TWI566373B - 具有位於其他構件上方之橋接電感器的模製供電模組 - Google Patents

具有位於其他構件上方之橋接電感器的模製供電模組 Download PDF

Info

Publication number
TWI566373B
TWI566373B TW104117620A TW104117620A TWI566373B TW I566373 B TWI566373 B TW I566373B TW 104117620 A TW104117620 A TW 104117620A TW 104117620 A TW104117620 A TW 104117620A TW I566373 B TWI566373 B TW I566373B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
power supply
inductor
platform
module
package
Prior art date
Application number
TW104117620A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201539705A (zh
Inventor
印健
馬修 哈瑞斯
Original Assignee
英特希爾美國公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 英特希爾美國公司 filed Critical 英特希爾美國公司
Publication of TW201539705A publication Critical patent/TW201539705A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI566373B publication Critical patent/TWI566373B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517Additional leads
    • H01L23/49531Additional leads the additional leads being a wiring board
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49575Assemblies of semiconductor devices on lead frames
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64Impedance arrangements
    • H01L23/645Inductive arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/06Mounting, supporting or suspending transformers, reactors or choke coils not being of the signal type
    • H01F2027/065Mounting on printed circuit boards
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1306Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007Types of components
    • H05K2201/1003Non-printed inductor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007Types of components
    • H05K2201/10166Transistor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431Details of mounted components
    • H05K2201/10507Involving several components
    • H05K2201/10515Stacked components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/13Moulding and encapsulation; Deposition techniques; Protective layers
    • H05K2203/1305Moulding and encapsulation
    • H05K2203/1327Moulding over PCB locally or completely
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/20Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
    • H05K3/202Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern using self-supporting metal foil pattern
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)

Description

具有位於其他構件上方之橋接電感器的模製供電模組
一實施例與電子裝置相關,且更特別與一供電模組合配置在該模組內之構件相關。
優先權聲明
本申請要求共同待審之2010年3月16日提申的美國臨時專利申請案第61/314,536號及2010年6月29日提申的美國臨時專利申請案第61/359,780號的優先權;在此以引用方式而整體納入。
相關申請資料
本申請與2011年2月25日提申的美國專利申請申請案第13/035,792號,名稱為“沿兩側或多側具有電磁干擾(EMI)屏蔽、冷卻或同時具有屏蔽和冷卻的供電模組”相關,在此以引用方式而整體納入。
一供電模組包括一封裝件,而一供電模組包之構件中許多或所有經配置在該封裝件內。此等構件之實例包含一供電控制器、電感器、電阻器和電容器。
不幸的是,一習用供電模組可使其等構件具有相當沒有效率 的佈局,且對於一給定的額定功率因而可具有一相當大的尺寸,因為在模組封裝件內存有顯著總量的未佔用(亦即:浪費)空間。再者,沒有效率的一佈局對於熱從內部構件到封裝件外側可造成相當糟糕的傳遞,且因而使模組以「熱體」運行。此外,沒有效率的一佈局可使一模組具有一低效率的功率轉換且產生較大輸出漣波的振幅。
同樣,具有一有效率構件佈局之一習用供電模組可以具有諸如增加組件複雜度和成本之不利因素、限制使用該模組的應用數量、和一較低可靠度。
供電模組的一個實施例包括封裝件、配置于封裝件內的供電構件和配置在該封裝件內且位於供電構件上方的電感器。例如,對於一給定的額定輸出功率,與電感器安裝在封裝件外或電感器與其他構件並排設置的供電模組相比,這樣的供電模組可能更小、更高效、更可靠、運行溫度更低。同時對於一給定的尺寸,與電感器安裝在封裝件外或電感器與其他構件並排設置的供電模組相比,這樣的供電模組可能具有更高的額定輸出功率。
10‧‧‧開關供電模組
12‧‧‧平臺
14‧‧‧控制器
16‧‧‧MOSFET電晶體
18‧‧‧電感器
20‧‧‧封裝件
22‧‧‧導線
24,26‧‧‧引線
28‧‧‧間隙
30‧‧‧開關供電模組
32‧‧‧電感器
34,36‧‧‧導電引線
38,40‧‧‧熔焊/軟焊接頭
42‧‧‧熱傳導材料
50‧‧‧供電模組
52‧‧‧電感器
54,56‧‧‧引線
60‧‧‧供電模組
62‧‧‧平臺
64‧‧‧引線框
66‧‧‧印刷電路板
68,70‧‧‧電感器
72‧‧‧封裝件
74,76‧‧‧引線
78,80‧‧‧彎折
90‧‧‧系統
92‧‧‧負載
94‧‧‧濾波電容器(C)
96‧‧‧相位電流感測器
98‧‧‧反饋電路
Vin‧‧‧輸入電壓
Vout‧‧‧經穩壓電壓
圖1是電感器安裝為與其他構件並排設置的供電模組的剖面側視圖;圖2是電感器安裝在模組封裝件上的供電模組的剖面側視圖;圖3A-3B分別為供電模組之一實施例的剖面俯視圖和側視 圖,該供電模組具有安裝于模組封裝件內並位於其他模組構件上方的電感器;圖4是供電模組之另一實施例的剖面俯視圖,該供電模組具有安裝于模組封裝件內並位於其他模組構件上方的電感器;圖5是可在圖3A-4所示的供電模組中使用的電感器的一實施例的側視圖;圖6是包括圖3A-4所示的供電模組之一的系統的實施例的示意圖。
參考附圖來描述一個或多個實施例,其中相同的附圖標記始終用於表示相同的構件。在以下描述中,為便於說明而闡述許多具體細節以提供對一個或多個實施例的透徹理解。然而顯而易見地,一個或多個實施例可不經這些具體細節而實施。在另一些情況下,公知的結構和設備以方框圖的形式表示以方便描述一個或多個實施例。
圖1是開關供電模組10的剖面側視圖,該開關供電模組10用於向積體電路或其他設備(圖1未顯示)供電,且該開關供電模組10包括大部分或全部的供電構件,以使需要安裝在該模組所安裝的印刷電路板(圖1未顯示)上的供電的離散構件即使有也非常少。因此,此模組可減少佈局面積、組裝複雜性、構件數量和系統納入模組10的成本。
供電模組10包括平臺12,安裝於平臺的控制器14、安裝於平臺的MOSFET電晶體16、安裝於平臺的一個或多個電感器18,以及封裝件20,該封裝件20至少部分地封裝平臺、控制器、電晶體和電感器。
平臺12可以是印刷電路板、引線框、BT基板或任何其他合適的平臺。
控制器14可以是任何合適的供電控制器或其他被調整或被編程來控制供電的控制器。控制器底下的引線或銲墊(未圖示)可將控制器與平臺12的導電銲墊電氣連接。或者,控制器14可包括頂部的引線或銲墊,以與導線22與平臺12的導電銲墊接合一起。控制器14也可既包括底下銲墊/引線又包括頂部銲墊/引線。控制器14可以是壓鑄成型或由獨立於模組20的封裝件至少部分地封裝。此外,控制器14可以與平臺12接觸,或者在控制器和平臺之間設有熱傳導物質(例如:導熱油脂),用於促進從控制器至平臺的熱傳遞,從而通過平臺促進控制器的冷卻。
電晶體16可包括高側和低側開關電晶體,用於驅動供電的一個或多個相位。例如,模組10可就每相位包括一對電晶體16,即一個高側電晶體和一個低側電晶體。電晶體16可以壓鑄成型或者通過與模組封裝件20分離的一個或多個封裝件至少部分地封裝(各別地、分組地或全體地)。電晶體16可與平臺12接觸,者在電晶體和平臺之間設有熱傳導物質,用於促進從電晶體至平臺的熱傳遞,從而促進電晶體的冷卻。電晶體16可具有在底部的銲墊,用於電氣連接平臺12的銲墊,或者電晶體可具有在頂部的銲墊,以用導線22與平臺的銲墊接合在一起。電晶體16也可既包括下部銲墊/引線又包括頂部部銲墊/引線。
一個或多個電感器18可以包括供電相位電感器和一可選用的濾波電感器。電感器18可以由與模組封裝件20分離的一個或多個封裝件至少部分地封裝(單獨地、分組地或全體地),以形成一個或多個電感器 模組,或者可不封裝電感器。可以由比例如銅或鋁的合適傳導材料所製造的引線24和26將電感器18與平臺12的導電銲墊電氣連接和熱耦合,以保持電感器冷卻。此外,導熱材料可設置在電感器18和平臺12之間的間隙28中。
封裝件20可以由例如環氧樹脂的任何合適材料形成,封裝件20可完全覆蓋控制器14、電晶體16和電感器18,並且可能完全覆蓋平臺12,或者留下平臺的一部分暴露在外,例如:具有銲墊或引線的平臺的底部以允許外部電氣連接到達控制器、電晶體、電感器和可能的其他模組構件。此外,封裝件20可以是實心的,這樣能儘量多地填充到所有的未佔用空間(例如,位於封裝件邊界內但沒有被控制器14、電晶體15、電感器18和可能的其他供電構件佔用的空間),以使模組內的空隙很少或沒有。
但是,模組10的一個缺陷是它具有相對低效率的佈局,因此對於一給定的輸出額定功率可能會具有一個相對大的尺寸,因為在封裝件20內有大量的未佔用空間(例如,在控制器14和電晶體16的上方)。此外,低效率的佈局可能導致從內部構件到封裝件外部的熱傳遞相對較差,從而導致模組10相對較“熱”地運行。
模組10的另一個缺陷是對於一給定的模組尺寸,電感器18相對較小。以上每一種情況,模組10的相對低效率的佈局限制了電感器18的可用空間。一個較小的電感器18可能會導致較高的供電開關頻率,從而導致開關中功率損耗較高。此外,一個較小的電感器18可能有一個相對較薄的繞組,其具有相對較高的電阻,因此可能導致流經電感器的I 2 R損耗較高。結果,一個較小的電感器18可能導致較低的總功率轉換效率且對模組 10導致較高的熱量輸出。並且一個較小的電感器18也可能導致在模組10所產生的穩壓輸出電壓上疊加一相對較大的漣波振幅。
圖2是一開關供電模組30的剖面側視圖,該開關供電模組30可用于向積體電路或其他設備(圖2未顯示)供電,同圖1所示的模組10一樣,該模組也可包括大部分或全部的供電構件,以使電源供應器中需要安裝至安裝有該模組之印刷電路板(圖2未顯示)的離散構件即使有也非常少。
同圖1所示的供電模組10一樣,供電模組30包括平臺12,控制器14、MOSFET電晶體16和封裝件20,該封裝件20至少部分地封裝平臺、控制器、電晶體。但是不同於模組10的是,模組30包括一個或多個安裝在控制器14、電晶體16和封裝件20上方的電感器32。
每個電感器32由封裝件20(有時稱為模組本體)支撐並包括導電引線34和36,其等被安裝於平臺12的相應邊緣且通過相應的熔焊或軟焊接頭38和40接附至電感器的相應側面。且與圖1所示的電感器18一樣,電感器32可由與模組封裝件20分離的一個或多個封裝件至少部分地被封裝(單獨地、分組地或全體地),或者不被封裝。
此外,熱傳導材料42(例如,粘合劑或油脂)可設置在每個電感器32和封裝件20之間,以將電感器接附至封裝件或者促進電感器和封裝件之間的熱傳遞。
雖然將電感器32安裝於其他構件(例如,控制器14和電晶體16)上方可能會提高模組30的佈局效率,且對於一給定的模組尺寸允許電感器更大(或者對於一給定的電感器尺寸,允許模組更小),但是將電感 器安裝於模組20外可能會增加組裝複雜性和模組的成本,可能會限制模組的應用場合的數量,並可能會降低模組的可靠性。例如:將電感器32安裝於封裝件20外可能會使電感器顫動。這樣的顫動可能會產生嗡嗡聲而致使模組30不適合在“安靜”的應用場合使用。此外,隨著時間的推移,這樣的顫動可能會使模組30發生故障,例如因為造成一個或多個熔焊接頭38和40斷裂。另外,將電感器32安裝於封裝件20外可能會使模組30對於某些應用場合而言太高。
圖3A和3B分別是供電模組50的一個實施例的剖面俯視圖和側視圖,其解決了以上結合圖1-2的模組10和30討論的一些或所有的問題。同模組10和30一樣,模組50可用於向積體電路或其他設備(圖3A-3B未顯示)供電,並可包括大部分或全部的供電構件,以使電源供應器中需要安裝在安裝有該模組50的印刷電路板(圖3A-3B未顯示)上的離散構件即使有也非常少。
同圖1和2的供電模組10和30一樣,供電模組50包括平臺12,控制器14、MOSFET電晶體16和封裝件20,封裝件20至少部分地封裝平臺、控制器和電晶體。但是不同於模組10和30的是,模組50包括一個或多個安裝於控制器14和電晶體16上方(也可能在圖3A-3B未顯示的其他構件之上),並設置在封裝件20內的電感器52,有時稱其為橋接電感器(在圖3A中有兩個電感器)。
每個電感器52包括引線54和56,引線54和56安裝於平臺12的相應邊緣。同圖1-2的電感器18和32一樣,電感器52可能通過與模組封裝件20分離的一個或多個封裝件至少部分地封裝(單獨地、分組地 或全體地)或者不封裝。引線54和56將每個電感器52支撐在控制器14和電晶體16上方,將每個電感器與平臺12的相應銲墊電氣連接。引線54和56以常規方式附接至電感器,或者可以是形成電感器的一個或多個繞組的延伸。引線54和56可以由低電阻材料(例如為銅)製成,並做得相對較寬,以進一步降低其電阻。例如,引線54和56可以是由銅製成之具相對剛性的平帶狀引線。
正如上面結合圖2的討論,將電感器52安裝於其他構件(例如,控制器14和電晶體16)上方可能提高模組50的佈局效率,並對於一給定的模組尺寸允許電感器更大。例如,對於一給定的輸出功率,將電感器52安裝於其他模組構件上方,可能會使模組50的佔位面積(footprint)小於模組10的佔位面積多達50%。並且,對於一給定的模組尺寸,使電感器52更大能增大模組50的效率和額定輸出功率,使輸出漣波電壓的振幅減小。正如前面結合圖2的討論,一個較大的電感器可以提高模組50的效率和額定功率,這是通過降低開關頻率進而減少開關損耗的和減小電感器的繞組電阻進而減少I 2 R損耗來實現。基於這些相同的原因,對於一給定的負載電流,較大的電感器可減少模組50產生的熱量,且對於一給定的額定散熱量,一個較大的電感器可允許模組提供更高的負載電流。
此外,將電感器52安裝在封裝件20內可降低安裝複雜性和模組成本並擴展模組的應用場合的數量,且可提高模組的可靠性。例如:將電感器52安裝在封裝件20內可降低模組50的安裝成本。此外,將電感器52安裝在封裝件20內可減少或消除電感器顫動,因而可提高電感器連接的可靠性,並允許模組50用於“安靜”的場合。另外,將電感器52安裝在 封裝件20內可降低模組50的高度,因而使模組更適於小間隙的應用場合。例如,模組50的一實施例具有的大致尺寸(W×L×H)是17mm×17mm×7.5mm,更常見地是具有大致範圍從4mm×4mm×2mm到25mm×25mm×10mm的尺寸。
此外,將電感器52安裝在封裝件20的一側面(這裏是頂部)附近,可促進模組50的冷卻,尤其是因為在模組運行過程中,電感器可能是其中最熱的構件。
仍參考圖3A-3B描述製造模組50的方法的一實施例。
首先將控制器14、電晶體16和模組50的其他構件安裝在平臺12上,構件的底部銲墊焊接於平臺的相應銲墊上。
接下來將構件的頂部銲墊(如果存在的話)與平臺12的相應銲墊接合連接。
然後成型電感器52的引線54和56,例如通過將引線焊接於相應的平臺的銲墊來將電感器安裝在平臺12上。
接下來,例如通過環氧樹脂注射模製來成型封裝件20。
然後成型模組50的引線(圖3A-3B未示出)並對模組進行測試,以向客戶發貨。
仍然參考圖3A-3B,設想模組50的替代實施例。例如:結合圖1和2的模組10和30描述的上述實施例可應用到模組50。並且,在組裝入模組50之前,控制器14、電晶體16、電感器52和其他構件可以被封裝或不被封裝(例如,使用與用來形成封裝件20的材料相似的材料)。此外,封裝件20可以僅部分地覆蓋電感器52。例如,電感器52可延伸超出封裝件20的頂部。另外,雖然描述的是MOSFET電晶體,電晶體16也 可以是雙極型、IGBJT或者任何其他適合類型的電晶體,或者使用二極體替代一些電晶體(例如,低側電晶體)或作為其附加。並且,雖然圖3A示出兩個電感器52,但模組50可以包括多於或少於兩個的電感器。此外,除了控制器14、電晶體16和電感器52之外,模組50還可以包括一些構件,例如一個或多個濾波電容器、反饋電路、補償電路和信號值設定電路。另外,模組50可省去控制器14、電晶體16和電感器52中的一個或多個。並且,散熱器可附接至模組50的一個或多個側面(例如,頂部)以促進模組的冷卻。此外,雖然圖中示出引線54和56在平臺12上向內彎折,但是引線54和56中的一個或兩者都可以向外或向兩旁彎折或者根本不彎折。另外,每個電感器52可能有多個或少於兩個的引線54和56。此外,電感器52不一定是統一的,可以是圍繞共用核心或各自核心繞製,或者同或單獨地封裝(在封裝件20形成之前),再或者可以為磁耦合或沒有磁耦合。此外,模組50可包括與引線54和56分離的安裝件,用於將電感器52支撐在其他構件上方。
圖4是供電模組60的一實施例的剖面俯視圖,該實施例可克服以上結合圖1-2的模組10和30討論的所有問題。如同模組10、30和50,模組60可用於向積體電路或其他設備(圖4未示出)供電,並可包括大部分或全部的供電構件,以使電源供應器中需要安裝在安裝有該模組60之印刷電路板或其他平臺(圖4未示出)上的離散構件即使有也是非常少。
供電模組60包括平臺62,平臺62包括引線框64、安裝於引線框上的印刷電路板66、控制器14和MOSFET電晶體16、一個或多個電感器68(這裏用虛線表示兩個電感器)和封裝件20,封裝件20封裝平 臺、控制器、電晶體和電感器的至少一部分。
引線框64可以是任何合適的引線框,可由例如金屬的任何合適導電材料製成。
印刷電路板66被配置在引線框64的一部分之上以形成平臺62;平臺的這種結構允許一些構件(例如,產生相對較少熱量的帶有許多接頭的構件)安裝在電路板上,並且其他構件(例如,帶有很少接頭但產生相對較多熱量的構件)直接安裝在引線框上以便有更好的熱傳遞。印刷電路板66可用常規的方式安裝於引線框64上,並在印刷電路板和引線框之間設有熱傳導物質(例如,導熱油脂),以增進熱傳導。
具有大量的連接銲墊但是產生相對較少熱量的控制器14安裝於印刷電路板66上。
具有相對較少的連接銲墊但是產生相對較多熱量的電晶體16直接安裝於引線框64上,以促進熱量從電晶體向模組60的外部傳遞。在一個實施例中,有四個電晶體16:兩個高側電晶體和兩個低側電晶體。低側電晶體比高側電晶體大,這是因為在一個實施例中,在穩態運行期間,低側電晶體比高側電晶體傳導更高的平均相位電流。也就是說,低側電晶體在每個切換週期中通常比高側電晶體導通更長的時間。
與圖3A-3B所示的電感器52相似,每個電感器68安裝於引線框64上,而位於印刷電路板66、控制器14、電晶體16和模組60可能具有的其他構件(未圖示出)上方。
模組60提供一個或多個類似於上述結合圖3A-3B的模組50所討論之改進方式的改進方式,並且模組60可通過與上述模組50相似的 製造方法來製造,還有將印刷電路板66安裝於引線框64上的附加步驟。
仍然參考圖4,設想供電模組60的替代實施例。例如,結合圖1和3B的模組10、30和50描述的上述實施例可應用到模組60。此外,雖然印刷電路板66圖示為配置在引線框的一部分之上,但是印刷電路板66也可以配置在整個引線框之上。此外,描述為安裝在引線框64上的構件(例如,電晶體16)可代之以安裝於印刷電路板66上,描述為安裝在印刷電路板66上的構件(例如,控制器14)可代之以安裝於引線框64上。另外,可以省去印刷電路板66,可將所有構件直接安裝於引線框64上;作為備選,可以省去引線框,並將所有構件直接安裝於印刷電路板上。
圖5是電感器70的一實施例的剖面側視圖,其用於圖3A-4所示的供電模組50和60中,作為替代電感器52和68或者作為電感器52和68的附加。
電感器70具有封裝件72(它與模組50和60的封裝件20分離)並且有引線74和76,引線74和76是電感器繞組的延伸並具有兩個彎折78和80。例如,彎折78和80的角度可在大約30至90度之間。此外,雖然沒有圖示出,引線74和76也可以以大約90度的角度彎折,以提高電感器70的安裝穩定性。此外,雖然僅示出兩個引線74和76,然而電感器70也可以具有多於兩個的引線(例如,四個引線),以提高電感器的安裝穩定性,降低引線電阻等。
仍然參考圖5,設想電感器70的替代實施例。例如,結合圖1-4的電感器18、32、52和68描述的上述實施例可應用到電感器70。
圖6是系統90的一實施例的示意圖,該系統包括圖3A-4 的供電模組50和60的一個或多個實施例。但是為了便於說明,此時討論的系統90包括圖3A-3B的模組50的一個實施例,其中模組50包括降壓變壓器。
除了模組50,系統90還包括負載92,用以接收來自模組的經穩壓電壓Vout;和濾波電容器(C)94。負載92的實例包括例如處理器或記憶體的積體電路。
此外,模組50可包括相位電流感測器96和反饋電路98。組成感測器96和電路98的構件可安裝於平臺12(圖3B)低於電感器52的位置。
運行時,控制器14回應於電流感測器96和反饋電路98來控制電晶體16,以交替地將輸入電壓Vin和參考電壓(例如,接地)耦合到相位電感器52中,其方式是由Vin產生經穩壓電壓Vout。電流感測器96允許控制器14平衡各相位(每個相位各包括一對高-低電晶體16和相應的相位電感器52)之間的負載電流,並且還能使控制器檢測和限制流入負載92的過電流(例如,如果負載短路)。
仍然參考圖6,設想系統90的替代實施例。例如,結合圖1-5所描述的上述實施例可應用於系統90。此外,雖然描述了降壓變壓器,但是模組50可包括任何其他類型的電原供應器,例如降壓-升壓變壓器。此外,模組50可包括額外構件,例如連接於相位電感器52和負載92之間的濾波電感器。另外,雖然濾波電容器94被描述為位於模組50外,但是其也可以是模組的一部分。
從前述內容可以理解,雖然為了便於闡述在這裏描述了特定 實施例,但是不需要偏離所公開內容的精神和範圍就可以做出各種改進。並且,針對特定實施例公開的替換方案,即使沒有特別說明,也可應用到其他的實施例。
12‧‧‧平臺
14‧‧‧控制器
16‧‧‧MOSFET電晶體
20‧‧‧封裝件
50‧‧‧供電模組
52‧‧‧電感器
54,56‧‧‧引線

Claims (26)

  1. 一種供電模組,包括:平臺,其具有側面;封裝件,配置在該平臺上;多個供電構件,配置在該封裝件內,配置在該平臺的側面上方,並且附接至該平臺;以及電感器,配置在該封裝件內,配置在該平臺的側面上方及在該等供電構件上方,並且具有附接至該平臺的電感器引線。
  2. 如申請專利範圍第1項之供電模組,其中該封裝件包括環氧樹脂。
  3. 如申請專利範圍第1項之供電模組,其中該等供電構件中一者包括控制器。
  4. 如申請專利範圍第1項之供電模組,其中該等供電構件中一者包括電晶體。
  5. 如申請專利範圍第1項之供電模組,其中該等供電構件中一者包括電阻器。
  6. 如申請專利範圍第1項之供電模組,其中該等供電構件中一者包括電容器。
  7. 如申請專利範圍第1項之供電模組,其中該等電感器引線將該電感器支撐在該等供電構件上方。
  8. 如申請專利範圍第1項之供電模組,還包括另一電感器,該另一電感器配置在該等供電構件上方。
  9. 如申請專利範圍第1項之供電模組,其中該等供電構件和該電感器安 裝至該平臺。
  10. 如申請專利範圍第1項之供電模組,其中:該平臺包括印刷電路板;以及該等供電構件和該電感器安裝至該印刷電路板。
  11. 如申請專利範圍第1項之供電模組,其中:該平臺包括BT基板;並且該等供電構件和該電感器安裝至該BT基板。
  12. 如申請專利範圍第1項之供電模組,其中:該平臺包括引線框;並且該等供電構件和該電感器安裝至該引線框。
  13. 如申請專利範圍第1項之供電模組,其中:該平臺包括引線框和印刷電路板;該等供電構件中一者安裝至該引線框;且該等供電構件中另一者安裝至該印刷電路板。
  14. 如申請專利範圍第1項之供電模組,其中:該平臺包括引線框和印刷電路板;該等供電構件中一者安裝至該引線框;該等供電構件中另一者構件安裝至該印刷電路板;且該電感器安裝至該引線框。
  15. 如申請專利範圍第1項之供電模組,其中:該平臺包括引線框和印刷電路板;該等供電構件中一者安裝至該引線框; 該等供電構件中另一者安裝至該印刷電路板;且該電感器安裝於該印刷電路板。
  16. 如申請專利範圍第1項之供電模組,其中:該平臺包括引線框和安裝至該引線框之印刷電路板;該等供電構件中一者安裝至該引線框;且該等供電構件中另一者安裝者該印刷電路板。
  17. 一種合併供電的系統,該系統包括:供電模組;其包括:封裝件;平臺,其具有側面且配置在該封裝件下方;多個供電構件,配置在該封裝件內,配置在該平臺的側面上,並且附接至該平臺;電感器,配置在該封裝件內,配置在該等供電構件上方及在該平臺的側面上方;電感器引線,附接至該電感器,並且附接至該平臺;和供電輸出節點;以及裝置,與該供電輸出節點連接。
  18. 如申請專利範圍第17項之系統,其中該裝置包括積體電路。
  19. 如申請專利範圍第18項之系統,其中該積體電路包括處理器。
  20. 如申請專利範圍第18項之系統,其中該積體電路包括記憶體。
  21. 一種用於製造供電模組的方法,該方法包括:附接多個供電構件至平臺而於該平臺的側面上; 經由電感器引線以將電感器附接至該平臺,使得該電感器配置在該等供電構件上方且在該平臺的側面上方;以及在該電感器、該等電感器引線、該等供電構件和該平臺上形成封裝件。
  22. 如申請專利範圍第21項之方法,其中附接該等供電構件包括將該等供電構件安裝至該平臺。
  23. 如申請專利範圍第21項之方法,其中:附接該等供電構件包括將該等供電構件安裝至該平臺;以及附接該電感器包括在該等供電構件上方將該電感器安裝至該平臺。
  24. 如申請專利範圍第21項之方法,其中形成該封裝件包括:將該電感器和該等供電構件封裝在封裝材料中。
  25. 如申請專利範圍第21項之方法,其中:附接該電感器包括在該等供電構件上方經由相應的電感器引線將數個電感器安裝至該平臺;並且形成該封裝件包括在該電感器和該等供電構件上方形成該封裝件。
  26. 一種供電模組,包括:平臺,其具有側面;封裝件,配置在該平臺的側面上方;多個供電構件,配置在該封裝件內,並且在該平臺的側面上;以及電感器,其具有電感器引線,該電感器經配置在該封裝件內,在該等供電構件上方、及在該平臺的側面上,使得該電感器與該等供電構件分開,該等供電構件中沒有一者支撐該電感器,並且該封裝件的一部分對將該電感器與該等供電構件分開的空間加以填充。
TW104117620A 2010-03-16 2011-03-15 具有位於其他構件上方之橋接電感器的模製供電模組 TWI566373B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US31453610P 2010-03-16 2010-03-16
US35978010P 2010-06-29 2010-06-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201539705A TW201539705A (zh) 2015-10-16
TWI566373B true TWI566373B (zh) 2017-01-11

Family

ID=44647118

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104117620A TWI566373B (zh) 2010-03-16 2011-03-15 具有位於其他構件上方之橋接電感器的模製供電模組
TW100108672A TWI497685B (zh) 2010-03-16 2011-03-15 具有位於其他構件上方之橋接電感器的模製供電模組

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100108672A TWI497685B (zh) 2010-03-16 2011-03-15 具有位於其他構件上方之橋接電感器的模製供電模組

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10111333B2 (zh)
JP (2) JP2011193000A (zh)
KR (1) KR101816929B1 (zh)
CN (2) CN102254908B (zh)
TW (2) TWI566373B (zh)

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10111333B2 (en) 2010-03-16 2018-10-23 Intersil Americas Inc. Molded power-supply module with bridge inductor over other components
US9723766B2 (en) 2010-09-10 2017-08-01 Intersil Americas LLC Power supply module with electromagnetic-interference (EMI) shielding, cooling, or both shielding and cooling, along two or more sides
TWI448226B (zh) * 2010-09-21 2014-08-01 Cyntec Co Ltd 電源轉換模組
DE102011105346A1 (de) * 2011-06-21 2012-12-27 Schweizer Electronic Ag Elektronische Baugruppe und Verfahren zu deren Herstellung
TWI456854B (zh) * 2011-12-14 2014-10-11 Timotion Technology Co Ltd 線性傳動器之電源供應模組及其轉換模組
CN102790513B (zh) * 2012-07-30 2014-12-10 华为技术有限公司 电源模块和电源模块的封装方法
CN102969292B (zh) * 2012-11-08 2015-08-19 华为技术有限公司 集成电源模块
US9506958B2 (en) * 2013-01-31 2016-11-29 Illinois Tool Works Inc. Waveform compensation systems and methods for secondary weld component response
US9936579B2 (en) * 2013-02-01 2018-04-03 Apple Inc. Low profile packaging and assembly of a power conversion system in modular form
US20140252541A1 (en) * 2013-03-11 2014-09-11 General Electric Company Systems and methods for power train assemblies
WO2015019519A1 (ja) * 2013-08-07 2015-02-12 パナソニックIpマネジメント株式会社 Dc-dcコンバータモジュール
US9711279B2 (en) * 2013-10-28 2017-07-18 Infineon Technologies Austria Ag DC-DC converter assembly with an output inductor accommodating a power stage attached to a circuit board
US9911715B2 (en) * 2013-12-20 2018-03-06 Cyntec Co., Ltd. Three-dimensional package structure and the method to fabricate thereof
US9696739B2 (en) 2014-07-10 2017-07-04 Intersil Americas LLC Sensing a switching-power-supply phase current
US9515014B2 (en) 2014-10-08 2016-12-06 Infineon Technologies Americas Corp. Power converter package with integrated output inductor
US10333407B2 (en) * 2015-05-06 2019-06-25 Infineon Technologies Austria Ag Power stage packages of a multi-phase DC-DC converter under a coupled inductor
US10855178B2 (en) * 2015-05-29 2020-12-01 Infineon Technologies Austria Ag Discrete power stage transistor dies of a DC-DC converter under an inductor
US10050528B2 (en) * 2015-06-29 2018-08-14 Infineon Technologies Austria Ag Current distribution in DC-DC converters
JP6631905B2 (ja) 2015-07-28 2020-01-15 ローム株式会社 マルチチップモジュールおよびその製造方法
KR200479975Y1 (ko) 2015-08-19 2016-03-28 윤현진 등산용 스패츠
JP6399240B2 (ja) * 2016-01-08 2018-10-03 株式会社村田製作所 Dc/dcコンバータ
WO2017131011A1 (ja) * 2016-01-27 2017-08-03 株式会社村田製作所 インダクタ部品およびその製造方法
WO2017131017A1 (ja) * 2016-01-27 2017-08-03 株式会社村田製作所 インダクタ部品およびその製造方法
US10034379B2 (en) * 2016-01-29 2018-07-24 Cyntec Co., Ltd. Stacked electronic structure
WO2018008714A1 (ja) 2016-07-07 2018-01-11 株式会社Gsユアサ 車両通信システム、バッテリの管理装置、回路基板、バッテリ、通信仕様の切換方法
US10256178B2 (en) * 2016-09-06 2019-04-09 Fairchild Semiconductor Corporation Vertical and horizontal circuit assemblies
DE102016119290A1 (de) * 2016-10-11 2018-04-12 HELLA GmbH & Co. KGaA Leistungselektronik mit einem Schaltungsträger und mindestens einer Spule
CN109411454B (zh) * 2017-10-05 2021-05-18 成都芯源系统有限公司 用于多相功率变换器的电路封装
CN107808879A (zh) * 2017-11-20 2018-03-16 深圳顺络电子股份有限公司 一种开关电源模组及其封装方法
CN108022736A (zh) * 2017-12-27 2018-05-11 广州致远电子有限公司 一种微功率电源模块
US10497635B2 (en) 2018-03-27 2019-12-03 Linear Technology Holding Llc Stacked circuit package with molded base having laser drilled openings for upper package
CN108417570A (zh) * 2018-05-15 2018-08-17 深圳市国微电子有限公司 一种电源模组
CN108447858A (zh) * 2018-05-15 2018-08-24 深圳市国微电子有限公司 一种电源系统
WO2019218344A1 (zh) * 2018-05-18 2019-11-21 瑞典爱立信有限公司 电源装置及包括其的印刷电路板装置
US11967451B2 (en) * 2018-06-29 2024-04-23 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Electronic device
US11127524B2 (en) * 2018-12-14 2021-09-21 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited Power converter
JP7147598B2 (ja) * 2019-01-29 2022-10-05 株式会社デンソー 電源装置
US11024702B2 (en) * 2019-03-04 2021-06-01 Cyntec Co., Ltd. Stacked electronic structure
US20200303114A1 (en) * 2019-03-22 2020-09-24 Cyntec Co., Ltd. Inductor array in a single package
US11309233B2 (en) * 2019-09-18 2022-04-19 Alpha And Omega Semiconductor (Cayman), Ltd. Power semiconductor package having integrated inductor, resistor and capacitor
US11270986B2 (en) * 2020-05-18 2022-03-08 Analog Devices, Inc. Package with overhang inductor
JP7469958B2 (ja) * 2020-05-28 2024-04-17 Tdk株式会社 コイル装置
US11844178B2 (en) * 2020-06-02 2023-12-12 Analog Devices International Unlimited Company Electronic component
WO2022074983A1 (ja) * 2020-10-05 2022-04-14 ローム株式会社 回路部品および半導体装置
CN112736043B (zh) * 2020-12-30 2022-09-06 成都芯源系统有限公司 多裸片封装模块及方法
US11744021B2 (en) 2022-01-21 2023-08-29 Analog Devices, Inc. Electronic assembly
US20240006259A1 (en) * 2022-06-29 2024-01-04 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit with inductor in magnetic package

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040089955A1 (en) * 2002-11-08 2004-05-13 Stmicroelectronics, Inc. Encapsulation of multiple integrated circuits
US20050189636A1 (en) * 2003-12-17 2005-09-01 Sergey Savastiouk Packaging substrates for integrated circuits and soldering methods
US20070152796A1 (en) * 2005-12-30 2007-07-05 Jiangqi He Packaged spiral inductor structures, processes of making same, and systems containing same
US20080180921A1 (en) * 2007-01-31 2008-07-31 Cyntec Co., Ltd. Electronic package structure
US20090134856A1 (en) * 2007-11-26 2009-05-28 Texas Instruments Incorporated Method of optimum current blanking time implementation in current sense circuit
US20090207574A1 (en) * 2008-02-18 2009-08-20 Cyntec Co., Ltd Electronic package structure

Family Cites Families (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5220489A (en) * 1991-10-11 1993-06-15 Motorola, Inc. Multicomponent integrated circuit package
US5621635A (en) * 1995-03-03 1997-04-15 National Semiconductor Corporation Integrated circuit packaged power supply
US5629241A (en) * 1995-07-07 1997-05-13 Hughes Aircraft Company Microwave/millimeter wave circuit structure with discrete flip-chip mounted elements, and method of fabricating the same
US6049469A (en) 1997-08-20 2000-04-11 Dell Usa, L.P. Combination electromagnetic shield and heat spreader
KR100275541B1 (ko) 1997-12-19 2001-01-15 정선종 인덕터 내경에 커패시터를 배치한 초고주파 공진회로 구조 및그 설계방법
US6310386B1 (en) * 1998-12-17 2001-10-30 Philips Electronics North America Corp. High performance chip/package inductor integration
US6274937B1 (en) * 1999-02-01 2001-08-14 Micron Technology, Inc. Silicon multi-chip module packaging with integrated passive components and method of making
US6452247B1 (en) * 1999-11-23 2002-09-17 Intel Corporation Inductor for integrated circuit
AU2001230887A1 (en) * 2000-01-13 2001-07-24 Sonionmicrotronic Nederland B.V. Packaging and rf shielding for telecoils
US6744114B2 (en) * 2001-08-29 2004-06-01 Honeywell International Inc. Package with integrated inductor and/or capacitor
US6541948B1 (en) * 2001-12-04 2003-04-01 National Semiconductor Corporation Voltage regulator and method using high density integrated inductors and capacitors for radio frequency suppression
KR100843737B1 (ko) * 2002-05-10 2008-07-04 페어차일드코리아반도체 주식회사 솔더 조인트의 신뢰성이 개선된 반도체 패키지
JP4217438B2 (ja) 2002-07-26 2009-02-04 Fdk株式会社 マイクロコンバータ
JP3906767B2 (ja) * 2002-09-03 2007-04-18 株式会社日立製作所 自動車用電子制御装置
US6972965B2 (en) * 2003-02-04 2005-12-06 Intel Corporation Method for integrated high Q inductors in FCGBA packages
WO2004077508A2 (en) * 2003-02-21 2004-09-10 Advanced Interconnect Technologies Limited Lead frame with included passive devices
JP2004289912A (ja) 2003-03-20 2004-10-14 Nec Tokin Corp 薄型電源装置およびその製造方法
US7119606B2 (en) * 2003-07-10 2006-10-10 Qualcomm, Incorporated Low-power, low-area power headswitch
US20060219436A1 (en) * 2003-08-26 2006-10-05 Taylor William P Current sensor
JP2005123535A (ja) 2003-10-20 2005-05-12 Toshiba Corp 半導体装置
CN100386876C (zh) 2004-03-26 2008-05-07 乾坤科技股份有限公司 多层基板堆叠封装结构
US7279391B2 (en) * 2004-04-26 2007-10-09 Intel Corporation Integrated inductors and compliant interconnects for semiconductor packaging
US20060018098A1 (en) * 2004-07-22 2006-01-26 Adrian Hill PCB board incorporating thermo-encapsulant for providing controlled heat dissipation and electromagnetic functions and associated method of manufacturing a PCB board
TWI250592B (en) 2004-11-16 2006-03-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Multi-chip semiconductor package and fabrication method thereof
US20070072340A1 (en) * 2004-11-19 2007-03-29 Sanzo Christopher J Electronic Device with Inductor and Integrated Componentry
US20060108663A1 (en) * 2004-11-19 2006-05-25 Sanzo Christopher J Surface mount inductor with integrated componentry
EP1900022B1 (en) * 2005-07-01 2015-10-07 Vishay-Siliconix Complete power management system implemented in a single surface mount package
US7582951B2 (en) 2005-10-20 2009-09-01 Broadcom Corporation Methods and apparatus for improved thermal performance and electromagnetic interference (EMI) shielding in leadframe integrated circuit (IC) packages
US8669637B2 (en) * 2005-10-29 2014-03-11 Stats Chippac Ltd. Integrated passive device system
US7851257B2 (en) * 2005-10-29 2010-12-14 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit stacking system with integrated passive components
KR100662848B1 (ko) * 2005-12-20 2007-01-02 삼성전자주식회사 인덕터 집적 칩 및 그 제조방법
JP2007318954A (ja) 2006-05-29 2007-12-06 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 超小型dc−dcコンバータモジュール
US7808087B2 (en) * 2006-06-01 2010-10-05 Broadcom Corporation Leadframe IC packages having top and bottom integrated heat spreaders
US7636242B2 (en) * 2006-06-29 2009-12-22 Intel Corporation Integrated inductor
US7656024B2 (en) 2006-06-30 2010-02-02 Fairchild Semiconductor Corporation Chip module for complete power train
JP2008017540A (ja) 2006-07-03 2008-01-24 Fuji Electric Holdings Co Ltd 超小型電力変換装置
US7531893B2 (en) 2006-07-19 2009-05-12 Texas Instruments Incorporated Power semiconductor devices having integrated inductor
US8064211B2 (en) * 2006-08-31 2011-11-22 Tdk Corporation Passive component and electronic component module
JP4354472B2 (ja) * 2006-08-31 2009-10-28 Tdk株式会社 電子部品モジュール
TWI376774B (en) * 2007-06-08 2012-11-11 Cyntec Co Ltd Three dimensional package structure
KR20090012933A (ko) * 2007-07-31 2009-02-04 삼성전자주식회사 반도체 패키지, 스택 모듈, 카드, 시스템 및 반도체패키지의 제조 방법
JP5194625B2 (ja) 2007-08-06 2013-05-08 富士電機株式会社 マイクロ電源モジュール
KR101493865B1 (ko) * 2007-11-16 2015-02-17 페어차일드코리아반도체 주식회사 구조가 단순화된 반도체 파워 모듈 패키지 및 그 제조방법
US7868431B2 (en) * 2007-11-23 2011-01-11 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Compact power semiconductor package and method with stacked inductor and integrated circuit die
US7884452B2 (en) 2007-11-23 2011-02-08 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Semiconductor power device package having a lead frame-based integrated inductor
US7714419B2 (en) * 2007-12-27 2010-05-11 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with shielding
US20090230519A1 (en) * 2008-03-14 2009-09-17 Infineon Technologies Ag Semiconductor Device
US7906371B2 (en) * 2008-05-28 2011-03-15 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming holes in substrate to interconnect top shield and ground shield
JP5211942B2 (ja) 2008-08-29 2013-06-12 Tdk株式会社 電子部品モジュール及び電子部品モジュールの製造方法
US7718471B1 (en) * 2008-11-12 2010-05-18 White Electronic Designs Corporation Method and apparatus for stacked die package with insulated wire bonds
JP2010129877A (ja) 2008-11-28 2010-06-10 Tdk Corp 電子部品モジュール
US8354740B2 (en) * 2008-12-01 2013-01-15 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Top-side cooled semiconductor package with stacked interconnection plates and method
US8168490B2 (en) * 2008-12-23 2012-05-01 Intersil Americas, Inc. Co-packaging approach for power converters based on planar devices, structure and method
US8193583B2 (en) * 2009-04-29 2012-06-05 Intersil Americas, Inc. Monolithic output stage with vertical high-side PMOS and vertical low-side NMOS interconnected using buried metal, structure and method
JP5646830B2 (ja) 2009-09-02 2014-12-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法、及びリードフレーム
JP2011058861A (ja) * 2009-09-08 2011-03-24 Panasonic Corp 焦電型赤外線検出器
US8213180B2 (en) * 2010-01-21 2012-07-03 Broadcom Corporation Electromagnetic interference shield with integrated heat sink
US10111333B2 (en) 2010-03-16 2018-10-23 Intersil Americas Inc. Molded power-supply module with bridge inductor over other components
US9723766B2 (en) 2010-09-10 2017-08-01 Intersil Americas LLC Power supply module with electromagnetic-interference (EMI) shielding, cooling, or both shielding and cooling, along two or more sides
EP2482312A4 (en) 2011-04-29 2012-09-26 Huawei Tech Co Ltd POWER SUPPLY MODULE AND PACKAGING AND INTEGRATION METHOD THEREFOR

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040089955A1 (en) * 2002-11-08 2004-05-13 Stmicroelectronics, Inc. Encapsulation of multiple integrated circuits
US20050189636A1 (en) * 2003-12-17 2005-09-01 Sergey Savastiouk Packaging substrates for integrated circuits and soldering methods
US20070152796A1 (en) * 2005-12-30 2007-07-05 Jiangqi He Packaged spiral inductor structures, processes of making same, and systems containing same
US20080180921A1 (en) * 2007-01-31 2008-07-31 Cyntec Co., Ltd. Electronic package structure
US20090134856A1 (en) * 2007-11-26 2009-05-28 Texas Instruments Incorporated Method of optimum current blanking time implementation in current sense circuit
US20090207574A1 (en) * 2008-02-18 2009-08-20 Cyntec Co., Ltd Electronic package structure

Also Published As

Publication number Publication date
US20110228507A1 (en) 2011-09-22
TWI497685B (zh) 2015-08-21
JP2011193000A (ja) 2011-09-29
US10111333B2 (en) 2018-10-23
CN102254908A (zh) 2011-11-23
JP6072757B2 (ja) 2017-02-01
TW201205767A (en) 2012-02-01
KR101816929B1 (ko) 2018-01-09
CN105845658A (zh) 2016-08-10
KR20110104453A (ko) 2011-09-22
JP2015122507A (ja) 2015-07-02
CN105845658B (zh) 2019-06-07
CN102254908B (zh) 2016-05-18
TW201539705A (zh) 2015-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI566373B (zh) 具有位於其他構件上方之橋接電感器的模製供電模組
TWI520306B (zh) 沿著二或更多個側具有電磁干擾屏蔽、冷卻或同時屏蔽及冷卻的電源供應模組
CN101484995B (zh) 用于完整传动系的芯片模块
JP6665926B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
US9136207B2 (en) Chip packaging structure of a plurality of assemblies
JP2008545280A (ja) 単一の表面実装パッケージ中に実装される完全パワーマネージメントシステム
US9271398B2 (en) Power supply module
KR20090104477A (ko) 반도체 소자 패키지
US9054088B2 (en) Multi-component chip packaging structure
JP2006304591A (ja) スイッチモード電源のための一次側能動回路装置
US20120299150A1 (en) Power Semiconductor Module with Embedded Chip Package
US11302595B2 (en) Package assembly and method for manufacturing the same, package assembly of buck converter
TW200832670A (en) Electronic device with inductor and integrated componentry
JP4110513B2 (ja) 半導体パワーモジュールの製造方法
JP2010251582A (ja) Dc−dcコンバータ
JP2013004912A (ja) 半導体モジュール
JP2605506B2 (ja) 半導体装置
JP5024439B2 (ja) 半導体装置
CN106601694B (zh) 堆叠结构及其制造方法
JP2005123535A (ja) 半導体装置
US20230363121A1 (en) Power Converter Package with Copper-Bar Thermally-Enhanced Interposers to Cooling Fins
JP3196829U (ja) 単一の表面実装パッケージ中に実装される完全パワーマネージメントシステム
JP2003068977A (ja) 半導体装置