TWI557260B - 阻氣膜和阻氣膜的製造方法 - Google Patents

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Description

阻氣膜和阻氣膜的製造方法
本發明係關於一種阻氣膜和阻氣膜的製造方法。特別關於一種具有優異的阻氣性的同時具有極優異的透明性、且抑制了著色的阻氣膜和這種阻氣膜的製造方法。
以往，為了成為有機EL元件用的玻璃基板的代替品，提出了以具有優異的阻氣性、並且製造時間短為特徵的阻氣膜的製造方法等(例如，參照專利文獻1)。
更具體而言，專利文獻1中記載的阻氣膜的製造方法，其特徵在於，對在基材上的至少一面塗佈含有全氫聚矽氮烷的液體並對其進行加熱乾燥而成的聚矽氮烷膜實施常壓電漿處理或者真空電漿處理，形成作為水蒸氣阻隔性的指標之水蒸氣透過率(WVTR)為1g/(m2‧day)以下且厚度0.01~5μm的阻氣膜。
另外，為了應用於有機光電轉換元件用的樹脂基材，提出了具備有極高阻氣性的矽氧化物薄膜的阻氣膜的製造方法(例如，參照專利文獻2)。
更具體而言，專利文獻2中記載的阻氣膜的製 造方法，其特徵在於，在基材上的至少一面塗佈含有矽的液體，在20~120℃乾燥形成矽薄膜後，透過使用了含有機矽化合物和氧的反應性氣體的電漿CVD法在矽薄膜上形成矽氧化物薄膜。
另外，提出了具備阻氣性不降低且透明性優異的含碳的氧化矽膜的阻氣膜(例如，參照專利文獻3)。
更具體而言，專利文獻3中記載的阻氣膜，其特徵在於，在基材膜上的至少一面形成膜厚為5~300nm的含碳的氧化矽膜，含碳的氧化矽膜的碳原子(C)與矽原子(Si)的組成比(C/Si)為超過0且1以下的範圍，且著色度(YI)為1.0~5.0的範圍。
並且，為了提供透射率和色調優異的阻氣膜，提出了包括具不同矽含量、氧含量以及氮含量的區域A、B、C之阻氣膜及其製造方法(例如，參照專利文獻4)。
更具體而言，專利文獻4中記載的阻氣膜，其包括氧含量比氮含量多的區域A和氮含量比氧含量多的區域B，且在該區域A和區域B之間包含區域C，在該區域C中，區域A的氧含量逐漸減少，並且氮含量向區域B逐漸增加。該阻氣膜是在基材膜上朝向表面按區域ACB、區域BCA、或者區域ACBCA的順序配置各區域而成的。
專利文獻1：日本特開2007-237588號公報
專利文獻2：日本特開2011-26645號公報
專利文獻3：日本特開2010-158832號公報
專利文獻4：日本特開2009-196155號公報
然而，於專利文獻1中公開的阻氣膜的製造方法中，雖然對聚矽氮烷膜進行常壓電漿處理或者真空電漿處理，但對電漿處理後的阻隔層沒有任何考慮，因此發現阻氣性仍然較低、或者有阻氣性波動等問題。
另外，於專利文獻2中公開的阻氣膜的製造方法中，必須利用電漿CVD法在預定的矽薄膜(聚矽氮烷膜等)上形成更多種類的矽氧化物薄膜。
因此，造成阻氣膜的薄膜化、連續製膜變得困難，或者作為基底的矽薄膜與利用電漿CVD法形成的矽氧化物薄膜之間的密合性不足的問題。
另外，對於專利文獻3中公開的阻氣膜的製造方法，發現得到的阻氣膜的阻氣性仍然較低，或者阻氣性波動，進而造成耐久性等不足的問題。
另外，於專利文獻4中公開的阻氣膜及其製造方法中，由於在多層結構的一部分為氮含量比氧含量多的區域B，所以造成得到的阻氣膜著色(泛黃)，或者透明性降低，且阻氣性仍然不充分的問題。
而且，也發現由於反覆多個成膜步驟來形成各區域A~C，導致製造步驟複雜，生產率差的問題。
因此，本發明的發明人等經過深入研究，結果發現對於在基材上具備阻氣層的阻氣膜而言，透過該阻氣層具有折射率不同的區域，能夠在得到具有優異的阻氣性的同時具有極優異的透明性、且抑制了阻氣膜著色的問 題，從而完成了本發明。
即，本發明的目的在於提供具有優異的阻氣性的同時具有極優異的透明性、且抑制了著色(泛黃)的阻氣膜，以及有效率地得到這種阻氣膜之阻氣膜的製造方法。
根據本發明，可以提供一種阻氣膜，其特徵在於，是在基材上具備阻氣層的阻氣膜，所述阻氣層是向聚矽氮烷層注入離子而形成的，將阻氣層的與基材相接的面設為基材側，將其相反的面設為表面側時，阻氣層從表面側向基材側具有折射率不同的第1區域和第2區域，第1區域中的折射率為1.50~1.68的範圍內的值，第2區域中的折射率為1.40以上且小於1.50的範圍內的值，從而解決上述問題。
即，阻氣層透過具有折射率為規定範圍的較高的第1區域和折射率為規定範圍的較低的第2區域，從而能夠具有優異的阻氣性，並且得到極優異的透明性。
另外，在構成本發明的阻氣膜時，較佳為第1區域的膜密度為2.3~3.0g/cm3的範圍內的值。
透過像這樣考慮第1區域的膜密度而構成具備預定的阻氣層的阻氣膜，從而能夠得到進一步優異的透明性、阻氣性，並且能夠得到即便充分折彎也不產生斷裂的良好的撓性。
另外，在構成本發明的阻氣膜時，較佳為第1區域的厚度為10~30nm的範圍內的值。
透過像這樣考慮第1區域的厚度而構成具備預 定的阻氣層的阻氣膜，從而能夠得到進一步優異的透明性、阻氣性，並且能夠得到即便充分折彎也不產生斷裂的良好的撓性。
另外，在構成本發明的阻氣膜時，在第1區域和第2區域、或者任一方中，將由XPS測定的氧量設為Xmol%、氮量設為Ymol%、矽量設為Zmol%時，較佳為X/Z為1.0~2.5的範圍內的值，Y/Z為0~0.5的範圍內的值。
透過像這樣考慮阻氣層中的元素量比(X/Z、Y/Z)，從而能夠得到進一步優異的透明性、阻氣性。
另外，在構成本發明的阻氣膜時，將由XPS測定的氧量設為Xmol%、矽量設為Zmol%時，較佳為第1區域的X/Z的變化曲線中具有極小點。
通過像這樣阻氣層的X/Z的變化曲線具有極小點，從而能夠得到進一步優異的透明性、阻氣性，並且能夠得到即便充分折彎也不產生斷裂的良好的撓性。
另外，在構成本發明的阻氣膜時，較佳為阻氣膜的總光線透射率(Tt)為88%以上的值，黃色度(YI)為4以下的值。
透過像這樣將阻氣層的總光線透射率(Tt)和黃色度(YI)限制在規定範圍，從而能夠得到進一步優異的透明性、無色性。
另外，本發明的另一個方式是阻氣膜的製造方法，其特徵在於，是在基材上具備阻氣層的阻氣膜的製造方法，包括下述步驟(1)~(3)， (1)聚矽氮烷層形成步驟，在基材上形成聚矽氮烷層，(2)風乾步驟，進行聚矽氮烷層的風乾，(3)離子注入步驟，對聚矽氮烷層注入離子，形成從表面側向基材側包括第1區域和第2區域的阻氣層，上述第1區域的折射率為1.50~1.68的範圍內的值，上述第2區域的折射率為1.40~1.50低於的範圍內的值。
即，透過像這樣對塗佈在基材上的預定的聚矽氮烷層注入離子，從而能夠實質上用一個步驟設置折射率較高的第1區域和折射率較低的第2區域。
因此，透過像這樣製造阻氣膜，從而能夠有效率地且連續地得到具備有優異的阻氣性、並且有極優異的透明性的阻氣層的阻氣膜。
另外，在實施本發明的阻氣膜的製造方法時，較佳將風乾步驟後且離子注入步驟前的聚矽氮烷層的折射率設為1.48~1.63的範圍內的值。
透過像這樣製造阻氣膜，從而能夠容易地將離子注入步驟後的第1區域和第2區域中的折射率分別控制為預定範圍內的值，進而能夠有效率地得到具備有優異的阻氣性、並且有極優異的透明性的阻氣層的阻氣膜。
10‧‧‧聚矽氮烷層
10a‧‧‧聚矽氮烷層
10’‧‧‧阻氣層
10a’‧‧‧第1區域
10b’‧‧‧第2區域
100‧‧‧電漿離子注入裝置
102‧‧‧導體
103‧‧‧氣體導入口
107‧‧‧示波器
108‧‧‧直流外加裝置
110‧‧‧高電壓導入端子
111‧‧‧真空腔
12‧‧‧基材
16‧‧‧基材膜
50‧‧‧阻氣膜
圖1係分別說明實施例和比較例的阻氣層中的第1區域的折射率與WVTR以及Tt的關係圖。
圖2係分別說明實施例和比較例的阻氣層中的第1區域 的折射率與YI以及b＊的關係圖。
圖3係分別說明實施例和比較例的阻氣層中的第1區域的膜密度與WVTR以及Tt的關係圖。
圖4係分別說明實施例和比較例的阻氣層中的第1區域的膜密度與YI以及b＊的關係圖。
圖5係本發明的阻氣膜的剖面圖。
圖6(a)係將實施例1的阻氣膜中的阻氣層透過深度方向厚度的XPS測定而測得的元素量(氮量、矽量以及氧量)之關係圖。
圖6(b)係將實施例1的阻氣膜中的阻氣層透過深度方向厚度的XPS測定而測得的氧量/矽量比(X/Z)和氮量/矽量比(Y/Z)之關係圖。
圖7(a)~7(e)係本發明的阻氣膜的製造方法之示意圖。
圖8係離子注入裝置的一個例子之示意圖。
圖9(a)~9(f)係離子種類(Ar、Kr、He、N、Ne、O)的深度方向厚度(nm)與基於蒙特-卡羅模擬法的離子數的關係之關係圖。
圖10(a)係實施例2的阻氣膜中的阻氣層，其深度方向厚度與由XPS測定測得的元素量(氮量、矽量以及氧量)的關係圖。
圖10(b)係實施例2的阻氣膜中的阻氣層，其深度方向厚度與氧量/矽量比(X/Z)和氮量/矽量比(Y/Z)的關係圖。
圖11(a)係實施例3的阻氣膜中的阻氣層，其深度方向厚度與由XPS測定測得的元素量(氮量、矽量以及氧量) 的關係圖。
圖11(b)係實施例3的阻氣膜中的阻氣層，其深度方向厚度與氧量/矽量比(X/Z)和氮量/矽量比(Y/Z)的關係圖。
圖12(a)係實施例4的阻氣膜中的阻氣層，其深度方向厚度與由XPS測定測得的元素量(氮量、矽量以及氧量)的關係圖。
圖12(b)係實施例4的阻氣膜中的阻氣層，其深度方向厚度與氧量/矽量比(X/Z)和氮量/矽量比(Y/Z)的關係圖。
圖13(a)係實施例5的阻氣膜中的阻氣層，其深度方向厚度與由XPS測定測得的元素量(氮量、矽量以及氧量)的關係供的圖。
圖13(b)係實施例5的阻氣膜中的阻氣層，其深度方向厚度與氧量/矽量比(X/Z)和氮量/矽量比(Y/Z)的關係圖。
圖14(a)係比較例1的阻氣膜中的阻氣層，其深度方向厚度與由XPS測定測得的元素量(氮量、矽量以及氧量)的關係圖。
圖14(b)係比較例1的阻氣膜中的阻氣層，其深度方向厚度與氧量/矽量比(X/Z)和氮量/矽量比(Y/Z)的關係圖。
〔第1實施方式〕
第1實施方式是提供一種阻氣膜，其特徵在於，是在基材上具備阻氣層的阻氣膜，將阻氣層與基材相接的面設為基材側，將其相反的面設為表面側時，阻氣層從表面側向基材側具有折射率不同的第1區域和第2區域，第1 區域中的折射率為1.50~1.68的範圍內的值，且第2區域中的折射率為1.40以上且小於1.50的範圍內的值。
以下，適當地參照圖式，對第1實施方式的阻氣膜進行具體說明。
1.阻氣層
(1)折射率
第1實施方式中的阻氣層，其特徵在於，包括折射率不同的第1區域和第2區域，第1區域中的折射率為1.50~1.68的範圍內的值，並且第2區域中的折射率為1.40以上且小於1.50的範圍內的值。
該理由是透過使阻氣層成為折射率為預定範圍的較高的第1區域，並且使阻氣層的與基材相接的面側(基材側)成為折射率為預定範圍的較低的第2區域，從而能夠得到優異的阻氣性，並且能夠得到極優異的透明性等。即，透過減少在阻氣膜的阻氣層的表面側的反射率，能夠得到極高的總光線透射率。
因此，較佳為第1區域中的折射率為1.50~1.66的範圍內的值，且第2區域中的折射率為1.42~1.49的範圍內的值，更佳為第1區域中的折射率為1.51~1.60的範圍內的值，且第2區域中的折射率為1.44~1.48的範圍內的值。
接著，參照圖1和圖2，對第1實施方式中的阻氣層中的第1區域的折射率與水蒸氣透過率(WVTR)、Tt、YI以及b＊的關係分別進行說明。
在此，WVTR為水蒸氣透過率，是阻氣性的指標之一；Tt為總光線透射率，是透明性的指標之一；YI和b＊分別為黃色度和基於CIE1976L＊a＊b＊表色系統的色度指數，是著色性(泛黃)的程度的指標之一。
圖1是表示實施例和比較例的阻氣層中的第1區域的折射率與WVTR以及Tt的關係圖。即，第1圖在橫軸採用實施例和比較例的阻氣膜中的阻氣層的第1區域的折射率的值，在左縱軸採用阻氣膜的WVTR的值(g/(m2‧day))，在右縱軸採用阻氣膜的Tt的值(%)來表示。
從上述圖1可知，隨著阻氣層中的第1區域的折射率的值增大，呈現出WVTR的值呈對數函數大幅度降低，阻氣性顯著提高的趨勢。
因此，透過使上述第1區域中的折射率為1.50~1.68的範圍內的值，從而能夠得到約0.01~0.05g/(m2‧day)這樣非常低的WVTR的值。
另一方面，如第1圖所示，隨著阻氣層中的第1區域的折射率的值增大，呈現出Tt的值逐漸降低，透光性稍微降低的趨勢。
因此，透過使上述第1區域中的折射率為1.50~1.68的範圍內的值，從而能夠得到約88~92%這樣極高的Tt的值。
因此，透過使第1區域中的折射率為1.50~1.68的範圍內的值，從而得到具有優異的阻氣性、並且具有極優異的透明性的阻氣層。
另外，圖2是表示實施例和比較例的阻氣層中的第1區域的折射率與YI以及b＊的關係的圖。
即，圖2在橫軸採用實施例和比較例的阻氣膜中的阻氣層的第1區域的折射率的值，在左縱軸採用阻氣膜中的YI的值，在右縱軸採用阻氣膜中的b＊的值來表示。
從上述圖2可知，隨著阻氣層中的第1區域的折射率的值增大，呈現出YI的值大幅度增加，阻氣膜著色的趨勢。
因此，可知透過使上述第1區域中的折射率為1.50~1.68的範圍內的值，從而能夠將YI的值抑制成約1.0~4.0這樣非常低的值。
另一方面，如圖2所示，隨著阻氣層中的第1區域的折射率的值增大，呈現出b＊的值逐漸增加，因此阻氣膜稍微著色的趨勢。
因此，透過使上述第1區域中的折射率為1.50~1.68的範圍內的值，從而能夠將b＊的值抑制成約0.4~1.8這樣非常低的值。
因此，可知如果第1區域中的折射率為1.50~1.68的範圍內的值，則如上所述，可得到水蒸氣透過率(WVTR)低、具有優異的阻氣性的同時具有優異的透明性、且抑制了著色的阻氣膜。
應予說明，第1區域的折射率可以為從阻氣層的表面到30nm的範圍的區域中的折射率的平均值，或者可以採用從表面側向基材側到10nm左右的位置中的折射率作 為其代表值。
並且，第2區域的折射率可以為從阻氣層的表面到30nm~100nm的範圍的區域中的折射率的平均值，或者可以採用從表面到50nm左右的位置中的折射率作為其代表值。
而且，在圖6和圖10~13中，係用箭頭表示第1區域和第2區域，但只是為了能夠容易徹底理解而暫時表示，有時表示這些區域的厚度的箭頭支大小會有所增減。
而且，這樣的第1區域、第2區域的折射率可以根據後述的聚矽氮烷化合物的種類、離子注入的條件等進行適當地調整。
(2)膜密度
另外，較佳為使第1區域中的膜密度為2.3~3.0g/cm3的範圍內的值。
另外，較佳為使第2區域中的膜密度為低於1.5以上且小於2.3g/cm3的值。
該理由是透過像這樣限制各區域中的膜密度，從而作為阻氣膜，能夠得到進一步優異的透明性、優異的阻氣性，或者即便充分折彎也不產生斷裂的良好的撓性。
因此，更佳為第1區域中的膜密度為2.4~2.9g/cm3的範圍內的值，且第2區域中的膜密度為1.8~2.2g/cm3的範圍內的值，最佳為第1區域中的膜密度為2.5~2.8g/cm3的範圍內的值，且第2區域中的膜密度為1.9~2.1g/cm3的範圍內的值。
接著，參照圖3和圖4，對阻氣層中的第1區域中的膜密度與WVTR、Tt、YI以及b＊的關係進行說明。
圖3是表示實施例和比較例的阻氣層中的第1區域中的膜密度與WVTR以及Tt的關係圖。
即，圖3在橫軸採用實施例和比較例的阻氣膜中的阻氣層的第1區域中的膜密度的值，在左縱軸採用阻氣膜中的WVTR的值(g/(m2‧day))，在右縱軸採用阻氣膜中的Tt的值(%)來表示。
從上述圖3可知，隨著阻氣層中的第1區域中的膜密度的值增大，呈現出WVTR的值大幅度降低，阻氣性提高的趨勢。
因此，透過使上述第1區域中的膜密度為2.3~3.0g/cm3的範圍內的值，從而得到約0.01~0.1g/(m2‧day)左右的非常低的WVTR的值。
另一方面，如圖3所示，隨著阻氣層的第1區域中的膜密度的值增大，呈現出Tt的值逐漸降低，透光性稍微降低的趨勢。
因此，透過使上述第1區域中的膜密度為2.3~3.0g/cm3的範圍內的值，能夠得到約88~92%這樣極高的Tt的值。
因此，透過使第1區域中的膜密度為2.3~3.0g/cm3的範圍內的值，能夠得到水蒸氣透過率(WVTR)低、具有優異的阻氣性的同時具有極優異的透明性的阻氣層。
另外，圖4是表示實施例和比較例的阻氣層中的第1區域中的膜密度與YI以及b＊的關係的圖。即，圖4在橫軸採用實施例和比較例的阻氣膜中的阻氣層中的第1區域中的膜密度的值，在左縱軸採用阻氣膜中的YI的值，在右縱軸採用阻氣膜中的b＊的值。
而且，從上述圖4可知，隨著阻氣層中的第1區域中的膜密度的值增大，呈現出YI的值呈指數函數增加，因此阻氣膜著色的趨勢。
因此，透過使上述第1區域中的膜密度為2.3~3.0g/cm3的範圍內的值，從而YI的值變為約0.5~4.0的值。
另一方面，如圖4所示，隨著阻氣層中的第1區域中的膜密度的值增大，呈現出b＊的值也大幅度增加，因此阻氣膜著色的趨勢。
因此，透過使上述第1區域中的膜密度為2.3~3.0g/cm3的範圍內的值，從而能夠使b＊的值成為約0.1~2.5的範圍內的值。
因此，如果第1區域中的膜密度為2.3~3.0g/cm3的範圍內的值，則如上所述，可得到水蒸氣透過率(WVTR)低、具有優異的阻氣性的同時具有透明性、且YI、b＊的值低、抑制了著色的阻氣膜。
(3)厚度
另外，較佳為第1區域的厚度為10~30nm的範圍內的值，第2區域的厚度為10~500nm的範圍內的值。
該理由是透過像這樣限制各區域的厚度，並且 如上所述調整它們的折射率，從而能夠得到進一步優選的阻氣性、透明性等，並且得到即便充分折彎也不產生斷裂的良好的撓性。
而且，較佳為含有第1區域和第2區域的阻氣層的厚度(總計厚度)通常為20~530nm的範圍內的值。
該理由是透過像這樣限制阻氣層的厚度，從而能夠得到進一步優異的阻氣性、機械特性等。
因此，更佳為含有第1區域~第2區域的阻氣層的厚度為20~500nm的範圍內的值，最佳為25~300nm的範圍內的值。
(4)XPS测定分析1
(第1區域)
另外，在第1區域中，將由XPS測定的氧量設為Xmol%、氮量設為Ymol%、矽量設為Zmol%時，較佳為X/Z(氧量相對於矽量的比例)為1.0~2.5的範圍內的值，Y/Z(氮量相對於矽量的比例)為0~0.5的範圍內的值。
該理由是在第1區域中，透過使氧量相對於矽量的比例比氮量相對於矽量的比例高，並且使氮量相對於矽量的比例低，從而能夠得到優異的阻氣性的同時得到極高的透明性，且抑制著色。
因此，更佳為第1區域中的X/Z為1.5~2.5的範圍內的值，Y/Z為0.01~0.4的範圍內的值，最佳為X/Z為2.0~2.5的範圍內的值，Y/Z為0.02~0.3的範圍內的值。
第1區域和第2區域只要在上述範圍，組成比 不需要恒定，可以為存在各區域的組成比連續地或者階段地變化的部分的狀態。
另外，在第1區域中，將由XPS測定的氧量設為Xmol%、矽量設為Zmol%時，較佳為X/Z的變化曲線具有極小點。即，較佳為X/Z的值以從表面側向基材側暫時減少後增加方式變化。
該理由是透過像這樣構成，從而能夠得到優異的阻氣性，並且穩定地得到極高的透明性。
另一方面，在第1區域中，將由XPS測定的氮量設為Ymol%、矽量設為Zmol%時，較佳為Y/Z的變化曲線具有極大點。即，較佳為Y/Z的值以從表面側向基材側暫時增加後減少的方式變化。
該理由是透過像這樣構成，從而得到優異的阻氣性，並且穩定地得到極高的透明性。
(第2區域)
另外，在第2區域中，將由XPS測定的氧量設為Xmol%、矽量設為Zmol%時，較佳為X/Z的值在2.0~2.5的範圍內。
由此，能夠使第2區域的折射率為1.40以上且小於1.50的範圍內的值，能夠得到阻氣性。
(5)XPS测定分析2
(第1區域)
在第1區域中，相對於矽量、氧量以及氮量的總計量，較佳為由XPS測定測得的矽量為25~45mol%的範 圍內的值，氧量為54~74mol%的範圍內的值，氮量為0.1~15mol%的範圍內的值。
該理由是如果第1區域中的矽量為低於25mol%的值，則有時會產生相對地氧量、氮量增加，配合成分的平衡被打亂，機械強度、透明性過度降低的情形。
另一方面，這是因為如果第1區域中的矽量為超過45mol%的值，則有時會產生相對地氧量、氮量降低，配合成分的平衡被打亂，阻氣性過度降低的情形。
因此，在第1區域中，相對於矽量、氧量以及氮量的總計量，更佳為由XPS測定測得的矽量為28~44mol%的範圍內的值，最佳為30~40mol%的範圍內的值。
另外，這是因為如果第1區域中的氧量為低於54mol%的值，則有時會產生相對地矽量、氮量增加，配合成分的平衡被打亂，機械強度降低，或者透明性降低，進而折射率變高，反射率增加的情形。
另一方面，這是因為如果第1區域中的氧量為超過74mol%的值，則有時會產生相對地矽量、氮量降低，配合成分的平衡被打亂，阻氣性過度降低的情形。
因此，在第1區域中，相對於矽量、氧量以及氮量的總計量，更佳為由XPS測定測得的氧量為60~73mol%的範圍內的值，最佳為64~72mol%的範圍內的值。
另外，這是因為如果第1區域中的氮量為低於0.1mol%的值，則有時會產生相對地氧量、矽量增加，配合成分的平衡被打亂，阻氣性過度降低的情形。
另一方面，這是因為如果第1區域中的氮量為超過15mol%的值，則有時會產生相對地氧量、矽量減少，配合成分的平衡被打亂，機械強度降低，或者透明性降低，進而折射率變高，反射率增加的情形。
因此，在第1區域中，相對於矽量、氧量以及氮量的總計量，更佳為由XPS測定測得的氮量為0.2~7mol%的範圍內的值，最佳為0.5~5mol%的範圍內的值。
(第2區域)
另外，在第2區域中，相對於矽量、氧量以及氮量的總計量，較佳為由XPS測定測得的矽量為25~50mol%的範圍內的值，氧量為20~70mol%的範圍內的值，氮量為0.01~30mol%的範圍內的值。
該理由是如果第2區域中的矽量為低於25mol%的值，則有時會產生相對地氧量、氮量增加，配合成分的平衡被打亂，機械強度、透明性過度降低的情形。
另一方面，這是因為如果第2區域中的矽量為超過50mol%的值，則有時會產生相對地氧量、氮量降低，配合成分的平衡被打亂，阻氣性過度降低的情形。
因此，在第2區域中，相對於矽量、氧量以及氮量的總計量，更佳為由XPS測定測得的矽量為28~45mol%的範圍內的值，最佳為30~40mol%的範圍內的值。
另外，這是因為如果第2區域中的氧量為低於20mol%的值，則有時會產生相對地矽量、氮量增加，配合成分的平衡被打亂，機械強度過度降低，或者透明性降低 的情形。
另一方面，這是因為如果第2區域中的氧量為超過70mol%的值，則有時會產生相對地矽量、氮量降低，配合成分的平衡被打亂，阻氣性過度降低的情形。
因此，在第2區域中，相對於矽量、氧量以及氮量的總計量，更佳為由XPS測定測得的氧量為25~69.5mol%的範圍內的值，最佳為30~69mol%的範圍內的值。
另外，這是因為如果第2區域中的氮量為低於0.01mol%的值，則有時會產生相對地矽量、氧量增加，配合成分的平衡被打亂，阻氣性過度降低的情形。
另一方面，這是因為如果第2區域中的氮量為超過30mol%的值，則有時會產生相對地矽量、氧量降低，配合成分的平衡被打亂，機械強度、透明性過度降低的情形。
因此，在第2區域中，相對於矽量、氧量以及氮量的總計量，更佳為由XPS測定測得的氮量為0.5~29mol%的範圍內的值，最佳為1~28mol%的範圍內的值。
2.基材
關於基材的種類，只要透明性優異，就沒有特別限制，可舉出玻璃、陶瓷、熱塑性樹脂膜(聚對苯二甲酸乙二醇酯膜等聚酯膜、聚烯烴膜、聚碳酸酯膜等)、熱固性樹脂膜(環氧樹脂膜、有機矽樹脂膜、酚醛樹脂膜等)以及光固化樹脂膜(光固化丙烯酸樹脂膜、光固化聚氨酯樹脂膜、光固化環氧樹脂膜等)等中的單獨一種、或者二 種以上的組合。
另外，基材的厚度也沒有特別限制，通常，較佳為1~1000μm的範圍內的值，更佳為10~100μm的範圍內的值。
3.阻氣膜
另外，第1實施方式中的阻氣膜，包括上述基材和含有第1區域和第2區域的阻氣層。
如圖5所示，第1實施方式中的阻氣膜是例如在基材12上具備阻氣層10’的阻氣膜50，上述阻氣層10’包括第2區域10b’和第1區域10a’。如圖5所示，阻氣膜的阻氣層10’可以為單層，或者雖未圖示，但阻氣層10’可以多個層疊。
另外，阻氣膜50可以用黏接劑等使2片以上阻氣膜貼合。此時，貼合的面沒有特別限定，從保護阻氣層10’的表面，防止阻氣性的降低的觀點出發，較佳用黏.接劑等使阻氣層10’彼此貼合。
4.總光線透射率(Tt)
另外，較佳使阻氣膜的總光線透射率為88%以上的值。
該理由是透過成為這樣的總光線透射率的值，從而能夠得到極高的透明性。
因此，更佳使阻氣膜的總光線透射率為89~99%的範圍內的值，最佳為90~97%的範圍內的值。
5.黃色度(YI)和b＊
另外，較佳為阻氣膜的黃色度為4以下的值。
該理由是透過成為這樣的黃色度的值，從而能夠得到抑制了著色的阻氣膜，可以用作構成具有有機EL元件用、觸摸面板用的顯示器功能的設備的膜。
因此，更佳為使阻氣膜的黃色度(YI)為1~3.5的範圍內的值，最佳為1.5~2.5的範圍內的值。
另外，阻氣膜的b＊(CIE1976L＊a＊b＊表色系統中的b＊軸的色度指數)較佳為-2.0~2.0的範圍，更佳為-1.5~1.5的範圍。
6.水蒸氣透過率(WVTR)
另外，較佳為阻氣膜的水蒸氣透過率為0.050g/(m2‧day)以下的值。
該理由是透過成為這樣的水蒸氣透過率的值，從而能夠得到優異的阻氣性。
因此，更佳為阻氣膜的水蒸氣透過率的值為0.0001~0.04g/(m2‧day)的範圍內的值，更佳為0.0001~0.03g/(m2‧day)的範圍內的值。
7.其他層
本發明的阻氣膜根據需要可以設置各種其他層。
作為上述其他層，例如，可舉出用於提高基材與阻氣層的密合性而設置的底層塗料層、平坦化層、導電層、硬塗層、保護層、防靜電層、防汙層、防眩層、彩色濾光層、黏接劑層、裝飾層、印刷層、其他阻氣層等。
〔第2實施方式〕
第2實施方式係提供一種阻氣膜的製造方法，其特徵在於，是在基材上具備阻氣層的阻氣膜的製造方法，包括下述步驟(1)~(3)， (1)聚矽氮烷層形成步驟，在基材上形成聚矽氮烷層， (2)風乾步驟，進行聚矽氮烷層的風乾， (3)離子注入步驟，對聚矽氮烷層注入離子，形成包括第1區域和第2區域的阻氣層，其中上述第1區域的折射率為1.50~1.68的範圍內的值，上述第2區域的折射率為1.40以上且小於1.50的範圍內的值。
1.步驟(1)：聚矽氮烷層形成步驟
步驟(1)為如下步驟，即，如圖7(a)所示，準備要求阻氣性的基材12，如圖7(b)所示，在準備的基材12上形成聚矽氮烷層10a後，如圖(7c)所示，進行風乾處理，形成離子注入步驟前的聚矽氮烷層10。
(1)聚矽氮烷化合物
用於形成聚矽氮烷層的聚矽氮烷化合物是在分子內具有含-Si-N-鍵(矽氮烷鍵)的重複單元的高分子化合物，可以使用有機聚矽氮烷、無機聚矽氮烷、改性聚矽氮烷等公知的聚矽氮烷化合物。
另外，作為聚矽氮烷化合物，可以直接使用市售的聚矽氮烷化合物。作為聚矽氮烷化合物，在上述中較佳為無機聚矽氮烷，更佳為全氫聚矽氮烷。如果是全氫聚矽氮烷，則能夠容易地得到具備有預定的折射率的區域的 阻氣層。
(2)聚矽氮烷層形成方法
另外，形成聚矽氮烷層的方法沒有特別限定，可以使用公知的方法。例如，可舉出通過絲網印刷法、刀塗法、輥塗法、模塗法、噴墨法、旋塗法等公知的塗佈方法在基材上形成的方法，透過使電漿聚合性矽氮烷化合物的氣體與基材接觸來實施電漿聚合處理而形成的方法等。
其中，為了形成均勻厚度的聚矽氮烷層，較佳配合使用有機溶劑，以將聚矽氮烷化合物的塗佈液透過如下公知的塗佈方法塗佈在基材等上，並使其乾燥形成聚矽氮烷層，公知的塗佈方法包括絲網印刷法、刀塗法、輥塗法、模塗法、噴墨法、旋塗法等。
並且，關於使用的基材，可以與在上述阻氣膜中記載的內容相同。
2.步驟(2)：風乾(seasoning)步驟
另外，風乾步驟為如下步驟，即，如圖(7c)所示，對形成有聚矽氮烷層10a的基材以預定條件進行風乾處理，形成離子注入步驟前的聚矽氮烷層10。
在此，作為風乾條件，較佳為溫度15~35℃、處理時間24~480小時的處理條件，更佳為溫度20~30℃、處理時間48~240小時的處理條件。
即，其原因是透過風乾條件的溫度、處理時間為這樣的範圍，從而能夠穩定地調整在其後的離子注入步驟後得到的阻氣層的組成比，能夠得到優異的阻氣性。
另外，較佳為透過風乾步驟使聚矽氮烷層10的折射率為1.48~1.63的範圍內的值。
該理由是透過將聚矽氮烷層10的折射率限制為預定範圍內的值，從而透過步驟(3)的離子注入步驟得到包含由聚矽氮烷層形成的阻氣層的阻氣膜時，能夠得到優異的阻氣性、透明性等。
即，如果聚矽氮烷層10的折射率為低於1.48的值，則有時會產生在離子注入步驟後得到的阻氣層的阻氣性降低的情形，如果折射率為超過1.63的值，則有時會產生在離子注入步驟後得到的阻氣層的透明性降低的情形。
因此，更佳為透過風乾步驟使聚矽氮烷層10的折射率為1.49~1.59的範圍內的值，最佳為1.50~1.58的範圍內的值。
3.步驟(3)：離子注入步驟
(1)基本方法
步驟(3)為如下步驟，即，如圖(7d)所示，對聚矽氮烷層10進行離子注入，像用箭頭P表示的那樣，注入存在於使用外部電場產生的電漿中的離子，最終，如圖(7e)所示，形成具備預定的阻氣層10’的阻氣膜50。
更具體而言，較佳為離子注入步驟是在含有稀有氣體等電漿生成氣體的氣氛下產生電漿，外加負的高電壓脈衝，由此向聚矽氮烷層的表面注入電漿中的離子(電漿離子)的步驟(電漿離子注入步驟)。
應予說明，圖(7e)中，為了便於理解，單層的阻氣層10’中形成的第1區域10a’和第2區域10b’的形成位置，用虛線表示它們的邊界區域。
另外，作為進行電漿離子注入的方法，可舉出將存在於使用外部電場產生的電漿中的離子注入到聚矽氮烷層10的方法，或者將存在於不使用外部電場而僅由對聚矽氮烷層10外加的負的高電壓脈衝而產生的電場所產生的電漿中的離子注入到聚矽氮烷層10的方法。
另外，向聚矽氮烷層注入電漿中的離子時，可以使用公知的電漿離子注入裝置，例如，可以使用日本特開2001-26887號公報、日本特開2001-156013號公報、國際公開WO2010/021326號公報中記載的電漿離子注入裝置等。
作為一個例子，可以使用圖8所示的電漿離子注入裝置100。
即，上述電漿離子注入裝置100基本地具備真空腔111、微波電源(未圖示)、電磁鐵線圈(未圖示)和直流外加裝置(脈衝電源)108。
而且，真空腔111是對被處理物的基材膜16(以下，有時簡稱為基材膜16)進行離子注入的容器，且基材膜16係配置於真空腔111內部的預定位置，所述基材膜16是在基材12上形成聚矽氮烷層10而成的，所述離子來自從氣體導入口103導入的規定氣體。
另外，直流外加裝置108是安裝有示波器107的直流電源，是用於向作為被處理物的基材膜16外加高電 壓脈衝的脈衝電源。
因此，直流外加裝置108與配置在作為被處理物的基材膜16上的導體102電連接。
因此，根據像這樣構成的電漿離子注入裝置100，透過驅動微波電源(電漿放電用電極)和電磁鐵線圈，從而在導體102和基材膜16的周圍產生預定氣體的電漿。
接著，經過規定時間後，微波電源和電磁鐵線圈的驅動停止，並且直流外加裝置108被驅動，預定的高電壓脈衝(負電壓)介由高電壓導入端子110和導體102，外加到作為被處理物的基材膜16。
因此，可以透過外加上述高電壓脈衝(負電壓)來誘發電漿中的離子種類(氮離子等)，注入到聚矽氮烷層，由此形成至少在表面具備阻氣層的阻氣膜。
應予說明，雖未圖示，但在用於連續注入電漿離子的注入裝置中，可以對基材膜16進行反覆操作、搬送、捲繞，依次進行電漿離子注入。
(2)離子種類
而且，對於導入到上述真空腔，進而注入到聚矽氮烷層的離子種類就沒有特別限制，可舉出氬、氦、氖、氪、氙等稀有氣體的離子；氟碳、氫、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等的離子；甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、戊烷、己烷等鏈烷烴系氣體類的離子；乙烯、丙烯、丁烯、戊烯等鏈烯烴系氣體類的離子；戊二烯、丁二烯等二烯烴系氣體類的離子；乙炔、甲基乙炔等炔烴系氣體類的離子；苯、 甲苯、二甲苯、茚、萘、菲等芳香族烴類氣體類的離子；環丙烷、環己烷等環烷烴系氣體類的離子；環戊烯、環己烯等環烯烴系氣體類的離子；金、銀、銅、鉑、鎳、鈀、鉻、鈦、鉬、鈮、鉭、鎢、鋁等導電性金屬的離子；矽烷(SiH4)或有機矽化合物的離子等。
其中，從能夠更簡便地注入，得到具有優異的阻氣性的阻氣層的角度出發，較佳離子種類為選自氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙以及氪中的至少一種的離子。
而且，如圖9(a)~9(f)所示，可知如果離子種類為氬(Ar)、氪(Kr)、氦(He)、氮(N)、氖(Ne)以及氧(O)，則由蒙特-卡羅模擬法(使用亂數進行的數值解析)算出的離子數分別相對於深度方向厚度(nm)的波動小，能夠在預定深度位置進行離子注入，特別較佳作為注入的離子種類。
應予說明，注入到聚矽氮烷層的離子種類，即，離子注入用氣體也具有作為電漿生成氣體的功能。
(3)電漿離子注入壓力
另外，較佳離子注入時的真空腔的壓力，即，電漿離子注入壓力為0.01~1Pa的範圍內的值。
該理由是上述電漿離子注入時的壓力在這樣的範圍時，能夠簡便且有效率地均勻注入離子，能夠有效率地形成兼具優異的耐折彎性、阻氣性的阻氣層。
因此，更佳使電漿離子注入壓力為0.02~0.8Pa的範圍內的值，最佳為0.03~0.6Pa的範圍內的值。
(4)電漿離子注入外加電壓
另外，較佳為使離子注入時的外加電壓(高電壓脈衝/負電壓)為-1kV~-50kV的範圍內的值。
該理由是如果以上述外加電壓大於-1kV的值進行離子注入，則有時會產生離子注入量(劑量)變得不足，而得不到所希望的阻氣性。
另一方面，這是因為如果以外加電壓小於-50kV的值進行離子注入，則有時會產生離子注入時膜帶電，另外產生對膜的著色等不良情況，而得不到所預期的阻氣性。
因此，更佳為離子注入時的外加電壓為-1kV~-15kV的範圍內的值，最佳為-5kV~-8kV的範圍內的值。
4.阻氣膜的用途
另外，對於本發明的阻氣膜而言，可以設置各種層形成步驟，在阻氣膜的表面或背面形成其他層。
例如，如果在基材的至少一面側預先形成例如由矽烷偶聯劑、聚氨酯系底層塗料、環氧類底層塗料、聚酯系底層塗料等構成的底層塗料層，則能夠顯著提高基材與阻氣膜之間的密合性。
另外，為了提高耐久性，提高機械特性、或者平坦化性等，較佳也在基材與阻氣層之間的介面、阻氣層或者基材的表面形成無機薄膜層。
另外，為了提高耐久性、提高撓性等，亦可較佳在基材與阻氣層之間的介面、阻氣層或者基材的表面形 成衝擊吸收層。
另外，為了賦予防靜電性、通電性，較佳也可在基材與阻氣層之間的介面、阻氣層或者基材的表面形成導電層。
並且，為了提高含阻氣膜的電子產品、阻氣容器等的裝飾性、資訊性，較佳也可在基材與阻氣層之間的介面、阻氣層或者基材的表面整面或者部分地形成裝飾層、印刷層(含有金屬蒸鍍層)。
實施例
以下，參照實施例，進一步詳細說明本發明。
〔實施例1〕
1.阻氣膜的製造
(1)步驟1：聚矽氮烷層形成步驟
使用旋塗機(MIKASA株式會社製，MS-A200，轉速：3000rpm，旋轉時間：30秒)，將含有全氫聚矽氮烷的液體(溶劑：二甲苯，濃度：10重量%)塗佈在作為基材之厚度50μm的聚酯膜(東洋紡株式會社製，A-4100)上，在120℃、2分鐘的條件下，加熱乾燥，形成厚度為150nm的聚矽氮烷層。
(2)步驟2：風乾步驟
接著，在23℃、50%RH環境下放置48小時，將聚矽氮烷層的折射率調整為1.5505。
(3)步驟3：離子注入步驟
接著，使用電漿離子注入裝置(RF電源：日 本電子株式會社製，RF56000，高電壓脈衝電源：栗田製作所株式會社，PV-3-HSHV-0835)，按下述條件對得到的聚矽氮烷層進行電漿離子注入，得到實施例1之含有多個區域的阻氣膜(厚度：150nm)。
腔內壓：0.2Pa
導入氣體：氬氣
RF輸出功率：1000W
RF頻率：1000Hz
RF脈衝寬度：50μsec
RF延遲(delay)：25nsec
DC電壓：-8kV
DC頻率：1000Hz
DC脈衝寬度：5μsec
DC延遲(delay)：50μsec
占空比(Duty Ration)：0.5%
處理時間：300sec
2.電漿離子注入前的聚矽氮烷層的評估
使用分光偏振光橢圓率測量儀(J.A.Woollam JAPAN株式會社製)測定電漿離子注入前的聚矽氮烷層的折射率。將得到的結果示於表1。
3.阻氣膜的評估
對經由電漿離子注入最終得到的阻氣膜進行以下評估。
(1)XPS測定分析
使用XPS測定分析裝置(ULVAC-PHI公司製，Quantum2000)進行得到的阻氣膜中的阻氣層的深度方向的元素分析。將得到的利用XPS測定的元素量圖(chart)等示於圖(6a)~(6b)。另外，圖(6b)可知，將由XPS測定的氧量設為Xmol%、氮量設為Ymol%、矽量設為Zmol%時，第1區域中的(X/Z)在1.0~2.5的範圍，(Y/Z)在0~0.5的範圍。
另外，從上述元素量圖可確認，在阻氣層中是否形成了具有預定折射率的第1區域和第2區域。
應予說明，確認後具有預定的第1區域和第2區域的情況以○表示，確認後沒有預定的第1區域和第2區域的情況以×表示。
而且，在第1區域中，將由XPS測定的氧量設為Xmol%、氮量設為Ymol%、矽量設為Zmol%時，在氧量相對於矽量(X/Z)的變化曲線中，具有極小點的情況以○表示，不具有極小點的情況以×表示。
應予說明，在圖6和圖10~13中，“深度方向厚度”表示從阻氣層的表面側向基材側的方向中的位置。
(2)折射率
分成第1區域和第2區域，使用分光偏振光橢圓率測量儀(J.A.Woollam JAPAN株式會社製)分別測定得到的阻氣膜中的阻氣層的折射率。將得到的結果示於表1。
(3)膜密度
分成第1區域和第2區域，使用X射線繞射裝 置(Rigaku株式會社製，全自動水準型多功能X射線繞射裝置Smart Lab)分別測定得到的阻氣膜中的阻氣層的膜密度。將得到的結果示於表1。
(4)水蒸氣透過率(WVTR)
使用水蒸氣透過率測定裝置(MOCON株式會社製，AQUATRAN)，測定得到的阻氣膜在RH90%、40℃的條件下的水蒸氣透過率。將得到的結果示於表1。
(5)總光線透射率
使用濁度計(日本电色工業株式會社製，HAZE METER NDH5000)，以JIS K 7631-1為基準，測定得到的阻氣膜的總光線透射率(Tt)。將得到的結果示於表1。
(6)黃色度(YI)和b＊
使用分光色差儀(日本電色工業株式會社製，Spectro Color Meter SQ2000)，以JIS K 7105為基準，分別測定得到的阻氣膜的黃色度(YI)和b＊(CIE1976L＊a＊b＊表色系統中的b＊軸的色度指數)。將得到的結果示於表1。
應予說明，更詳細而言，YI和b＊分別為由下述式定義的值。
YI=100(1.28X-1.067Z)/Y(X和Y為由色差儀測定的阻氣膜的XYZ座標系中的三刺激值的值。)
b＊=200[(Y/Yn)1/3-(Z/Zn)1/3](Y和Z為由色差儀測定的阻氣膜的XYZ座標系中的三刺激值的值，Yn和Zn為在完全漫反射面的三刺激值的值。)
〔實施例2〕
在實施例2中，將步驟3中的電漿離子注入時的DC電壓變更為-7kV，除此之外，與實施例1同樣地製造阻氣膜，並進行評估。將得到的結果示於表1，並且將得到的利用XPS測定的元素量圖等示於圖10(a)~10(b)。另外，從圖(10b)可知，將由XPS測定的氧量設為Xmol%、氮量設為Ymol%、矽量設為Zmol%時，第1區域中的(X/Z)在1.0~2.5的範圍，(Y/Z)在0~0.5的範圍。
〔實施例3〕
在實施例3中，將步驟3中的電漿離子注入時的DC電壓變更為-6kV，除此之外，與實施例1同樣地製造阻氣膜，並進行評估。將得到的結果示於表1，並且將得到的利用XPS測定的元素量圖等示於圖11(a)~11(b)。另外，從圖11(b)可知，將由XPS測定的氧量設為Xmol%、氮量設為Ymol%、矽量設為Zmol%時，第1區域中的(X/Z)在1.0~2.5的範圍，(Y/Z)在0~0.5的範圍。
〔實施例4〕
在實施例4中，將步驟3中的電漿離子注入時的DC電壓變更為-5kV，除此之外，與實施例1同樣地製造阻氣膜，並進行評估。將得到的結果示於表1，並且將得到的利用XPS測定的元素量圖等示於圖12(a)~12(b)。另外，從圖12(b)可知，將由XPS測定的氧量設為Xmol%、氮量設為Ymol%、矽量設為Zmol%時，第1區域中的(X/Z)在1.0~2.5的範圍，(Y/Z)在0~0.5的範圍。
〔實施例5〕
在實施例5中，在步驟2中，在23℃、50%RH環境下放置10天，得到折射率為1.5045的聚矽氮烷層；再使用該聚矽氮烷層，並且將步驟3中的電漿離子注入時的DC電壓變更為-10kV；除此之外，與實施例1同樣地製造阻氣膜，並進行評估。將得到的結果示於表1，並且將得到的利用XPS測定的元素量圖等示於圖13(a)~13(b)。另外，從圖13(b)可知，將由XPS測定的氧量設為Xmol%、氮量設為Ymol%、矽量設為Zmol%時，第1區域中的(X/Z)在1.0~2.5的範圍，(Y/Z)在0~0.5的範圍。
〔比較例1〕
在比較例1中，在步驟1中，將加熱處理後的含有全氫聚矽氮烷的液體在23℃、50%RH的環境下放置20天，得到折射率為1.4601的聚矽氮烷層；再使用該聚矽氮烷層，並且將步驟2中的電漿離子注入時的DC電壓變更為-10kV；除此之外，與實施例1同樣地製造阻氣膜，並進行評估。將得到的結果示於表1，並且將得到的利用XPS測定的元素量圖等示於圖14(a)~14(b)。另外，從圖14(b)可知，將由XPS測定的氧量設為Xmol%、氮量設為Ymol%、矽量設為Zmol%時，第1區域中的(X/Z)在1.0~2.5的範圍，(Y/Z)在0~0.5的範圍。
表1
產業上的可利用性
以上，如詳述，根據本發明，透過使在基材上設置阻氣層的阻氣膜中包括折射率不同的第1區域和第2區域，從而具有優異的阻氣性，並且得到極優異的透明性等。
而且，根據本發明的阻氣膜的製造方法，能夠 實質上用一個步驟容易且精度良好地形成折射率不同的第1區域和第2區域，也能夠有助於穩定的生產、定量的生產。
因此，本發明的阻氣膜可用於需要具有預定的阻氣性、透明性等的電子產品、電子部件、圖像顯示裝置(有機電致發光元件、液晶顯示裝置等)、太陽能電池、透明導電材料、PET瓶、包裝容器、玻璃容器等各種用途。
上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。

Claims (8)

  1. 一種阻氣膜之製造方法，其中該阻氣膜係為一在一基材上設有一阻氣層之阻氣膜，包括下述步驟(1)~(3)：(1)聚矽氮烷層形成步驟，在該基材上形成一聚矽氮烷層(2)風乾步驟，進行該聚矽氮烷層的風乾，該聚矽氮烷層之折射率設為1.50~1.58的範圍內的值；以及(3)離子注入步驟，對該聚矽氮烷層注入離子，以形成從一表面側向一基材側包括第1區域和第2區域的阻氣層，其中該第1區域之折射率為1.50~1.68的範圍內的值，該第2區域之折射率為1.40以上且小於1.50的範圍內的值。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之阻氣膜之製造方法，其中該風乾步驟之風乾溫度為15~35℃，及風乾處理時間為24~240小時的範圍內的值。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之阻氣膜之製造方法，其中該離子注入步驟中，該第1區域中的膜密度為2.3~3.0g/cm3的範圍內的值。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之阻氣膜之製造方法，其中該離子注入步驟中，該第1區域的厚度為10~30nm的範圍內的值。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之阻氣膜之製造方法，其中該離子注入步驟中，該第1區域的由XPS測定的氧量設為Xmol%、氮量設為Ymol%、矽量設為Zmol%時，X/Z為1.0~2.5的範圍內的值，Y/Z為0~0.5的範圍內的值。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之阻氣膜之製造方法，其中該離子注入步驟中，該第1區域的由XPS測定的氧量設為Xmol%、矽量設為Zmol%時，X/Z之變化曲線具有極小點。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之阻氣膜之製造方法，其中該離子注入步驟中，該第1區域中的相對於矽量、氧量以及氮量的總計量，由XPS測定測得的矽量為25~45mol%的範圍內的值，氧量為54~74mol%的範圍內的值，氮量為0.1~15mol%的範圍內的值。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之阻氣膜之製造方法，其中該離子注入步驟中，該阻氣膜的總光線透射率Tt為88%以上的值，黃色度YI為4以下的值。
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