CN107531014A - 阻气膜、电子器件用部件及电子器件 - Google Patents

阻气膜、电子器件用部件及电子器件 Download PDF

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Abstract

本发明为阻气膜、包含该阻气膜的电子器件用部件和具备该电子器件用部件的电子器件，所述阻气膜具有衬底膜和将在该衬底膜上形成的含有聚硅氮烷系化合物的层改性而成的阻气层，其特征在于，水蒸气透过率为0.100g/(m2·天)以下，并且在60℃、相对湿度为90%的氩气气氛下，从所述阻气层放出的氢气的量为每1cm2阻气膜5.5μg以下。根据本发明，提供具有阻气性优异、并且脱气的产生得到抑制的阻气层的阻气膜，包含该阻气膜的电子器件用部件，和具备该电子器件用部件的电子器件。

Description

阻气膜、电子器件用部件及电子器件
技术领域
本发明涉及：具有阻气性优异、并且脱气(outgas)的产生量少的阻气层的阻气膜，包含该阻气膜的电子器件用部件，和具备该电子器件用部件的电子器件。
背景技术
近年来，在液晶显示器或电致发光(EL)显示器等显示器中，为了实现薄型化、轻量化、柔性化等，作为具有电极的基板，使用在透明塑料膜上层合阻气层而成的所谓阻气膜代替玻璃板。
作为阻气层的形成方法，已知通过在含有聚硅氮烷系化合物的层中注入离子或将该层的表面暴露在等离子体中，从而将含有聚硅氮烷系化合物的层改性的方法。
例如，在专利文献1中，记载了一种成型体，其特征在于，具有在含有聚硅氮烷系化合物的层中注入离子而成的层。另外，在该文献中，还记载了该注入离子而成的层可作为阻气层起作用。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-117150号公报(US2012064321A1)。
发明内容
发明所要解决的课题
如专利文献1所述，通过将在衬底上形成的含有聚硅氮烷系化合物的层改性，可得到阻气性优异的阻气膜。
但是，在通过如上所述的方法得到的阻气膜中，若微量的水蒸气侵入阻气层中，则可能会从阻气层产生微量的氢气等。于是，在将如上所述的阻气膜用作电子器件的部件的情况下，有产生的气体引起电子器件的故障或外观劣化的情况。
本发明鉴于上述实际情况而成，其目的在于，提供：具有阻气性优异、并且脱气的产生量少的阻气层的阻气膜，包含该阻气膜的电子器件用部件，和具备该电子器件用部件的电子器件。
解决课题的手段
本发明人为了解决上述课题，对具有将含有聚硅氮烷系化合物的层改性而成的阻气层的阻气膜进行了深入研究。结果发现，在涂布含有聚硅氮烷系化合物的涂布液后，使得到的涂膜中的聚硅氮烷系化合物与水分充分地接触后，将含有所述聚硅氮烷系化合物的层改性，由此可形成即使微量的水蒸气侵入，脱气的产生量也少的阻气层，从而完成了本发明。
因此，根据本发明，可提供下述(1)~(3)的阻气膜、(4)的电子器件用部件和(5)的电子器件。
(1) 阻气膜，其具有衬底膜和将在该衬底膜上形成的含有聚硅氮烷系化合物的层改性而成的阻气层，其特征在于，水蒸气透过率为0.100g/(m2·天)以下，并且在60℃、相对湿度为90%的氩气气氛下，从所述阻气层放出的氢气的量为每1cm2阻气膜5.5μg以下。
(2) (1)所记载的阻气膜，其中，所述阻气层的厚度为10nm~1μm。
(3) (1)所记载的阻气膜，其中，所述阻气层为通过进行离子注入处理、等离子体处理、紫外线照射处理或加热处理而将含有聚硅氮烷系化合物的层改性得到的层。
(4) 电子器件用部件，其包含前述(1)~(3)中任一项所记载的阻气膜。
(5) 电子器件，其具备前述(4)所记载的电子器件用部件。
发明的效果
根据本发明，可提供具有阻气性优异、并且脱气的产生量少的阻气层的阻气膜，包含该阻气膜的电子器件用部件，和具备该电子器件用部件的电子器件。
具体实施方式
下面，将本发明分为1) 阻气膜以及2) 电子器件用部件和电子器件详细地进行说明。
1) 阻气膜
本发明的阻气膜具有衬底膜和将在该衬底膜上形成的含有聚硅氮烷系化合物的层(下面有时称为“聚硅氮烷层”)改性而成的阻气层，其特征在于，水蒸气透过率为0.100g/(m2·天)以下，并且在60℃、相对湿度为90%的氩气气氛下，从所述阻气层放出的氢气的量为每1cm2阻气膜5.5μg以下。
(1) 衬底膜
构成本发明的阻气膜的衬底膜只要作为阻气膜的衬底具有充分的强度，则无特殊限制。
作为衬底膜，通常使用树脂膜。
作为树脂膜的树脂成分，可列举出聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烃、聚酯、聚碳酸酯、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、丙烯酸系树脂、环烯烃系聚合物、芳族系聚合物等。
其中，从透明性优异，并且具有通用性的方面考虑，优选聚酯、聚酰胺或环烯烃系聚合物，更优选聚酯或环烯烃系聚合物。
作为聚酯，可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯酸酯等，优选聚对苯二甲酸乙二醇酯。
作为聚酰胺，可列举出全芳族聚酰胺、尼龙6、尼龙66、尼龙共聚物等。
作为环烯烃系聚合物，可列举出降冰片烯系聚合物、单环的环状烯烃系聚合物、环状共轭二烯系聚合物、乙烯基脂环烃聚合物和它们的氢化物。作为其具体例，可列举出APEL(三井化学公司制的乙烯-环烯烃共聚物)、ARTON (JSR公司制的降冰片烯系聚合物)、ZEONOR (日本ZEON公司制的降冰片烯系聚合物)等。
在不妨碍本发明的效果的范围内，树脂膜可含有各种添加剂。作为添加剂，可列举出紫外线吸收剂、抗静电剂、稳定剂、抗氧化剂、增塑剂、润滑剂、着色颜料等。这些添加剂的含量可根据目的适宜确定。
树脂膜可通过制备含有树脂成分和根据需要的各种添加剂的树脂组合物，并将其成型为膜状来得到。成型方法无特殊限定，可利用流延法或熔融挤出法等公知的方法。
衬底膜的厚度无特殊限定，可根据阻气膜的目的确定。衬底膜的厚度通常为0.5~500μm，优选为1~100μm。
衬底膜在380~780nm下的光线透过率优选80%以上，更优选85%以上。
(2) 阻气层
构成本发明的阻气膜的阻气层是将聚硅氮烷层改性而成。
需说明的是，在本发明中，阻气层为来源于聚硅氮烷层的层，指具有阻气性(抑制氧、水蒸气等气体透过的特性)的层。例如，在只将聚硅氮烷层的表面部改性的情况下，本发明的阻气层由经改性的区域和未改性的区域两者构成。
聚硅氮烷层中含有的聚硅氮烷系化合物为分子内具有含有-Si-N-键(硅氮烷键)的重复单元的化合物。具体而言，优选具有以式(1)表示的重复单元的化合物。另外，使用的聚硅氮烷系化合物的数均分子量无特殊限定，但优选为100~50,000。
[化1]
在所述式(1)中，n表示任意的自然数。Rx、Ry、Rz分别独立地表示氢原子、无取代或具有取代基的烷基、无取代或具有取代基的环烷基、无取代或具有取代基的烯基、无取代或具有取代基的芳基或烷基甲硅烷基等非水解性基团。
作为所述无取代或具有取代基的烷基的烷基，例如可列举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基等碳原子数为1~10的烷基。
作为无取代或具有取代基的环烷基的环烷基，例如可列举出环丁基、环戊基、环己基、环庚基等碳原子数为3~10的环烷基。
作为无取代或具有取代基的烯基的烯基，例如可列举出乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基等碳原子数为2~10的烯基。
作为所述烷基、环烷基和烯基的取代基，可列举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等卤素原子，羟基，巯基，环氧基，缩水甘油氧基，(甲基)丙烯酰氧基，苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等无取代或具有取代基的芳基等。
作为Rx、Ry、Rz的无取代或具有取代基的芳基的芳基，例如可列举出苯基、1-萘基、2-萘基等碳原子数为6~10的芳基。
作为所述芳基的取代基，可列举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等卤素原子，甲基、乙基等碳原子数为1~6的烷基，甲氧基、乙氧基等碳原子数为1~6的烷氧基，硝基，氰基，羟基，巯基，环氧基，缩水甘油氧基，(甲基)丙烯酰氧基，苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等无取代或具有取代基的芳基等。
作为烷基甲硅烷基，可列举出三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、甲基二乙基甲硅烷基、二甲基甲硅烷基、二乙基甲硅烷基、甲基甲硅烷基、乙基甲硅烷基等。
其中，作为Rx、Ry、Rz，优选氢原子、碳原子数为1~6的烷基或苯基，特别优选氢原子。
作为具有以所述式(1)表示的重复单元的聚硅氮烷系化合物，可为Rx、Ry、Rz全部是氢原子的无机聚硅氮烷，Rx、Ry、Rz中的至少1个不是氢原子的有机聚硅氮烷中的任一。
另外，在本发明中，作为聚硅氮烷系化合物，也可使用聚硅氮烷改性物。作为聚硅氮烷改性物，例如可列举出日本特开昭62-195024号公报、日本特开平2-84437号公报、日本特开昭63-81122号公报、日本特开平1-138108号公报等、日本特开平2-175726号公报、日本特开平5-238827号公报、日本特开平5-238827号公报、日本特开平6-122852号公报、日本特开平6-306329号公报、日本特开平6-299118号公报、日本特开平9-31333号公报、日本特开平5-345826号公报、日本特开平4-63833号公报等所记载的化合物。
其中，作为聚硅氮烷系化合物，从易获取性和可形成具有优异的阻气性的离子注入层的观点出发，优选Rx、Ry、Rz全部是氢原子的全氢聚硅氮烷。
另外，作为聚硅氮烷系化合物，也可直接使用作为玻璃涂层材料等市售的市售品。
聚硅氮烷系化合物可单独使用1种，或将2种以上组合使用。
除了上述聚硅氮烷系化合物以外，聚硅氮烷层可在不妨碍本发明的目的的范围内含有其它的成分。作为其它的成分，可列举出固化剂、抗老化剂、光稳定剂、阻燃剂等。
从可得到具有更优异的阻气性的阻气层的方面考虑，聚硅氮烷层中的聚硅氮烷系化合物的含量优选50质量%以上，更优选70质量%以上。
聚硅氮烷层的厚度无特殊限制，但通常为10nm~1μm，优选为10~500nm。
在本发明中，即使聚硅氮烷层为纳米级，也可得到具有充分的阻气性的阻气性层合体。
形成聚硅氮烷层的方法无特殊限定。例如可通过以下来形成聚硅氮烷层：制备含有聚硅氮烷系化合物中的至少一种、根据需要的其它的成分、和溶剂等的聚硅氮烷层形成用溶液，接着通过公知的方法涂布该聚硅氮烷层形成用溶液，将得到的涂膜干燥。
作为聚硅氮烷层形成用溶液中使用的溶剂，可列举出苯、甲苯等芳族烃系溶剂，醋酸乙酯、醋酸丁酯等酯系溶剂，丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮等酮系溶剂，正戊烷、正己烷、正庚烷等脂族烃系溶剂，环戊烷、环己烷等脂环烃系溶剂等。
这些溶剂可单独使用1种，或将2种以上组合使用。
作为聚硅氮烷层形成用溶液的涂布方法，可列举出棒涂法、旋涂法、浸渍法、辊涂法、凹版涂布法、刮刀涂布法、气刀涂布法、辊刀涂布法、模头涂布法、丝网印刷法、喷涂法、凹版胶印法等。
在制备本发明的阻气膜时，优选使涂布聚硅氮烷层形成用溶液得到的涂膜中的聚硅氮烷系化合物与水分充分地接触。通过使涂膜中的聚硅氮烷系化合物与水分充分地接触，可有效地形成即使微量的水蒸气侵入，脱气的产生量也少的阻气层。
涂膜中的聚硅氮烷系化合物与水分的接触例如可通过在规定的湿度、温度的条件下将具有含有聚硅氮烷系化合物的涂膜的层合体静置规定时间来进行。此时的湿度、温度、时间可根据目的适宜设定。
关于静置所述具有涂膜的层合体时的湿度，通常可在相对湿度为0%~100%的范围内进行。需说明的是，即使相对湿度为0%，由于衬底等其它的层中含有微量的水分，所以也可利用该微量的水分。但是，在这种情况下，为了使聚硅氮烷系化合物与水分有效地接触，优选在高温下进行。
静置所述具有涂膜的层合体时的温度通常为5~150℃，优选为10~130℃。通常，在相对湿度低的情况下(例如30%以下)，通过在更高温条件下(例如100℃以上)静置层合体，可使聚硅氮烷系化合物与水分充分地接触。
静置所述具有涂膜的层合体的时间通常为10分钟~1周，优选为30分钟~48小时。该时间可根据采用的湿度条件、温度条件适宜确定。通常，在静置所述具有涂膜的层合体的时间短的情况下(例如15分钟以下)，通过在更高温条件下(例如130℃以上)静置层合体，可使聚硅氮烷系化合物与水分充分地接触。
另外，使涂膜中的聚硅氮烷系化合物与水分接触的条件优选根据涂膜的膜厚设为最适合的条件。即，其原因在于，随着涂膜变厚，聚硅氮烷系化合物与水分的接触有变得不充分的倾向，并且从形成的阻气层产生的脱气的量也有变多的倾向。
通常，在涂膜厚时(200nm~1μm)，优选使湿度为50%以上，温度为100℃以上，层合体静置时间为24小时以上。
另一方面，在膜厚薄的情况下(低于200nm)，湿度为低于50%、温度为低于25℃、层合体的静置时间为1小时左右即已足够。
在使聚硅氮烷系化合物与水分接触后，根据需要干燥涂膜，接着进行聚硅氮烷层的改性处理。
作为聚硅氮烷层的改性处理，可列举出离子注入处理、等离子体处理、紫外线照射处理、热处理等。
如后所述，离子注入处理为在聚硅氮烷层中注入离子，将聚硅氮烷层改性的方法。
等离子体处理为将聚硅氮烷层暴露在等离子体中，将聚硅氮烷层改性的方法。例如，可依据日本特开2012-106421号公报所记载的方法，进行等离子体处理。
紫外线照射处理为对聚硅氮烷层照射紫外线来将聚硅氮烷层改性的方法。例如，可依据日本特开2013-226757号公报所记载的方法，进行紫外线改性处理。
其中，从可不损伤聚硅氮烷层的表面，而有效地改性至其内部，形成阻气性更优异的阻气层的方面考虑，优选离子注入处理。
作为在聚硅氮烷层中注入的离子，可列举出氩、氦、氖、氪、氙等稀有气体的离子，碳氟化合物、氢、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等的离子，甲烷、乙烷等烷烃系气体类的离子，乙烯、丙烯等烯烃系气体类的离子，戊二烯、丁二烯等二烯烃系气体类的离子，乙炔等炔烃系气体类的离子，苯、甲苯等芳族烃系气体类的离子，环丙烷等环烷烃系气体类的离子，环戊烯等环烯烃系气体类的离子，金属的离子，有机硅化合物的离子等。
这些离子可单独使用1种，或将2种以上组合使用。
其中，从可更简便地注入离子，可形成具有更优异的阻气性的阻气层的方面考虑，优选氩、氦、氖、氪、氙等稀有气体的离子。
离子的注入量可根据阻气膜的使用目的(需要的阻气性、透明性等)等适宜确定。
作为注入离子的方法，可列举出照射通过电场加速的离子(离子束)的方法、注入等离子体中的离子的方法等。其中，由于可简便地形成目标的阻气层，后者的注入等离子体离子的方法为优选。
关于等离子体离子注入，例如可如下进行：在含有稀有气体等的等离子体生成气体的气氛下产生等离子体，通过对聚硅氮烷层施加负的高电压脉冲，在聚硅氮烷层的表面部注入该等离子体中的离子(阳离子)。
通过离子注入而注入离子的区域的厚度可通过离子的种类或施加电压、处理时间等注入条件来控制，可根据聚硅氮烷层的厚度或阻气膜的使用目的等确定，但通常为10~400nm。
(3) 阻气膜
本发明的阻气膜具有：衬底膜，和将在该衬底膜上形成的含有聚硅氮烷系化合物的层改性而成的阻气层。
本发明的阻气膜可具有衬底膜、阻气层以外的层。
作为衬底膜、阻气层以外的层，可列举出底漆层、导电体层、冲击吸收层、粘结剂层、硬涂层、工程片材等。需说明的是，工程片材具有在保存、搬运阻气膜时保护阻气膜的作用，在使用阻气膜时剥离。
作为本发明的阻气膜的层结构的实例，可列举出下面的层结构，但并不限定于此。
(i) 衬底膜/阻气层
(ii) 硬涂层/衬底膜/阻气层
(iii) 衬底膜/底漆层/阻气层
(iv) 硬涂层/衬底膜/底漆层/阻气层
本发明的阻气膜的厚度无特殊限定，但优选为1~1000μm，更优选为10~500μm，进一步优选为40~100μm。
本发明的阻气膜在温度为40℃、相对湿度为90%下的水蒸气透过率为0.100g/(m2·天)以下，优选为0.050g/(m2·天)以下，更优选为0.030g/(m2·天)以下。下限值无特殊限制，越小越优选，但通常为0.001g/(m2·天)以上。
水蒸气透过率可通过实施例所记载的方法来测定。
本发明的阻气膜中，在60℃、相对湿度为90%的氩气气氛下，从阻气层放出的氢气的量为每1cm2阻气膜5.5μg以下，优选为5.0μg以下，更优选为4.5μg以下。下限值无特殊限制，越小越优选，但通常为0.1μg以上。
氢气的放出量可通过实施例所记载的方法来测定。
通常，聚硅氮烷系化合物与水分反应，生成氢气或氨气。因此，在将阻气膜用作电子器件的密封材料等时，在阻气膜的阻气层中侵入的微量的水分与聚硅氮烷系化合物反应，由此产生这些气体，有引起电子器件的故障或外观劣化的可能性。
由于构成本发明的阻气膜的阻气层难以发生聚硅氮烷系化合物的上述反应，所以本发明的阻气膜中，在阻气层内水蒸气侵入时，从阻气层放出的脱气的量少。
如上所述，由于本发明的阻气膜具有阻气性优异、并且脱气的产生量少的阻气层，所以适合用作电子器件用部件。
2) 电子器件用部件和电子器件
本发明的电子器件用部件的特征在于，包含本发明的阻气膜。因此，由于本发明的电子器件用部件具有优异的阻气性，所以可防止由水蒸气等气体导致的元件的劣化。另外，由于本发明的电子器件用部件的脱气的产生量少，引起电子器件的故障或外观劣化的可能性少，所以适合作为液晶显示器、EL显示器等显示器部件等。
本发明的电子器件具备本发明的电子器件用部件。作为具体例，可列举出液晶显示器、有机EL显示器、无机EL显示器、电子纸、太阳能电池等。
由于本发明的电子器件具备包含本发明的阻气膜的电子器件用部件，所以具有优异的阻气性，并且难以发生由产生脱气导致的电子器件的故障或外观劣化。
实施例
下面，列举实施例来更详细地说明本发明。但是，本发明并不受以下实施例的任何限定。
各例中的份和%只要无特殊说明，均为质量基准。
[水蒸气透过率]
使用mocon公司制“AQUATRAN”测定阻气膜的水蒸气透过率。测定在40℃、相对湿度为90%的气氛下进行。
[氢气量]
将阻气膜放入石英室中，向其中通入温度为60℃、相对湿度调湿为90%的氩气。用大气压电离质谱仪(API-MS)分析通过石英室内的气体，将其中含有的氢气的量定量。需说明的是，氢气的量为从开始通入氩气时起至氢的检测峰与背景同等为止的累积量。
[器件的外观]
除了使用阻气膜作为基板的方面以外，制备具有与日本特开2007-197517号公报的实施例16中公开的有机EL元件相同的结构的器件。
在60℃、相对湿度为90%的环境下将其静置24小时后，观察外观。
[实施例1]
在厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(下面称为“PET膜”。) (东洋纺公司制，Cosmoshine A-4100)上涂布以全氢聚硅氮烷作为主要成分的涂层剂(Merck PerformanceMaterials公司制，“AZNN110-20”)形成涂膜，通过于120℃将得到的带涂膜的PET膜加热2分钟，在PET膜上形成厚度为25nm的聚硅氮烷层。
接着，对于上述聚硅氮烷层，使用等离子体离子注入装置，在下述条件下进行等离子体离子注入，将聚硅氮烷层的表面改性，得到阻气膜。对该阻气膜进行各种测定。将测定结果示出于表1中。
[等离子体离子注入的处理条件]
等离子体生成气体：氩
气体流量：100sccm
占空比：0.5%
重复频率：1000Hz
施加电压：-10kV
RF功率：1000W
RF电源：(频率) 13.56MHz，(施加功率) 1000W
室内压：0.2Pa
脉冲宽度：5μsec
处理时间(离子注入时间)：5分钟
输送速度：0.2m/min。
[实施例2]
在实施例1中，将聚硅氮烷层的膜厚变更为50nm，除此之外与实施例1相同地得到阻气膜，进行各种测定。将测定结果示出于表1中。
[实施例3]
在实施例1中，将聚硅氮烷层的膜厚变更为100nm，除此之外与实施例1相同地得到阻气膜，进行各种测定。将测定结果示出于表1中。
[实施例4]
在实施例1中，将聚硅氮烷层的膜厚变更为200nm，除此之外与实施例1相同地得到阻气膜，进行各种测定。将测定结果示出于表1中。
[实施例5]
在实施例1中，将聚硅氮烷层的膜厚变更为300nm，除此之外与实施例1相同地得到阻气膜，进行各种测定。将测定结果示出于表1中。
[实施例6]
在实施例1中，将聚硅氮烷层的膜厚变更为400nm，并在涂布涂层剂后，在23℃、相对湿度为50%的环境下将其静置24小时，除此之外与实施例1相同地得到阻气膜，进行各种测定。将测定结果示出于表1中。
[实施例7]
在实施例1中，将聚硅氮烷层的膜厚变更为400nm，并在涂布涂层剂后，在80℃、相对湿度为50%的环境下将其静置3小时，除此之外与实施例1相同地得到阻气膜，进行各种测定。将测定结果示出于表1中。
[实施例8]
在实施例1中，将聚硅氮烷层的膜厚变更为400nm，并在涂布涂层剂后，在120℃、相对湿度为0%的环境下将其静置1小时，除此之外与实施例1相同地得到阻气膜，进行各种测定。将测定结果示出于表1中。
[实施例9]
在实施例1中，代替对聚硅氮烷层进行等离子体离子注入处理，使用卷式电极型等离子体放电处理装置，在下述条件下对聚硅氮烷层进行等离子体处理，除此之外与实施例1相同地得到阻气膜，进行各种测定。将测定结果示出于表1中。
[等离子体处理的条件]
相对于膜的输送方向平行地设置多个与卷式电极相对的棒状电极，在各电极部投入气体和电力，对聚硅氮烷层的表面进行20秒钟的等离子体照射。
放电气体：Ar气
反应气体：氧气相对于全部气体为7%
高频侧电源电力：13.56MHz、8W/cm2
[实施例10]
在实施例1中，代替对聚硅氮烷层进行等离子体离子注入处理，使用准分子(excimer)照射装置(MDCOM公司制，MECL-M-1-200，波长为172nm，灯封入气体 Xe)，在下述条件下对聚硅氮烷层进行准分子处理，除此之外与实施例1相同地得到阻气膜，进行各种测定。将测定结果示出于表1中。
[准分子处理的条件]
对于在可动台上固定的膜，在以下条件下进行改性处理。
准分子光强度：130mW/cm2 (172nm)
膜与光源的距离：1mm
台加热温度：70℃
照射装置内的氧浓度：0.5%
准分子照射时间：3秒
[比较例1]
在实施例1中，将聚硅氮烷层的膜厚变更为400nm，除此之外与实施例1相同地得到阻气膜，进行各种测定。将测定结果示出于表1中。
[比较例2]
在实施例1中，将聚硅氮烷层的膜厚变更为500nm，除此之外与实施例1相同地得到阻气膜，进行各种测定。将测定结果示出于表1中。
[表1]
表1
根据表1，知道以下情况。
在实施例1~10中得到的阻气膜具有充分的阻气性，并且即使其阻气层与水蒸气接触，氢气的产生量也少。具备该阻气膜的器件未产生外观上的问题。
另一方面，在比较例1、2中得到的阻气膜的阻气层与水蒸气接触时的氢气的产生量多，具备该阻气膜的器件产生膨胀。

Claims (5)

1. 阻气膜，其具有衬底膜和阻气层，所述阻气层是将在所述衬底膜上形成的含有聚硅氮烷系化合物的层改性而成，所述阻气膜的特征在于，
水蒸气透过率为0.100g/(m2·天)以下，并且
在60℃、相对湿度为90%的氩气气氛下，从所述阻气层放出的氢气的量为每1cm2阻气膜5.5μg以下。
2.权利要求1所述的阻气膜，其中，所述阻气层的厚度为10nm~1μm。
3.权利要求1所述的阻气膜，其中，所述阻气层为通过进行离子注入处理、等离子体处理、紫外线照射处理或加热处理而将含有聚硅氮烷系化合物的层改性得到的层。
4.电子器件用部件，其包含权利要求1~3中任一项所述的阻气膜。
5.电子器件，其具备权利要求4所述的电子器件用部件。
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