TWI715190B - 顯示裝置 - Google Patents

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TWI715190B
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森田哲生
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Abstract

本發明提供一種可實現高精細化之顯示裝置。 顯示裝置具備：複數個第1配線層、第2配線層、第1絕緣層、複數個第1安裝電極、第2安裝電極、第1發光元件、及第2發光元件。前述第2安裝電極配置為包圍前述複數個第1安裝電極之一個之第1安裝電極、及前述複數個第1安裝電極之另一第1安裝電極。前述第1發光元件跨於前述一個第1安裝電極與前述第2安裝電極而安裝。前述第2發光元件跨於前述另一第1安裝電極與前述第2安裝電極而安裝。前述第2安裝電極在非顯示區域中經由前述第1絕緣層之第2開口與前述第2配線層電性連接。

Description

顯示裝置
本發明之實施形態係關於一種顯示裝置。
作為顯示裝置業已知悉利用自發光元件即發光二極體(LED：Light Emitting Diode，發光二極體)之LED顯示裝置。近年來，作為更高精細之顯示裝置，曾開發將被稱為微型LED之微小的發光二極體安裝於陣列基板之顯示裝置(以下，稱為微型LED顯示裝置)。
微型LED顯示器與先前之液晶顯示器或有機EL顯示器不同，由於在顯示區域安裝晶片狀之多數個微型LED而形成，故容易兼顧高精細化與大型化，而作為下一代之顯示裝置備受矚目。
本實施形態提供一種可實現高精細化之顯示裝置。
一實施形態之顯示裝置具備： 複數個第1配線層，其等設置於基板之上且位於顯示區域；第2配線層，其設置於前述基板之上且位於前述顯示區域以外之非顯示區域；第1絕緣層，其位於前述顯示區域及前述非顯示區域並覆蓋前述複數個第1配線層及前述第2配線層，且具有將前述複數個第1配線層之一部分分別露出之複數個第1開口；複數個第1安裝電極，其等係位於前述顯示區域且設置於前述第1絕緣層上者，且各個前述第1安裝電極經由前述複數個第1開口之一個與前述複數個第1配線層之一個電性連接；第2安裝電極，其設置於前述第1絕緣層之上且位於前述顯示區域及前述非顯示區域；第1發光元件；及第2發光元件；且前述第2安裝電極配置為包圍前述複數個第1安裝電極之一個之第1安裝電極、及前述複數個第1安裝電極之另一第1安裝電極；前述第1發光元件跨於前述一個第1安裝電極及前述第2安裝電極而安裝，且具有與前述一個第1安裝電極電性連接之第1電極、及與前述第2安裝電極電性連接之第2電極；前述第2發光元件跨於前述另一第1安裝電極與前述第2安裝電極而安裝，且具有與前述另一第1安裝電極電性連接之第1電極、及與前述第2安裝電極電性連接之第2電極；前述第1絕緣層具有位於前述非顯示區域之第2開口；前述第2安裝電極在前述非顯示區域中經由前述第2開口與前述第2配線層電性連接。
以下，針對本發明之各實施形態，一面參照圖式一面進行說明。此外，本發明終極而言僅為一例，針對熟悉此項技術者可容易地想到之保持發明之主旨之適宜的變更，應包含於本發明之範圍內。又，為使說明更加明確，圖式與實際之態樣相比存在將各部分之寬度、厚度、形狀等示意性地顯示之情形，但其終極而言僅為一例，並非限定本發明之解釋者。且，在本說明書及各圖中，存在對於與有關已出現之圖中所說明者同樣之要素賦予同一符號，且適宜省略詳細之說明之情形。
(第1實施形態) 首先，針對第1實施形態之顯示裝置進行說明。圖1係顯示本實施形態之顯示裝置1之構成之立體圖。圖1顯示由第1方向X、垂直於第1方向X之第2方向Y、以及垂直於第1方向X及第2方向Y之第3方向Z規定之三維空間。此外，第1方向X及第2方向Y相互正交，但可以90ﾟ以外之角度交叉。又，在本實施形態中，將第3方向Z定義為上，將與第3方向Z為相反側之方向定義為下。在採用“第1構件之上之第2構件”及“第1構件之下之第2構件”時，第2構件既可與第1構件相接，也可位處遠離第1構件之位置。
以下，在本實施形態中，主要針對顯示裝置1為利用自發光元件即微型發光二極體(以下，稱為微型LED(Light Emitting Diode，發光二極體))之微型LED顯示裝置之情形進行說明。
如圖1所示，顯示裝置1具備顯示面板2、第1電路基板3及第2電路基板4等。
顯示面板2在一例中具有矩形之形狀。在圖示之例中，顯示面板2之短邊EX與第1方向X平行，顯示面板2之長邊EY與第2方向Y平行。第3方向Z相當於顯示面板2之厚度方向。顯示面板2之主面平行於由第1方向X與第2方向Y規定之X-Y平面。顯示面板2具有顯示區域DA、及顯示區域DA以外之非顯示區域NDA。非顯示區域NDA具有端子區域MT。在圖示之例中，非顯示區域NDA包圍顯示區域DA。
顯示區域DA為顯示圖像之區域，例如具備呈矩陣狀配置之複數個像素PX。
端子區域MT沿顯示面板2之短邊EX設置，包含用於將顯示面板2與外部裝置等電性連接之端子。
第1電路基板3安裝於端子區域MT之上，與顯示面板2電性連接。第1電路基板3為例如撓性印刷電路基板。第1電路基板3具備驅動顯示面板2之驅動IC晶片(以下記述為面板驅動器)5等。此外，在圖示之例中，面板驅動器5配置於第1電路基板3之上，但可配置於第1電路基板3之下。或，面板驅動器5可安裝於第1電路基板3以外，例如可安裝於第2電路基板4。第2電路基板4為例如撓性印刷電路基板。第2電路基板4在第1電路基板3之例如下方與第1電路基板3連接。
上述之面板驅動器5經由例如第2電路基板4與控制基板(未圖示)連接。面板驅動器5藉由基於例如自控制基板輸出之影像信號驅動複數個像素PX而執行在顯示面板2顯示圖像之控制。
此外，顯示面板2可具有賦予斜線而顯示之彎折區域BA。彎折區域BA為在將顯示裝置1安裝於電子機器等之殼體時被彎折之區域。彎折區域BA位於非顯示區域NDA中之端子區域MT側。在將彎折區域BA彎折之狀態下，第1電路基板3及第2電路基板4以與顯示面板2對向之方式配置於顯示面板2之下方。
圖2係顯示顯示裝置1之電路圖。圖3係顯示圖2所示之像素PX之等效電路圖。
如圖2及圖3所示，顯示面板2具備：樹脂基板、玻璃基板等之具有透光性之絕緣性之基板SUB、在顯示區域DA中於基板SUB之上呈矩陣狀排列之m×n個像素PX、複數條(m/2條)第1掃描線Sga(1～m/2)、複數條(m條)第2掃描線Sgb(1～m)、複數條(m/2條)第3掃描線Sgc(1～m/2)、複數條(m/2條)重置配線Sgr(1～m/2)、及複數條(n條)影像信號線VL(1～n)。
像素PX在第2方向Y排列有m個，在第1方向X排列有n個。第1掃描線Sga、第2掃描線Sgb及重置配線Sgr在第1方向X伸出而設置。重置配線Sgr由相互電性連接之複數個電極形成。影像信號線VL在第2方向Y伸出而設置。
顯示面板2具有：固定於高電位Pvdd之高電位電源線SLa、及固定於低電位Pvss之低電位電源電極(第2安裝電極)SLb。高電位電源線SLa連接於高電位電源，低電位電源電極SLb連接於低電位電源(基準電位電源)。
顯示面板2具備：就像素PX之每一列依序驅動第1掃描線Sga、第2掃描線Sgb及第3掃描線Sgc之掃描線驅動電路YDR1、YDR2、及驅動影像信號線VL之信號線驅動電路XDR。掃描線驅動電路YDR1、YDR2及信號線驅動電路XDR在非顯示區域NDA中形成於基板SUB之上，與面板驅動器5一起構成驅動部7。
各像素PX包含：顯示元件、及對顯示元件供給驅動電流之像素電路。發光元件10為例如自發光元件，在本實施形態中為微型發光二極體(以下，稱為微型LED(Light Emitting Diode，發光二極體))。本實施形態之顯示裝置1為微型LED顯示裝置。
各像素PX之像素電路為相應於包含電壓信號之影像信號Vsig控制發光元件10之發光的電壓信號式像素電路，具有像素開關SST、驅動電晶體DRT、保持電容Cs、及輔助電容Cad。保持電容Cs及輔助電容Cad為電容器。輔助電容Cad係用於調整發光電流量而設置之元件，根據情況亦有不需要之情形。電容部Cled為發光元件10本身之電容。發光元件10也作為電容器而發揮功能。
各像素PX具備輸出開關BCT。在第2方向Y相鄰之複數個像素PX共用輸出開關BCT。在該實施形態中，於第1方向X及第2方向Y相鄰之4個像素PX共用1個輸出開關BCT。又，在掃描線驅動電路YDR2(或掃描線驅動電路YDR1)設置有複數個重置開關RST。重置開關RST及重置配線Sgr被一對一地連接。
像素開關SST、驅動電晶體DRT、輸出開關BCT及重置開關RST此處由同一導電型、例如N通道型之TFT(薄膜電晶體)構成。毋庸置疑，各種開關及驅動電晶體DRT既可由P通道型之TFT構成，也可利用N通道型之TFT、及P通道型之TFT之兩者構成1個像素PX。
在本實施形態之顯示裝置中，分別構成各驅動電晶體及各開關之TFT為全部以同一工序、同一層構造形成，且在半導體層利用多晶矽之頂部閘極構造之薄膜電晶體。此外，半導體層可利用非晶矽、氧化物半導體等多晶矽以外之半導體。
像素開關SST、驅動電晶體DRT、輸出開關BCT、及重置開關RST各者具有第1端子、第2端子、及控制端子。在本實施形態中，將第1端子設為源極電極，將第2端子設為汲極電極，將控制端子設為閘極電極。
在像素PX之像素電路中，驅動電晶體DRT及輸出開關BCT在高電位電源線SLa與低電位電源電極SLb之間與發光元件10串聯連接。高電位電源線SLa(高電位Pvdd)設定為例如10 V之電位，低電位電源電極SLb(低電位Pvss)設定為例如0 V之電位。
在輸出開關BCT中，汲極電極連接於高電位電源線SLa，源極電極連接於驅動電晶體DRT之汲極電極，閘極電極連接於第1掃描線Sga。藉此，輸出開關BCT藉由對第1掃描線Sga賦予之控制信號BG而被控制為導通(on狀態)、關斷(off狀態)。輸出開關BCT應答於控制信號BG控制發光元件10之發光時間。
在驅動電晶體DRT中，汲極電極連接於輸出開關BCT之源極電極及重置配線Sgr，源極電極連接於發光元件10之一個電極(此處為陽極)。發光元件10之另一個電極(此處為陰極)連接於低電位電源電極SLb。驅動電晶體DRT朝發光元件10輸出與影像信號Vsig相應之電流量之驅動電流。
在像素開關SST中，源極電極連接於影像信號線VL(1～n)，汲極電極連接於驅動電晶體DRT之閘極電極，閘極電極連接於作為信號寫入控制用閘極配線而發揮功能之第2掃描線Sgb(1～m)。像素開關SST藉由自第2掃描線Sgb供給之控制信號SG(1～m)而被控制為導通、關斷。而且，像素開關SST應答於控制信號SG(1～m)控制像素電路與影像信號線VL(1～n)之連接、非連接，並自影像信號線VL朝像素電路取入影像信號Vsig及初始化信號Vini。
重置開關RST就在第2方向Y排列之每2列設置於掃描線驅動電路YDR2。重置開關RST連接於驅動電晶體DRT之汲極電極與重置電源之間。在重置開關RST中，源極電極連接於重置電源線SLc，該重置電源線SLc連接於重置電源，汲極電極連接於重置配線Sgr，閘極電極連接於作為重置控制用閘極配線而發揮功能之第3掃描線Sgc。如上述般，重置電源線SLc連接於重置電源，且固定於為定電位之重置電位Vrst。
重置開關RST相應於通過第3掃描線Sgc而被賦予之控制信號RG，將重置電源線SLc及重置配線Sgr間切換為導通狀態(導通)或非導通狀態(關斷)。藉由將重置開關RST切換為導通狀態，而將驅動電晶體DRT之源極電極之電位初始化。
另一方面，圖2所示之面板驅動器5控制掃描線驅動電路YDR1、YDR2及信號線驅動電路XDR。面板驅動器5接收自外部供給之數位影像信號及同步信號，基於同步信號產生控制垂直掃描時序之垂直掃描控制信號、及控制水平掃描時序之水平掃描控制信號。
而且，面板驅動器5將該等垂直掃描控制信號及水平掃描控制信號分別供給至掃描線驅動電路YDR1、YDR2及信號線驅動電路XDR，且與水平及垂直掃描時序同步地將數位影像信號及初始化信號供給至信號線驅動電路XDR。
信號線驅動電路XDR藉由水平掃描控制信號之控制而將在各水平掃描期間依次獲得之影數位像信號轉換為類比形式，並將相應於階調之影像信號Vsig並列地供給至複數條影像信號線VL(1～n)。又，信號線驅動電路XDR將初始化信號Vini供給至影像信號線VL。此外，可將數位影像信號在面板驅動器5之內部轉換為類比形式，而以類比形式對信號線驅動電路XDR供給。
掃描線驅動電路YDR1、YDR2包含未圖示之移位暫存器、及輸出緩衝器等，基於自外部供給之水平掃描起動脈衝輸出脈衝，且依次朝下一段傳送該脈衝，經由輸出緩衝器對各列之像素PX供給3種控制信號、亦即控制信號BG、SG、RG。此外，對像素PX不直接供給控制信號RG，但以與控制信號RG相應之特定之時序，自固定於重置電位Vrst之重置電源線SLc供給特定之電壓。
藉此，第1掃描線Sga、第2掃描線Sgb及第3掃描線Sgc分別由控制信號BG、SG、RG驅動。
其次，參照圖4，詳細地說明驅動電晶體DRT、第1安裝電極PE、第2安裝電極CE、及發光元件10等之構成。圖4係顯示圖1所示之顯示面板2之顯示區域DA之部分剖視圖，且係顯示驅動電晶體DRT、第1安裝電極PE、第2安裝電極CE、及發光元件10等之圖。此外，在圖4中，以將顯示面、亦即光出射面朝向上方，將背面朝向下方之方式描繪顯示裝置1。
如圖4所示，形成有驅動電晶體DRT之N通道型之TFT具備半導體層SC。半導體層SC配置於設置於基板SUB之上之絕緣層UC上。半導體層SC例如為包含p型區域及n型區域之多晶矽層。半導體層SC由絕緣層GI被覆。在絕緣層GI之上配置有驅動電晶體DRT之閘極電極G。閘極電極G與半導體層SC對向。在絕緣層GI及閘極電極G上設置有絕緣層II。
在絕緣層II上配置有源極電極SE及汲極電極DE。源極電極SE及汲極電極DE通過形成於絕緣層II及絕緣層GI之接觸孔分別連接於半導體層SC之源極區域及汲極區域。源極電極SE設置於基板SUB之上，作為位於顯示區域DA之第1配線層而發揮功能。在絕緣層II、源極電極SE及汲極電極DE上設置有絕緣層PS。絕緣層PS覆蓋源極電極SE及汲極電極DE。絕緣層PS具有將源極電極SE之一部分露出之第1開口(接觸孔)OP1。此外，絕緣層PS具有複數個第1開口OP1，各個第1開口OP1將對應之源極電極SE之一部分露出。絕緣層PS作為第1絕緣層而發揮功能。
第1安裝電極PE及第2安裝電極CE設置於絕緣層PS之上。第1安裝電極PE經由第1開口OP1與源極電極SE電性連接。在本實施形態中，第1安裝電極PE及第2安裝電極CE由作為導電材料之金屬形成。惟，第1安裝電極PE及第2安裝電極CE可由金屬以外之導電材料形成，例如可由作為透明之導電材料之ITO(銦錫氧化物)形成。
在絕緣層PS、第1安裝電極PE及第2安裝電極CE之上設置有絕緣層CL，絕緣層CL覆蓋第1安裝電極PE及第2安裝電極CE。絕緣層CL作為第2絕緣層而發揮功能，且具有將第1安裝電極PE之上表面之一部分、及第2安裝電極CE之上表面之一部分露出之複數個開口。
在顯示區域DA中，絕緣層CL具有之複數個開口(接觸孔)被分類為第3開口OP3及第4開口OP4。第1安裝電極PE之上表面之一部分藉由第3開口OP3而露出於絕緣層CL之外側。第2安裝電極CE之上表面之一部分藉由第4開口OP4而露出於絕緣層CL之外側。第1安裝電極PE及第2安裝電極CE位於絕緣層PS與絕緣層CL之間。因而，第1安裝電極PE及第2安裝電極CE設置於同一層。
絕緣層UC、GI、II、PS、CL分別由矽氮化物(SiN)或矽氧化物(SiO)等之無機絕緣材料、或丙烯酸樹脂等之有機絕緣材料形成。在本實施形態中，絕緣層UC、GI、II、CL分別由無機絕緣材料形成，絕緣層PS由有機絕緣材料形成。
發光元件10跨於第1安裝電極PE與第2安裝電極CE而安裝。發光元件10具有：經由第3開口OP3與第1安裝電極PE電性連接之第1電極E1、及經由第4開口OP4與第2安裝電極CE電性連接之第2電極E2。在本實施形態中，第1電極E1經由導電材CM1與第1安裝電極PE電性連接，第2電極E2經由導電材CM2與第2安裝電極CE電性連接。
其次，針對複數個像素PX之配置構成進行說明。圖5係顯示顯示裝置1之複數個像素PX之配置構成之概略圖。
如圖5所示，複數個像素PX具有：藍色(B)之像素PX、與藍色之像素PX在第2方向Y相鄰之紅色(R)之像素PX、與藍色之像素PX在第1方向X相鄰之白色(W)之像素PX、及和與紅色之像素PX在第1方向X相鄰之白色之像素PX在第2方向Y相鄰之綠色(G)之像素PX。白色(W)之像素PX也被稱為非彩色之像素。
紅色之像素PX、綠色之像素PX、藍色之像素PX及白色之像素PX構成主像素MP。複數個主像素MP在第1方向X及第2方向Y呈矩陣狀配置。在如上述般配置有複數個主像素MP時，像素PX之配置並不限定於圖5所示之例，只要在偶數列配置紅色、綠色、藍色及白色之像素PX之任2個，在奇數列配置其餘2個即可。
輸出開關BCT係由主像素MP之4個像素PX共用。根據上述內容，第1掃描線Sga及第3掃描線Sgc之條數為m/2條。
又，主像素MP之4個像素PX可在第1方向X呈條紋狀配置。又，主像素MP可無白色之像素PX，而具有紅色、綠色及藍色之3個(3色)像素PX。
圖6係顯示本實施形態之主像素MP之平面圖。
如圖6所示，為了高效地配置像素電路內之元件，而共用(共有)輸出開關BCT之4個像素PX為驅動電晶體DRT、像素開關SST、影像信號線VL、保持電容Cs、輔助電容Cad、第2掃描線Sgb以輸出開關BCT為中心在行方向及列方向實質上成為線對稱之配置。此處，在本實施形態中，以像素PX、主像素MP之用語進行了說明，但可將像素改稱為副像素。此時，主像素為像素。
其次，針對第2安裝電極CE及電源線之整體之構造進行說明。圖7係顯示顯示面板2之平面圖，且係顯示電源線PSL及第2安裝電極CE之整體之構造之圖。
如圖7所示，顯示面板2具備設置於基板SUB之上之電源線PSL。在本實施形態中，顯示面板2具備2個電源線PSL，但可具備1個或3個以上之電源線PSL。各個電源線PSL位於非顯示區域NDA，不位於顯示區域DA。在該實施形態中，電源線PSL連接於低電位電源，固定於低電位Pvss。電源線PSL作為第2配線層而發揮功能。
第2安裝電極CE位於顯示區域DA之整體、及非顯示區域NDA之一部分。第2安裝電極CE在非顯示區域NDA中與各個電源線PSL重疊。細節於後文敘述，在第2安裝電極CE設置有複數個開口部，自該開口部露出第1安裝電極PE。
圖8係沿圖7之線VIII-VIII顯示顯示面板2之顯示區域DA及非顯示區域NDA之部分剖視圖，且係顯示電源線PSL、及第2安裝電極CE等之圖。
如圖8所示，電源線PSL設置於絕緣層II之上。絕緣層PS不僅位於顯示區域DA，也位於非顯示區域NDA。在非顯示區域NDA中，絕緣層PS覆蓋電源線PSL，且具有將各個電源線PSL之一部分露出之第2開口(接觸孔)OP2。第2安裝電極CE設置於絕緣層PS之上，在非顯示區域NDA中經由第2開口OP2與電源線PSL電性連接。絕緣層PS在顯示區域DA內不具有用於連接第2安裝電極CE與電源線PSL之開口。
其次，針對第1安裝電極PE、第2安裝電極CE、及發光元件10之構成進行說明。圖9係顯示顯示面板2之顯示區域DA之一部分之放大平面圖，且係顯示第2安裝電極CE之一部分及複數個第1安裝電極PE之圖。
如圖9所示，第2安裝電極CE具有複數個第1部分CE1及複數個第2部分CE2。複數個第1部分CE1在第1方向X延伸，在第2方向Y空開間隔地排列。複數個第2部分CE2在第2方向Y延伸，在第1方向X空開間隔地排列，且與複數個第1部分CE1交叉。第2安裝電極CE與複數個第1部分CE1及複數個第2部分CE2成為一體而形成。第2安裝電極CE具有複數個開口A，各個開口A相當於由相鄰之一對第1部分CE1及相鄰之一對第2部分CE2包圍之區域。第2安裝電極CE不僅具有作為電極之功能，還具有作為配線之功能。
在本實施形態中，藍色之像素PX作為第1像素PX1而發揮功能，紅色之像素PX作為第2像素PX2而發揮功能，白色之像素PX作為第3像素PX3而發揮功能，綠色之像素PX作為第4像素PX4而發揮功能。
第1像素PX1具有第1安裝電極PE1、及呈藍色發光之發光元件(第1發光元件)10a。第2像素PX2具有：第1安裝電極PE2、及呈紅色發光之發光元件(第2發光元件)10b。第3像素PX3具有：第1安裝電極PE3、及呈白色發光之發光元件(第3發光元件)10c。第4像素PX4具有：第1安裝電極PE4、及呈綠色發光之發光元件(第1發光元件)10d。第1像素PX1、第2像素PX2、第3像素PX3、及第4像素PX4共用第2安裝電極CE。在俯視下，為微型LED之發光元件10之一邊之長度為例如100 μm以下。
在由相鄰之一對第1部分CE1及相鄰之一對第2部分CE2包圍之各個區域(開口A)配置有複數個第1安裝電極PE中之一個或複數個第1安裝電極。在本實施形態中，在各個開口A配置有4個第1安裝電極。換言之，第2安裝電極CE配置為個別地包圍一個或複數個第1安裝電極PE。在本實施形態中，第2安裝電極CE配置為個別地包圍一主像素MP之第1安裝電極PE2、PE4與另一主像素MP之第1安裝電極PE1、PE3之4個第1安裝電極PE。在各個開口A中，4個第1安裝電極PE相互設置間隔地配置。
一個第1部分CE1位於一主像素MP之第1安裝電極PE1及第1安裝電極PE3之電極群與第1安裝電極PE2及第1安裝電極PE4之電極群之間。發光元件10a至10d與複數個第1部分CE1中同一第1部分CE1重疊。在一主像素MP中，例如，發光元件10a及發光元件10b配置為在第2方向Y成為線對稱，發光元件10c及發光元件10d配置為在第2方向Y成為線對稱。
圖10係顯示顯示面板2之顯示區域DA之一部分之剖視圖，且係顯示第1安裝電極PE、第2安裝電極CE、及發光元件10a、10b等之圖。在圖10中，關注一主像素MP之第1像素PX1及第2像素PX2。
如圖10所示，複數個第1安裝電極PE位於顯示區域DA，且設置於絕緣層PS之上。各個第1安裝電極PE經由複數個第1開口OP1之一與複數個源極電極SE之一電性連接。絕緣層CL覆蓋複數個第1安裝電極PE及第2安裝電極CE。絕緣層CL具有將各個第1安裝電極PE之上表面之一部分及第2安裝電極CE之上表面之複數個部位露出的複數個開口。上述複數個開口為位於顯示區域DA之複數個第3開口OP3及複數個第4開口OP4。
各個第1安裝電極PE之上表面之一部分露出於較複數個第3開口OP3中對應之一個第3開口OP3更靠絕緣層CL之外側。作為第2安裝電極CE之上表面之複數個部位的第1部分CE1之上表面之複數個部位露出於較複數個第4開口OP4更靠絕緣層CL之外側。
發光元件10a跨於一個第1安裝電極PE1與第2安裝電極CE(第1部分CE1)而安裝。發光元件10b跨於另一第1安裝電極PE2與第2安裝電極CE(第1部分CE1)而安裝。發光元件10a之第2電極E2及第2發光元件10b之第2電極E2分別與同一第1部分CE1對向。
在發光元件10a中，第1電極E1經由對應之一個第3開口OP3與一個第1安裝電極PE1電性連接，第2電極E2經由一個第4開口OP4與第2安裝電極CE(第1部分CE1)電性連接。在發光元件10b中，第1電極E1經由對應之一個第3開口OP3與另一第1安裝電極PE2電性連接，第2電極E2經由另一第4開口OP4與第2安裝電極CE(第1部分CE1)電性連接。
其次，針對發光元件10之構造之一例進行說明。圖11係顯示發光元件10之剖視圖。
如圖11所示，發光元件10為倒裝晶片類型之發光二極體元件。發光元件10具備具有絕緣性之透明之基板11。基板11為例如藍寶石基板。在基板11之主面形成有依序積層有n型半導體層12、活性層(發光層)13、及p型半導體層14之結晶層(半導體層)。在上述結晶層(半導體層)中，包含P型雜質之區域為p型半導體層14，包含N型雜質之區域為n型半導體層12。上述結晶層(半導體層)之材料無特別限定，但上述結晶層(半導體層)可包含氮化鎵(GaN)或砷化鎵(GaAs)。
反光膜15由導電材料形成，且電性連接於p型半導體層14。p電極16電性連接於反光膜15。n電極18電性連接於n型半導體層12。第2電極E2覆蓋n電極18，且電性連接於n電極18。保護層17覆蓋n型半導體層12、活性層13、p型半導體層14、及反光膜15，且覆蓋p電極16之一部分。第1電極E1覆蓋p電極16，且電性連接於p電極16。
根據如上述般構成之第1實施形態之顯示裝置1，第2安裝電極CE配置為包圍第1安裝電極PE。因而，在較第1安裝電極PE更靠基板SUB側之層可不配置固定於低電位Pvss之配線。藉此，可增大第2安裝電極CE之面積。例如，可放大安裝發光元件10時之限度。
又，由於第2安裝電極CE被引繞至顯示區域DA，故可實現第2安裝電極CE之低電阻化。又，由於可最小限度地抑制第2安裝電極CE之電壓降低，故可提高第2安裝電極CE之顯示區域DA之整體上之電位之均一性。進而，也可謀求像素之高精細化。
又，藉由如上述般配置第1安裝電極PE及第2安裝電極CE，而可以同一層之導電層形成兩者。其結果為，由於第1安裝電極PE之表面與第2安裝電極CE之表面之高度相互一致，故可良好地安裝發光元件10。
主像素MP共用輸出開關BCT。與在各像素PX各設置1個輸出開關BCT之情形相比，可將輸出開關BCT之個數減少至1/4，可將第1掃描線Sga、第3掃描線Sgc、及重置配線Sgr之條數減少至1/2，可將重置開關RST之個數減少至1/2。因而，可有助於顯示裝置之窄邊框化，或有助於像素之高精細化。
根據上述內容可獲得可實現高精細化之顯示裝置。
(第2實施形態) 其次，針對第2實施形態之顯示裝置1進行說明。圖12係顯示第2實施形態之顯示裝置1之複數個第1安裝電極PE及第2安裝電極CE之放大平面圖。
如圖12所示，主像素MP具備在第1方向X排列之3色之像素PX。在各個主像素MP中，紅色之像素PX作為第1像素PX1而發揮功能，綠色之像素PX作為第2像素PX2而發揮功能、藍色之像素PX作為第3像素PX3而發揮功能。第1像素PX1具有：第1安裝電極PE1、及呈紅色發光之發光元件(第1發光元件)10a。第2像素PX2具有：第1安裝電極PE2、及呈綠色發光之發光元件(第2發光元件)10b。第3像素PX3具有：第1安裝電極PE3、及呈藍色發光之發光元件(第3發光元件)10c。
在圖12所示之例中，與上述第1實施形態不同，在由相鄰之一對第1部分CE1及相鄰之一對第2部分CE2包圍之各個區域(各個開口A)配置有一個第1安裝電極PE。在第1方向X交替地配置有第1安裝電極PE1及第2部分CE2。因而，第2部分CE2之第1方向X之寬度與上述第1實施形態比較可能變小。
在第2方向Y交替地配置有第1安裝電極PE1及第1部分CE1。於在第2方向Y排列之2個主像素MP中，一個主像素MP利用之第1部分CE1與另一主像素MP利用之第1部分CE1不同。因而，第1部分CE1之第2方向Y之寬度與上述第1實施形態相比可能變小。
在如上述般構成之第2實施形態之顯示裝置1中亦然，可獲得與上述第1實施形態同樣之效果。在本實施形態中，於第1方向X交替地配置有第1安裝電極PE1及第2部分CE2。因而，可謀求第2安裝電極CE之進一步低電阻化。且，可容易決定發光之中心。
(第2實施形態之變化例1) 其次，針對上述第2實施形態之變化例1進行說明。圖13係顯示上述第2實施形態之變化例1之顯示裝置1之複數個第1安裝電極PE及第2安裝電極CE之放大平面圖。
如圖13所示，於在由相鄰之一對第1部分CE1及相鄰之一對第2部分CE2包圍之各個區域(各個開口A)配置一主像素MP之全部第1安裝電極PE之方面與上述第2實施形態不同。
在如上述般構成之變化例1之顯示裝置1中亦然，可獲得與上述第2實施形態同樣之效果。在變化例1中，與上述第2實施形態不同，在第1方向X未交替地配置第1安裝電極PE及第2部分CE2。因而，與上述第2實施形態相比，有利於高精細化。
(第2實施形態之變化例2) 其次，針對上述第2實施形態之變化例2進行說明。圖14係顯示上述第2實施形態之變化例2之顯示裝置1之複數個第1安裝電極PE及第2安裝電極CE之放大平面圖。
如圖14所示，於在由相鄰之一對第1部分CE1及相鄰之一對第2部分CE2包圍之各個區域(各個開口A)配置在第2方向Y相鄰之2個主像素MP之全部第1安裝電極PE之方面與上述變化例1不同。又，在第2方向Y相鄰之2個主像素MP之全部發光元件10與複數個第1部分CE1中同一第1部分CE1重疊。在第2方向Y相鄰之2個發光元件10配置為在第2方向Y成為線對稱。
在如上述般構成之變化例2之顯示裝置1中亦然，可獲得與上述第2實施形態同樣之效果。在變化例2中，在第2方向Y相鄰之2個主像素MP利用同一第1部分CE1。因而，與上述第2實施形態相比，可提高第2安裝電極CE之配置效率。
(第2實施形態之變化例3) 其次，針對上述第2實施形態之變化例3進行說明。圖15係顯示上述第2實施形態之變化例3之顯示裝置1之複數個第1安裝電極PE及第2安裝電極CE之放大平面圖。
如圖15所示，在變化例3中，各個發光元件10跨於一對第1安裝電極PE與第2安裝電極CE中位於上述一對第1安裝電極PE之間之第1部分CE1而安裝之方面與上述第2實施形態相同。各個發光元件10係由在第2方向Y相鄰之2個主像素MP中同一色之一對像素PX共用。
圖16係顯示本變化例3之顯示面板2之顯示區域DA之一部分之剖視圖，且係顯示第1安裝電極PE、第2安裝電極CE、及發光元件10等之圖。在圖16中顯示在第2方向Y相鄰之2個主像素MP中同一色之一對第1像素PX1。此外，圖16所示之一對第1像素PX1之關係與一對第2像素PX2之關係、及一對第3像素PX之關係同樣。
如圖16所示，發光元件10更具備：第1電極E1a、另一第1電極E1b、及第2電極E2。發光元件10具有一個連續之半導體層。發光元件10之半導體層包含相互設置間隔而定位之2個發光層13a、13b。在發光元件10中，第1電極E1a及第1電極E1b一對一地連接於一對第1安裝電極PE。第2電極E2連接於第2安裝電極CE中位於上述一對第1安裝電極PE之間之第1部分CE1。
發光層13a藉由在第1電極E1a與第2電極E2之間流動有電流而發光。另一發光層13b藉由在第1電極E1b與第2電極E2之間流動有電流而發光。發光層13a及發光層13b呈同一色發光。
在如上述般構成之變化例3之顯示裝置1中亦然，可獲得與上述第2實施形態同樣之效果。在變化例3中，由於利用在2個部位發光之發光元件10，故可更有效地配置發光元件10。
(第2實施形態之變化例4) 其次，針對上述第2實施形態之變化例4進行說明。圖17係顯示上述第2實施形態之變化例4之顯示裝置1之複數個第1安裝電極PE及第2安裝電極CE之放大平面圖。
如圖17所示，在各個主像素MP之複數個發光元件10不呈縱條紋狀配置(不在第1方向X排列)之方面，本變化例4與上述第2實施形態不同。在各個主像素MP中，複數個發光元件10只要相互接近且成為一團而配置即可。在本變化例4中，於一主像素MP中，發光元件10a及發光元件10c在第1方向X相鄰，發光元件10b在第2方向Y與發光元件10a及發光元件10c相鄰。
發光元件10a與第1安裝電極PE1、及第2安裝電極CE中與第1安裝電極PE1在第2方向Y相鄰之部分重疊。發光元件10c與第1安裝電極PE3、及第2安裝電極CE中與第1安裝電極PE3在第2方向Y相鄰之部分重疊。發光元件10b與第1安裝電極PE2、及第2安裝電極CE中與第1安裝電極PE2在第1方向X相鄰之部分重疊。
第2安裝電極CE以與發光元件10之配置圖案相配對應之方式配置。因而，如本變化例4般，開口A可具有與四角形不同之形狀。
在如上述般構成之變化例4之顯示裝置1中亦然，可獲得與上述第2實施形態同樣之效果。
雖然說明了本發明之若干個實施形態，但該等實施形態係作為例子而提出者，並非意欲限定本發明之範圍。該等新穎之實施形態可以其他各種形態實施，在不脫離發明之要旨之範圍內可進行各種省略、置換、變更。該等實施形態及其變化，包含於發明之範圍及要旨內，且包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等之範圍內。
各個主像素MP之複數個發光元件10之配置圖案不限定於上述之例，可進行各種變化。例如，主像素MP之複數個發光元件10可呈橫條紋狀配置，換言之可在第2方向Y排列。
本發明申請案以日本專利申請案2018-201944(申請日：2018年10月26日)為基礎，根據該發明申請案享有優先利益。本發明申請案藉由參照該發明申請案而包含該發明申請案之所有內容。
1:顯示裝置 2:顯示面板 3:第1電路基板 4:第2電路基板 5:驅動IC晶片/面板驅動器 7:驅動部 10:發光元件 10a:發光元件(第1發光元件) 10b:發光元件(第2發光元件) 10c:發光元件(第3發光元件) 10d:發光元件(第1發光元件) 11:基板 12:n型半導體層 13:活性層(發光層) 14:p型半導體層 15:反光膜 16:p電極 17:保護層 18:n電極 A:開口 B:藍色 BA:彎折區域 BCT:輸出開關 BG:控制信號 Cad:輔助電容 CE:第2安裝電極 CE1:第1部分 CE2:第2部分 CL:絕緣層 Cled:電容部 CM1:導電材 CM2:導電材 Cs:保持電容 DA:顯示區域 DE:汲極電極 DRT:驅動電晶體 E1:第1電極 E1a:第1電極 E1b:第1電極 E2:第2電極 EX:短邊 EY:長邊 G:閘極電極/綠色 GI:絕緣層 MP:主像素 MT:端子區域 NDA:非顯示區域 OP1:第1開口(接觸孔) OP2:第2開口(接觸孔) OP3:第3開口 OP4:第4開口 PE:第1安裝電極 PE1:第1安裝電極 PE2:第1安裝電極 PE3:第1安裝電極 PE4:第1安裝電極 Pvdd:高電位 Pvss:低電位 PX:像素 PX1:第1像素 PX2:第2像素 PX3:第3像素 PX4:第4像素 PS:絕緣層 PSL:電源線 R:紅色 RG:控制信號 RST:重置開關 SC:半導體層 SE:源極電極 SG:控制信號 Sga:第1掃描線 Sga1～Sgam/2:第1掃描線 Sgb:第2掃描線 Sgb1～Sgbm:第2掃描線 Sgc:第3掃描線 Sgr:重置配線 Sgr1～Sgrm/2:重置配線 SLa:高電位電源線 SLb:低電位電源電極(第2安裝電極) SLc:重置電源線 SST:像素開關 SUB:基板 UC:絕緣層 Vini:初始化信號 VL:影像信號線 VL1～VLn:影像信號線 Vrst:重置電位 Vsig:影像信號 W:白色 X:第1方向 XDR:信號線驅動電路 Y:第2方向 YDR1:掃描線驅動電路 YDR2:掃描線驅動電路 Z:第3方向 II:絕緣層 VIII-VIII:線
圖1係顯示第1實施形態之顯示裝置之構成之立體圖。 圖2係顯示上述顯示裝置之電路圖。 圖3係顯示圖2所示之像素之等效電路圖。 圖4係顯示圖1所示之顯示面板之顯示區域之部分剖視圖，且係顯示驅動電晶體、第1安裝電極、第2安裝電極、及發光元件等之圖。 圖5係顯示上述顯示裝置之複數個像素之配置構成之概略圖。 圖6係顯示圖5所示之主像素之平面圖。 圖7係顯示上述顯示面板之平面圖，且係顯示上述電源線及上述第2安裝電極之整體之構造之圖。 圖8係沿圖7之線VIII-VIII顯示上述顯示面板之顯示區域及非顯示區域之部分剖視圖，且係顯示電源線、及第2安裝電極等之圖。 圖9係顯示上述顯示面板之顯示區域之一部分之放大平面圖，且係顯示第2安裝電極之一部分與複數個第1安裝電極之圖。 圖10係顯示上述顯示面板之顯示區域之一部分之剖視圖，且係顯示第1安裝電極、第2安裝電極、及發光元件等之圖。 圖11係顯示上述發光元件之剖視圖。 圖12係顯示第2實施形態之顯示裝置之複數個第1安裝電極及第2安裝電極之放大平面圖。 圖13係顯示上述第2實施形態之變化例1之顯示裝置之複數個第1安裝電極及第2安裝電極之放大平面圖。 圖14係顯示上述第2實施形態之變化例2之顯示裝置之複數個第1安裝電極及第2安裝電極之放大平面圖。 圖15係顯示上述第2實施形態之變化例3之顯示裝置之複數個第1安裝電極及第2安裝電極之放大平面圖。 圖16係顯示上述變化例3之顯示面板之顯示區域之一部分之剖視圖，且係顯示第1安裝電極、第2安裝電極、及發光元件等之圖。 圖17係顯示上述第2實施形態之變化例4之顯示裝置之複數個第1安裝電極及第2安裝電極之放大平面圖。
10a:發光元件(第1發光元件)
10b:發光元件(第2發光元件)
10c:發光元件(第3發光元件)
10d:發光元件(第1發光元件)
A:開口
CE:第2安裝電極
CE1:第1部分
CE2:第2部分
MP:主像素
PE1:第1安裝電極
PE2:第1安裝電極
PE3:第1安裝電極
PE4:第1安裝電極
PX1:第1像素
PX2:第2像素
PX3:第3像素
PX4:第4像素
X:第1方向
Y:第2方向

Claims (12)

  1. 一種顯示裝置，其具備： 複數個第1配線層，其等設置於基板之上且位於顯示區域； 第2配線層，其設置於前述基板之上且位於前述顯示區域以外之非顯示區域； 第1絕緣層，其位於前述顯示區域及前述非顯示區域並覆蓋前述複數個第1配線層及前述第2配線層，且具有將前述複數個第1配線層之一部分分別露出之複數個第1開口； 複數個第1安裝電極，其等係位於前述顯示區域且設置於前述第1絕緣層上者，且各個前述第1安裝電極經由前述複數個第1開口之一個與前述複數個第1配線層之一個電性連接； 第2安裝電極，其設置於前述第1絕緣層之上且位於前述顯示區域及前述非顯示區域； 第1發光元件；及 第2發光元件；且 前述第2安裝電極配置為包圍前述複數個第1安裝電極之一個之第1安裝電極、及前述複數個第1安裝電極之另一第1安裝電極； 前述第1發光元件跨於前述一個第1安裝電極與前述第2安裝電極而安裝，且具有與前述一個第1安裝電極電性連接之第1電極、及與前述第2安裝電極電性連接之第2電極； 前述第2發光元件跨於前述另一第1安裝電極與前述第2安裝電極而安裝，且具有與前述另一第1安裝電極電性連接之第1電極、及與前述第2安裝電極電性連接之第2電極； 前述第1絕緣層具有位於前述非顯示區域之第2開口； 前述第2安裝電極在前述非顯示區域中經由前述第2開口與前述第2配線層電性連接。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中前述第1絕緣層在前述顯示區域內不具有用於連接前述第2安裝電極與前述第2配線層之開口。
  3. 如請求項1之顯示裝置，其中前述複數個第1安裝電極及前述第2安裝電極設置於同一層。
  4. 如請求項1之顯示裝置，其中前述第1發光元件及前述第2發光元件分別係具有半導體層之發光二極體元件，該半導體層包含：包含P型雜質之區域、包含N型雜質之區域、及發光層。
  5. 如請求項4之顯示裝置，其中前述第1發光元件及前述第2發光元件分別更具備第1電極、另一第1電極、及第2電極；且 前述第1發光元件及前述第2發光元件各者之前述半導體層更包含另一發光層； 前述發光層藉由在前述第1電極與前述第2電極之間流動有電流而發光； 前述另一發光層藉由在前述另一第1電極與前述第2電極之間流動有電流而發光。
  6. 如請求項5之顯示裝置，其中前述第1發光元件及前述第2發光元件分別跨於一對前述第1安裝電極與前述第2安裝電極中位於前述一對第1安裝電極之間之部分而安裝。
  7. 如請求項6之顯示裝置，其中在前述第1發光元件及前述第2發光元件各者中， 前述第1電極及前述另一第1電極一對一地連接於前述一對第1安裝電極， 前述第2電極連接於前述第2安裝電極之前述部分。
  8. 如請求項4至7中任一項之顯示裝置，其中前述半導體層包含GaN或GaAs。
  9. 如請求項1之顯示裝置，其更具備第2絕緣層，該第2絕緣層覆蓋前述複數個第1安裝電極及前述第2安裝電極，且具有將各個前述第1安裝電極之上表面之一部分及前述第2安裝電極之上表面之複數個部位露出之複數個開口。
  10. 如請求項1之顯示裝置，其更具備第2絕緣層，該第2絕緣層覆蓋前述複數個第1安裝電極及前述第2安裝電極，且具有位於前述顯示區域之複數個第3開口及複數個第4開口；且 各個前述第1安裝電極之上表面之一部分藉由前述複數個第3開口中對應之一個第3開口而露出於前述第2絕緣層之外側； 前述第2安裝電極之上表面之複數個部位藉由前述複數個第4開口而露出於前述第2絕緣層之外側； 在前述第1發光元件中， 前述第1電極經由前述對應之一個第3開口與前述一個第1安裝電極電性連接， 前述第2電極經由前述複數個第4開口之一個第4開口與前述第2安裝電極電性連接； 在前述第2發光元件中， 前述第1電極經由前述對應之一個第3開口與前述另一第1安裝電極電性連接， 前述第2電極經由前述複數個第4開口之另一第4開口與前述第2安裝電極電性連接。
  11. 如請求項1之顯示裝置，其中前述第2安裝電極具有： 複數個第1部分，其等在第1方向延伸，在與前述第1方向交叉之第2方向空開間隔地排列；及 複數個第2部分，其等在前述第2方向延伸，在前述第1方向空開間隔地排列，且與前述複數個第1部分交叉；並且 在由相鄰之一對第1部分及相鄰之一對第2部分包圍之各個區域配置有前述複數個第1安裝電極中一個或複數個第1安裝電極。
  12. 如請求項11之顯示裝置，其中前述複數個第1部分中一個第1部分位於前述一個第1安裝電極與前述另一第1安裝電極之間；且 前述第1發光元件之前述第2電極及前述第2發光元件之前述第2電極分別與前述一個第1部分對向。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI705562B (zh) * 2019-12-13 2020-09-21 國立中興大學 大面積被動式微發光二極體陣列顯示器
TWI719799B (zh) * 2020-01-07 2021-02-21 友達光電股份有限公司 發光二極體驅動電路及發光二極體顯示面板
WO2023122965A1 (zh) * 2021-12-28 2023-07-06 厦门市芯颖显示科技有限公司 驱动面板和显示装置
US20230317000A1 (en) * 2022-03-31 2023-10-05 Meta Platforms Technologies, Llc Subpixels with reduced dimensions by using shared switching transistors

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI550874B (zh) * 2009-07-31 2016-09-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
TWI566377B (zh) * 2009-07-17 2017-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9825109B2 (en) * 2014-03-31 2017-11-21 Japan Display Inc. Display device
TWI612658B (zh) * 2015-12-21 2018-01-21 Japan Display Inc 顯示裝置
TWI615952B (zh) * 2015-08-07 2018-02-21 Japan Display Inc 顯示裝置及其製造方法
TWI619228B (zh) * 2009-07-31 2018-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US20180175009A1 (en) * 2016-12-21 2018-06-21 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting device and display device including the same
US20180301651A1 (en) * 2017-04-12 2018-10-18 Japan Display Inc. Display device
TWI644425B (zh) * 2016-10-31 2018-12-11 南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司 有機發光顯示裝置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101192614A (zh) * 2006-11-22 2008-06-04 群康科技(深圳)有限公司 薄膜晶体管基板及其制造方法
JP5468411B2 (ja) 2010-02-10 2014-04-09 シャープ株式会社 表示装置
JP5812845B2 (ja) * 2011-12-19 2015-11-17 新光電気工業株式会社 発光素子搭載用パッケージ及び発光素子パッケージ並びにそれらの製造方法
JP6230777B2 (ja) * 2012-01-30 2017-11-15 新光電気工業株式会社 配線基板、配線基板の製造方法、及び発光装置
JP6186127B2 (ja) * 2013-01-25 2017-08-23 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
TWI559064B (zh) * 2012-10-19 2016-11-21 Japan Display Inc Display device
CN102929060B (zh) * 2012-11-16 2015-06-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN103197480B (zh) * 2013-03-22 2015-07-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板
JP2016057428A (ja) * 2014-09-09 2016-04-21 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
KR102609932B1 (ko) * 2015-09-09 2023-12-04 이노럭스 코포레이션 디스플레이 디바이스
JP6640872B2 (ja) * 2015-12-01 2020-02-05 シャープ株式会社 画像形成素子
KR20180018246A (ko) * 2016-08-11 2018-02-21 주식회사 루멘스 Led칩 그룹들의 어레이를 포함하는 디스플레이 모듈 및 그 제조방법
JP6779709B2 (ja) * 2016-08-26 2020-11-04 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102422386B1 (ko) * 2017-04-21 2022-07-20 주식회사 루멘스 마이크로 led 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN107256871B (zh) * 2017-06-27 2019-09-27 上海天马微电子有限公司 微发光二极管显示面板和显示装置
CN108010945B (zh) * 2017-11-28 2021-08-10 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI566377B (zh) * 2009-07-17 2017-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI550874B (zh) * 2009-07-31 2016-09-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
TWI602307B (zh) * 2009-07-31 2017-10-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
TWI619228B (zh) * 2009-07-31 2018-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9825109B2 (en) * 2014-03-31 2017-11-21 Japan Display Inc. Display device
TWI615952B (zh) * 2015-08-07 2018-02-21 Japan Display Inc 顯示裝置及其製造方法
TWI612658B (zh) * 2015-12-21 2018-01-21 Japan Display Inc 顯示裝置
TWI644425B (zh) * 2016-10-31 2018-12-11 南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司 有機發光顯示裝置
US20180175009A1 (en) * 2016-12-21 2018-06-21 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting device and display device including the same
US20180301651A1 (en) * 2017-04-12 2018-10-18 Japan Display Inc. Display device

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Publication number Publication date
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CN112673412B (zh) 2022-08-30

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