠防止可靠性之降低。 此外，如圖7所示般，即便於在第1絕緣層152與第2絕緣層158之間設置由無機絕緣膜形成之第3絕緣層160之情形下，亦可同樣地設置第1開口部176a、第2開口部178e。第3絕緣層160係與第1絕緣層152相同地以氧化矽膜或氮化矽膜、或是氮化矽膜及氧化矽膜之積層體設置。在此情形下，由於在第1閘極配線120及第2閘極配線122上積層有第1絕緣層152與第2絕緣層158，故第1開口部176a與第2開口部178e係以貫通此2個絕緣層之方式設置。 如此，根據本實施方式可提供至少沿閘極配線延伸之方向容易彎曲之顯示裝置。而且，由於即便使顯示裝置彎曲，亦能夠使第1絕緣層不產生裂痕，故能夠防止可靠性之降低。 [第2實施方式] 本實施方式顯示第1絕緣層之開口部與第1實施方式不同之一例。圖8顯示圖4所示之像素116在像素部106中配列之態樣。又，圖9顯示對應於圖8所示之A-B線之像素之剖視圖。在以下之說明中，參照圖8及圖9進行說明。此外，該A-B線係設定為對應於圖4所示之像素116之配置圖之A-B線者。以下，針對與圖6所示之構造不同之部分進行說明。 在本實施方式中，在圖8所示之像素部106中，於資料配線124a、124b、124c、及第1電源線126a、126d、126c之上層設置有第3絕緣層160。另外，第3絕緣層160在與資料配線124a重疊之位置設置有第3開口部180a，在與第1電源線126a重疊之位置設置有第4開口部182a。第3開口部180a沿資料配線124a延伸之方向開口擴展，第4開口部182a沿第1電源線126a延伸之方向開口擴展。如此之開口部之形狀針對資料配線124b、124c之第3開口部180b、180c、及第1電源線126c、126d之第4開口部182c、182d亦相同。第3開口部180、第4開口部182沿資料配線124、第1電源線126延伸之方向具有細長開口形狀。換言之，在第1絕緣層152上，沿像素電極162之一邊設置有矩形之第3開口部180、第4開口部182。 圖9所示之像素部106在資料配線124c及第1電源線126a、以及與該配線在同一層上形成之源極配線154及汲極配線156上設置有第3絕緣層160。第3絕緣層160係與第1絕緣層152相同地由無機絕緣材料形成。第3絕緣層160具有例如氮化矽膜、或氮化矽膜與氧化矽膜積層而成之構造。如此之第3絕緣層160與第1絕緣層152相同地作為相對於電晶體之保護膜而發揮機能。 第3絕緣層160設置有將資料配線124b之上表面部開口之第3開口部180b，並設置有將第1電源線126a之上表面部開口之第4開口部182a。亦即，第3絕緣層160在資料配線124c及第1電源線126a之上表面部具有被去除之區域。第3絕緣層160以覆蓋資料配線124c及第1電源線126a之側面部及上端部之方式設置。 由於第3絕緣層160為無機絕緣膜，故與第1絕緣層152相同地具有脆性。因而，若使第1基板102彎曲至某一曲率以上，則有產生裂痕之問題。另一方面，由於資料配線124與第1電源線126以鈦、鉬、鋁等之金屬膜形成(例如以鈦膜夾著鋁膜之上層及下層之構造)而具有塑性。因此，即便使第1基板102彎曲，資料配線124及第1電源線126亦不產生裂痕，而具有相對於彎曲之耐性。本實施方式藉由第3絕緣層160在與資料配線124及第1電源線126重疊之區域具有第3開口部180及第4開口部182，而設定為緩和第3絕緣層160所蒙受之彎曲應力的構造，藉而防止裂痕之產生。 進而，在設置於第3絕緣層160之第3開口部180及第4開口部182埋入有形成第2絕緣層158之有機絕緣材料。藉由將已去除第3絕緣層160之區域以形成第2絕緣層158之有機絕緣材料埋入，而防止在彎曲第1基板102時於第3絕緣層160中之裂痕之產生。如此，在本實施方式中，藉由採用在設置於閘極配線之上層之覆蓋資料配線與電源線之無機絕緣層設置開口部，並在該開口部埋入有機絕緣層之構造，而使該部位作為應力緩和區域而發揮機能。 根據本實施方式，能夠提供藉由將設置於第3絕緣層160之開口部(第3開口部180、第4開口部182)沿資料配線124之方向(圖8所示之Y方向)設置，藉而因應力緩和區域之作用，而沿與其平行之方向使第1基板102容易彎曲的顯示裝置。 又，藉由設置於第3絕緣層160之開口部具有將資料配線124、第1電源線126之上表面部開口，且至少覆蓋側面部之形態，藉而作為保護膜之機能不會受損。藉此，驅動電晶體134之半導體層142a藉由上表面被由第1絕緣層152、以及第3絕緣層160、資料配線124及第1電源線126形成之密封構造覆蓋，下表面被基底絕緣層140覆蓋，而受到保護以使水分等之雜質不會浸入。 如此，根據本實施方式，可提供至少沿資料配線延伸之方向容易彎曲之顯示裝置。而且，由於即便使顯示裝置彎曲，亦能夠使第3絕緣層不產生裂痕，故能夠防止可靠性之降低。 [第3實施方式] 本實施方式顯示能夠沿以下兩個方向彎曲之顯示裝置之一例，即：沿一個方向延伸之閘極配線、及沿與該一個方向為交叉之方向延伸之資料配線的兩個方向。 圖10顯示圖4所示之像素116在像素部106中配列之態樣。又，圖11顯示對應於圖10所示之A-B線之像素之剖視圖。在以下之說明中，參照圖10及圖11進行說明。此外，該A-B線係設定為對應於圖4所示之像素116之配置圖之A-B線者。以下，針對與圖6所示之構造不同之部分進行說明。 在本實施方式中，於圖10所示之像素部106中，在第1閘極配線120a、120b及第2閘極配線122a、122b與資料配線124a、124b及第1電源線126a、126c之間，設置有由無機絕緣材料形成之第1絕緣層。又，在第1絕緣層152上設置有第3絕緣層160。在第1絕緣層152及第3絕緣層160設置有將第1閘極配線120a、120b、120c之上表面部開口之第1開口部176a～176f。又，在第1絕緣層152及第3絕緣層160設置有將第2閘極配線122a、122b、122c之上表面部開口之第2開口部178a～178f。 再者，第3絕緣層160在重疊於資料配線124a之位置設置有第3開口部180a，在重疊於第1電源線126a之位置設置有第4開口部182a。第3開口部180a及第4開口部182a分別沿資料配線124a及第1電源線126a延伸之方向延伸。如此之形態針對資料配線124b、124c之第3開口部180b、180c、及第1電源線126c、126d之第4開口部182c、182d亦相同。 第1絕緣層152之第1開口部176a及第2開口部178e、以及第3絕緣層160之第3開口部180b及第4開口部182a之構成係與第1實施方式、及第2實施方式所示之構成相同。藉此能夠提供無論是在沿閘極配線之方向上彎曲之情形下，還是在沿資料配線之方向上彎曲之情形下，相對於兩者容易彎曲之顯示裝置。 [第4實施方式] 本實施方式顯示在第2實施方式之資料配線124與第3絕緣層160之第3開口部180之構成、及第1電源線126與第3絕緣層160之第4開口部182之構成中，將在資料配線124及第1電源線126之下層側存在之第1絕緣層152去除的構成。以下，參照圖12所示之像素之平面配置圖、及圖13所示之對應於A-B線之剖視圖，針對與第2實施方式不同之部分進行說明。 在圖12所示之像素部106中，雖未圖示，但設置有第1絕緣層152及第3絕緣層160。第3絕緣層160設置有將資料配線124a～124c之上表面部開口之第3開口部180a～180c，並設置有將第1電源線126之上表面部開口之第4開口部182a、182c、182d。其與在第2實施方式中描述之構成相同。另一方面，在第2實施方式中殘存有配置於資料配線124及第1電源線126之下層之第1絕緣層152。相對於此，在本實施方式中，於第1絕緣層152中，在與資料配線124a～124c重疊之區域設置有第5開口部184a1～184c2，在與第1電源線126a、126c、126d重疊之區域設置有第6開口部186a1、186a2、186c1、186c2、186d1、186d2。第5開口部184a1～184c2及第6開口部186a1、186a2、186c1、186c2、186d1、186d2為貫通第1絕緣層152之開口部。並且，第5開口部184a1～184c2及第6開口部186a1、186a2、186c1、186c2、186d1、186d2沿資料配線124a～124c及第1電源線126a～126c延伸之方向設置，但在與第1閘極配線120a～120c及第2閘極配線122a～122c交叉之區域為了使配線層之間絕緣而未設置。 另外，在第1絕緣層152之下層，對應於第5開口部184a1～184c2而設置有第1金屬圖案190a1～190f1。且，對應於第6開口部186a1～186c2而設置有第2金屬圖案190a1～190f1。資料配線124a～124c在第5開口部184a1～184c2處與第1金屬圖案190a1～190f1分別接觸。且，第1電源線126a、126c、126d在第6開口部186a1、186a2、186c1、186c2、186d1、186d2處與第2金屬圖案190a1、190a2、190b1、190b2、190c1、190c2、190d1、190d2、190e1、190f1、190g2、190h2分別接觸。 如圖13所示，第1絕緣層152之第5開口部184b1因上層之資料配線124c落入至下層之第1金屬圖案190e1而被封塞。相同地，第1絕緣層152之第6開口部186a1因上層之第1電源線126a落入至下層之第2金屬圖案190e1而被封塞。如此，第1絕緣層152即便設置有第5開口部184、第6開口部186，但亦被資料配線124與第1金屬圖案190、及第1電源線126與第2金屬圖案190封塞，而保持作為相對於半導體層142之保護膜的機能。 根據本實施方式，藉由將設置於第3絕緣層160之第3開口部180與設置於第1絕緣層152之第5開口部184以重疊之方式設置，進而在該部位設置資料配線124，進而在資料配線124之下層側設置第1金屬圖案190的構造，藉而沿資料配線124設置有應力緩和區域。又，藉由將設置於第3絕緣層160之第4開口部182與設置於第1絕緣層152之第6開口部186以重疊之方式設置，進而在該部位設置第1電源線126，進而在第1電源線126之下層側設置第2金屬圖案190的構造，藉而沿第1電源線126設置有應力緩和區域。藉此，由於配置於資料配線124及第1電源線126之下層之第1絕緣層152被去除，而可獲得進一步提高相對於第1基板102之彎曲之耐性的應力緩和構造。 根據本實施方式，能夠提供在沿資料配線124或第1電源線126之方向上容易彎曲之顯示裝置。在此情形下，由於資料配線124之下層側之無機絕緣層被部分地去除，而能夠更有效地防止在無機絕緣層中產生裂痕。 此外，在本實施方式中顯示在第1絕緣層152設置有對應於資料配線124之第5開口部184，並設置有對應於第1電源線126之第6開口部186的態樣，但本發明並不限定於此。例如，即便在第1絕緣層152於資料配線124及第1電源線126之一者設置本實施方式之應力緩和構造，亦可獲得相同之效果。 另外，在本實施方式中亦然，可與第3實施方式相同地在第1絕緣層152附加將第1閘極配線120之上表面露出之第1開口部176、及將第2閘極配線122之上表面露出之第2開口部178。藉此，能夠提供使第1基板102無論是在沿閘極配線之方向彎曲之情形，還是在沿資料配線之方向上彎曲之情形下，對於兩者均容易彎曲之顯示裝置。 [第5實施方式] 本實施方式例示像素116之配線構造、及將無機絕緣層開口之開口部之構造不同之一例。 圖14顯示有：像素116之第1電晶體130、第2電晶體132、驅動電晶體134、發光元件136、保持電容元件138、第1閘極配線120、第2閘極配線122、資料配線124、及第1電源線126之配置。與圖4所示之像素之配置之不同在於驅動電晶體134與第2電晶體132之連接構造。 在圖14中，驅動電晶體134之半導體層142a與第2電晶體132之半導體層142c作為連續之一個島狀半導體區域而設置。連結驅動電晶體134之半導體層142a與第2電晶體132之半導體層142c的半導體區域摻雜有與汲極區域相同之雜質而低電阻化。因此，該半導體區域具有與圖4所示之汲極配線156相同之機能。 圖15顯示圖14所示之像素116在像素部106中配列之態樣。以下，參照圖15所示之像素之平面配置圖、及圖16所示之對應於A-B線之剖視圖，針對與第1實施方式不同之部分進行說明。 圖15顯示有：第1像素116a、第2像素116b、第3像素116c、及第4像素116d，在各像素內設置有將上述半導體區域開口之第7開口部188(第7開口部188a～188d)。 圖16顯示包含驅動電晶體134與第2電晶體132之像素部106之剖面構造。驅動電晶體134之半導體層142a與第2電晶體132之半導體層142c連續地設置。連接半導體層142a與半導體層142c之經摻雜之半導體區域作為汲極配線192而發揮機能。在半導體層142a及半導體層142c之上層設置有閘極絕緣層146及第1絕緣層152，而由半導體層形成之汲極配線192之上層的閘極絕緣層及第1絕緣層被去除。亦即，在閘極絕緣層146設置有將由半導體層形成之汲極配線192露出之第7開口部188。亦即，第7開口部188將由半導體層形成之汲極配線192之上表面開口。第7開口部188埋入有形成第2絕緣層158之有機絕緣材料，而與第1實施方式相同地作為應力緩和區域而發揮機能。 又，如圖17所示，可在第7開口部188設置金屬配線層194。藉此，能夠以金屬配線層194將設置於閘極絕緣層146及第1絕緣層152之第7開口部188予以密封。亦即，藉由設置覆蓋形成於閘極絕緣層146及第1絕緣層152之第7開口部188、並與由半導體層形成之汲極配線192相接之金屬配線層194，而能夠設置形成電晶體之半導體層被無機絕緣膜及金屬膜覆蓋之密封構造。進而，藉由在第7開口部188設置金屬配線層194，而能夠追求由半導體層形成之汲極配線192之低電阻化。 如此，藉由將去除無機絕緣層之區域設置於像素區域內，防止在彎曲顯示裝置時於無機絕緣層中產生裂痕，而能夠用作為應力緩和區域。 此外，在圖14及圖15中，雖也同時顯示第1閘極配線120上之第1開口部176(176a～176f)、第2閘極配線122上之第2開口部178(178a～178f)，但本實施方式並不限定於此。即便僅在像素116中僅在第7開口部188設置應力緩和區域，亦能夠防止在彎曲顯示裝置時於無機絕緣層中產生裂痕。又，亦可將本實施方式所示之構成、與第1實施方式至第4實施方式所示之各構成適宜地組合而實施。 [第6實施方式] 在圖6所示之像素部106之構成中，顯示驅動電晶體為頂部閘極型之構造、及對應於該構造之閘極配線及資料配線之構造，但本發明並不限定於此。例如，可行的是驅動電晶體為逆交錯型之構造，並具有對應於該構造之閘極配線及資料配線之構造。 圖18顯示具有逆交錯型之驅動電晶體134之像素部106之構成。在基底絕緣層140之上設置有閘極電極148，在其上層積層有閘極絕緣層146、半導體層142a。以與半導體層142a相接之方式設置有源極配線154、汲極配線156。此外，可在半導體層142a與源極配線154及汲極配線156之間設置對應於源極區域及汲極區域之經低電阻化之半導體層144。在源極配線154及汲極配線156上設置有第1絕緣層152及第2絕緣層。較第2絕緣層158更上層之構成與圖6相同。 第1閘極配線120a及第2閘極配線122c較閘極絕緣層146形成於更下層。因而，第1開口部176a及第2開口部178e以不僅貫通第1絕緣層152亦貫通閘極絕緣層146之方式設置。在該第1開口部176a及第2開口部178e埋入有形成第2絕緣層158之有機絕緣層。 又，與源極配線154及汲極配線156在同一層上形成之資料配線124a及第1電源線126被第1絕緣層152覆蓋。在該上表面部亦可設置相當於第3開口部180及第4開口部182之開口部。 如此，藉由配設於像素區域之配線、設置於被覆該配線之無機絕緣層之開口部、及將該開口部埋入之有機絕緣層，而能夠與第1實施方式相同地設置緩和由像素部106之彎曲發生之應力而防止在無機絕緣層中產生裂痕的構造。 [第7實施方式] 本實施方式除在第1實施方式至第5實施方式中所說明之應力緩和構造以外，亦例示能夠規制彎曲顯示裝置之方向的構造。 圖20具有與第1實施方式所示之像素部相同之構成，但在以下點上不同，即：在第2絕緣層158上於與第1開口部176a、第2開口部178e重疊之區域設置有膜厚與其他區域相比為厚之凸部196。亦即，第2絕緣層158雖然其設置有像素電極162之區域為平坦，但在像素電極162之外側區域設置有膜厚較其他區域為厚之凸部。第2絕緣層158之凸部196以與第1開口部176a及第2開口部178e重疊之方式沿第1閘極配線120及第2閘極配線122延伸之方向設置為帶狀。 如此之第2絕緣層158之凸部196，與顯示裝置100沿與第1閘極配線120、第2閘極配線122平行之方向彎曲之情形相比，以沿與其為交叉之方向不易彎曲之方式作用。藉此，與第1基板102之一個主面以朝外側成為凸面之方式彎曲之情形相比，該一個主面不易朝成為凹面之方向彎曲。又，如圖19所示，藉由在沿第1閘極配線120及第2閘極配線122設置應力緩和構造時，沿其設置第2絕緣層158之凸部196，藉而能夠防止在沿一個方向彎曲顯示裝置100時於第1絕緣層152等之無機絕緣層中產生裂痕。 圖21顯示在第2絕緣層158中於與設置於第1絕緣層152之第1開口部176a、第2開口部178e重疊之區域，具有膜厚與其他區域相比變小之凹部200的構成。第2絕緣層158之凹部200以與第1開口部176及第2開口部178重疊之方式沿第1閘極配線120及第2閘極配線122延伸之方向設置為帶狀。 第2絕緣層158藉由具有凹部200，而在使第1基板102之一個主面以朝內側成為凹面之方式彎曲之情形下容易彎曲。在此情形下，藉由沿顯示裝置100容易彎曲之方向設置應力緩和構造，而能夠防止在無機絕緣層中產生裂痕。 如圖19所示，在像素部106中，像素間之區域為非顯示區域。藉由在該區域之第2絕緣層158內設置凸部196或凹部200，而能夠在保持像素116之平坦性不變之狀態下設置規制顯示裝置彎曲之方向之構造。 第2絕緣層158之凸部196或凹部200之形狀可利用蝕刻來製作。例如，可以在第2絕緣層158形成凸部196或凹部200之方式，將第2絕緣層158之表面回蝕。又，可使用感光性之有機樹脂材料，利用半曝光技術，以在第2絕緣層158形成凸部196或凹部200之方式，使第2絕緣層158成形。 在本實施方式中所示之設置有第2絕緣層158之凸部196或凹部200之區域可在像素部106均勻地設置，亦可在特定之區域設置。圖22係顯示在像素部106中第2絕緣層158分別設置有以下區域之顯示裝置100的一例，即：設置有凸部196之凸部區域198、及設置有凹部200之凹部區域202。顯示裝置100在凸部區域198中以像素部106向外成為凸面之方式彎曲，在凹部區域202中以像素部106成為凹面之方式彎曲。又，在凸部區域198與凹部區域202之間可包含在第2絕緣層158未設置有凸部196及凹部200的區域。 如此，藉由部分地設置凸部區域198、凹部區域202，而能夠將容易彎曲之區域製入像素部106中，而能夠提供具有曲面狀之顯示畫面之顯示裝置100。 圖23係顯示在第1基板由有機樹脂層形成之情形下，樹脂層具有2層構造之情形。第1基板102b具有第1樹脂層204a及第2樹脂層204b，在此兩者之間設置有無機絕緣層206a。在如此之第1基板102中，配合於使第2絕緣層158之膜厚不同之區域設置有使第1基板102b之一部分減薄之槽隙208。能夠使設置有發光元件136之部分儘量不彎曲，並使像素電極162之周邊區域優先彎曲。藉此，能夠儘量不對發光元件136之有機層170施加應力，而能夠防止例如有機層170自像素電極162剝離。 第1基板102b藉由以將第1樹脂層204a去除或減薄之方式加工，而能夠設置槽隙208。例如，可利用雷射加工以無機絕緣層206a為邊界去除第1樹脂層204a。 又，圖23顯示與第1基板102b對向配置之第2基板104b。在第2基板104b中亦具有第1樹脂層204c及第2樹脂層204d，在該兩者間設置有無機絕緣層206b。並且，藉由在與第1基板102b之槽隙208重疊之區域設置去除第1樹脂層204c之槽隙208，而可使像素電極162之周邊區域優先彎曲。再者，即便設置有槽隙208，第1樹脂層204a亦形成為被基底層140與無機絕緣層206a夾著之形態。因而，可防止水分或氧侵入第1樹脂層204a。 此外，第1基板及第2基板並不限定於如此之2層構造，即便為單層構造，亦能夠藉由設置槽隙208而相同地製入優先彎曲之區域。 根據本實施方式，藉由於第2絕緣層158設置膜厚不同之區域，而能夠規定顯示裝置100容易彎曲之方向。藉由將如此之構成與第1實施方式至第5實施方式之應力緩和區域組合，而能夠提供沿特定之方向容易彎曲，且即便在已彎曲之情形下亦能夠防止劣化的顯示裝置。 [第8實施方式] 第6實施方式揭示使第1基板102之厚度部分地不同之構造，但在本實施方式中藉由在模組級別下附加槽隙，而能夠使顯示裝置100具有柔軟性。圖24顯示在模組級別下設置有槽隙之顯示裝置100之剖面構造的模式圖。 圖24在第1基板102上設置有基底絕緣層140，在其上表面設置有像素電路部1106。在像素電路部1106之上設置有發光元件136a～136c。在發光元件136之上層側設置有第2基板104。在第2基板104之側設置有圓偏光板等之光學薄膜212、觸控面板214、保護膜216。 另外，在像素電路部1106中，以與設置有應力緩和區域之區域重疊之方式在第1基板102(具體而言為樹脂層204b)、熱擴散板210、保護膜610中設置有槽隙208a，在保護膜216中設置有槽隙208b。藉此，作為模組構造整體，能夠確保柔軟性。又，在保護膜216中亦可相同地在對應於第1基板102側之槽隙208a之位置設置槽隙208b。該等槽隙為配置於發光元件136與發光元件136之邊界部之形式。 此外，圖24顯示就每一像素116設置槽隙之態樣，但本發明並不限定於此。例如，可就匯總複數個像素之每一區塊單位設置槽隙。且，槽隙可僅沿像素配列之行方向，或僅沿像素配列之列方向設置。無論何種情況，較佳者係在模組級別下設置之槽隙以與設置於像素部106之應力緩和區域重疊之方式設置。 如此，根據本實施方式，藉由在熱擴散板與保護膜設置槽隙，而能夠提供在模組級別下具有柔軟性之顯示裝置。再者，即便設置有槽隙208，第1樹脂層204a亦形成為被基底層140與無機絕緣層206a包圍全部周邊之形態。因而，可防止水分或氧侵入第1樹脂層204a。 [第9實施方式] 本實施例顯示能夠使顯示畫面彎曲之顯示裝置之一例。圖25顯示本實施方式之像素部106之一例，並將該圖A-B線所示之剖面構造在圖26中顯示。在以下之說明中，參照圖25及圖26進行說明。 圖25在第1像素116a、第2像素116b、第3像素116c、第4像素116d配列之像素部106之構成中，使將各像素之像素電極開口之分離圍堰層168重疊顯示。本實施方式，在像素部106內，重疊於分離圍堰層168之第2絕緣層158之上表面具有成形為波紋形狀或凹凸形狀(或壓花形狀)之凹凸區域218。換言之，第2絕緣層158以在與分離圍堰層168重疊之區域包含膜厚為厚之區域與薄之區域的方式成形為波紋形狀或凹凸形狀。 第2絕緣層158之波紋形狀或凹凸區域218可設置於：與第1開口部176a及第2開口部178e重疊之區域、與第3開口部180c及第4開口部182d重疊之區域、及自與第1開口部176至第4開口部182重疊之區域中所選擇之一個區域、或複數個區域(包含所有之區域)。如此，藉由將第2絕緣層158之波紋形狀或凹凸區域218以與設置於第1絕緣層152之開口部重疊之方式設置，而在第1基板102彎曲之區域，防止在第1絕緣層152中產生裂痕。 根據本實施方式，藉由在第2絕緣層158設置波紋形狀或凹凸形狀，而能夠相對於第1基板102，使設置有像素部106之面側既可易於向內側亦可易於向外側彎曲。在此情形下，藉由將第1實施方式至第5實施方式之構成進行組合，而能夠防止在第1絕緣層152中產生裂痕。 [第10實施方式] 在本發明之一個實施方式中，並不限定於像素部106中像素116之配列。例如，可行的是，如圖27所示，將像素116(像素116a～116j)配列為蜂巢構造，並將閘極配線120及資料配線124以穿過像素間之方式配設為鋸齒狀。藉由在如此之像素部106設置第1實施方式至第5實施方式所示之應力緩和區域，且應用第6實施方式及第7實施方式所示之第2絕緣層158之構造，藉而能夠應用使像素部106朝任何方向皆容易彎曲之構造。
100‧‧‧顯示裝置
102‧‧‧第1基板
104‧‧‧第2基板
106‧‧‧像素部
108‧‧‧第1驅動電路
110‧‧‧第2驅動電路
112‧‧‧第3驅動電路
114‧‧‧端子部
116‧‧‧像素
116a‧‧‧第1像素/像素
116b‧‧‧第2像素/像素
116c‧‧‧第3像素/像素
116d‧‧‧第4像素/像素
116e‧‧‧像素
116f‧‧‧像素
116g‧‧‧像素
116h‧‧‧像素
116i‧‧‧像素
116j‧‧‧像素
118‧‧‧端子
120‧‧‧第1閘極配線
120a‧‧‧第1閘極配線
120b‧‧‧第1閘極配線
120c‧‧‧第1閘極配線
122‧‧‧第2閘極配線
122a‧‧‧第2閘極配線
122b‧‧‧第2閘極配線
122c‧‧‧第2閘極配線
124‧‧‧資料配線
124a‧‧‧資料配線
124b‧‧‧資料配線
124c‧‧‧資料配線
126‧‧‧第1電源線
126a‧‧‧第1電源線
126b‧‧‧第1電源線
126c‧‧‧第1電源線
126d‧‧‧第1電源線
128‧‧‧第2電源線
130‧‧‧第1電晶體
132‧‧‧第2電晶體
134‧‧‧驅動電晶體
136‧‧‧發光元件
136a‧‧‧發光元件
136b‧‧‧發光元件
136c‧‧‧發光元件
138‧‧‧保持電容元件
140‧‧‧基底絕緣層
142a‧‧‧半導體層
142b‧‧‧半導體層
142c‧‧‧半導體層
144‧‧‧半導體層
146‧‧‧閘極絕緣層
148a‧‧‧閘極電極
148b‧‧‧閘極電極
148c‧‧‧閘極電極
150‧‧‧閘極配線
152‧‧‧第1絕緣層
154‧‧‧源極配線
156‧‧‧汲極配線
158‧‧‧第2絕緣層
160‧‧‧第3絕緣層
162‧‧‧像素電極
164‧‧‧保持電容電極
166a‧‧‧第1接觸孔
166b‧‧‧第2接觸孔
166c‧‧‧第3接觸孔
168‧‧‧分離圍堰層
170‧‧‧有機層
172‧‧‧對向電極
174‧‧‧密封層
176a‧‧‧第1開口部
176b‧‧‧第1開口部
176c‧‧‧第1開口部
176d‧‧‧第1開口部
176e‧‧‧第1開口部
176f‧‧‧第1開口部
178a‧‧‧第2開口部
178b‧‧‧第2開口部
178c‧‧‧第2開口部
178d‧‧‧第2開口部
178e‧‧‧第2開口部
178f‧‧‧第2開口部
180a‧‧‧第3開口部
180b‧‧‧第3開口部
180c‧‧‧第3開口部
182a‧‧‧第4開口部
182c‧‧‧第4開口部
182d‧‧‧第4開口部
184a1‧‧‧第5開口部
184a2‧‧‧第5開口部
184b1‧‧‧第5開口部
184b2‧‧‧第5開口部
184c1‧‧‧第5開口部
184c2‧‧‧第5開口部
186a1‧‧‧第6開口部
186a2‧‧‧第6開口部
186c1‧‧‧第6開口部
186c2‧‧‧第6開口部
186d1‧‧‧第6開口部
186d2‧‧‧第6開口部
188‧‧‧第7開口部
188a‧‧‧第7開口部
188b‧‧‧第7開口部
188c‧‧‧第7開口部
188d‧‧‧第7開口部
190a1‧‧‧第1金屬圖案/第2金屬圖案
190a2‧‧‧第1金屬圖案/第2金屬圖案
190b1‧‧‧第1金屬圖案/第2金屬圖案
190b2‧‧‧第1金屬圖案/第2金屬圖案
190c1‧‧‧第1金屬圖案/第2金屬圖案
190c2‧‧‧第1金屬圖案/第2金屬圖案
190d1‧‧‧第1金屬圖案/第2金屬圖案
190d2‧‧‧第1金屬圖案/第2金屬圖案
190e1‧‧‧第1金屬圖案/第2金屬圖案
190f1‧‧‧第1金屬圖案/第2金屬圖案
190g2‧‧‧第2金屬圖案
190h2‧‧‧第2金屬圖案
192‧‧‧汲極配線
194‧‧‧金屬配線層
196‧‧‧凸部
198‧‧‧凸部區域
200‧‧‧凹部
202‧‧‧凹部區域
204a‧‧‧第1樹脂層
204b‧‧‧第2樹脂層/樹脂層
204c‧‧‧第1樹脂層
204d‧‧‧第2樹脂層
206a‧‧‧無機絕緣層
206b‧‧‧無機絕緣層
208a‧‧‧槽隙
208b‧‧‧槽隙
210‧‧‧熱擴散板
212‧‧‧光學薄膜
214‧‧‧觸控面板
216‧‧‧保護膜
218‧‧‧凹凸區域
610‧‧‧保護膜
1106‧‧‧像素電路部
BG‧‧‧控制信號
PVDD‧‧‧高電位
PVSS‧‧‧低電位
SG‧‧‧控制信號
VGH/VGL‧‧‧振幅
VGH‧‧‧高電位之控制信號
VGL‧‧‧低電位之控制信號
圖1係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置之外觀的立體圖。 圖2係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置之構成的圖。 圖3係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置之像素之等效電路的圖。 圖4係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置之像素之配置的平面圖。 圖5係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置之像素部之構成的平面圖。 圖6係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置之像素部之構造的剖視圖。 圖7係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置之像素部之構造的剖視圖。 圖8係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置之像素部之構成的平面圖。 圖9係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置之像素部之構造的剖視圖。 圖10係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置之像素部之構成的平面圖。 圖11係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置之像素部之構造的剖視圖。 圖12係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置之像素部之構成的平面圖。 圖13係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置之像素部之構造的剖視圖。 圖14係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置之像素之配置的平面圖。 圖15係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置之像素部之構成的平面圖。 圖16係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置之像素部之構造的剖視圖。 圖17係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置之像素部之構造的剖視圖。 圖18係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置之像素部之構造的剖視圖。 圖19係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置之像素部之構成的平面圖。 圖20係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置之像素部之構造的剖視圖。 圖21係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置之像素部之構造的剖視圖。 圖22係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置之外觀的立體圖。 圖23係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置之像素部之構造的剖視圖。 圖24係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置之像素部之構成的剖視圖。 圖25係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置之像素部之構成的平面圖。 圖26係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置之像素部之構造的剖視圖。 圖27係顯示本發明之一個實施方式之顯示裝置之像素部之構成的平面圖。
106‧‧‧像素部
116a‧‧‧第1像素/像素
116b‧‧‧第2像素/像素
116c‧‧‧第3像素/像素
116d‧‧‧第4像素/像素
120a‧‧‧第1閘極配線
120b‧‧‧第1閘極配線
120c‧‧‧第1閘極配線
122a‧‧‧第2閘極配線
122b‧‧‧第2閘極配線
122c‧‧‧第2閘極配線
124a‧‧‧資料配線
124b‧‧‧資料配線
124c‧‧‧資料配線
126a‧‧‧第1電源線
126c‧‧‧第1電源線
126d‧‧‧第1電源線
176a‧‧‧第1開口部
176b‧‧‧第1開口部
176c‧‧‧第1開口部
176d‧‧‧第1開口部
176e‧‧‧第1開口部
176f‧‧‧第1開口部
178a‧‧‧第2開口部
178b‧‧‧第2開口部
178c‧‧‧第2開口部
178d‧‧‧第2開口部
178e‧‧‧第2開口部
178f‧‧‧第2開口部

Claims (20)

  1. 一種顯示裝置，其特徵在於包含： 具有可撓曲性之基板；及 具有前述可撓曲性之基板上之包含電晶體與顯示元件之像素；將信號發送至前述像素之沿一個方向延伸之第1配線；沿與前述一個方向為交叉之方向延伸之第2配線；前述第1配線或前述第2配線之上層之無機絕緣層；及前述無機絕緣層之上層之有機絕緣層；且 前述無機絕緣層具有使前述第1配線或前述第2配線之上表面部露出之開口部，而前述有機絕緣層係以將前述開口部埋入之方式設置。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中前述開口部沿前述像素之一邊設置。
  3. 如請求項1之顯示裝置，其中前述開口部設置於前述基板被彎曲之區域。
  4. 如請求項1之顯示裝置，其中前述第1配線為將信號發送至前述電晶體之閘極之閘極配線。
  5. 如請求項1之顯示裝置，其中前述第2配線為將資料信號發送至前述像素之資料配線。
  6. 如請求項1之顯示裝置，其中前述第1配線為將信號發送至前述電晶體之閘極之閘極配線，前述第2配線為設置於前述第1配線之上層，並將資料信號發送至前述像素之資料配線；且 前述無機絕緣層設置於前述第1配線與前述第2配線之間，並具有將前述第1配線之上表面開口之開口部。
  7. 如請求項1之顯示裝置，其中前述第1配線為將信號發送至前述電晶體之閘極之閘極配線，前述第2配線為設置於前述第1配線之上層，並將資料信號發送至前述像素之資料配線；且 前述無機絕緣層具有設置於前述第1配線與前述第2配線之間之第1無機絕緣層、及設置於前述第2配線與前述有機絕緣層之間之第2無機絕緣層；並且 前述第1無機絕緣層及前述第2無機絕緣層之積層具有將前述第1配線之上表面部開口之第1開口部； 前述第2無機絕緣層具有將前述第2配線之上表面部開口之第2開口部。
  8. 如請求項1之顯示裝置，其中前述第1配線為將信號發送至前述電晶體之閘極之閘極配線，前述第2配線為設置於前述第1配線之上層，並將資料信號發送至前述像素之資料配線；且 前述無機絕緣層具有設置於前述第1配線與前述第2配線之間之第1無機絕緣層、及設置於前述第2配線與前述有機絕緣層之間之第2無機絕緣層；並且 前述第1無機絕緣層在與前述第2配線重疊之區域具有第1開口部； 前述第2無機絕緣層具有將前述第2配線之上表面部開口之第2開口部； 前述第2配線在前述第1開口部與沿前述第2配線設置之金屬圖案相接。
  9. 如請求項1之顯示裝置，其中前述電晶體包含：半導體層、前述半導體層上之閘極絕緣層、及前述閘極絕緣層上之閘極電極；且 前述像素與前述半導體層在同一層上設置，包含添加有同一導電型之雜質的半導體配線區域； 前述無機絕緣層具有使前述半導體配線區域之上表面部露出之開口部。
  10. 如請求項9之顯示裝置，其中在使前述半導體配線區域之上表面部露出之開口部設置有金屬配線層。
  11. 如請求項1之顯示裝置，其中前述有機絕緣層在與前述開口部重疊之區域具有膜厚變大之凸部。
  12. 如請求項1之顯示裝置，其中前述有機絕緣層在與前述開口部重疊之區域具有膜厚變小之凹部。
  13. 如請求項1之顯示裝置，其中前述有機絕緣層在與前述開口部重疊之區域，表面具有凹凸形狀。
  14. 如請求項1之顯示裝置，其中前述基板在包含前述開口部之區域設置有槽隙。
  15. 如請求項14之顯示裝置，其中在前述基板附著有散熱片，前述散熱片在與前述基板之槽隙重疊之位置設置有槽隙。
  16. 如請求項14之顯示裝置，其中具有覆蓋設置於前述基板上之前述像素的保護膜，且前述保護膜在與前述基板之槽隙重疊之位置設置有槽隙。
  17. 一種顯示裝置，其特徵在於具有像素部，前述像素部沿一個方向及與前述一個方向為交叉之方向配列有複數個像素，並包含： 沿前述一個方向延伸，將信號發送至沿前述一個方向配列之複數個像素之第1配線； 沿與前述一個方向為交叉之方向延伸，將信號發送至沿與前述一個方向為交叉之方向配列之複數個像素之第2配線；及 被覆前述第1配線及前述第2配線中至少一者之無機絕緣層；並且 前述無機絕緣層具有使前述第1配線及前述第2配線中至少一者露出之開口部； 前述開口部沿前述一個方向及與前述一個方向為交叉之方向中至少一個方向設置。
  18. 如請求項17之顯示裝置，其中前述像素區域包含被覆前述無機絕緣層之有機絕緣層，且前述有機絕緣層將前述開口部埋入。
  19. 如請求項17之顯示裝置，其中前述有機絕緣層在與前述開口部重疊之區域，表面成形為凸狀、凹狀或凹凸狀。
  20. 如請求項17之顯示裝置，其中前述像素部具有彎曲面，且前述開口部設置於前述彎曲面。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI715190B (zh) * 2018-10-26 2021-01-01 日商日本顯示器股份有限公司 顯示裝置

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101834793B1 (ko) * 2017-07-28 2018-03-06 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102340729B1 (ko) 2017-07-31 2021-12-16 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN109427818B (zh) 2017-08-31 2019-11-01 昆山国显光电有限公司 一种可折叠阵列基板和显示装置
US10636855B2 (en) 2017-09-28 2020-04-28 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
WO2019064439A1 (ja) * 2017-09-28 2019-04-04 シャープ株式会社 表示装置
JP7219830B2 (ja) * 2017-11-28 2023-02-08 株式会社ジャパンディスプレイ 素子基板
JP7013216B2 (ja) * 2017-11-28 2022-01-31 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2019121734A (ja) * 2018-01-10 2019-07-22 株式会社Ｊｏｌｅｄ 半導体装置および表示装置
JP7040140B2 (ja) * 2018-03-07 2022-03-23 セイコーエプソン株式会社 光電変換素子、光電変換モジュールおよび電子機器
US11508792B2 (en) 2018-03-28 2022-11-22 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method for manufacturing display device
JP7245712B2 (ja) * 2019-05-23 2023-03-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US20220404877A1 (en) * 2019-12-06 2022-12-22 Sharp Kabushiki Kaisha Foldable display
CN114503274A (zh) * 2020-08-27 2022-05-13 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
WO2022085433A1 (ja) * 2020-10-23 2022-04-28 東レ株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
WO2022085431A1 (ja) * 2020-10-23 2022-04-28 東レ株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
CN113540184B (zh) * 2021-06-16 2023-11-28 合肥维信诺科技有限公司 一种显示面板及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004022875A (ja) * 2002-06-18 2004-01-22 Hitachi Ltd 表示装置
JP2007288078A (ja) * 2006-04-20 2007-11-01 Seiko Epson Corp フレキシブル電子デバイス及びその製造方法
TW201417272A (zh) * 2012-10-29 2014-05-01 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ裝置、有機ｅｌ裝置之製造方法、電子機器

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0717059Y2 (ja) * 1987-07-31 1995-04-19 三洋電機株式会社 液晶表示パネル用電極基板
US7030551B2 (en) 2000-08-10 2006-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Area sensor and display apparatus provided with an area sensor
GB0108309D0 (en) * 2001-04-03 2001-05-23 Koninkl Philips Electronics Nv Matrix array devices with flexible substrates
JP5169737B2 (ja) 2002-04-18 2013-03-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4403354B2 (ja) * 2002-09-11 2010-01-27 ソニー株式会社 薄膜回路基板
JP5258156B2 (ja) * 2005-10-27 2013-08-07 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置およびその製造方法
JP2008107440A (ja) * 2006-10-24 2008-05-08 Casio Comput Co Ltd 表示装置
JP5074129B2 (ja) * 2007-08-21 2012-11-14 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置
JP2009239110A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Seiko Epson Corp 半導体装置、電気光学装置および電子機器
CN102422338B (zh) * 2009-05-02 2015-04-01 株式会社半导体能源研究所 显示设备
JP5446790B2 (ja) * 2009-12-02 2014-03-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP2013114072A (ja) * 2011-11-29 2013-06-10 Sony Corp 薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法、並びに表示装置
KR102233048B1 (ko) 2013-07-12 2021-03-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
JP2015036797A (ja) * 2013-08-15 2015-02-23 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
KR102124025B1 (ko) * 2013-12-23 2020-06-17 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
KR102347532B1 (ko) 2014-01-23 2022-01-05 삼성디스플레이 주식회사 접을 수 있는 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI654736B (zh) * 2014-02-14 2019-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置
KR102167315B1 (ko) * 2014-04-30 2020-10-20 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치
KR20160000096A (ko) 2014-06-23 2016-01-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2015198183A1 (en) * 2014-06-23 2015-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
KR102285384B1 (ko) 2014-09-15 2021-08-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판, 그 제조방법 및 표시 장치
US10347702B2 (en) * 2014-10-22 2019-07-09 Lg Display Co., Ltd. Flexible thin film transistor substrate and flexible organic light emitting display device
JP2016146422A (ja) 2015-02-09 2016-08-12 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102378361B1 (ko) * 2015-04-15 2022-03-25 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004022875A (ja) * 2002-06-18 2004-01-22 Hitachi Ltd 表示装置
JP2007288078A (ja) * 2006-04-20 2007-11-01 Seiko Epson Corp フレキシブル電子デバイス及びその製造方法
TW201417272A (zh) * 2012-10-29 2014-05-01 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ裝置、有機ｅｌ裝置之製造方法、電子機器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI715190B (zh) * 2018-10-26 2021-01-01 日商日本顯示器股份有限公司 顯示裝置

Also Published As

Publication number Publication date
US20190312092A1 (en) 2019-10-10
KR101947878B1 (ko) 2019-02-13
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JP2017116904A (ja) 2017-06-29
KR20170074167A (ko) 2017-06-29
US10586839B2 (en) 2020-03-10

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