JP2015144254A - 発光デバイス、表示装置及び発光デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
従来のディスプレイ装置では、配線基板を曲面状に撓ませて使用する際に、導体と発光素子との接続部分に負荷がかかりやすく、導通不良等の不具合が発生するという課題がある。
本開示に係る発光デバイスの一態様は、複数のLEDチップが配列された発光デバイスであって、前記複数のLEDチップのそれぞれは、基板と、前記基板上に形成された発光領域と、前記基板上に形成された電極と、前記基板を貫通するスルーホールとを有し、前記発光デバイスは、1つの前記LEDチップの前記スルーホールと前記1つのLEDチップに隣接する他のLEDチップのスルーホールとを通過した上で、前記1つのLEDチップの前記電極と前記他のLEDチップの前記電極とを電気的に接続する配線を備え、前記1つのLEDチップ及び前記他のLEDチップの各々について、前記基板の主面に平行な平面で切断したときの断面において、前記スルーホールを通過した前記配線の先端部は、当該配線の前記スルーホール内での断面積よりも大きい断面積を有し前記1つのLEDチップの前記基板と前記他のLEDの前記基板とは分離し、前記配線が前記1つのLEDチップと前記他のLEDチップとを連結する。
まず、実施の形態1に係る発光デバイス1について、図1A及び図1Bを用いて説明する。図1Aは、実施の形態1に係る発光デバイスの構成を示す模式図である。図1Bは、実施の形態1に係る発光デバイスの電気回路図である。なお、図1Aにおいて、LEDチップ10は、一部の構成のみを図示している。
次に、実施の形態2に係る発光デバイス2について、図9、図10A及び図10Bを用いて説明する。図9は、実施の形態2に係る発光デバイスの構成を示す模式図である。図10Aは、実施の形態2に係る発光デバイスにおけるLEDチップと第1配線との接続関係を示す図であり、図10Bは、実施の形態2に係る発光デバイスにおけるLEDチップと第2配線との接続関係を示す図である。
次に、実施の形態3に係る発光デバイス3について説明する。図14は、実施の形態3に係る発光デバイスの構成を示す模式図である。
次に、実施の形態4に係る発光デバイス4について説明する。図19は、実施の形態4に係る発光デバイスの構成を示す模式図である。
次に、実施の形態5に係る発光デバイス5について説明する。図24は、実施の形態5に係る発光デバイスの構成を示す模式図である。
次に、実施の形態6に係る発光デバイス6について説明する。図30は、実施の形態6に係る発光デバイスの構成を示す模式図である。
次に、実施の形態7に係る表示装置1000について、図34を用いて説明する。図34は、実施の形態7に係る表示装置の概略図である。
以上、本開示の実施の形態について説明したが、本開示は、上記の実施の形態に限定されるものではない。
10、10’、10”、10A、10A’、10B、10B’、10B”、10C LEDチップ
11 基板
12 発光領域
12a n型半導体層
12b 活性層
12c p型半導体層
13a 第1パッド電極
13a” 裏面側第1パッド電極
13b 第2パッド電極
13b” 裏面側第2パッド電極
14a、14a1、14a2、14a3 第1スルーホール
14b 第2スルーホール
15a p側電極
15b n側電極
16 絶縁膜
17 導電性接着剤
20 配線
21、21A、21B、21B’ 第1配線
21a、21Aa、22a、22Aa 先端部
21L 走査線
22、22A、22B 第2配線
21A1、21B1、22A1 主配線部
21A2、21B2、22A2 副配線部
22L データ線
30 絶縁層
100 ウエハ
200 圧接装置
201 加圧端子
1000 表示装置
1100 スキャンドライバ
1200 データドライバ
Claims (15)
- 複数のLEDチップが配列された発光デバイスであって、
前記複数のLEDチップのそれぞれは、
基板と、
前記基板上に形成された発光領域と、
前記基板上に形成された電極と、
前記基板を貫通するスルーホールとを有し、
前記発光デバイスは、
1つの前記LEDチップの前記スルーホールと前記1つのLEDチップに隣接する他のLEDチップのスルーホールとを通過した上で、前記1つのLEDチップの前記電極と前記他のLEDチップの前記電極とを電気的に接続する配線を備え、
前記1つのLEDチップ及び前記他のLEDチップの各々について、前記基板の主面に平行な平面で切断したときの断面において、前記スルーホールを通過した前記配線の先端部は、当該配線の前記スルーホール内での断面積よりも大きい断面積を有し、
前記1つのLEDチップの前記基板と前記他のLEDの前記基板とは分離し、前記配線が前記1つのLEDチップと前記他のLEDチップを連結する、
発光デバイス。 - 前記配線は、隣接する2つの前記LEDチップごとに複数設けられている、
請求項1に記載の発光デバイス。 - 前記スルーホールを通過した前記配線の前記先端部は、前記基板の表面に沿って屈曲している、
請求項1に記載の発光デバイス。 - 前記スルーホールを通過した前記配線の前記先端部は、前記基板の前記発光領域が形成された主面と対向する主面に存在する、
請求項3に記載の発光デバイス。 - 前記配線は、隣接する2つの前記LEDチップの間に伸縮構造を有する、
請求項1に記載の発光デバイス。 - 前記配線は、3つ以上の前記LEDチップを接続する主配線部と、前記主配線部から前記LEDチップごとに分岐する副配線部とを有し、
前記主配線部は、前記基板のうち前記発光領域が形成された主面と対向する主面に沿って形成されており、
前記副配線部は、前記スルーホール内に位置する、
請求項1に記載の発光デバイス。 - 前記スルーホールは、1つの前記基板に複数設けられており、
前記配線は、前記1つのLEDチップの1つの前記スルーホールと前記他のLEDチップの1つの前記スルーホールとを前記基板の一方の主面側から挿通する第1配線と、前記1つのLEDチップの他の前記スルーホールと前記他のLEDチップの他の前記スルーホールとを前記基板の他方の主面側から挿通する第2配線とを有する、
請求項1に記載の発光デバイス。 - 前記スルーホールの断面積は、当該配線の前記スルーホール内での断面積よりも大きい、
請求項1に記載の発光デバイス。 - 前記複数のLEDチップは、前記配線より柔軟である樹脂でパッケージされている、
請求項1に記載の発光デバイス。 - 前記発光デバイスは、
前記他のLEDチップとは異なる側に前記1つのLEDチップに隣接する第3のLEDチップを含み、
前記1つのLEDチップの前記スルーホールには、前記他のLEDチップの前記電極と前記1つのLEDチップの前記電極とが電気的に接続された第1配線と、前記第3のLEDチップの前記電極と前記1つのLEDチップの前記電極とが電気的に接続された第2配線とが通過している、
請求項1に記載の発光デバイス。 - 前記スルーホールの孔径は、前記発光領域及び前記電極が形成された前記基板の第1主面とは反対側の第2主面に向けて広くなっている、
請求項1に記載の発光デバイス。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載の発光デバイスを備える、
表示装置。 - 複数のLEDチップが配列された発光デバイスの製造方法であって、
基板に前記基板を貫通する複数のスルーホールを形成する工程と、
前記基板上に複数の発光領域を形成する工程と、
前記基板に複数の電極を形成する工程と、
各々が、少なくとも1つの前記スルーホールと、少なくとも1つの発光領域と、少なくとも1つの電極とを含むように、前記基板を分割して、複数のLEDチップを形成する工程と、
前記複数のLEDチップのうち、1つの前記LEDチップが有する前記電極と他の前記LEDチップが有する前記電極とを接続するように、前記スルーホールに配線を挿通する工程と、
前記基板の主面に水平な平面で切断したときの断面において、前記配線の前記スルーホール内での断面積よりも大きい断面積となるように、前記スルーホールを挿通させた前記配線の先端を加工する工程と、を含む、
発光デバイスの製造方法。 - 前記配線の先端を加工する工程では、前記スルーホールに挿通させた前記配線の先端を、溶着装置によって溶着する、
請求項13に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記配線の先端を加工する工程では、前記スルーホールに挿通させた前記配線の先端を、圧接装置によって圧接する、
請求項13に記載の発光デバイスの製造方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015164177A (ja) * | 2014-01-28 | 2015-09-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電子デバイスおよびその製造方法 |
KR20160041767A (ko) * | 2014-10-07 | 2016-04-18 | 에피스타 코포레이션 | Led 디바이스 탑재에 포함한 mems 제조의 이용 및 어셈블리 |
JP2017111200A (ja) * | 2015-12-14 | 2017-06-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 映像表示装置 |
KR20170088013A (ko) * | 2016-01-21 | 2017-08-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스트레쳐블 표시 장치 |
KR20170113934A (ko) * | 2016-03-29 | 2017-10-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
JP2020504324A (ja) * | 2016-12-20 | 2020-02-06 | 深▲セン▼市華星光電技術有限公司 | 表示装置 |
US11439019B2 (en) | 2018-09-28 | 2022-09-06 | Nichia Corporation | Printed circuit board and method of manufacturing the same |
KR102664207B1 (ko) | 2018-10-08 | 2024-05-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 스트레쳐블 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102618354B1 (ko) | 2016-04-15 | 2023-12-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
JP6408516B2 (ja) * | 2016-07-01 | 2018-10-17 | ミネベアミツミ株式会社 | 面状照明装置及び基板 |
CN107783222B (zh) * | 2016-08-26 | 2020-07-14 | 美蓓亚三美株式会社 | 面状照明装置和基板 |
US11527519B2 (en) | 2017-11-27 | 2022-12-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
US11282981B2 (en) | 2017-11-27 | 2022-03-22 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Passivation covered light emitting unit stack |
US10892296B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-01-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device having commonly connected LED sub-units |
US10892297B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-01-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) stack for a display |
US10748881B2 (en) | 2017-12-05 | 2020-08-18 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
US10886327B2 (en) | 2017-12-14 | 2021-01-05 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
US11552057B2 (en) | 2017-12-20 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
US11522006B2 (en) | 2017-12-21 | 2022-12-06 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
US11552061B2 (en) | 2017-12-22 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
US11114499B2 (en) | 2018-01-02 | 2021-09-07 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Display device having light emitting stacked structure |
US10784240B2 (en) | 2018-01-03 | 2020-09-22 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
CN113299622B (zh) * | 2019-06-11 | 2024-02-27 | 泉州三安半导体科技有限公司 | 发光二极管 |
KR20230019404A (ko) * | 2020-06-03 | 2023-02-08 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 면상 광원 및 그 제조 방법 |
Citations (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0572978A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-03-26 | Denki Kagaku Kogyo Kk | フレキシブルマトリツクス回路基板及び表示板 |
JPH06332389A (ja) * | 1993-05-24 | 1994-12-02 | F C Soken Kk | 発光体付きコードの製法 |
JPH09297549A (ja) * | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Takiron Co Ltd | フレキシブル線状発光体 |
JP3075689U (ja) * | 2000-08-17 | 2001-02-27 | 舶用電球株式会社 | Led電球 |
JP2005032649A (ja) * | 2003-07-09 | 2005-02-03 | Mk Seiko Co Ltd | 発光装置 |
JP2005507142A (ja) * | 2001-10-16 | 2005-03-10 | テレダイン ライティング アンド ディスプレイ プロダクツ, インコーポレイテッド | フレキシブル照明セグメント |
JP2005093594A (ja) * | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
US20050213321A1 (en) * | 2004-03-24 | 2005-09-29 | Yuan Lin | Full-color flexible light source device |
JP2006500765A (ja) * | 2002-08-26 | 2006-01-05 | シーエッチ キャピタル インコーポレイテッド | コスト、質量、体積を低減し、効率および出力密度を向上させた電子部品アセンブリ/システム |
JP2007067016A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007156095A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Fureddo:Kk | Led照明装置とその発光部 |
US20090219225A1 (en) * | 2008-01-04 | 2009-09-03 | Nanolumens Acquisition, Inc. | Flexible display |
US20100096651A1 (en) * | 2008-09-25 | 2010-04-22 | Epivalley Co., Ltd. | III-Nitride Semiconductor Light Emitting Device |
US20100277666A1 (en) * | 2007-05-22 | 2010-11-04 | OSRAM Gelsellschaft mit beschrankter | Lighting Device, Backlighting Device, and Display Device |
JP2011060996A (ja) * | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Napura:Kk | 発光ダイオード、発光装置、照明装置、ディスプレイ及び信号灯 |
JP2011164233A (ja) * | 2010-02-07 | 2011-08-25 | Sinzan Co Ltd | チャンネル文字用のled光源 |
JP2012119428A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2013197064A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Toshiba Corp | 照明装置及びその製造方法 |
JP6264568B2 (ja) * | 2013-08-06 | 2018-01-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光デバイスおよび表示装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0854840A (ja) | 1994-08-12 | 1996-02-27 | N O Ke G & G Opt Electron Kk | ディスプレイ用配線基板 |
JP4491948B2 (ja) * | 2000-10-06 | 2010-06-30 | ソニー株式会社 | 素子実装方法および画像表示装置の製造方法 |
JP2005064104A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオードアレイ |
JP5486759B2 (ja) | 2006-04-14 | 2014-05-07 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
-
2014
- 2014-12-15 JP JP2014253491A patent/JP6497647B2/ja active Active
- 2014-12-17 US US14/572,771 patent/US9142748B2/en active Active
Patent Citations (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0572978A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-03-26 | Denki Kagaku Kogyo Kk | フレキシブルマトリツクス回路基板及び表示板 |
JPH06332389A (ja) * | 1993-05-24 | 1994-12-02 | F C Soken Kk | 発光体付きコードの製法 |
JPH09297549A (ja) * | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Takiron Co Ltd | フレキシブル線状発光体 |
JP3075689U (ja) * | 2000-08-17 | 2001-02-27 | 舶用電球株式会社 | Led電球 |
JP2005507142A (ja) * | 2001-10-16 | 2005-03-10 | テレダイン ライティング アンド ディスプレイ プロダクツ, インコーポレイテッド | フレキシブル照明セグメント |
JP2006500765A (ja) * | 2002-08-26 | 2006-01-05 | シーエッチ キャピタル インコーポレイテッド | コスト、質量、体積を低減し、効率および出力密度を向上させた電子部品アセンブリ/システム |
JP2005032649A (ja) * | 2003-07-09 | 2005-02-03 | Mk Seiko Co Ltd | 発光装置 |
JP2005093594A (ja) * | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
US20050213321A1 (en) * | 2004-03-24 | 2005-09-29 | Yuan Lin | Full-color flexible light source device |
JP2007067016A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007156095A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Fureddo:Kk | Led照明装置とその発光部 |
US20100277666A1 (en) * | 2007-05-22 | 2010-11-04 | OSRAM Gelsellschaft mit beschrankter | Lighting Device, Backlighting Device, and Display Device |
US20090219225A1 (en) * | 2008-01-04 | 2009-09-03 | Nanolumens Acquisition, Inc. | Flexible display |
US20100096651A1 (en) * | 2008-09-25 | 2010-04-22 | Epivalley Co., Ltd. | III-Nitride Semiconductor Light Emitting Device |
JP2011060996A (ja) * | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Napura:Kk | 発光ダイオード、発光装置、照明装置、ディスプレイ及び信号灯 |
JP2011164233A (ja) * | 2010-02-07 | 2011-08-25 | Sinzan Co Ltd | チャンネル文字用のled光源 |
JP2012119428A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2013197064A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Toshiba Corp | 照明装置及びその製造方法 |
JP6264568B2 (ja) * | 2013-08-06 | 2018-01-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光デバイスおよび表示装置 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015164177A (ja) * | 2014-01-28 | 2015-09-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電子デバイスおよびその製造方法 |
KR20160041767A (ko) * | 2014-10-07 | 2016-04-18 | 에피스타 코포레이션 | Led 디바이스 탑재에 포함한 mems 제조의 이용 및 어셈블리 |
JP2016076705A (ja) * | 2014-10-07 | 2016-05-12 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司 | Ledデバイスにmems製造を組み込んだ実装方法およびアセンブリ |
KR102153145B1 (ko) | 2014-10-07 | 2020-09-08 | 에피스타 코포레이션 | Led 디바이스 탑재에 포함한 mems 제조의 이용 및 어셈블리 |
JP2017111200A (ja) * | 2015-12-14 | 2017-06-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 映像表示装置 |
KR20170088013A (ko) * | 2016-01-21 | 2017-08-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스트레쳐블 표시 장치 |
KR102488076B1 (ko) * | 2016-01-21 | 2023-01-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스트레쳐블 표시 장치 |
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US11439019B2 (en) | 2018-09-28 | 2022-09-06 | Nichia Corporation | Printed circuit board and method of manufacturing the same |
KR102664207B1 (ko) | 2018-10-08 | 2024-05-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 스트레쳐블 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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