TWI612629B - 密封環及密封環之製造方法 - Google Patents

密封環及密封環之製造方法 Download PDF

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Hitachi Metals Ltd
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Description

密封環及密封環之製造方法
本發明係關於一種用於電子零件收納用封裝之密封環及密封環之製造方法。
先前已知有用於電子零件收納用封裝之密封環等。例如日本專利特開2006-49595號公報中揭示有如下方法，對包括Fe-Ni-Co合金板之基材的一表面上，塗佈包含含有Ag、Cu及Sn之銀系焊材粉末與介質之混合物之漿料後，藉由進行煅燒等而形成含有包含Fe-Ni-Co合金之基材層及銀系焊材層的銀焊披覆材。之後，藉由將銀焊披覆材沖壓加工成環狀而形成環體(密封環)。
此處，於將銀焊披覆材沖壓加工成環狀時，若於基材層之銀系焊材層側之表面，以突出至銀系焊材層側之方式，形成微小突起(毛刺)，則使環體之銀系焊材層熔融，將電子零件收納用封裝之基台與環體接合時，因微小突起而導致基材層之銀系焊材層側之表面與基台之間隔變大。其結果，由於環體與基台之間容易產生間隙，故而，於使用環體及基台，形成電子零件收納用封裝之情形時，存在未充分地保持電子零件收納用封裝之氣密性之問題。因此，將銀焊披覆材沖壓加工成環狀時，於基材層側以突出之方式形成微小突起。
然而，日本專利特開2006-49595號公報中揭示之環體於在基材層側以使微小突起突出之方式進行沖壓加工而形成之情形時， 以銀系焊材層延伸而覆蓋基材層之側面之方式進行配置。因此，使環體之銀系焊材層熔融，將基台與環體接合時，存在銀系焊材層順著覆蓋基材層之側面之銀系焊材層於基材層之側面過度地蔓延之不良情形。其結果，於使用環體及蓋材，形成電子零件收納用封裝之情形時，因製造電子零件收納用封裝時之熱而導致過度蔓延之銀系焊材層向蓋材擴散。其結果，認為存在擴散至蓋材之銀系焊材層自蓋材飛散，且附著於收納在電子零件收納用封裝內之電子零件之類的問題。
本發明係解決上述課題而成者，本發明之一目的在於提供一種可藉由抑制焊材層於基材層之側面過度地蔓延，而抑制焊材層飛散並附著於電子零件的密封環及密封環之製造方法。
本發明之第1態樣之密封環係用於電子零件收納用封裝者，且包括將基材層及配置於基材層之一表面之焊材層接合之披覆材，且將焊材層中之覆蓋基材層之側面的側面焊材部分去除。
本發明之第1態樣之密封環係藉由如上所述去除焊材層中之覆蓋基材層之側面的側面焊材部分，而於使密封環之焊材層熔融時，可抑制焊材層順著側面焊材部分於基材層之側面過度地蔓延。藉此，可抑制焊材層因製造電子零件收納用封裝時之熱等而飛散，並附著於收納於電子零件收納用封裝內之電子零件。
於上述第1態樣之密封環中，較佳為，基材層具有將基材層之一表面與形成為平坦面狀之側面連接之圓形狀之角部，且至少將焊材層中之覆蓋平坦面狀之側面的側面焊材部分去除。
若以此方式構成，則將覆蓋平坦面狀之側面的側面焊材部分去除，故而，可更抑制焊材層於基材層之側面過度地蔓延。再者，於「形 成平坦面狀之側面」中，不僅包括平坦面狀之側面，亦包括形成有微小凹凸之側面、或如具有比圓形狀之角部之曲率半徑充分大之曲率半徑之側面等實質上可視作平坦面狀之側面。
於上述第1態樣之密封環中，較佳為，基材層主要含有Fe、Ni及Co，且焊材層主要含有Ag及Cu。於包括將如此之主要含有Fe、Ni及Co之基材層與主要含有Ag及Cu之焊材層接合之披覆材的密封環中，可藉由去除焊材層中之覆蓋基材層之側面的側面焊材部分，而抑制焊材層順著側面焊材部分於基材層之側面過度地蔓延。
於上述第1態樣之密封環中，較佳為，焊材層主要含有Ag及Cu，且焊材層之表面附近之Ag之濃度大於焊材層之內部之Ag之濃度。若以此方式構成，則由於Ag與Cu相比具有耐蝕性，故而，可藉由焊材層之表面附近之Ag而提昇焊材層之表面之耐蝕性。又，可藉由焊材層之表面附近之Ag之濃度較大，而使焊材層之表面之色調接近銀色。
本發明之第2態樣之密封環之製造方法係用於電子零件收納用封裝者，且包括如下步驟：準備基材層及接合於基材層之一表面之焊材層的披覆材；將披覆材沖壓成密封環之形狀；及將於披覆材沖壓成密封環之形狀時焊材層延伸而形成之焊材層中覆蓋基材層之側面的側面焊材部分去除。
本發明之第2態樣之密封環之製造方法可藉由包括如上所述將於披覆材沖壓成密封環之形狀時焊材層延伸而形成之焊材層中覆蓋基材層之側面之側面焊材部分去除的步驟，而於使密封環之焊材層熔融時，抑制焊材層順著側面焊材部分於基材層之側面過度地蔓延。藉此，可抑制因製造電子零件收納用封裝時之熱等，焊材層飛散 並附著於收納在電子零件收納用封裝內之電子零件。
於上述第2態樣之密封環之製造方法中，較佳為，基材層具有將基材層之一表面與形成為平坦面狀之側面連接之圓形狀之角部，且去除側面焊材部分之步驟包括至少去除焊材層中之覆蓋平坦面狀之側面之側面焊材部分之步驟。若以此方式構成，則將覆蓋平坦面狀之側面之側面焊材部分去除，故可更抑制焊材層於基材層之側面過度地蔓延。
於上述第2態樣之密封環之製造方法中，較佳為，去除側面焊材部分之步驟包括藉由濕式蝕刻而去除側面焊材部分之步驟。若以此方式構成，則與藉由機械研磨等而去除側面焊材部分之情形相比，可確實地去除覆蓋基材層之側面之微小之側面焊材部分。
於此情形時，較佳為，藉由濕式蝕刻而去除側面焊材部分之步驟包括藉由利用濕式蝕刻各向同性地去除焊材層，而去除側面焊材部分之步驟。若以此方式構成，則無需為選擇性地去除側面焊材部分而進行複雜之蝕刻處理，故而，可容易地去除側面焊材部分。
於包括藉由濕式蝕刻而各向同性地去除上述側面焊材部分之步驟的密封環之製造方法中，較佳為，藉由濕式蝕刻而各向同性地去除焊材層之步驟包括藉由濕式蝕刻而去除側面焊材部分，並且使焊材層之角部形成為圓形狀之步驟。若以此方式構成，則成為焊材層之角部之圓形形狀而非尖銳之形狀，故而，可抑制於尖銳之焊材層之角部接觸其他構件時，劃傷其他構件。
於包括藉由濕式蝕刻而去除上述側面焊材部分之步驟的密封環之製造方法中，較佳為，藉由濕式蝕刻而去除側面焊材部分之步驟包括使用容易蝕刻焊材層且不易蝕刻基材層的蝕刻液，去除側 面焊材部分之步驟。若以此方式構成，則可容易地對焊材層進行選擇性蝕刻。
於包括使用容易蝕刻上述焊材層之蝕刻液去除側面焊材部分之步驟的密封環之製造方法中，較佳為，基材層主要含有Fe、Ni及Co，且焊材層主要含有Ag及Cu，蝕刻液至少含有使焊材層之表面氧化之氧化劑、去除被氧化之焊材層之氧化物去除劑、及水。若以此方式構成，可選擇性地蝕刻主要含有Ag及Cu之焊材層，從而確實地去除側面焊材部分。
於上述蝕刻液含有氧化劑、氧化物去除劑、及水之密封環之製造方法中，較佳為，蝕刻液至少包含含有過氧化氫之氧化劑、含有乙酸之氧化物去除劑、及水。若以此方式構成，則可進一步選擇性地蝕刻主要含有Ag及Cu之焊材層，從而更確實地去除側面焊材部分。
於包括藉由濕式蝕刻而去除上述側面焊材部分之步驟的密封環之製造方法中，較佳為，焊材層主要含有Ag及Cu，濕式蝕刻之蝕刻液含有使焊材層之表面氧化之氧化劑、去除被氧化之焊材層的氧化物去除劑、水、及用於優先去除焊材層之表面之Cu的Cu優先去除劑，且藉由濕式蝕刻而去除側面焊材部分之步驟包括藉由使用蝕刻液優先去除焊材層之表面之Cu，而使焊材層之表面附近之Ag之濃度大於焊材層之內部之Ag之濃度的步驟。若以此方式構成，則因Ag與Cu相比具有耐蝕性，而可藉由焊材層之表面附近之Ag來提昇焊材層之表面之耐蝕性。又，可藉由焊材層之表面附近之Ag之濃度較大，而使焊材層之表面之色調接近銀色。又，可使用添加有Cu優先去除劑之蝕刻液，優先去除焊材層之表面之Cu，故而，可容易地使焊材層之 表面附近之Ag之濃度大於焊材層之內部之Ag之濃度，從而於焊材層之表面附近使Ag殘留及增稠。
於包括藉由濕式蝕刻而去除上述側面焊材部分之步驟的密封環之製造方法中，較佳為，焊材層主要含有Ag及Cu，濕式蝕刻之蝕刻液含有使焊材層之表面氧化之氧化劑、去除被氧化之焊材層的氧化物去除劑、水、及用於優先去除焊材層之表面之Cu的Cu優先去除劑，且藉由濕式蝕刻而去除側面焊材部分之步驟包括如下步驟：藉由使用蝕刻液，優先去除焊材層之表面上之Cu，而使焊材層之表面附近之Ag之濃度大於藉由濕式蝕刻來去除側面焊材部分之前的焊材層中之Ag之濃度。若以此方式構成，則可使焊材層之表面附近之Ag之濃度大於濕式蝕刻之前，故而，可提昇焊材層之表面之耐蝕性，並且使焊材層之表面之色調接近銀色。又，可藉由使用添加有Cu優先去除劑之蝕刻液，而容易地使焊材層之表面附近之Ag之濃度大於藉由濕式蝕刻來去除側面焊材部分之前之Ag之濃度。
於上述蝕刻液含有氧化劑、氧化物去除劑、水、及Cu優先去除劑的密封環之製造方法中，較佳為，Cu優先去除劑含有強酸。若以此方式構成，則於使用強酸之情形時，利用氧化劑而形成的Ag之氧化物不易去除，另一方面，Cu之氧化物容易去除，故而，可藉由使用含有強酸之Cu優先去除劑，而容易地優先去除Cu之氧化物。其結果，可容易地優先去除焊材層之表面的Cu。
於上述Cu優先去除劑含有強酸之密封環之製造方法中，較佳為，Cu優先去除劑含有作為強酸之硫酸。若以此方式構成，則可更容易地優先去除焊材層之表面之Cu。
於上述Cu優先去除劑含有硫酸之密封環之製造方法 中，較佳為，對蝕刻液中以達到蝕刻液整體之0.5質量%以上之濃度添加硫酸。若以此方式構成，則可確實地優先去除焊材層之表面之Cu，使焊材層之表面附近之Ag之濃度大於焊材層之內部之Ag之濃度。
於上述蝕刻液含有氧化劑、氧化物去除劑、水、及Cu優先去除劑的密封環之製造方法中，較佳為，焊材層之固相線於藉由濕式蝕刻而去除側面焊材部分之步驟之前後不產生變化。若以此方式構成，則可抑制因焊材層之固相線變高而導致使焊材層熔解所需之溫度變高。
於上述蝕刻液含有氧化劑、氧化物去除劑、水、及Cu優先去除劑的密封環之製造方法中，較佳為，藉由濕式蝕刻而去除側面焊材部分之步驟兼具將殘留於密封環之表面被氧化之焊材層清除洗淨的步驟。若以此方式構成，則與另行設置用以將殘留於密封環之表面之經氧化之焊材層清除洗淨之步驟的情形不同，可簡化步驟。
於包括藉由濕式蝕刻而去除上述側面焊材部分之步驟的密封環之製造方法中，較佳為，更包含於藉由濕式蝕刻而去除側面焊材部分之步驟之前，去除將披覆材沖壓成密封環之形狀時形成之基材層之微小突起之步驟，且藉由濕式蝕刻而去除側面焊材部分之步驟包括藉由濕式蝕刻而將側面焊材部分、及去除微小突起時附著之異物去除之步驟。若以此方式構成，則在用於側面焊材部分之去除之濕式蝕刻時同時地將異物去除，故而，與另行設置去除異物之步驟之情形不同，可簡化步驟。
1、1a、1b、301‧‧‧密封環
2‧‧‧基台
2a‧‧‧收納部
2b‧‧‧上表面
3‧‧‧蓋構件
4‧‧‧凸塊
5‧‧‧電子零件
6‧‧‧異物
8‧‧‧Fe-Ni-Co合金板
10‧‧‧基材層
10a‧‧‧基材層10之上表面
10b‧‧‧基材層10之下表面
10c‧‧‧基材層之兩側面
10d‧‧‧上側角部
10e‧‧‧下側角部
10f‧‧‧微小突起
11(311)‧‧‧焊材層
11a‧‧‧焊材層之上表面
11b‧‧‧焊材層之下表面
11c‧‧‧焊材層之側面
11d‧‧‧上側角部
11e‧‧‧下側角部
11f‧‧‧側面焊材部分
11g‧‧‧焊材層11之內部
100‧‧‧電子零件收納用封裝
t1‧‧‧基材層10之Z方向之厚度
t2、t4‧‧‧焊材層11之Z方向之厚度
t3‧‧‧密封環1之Z方向之厚度
t5‧‧‧披覆材200之Z方向之厚度
t6‧‧‧厚度
t7‧‧‧厚度
L1、L2、L3、L4‧‧‧長度
圖1係表示本發明之第1實施形態之密封環之構成的俯視圖。
圖2係沿圖1之400-400線之剖面圖。
圖3係沿圖1之400-400線之放大剖面圖。
圖4係表示本發明之第1實施形態之電子零件收納用封裝之構成之剖面圖。
圖5係說明本發明之第1實施形態之密封環之製造步驟的立體圖。
圖6係表示本發明之第1實施形態之密封環之製造步驟中之沖壓加工後之密封環之放大剖面圖。
圖7係表示本發明之第1實施形態之密封環之製造步驟中之滾筒研磨後之密封環之放大剖面圖。
圖8係用於說明本發明之第1實施形態之電子零件收納用封裝之製造步驟(密封環與基台之接合前)之剖面圖。
圖9係用於說明本發明之第1實施形態之電子零件收納用封裝之製造步驟(密封環與基台之接合後)之剖面圖。
圖10係表示為確認本發明之第1實施形態之效果而進行之實施例1中的焊材層之熔融狀態之放大剖面圖。
圖11係表示為確認本發明之第1實施形態之效果而進行之比較例1中的焊材層之熔融狀態之放大剖面圖。
圖12係表示測定為確認本發明之第2實施形態之效果而進行之焊材層之表面上之Cu及Ag之濃度所得之結果之圖。
圖13係表示測定為確認本發明之第2實施形態之效果而進行之焊材層之深度方向上之Cu及Ag之濃度所得之結果之圖。
圖14係表示測定為確認本發明之第2實施形態之效果而進行之焊材層之固相線所得之結果之圖。
圖15係表示測定為確認本發明之第2實施形態之效果而進行之恆 溫恆濕試驗後之焊材層之表面上之O(氧)、Cu及Ag之濃度所得之結果的圖。
以下基於圖式，說明將本發明具體化之實施形態。
(第1實施形態)
首先，參照圖1~圖3，說明本發明之第1實施形態之密封環1之結構。
第1實施形態之密封環1係如圖1所示，以平面觀察，形成為長方形之框狀。該密封環1係形成為長度方向(X方向)上約1.5mm以上且約2.0mm以下之長度L1，且短邊方向(Y方向)上約1.2mm以上且約1.6mm以下之長度L2之大小。又，密封環1之開口部係形成為X方向上約1.3mm以上且約1.6mm以下之長度L3，且Y方向上約0.9mm以上且約1.1mm以下之長度L4之大小。
又，密封環1係如圖2及圖3所示，包括將配置於上側(Z1側)之基材層10與配置於下側(Z2側)之焊材層11壓接接合之披覆材。再者，如圖3所示，基材層10之Z方向之厚度t1為約100μm以上且約130μm以下，焊材層11之Z方向之厚度t2為約15μm以上且約30μm以下，密封環1之Z方向之厚度t3(t1+t2)為約115μm以上且約160μm以下。
基材層10係由主要含有約30質量%之Ni、約17質量%之Co、及Fe之Fe-Ni-Co合金形成。又，基材層10係具有Z1側之上表面10a、與焊材層11接合之Z2側之下表面10b、及一對側面10c。上表面10a、下表面10b及一對側面10c均形成為大致平坦面狀。又，基材層10更包括連接上表面10a與側面10c之一對上側角部10d、連 接下表面10b與側面10c之一對下側角部10e。上側角部10d及下側角部10e形成為具有充分小之曲率半徑之圓形狀。再者，下表面10b係本發明之「一表面」之一例。
焊材層11係由主要含有約85質量%之Ag及Cu之銀焊而形成。再者，構成焊材層11之銀焊之固相線(焊材層11之一部分開始熔解之溫度)為約780℃。又，焊材層11係包括與基材層10接合之Z1側之上表面11a、Z2側之下表面11b、及一對側面11c。上表面11a及下表面11b均形成為大致平坦面狀。側面11c係以相較基材層10之側面10c略微位於內側之方式形成。
又，焊材層11更包括連接基材層10側之上表面11a與側面11c之一對上側角部11d、及連接與基材層10為相反側之下表面11b與側面11c之一對下側角部11e。上側角部11d係以位於基材層10之下側角部10e上之方式形成。即，焊材層11形成至基材層10之下側角部10e之大致中央A為止，但未形成於基材層10之側面10c上。又，上側角部11d係以相較基材層10之側面10c位於內側之方式形成，並且以相較焊材層11之側面11c位於內側之方式構成。其結果，基材層10之下側角部10e與焊材層11之上側角部11d之邊界周邊以成為自基材層10之側面10c及焊材層11之側面11c向內側凹陷之形狀構成。又，下側角部11e係形成具有充分小之曲率半徑之圓形狀。
此處，於第1實施形態中，密封環1之焊材層11係藉由將焊材層11中之至少將覆蓋基材層10之大致平坦面狀之側面10c的下述側面焊材部分11f(參照圖7)去除而形成。再者，具體之密封環1之製造步驟係如後述。
其次，參照圖4，說明使用本發明之第1實施形態之密 封環1的電子零件收納用封裝100之結構。
第1實施形態之電子零件收納用封裝100係如圖4所示，包括密封環1、於密封環1之下方(Z2側)接合於密封環1之基台2、於密封環1之上方(Z1側)接合於密封環1之蓋構件3。
基台2係藉由氧化鋁等陶瓷而形成，並且形成為盒狀。又，盒狀之基台2係包括形成於基台2之中央部且介隔凸塊4安裝有晶體振盪器等電子零件5的收納部2a、及與密封環1接合之框狀之上表面2b。又，密封環1與基台2之上表面2b係藉由密封環1之熔融之焊材層11而接合。此處，亦可為了提昇基台2之上表面2b與焊材層11之密接性，而於基台2之上表面2b上設置含有W/Ni/Au之金屬化層。
蓋構件3係包括由Fe-Ni-Co合金形成之板構件。又，蓋構件3與密封環1之基材層10係藉由縫焊而接合。此處，亦可為了提昇蓋構件3與基材層10之密接性，而於蓋構件3設置含有Ni/Au之鍍敷層。
又，基台2係形成為略微大於密封環1。又，蓋構件3係形成為略微小於密封環1，且大於密封環1之開口部。藉此，構成為藉由將密封環1與基台2接合，並且將密封環1與蓋構件3接合，而使安裝有電子零件5之收納部2a成為氣密狀態。
其次，參照圖3~圖7，說明本發明之第1實施形態之密封環1之製造步驟。
首先，如圖5所示準備披覆材200，該披覆材200包括由Fe-Ni-Co合金形成之基材層10、及接合於基材層10之下表面10b(參照圖6)且藉由主要含有約85質量%之Ag及Cu之銀焊而形成之焊材層 11。再者，該披覆材200中，基材層10之Z方向之厚度t1(參照圖6)為約100μm以上且約130μm以下，焊材層11之Z方向之厚度t4(參照圖6)形成為比完成品之密封環1中之焊材層11之厚度t2(參照圖3)大出厚度t6(參照圖7)。其結果，披覆材200之Z方向之厚度t5(t1+t4)比密封環1之厚度t3(t1+t2，參照圖3)大出厚度t6。
繼而，使用沖壓機，將披覆材200沖壓為密封環1之形狀(二點鏈線)。此時，自焊材層11側(Z2側)沿板厚方向(Z方向)沖壓披覆材200。藉此，形成沖壓成密封環1之形狀之密封環1a。
於沖壓該披覆材200時，如圖6所示，於密封環1a之基材層10之上側角部10d形成微小突起(毛刺)10f。該微小突起10f之一部分以相較基材層10之上表面10a突出至上方(Z1側)形成為銳角。
又，於沖壓披覆材200時，接合於基材層10之下表面10b之焊材層11之一部分以延伸至基材層10之側面10c之方式，移動至上側(Z1側)。藉此，於基材層10之側面10c，形成與焊材層11連接之側面焊材部分11f。
繼而，為去除形成於密封環1a之基材層10的微小突起10f而進行滾筒研磨。具體而言，將多個密封環1a、含有陶瓷等之介質、含有化學粉末等之混合物及水等投入至滾筒。繼之，使滾筒以既定之速度旋轉既定之時間。藉此，藉由介質碰撞基材層10之微小突起10f等，而去除微小突起10f。其後，取出密封環1a進行洗淨等。
藉此，將基材層10之微小突起10f去除，如圖7所示，形成密封環1b。該密封環1b中，將基材層10之上側角部10d整形為具有充分小之曲率半徑之圓形狀。又，焊材層11之下側角部11e亦整形為略微圓形狀。又，此時，形成密封環1b之焊材層11之銀焊因硬 度較小，故以嵌入露出於焊材層11之外部之表面(下表面11b、側面11c、下側角部11e及側面焊材部分11f)之方式，附著有包含介質之殘渣等之異物6。
此處，於第1實施形態之密封環1之製造方法中，為去除形成於密封環1b之焊材層11的側面焊材部分11f而進行濕式蝕刻。具體而言，將多個密封環1b及約10℃以上且約30℃以下之蝕刻液投入至滾筒。
該蝕刻液包含由過氧化氫形成之氧化劑、由乙酸或氨形成之氧化物去除劑、及水以既定之比例混合而成之原液，或進而加水將原液以既定之比例稀釋所得之稀釋液。再者，氧化劑係具有使焊材層11(參照圖7)中含有之Ag及Cu氧化，分別成為氧化銀及氧化銅之功能。氧化物去除劑具有使焊材層11之氧化銀及氧化銅溶解從而去除之功能。再者，蝕刻液構成為容易蝕刻焊材層11之銀焊，且不易蝕刻基材層10(參照圖7)之Fe-Ni-Co合金。
繼而，使滾筒以既定之速度旋轉既定之時間。藉此，藉由各向同性地去除焊材層11，而將焊材層11之表面去除相當於厚度t6(參照圖7)。另一方面，基材層10幾乎未去除。
其結果，將位於基材層10之側面10c且具有小於厚度t6之厚度t7的側面焊材部分11f去除。即，將至少覆蓋基材層10之大致平坦面狀之側面10c的焊材層11之部分(側面焊材部分11f)去除。又，焊材層11之下側角部11e藉由於下表面11b側與側面11c側之兩側曝露於蝕刻液中而形成為圓形狀。進而，隨著將露出於焊材層11之外部之表面去除，亦將附著於焊材層11之露出表面之異物6去除。該等之結果，焊材層11之形狀如圖7之二點鏈線所示，成為形成至基材 層10之下側角部10e之大致中央A為止但未形成於基材層10之側面10c上之形狀。
其後，藉由硫酸等而將殘留於焊材層11之表面的氧化物(氧化銀及氧化銅)洗淨去除之後，藉由進行水洗(沖洗)及醇置換而製造圖3所示之密封環1。
其次，參照圖4、圖7~圖9，說明使用本發明之第1實施形態之密封環1的電子零件收納用封裝100之製造步驟。
首先，如圖8所示，將密封環1配置於由陶瓷形成之基台2之上表面2b。此時，以密封環1之焊材層11之下表面11b與上表面2b抵接之方式，配置密封環1。繼而，藉由形成焊材層11之銀焊之固相線(約780℃)以上的焊接溫度使焊材層11熔融。藉此，藉由已熔融之焊材層11，而將密封環1接合於基台2之上表面2b。此時，形成於密封環1之基材層10之側面10c的側面焊材部分11f(參照圖7)藉由濕式蝕刻而去除，故而，可抑制焊材層11於基材層10之側面10c過度地向上方(Z1側)蔓延。藉此，可減少焊材層11朝向基材層10之上表面10a附近之蔓延。
繼之，如圖9所示，於基台2之收納部2a，介隔凸塊4安裝電子零件5。其後，於使蓋構件3抵接於基材層10之上表面10a的狀態下進行縫焊。藉此，將蓋構件3焊接於密封環1之上表面10a。此時，由於焊材層11不過度地位於基材層10之上表面10a附近，故而，可抑制因縫焊時之熱，導致過度地位於基材層10之上表面10a附近之焊材層11之一部分擴散至蓋構件3之下表面。其結果，可抑制焊材層11之一部分自蓋構件3之下表面向電子零件5飛散。藉此，製造圖4所示之電子零件收納用封裝100。
於第1實施形態中，如上所述，將形成於密封環1b之焊材層11且至少覆蓋基材層10之大致平坦面狀之側面10c的側面焊材部分11f藉由濕式蝕刻而去除，藉此，使密封環1之焊材層11熔融而將電子零件收納用封裝100之基台2與密封環1接合時，可抑制焊材層11順著側面焊材部分11f在基材層10之側面10c過度地蔓延。藉此，於使蓋構件3抵接於密封環1之基材層10之上表面10a之狀態下進行縫焊時，可抑制因焊接時之熱，焊材層11之一部分擴散至蓋構件3之下表面。其結果，可抑制焊材層11之一部分自蓋構件3之下表面飛散而附著於收納在電子零件收納用封裝100內之電子零件5。
又，於第1實施形態中，為去除側面焊材部分11f而進行濕式蝕刻，藉此，與利用機械研磨等去除側面焊材部分11f之情形相比，可確實地去除覆蓋基材層10之側面10c的微小側面焊材部分11f。
又，於第1實施形態中，藉由各向同性地去除焊材層11而去除側面焊材部分11f，並且將焊材層11之下側角部11e形成為圓形狀，因此，無需為選擇性地去除側面焊材部分11f而進行複雜之蝕刻處理，故而，容易去除側面焊材部分11f。又，由於成為焊材層11之下側角部11e之圓形形狀而非尖銳之形狀，故而，於尖銳之焊材層11之下側角部11e接觸於其他構件等時，可抑制劃傷其他構件。
又，於第1實施形態中，可藉由使用容易蝕刻焊材層11之銀焊且不易蝕刻基材層10之Fe-Ni-Co合金之液體作為蝕刻液，而容易選擇性地蝕刻焊材層11。
又，於第1實施形態中，基材層10藉由主要含有約30質量%之Ni、約17質量%之Co及Fe的Fe-Ni-Co合金而形成，且焊材層11藉由主要含有約85質量%之Ag及Cu之銀焊而形成，並且蝕 刻液包含使由過氧化氫形成之氧化劑、由乙酸或氨形成之氧化物去除劑、及水以既定之比例混合而成之原液、或進而加水使原液以既定之比例稀釋所得之稀釋液。藉此，可選擇性地蝕刻由銀焊形成之焊材層11，有效地去除側面焊材部分11f。
又，於第1實施形態中，隨著濕式蝕刻中將露出於焊材層11之外部之表面去除，附著於焊材層11之表面之異物6亦被去除，藉此，於用以去除側面焊材部分11f之濕式蝕刻時，同時地去除異物6，故而，與另行設置去除異物6之步驟之情形不同，可簡化步驟。
(第1實施形態之實施例)
其次，參照圖3、圖4、圖7、圖10及圖11，說明為確認本發明之第1實施形態之效果而進行之蝕刻狀態之觀察、金屬溶出量之測定、及焊材層之熔融狀態之觀察。
(蝕刻狀態之觀察)
首先，觀察使濕式蝕刻之處理時間不同之情形時的焊材層之狀態之變化。於該觀察中，使用上述第1實施形態之密封環1b(參照圖7)。又，準備含有25質量%乙酸之乙酸水、含有35質量%之過氧化氫之過氧化氫水、及水以1：5：4之體積比混合而成之原液作為蝕刻液。其後，製作原液與水之體積比成為1：1之1：1稀釋液作為蝕刻液。繼而，將密封環1b及蝕刻液投入至滾筒，使滾筒以既定之速度旋轉。其後，使用掃描式電子顯微鏡(S-3400N，日立先端科技股份有限公司製造)於每一既定之處理時間觀察側面焊材部分11f(參照圖7)附近之蝕刻狀態。
於濕式蝕刻前，以覆蓋基材層之側面之方式，形成側面焊材部分。又，於焊材層之表面上，附著有複數個因滾筒研磨造成之 異物。而且，於濕式蝕刻之處理時間經過某一程度後之狀態下，覆蓋基材層之側面之側面焊材部分之一部分被去除，從而未觀察到異物。可認為，其原因在於隨著將焊材層各向同性地去除，附著於焊材層被去除之表面部分之異物亦移動至蝕刻液中。
而且，若再經過一段濕式蝕刻之處理時間，則覆蓋側面之側面焊材部分被逐漸地去除，從而觀察到基材層之下側角部與焊材層之邊界位置。藉此，可觀察到覆蓋基材層側面之側面焊材部分被完全去除。
又，於含有上述原液之蝕刻液中，隨著增加水之比例，使蝕刻液稀釋，而確認到側面焊材部分之去除時間變長。又，於包含含有上述原液之1：1稀釋液之蝕刻液中，隨著使蝕刻液之溫度上升，而確認到側面焊材部分之去除時間變短。
又，準備含有35質量%氨之氨水、含有35質量%過氧化氫之過氧化氫水、及水以1：1：1之體積比混合而成之氨原液，作為濕式蝕刻中之蝕刻液之原液。其後，製作氨原液與水之體積比成為1：4之1：4稀釋液作為蝕刻液。即便於使用含有該氨原液之蝕刻液進行濕式蝕刻之情形時，亦確認到側面焊材部分被去除。
又，測定濕式蝕刻前後之基材層之表面及焊材層之表面的表面粗糙度。具體而言，使用雷射顯微鏡(VK-8700，KEYENCE公司製造)，測定基材層之表面及焊材層之表面的算術平均粗糙度Ra及最大高度粗糙度Rz。作為結果，基材層之表面及焊材層之表面之表面粗糙度於濕式蝕刻前後幾乎無變化。藉此，判明基材層之表面及焊材層之表面幾乎未因濕式蝕刻而粗糙化。
(金屬溶出量測定)
其次，測定形成基材層之Fe-Ni-Co合金朝向蝕刻液之溶出量、及形成焊材層之主要含有85質量%Ag及Cu之銀焊朝向蝕刻液之溶出量。具體而言，將上述密封環1b、及蝕刻液(上述原液與水之體積比成為1：1之1：1稀釋液)投入至滾筒，使滾筒以既定之速度旋轉1小時。藉此，密封環1b之焊材層幾乎溶解。繼而，使用ICP(Inductively Coupled Plasma，感應偶合電漿)發光分析裝置測定蝕刻液中含有之Ag、Cu、Fe、Ni及Co。
濕式蝕刻後之蝕刻液中，以接近85：15之比例含有Ag及Cu。藉此，可確認焊材層之Ag及Cu均溶出至蝕刻液中，並且並未出現Ag與Cu中之僅一者優先溶出至蝕刻液之情形。另一方面，Fe之溶出量係小於Cu之溶出量之1000分之1的量，並且未檢測出Ni及Co。因此，判明基材層幾乎未溶出至蝕刻液中。
(焊材層之熔融狀態之觀察)
其次，觀察焊材層之熔融狀態。該焊材層之熔融狀態之觀察係於去除側面焊材部分11f(參照圖7)之實施例1之密封環1(參照圖3)、及未去除側面焊材部分11f之比較例1之密封環(密封環1b，參照圖7)中，進行使焊材層11熔融時之焊材層11之熔融狀態之觀察。
具體而言，以於表面積層有鍍鎳及鍍金之Fe-Ni-Co合金板8與焊材層11抵接之方式，配置實施例1之密封環1及比較例1之密封環1b。繼而，以形成焊材層11之銀焊之固相線(約780℃)以上之焊接溫度，使焊材層11熔融，使密封環1(1b)與Fe-Ni-Co合金板8接合。其後，使用掃描式電子顯微鏡觀察焊材層11之熔融狀態。
作為圖10及圖11所示焊材層之熔融狀態，於圖10所示之實施例1中，焊材層11幾乎未蔓延至基材層10之兩側面10c。另 一方面，於圖11所示之比較例1中，焊材層11之蔓延部分11g以覆蓋基材層10之兩側面10c之一半以上，並且延伸至側面10c之上表面10a附近為止之方式形成。藉此，可確認實施例1中之焊材層11之蔓延量充分小於比較例1中之焊材層11之蔓延量，並且實施例1中之焊材層11幾乎不位於側面10c之上表面10a附近。因此，可確認已去除側面焊材部分11f之實施例1中之密封環1與未去除側面焊材部分11f之比較例1之密封環相比，可抑制焊材層11之過度蔓延。
再者，上述焊材層之熔融狀態之觀察係表示了於表面上積層有鍍鎳及鍍金之Fe-Ni-Co合金板8上，使密封環1之焊材層11熔融之例，但可認為即便於由陶瓷形成之基台2之上表面2a(參照圖4)上，使密封環1之焊材層11熔融之情形時，焊材層11亦成為相同之熔融狀態。
(第2實施形態)
其次，參照圖3，說明本發明之第2實施形態之密封環301之結構。該第2實施形態之密封環301係對於與上述第1實施形態之密封環1不同地，焊材層311之表面附近之Ag之濃度大於焊材層311之內部11g之Ag之濃度之情形進行說明。
第2實施形態之密封環301係與上述第1實施形態不同地構成為焊材層311之表面(下表面11b、一對側面11c、一對上側角部11d、及一對下側角部11e)及其附近之Ag之濃度達到約90質量%以上。該濃度以大於焊材層311之焊材本身(濕式蝕刻前之焊材)之Ag濃度(約85質量%)及焊材層311之內部11g之Ag之濃度(約85質量%)之方式構成。再者，第2實施形態之其他密封環301之結構與上述第1實施形態相同。
其次，參照圖3及圖5~圖7，說明本發明之第2實施形態之密封環301之製造步驟。
與上述第1實施形態相同地，首先，由披覆材200形成圖6所示之沖壓成密封環1之形狀之密封環1a，該披覆材200係如圖5所示包括由Fe-Ni-Co合金形成之基材層10、及由主要含有約85質量%之Ag及Cu之銀焊形成之焊材層11。繼而，為去除形成於密封環1a之基材層10之微小突起10f而進行滾筒研磨，形成圖7所示之將基材層10之微小突起10f去除之密封環1b。繼之，為去除形成於密封環1b之焊材層11之側面焊材部分11f而進行濕式蝕刻。具體而言，將複數個密封環1b及約10℃以上且約30℃以下之蝕刻液投入至滾筒。
此處，於第2實施形態中，與使用由過氧化氫形成之氧化劑、由乙酸或氨形成之氧化物去除劑、及水以既定之比例混合而成之原液，或進而加水將原液以既定之比例稀釋所得之稀釋液作為蝕刻液之上述第1實施形態不同，使用對該原液或稀釋液中進而添加含有稀硫酸之強酸所得之溶液作為蝕刻液。以稀硫酸之濃度成為蝕刻液整體之約0.5質量%以上之濃度之方式，對蝕刻液中添加該稀硫酸。此時，較佳為，以稀硫酸之濃度成為蝕刻液整體之約0.5質量%以上且1.0質量%以下之濃度之方式，對蝕刻液進行添加，更佳為，以成為蝕刻液整體之約0.7質量%以上且1.0質量%以下之濃度之方式，對蝕刻液中進行添加。
該稀硫酸具有將由過氧化氫形成之焊材層311(參照圖3)之氧化物(氧化銀及氧化銅)中之氧化銅優先去除之功能。藉此，於焊材層311之表面(下表面11b、一對側面11c、一對上側角部11d及一對下側角部11e)，藉由硫酸而將氧化銅較氧化銀優先地去除消耗，故而， Cu之氧化速度亦與氧化銅之去除速度共同地變快。其結果，將Cu優先去除。
而且，使滾筒以既定之速度旋轉既定之時間。藉此，各向同性地去除焊材層311，另一方面，基材層10則幾乎未去除。進而，將焊材層311之表面附近之Cu優先去除，焊材層311之表面附近之Ag之濃度成為約90質量%以上。其結果，相較焊材層311之焊材本身(濕式蝕刻前之焊材)之Ag之濃度(約85質量%)、及焊材層311之內部11g之Ag之濃度(約85質量%)，焊材層311之表面附近之Ag之濃度變大。
又，於上述濕式蝕刻之前後，構成焊材層311之銀焊之固相線(焊材層311之一部分開始熔解之溫度)為約780℃，大致未變化。即，儘管焊材層311之表面附近之Ag之濃度變大，但銀焊之固相線為約780℃，大致未變化。
又，於上述濕式蝕刻中，由於幾乎將殘留於焊材層311之表面之氧化物(氧化銀及氧化銅)去除，故而，與上述第1實施形態不同，不進行藉由硫酸等而將殘留於焊材層311表面之氧化物洗淨去除之步驟，而直接進行水洗(沖洗)及醇置換。藉此，製造圖3所示密封環301。
第2實施形態係如上所述，可藉由濕式蝕刻而將形成於密封環1b之焊材層311且至少覆蓋基材層10之大致平坦面狀側面10c之側面焊材部分11f去除，而抑制焊材層311順著側面焊材部分11f於基材層10之側面10c中過度地蔓延。
又，第2實施形態係使用對原液或稀釋液中進而添加含有約0.5質量%以上濃度之稀硫酸之強酸所得之溶液作為蝕刻液，優先 先去除焊材層311之表面附近之Cu，藉此，使焊材層311之表面附近之Ag之濃度大於焊材層311之焊材本身(濕式蝕刻前之焊材)之Ag濃度(約85質量%)及焊材層311之內部11g之Ag之濃度(約85質量%)，藉此，Ag與Cu相比具有耐蝕性，因此，相較濕式蝕刻前，可藉由焊材層311之表面附近之Ag而進一步提昇焊材層311之表面之耐蝕性。又，可藉由焊材層311之表面附近之Ag之濃度較大，而使焊材層311之表面之色調接近銀色。又，由於可使用添加有Cu優先去除劑之蝕刻液，優先去除焊材層311之表面之Cu，故可較容易地使焊材層311之表面附近之Ag之濃度大於焊材層311之內部11g之Ag之濃度，從而於焊材層311之表面附近使Ag殘留及增稠。
又，第2實施形態可藉由使用對原液或稀釋液中進而添加有含有稀硫酸之強酸所得之溶液作為蝕刻液，而確實地優先去除Cu之氧化物，故而，可容易地優先去除焊材層311之表面之Cu。
又，第2實施形態係構成為即便焊材層311之表面附近之Ag之濃度於濕式蝕刻之前後變大，亦可使構成焊材層311之銀焊之固相線(焊材層311之一部分開始熔解之溫度)為約780℃而幾乎未變化，故而，可抑制因焊材層311之固相線(約780℃)變高導致使焊材層311熔解所需之溫度變高。
又，第2實施形態係於濕式蝕刻之後，無需另行設置用以將殘留於密封環311之表面之氧化銀及氧化銅去除並洗淨之步驟(一般而言為使用硫酸洗淨密封環311之表面之步驟)，故可簡化步驟。
(第2實施形態之實施例)
其次，參照圖3、圖7及圖12~圖15，說明為確定本發明之第2實施形態之效果而進行之焊材層之表面上之濃度之測定、焊 材層之深度方向上之濃度之測定、固相線之測定、及耐蝕性試驗。
(焊材層之表面上之濃度之測定)
首先，測定焊材層之表面上之Cu及Ag之濃度。該測定係準備密封環1b(參照圖7)，該密封環1b包括由Fe-Ni-Co合金形成之基材層10、及由含有85質量%之Ag及15質量%之Cu之銀焊形成之焊材層11。繼而，不進行濕式蝕刻而直接使用密封環1b作為比較例2之密封環。另一方面，於實施例2及3中，對密封環1b進行濕式蝕刻。
此時，於對應於上述第1實施形態之實施例2中，準備使含有25質量%之乙酸之乙酸水、含有35質量%之過氧化氫之過氧化氫水、及水以1：5：4之體積比混合而成之原液。其後，製作原液與水之體積比成為1：4之1：4稀釋液作為蝕刻液。繼之，於25℃之溫度條件下，將密封環1b及蝕刻液投入至滾筒，使滾筒以既定之速度旋轉之後進行洗淨等。藉此，獲得實施例2之密封環1(參照圖3)。
另一方面，於對應於上述第2實施形態之實施例3中，使用對上述1：4稀釋液中添加強酸之稀硫酸所得者作為蝕刻液。此時，以成為蝕刻液整體之0.7質量%之方式調整硫酸之濃度。繼而，與實施例2相同地，於25℃之溫度條件下，將密封環1b及蝕刻液投入至滾筒，使滾筒以既定之速度旋轉之後進行水洗等。藉此，獲得實施例3之密封環301(參照圖3)。
繼而，使用電子束微量分析器(Electron Probe Micro Analyser：EPMA)，觀察比較例2之密封環1b、實施例2之密封環1及實施例3之密封環301之各個表面之兩個部位。繼而，求出Cu之豐度對於焊材層之表面之Cu之豐度與Ag之豐度之合計之比例作為Cu之濃度，並且求出Ag之豐度之比例作為Ag之濃度。
如圖12所示，於如實施例2所示，使用未添加硫酸之蝕刻液之情形時，在濕式蝕刻後，與濕式蝕刻前(比較例2)相比，Cu之濃度變大，且Ag之濃度變小。可認為其原因在於，使用乙酸(氧化物去除劑)之情況下，去除Ag之氧化物(氧化銀)之速度快於去除Cu之氧化物(氧化銅)之速度，從而將Ag相對優先地去除。
另一方面，於如實施例3所示，使用添加有0.7質量%之硫酸之蝕刻液之情形時，在濕式蝕刻後，與濕式蝕刻前(比較例2)相比，Cu之濃度變小，且Ag之濃度變大。可認為其原因在於，因於乙酸之外添加硫酸，故去除氧化銅之速度快於去除氧化銀之速度，從而將Cu優先去除。其結果，可藉由對蝕刻液中添加硫酸，而優先去除焊材層之表面之Cu，其結果，判明可使焊材層之表面之Ag之濃度大於濕式蝕刻前(比較例2)之Ag之濃度，從而可於焊材層之表面使Ag殘留及增稠。
(焊材層之深度方向上之濃度之測定)
其次，使用上述實施例3之密封環301，藉由歐傑電子分光裝置來測定焊材層之深度方向(與焊材層311之表面正交之方向)上之Cu及Ag之濃度。
如圖13所示，於實施例3之密封環301中，Ag之濃度隨著自焊材層之內部朝向表面而逐漸變大。另一方面，Cu之濃度隨著自焊材層之內部朝向表面而逐漸變小。根據該結果，可判明能藉由對蝕刻液中添加硫酸而優先去除焊材層之表面之Cu，其結果，可使焊材層之表面附近之Ag之濃度大於焊材層之內部之Ag之濃度，從而可於焊材層之表面使Ag殘留及增稠。
又，於實施例3之密封環301中，於自焊材層之表面至 0.1μm之深度為止之範圍內，Ag之濃度之減少及Cu之濃度之增大與其他範圍相比較為平緩。藉此，可認為可藉由對蝕刻液中添加硫酸，而穩定地去除自焊材層之表面至0.1μm之深度為止之範圍內之Cu。
(固相線之測定)
其次，為確認濕式蝕刻前後之焊材層之固相線之變化而進行固相線之測定。於該固相線之測定中，除上述比較例2及實施例3之外，使用對上述1：4稀釋液中添加之硫酸之濃度各不相同之蝕刻液，進行濕式蝕刻，藉此，製造實施例4~6之密封環301。此處，於實施例4、5及6中，分別以成為蝕刻液整體之0.3質量%、0.5質量%及1.0質量%之方式，調整硫酸之濃度。再者，實施例4~6中之濕式蝕刻之條件係與上述實施例3之條件相同。而且，使用示差熱分析(Differential Thermal Analysis，DTA)法，測定比較例2之密封環1b及實施例3~6之密封環301之焊材層之固相線(焊材層之一部分開始熔解之溫度)。
如圖14所示，隨著對蝕刻液中添加之硫酸之濃度變大，固相線略微變高。然而，實施例3~6之焊材層之固相線為濕式蝕刻前(比較例2)之焊材層之固相線(776.0℃)之1.5℃以內(776.1℃(實施例4)以上且777.4℃(實施例6)以下)，可認為幾乎不存在溫度差。其結果，可確認於濕式蝕刻前後，焊材層之固相線幾乎未變化。
(耐蝕性試驗)
其次，進行耐蝕性試驗。於該耐蝕性試驗中，進行將上述比較例2之密封環1b及實施例3之密封環301於85℃及85%Rh(相對濕度)之恆溫恆濕條件下放置1000小時之恆溫恆濕試驗。繼而，使用電子束微量分析器(Electron Probe Micro Analyser：EPMA)，觀察恆溫恆濕試驗後之比較例2之密封環1b及實施例3之密封環301之表 面。繼而，求出焊材層之表面之O(氧)之濃度(豐度比)、Cu之濃度及Ag之濃度。
如圖15所示，於實施例3中，焊材層之表面上之氧之濃度與比較例2相比變小。藉此，判明與如比較例2未進行濕式蝕刻之情形相比，於如實施例3所示使用添加有0.7質量%之硫酸之蝕刻液，進行濕式蝕刻之情形時，可於濕式蝕刻後抑制焊材層之表面之氧化。可認為其原因在於，在實施例3之密封環301中，與相對容易氧化之Cu相比，相對不易氧化之Ag大量存在於焊材層之表面，使得焊材層之表面之氧化受到抑制。根據該結果，判明可藉由如實施例3所示使用添加有硫酸之蝕刻液進行濕式蝕刻，而抑制焊材層之表面之氧化，其結果，可提昇焊材層之表面之耐蝕性。
再者，應認為本發明揭示之實施形態係於所有方面為例示而並非進行限定者。本發明之範圍係由申請專利範圍表示，而並非由上述實施形態之說明表示，進而包括與申請專利範圍均等之含義及範圍內之所有變更。
例如，上述第1及第2實施形態係揭示藉由濕式蝕刻而去除焊材層11之側面焊材部分11f之例，但本發明並不限定於此。本發明亦可藉由乾式蝕刻等除濕式蝕刻以外之方法而去除側面焊材部分。
又，上述第1及第2實施形態係揭示焊材層11形成至基材層10之下側角部10e之大致中央A為止之例，但本發明並不限定於此。本發明亦可使焊材層形成至基材層之下側角部上且基材層之側面附近之區域為止。又，亦可不使焊材層形成於基材層之下側角部，而僅形成於基材層之下表面。
又，上述第1及第2實施形態係揭示至少使用由過氧化氫形成之氧化劑、由乙酸或氨形成之氧化物去除劑、及水以既定之比例混合而成之原液、或進而加水使原液以既定之比例稀釋所得之稀釋液作為蝕刻液之例，但本發明並不限定於此。本發明可使用過氧化氫以外之氧化劑，亦可使用除乙酸或氨以外之酸或鹼作為氧化物去除劑。又，亦可使用氟化銨作為氧化物去除劑。
又，上述第1及第2實施形態係揭示使用容易蝕刻焊材層11之銀焊且不易蝕刻基材層10之Fe-Ni-Co合金之蝕刻液之例，但本發明並不限於此。本發明亦可使用亦將基材層之Fe-Ni-Co合金某種程度蝕刻之蝕刻液。藉此，可省略用以進行去除微小突起之滾筒研磨之步驟，或縮短進行滾筒研磨之時間。
又，上述第1及第2實施形態係揭示使用主要含有約85質量%之Ag及Cu之銀焊之例，但本發明並不限定於此。例如亦可使用主要含有約72質量%之Ag及Cu之銀焊。又，亦可使用除Ag及Cu以外含有Sn之焊材。於此情形時，可使焊材之固相線減小，故而可降低焊接溫度。再者，於焊材含有Sn之情形時，為抑制於形成披覆材時等軋壓困難，較佳為，以含有約6質量%以下之Sn之方式構成。
又，上述第2實施形態係揭示使用含有稀硫酸之強酸作為對原液或稀釋液添加之溶液之例，但本發明並不限定於此。例如，亦可對原液或稀釋液中，添加鹽酸等與硫酸不同之其他強酸。又，若可優先去除Cu，則亦可使用強酸以外之溶液作為Cu優先去除劑。
1、301‧‧‧密封環
10‧‧‧基材層
10a‧‧‧基材層10之上表面
10b‧‧‧基材層10之下表面
10c‧‧‧基材層之兩側面
10d‧‧‧上側角部
10e‧‧‧下側角部
11(311)‧‧‧焊材層
11a‧‧‧焊材層之上表面
11b‧‧‧焊材層之下表面
11c‧‧‧焊材層之側面
11d‧‧‧上側角部
11e‧‧‧下側角部
11g‧‧‧焊材層11之內部
A‧‧‧下側角部中央
t1‧‧‧基材層Z方向之厚度
t2‧‧‧焊材層Z方向之厚度
t3‧‧‧密封環1之Z方向之厚度

Claims (19)

  1. 一種密封環(1)，其係用於電子零件收納用封裝(100)者，且包括將具有一表面(10b)、角部(10e)及側面(10c)之基材層(10)，及配置於上述基材層(10)之上述一表面(10b)及上述角部(10e)之焊材層(11)予以接合之披覆材，且上述基材層(10)之上述側面(10c)上，側面焊材部分(11f)被去除，而無配置焊材層(11)；上述焊材層主要含有Ag及Cu，上述焊材層之表面附近之Ag之濃度大於上述焊材層之內部(11g)之Ag之濃度。
  2. 如申請專利範圍第1項之密封環，其中，上述基材層具有將上述基材層之上述一表面與形成為平坦面狀之上述側面連接之圓形狀之角部(10e)，且至少將上述焊材層中之覆蓋上述平坦面狀之側面之上述側面焊材部分去除。
  3. 如申請專利範圍第1項之密封環，其中，上述基材層主要含有Fe、Ni、及Co。
  4. 一種密封環(1)之製造方法，其係用於電子零件收納用封裝(100)者，且包括如下步驟：準備基材層(10)及接合於上述基材層之一表面(10b)之焊材層(11)的披覆材(200)；將上述披覆材沖壓成上述密封環之形狀；及將於上述披覆材沖壓成上述密封環之形狀時上述焊材層延伸而形成之上述焊材層中之覆蓋上述基材層之側面(10c)的側面焊材部分 (11f)去除，而使上述焊材層披覆於上述一表面(10b)及與上述一表面(10b)連接之角部(10e)；上述焊材層主要含有Ag及Cu，上述側面焊材部分去除步驟，係含有藉由優先地去除上述焊材層表面之Cu，而使上述焊材層表面附近之Ag濃度，大於上述焊材層之內部之Ag濃度之步驟。
  5. 如申請專利範圍第4項之密封環之製造方法，其中，上述基材層係包含將上述基材層之上述一表面與形成為平坦面狀之上述側面連接之圓形狀之角部(10e)，且將上述側面焊材部分去除之步驟係包括至少去除上述焊材層中之覆蓋上述平坦面狀之側面之上述側面焊材部分的步驟。
  6. 如申請專利範圍第4項之密封環之製造方法，其中，將上述側面焊材部分去除之步驟係包括藉由濕式蝕刻而去除上述側面焊材部分之步驟。
  7. 如申請專利範圍第6項之密封環之製造方法，其中，藉由上述濕式蝕刻而去除上述側面焊材部分之步驟係包括藉由利用上述濕式蝕刻各向同性地去除上述焊材層，而將上述側面焊材部分去除之步驟。
  8. 如申請專利範圍第7項之密封環之製造方法，其中，藉由上述濕式蝕刻而各向同性地去除上述焊材層之步驟係包括藉由上述濕式蝕刻而去除上述側面焊材部分，並且使上述焊材層之角部(11e)形成為圓形狀之步驟。
  9. 如申請專利範圍第6項之密封環之製造方法，其中，藉由上述濕式蝕刻而去除上述側面焊材部分之步驟係包括使用容 易蝕刻上述焊材層且不易蝕刻上述基材層之蝕刻液，去除上述側面焊材部分之步驟。
  10. 如申請專利範圍第9項之密封環之製造方法，其中，上述基材層主要含有Fe、Ni、及Co，上述蝕刻液至少含有使上述焊材層之表面氧化之氧化劑、去除被氧化之上述焊材層之氧化物去除劑、及水。
  11. 如申請專利範圍第10項之密封環之製造方法，其中，上述蝕刻液係至少包含含有過氧化氫之上述氧化劑、含有乙酸之上述氧化物去除劑、及上述水。
  12. 如申請專利範圍第6項之密封環之製造方法，其中，上述濕式蝕刻之蝕刻液含有使上述焊材層之表面氧化之氧化劑、去除被氧化之上述焊材層之氧化物去除劑、水、及用於優先去除上述焊材層之表面之Cu的Cu優先去除劑，且藉由上述濕式蝕刻而去除上述側面焊材部分之步驟係包括藉由使用上述蝕刻液優先去除上述焊材層之表面上之Cu，而使上述焊材層之表面附近之Ag之濃度大於上述焊材層之內部(11g)之Ag之濃度的步驟。
  13. 如申請專利範圍第6項之密封環之製造方法，其中，上述濕式蝕刻之蝕刻液含有使上述焊材層之表面氧化之氧化劑、去除被氧化之上述焊材層之氧化物去除劑、水、及用於優先去除上述焊材層之表面之Cu的Cu優先去除劑，且藉由上述濕式蝕刻而去除上述側面焊材部分之步驟包括藉由使用上述蝕刻液優先去除上述焊材層之表面上之Cu，而使上述焊材層之表面附近之Ag之濃度大於藉由上述濕式蝕刻而去除上述側面焊材 部分之前的上述焊材層中之Ag之濃度的步驟。
  14. 如申請專利範圍第12項之密封環之製造方法，其中，上述Cu優先去除劑含有強酸。
  15. 如申請專利範圍第14項之密封環之製造方法，其中，上述Cu優先去除劑含有作為上述強酸之硫酸。
  16. 如申請專利範圍第15項之密封環之製造方法，其中，上述蝕刻液中，以達到上述蝕刻液整體之0.5質量%以上之濃度之方式添加上述硫酸。
  17. 如申請專利範圍第12項之密封環之製造方法，其中，於藉由上述濕式蝕刻而去除上述側面焊材部分之步驟之前後，上述焊材層之固相線不產生變化。
  18. 如申請專利範圍第12項之密封環之製造方法，其中，藉由上述濕式蝕刻而去除上述側面焊材部分之步驟兼具將殘留於上述密封環之表面之被氧化的上述焊材層清除洗淨之步驟。
  19. 如申請專利範圍第6項之密封環之製造方法，其中，更包含於藉由上述濕式蝕刻而去除上述側面焊材部分之步驟之前，去除將上述披覆材沖壓成上述密封環之形狀時形成之上述基材層之微小突起(10f)之步驟，且藉由濕式蝕刻而去除上述側面焊材部分之步驟包括藉由上述濕式蝕刻而將上述側面焊材部分、及去除上述微小突起時附著之異物(6)去除之步驟。
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