JP6936120B2 - 表示装置 - Google Patents
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Description
本発明は、表示装置に関する。
有機発光ダイオード(OLED:Organic Light Emitting Diode)等の発光素子を用いた表示装置が実用化されている(特許文献1)。このような表示装置は、液晶表示装置と比較して、視認性及び応答速度が優れている。また、指紋センサを備える表示装置が知られている(特許文献2)。
発光素子を用いる表示装置では、バックライトを使用しないため、暗い背景に明部が局所的にある画像を表示するには、発光素子を局所的に点灯させることになる。発光素子は点灯によって発熱するため、点灯部分と無点灯部分とで温度差が生じる。熱によって発光素子が局所的に劣化することを防止するため、均熱シートが設けられているが、均熱シートは光の透過性が低い。そのため、光学式の指紋センサを、表示領域内で均熱シートの下に配置することができなかった。あるいは、光学式の指紋センサに対応した開口を均熱シートに形成すると、開口で均熱化ができなくなる。
本発明は、均熱化を図りながら光学式指紋センサを表示領域内に配置することを目的とする。
本発明に係る表示装置は、第1面及び第2面を有して前記第1面に画像が表示される表示領域を有する表示回路層と、前記第2面の下で前記表示回路層に重なる熱伝導シートと、前記熱伝導シートの下で前記表示領域の内側にあって前記表示回路層に重なる光学式指紋センサと、を有し、前記熱伝導シートは、前記光学式指紋センサに重なる第1領域と、前記光学式指紋センサの周囲で前記表示領域に重なる第2領域と、を有し、前記熱伝導シートは、前記第1領域では、前記光学式指紋センサによるセンシングに必要な光透過性を有する形状で、熱伝導材料からなり、前記熱伝導シートは、前記第2領域では、前記熱伝導材料からなる熱伝導層を含み、前記光透過性を有しないことを特徴とする。
本発明によれば、熱伝導シートは、光学式指紋センサに重なる第1領域にも熱伝導材料からなる部分を有しているので均熱化を図ることができ、第1領域は光透過性を有するので、表示領域内で光学式指紋センサによるセンシングが可能になっている。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
[第1の実施形態]
図1は、本発明の第1の実施形態に係る表示装置の平面図である。図2は、図1に示す表示装置の背面図である。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る表示装置の平面図である。図2は、図1に示す表示装置の背面図である。
表示装置は、有機EL(Electroluminescence)表示装置である。表示装置は、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素(サブピクセル)を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像を表示するようになっている。表示装置は、表示領域DA及び表示領域DAを囲む周辺領域PAを含む。周辺領域PAは表示領域DAの外側にある。周辺領域PAには、フレキシブルプリント基板11が接続されている。フレキシブルプリント基板11には、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路12が搭載される。
図3は、図1に示す表示装置のIII−III線断面図である。基板10(アレイ基板)はポリイミドを用いている。ただし、シートディスプレイ又はフレキシブルディスプレイを構成するために十分な可撓性を有する基材であれば他の樹脂材料を用いても良い。
基板10上に、アンダーコート層14として、シリコン酸化膜14a、シリコン窒化膜14b及びシリコン酸化膜14cの三層積層構造が設けられている。最下層のシリコン酸化膜14aは、基板10との密着性向上のため、中層のシリコン窒化膜14bは、外部からの水分及び不純物のブロック膜として、最上層のシリコン酸化膜14cは、シリコン窒化膜14b中に含有する水素原子が薄膜トランジスタTRの半導体層18側に拡散しないようにするブロック膜として、それぞれ設けられるが、特にこの構造に限定するものではなく、さらに積層があっても良いし、単層あるいは二層積層としても良い。
アンダーコート層14の下には、薄膜トランジスタTRを形成する箇所に合わせて付加膜16を形成しても良い。付加膜16は、チャネル裏面からの光の侵入等による薄膜トランジスタTRの特性の変化を抑制したり、導電材料で形成して所定の電位を与えることで、薄膜トランジスタTRにバックゲート効果を与えたりすることができる。ここでは、シリコン酸化膜14aを形成した後、薄膜トランジスタTRが形成される箇所に合わせて付加膜16を島状に形成し、その後シリコン窒化膜14b及びシリコン酸化膜14cを積層することで、アンダーコート層14に付加膜16を封入するように形成しているが、この限りではなく、基板10上にまず付加膜16を形成し、その後にアンダーコート層14を形成しても良い。
アンダーコート層14上に薄膜トランジスタTRが形成されている。ポリシリコン薄膜トランジスタを例に挙げて、ここではNchトランジスタのみを示しているが、Pchトランジスタを同時に形成しても良い。薄膜トランジスタTRの半導体層18は、チャネル領域とソース・ドレイン領域との間に、低濃度不純物領域を設けた構造を採る。ゲート絶縁膜20としてはここではシリコン酸化膜を用いる。ゲート電極22は、MoWから形成された第1配線層W1の一部である。第1配線層W1は、ゲート電極22に加え、第1保持容量線CL1を有する。第1保持容量線CL1と半導体層18(ソース・ドレイン領域)との間で、ゲート絶縁膜20を介して、保持容量Csの一部が形成される。
ゲート電極22の上に、層間絶縁膜24(シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜)が積層されている。基板10を曲げられるようにする場合、折曲領域FAでは、折り曲げやすくなるように、層間絶縁膜24の少なくとも一部を除去する。層間絶縁膜24の除去によって、アンダーコート層14が露出するので、その少なくとも一部もパターニングを行って除去する。アンダーコート層14を除去した後には、基板10を構成するポリイミドが露出する。なお、アンダーコート層14のエッチングを通じて、ポリイミド表面が一部浸食されて膜減りを生ずる場合が有る。
層間絶縁膜24の上に、ソース・ドレイン電極26及び引き回し配線28となる部分を含む第2配線層W2が形成されている。ここでは、Ti、Al及びTiの三層積層構造を採用する。層間絶縁膜24を介して、第1保持容量線CL1(第1配線層W1の一部)と第2保持容量線CL2(第2配線層W2の一部)とで、保持容量Csの他の一部が形成される。引き回し配線28は、基板10の端部まで延在され、フレキシブルプリント基板11を接続するための端子32を有するようになっている。
ソース・ドレイン電極26及び引き回し配線28(これらの一部を除く)を覆うように平坦化膜34が設けられている。平坦化膜34としては、CVD(Chemical Vapor Deposition)等により形成される無機絶縁材料に比べ、表面の平坦性に優れることから、感光性アクリル等の有機材料が多く用いられる。
平坦化膜34は、画素コンタクト部36及び周辺領域PAでは除去されて、その上に酸化インジウムスズ膜35が形成されている。酸化インジウムスズ膜35は、相互に分離された第1透明導電膜38及び第2透明導電膜40を含む。
平坦化膜34の除去により表面が露出した第2配線層W2は、第1透明導電膜38にて被覆される。第1透明導電膜38を被覆するように、平坦化膜34の上にシリコン窒化膜42が設けられている。シリコン窒化膜42は、画素コンタクト部36に開口を有し、この開口を介してソース・ドレイン電極26に導通するように画素電極44が積層されている。画素電極44は反射電極として形成され、IZO(Indium Zinc Oxide)膜、Ag膜、IZO膜の三層積層構造としている。ここで、IZO膜に代わって酸化インジウムスズ膜35を用いても良い。画素電極44は、画素コンタクト部36から側方に拡がり、薄膜トランジスタTRの上方に至る。
第2透明導電膜40は、画素コンタクト部36に隣接して、画素電極44の下方(さらにシリコン窒化膜42の下方)に設けられている。第2透明導電膜40、シリコン窒化膜42及び画素電極44は重なっており、これらによって付加容量Cadが形成される。
端子32の表面には、酸化インジウムスズ膜35の他の一部である第3透明導電膜46が形成されている。第3透明導電膜46は、第1透明導電膜38及び第2透明導電膜40と同時に形成される。端子32上の第3透明導電膜46は、以後の工程で端子32の露出部がダメージを負わないようにバリア膜として設けることを目的の一としている。画素電極44のパターニング時、第3透明導電膜46はエッチング環境にさらされるが、酸化インジウムスズ膜35の形成から画素電極44の形成までの間に行われるアニール処理によって、酸化インジウムスズ膜35は画素電極44のエッチングに対し十分な耐性を有する。
平坦化膜34の上であって例えば画素コンタクト部36の上方に、バンク(リブ)と呼ばれて隣同士の画素領域の隔壁となる絶縁層48が形成されている。絶縁層48としては平坦化膜34と同じく感光性アクリル等が用いられる。絶縁層48は、画素電極44の表面を発光領域として露出するように開口され、その開口端はなだらかなテーパー形状となるのが好ましい。開口端が急峻な形状になっていると、その上に形成される有機EL(Electro Luminescence)層50のカバレッジ不良を生ずる。
平坦化膜34と絶縁層48は、両者間にあるシリコン窒化膜42に設けた開口を通じて接触している。これにより、絶縁層48の形成後の熱処理等を通じて、平坦化膜34から脱離する水分や脱ガスを、絶縁層48を通じて引き抜くことができる。
画素電極44の上に、有機材料からなる有機EL層50が積層されている。有機EL層50は、単層であってもよいが、画素電極44側から順に、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層が積層された構造であってもよい。これらの層は、蒸着によって形成しても良いし、溶媒分散の上での塗布によって形成しても良く、画素電極44(各サブ画素)に対して選択的に形成しても良いし、表示領域DAを覆う全面にベタ形成されても良い。ベタ形成の場合は、全サブ画素において白色光を得て、カラーフィルタ(図示せず)によって所望の色波長部分を取り出す構成とすることができる。
有機EL層50の上に、対向電極52が設けられている。ここでは、トップエミッション構造としているため、対向電極52は透明である。例えば、Mg層及びAg層を、有機EL層50からの出射光が透過する程度の薄膜として形成する。前述の有機EL層50の形成順序に従うと、画素電極44が陽極となり、対向電極52が陰極となる。対向電極52は、表示領域DA上と、表示領域DA近傍に設けられた陰極コンタクト部54に亘って形成され、陰極コンタクト部54で下層の引き回し配線28と接続されて、端子32に電気的に接続される。
対向電極52の上に、封止膜56が形成されている。封止膜56は、先に形成した有機EL層50を、外部からの水分侵入を防止することを機能の一としており、高いガスバリア性が要求される。ここでは、シリコン窒化膜を含む積層構造として、シリコン窒化膜56a、有機樹脂層56b及びシリコン窒化膜56cの積層構造とした。シリコン窒化膜56a,56cと有機樹脂層56bとの間には、密着性向上を目的の一として、シリコン酸化膜やアモルファスシリコン層を設けても良い。
封止膜56に、接着層58を介して、タッチパネル基板60が積層されている。タッチパネル基板60には図示しないタッチセンシング電極の少なくとも一部が形成されている。タッチセンシング電極の一部を、対向電極52が兼用してもよい。タッチパネル基板60には円偏光板62が貼り付けられている。円偏光板62に、接着層64を介して、カバーガラス66が積層されている。一方、基板10には、接着層68を介して、支持フィルム70が積層されている。
図4は、図3に示す表示装置の概要及び動作を説明するための図である。表示装置は、表示回路層72を有する。表示回路層72は、例えば、図3のアンダーコート層14から封止膜56までの層を含む。表示回路層72は、表示領域DAに、画像を表示するための複数の発光素子74を有する。発光素子74は、図3に示す画素電極44、有機EL層50及び対向電極52を含む。また、表示回路層72は、図3に示す薄膜トランジスタTRを含む。表示回路層72は、第1面S1及び第2面S2を有する。第1面S1の表示領域DAに画像が表示される。
熱伝導シート76が、第2面S2の下で表示回路層72に重なる。熱伝導シート76は支持フィルム70に貼り付けられている。熱伝導シート76は、銅、クロム及びカーボンからなる群より選ばれた少なくとも1つの元素を含む熱伝導材料からなる。熱伝導シート76は、熱拡散性を有しており、表示領域DAの一部のみで発光があっても、熱を拡散させることができる。
図5は、熱伝導シート76の詳細を示す図である。熱伝導シート76は、第1領域A1に複数の光透過部78を有する。複数の光透過部78は、スリット又は孔からなり、光透過性を有する。熱伝導シート76は、第1領域A1に複数の熱伝導部80を有する。複数の熱伝導部80は、熱伝導材料からなり、光透過性を有しない。複数の光透過部78と複数の熱伝導部80は少なくとも一方向(例えば直交する第1方向D1及び第2方向D2の両方)に交互に有する。熱伝導シート76は、第2領域A2では、熱伝導材料からなる熱伝導層82を含み、光透過性を有しない。複数の熱伝導部80は、第2領域A2から連続して相互に一体化する。第1領域A1及び第2領域A2は表示領域DAに重なる。
図4に示すように、熱伝導シート76には、光学式指紋センサ84が取り付けられている。光学式指紋センサ84は、熱伝導シート76に直接搭載されている。光学式指紋センサ84には、図1及び図2に示すようにフレキシブルプリント基板13が接続されている。光学式指紋センサ84は、熱伝導シート76の下であって表示領域DAの内側で表示回路層72に重なる。光学式指紋センサ84によるセンシングは、複数の発光素子74からの光を使用する。詳しくは、光学式指紋センサ84と対向する領域にある有機EL層50(図3)からの光が、指で反射して、光学式指紋センサ84に入射する。有機EL層50が局所的に発光するので、局所的に熱が生じるが、熱伝導シート76によって均熱化を図ることができる。
光学式指紋センサ84は、熱伝導シート76の第1領域A1に重なる。熱伝導シート76は、第1領域A1では、光学式指紋センサ84によるセンシングに必要な光透過性を有する形状になっている。そのため、熱伝導シート76を光が通過してセンシング可能になっている。第1領域A1は、光学式指紋センサ84の外形内に収まり、第1領域A1の全体を光学式指紋センサ84が覆う。そのため、外光が光学式指紋センサ84に入らないようになっている。なお、光透過性を有しない第2領域A2は、光学式指紋センサ84の周囲で表示領域DAに重なる。
本実施形態によれば、熱伝導シート76は、光学式指紋センサ84に重なる第1領域A1にも熱伝導材料からなる部分を有しているので均熱化を図ることができ、第1領域A1は光透過性を有するので、表示領域DA内で光学式指紋センサ84によるセンシングが可能になっている。
図6は、第1の実施形態に係る熱伝導シートの変形例1を示す図である。図5に示す例では、熱伝導シート76が第1領域A1に有する複数の光透過部78はそれぞれ矩形の孔であったが、図6に示す例では、熱伝導シート76Aは第1領域A1に、円形の孔からそれぞれなる複数の光透過部78Aを有する。
図7は、第1の実施形態に係る熱伝導シートの変形例2を示す図である。この例では、熱伝導シート76Bは第1領域A1に、第1方向D1に長くなったスリットからそれぞれなる複数の光透過部78Bを有する。第1方向D1に直交する第2方向D2に複数の光透過部78Bが並ぶ。
図8は、第1の実施形態に係る熱伝導シートの変形例3を示す図である。この例では、熱伝導シート76Cの第1領域A1は、第1方向D1及び第2方向D2に辺が延びる矩形である。複数の光透過部78Cは、第1方向D1及び第2方向D2のいずれにも斜めに延びるスリットからそれぞれなる。
図9は、第1の実施形態に係る表示装置の変形例4を示す図である。この例では、表示回路層72Dの第2面S2は、無機絶縁膜86Dからなる。無機絶縁膜86Dは、例えば、図3に示すシリコン酸化膜14a及び引き回し配線28を含む。そして、熱伝導シート76Dは、無機絶縁膜86Dに直接積層している。熱伝導シート76Dの下に、基板10D、接着層68D及び支持フィルム70Dが積層されている。
図10は、第1の実施形態に係る表示装置の変形例5を示す図である。この例では、表示回路層72Eの第2面S2の下に、有機絶縁膜88Eが積層する。有機絶縁膜88Eは、図3の基板10であってもよい。熱伝導シート76Eは、有機絶縁膜88Eの下にある。熱伝導シート76Eの下に、接着層68E及び支持フィルム70Eが積層されている。
図11は、第1の実施形態に係る表示装置の変形例6を示す図である。この例では、表示回路層72Fの第2面S2の下に、一対の有機絶縁膜88Fが積層する。熱伝導シート76Fは、一対の有機絶縁膜88Fの間に介在している。一対の有機絶縁膜88Fの下に、接着層68F及び支持フィルム70Fが積層されている。
図12は、第1の実施形態に係る表示装置の変形例7を示す図である。この例では、熱伝導シート76Gは、複数層からなり、第2面S2に最も近い最上層90Gを含み、最上層90Gの下にある下地層92Gを含む。最上層90Gは、下地層92Gよりも、光反射率が低い。
[第2の実施形態]
図13は、本発明を適用した第2の実施形態に係る熱伝導シートを示す図である。本実施形態では、熱伝導シート276は、第1領域A1に、大きさ(面積)の異なる複数の光透過部278(278a,278b,278c)を有する。熱伝導シート276は、第1領域A1に、大きさ(面積)の異なる複数の熱伝導部280(280a,280b,280c)を有する。複数の光透過部278と複数の熱伝導部280は、直交する第1方向D1及び第2方向D2に、交互に配列される。
図13は、本発明を適用した第2の実施形態に係る熱伝導シートを示す図である。本実施形態では、熱伝導シート276は、第1領域A1に、大きさ(面積)の異なる複数の光透過部278(278a,278b,278c)を有する。熱伝導シート276は、第1領域A1に、大きさ(面積)の異なる複数の熱伝導部280(280a,280b,280c)を有する。複数の光透過部278と複数の熱伝導部280は、直交する第1方向D1及び第2方向D2に、交互に配列される。
第1方向D1及び第2方向D2の少なくとも一方(この例では両方)に沿って、複数の光透過部278が第1領域A1に占める割合が変化する。例えば、複数の光透過部278が第1領域A1に占める割合は、第2領域A2に近いほど小さい。つまり、複数の熱伝導部280が第1領域A1に占める割合は、第2領域A2に近いほど大きい。
本実施形態によれば、光が透過する第1領域A1の光透過量が、光が透過しない第2領域に近いほど、徐々に小さくなる。このため、第1領域A1と第2領域A2の境目付近での光の透過量の変化が緩やかになり、その境目が認識されにくくなる。
図14は、第2の実施形態に係る熱伝導シートの変形例を示す図である。この変形例では、複数の光透過部278Aが、それぞれ第1方向D1に延びるスリットであり、第2方向D2に配列されている点で図13の例と異なる。
光透過部278Aは、第1方向D1の両端部において、幅が先細りになっている。そのため、第1方向D1及び第2方向D2の一方(この例では第1方向D1)に沿って、複数の光透過部278Aが第1領域A1に占める割合が変化する。つまり、複数の光透過部278Aが第1領域A1に占める割合は、第1方向D1において第2領域A2に近いほど小さい。逆に、複数の熱伝導部280Aが第1領域A1に占める割合は、第1方向D1において第2領域A2に近いほど大きい。
[第3の実施形態]
図15は、本発明を適用した第3の実施形態に係る熱伝導シートを示す背面図である。図16は、図15に示す熱伝導シートのXVI−XVI線断面図である。熱伝導シート376は、熱伝導層382を有する。熱伝導層382は、第1熱伝導層394を含む。第1熱伝導層394は、光透過性を有する薄さを有する。第1領域A1は、第1熱伝導層394から構成される。これにより、熱伝導シート376は、第1領域A1では、光透過性を有する薄さで全体的に熱伝導材料からなる。
図15は、本発明を適用した第3の実施形態に係る熱伝導シートを示す背面図である。図16は、図15に示す熱伝導シートのXVI−XVI線断面図である。熱伝導シート376は、熱伝導層382を有する。熱伝導層382は、第1熱伝導層394を含む。第1熱伝導層394は、光透過性を有する薄さを有する。第1領域A1は、第1熱伝導層394から構成される。これにより、熱伝導シート376は、第1領域A1では、光透過性を有する薄さで全体的に熱伝導材料からなる。
熱伝導層382は、第2熱伝導層396を含む。第2熱伝導層396は、熱伝導層382よりも熱伝導率が高く光透過性を有しない。第2熱伝導層396は、第1領域A1を避けて第2領域A2で、第1熱伝導層394に積層する。つまり、第2領域A2は、第1熱伝導層394及び第2熱伝導層396から構成される。
[第4の実施形態]
図17は、本発明を適用した第4の実施形態に係る表示装置を示す背面図である。図18は、図17に示す表示装置のXVIII−XVIII線断面図である。本実施形態では、熱伝導シート476の第1領域A1は、光学式指紋センサ484からはみ出す余剰領域EAを有する。つまり、第1領域A1が光学式指紋センサ484よりも大きい。そのため、外光の入射を防止するため、余剰領域EAを遮光シールド498が覆うようになっている。遮光シールド498は、黒色などの着色ゲルを塗布することで設けてもよいし、遮光シールを貼り付けることで設けてもよい。
図17は、本発明を適用した第4の実施形態に係る表示装置を示す背面図である。図18は、図17に示す表示装置のXVIII−XVIII線断面図である。本実施形態では、熱伝導シート476の第1領域A1は、光学式指紋センサ484からはみ出す余剰領域EAを有する。つまり、第1領域A1が光学式指紋センサ484よりも大きい。そのため、外光の入射を防止するため、余剰領域EAを遮光シールド498が覆うようになっている。遮光シールド498は、黒色などの着色ゲルを塗布することで設けてもよいし、遮光シールを貼り付けることで設けてもよい。
なお、表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置には限定されず、量子ドット発光素子(QLED:Quantum‐Dot Light Emitting Diode)のような発光素子を各画素に備えた表示装置であってもよい。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
10 基板、11 フレキシブルプリント基板、12 集積回路、13 フレキシブルプリント基板、14 アンダーコート層、14a シリコン酸化膜、14b シリコン窒化膜、14c シリコン酸化膜、16 付加膜、18 半導体層、20 ゲート絶縁膜、22 ゲート電極、24 層間絶縁膜、26 ドレイン電極、28 引き回し配線、32 端子、34 平坦化膜、35 酸化インジウムスズ膜、36 画素コンタクト部、38 第1透明導電膜、40 第2透明導電膜、42 シリコン窒化膜、44 画素電極、46 第3透明導電膜、48 絶縁層、50 有機EL層、52 対向電極、54 陰極コンタクト部、56 封止膜、56a シリコン窒化膜、56b 有機樹脂層、56c シリコン窒化膜、58 接着層、60 タッチパネル基板、62 円偏光板、64 接着層、66 カバーガラス、68 接着層、68D 接着層、68E 接着層、68F 接着層、70 支持フィルム、70D 支持フィルム、70E 支持フィルム、70F 支持フィルム、72 表示回路層、72D 表示回路層、72E 表示回路層、72F 表示回路層、74 発光素子、76 熱伝導シート、76A 熱伝導シート、76B 熱伝導シート、76C 熱伝導シート、76D 熱伝導シート、76E 熱伝導シート、76F 熱伝導シート、76G 熱伝導シート、78 光透過部、78A 光透過部、78B 光透過部、78C 光透過部、80 熱伝導部、82 熱伝導層、84 光学式指紋センサ、86D 無機絶縁膜、88E 有機絶縁膜、88F 一対の有機絶縁膜、90G 最上層、92G 下地層、276 熱伝導シート、278 光透過部、278A 光透過部、280 熱伝導部、280A 熱伝導部、376 熱伝導シート、382 熱伝導層、394 第1熱伝導層、396 第2熱伝導層、476 熱伝導シート、484 光学式指紋センサ、498 遮光シールド、A1 第1領域、A2 第2領域、Cad 付加容量、CL1 第1保持容量線、CL2 第2保持容量線、Cs 保持容量、D1 第1方向、D2 第2方向、DA 表示領域、EA 余剰領域、FA 折曲領域、PA 周辺領域、S1 第1面、S2 第2面、TR 薄膜トランジスタ、W1 第1配線層、W2 第2配線層。
Claims (16)
- 第1面及び第2面を有して前記第1面に画像が表示される表示領域を有する表示回路層と、
前記第2面の下で前記表示回路層に重なる熱伝導シートと、
前記熱伝導シートの下で前記表示領域の内側にあって前記表示回路層に重なる光学式指紋センサと、
を有し、
前記熱伝導シートは、前記光学式指紋センサに重なる第1領域と、前記光学式指紋センサの周囲で前記表示領域に重なる第2領域と、を有し、
前記熱伝導シートは、前記第1領域では、前記光学式指紋センサによるセンシングに必要な光透過性を有する形状で、熱伝導材料からなり、
前記熱伝導シートは、前記第2領域では、前記熱伝導材料からなる熱伝導層を含み、前記光透過性を有しないことを特徴とする表示装置。 - 請求項1に記載された表示装置において、
前記熱伝導シートは、前記第1領域では、スリット又は孔からなる複数の光透過部と、前記第2領域から連続して相互に一体化するように前記熱伝導材料からなる複数の熱伝導部と、を少なくとも一方向に交互に有し、
前記複数の熱伝導部は、前記光透過性を有しないことを特徴とする表示装置。 - 請求項2に記載された表示装置において、
直交する第1方向及び第2方向の少なくとも一方に沿って、前記複数の光透過部が前記第1領域に占める割合が変化することを特徴とする表示装置。 - 請求項3に記載された表示装置において、
前記複数の光透過部が前記第1領域に占める前記割合は、前記第2領域に近いほど小さいことを特徴とする表示装置。 - 請求項3又は4に記載された表示装置において、
前記複数の熱伝導部が前記第1領域に占める割合は、前記第2領域に近いほど大きいことを特徴とする表示装置。 - 請求項1に記載された表示装置において、
前記熱伝導シートは、前記第1領域では、前記光透過性を有する薄さで全体的に前記熱伝導材料からなることを特徴とする表示装置。 - 請求項6に記載された表示装置において、
前記熱伝導層は、第1熱伝導層及び第2熱伝導層を含み、
前記第1熱伝導層は、前記光透過性を有する前記薄さを有し、
前記第1領域は、前記第1熱伝導層から構成され、
前記第2熱伝導層は、前記熱伝導層よりも熱伝導率が高く前記光透過性を有しておらず、前記第1領域を避けて前記第2領域で、前記第1熱伝導層に積層することを特徴とする表示装置。 - 請求項1から7のいずれか1項に記載された表示装置において、
前記熱伝導シートは、前記第2面に最も近い最上層と、前記最上層の下にある下地層と、を含み、
前記最上層は、前記下地層よりも、光反射率が低いことを特徴とする表示装置。 - 請求項1から8のいずれか1項に記載された表示装置において、
前記第1領域は、前記光学式指紋センサの外形内に収まり、
前記第1領域の全体を前記光学式指紋センサが覆うことを特徴とする表示装置。 - 請求項1から8のいずれか1項に記載された表示装置において、
前記第1領域は、前記光学式指紋センサからはみ出す余剰領域を有し、
前記余剰領域を覆う遮光シールドをさらに有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1から10のいずれか1項に記載された表示装置において、
前記表示回路層は、前記表示領域に、前記画像を表示するための複数の発光素子を有し、
前記光学式指紋センサによる前記センシングは、前記複数の発光素子からの光を使用することを特徴とする表示装置。 - 請求項1から11のいずれか1項に記載された表示装置において、
前記光学式指紋センサは、前記熱伝導シートに直接搭載されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項1から11のいずれか1項に記載された表示装置において、
前記表示回路層の前記第2面は、無機絶縁膜からなり、
前記熱伝導シートは、前記無機絶縁膜に直接積層していることを特徴とする表示装置。 - 請求項1から11のいずれか1項に記載された表示装置において、
前記表示回路層の前記第2面の下に、有機絶縁膜をさらに有し、
前記熱伝導シートは、前記有機絶縁膜の下にあることを特徴とする表示装置。 - 請求項1から11のいずれか1項に記載された表示装置において、
前記表示回路層の前記第2面の下に、一対の有機絶縁膜をさらに有し、
前記熱伝導シートは、前記一対の有機絶縁膜の間に介在していることを特徴とする表示装置。 - 請求項1から15のいずれか1項に記載された表示装置において、
前記熱伝導シートは、銅、クロム及びカーボンからなる群より選ばれた少なくとも1つの元素を含む材料からなることを特徴とする表示装置。
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