KR20160015060A - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 서브 화소 영역 및 서브 화소 영역에서 연장된 보조 전극 컨택 영역을 갖는 기판, 보조 전극 컨택 영역에 위치된 보조 전극, 서브 화소 영역에 위치된 애노드, 애노드 상에 배치된 유기 발광층, 서브 화소 영역 및 보조 전극 컨택 영역에 위치되고, 보조 전극 컨택 영역에서 보조 전극과 전기적으로 연결된 캐소드 및 보조 전극 아래에 그리고 보조 전극 컨택 영역의 외곽의 적어도 일부에 배치된 제1 보호층을 포함한다. 본 발명에 따르면, 레이저 조사에 대한 신뢰성을 높여 유기 발광 소자의 불량이 최소화되어 신뢰성이 향상된 유기 발광 표시 장치를 제공할 수 있는 효과가 있다.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 보조 전극과 캐소드가 전기적으로 연결되는 영역의 외곽에 보호층을 형성함으로써, 보조 전극과 캐소드의 전기적 연결 시 레이저 오조사에 의한 손상을 저감시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.

유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display; OLED)는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD)와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능하다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 저전압 구동에 따라 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 응답 속도, 시야각 및 명암 대비비(contrast ratio)도 우수하여, 차세대 디스플레이로서 연구되고 있다.

[관련기술문헌]

1. 유기전계발광소자 및 그 제조방법 (한국특허출원번호 제2009-0061834호)

한편, 탑 에미션(top-emission) 방식의 유기 발광 표시 장치의 경우, 유기 발광층에서 발광된 빛을 상부로 발광시키기 위해 캐소드로 투명 또는 반투명 특성의 전극을 사용한다. 캐소드로 투명 또는 반투명 특성의 전극을 사용하는 경우 투과율을 향상시키기 위해 캐소드의 두께를 얇게 형성하는데, 캐소드 두께의 감소는 캐소드의 전기적 저항을 증가시킨다. 또한, 대면적의 유기 발광 표시 장치의 경우 외곽부에 위치하고 캐소드와 연결된 전압 공급 패드부로부터 거리가 멀어질수록, 즉, 유기 발광 표시 장치의 중앙 부분으로 향할수록 전압 강하 현상이 더 심하게 발생하여 유기 발광 표시 장치의 휘도 불균일 문제점을 발생시킬 수 있다. 전압 강하 현상은 유기 발광 소자에서 형성되는 전위차가 감소하는 현상으로, 구체적으로 유기 발광 소자의 애노드와 캐소드 사이의 전위차가 감소하는 현상을 의미한다.

탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치에서는 전압 강하 현상을 감소시키기 위한 다양한 방법이 연구되고 있다.

본 발명의 발명자는, 전하 강하 현상을 감소시키기 위하여 유기 발광층 아래에 보조 전극을 형성한 후, 보조 전극이 형성된 위치 일부에 레이저를 조사하여 보조 전극과 캐소드를 전기적으로 연결시키는 방법에 대해 인식하였다. 보조 전극 상에 유기 발광층이 형성되고, 유기 발광층 상에 캐소드가 형성된 구조에서, 보조 전극에 강한 레이저가 조사되면, 순간적인 레이저의 열 에너지로 레이저가 조사된 위치의 물질들이 녹아 보조 전극과 캐소드가 전기적으로 연결된다.

레이저를 조사하는 방식으로는 레이저가 조사되는 위치를 조정하는, 즉 포커싱을 레이저 조사 때마다 수행하는 포인트 방식이 이용될 수 있다. 그러나, 포인트 방식에서는 오차들에 의해 레이저가 보조 전극 컨택 영역, 즉, 보조 전극과 캐소드가 전기적으로 연결되는 영역이외의 영역에 조사될 수 있다. 예를 들어, 레이저의 조사 면적은 5㎛x5㎛ 내지 10㎛x10㎛이고, 레이저 조사 타겟이 되는 보조 전극 컨택 영역의 면적은 40㎛x40㎛일 수 있다. 레이저 광원 또는 조사 받는 기판이 500mm 이동할 때 마다 레이저가 조사되는 위치에는 약 10㎛의 오차가 있을 수 있으며, 레이저 조사가 반복될 때는 약 2㎛의 오차가 있을 수 있다. 이러한 오차들에 의해, 레이저가 조사되는 위치는 보조 전극 컨택 영역을 벗어날 수 있다.

레이저가 보조 전극 컨택 영역을 벗어나 조사되는 경우, 레이저의 열 에너지로 의도하지 않은 부분의 물질이 녹게 되며, 이에 따라 의도하지 않은 전기적 연결에 의해 단락 등의 불량이 발생될 수 있다. 예를 들어, 유기 발광 소자에 레이저가 조사되는 경우, 애노드와 캐소드가 전기적으로 연결되어 유기 발광 소자가 발광하지 못하게 될 수도 있다. 이에 따라, 유기 발광 소자가 발광되지 않는 불량화소가 발생될 수 있다. 또한, 레이저가 강한 에너지를 수반함에 따라, 레이저 조사에 의한 에너지는 레이저가 조사되는 면적의 약 1.5 배까지 미친다. 따라서, 레이저가 완전히 보조 전극 컨택 영역이외의 영역에 조사되지 않고, 보조 전극 컨택 영역의 외곽에 걸치는 경우에도, 의도하지 않은 부분의 물질이 녹아 단락 등의 불량이 발생할 수 있다.

따라서, 레이저의 조사를 통해 유기 발광층 아래의 보조 전극과 유기 발광층 위의 캐소드를 연결하는 방식에서, 레이저의 조사가 보조 전극 컨택 영역 내에서 수행되는 것이 유기 발광 소자의 불량을 최소화시키는데 있어서 매우 중요하다.

더욱이, 양산 효율성을 높이기 위해, 레이저를 조사할 때마다 포커싱을 수행하는 포인트 방식이 아닌, 1회 포커싱 후 레이저 광원 또는 기판을 복수회 이동시키는 플라잉(flying) 방식이 적용될 수도 있다. 이러한 플라잉 방식이 적용되면, 포커싱의 횟수가 적어짐으로 인해, 전술된 오차 범위가 포인트 방식보다 더 커질 수 있다. 이에 따라, 레이저가 보조 전극 컨택 영역 이외의 영역에 조사되는 빈도가 더 높아질 수 있으며, 레이저가 보조 전극 컨택 영역 밖에 조사됨에 의해 발생하는 불량이 더 증가하여 불량화소가 증가할 수 있다.

본 발명의 발명자들은 레이저 조사로 보조 전극과 캐소드를 연결시키는 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치에 있어서, 레이저가 보조 전극 컨택 영역이외의 영역에 조사되더라도, 의도하지 않은 부분의 물질이 녹아 발생하는 불량 화소 등을 최소화할 수 있는 새로운 구조를 갖는 유기 발광 표시 장치를 발명하였다.

이에 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 전압 강하 현상을 감소시키기 위한 보조 전극을 캐소드에 연결하여 전압 공급 패드부로부터 거리가 멀어질수록 커지는 유기 발광 소자의 휘도 감소를 해결하는 동시에, 연결 과정에서 발생할 수 있는 단락 등의 불량이 최소화된 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 해결하고자 하는 다른 과제는 보조 전극과 캐소드를 연결시키기 위한 레이저 조사에 취약한 구성 요소들 이외에도 산화물 반도체와 같이 빛에 의해 손상될 수 있는 물질이 보호될 수 있어 신뢰성이 향상된 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 서브 화소 영역 및 서브 화소 영역에서 연장된 보조 전극 컨택 영역을 갖는 기판을 포함한다. 유기 발광 표시 장치는 보조 전극 컨택 영역에 위치된 보조 전극을 포함한다. 유기 발광 표시 장치는 서브 화소 영역에 위치된 애노드, 애노드 상에 배치된 유기 발광층 및 캐소드를 포함한다. 캐소드는 서브 화소 영역 및 보조 전극 컨택 영역에 위치되고, 보조 전극 컨택 영역에서 보조 전극과 전기적으로 연결된다. 그리고, 유기 발광 표시 장치는 기판과 보조 전극 사이에 위치된 제1 보호층을 포함한다. 제1 보호층은 보조 전극 컨택 영역의 적어도 일부에 배치된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 따르면 보조 전극과 캐소드를 연결하기 위한 레이저 조사시 일부 레이저 조사의 위치가 벗어나더라도 제1 보호층이 레이저를 막게 되어 레이저로 인해 발생할 수 있는 금속층들의 단락이 최소화되어, 유기 발광 소자의 불량률이 감소될 수 있다.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 유기 발광 표시 장치는 애노드와 이격되고 애노드와 동일한 물질로 형성된 추가 보조 전극을 더 포함하고, 추가 보조 전극은 보조 전극 상에 배치되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 보호층은 보조 전극 컨택 영역의 외곽을 둘러싸도록 배치된 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 유기 발광 표시 장치는 애노드와 전기적으로 연결되고, 산화물 반도체로 이루어진 액티브층을 포함하는 박막 트랜지스터 및 액티브층과 중첩되고, 제1 보호층과 동일한 물질로 이루어진 제2 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 보호층의 일부는 보조 전극 컨택 영역의 외곽으로부터 내측으로 연장되어 보조 전극과 중첩되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 보호층은 보조 전극 컨택 영역을 제외한 기판 전면 상에 형성된 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 유기 발광 표시 장치는 기판과 보조 전극 사이에 개재되고, 복수의 층으로 이루어진 멀티 버퍼층을 더 포함하고, 제1 보호층은 복수의 층 사이에 배치된 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 기판은 적색 서브 화소 영역, 녹색 서브 화소 영역, 청색 서브 화소 영역 및 백색 서브 화소 영역을 갖고, 서브 화소 영역은 백색 서브 화소 영역인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 기판은 적색 서브 화소 영역, 녹색 서브 화소 영역 및 청색 서브 화소 영역을 갖고, 서브 화소 영역은 적색 서브 화소 영역, 녹색 서브 화소 영역 및 청색 서브 화소 영역 중 가장 작은 서브 화소 영역인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 유기 발광 표시 장치는 액티브층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 더 포함하고, 보조 전극은 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나와 동일한 물질로 이루어진 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 보호층은 금속 또는 광 흡수 물질로 이루어진 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 보호층의 두께는 500 내지 2000 Å 인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 보조 전극은 보조 전극 컨택 영역에서 캐소드와 연결되는 컨택부를 갖는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.

본 발명은 보조 전극 컨택 영역의 외곽에 보호층을 배치함으로써, 레이저의 조사 시, 보조 전극 컨택 영역 외에서 의도하지 않은 부분의 물질에 에너지가 전달되는 것을 최소화하여 단락 등에 의한 유기 발광 표시 장치의 불량을 감소시키고, 유기 발광 표시 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

또한, 본 발명은 보조 전극 컨택 영역의 외곽과 그 외곽으로부터 확장된 영역에 보호층을 형성함으로써, 산화물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터를 레이저 또는 외부의 빛 등으로부터 보호하여 유기 발광 표시 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 걔략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II'에 따라 절단된 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "상에 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 당업자가 충분히 이해할 수 있듯이 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 걔략적인 평면도이다. 도 2는 도 1의 II-II'에 따라 절단된 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 도 1에서는 설명의 편의를 위해 유기 발광 표시 장치(100)의 구성 요소들 중 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 컨택부(127) 및 제1 보호층(160)만을 도시하였다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(101), 멀티 버퍼층(110), 박막 트랜지스터(120), 게이트 절연층(131), 층간 절연층(132), 패시베이션층(133), 평탄화층(134), 뱅크(135), 유기 발광 소자(140), 보조 전극(125), 추가 보조 전극(126) 및 컨택부(127)을 포함한다.

유기 발광 표시 장치(100)는 유기 발광층(142)에서 발광된 빛이 박막 트랜지스터가 형성된 기판(101)의 상면 방향, 즉, 캐소드(143) 방향으로 방출되는 탑 에미션(top emission) 방식의 유기 발광 표시 장치이다. 도 2에서는 설명의 편의를 위해 도시하지 않았으나, 유기 발광 표시 장치(100)는 유기 발광층(142)로부터 발광된 빛이 캐소드(143) 방향으로 방출되도록 하기 위해 애노드(141)가 별도의 반사층을 더 포함할 수도 있다.

도 1을 참조하면, 기판(101)은 적색 서브 화소 영역(red sub-pixel area; SA-R), 녹색 서브 화소 영역(green sub-pixel area; SA-G), 청색 서브 화소 영역(blue sub-pixel area; SA-B), 백색 서브 화소 영역(white sub-pixel area; SA-W) 및 보조 전극 컨택 영역(auxiliary electrode contact area; CA)을 갖는다. 각각의 서브 화소 영역들(SA-R, SA-G, SA-B, SA-W)은 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)에 의해 구분된다. 보조 전극 컨택 영역(CA)은 백색 서브 화소 영역(SA-W)으로부터 연장된 영역이다. 서브 화소 영역들(SA-R, SA-G, SA-B, SA-W)은 유기 발광 소자(140)로부터 발광되는 빛이 외부로 방출되는 발광되는 부분과 빛이 방출되지 않는 부분으로 이루어진다. 서브 화소 영역들(SA-R, SA-G, SA-B, SA-W)에는 유기 발광 소자(140) 및 유기 발광 소자(140)를 구동하기 위한 박막 트랜지스터가 배치된다.

보조 전극 컨택 영역(CA)은 보조 전극(125)이 캐소드(143)와 전기적으로 연결될 수 있도록 레이저가 조사되는 영역이다. 즉, 보조 전극 컨택 영역(CA)은 레이저가 조사되는 타겟이 되는 영역으로서, 보조 전극(125)이 형성된 영역으로 정외된다. 캐소드(143)와 보조 전극(125)은 보조 전극 컨택 영역(CA) 내에서 전기적으로 연결된다. 보조 전극 컨택 영역(CA)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(100)에서 백색 서브 화소 영역(SA-W)으로부터 연장되어 배치된다. 보조 전극 컨택 영역(CA)이 백색 서브 화소 영역(SA-W)으로부터 연장되면, 유색 빛을 발광하는 서브 화소 영역(SA-R, SA-G, SA-B)의 발광 면적이 영향을 받지 않는다. 즉 하나의 화소에서 색 표현에 영향을 주지 않으면서, 보조 전극(125)이 형성될 수 있다. 그러나, 이에 제한되지 않고, 보조 전극 컨택 영역(CA)은 다른 서브 화소 영역(SA-R, SA-G, SA-B)로부터 연장되어 형성될 수도 있다. 보조 전극 컨택 영역(CA)이 형성되는 위치는 서브 화소 영역(SA-R, SA-G, SA-B)의 발광 영역의 면적을 고려하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 적색, 녹색, 청색으로 하나의 화소가 구성되는 유기 발광 표시 장치(100)에서는 발광 효율이 높아 작은 발광 영역의 면적에서도 높은 휘도로 빛을 발광하는 녹색 서브 화소 영역(SA-G)에 보조 전극 컨택 영역(CA)이 배치될 수 있다.

이하에서는 도 2를 참조하여, 보조 전극 컨택 영역(CA)에서 보조 전극(125)과 캐소드(143)가 연결된 구조를 갖는 유기 발광 표시 장치(100)의 단면 구조에 대해 설명된다. 백색 서브 화소 영역(SA-W)에서의 구성 요소들이 설명된 후 보조 전극 컨택 영역(CA)에서의 구성 요소들 및 보조 전극 컨택 영역(CA)의 외곽에 형성되는 제1 보호층(160)이 설명된다.

도 2를 참조하면, 기판(101) 상에 멀티 버퍼층(110)이 형성된다. 멀티 버퍼층(110)은 제1 무기물층(111), 제1 무기물층(111) 상의 유기물층(112) 및 유기물층(112) 상의 제2 무기물층(113)을 포함한다. 그러나, 멀티 버퍼층(110)은 이에 제한되지 않고 다양한 물질과 상이한 수의 층들을 포함할 수 있다. 제1 무기물층(111) 상에는 제1 보호층(160)이 배치된다. 제1 보호층(160)에 대해서는 이하에서 보조 전극(125)과 함께 후술한다. 멀티 버퍼층(110) 상에는 백색 서브 화소 영역(SA-W)의 박막 트랜지스터(120)가 형성된다. 구체적으로, 멀티 버퍼층(110) 상에는 액티브층(121), 게이트 전극(122), 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)을 포함하는 코플라나(coplanar) 구조의 박막 트랜지스터(120)가 형성된다. 액티브층(121)과 게이트 전극(122)은 게이트 절연층(131)에 의해 절연되고, 층간 절연층(132)이 게이트 전극(122)과 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)을 절연시킨다. 그러나, 박막 트랜지스터(120)는 이에 제한되지 않고 다양한 구조의 박막 트랜지스터(120)가 사용될 수 있다.

박막 트랜지스터(120) 상에는 패시베이션층(133)이 형성된다. 패시베이션층(133)은 박막 트랜지스터(120)를 수분이나 산소의 침투로부터 보호한다. 도 2에서 패시베이션층(133)은 절연층이므로 보조 전극(125)과 캐소드(143)와의 전기적 연결에서 저항을 높이지 않도록, 보조 전극 컨택 영역(CA)에는 형성되지 않는다. 보조 전극(125)과 캐소드(143) 사이에 패시베이션층(133)이 형성되면, 레이저가 조사되어 보조 전극(125)과 캐소드(143)가 전기적으로 연결될 때 절연성의 패시베이션층(133)의 물질이 보조 전극(125)과 캐소드(143) 사이에 남아 전기적으로 연결되는 부분의 저항이 일부 높아질 수 있다. 그러나, 이에 제한되지 않고, 보조 전극(125)이 공기 등에 노출되어 산화되는 것을 최소화하기 위해 패시베이션층(133)은 보조 전극(125)의 일부 상에 형성될 수도 있다. 패시베이션층(133)이 보조 전극(125) 상에 형성되는 경우, 레이저 조사의 강도를 더 높이게 되면 패시베이션층(133)이 충분히 녹아 보조 전극(125)과 캐소드(143)가 레이저에 의해 전기적 연결을 형성 시 충분히 낮은 저항을 유지할 수도 있다.

패시베이션층(133) 상에는 평탄화층(134)이 형성된다. 평탄화층(134)은 박막 트랜지스터(120) 상부를 평탄화하는 층이다. 평탄화층(134)은 박막 트랜지스터(120)의 드레인 전극(124) 또는 소스 전극(123)의 적어도 일부를 노출시키는 컨택홀을 갖는다. 보조 전극 컨택 영역(CA) 전면에 평탄화층(134)이 형성되면, 보조 전극(125)과 캐소드(143) 사이의 거리가 멀어져 레이저의 조사로도 보조 전극(125)과 캐소드(143)가 연결되지 못할 수 있다. 따라서, 평탄화층(134)은 도 2에서와 같이 보조 전극 컨택 영역(CA)에 형성되지 않거나, 형성되더라도 보조 전극 컨택 영역(CA) 외곽의 일부에만 형성될 수 있다.

평탄화층(134) 상에는 애노드(141), 유기 발광층(142), 캐소드(143)를 포함하는 유기 발광 소자(140)가 형성된다. 애노드(141)는 평탄화층(134)의 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(123) 또는 드레인 전극(124)과 연결된다. 애노드(141)의 측면에는 뱅크(135)가 배치된다. 애노드(141)는 정공(hole)을 공급하는 층으로, 일함수가 높은 투명 도전성 산화물(transparent conductive oxide; TCO)로 형성된다.

유기 발광층(142)은 빛을 발광하기 위한 유기 발광 물질로 이루어진다. 유기 발광층(142)은 백색광을 발광하기 위한 복수 개의 층의 유기 발광 물질로 이루어진다. 그러나, 유기 발광층(142)은 이에 제한되지 않고 백색 이외의 색을 발광하기 위한 단일 또는 복수 개의 층의 유기 발광 물질로 이루어질 수도 있다.

유기 발광층(142) 상에는 캐소드(143)가 형성된다. 캐소드(143)는 전자(electron)를 공급하는 층으로, 전기 전도도가 높고 일함수가 낮은 물질로 형성된다. 유기 발광 표시 장치(100)는 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치이므로, 캐소드(143)는 매우 얇은 두께의 일함수가 낮은 금속성 물질 또는 투명 도전성 산화물로 형성된다. 캐소드(143)가 금속성 물질로 형성되는 경우, 캐소드(143)는 수백 Å 이하의 두께로 형성되며, 캐소드(143)가 이러한 두께로 형성된 경우, 캐소드(143)는 실질적으로 반투과층이 되어, 실질적으로 투명한 층이 된다. 캐소드(143) 상에는 외부에서 침투할 수 있는 수분, 공기 또는 물리적 충격으로부터 유기 발광 소자(140)를 보호하기 위한 봉지층이 더 형성될 수도 있다.

캐소드(143)의 저항은 유기 발광 표시 장치(100)가 대면적 유기 발광 표시 장치인 경우, 휘도 균일도에 큰 영향을 미친다. 캐소드(143)의 두께 증가는 캐소드(143)의 저항을 감소시키나 캐소드(143)의 투과율을 떨어트릴 수 있다. 따라서, 캐소드(143)의 저항을 낮추기 위해 캐소드(143)의 두께가 일정 이상 두꺼워지는 것은 탑 에미션의 유기 발광 표시 장치의 특성상 한계가 있다.

이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)에서는, 보조 전극 컨택 영역(CA)에 형성된 보조 전극(125)과 캐소드(143)를 전기적으로 연결함으로써, 캐소드(143)에 공급되는 전압의 강하를 완화시켜, 유기 발광 소자(140)에서의 휘도 감소를 완화시킬 수 있다. 다시 말하면, 보조 전극(125)은 캐소드(143)보다 낮은 저항을 가지면서, 캐소드(143)에 인가되는 전압과 동일한 전압이 인가된다. 또한, 보조 전극(125)은 캐소드(143)와 보조 전극 컨택 영역(CA)에서 전기적으로 연결되므로, 이러한 전기적 연결을 통해 캐소드(143)의 전압은 전압 공급부에 의해 인가되는 전압에 가깝게 유지될 수 있다.

캐소드(143)는 보조 전극 컨택 영역(CA)에서 보조 전극(125)과 전기적으로 연결된다. 보조 전극(125)은 유기 발광층(142) 아래에 위치된다. 보조 전극(125)은 보조 전극 컨택 영역(CA)에서 보조 전극(125)의 일부가 캐소드(143) 방향으로 연장되어 캐소드(143)와 연결된다. 캐소드(143) 방향으로 연장되어 캐소드(143)와 연결되는 부분은 보조 전극(125)의 컨택부(127)이다. 도 2에서는 컨택부(127)가 보조 전극(125)으로부터 캐소드(143) 방향으로 연장되어 캐소드(143)의 측면과 컨택되며, 보조 전극(125)의 일부는 보조 전극 컨택 영역(CA)에 형성되지 않는다.

그러나, 보조 전극(125)와 캐소드(143)이 컨택하는 방식은 레이저 조사 결과에 따라 다양할 수 있다. 도 2에서와 같이, 보조 전극(125)의 일부가 보조 전극 컨택 영역(CA)에 형성되지 않는 구조는, 컨택부(127)가 캐소드(143)의 측면과 컨택된다는 것을 도시하기 위한 예시적인 실시예일뿐이다. 예를 들어, 레이저에 의해 캐소드(143)와 보조 전극(125)은 모두가 녹아 도 2의 보조 전극(125)이 형성되지 않은 위치에서 서로 연결될 수도 있다. 또는, 보조 전극 컨택 영역(CA)의 전면(全面)에 보조 전극(125)이 유지되는 상태에서, 유기 발광층(142)이 일부 증발되어 유기 발광층(142) 상의 캐소드(143)가 보조 전극(125) 상에 형성됨으로써, 캐소드(143)와 보조 전극(125)이 서로 연결될 수도 있다. 또한, 캐소드(143)와 보조 전극(125)이 완전히 접하지 않더라도, 캐소드(143)와 보조 전극(125)을 이격시키는 물질의 두께가 레이저에 의해 얇게 되어, 실질적으로 전기적으로 연결된 상태가 될 수 있다. 도 1에서 컨택부(127)는 원형으로 도시되나 이에 제한되지 않고 다양한 형상일 수 있다.

보조 전극(125)은 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)과 동일한 물질로 이루어진다. 예를 들어, 보조 전극(125)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu) 등과 같이 저항이 낮은 도전성 금속으로 이루어진다. 도 2에서는 보조 전극(125)이 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)과 동일한 물질로 이루어진 것으로 도시되나, 이에 제한되지 않고 보조 전극(125)은 게이트 전극(122)의 물질로 형성될 수 있다.

도 2에 도시되지 않았으나 보조 전극(125)은 연장되어 전압 공급 패드부, 예를 들어, VSS 배선과 연결될 수 있다. 보조 전극(125)은 VSS 배선을 통해 캐소드(143)와 동일한 전압을 인가 받는다. 이에 따라, 전원 공급부로부터 멀어진 서브 화소들, 예를 들어, 중앙 부분에 배치된 서브 화소들에서도 전압 강하 현상이 완화될 수 있다. 보조 전극(125) 상에는 애노드(141)와 이격되고 애노드(141)와 동일한 물질로 형성된 추가 보조 전극(126)이 형성된다. 추가 보조 전극(126)은 보조 전극(125) 상에 배치된다. 추가 보조 전극(126)은 보조 전극(125)과 전기적으로 연결되어 캐소드(143)의 전압 강하를 추가적으로 완화할 수 있다. 추가 보조 전극(126)은 애노드(141)와 동일한 물질로 이루어지고, 추가 보조 전극(126)은 금속의 반사층을 포함하므로, 보조 전극(125)에 더하여 캐소드(143)의 높은 저항에 의한 전압 강하 현상을 완화시킬 수 있다. 이하에서는 보조 전극(125), 추가 보조 전극(126) 및 캐소드(143)를 전기적으로 연결시키는 레이저 조사 방식에 대해서 설명한다.

레이저 조사 전 보조 전극 컨택 영역(CA)에 보조 전극(125), 추가 보조 전극(126), 유기 발광층(142) 및 캐소드(143)가 순차적으로 평탄하게 형성된다. 다음으로, 높은 에너지를 갖는 레이저를 기판(101)의 아래에서 보조 전극 컨택 영역(CA)에 조사한다. 조사된 레이저의 높은 에너지에 의해 유기 발광층(142)의 일부는 증발되고, 보조 전극(125)의 금속 물질은 녹아 액상으로 캐소드(143)를 향하여 이동하게 되며, 캐소드(143)의 측면과 전기적으로 접한 상태에 고체 상태로 굳게 된다. 또한, 캐소드(143)와 보조 전극(125)이 완전히 접하지 않더라도 캐소드(143)와 보조 전극(125)을 이격시키는 물질의 두께가 얇은 경우 실질적으로 전기적으로 연결된 상태가 될 수 있다.

그러나, 레이저가 조사되는 위치는 레이저 조사 장비나 기판 수송 장치의 오차에 의해 정확하게 원하는 위치와 일치하지 않을 수 있다. 따라서, 레이저가 보조 전극 컨택 영역(CA)을 벗어나 조사되는 경우, 의도하지 않은 영역의 금속층 들이 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 이러한 전기적 연결은 유기 발광 소자(140)에서 캐소드(143)와 애노드(141)의 단락 등을 야기할 수 있다. 캐소드(143)와 애노드(141)가 단락되는 경우, 유기 발광층(142)이 빛을 발광하지 못할 수 있다. 또한, 레이저의 높은 에너지로 인해 레이저로 조사되는 영역의 주변 영역도 레이저의 영향을 받을 수 있다.

이에 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 보조 전극(125)과 캐소드(143)를 전기적으로 연결하기 위한 레이저의 조사 위치가 보조 전극 컨택 영역(CA)을 벗어나는 경우, 레이저로 인한 유기 발광 표시 장치(100)의 불량을 최소화하도록 제1 보호층(160)을 포함한다.

제1 보호층(160)은 보조 전극(125) 아래에 배치된다. 레이저는 기판(101) 아래에서 조사되므로, 제1 보호층(160)은 금속으로 이루어진 다른 층들, 예를 들어 게이트 전극(122), 애노드 (141) 등의 아래에 형성된다. 도 2를 참조하면, 제1 보호층(160)은 멀티 버퍼층(110)의 제1 무기물층(111)과 유기물층(112) 사이에 형성된다. 멀티 버퍼층(110)의 유기물층(112)은 제1 보호층(160) 상부를 평탄화시킨다.

제1 보호층(160)은 보조 전극 컨택 영역(CA)의 외곽을 둘러싸도록 배치된다. 이에 따라, 제1 보호층(160)은 모든 방향의 오차에 의해 발생할 수 있는 보조 전극 컨택 영역(CA)을 벗어난 레이저 조사로부터 다른 구성 요소들을 보호할 수 있다. 도 1 및 도 2를 참조하면 제1 보호층(160)은 보조 전극 컨택 영역(CA)의 외곽, 즉 보조 전극 컨택 영역(CA)과 백색 서브 화소 영역(SA-W)의 경계에서 백색 서브 화소 영역(SA-W)으로 연장되어 형성된다. 제1 보호층(160)이 보조 전극 컨택 영역(CA)의 외곽에 형성됨으로써, 보조 전극(125)과 캐소드(143)를 전기적으로 연결시키기 위해 레이저가 조사되고, 레이저가 보조 전극 컨택 영역(CA)을 벗어났을 때 제1 보호층(160)이 레이저를 반사시키거나 레이저의 에너지를 흡수한다. 이에 따라, 제1 보호층(160)은 다른 금속으로 이루어진 층들이 녹아 원치 않는 전기적 연결을 형성하는 것을 최소화할 수 있다.

그러나 이에 제한되지 않고 제1 보호층(160)은 보조 전극 컨택 영역(CA)의 외곽의 적어도 일부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 보호층(160)은 보조 전극 컨택 영역(CA)의 외곽의 상측과 그에 마주하는 하측에 배치될 수 있다. 또한, 제1 보호층(160)은 보조 전극 컨택 영역(CA)의 외곽의 일 측에 형성되거나, 또는 복수의 측에 형성될 수 있다. 제한되지 않는 제1 보호층(160)이 형성되는 평면상의 위치는 레이저를 조사하는 장치의 오차 경향성에 따라 상이할 수 있다. 예를 들어, 레이저가 조사되는 위치가 위아래로 큰 오차를 갖는 경우, 제1 보호층(160)이 보조 전극 컨택 영역(CA)의 외곽의 상측과 하측에 형성될 수 있다. 그러나, 레이저가 조사되는 위치가 좌우로 큰 오차를 갖는 경우, 제1 보호층(160)은 보조 전극 컨택 영역(CA)의 외곽의 좌측과 우측에 형성될 수도 있다.

제1 보호층(160)은 금속 또는 광 흡수 물질로 이루어질 수 있다. 제1 보호층(160)이 금속으로 이루어지는 경우 제1 보호층(160)은 몰리브덴티타늄(MoTi), 알루미늄(Al) 등 또는 반사도가 높은 금속 또는 합금으로 이루어질 수 있다. 제1 보호층(160)이 금속으로 이루어지는 경우, 레이저가 제1 보호층(160)에 조사될 때 금속이 녹을 수 있으나, 제1 보호층(160)이 녹는 경우라도 멀티 버퍼층(110)에 포함되어 있거나, 제1 보호층(160)이 플로팅되어 있어, 회로의 단락과 같이, 다른 구성 요소에 직접적인 문제가 발생하는 것을 최소화할 수 있다.

제1 보호층(160)이 금속으로 이루어지는 경우, 예를 들어 제1 보호층(160)은 500 내지 2000Å의 두께를 가질 수 있다. 제1 보호층(160)이 500Å 미만의 두께를 가지는 경우, 조사되는 레이저의 높은 에너지에 의해 빠르게 녹을 수 있어 제1 보호층(160)으로서의 기능을 수행하지 못할 수 있다. 또한, 제1 보호층(160)의 두께가 2000Å을 넘는 경우, 제1 보호층(160)의 형성 시간이 길어져 유기 발광 표시 장치(100)의 생산성이 떨어질 수 있다. 한편, 제1 보호층(160)이 광 흡수 물질로 이루어지는 경우, 광 흡수 물질은 탄소계 물질을 포함할 수 있으며, 또는 블랙 매트릭스에 사용되는 다양한 물질들로 이루어질 수도 있다. 광 흡수 물질은 제1 보호층(160)은 레이저를 흡수하여 제1 보호층(160) 위의 다른 금속층이 레이저로 인해 영향 받지 않도록 할 수 있다.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)에서는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 제1 보호층(160)이 보조 전극 컨택 영역(CA)의 외곽의 적어도 일부에 형성됨으로써, 보조 전극(125)과 캐소드(143)를 연결하기 위한 레이저 조사에서 일부 레이저의 위치가 벗어나더라도 제1 보호층(160)이 레이저를 막게 되어 레이저로 인해 발생할 수 있는 금속층들의 단락이 최소화되고, 유기 발광 소자(140)의 불량률이 감소될 수 있다.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 도 3에서는 제1 보호층(360)의 위치 및 제2 보호층(365)이 추가된 점을 제외하고 다른 구성 요소들이 도 2에서의 단면도와 실질적으로 동일하므로 중복설명은 생략된다.

도 3을 참조하면, 제1 보호층(360)의 일부는 보조 전극 컨택 영역(CA)의 외곽으로부터 내측으로 연장되어 보조 전극(125)과 중첩된다. 보조 전극(125)과 캐소드(143)를 연결시키기 위한 레이저가 조사되는 경우, 레이저의 높은 에너지로 인해 레이저가 조사되는 영역 외에 그 주변 영역까지 레이저의 에너지를 받게 된다. 이에 따라, 레이저가 보조 전극 컨택 영역(CA)의 외곽에 근접하게 조사되는 경우 레이저가 보조 전극 컨택 영역(CA)의 외곽에 있는 구성요소에 에너지를 전달하게 되어 원하지 않는 금속 간의 단락이 일어날 수도 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(300)에서는 제1 보호층(360)의 일부가 보조 전극 컨택 영역(CA)의 외곽으로부터 내측으로 연장된다. 따라서, 제1 보호층(360)의 일부가 보조 전극(125)과 중첩되므로, 레이저가 보조 전극 컨택 영역(CA)의 외곽에 조사되더라도 보조 전극 컨택 영역(CA) 외부로 확산되는 레이저의 에너지가 최소화될 수 있다.

또한, 도 3에서 박막 트랜지스터(120)의 액티브층(121)과 중첩되고, 제1 보호층(360)과 동일한 물질로 이루어진 제2 보호층(365)이 제1 보호층(360)과 동일한 평면에 형성된다. 도 4에서 박막 트랜지스터(120)의 액티브층(121)은 산화물 반도체로 이루어진다. 산화물 반도체로 이루어진 액티브층(121)이 외광 또는 공정에서 발생하는 빛에 노출되는 경우, 박막 트랜지스터(120)의 특성, 예컨대 문턱전압 특성이 변동될 수 있다. 문턱전압 특성이 변하면, 박막 트랜지스터(120) 구동에 요구되는 전류량이 상이해질 수 있으므로, 유기 발광 표시 장치(300)에서 균일한 구동이 되지 않을 수 있다. 이에 따라, 제2 보호층(365)은 액티브층(121)과 중첩되어 액티브층(121)을 외광 및 공정에서 발생하는 빛으로부터 보호할 수 있다.

따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(300)에서는 도 3에 도시된 바와 같이 제1 보호층(360)이 보조 전극(125)과 일부 중첩되고, 액티브층(121)과 중첩되는 제2 보호층(365)이 포함됨으로써, 보조 전극 컨택 영역(CA)의 외곽에 조사되는 레이저로부터 구성 요소들을 보호할 수 있으며, 외광 등으로부터 액티브층(121)을 보호할 수 있어, 불량률이 낮고 신뢰성이 개선된 유기 발광 표시 장치(300)를 제공할 수 있다.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 도 4에서는 제1 보호층(460)이 배치되는 영역을 제외하고 다른 구성 요소들이 도 2에서의 단면도와 실질적으로 동일하므로 중복설명은 생략된다. 도 4에서 제1 보호층(460)은 보조 전극 컨택 영역(CA)을 제외한 기판(101) 전면(全面)에 형성된다. 이에 따라, 제1 보호층(460)은 보조 전극 컨택 영역(CA)을 벗어난 레이저 조사로부터 다른 구성 요소들을 보호할 수 있는 동시에, 액티브층(121)이 산화물 반도체인 경우, 액티브층(121)을 빛에 의한 손상으로부터 보호할 수 있다.

또한, 제1 보호층(460)은 보조 전극 컨택 영역(CA)의 외곽으로부터 연장되어 유기 발광 표시 장치(400)의 다른 금속층들과 중첩되도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 보호층(460)은 유기 발광 소자(140)의 적어도 일부와 중첩되도록 형성될 수 있다. 유기 발광 소자(140)의 애노드(141)와 캐소드(143)가 형성된 영역에 레이저가 조사되는 경우, 애노드(141)와 캐소드(143)가 단락되어 유기 발광 소자(140)가 발광되지 못한다. 제1 보호층(460)이 유기 발광 소자(140)와 중첩되는 경우, 레이저가 애노드(141)에 도달하는 것을 막을 수 있어, 유기 발광 소자(140)의 애노드(141)와 캐소드(143)가 단락되는 것을 최소화할 수 있다. 이는 유기 발광 표시 장치(400)의 불량화소를 저감시킨다.

따라서, 본 발명의 다양한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(400)에서는 도 4에 도시된 바와 같이 제1 보호층(460)이 보조 전극 컨택 영역(CA)을 제외한 기판(101) 전면 상에 형성됨으로써, 보조 전극(125)과 캐소드(143)를 연결하기 위한 레이저 조사로부터의 구성 요소들의 손상을 최소화하여 불량률이 현저히 낮은 유기 발광 표시 장치(400)를 제공할 수 있다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

100, 400 : 유기 발광 표시 장치
101 : 기판
110 : 멀티 버퍼층
111 : 제1 무기물층
112 : 유기물층
113 : 제2 무기물층
120 : 박막 트랜지스터(120)
121 : 액티브층
122 : 게이트 전극
123 : 소스 전극
124 : 드레인 전극
125 : 보조 전극
126 : 추가 보조 전극
127 : 컨택부
131 : 게이트 절연층
132 : 층간 절연층
133 : 패시베이션층
134 : 평탄화층
135 : 뱅크
140 : 유기 발광 소자
141 : 애노드
142 : 유기 발광층
143 : 캐소드
160, 360, 460 : 제1 보호층
465 : 제2 보호층

Claims (13)

1. 서브 화소 영역 및 상기 서브 화소 영역에서 연장된 보조 전극 컨택 영역을 갖는 기판;
   상기 보조 전극 컨택 영역에 위치된 보조 전극;
   상기 서브 화소 영역에 위치된 애노드;
   상기 애노드 상에 배치된 유기 발광층;
   상기 서브 화소 영역 및 상기 보조 전극 컨택 영역에 위치되고, 상기 보조 전극 컨택 영역에서 상기 보조 전극과 전기적으로 연결된 캐소드; 및
   상기 기판과 상기 보조 전극 사이에 위치된 제1 보호층을 포함하되,
   상기 제1 보호층은 상기 보조 전극 컨택 영역의 외곽의 적어도 일부에 배치되는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
2. 제1항에 있어서,
   상기 애노드와 이격되고 상기 애노드와 동일한 물질로 형성된 추가 보조 전극을 더 포함하고,
   상기 추가 보조 전극은 상기 보조 전극 상에 배치되는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
3. 제1항에 있어서,
   상기 제1 보호층은 상기 보조 전극 컨택 영역의 외곽을 둘러싸도록 배치된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
4. 제1항에 있어서,
   상기 애노드와 전기적으로 연결되고, 산화물 반도체로 이루어진 액티브층을 포함하는 박막 트랜지스터; 및
   상기 액티브층과 중첩되고, 상기 제1 보호층과 동일한 물질로 이루어진 제2 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
5. 제1항에 있어서,
   상기 제1 보호층의 일부는 상기 보조 전극 컨택 영역의 외곽으로부터 내측으로 연장되어 상기 보조 전극과 중첩되는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
6. 제1항에 있어서,
   상기 제1 보호층은 상기 보조 전극 컨택 영역을 제외한 기판 전면에 형성된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
7. 제1항에 있어서,
   상기 기판과 상기 보조 전극 사이에 개재되고, 복수의 층으로 이루어진 멀티 버퍼층을 더 포함하고,
   상기 제1 보호층은 상기 복수의 층 사이에 배치된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
8. 제1항에 있어서,
   상기 기판은 적색 서브 화소 영역, 녹색 서브 화소 영역, 청색 서브 화소 영역 및 백색 서브 화소 영역을 갖고,
   상기 서브 화소 영역은 상기 백색 서브 화소 영역인 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
9. 제1항에 있어서,
   상기 기판은 적색 서브 화소 영역, 녹색 서브 화소 영역 및 청색 서브 화소 영역을 갖고,
   상기 서브 화소 영역은 상기 적색 서브 화소 영역, 녹색 서브 화소 영역 및 청색 서브 화소 영역 중 가장 작은 서브 화소 영역인 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
10. 제1항에 있어서,
    액티브층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 더 포함하고,
    상기 보조 전극은 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나와 동일한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 보호층은 금속 또는 광 흡수 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
12. 제1항에 있어서,
    상기 제1 보호층의 두께는 500 내지 2000 Å 인 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
13. 제1항에 있어서,
    상기 보조 전극은 상기 보조 전극 컨택 영역에서 상기 캐소드와 연결되는 컨택부를 갖는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.

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