TWI613808B - 光遮斷構件和包括其之顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

揭露一種包含金屬粒子與陶瓷材料之光遮斷構件和包括其之顯示裝置。

Description

光遮斷構件和包括其之顯示裝置
有關於一種光遮斷構件和包括其之顯示裝置。
顯示裝置表現影像且舉例來說包含了液晶顯示器(LCD)、有機發光二極體(OLED)顯示器及電泳顯示裝置等。
上述相關技術部份所揭露之資訊僅為加強對本發明背景之了解，故其可包含未構成為此技術領域中一般人員所習知之先前技術之資訊。
例示性實施例提供一種防止外部光線所造成之顯示性能的退化同時降低對裝置性能的影響之光遮斷構件。
另一實施例提供一種可包含光遮斷構件之顯示裝置。
根據例示性實施例，提供一種包含金屬粒子以及陶瓷材料之光遮斷構件。
金屬粒子與陶瓷材料可包含於混合物或合金之型態。
金屬粒子可包括銀(Ag)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉭(Ta)或其組合。
金屬粒子可具有約10Å至約1000Å之平均粒徑。
陶瓷材料可包括鈮氧化物、鈦氧化物、鋁氧化物或其組合。
光遮斷構件可包含具有第一數量之金屬粒子與陶瓷材料之第一層以及具有大於第一數量之第二數量之金屬粒子與陶瓷材料之第二層。
第一數量以金屬粒子與陶瓷材料之總量為準可包含約1at%至約15at%之量，而第二數量以金屬粒子與陶瓷材料之總量為準可包含約10at%至約50at%之量。
第一層可具有高於第二層之穿透性。
第一層相較於第二層可設置較靠近於光入射側。
第一層可具有約100Å至約1,000Å之厚度，而第二層可具有約500Å至約10,000Å之厚度。
根據另一實施例，提供一種包含光遮斷構件之顯示裝置。
顯示裝置可包含第一基板、設置於第一基板上之薄膜電晶體、電性連接於薄膜電晶體之第一電極、面向第一電極之第二電極、以及插設於第一電極與第二電極之間之發光層，其中光遮斷構件可設置於除了與第一電極、第二電極以及發光層重疊之區域以外之至少一區域。
光遮斷構件可定位於第一基板與薄膜電晶體之間。
光遮斷構件可定位於薄膜電晶體與第二電極之間。
顯示裝置可進一步包含面對第一基板之第二基板，且光遮斷構件可定位於第二基板之一側上。
Qs‧‧‧切換電晶體區域
Qd‧‧‧驅動電晶體區域
LD‧‧‧光發射區域
110‧‧‧基板
140‧‧‧閘極絕緣層
124a‧‧‧切換控制電極
124b‧‧‧驅動控制電極
154a‧‧‧切換半導體
154b‧‧‧驅動半導體
173a‧‧‧切換輸入電極
173b‧‧‧驅動輸入電極
175a‧‧‧切換輸出電極
175b‧‧‧驅動輸出電極
180‧‧‧保護層
185‧‧‧接觸孔洞
191‧‧‧像素電極
260‧‧‧金屬粒子
270‧‧‧陶瓷材料
280‧‧‧光遮斷構件
280a‧‧‧第一層
280b‧‧‧第二層
361‧‧‧像素定義層
365‧‧‧開口
370‧‧‧有機發光構件
400‧‧‧封裝基板
本發明之更完整評價及其許多附隨優點將在考量配合附圖下參照下列詳細描述而輕易地明瞭且變得更容易理解，其中參考符號表示相同或相似的構件，其中：第1圖係為根據一實施例而繪示光遮斷構件之示意圖。
第2圖係為根據另一實施例而繪示光遮斷構件之示意圖。
第3圖係為根據一實施例繪示有機發光二極體(OLED)顯示器之剖面圖。
第4圖係為根據另一實施例繪示有機發光二極體(OLED)顯示器之剖面圖。
第5圖係為根據再一實施例繪示有機發光二極體(OLED)顯示器之剖面圖。
第6圖係為根據範例3顯示光遮斷構件之反射率之圖式。
下文中將參考其中顯示本揭露之例示性實施例之附圖而更充分地描述本揭露。然而，本發明概念可藉由許多不同形式來體現且不應詮釋為受限於此闡述的例示性實施例，於圖式中，層及區域之尺寸及相對尺寸為了清楚起見可誇大。熟知此技術領域者將理解，所描述的實施例可以各種不同方式修改，而全不違背本揭露的精神或範疇。
在圖式當中，各層、膜、面板、區域等的厚度係為了清楚起見而有所誇大，相同之參考符號在整份說明書中表示相同之元件。其將了解的是，當如層、膜、區域或基板之元件被稱為在另一元件「上」 時，其可直接地位於另一元件上或亦可存在中間元件。相反的，當一元件被稱為「直接地位於」另一元件上時，則不存在中間元件。
將了解的是當一元件或層被稱為「連接至」或「耦接至」另一元件或層時，其可直接連接或耦接至另一元件或層，或可存在中間元件或層。相反的，若元件被稱為「直接連接至」或「直接耦接至」另一元件或層時，則不存在中間元件或層。相同或相似的參考符號在全文中代表相同或相似之元件。當在此處所使用時，詞彙「及/或」包含一或多個所列相關項目之任何及所有組合。
將理解的是，雖然第一、第二、第三等用詞在本文中被用來描述不同元件、組件、區域、層、圖案及/或區段，但這些元件、組件、區域、層、圖案及/或區段不應被這些用詞所限制。這些用詞僅用於區分一個元件、組件、區域、層、圖案或區段與另一區域、層、圖案或區段，因此，下列敘述之第一元件、組件、區域、層或區段在不脫離例示性實施例之教示下可稱為第二元件、組件、區域、層或區段。
空間相對措辭，例如「下(beneath)」、「下(below)」、「下(lower)」、「上(above)」、「上(upper)」等等為了便於描述於此處可用來形容圖式中所繪示之一元件或特徵與另一元件或特徵的關係。將理解的是，除了圖式上所描繪的方向外，空間相對措辭係旨在包含裝置使用或操作上之不同方向。舉例來說，如果圖式中之裝置被翻轉，描繪為在其他元件或特徵「下(below)」或「下(beneath)」之元件隨之轉向成為在其他元件或特徵「上(above)」。因此，例示性的用詞「下(below)」 同時可包括上與下之定向。裝置可為其他定向(旋轉90度或是其他方向)，且於此所使用之空間相對措辭係作相對應的解釋。
這裡所使用的專門名詞僅用於描述特定例示性實施例之目的，而非旨在限制本發明。當在此所使用時，除非內文另外明顯地表示，否則單數形式的「一(a)」、「一(an)」及「該(the)」亦旨在包含複數形式。將進一步理解的是「包含(comprises)」及/或「包含(comprising)」在說明書中使用時，是指所述特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件的存在，而非排除存在或增加一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其組合。
例示性實施例係參照為本發明概念之理想化例示性實施例的示意圖(與中間結構)之剖面圖而在此描述。如此，例如製程技術及/或公差所造成之形狀與圖式的差異是可以預期的。因此，例示性實施例不該理解為限制於此處所示區域中的特定形狀，而是包含例如因製程所造成的形狀上之變化。因此，圖式中所示區域係為自然示意且其形狀並非旨在說明裝置中區域的真實形狀，且其並非旨在限制本發明概念的範疇。
除非另有定義，否則本文中所有用詞(包含技術與科學術語)具有與本發明所屬技術領域之一般人員所理解的相同意義。將一步的理解的是，那些定義於常用字典內之用詞在內文中應解釋為具有與所屬技術領域相符意義的含意，且除非於內文中有明確的定義，否則將不會解釋成理想化或過於正式的意義。
一般而言，顯示裝置可包含複數個金屬線路與金屬電極。金屬線路與金屬電極具有高反射率，且可能會反射外部進入之光線。反射光線可能被觀察者察覺而降低顯示性能。
為了減低外部光線之反射，提出一種包含鉻(Cr)且吸收外部光線之光遮斷構件。然而，包含鉻(Cr)之光遮斷構件可能會增加介於光遮斷構件與金屬線路及/或光遮斷構件與金屬電極之間的寄生電容，且因此對裝置性能具有影響，同時對於環境也不環保。
下文中，參閱第1圖，說明根據實施例之光遮斷構件。
第1圖為根據實施例繪示光遮斷構件之示意圖。
參照第1圖，根據實施例之光遮斷構件280可包含金屬粒子260與陶瓷材料270。
金屬粒子260與陶瓷材料270可包含於混合物或合金之型態，且混合物舉例來說可包含金屬粒子260散布於陶瓷材料270中。
金屬粒子260可由不透明之金屬所構成，舉例來說可包含銀(Ag)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉭(Ta)或其組合。金屬粒子260可具有不同尺寸，例如其平均粒徑為約10Å至約1000Å。
陶瓷材料270可為金屬氧化物，舉例來說可包含鈮氧化物、鈦氧化物、鋁氧化物或其組合。
光遮斷構件280可藉由金屬粒子260散射及/或吸收光線而降低反射率。光遮斷構件280可具有小於或等於約10%之反射率，例如約1%至約10%。
除此之外，光遮斷構件280由於陶瓷材料270可具有高電阻，且因此可防止光遮斷構件280與金屬線路間及/或光遮斷構件280與金屬電極間寄生電容的增加。因此，可防止由於寄生電容造成裝置性能的退化。厚度範圍約2,000Å內之光遮斷構件280可具有範圍約1kΩ/平方(kΩ/square)至100MΩ/平方(MΩ/square)之片電阻(sheet resistance)。
第2圖為根據另一例示性實施例繪示光遮斷構件之示意圖。
參照第2圖，根據另一實施例之光遮斷構件280可包含可包括第一層280a與第二層280b之複數層。
第一層280a可包含第一數量之金屬粒子260與陶瓷材料270，而第二層280b可包含大於第一數量之第二數量之金屬粒子260與陶瓷材料270。第二數量沒有特別限制，只要其數量大於第一數量即可。例如，第一數量以金屬粒子260與陶瓷材料270之總量為準可為約1at%至約15at%之範圍，而第二數量以金屬粒子260與陶瓷材料270之總量為準可為約10at%至約50at%之範圍。
第一層280a由於相較於第二層280b配置較少金屬粒子，因此可具有高穿透率，且因而可配置於靠近光入射側。由於第二層280b相較於第一層280a配置較多金屬粒子，因此第二層280b可提升光散射與吸收，進而達到光遮斷效果。第一層280a可散射與吸收部分之外部光線，接著，第二層280b可散射與吸收大部分經由第一層280a穿過之光線，進而可降低經過第一層280a之光反射率。
第一層280a可具有約100Å至約1,000Å之厚度，而第二層280b可具有約500Å至約10,000Å之厚度。
前述之光遮斷構件280可應用於顯示裝置上。
顯示裝置舉例來說可包含液晶顯示器(LCD)、有機發光二極體(OLED)顯示器及電泳顯示裝置等，但本發明不侷限於此。
光遮斷構件280可降低進入顯示裝置之外部光線之反射率，且防止顯示裝置由於反射光線被觀察者察覺之性能退化。據此，光遮斷構件280在顯示裝置之前側不需另外的偏光片以降低外部光線反射，進而可降低成本且同時提升發光效率。
下文說明根據實施例的一種顯示裝置。
在此參照下列圖式以有機發光二極體(OLED)顯示器為顯示裝置之範例來說明。
第3圖為根據實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器之剖面圖。
參照第3圖，根據一實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器於每一像素中可包括具有切換薄膜電晶體之切換電晶體區域(Qs)、具有驅動薄膜電晶體之驅動電晶體區域(Qd)以及具有有機發光二極體(OLED)之光發射區域(LD)。
切換薄膜電晶體具有控制端、輸入端以及輸出端。控制端可連接至閘極線路(未繪示)。輸入端可連接至資料線路(未繪示)。輸出端可連接至驅動薄膜電晶體。切換薄膜電晶體回應加諸於閘極線路之掃描訊號，而傳送資料訊號至驅動薄膜電晶體。
驅動薄膜電晶體亦具有控制端、輸入端以及輸出端。控制端可連接至切換薄膜電晶體。輸入端可連接至驅動電壓線路(未繪示)。輸 出端可連接至有機發光二極體(OLED)。驅動薄膜電晶體根據控制端與輸出端之間的電壓可放出不同大小之輸出電流。
有機發光二極體(OLED)包含連接至驅動薄膜電晶體之輸出端的陽極、以及連接至共同電壓之陰極。有機發光二極體(OLED)依據驅動薄膜電晶體之輸出電流的強度來發光並顯示影像。
參照第3圖，光遮斷構件280可位於可包含玻璃基板、高分子層、矽晶圓或類似物之透明基板110上。光遮斷構件280可形成於由像素電極191、有機發光構件370以及稍後提及之共同電極270互相重疊之光發射區域外的部份區域，特別是除了光發射區域外之所有區域。
光遮斷構件280可由包含前述之金屬粒子與陶瓷材料之單層或多層所構成。多層之光遮斷構件在每一層可包含不同數量之金屬粒子。當基板110為觀察側時，可包含第一數量之金屬粒子與陶瓷材料之第一層以及可包含大於第一數量之第二數量之金屬粒子與陶瓷材料之第二層可依序地層疊於基板110上。
切換控制電極124a與驅動控制電極124b形成於光遮斷構件280上。切換控制電極124a可連接至閘極線路(未繪示)，且自閘極線路接收閘極訊號。驅動控制電極124b可為島型。
而後閘極絕緣層140可形成於包含切換控制電極124a與驅動控制電極124b之基板110之整個表面上。
切換半導體154a與驅動半導體154b形成於閘極絕緣層140上。切換半導體154a與切換控制電極124a重疊，且驅動半導體154b與驅動控制電極124b重疊。切換半導體154a與驅動半導體154b分別為島型。
電性連接於切換半導體154a之切換輸入電極173a與切換輸出電極175a形成於切換半導體154a上。切換輸入電極173a可連接至資料線路(未繪示)且自資料線路接收資料訊號。切換輸出電極175a可連接至之後說明之驅動控制電極124b。
電性連接於驅動半導體154b之驅動輸入電極173b與驅動輸出電極175b形成於驅動半導體154b上。驅動輸入電極173b可連接至驅動電壓線路(未繪示)。驅動輸出電極175b可連接至之後說明之像素電極191。
在切換輸入電極173a、切換輸出電極175a、驅動輸入電極173b以及驅動輸出電極175b上形成保護層180。保護層180具有接觸孔洞185使驅動輸出電極175b露出。
像素電極191可形成於保護層180上。像素電極191可藉由接觸孔洞185與驅動輸出電極175b連結。像素電極191可由例如導電氧化物、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋁摻雜鋅氧化物(AZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)或其組合所製成。
像素定義層361可形成於像素電極191上。像素定義層361具有開口365使像素電極191露出。環繞開口365之像素定義層361定義出光發射區域(LD)。光發射區域(LD)可形成於像素電極191與之後說明之有機發光構件370以及共同電極270相互重疊處。像素定義層361可由例如感光性有機材料所構成。
像素定義層361所環繞之光發射區域(LD)中可形成有機發光構件370。
有機發光構件370包含發光層以及輔助層。
發光層可由發出原色中之一種顏色之光之有機材料所構成，例如紅、綠、藍等，或可藉由組合色彩而顯示白色。
輔助層可至少定位於發光層之上或之下，並且可包含選自電洞注入層(HIL)、電洞傳送層(HTL)、電子注入層(EIL)及電子傳送層(ETL)之至少之一。
共同電極270可形成於像素定義層361與有機發光構件370上。共同電極270可由透明金屬或是具有高反射率之金屬所構成。
在前述的有機發光裝置中，像素電極191與共同電極270之任一個為陽極，而另一個則為陰極。成對之陽極與陰極使電流流通有機發光構件370。
根據實施例，光遮斷構件280可形成於光發射區域(LD)以外之區域，並散射及/或吸收外部進入之光線，且因而可防止光線被電極及線路反射而再次射出。因此光遮斷構件280可防止能見度因外部光線反射而損耗。
另外，光遮斷構件280具有高電阻，且因此可降低與電極及線路之寄生電容，並且降低對於裝置操作的影響。
下文參照第4圖，根據另一實施例說明一種有機發光二極體(OLED)顯示器。
第4圖為根據另一實施例繪示有機發光二極體(OLED)顯示器之剖面圖。
參照第4圖，根據此實施例與依據前述實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器相同包含了切換電晶體區域(Qs)、驅動電晶體區域(Qd)以及光發射區域(LD)，並包含切換控制電極124a、驅動控制電極124b、閘極絕緣層140、切換半導體154a、驅動半導體154b、切換輸入電極173a、切換輸出電極175a、驅動輸入電極173b、驅動輸出電極175b、保護層180、接觸孔洞185、像素電極191、有機發光構件370以及共同電極270。
然而，根據實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器與根據前述實施例不同之處，在於包含了光遮斷構件280形成於薄膜電晶體與共同電極270之間除了像素電極191、有機發光構件370以及共同電極270重疊之光發射區域(LD)外的區域，而非直接形成於基板110上。
光遮斷構件280可同時作為定義每一像素之像素定義層之角色。
光遮斷構件280可由包含前述之金屬粒子與陶瓷材料之單層或多層所構成。多層之光遮斷構件在每一層中可包含不同數量之金屬粒子。
當基板110為觀察側時，可包含第一數量之金屬粒子與陶瓷材料之第一層以及可包含大於第一數量之第二數量之金屬粒子與陶瓷材料之第二層可依序地層疊於保護層180及像素電極191上。當共同電極270為觀察側時，第一層與第二層則可以相反的方式層疊。
根據實施例，光遮斷構件280可形成於光發射區域(LD)以外之區域且散射且吸收外部進入之光線，且因而防止外部光線被電極及 線路反射後而再次射出。因此，光遮斷構件280可防止能見度因外部光線反射而損耗。
另外，光遮斷構件280具有高電阻，且因此可降低與電極及線路之寄生電容，並從而降低對於裝置操作的影響。
下文參照第5圖，根據再另一實施例說明一種有機發光二極體(OLED)顯示器。
第5圖為根據再一實施例繪示有機發光二極體(OLED)顯示器之剖面圖。
參照第5圖，根據實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器如同根據前述實施例般包含切換電晶體區域(Qs)、驅動電晶體區域(Qd)以及光發射區域(LD)，並包含切換控制電極124a、驅動控制電極124b、閘極絕緣層140、切換半導體154a、驅動半導體154b、切換輸入電極173a、切換輸出電極175a、驅動輸入電極173b、驅動輸出電極175b、保護層180、接觸孔洞185、像素電極191、有機發光構件370以及共同電極270。
然而，根據實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器與根據前述實施例不同之處，在於包含了光遮斷構件280形成於封裝基板400之表面上。封裝基板400可由金屬、高分子或類似材料所形成且配置相對於基板110。更明確的來說，光遮斷構件280可形成於除了像素電極191、有機發光構件370以及共同電極270互相重疊之光發射區域(LD)外的區域，位於面對基板110之封裝基板400的一表面上。
光遮斷構件280可由包含金屬粒子與陶瓷材料之單層或多層所形成。多層之光遮斷構件在每一層可包含不同數量之金屬粒子。
當基板110為觀察側時，可包含第一數量之金屬粒子與陶瓷材料之第一層以及可包含可大於第一數量之第二數量之金屬粒子與陶瓷材料之第二層可依序地層疊於保護層180及像素電極191上。當共同電極270為觀察側時，第一層與第二層則可以相反的方式層疊。
根據實施例，光遮斷構件280可形成於光發射區域(LD)以外之區域，且散射並吸收外部進入之光線，從而防止光線被電極及線路反射而再次射出。因此光遮斷構件280可防止能見度因外部光線反射而損耗。
另外，光遮斷構件280具有高電阻，且因此可降低與電極及線路之寄生電容，並且降低對於裝置操作的影響。
下列範例更加詳細地說明本發明。然而這些範例於任何層面上皆非解釋成限制本揭露之範圍。
光遮斷構件的形成
範例1
製備15%鉬(Mo)粒子與85%鈮氧化物之混合物目標。然後將混合物濺鍍於玻璃基板上，以形成厚度為1300Å之光遮斷構件。
範例2
製備15%鉬(Mo)粒子與85%鈮氧化物之混合物目標。然後將混合物濺鍍於玻璃基板上，以形成厚度為1500Å之光遮斷構件。
範例3
製備5%鉬(Mo)粒子與95%鈮氧化物之混合物。然後將混合物濺鍍於玻璃基板上，以形成厚度為500Å之下光遮斷構件。接著製備15%鉬(Mo)粒子與85%鈮氧化物之混合物。然後將混合物濺鍍於其上以形成厚度為800Å之上光遮斷構件。
比較範例
將鉻(Cr)濺鍍於玻璃基板上，以形成厚度為700Å之光遮斷構件。
評估1：片電阻
根據範例1至範例3以及比較範例來計算光遮斷構件之片電阻。
片電阻以四點探針法(4-point probe method)來量測。
結果提供於表1。
Figure TWI613808BD00001
評估2：反射率
針對反射率來評估根據範例3之光遮斷構件。
反射率使用紫外光-可見光(UV-V)之分光光度計來量測。
結果提供於第6圖。
第6圖為顯示根據範例3之光遮斷構件之反射率之圖式。
參照第6圖，根據範例3之光遮斷構件具有小於或等於10%之反射率，且特別在約400nm至約780nm範圍之可見光區域內為約5%至約9%。考量到玻璃基板本身具有約4%之反射率，根據範例3之光遮斷構件具有大約為1%至5%範圍內之相對低之反射率。
雖然本揭露已配合目前考量具可行性之例示性實施例而說明，其應了解的是本發明並不限於所揭露之實施例，且相反地係旨在涵蓋包含於所附申請專利範圍之精神及範疇內之各種修改及等效配置。
260‧‧‧金屬粒子
270‧‧‧陶瓷材料
280‧‧‧光遮斷構件

Claims (17)

  1. 一種光遮斷構件，其包含：一金屬粒子以及一陶瓷材料；一第一層，包含一第一數量之該金屬粒子與該陶瓷材料；以及一第二層，包含大於該第一數量之一第二數量之該金屬粒子與該陶瓷材料；其中該第一數量以該金屬粒子與該陶瓷材料之總量為準包含約1at%至約15at%之量，而該第二數量以該金屬粒子與該陶瓷材料之總量為準包含約10at%至約15at%之量。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之光遮斷構件，其中該金屬粒子與該陶瓷材料包含於混合物或合金之型態。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之光遮斷構件，其中該金屬粒子包括銀(Ag)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉭(Ta)或其組合。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之光遮斷構件，其中該金屬粒子具有約10Å至約1000Å之平均粒徑。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之光遮斷構件，其中該陶瓷材料包括鈮氧化物、鈦氧化物、鋁氧化物或其組合。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之光遮斷構件，其中該第一層具有高於該第二層之穿透率。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之光遮斷構件，其中該第一層相較於該第二層設置較靠近於一光入射側。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之光遮斷構件，其中該第一層具有 約100Å至約1,000Å之厚度，而該第二層具有約500Å至約10,000Å之厚度。
  9. 一種顯示裝置，其包含：一光遮斷構件，包含一金屬粒子以及一陶瓷材料；該光遮斷構件包含一第一層以及一第二層，該第一層包含一第一數量之該金屬粒子與該陶瓷材料，該第二層包含大於該第一數量之一第二數量之該金屬粒子與該陶瓷材料；其中該第一數量以該金屬粒子與該陶瓷材料之總量為準包含約1at%至約15at%之量，而該第二數量以該金屬粒子與該陶瓷材料之總量為準包含約10at%至約15at%之量。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該金屬粒子與該陶瓷材料包含於混合物或合金之型態。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該金屬粒子包括銀(Ag)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉭(Ta)或其組合，而該陶瓷材料包括鈮氧化物、鈦氧化物、鋁氧化物或其組合。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該第一層相較於該第二層設置較靠近於一光入射側，且該第一層具有高於該第二層之穿透率。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該第一層具有約100Å至約1,000Å之厚度，而該第二層具有約500Å至約10,000Å之厚度。
  14. 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其進一步包含：一第一基板； 一薄膜電晶體，設置於該第一基板上；一第一電極，與該薄膜電晶體電性連接；一第二電極，面對該第一電極；以及一發光層，插設於該第一電極與該第二電極之間，其中該光遮斷構件設置於與該第一電極、該第二電極以及該發光層重疊之一區域以外之至少一區域。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之顯示裝置，其中該光遮斷構件定位於該第一基板與該薄膜電晶體之間。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之顯示裝置，其中該光遮斷構件定位於該薄膜電晶體與該第二電極之間。
  17. 如申請專利範圍第14項所述之顯示裝置，其進一步包含面對該第一基板之一第二基板，且該光遮斷構件定位於該第二基板之一側上。
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