TWI497685B - 具有位於其他構件上方之橋接電感器的模製供電模組 - Google Patents

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Description

具有位於其他構件上方之橋接電感器的模製供電模組
一實施例與電子裝置相關，且更特別與一供電模組合配置在該模組內之構件相關。
優先權聲明
本申請要求共同待審之2010年3月16日提申的美國臨時專利申請案第61/314,536號及2010年6月29日提申的美國臨時專利申請案第61/359,780號的優先權；在此以引用方式而整體納入。
相關申請資料
本申請與2011年2月25日提申的美國專利申請申請案第13/035,792號，名稱為“沿兩側或多側具有電磁干擾(EMI)屏蔽、冷卻或同時具有屏蔽和冷卻的供電模組”相關，在此以引用方式而整體納入。
一供電模組包括一封裝件，而一供電模組包之構件中許多或所有經配置在該封裝件內。此等構件之實例包含一供電控制器、電感器、電阻器和電容器。
不幸的是，一習用供電模組可使其等構件具有相當沒有效率的佈局，且對於一給定的額定功率因而可具有一相當大的尺寸，因為在模組封裝件內存有顯著總量的未佔用(亦即：浪費)空間。再者，沒有效率的一佈局對於熱從內部構件到封裝件外側可造成相當糟糕的傳遞，且因而使模組以「熱體」運行。此外，沒有效率的一佈局可使一模組具有一低效率的功率轉換且產生較大輸出漣波的振幅。
同樣，具有一有效率構件佈局之一習用供電模組可以具有諸如增加組件複雜度和成本之不利因素、限制使用該模組的應用數量、和一較低可靠度。
供電模組的一個實施例包括封裝件、配置于封裝件內的供電構件和配置在該封裝件內且位於供電構件上方的電感器。例如，對於一給定的額定輸出功率，與電感器安裝在封裝件外或電感器與其他構件並排設置的供電模組相比，這樣的供電模組可能更小、更高效、更可靠、運行溫度更低。同時對於一給定的尺寸，與電感器安裝在封裝件外或電感器與其他構件並排設置的供電模組相比，這樣的供電模組可能具有更高的額定輸出功率。
參考附圖來描述一個或多個實施例，其中相同的附圖標記始終用於表示相同的構件。在以下描述中，為便於說明而闡述許多具體細節以提供對一個或多個實施例的透徹理解。然而顯而易見地，一個或多個實施例可不經這些具體細節而實施。在另一些情況下，公知的結構和設備以方框圖的形式表示以方便描述一個或多個實施例。
圖1是開關供電模組10的剖面側視圖，該開關供電模組10用於向積體電路或其他設備(圖1未顯示)供電，且該開關供電模組10包括大部分或全部的供電構件，以使需要安裝在該模組所安裝的印刷電路板(圖1未顯示)上的供電的離散構件即使有也非常少。因此，此模組可減少佈局面積、組裝複雜性、構件數量和系統納入模組10的成本。
供電模組10包括平臺12，安裝於平臺的控制器14、安裝於平臺的MOSFET電晶體16、安裝於平臺的一個或多個電感器18，以及封裝件20，該封裝件20至少部分地封裝平臺、控制器、電晶體和電感器。
平臺12可以是印刷電路板、引線框、BT基板或任何其他合適的平臺。
控制器14可以是任何合適的供電控制器或其他被調整或被編程來控制供電的控制器。控制器底下的引線或銲墊(未圖示)可將控制器與平臺12的導電銲墊電氣連接。或者，控制器14可包括頂部的引線或銲墊，以與導線22與平臺12的導電銲墊接合一起。控制器14也可既包括底下銲墊/引線又包括頂部銲墊/引線。控制器14可以是壓鑄成型或由獨立於模組20的封裝件至少部分地封裝。此外，控制器14可以與平臺12接觸，或者在控制器和平臺之間設有熱傳導物質(例如：導熱油脂)，用於促進從控制器至平臺的熱傳遞，從而通過平臺促進控制器的冷卻。
電晶體16可包括高側和低側開關電晶體，用於驅動供電的一個或多個相位。例如，模組10可就每相位包括一對電晶體16，即一個高側電晶體和一個低側電晶體。電晶體16可以壓鑄成型或者通過與模組封裝件20分離的一個或多個封裝件至少部分地封裝(各別地、分組地或全體地)。電晶體16可與平臺12接觸，者在電晶體和平臺之間設有熱傳導物質，用於促進從電晶體至平臺的熱傳遞，從而促進電晶體的冷卻。電晶體16可具有在底部的銲墊，用於電氣連接平臺12的銲墊，或者電晶體可具有在頂部的銲墊，以用導線22與平臺的銲墊接合在一起。電晶體16也可既包括下部銲墊/引線又包括頂部部銲墊/引線。
一個或多個電感器18可以包括供電相位電感器和一可選用的濾波電感器。電感器18可以由與模組封裝件20分離的一個或多個封裝件至少部分地封裝(單獨地、分組地或全體地)，以形成一個或多個電感器模組，或者可不封裝電感器。可以由比例如銅或鋁的合適傳導材料所製造的引線24和26將電感器18與平臺12的導電銲墊電氣連接和熱耦合，以保持電感器冷卻。此外，導熱材料可設置在電感器18和平臺12之間的間隙28中。
封裝件20可以由例如環氧樹脂的任何合適材料形成，封裝件20可完全覆蓋控制器14、電晶體16和電感器18，並且可能完全覆蓋平臺12，或者留下平臺的一部分暴露在外，例如：具有銲墊或引線的平臺的底部以允許外部電氣連接到達控制器、電晶體、電感器和可能的其他模組構件。此外，封裝件20可以是實心的，這樣能儘量多地填充到所有的未佔用空間(例如，位於封裝件邊界內但沒有被控制器14、電晶體15、電感器18和可能的其他供電構件佔用的空間)，以使模組內的空隙很少或沒有。
但是，模組10的一個缺陷是它具有相對低效率的佈局，因此對於一給定的輸出額定功率可能會具有一個相對大的尺寸，因為在封裝件20內有大量的未佔用空間(例如，在控制器14和電晶體16的上方)。此外，低效率的佈局可能導致從內部構件到封裝件外部的熱傳遞相對較差，從而導致模組10相對較“熱”地運行。
模組10的另一個缺陷是對於一給定的模組尺寸，電感器18相對較小。以上每一種情況，模組10的相對低效率的佈局限制了電感器18的可用空間。一個較小的電感器18可能會導致較高的供電開關頻率，從而導致開關中功率損耗較高。此外，一個較小的電感器18可能有一個相對較薄的繞組，其具有相對較高的電阻，因此可能導致流經電感器的I 2 R 損耗較高。結果，一個較小的電感器18可能導致較低的總功率轉換效率且對模組10導致較高的熱量輸出。並且一個較小的電感器18也可能導致在模組10所產生的穩壓輸出電壓上疊加一相對較大的漣波振幅。
圖2是一開關供電模組30的剖面側視圖，該開關供電模組30可用于向積體電路或其他設備(圖2未顯示)供電，同圖1所示的模組10一樣，該模組也可包括大部分或全部的供電構件，以使電源供應器中需要安裝至安裝有該模組之印刷電路板(圖2未顯示)的離散構件即使有也非常少。
同圖1所示的供電模組10一樣，供電模組30包括平臺12，控制器14、MOSFET電晶體16和封裝件20，該封裝件20至少部分地封裝平臺、控制器、電晶體。但是不同於模組10的是，模組30包括一個或多個安裝在控制器14、電晶體16和封裝件20上方的電感器32。
每個電感器32由封裝件20(有時稱為模組本體)支撐並包括導電引線34和36，其等被安裝於平臺12的相應邊緣且通過相應的熔焊或軟焊接頭38和40接附至電感器的相應側面。且與圖1所示的電感器18一樣，電感器32可由與模組封裝件20分離的一個或多個封裝件至少部分地被封裝(單獨地、分組地或全體地)，或者不被封裝。
此外，熱傳導材料42(例如，粘合劑或油脂)可設置在每個電感器32和封裝件20之間，以將電感器接附至封裝件或者促進電感器和封裝件之間的熱傳遞。
雖然將電感器32安裝於其他構件(例如，控制器14和電晶體16)上方可能會提高模組30的佈局效率，且對於一給定的模組尺寸允許電感器更大(或者對於一給定的電感器尺寸，允許模組更小)，但是將電感器安裝於模組20外可能會增加組裝複雜性和模組的成本，可能會限制模組的應用場合的數量，並可能會降低模組的可靠性。例如：將電感器32安裝於封裝件20外可能會使電感器顫動。這樣的顫動可能會產生嗡嗡聲而致使模組30不適合在“安靜”的應用場合使用。此外，隨著時間的推移，這樣的顫動可能會使模組30發生故障，例如因為造成一個或多個熔焊接頭38和40斷裂。另外，將電感器32安裝於封裝件20外可能會使模組30對於某些應用場合而言太高。
圖3A和3B分別是供電模組50的一個實施例的剖面俯視圖和側視圖，其解決了以上結合圖1-2的模組10和30討論的一些或所有的問題。同模組10和30一樣，模組50可用於向積體電路或其他設備(圖3A-3B未顯示)供電，並可包括大部分或全部的供電構件，以使電源供應器中需要安裝在安裝有該模組50的印刷電路板(圖3A-3B未顯示)上的離散構件即使有也非常少。
同圖1和2的供電模組10和30一樣，供電模組50包括平臺12，控制器14、MOSFET電晶體16和封裝件20，封裝件20至少部分地封裝平臺、控制器和電晶體。但是不同於模組10和30的是，模組50包括一個或多個安裝於控制器14和電晶體16上方(也可能在圖3A-3B未顯示的其他構件之上)，並設置在封裝件20內的電感器52，有時稱其為橋接電感器(在圖3A中有兩個電感器)。
每個電感器52包括引線54和56，引線54和56安裝於平臺12的相應邊緣。同圖1-2的電感器18和32一樣，電感器52可能通過與模組封裝件20分離的一個或多個封裝件至少部分地封裝(單獨地、分組地或全體地)或者不封裝。引線54和56將每個電感器52支撐在控制器14和電晶體16上方，將每個電感器與平臺12的相應銲墊電氣連接。引線54和56以常規方式附接至電感器，或者可以是形成電感器的一個或多個繞組的延伸。引線54和56可以由低電阻材料(例如為銅)製成，並做得相對較寬，以進一步降低其電阻。例如，引線54和56可以是由銅製成之具相對剛性的平帶狀引線。
正如上面結合圖2的討論，將電感器52安裝於其他構件(例如，控制器14和電晶體16)上方可能提高模組50的佈局效率，並對於一給定的模組尺寸允許電感器更大。例如，對於一給定的輸出功率，將電感器52安裝於其他模組構件上方，可能會使模組50的佔位面積(footprint)小於模組10的佔位面積多達50%。並且，對於一給定的模組尺寸，使電感器52更大能增大模組50的效率和額定輸出功率，使輸出漣波電壓的振幅減小。正如前面結合圖2的討論，一個較大的電感器可以提高模組50的效率和額定功率，這是通過降低開關頻率進而減少開關損耗的和減小電感器的繞組電阻進而減少I 2 R 損耗來實現。基於這些相同的原因，對於一給定的負載電流，較大的電感器可減少模組50產生的熱量，且對於一給定的額定散熱量，一個較大的電感器可允許模組提供更高的負載電流。
此外，將電感器52安裝在封裝件20內可降低安裝複雜性和模組成本並擴展模組的應用場合的數量，且可提高模組的可靠性。例如：將電感器52安裝在封裝件20內可降低模組50的安裝成本。此外，將電感器52安裝在封裝件20內可減少或消除電感器顫動，因而可提高電感器連接的可靠性，並允許模組50用於“安靜”的場合。另外，將電感器52安裝在封裝件20內可降低模組50的高度，因而使模組更適於小間隙的應用場合。例如，模組50的一實施例具有的大致尺寸(W ×L ×H )是17mm ×17mm ×7.5mm ，更常見地是具有大致範圍從4mm ×4mm ×2mm 到25mm ×25mm ×10mm 的尺寸。
此外，將電感器52安裝在封裝件20的一側面(這裏是頂部)附近，可促進模組50的冷卻，尤其是因為在模組運行過程中，電感器可能是其中最熱的構件。
仍參考圖3A-3B描述製造模組50的方法的一實施例。
首先將控制器14、電晶體16和模組50的其他構件安裝在平臺12上，構件的底部銲墊焊接於平臺的相應銲墊上。
接下來將構件的頂部銲墊(如果存在的話)與平臺12的相應銲墊接合連接。
然後成型電感器52的引線54和56，例如通過將引線焊接於相應的平臺的銲墊來將電感器安裝在平臺12上。
接下來，例如通過環氧樹脂注射模製來成型封裝件20。
然後成型模組50的引線(圖3A-3B未示出)並對模組進行測試，以向客戶發貨。
仍然參考圖3A-3B，設想模組50的替代實施例。例如：結合圖1和2的模組10和30描述的上述實施例可應用到模組50。並且，在組裝入模組50之前，控制器14、電晶體16、電感器52和其他構件可以被封裝或不被封裝(例如，使用與用來形成封裝件20的材料相似的材料)。此外，封裝件20可以僅部分地覆蓋電感器52。例如，電感器52可延伸超出封裝件20的頂部。另外，雖然描述的是MOSFET電晶體，電晶體16也可以是雙極型、IGBJT或者任何其他適合類型的電晶體，或者使用二極體替代一些電晶體(例如，低側電晶體)或作為其附加。並且，雖然圖3A示出兩個電感器52，但模組50可以包括多於或少於兩個的電感器。此外，除了控制器14、電晶體16和電感器52之外，模組50還可以包括一些構件，例如一個或多個濾波電容器、反饋電路、補償電路和信號值設定電路。另外，模組50可省去控制器14、電晶體16和電感器52中的一個或多個。並且，散熱器可附接至模組50的一個或多個側面(例如，頂部)以促進模組的冷卻。此外，雖然圖中示出引線54和56在平臺12上向內彎折，但是引線54和56中的一個或兩者都可以向外或向兩旁彎折或者根本不彎折。另外，每個電感器52可能有多個或少於兩個的引線54和56。此外，電感器52不一定是統一的，可以是圍繞共用核心或各自核心繞製，或者同或單獨地封裝(在封裝件20形成之前)，再或者可以為磁耦合或沒有磁耦合。此外，模組50可包括與引線54和56分離的安裝件，用於將電感器52支撐在其他構件上方。
圖4是供電模組60的一實施例的剖面俯視圖，該實施例可克服以上結合圖1-2的模組10和30討論的所有問題。如同模組10、30和50，模組60可用於向積體電路或其他設備(圖4未示出)供電，並可包括大部分或全部的供電構件，以使電源供應器中需要安裝在安裝有該模組60之印刷電路板或其他平臺(圖4未示出)上的離散構件即使有也是非常少。
供電模組60包括平臺62，平臺62包括引線框64、安裝於引線框上的印刷電路板66、控制器14和MOSFET電晶體16、一個或多個電感器68(這裏用虛線表示兩個電感器)和封裝件20，封裝件20封裝平臺、控制器、電晶體和電感器的至少一部分。
引線框64可以是任何合適的引線框，可由例如金屬的任何合適導電材料製成。
印刷電路板66被配置在引線框64的一部分之上以形成平臺62；平臺的這種結構允許一些構件(例如，產生相對較少熱量的帶有許多接頭的構件)安裝在電路板上，並且其他構件(例如，帶有很少接頭但產生相對較多熱量的構件)直接安裝在引線框上以便有更好的熱傳遞。印刷電路板66可用常規的方式安裝於引線框64上，並在印刷電路板和引線框之間設有熱傳導物質(例如，導熱油脂)，以增進熱傳導。
具有大量的連接銲墊但是產生相對較少熱量的控制器14安裝於印刷電路板66上。
具有相對較少的連接銲墊但是產生相對較多熱量的電晶體16直接安裝於引線框64上，以促進熱量從電晶體向模組60的外部傳遞。在一個實施例中，有四個電晶體16：兩個高側電晶體和兩個低側電晶體。低側電晶體比高側電晶體大，這是因為在一個實施例中，在穩態運行期間，低側電晶體比高側電晶體傳導更高的平均相位電流。也就是說，低側電晶體在每個切換週期中通常比高側電晶體導通更長的時間。
與圖3A-3B所示的電感器52相似，每個電感器68安裝於引線框64上，而位於印刷電路板66、控制器14、電晶體16和模組60可能具有的其他構件(未圖示出)上方。
模組60提供一個或多個類似於上述結合圖3A-3B的模組50所討論之改進方式的改進方式，並且模組60可通過與上述模組50相似的製造方法來製造，還有將印刷電路板66安裝於引線框64上的附加步驟。
仍然參考圖4，設想供電模組60的替代實施例。例如，結合圖1和3B的模組10、30和50描述的上述實施例可應用到模組60。此外，雖然印刷電路板66圖示為配置在引線框的一部分之上，但是印刷電路板66也可以配置在整個引線框之上。此外，描述為安裝在引線框64上的構件(例如，電晶體16)可代之以安裝於印刷電路板66上，描述為安裝在印刷電路板66上的構件(例如，控制器14)可代之以安裝於引線框64上。另外，可以省去印刷電路板66，可將所有構件直接安裝於引線框64上；作為備選，可以省去引線框，並將所有構件直接安裝於印刷電路板上。
圖5是電感器70的一實施例的剖面側視圖，其用於圖3A-4所示的供電模組50和60中，作為替代電感器52和68或者作為電感器52和68的附加。
電感器70具有封裝件72(它與模組50和60的封裝件20分離)並且有引線74和76，引線74和76是電感器繞組的延伸並具有兩個彎折78和80。例如，彎折78和80的角度可在大約30至90度之間。此外，雖然沒有圖示出，引線74和76也可以以大約90度的角度彎折，以提高電感器70的安裝穩定性。此外，雖然僅示出兩個引線74和76，然而電感器70也可以具有多於兩個的引線(例如，四個引線)，以提高電感器的安裝穩定性，降低引線電阻等。
仍然參考圖5，設想電感器70的替代實施例。例如，結合圖1-4的電感器18、32、52和68描述的上述實施例可應用到電感器70。
圖6是系統90的一實施例的示意圖，該系統包括圖3A-4的供電模組50和60的一個或多個實施例。但是為了便於說明，此時討論的系統90包括圖3A-3B的模組50的一個實施例，其中模組50包括降壓變壓器。
除了模組50，系統90還包括負載92，用以接收來自模組的經穩壓電壓Vout；和濾波電容器(C)94。負載92的實例包括例如處理器或記憶體的積體電路。
此外，模組50可包括相位電流感測器96和反饋電路98。組成感測器96和電路98的構件可安裝於平臺12(圖3B)低於電感器52的位置。
運行時，控制器14回應於電流感測器96和反饋電路98來控制電晶體16，以交替地將輸入電壓Vin和參考電壓(例如，接地)耦合到相位電感器52中，其方式是由Vin產生經穩壓電壓Vout。電流感測器96允許控制器14平衡各相位(每個相位各包括一對高-低電晶體16和相應的相位電感器52)之間的負載電流，並且還能使控制器檢測和限制流入負載92的過電流(例如，如果負載短路)。
仍然參考圖6，設想系統90的替代實施例。例如，結合圖1-5所描述的上述實施例可應用於系統90。此外，雖然描述了降壓變壓器，但是模組50可包括任何其他類型的電原供應器，例如降壓-升壓變壓器。此外，模組50可包括額外構件，例如連接於相位電感器52和負載92之間的濾波電感器。另外，雖然濾波電容器94被描述為位於模組50外，但是其也可以是模組的一部分。
從前述內容可以理解，雖然為了便於闡述在這裏描述了特定實施例，但是不需要偏離所公開內容的精神和範圍就可以做出各種改進。並且，針對特定實施例公開的替換方案，即使沒有特別說明，也可應用到其他的實施例。
10．．．開關供電模組
12．．．平臺
14．．．控制器
16．．．MOSFET電晶體
18．．．電感器
20．．．封裝件
22．．．導線
24,26．．．引線
28．．．間隙
30．．．開關供電模組
32．．．電感器
34,36．．．導電引線
38,40．．．熔焊/軟焊接頭
42．．．熱傳導材料
50．．．供電模組
52．．．電感器
54,56．．．引線
60．．．供電模組
62．．．平臺
64．．．引線框
66．．．印刷電路板
68,70．．．電感器
72．．．封裝件
74,76．．．引線
78,80．．．彎折
90．．．系統
92．．．負載
94．．．濾波電容器(C)
96．．．相位電流感測器
98．．．反饋電路
Vin．．．輸入電壓
Vout．．．經穩壓電壓
圖1是電感器安裝為與其他構件並排設置的供電模組的剖面側視圖；
圖2是電感器安裝在模組封裝件上的供電模組的剖面側視圖；
圖3A-3B分別為供電模組之一實施例的剖面俯視圖和側視圖，該供電模組具有安裝于模組封裝件內並位於其他模組構件上方的電感器；
圖4是供電模組之另一實施例的剖面俯視圖，該供電模組具有安裝于模組封裝件內並位於其他模組構件上方的電感器；
圖5是可在圖3A-4所示的供電模組中使用的電感器的一實施例的側視圖；
圖6是包括圖3A-4所示的供電模組之一的系統的實施例的示意圖。
12．．．平臺
14．．．控制器
16．．．MOSFET電晶體
20．．．封裝件
50．．．供電模組
52．．．電感器
54,56．．．引線

Claims (26)

  1. 一種供電模組，包括：平臺；封裝件，配置在該平臺上；多個供電構件，配置在該封裝件內且附接至該平臺；以及電感器，配置在該封裝件內，位於該等供電構件上方，並且附接至該平臺。
  2. 如申請專利範圍第1項之供電模組，其中該封裝件包括環氧樹脂。
  3. 如申請專利範圍第1項之供電模組，其中該等供電構件中一者包括控制器。
  4. 如申請專利範圍第1項之供電模組，其中該等供電構件中一者包括電晶體。
  5. 如申請專利範圍第1項之供電模組，其中該等供電構件中一者包括電阻器。
  6. 如申請專利範圍第1項之供電模組，其中該等供電構件中一者包括電容器。
  7. 如申請專利範圍第1項之供電模組，其中該電感器包括引線，該引線附接至該平臺並且將該電感器支撐在該等供電構件上方。
  8. 如申請專利範圍第1項之供電模組，還包括另一電感器，該另一電感器配置在該等供電構件上方。
  9. 如申請專利範圍第1項之供電模組，其中該等供電構 件和該電感器安裝至該平臺。
  10. 如申請專利範圍第1項之供電模組，其中：該平臺包括印刷電路板；以及該等供電構件和該電感器安裝至該印刷電路板。
  11. 如申請專利範圍第1項之供電模組，其中：該平臺包括BT基板；並且該等供電構件和該電感器安裝至該BT基板。
  12. 如申請專利範圍第1項之供電模組，其中：該平臺包括引線框；並且該等供電構件和該電感器安裝至該引線框。
  13. 如申請專利範圍第1項之供電模組，其中：該平臺包括引線框和印刷電路板；該等供電構件中一者安裝至該引線框；且該等供電構件中另一者安裝至該印刷電路板。
  14. 如申請專利範圍第1項之供電模組，其中：該平臺包括引線框和印刷電路板；該等供電構件中一者安裝至該引線框；該等供電構件中另一者構件安裝至該印刷電路板；且該電感器安裝至該引線框。
  15. 如申請專利範圍第1項之供電模組，其中其中：該平臺包括引線框和印刷電路板；該等供電構件中一者安裝至該引線框；該等供電構件中另一者安裝至該印刷電路板；且該電感器安裝於該印刷電路板。
  16. 如申請專利範圍第1項之供電模組，其中：該平臺包括引線框和安裝至該引線框之印刷電路板；該等供電構件中一者安裝至該引線框；且該等供電構件中另一者安裝者該印刷電路板。
  17. 一種使用供電模組供電之系統，該系統包括：供電模組；其包括：封裝件；平臺，配置在該封裝件下方；多個供電構件，配置在該封裝件內並且附接至該平臺；電感器，配置在該封裝件內，位於該等供電構件上方，並且附接至該平臺；和供電輸出節點；以及裝置，與該供電輸出節點連接。
  18. 如申請專利範圍第17項之系統，其中該裝置包括積體電路。
  19. 如申請專利範圍第18項之系統，其中該積體電路包括處理器。
  20. 如申請專利範圍第18項之系統，其中該積體電路包括記憶體。
  21. 一種用於製造供電模組之方法，該方法包括：附接多個供電構件至平臺；在該等供電構件上方附接電感器至該平臺；以及在該電感器，該等供電構件和該平臺上方形成封裝件。
  22. 如申請專利範圍第21項之方法，其中附接該等供電構件包括將該等供電構件安裝至該平臺。
  23. 如申請專利範圍第21項之方法，其中：附接該等供電構件包括將該等供電構件安裝至該平臺；以及附接該電感器包括在該等供電構件上方將該電感器安裝至該平臺。
  24. 如申請專利範圍第21項之方法，其中形成該封裝件包括：將該電感器和該等供電構件封裝在封裝材料中。
  25. 如申請專利範圍第21項之方法，其中：附接該電感器包括在該等供電構件上方將數個電感器安裝至該平臺；並且形成該封裝件包括在該電感器和該等供電構件上方形成該封裝件。
  26. 一種供電模組，包括：封裝件；多個供電構件，配置在該封裝件內；以及電感器，配置在該封裝件內並且位於該等供電構件上方，使得該等供電構件中沒有一者支撐該電感器。
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