KR20170113934A - 디스플레이 장치 - Google Patents

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KR20170113934A
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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 기판, 상기 기판 상에 위치하고, 적어도 하나의 무기층을 구비한 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 표시 소자, 및 상기 박막 트랜지스터와 상기 표시 소자 사이에 위치한 평탄화층을 각각 구비한 복수의 단위 표시부들 및 상기 복수의 단위 표시부들을 밀봉하는 봉지막을 포함하고, 상기 평탄화층은, 상기 복수의 단위 표시부들 사이에서 상기 적어도 하나의 무기층의 표면을 노출시키는 이격 영역을 포함하고, 상기 봉지막은, 상기 이격 영역에서 상기 적어도 하나의 무기층과 접하는 디스플레이 장치를 개시한다.

Description

디스플레이 장치{Display device}
본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것이다.
각종 전기적 신호정보를 시각적으로 표현하는 디스플레이 분야가 급속도로 발전함에 따라, 박형화, 경량화, 저소비 전력화 등의 우수한 특성을 지닌 다양한 평판 디스플레이 장치가 소개되고 있고, 최근에는 디스플레이 관련 기술의 발달과 함께, 접거나 롤(Roll) 형상으로 말 수 있는 플렉서블한 디스플레이 장치들이 개발되고 있으며, 한발 더 나아가 다양한 형태로의 변화가 가능한 스트레처블(stretchable) 디스플레이 장치에 대한 연구 및 개발이 활발히 진행되고 있다.
한편, 박형화 및 플렉서블한 특징을 가지는 디스플레이 장치는 외부로부터 수분이나 산소 등의 침투를 차단하기 위해 박막 형태의 봉지막을 포함할 수 있다. 그러나, 박막 봉지막에 미세한 균열 등의 결함이 발생한 경우는 이를 통하여 외부의 수분 및/또는 산소가 디스플레이 장치 내로 침투하여 암점 등의 불량을 유발할 수 있으며, 침투한 수분 및/또는 산소는 디스플레이 장치의 유기막 등을 통해 디스플레이 장치 내에서 확산되어 암점은 점차 성장할 수 있다.
본 발명의 실시예들은, 수분 및/또는 산소의 침투를 방지하고, 침투한 수분 및/또는 산소가 디스플레이 장치 내에서 확산되는 것을 차단할 수 있는 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는, 기판, 상기 기판 상에 위치하고, 적어도 하나의 무기층을 구비한 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 표시 소자, 및 상기 박막 트랜지스터와 상기 표시 소자 사이에 위치한 평탄화층을 각각 구비한 복수의 단위 표시부들 및 상기 복수의 단위 표시부들을 밀봉하는 봉지막을 포함하고, 상기 평탄화층은, 상기 복수의 단위 표시부들 사이에서 상기 적어도 하나의 무기층의 표면을 노출시키는 이격 영역을 포함하고, 상기 봉지막은, 상기 이격 영역에서 상기 적어도 하나의 무기층과 접하는 디스플레이 장치를 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 이격 영역은, 상기 복수의 단위 표시부들을 각각 에워쌀 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 평탄화층은, 상기 복수의 단위 표시부들과 각각 대응하는 단위 평탄화 영역들을 포함하고, 상기 단위 평탄화 영역들은 상기 이격 영역에 의해 서로 이격될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 평탄화층은, 유기 물질을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 봉지막은, 적어도 하나의 무기 봉지막을 포함하고, 상기 이격 영역에서, 상기 적어도 하나의 무기 봉지막이 상기 적어도 하나의 무기층과 접할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 봉지막은, 적어도 하나의 유기 봉지막을 더 포함하고, 상기 적어도 하나의 무기 봉지막은, 상기 유기 봉지막의 하부에 배치된 제1 무기 봉지막과 상기 유기 봉지막 상부에 배치된 제2 무기 봉지막을 포함하며, 상기 이격 영역에서, 상기 제1 무기 봉지막이 상기 적어도 하나의 무기층과 접할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 유기 봉지막은, 상기 복수의 단위 표시부들과 각각 대응하는 단위 유기 봉지막들을 포함하고, 상기 제1 무기 봉지막과 상기 제2 무기 봉지막은 상기 단위 유기 봉지막들 외곽에서 서로 접할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 복수의 단위 표시부들 각각은, 상기 복수의 단위 표시부들 각각의 가장자리에 위치하여 상기 복수의 단위 표시부들을 각각 에워싸는 댐부를 포함하고, 상기 단위 유기 봉지막은 상기 댐부의 내측에 위치할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 적어도 하나의 무기층은, 상기 박막 트랜지스터의 활성층과 게이트 전극 사이의 제1 절연막과, 상기 게이트 전극 상의 제2 절연막을 포함하고, 상기 이격 영역에서 상기 제1 절연막 또는 상기 제2 절연막이 노출될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 복수의 단위 표시부들 각각은 상기 평탄화층 상에 패시베이션막을 더 포함하고, 상기 기판은, 제1 배리어층과 제1 지지층의 적층 구조를 가지며, 상기 제1 배리어층이 상기 제1 지지층보다 상기 박막 트랜지스터에 더 인접하게 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 패시베이션막은 무기 재질을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 기판은, 서로 이격된 복수의 아일랜드들, 상기 복수의 아일랜드들을 연결하는 복수의 연결부들, 및 상기 복수의 연결부들 사이에 상기 기판을 관통하는 복수의 관통부들을 포함하고, 상기 복수의 단위 표시부들은 상기 복수의 아일랜드들 상에 각각 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 이격 영역은 상기 복수의 연결부들과, 상기 복수의 아일랜드들의 가장자리를 포함하며, 상기 봉지막은 적어도 상기 복수의 아일랜드들의 가장자리에서 상기 적어도 하나의 무기층과 접할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 봉지막은 상기 복수의 아일랜드들 상에 각각 배치되어 상기 복수의 단위 표시부들을 각각 독립적으로 밀봉하는 복수의 봉지막들을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 복수의 아일랜드들은 제1 방향 및 상기 제1 "?향?? 상이한 제2 방향을 따라 반복 하여 배치되고, 상기 복수의 아일랜드들 각각에는 네 개의 연결부들이 연결되며, 상기 복수의 아일랜드들 중, 어느 하나의 아일랜드에 연결된 상기 네 개의 연결부들은 서로 다른 방향으로 연장되어, 상기 어느 하나의 아일랜드를 에워싸는 다른 네 개의 아일랜드들과 각각 연결될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 복수의 아일랜드들 중, 서로 인접한 두 개의 아일랜드들은 하나의 연결부에 의해 연결되고, 상기 하나의 연결부와 연결된 상기 인접한 두 개의 아일랜드들의 측면들과 상기 하나의 연결부가 연장된 방향은 각각 예각을 이룰 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 복수의 아일랜드들은 각각 사각형의 형상을 가지고, 상기 사각형의 코너부들은 상기 제1 방향과 상기 제2 방향을 향할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 표시 소자는, 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고 유기 발광층을 구비하는 중간층을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 복수의 단위 표시부들 각각은, 적색의 광을 방출하는 적어도 하나의 상기 표시 소자, 청색의 광을 방출하는 적어도 하나의 상기 표시 소자, 및 녹색의 광을 방출하는 적어도 하나의 상기 표시 소자를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 복수의 화소들이 상하부에 각각 배치된 무기막들에 의해 독립적으로 밀봉됨으로써, 외부로부터의 수분 및/또는 산소가 화소 내로 침투하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 수분 및/또는 산소의 전파 경로로 사용될 수 있는 유기막이 단위 표시부들 사이에서 단절됨으로써, 어느 하나의 단위 표시부에 침투한 수분 및/또는 산소가 이웃한 다른 단위 표시부로 전파되는 것을 차단할 수 있다.
물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 도 1의 I-I'단면의 다른 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 도 1의 II-II'단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5는 도 1의 II-II'단면의 다른 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6은 도 1의 II-II'단면의 또 다른 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 7 내지 도 9는 도 1의 A 부분을 각각 확대하여 개략적으로 도시한 평면도들이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한, 각 도면에서, 구성요소는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었으며, 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
각 구성요소의 설명에 있어서, 상에 또는 하에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상과 하는 직접 또는 다른 구성요소를 개재하여 형성되는 것을 모두 포함하며, 상 및 하에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1의 I-I'단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이며, 도 3은 도 1의 I-I'단면의 다른 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(10)는 기판(110), 기판(110) 상에 배치된 복수의 단위 표시부(200)들, 기판(110) 상에 배치되어 복수의 단위 표시부(200)들을 밀봉하는 봉지막(300)을 포함할 수 있다.
기판(110)은 다양한 소재를 포함할 수 있다. 구체적으로 기판(110)은 유리, 금속 또는 유기물 기타 재질로 형성할 수 있다.
선택적 실시예로서, 기판(110)은 플렉서블 소재로 형성할 수 있다. 예를 들면, 기판(110)은 휘어지고 구부러지며 접거나 돌돌 말 수 있는 재질로 형성될 수 있다. 기판(110)을 형성하는 플렉서블 소재는 초박형 유리, 금속 또는 플라스틱일 수 있다.
기판(110)은 제1 배리어층(111), 제1 지지층(112), 제2 배리어층(113) 및 제2 지지층(114)의 적층 구조를 가질 수 있다. 이때, 제1 배리어층(111), 제1 지지층(112), 제2 배리어층(113) 및 제2 지지층(114)은 순차적으로 적층되며, 제1 배리어층(111)이 기판(110)상에 형성되는 박막 트랜지스터(TFT)에 가장 인접하게 배치될 수 있다.
제1 배리어층(111)과 제2 배리어층(113)은 무기 재질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 배리어층(111)과 제2 배리어층(113)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물(SiON)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
제1 지지층(112)와 제2 지지층(114)은 유기 재질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 지지층(112)와 제2 지지층(114)은 폴리이미드(PI), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 폴리스티렌(PS), 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다.
제1 지지층(112)은 제1 배리어층(111)과 제2 배리어층(113) 사이에 개재되어, 제1 배리어층(111)과 제2 배리어층(113)에 발생된 스트레스를 완화시킬 수 있다.
제2 지지층(114)은 폴리이미드(PI) 등으로 형성될 수 있다. 디스플레이 장치(10)는 글라스 기판 등과 같은 베이스 기판 상에 제조된 다음, LLO 등과 같은 방식에 의해 베이스 기판과 디스플레이 장치(10)를 분리할 수 있는데, 이때 제2 지지층(114)은 베이스 기판과 디스플레이 장치(10)의 분리를 위한 희생층으로 사용된 층이다. 따라서, 제2 지지층(114)에는 레이저의 조사에 의한 흔적 등이 남아있을 수 있다.
이와 같이 기판(110)이 적어도 제1 배리어층(111), 제1 지지층(112), 및 제2 배리어층(113)의 적층 구조를 가짐으로써, 외부의 수분 및/또는 산소가 기판(110)을 통해 디스플레이 장치(10) 내로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
기판(110) 상에는 복수의 단위 표시부(200)들이 형성된다. 복수의 단위 표시부(200)들은 이격 영역(BA)에 의해 서로 이격될 수 있다. 복수의 단위 표시부(200)들은 제1 방향(X) 및 제1 방향(X)과 상이한 제2 방향(Y)을 따라 반복 배치될 수 있다. 일 예로, 제1 방향(X)과 제2 방향(Y)은 서로 직교하는 방향일 수 있다. 다른 예로, 제1 방향(X)과 제2 방향(Y)은 둔각 또는 예각을 이룰 수 있다.
복수의 단위 표시부(200)들 각각은, 적어도 하나의 표시 소자 및 상기 표시 소자와 전기적으로 연결된 적어도 하나의 박막 트랜지스터(TFT)를 포함할 수 있다.
복수의 단위 표시부(200)들 각각은, 적색, 청색, 녹색 또는 백색의 광을 방출하는 적어도 하나의 유기발광소자(230)를 포함할 수 있다. 즉, 본 실시예에서는 표시 소자로서 유기발광소자(230)를 설명한다. 다만, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 단위 표시부(200)는 액정소자 등 다양한 종류의 표시 소자를 구비할 수 있다.
일 예로, 단위 표시부(200)는 적색, 청색, 녹색 또는 백색의 광을 방출하는 하나의 유기발광소자(230)를 포함하거나, 또는 동일한 색을 발하는 복수의 유기발광소자(230)를 포함하여 하나의 단위 표시부(200)가 하나의 서브 화소를 이룰 수 있다.
다른 예로, 도 3에 도시된 바와 같이, 단위 표시부(200)는 서로 다른 광을 방출하는 복수의 유기발광소자들(230a, 230b, 230c)을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 하나의 단위 표시부(200)는 적색(R)의 광을 방출하는 제1 유기발광소자(230a), 녹색(R)의 광을 방출하는 제2 유기발광소자(230b) 및 청색(B)의 광을 방출하는 상기 제3 유기발광소자(230c)를 구비하여 하나의 화소를 이룰 수 있다. 이때, 제1 유기발광소자(230a), 제2 유기발광소자(230b) 및 제3 유기발광소자(230c)는 각각 제1 박막 트랜지스터(TFT1), 제2 박막 트랜지스터(TFT2), 및 제3 박막 트랜지스터(TFT3)와 전기적으로 연결될 수 있다.
또 다른 예로, 단위 표시부(200)는 복수 개의 화소들을 포함할 수 있다. 이때, 단위 표시부(200) 내의 유기발광소자들(230a, 230b, 230c)의 배열은 유기 발광층에 포함된 재료의 효율에 따라 RGB 방식, 펜타일 구조, 벌집 구조 등 다양한 배열을 이루며 배치될 수 있다.
이하에서는 도 2를 참조하여, 단위 표시부(200)의 구성을 보다 상세히 설명한다.
기판(110) 상에는 버퍼층(202)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(202)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다. 버퍼층(202)는 기판(110)의 전면(全面)에 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(203), 게이트 전극(205), 소스 전극(207) 및 드레인 전극(208)을 포함할 수 있다. 이하에서는 박막 트랜지스터(TFT)가 활성층(203), 게이트 전극(205), 소스 전극(207) 및 드레인 전극(208)이 순차적으로 형성된 탑 게이트 타입(top gate type)인 경우를 설명한다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 바텀 게이트 타입(bottom gate type) 등 다양한 타입의 박막 트랜지스터(TFT)가 채용될 수 있다.
활성층(203)은 반도체 물질, 예컨대 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)을 포함할 수 있다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 활성층(203)은 다양한 물질을 함유할 수 있다. 선택적 실시예로서 활성층(203)은 유기 반도체 물질 등을 함유할 수 있다. 또 다른 선택적 실시예로서, 활성층(203)은 산화물 반도체 물질을 함유할 수 있다. 예컨대, 활성층(203)은 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge) 등과 같은 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함할 수 있다.
제1 절연막(204)은 활성층(203) 상에 형성된다. 제1 절연막(204)은 실리콘산화물 및/또는 실리콘질화물 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 제1 절연막(204)은 활성층(203)과 게이트 전극(205)을 절연하는 역할을 한다. 제1 절연막(204)은 아일랜드(101) 및 연결부(102) 상에 모두 형성될 수 있다. 제1 절연막(204)은 기판(110)의 전면(全面) 상에 형성될 수 있다.
게이트 전극(205)은 제1 절연막(204)의 상부에서 활성층(203)과 중첩하도록 형성된다. 게이트 전극(205)은 박막 트랜지스터(TFT)에 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결될 수 있다. 게이트 전극(205)은 저저항 금속 물질로 이루어질 수 있다. 게이트 전극(205)은, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
게이트 전극(205)상에는 제2 절연막(206)이 형성된다. 제2 절연막(206)은 소스 전극(207) 및 드레인 전극(208)과 게이트 전극(205)을 절연한다. 제2 절연막(206)은 기판(110)의 전면(全面) 상에 형성될 수 있다.
제2 절연막(206)은 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 예컨대 무기 물질은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있으며, 구체적으로 무기 물질은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZrO2) 등을 포함할 수 있다.
선택적 실시예로, 제2 절연막(206)은 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 유기 물질은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 또한, 제2 절연막(206)은 무기 절연막과 유기 절연막의 복합 적층체로 형성될 수도 있다.
제2 절연막(206) 상에 소스 전극(207) 및 드레인 전극(208)이 형성된다. 소스 전극(207) 및 드레인 전극(208)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 소스 전극(207) 및 드레인 전극(208)은 제2 절연막(206) 및 제1 절연막(204)을 관통하는 컨택홀을 통해 활성층(203)의 영역과 접촉하도록 형성된다.
평탄화층(209)은 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 형성될 수 있다. 평탄화층(209)은 박막 트랜지스터(TFT)로부터 비롯된 단차를 해소하고 상면을 평탄하게 하여, 하부 요철에 의해 유기발광소자(230)에 불량이 발생하는 것을 방지한다.
평탄화층(209)은 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 유기 물질은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 또한, 평탄화층(209)은 무기 절연막과 유기 절연막의 복합 적층체로 형성될 수도 있다.
평탄화층(209)은 기판(110)의 전면(全面)에 형성된 다음, 패터닝에 의해 복수의 단위 표시부(200)들과 각각 대응하는 단위 평탄화 영역(PU)들과, 하부의 무기층을 노출시키는 이격 영역(BA)을 포함하도록 형성될 수 있다. 즉, 단위 평탄화 영역(PU)은 단위 표시부(200)의 영역을 정의할 수 있다.
이격 영역(BA)은 기판(110)의 전면(全面)에 형성된 평탄화층(209)의 일부가 제거된 영역으로, 이격 영역(BA)에 의해 단위 평탄화 영역(PU)들은 서로 이격될 수 있다. 즉, 복수의 단위 표시부(200)들은 이격 영역(BA)에 의해 각각 에워싸일 수 있다. 한편, 이격 영역(BA)에 의해 노출되는 하부의 무기층은 제1 절연막(204) 및 제2 절연막(206) 중 어느 하나일 수 있다.
유기발광소자(230)는 제1 전극(231), 제1 전극(231)과 대향하는 제2 전극(232) 및 제1 전극(231)과 제2 전극(232) 사이에 개재되는 중간층(233)을 포함할 수 있다.
제1 전극(231)은 소스 전극(207) 또는 드레인 전극(208)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(231)은 다양한 형태를 가질 수 있는데, 예를 들면 아일랜드 형태로 패터닝되어 형성될 수 있다.
제1 전극(231)은 평탄화층(209), 예를 들어, 단위 평탄화 영역(PU) 상에 형성되고, 컨택홀을 통하여 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(231) 일 예로, 반사 전극일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(231)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막 상에 형성된 투광성 전극층을 구비할 수 있다. 투광성 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다.
제2 전극(232)은 일 예로 투광성 전극일 수 있다. 제2 전극(232)은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물을 포함하는 일함수가 작은 금속 박막으로 형성될 수 있다. 또한, 금속 박막 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 물질로 보조 전극층이나 버스 전극을 더 형성할 수 있다. 따라서, 제2 전극(232)은 중간층(233)에 포함된 유기 발광층에서 방출된 광을 투과시킬 수 있다. 즉, 유기 발광층에서 방출되는 광은 직접 또는 반사 전극으로 구성된 제1 전극(231)에 의해 반사되어, 제2 전극(232) 측으로 방출될 수 있다.
그러나, 단위 표시부(200)는 전면 발광형으로 제한되지 않으며, 유기 발광층에서 방출된 광이 기판(110) 측으로 방출되는 배면 발광형일 수도 있다. 이 경우, 제1 전극(231)은 투광성 전극으로 구성되고, 제2 전극(232)은 반사 전극으로 구성될 수 있다. 또한, 단위 표시부(200)는 전면 및 배면 양 방향으로 광을 방출하는 양면 발광형일 수도 있다.
제2 전극(232)은 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(232)은 기판(110)의 전면(全面)에 걸쳐 일체로 형성될 수도 있고, 아일랜드 형태로 패터닝되어 각 단위 표시부(200)마다 별도로 구비될 수도 있다.
제1 전극(231)상에는 절연물로 화소 정의막(219)이 형성된다. 화소 정의막(219)은 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유기 절연 물질로, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. 화소 정의막(219)은 제1 전극(231)의 소정의 영역을 노출하며, 노출된 영역에 유기 발광층을 포함하는 중간층(233)이 위치한다. 즉, 화소 정의막(219)은 유기발광소자의 화소영역을 정의한다.
중간층(233)에 포함된 유기 발광층은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있으며, 중간층(233)은 유기 발광층 이외에 홀 수송층(HTL; hole transport layer), 홀 주입층(HIL; hole injection layer), 전자 수송층(ETL; electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL; electron injection layer) 등과 같은 기능층을 선택적으로 더 포함할 수 있다.
제2 전극(232) 상에는 단위 표시부(200)를 밀봉하는 봉지막(300)이 형성될 수 있다. 봉지막(300)은 외부의 산소 및 수분을 차단하며 단일 층 또는 복수 층으로 이루어질 수 있다.
봉지막(300)은 유기 봉지막 및 무기 봉지막 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
유기 봉지막은 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 폴리스티렌(PS), 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있으며, 무기 봉지막은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물(SiON)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
봉지막(300)은 이격 영역(BA)를 통해 노출된 무기층인 제1 절연막(204) 및 제2 절연막(206) 중 어느 하나와 접할 수 있다.
예를 들어, 제2 절연막(206)이 무기물로 형성된 경우, 봉지막(300)은 이격 영역(BA)에서 제2 절연막(206)과 접할 수 있다. 다른 예로, 제2 절연막(206)이 유기물로 형성되고, 제2 절연막(206)의 하부에 위치하는 제1 절연막(204)이 무기물로 형성된 경우, 제2 절연막(206)은 이격 영역(BA)과 대응하도록 패터닝되어 제1 절연막(204)을 노출시키며, 노출된 제1 절연막(204)이 이격 영역(BA)에서 봉지막(300)과 접할 수 있다.
따라서, 단위 표시부(200)는 봉지막(300)과 무기층에 의해 전체적으로 에워쌓여 캡슐화됨으로써 외부로부터의 수분 및/또는 산소 등의 침투를 효과적으로 감소 또는 차단할 수 있다.
한편, 이격 영역(BA)은 복수의 단위 표시부(200)들 각각 에워싸므로, 복수의 단위 표시부(200)들은 서로 독립적으로 봉지막(300)과 무기층에 의해 캡슐화되어 고립된 상태를 가질 수 있다. 즉, 수분 및/또는 산소의 전파 경로로 사용될 수 있는 유기막 즉, 평탄화층(209)이 복수의 단위 표시부(200)들 사이에서 단절됨으로써, 어느 하나의 단위 표시부(200)에 침투한 수분 및/또는 산소가 이웃한 다른 단위 표시부(200)로 전파되는 것을 차단할 수 있다. 따라서, 외부의 수분 및/또는 산소가 침투하더라도 암점을 발생 영역을 최소화할 수 있다.
도 4는 도 1의 II-II'단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 기판(110) 상에는 복수의 단위 표시부(200)들이 서로 이격되어 배치되며, 각각의 단위 표시부(200)는 적어도 하나의 유기발광소자(230)와 적어도 하나의 박막 트랜지스터(TFT)를 포함할 수 있다. 유기발광소자(230)와 박막 트랜지스터(TFT) 사이에 개재된 평탄화층(209)은, 복수의 단위 표시부(200)들과 각각 대응하는 단위 평탄화 영역(PU)들과, 하부의 무기층을 노출시키는 이격 영역(BA)을 포함할 수 있다.
이격 영역(BA)은 평탄화층(209) 하부에 위치한 무기층의 표면을 노출시킨다. 이격 영역(BA)에 의해 노출되는 무기층은 제1 절연막(204) 및 제2 절연막(206) 중 어느 하나일 수 있다.
봉지막(310)은 복수의 단위 표시부(200)들을 밀봉한다. 봉지막(310)은 예를 들어, 교번적으로 적층된 적어도 하나의 무기 봉지막(312,314)과 적어도 하나의 유기 봉지막(316)을 포함할 수 있다. 도 4에서는, 봉지막(310)이 두 개의 무기 봉지막들(312, 314)과 한 개의 유기 봉지막(316)을 포함하는 예를 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한하지 않는다. 즉, 봉지막(310)은 교대로 배치된 복수 개의 추가적인 무기 봉지막 및 유기 봉지막을 더 포함할 수 있으며, 무기 봉지막 및 유기 봉지막의 적층 횟수는 제한되지 않는다.
일 실시예로, 무기 봉지막들(312, 314)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물(SiON)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
유기 봉지막(316)은 화소 정의막(219)에 의한 단차를 평탄화하며, 무기 봉지막들(312, 314)에 발생한 스트레스를 완화시킬 수 있다. 일 실시예로, 유기 봉지막(316)은 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 폴리스티렌(PS), 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다.
한편, 봉지막(310)은 하부에서 상부로 갈수록 제1 무기 봉지막(312), 유기 봉지막(316) 및 제2 무기 봉지막(314)이 순차적으로 적층된 구조를 가질 수 있으며, 가장 아래에 배치된 제1 무기 봉지막(312)은 이격 영역(BA)에서, 평탄화층(209)하부에 배치된 무기층과 접할 수 있다.
예를 들어, 제2 절연막(206)이 무기물로 형성된 경우, 제1 무기 봉지막(312)은 이격 영역(BA)에서 제2 절연막(206)과 접할 수 있다. 다른 예로, 제2 절연막(206)이 유기물로 형성되고, 제2 절연막(206)의 하부에 위치하는 제1 절연막(204)이 무기물로 형성된 경우, 이격 영역(BA)에서 제1 절연막(204)의 표면이 노출되고, 제1 무기 봉지막(312)은 제1 절연막(204)과 접할 수 있다.
따라서, 단위 표시부(200)는 봉지막(310)과 제2 절연막(206) 등과 같은 무기층에 의해 개별적으로 캡슐화될 수 있고, 이에 의해 외부의 수분 및/또는 산소의 유입을 차단하고, 어느 하나의 단위 표시부(200)에 침투한 수분 및/또는 산소가 평탄화층(209)을 통해 이웃한 다른 단위 표시부(200)로 전파되는 것을 차단할 수 있다.
도 5는 도 1의 II-II'단면의 다른 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 기판(110) 상에는 복수의 단위 표시부(200)들이 서로 이격되어 배치되며, 각각의 단위 표시부(200)는 적어도 하나의 유기발광소자(230)와 적어도 하나의 박막 트랜지스터(TFT)를 포함할 수 있다. 유기발광소자(230)와 박막 트랜지스터(TFT) 사이에 개재된 평탄화층(209)은, 복수의 단위 표시부(200)들과 각각 대응하는 단위 평탄화 영역(PU)들과, 하부의 무기층을 노출시키는 이격 영역(BA)을 포함할 수 있다.
이격 영역(BA)은 평탄화층(209) 하부에 위치한 무기층의 표면을 노출시킨다. 이격 영역(BA)에 의해 노출되는 무기층은 제1 절연막(204) 및 제2 절연막(206) 중 어느 하나일 수 있다.
봉지막(320)은 복수의 단위 표시부(200)들을 밀봉한다. 봉지막(320)은 예를 들어, 교번적으로 적층된 적어도 하나의 무기 봉지막(312, 314)과 복수의 단위 표시부(200)들과 각각 대응하는 단위 유기 봉지막(326)들을 포함할 수 있다.
단위 유기 봉지막(326)들은 각각의 단위 표시부(200)에 대응하도록 도 4의 유기 봉지막(도 4의 316)을 패터닝하여 형성할 수 있고, 또는 스크린 프린트 등에 의해 각각의 단위 표시부(200)에 대응하도록 형성될 수 있다.
따라서, 단위 유기 봉지막(326)의 상, 하부에 각각 배치된 제1 무기 봉지막(312)과 제2 무기 봉지막(314)은 단위 유기 봉지막(326) 외곽에서 서로 접할 수 있다. 따라서, 봉지막(320)의 접합력이 향상될 수 있다. 또한, 가장 하단에 위치한 제1 무기 봉지막(312)은 이격 영역(BA)을 통해 노출된 무기층과 접할 수 있다. 여기서 무기층은 제1 절연막(204) 또는 제2 절연막(206) 일 수 있다.
선택적 실시예로써, 단위 표시부(200)는 단위 표시부(200)의 가장자리에서 단위 표시부(200)를 에워싸는 댐부(D)를 포함할 수 있다. 일 예로, 댐부(D)는 단위 평탄화 영역(PU)의 가장자리에 배치되며, 화소 정의막(219)과 동일한 재질로 형성될 수 있다. 또한, 댐부(D)는 두 개 이상의 복수 개로 구성될 수 있다. 댐부(D)가 복수 개로 구성되는 경우, 단위 평탄화 영역(PU)의 외곽으로 갈수록 댐부(D)의 높이가 증가할 수 있다.
댐부(D)는 봉지막(320)의 단위 유기 봉지막(326)의 형성시, 단위 유기 봉지막(326)을 형성하기 위한 유기물 등이 단위 평탄화 영역(PU)의 가장자리 방향으로 흐르는 것을 차단하여, 단위 유기 봉지막(326)의 형성 영역을 제한할 수 있다. 따라서, 단위 유기막(326)은 댐부(D)의 내측에 위치할 수 있다.
반면에, 제1 무기 봉지막(312)과 제2 무기 봉지막(314)은 댐부(D)의 외곽에서 서로 접하며, 제1 무기 봉지막(312)은 이격 영역(BA)을 통해 노출된 무기층과 접할 수 있다.
도 6은 도 1의 II-II'단면의 다른 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6을 참조하면, 기판(110B) 상에는 복수의 단위 표시부(200)들이 서로 이격되어 배치되며, 각각의 단위 표시부(200)는 적어도 하나의 유기발광소자(230)와 적어도 하나의 박막 트랜지스터(TFT)를 포함할 수 있다. 유기발광소자(230)와 박막 트랜지스터(TFT) 사이에 개재된 평탄화층(209)은, 복수의 단위 표시부(200)들과 각각 대응하는 단위 평탄화 영역(PU)들과, 하부의 무기층을 노출시키는 이격 영역(BA)을 포함할 수 있다.
이격 영역(BA)은 평탄화층(209) 하부에 위치한 무기층의 표면을 노출시킨다. 이격 영역(BA)에 의해 노출되는 무기층은 제1 절연막(204) 및 제2 절연막(206) 중 어느 하나일 수 있다.
봉지막(310)은 복수의 단위 표시부(200)들을 밀봉한다. 봉지막(310)은 예를 들어, 교번적으로 적층된 적어도 하나의 무기 봉지막(312, 314)과 적어도 하나의 유기 봉지막(316)들을 포함할 수 있으며, 가장 아래에 배치된 제1 무기 봉지막(312)은 이격 영역(BA)을 통해 노출된 무기층과 접할 수 있다. 여기서 무기층은 제1 절연막(204) 또는 제2 절연막(206) 일 수 있다.
평탄화층(209) 상에는 패시베이션막(210)이 더 형성될 수 있다. 패시베이션막(210)은, 평탄화층(209)의 단위 평탄화 영역(PU)에 대응하여 형성될 수 있다.
패시베이션막(210)은 무기 재질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 패시베이션막(210)은 제1 무기 봉지막(312)과 동일한 재질 즉, 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물(SiON)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
한편, 기판(110B)은 제1 배리어층(111) 및 제1 지지층(112)의 적층 구조를 가질 수 있다. 즉, 도 2에서 설명하고 도시한 기판(도 2의 110)과 비교할 때, 제2 배리어층(도 2의 113)과 제2 지지층(도 2의 114)을 생략할 수 있다.
이는, 패시베이션막(210)이 더 형성됨에 따라, 패시베이션막(210), 평탄화층(209) 및 제1 배리어층(111)이 도 2의 기판(도 2의 110)에서의 적층된 제1 배리어층(도 2의 111), 제1 지지층(도 2의 112), 및 제2 배리어층(도 2의 113)과 동일한 역할을 수행할 수 있기 때문에, 제2 배리어층(도 2의 113)과 제2 지지층(도 2의 114)을 생략하더라도 외부의 수분 및/또는 산소가 유기발광소자(230)로 침투하는 것을 차단할 수 있기 때문이다.
따라서, 디스플레이 장치(도 1의 10)의 두께가 더욱 감소할 수 있고, 제조 공정의 효율성이 향상될 수 있다. 한편, 제1 지지층(112)은 도 2에서 설명한 제2 지지층(도 2의 114)과 마찬가지로 희생층으로 사용된 층일 수 있다.
도 7 내지 도 9는 도 1의 A 부분의 일 예를 각각 확대하여 개략적으로 도시한 평면도들이다.
먼저, 도 7 및 도 8을 도 2와 함께 참조하면, 기판(110C)은 서로 이격된 복수의 아일랜드(101)들, 복수의 아일랜드(101)들을 연결하는 복수의 연결부(102)들, 및 복수의 연결부(102)들 사이에 기판(110C)을 관통하는 복수의 관통부(V)들을 포함할 수 있다.
복수의 아일랜드(101)들은 서로 이격 되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 복수의 아일랜드(101)들은 제1 방향(X) 및 제1 방향(X)과 상이한 제2 방향(Y)을 따라 반복 배치되어 평면 격자 패턴을 이룰 수 있다. 일 예로, 제1 방향(X)과 제2 방향(Y)은 서로 직교하는 방향일 수 있다. 다른 예로, 제1 방향(X)과 제2 방향(Y)은 둔각 또는 예각을 이룰 수 있다.
복수의 연결부(102)들은 복수의 아일랜드(101)들을 서로 연결할 수 있다. 구체적으로, 복수의 아일랜드(101)들 각각에는 네 개의 연결부(102)들이 연결되며, 하나의 아일랜드(101)에 연결된 네 개의 연결부(102)들은 서로 다른 방향으로 연장되어 상기 하나의 아일랜드(101)와 인접하게 배치됨으로써, 상기 하나의 아일랜드(101)를 에워싸는 다른 네 개의 아일랜드(101)들과 각각 연결될 수 있다. 복수의 아일랜드(101)들과 복수의 연결부(102)들은 동일한 재질로 연속하여 이루어질 수 있다. 즉, 복수의 아일랜드(101)들과 복수의 연결부(102)들은 일체적으로 형성될 수 있다.
관통부(V)들은 기판(110C)을 관통하도록 형성된다. 관통부(V)는 복수의 아일랜드(101)들 간에 이격 영역을 제공하며, 기판(110C)의 무게를 감소시키고, 기판(110C)의 유연성을 향상시킬 수 있다. 또한, 기판(110C)에 대한 휨, 구부림, 롤링 등의 발생 시 관통부(V)들의 형상이 변화함으로써, 기판(110C) 변형 시의 응력 발생을 효과적으로 감소시켜, 기판(110C)의 비정상적 변형을 방지하고 내구성을 향상시킬 수 있다.
관통부(V)는 기판(110C)의 일 영역을 식각 등의 방법으로 제거하여 형성된 것일 수 있고, 다른 예로서 기판(110C)의 제조 시 관통부(V)를 구비하도록 형성된 것일 수 있다. 또 다른 예로서 기판(110C) 상에 복수의 단위 표시부(200) 등을 형성한 후, 기판(110C)을 패터닝하여 관통부(V)를 형성할 수 있다. 기판(110C)에 관통부(V)가 형성되는 과정의 예는 다양할 수 있고, 그 제조 방법에 제한은 없다.
이하에서는, 기판(110C)을 이루는 기본 단위인 단위부(U)를 설정하고, 이를 이용하여 기판(110C)의 구조를 보다 상세히 설명하기로 한다.
단위부(U)는 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)을 따라 반복 배치될 수 있다. 즉, 기판(110C)은 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)을 따라 반복 배치된 복수의 단위부(U)들이 서로 결합되어 형성된 것으로 이해될 수 있다. 단위부(U)는 아일랜드(101)와 아일랜드(101)에 연결된 적어도 하나의 연결부(102)를 포함할 수 있다. 하나의 아일랜드(101)에는 네 개의 연결부(102)들이 연결될 수 있다.
서로 인접한 두 개의 단위부(U)들의 아일랜드(101)들은 서로 이격 되고, 서로 인접한 두 개의 단위부(U)들의 연결부(102)들은 서로 연결될 수 있다. 여기서, 단위부(U)에 포함된 연결부(102)는 단위부(U)의 영역 내에 위치하는 연결부(102)의 일부 영역을 지칭할 수 있으며, 또는 이웃한 두 개의 아일랜드(101)들 사이에서 두 개의 아일랜드(101)들을 연결하는 하나의 연결부(102) 전체를 지칭할 수도 있다.
복수의 단위부(U)들 중 서로 인접한 네 개의 단위부(U)들은 그들 사이에 폐곡선(CL)을 형성하는데, 폐곡선(CL)은 빈 공간인 이격 영역(V)을 정의할 수 있다. 이격 영역(V)은, 기판(110C)의 일 영역이 제거되어 형성된 영역으로, 기판(110C)의 유연성을 향상시키고, 기판(110C)에 변형이 일어날 때 발생하는 응력을 감소시킬 수 있다. 한편, 연결부(102)는 아일랜드(101) 보다 작은 폭을 가지고 형성될 수 있으며, 이에 의해 이격 영역(V)은, 네 개의 단위부(U)들의 아일랜드(101)들과도 접하여 형성될 수 있다.
복수의 단위부(U)들 중, 서로 인접한 두 개의 단위부(U)들은 서로 대칭일 수 있다. 구체적으로 도 7에 도시된 바와 같이, 하나의 단위부(U)는 제1 방향(X)과 나란한 대칭축을 기준으로 제2 방향(Y)을 따라 인접하게 배치된 다른 하나의 단위부(U)와 대칭인 동시에, 제2 방향(Y)과 나란한 대칭축을 기준으로 제1 방향(X)을 따라 인접하게 배치된 또 다른 하나의 단위부(U)와 대칭일 수 있다.
또한, 연결부(102)가 연장된 방향과, 연결부(102)가 연결된 아일랜드(101)의 측면이 이루는 각도(θ)는 예각일 수 있다. 예를 들어, 아일랜드(101)가 사각형의 형상을 가지고, 사각형의 코너부들이 제1 방향(X)과 제2 방향(Y)을 향하도록 배치될 때, 연결부(102)들은 상기 코너부들과 인접한 영역에서 아일랜드(101)와 연결되고, 제2 방향(Y) 또는 제1 방향(X)과 나란한 방향으로 연장될 수 있다. 즉, 제1 방향(X)을 향하는 코너부에 연결된 연결부(102)는 제2 방향(Y) 또는 -제2 방향(-Y)을 향하며, 제2 방향(Y)을 향하는 코너부에 연결된 연결부(102)는 제1 방향(X) 또는 -제1 방향(-X)을 향할 수 있다.
따라서, 하나의 연결부(102)와 연결된 인접한 두 개의 아일랜드(101)들의 측면들과 상기 하나의 연결부(102)가 연장된 방향은 각각 예각을 이룰 수 있으며, 이에 의해, 아일랜드(101)들이 조밀하게 배치되고, 연결부(102)들의 길이를 최소화하여, 이격 영역(V)의 면적을 최대화할 수 있다. 또한, 기판(110C)에 연신 특성을 부여할 수 있다.
구체적으로, 도 8에 도시된 바와 같이, 기판(110C)이 신장될 때, 연결부(102)가 연결된 아일랜드(101)의 측면과 연결부(102)가 이루는 각도는 모두 증가(θ'>θ)하며, 이에 의해 이격 영역(V)의 면적이 증가할 수 있다. 따라서, 아일랜드(101)들 간의 간격이 증가하여, 기판(110C)은 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)을 따라 신장될 수 있다.
한편, 연결부(102)는 아일랜드(101)보다 작은 폭을 가지고 형성되므로, 기판(110C)에 외력의 인가시 상기 각도 증가를 위한 형상 변화는 연결부(102)에 주로 나타나게 되며, 아일랜드(101)는 기판(110C)의 연신시에도 형상이 변화하지 않을 수 있다. 따라서, 아일랜드(101) 상에 배치된 단위 표시부(200)는 기판(110C)의 형상이 변화하더라도 안정적으로 유지될 수 있는바, 기판(110C)은 예를 들면, 벤딩(bending) 디스플레이 장치, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치 또는 스트레처블(stretchable) 디스플레이 장치 등과 같이 유연성이 필요한 디스플레이 장치에 용이하게 적용할 수 있다.
복수의 단위 표시부(200)들은 복수의 아일랜드(101)들 상에 각각 배치될 수 있다. 복수의 단위 표시부(200)들 각각은, 적어도 하나의 무기층을 구비한 박막 트랜지스터(도 2의 TFT), 박막 트랜지스터(도 2의 TFT)와 전기적으로 연결된 유기발광소자(도 2의 230), 및 박막 트랜지스터(도 2의 TFT)와 유기발광소자(도 2의 230) 사이에 위치한 평탄화층(도 2의 209)을 포함할 수 있다.
박막 트랜지스터(도 2의 TFT)에 포함된 무기층은 제1 절연막(도 2의 204)과 제2 절연막(도 2의 206)일 수 있으며, 제1 절연막(도 2의 204)과 제2 절연막(도 2의 206)은 기판(110)의 전면(全面) 상에 형성될 수 있다. 즉, 제1 절연막(도 2의 204)과 제2 절연막(도 2의 206)은 복수의 아일랜드(101)들과 복수의 연결부(102)들 상에 형성될 수 있다.
평탄화층(도 2의 209)은 단위 표시부(200)들과 각각 대응하는 단위 평탄화 영역(PU)들과, 하부의 제1 절연막(도 2의 204) 또는 제2 절연막(도 2의 206)을 노출시키는 이격 영역(BA)을 포함할 수 있다. 단위 평탄화 영역(PU)은 아일랜드(101) 영역 내에 형성될 수 있다. 따라서, 이격 영역(BA)은 연결부(102)와 아일랜드(101)의 가장자리(OS)를 포함할 수 있다.
봉지막은 복수의 단위 표시부(200)들을 밀봉한다. 일 예로, 봉지막은 기판(110C)과 동일한 형태를 가질 수 있다. 봉지막은 도 2에서 도시하고 설명한 봉지막(도 2의 300), 도 4에서 도시하고 설명한 봉지막(도 4의 310), 또는 도 5에서 도시하고 설명한 봉지막(도 5의 320)일 수 있다.
봉지막은 이격 영역(BA)에서 노출된 제1 절연막(도 2의 204) 또는 제2 절연막(도 2의 206)과 접하여 복수의 단위 표시부(200)들을 각각 캡슐화할 수 있다. 이를 위해 봉지막은 아일랜드(101)의 가장자리(OS) 및 연결부(102)에서 제1 절연막(도 2의 204) 또는 제2 절연막(도 2의 206)과 접할 수 있다.
선택적 실시예로써, 봉지막은 아일랜드(101)의 가장자리(OS)에서만 제1 절연막(도 2의 204) 또는 제2 절연막(도 2의 206)과 접할 수 있으며, 연결부(102) 상에는 봉지막이 형성되지 않을 수 있다. 즉, 봉지막은 복수의 아일랜드(101)들 상에 각각 배치되어, 복수의 단위 표시부(200)들을 각각 독립적으로 밀봉하도록 복수 개로 분할되어 형성될 수 있다.
도 9는 복수의 단위 표시부(200)이 아일랜드(101)들 상에 각각 배치될 때 복수의 단위 표시부(200)과 연결된 배선의 예를 도시하고 있다. 도 9를 참조하면, 하나의 아일랜드(101)에는, 아일랜드(101)를 기준으로 서로 반대측에 위치하고 각각 제1 방향(X)과 나란한 방향으로 연장된 한 쌍의 제1 연결부(102a)들과, 아일랜드(101)를 기준으로 서로 반대측에 위치하고 각각 제2 방향(Y)과 나란한 방향으로 연장된 한 쌍의 제2 연결부(102b)들이 연결될 수 있다.
한 쌍의 제1 연결부(102a)들 상에는 제1 배선부가 위치하고, 한 쌍의 제2 연결부(102b)들 상에는 제2 배선부가 위치할 수 있다. 일 예로, 제1 배선부는 제1 전압선(V1), 제2 전압선(V2) 및 적어도 하나의 데이터선(DL)을 포함할 수 있으며, 제2 배선부는 적어도 하나의 스캔선(SL)을 포함할 수 있다.
데이터선(DL)은 박막 트랜지스터(도 2의 TFT)의 드레인 전극(도 2의 208)과 연결되어 데이터 신호를 박막 트랜지스터로 인가할 수 있다. 제1 전압선(V1)은, 복수의 단위 표시부(200)들 각각에 포함되어 서로 분리된 제1 전극(도 2의 231)들을 서로 전기적으로 연결할 수 있다. 스캔선(SL)은 박막 트랜지스터(도 2의 TFT)로 스캔 신호를 인가하기 위해 박막 트랜지스터(도 2의 TFT)의 게이트 전극(도 2의 205)과 연결될 수 있다.
한편, 복수의 단위 표시부(200)들 각각은 서로 분리된 제2 전극(도 2의 232)을 포함할 수 있고, 이와 같이 제2 전극(도 4의 232)들이 서로 분리된 경우, 이들을 서로 전기적으로 연결하기 위해 제2 전압선(V2)은 제1 전압선(V1)과 동일 또는 유사한 패턴을 가지고 형성될 수 있다. 이때, 제2 전압선(V2)은 컨택홀에 의해 제2 전극(도 2의 232)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 배선부와 제2 배선부는 아일랜드 상에서 서로 교차할 수 있다.
제1 배선부는 제1 방향(X)을 따라 연장되며, 관통부(V)의 주변을 따라 제2 방향(Y)과 나란한 방향으로 돌출되어 굴곡된 영역을 포함할 수 있다. 즉, 제1 배선부는 제1 방향(X)으로 연장되고, 굴곡된 형태를 일정한 주기를 갖고 반복할 수 있어, 제1 배선부로 인한 단위 표시부(200)들 간의 휘도 불균일 등을 감소 또는 방지할 수 있다. 또한, 동일한 방향으로 연장된 복수의 제1 배선부들은 서로 중첩되지 않도록 형성하여 서로간의 간섭을 최소화할 수 있다.
이와 마찬가지로, 제2 배선부는 제2 방향(Y)으로 연장되고, 제1 방향(X)과 나란한 방향으로 도출된 굴곡된 영역을 일정한 주기를 갖고 반복될 수 있어, 제2 배선부로 인한 단위 표시부(200)들 간의 휘도 불균일 등을 감소 또는 방지할 수 있다. 또한, 동일한 방향으로 연장된 제2 배선부는 서로 중첩되지 않도록 형성하여 서로간의 간섭을 최소화할 수 있다.
이상에서는 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (19)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 위치하고, 적어도 하나의 무기층을 구비한 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 표시 소자, 및 상기 박막 트랜지스터와 상기 표시 소자 사이에 위치한 평탄화층을 각각 구비한 복수의 단위 표시부들; 및
    상기 복수의 단위 표시부들을 밀봉하는 봉지막;을 포함하고,
    상기 평탄화층은, 상기 복수의 단위 표시부들 사이에서 상기 적어도 하나의 무기층의 표면을 노출시키는 이격 영역을 포함하고,
    상기 봉지막은, 상기 이격 영역에서 상기 적어도 하나의 무기층과 접하는 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 이격 영역은, 상기 복수의 단위 표시부들을 각각 에워싸는 디스플레이 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 평탄화층은, 상기 복수의 단위 표시부들과 각각 대응하는 단위 평탄화 영역들을 포함하고, 상기 단위 평탄화 영역들은 상기 이격 영역에 의해 서로 이격된 디스플레이 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 평탄화층은, 유기 물질을 포함하는 디스플레이 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 봉지막은, 적어도 하나의 무기 봉지막을 포함하고,
    상기 이격 영역에서, 상기 적어도 하나의 무기 봉지막이 상기 적어도 하나의 무기층과 접하는 디스플레이 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 봉지막은, 적어도 하나의 유기 봉지막을 더 포함하고,
    상기 적어도 하나의 무기 봉지막은, 상기 유기 봉지막의 하부에 배치된 제1 무기 봉지막과 상기 유기 봉지막 상부에 배치된 제2 무기 봉지막을 포함하며,
    상기 이격 영역에서, 상기 제1 무기 봉지막이 상기 적어도 하나의 무기층과 접하는 디스플레이 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 유기 봉지막은, 상기 복수의 단위 표시부들과 각각 대응하는 단위 유기 봉지막들을 포함하고,
    상기 제1 무기 봉지막과 상기 제2 무기 봉지막은 상기 단위 유기 봉지막들 외곽에서 서로 접하는 디스플레이 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 복수의 단위 표시부들 각각은, 상기 복수의 단위 표시부들 각각의 가장자리에 위치하여 상기 복수의 단위 표시부들을 각각 에워싸는 댐부를 포함하고,
    상기 단위 유기 봉지막은 상기 댐부의 내측에 위치하는 디스플레이 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 무기층은, 상기 박막 트랜지스터의 활성층과 게이트 전극 사이의 제1 절연막과, 상기 게이트 전극 상의 제2 절연막을 포함하고,
    상기 이격 영역에서 상기 제1 절연막 또는 상기 제2 절연막이 노출되는 디스플레이 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 단위 표시부들 각각은 상기 평탄화층 상에 패시베이션막을 더 포함하고,
    상기 기판은, 제1 배리어층과 제1 지지층의 적층 구조를 가지며, 상기 제1 배리어층이 상기 제1 지지층보다 상기 박막 트랜지스터에 더 인접하게 배치된 디스플레이 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 패시베이션막은 무기 재질을 포함하는 디스플레이 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 기판은, 서로 이격된 복수의 아일랜드들, 상기 복수의 아일랜드들을 연결하는 복수의 연결부들, 및 상기 복수의 연결부들 사이에 상기 기판을 관통하는 복수의 관통부들을 포함하고,
    상기 복수의 단위 표시부들은 상기 복수의 아일랜드들 상에 각각 배치된 디스플레이 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 이격 영역은 상기 복수의 연결부들과, 상기 복수의 아일랜드들의 가장자리를 포함하며,
    상기 봉지막은 적어도 상기 복수의 아일랜드들의 가장자리에서 상기 적어도 하나의 무기층과 접하는 디스플레이 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 봉지막은 상기 복수의 아일랜드들 상에 각각 배치되어 상기 복수의 단위 표시부들을 각각 독립적으로 밀봉하는 복수의 봉지막들을 포함하는 디스플레이 장치.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 복수의 아일랜드들은 제1 방향 및 상기 제1 "?향?? 상이한 제2 방향을 따라 반복 하여 배치되고,
    상기 복수의 아일랜드들 각각에는 네 개의 연결부들이 연결되며,
    상기 복수의 아일랜드들 중, 어느 하나의 아일랜드에 연결된 상기 네 개의 연결부들은 서로 다른 방향으로 연장되어, 상기 어느 하나의 아일랜드를 에워싸는 다른 네 개의 아일랜드들과 각각 연결된 디스플레이 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 복수의 아일랜드들 중, 서로 인접한 두 개의 아일랜드들은 하나의 연결부에 의해 연결되고,
    상기 하나의 연결부와 연결된 상기 인접한 두 개의 아일랜드들의 측면들과 상기 하나의 연결부가 연장된 방향은 각각 예각을 이루는 디스플레이 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 복수의 아일랜드들은 각각 사각형의 형상을 가지고,
    상기 사각형의 코너부들은 상기 제1 방향과 상기 제2 방향을 향하는 디스플레이 장치.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 표시 소자는, 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고 유기 발광층을 구비하는 중간층을 포함하는 디스플레이 장치.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 단위 표시부들 각각은, 적색의 광을 방출하는 적어도 하나의 상기 표시 소자, 청색의 광을 방출하는 적어도 하나의 상기 표시 소자, 및 녹색의 광을 방출하는 적어도 하나의 상기 표시 소자를 포함하는 디스플레이 장치.
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